DE3541047A1

DE3541047A1 - Festkoerper-bildsensor

Info

Publication number: DE3541047A1
Application number: DE19853541047
Authority: DE
Inventors: Tsutomu Nakamura; Kazuya Ina Nagano Natsumoto
Original assignee: Olympus Optical Co Ltd
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 1984-11-21
Filing date: 1985-11-19
Publication date: 1986-05-28
Also published as: DE3541047C2; US4684992A; JPS61136388A

Description

•7 DIPL.-CHEM. DR. E, FREIHERR VON PECHMANN

DR.-ING. DIETER BEHRENS

DIPL.-ING. DIPL.-VIRTSCH.-ING. RUPERT GOETZ DIPL.-PHYS. DR. AXEL VON HELLFELD

lA-59 901 SCHWEIGERSTRASSE 2

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Festkörper-Bildsensor 3 5 A 1 047

Die Erfindung betrifft einen Festkörper-Bildsensor mit einer Vielzahl von Bildelementen, welche jeweils einen sogenannten lateralen statischen Induktionstransistor aufweisen, in dem der Source-Drain-Strom parallel zur Oberfläche des Halbleiter-Substrates fließt.

Derartige Festkörper-Bildsensoren sind in den deutschen Patentanmeldungen P 33 45 189.3 und P 35 10 965.3 beschrieben. Fig. zeigt das Ersatzschaltbild eines lateralen statischen Induktionstransistors (nachfolgend LSIT genannt). Dieser LSIT ist vom n-Kanaltyp und weist eine Source-Schaltung auf, bei der die Source-Elektrode die gemeinsame Bezugselektrode ist. Ein Source-Anschluß 1 ist mit der Source-Elektrode (S) verbunden und die Source-Spannung V_c wird daran angelegt. Ein Drain-An-Schluß 2 ist mit der Drain-Elektrode (D) über einen Lastwiderstand (EL) 4 verbunden und die Drain-Elektrode ist mit dem Ausgangsanschluß 5 verbunden, um ein Ausgangssignal V abzugeben. Eine Drain-Spannung V_ wird an den Drain-Anschluß 2 angelegt. Ein Gate-Anschluß 3 ist mit der Gate-Elektrode (G) 6 verbunden und eine Gate-Spannung V_ wird daran angelegt. Einfallendes Licht 7 trifft auf die Gate-Elektrode 6. Weiterhin wird eine Substrat-Spannung V.,_TT_ an den Substrat-Anschluß 8 angelegt.

Die Fig. 2A bis 2D zeigen Pulsformen zur Erläuterung der Arbeitsweise des in Fig. 1 gezeigten LSIT. Fig. 2A zeigt die Gate-Spannung V , welche an den Gate-Anschluß 3 angelegt wird,

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Fig. 2B die Drain-Spannung V , welche an den Drain-Anschluß angelegt wird, Fig. 2C die Source-Spannung V , welche an den Source-Anschluß 1 angelegt wird und Fig. 2D die Substrat-Spannung V_CTTtl, welche an den Substrat-Anschluß 8 angelegt wird. Die Betriebsperiode ist mit T bezeichnet und setzt sich aus der Speicher-Zeitspanne T., der Auslese-Zeitspanne T₂ und der Rücksetz-Zeitspanne T_ zusammen. Während der gesamten Betriebszeitspanne T bleibt die Source-Spannung V auf dem Grundwert V₀. (V₀- = 0) und die Substrat-Spannung V__rTI, wird auf der Vorspannung in Sperrichtung V _ß. (Vg_UB, < 0) gehalten. Während der Speicher-Zeitspanne T- wird die Gate-Spannung V_ß auf einen relativ tiefen Wert V-.. (V_rl < 0) in Sperrichtung eingestellt und an der Fläche zwischen dem Halbleiterabschnitt unmittelbar unterhalb des Gate und einer das Gate isolierenden Schicht werden Löcher entsprechend dem einfallenden Licht 7 induziert und gespeichert. Während der Speicher-Zeitspanne T- entspricht die Drain-Spannung V dem Grundpotential V ,. Sodann wird in der Auslese-Zeitspanne T_ die Gate-Spannung V_ auf die Auslese-Gate-Spannung V^₀ (V-,- .< V__o < 0) geändert und die Drain-Spannung V_ wird auf die Auslese-Spannung V „ geändert (V__? > 0). Auf diese Weise wird ein Ausgangssignal ausgelesen, welches proportional der Menge des einfallenden Lichtes ist. Sodann wird in der Rücksetz-Zeitspanne T_ die Gate-Spannung V^ auf einen Wert V„_(V^_ > 0) in Durchlaßrichtung geändert und die unter dem Gate gespeicherten Löcher werden abgeführt. Während der Rücksetz-Zeitspanne T- kann die Drain-Spannung V_ gleich der Auslese-Spannung V » gemäß Fig. 2B sein oder auch auf das Grundpotential V . gesetzt werden.

