DE3446961A1 - Verfahren zur herstellung einer sic-halbleitervorrichtung - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer sic-halbleitervorrichtung

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Description

Verfahren zur Herstellung einer SiC-Halbleitervorrichtung Beschreibung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Siliciumcarbid-Halbleitervorricntung.
Halbleitervorrichtungen, z.B. Dioden, Transistoren, integrierte Schaltkreise (IC), LSI-Schaltkreise, lichtemittierende Dioden, Halbleiterlaser, CCD-Kupplungsvorrichtungen werden aus Halbleitermaterialien hergestellt, z.B. Silicium, Galliumarsenid, Galliumphosphid, und diese Vorrichtungen finden Verwendung in der Elektronik.
Siliciumcarbid ist ein Halbleitermaterial, das einen grösseren unerwünschten (verbotenen) Energiezwischenraum von 2,2 bis 3,3 eV aufweist, als die obenangegebenen Halbleitermaterialien, und ist thermisch, chemisch und mechanisch stabil und widerstandsfähig gegen Strahlungsschaden. Eine Halbleitervorriöhtung unter Verwendung von Siliciumcarbid ist unter erschwerten Bedingungen, z.B. bei hohen Temperaturen, bei denen große Mengen an elektrischer Kraft benötigt werden und/oder in einer Umgebung mit Strahlenemission einsetzbar, wo Schwierigkeiten eintreten mit Vorrichtungen, die aus anderen Halbleitermaterialien hergestellt worden sind, so daß die Halbleitervorrichtung in einem weiten Anwendungsbereich für Vorrichtungen einsetzbar ist, wo eine hohe Betriebssicherheit und eine hohe Stabilität gewünscht werden.
Trotz dieser vielen Vorteile und Fähigkeiten ist eine SiIiciumcarbid-Halbleitervorrichtung bisher nicht großtechnisch verwendet worden, da die Industrie nach wie vor versucht, qualitativ hochwertige Siliciumcarbid-Kristalle mit einer großen Oberfläche, die eine gute Reproduzierbarkeit aufweisen, zu züchten, wobei man sich um ein wirtschaftliches Verfahren bemüht.
Übliche Dioden und Transistoren sind im Labormaßstab hergestellt worden unter Verwendung eines Siliciumcarbid-Einkristallwachstums durch Sublimation (Lely-Verfahren) und/oder unter Verwendung eines Epitaxial-Filmwachstums eines Siliciumcarbid-Einkristalls durch chemische Dampfablagerung, flüssige Phasenepitaxie od.dgl. auf dem Siliciumcarbid-Einkristall (vgl. R.B. Campbell und H.-C. Chang "Silicon Carbide Junction Devices" in "Semiconductors and Semimetals" von R.K. Willardson und A.C. Beer (Academic Press, New York, 1971) Band 7, Teil B, Kapitel 9, Seiten 625 bis 683. Bei diesen üblichen Verfahren werden jedoch nur Einkristalle mit einer kleinen Oberfläche gebildet, und damit können darüber hinaus keine Einkristalle der gewünschten Größe und/oder Form zur Verfugung gestellt werden. Bei Verwendung dieser üblichen Verfahren ist es außerdem schwierig, das Klischee der Einkristalle und die Konzentration der Verunreinigungen in den SiIiciumcarbid-Kristallen zu kontrollieren. Daher ist es unmöglich, Halbleitervorrichtungen unter Verwendung von Siliciumcarbid-Einkristallen in wirtschaftlicher Weise herzustellen.
