DE3811947A1 - Steuerbare verstaerkerschaltung - Google Patents

Description

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine steuer­ bare Verstärkerschaltung anzugeben, die insbesondere als HF-Vorstufe für Rundfunkempfänger vorteilhaft ein­ setzbar und in monolithischer Technik integrierbar ist. Diese Aufgabe wird nach der Erfindung durch das Kenn­ zeichen des Anspruchs 1 gelöst.

Die Erfindung wird im folgenden an Ausführungsbeispielen erläutert.

Die Fig. 1 zeigt eine steuerbare Verstärkerschaltung nach der Erfindung. Bei der Verstärkerstufe der Figur handelt es sich beispielsweise um einen selektiven. Hochfrequenzverstärker, dessen Verstärkung steuerbar ist. Der Verstärkertransistor 1 arbeitet bei der Schal­ tung der Fig. 1 für das zu verstärkende Signal in Basis-Grundschaltung, bei der das Eingangssignal 2 dem Emitter des Verstärkertransistors 1 über den Eingang 3 zugeführt wird. Die Basis des Transistors 1 ist über den Kondensator 4 mit dem Bezugspunkt (Masse) verbunden. Zwischen dem Eingang 3 und dem Bezugspunkt liegt eine Spule 5, die das Eingangssignal wechselstrommäßig vom Bezugspunkt trennt. Das Kollektorausgangssignal des Transistors 1 wird einem Selektionskreis 6 zugeführt, der ein bestimmtes Signal ausselektiert. Das ausselek­ tierte Signal wird aus dem Selektionskreis ausgekoppelt (Pfeil) und beispielsweise einer (nicht dargestellten) Mischstufe zugeführt. Als Betriebsspannungsquelle dient die Spannungsquelle 7.

Der Eingang 3 der Schaltung ist nicht nur mit dem Emit­ ter des Transistors 1, sondern auch mit dem Emitter eines weiteren Transistors 8 verbunden. Die Basis des Transistors 8 ist für das Signal über einen Kondensator 9 mit dem Bezugspunkt verbunden. Die Basen der Transisto­ ren 1 und 8 werden gleichstrommäßig von steuerbaren Stromquellen einer Steuerschaltung 10 angesteuert. Im Ausführungsbeispiel der Fig. 1 besteht die Steuerschal­ tung 10 aus zwei steuerbaren Stromquellen 11 und 12. Die Stromquellen 11 und 12 werden von einem Steuersig­ nal 13 angesteuert. Mit Hilfe des Steuersignals 13 werden die Basisströme 14 und 15 der Transistoren 1 und 8 gesteuert. Die Steuerung der Basisströme bewirkt eine Steuerung der Verstärkung der Schaltung.

Im ungeregelten Zustand (Verstärkungsmaximum) wird nur der Basis des Transistors 1 ein Basisstrom (14) zuge­ führt, während der Basis des Transistors 8 kein Basis­ strom zugeführt wird. In diesem Fall wird das Eingangs­ signal ausschließlich über die Emitter-Kollektorstrecke des Transistors 1 dem Selektionskreis 6 zugeführt. Zur Verstärkungsreduzierung erhält auch die Basis des Tran­ sistors 8 Basisstrom. Erhält der Transistor 8 Basisstrom, so wird er leitend gesteuert. Dies hat zur Folge, daß ein Teil des Signalstromes über die Emitter-Kollektor­ strecke des Transistors 8 zur Spannungsquelle 7 abge­ leitet wird. Dies wiederum hat zur Folge, daß der Signalstrom aufgeteilt wird, und zwar in einen Anteil, der zum Selektionskreis 6 geführt wird, und in einen Anteil, der zur Spannungsquelle 5 geführt wird. Dadurch vermindert sich der Signalstrom, der zum Selektions­ kreis 6 gelangt. Eine Reduzierung des zum Selektions­ kreis 6 gelangenden Signalstromes ist gleichbedeutend mit einer Reduzierung der Verstärkung der Verstärker­ stufe.

