DE3213239C2 - - Google Patents
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- DE3213239C2 DE3213239C2 DE3213239A DE3213239A DE3213239C2 DE 3213239 C2 DE3213239 C2 DE 3213239C2 DE 3213239 A DE3213239 A DE 3213239A DE 3213239 A DE3213239 A DE 3213239A DE 3213239 C2 DE3213239 C2 DE 3213239C2
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
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- G—PHYSICS
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- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Description
Die Erfindung bezieht sich auf Halbleiterdruckein
richtungen gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1
bzw. 3.
Solche Einrichtungen sind in der US 42 02 623 ge
zeigt, wobei dort zur Ausschaltung von Relativverset
zungen des Musters zwischen einer Maske und einem Halb
leiterscheibchen ein Luftstrom auf die Projektionsmaske
geblasen wird, um deren Temperatur zu steuern, wobei
automatisch die Temperaturdifferenz zwischen Maske und
Scheibchen konstant gehalten werden soll.
In der DE 27 35 043 A1 ist eine Vorrichtung zum Kompen
sieren der Wärmeeinwirkung an Justier- und Belichtungs
einrichtungen beschrieben, bei der sowohl das
Halbleitersubstrat als auch die Maske mittels einer ei
genen Heiz- und/oder Kühlvorrichtung temperaturgesteu
ert wird. Dabei wird jedoch stets die gesamte Masken
fläche sowie die gesamte Halbleiterplättchenfläche auf
homogene Temperatur geregelt, so daß eine abschnitts
weise unterschiedliche Temperatur nicht einregelbar
ist.
In der US 41 39 051 ist ein Gerät zum thermischen Sta
bilisieren von zu bearbeitenden Werkstücken beschrie
ben, bei dem eine temperaturgesteuerte Wärmesenke mit
einem klebrigen Polymerfilm überzogen ist, auf dem das
Werkstück aufgelegt wird. Zur Sicherstellung engen Kon
taktes zwischen Werkstück und Polymerfilm wird das
Werkstück während der Bearbeitung mittels Unterdruck
zur Wärmesenke angezogen. Nach erfolgter Bearbeitung
wird auf Überdruck umgeschaltet, so daß das Werkstück
von der Wärmesenke abnehmbar ist.
Der Erfindung liegt demgegenüber die Aufgabe zu
grunde, eine gattungsgemäße Halbleiterdruckeinrichtung
zu schaffen, mit der durch Parameteränderung verur
sachte Fehler der gewünschten Musterausrichtung zwi
schen Maske und Halbleiterscheibchen präzise ausge
schaltet werden können.
Diese Aufgabe wird mit den im Patentanspruch 1 bzw. 3
genannten Maßnahmen gelöst.
Bei der erfindungsgemäßen Halbleiterdruckeinrichtung
findet somit an mehreren Stellen des Halbleiterscheib
chenträgers eine selektive Erwärmung und/oder Kühlung
statt, so daß die lokale Temperaturverteilung über der
Oberfläche derart steuerbar ist, daß eine präzise Kom
pensation von Musterausrichtfehlern erzielbar ist.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich
aus den Unteransprüchen.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachstehend
unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläu
tert.
Fig. 1A, 1B und 1C sind schematische Darstellungen des
herkömmlichen Ausrichtens zwischen Maske und
Scheibchen,
Fig. 2 Veranschaulicht den Grundgedanken des auf Ab
schnitte aufgeteilten Temperatursteuersystems bei
der Halbleiterdruckeinrichtung,
Fig. 3 zeigt ein Ausführungsbeispiel der Halbleiterdruck
einrichtung,
Fig. 4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel, bei dem
Halbleiter-Thermomodule eingesetzt werden,
Fig. 5 ist eine Längsschnittansicht dieses Ausführungsbeispiels,
Fig. 6 zeigt eine Anordnung konzentrischer Ringblock-
Heizvorrichtungen,
Fig. 7 zeigt ein Ausführungsbeispiel, bei dem die Anord
nung konzentrischer Ringblock-Heizvorrichtungen
eingesetzt ist,
Fig. 8 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der Halb
leiterdruckeinrichtung, bei dem ein Ausrichtfeh
ler-Meßsystem eingesetzt ist,
Fig. 9 zeigt ein nächstes Ausführungsbeispiel der Halb
leiterdruckeinrichtung, bei dem der Abstand zwi
schen einer Heiz-/Kühlvorrichtung und der Maske
bzw. dem Halbleiter-Scheibchen verändert wird.
Zunächst wird anhand der Fig. 1A bis 1C die Art und Weise
des gegenseitigen Ausrichtens eines Halbleiter-Scheibchens
und einer Maske beschrieben.
In der Fig. 1A sind M1 und M2 an einer Maske angezeichnete
Richtmuster, während W1 und W2 Richtmuster an einem ent
sprechenden Halbleiter-Scheibchen sind. Jedes der Richtmu
ster M1 und M2 an der Maske ist als ein Paar von Doppelli
nien ausgezeichnet, die einander unter rechten Winkeln
schneiden. Die Richtmuster W1 und W2 an dem Scheibchen
entsprechen hinsichtlich der Lage und der Form den Richt
mustern M1 und M2 mit der Ausnahme, daß jedes der Richtmu
ster W1 und W2 als ein Paar einzelner Linien aufgezeichnet
ist.
Diese Richtmuster werden beispielsweise mittels eines Ab
taststrahls gemäß der Darstellung in der Fig. 1B abgeta
stet. Während des Abtastens werden von einem fotoelektri
schen Ausrichtungsmeßsystem in zeitlicher Folge Stufensig
nale gemäß der Darstellung in der Fig. 1C abgegeben, die
aus den Aufzeichnungslinien der Richtmuster an der Maske
und dem Scheibchen abgeleitet sind. Wenn die Richtmuster
W1 und W2 in die entsprechenden Richtmuster M1 und M2 ein
gesetzt gesehen werden und in die jeweiligen Mitten der
Muster M1 und M2 gelangt sind, ist das Ausrichten des
Scheibchens mit der Maske vollendet. Daher kann irgendein
Ausrichtfehler als Zeitdifferenz zwischen zwei Intervallen
t1 und t2 oder t3 und t4 (nach Fig. 1C) erfaßt werden.
Die Richtmuster M1 und M2 wurden zwar zur Vereinfachung
in der Fig. 1A in gegenseitigem Abstand dargestellt, jedoch
ist es ersichtlich, daß die Muster nahe beieinander
angeordnet sein können. Ferner ist es möglich, diese
Richtmuster an benachbarten Stellen in ein Muster für tat
sächliche Elemente einzugliedern. Wie es später beschrie
ben wird, können dort auch Fühler wie Temperaturfühler
eingegliedert werden.
Der vorstehend beschriebene Ausrichtungsvorgang muß für jeden
Bearbeitungsschritt wiederholt werden. Der Grund hierfür
liegt darin, daß die Bedingungen wie die Temperatur, unter
welchen ein Bearbeitungsschritt ausgeführt wird, sich im
allgemeinen von denjenigen bei der Ausführung des nächsten
Bearbeitungsschrittes unterscheidet. Falls nach dem Ausrichten
für einen vorhergehenden Bearbeitungsschritt kein Ausrichten
für den nächsten Bearbeitungsschritt erfolgt, entsteht eine
gewisse Versetzung des Musters, die die Halbleiterbauelemente-Herstellung
behindert.
Anhand der Fig. 2 und 3 wird nun ein Ausführungsbeispiel
der Halbleiterdruckeinrichtung beschrieben.
