DE3236383A1 - Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung

Info

Publication number
DE3236383A1
DE3236383A1 DE19823236383 DE3236383A DE3236383A1 DE 3236383 A1 DE3236383 A1 DE 3236383A1 DE 19823236383 DE19823236383 DE 19823236383 DE 3236383 A DE3236383 A DE 3236383A DE 3236383 A1 DE3236383 A1 DE 3236383A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
area
region
foreign atom
semiconductor substrate
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE19823236383
Other languages
English (en)
Inventor
Hidetaro Kawasaki Nishimura
Hiroshi Yokohama Nozawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Publication of DE3236383A1 publication Critical patent/DE3236383A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
    • H01L21/26513—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors of electrically active species
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76886—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances
    • H01L21/76892—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances modifying the pattern
    • H01L21/76894—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances modifying the pattern using a laser, e.g. laser cutting, laser direct writing, laser repair
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/091—Laser beam processing of fets
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/092—Laser beam processing-diodes or transistor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/934—Sheet resistance, i.e. dopant parameters

Description

tenkel, Pfenning, Feiler, Hänzel & Meinig Patentanwälte
European Patent Attorneys Zugelassene Vertreter vor dem Europäischen Patentamt
Dr phil G Henkel. München Dip! -Ing J Pfenning. Berlin Dr rer nai L Feile;. Muncrisp "PipHng W Hänzei. München Dipl -Phys K H Meirng Berlin Dr Ing A Butenschon. Berlin
Mohlstraße 37
D-8000 München 80
Tel. 089/982085-87 Telex 0529802 hnkld Telegramme ellipsoid
57P828-2
TOKYO SHIBAURA DENKI KABUSHIKI KAISHA,
Kawasaki, Japan
Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, insbesondere einer solchen mit einer redundanten Schaltung oder Redundanzschaltung.
In den letzten Jahren ist in zunehmendem Maße die Redundanztechnik bei Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen angewandt worden/ weil mit dieser Technik bei Zufallsdefekten auftretende Ausfall- bzw. Fehlbits in der hergestellten Halbleitervorrichtung durch Ersatz- oder Reserveelemente ersetzt werden können und damit der Ausstoß verbessert wird. Ein bekanntes Verfahren zum Ersetzen von fehlerhaften Bits durch einwandfreie Reserveelemente besteht darin, daß ein aus Polysilizium (polykristallinem Silizium) o.dgl. hergestellter Schichtwiderstand, der ein einwandfreies Element mit einem integrierten Schaltkreis verbindet, durch Hindurchleiten eines elektrischen Stroms oder Bestrahlung mit einem Laserstrahl weggeschmolzen wird. Zum Hindurchleiten des Durchschaltstroms (turning-on electricity) durch den Schichtwiderstand aus polykristallinem Silizium ist ein den Strom liefernder Stromkreis erforderlich. Zur Lieferung eines großen Stroms benötigt man einen Transistor großer Kapazität. Im Verlaufe des Hindurchleitens dieses Stroms durch den Schichtwiderstand aus polykristallinem Silizium oder der Laserbestrahlung des letzteren (zu seiner Beseitigung) spritzt das weggeschmolzene Material auf die peripheren
Schaltkreise. Noch nachteiliger ist dabei, daß bei dieser überbrückung durch Wegschmelzen die peripheren Schaltkreise und/oder Schichten unterhalb des weggeschmolzenen Schichtwiderstands zerstört werden können.
Weiterhin können aufgrund des Wegschmelzens des Schichtwiderstands in dem diesem benachbarten Gebilde Mikrodefekte auftreten, welche die Zuverlässigkeit der hergestellten Halbleitervorrichtung beeinträchtigen.
