DE3603356A1

DE3603356A1 - Plasmareaktionsgefaess

Info

Publication number: DE3603356A1
Application number: DE19863603356
Authority: DE
Inventors: Perry A. Fremont Calif. Diederich
Original assignee: PSI Star Inc
Current assignee: PSI Star Inc
Priority date: 1985-02-05
Filing date: 1986-02-04
Publication date: 1986-08-07
Also published as: FR2579058A1; JPS61183930A; GB2170966B; US4600563A; CA1241128A; GB8602735D0; DE3603356C2; GB2170966A

Description

Beschreibung

Die Erfindung betrifft Plasmareaktionsgefäße und bezieht sich insbesondere auf faß- oder tonnenförmige Reaktionsgefäße, in welchen eine Photoresist-Schicht von Halbleiterplättchen entfernt oder dünne Filme, wie Aluminium, Siliziumdioxid oder Polysilizium auf mit einem Photoresist-Muster zum Ätzen vorbereiteten Siliziumplättchen geätzt werden.

\J Zur Verarbeitung von Halbleiterplättchen ist die Verwendung eines Gasplasmas üblich. Verschiedene Techniken sind z. B. von J. Hollahan und A. Bell in "Techniques and Applications of Plasma Chemistry", Kapitel 9 (1974) beschrieben.

Halbleiterbauelemente werden auf einem Halbleitersubstrat oder Plättchen hergestellt. Der Werkstoff, aus dem das Plättchen besteht, ist im allgemeinen Silizium. Bei der Fertigung von Halbleitervorrichtungen wird ein insgesamt als "Photoresist" bezeichnetes lichtempfindliches Polymerisat verwendet. Eine solche Photoresist-Schicht wird nach selektiver Belichtung mit optischer Strahlung und anschließender chemischer Entwicklung hart an den Stellen, an denen diese Schicht nicht entfernt wurde und schützt damit das darunter liegende Plättchen gegenüber weiteren chemischen Stoffen. Das darunter auf der Oberfläche ctes Siliziumplättchens liegende Material, bei dem es sich um einen dünnen Film aus Aluminium, Siliziumdioxid oder Polysilizium handeln kann, wird dann mit einem Gasplasma, z. B. mit Tetrafluorkohlenstoff unter geringem Sauerstoffzusatz in einem Muster geätzt.

Ein Verfahren zum Entfernen der Photoresist-Schicht, nachdem sie ihre Schutzfunktion erfüllt hat, besteht in der Verwendung eines Gasplasmas.

Das Gasplasma, welches zum Entfernen der Photoresist-

Schicht verwendet wird, ist im allgemeinen Sauerstoff. Insbesondere wird zunächst zweiatomiger Sauerstoff einem elektrischen Feld ausgesetzt, das einen Teil des zweiatomigen Sauerstoffs in ein Sauerstoffplasma umwandelt, welches einatomigen Sauerstoff enthält, der im allgemeinen als atomarer Sauerstoff bezeichnet wird. Atomarer Sauerstoff kann mit dem Photoresist-Material so reagieren, daß er dessen Polymerisatketten unterbricht, wodurch das Photoresist-Material vom Halbleiterplättchen durch die kombinierte Wirkung des atomaren Sauerstoffs und des molekularen Sauerstoffs entfernt wird. Zu den dabei entstehenden Nebenprodukten gehören Gase, wie H„O, CO und CO₂.

Bekannte Plasmareaktionsgefäße zum Entfernen von Photoresist-Material bestehen, wie ein Beispiel in Fig. 2A zeigt, aus einem zylindrischen Reaktionsgefäß aus Quarz. In dem Reaktionsgefäß wird eine Vielzahl von Halbleiterplättchen angeordnet, auf deren Oberflächen sich jeweils Photoresist-Schichten befinden. Um das Reaktionsgefäß herum sind Metallelektroden angeordnet, von denen eine an einen Generator für Hochfrequenzen (HF) angeschlossen ist, dessen Betriebsfrequenzen bei 13,56 MHz oder Harmonischen dieser Frequenz liegen, während die andere Elektrode geerdet ist. Das Reaktionsgefäß aus Quarz hat ausserdem eine Gaseinlaßöffnung und eine Auslaßöffnung.

