DE3316114A1 - Verbundfilm, insbesondere fuer elektrolumineszenzstrukturen - Google Patents
Verbundfilm, insbesondere fuer elektrolumineszenzstrukturenInfo
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Description
Ψ W β · ft
- 3 -Besc h r e i b u η κ
Verbundfilm, insbesondere für Elektrolumineszenzstrukturen
___
Die Erfindung bezieht sich auf einen auch als Kombinationsfilm
zu bezeichnenden Verbundfilm auf der Grundlage von Aluminiumoxid (A12ü„) und Titanoxid (TiO2).
Ein derartiger Film bzw. eine derartige Schicht kann am
zweckmäßigsten dadurch hergestellt werden, daß sie nach
der.i sogenannten ALK- (Atom-Schicht-Epitaxie)-Verfahren
aufgewachsen wird. Dieses Verfahren ist beispielsweise in den finnischen Patentanmeldungen 7^3 473 (US-PS
k Ο58 430) und 790 680 beschrieben.
Zum Stand der Technik werden ferner folgende Veröffentlichungen
aufgeführt:
/1/ Takeuchi, M et al: "Dielectric Properties of Sputtered TiO3 Films", Thin Solid
Films, (51), 1978
/2/ De Wit, K J et al: "The Dielectric Breakdown
of Anodic Aluminium Oxide", Journal of Electrochemical Society, Vol. 123, No.
10, Oct. 1979
/3/ Maissel, L I and Glang, R: Handbook of
/3/ Maissel, L I and Glang, R: Handbook of
Thin Film Technology, McGraw-Hill /Ί/ Chopra, K L: Thin Film Phenomena, McGraw-Hill,
N.Y. 1969
/5/ Silvestri, V J et al: "Properties of Ai0O,
/5/ Silvestri, V J et al: "Properties of Ai0O,
Film Dencsited from the AiCl-, CG,, and H-
3 £. 2
System", J. Electrochem. Soc. Vol. 125,
No. 6, Jun. IS78
COPY
3316ΊΊ4
• β · ♦ It IM *· ··
/6/ The Mercx Index, 9th edition, USA, 1976 PI Nguyen, T H et al: "The Chemical Nature of
Aluminium Corrosion: III The Dissolution
Mechanism of Aluminium Oxide and Aluminium Powder in Various Electrolytes", J. Electrochem. Soc,
Vol. 127, No. 12, Dec. 1980 /ß/ Bernard, W J et al: "Trapped Oxygen in
Aluminium Oxide Films and Its effect on
Dielectric Stability", J. Electrochem. Soc, Vol. 127, No. 6, Jun. 1980
/9/ Niinistö, private report
/10/ Feuersanger, A E: "Titanium Dioxide
Dielectric Films Prepared by Vapor
Reaction", Proc of the IEEE, Dec. 1964
/11/ Hayashi, S et al: "Chemical Vapor Deposition on Rutile Films", Journal of
Crystal ,Growth, 36, 1976
, — '
/12/ Harris, L A and Schumacher, R: "The Influence of Preparation on Semiconducting
Rutile (TiO2)" J. Electrochem. Soc, Vol.
127, No. 5, May 1980
/13/ Armigliato, A et al: "Characterization of TiO Films and Their Application as Antireflection
Coatings for Silicon Solar Cells" Solar Cells, (3) 1981.
Aluminiumoxid ist ein amorphes Isolationsmaterial, welches
in. der Dünnfilmindustrie in weitem Umfang benutzt
wird. Es wird durch sämtliche typischen Dünnfilm-Her-.
stellverfahren hergestellt, und zwar beginnend von der
Anodisierung von Aluminiummetall und endend mit verschiedenen CVD-Aufwachs-Verfahren.
Die über Aluminiumoxid angegebenen Daten umfassen eine große Zahl von verbreiteten Daten, die sich sowohl aus
der großen Anzahl von Herstellungsverfahren als auch aus den verschiedenen Meßsystemen ergeben. In der Tabelle
1 sind typische Werte aufgeführt, die bezüglich
Aluminiumoxid angegeben sind (der Variationsbereich ist in Klammern angegeben).
ε V. /MV cm"1 Q/MV cm η Band ab- /ev α·10~6
stand 8.8 (6-10) 6-8 35-70 1.55-1.76 ca 8 7+1
Tabelle 1. Typische Werte von Al O_-Dünnfilmen /2,3,4,5/
Die Abnahme des Dielektrizitätskoeffizienten von dem
typischen Wert von etwa 9 bis 6 wird mit einer mangelhaften
Verbindung der Oxidstruktur erklärt.
In Verbindung mit Ergebnissen der dielektrischen Durchschlagfestigkeit
wird üblicherweise die Meßanordnung bzw. das Meßsystem nicht erwähnt bzw. angegeben. Demgemäß
ist es schwierig die Werte miteinander zu vergleichen.
Eine Änderung im Brechungsindex äußert sich in Änderungen
in der Dichte des Substrats, wenn die Struktur in anderer Hinsicht unverändert bleibt.
Aluminiumoxid ist chemisch sehr stabil. Es löst sich
selbst nicht in Wasser /6/, Auch Aluminiumhydroxid. Al (OH) löst sich nicht. Wenn der Film Chlor enthält,
findet vielmehr die Lösung in Form Al(OH?)Cl ~ statt /7/.
Wenn der Aluminiumoxidfilm Poren enthält, kann die Lösung des Films auch durch ihr Vermögen erklärt werden
/8/.
ORIGINAL INSPECTED
'*· '· ο ο ι ο ι ι
Aluminiumoxid ist einer der ALE-Filme, die am längsten
in der Produktion sind, obwohl sie unerklärliche Änderungen bzw. Schwankungen in ihrer Qualität zeigen. Eines
der konkretesten Beispiele für Qualitätsänderungen ist die Lösung von Aluminiumoxid in Wasser. Während einer
bestimmten Periode (im Sommer I981) lösten sich Aluminiumoxide
vollständig in kochendem ionengetauschtem Wasser. Eine Reihe von Monaten danach wurde indessen
keine Auflösung mehr festgestellt.
.
Titanoxid weist drei Kristallformen auf: Rutil, Brookit
und Anatas. Rutil ist die üblichste und stabilste Kristallform der betreffenden Kristallformen. TiO __ kann
ebenfalls in amorpher Form auftreten. Die verschiedenen Eigenschaften hängen von der Kristallform ab, und darüber
hinaus sind Unterschiede in den verschiedenen Kristallausrichtungen vorhanden.
In Dünnfilmen treten verschiedene Kristallformen sowie
20. amorphes TiO2 gleichzeitig auf. Dies ist der Grund dafür,
daß die Eigenschaften unterschiedlicher Filme aufgrund
von Unterschieden in der Herstellung stark voneinander differieren.
Tabelle 3 zeigt Eigenschaften unterschiedlicher dünner
Filme.