In der Veröffentlichung "1981 IEEE International Solid-" State Circuits Conference" wird eine Technik zur Umwandlung oder überführung einer polykristallinen Siliziumschicht in ein leitfähiges Material durch Eindiffundieren eines Fremdatoms in die polykristalline Silizium— schicht mit Hilfe von Laser-Impulsen beschrieben. Bezüglich weiterer Einzelheiten wird auf "ISSCC Digest of Technical Papers" P14 (S.14), Februar 1981, verwiesen.
Bei der Redundanztechnik werden für Spaltendekodierer Ersatz- oder Reserveelemente in der Weise programmiert, daß Laser-Impulse an eine eigenleitende polykristalline Siliziumschieht, die beidseitig N -Diffusionsschichten aufweist, angelegt und die beiden N -Diffusionsschichten elektrisch miteinander verbunden werden. Nach diesem Verfahren wird die einen spezifischen Widerstand von
mehr als 10 Ohm besitzende eigenleitende polykristalline Siliziumschieht in eine leitfähige Schicht mit einem
spezifischen Widerstand von weniger.als 10 Ohm überführt.
30
Aufgabe der Erfindung ist nun die Schaffung eines Verfahrens zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen mit hoher Zuverlässigkeit, nach dem aus einem Halbleitersubstrat ohne Entstehung von Mikrodefekten Halbleitervorrichtungen mit einer Redundanzschaltung hergestellt
werden können.
Diese Aufgabe wird durch die in den beigefügten Patentansprüchen gekennzeichneten Maßnahmen gelöst.
Mit der Erfindung wird insbesondere ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung geschaffen, das dadurch gekennzeichnet ist, daß auf einem Halbleitersubstrat des einen Leitfähigkeitstyps einen integrierten Schaltkreis bildende Schaltungselemente ausgebildet werden, auf dem Halbleitersubstrat weiterhin ein über einen elektrisch nicht aktiven Bereich verbundenes Ersatzoder Reserveelement geformt wird, durch Einführen von Fremdatomen (einer Fremdatomart) in den nicht aktiven Bereich ein Fremdatombereich erzeugt wird und die Schaltungselemente durch elektrische Aktivierung des Fremdatombereichs elektrisch mit dem Reserveelement verbunden werden.
■ Der nicht aktive Bereich zur Verbindung der Schaltungselemente mit dem Reserveelement kann im Halbleitersubstrat oder in der auf letzterem ausgebildeten polykristallinen Siliziumschicht bereitgestellt werden.
Ein Fremdatom desselben Leitfähigkeitstyps wie bei den Schaltungselementen oder beim Reserveelement kann in einen Verbindungsteil zwischen dem nicht aktiven Bereich und dem (jeweiligen) Schaltungselement und in einen Verbindungsteil zwischen dem Schaltungselement und dem Re-
serveelement eingeführt werden.
Die Aktivierung des Fremdatombereichs kann durch Laser-, Elektronen(strahl)-, Ionenbestrahlung o.dgl. erfolgen.
im folgenden sind bevorzugte Ausführungsbeispiele der Er-
findung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen der in einen nicht aktiven Bereich zur Erzeugung eines Fremdatombereichs eingeführten
Dosis eines Fremdatoms und dem Schichtwiderstand des Fremdatombereichs,
Fig. 2A bis 2C in stark vergrößertem Schnitt gehaltene Teildarstellungen einer Folge von Verfahrensschritten für die Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer auf einem polykristallinen Siliziumfilm ausgebildeten Redundanzschaltung, entsprechend einem Äusfühxungsbeispiel der Erfindung, und
Fig. 3A bis 3C den Fig. IA bis 2C ähnelnde Darstellungen der Verfahrensschritte für die Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer in einem HaIbleitersubstrat vorgesehenen Redundanzschaltung,
entsprechend einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Aus Fig. 1 geht hervor, daß sich der Schichtwiderstand des Fremdatombereichs mit zunehmender Konzentration des in den Fremdatombereich eingeführten Fremdatoms verringert.