Mit 1 ist eine Signaleingabeeinheit für das Einstellen
von Steuerparametern bezeichnet. Die Signaleingabeeinheit
kann beispielsweise eine Tastatur eines Fernschreibgeräts
sein. 2 ist ein Fühler für die Erfassung der Temperatur
und der Temperaturverteilung der Maske. 3 ist eine Aus
richtfehler-Meßeinheit für die Ermittlung irgendeiner Versetzung
der Muster (diese Einheit 3 kann weggelassen wer
den, wenn ein entsprechendes Signal aus irgendeiner Aus
richtfehler-Meßvorrichtung zur Verfügung steht, die ur
sprünglich an der Druckeinrichtung angebracht ist, wie
beispielsweise ein fotoelektrisches Ausrichtungs-Meßsy
stem). 4 ist eine Hauptsteuereinheit mit einem Vergleicher,
einem Rechenwerk einem Speicher zur Speicherung von In
formationen usw. (die Hauptsteuereinheit 4 kann ein Mikro
computer sein). Mit 5 sind Steuereinheiten zum Steuern
von Heizvorrichtungen oder Halbleiter-Thermomodulen (bzw.
Peltier-Elementen) entsprechend Signalen aus der Haupt
steuereinheit 4 bezeichnet. 6 sind Heiz- und/oder Kühlele
mente, die jeweils durch Heizvorrichtungen oder Halblei
ter-Thermomodule gebildet sind. 7 sind Fühler zum Erfassen
der Oberflächentemperatur des Halbleiter-Scheibchens oder
des Scheibchen-Spannfutters in den Elementen 6 entspre
chenden Abschnitten. Die Fühler 7 geben entsprechende
Steuersignale an die Steuereinheiten 5 ab. 8 ist die Foto
maske, während 9 das Halbleiter-Plättchen ist. 10 ist ein
Maskenhalter zum Festhalten der Fotomaske; während 11 ein
Scheibchen-Spannfutter zum Einspannen des Halbleiter-
Scheibchens ist.
Die Temperaturfühler 2 an der Maske können beispielsweise
in irgendwelchen kleinen Zwischenräumen zwischen den tat
sächlichen Elementmustern der Maske angebracht sein (wie
z. B. in einem Zeilenbereich für das Beschriften). Anderer
seits können die Temperaturfühler 7 gemäß der Darstellung
in der Fig. 5 an dem Scheibchen zwischen den Heiz- und/
oder Kühlelmenten 6 eingebettet sein. Die auf diese Weise
angeordneten Fühler behindern nicht die Belichtung, so
daß der Belichtungszustand aufrecht erhalten werden kann.
Hinsichtlich der Anbringungslage der Temperaturfühler be
steht keine Einschränkung auf die vorangehend beschriebe
ne. Die Fühler können in der Umgebung des belichtungsfrei
en Bereichs außerhalb des Belichtungsbereichs angebracht
werden, obgleich dadurch die Genauigkeit der Temperaturer
fassung etwas verringert sein kann. In diesem Fall kann
jedoch auch das Ausrichten unter Aufrechterhalten des er
wünschten Belichtungszustands vorgenommen werden, da die
Fühler nicht auf den Belichtungsbereich einwirken. Wenn
es nicht notwendig ist, die Beeinflussung des Belichtungs
zustands zu beachten, können die Temperaturfühler direkt
oberhalb der Maske und direkt oberhalb des Scheibchens
angeordnet werden. Die Temperaturfühler 7 an dem Scheib
chen können so angeordnet werden, daß sie den Fühlern 2
an der Maske direkt im Verhältnis 1:1 oder in einem sol
chen Verhältnis entsprechen, daß einer der Fühler 7 je
weils zwei oder mehreren Fühlern 2 entspricht. Die Anzahl
der Temperaturfühler 7 an dem Scheibchen sollte gleich
der Anzahl der gleichfalls an dem Scheibchen angeordneten
Heiz-und/oder Kühlelemente 6 sein. Wenn die Temperaturfühler
7 an dem Scheibchen in dem letztgenannten Verhältnis
der Übereinstimmung eines der Fühler 7 mit jeweils zwei
oder mehreren Fühlern 2 an der Maske angeordnet sind, wird
die Temperatur eines jeden Abschnitts des Scheibchens so
geregelt, daß sie der Durchschnittstemperatur in den ent
sprechenden mehreren Abschnitten der Maske entspricht.
Bei einem später beschriebenen Ausführungsbeispiel wird
zugleich die Versetzung des Musters an der Maske und dem
Scheibchen mittels der Ausrichtfehler-Meßeinheit erfaßt.
In diesem Fall werden die Richtmuster als Bezugsorte ein
gesetzt. Wie die vorstehend genannten Temperaturfühler
können die Richtmuster zwischen dem tatsächlichen Element
muster an der Maske angebracht sein. An dem Scheibchen
können die Richtmuster unter jeweiliger Übereinstimmung
mit einem der Richtmuster an der Maske oder unter jeweili
ger Übereinstimmung mit zwei oder mehreren Richtmustern
der Maske angeordnet werden.
Bei dem in den Fig. 2 und 3 gezeigten Ausführungsbeispiel
sind die Heiz- und/oder Kühlelemente 6 in dem Scheib
chen-Spannfutter so angeordnet, daß sie diesem eine be
stimmte geregelte Temperaturverteilung erteilen. Das
Scheibchen 9 wird hinsichtlich der Temperatur indirekt
über das Scheibchen-Spannfutter 11 geregelt. Es ist natür
lich möglich, die Heiz- und/oder Kühlelemente 6 in der
Weise anzuordnen, daß das Scheibchen 9 hinsichtlich der
Temperatur direkt mittels der Elemente 6 geregelt wird.
Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel hat das Scheib
chen-Spannfutter 11 gleichzeitig zwei verschiedene Funk
tionen, nämlich das Scheibchen festzuhalten und die Tem
peratur des Scheibchens zu regeln.
Die Funktionsweise bei dem vorstehend beschriebenen Aus
führungsbeispiel ist folgende:
Zu Beginn des Ausrichtungsvorgangs gibt die Bedienungsper son mittels der Signaleingabeeinheit 1, die eine Schreib maschine oder eine Tastatur sein kann, die Steuerparameter für die Einstellung der notwendigen Steuergrößen ein. Die eingegebenen Steuerparameter werden in die Hauptsteuerein heit 4 eingeleitet, die eine Reihe von Betriebsablauffol gen hat, welche im Voraus in dem Speicher gespeichert sind. Entsprechend den nunmehr eingegebenen Steuerparame tern aus der Signaleingabeeinheit 1 wählt die Hauptsteuer einheit 4 die für die eingegebenen Steuerparameter am be sten geeignete Ablauffolge aus den eingespeicherten ver schiedenen Ablauffolgen. Dann führt die Hauptsteuereinheit 4 die gewählte Betriebsablauffolge aus. Gewünschtenfalls können diese Betriebsablauffolgen für verschiedenerlei unterschiedliche Steuerparameter in dem Speicher in der Hauptsteuereinheit automatisch bei der Einstellung der Parameter über einen an die Signaleingabeeinheit 1 ange schlossenen Magnetspeicher eingelesen werden. Ferner ist es möglich, derartige Betriebsablauffolgen in irgendein nicht-flüchtiges Speicherelement einzuschreiben (wie bei spielsweise in einen programmierbaren Festspeicher (PROM), einen löschbaren und neu programmierbaren Festspeicher (EPROM) oder dergleichen). Ferner kann an die Hauptsteuer einheit 4 eine Sichtanzeigeeinheit wie ein Kathodenstrahl röhren-Endgerät, eine Leuchtdioden- oder Flüssigkristall anzeige und/oder eine Aufzeichnungseinheit wie ein Drucker angeschlossen werden, um während des Betriebs die Be triebsdaten zu überwachen und/oder aufzuzeichnen.