Es empfiehlt sich, die Basisströme 14 und 15 für die Transistoren 1 und 8 gegensinnig zu steuern und dabei die Summe (Größe) der Basisströme 14 und 15 konstant zu halten. Bei dieser Art von Basisstromsteuerung bleibt die Belastung der Spannungsquelle 7 unabhängig vom je­ weiligen Regelzustand. Die Spule 5 kann vorteilhaft so ausgebildet sein, daß sie als Teil des Eingangsse­ lektionsnetzwerkes wirkt.

Bei der Schaltung der Fig. 1 kann anstelle der Spule 5 ein Widerstand 16 zur wechselstrommäßigen Signaltren­ nung vom Bezugspotential vorgesehen sein. In diesem Falle ist die Steuerung der Basisströme 14 und 15 mit konstanter Summe vorteilhaft, da dadurch das Potential der Eingangsklemme 3 bei der Verstärkungssteuerung. konstant bleibt. Ein weiterer Vorteil der konstanten Summe der Basisströme 14 und 15 ist, daß die Eingangs­ admittanz der Verstärkerschaltung bei Steuerung kon­ stant bleibt.

Die Anordnung der Fig. 2 unterscheidet sich von der Anordnung der Fig. 1 dadurch, daß ein dritter Tran­ sistor 17 vorgesehen ist, der als Diode geschaltet ist. Der Transistor 17 liegt mit seiner Emitter-Kollektor­ strecke zwischen dem Eingang 3 und dem Emitter des weiteren Transistors 8. Die Basis und der Kollektor des dritten Transistors 17 sind über den Kondensator 18 mit dem Bezugspotential verbunden.

Die Schaltung der Fig. 2 unterscheidet sich von der Schaltung der Fig. 1 dadurch, daß bei der Schaltung der Fig. 2 das Eingangssignal nicht zur Spannungs­ quelle 7 abgeleitet wird, sondern über den Kondensator 18 zum Bezugspotential. Dadurch, daß der Signalstrom von der Betriebsspannungsquelle 7 ferngehalten wird, werden Störungen auf der Zuleitung zur Spannungsquelle 7 vermieden. Störungen auf diesem Wege können entstehen, wenn starke Signale auftreten und diese auf andere mitintegrierte Schaltungsteile (z.B. Oszillator) ein­ wirken.

Die Schaltung der Fig. 3 unterscheidet sich von der Schaltung der Fig. 2 dadurch, daß bei der Schaltung der Fig. 3 der Kondensator 18 der Fig. 2 entfällt und stattdessen ein Kondensator 19 zwischen den gemein­ samen Basis-Kollektoranschluß des dritten Transistors 17 und die Basis des Transistors 1 geschaltet ist.

Bei einer Integration der Schaltung hat die Anordnung der Fig. 3 mit einem Kondensator 19 zwischen der Basis des Transistors 1 und dem gemeinsamen Basis-Kollektor­ anschluß des dritten Transistors 17 den Vorteil, daß an dem Kondensator 19 eine kleinere Potentialdifferenz anliegt. Bei Ausführung des Kondensators 19 als Sperr­ schichtkondensator besteht die Möglichkeit, die Chip­ flächen für den Kondensator 19 kleiner zu machen, indem beispielsweise die Sperrschichtzonen des Kondensators 19 aus hochdotierten Schichten hergestellt werden.