Zu weiteren, hier nicht gezeigten bekannten Plasmareaktionsgefäßen gehören Reaktionsgefäße mit einer einzigen Kammer, innerhalb der eine Elektrode angeordnet ist. Das beste Beispiel hierfür geht aus US-PS 4 230 515 hervor. Darüberhinaus gibt es bekannte Reaktionsgefäße mit Doppelkammern, bei denen das Plasma in der einen Kammer erzeugt und die Arbeit, beispielsweise das Entfernen von Photoresist-Material, in der zweiten Kammer durchgeführt wird. Das Plasma kann zwischen den beiden Kammern entweder durch einen schmalen Kanal oder durch enge Röhrchen transportiert werden. Der größte Nachteil dieses Reak-

tionsgefäßes mit Doppelkammer besteht darin, daß die Wahrscheinlichkeit groß ist, daß das Plasma degeneriert, ehe es seine Aufgabe des Entfernens des Photoresist-Materials erfüllen kann, denn atomarer Sauerstoff hat die Tendenz, sich erneut zu zweiatomigem Sauerstoff an den Wänden der Rinnen, Kanäle oder Röhrchen zu verbinden.

Eine übliche Erscheinung bei bekannten Reaktionsgefäßen besteht in der Erzeugung von Entladungen oder in der Lichtbogenbildung zwischen dem Plasma und nahegelegenen metallischen Teilen, die elektrisch geerdet sind. Wie aus Fig. 2B hervorgeht, sind die Wände des Plasmareaktionsgefäßes elektrisch zwei Kondensatoren gleichwertig. Das im Reaktionsgefäß erzeugte Plasma läßt sich als Widerstand auffassen. Der Bereich innerhalb des Plasmas in der Nähe der Wände wirkt wie zwei Dioden, deren Durchflußrichtung in das Plasma weist. Der Widerstand des Plasmas ist gering im Vergleich zum Widerstand der in Sperrichtung gepolten Diode. Wenn z. B. die an die erste Elektrode angelegte HF-Spannung im Größenordnungsbereich von _+ 1000 V liegt, wird ca. 450 V von jeder der tonnenförmigen Wände aus Quarz absorbiert. Das beruht auf der naturgegebenen Eigenschaft des Quarzes, der die Charakteristiken eines Dielektrikums hat. Damit verbleiben im Plasma ca. 100 V, wovon der größte Teil an der in Sperrichtung gepolten Diode vorliegt. Wenn die hochfrequente Spannung ihren positiven Spitzenwert hat, herrscht im Innern des Plasmas ca. + 550 V. Wenn hingegen die hochfrequente Spannung ihren negativen Spitzenwert hat, hat die Spannung im Innern des Plasmas etwa einen Wert von - 450 V. Die Spannung zwischen dem Plasma und Erde ist also immer ca. +_ 500 V. Diese hohe Spannung fördert die Wahrscheinlichkeit der Lichtbogenbildung zwischen dem Plasma und geerdeten Teilen. So können z. B. metallene Armaturen an verschiedenen Teilen, die mit dem Reaktionsgefäß verbunden sind, die Ziele dieser Lichtbogenbildung sein, was zu einer Überhitzung und Korrosion dieser Teile führt. Insbesondere kann die Lichtbogenbildung Armaturen betreffen, die die Ablaßleitung

mit der Pumpe verbinden. Aufgrund der Lichtbogenbildung ist das Ausmaß der in das Plasma einzugebenden Energie beschränkt und folglich die Geschwindigkeit, mit der die chemische Umsetzung stattfinden kann und damit die Leistungsfähigkeit des Reaktionsgefäßes.

[i Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Plasmareaktionsgefäß zu schaffen, mit dem die Möglichkeit einer Hochspannungs-Lichtbogenbildung des Plasmas mit geerdeten Teilen außer den geerdeten Elektroden auf ein Minimum eingeschränkt werden kann.