In den letzten Jahren ist es gelungen, ein Verfahren zu entwickeln zur Züchtung eines großen Siliciumcarbid-Einkristalls guter Qualität auf einem Silicium-Einkristallsubstrat durch chemisches Aufdampfen (vgl. japanische Patentanmeldung 76842/1983). Bei diesem Verfahren wird ein dünner Siliciumcarbid-Film auf einem Siliciumsubstrat mittels des CVD-Verfahrens gezüchtet bei einer niedrigen Temperatur,und dann wird ein Siliciumcarbid-Einkristallfilm auf diesem Film mittels des CVD-Verfahrens bei höherer Temperatur gezüchtet. Auf diese Weise wird die Herstellung eines großen Siliciumcarbid-Einkristallsubstrats mit hoher Qualität auf einem Silicium-Einkristallsubstrat mit geringen Kosten ermöglicht, wobei das Klischee, die Konzentration der Verunreinigungen, die elektrische Leitfähigkeit,
die Größe und die Form der Einkristalle kontrolliert. Dieses Verfahren ist auch einsetzbar für die großtechnische Herstellung eines solchen Siliciumcarbid-Einkristallfilms mit hoher Produktivität. 5
Die Erfindung betrifft ein Verfahren, das die oben erörterten zahlreichen Nachteile und Fehler der bekannten Verfahren nicht aufweist und das darin besteht, daß man einen Siliciumcarbid-Einkristallfilm wachsen läßt auf einem Silicium-Einkristallsubstrat und man dann die Struktur der Halbleitervorrichtungen, insbesondere Dioden und Transistoren auf dem Siliciumcarbid-Einkristallfilm bildet.
Der Siliciumcarbid-Einkristallfilm wird nach einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung auf dem Silicium-Einkristallsubstrat nach der · chemischen Aufdampfmethode gezüchtet.
Ein Gemisch aus Monosilangas und Propan wird als Ausgangsgas der Oberfläche des Silicium-Einkristallsubstrats zusammen mit Wasserstoff als Trägergas zugeführt.
Ein Teil des Siliciumcarbid-Einkristallfilms wird behandelt mit einer Ätzbehandlung, um Emitter, Kollektoren oder Basiselektroden darauf zu positionieren, daß ein Siliciumcarbid-Bipolartransistor erhalten wird. Die Ätzbehandlung wird vorzugsweise nach einem photolithographischen Verfahren durchgeführt.
3o
Auf dem Siliciumcarbid-Einkristallfilm werden Kanalregionen gebildet, um Quelle, Senke oder Steuerelektroden zu positionieren.
Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht die industrielle Herstellung von Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtungen in
wirtschaftlicher Weise und schließt erweiterte Anwendungsbereiche der Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung durch die Verwendung- der sehr guten Eigenschaften dieser Vorrichtung, z.B. der thermischen, chemischen und mechanisehen Stabilität, die andere Halbleiter, z.B. aus Silicium, Galliumarsenid, Galliumphosphid od.dgl. nicht aufweisen.
Die Erfindung wird durch die nachfolgenden Zeichnungen näher erläutert.
Figuren l(A) bis l(G) zeigen schematische Schnittansichten für das Herstellungsverfahren eines bipolaren Transistors gemäß der Erfindung. 15
Figuren 2(A) bis 2(C) zeigen schematische Schnittansichten für das Herstellungsverfahren eines Feldeffekttransistors vom JG-Typ gemäß der Erfindung.
2o
Figuren 3(A) bis 3(C) zeigen schematische Schnittansichten für das Herstellungsverfahren eines Feldeffekttransistors vom Schottky-Typ gemäß der Erfindung .
Figuren 4(A) bis 4(E) zeigen schematische Schnittansichten für das Herstellungsverfahren eines Feldeffekttransistors vom JG-Typ gemäß der Erfindung .
3o
Ein polarer Transistor und Feldeffekttransistor werden wie folgt hergestellt:
Bipolartransistor:
Die Figuren l(A) bis l(G) zeigen das Herstellungsverfahren für einen Siliciumcarbid-Bipolartransistor gemäß der Erfin-
dung, wobei ein Siliciumcarbid-Eihkristallfilm gezüchtet wird auf einem Silicium-Einkristallsubstrat durch chemisches Aufdampfen (CVD -Methode).