Zu Beginn des Ausrichtungsvorgangs gibt die Bedienungsper son mittels der Signaleingabeeinheit 1, die eine Schreib maschine oder eine Tastatur sein kann, die Steuerparameter für die Einstellung der notwendigen Steuergrößen ein. Die eingegebenen Steuerparameter werden in die Hauptsteuerein heit 4 eingeleitet, die eine Reihe von Betriebsablauffol gen hat, welche im Voraus in dem Speicher gespeichert sind. Entsprechend den nunmehr eingegebenen Steuerparame tern aus der Signaleingabeeinheit 1 wählt die Hauptsteuer einheit 4 die für die eingegebenen Steuerparameter am be sten geeignete Ablauffolge aus den eingespeicherten ver schiedenen Ablauffolgen. Dann führt die Hauptsteuereinheit 4 die gewählte Betriebsablauffolge aus. Gewünschtenfalls können diese Betriebsablauffolgen für verschiedenerlei unterschiedliche Steuerparameter in dem Speicher in der Hauptsteuereinheit automatisch bei der Einstellung der Parameter über einen an die Signaleingabeeinheit 1 ange schlossenen Magnetspeicher eingelesen werden. Ferner ist es möglich, derartige Betriebsablauffolgen in irgendein nicht-flüchtiges Speicherelement einzuschreiben (wie bei spielsweise in einen programmierbaren Festspeicher (PROM), einen löschbaren und neu programmierbaren Festspeicher (EPROM) oder dergleichen). Ferner kann an die Hauptsteuer einheit 4 eine Sichtanzeigeeinheit wie ein Kathodenstrahl röhren-Endgerät, eine Leuchtdioden- oder Flüssigkristall anzeige und/oder eine Aufzeichnungseinheit wie ein Drucker angeschlossen werden, um während des Betriebs die Be triebsdaten zu überwachen und/oder aufzuzeichnen.
Beispiele für die vorangehend genannten Betriebsablauffol
gen für verschiedenerlei unterschiedliche Steuerbedingun
gen sind folgende:
Die Temperaturverteilung der von dem Maskenhalter 10 ge
haltenen Fotomaske 8 wird mittels einer Vielzahl von Ver
teilungsmeß-Temperaturfühlern 2 ermittelt, die an der Mas
ke 8 angeordnet sind. Die Daten für die ermittelte Tempe
raturverteilung werden in die Hauptsteuereinheit 4 einge
geben, die Signale an die jeweiligen Steuereinheiten
abgibt, um die Temperaturverteilung an der Oberfläche des
Spannfutters 11 gleich der mittels der Fühler 2 erfaßten
Temperaturverteilung der Maske zu machen. Entsprechend
den Signalen aus der Hauptsteuereinheit 4 setzen daher
die jeweiligen Steuereinheiten 5 die daran angeschlossenen
Heiz- und/oder Kühlelemente 6 (in Form von Heizvorrichtun
gen oder Halbleiter-Thermomodulen) gemäß den Signalen aus
der Hauptsteuereinheit 4 in Betrieb. Zugleich steuern die
jeweiligen Steuereinheiten 5 die Heiz- und/oder Kühlele
mente 6 in der Weise, daß unter Bezugnahme auf die ent
sprechend den an die jeweiligen Steuereinheiten 5 ange
schlossenen Elementen 6 angeordneten Spannfutteroberflä
chen-Temperaturfühler 7 die Temperaturen der Elemente auf
den den von der Hauptsteuereinheit 4 angelegten Signalen
entsprechenden Werten gehalten werden.
Falls einer Steuereinheit 5 mehrere Fühler 2 zugeordnet
sind, wird mittels der Fühler 2 die Temperaturverteilung
der Maske 8 ermittelt, wobei die erfaßten Daten in die
Hauptsteuereinheit 4 eingegeben werden. Die Hauptsteuer
einheit 4 führt einen Rechenvorgang zur Ermittlung eines
Mittelwerts der erfaßten Daten aus und legt an die Steuer
einheiten 5 Signale zum Einregeln der Oberflächentempera
tur des Spannfutters 11 an einem jeweiligen Abschnitt auf
den Mittelwert an. In Bezug auf die Fühler 7 steuern die
jeweiligen Steuereinheiten 5 die Heiz- und/oder Kühlele
mente 6, wodurch die jeweiligen Oberflächentemperaturen
der mehreren Abschnitte des Spannfutters 11 auf die jewei
ligen Mittelwerte der Temperaturverteilungen der entspre
chenden Abschnitte der Maske 8 gesteuert werden. Der hier
bei angewandte Mittelwert kann das einfache arithmeti
sche Mittel der Temperaturen sein, die mittels der mehre
ren Fühler 2 erfaßt werden, die für ein einzelnes Heiz- oder
Kühlelement 6 vorgesehen sind, oder aber ein arithme
tischer Mittelwert, der unter Berücksichtigung der Koordi
natenstellen der Fühler 2 etwa bewertet ist.
Diese Ablauffolge ist im wesentlichen die gleiche wie die
vorstehend beschriebene Ablauffolge I. Die Oberflächentem
peratur des Spannfutters 11 wird aber so gesteuert, daß
die Temperaturdifferenz zwischen den den Fühlern 2 ent
sprechenden verschiedenen Punkten an der Spannfutterober
fläche konstant gehalten werden kann.
Diese Ablauffolge ist im wesentlichen die gleiche wie die
vorstehend beschriebene Ablauffolge II. Die Oberflächen
temperatur des Spannfutters 11 wird aber so gesteuert,
daß die Oberflächentemperatur auf einen Wert einstellbar
ist, der sich um einen bestimmten Wert von dem mittels
der Hauptsteuereinheit 4 berechneten Mittelwert der Tempe
raturverteilung an den Fühlern 2 unterscheidet.
Die Temperatur an dem Maskenhalter 10 wird mit einem, zwei,
drei oder vier von Sensoren 2′ erfaßt, die an dem Halter,
jedoch im belichtungsfreien Bereich angeordnet sind. Aus
den Ausgangssignalen der Fühler berechnet die Hauptsteuer
einheit 4 auf die vorangehend beschriebene Weise den Mit
telwert (wobei die Durchschnittsberechnung unnötig ist,
wenn nur ein Fühler vorgesehen ist). Die jeweiligen Ab
schnitte des Spannfutters 11 werden so geregelt, daß die
Oberflächentemperatur eines jeweiligen Abschnitts auf den
entsprechenden Mittelwert eingestellt wird.
In einer zur vorstehend unter V beschriebenen Weise
gleichartigen Weise wird die Oberflächentemperatur des
Spannfutters 11 an den jeweiligen Abschnitten so geregelt,
daß sie auf einen Wert eingestellt wird, der sich von dem
Mittelwert um einen bestimmten Wert unterscheidet.
In den Speicher in der Hauptsteuereinheit 4 werden im Vor
aus Daten einer den Temperaturen der Fühler 2′ entspre
chenden Temperaturverteilung an der Maske 8 eingespei
chert. Die Hauptsteuereinheit 4 berechnet auf die vorste
hend unter V beschriebene Weise die mittlere Temperatur
der Fühler 2′ und liest die zuvor eingespeicherte, den
Fühlern 2′ entsprechende Temperaturverteilung an der Maske
8 aus dem Speicher aus. Das Spannfutter 11 wird zu der
aus dem Speicher ausgelesenen Temperaturverteilung hin
gesteuert.