Zur Lösung der der Erfindung zugrundeliegenden Aufgabe wird erfindungsgemäß ein Plasmareaktionsgefäß geschaffen, welches eine Arbeitskammer aufweist, in der mindestens ein Gegenstand sowie ein Plasmavolumen aufgenommen werden kann, welches mit einem Material des Gegenstandes in Wechselwirkung treten kann.

Dabei ist ein Generator für hochfrequente elektrische Energie vorgesehen. Und um die Arbeitskammer herum ist ein Elektrodenpaar angeordnet, dessen Elektroden in der Arbeitskammer ein elektrisches Feld erzeugen können, welches das Arbeitsgas in ein Arbeitsplasma zur Wechselwirkung mit einem Material des Gegenstandes umwandelt.

Im einzelnen ist ein Transformator für hochfrequente Spannung vorgesehen. Der Transformator hat eine Primärwicklung, die mit dem Generator verbunden ist, sowie eine Sekundärwicklung, deren Mitte geerdet ist. Jedes Ende der Sekundärwicklung ist mit einer der Elektroden verbunden. Jede Elektrode kann zwischen +_ 500 V schwingen. Bei der Spitzenspannung liegen an jedem Kondensator, der eine Wand des Reaktionsgefäßes darstellt, 450 V an. Das Innere des Plasmas ist mit der in Vorwärtsrichtung gepolten Diode verbunden, deren beide Enden auf ca. 50 V liegen. An der in Rückwärtsrichtung gepolten Diode liegen ca. 100 V an. Somit schwankt das Innere des Plasmas zweimal pro

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Zyklus zwischen 50 V und Masse. Bei 50 V statt 500 V zwischen dem Inneren des Plasmas und Erde besteht eine wesentlich geringere Tendenz, daß das Plasma mit geerdeten Teilen einen Lichtbogen schlägt, so daß mehr Energie in das Plasma eingegeben werden kann.

Im folgenden ist die Erfindung mit weiteren vorteilhaften Einzelheiten anhand eines schematisch dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert. In den Zeichnungen zeigt ι

Fig. 1 eine perspektivische Ansicht eines Plasmareaktionsgefäßes in Tonnenförm gemäß der Erfindung; Fig. 2A einen Teilschnitt durch ein bekanntes Plasmareaktionsgefäß;
Fig. 2B eine elektrische Ersatzschaltung des bekannten

Plasmareaktionsgefäßes;
Fig. 3 einen Teilschnitt durch das Plasmareaktionsgefäß

gemäß Fig. 1;
Fig. 4 ein Schema des Spannungstransformators und der elektrischen Ersatzschaltung des Plasmareaktionsgefäßes gemäß Fig. 1 und 3;

Fig. 5 eine Teilansicht eines den Plasmafluß erzwingenden Gliedes im Plasmareaktionsgefäß gemäß Fig. 1 und 3.

In Fig. 1 ist ein Plasmareaktionsgefäß 12 in Form eines tonnenartigen Gefäßes gezeigt, welches eine zylindrische, tonnenförmige Arbeitskammer 14 aufweist. Die Arbeitskammer 14 kann einen Durchmesser von 15,24 bis 30,48 cm (6 bis 12 Zoll) haben. Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel hat die Arbeitskammer 14 einen Durchmesser von 30,48 cm. Die axiale Länge der Arbeitskammer 14 beträgt ca. 53,34 cm (21 Zoll). Die Arbeitskammer 14 ist mit mehreren Einlaßöffnungen 16 versehen, durch die ein Arbeitsgas eingeführt wird, sowie mit mehreren Auslaßöffnungen 18, aus denen verschiedene Gase und Nebenprodukte aus der Arbeitskammer 14 entlüftet werden. Insgesamt sind vier Einlaßöffnungen 16 und fünf Auslaßöffnungen 18 bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel vorgesehen. Die Einlaßöff-

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nungen 16 sind, wie am besten in Fig. 3 erkennbar ist, den Auslaßöffnungen 18 diametral gegenüber angeordnet. Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel besteht die Arbeitskammer 14 aus einem herkömmlichen inerten Werkstoff, z. B. aus Quarz.