Gemäß der Erfindung wird ein Silicium-Einkristallsubstrat 1 in ein Reaktionsrohr gegeben, dann wird zuerst als Ausgangsgas ein Gemisch aus einem Silicongas, z.B. SiIL , und einem kohlenstoffhaltigen Gas, z.B. Propan, und einem Trägergas, z.B. Wasserstoff, in das Reaktionsrohr für etwa 1 h zugeführt, bis sich ein n-SiC-Einkristallfilm 2 mit einer Dicke von etwa 2/um auf dem SiIiciumsubstrat 1 gebildet hat (vgl. Fig. 1(A)). Dann wird ein p-SiC-Einkristallfilm 3 auf dem n-SiC-Einkristallfilm 2 gezüchtet, wie in Fig. l(B) dargestellt, und durch ein photolithographisches Verfahren geätzt, um Rillen in einer Stärke von o,5 bis l,O/um zu bilden, die als Basisregion dienen (vgl. Fig. 1(C)). Auf dem p-SiC-Einkristallfilm 3 wird ein n-SiC-Einkristallfilm 4 gezüchtet, wie dies in Fig. l(D) dargestellt ist, und zwar mit einer Schichtdicke von etwa 2/um. Die äußeren Bereiche des n-SiC-Einkristallfilms 4, des p-SiC-Einkristallfilms 3 und des n-SiC-Einkristallfilms 2 werden.mesa-geätzt mittels eines photolithographischen Verfahrens, wie in Fig. l(E) dargestellt. Dann werden mit der gleichen Ätzmethode wie oben dargestellt, die Endanteile des n-SiC-Einkristallfilms 4 und des p-SiC-Einkristallfilms 3 entfernt, um terrassenairtige Wachstumsanteile zu bilden, wie in Fig. l(F) dargestellt. Dann wird eine Emitterelektrode und eine Kollektorelektrode 7, die beide aus Nickel bestehen, in die Rille bzw. die Vertiefung des n-SiC-Einkristallfilms 4 bzw. den Terrassenabschnitt des n-SiC-Einkristallfilms 2 aufgedampft. Danach wird eine Basiselektrode aus einer Aluminiumsiliciumlegierung (Al-Si) aufgedampft auf die freigelegte bzw. behandelte Oberfläche des p-SiC-Einkristallfilms 3, wie in Fig. l(G) dargestellt. Es wer-
den Bleidrähte mit den Elektroden 5, 6 und 7 verbunden und auf diese Weise ein bipolarer Transistor vom n-p-n-Typ hergestellt, indem der n-SiC-Einkristallfilm 4 als Emitter, der p-SiC-Einkristallfilm 3 als Basis und der n-SiC-Einkristallfilm 2 als Kollektor fungiert.
Diboran, AluminiumtriChlorid, ein organisches Aluminiumgas oder ähnliche Verbindungen wurden a^s p-Typ-Verunreinigungen, PH,, Np, NE, und ähnliche Gase wurden als n-Typ-Verunreinigungen hin2ugegeben als Dotierungsmittel für die Siliciumcarbid-Einkristallfilme.
In dem obenangegebenen Beispiel wurde das CVD-Verfahren für die Züchtung der Siliciumcarbid-Einkristallfilme auf dem Silicium-Einkristallsubstrat und/oder für das Wachstum der verschiedenen leitenden Siliciumcarbid-Einkristallfilme auf dem Siliciumcarbid-Einkristallfilm verwendet, wobei jedoch auch andere Verfahren, z.B. die Flüssigphasenepitaxie, verwendet werden können. Die Emittep-, Basis- und Kollektorbereiche können in üblicher Weise gebildet werden, z.B. durch ein Verunr,einigungs-Diffusionsverfahren, ein Ionenimplantationsverfahren, die auch verwendet werden für die Herstellung von Transistoren, die aus Siliciumhalbleitern bestehen. Die Elektrodenmaterialien für die Emitter-, Basis- und Kollektor-Bereiche sind nicht auf die obenangegebenen Materialien beschränkt.
Obwohl die Herstellung eines Siliciumcarbid-Bipolartransistors mit einer Basisstruktur oben beispielsweise erläutert worden ist, können auch bipolare Transistoren einer verbesserten oder einer weiterentwickelten Struktur, die z.B. verwendet werden für bipolare Transistoren aus Siliciumhalbleitern,und/oder andere bipolare Transistoren, wie sie z.B. verwendet werden für integrierte Schaltkreise, LSI-Schaltkreise und VLSI-Schaltkreise, wie
sie erhalten werden aus diesen verbesserten und/oder •weiterentwickelten Strukturen, durch das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung von SiC-Bipolartransistören hergestellt werden.