Fig. 3 zeigt die Ausgangscharakteristik des LSIT gemäß Fig. 1, d.h. den Zusammenhang zwischen der Menge des auf das Gate auftreffenden Lichtes und der Ausgangsspannung ^v _0UTf welche am Ausgangsanschluß 5 anliegt. Ist die Lichtmenge 1 gleich Null, so befindet sich der LSIT im AUS-Zustand und die Ausgangs-Spannung V ist gleich der Drain-Spannung V . Steigt die Stärke des einfallenden Lichtes an, so wird der LSIT zunehmend leitend und

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die Ausgangsspannung V fällt entsprechend ab. übersteigt die Menge des einfallenden Lichtes den Sättigungswert I₁, so nimmt die Ausgangsspannung einen konstanten Wert V_nu_. an. Für den Bereich von 0 bis zum Sättigungswert 1. läßt sich experimentell bestätigen, daß die Ausgangsspannung V proportional der Menge des einfallenden Lichtes ist (V_OUT = 1).

Bei einem mit den zuvor erläuterten LSIT ausgestatteten Festkörper-Bildsensor werden die matrixförmig angeordneten Bildelemente rasterartig abgetastet, um das Bildsignal abzuleiten. Es sind drei Abtastverfahren vorgeschlagen worden: das Drain-Gate-Auswahlverfahren, das Source-Gate-Auswahlverfahren und das Source-Drain-Auswahlverfahren.

Fig. 4 zeigt das Schaltbild eines Festkörper-Bildsensors, bei dem die LSIT matrixförmig angeordnet sind und rasterartig mittels des Drain-Gate-Auswahlverfahrens abgetastet werden. Bei diesem Ausführungsbeispiel sind m χ η LSIT 105-11, 150-12, ..., 150-21, 150-22, ..., 150-mn in einer m χ η-Matrix angeordnet und werden nacheinander mittels einer XY-Adressierung ausgelesen. Jeder ein Bildelement bildende LSIT kann einen Gate-Bereich aufweisen, der zumindest den Source- oder den Drain-Bereich umgibt oder zwischen den Source- und Drain-Bereichen angeordnet ist. Source-Anschlüsse aller LSIT sind gemeinsam an das Erd-Potential angeschlossen und die Gate-Anschlüsse der LSIT der einzelnen Reihen in X-Richtung sind an die einzelnen Zeilenleitungen 151-1, 151-2, ..., 151-m angeschlossen. Die Drain-Anschlüsse der in den Spalten, also in Y-Richtung, angeordneten LSIT sind an die einzelnen Spaltenleitungen 152-1, 152-2, ..., 152-n angeschlossen, welche gemeinsam mit der Video-Leitung 154 und der Erd-Leitung 154' über Spalten-Auswahltransistoren 153-1, 153-2, ,.., 153-n bzw. Nicht-Auswahl-Transistoren 153-1', 153-2', ..., 153-n¹ verbunden sind. Die Video-Leitung 154 ist an die Video-Spannungsquelle V_n- über einen Lastwiderstand 155 angeschlossen. Die Zeilenleitungen 151-1, 151-2, ..., 151-m sind an die vertikale Abtastschaltung 156 angeschlossen und

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erhalten vertikale Abtastsignale ä>_r·,» *G2' ···' ®g * ^Gate~^An~ Schlüsse der Spalten-Auswahltransistoren 153-1, 153-2, ..., 153-n und Nicht-Auswahltransistoren 153-1', 153-2', ..., 153-n' sind an die horizontale Abtastschaltung 157 angeschlossen und empfangen horizontale Abtastsignale *_Di/ ^φη2' *··' ^φηη kzw. deren invertierte Signale.