Beispiel 1
Zunächst wird ein p-Typ-Siliziumsubstrat 1 mit nicht dargestellten, einen integrierten Schaltkreis bildenden Schaltungselementen bereitgestellt. Auf dem p-Typ-Siliziumsubstrat 1 wird z.B. durch chemisches Aufdampfen eine SiO^-Schicht 2 ausgebildet. Diese wird dann mit einer
Photoresistschicht versehen. In letzterer wird auf photolithographischem Wege eine durchgehende Öffnung ausgebildet. Unter Benutzung der Photoresistschicht mit der darin ausgebildeten Öffnung (als Maske) wird ein chemisches Ätzmittel auf die SiO_-Schicht appliziert, wobei in der SiO^-Schicht 2 eine durchgehende Öffnung 3 entsteht. Nach Entfernen der Photoresistschicht wird unter Zuhilfenahme einer Maske aus der SiO_-Schicht 2 mit der Öffnung 3 ein Phosphor-Fremdatom in das p-Typ-Siliziumsubstrat 1 eindiffundiert, wobei ein N -Typ-Fremdatombereich 4 als Ersatz- oder Reserveelement entsteht. Nun wird auf die SiO_-Schicht eine über die Öffnung 3 mit dem N -Frerndatombereich 4 verbundene polykristalline Siliziumschicht 5 aufgedampft. Die polykristalline Siliziumschicht 5 wird zur Ausbildung eines Musters einer vorgegebenen Konfiguration selektiv geätzt. Zur Ausbildung jeweils eines N-Typ-Fremdatombereichs 6 wird ein Phosphor-Fremdatom iii das eine, zum N -Fremdatombereich 4 reichende · Ende sowie das andere Ende der polykristallinen Siliziumschicht 5 eindiffundiert. Der Schichtwiderstand Q^ eines durch den N -Fremdatombereich 4 getrennten, nicht aktiven Bereichs 7 der polykristallinen Siliziumschicht 5 beträgt 1 χ 10 °.A/Flächeneinheit. Die Dicke der polykristallinen Siliziumschicht 5 ist mit 0,1 - 0,8,um. ge-
^5 wählt. Auf der polykristallinen Siliziumschicht 5 wird (dann) eine SiO«-Schicht 8 ausgebildet, in der durch chemisches Ätzen ein sich zum N-Fremdatombereich 6 der polykristallinen Siliziumschicht 5 öffnendes Kontaktfenster, d.h. Kontaktloch 9 geformt wird. Weiterhin wird
eine Aluminiumschicht 10 aufgetragen. Diese gelangt über das Kontaktloch 9 mit dem N-Fremdatomreich 6 und einem nicht dargestellten, vorher auf dem Siliziumsubstrat 1 ausgebildeten Schaltungselement in Verbindung. Die Aluminiumschicht 10 wird so ausgestaltet, daß sie eine Redundanzschaltung mit Schaltkreis-
elementen und einem durch die polykristalline Siliziumschicht 5 gebildeten Ersatz- oder Reserveelement festlegt. Weiterhin wird durch chemisches Aufdampfen auf der AIuminiumschxcht 10 eine SiO -Schicht 11 ausgebildet (Fig. 2A).
Auf photolithographischem Wege wird nun in einem Teil der SiO2~Schicht 11 ein in den nicht aktiven Bereich 7 reichendes Fenster 12 gebildet.Mit Hilfe einer aus der das Fenster 12 aufweisenden SiO_-Schicht 11 bestehenden Maske erfolgt sodann eine Ionenimplantation eines Fremdatoms desselben Leitfähigkeitstyps, wie ihn das Fremdatom des Fremdatombereichs 6 aufweist, in den nicht aktiven Bereich 7. Die Bedingungen für die Ionenimplantation werden entsprechend der Größe des Schichtwiderstands 9s des nicht aktiven Bereichs 7 und der Dicke der polykristallinen Siliziumschicht 5 gewählt. Beim beschriebenen Beispiel werden eine Beschleunigungsspannung
15 —2
von 160 keV und eine Fremdatomdosis von 5 χ 10 cm angewandt. Der Schichtwiderstand des nicht aktiven Fremdatom-Bereichs 7 nach dem Ionenimplantationsvorgang beträgt immer noch 1 χ 10 \Q/Flächeneinheit (/1"/D). Dieser Bereich 7 bleibt in einem elektrisch inaktiven Zustand (Fig. 2B).
Der mit dem ^ -Fremdatom gespickte nicht aktive Bereich 7 wird hierauf selektiv einer Laser-Glüh- bzw. -Schmelzbehandlung (laser annealing treatment) unterworfen, durch welche dieser Bereich 7 elektrisch aktiv gemacht wird (Fig. 2C) . Hierzu wird ein von einem mit Neodym (Nd) dotierten YAG-Laser erzeugter Laserstrahl eines Strahldurchmessers von etwa 10,um benutzt, wodurch der nicht aktive Bereich 7 selektiv aktiviert wird. Bei der Bestrahlung mit dem Laserstrahl werden folgende Bedingungen eingehalten: Energiemenge 0,5 -1,0 J/cm und Impulsbreite etwa 40 ns.