Ti0 ε ν /MV cm Π ρ/Ω cm E /eV Ct/Wärmeausdeh-
2 r . - - nungskoeffizient
Dünner 40-60(25-80) 0.2-0.7 2.2-2.8 104-107 8-10~6
Film (1Q2-1012)
Rutile 117 ■ 2.7 1012 3
Brookite 78
Anatase 31 2.35
Anatase 31 2.35
Tabelle 3· Angegebene Eigenschaften von
COPY
ORIGINAL INSPECTED
Die elektrooptischen Eigenschaften von Titanoxid sind
eine hohe Dielektrizitätskonstante (£ ), ein hoher Brechungsindex (n) und ein spezifischer Widerstand (9)»
der sich innerhalb eines großen Bereiches ändert. Der
große Änderungsbereich des spezifischen Widerstands ergibt sich teilweise aus Differenzen in den Kristallstrukturen
der Filme, teilweise aus Mangeln in den Filmen. Sauerstoff-Leerstellen haben einen starken Einfluß
auf die Leitfähigkeit, was aber auch für einige Dotierungsstoffe
zutrifft; so steigern beispielsweise Fluor und Wasserstoff die Leitfähigkeit. Es ist darüber berichtet
worden, daß Sauers toff-Leers teilen im Vakuum während der Wärmebehandlung (7OO C) hervorgerufen werden,
wobei TiOp Sauerstoff liefert und seine Leitfähigkeit erhöht ist /12/. Mit Rücksicht auf seine ziemlich
geringe Breite des verbotenen Bandabstands (3eV) weist
außerdem Titanoxid Neigungen zur Fotoleitfähigkeit auf.
Die Kristallstruktur eines Titanoxidfilms hängt von der
Herstellungstechnik und von den Herstellungspararaetern
ab. Wenn die Wachsturastemperatur niedrig ist (50 bis
300 C), dann ist der Film amorph und führt über verschiedene Mischforraen zu Rutil, wenn die Temperatur
ansteigt /13/·
25
25
Die Auswirkung der Kristallstruktur auf die Leitfähigkeit
ist in der Literaturstelle /lh/ beschrieben worden,
wobei der spezifische Widerstand und die Dielektrizitätskonstante
eines aufgesprühten TiO?-Films in Abhängigkeit
von der Filmdicke untersucht worden sind.
Der spezifische Widerstand ist bis zu einer Dicke von 1 um niedrig; von da aus beginnt er exponentiell zuzunehmen.
Demgemäß sind bei einer Röntgenstrahlen-Beu—
gungv... s unter suchung des Films: lediglich bei 1 um Zeichen eines kristallisierten Films festzustellen (Anatas-
coPY
·' .... .«·» a JOIUl I '
-δ-
und Rutil-Mischung) . Je veiter der Film kristallisiert ist, um so niedriger ist die Leitfähigkeit und um so höher ist die Dielektrizitätskonstante.
und Rutil-Mischung) . Je veiter der Film kristallisiert ist, um so niedriger ist die Leitfähigkeit und um so höher ist die Dielektrizitätskonstante.
Die Zunahme im Brechungsindex eines durch Reaktion aufgedampften TiO2-FiImS als Funktion der Aufwachstemperatur
/l3/ kann durch Änderungen in der Kristallstruktur
des Films erklärt werden (Amorph - Rutil).
Hinsichtlich seiner chemischen Eigenschaften ist Titanoxid
stark passiv. Es löst sich nicht in Wasser, nicht in HCl bzw. nicht in HN0„. Es löst sich in heißer HF
und H2SO^ /6/.
In durchgeführten Tests sind Versuche unternommen worden,
um die Eigenschaften eines ALE-TiO_-Filmes aufzuzeichnen,
der bei 5OO C gewachsen ist, und teilweise die Abhängigkeit
dieser Eigenschaften von der Wachstumstemperatur zu ermitteln.
Titanoxid wird aus Titantetrachlorid und Wasser hergestellt.
Die Grundreaktion läuft entsprechend der Formel 1 ab:
(1) TiCl^ + 2 H2O - TiO2 + 4 HCl .
Es ist bereits darüber berichtet worden, daß die Reaktion
sogar bei Temperaturen unterhalb der Zimmertemperatur bei CVD-Wachstumsverfahren stattfindet /12/.
30
Auf der Grundlage der Tests kann über ΤχΟ? zusammenfassend
folgendes gesagt werden:
ALE-TiOp ist ein stark kristallisierender, dekorativer
Film. Der Film benötigt eine Al„O_-Wachstumsbasis. Hinsichtlich
seiner Materialeigenschaften liegt ALE-Titan-
ORIGINAL INSPECTED
oxid zwischen einem Isolator und einem Leiter. Der spezifische
Widerstand beträgt 10 Ohm·cm. Der spezifische Widerbtand ist in starkem Ausmaß eine Funktion der Wachstums t emperatur.
Die Mesvsungen des Brechungsindex waren nicht zuverlässig.
Auf der Grundlage dieser Messungen zeigte es sich jedoch, daß das Titanoxid entweder nicht sehr dicht war oder daß
die Kristallform des Films irgendeine andere Kristallform war als die von Rutil.
20
Chemisch gesehen ist Titanoxid stark inaktiv. Der Film könnte lediglich in heißer konzentrierter Flußsäure gelöst
werden.
In der folgenden Tabelle sind die Eigenschaften aufgeführt,
die bei 500 C heißem ALE-TiO- gemessen wurden.
*) unbestimmt
p/£fcm | η *> | |
- | 106 | 2,4 + 0,2 |
Tabelle U, Gemessene Eigenschaften von ALE-TiO„.
Es ist nun eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen gemischten Film bzw. Mischfilm aus Titanoxid und Aluminiumoxid
zu entwickeln, in welchem die dielektrischen und die optischen Eigenschaften zwischen den ursprünglichen
Filmen liegen. Da hohe Mischverhältnisse durch
gleichzeitiges Mischen nicht erzielt worden sind /i/, ist die neue Struktur ausjeinander abwechselnden dünnen
Al 0„- und TiO -Schichten hergestellt worden, die Schicht
um Schicht aufgewachsen sind.
' BAD ORIGINAL
-ΙΟΙ Anhand von Zeichnungen vird die Erfindung nachstehend
beispielsweise näher erläutert.
Fig. 1 zeigt in einer grafischen Darstellung die Mischkonzentrationen,
zweier Filmreihen gemäß der vorliegenden Erfindung als Funktion des Periodenverhältnisses .
Fig. 2 zeigt in einer grafischen Darstellung die dielektrische
Durchschlagfestigkeit eines Filmes gemäß der Erfindung in Abhängigkeit von der Mischkunzentration.
Fig. 3 zeigt in einer grafischen Darstellung die dielektrische
Durchschlagfestigkeit eines Films gemäß
der vorliegenden Erfindung in Abhängigkeit von der Dicke der AlpO^-Schichten.
Fig. 4 zeigt eine elektrische Ersatzschaltung, welche
die dielektrischen Eigenschaften des Films gemäß
der Erfindung veranschaulicht. Fig. 5 zeigt eine weitere elektrische Ersatzschaltung
des Films gemäß der Erfindung.