Diese Ablauffolge ist im wesentlichen die gleiche wie die
vorstehend beschriebene Ablauffolge VII. Die Oberflächen
temperatur des Spannfutters 11 wird aber so gesteuert,
daß an den jeweiligen Stellen der Spannfutteroberfläche
die Temperaturdifferenz zwischen der aus dem Speicher aus
gelesenen Temperaturverteilung an der Maske 8 und der
Spannfutter-Oberflächentemperatur konstant gemacht wird.
Die Oberflächentemperatur des Spannfutters 11 an den je
weiligen Abschnitten wird auf eine Temperatur oder eine
Temperaturverteilung geregelt, die von der Hauptsteuerein
heit 4 vorgegeben ist.
Gemäß der Darstellung in der Fig. 8 wird aus einer Aus
richtfehler-Meßeinheit 3 ein Fehlersignal gewonnen. (Im
allgemeinen sind die derzeit erhältlichen Maskenausricht
vorrichtungen mit einem fotoelektrischen Richtmuster-Er
fassungssystem ausgestattet, das über ein Mikroskopobjek
tiv 13 betreibbar ist. Dieses Erfassungssystem kann als
Ausrichtfehler-Meßeinheit bzw. Fehlersensor 3 dienen. Wenn
daher ein derartiges fotoelektrisches Richtmuster-Erfas
sungssystem auch als Fehlermeßeinheit 3 eingesetzt werden
soll, ist keine gesonderte Meßeinheit 3 mehr notwendig).
Das Fehlersignal (das beispielsweise ein derartiges Signal
sein kann, daß die in der Fig. 1C gezeigten Zeit
intervalle t1 und t2 oder t3 und t4 einander nicht gleich
sind) wird in die Hauptsteuereinheit 4 eingegeben, die
es in eine Ausdehnung des Scheibchens umsetzt und dann
die Oberflächentemperatur des Spannfutters 11 so steuert,
daß der Fehler auf 0 oder ungefähr auf 0 verkleinert wird.
Als Fehlermeßeinheit 3 kann auch eine Einrichtung zum Be
obachten des Ausrichtfehlers mit dem bloßen Auge
über das optische Ausrichtungssystem verwendet werden.
Falls mehrere Richtmuster in den mehreren Abschnitten an
gebracht sind, wobei jeweils ein Muster jeweils einem Ab
schnitt entspricht, kann die Fehlerermittlung unter Bewe
gen der Fehlermeßeinheit 3 längs der Maske erfolgen.
Diese Ablauffolge ist im wesentlichen gleich der vorste
hend beschriebenen Ablauffolge X. Für irgendeinen, durch
eine örtliche Verformung des Scheibchens verursachten ört
lichen Ausrichtfehler wird aber die Temperatur in der
Weise geregelt, daß nur diejenigen Heiz- oder Kühlelemente
6 gesteuert werden, die an den Stellen der örtlichen Ver
formung des Scheibchens entsprechenden Stellen angeordnet
sind. Die Heiz- oder Kühlelemente 6 werden so gesteuert,
daß der örtliche Ausrichtfehler auf 0 oder ungefähr 0 ver
ringert wird.
Aus diesen verschiedenen Betriebsablauffolgen kann nach
Erfordernis irgendeine gewählt werden, wobei von einer
Ablauffolge auf eine andere umgeschaltet wird. Ferner kön
nen in Verbindung zwei oder mehrere unterschiedliche Ab
lauffolgen eingesetzt werden.
Die Fig. 4 und 5 zeigen ein weiteres Ausführungsbeispiel
der Halbleiterdruckvorrichtung.
Bei diesem Ausführungsbeispiel werden die Oberflächen von
Halbleiter-Thermomodulen 6′ gemeinsam als Scheibchen-
Spannfutter-Oberfläche verwendet. Ein Zwischenraum 12 zwi
schen den Modulen 6′ bei diesem Ausführungsbeispiel kann
als Unterdruckkanal für das Festhalten des Scheibchens
an der Spannfutter-Oberfläche durch Ansaugkraft eingesetzt
werden. Da die Thermomodule in gegenseitigem Abstand ste
hen, entsteht keine Wechselwirkung zwischen den Modulen,
die sonst durch Wärmeübertragung zwischen den Modulen ver
ursacht wäre. Das Scheibchen ist in direkter Berührung
mit der Oberfläche der Module. Diese Eigenschaften dieses
Ausführungsbeispiels ergeben auch einen Vorteil insofern,
als die örtliche Temperaturregelung leicht ausführbar ist.
Bei diesem Ausführungsbeispiel werden ähnlich wie bei den
vorangehenden Ausführungen die Temperaturfühler 7 nahe
den Modulen innerhalb des Scheibchen-Spannfutters angeord
net.
Die Fig. 6 und 7 zeigen die einfachste Ausführungsform
der Halbleiterdruckeinrichtung.
Bei dieser Ausführungsform sind gemäß der Darstellung in
der Fig. 6 Heizblöcke 6′′-1, 6′′-2 und 6′′-3 in Keramikpackung
auf konzentrischen Kreisen angeordnet. Bei dieser
Anordnung kann die Temperaturregelung in ausreichend sta
biler Weise mittels eines sehr einfachen Steuersystems
gemäß der Darstellung in der Fig. 7 vorgenommen werden.
Alle die vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiele
sind Einrichtungen, mit denen alle möglichen Steuerparame
ter einstellbar sind und die für die eingestellten Parame
ter am besten geeignete Steuerablauffolge ausführbar ist.
Bei dem Einbau in ein Druckgerät sind verschiedenerlei
Abwandlungen der Ausführungsform möglich. Beispielsweise
kann die Hauptsteuereinheit 4 in den zur Steuerung des
Druckgeräts verwendeten Steuercomputer eingegliedert wer
den. Ferner können zur Vereinfachung dieser Einrichtung
die vorstehend beschriebenen Betriebsablauffolgen allein
auf eine besonders festgelegte Ablauffolge oder allein
auf zwei derartige Ablauffolgen beschränkt werden. Bei
den vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen wurde
eine Vielzahl von Heiz- und/oder Kühlelementen 6 in einem
Spannfutter eingebettet. Wenn jedoch als Heiz- oder Kühl
elemente 6 Halbleiter-Thermomodule verwendet werden und
die Thermomodule gemäß der Darstellung in den Fig. 4 und
5 angeordnet werden, kann die Spannfutter-Oberfläche durch
die Oberflächen der Thermomodule selbst gebildet sein.
Falls die Arbeitstemperatur der Einrichtung auf den Be
reich oberhalb der Raumtemperatur begrenzt wird, können
statt der Heiz- oder Kühlelemente 6 einfache Heizelemente
wie gewöhnlicher Metalldraht, eine Metallbeschichtung oder
ein Halbleiter verwendet werden. Die einfachste Ausfüh
rungsform der Heiz- oder Kühlelemente 6 ist die in den
Fig. 6 und 7 gezeigte. Auch wenn dieser einfachste Aufbau
der Elemente 6 verwendet wird, ist es leicht möglich, die
Verteilung der Spannfutter-Oberflächentemperatur innerhalb
eines Bereichs von ± 0,1°C zu halten.
Die Fig. 9 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der
Halbleiterdruckeinrichtung.