Der Schichtwiderstand (Js des durch Bestrahlung mit dem Laserstrahl 14 elektrisch aktivierten, nicht aktiven Bereichs 7 wird mit etwa 20 - 30 Π/Flächeneinheit gemessen. Es kann somit empirisch festgestellt werden, daß die Schaltungselemente und das Ersatz- oder Reserveelement durch den aktivierten Bereich 15 elektrisch leitend miteinander verbunden sind. Versuche zeigen, daß sich im peripheren Teil des aktivierten Bereichs 15 keine Random- bzw. Zufallsfehler finden. Die hergestellte Halbleltervorrichtung besitzt mithin eine außerordentlich hohe Zuverlässigkeit, d.h. Betriebssicherheit.
Beispiel
·*·° Zunächst wird ein mit nicht dargestellten, einen integrierten Schaltkreis bildenden Schaltungselementen versehenes p-Typ-Siliziumsubstrat 20 bereitgestellt. In dieses wird dann selektiv ein Phosphor-Fremdatom eingeführt, um einen als Ersatz- oder Reserveelement dienenden u N -Typ-Fremdatombereich 21 und einen N -Typ-Fremdatombereich 23 mit einem dazwischen angeordneten, elektrisch nicht aktiven Bereich 22 des Substrats 20 auszubilden. Durch chemisches Aufdampfen wird eine die N -Fremdatombereiche 21 und 23 sowie den nicht aktiven Bereich 22 bedeckende SiO.-Schicht 24 hergestellt. Letztere wird anschließend selektiv chemisch geätzt, um ein zum Fremdatombereich 23 reichendes Kontaktfenster bzw. -loch 24 auszubilden. Im nächsten Verfahrensschritt wird auf der SiO-.-Schicht 24 eine Aluminiumschicht 26 erzeugt, die 2 +
über das Kontaktloch 25 mit dem N -Fremdatombereich 23
und den im Siliziumsubstrat 20 ausgebildeten Schaltungselementen in Verbindung gelangt. Der Aluminiumschicht 26 wird ein Muster zur Ausbildung einer Redundanzschaltung verliehen, wobei die Schaltungselemente und das 35
Ersatz- oder Reserveelement über den nicht aktiven Be-
reich 22 des Sili2iumsubstrats 20 miteinander verbunden sind. Anschließend wird durch chemisches Aufdampfen eine die Aluminiumschicht 26 und die SiO_-Schicht 24 bedeckende SiO2~Schicht 27 erzeugt. 5
Im nächsten Verfahrensschritt wird auf photolithographischem Wege in den SiO2-Schichten 24 und 27 über dem nicht aktiven Bereich 22 ein Fenster 28 geformt. Mittels einer aus den das Fenster 28 aufweisenden Schichten 24 und 27 bestehenden Maske wird ein ^ -Fremdatom 29 desselben Leitfähigkeitstyps, wie ihn das Fremdatom der Fremdatombereiche 21 und 23 aufweist, durch Ionenimplantation (Ionenspicktechnik) in den nicht aktiven Bereich eingeführt und dabei ein Fremdatombereich 30 erzeugt (Fig. 3B). Hierbei betragen die Beschleunigungs-
15 — 2 energie 160 keV und die Fremdatomdosis 5 χ 10 cm
Nach der Ausbildung des Fremdatombereichs 30 sind das Reserveelement und die Schaltungselemente elektrisch nicht miteinander verbunden.
20
Sodann wird der Fremdatombereich 30 selektiv mit einem
Laserstrahl 31 einer Energiedichte von 0,5 - 1,0 J/cm und einer Impulsbreite von 40 ns bestrahlt, wodurch der Fremdatombereich 30 im nicht aktiven Bereich 22 elektrisch aktiviert und demzufolge das Ersatz- oder Reserveelement mit den Schaltungselementen verbunden wird (Fig. 3C). Der durch Laserstrahlbestrahlung elektrisch aktivierte Bereich 32 besitzt einen Schichtwiderstand ^s von etwa 20 - 30 u/Flächeneinheit. Dies
3^ bedeutet, daß die Schaltungselemente und das Reserveelement vollständig miteinander verbunden sind. Außerdem können im peripheren Teil des aktivierten Bereichs 32 keine Zufallsfehler festgestellt werden.
Die auf die beschriebene Weise hergestellte Halbleiter vorrichtung besitzt damit eine außerordentlich große Zuverlässigkeit bzw. Betriebssicherheit.
Leerseite