Die Arbeitskammer 14 kann eine Vielzahl von Gegenständen 20 aufnehmen. Bei den hier gezeigten Gegenständen 20 handelt es sich um Halbleiterplättchen, auf denen jeweils eine Schicht aus Photoresist-Material vorhanden ist, wenn die Plättchen in die Arbeitskammer 14 eingeführt werden.

Zu dem Reaktionsgefäß 12 gehört auch eine Gaszufuhrsammelleitung 22, die der Arbeitskammer 14 benachbart angeordnet ist. Als Gaszufuhrsammelleitung 22 ist ein gleichfalls aus Quarz bestehendes Rohr vorgesehen, welches mehrere Öffnungen 24 hat, die jeweils mit einer der Einlaßöffnungen 16 in die Arbeitskammer in Verbindung stehen. Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel hat die Gaszufuhrsammelleitung 22 vier öffnungen 24. Durch die Gaszufuhrsammelleitung 22 kann das Arbeitsgas der Arbeitskammer 14 zugeführt werden.

Es ist auch ein Generator 26 für hochfrequente elektrische Energie vorgesehen. Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel beträgt die Frequenz dieser hochfrequenten Energie 13,56 MHz.

Das Reaktionsgefäß 12 ist ferner mit einem Paar Elektroden 28e und 30e an der Eingangsseite versehen, die den Einlaßöffnungen 16 in die tonnenförmige Arbeitskammer benachbart angeordnet sind, wie am besten in Fig. 3 erkennbar. Jede der Elektroden 28e und 3Oe, die aus einem leitfähigen Metall, wie Kupfer hergestellt sind, hat eine leichte Krümmung, so daß sie der Krümmung der tonnenförmigen Arbeitskammer 14 angepaßt ist. Die Elektroden 28e und 3Oe können in der Arbeitskammer 14 den Einlaßöffnungen 16 benachbart ein elektrisches Feld erzeugen. Dies

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elektrische Feld E an der Eingangsseite wandelt das Arbeitsgas in ein Arbeitsplasma um. Durch die Lage dieses elektrischen Feldes E an der Einlaßöffnung wird außerdem' in der Arbeitskammer 14 den Gegenständen 20 benachbart ein im wesentlichen von einem elektrischen Feld freier Bereich FR begrenzt.

Ferner ist noch ein Paar Elektroden 28m und 30m an der Seite der Zufuhrleitung vorgesehen, die beide der Gaszufuhrsammelleitung 22 benachbart angeordnet sind. Jede dieser Elektroden 28m und 30m ist eine sich insgesamt senkrecht erstreckende Platte, die an der einen bzw. der anderen Seite der Gaszufuhrsammelleitung 22 angeordnet ist, wie am deutlichsten in Fig. 3 gezeigt. Auch die Elektroden 28m und 30m sind aus leitfähigem Metall, wie Kupfer hergestellt. Diese Elektroden 28m und 30m können in der Gaszufuhrsammelleitung 22 ein elektrisches Feld erzeugen. Das so erzeugte elektrische Feld E der Zufuhrleitung wandelt einen Teil des Arbeitsgases in Arbeitsplasma um, ehe das Arbeitsgas in die Arbeitskammer 14 einströmt. Durch die kombinierte Wirkung des elektrischen Feldes E an der Zufuhrleitung und des elektrischen Feldes E an der Einlaßöffnung wird das Arbeitsgas wirksam in das gewünschte Arbeitsplasma umgewandelt.

Zwar sind die Elektroden 28e und 28m sowie die Elektroden 3Oe und 30m als getrennte und einzelne Elektroden beansprucht und beschrieben, aber es wäre auch möglich, die Elektroden 28e und 28m als eine einzige Elektrode und auch die Elektroden 3Oe und 30m als eine einzige Elektrode auszubilden. Darüberhinaus brauchen die Elektroden 28m und 30m an der Gaszufuhrleitung nicht in allen Fällen nötig zu sein. Zwar trägt das elektrische Feld E an der Zufuhrleitung, welches die Elektroden 28m und 30m erzeugen, zur wirksamen Umwandlung des Arbeitsgases in das Arbeitsplasma bei, aber ihr Fehlen schmälert die gesamte Umwandlung des Arbeitsgases in das Arbeitsplasma durch das elektrische Feld E an der Eingangsseite allein nicht.