Bei diesem Ausführungsbeispiel werden die Heiz- oder Kühl
elemente 6 in Bezug auf das Halbleiter-Scheibchen 9 be
wegt, wie es durch den Pfeil dargestellt ist. Daher er
folgt die Temperaturregelung durch Änderung des Abstands
zwischen dem Scheibchen 9 und dem Element 6. Bei diesem
Ausführungsbeispiel muß die Temperatur der Heiz/Kühlvor
richtung nicht veränderbar sein, sondern kann konstant
sein. Bei dieser Ausführungsform können alle Heiz- oder
Kühlvorrichtungen mit einer konstanten Temperatur einge
setzt werden. Natürlich sind bei diesem Ausführungsbei
spiel Festkörperelemente wie der vorstehend genannte Ther
momodul brauchbar. Ferner können auch Fluidstrahlvorrich
tungen wie Luftdüsen eingesetzt werden. Durch zweidimen
sionales Bewegen des Heiz- oder Kühlelements 6 zur Ober
fläche des Scheibchens 9 hin und längs derselben ist es
auch möglich, die Temperatur des Scheibchens abschnitts
weise zu regeln.
Im Vorstehenden wurde die Halbleiterdruckeinrichtung im
einzelnen anhand von Ausführungsbeispielen dargestellt
und beschrieben, bei welchen die Temperatur und die Tempe
raturverteilung einzelner Objekte geregelt werden, um eine
fehlerfreie Ausrichtung zweidimensionaler Miniaturmuster
zu erzielen. Es ist jedoch ersichtlich, daß die Einrich
tung nicht allein auf die beschriebenen Ausführungsbei
spiele beschränkt ist. Für den Fachmann ist es offensicht
lich, daß die Einrichtung auch allgemein bei einer Fein
einstellungs-Ausrichtung oder Musterausrichtung zwischen
zwei Objekten anwendbar ist, von welchen eines aus einem
thermisch ausdehnbaren oder zusammenziehbaren Material
besteht. Daher sind die beschriebenen Merkmale nicht auf
den Einsatz bei einer Halbleiterdruckeinrichtung be
schränkt.
Wie aus dem Vorstehenden leicht ersichtlich ist, wird bei
der Einrichtung ein in Abschnitte aufgeteiltes Temperatur
regelsystem angewandt, das es ermöglicht, nach Belieben
die für die Regelung am besten geeignete Betriebsablauf
folge zu wählen. Insgesamt hat die Einrichtung die folgen
den Wirkungen und Vorteile:
- 1) Ein durch den Wärmeausdehnungs-Unterschied zwischen der Fotomaske und dem Scheibchen hervorgerufener Aus richtfehler kann unterdrückt werden.
- 2) Ein durch eine nichtlineare Ausdehnung aufgrund der Temperaturverteilung verursachter Ausrichtfehler kann verringert werden, da mit der Einrichtung dem Scheib chen eine zur Temperaturverteilung der Fotomaske ana loge Temperaturverteilung erteilt wird.
- 3) Die Temperatur und die Temperaturverteilung des Scheibchen-Spannfutters kann von außen her geregelt werden. Daher ist die Halbleiterdruckeinrichtung auch für die Ausrichtung eines Musters brauchbar, das in einer anderen Druckeinrichtung oder unter anderen Temperaturbedingungen gedruckt wurde.
- 4) Die örtliche Temperaturregelung bei der Halbleiter druckeinrichtung ist dazu zweckdienlich, einen Muster ausrichtfehler zu verringern, der durch irgendeine örtliche Verformung des Scheibchens hervorgerufen wird, die bei dem Druckschritt oder einem anderen Schritt des Halbleiter-Herstellungsverfahrens entsteht (die Verringerung des Ausrichtfehlers wird allgemein als "Verformung in der Ebene" (in-plain distortion) bezeichnet).
- 5) Die Stabilität der Einrichtung kann verbessert werden. Keine Druckeinrichtung kann sofort nach der Inbetrieb nahme in einen stabilen Zustand gelangen. Nach Beginn des Betriebs steigt allmählich die Temperatur der Ein richtung selbst durch die eigene Wärmeerzeugung. Es dauert gewöhnlich einige Stunden, bis die Einrichtung einen stabilen Betriebszustand einnimmt. Daher unter scheidet sich genaugenommen ein unmittelbar nach Be ginn des Arbeitens gedrucktes Muster von einem bei dem stabilen Betriebszustand gedruckten Muster auf grund einer gewissen Temperaturdifferenz zwischen den beiden Druckzeitpunkten. Zur Überwindung dieser Schwierigkeiten ist es notwendig, eine Maßnahme vorzu sehen, mit der die Einrichtung immer in einem stabilen Zustand gehalten wird. Bei der Halbleiterdruckeinrich tung kann die Temperatur des Scheibchen-Spannfutters zwangsweise auf eine bezüglich der Temperatur der Fo tomaske konstante Temperatur geregelt werden. Daher wird mit der Halbleiterdruckeinrichtung das Problem gelöst und die Stabilität der Einrichtung verbessert.
Es wird eine Halbleiterdruckeinrichtung angegeben, mit
der ein Ausrichtfehler ausgeschaltet wird, der durch ir
gendeine zwischen einer Maske und einem Halbleiter-Scheib
chen durch Parameteränderungen wie Temperaturänderungen,
eine Zwischen-Bearbeitung wie beispielsweise das Ätzen
oder dergleichen hervorgerufene relative Verformung verur
sacht wird. Ein Merkmal der beschriebenen Einrichtung be
steht darin, daß eine Vorrichtung zum jeweiligen unabhän
gigen Kühlen oder Erwärmen mehrerer verschiedener Ab
schnitte der Maske und/oder des Scheibchens vorgesehen
ist.
Claims (9)
1. Halbleiterdruckeinrichtung, bei der eine durch
eine Parameteränderung hervorgerufene Relativversetzung des
Musters zwischen einer durch einen Maskenhalter gehaltenen
Maske und einem auf einem Halbleiterscheibchen-Träger ange
ordneten Halbleiter-Scheibchen mittels einer durch eine
Steuereinrichtung gesteuerten Heiz- und/oder Kühlvorrich
tungsanordnung kompensierbar ist, dadurch gekennzeichnet,
daß die Heiz- und/oder Kühlvorrichtungsanordnung mehrere Heiz- und/oder Kühlvorrichtungen (6) aufweist, die an mehreren Abschnitten des Halbleiterscheibchen-Trägers (11) angeordnet sind,
daß den Heiz- und/oder Kühlvorrichtungen (6) jeweils Temperaturmeßfühler (7) für das Halbleiter-Scheibchen (9) zugeordnet sind,
daß für jede der Heiz- und/oder Kühlvorrichtungen (6) Steuereinheiten (5) zum unabhängigen Steuern der Heizung oder Kühlung des Halbleiterscheibchen-Trägers (11) an den jewei ligen Abschnitten auf der Basis der Ausgangssignale der Temperaturmeßfühler (7) vorhanden sind,
daß zum Erfassen der Temperatur der Maske (8) Tempe raturmeßfühler (2) vorgesehen sind,
daß eine Signaleingabeeinrichtung (1) zum Einstellen einer Steuerbedingung vorgesehen ist,
daß eine Hauptsteuereinrichtung (4) zum Wählen einer Betriebsfolge in Übereinstimmung mit der über die Signal eingabeeinrichtung (1) eingestellten Steuerbedingung sowie zum Erzeugen geeigneter Steuersignale für jede Steuerein heit (5) auf der Basis von Signalen, die der durch die Tem peraturmeßfühler (2) für die Maske (8) erfaßten Temperatur entsprechen, vorhanden ist und
daß die Temperaturverteilung auf dem Halbleiter-Scheibchen (9) durch Steuern der Temperaturverteilung auf der Oberfläche des Halbleiterscheibchen-Trägers (11) auf einen be stimmten Zustand eingestellt wird.