Die Fig. 4 zeigt ein Ausführungsbeispiel für die Steuerschaltung 10. Die Steuerschaltung 10 der Fig. 4 weist eine Differenzschaltung mit den Transistoren 20 und 21 auf. Zwischen der Basis des Transistors 20 und dem Bezugspunkt liegt eine Spannungsquelle 22. Die Spannung der Spannungsquelle 22 wird vorzugsweise so gewählt, daß der Kollektorstrom des angesteuerten Ver­ stärkertransistors 1 weitgehend temperaturabhängig bleibt. Die Emitter der beiden Transistoren 20 und 21 sind miteinander verbunden und zwischen dem Verbin­ dungspunkt 23 der beiden Emitter und dem Bezugspunkt liegt ein Widerstand, der erfindungsgemäß als Pinch­ widerstand ausgebildet ist. Wird der Widerstand 28, der ebenfalls ein Pinchwiderstand ist, eingesetzt, so lassen sich auch andere Spannungswerte für die Quelle 22 bei gleicher Temperaturunabhängigkeit realisieren.

Das Steuersignal 13 steuert bei der Schaltung der Fig. 4 die Basis des Differenztransistors 21 an. Mit Hilfe des Steuersignals 13 wird die Verteilung der Emitter­ ströme der beiden Differenztransistoren 20 und 21 ge­ steuert und damit werden durch das Steuersignal auch die Kollektorströme der Transistoren 20 und 21 gesteuert. Die Kollektorströme der Transistoren 20 und 21 steuern die Stromspiegeltransistoren 25 bzw. 26 an, deren ge­ spiegelte Ausgangsströme 14 und 15 die Basisströme für die zu steuernden Transistoren 1 und 8 der Fig. 1, 2 und 3 liefern. Zwischen den Emittern der Strom­ spiegeltransistoren 25 und 26 und dem Bezugspunkt liegt eine Spannungsquelle 27.

Die Schaltung der Fig. 5 unterscheidet sich von der Schaltung der Fig. 4 dadurch, daß in der Differenz­ schaltung noch ein zusätzlicher Transistor 29 vorgesehen ist, dessen Emitter mit dem Verbindungspunkt 23 verbun­ den ist und dessen Kollektor mit dem Kollektor des Transistors 20 verbunden ist. Der zusätzliche Transi­ stor 29 verhindert, daß die Stromverteilung zwischen den Ausgangsströmen der Transistoren 20 und 21 beliebig wird. Dadurch wird erreicht, daß die Verstärkungsredu­ zierung der Schaltungen der Fig. 1 bis 3, die durch die Regelung herbeigeführt wird, begrenzt bleibt. Der Grad der Verstärkungsreduzierung hängt vom Verhältnis der Emitterflächen der Transistoren 21 und 29 ab.

Die Fig. 6 zeigt eine Differenzschaltung, bei der nicht wie bei der Fig. 6 der Emitter des Transistors 29 mit dem Verbindungspunkt 23 der Emitter der Transistoren 20 und 21 verbunden ist, sondern bei der Differenzschaltung der Fig. 7 ist der Emitter des Transistors 29 über ei­ nen Widerstand 30 mit dem Bezugspunkt verbunden. Bei der Schaltung der Fig. 7 wird der Kollektorstrom des Tran­ sistors 29 mit Hilfe des Widerstandes 30 eingestellt. Erfindungsgemäß ist der Widerstand 30 ein Pinchwider­ stand, der zusammen und im gleichen Arbeitsgang mit der Basiszone der Transistoren hergestellt wird.

Die Fig. 7 zeigt eine weitere Ausführungsform der Steuerschaltung 10. Die Steuerschaltung der Fig. 7 weist eine Stromspiegelschaltung auf, die aus dem Tran­ sistor 31 und dem Mehrkollektortransistor 32 besteht. Der Kollektor des Transistors 31 ist mit der Basis des Transistors 32 verbunden. Der Emitter des Transistors 32 ist mit der Spannungsquelle 27 verbunden. Der Emit­ ter des Transistors 31 ist mit dem Kollektor 32 a des Transistors 32 sowie über einen Pinchwiderstand 24 mit dem Bezugspunkt verbunden. Die Basis des Transistors 31 ist mit der Spannungsquelle 22 verbunden.