Fig. 6 veranschaulicht in einer grafischen Darstellung
die Abhängigkeit des Brechungsindex eines Films gemäß der Erfindung von dem Mischverhältnis.
Es ist bekannt, daß für Titanoxid Werte von ko bis 60 als
Dielektrizitätskonstante und von 2,7 für den Brechungsindex
angegeben worden sind. Die entsprechenden Werte für Aluminiumoxid sind 9 bzw. 1,7· Der optimale Brechungsindex
für das Isolationsmaterial, welches zwischen ITO (Indium-Zinn-Oxid) und ZnS angeordnet vird bzw. ist,
ist durch das geometrische Mittel der Brechungsindizes dieser Substanzen gegeben; er beträgt etwa 2,17· wenn
dieser Wert als Ausgangspunkt angenommen wird und wenn das erforderliche .-Mischverhältnis von TiO /Al0O berechnet
wird, dann wird 0,45/0,55 bei diesem Wert erhalten.
Rechnet man mit diesem Verhältnis, so wird der Wert 25 für £ des Isolationsmaterials erzielt. Diese
ORIGINAL INSPECTED C0PY
β ο
*■ 1 t» P
33161U
-11-
Werte können als Optimum für den Verbund- bzw. Kombination
sf.i 1 in betrachtet werden.
Eine Schicht um Schicht gewachsene Al O /TiOp-Struktur
nutzt in hervorragender Art und Weise den Vorteil der Leichtigkeit der Steuerung der Dicke des zu wachsenden
Films bei dem ALE-Verfahren aus. Obwohl es nicht unmöglich
ist, die Schichtstruktur mittels anderer Dünnfilm-Wachstumsverfahren
herzustellen, ist das ALE-Verfahren
für das Schicht-Wachsen von TiOp und Al?0„ selbstverständlich
besser geeignet als die anderen Verfahren.
Titanoxid und Aluminiumoxid unterscheiden sich in einem
erheblichen Ausmaß voneinander: Isolator bzw. Leiter, amorph bzw. kristallin, niedriger Brechungsindex bzw.
hoher Brechungsindex. Wenn jedoch diese Stoffe in geeigneter
Weise als Schichten übereinander angeordnet werden,
dann werden Eigenschaften erzielt, die zwischen
den Eigenschaften der gesonderten Materialien liegen
(Brechungsindex, £ , Kristallstruktur) und die teilweise -von den Eigenschaften beider Materialien bzw. Stoffe
differieren (Isolationseigenschaften).
Der neue Film besteht vorzugsweise aus sehr dünnen (z.B.
30 ä) Al 0 - und TzO^-Schichten. Wenn die Schichtendicken
so gering sind vie diese Schichten, dann ist es schwer, die Eigenschaften der Filme dadurch vorherzusagen, daß
von Testergebnissen ausgegangen wird, die mit dickeren
Filmen erzielt werden. Sehr dünne Filme sind tinter dem
Gesichtspunkt der Dielektrizität untersuclat worden, so
daß die Feste teilung der Eigenschaften der Sch.ieht.konstruKtiun
eigene experimentelle Messungen erfordert. Das einzige Wissen, welches die Herstellung dünner Filme
trägt, besteht darin, daß die dielektrischen EigenschafLeu
von Isolationsfilmen dann verbessert sind, wenn die Dicke des Films vermindert wird. Tests haben
COPY
'. ■ - 12 -
χ gezeigt, daß der mögliche praktische Dickenbereich der Schichten zwischen 3 und 1000 A, vorzugsweise zwischen
20 und 100 X liegt.
Die AIpO^- und TiO^-Schichten werden in derselben Weise
hergestellt wie entsprechende einzelne Schichten bzw. Filme, wie dies oben erläutert worden ist. Die einzige
wesentliche spezielle Eigenschaft bezüglich des Wachsens des Films wird durch eine Ätz-Reaktion (3) zwischen
Aluminiumchlorid rind Titanoxid eingeführtJ
(3) h AlCl3 + 3 TiO2 -» 3 ^iCl4 + 2
Wenn die Reaktion 3 endlos durchgeführt werden könnte bzw. angehen könnte, wäre eine Schicht struktur durch
Anwendung des ALE-Verfahrens mit diesen Ausgangsstoffen
nicht möglich. Das in der Reaktion erzeugte Al_0~ wirkt jedoch als chemische Barriere zwischen dem Titan
oxid und AlCl,, und stoppt damit die Reaktion.
Die Dicke der hergestellten Aluminiumoxidschicht kann durch Konzentrationsmessungen und durch elektrische
Messungen beurteilt bzw. abgeschätzt werden.
Fig. 1 zeigt die Mischungsverhältnisse zweier verschiedener kombinierter Strukturen in Abhängigkeit von dem
Perioden- bzw, Zyklusverhältnis.
Aus der betreffenden Fig. geht hervor, daß in beiden Fällen die zu dem Perioden- bzw. Zyklusverhältnis von
1, d.h. zu reinem TiO- extrapolierte Kurve wesentlich unter 100 /6 bleibt. Dies geht auf die Ätzschicht zurück, die in der Art und Weise einer Stufenfunktion
wirkt. Die Dicke der Ätzschicht kann nunmehr in Be-Ziehung zu der Wachstumsrate von Titanoxid berechnet
werden. Im Falle der 30-Serie beträgt der erzielte
ORIGINAL INSPECTED
Wert 13 * Ti/c, und im Falle der 100-Serie beträgt der
betreffende Wert entsprechend 11 ♦ Ti/c. Bei einer
Wachstuiiisrate von 0,5 a/c von Titanoxid wird ein Wert
von etwa 6 X als Dicke der Ätzschicht erhalten. Dieser Wert koinzidiert außerdem mit den Werten, die durch optische
und elektrische Messungen erhalten werden (io ± 5 S).
Das Molvolumen von Aluminiumoxid wird mit 26 cm angegeben,
und dasjenige von Titanoxid (Rutil) entsprechend mit 19 cm . Gemäß der Gleichung (4) wird das Verhältnis
von geätztem Titanoxid und geformtem Aluminiumoxid zu 3/2 erhalten. Wenn das Verhältnis der Molvolumen mit
diesem Verhältnis multipliziert wird, wird das Verhaltnis der in der Reaktion teilnehmenden Volumen erzielt:
V /V = 1,1 ä 1. Demgemäß ist bei der Reaktion
die Dicke des geätzten Titanoxids etwa gleich der Dicke des geformten Aluminiumoxids.