Claims (8)

  1. PATENTANSPRÜCHE
    f 1Λ Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, bei welchem man auf einem Halbleitersubstrat (1, 20) des einen Leitfähigkeitstyps Schaltungselemente zum Aufbau einer integrierten Schaltung ausbildet, auf dem Halbleitersubstrat (1, 20) ein mit den Schaltungselementen über einen elektrisch nicht aktiven Bereich (7, 22) verbundenes Ersatz- oder Reserveelement erzeugt und den nicht aktiven Bereich (7, 22) elektrisch aktiviert, dadurch gekennzeichnet, daß man durch Einführen von Fremdatomen (einer Fremdatomart) in den nicht aktiven Bereich (7, 22) einen Fremdatombereich (A, 21) erzeugt und durch elektrische selektive Aktivierung des Fremdatombereichs (4, 21) einen elektrischen Anschluß der Schaltungselemente an das Reserveelement herstellt.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man den nicht aktiven Bereich (22) durch Trennen eines speziellen Bereichs im Halbleitersubstrat (20) durch
    einen Fremdatombereich (21, 23) erzeugt. 25
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man den nicht aktiven Bereich (7) in einer auf dem Halbleitersubstrat (1) befindlichen polykristallinen
    Siliziumschicht (5) ausbildet.
    30
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man zwischen dem Halbleitersubstrat (1) und der polykristallinen Siliziumschicht (5) eine Isolierschicht
    (2) vorsieht.
    35
  5. 5. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß man den Fremdatombereich (A, 21) durch Bestrahlen mit einem Laserstrahl elektrisch aktiviert.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß man bei der Bestrahlung mit dem Laserstrahl mit einer Strahlungsenergie von 0,5 bis 1,0 J/cm2 arbeitet.
  7. 7. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß man den Fremdatombe-
    reich (4, 21) durch Bestrahlen mit einem Elektronenstrahl elektrisch aktiviert.
  8. 8. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß man den Fremdatombereich ( 4, 21) durch Ionenbestrahlung elektrisch aktiviert.
DE19823236383 1981-11-10 1982-10-01 Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung Ceased DE3236383A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56179984A JPS5880852A (ja) 1981-11-10 1981-11-10 半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3236383A1 true DE3236383A1 (de) 1983-05-26

Family

ID=16075415

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19823236383 Ceased DE3236383A1 (de) 1981-11-10 1982-10-01 Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4462150A (de)
JP (1) JPS5880852A (de)
DE (1) DE3236383A1 (de)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4810663A (en) * 1981-12-07 1989-03-07 Massachusetts Institute Of Technology Method of forming conductive path by low power laser pulse
US4585490A (en) * 1981-12-07 1986-04-29 Massachusetts Institute Of Technology Method of making a conductive path in multi-layer metal structures by low power laser beam
JPS59125640A (ja) * 1982-12-28 1984-07-20 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
CA1186070A (en) * 1983-06-17 1985-04-23 Iain D. Calder Laser activated polysilicon connections for redundancy
JPS6089953A (ja) * 1983-10-22 1985-05-20 Agency Of Ind Science & Technol 積層型半導体装置の製造方法
JPS60176250A (ja) * 1984-02-23 1985-09-10 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US4560419A (en) * 1984-05-30 1985-12-24 Inmos Corporation Method of making polysilicon resistors with a low thermal activation energy
US4679170A (en) * 1984-05-30 1987-07-07 Inmos Corporation Resistor with low thermal activation energy
US4835118A (en) * 1986-09-08 1989-05-30 Inmos Corporation Non-destructive energy beam activated conductive links
JPH06124913A (ja) * 1992-06-26 1994-05-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザー処理方法
US7154153B1 (en) * 1997-07-29 2006-12-26 Micron Technology, Inc. Memory device
US6936849B1 (en) 1997-07-29 2005-08-30 Micron Technology, Inc. Silicon carbide gate transistor
US7196929B1 (en) * 1997-07-29 2007-03-27 Micron Technology Inc Method for operating a memory device having an amorphous silicon carbide gate insulator
US6965123B1 (en) 1997-07-29 2005-11-15 Micron Technology, Inc. Transistor with variable electron affinity gate and methods of fabrication and use
US6746893B1 (en) 1997-07-29 2004-06-08 Micron Technology, Inc. Transistor with variable electron affinity gate and methods of fabrication and use
US6794255B1 (en) 1997-07-29 2004-09-21 Micron Technology, Inc. Carburized silicon gate insulators for integrated circuits
US6031263A (en) 1997-07-29 2000-02-29 Micron Technology, Inc. DEAPROM and transistor with gallium nitride or gallium aluminum nitride gate
US6181728B1 (en) 1998-07-02 2001-01-30 General Scanning, Inc. Controlling laser polarization
US6987786B2 (en) 1998-07-02 2006-01-17 Gsi Group Corporation Controlling laser polarization
US6964906B2 (en) * 2002-07-02 2005-11-15 International Business Machines Corporation Programmable element with selectively conductive dopant and method for programming same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3036869A1 (de) * 1979-10-01 1981-04-16 Hitachi, Ltd., Tokyo Integrierte halbleiterschaltung, schaltungsprogrammiersystem und schaltungsprogrammierverfahren derselben