daß die Heiz- und/oder Kühlvorrichtungsanordnung mehrere Heiz- und/oder Kühlvorrichtungen (6) aufweist, die an mehreren Abschnitten des Halbleiterscheibchen-Trägers (11) angeordnet sind,
daß den Heiz- und/oder Kühlvorrichtungen (6) jeweils Temperaturmeßfühler (7) für das Halbleiter-Scheibchen (9) zugeordnet sind,
daß für jede der Heiz- und/oder Kühlvorrichtungen (6) Steuereinheiten (5) zum unabhängigen Steuern der Heizung oder Kühlung des Halbleiterscheibchen-Trägers (11) an den jewei ligen Abschnitten auf der Basis der Ausgangssignale der Temperaturmeßfühler (7) vorhanden sind,
daß zum Erfassen der Temperatur der Maske (8) Tempe raturmeßfühler (2) vorgesehen sind,
daß eine Signaleingabeeinrichtung (1) zum Einstellen einer Steuerbedingung vorgesehen ist,
daß eine Hauptsteuereinrichtung (4) zum Wählen einer Betriebsfolge in Übereinstimmung mit der über die Signal eingabeeinrichtung (1) eingestellten Steuerbedingung sowie zum Erzeugen geeigneter Steuersignale für jede Steuerein heit (5) auf der Basis von Signalen, die der durch die Tem peraturmeßfühler (2) für die Maske (8) erfaßten Temperatur entsprechen, vorhanden ist und
daß die Temperaturverteilung auf dem Halbleiter-Scheibchen (9) durch Steuern der Temperaturverteilung auf der Oberfläche des Halbleiterscheibchen-Trägers (11) auf einen be stimmten Zustand eingestellt wird.
2. Halbleiterdruckeinrichtung nach Anspruch 1, da
durch gekennzeichnet, daß eine Ausrichtfehler-Erfassungs
einrichtung (3) zum Erfassen einer Relativbewegung zur und
entlang der Maske (8) vorhanden ist.
3. Halbleiterdruckeinrichtung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1
dadurch gekennzeichnet,
daß die Heiz- und/oder Kühlvorrichtungsanordnung mehrere Heiz- und/oder Kühlvorrichtungen (6) aufweist, die an mehreren Abschnitten des Halbleiterscheibchen-Trägers (11) angeordnet sind,
daß den Heiz- und/oder Kühlvorrichtungen (6) jeweils Temperaturmeßfühler (7) für das Halbleiter-Scheibchen (9) zugeordnet sind,
daß für jede der Heiz- und/oder Kühlvorrichtungen (6) Steuereinheiten (5) zum unabhängigen Steuern der Heizung oder Kühlung des Halbleiterscheibchen-Trägers (11) an den jewei ligen Abschnitten auf der Basis der Ausgangssignale der Temperaturmeßfühler (7) vorhanden sind,
daß eine Ausrichtfehler-Erfassungseinrichtung (3) zum Messen des Ausrichtfehlers zwischen der Maske (8) und dem Halbleiter-Scheibchen (9) vorgesehen ist,
daß eine Signaleingabeeinrichtung (1) zum Einstellen einer Steuerbedingung vorhanden ist,
daß eine Hauptsteuereinrichtung (4) zum Wählen einer Betriebsfolge in Abhängigkeit von der über die Signalein gabeeinrichtung (1) eingestellten Steuerbedingung sowie zum Erzeugen geeigneter Steuersignale für jede Steuerein heit (5) auf der Basis der Meßsignale, die dem durch die Ausrichtfehler-Erfassungseinrichtung (3) ermittelten Aus richtfehler entsprechen, vorhanden ist und
daß die Temperaturverteilung auf dem Halbleiter- Scheibchen (9) durch Steuern der Temperaturverteilung auf der Oberfläche des Halbleiterscheibchen-Träger (11) auf einen vorbestimmten Zustand eingestellt wird.
daß die Heiz- und/oder Kühlvorrichtungsanordnung mehrere Heiz- und/oder Kühlvorrichtungen (6) aufweist, die an mehreren Abschnitten des Halbleiterscheibchen-Trägers (11) angeordnet sind,
daß den Heiz- und/oder Kühlvorrichtungen (6) jeweils Temperaturmeßfühler (7) für das Halbleiter-Scheibchen (9) zugeordnet sind,
daß für jede der Heiz- und/oder Kühlvorrichtungen (6) Steuereinheiten (5) zum unabhängigen Steuern der Heizung oder Kühlung des Halbleiterscheibchen-Trägers (11) an den jewei ligen Abschnitten auf der Basis der Ausgangssignale der Temperaturmeßfühler (7) vorhanden sind,
daß eine Ausrichtfehler-Erfassungseinrichtung (3) zum Messen des Ausrichtfehlers zwischen der Maske (8) und dem Halbleiter-Scheibchen (9) vorgesehen ist,
daß eine Signaleingabeeinrichtung (1) zum Einstellen einer Steuerbedingung vorhanden ist,
daß eine Hauptsteuereinrichtung (4) zum Wählen einer Betriebsfolge in Abhängigkeit von der über die Signalein gabeeinrichtung (1) eingestellten Steuerbedingung sowie zum Erzeugen geeigneter Steuersignale für jede Steuerein heit (5) auf der Basis der Meßsignale, die dem durch die Ausrichtfehler-Erfassungseinrichtung (3) ermittelten Aus richtfehler entsprechen, vorhanden ist und
daß die Temperaturverteilung auf dem Halbleiter- Scheibchen (9) durch Steuern der Temperaturverteilung auf der Oberfläche des Halbleiterscheibchen-Träger (11) auf einen vorbestimmten Zustand eingestellt wird.
4. Halbleiterdruckeinrichtung nach einem der vorher
gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Tempe
raturmeßfühler (7) für das Halbleiter-Scheibchen (9) inner
halb des Halbleiterscheibchen-Trägers (11) angeordnet sind.
5. Halbleiterdruckeinrichtung nach einem der vorher
gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Tempe
raturmeßfühler (7) jeweils entsprechend den Heizeinrichtungen
angeordnet sind.
6. Halbleiterdruckeinrichtung nach einem der vorher
gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Ein
richtung zum Steuern der Heiz- und/oder Kühlvorrichtungen (6)
in Übereinstimmung mit einer gewissen, der Parameter
änderung eigenen erwarteten Größe vorgesehen ist.
7. Halbleiterdruckeinrichtung nach einem der vorher
gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Heiz- und/oder
Kühlvorrichtungen (6) als Thermomodule ausgebildet sind.
8. Halbleiterdruckeinrichtung nach Anspruch 7
dadurch gekennzeichnet, daß die Thermomodule durch Halblei
ter-Thermomodule gebildet sind.