Zu dem Reaktionsgefäß 12 gehört ferner ein Transformator 32 für hochfrequente Spannung, der in Fig. 4 dargestellt ist. Der Transformator 32 hat eine Primärwicklung 34, die mit dem Generator 2 6 für hochfrequente Spannung verbunden ist, sowie eine Sekundärwicklung 36, deren Mitte geerdet ist. Eine Leitung der Sekundärwicklung 36 ist mit den Elektroden 28e und 28m verbunden, während die andere in ähnlicher Weise mit den Elektroden 3Oe und 30m verbunden ist.

Der Vorteil, der in der Verwendung eines Transformators für hochfrequente Spannung zur Zufuhr der hochfrequenten Energie zu den Elektroden liegt, erhellt am besten aus einer Gegenüberstellung mit dem bekannten Verfahren. Wie Fig. 2A zeigt, hat das bekannte Plasmareaktionsgefäß 112 eine Kammer 114 aus Quarz mit einer Einlaßöffnung 116 für Gas und einer Auslaßöffnung 118. Innerhalb der Kammer 114 ist eine Vielzahl von Halblexterplättchen 120 angeordnet. Außerdem ist mit einem Generator für hochfrequente Spannung bzw. mit Masse ein Paar Elektroden 128 und 130 verbunden. Die Ersatzschaltung des Reaktionsgefäßes 112 ist in Fig. 2B gezeigt, wo die Quarzwände der Kammer 114 als Kondensatoren und das Plasma als Widerstand dargestellt ist. Darüberhinaus wirkt der Bereich innerhalb des Plasmas in der Nähe der Wände wie zwei Dioden, deren Durchflußrichtung in das Plasma weist. Die an der Elektrode 128 zur Verfügung stehende, hochfrequente Spannung liegt im Größenordnungsbereich von + 1000 V. Wegen der der Quarzwand innewohnenden Eigenschaften, die die Merkmale eines Dielektrikums hat, werden von der Wand ca. 450 V absorbiert. Damit verbleiben im Plasma ca. 100 V, davon der größte Teil an der in Sperrichtung gepolten Diode. Die Spitzenspannung zwischen dem Plasma und der Erde beträgt ca. +_ 500 V. Diese hohe Spannung zwischen dem Plasma und Masse verursacht Entladungen bzw. eine Lichtbogenbildung zwischen dem Plasma und anderen metallischen Armaturen des Reaktionsgefäßes, die geerdet sind, wie die Verbindungen zur Pumpe. Durch wiederholte Lichtbogenbildung zwi-

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schen einer Armatur und dem Plasma kommt es zu einer überhitzung dieser Armatur und die Armatur korrodiert und wird beschädigt. Damit wird ein Teil des elektrischen Schaltkreises ausgeschlossen, und die in das Plasma einzugebende Energie ist beschränkt.

Im Gegensatz dazu werden bei Verwendung des Transformators 32 für die hochfrequente Spannung die genannten Nachteile des bekannten Reaktionsgefäßes 112 vermieden. Bei dem Transformator 32 ermöglicht es die Sekundärwicklung 36, die einen Abgriff in der Mitte hat und außerdem geerdet ist, daß die maximale Spannung an irgendeiner der Elektroden 28e, 28m oder 3Oe, 30m Werte von + 500 V oder - 500 V haben kann. Bei einem Spannungsabfall von 450 V an der Quarzwand verbleiben im Plasma etwa + 50 V Spitzenspannung durch die in Durchflußrichtung gepolte Diode. Die über das Plasma hinweg vorherrschende Spannung schwankt zweimal pro Zyklus zwischen + 50 V und Masse. Diese verhältnismäßig niedrige Spannung gegenüber Masse schränkt die Wahrscheinlichkeit der Lichtbogenbildung zwischen dem Plasma und metallischen Armaturen, beispielsweise einer Armatur 38 auf ein Minimum ein, wie am besten anhand von Fig. 1 zu erkennen ist.