Nunmehr soll der Betrieb des in Fig. 4 gezeigten Festkörper-Bildsensors anhand der in den Fig. 5A bis 5F gezeigten Pulsformen erläutert werden, welche vertikale und horizontale Abtastsignale S_ und cß_ darstellen. Jedes der an die Zeilenleitungen 151-, 151-2, ... angelegten Signale ät_G1» ^Φο2' *** ⁿⁱ-^{mmt eine} Auslese-Gate-Spannung V,^ an, welche eine kleine Amplitude auf-

CDOj

weist, sowie eine Rücksetz-Gate-Spannung V,.^, welche eine große Amplitude hat. Während der Abtast-Zeitspanne t„ einer Zeile nimmt das Signal äL, den Wert V _ an und während einer horizontalen Austastperiode t__T nimmt es den Wert V__ an. Die horizon-

dL· CDK

talen Abtastsignale δ_., *_D2' ··· werden benutzt, um die Spaltenleitungen 152-1, 152-2, ... auszuwählen und nehmen einen tiefen Pegel an, durch den die Spalten-Auswahltransistoren 153-1, 153-2, ..., 153-n leitend werden, während die Nicht-Auswahltransistoren 153-1', 153-2', ..., 153-n' gesperrt werden.

Wird durch die vertikale Abtastschaltung 156 das Signal äL·. auf den Wert V__ geändert, so wird eine LSIT-Gruppe 150-11, 150-12,

CDu

..., 150-ln ausgewählt und wenn die horizontalen Auswahltransistoren 153-1, 153-2, ..., 153-n nacheinander mittels der Signale 3>_n-i * cIL·^, ..., 3L. aus der horizontalen Abtastschaltung 157 durchgeschaltet werden, werden die Bildsignale nacheinander auf der Video-Leitung 154 aus den LSIT 150-11, 150-12, ..., 150-ln ausgelesen. Diese LSIT 150-11, 150-12, ..., 150-ln werden gleichzeitig rückgesetzt, wenn das Signal S_- auf den höheren Pegel V geändert wird, um die nächste Licht-Signal-Akku-

(D X\

mulation vorzubereiten. Wird das Signal Φ^_ auf den Wert V__

GZ CBG

geändert, so wird eine nächste LSIT-Gruppe 150-21, 150-22, ..., 150-2n ausgewählt, welche mit der Zeilenleitung 151-2 verbunden

ist, und die Bild-Signale werden nacheinander aus diesen LSIT 150-21, 150-22, ..., 150-2n mittels der horizontalen Abtastsignale S_D1» ^sd2' · * *' ³⁵D ausgelesen. Sodann werden diese LSIT gleichzeitig rückgesetzt, wenn das Signal Φ__ο auf den Wert V,_. geändert wird. In der beschriebenen Weise werden nacheinander die LSIT ausgelesen, um das Video-Signal einer Feldabtastung zu gewinnen.

Bei dem beschriebenen Festkörper-Bildsensor sind diejenigen Drains der LSIT, welche nicht ausgewählt sind, mit dem Erdpotential über die Nicht-Auswahl-Transistoren verbunden, so daß durch einfallendes Licht erzeugte Photo-Ladungsträger vorteilhaft während der Photo-Ladungsträger-Speicherperiode gespeichert werden können. Dieser Festkörper-Bildsensor hat aber die folgenden Nachteile:

Im allgemeinen werden die AusIesesignale eines Festkörper-Bildsensors und auch die Signale einer Bild-Aufnahmeröhre in einer Signal-Verarbeitungsschaltung verarbeitet und einer sogenannten γ-Korrektur unterzogen, bei der eine sogenannte Weiß-Abschneidung mit einem Pegel durchgeführt wird, der etwa um einen Faktor 1,1 größer ist als das Standard-Signal. Das genannte Standard-Signal entspricht einem Zehntel des Sättigungspegels. Wird deshalb das gesamte Bild-Aufnahmesystem einschließlich der Signal-Verarbeitungsschaltung betrachtet, so ergibt sich ein dynamischer Bereich für das Ausgangssignal, der wesentlich schmaler ist als der des Festkörper-Bildsensors oder der Aufnahmeröhre. Dies hat zur Folge, daß bei einem Aufnahmegegenstand mit starken Kontrasten die dunklen Abschnitte gleichförmig verdunkelt und die hellen Abschnitte sehr stark betont werden. Ein LSIT aufweisender Festkörper-Bildsensor hat deshalb den Nachteil eines zu großen γ-Wertes.

Der zuvor beschriebene Festkörper-Bildsensor mit LSIT hat eine Charakteristik für die Abhängigkeit der Gate-Spannung V_r vom Drain-Strom I , die in Fig. 6 gezeigt ist. Es sei angenommen,

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daß Licht derart einfällt, daß das Ausgangssignal gerade gesättigt ist, wenn die Signal-Auslesung mit der Gate-Spannung V_ durchgeführt wird, wobei der Drain-Strom I_Q bei einer Gate-Spannung V- im wesentlichen gleich Null wird. Soll der LSIT 150-11 ausgelesen werden, so nimmt das vertikale Abtastsignal a>_. den Wert V₂ an und ein Signal-Strom fließt durch den LSIT 150-11 entsprechend dem einfallenden Licht. Für die LSIT 150-21, 150-31, ..., 150-ml entsprechen die vertikalen Abtastsignale $_G2, Sq₃/ .·./ Sq alle V^ und durch die Source-Drain-Strecken dieser LSIT fließen keine Ströme. Auf diese Weise wird also nur der LSIT 150-11 ausgewählt und ausgelesen. Fällt aber auf den LSIT 150-21 extrem starkes Licht, so fließt trotzdem ein Drain-Strom durch das LSIT 150-21, auch wenn das vertikale Abtastsignal $_G2 gleich V_ ist. Soll deshalb nur der LSIT 105-11 ausgelesen werden, so wird auch der LIST 105-21, welcher an die gleiche Spaltenleitung 150-1 angeschlossen ist als der LSIT 150-11, irrtümlich ausgelesen. Auf diese Weise wird bei extrem starkem Licht ein Fehlersignal aus nicht ausgewählten Bildelementen eingeführt und die Auslesung empfindlich gestört.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Festkörper-Bildsensor zu schaffen, bei dem der γ-Wert in einfacher Weise möglichst klein gehalten werden kann, um eine gute Bildqualität zu erhalten, wobei auch dann ungestörte Bildsignale gewonnen werden können, wenn das einfallende Licht extrem stark ist.

Die erfxndungsgemäße Lösung dieser Aufgabe ist mit ihren Ausgestaltungen in den Patentansprüchen gekennzeichnet.

Nachfolgend wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt bzw. zeigen:

Fig. 1 ein Ersatzschaltbild eines lateralen statischen Induktionstransistors ;

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Fig. 2A-2D Signalformen zur Erläuterung des Betriebs des in Fig. 1 gezeigten Transistors;

Fig. 3 den Zusammenhang zwischen der Ausgangsspannung und der einfallenden Lichtmenge;

Fig. 4 das Schaltbild eines Festkörper-Bildsensors, welcher mit LSIT gemäß Fig. 1 versehen ist;

Fig. 5A-5F Signalformen zur Erläuterung des Betriebs des in Fig. 4 gezeigten Festkörper-Bildsensors;

Fig. 6 den Zusammenhang zwischen der Gate-Spannung und dem Drain-Strom für ein LSIT gemäß Fig. 1;

Fig. 7 das Schaltbild eines Festkörper-Bildsensors gemäß der Erfindung;

Fig. 8A-8F Pulsformen zur Erläuterung des Betriebs des in Fig. 7 gezeigten Festkörper-Bildsensors; und

Fig. 9A-9E schematische Darstellungen der Änderung des Potentials mit den gespeicherten Ladungen für die Bildelemente .