9. Halbleiterdruckeinrichtung nach einem der Ansprü
che 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächen
der Thermomodule gemeinsam eine Halbleiterscheibchen-Trä
gerfläche bilden und der zwischen den Thermomodulen vorhan
dene Spalt als Unterdruck-Kanal zum Halten des Halbleiter-
Scheibchen (9) durch Ansaugen eingesetzt wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56055199A JPS57169244A (en) | 1981-04-13 | 1981-04-13 | Temperature controller for mask and wafer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3213239A1 DE3213239A1 (de) | 1982-11-04 |
DE3213239C2 true DE3213239C2 (de) | 1992-12-24 |
Family
ID=12992007
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19823213239 Granted DE3213239A1 (de) | 1981-04-13 | 1982-04-08 | Halbleiterdruckeinrichtung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4503335A (de) |
JP (1) | JPS57169244A (de) |
DE (1) | DE3213239A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19822000A1 (de) * | 1998-05-15 | 1999-11-25 | Siemens Ag | Haltevorrichtung für einen Wafer und Prüfverfahren für integrierte Schaltungen auf einem Wafer |
DE19616212C2 (de) * | 1995-04-28 | 2002-03-14 | Cascade Microtech Inc | Prüfsondenstation mit zusätzlich zum thermischen Aufspannisolator aufgebrachter Leiterschicht |
Families Citing this family (94)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5999722A (ja) * | 1982-11-29 | 1984-06-08 | Canon Inc | 半導体焼付露光制御方法 |
KR860002082B1 (ko) * | 1983-01-19 | 1986-11-24 | 가부시기가이샤 도시바 | 레지스트 패턴의 형성 방법 및 장치 |
US4564284A (en) * | 1983-09-12 | 1986-01-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor exposure apparatus |
US4669842A (en) * | 1983-12-08 | 1987-06-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical device |
JPS60158626A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-08-20 | Canon Inc | 半導体露光装置 |
DE3447488A1 (de) * | 1984-10-19 | 1986-05-07 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Projektionseinrichtung |
JPS61160934A (ja) * | 1985-01-10 | 1986-07-21 | Canon Inc | 投影光学装置 |
JPS61183928A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-16 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影光学装置 |
ATA331185A (de) * | 1985-11-13 | 1994-05-15 | Ims Ionen Mikrofab Syst | Verfahren zum stabilisieren von masken |
JPS6381820A (ja) * | 1986-09-25 | 1988-04-12 | Toshiba Corp | レジストパタ−ン形成方法 |
JPH0785112B2 (ja) * | 1987-02-16 | 1995-09-13 | キヤノン株式会社 | ステージ装置 |
US5084671A (en) * | 1987-09-02 | 1992-01-28 | Tokyo Electron Limited | Electric probing-test machine having a cooling system |
US4989991A (en) * | 1987-10-26 | 1991-02-05 | Ag Processing Technologies, Inc. | Emissivity calibration apparatus and method |
JPH01152639A (ja) * | 1987-12-10 | 1989-06-15 | Canon Inc | 吸着保持装置 |
DE68921687T2 (de) * | 1988-09-02 | 1995-08-03 | Canon Kk | Belichtungseinrichtung. |
DE3911357A1 (de) * | 1989-04-07 | 1990-10-18 | Nokia Unterhaltungselektronik | Verfahren zum gegenseitigen justieren zweier bauteile einer anzeigeeinrichtung |
JP2731950B2 (ja) * | 1989-07-13 | 1998-03-25 | キヤノン株式会社 | 露光方法 |
US5222999A (en) * | 1989-07-14 | 1993-06-29 | Brymill Corporation | Liquified nitrogen thermal checking of electronic circuitry |
US5231291A (en) * | 1989-08-01 | 1993-07-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer table and exposure apparatus with the same |
JP2737010B2 (ja) * | 1989-08-01 | 1998-04-08 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
US5047711A (en) * | 1989-08-23 | 1991-09-10 | Silicon Connections Corporation | Wafer-level burn-in testing of integrated circuits |
DE69033002T2 (de) * | 1989-10-02 | 1999-09-02 | Canon Kk | Belichtungsvorrichtung |
US5077523A (en) * | 1989-11-03 | 1991-12-31 | John H. Blanz Company, Inc. | Cryogenic probe station having movable chuck accomodating variable thickness probe cards |
US5166606A (en) * | 1989-11-03 | 1992-11-24 | John H. Blanz Company, Inc. | High efficiency cryogenic test station |
US5160883A (en) * | 1989-11-03 | 1992-11-03 | John H. Blanz Company, Inc. | Test station having vibrationally stabilized X, Y and Z movable integrated circuit receiving support |
US5001423A (en) * | 1990-01-24 | 1991-03-19 | International Business Machines Corporation | Dry interface thermal chuck temperature control system for semiconductor wafer testing |
JPH03252507A (ja) * | 1990-03-02 | 1991-11-11 | Hitachi Ltd | レーザ干渉測長装置およびそれを用いた位置決め方法 |
US6023068A (en) * | 1991-05-30 | 2000-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device manufacturing apparatus |
US5164661A (en) * | 1991-05-31 | 1992-11-17 | Ej Systems, Inc. | Thermal control system for a semi-conductor burn-in |
US5126656A (en) * | 1991-05-31 | 1992-06-30 | Ej Systems, Inc. | Burn-in tower |
JP3102076B2 (ja) * | 1991-08-09 | 2000-10-23 | キヤノン株式会社 | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
JPH06510122A (ja) * | 1991-08-23 | 1994-11-10 | エヌチップ インコーポレイテッド | パッケージされていない集積回路のバーン・イン技術 |
US5541524A (en) * | 1991-08-23 | 1996-07-30 | Nchip, Inc. | Burn-in technologies for unpackaged integrated circuits |
JPH0636993A (ja) * | 1992-05-21 | 1994-02-10 | Canon Inc | 露光装置及び半導体素子の製造方法 |
US5345170A (en) | 1992-06-11 | 1994-09-06 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having integrated guarding, Kelvin connection and shielding systems |
US6380751B2 (en) | 1992-06-11 | 2002-04-30 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having environment control enclosure |
US5581324A (en) * | 1993-06-10 | 1996-12-03 | Nikon Corporation | Thermal distortion compensated projection exposure method and apparatus for manufacturing semiconductors |
JP3210145B2 (ja) | 1993-07-14 | 2001-09-17 | キヤノン株式会社 | 走査型露光装置及び該装置を用いてデバイスを製造する方法 |
JP3101473B2 (ja) * | 1993-11-05 | 2000-10-23 | キヤノン株式会社 | 露光方法及び該露光方法を用いるデバイス製造方法 |
US6577148B1 (en) | 1994-08-31 | 2003-06-10 | Motorola, Inc. | Apparatus, method, and wafer used for testing integrated circuits formed on a product wafer |
US5561377A (en) * | 1995-04-14 | 1996-10-01 | Cascade Microtech, Inc. | System for evaluating probing networks |
WO1997014077A1 (en) * | 1995-10-12 | 1997-04-17 | Megapanel Corporation | Magnification control and thermal substrate chuck for photolithography |
US6645701B1 (en) * | 1995-11-22 | 2003-11-11 | Nikon Corporation | Exposure method and exposure apparatus |
US6002263A (en) | 1997-06-06 | 1999-12-14 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station having inner and outer shielding |
JP3027551B2 (ja) * | 1997-07-03 | 2000-04-04 | キヤノン株式会社 | 基板保持装置ならびに該基板保持装置を用いた研磨方法および研磨装置 |
US6617868B1 (en) * | 1997-12-18 | 2003-09-09 | Intel Corporation | Method and apparatus for controlling the power and heat output in a device testing system |
JP2000277237A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-10-06 | Komatsu Ltd | 基板温度制御プレート及びそれを備える基板温度制御装置 |
US6592673B2 (en) * | 1999-05-27 | 2003-07-15 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for detecting a presence or position of a substrate |
US6445202B1 (en) * | 1999-06-30 | 2002-09-03 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station thermal chuck with shielding for capacitive current |
JP2001332609A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-11-30 | Nikon Corp | 基板保持装置及び露光装置 |
US6965226B2 (en) | 2000-09-05 | 2005-11-15 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck for holding a device under test |