Bei den neuesten Ausführungsformen weist das Reaktionsgefäß 12 auch ein Glied oder eine Platte 40 zum Erzwingen der Plasmaströmung auf, welches innerhalb der tonnenförmigen Arbeitskammer 14 angeordnet ist. Dieses Glied 40 ist eine ebene, plattenartige Tafel mit einer Vielzahl von öffnungen 42 zur Aufnahme von Plättchen 20. Die Plättchen werden zunächst in einem üblichen Aufnahmegefäß für Plättchen, welches im allgemeinen als Schiffchen bezeichnet wird, angeordnet. Jedes Schiffchen 44 kann eine Vielzahl von Plättchen aufnehmen, wie Fig. 5 zeigt. Die Plättchen im Schiffchen 44 haben einen ausreichend großen Abstand voneinander, so daß atomarer Sauerstoff zwischen ihnen hindurchfließen und mit dem Photoresist-Material auf den Plättchen umgesetzt werden kann. Das aus einem

inerten Werkstoff, wie Quarz hergestellte Schiffchen 44 wird dann in einer öffnung 42 aufgenommen.

Das Reaktionsgefäß 12 ist auch mit einer AbgasSammelleitung 50 versehen, die der Arbeitskammer 14 benachbart angeordnet ist. Die Abgassammelleitung 50 ist ein gleichfalls aus Quarz bestehendes Rohr mit mehreren öffnungen 52, die jeweils mit einer der Auslaßöffnungen 18 aus der tonnenförmigen Arbeitskammer in Verbindung stehen. Die Abgassammelleitung 50 hat bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel fünf öffnungen 52. Durch die AbgasSammelleitung 50 kann verbleibendes Arbeitsplasma gemeinsam mit gasförmigen Nebenprodukten der Umsetzung zwischen Plasma und Photoresist aus der Arbeitskammer 14 abgeführt werden.

Im Betrieb werden zunächst Schiffchen 44, die jeweils eine Vielzahl von Plättchen 20 enthalten, in öffnungen 42 der Platte 40 eingesetzt. Dann wird die Arbeitskammer 14 auf mäßiges Vakuum, ca. 1/1000 einer Atmosphäre entleert. Die Herstellung des Vakuums erfolgt mit einer hier nicht gezeigten üblichen Pumpe, die an die Abgassammelleitung 50 angeschlossen ist. Eine hier nicht gezeigte Quelle für zweiatomigen Sauerstoff ist an die Gaszufuhrsammelleitung 22 angeschlossen.

Dann wird der Generator zur Erzeugung der hochfrequenten Spannung aktiviert, woraufhin die Elektroden 28e, 28m, 3Oe und 30m elektrische Felder in der Gaszufuhrsammelleitung 22 und in der Arbeitskammer 14 erzeugen. Diese elektrischen Felder E und E zersetzen den zweiatomigen Sauerstoff zu einatomigem Sauerstoff, dem Arbeitsplasma. Das elektrische Feld in der Gaszufuhrsammelleitung 22 wandelt einen geringen Teil des Arbeitsgases in Plasma um, ehe das Gas in die Einlaßöffnungen 16 der Arbeitskammer 14 strömt. Der restliche Teil des Arbeitsgases wird von dem in der Nähe der Einlaßöffnungen 16 erzeugten elektrischen Feld in Plasma umgewandelt. Durch die Lage des elektrischen Feldes E an der Eingangsseite wird das ganze Ar-

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beitsgas gezwungen, das Feld zu durchströmen, was die Umwandlung von Gas in Plasma fördert.

Das Arbeitsplasma wandert durch die Arbeitskammer 14 und durchströmt dabei die Plättchen 20. Wenn das Arbeitsplasma mit dem Photoresist-Material in Wechselwirkung getreten ist, wobei es die verschiedensten Nebenprodukte erzeugt, strömt sowohl das Arbeitsplasma als auch die Nebenprodukte durch die Öffnungen 42 in der Platte 40, ehe alle die tonnenförmige Arbeitskammer 14 durch die Abgassammelleitung 50 verlassen.