Auf der Grundlage der obigen Verhältnisse ist es möglicht, eine ziemlich grob abgeschätzte Formel für die Beziehung
der Mischkonzentration und Perioden- bzw. Zyklusveihältnisse
anzugeben:
(h) Ti/ATOk = ^ (ATO:Aluminium-Titan-Oxü)
In der obigen Formel bzw. Gleichung bezeichnet ATO, die
Menge des kombinierten Filmmaterials bzw. das kombinierte Filmmaterial. Wenn die Schichtdicke zunimmt, wird der
relative Anteil der Ätzschicht vermindert. Im Falle sehr dünner Schichtdicken ist die betreffende Formel nicht
mehr genau. Die Formel nimmt konstante und gleiche Wachstumsraten an, was indessen zu Beginn des Wachstumsprozesses
nicht genau stimmt (die Oberflächensitxiation
ist verschieden). Bei sehr dünnen TiOp-Schichten (K 12 Perioden bzw. Zyklen), sind erhebliche ^engen an
ORIGINAL INSPECTED
Titan (ς£30 ^) gefunden worden.
' Die Dicke der Schicht, -die':geätzt, wird, - scheijit; ;ni
von "der· Dosierungskonzentration-des. A1C1_-Stosses. abzuhängen.
Die Dosierung von AlCl„ wurde innerhalb von
Grenzen zwischen ;3 uiid^ 6,7 Dosierungseinheiten variiert,
: wobei kein'.Unterschied. in den elektrischen Ergebnissen
bemerkt wurde;.· Demgemäß, ist· die Diffusion.des Aluniinium-"
"Chlorids in1-das Aluminiumoxid gering. J; - r- ; .._■ -.. liUT
Ein ATO.-Material kann aus AlpO«- und TiO -Scliichten mit
■'·'· stark' variierenden Dicken -hergestellt; werden. Die mini-'
·· malen Schichtdicken hängen von den .Schichten ab, ,die
durch die Ätzreaktion erzeugt werden. Die Dickenforderung bezüglich der Titanoxidschicht beträgt etwa 10 A,
und die der Aluminiumoxidschicht wird "aus der Dicke von etwa 5 Ä erhalten, welche allein durch die Ätzreaktion
erzeugt wird. Die maximalen Schichtdicken werden auf der Basis der optischen Eigenschaften und der TiOg-Leit-20.
fähigkeitseigenschaften bestimmt. Die Größenordnung der maximalen Schichtdicke liegt bei 25 nm. Diese Werte bestimmen
die Schichtendicken, innerhalb der die Eigenschaften von ATOv untersucht. werden-können. ·
Bei den betreffenden Filmen wurde die dielektrische
Durchschlagskraft in der_^selben Weise bestimmt, wie
dies oben beschrieben worden ist. ■
Fig. 2 zeigt die gemessenen Q-Werte-als Funktion des
Ti/Al-Verhältnisses;-·'.--= :■-=." : .: ■: . ..;. ->. ..
Die Bestimmungen der chemischen Konzentration wurden
mit einer'Genauigkeit von 10 %. durchgeführt. Dies führt
zu einer Unsicherheit in den Ergebnissen, auch in Richtung
der x-Achse. Was von Bedeutung ist, ist entweder eine sehr scharfe Abhängigkeit der':dielektrischen,
ORIGINAL INSPECTED ' COPY %
Durchschlagsfestigkeit vom Mischungsverhältnis, oder daß
keine derartige Abhängigkeit vorhanden ist, wobei der Vert durch andere Faktoren bestimmt ist.
In Fig. 3 ist die Abhängigkeit des Q-Vertes von der Dicke
der Aluniiniumoxidschicht dargestellt.
Die dielektrischen Eigenschaften des ATO, -Films sind proportional der Dicke der jeweiligen individuellen
Al 0 -Schicht. Der Q-Wert nimmt während der ersten
Nanometer sehr steil zu (etwa 5 A werden während des Ätzens erzeugt). Der Wert erreicht sein Maximum bei
etwa 60 A* und beginnt allmählich abzufallen, wenn der
Al 0 -Schicht. Der Q-Wert nimmt während der ersten
Nanometer sehr steil zu (etwa 5 A werden während des Ätzens erzeugt). Der Wert erreicht sein Maximum bei
etwa 60 A* und beginnt allmählich abzufallen, wenn der
Al 0 -Film dicker wird.
Für die Dielektrizitätskonstante von AT(X kann weder in dem Mischungsverhältnis noch in der Schichtdicke des
Aluminiumoxids eine deutliche Abhängigkeit festgestellt werden. Durch das Mischungsverhältnis und die
Schichtdicke wird die Gesamtdicke des Aluminiumoxids
erhalten. Wenn dieser Wert als effektive Isolationsdicke benutzt wird, ist es möglich, die Dielektrizitätskonstante
für verschiedene Strukturen zu berechnen und mit denen von Aluminiumoxid zu vergleichen.
·
Die Tc.belle" 5 zeigt Werte, die auf diese Weise für bestimmte
ATO -Strukturen berechnet wurden.
-K-
Zyklusver hältnis |
Mischver hältnis d. |
flCX /rm 0Al | 0/nm | C/pF | r/ |
30 Alo0_/Ti0p | Al/(A1+Ti) | 2 3· | • | ||
: 90/5 | 0.46 | 123 | 57 | 25 ' | 6. |
100/50 | 0.43 | 265*} | 103 | 14 · | 7. |
- 100/100 | 0.56 | 273 | 153 | 13 | 9". |
100/200 35 * geschätzt |
- °·67 | 181 | 121 | 15 | 8. |
Tabelle 5. | COPY |
ORIGINAL INSPECTED
Gemäß dieser Tabelle würden die Dielektrizitätseigenschaften von ATO ausschließlich aus dünnen Al 0.-Schichten
resultieren. Titanoxid wirkt als niederohmige Verbindung zwischen den verschiedenen Isolationsschichten,
wie dies aus Fig. h ersichtlich ist.
Werden die obigen Ergebnisse überprüft, so ist die einzige
Eigenschaft von ATO. , die als Mittelwert oder als Kombination der Eigenschaften der meisten Filme nicht
erklärt werden kann, die dielektrische Durchschlagfestigkeit.
Titanoxid ist ein Leiter, Aluminiumoxid ist ein Isolator; bestenfalls sind jedoch die Isolationseigenschaften
von ATO, dreimal besser als jene von Aluminiumoxid.
iC
Wie oben erläutert, sind dann, wenn die Dicke eines Isolationsfilms vermindert ist, dessen Feld-Viderstandseigenschaften
verbessert.
Wenn berechnet wird, welche Feldstärken durch das Aluminiumoxid auszuhalten bleiben, beispielsweise im Falle
von ATO (IOO/IOO), wobei Q = 60 MV · cm" beträgt, dann
wird als Durchbruchsfeld ein Wert von 6,7 MV · cm erzielt.
Dieser Wert beträgt etwa das dreifache des Wertes, der mit dickeren ALE-AIpO,,-Filmen gemessen worden ist.
Der Wert liegt jedoch innerhalb eines vollständig verständlichen
bzw. vernünftigen Bereichs.