5
Feldeffekttransistor
Die Fig. 2 bis 4 zeigen das Herstellungsverfahren für einen SiIiciumcarbid-Feldeffekttransistör gemäß der Erfindung, wobei ein Siliciumcarbid-Einkristallfilm 2 zuerst gezüchtet wird auf einem SiIicium-EinkriStallsubstrat mittels der CVD-Methode, bei de.' ein Gemisch aus einem Silicongas (z.B. SiH^) und einem kohlenstoffhaltigen Gas (z.B. Propan) als Ausgangsgas und einem Trägergas (z.B.
Wasserstoff) zugeführt werden in ein Reaktionsrohr für 3o min bis 1 h, um einen Siliciumcarbid-Einkristallfilm mit einer Schichtdicke von o,5 bis 2/um zu bilden. Quelle-, Steuer-und Senke-Bereiche werden in oder auf dem Siliciumcarbid-Einkristallfilm gebildet, um so einen Feldeffekttransistor herzustellen. Die einzelnen Feldeffekttransistoren, z.B. vom JG-Typ, Schottky-Sperrgate-Typ und vom IG-Typ sind nachfolgend näher erläutert.
Feldeffekttransistoren vom JG-Typ
Die Fig. 2(A) bis 2(C) zeigen das Herstellungsverfahren für den Feldeffekttransistor vom Junctiongate-Typ. Unter Verwendung der oben erläuterten Kristallzüchtungsmethode wird nacheinander ein SiC-Einkristallfilm 2 vom p-Typ mit einer Schichtdicke von etwa 1 bis 2/um und dann ein Siliciumcarbid-Einkristallfilm 3 vom η-Typ mit einer Schichtdicke von etwa o,5 bis l/um und danach ein Siliciumcarbid-Einkristallfilm 4 vom p-Typ auf einem Silicium-Einkristallsubstrat 1 vom p-Typ gebildet (vgl. Fig.. 2(A)). Dann wird
der Siliciumcarbid-Einkristallfilm 4 vom p-Typ geätzt mittels eines photolithographischen Verfahrens, und zwar in der Weise, daß der mittlere Teil des Einkristallfilms vom p-Typ auf dem Mittelanteil 3' des Einkristallfilms 3 vom η-Typ erhalten bleibt unter Bildung eines mesa-Anteils 4! (vgl. Fig. 2(B)). Dann wird eine Quellenelektrode 5 und Senkeelektrode 6, die beide aus Nickel bestehen, als ohm'sches Elektrodenmaterial aufgedampft unter Verwendung einer Maske auf den Quellenbereich 3'' bzw.. dem Senkebe-· reich 311', wobei jeder der Bereiche angeordnet ist auf dem Ende des Siliciumcarbid-Einkristallfilms 3 vom n-Typ. Dann wird eine Steuerelektrode 7 aus einer Aluminium-Siliciumlegierung (Al-Si) als ohm'sches Elektrodenmaterial auf den mesa-Anteil 4' des Siliciumcarbid-Einkristallfilms 4 vom p-Typ aufgedampft und dann wird eine Gegenelektrode aus Nickel als ohm'sches Elektrodenmaterial auf dem SiIi-*- ciumsubstrat 1 nach einem Plattierungsverfahren gebildet. Es wurden Bleidrähte mit öeder der Elektroden 5,6, 7 und verbunden und so ein Feldeffekttransistor vom Junctiongate-Typ hergestellt (vgl. Fig. 2(C)). Diboran, Aluminiumtrichlorid und ein organisches Aluminiumgas oder ähnliche Gase wurden als Verunreinigungen Vom p-Typ verwendet, während als Verunreinigungen vom n-TyJp PH,, Np oder NH, verwendet wurden. Diese Verunreinigungen wujrden als Trägergas in das Reaktionsrohr eingeführt, um die SiIiciumcarbid-Einkristalle damit zu dotieren.