Bei der Steuerschaltung der Fig. 7 ist weiterhin eine Differenzschaltung vorgesehen, die aus den Transistoren 33 und 34 besteht. Die Kollektorströme 14 bzw. 15 der Transistoren 33 und 34 werden der Verstärkerschaltung (Transistor 1 und 8) zugeführt. Das Steuersignal 13 wird der Basis des Transistors 34 zugeführt. Die Basis des Transistors 33 ist mit der Spannungsquelle 22 ver­ bunden. Der Kollektor 32 b des Transistors 32 ist mit dem Verbindungspunkt 35 der Emitter der beiden Transi­ storen 33 und 34 verbunden.

Die Stromspiegelschaltung (31, 32) liefert einen Strom, der den Emittern der Transistoren 33 und 34 über den Verbindungspunkt 35 zugeführt wird. Das Steuersignal 13 bestimmt die Stromverteilung der Ströme, die zu den Ausgängen 14 und 15 der Steuerschaltung gelangen.

Die Steuerschaltung der Fig. 7 hat den Vorteil, daß die Ausgangsströme 14 und 15 von Änderungen der Betriebs­ spannungsquelle 27 relativ unabhängig sind.

Die Fig. 8 zeigt eine Differenzschaltung, die anstelle der Differenzschaltung der Fig. 7 eingesetzt werden kann. Die Differenzschaltung der Fig. 8 besteht aus einem Transistor 33 und einem Mehrkollektortransistor 36, dessen einer Kollektor 36 b mit dem Ausgang 15 ver­ bunden ist. Die Verwendung eines Mehrkollektortransi­ stors (36) anstelle eines normalen Transistors (34) hat den Vorteil, daß das Stromverhältnis der beiden Ströme 14 und 15 begrenzt werden kann.

Wie bereits zum Ausdruck gebracht, werden sämtliche Pinchwiderstände der gezeigten Schaltungen gleichzeitig und im gleichen Arbeitsgang wie die Basiszonen der in einem gemeinsamen Halbleiterkörper mitintegrierten (npn) Transistoren hergestellt.

Die Fig. 9 zeigt eine Integrationsmöglichkeit für die Abblockkondensatoren (4, 9) der Transistoren 1 und 8 sowie der Kapazität 19, die der Kapazität 19 in der Fig. 3 entspricht. Bei einer Integration werden gemäß der Fig. 9 die Abblockkapazitäten 4 bzw. 9 durch Sperrschichtkapazitäten 4′ bzw. 9′ realisiert. Bei der Anordnung der Fig. 9 befindet sich zwischen den beiden Sperrschichtkapazitäten 4′ und 9′ die Sperrschichtkapa­ zität 19′ (Kapazität 19 der Fig. 3).

Die Fig. 10 zeigt die Integration der in der Fig. 9 vorhandenen Sperrschichtkapazitäten 4′ und 19′ (Sperr­ schichtkapazität 9′ ist dabei nicht berücksichtigt). Der Halbleiterkörper der Fig. 10 besteht aus einem Substrat 37 und einer epitaktischen Schicht 38. Die Sperrschichtkapazität 4′ wird im wesentlichen durch die Bereiche 39 und die buried layer 40 gebildet. Die Sperrschichtkapazität 19′ wird durch den Bereich 41 und die buried layer 40 gebildet. Der Halbleiterbereich 39 wirkt gleichzeitig als Separationszone. Die Halb­ leiterzonen 42 und 43 sind Anschlußzonen für die buried layer 40. Die Anschlußzone 42 ist mittels der Elektrode 44 und die Anschlußzone 43 ist mittels der Elektrode 45 kontaktiert. Die Halbleiterzone 41 wird mittels der Elektrode 46 kontaktiert. Die Halbleiterzone 39 wird mittels der Elektroden 47 und 48 kontaktiert.