Eine Aluminiumoxidschicht wird in zwei verschiedenen
Arten gebildet: Durch Ätzen und durch das ALE-Wachsen. Dies kann als Erklärung dafür herangezogen werden,
warum Isolationsschichten als dünne Schichten (wie bei £' 50 A.) fest sein können. Andererseits mischen
die leitenden TiOp-Schichten zunächst die Struktur,
und außerdem haben sie durch ihre elektrischen Eigen-
ORIGINAL INSPECTED
schäften eine Wirkung, welche die Feld-Widerstandseigenschaften
der Gesamtstruktur verbessert. Es sei nunmehr
diese zuletzt erwähnte Alternative genauer betrachtet.
Der Durchbruch eines Films findet stets an der schwächsten Filmstelle statt. Bei einer derartigen ßunktförmigen
Stelle ist das Feld stärker als sonstwo, und der Durchbruch findet hier statt. Infolgedessen wird diese
Stelle des Films heiß, was üblicherweise auch die FeId-Widerstaridseigenschaften
der nächsten Umgebung schwächt. Hierdurch kann das Fortschreiten des Durchbruchs beginnen,
wobei es jedoch auch aufhören kann, so daß lediglich die Elektrode an der Durchbruchsstelle verdampft
wi rd.
Wenn angenommen wird, daß der Durchbruch längs eines Leitkanals mit dem Radius r stattfindet, dann kann die
folgende Gleichung 5 für das Durchbruchsfeld geschrieben
werden:
wobei £ , C und ^ Isolationsmaterial-Konstanten sind,
A = Elektrodenfläche,
T= Umgebungstemperatur,
T,= Isolationsmaterialtemperatur, r = Radius des Durchbruchs-Leitkanals. 30
T= Umgebungstemperatur,
T,= Isolationsmaterialtemperatur, r = Radius des Durchbruchs-Leitkanals. 30
Daraus ergibt sich, daß der Wert des Durchbruchsfeldes
proportional dem Radius r des Leit- bzw. Leitfähigkeitskanals
ist.
Eine elektrische Ersatzschaltung kann für den ATCK-FiIm
als RC-Netzwerk angegeben werden, wie dies in Fig. 5
veranschaulicht ist.
- 18 -
Das Titanoxid kann als ein Reihenwiderstand in der horizontalen
Richtung und als ein Kurzschluß in der vertikalen Richtung betrachtet werden. In entsprechender Veise
bildet Aluminiumoxid aufeinanderfolgende Kondensatorebenen
in der vertikalen Richtung.
Wenn der Film eine etwas schwächere Stelle aufweist (in der Fig. ist ein Kondensator kurzgeschlossen), tritt an
dieser Stelle eine Verstärkung im elektrischen Feld auf. Die Titanoxid-Widerstände teilen jedoch nunmehr das Feld
über einen weiteren Bereich auf. Übertragen auf die Formel 5 bedeutet dies, daß der geforderte Radius r des
Leitkanals vergrößert ist.
Darüber hinaus ist die in der Kapazität geladene Energie zwischen sämtliche Alp0„-Schichten aufgeteilt worden,
und im Falle einer Kurzschlußschaltung wird diese Energie
über den TiO_-Widerstand entladen. Im Falle einer
normalen Isolation hat die gesamte in dem Kondensator geladene Energie Zugang über die Elektroden in den
Durchbruchskanal.
Eine Röntgenstrahlen-Brechungsanalyse wurde bezüglich
der ATO, (100/100)-Struktur an der Finland University
of Technology durchgeführt. Durch diese Untersuchung war die Bedeutung bzw. der Zweck herauszufinden, ob
irgendein Kristallisationsgrad in dem Film festgestellt werden kann. Bei dieser Messung konnten keine Brechungsbzw. Beugungsspitzen in dem Film festgestellt werden,
der allerdings als amorpher Film festzustellen war.
Wenn SEM- bzw.' Rasterelektronenmikroskop-Bilder eines
derartigen Films mit Bildern des Films bei gleicher. Dicke von Al„0„ und von TiO„ verglichen werden, könnte
festgestellt werden, daß die Oberflächenqualität der Probe zwischen den betreffenden Proben liegt. Ein ge-
ORIGINAL INSPECTED
ÜO-*Ü">*O-': 33161H
wisses Maß der Kristallisation hat in dem Film stattgefunden.
Der Umstand, daß die Röntgenstrahlenbeugung keinerlei
Ergebnis lieferte, welches für die Kristallisation kennzeichnend ist, besagt, daß die verschiedenen TiO-Schichten
nicht in derselben Kristallisationsphase lagen. Da jedoch eine makroskopische Kristallisation in
dem ATO festgestellt werden kann, bedeutet dies, daß die dünnen Al„0 -Schichten nicht vollständig die Information
zwischen den Titanoxidschichten abschalten bzw.
beseitigen. Die darunter liegenden kristallisierten Schicht en wirken auf die darüberliegenden Schichten
so ein, daß bei einem dicken Film eine Ungleichmäßigkeit in der Filmfläche bereits gesehen werden kann.
Im Hinblick auf seinen Brechungsindex liegt das ATO1 -
ic
Material zwischen seinen Mutterfilmen, und zwar in der
Art, wie sie durch das Mischverhältnis bestimmt ist. Fig. 6 zeigt die Abhängigkeit der Brechungsindize der
ATO (100/x)-Strukturen von dem Mischungsverhältnis
ic
bzw. Mischverhältnis.
Die Auswirkungen der Schichtdicken wurden nicht untersuclit;
sie sollten jedoch keinerlei Auswirkung haben, solange die optischen Schichtdicken wesentlich geringexsind
als die Lichtwellenlänge.
Die Atzbarkeit -von ATO1 liegt zwisehen den Eigenschaften
von Titanoxid und Aluminiumoxid. Die HF-Ätzrate nimmt ab, wenn der Anteil von Titanoxid zunimmt.
ATO (lOO/iOO) wird sich als Schuppen loslösen. Die
JC
Ätzgrenaeist sehr scharf. Dies ruft Schwierigkeiten
bei Interferometer-Dickenmessungen hervor.
- 20 -
Es ist wahrscheinlich, daß HF längs der Kristallgrenzen
durch den Film eindringt und entweder das darunter liegende Aluminiumoxid oder die Zwischenschichten ätzt.
Die optimalen Feld-Widerstandseigenschaften von ATO1.
werden bei einer Schichtdicke von 55 A des Aluiainiumoxids
erzielt. Wenn dieser Vert festliegt, erfordert eine optimale Anpassung von ITO und ZnS einen Wert
von 73 A von Titanoxid. Bei den Wachstumszyklon macht
dies etwa 160 Zyklen aus. Die Spannung, die die Isolation aushält» ist proportional der Isolationsdicke
und im Falle von ATO, proportional der Gesamtdicke der Aluminiumoxidschicht. Daraus folgt, daß eine ATO
(1 6o/i 00)-Struktur 30 c/o dicker gemacht werden muß im
Vergleich zu einer IOO/I00-Struktur, wenn eine Spannungsgrenze
als einzuhaltender Wert überlagert ist.