Feldeffekttransistoren vom Schottky-Sperrgate-Typ;
Die Fig. 3(A) bis 3(G) zeigen ein Herstellungsverfahren für einen Feldeffekttransistor vom Schottky-Sperrgate-Typ gemäß der Erfindung. Unter Verwendung der obenangegebenen Kristallwachotumsmethode züchtet man einen Siliciumcarbid-Einkristallfilm 2 vom p-Typ mit einer Schichtdicke von mehreren/un und einen Siliciumcarbid-Einkristall 3 vom η-Typ mit einer Schichtdicke von etwa o,5 bis
η · ft ·
■_--ιι _··
1/Uin auf einem Silicium-Einkris :allsubstrat vom p-Typ 1. Das Laminat wird mesa-geätzt un~er Verwendung einer Ätztechnik mittels eines photolithographischen Verfahrens, um die äußeren Bereiche von beiden Siliciumcarbid-Einkristallfilmen 3, 2 vom n-Typ 3 zu entfernen, wobei nur der aktive Bereich des Siliciumcarbid-Einkristallfilms vom n-Typ 3 übrigbleibt (vgl. Fig. 3(B)). Eine Quelle-Elektrode 5 und eine Sen!c-Elektrode 6, die beide aus Nickel bestehen, wurden dann als ohm'sches Elektrodenmaterial auf die Endteile des aktiven Bereichs des Siliciumcarbid-Einkristallfilms 3 vom n-Typ aufgedampft. Eine Schottky-Sperrgate-Elektrode 7 aus Gold wurde dann aufgedampft auf den aktiven Bereich des Films 3 zwischen der Quelle-Elektrode 5 und der Senk-Elektrode 6. Danach wurden Bleidrähte mit jeder der Elektroden 5, 6 bzw. 7 verbunden und auf diese Weise ein Feldeffekttransistor vom Schottky-Sperrgate-Typ hergestellt (vgl. Fig. 3(C)).
Feldeffekttransistoren vom JG-Tvp
Die Fig. 4(A) bis 4(E) zeigen das Herstellungsverfahren für einen Feldeffekttransistor mit isolierter Steuerelektrode gemäß der Erfindung. Wie in Fig. 4(A) dargestellt, wird zuerst unter Verwendung der obenangegebenen Kristallwachstumsmethode ein Siliciumcarbid-Einkristallfilm 12 vom p-Typ mit einer Schichtdicke von mehreren /Um auf dem Silicium-Einkristallsubstrat vom n-Typ 11 gezüchtet. Dann werden unter Verwendung einer Maske Stickstoffionen in den Siliciumcarbid-Einkristallfilm 12 implantiert, um n-Typ-Bereiche zu bilden, wobei jeder der Bereiche als Quellenbereich 13 und Senkbereich 14 dient (vgl. Fig. 4(3)). Dann wird die Oberfläche des Siliciumcarbid-Einkri stallfilms 12 einer thermischen Oxidationsbehandlung unterzogen, um einen SiIiciumdioxidfilm 15 mit einer Schichtdicke von etwa looo A als Isolationsfilm zu
bilden (vgl. Fig. 4(C)). Der Anteil des Siliciumdioxidfilms 15, der auf dem Quellebereich und Senkbereich 13 bzw. 14 positioniert ist, wird durch eine Ätztechnik unter Verwendung eines üblichen photolithographischen Verfahrens entfernt und dabei werden der Quellebereich 13 und der Senkbereich 14, wie in der Fig. 4(D) angegeben, freigelegt. Danach wird eine Quelle-Elektrode 16 und eine Senk-Elektrode 17, die beide aus Nickel bestehen, als ohm'sches Elektrodenmaterial auf den Quellebereich und den Senkbereich 14 aufgedampft. Eine Steuerelektrode 18 aus Aluminium wird danach aufgedampft auf den Siliciumdioxidfilm 15 zwischen der Quelle-Elektrode 16 und der Senk-Elektrode. 17. Es werden Bleidrähte verbunden mit jeder der Elektroden 16, 17 und 18 und auf diese Weise ein Feldeffekttransistor mit isolierter Steuerelektrode hergestellt.
Bei diesem Verfahren wurde die CVD-Methode für das Züchten der Siliciumcarbid-Einkristallfilme auf einem SiIicium-Einkristausübstrat und/oder für die Züchtung von verschieden leitenden Siliciumcarbid-Einkristallfilmen auf einem Siliciumcarbid-Einkristallfilm verwendet. Es ist aber auch möglich, andere Wachstumsmethoden, z.B. die Flüssigphasenepitaxie, dafür zu verwenden. Die Quelle-,die Senk- und die Steuerbereiche in jedem der obengennanten Feldeffekttransistoren können nach bekannten Verfahren, z.B. nach dem Verunreinigungs-Diffusionsverfahren oder dem Ionenimplantationsverfahren, die für die Bildung von Feldeffekttransistoren aus Siliciumhalbleitern, Galliumarsenid-Halbloitern oder ähnlichen Halbleitern bekannt sind, gebildet werden. Die Elektrodenmaterialien für die Quelle-, die Senk- und die Steuerbereiche sind nicht auf die obenangegebenen Materialien beschränkt.