Die Elektroden 44 und 45 der Fig. 10 sind mit dem Knoten 49 der Fig. 9 verbunden. Die Elektrode 46 der Fig. 10 ist mit dem Knoten 50 der Fig. 9 verbunden. Die Elektroden 47 und 48 der Fig. 10 stellen den Sub­ stratanschluß dar und sind mit dem Bezugspunkt 51 der Fig. 9 verbunden.

Die Herstellung der Anordnung der Fig. 10 erfolgt da­ durch, daß ein Halbleiterkörper 1 vom ersten Leitungs­ typ mit der buried layer 40 vom zweiten Leitungstyp ver­ sehen wird. Dann wird die epitaktische Schicht 38 aufgebracht. Schließlich werden noch die Halbleiter­ zone 39 vom ersten Leitungstyp sowie die Halbleiter­ zone 41 vom ersten Leitungstyp und danach die Halblei­ terzonen 42 und 43 vom zweiten Leitungstyp eingebracht.

Die Fig. 11 zeigt die Transistoren 8 und 17 der Fig. 3 sowie die Realisierung des Kondensators 19 der Fig. 3 durch eine Sperrschichtkapazität 19′.

Die Anordnung der Fig. 12 unterscheidet sich von der Anordnung der Fig. 10 dadurch, daß noch eine zusätz­ liche Sperrschichtkapazität 52 vorgesehen ist, die pa­ rallel zur Sperrschichtkapazität 19′ angeordnet ist.

Die Fig. 13 zeigt die Integration der beiden Sperr­ schichtkapazitäten 19′ und 52. Die Sperrschichtkapa­ zität 19′ wird bei der Anordnung der Fig. 12 durch die Halbleiterzone 53 und durch die buried layer 40 ge­ bildet. Die Halbleiterzone 53 entspricht der Halbleiter­ terzone 41 in Fig. 10. Die Sperrschichtkapazität 52 wird durch die Halbleiterzonen 54 und 55 vom gleichen Leitungstyp sowie durch die Halbleiterzone 53 gebildet. Die Halbleiterzone 54 wird durch die Elektrode 56 und die Halbleiterzone 55 wird durch die Elektrode 57 kon­ taktiert. Die Halbleiterzone 53 wird durch die Elektrode 58 kontaktiert.

Die Elektroden 56 und 57 der Fig. 13 sind mit dem Knoten 49 der Fig. 12 verbunden. Die Elektrode 58 der Fig. 13 ist mit dem Knoten 50 der Fig. 12 verbunden. Die Anwendung der Parallelschaltung von Kondensatoren (19′ und 52) und deren Realisierung nach der Fig. 13 hat den Vorteil, daß für eine vorgegebene Gesamtkapa­ zität zwischen den Knoten 49 und 50 (Fig. 9, 11 und 12) eine kleinere Kristallfläche ermöglicht wird.

Ein Pinchwiderstand 2′ besteht gemäß der Fig. 14 aus einer Widerstandszone 59, die von zwei Halbleiterzonen 60 und 61 in vertikaler Richtung begrenzt wird. Die Halbleiterzonen 60 und 61 haben den entgegengesetzten Leitungstyp wie die Widerstandszone 59. Die Widerstands­ zone 59 wird im gleichen Verfahrensschritt wie die Basiszone 62 des in der Fig. 14 neben dem Pinchwider­ stand 2′ befindlichen npn Transistors 1 hergestellt, so daß die Widerstandszone 50 den gleichen Leitungs­ typ, die gleiche Leitfähigkeit und die gleiche Eindring­ tiefe wie die Basiszone 62 des Transistors 1 aufweist. In analoger Weise wird die über der Widerstandszone 59 liegende Halbleiterzone 60, die an die Halbleiterober­ fläche grenzt, im gleichen Arbeitsgang wie die Emitter­ zone 63 des Transistors 1 hergestellt, so daß die Halb­ leiterzone 60 den gleichen Leitungstyp, die gleiche Leitfähigkeit sowie die gleiche Tiefe wie die Emitter­ zone 63 des Transistors 1 aufweist. Der Halbleiterkör­ per der integrierten Schaltungsanordnung besteht aus einem Substrat 64 vom ersten Leitungstyp und einer epi­ taktischen Schicht 65 vom zweiten Leitungstyp. Die elektrische Trennung der Bauelemente der Schaltungsan­ ordnung der Fig. 5 erfolgt durch Separationszonen 66, die den ersten Leitungstyp aufweisen. Die Widerstands­ zone 59 und die Basiszone 63 haben den ersten Leitungs­ typ. Unter dem Pinchwiderstand 2′und unter dem Transi­ stor 1 befinden sich vergrabene Schichten 67 und 68 vom zweiten Leitungstyp. Anstelle der Separationszonen 65 können auch sogenannte Oxidisolationszonen angewandt werden.