Der in Fig. 7 gezeigte Festkörper-Bildsensor unterscheidet sich vom in Fig. 4 gezeigten Ausführungsbeispiel dadurch, daß die vertikale Abtastschaltung 256 das in den Fig. 8A-8F gezeigte vertikale Abtastsignal S^ erzeugt. Sich in den Ausführungsbeispielen gemäß Fig. 4 und Fig. 7 entsprechende Bauteile sind mit gleichen Bezugszeichen versehen.

In den Fig. 8A-8C sind horizontale Abtastsignale ffi _ , <B_G2' ^SG3 gezeigt, während die Fig. 8D-8F vertikale Abtastsignale äL·.. , <5_n?, δ- zeigen. Jedes der horizontalen Abtastsignale besteht aus einer Auslesespannung V__r, einer Rücksetzspannung V_ und

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einer Löschspannung V__, welche einen Mittelwert zwischen den

Werten V„ und V._n einnimmt. Das horizontale Abtastsignal a>_ (DG (ER G

nimmt den Wert der Auslesespannung V während der Abtast-Zeitspanne t„ der betroffenen Zeile an und ändert sich danach auf den Wert der Rücksetzspannung V während der horizontalen Aus-

(DR

tast-Zeitspanne t_._T . Erfindungsgemäß nimmt während der Austast-Zeitspanne t'_ nach der betroffenen Horizontalabtastung die

DU

Spannung 3>_G den Wert der Löschspannung V_ an.

Beim vorliegenden Ausführungsbeispiel wird nach der betroffenen Horizontalabtastung die Gate-Spannung <!>_.. synchron mit den Austast-Zeitspannen t' der anderen Horizontalabtastungen auf die Löschspannung V__ geändert. Es ist aber nicht immer erforderlich, die Gate-Spannung in jeder Austast-Zeitspanne auf die Löschspannung V- zu ändern, vielmehr ist es auch möglich, die Gate-Spannung auf die Löschspannung V__c für nur eine oder mehrere vorbestimmte Austast-Zeitspannen zu setzen.

Die horizontalen Abtastsignale $_D,, $_D2' ··· dienen zur Auswahl der Spaltenleitungen 152-1, 152-2, ..., wobei die Spalten-Auswahltransistoren 153-1, 153-2, ... gesperrt und die Nicht-Auswahl-Transistoren 153-1', 153-2', ... durch den tieferen Pegel durchgeschaltet werden, während die Spalten-Auswahltransistoren durchgeschaltet und die Nicht-Auswahl-Transistoren durch den höheren Pegel gesperrt werden.

Es sei nun angenommen, daß der LSIT 150-11 normal belichtet ist, während auf den LSIT 150-12 extrem starkes Licht fällt. Die Fig. 9A-9E zeigen die Änderung bezüglich der gespeicherten Photo-Ladungsträger in einer Inversionsschicht, welche unter der Gate-Oxidschicht angeordnet ist. In den Fig. 9A-9E zeigen die Spalten I und II die Änderungen im Potential der in den LSIT 150-11 bzw. 150-12 gespeicherten Ladungen an. Zur Zeit t=0 werden die Ladungen in der Inversionsschicht rückgesetzt und danach beginnt die Ansammlung der Photo-Ladungsträger. Zur Zeit t=t₁ ist die horizontale Abtastung beendet und die Aus-

tast-Zeitspanne beginnt. Zu diesem Zeitpunkt sind bestimmte Mengen an Photo-Ladungsträgern in den LSIT 150-11 und 150-12 gespeichert. Wird die Gate-Spannung auf die Löschspannung V__ zum Zeitpunkt t=t- während der Austast-Zeitspanne erhöht, wird die Menge an in dem LSIT 150-11 gespeicherten Photo-Ladungsträgern nicht geändert, wohl aber wird im LSIT 150-12 eine überschußmenge an Photo-Ladungsträgern oberhalb einer bei der Löschspannung V in der Inversionsschicht speicherbaren Maximalmenge in das Substrat abgeführt. Sodann wird zum Zeitpunkt t=t- die Speicherung der Photo-Ladungsträger erneut eingeleitet, um bis zum Zeitpunkt t=t. unmittelbar vor dem Ende der Horizontalabtastung die Photo-Ladungsträger anzusammeln. Danach wird eine Uberschußmenge an Photo-Ladungsträgern in gleicher Weise wie zum Zeitpunkt t=t_ entfernt.