Auch der Steuerisolationsfilm auf dem Feldeffekttransistor vom IG-Typ ist nicht auf Siliciumdioxid beschränkt.
Obwohl oben die Herstellung eines Feldeffekttransistors mit einer Basisstruktur beispielsweise erläutert wurde, können auch Feldeffekttransistoren mit verbesserten oder weiterentwickelten Strukturen, die für Feldeffekttransistoren aus Siliciumhalbleitern, Galliumarsenid-Halbleitern od.dgl. verwendet werden, und/oder andere Feldeffekttransistoren, die verwendet worden sind für integrierte Schaltkreise, LSI-Schaltkreise und VLSI-Schaltkreise (hergestellt von diesen Transistoren der verbesserten oder weiterentwickelten Struktur) nach dem erfindungsgemäßen Verfahren für die Herstellung von Siliciumcarbid-Feldeffekttransistoren hergestellt werden.
Die oben beschriebenen Verfahren für die Herstellung von Transistoren sind nur ein Beispiel für ein Herstellungsverfahren gemäß der Erfindung. Halbleitervorrichtungen, z.B Dioden, Transistoren, lichtemit bierende Dioden, Laser und CCD-Kupplungsvorrichtungen aus Halbleitermaterialien einschließlich Siliciumhalbleitern und IC-, LSI- und VLSI-Schaltkreise (herstellbar durch Integration der obengenannten Halbleitervorrichtungen) können in einfacher Weise nach dem Verfahren der Erfindung hergestellt werden.,
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Claims (1)

  1. MDNCHEN DR. M. KÖHLER DR. H..R KRESSIN DR. E. WIEGANDt (1932-1980)
    HAMBURG DIPL.-ING. ). GLAESER DIPL.-1NG. W. NIEMANN t (1937-1982}
    :·· WfEGANO-:*NIEMAND KÖHLER GLAESER KRESSIN
    PATENTANWÄLTE
    European Patent Attorneys
    TELEFON: 089-5554 76/7 TELEGRAMME: KARPATEN! TELEXi 52906« KARP I TELEFAX: 089-595691
    D-8000 MÖNCHEN 2
    HERZOG-WILHELM-STR. Ii
    ¥. 44 615/84 23/RS
    21. Dezember 1984
    SHARP KA3USHIKI KAISHA Osaka (Japan)
    Verfahren zur Herstellung einer SiC-Halbleiter-
    vorrichtung
    Patentansprüche
    Verfahren zur Herstellung einer SiC-Halbleitervorrich-
    ung, dadurch gekennzeichnet
    daß
    5 man einen Einkristallfilm von Siliciumcarbid auf einem Silicium-Einkristallsubstrat wachsen läßt und dann die Gestalt der Halbleitervorrichtung, insbesondere Dioden oder Transistoren, auf dem Siliciumcarbid-Einkristallfilm bildet.
    Io 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß man den Siliciumcarbid-Einkristallfilm durch chemische Dampfablagerung auf dem Silicium-Einkristallsubstrat wachsen läßt.
    3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß man ein Gemisch aus Monosilangas und Propan als Gasquelle auf die Oberfläche des Silicium-Einkristallsubstrats aufleitet, wobei Wasserstoff als Trägergas
    .5 eingesetzt y/ird.
    4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet , daß ein Teil in den Siliciumcarbid-Einkristallfilmen freigelegt ist mittels einer Ätzbehandlung, um einen Emitter, Kollektor oder Basiselektroden auf den Filmen zu positionieren.
    5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , daß die Ätzbehandlung durchgeführt wird mittels eines photolithographischen Verfahrens.
    6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet , daß Kanalbereiche auf dem Siliciumcarbid-Einkristallfilm geformt sind, um Quelle, Senke oder Steuerelektroden darauf zu positionieren.
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