Claims (28)

1. Steuerbare Verstärkerschaltung mit einem Verstärker­ transistor, dadurch gekennzeichnet, daß ein weiterer Transistor vorgesehen ist, der im Regelfall durch An­ steuerung zumindest einen Teil des Eingangssignals dem Verstärkertransistor entzieht.

2. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Verstärkertransistor in Basis-Grund­ schaltung geschaltet ist.

3. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitter der beiden Transistoren mit dem Eingang der Schaltung verbunden sind.

4. Verstärkerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des weiteren Transistors über einen Kondensator mit dem Bezugspunkt verbunden ist.

5. Verstärkerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß eine Steuerschaltung vorge­ sehen ist, die die Basisströme der beiden Transistoren steuert.

6. Verstärkerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß zur Ansteuerung der Basen der beiden Transistoren steuerbare Stromquellen vorge­ sehen sind.

7. Verstärkerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromquellen durch ein Steuersignal angesteuert werden.

8. Verstärkerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Basisströme der Transi­ storen gegensinnig gesteuert werden.

9. Verstärkerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Summe der Basisströme bei der Steuerung konstant bleibt.

10. Verstärkerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor des weiteren Transistors mit der Spannungsquelle verbunden ist.

11. Verstärkerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß am Kollektor-Ausgang des Verstärkertransistors ein Selektionskreis vorge­ sehen ist.

12. Verstärkerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß ein dritter, als Diode geschalteter Transistor vorgesehen ist, der mit seiner Emitter-Kollektorstrecke zwischen den Eingang der Schaltung und den Emitter des weiteren Transistors ge­ schaltet ist.

13. Verstärkerschaltung nach Anspruch 12, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Basis und der Kollektor des dritten Transistors über einen Kondensator mit dem Be­ zugspunkt verbunden sind.

14. Verstärkerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß ein Kondensator zwischen die Basis des ersten Transistors und den Bezugspunkt geschaltet ist und daß zwischen diesen Kondensator und den gemeinsamen Basis-Kollektoranschluß des dritten Transistors ein Kondensator geschaltet ist.

15. Verstärkerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerschaltung, die die Basisströme für den Verstärkertransistor und den weiteren Transistor liefert, eine Differenzschal­ tung mit zwei Transistoren sowie Stromspiegelschaltungen aufweist.

16. Verstärkerschaltung nach Anspruch 15, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Emitter der Transistoren der Differenzschaltung miteinander verbunden sind und daß ein Pinchwiderstand zwischen den Verbindungspunkt dieser Emitter und den Bezugspunkt geschaltet ist. .

17. Verstärkerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß ein Transistor vorge­ sehen ist, dessen Kollektor mit dem Kollektor des einen Transistors der Differenzschaltung verbunden ist und dessen Emitter mit dem Verbindungspunkt der Emitter der beiden Transistoren der Differenzschaltung verbunden ist.

18. Verstärkerschaltung nach Anspruch 17, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Verbindungspunkt der Emitter der beiden Transistoren der Differenzschaltung über einen Pinchwiderstand mit dem Bezugspunkt verbunden ist.

19. Verstärkerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß ein Transistor vorge­ sehen ist, dessen Kollektor mit dem Kollektor des einen Transistors der Differenzschaltung verbunden ist und dessen Emitter über einen Pinchwiderstand mit dem Be­ zugspunkt verbunden ist.

20. Verstärkerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß eine Stromspiegelschal­ tung vorgesehen ist, die die Differenzschaltung an­ steuert, und daß die Stromspiegelschaltung aus zwei Transistoren besteht, von denen der eine ein Mehrkollek­ tortransistor ist.

21. Verstärkerschaltung nach Anspruch 20, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der eine Kollektor des Mehrkollektor­ transistors der Stromspiegelschaltung den Verbindungs­ punkt der Emitter der beiden Transistoren der Differenz­ schaltung ansteuert.

22. Verstärkerschaltung nach Anspruch 20 oder 21, da­ durch gekennzeichnet, daß der Emitter des den Mehrkollek­ tortransistor ansteuernden Transistors des Stromspiegels mit einem Kollektor des Mehrkollektortransistors sowie über einen Pinchwiderstand mit dem Bezugspunkt verbunden ist.

23. Verstärkerschaltung nach einem der Ansprüche 20 bis 22, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitter des Mehr­ kollektortransistors des Stromspiegels mit dem Betriebs­ potential verbunden ist.

24. Verstärkerschaltung nach einem der Ansprüche 20 bis 23, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des den Mehr­ kollektortransistors ansteuernden Stromspiegeltransi­ stors mit einer Spannungsquelle verbunden ist.

25. Verstärkerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 24, dadurch gekennzeichnet, daß der eine der beiden Transistoren der Differenzschaltung ein Mehrkollektor­ transistor ist und daß der eine Kollektor dieses Mehr­ kollektortransistor den Ausgang der Differenzschaltung bildet, während ein anderer Kollektor des Mehrkollek­ tortransistors mit dem Kollektor des anderen Transi­ stors der Differenzschaltung verbunden ist.

26. Verstärkerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 25, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannung der Span­ nungsquelle, die das Basispotential für denjenigen Transistor liefert, dessen Emitter über einen Pinch­ widerstand mit dem Bezugspotential verbunden ist, der­ art gewählt ist, daß der Kollektorstrom des Verstärkers von der Temperatur unabhängig ist.

27. Integrierte Verstärkerschaltung nach einem der An­ sprüche 1 bis 26, dadurch gekennzeichnet, daß der Halb­ leiterkörper aus einem Substrat vom ersten Leitungstyp und einer epitaktischen Schicht vom zweiten Leitungs­ typ besteht, daß im Substrat eine buried layer vom zweiten Leitungstyp vorgesehen ist, daß in der epitak­ tischen Schicht eine Halbleiterzone vom ersten Leitungs­ typ vorgesehen ist, die mit der buried layer eine Sperr­ schichtkapazität bildet, welche als Abblockkapazität eines Transistors wirkt, und daß in der epitaktischen Schicht eine zweite Halbleiterzone vom ersten Leitungs­ typ vorgesehen ist, die mit der buried layer eine Sperr­ schichtkapazität bildet, die als Kondensator wirkt, der zwischen die abblockenden Kondensatoren und einen nachfolgenden, als Diode geschalteten Transistor ge­ schaltet ist.

28. Integrierte Verstärkerschaltung nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, daß in der zweiten Halbleiter­ zone vom ersten Leitungstyp zwei Halbleiterzonen vom zweiten Leitungstyp vorgesehen sind, die mit der zweiten Halbleiterzone vom ersten Leitungstyp Sperrschichtkapa­ zitäten bilden, die parallel zu derjenigen Sperrschicht­ kapazität geschaltet sind, die durch die zweite Halb­ leiterzone und die buried layer gebildet wird.