US6914423B2 (en) | 2000-09-05 | 2005-07-05 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station |
KR20020062074A (ko) * | 2001-01-19 | 2002-07-25 | 주식회사 템네스트 | 전열기를 이용한 정전척의 표면 온도 제어 시스템 |
WO2003020467A1 (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-13 | Cascade Microtech, Inc. | Optical testing device |
US6777964B2 (en) | 2002-01-25 | 2004-08-17 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station |
US6847219B1 (en) | 2002-11-08 | 2005-01-25 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station with low noise characteristics |
US7250779B2 (en) * | 2002-11-25 | 2007-07-31 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station with low inductance path |
US6861856B2 (en) | 2002-12-13 | 2005-03-01 | Cascade Microtech, Inc. | Guarded tub enclosure |
JP2004228456A (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Canon Inc | 露光装置 |
US7221172B2 (en) | 2003-05-06 | 2007-05-22 | Cascade Microtech, Inc. | Switched suspended conductor and connection |
US7492172B2 (en) | 2003-05-23 | 2009-02-17 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck for holding a device under test |
KR101548832B1 (ko) * | 2003-05-28 | 2015-09-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
US7738074B2 (en) * | 2003-07-16 | 2010-06-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1524558A1 (de) | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
US7250626B2 (en) | 2003-10-22 | 2007-07-31 | Cascade Microtech, Inc. | Probe testing structure |
US7187188B2 (en) | 2003-12-24 | 2007-03-06 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck with integrated wafer support |
KR101741343B1 (ko) | 2004-02-04 | 2017-05-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
DE202005021434U1 (de) | 2004-06-07 | 2008-03-20 | Cascade Microtech, Inc., Beaverton | Thermooptische Einspannvorrichtung |
US7330041B2 (en) * | 2004-06-14 | 2008-02-12 | Cascade Microtech, Inc. | Localizing a temperature of a device for testing |
US7304715B2 (en) * | 2004-08-13 | 2007-12-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7656172B2 (en) | 2005-01-31 | 2010-02-02 | Cascade Microtech, Inc. | System for testing semiconductors |
US7535247B2 (en) | 2005-01-31 | 2009-05-19 | Cascade Microtech, Inc. | Interface for testing semiconductors |
US9025126B2 (en) * | 2007-07-31 | 2015-05-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus adjusting method, exposure apparatus, and device fabricating method |
US20090153812A1 (en) * | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Positioning apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
NL1036835A1 (nl) * | 2008-05-08 | 2009-11-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic Apparatus and Method. |
NL2003039A1 (nl) * | 2008-07-22 | 2010-01-25 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
US7927976B2 (en) * | 2008-07-23 | 2011-04-19 | Semprius, Inc. | Reinforced composite stamp for dry transfer printing of semiconductor elements |
US8506867B2 (en) * | 2008-11-19 | 2013-08-13 | Semprius, Inc. | Printing semiconductor elements by shear-assisted elastomeric stamp transfer |
US8319503B2 (en) * | 2008-11-24 | 2012-11-27 | Cascade Microtech, Inc. | Test apparatus for measuring a characteristic of a device under test |
US8261660B2 (en) * | 2009-07-22 | 2012-09-11 | Semprius, Inc. | Vacuum coupled tool apparatus for dry transfer printing semiconductor elements |
JP2011192991A (ja) | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
EP3460833B1 (de) * | 2010-12-20 | 2023-12-06 | EV Group E. Thallner GmbH | Aufnahmeeinrichtung zur halterung von wafern |
SG188036A1 (en) | 2011-08-18 | 2013-03-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, support table for a lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2013160026A2 (en) * | 2012-04-23 | 2013-10-31 | Asml Netherlands B.V. | Electrostatic clamp, lithographic apparatus and method |
WO2014095266A2 (en) * | 2012-12-17 | 2014-06-26 | Asml Netherlands B.V. | Substrate support for a lithographic apparatus and lithographic apparatus |
JP6077301B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2017-02-08 | 日本特殊陶業株式会社 | 静電チャック |
US20160035605A1 (en) * | 2013-04-09 | 2016-02-04 | Asml Netherlands B.V. | Support Structure, Method of Controlling the Temperature Of The Same, and Apparatuses Including the Same |
US10763142B2 (en) | 2015-06-22 | 2020-09-01 | Lam Research Corporation | System and method for determining field non-uniformities of a wafer processing chamber using a wafer processing parameter |
US10386821B2 (en) * | 2015-06-22 | 2019-08-20 | Lam Research Corporation | Systems and methods for calibrating scalar field contribution values for a limited number of sensors including a temperature value of an electrostatic chuck and estimating temperature distribution profiles based on calibrated values |
US10381248B2 (en) | 2015-06-22 | 2019-08-13 | Lam Research Corporation | Auto-correction of electrostatic chuck temperature non-uniformity |
CN117373954A (zh) | 2016-02-16 | 2024-01-09 | Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 | 用于接合衬底的方法与设备 |
JP2019509521A (ja) | 2016-03-24 | 2019-04-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | パターニングデバイス冷却システム及びパターニングデバイスを熱調節する方法 |
JP7109489B2 (ja) * | 2020-02-06 | 2022-07-29 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | ウェハの装着用受け取り手段 |
US20230095108A1 (en) * | 2020-03-31 | 2023-03-30 | Asml Netherlands B.V. | Method for preparing a substrate and lithographic apparatus |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3937579A (en) * | 1972-11-20 | 1976-02-10 | Karl Suss Kg | Process for the double-sided exposure of a semiconductor or substrate plates, especially wafers, as well as apparatus for the purpose of parallel and rotational alignment of such a plate |
US3963985A (en) * | 1974-12-12 | 1976-06-15 | International Business Machines Corporation | Probe device having probe heads and method of adjusting distances between probe heads |
DD127137B1 (de) * | 1976-08-17 | 1979-11-28 | Elektromat Veb | Vorrichtung zum kompensieren der waermeeinwirkung an justier- und belichtungseinrichtungen |
US4139051A (en) * | 1976-09-07 | 1979-02-13 | Rockwell International Corporation | Method and apparatus for thermally stabilizing workpieces |
US4202623A (en) * | 1979-01-08 | 1980-05-13 | The Perkin-Elmer Corporation | Temperature compensated alignment system |
JPS5626437A (en) * | 1979-08-13 | 1981-03-14 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Wafer supporting base |
-
1981
- 1981-04-13 JP JP56055199A patent/JPS57169244A/ja active Pending
-
1982
- 1982-04-06 US US06/366,070 patent/US4503335A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-04-08 DE DE19823213239 patent/DE3213239A1/de active Granted
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19616212C2 (de) * | 1995-04-28 | 2002-03-14 | Cascade Microtech Inc | Prüfsondenstation mit zusätzlich zum thermischen Aufspannisolator aufgebrachter Leiterschicht |
DE19822000A1 (de) * | 1998-05-15 | 1999-11-25 | Siemens Ag | Haltevorrichtung für einen Wafer und Prüfverfahren für integrierte Schaltungen auf einem Wafer |
DE19822000C2 (de) * | 1998-05-15 | 2002-04-18 | Infineon Technologies Ag | Prüfverfahren für integrierte Schaltungen auf einem Wafer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4503335A (en) | 1985-03-05 |
DE3213239A1 (de) | 1982-11-04 |
JPS57169244A (en) | 1982-10-18 |
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