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Claims

PLASMAREAKTIONSGEPÄSS Priorität: 5. Februar I985 - USA - Serial No. 698,448

Patentansprüche

ί Plasmareaktionsgefäß,

gekennzeichnet durch

- eine Arbeitskammer, die zur Aufnahme mindestens eines Gegenstandes und eines Plasmavolumens geeignet ist, welches in Wechselwirkung mit einem Material auf dem Gegenstand treten kann,

- ein Paar Elektroden, die um die Kammer herum angeordnet sind,

- einen Generator für Hochfrequenz, und

- einen Transformator für hochfrequente Spannung, der eine mit dem Generator verbundene Primärwicklung und eine Sekundärwicklung hat, deren Mitte geerdet und geeignet ist, die von der Primärwicklung empfangene Energie in Plasmaerregungsenergie an den Elektroden umzuwandeln, so daß die Spannung zwischen dem Plasma und geerdeten Teilen gering ist, so daß jegliche Lichtbogenentladung zwischen dem Plasma und Erde auf ein Minimum eingeschränkt ist.
2. Plasmareaktionsgefäß nach Anspruch 1,

dadurch gekennzeichnet , daß das Material auf dem Gegenstand ein Photoresist-Material ist.
3. Plasmareaktionsgefäß nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß der Gegenstand ein Halbleiterplättchen ist.
4. Plasmareaktionsgefäß nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß das Plasma aus Sauerstoff besteht.
5. Plasmareaktionsgefäß nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß das Material des Gegenstands ein dünner Film aus Siliziumdioxid, Aluminium oder Polysilizium ist, welches zum Ätzen bereit mit einem Photoresist-Muster versehen ist.
6. Plasmareaktionsgefäß in Tonnenform, gekennzeichnet durch

- eine insgesamt tonnenförmige Arbeitskammer, die mindestens eine Einlaßöffnung hat und zur Aufnahme mindestens eines Gegenstandes geeignet ist, wobei die Einlaßöffnung zur Aufnahme eines Arbeitsgases in die Kammer geeignet ist,

- einen Generator für hochfrequente elektrische Energie,

- ein Paar Elektroden, die um die tonnenförmige Kammer herum angeordnet und geeignet sind, ein elektrisches Feld in der tonnenförmigen Kammer so zu erzeugen, daß das elektrische Feld das Arbeitsgas in ein Arbeitsplasma zur Wechselwirkung mit einem Material auf dem Gegenstand umwandelt,

- einen Transformator für hochfrequente Spannung, der eine mit dem Generator verbundene Primärwicklung und eine Sekundärwicklung aufweist, deren Mitte geerdet und die geeignet ist, die von der Primärwicklung empfangene Energie in Plasmaerregungsenergie an den Elektroden umzuwandeln, so daß die Spannung zwischen dem Plasma und Erde gering ist, so daß eine Spannungsentladung zwischen dem Plasma und Erde auf ein Minimum eingeschränkt ist.
7. Tonnenförmiges Plasmareaktionsgefäß nach Anspruch 6,

dadurch gekennzeichnet , daß das Material auf dem Gegenstandes ein Photoresist-Material ist.
8. Tonnenförmiges Plasmareaktionsgefäß nach Anspruch 7 f

dadurch gekennze ichnet , daß der Gegenstand ein Halbleiterplättchen ist.
9. Tonnenförmiges Plasmareaktionsgefäß nach Anspruch 8,

dadurch gekennzeichnet , daß das Arbeitsplasma aus Sauerstoff besteht.
10. Tonnenförmiges Plasmareaktionsgefäß nach Anspruch 6,

dadurch gekennzeichnet , daß das Material des Gegenstandes ein dünner Film aus Siliziumdioxid, Aluminium oder Polysilizium ist, der zum Ätzen bereit mit einem Photoresist-Muster versehen ist.