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5130437B1 (de) * 1970-03-25 1976-09-01
US4187126A (en) * 1978-07-28 1980-02-05 Conoco, Inc. Growth-orientation of crystals by raster scanning electron beam
JPS5633822A (en) * 1979-08-29 1981-04-04 Hitachi Ltd Preparation of semiconductor device
JPS5640275A (en) * 1979-09-12 1981-04-16 Hitachi Ltd Preparation of semiconductor device
US4381201A (en) * 1980-03-11 1983-04-26 Fujitsu Limited Method for production of semiconductor devices
US4339285A (en) * 1980-07-28 1982-07-13 Rca Corporation Method for fabricating adjacent conducting and insulating regions in a film by laser irradiation

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3036869A1 (de) * 1979-10-01 1981-04-16 Hitachi, Ltd., Tokyo Integrierte halbleiterschaltung, schaltungsprogrammiersystem und schaltungsprogrammierverfahren derselben

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Physik in unserer Zeit", Jg. 11, No. 1, 1980, S. 22-30 *

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5880852A (ja) 1983-05-16
US4462150A (en) 1984-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3236383A1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung
DE3127826C2 (de) Halbleiterspeicher
DE3106202C2 (de)
DE3036869C2 (de) Integrierte Halbleiterschaltung und Schaltkreisaktivierverfahren
DE2930630C2 (de) Halbleiterbauelement sowie Verfahren zu seiner Herstellung
DE2729171C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung
DE2732184A1 (de) Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
DE2748103A1 (de) Mittels elektronenlithographie hergestellter hochleistungs-galliumarsenid- schottky-sperrschichtfeldeffekttransistor und verfahren zu dessen herstellung
DE2922015A1 (de) Verfahren zur herstellung einer vlsi-schaltung
DE2315761B2 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung aus Oberflächen-Feldeffekttransistoren
DE3223619C2 (de) Halbleiterschaltungsanordnung mit aus polykristallinem Silizium bestehenden Sicherungen
DE2132034A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Zwischenverbindungen fuer elektrische Baueinheiten auf Festkoerpern
DE19618866B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Bauelementisolation in einem Halbleiterbauelement
DE3109074A1 (de) Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
DE3148323A1 (de) Halbleiterschaltung
DE1589890B2 (de) Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelementes mit mis struktur
DE2612754A1 (de) Halbleiter-festwertspeicher
DE3112215A1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung
DE4437761A1 (de) Verfahren zum Bilden eines Kontakts in einer Halbleitervorrichtung
DE2924689A1 (de) Halbleiter-laservorrichtung
DE2713876A1 (de) Ladungsgekoppeltes element (ccd)
DE2545047C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterfestwertspeichers
DE1952221A1 (de) MIS-Feldeffekttransistor
DE102015114135A1 (de) Photovoltaische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer photovoltaischen Vorrichtung
DE19813457C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer nichtflüchtigen Halbleiterspeichereinrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8180 Miscellaneous part 1

Free format text: DER AT LAUTET RICHTIG: 30.09.82

8128 New person/name/address of the agent

Representative=s name: HENKEL, G., DR.PHIL. FEILER, L., DR.RER.NAT. HAENZ

8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP

8131 Rejection