Wenn die Gesamtdicke und die Verarbeitungszei L einer
EL-Struktur auf einem vernünftigen Wert zu halten sind, muß die obere Isolation mit einem höheren Al„0„-Verhältnis,
beispielsweise mit einem Verhältnis von 75/^50
oder IOO/2OO hergestellt werden. Bei dieser Dicke der
Al20„-Schicht ist die dielektrische Durchschlagsfestigkeit
noch hoch» und nunmehr kann die Isolation dünner gemacht werden.
Verbund- bzw. Kombinationsfilme gemäß der Erfindung sind
besonders geeignet als Isolationsschichten zwischen der Lumineszenz- (ZnS:Mn)-Schicht und den Elektrodenschichten
(z.B. Indium-Zinn-Oxid) als Substitut für bekannte Al_0„-Schichten.
Patentanwalt
Claims (1)
- Patentansprüche1 . Vt-; uujidf i In: auf der Grundlage von Aluminiumoxid (Al„o. ) ujid Tit-anoxid (TiO0) für die Verwendung- ins-C J dbesojiüure in Dümif ilni-Elektroluiniiieszenzs trukturon, dadurch. gekennzeichnet, da; Jmehrere einander abwechselnde Al0O- und TiOp-Schich-L cn vorgesehen sind, deren Dicke 3 bis 1000 A, vorzu£sveise 5 bis 25O A beträgt.2. Vui'bundf ilm nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Schichten 20 bis 100 A, vorzugsweise 40 bis 70 A beträgt.3. Verbundfilm nach Anspruch 2, dadurchgekennzeichnet Schichten etwa 30 A* beträgt.daß die Dicke derh. Verbundfilm nach Anspruch. 1 , dadurch gekennzeichnet , daß der Film durch V/achsc-n nach dem sogenannten ALE- (Atom-Schicht- hpi ι a.-'de," -Verfahren hergestellt ist.COPY^ 5· Verbundf i Im nach Anspruch. 1, dadurch Ce~ kennzeich.net , daß die Schichten zumindest weitgehend von gleicher Dicke sind.6. Verbundfilm nach Anspruch, !,dadurch gekennzeichnet , daß die Gesamtzahl der einander abwechselnden Schichten IO bis 200, vorzugsweise etwa 50 beträgt.IQ 7 . Verbundfilm nach Anspruch '4,·. d a, d u r c h. gekennzeichnet , daß das.· Zyklusverhältnis
Al O /TiO im Bereich von 5/5ΟΟ bis 30/5 liegt.8. Verbundfilm nach Anspruch 1,dadurch g e kennzeichnet, daß das GewichtsvertüiltnisTi/(Al+Ti) in dem betreffenden Film 0,45 bis 0,55, vorzugsweise etwa 0,5 beträgt.9. Verbundfilra nach Anspruch 1,dadurch g e kennzeichnet, daß die Dicke der A1„O.,-Schichten 5O bis fO A, vorzugsweise etwa 60 A beträgt.[ COPY
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Families Citing this family (102)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4794302A (en) * | 1986-01-08 | 1988-12-27 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Thin film el device and method of manufacturing the same |
US4681818A (en) * | 1986-03-18 | 1987-07-21 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Oxygen diffusion barrier coating |
US5027166A (en) * | 1987-12-04 | 1991-06-25 | Sanken Electric Co., Ltd. | High voltage, high speed Schottky semiconductor device and method of fabrication |
DE3851701T2 (de) * | 1988-06-03 | 1995-03-30 | Ibm | Verfahren zur Herstellung künstlicher Hochtemperatur-Supraleiter mit mehrschichtiger Struktur. |
JPH02230690A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-13 | Fujitsu Ltd | 薄膜el素子 |
JPH0824191B2 (ja) * | 1989-03-17 | 1996-03-06 | 富士通株式会社 | 薄膜トランジスタ |
US5480818A (en) * | 1992-02-10 | 1996-01-02 | Fujitsu Limited | Method for forming a film and method for manufacturing a thin film transistor |
US5458084A (en) * | 1992-04-16 | 1995-10-17 | Moxtek, Inc. | X-ray wave diffraction optics constructed by atomic layer epitaxy |
JP2817590B2 (ja) * | 1993-09-24 | 1998-10-30 | 信越半導体株式会社 | 発光素子の製造方法 |
JPH10308283A (ja) | 1997-03-04 | 1998-11-17 | Denso Corp | El素子およびその製造方法 |
US6965196B2 (en) | 1997-08-04 | 2005-11-15 | Lumimove, Inc. | Electroluminescent sign |
FI108355B (fi) | 1998-07-28 | 2002-01-15 | Planar Systems Oy | Nõyt÷n ohutkalvorakenteen eristekalvo sekõ ohutkalvo-elektroluminesessi-nõytt÷laite |
US6974766B1 (en) | 1998-10-01 | 2005-12-13 | Applied Materials, Inc. | In situ deposition of a low κ dielectric layer, barrier layer, etch stop, and anti-reflective coating for damascene application |
US6358632B1 (en) | 1998-11-10 | 2002-03-19 | Planar Systems, Inc. | TFEL devices having insulating layers |
KR100363084B1 (ko) * | 1999-10-19 | 2002-11-30 | 삼성전자 주식회사 | 박막 구조를 위한 다중막을 포함하는 커패시터 및 그 제조 방법 |
US7419903B2 (en) * | 2000-03-07 | 2008-09-02 | Asm International N.V. | Thin films |
AU2001245388A1 (en) | 2000-03-07 | 2001-09-17 | Asm America, Inc. | Graded thin films |
JP4556282B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2010-10-06 | 株式会社デンソー | 有機el素子およびその製造方法 |
US6620723B1 (en) | 2000-06-27 | 2003-09-16 | Applied Materials, Inc. | Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques |
US7101795B1 (en) * | 2000-06-28 | 2006-09-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer |
US7732327B2 (en) | 2000-06-28 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Vapor deposition of tungsten materials |
US7405158B2 (en) | 2000-06-28 | 2008-07-29 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques |
US7964505B2 (en) | 2005-01-19 | 2011-06-21 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of tungsten materials |
US6551929B1 (en) | 2000-06-28 | 2003-04-22 | Applied Materials, Inc. | Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques |
US6936538B2 (en) | 2001-07-16 | 2005-08-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing tungsten after surface treatment to improve film characteristics |
US6825447B2 (en) | 2000-12-29 | 2004-11-30 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for uniform substrate heating and contaminate collection |
US6998579B2 (en) | 2000-12-29 | 2006-02-14 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform substrate heating |
US6765178B2 (en) * | 2000-12-29 | 2004-07-20 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform substrate heating |
US6589674B2 (en) | 2001-01-17 | 2003-07-08 | Ifire Technology Inc. | Insertion layer for thick film electroluminescent displays |
US6951804B2 (en) | 2001-02-02 | 2005-10-04 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
US6878206B2 (en) | 2001-07-16 | 2005-04-12 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
US6660126B2 (en) | 2001-03-02 | 2003-12-09 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