Auf diese Weise werden jedesmal dann, wenn das vertikale Abtastsignal a>_ auf die Löschspannung V gesetzt wird, jegliche überschüssigen Photo-Ladungsträger entfernt und derjenige Teil von Photo-Ladungsträgern, welcher in einem Bildelement gespeichert ist, auf das eine große Lichtmenge auftrifft, fließt in das Substrat. Dementsprechend kann der γ-Wert für starkes einfallendes Licht klein gehalten werden und es ergeben sich sehr gute Bild-Qualitäten.

Nunmehr sei beim in Fig. 7 gezeigten Festkörper-Bildsensor angenommen, daß der LSIT 150-11 normal belichtet wird, während der LSIT 150-21 extrem starkes Licht empfängt. Wird das vertikale Abtastsignal Φ . auf die Auslesespannung V geändert und wird der Spalten-Auswahltransistor 153-1 leitend, so fließt ein Drain-Strom des LSIT 105-11 durch die Spaltenleitung 152-1 und den Lastwiderstand 155. Im LSIT 150-21 fließt kein Drain-Strom, da die überschußmenge an Photo-Ladungsträgern während der letzten Austast-Zeitspanne entfernt worden ist, weshalb sich ein gutes Video-Signal ohne Störungen ergibt.

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Folgende Änderungen sind beispielsweise an den vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen möglich: Beim oben beschriebenen Ausführungsbeispiel sind die Drain, das Gate und die Source der LSIT mit der Zeilenleitung, der Spaltenleitung bzw. einer gemeinsamen Leitung verbunden und die Signal-Auslesung wird in der sogenannten Source-Schaltung durchgeführt. Es ist aber auch möglich, die Signal-Auslesung mittels einer Source-Schaltung durchzuführen, in welcher die Source, das Gate und die Drain der LSIT an die Spaltenleitung, die Zeilenleitung bzw. die gemeinsame Leitung angeschlossen sind. Auch kann die Signal-Auslesung mit einer Source-Folgeschaltung ausgeführt werden, in welcher die Drain, das Gate und die Source der LSIT mit der Spaltenleitung, der Zeilenleitung bzw. der gemeinsamen Leitung verbunden sind. Auch kann die Signal-Auslesung mit der Sourcefolgeschaltung derart durchgeführt werden, daß die Source, das Gate und die Drain der LSIT mit der Spaltenleitung, der Zeilenleitung bzw. der gemeinsamen Leitung verbunden werden. Bei jedem.dieser Ausführungsbeispiele kann der γ-Wert für große Lichtmengen durch Verwendung der oben beschriebenen vertikalen Abtastsignale verkleinert werden und Störungen seitens nicht ausgewählter LSIT können positiv vermieden werden.

Beim oben beschriebenen Ausführungsbeispiel wird die Rücksetzung für die einzelnen Zeilen durchgeführt. Die Rücksetzung kann aber auch für jedes einzelne Bildelement ausgeführt werden. In diesem Falle kann ein Löschsignal synchron mit der Rücksetzung anderer Bildelemente an das betroffene Bildelement angelegt werden.

Da beim beschriebenen Festkörper-Bildsensor mit LSIT-Bildelementen ein Teil der gespeicherten Photo-Ladungsträger nach der Rücksetzung aber vor der nachfolgenden Signal-Auslesung entfernt wird, ist es möglich, einen kleinen γ-Wert und eine gute Charakteristik für den Zusammenhang zwischen der einfallenden Lichtmenge und dem Ausgangssignal zu erhalten. Auch wenn extrem starkes Licht teilweise auf den Festkörper-Bildsensor fällt, ergibt sich ein sauberes Bild ohne Störeffekte.