US7563715B2 (en) | 2005-12-05 | 2009-07-21 | Asm International N.V. | Method of producing thin films |
US9139906B2 (en) | 2001-03-06 | 2015-09-22 | Asm America, Inc. | Doping with ALD technology |
US6734020B2 (en) | 2001-03-07 | 2004-05-11 | Applied Materials, Inc. | Valve control system for atomic layer deposition chamber |
JP2002270371A (ja) | 2001-03-14 | 2002-09-20 | Denso Corp | El素子およびそれを用いた表示パネル |
US7048400B2 (en) | 2001-03-22 | 2006-05-23 | Lumimove, Inc. | Integrated illumination system |
WO2002078035A1 (en) | 2001-03-22 | 2002-10-03 | Lumimove, Inc. | Illuminated display system and process |
US6596643B2 (en) | 2001-05-07 | 2003-07-22 | Applied Materials, Inc. | CVD TiSiN barrier for copper integration |
JP4483124B2 (ja) | 2001-05-09 | 2010-06-16 | 株式会社デンソー | El素子およびその製造方法並びにel素子を用いた表示パネル |
US7056278B2 (en) * | 2001-06-01 | 2006-06-06 | Adamed Sp. Z.O.O. | Method of treating overactive bladder in women |
US7211144B2 (en) | 2001-07-13 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Pulsed nucleation deposition of tungsten layers |
US8110489B2 (en) | 2001-07-25 | 2012-02-07 | Applied Materials, Inc. | Process for forming cobalt-containing materials |
US9051641B2 (en) | 2001-07-25 | 2015-06-09 | Applied Materials, Inc. | Cobalt deposition on barrier surfaces |
US20030029715A1 (en) | 2001-07-25 | 2003-02-13 | Applied Materials, Inc. | An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems |
US20090004850A1 (en) | 2001-07-25 | 2009-01-01 | Seshadri Ganguli | Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications |
JP2005504885A (ja) | 2001-07-25 | 2005-02-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 新規なスパッタ堆積方法を使用したバリア形成 |
US7085616B2 (en) | 2001-07-27 | 2006-08-01 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition apparatus |
US7049226B2 (en) | 2001-09-26 | 2006-05-23 | Applied Materials, Inc. | Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization |
US6936906B2 (en) | 2001-09-26 | 2005-08-30 | Applied Materials, Inc. | Integration of barrier layer and seed layer |
US6916398B2 (en) | 2001-10-26 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition |
US6773507B2 (en) | 2001-12-06 | 2004-08-10 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for fast-cycle atomic layer deposition |
US7081271B2 (en) | 2001-12-07 | 2006-07-25 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of refractory metal silicon nitride |
US6729824B2 (en) | 2001-12-14 | 2004-05-04 | Applied Materials, Inc. | Dual robot processing system |
US6713199B2 (en) | 2001-12-31 | 2004-03-30 | Memscap | Multilayer structure used especially as a material of high relative permittivity |
US6620670B2 (en) | 2002-01-18 | 2003-09-16 | Applied Materials, Inc. | Process conditions and precursors for atomic layer deposition (ALD) of AL2O3 |
WO2003065424A2 (en) | 2002-01-25 | 2003-08-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for cyclical deposition of thin films |
US6998014B2 (en) | 2002-01-26 | 2006-02-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for plasma assisted deposition |
US6911391B2 (en) | 2002-01-26 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integration of titanium and titanium nitride layers |
US6827978B2 (en) | 2002-02-11 | 2004-12-07 | Applied Materials, Inc. | Deposition of tungsten films |
US6833161B2 (en) | 2002-02-26 | 2004-12-21 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode |
US7439191B2 (en) | 2002-04-05 | 2008-10-21 | Applied Materials, Inc. | Deposition of silicon layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications |
US6720027B2 (en) | 2002-04-08 | 2004-04-13 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of a variable content titanium silicon nitride layer |
US6846516B2 (en) | 2002-04-08 | 2005-01-25 | Applied Materials, Inc. | Multiple precursor cyclical deposition system |
US6875271B2 (en) | 2002-04-09 | 2005-04-05 | Applied Materials, Inc. | Simultaneous cyclical deposition in different processing regions |
US6869838B2 (en) | 2002-04-09 | 2005-03-22 | Applied Materials, Inc. | Deposition of passivation layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications |
US7279432B2 (en) | 2002-04-16 | 2007-10-09 | Applied Materials, Inc. | System and method for forming an integrated barrier layer |
US7041335B2 (en) | 2002-06-04 | 2006-05-09 | Applied Materials, Inc. | Titanium tantalum nitride silicide layer |
US6838125B2 (en) | 2002-07-10 | 2005-01-04 | Applied Materials, Inc. | Method of film deposition using activated precursor gases |
US20040013803A1 (en) * | 2002-07-16 | 2004-01-22 | Applied Materials, Inc. | Formation of titanium nitride films using a cyclical deposition process |
US6821563B2 (en) | 2002-10-02 | 2004-11-23 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution system for cyclical layer deposition |
WO2004064147A2 (en) | 2003-01-07 | 2004-07-29 | Applied Materials, Inc. | Integration of ald/cvd barriers with porous low k materials |
US7262133B2 (en) | 2003-01-07 | 2007-08-28 | Applied Materials, Inc. | Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line |
US6955986B2 (en) | 2003-03-27 | 2005-10-18 | Asm International N.V. | Atomic layer deposition methods for forming a multi-layer adhesion-barrier layer for integrated circuits |
US20040198069A1 (en) | 2003-04-04 | 2004-10-07 | Applied Materials, Inc. | Method for hafnium nitride deposition |
US7211508B2 (en) | 2003-06-18 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of tantalum based barrier materials |
US20050252449A1 (en) | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Nguyen Son T | Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system |
US8323754B2 (en) | 2004-05-21 | 2012-12-04 | Applied Materials, Inc. | Stabilization of high-k dielectric materials |
US7429402B2 (en) | 2004-12-10 | 2008-09-30 | Applied Materials, Inc. | Ruthenium as an underlayer for tungsten film deposition |
DE102004061464B4 (de) * | 2004-12-17 | 2008-12-11 | Schott Ag | Substrat mit feinlaminarer Barriereschutzschicht und Verfahren zu dessen Herstellung |