Claims

OLYMPUS OPTICAL CO. LTD. D-SOOOMuNCHEN₉O

lA-59 901 SCHWEIGERSTRASSE 2

telefon: (089)6620 ji

TELEGRAMM: PROTECTPATENT

TELEX: J24O7O

TELEFAX: (089) 663936 (IH)

Patentansprüche: 3541047

1 Festkörper-Bildsensor mit einer Vielzahl von matrixförmig angeordneten Bildelementen, die jeweils durch einen lateralen statischen Induktionstransistor gebildet sind, welche jeweils Source- und Drain-Bereiche aufweisen, die in der Oberfläche einer Halbleiterschicht ausgebildet sind, welche auf einem isolierendem oder einen hohen Widerstand aufweisenden Halbleiter-Substrat ausgeformt sind, wobei ein Gate-Bereich zwischen den Source- und Drain-Bereichen ausgeformt ist und ein Source-Drain-Strom parallel zur Oberfläche der Halbleiterschicht fließt,

dadurch gekennzeichnet,

daß eine Schaltung (157, 256) vorgesehen ist, um selektiv an die Gate-Bereiche ein Auslesesignal zum Auslesen eines der in jedem Bildelement (150-11, ..., 150-mn) gespeicherten Photo-Ladungsmenge entsprechenden Bildsignales anzulegen, sowie ein Rücksetzsignal zum Entfernen aller gespeicherten Photo-Ladungsträger und ein Lösch-Signal zum Entfernen eines Teiles der gespeicherten Photo-Ladungsträger nach der Rücksetzung aber vor der nächsten Auslesung.
2. Festkörper-Bildsensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,

daß das Löschsignal auf einen solchen Wert eingestellt wird, daß der Gate-Bereich in geringerem Maße in Sperrichtung mit Spannung versorgt wird als durch das Rücksetzsignal.
3. Festkörper-Bildsensor nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,

daß das Rücksetz-Signal erzeugt wird nachdem die Auslesung einer Zeile mittels des Auslesesignales beendet ist, aber vor Beginn der Auslesung der nächsten Zeile, und daß das Löschsignal für zumindest eine Rücksetz-Zeitspanne in einer anderen Zeile nach der Rücksetzung, aber vor der Auslesung, erzeugt wird.
4. Festkörper-Bildsensor nach Anspruch 3, ■ dadurch gekennzeichnet,

daß die Abtastschaltung folgende Schaltelemente aufweist: eine Vielzahl von Zeilenleitungen (151-1, ..., 151-m), an die jeweils die Gates der lateralen statischen Induktionstransistoren (150-11, ..., 150-mn), welche in den einzelnen Zeilen angeordnet sind, gemeinsam angeschlossen sind, eine Vielzahl von Spaltenleitungen (152-1, ..., 152-n) an die jeweils die Drains der lateralen statischen Induktionstransistoren gemeinsam angeschlossen sind, welche in den einzelnen Spalten angeordnet sind,

eine vertikale Abtastschaltung (256), welche an die genannten Zeilenleitungen angeschlossen ist, um die Auslese-, Rücksetz- und Löschsignale an die Gates anzulegen, eine Vielzahl von Spalten-Auswahltransistoren (153-1, ..., 153-n), welche jeweils zwischen eine Video-Leitung (154) und die einzelnen Spaltenleitungen geschaltet sind und eine horizontale Abtastschaltung (157), welche an die Gates der Spalten-Auswahltransistoren angeschlossen ist.
5. Festkörper-Bildsensor nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,

daß die Abtastschaltung weiterhin eine Mehrzahl von Nicht-Auswahl-Transistoren (153-1', ..., 153-n¹) aufweist, welche jeweils zwischen eine Erdleitung (154') und die einzelnen Spaltenleitungen geschaltet sind, wobei die Gates über Inverter mit der horizontalen Abtastschaltung (157) verbunden sind. 2064