FI117728B (fi) * | 2004-12-21 | 2007-01-31 | Planar Systems Oy | Monikerrosmateriaali ja menetelmä sen valmistamiseksi |
KR100620451B1 (ko) * | 2005-01-10 | 2006-09-11 | 삼성전자주식회사 | 금속산화 합금막, 금속산화 합금막 형성 방법과 이를이용한 게이트 구조물의 제조 방법 및 커패시터의 제조 방법 |
US7372610B2 (en) | 2005-02-23 | 2008-05-13 | Sage Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices and methods |
JP4470831B2 (ja) * | 2005-08-01 | 2010-06-02 | 株式会社デンソー | El素子およびその製造方法 |
US20070119370A1 (en) | 2005-11-04 | 2007-05-31 | Paul Ma | Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition |
JP2007287486A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Aitesu:Kk | 透明基板と電極の間に微細構造体を有する有機el素子 |
US7798096B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Plasma, UV and ion/neutral assisted ALD or CVD in a batch tool |
WO2008042981A2 (en) | 2006-10-05 | 2008-04-10 | Asm America, Inc. | Ald of metal silicate films |
US7521379B2 (en) | 2006-10-09 | 2009-04-21 | Applied Materials, Inc. | Deposition and densification process for titanium nitride barrier layers |
US7659158B2 (en) | 2008-03-31 | 2010-02-09 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition processes for non-volatile memory devices |
US8491967B2 (en) | 2008-09-08 | 2013-07-23 | Applied Materials, Inc. | In-situ chamber treatment and deposition process |
US20100062149A1 (en) | 2008-09-08 | 2010-03-11 | Applied Materials, Inc. | Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process |
US8557702B2 (en) * | 2009-02-02 | 2013-10-15 | Asm America, Inc. | Plasma-enhanced atomic layers deposition of conductive material over dielectric layers |
FI20095947A0 (fi) * | 2009-09-14 | 2009-09-14 | Beneq Oy | Monikerrospinnoite, menetelmä monikerrospinnoitteen valmistamiseksi, ja sen käyttötapoja |
FI20096154A0 (fi) * | 2009-11-06 | 2009-11-06 | Beneq Oy | Menetelmä kalvon muodostamiseksi, kalvo ja sen käyttöjä |
FI20096153A0 (fi) * | 2009-11-06 | 2009-11-06 | Beneq Oy | Menetelmä koristepäällysteen muodostamiseksi, koristepäällyste ja sen käyttötapoja |
US8609553B2 (en) | 2011-02-07 | 2013-12-17 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming rutile titanium dioxide and associated methods of forming semiconductor structures |
US8564095B2 (en) | 2011-02-07 | 2013-10-22 | Micron Technology, Inc. | Capacitors including a rutile titanium dioxide material and semiconductor devices incorporating same |
KR102014321B1 (ko) * | 2011-07-11 | 2019-11-04 | 로터스 어플라이드 테크놀로지, 엘엘씨 | 혼합 금속 산화물 장벽 막을 제조하기 위한 혼합 금속 산화물 장벽 막 및 원자 층 증착 방법 |
JP5906923B2 (ja) * | 2012-04-26 | 2016-04-20 | 株式会社デンソー | 誘電膜の製造方法 |
JP6662520B2 (ja) * | 2015-10-02 | 2020-03-11 | 国立大学法人山形大学 | 内面コーティング方法及び装置 |
JP6980324B1 (ja) * | 2021-03-08 | 2021-12-15 | 株式会社クリエイティブコーティングス | チタン酸バリウム膜の製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4058430A (en) * | 1974-11-29 | 1977-11-15 | Tuomo Suntola | Method for producing compound thin films |
EP0015390A1 (de) * | 1979-02-28 | 1980-09-17 | Oy Lohja Ab | Verfahren und Vorrichtung zum Erzielen des Wachstums dünner Schichten einer Verbindung |
DE3204859A1 (de) * | 1981-02-23 | 1982-09-09 | Osakeyhtiö Lohja AB, 08700 Virkkala | Elektrolumineszente duennfilmstruktur |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1255347A (en) * | 1968-10-02 | 1971-12-01 | Hitachi Ltd | Improvements in semiconductor devices |
GB1570348A (en) * | 1977-04-28 | 1980-07-02 | British Steel Corp | Coated graphite dies |
JPS5635494A (en) * | 1979-08-30 | 1981-04-08 | Showa Denko Kk | High heat transfer electric insulating substrate |
US4364995A (en) * | 1981-02-04 | 1982-12-21 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Metal/metal oxide coatings |
FI62448C (fi) * | 1981-04-22 | 1982-12-10 | Lohja Ab Oy | Elektroluminensstruktur |
-
1982
- 1982-05-10 FI FI821647A patent/FI64878C/fi not_active IP Right Cessation
-
1983
- 1983-04-25 US US06/488,178 patent/US4486487A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-04-28 GB GB08311576A patent/GB2120845B/en not_active Expired
- 1983-05-03 DE DE3316114A patent/DE3316114A1/de active Granted
- 1983-05-09 DD DD83250751A patent/DD209845A5/de not_active IP Right Cessation
- 1983-05-10 FR FR8307757A patent/FR2526622B1/fr not_active Expired
- 1983-05-10 JP JP58080241A patent/JPS58206095A/ja active Granted
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4058430A (en) * | 1974-11-29 | 1977-11-15 | Tuomo Suntola | Method for producing compound thin films |
DE2553048C3 (de) * | 1974-11-29 | 1979-08-09 | Instrumentarium Oy, Helsinki | Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen von Verbindungs-DünnschJchten auf einem Substrat |
EP0015390A1 (de) * | 1979-02-28 | 1980-09-17 | Oy Lohja Ab | Verfahren und Vorrichtung zum Erzielen des Wachstums dünner Schichten einer Verbindung |
DE3204859A1 (de) * | 1981-02-23 | 1982-09-09 | Osakeyhtiö Lohja AB, 08700 Virkkala | Elektrolumineszente duennfilmstruktur |
Non-Patent Citations (9)
Title |
---|
"Journal of Crystal Growth" Bd. 36, 1976, S. 157-164 * |
"Journal of the Electrochemical Society" Bd. 123, 1976, Nr. 10, S. 1479-1486 * |
"Journal of the Electrochemical Society" Bd. 125, 1978, Nr. 6, S. 902-907 * |
"Journal of the Electrochemical Society" Bd. 127, 1980, Nr. 5, S. 1186-1188 * |
"Journal of the Electrochemical Society" Bd. 127, 1980, Nr. 6, S. 1256-1261 * |
"Jpurnal of the Electrochemical Society" Bd. 127, 1980, Nr. 12, S. 2563-2566 * |
"Proceedings of the IEEE" Dez. 1964, S. 1463-1465 * |
"Solar Cells", Bd. 3, 1981, Nr. 1, S. 195-208 * |
"Thin Solid Films", Bd. 51, 1978, Nr. 1, S. 83-88 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2526622B1 (fr) | 1986-01-24 |
FI64878B (fi) | 1983-09-30 |
JPS58206095A (ja) | 1983-12-01 |
DD209845A5 (de) | 1984-05-23 |
GB8311576D0 (en) | 1983-06-02 |
FI64878C (fi) | 1984-01-10 |
GB2120845B (en) | 1986-01-29 |
JPS645440B2 (de) | 1989-01-30 |
FR2526622A1 (fr) | 1983-11-10 |
US4486487A (en) | 1984-12-04 |
DE3316114C2 (de) | 1992-01-02 |
GB2120845A (en) | 1983-12-07 |
FI821647A0 (fi) | 1982-05-10 |
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