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Brevets

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Numéro de publicationDE3818192 A1
Type de publicationDemande
Numéro de demandeDE19883818192
Date de publication7 déc. 1989
Date de dépôt28 mai 1988
Date de priorité28 mai 1988
Numéro de publication19883818192, 883818192, DE 3818192 A1, DE 3818192A1, DE-A1-3818192, DE19883818192, DE3818192 A1, DE3818192A1, DE883818192
InventeursReinhard Dr Dahlberg
DéposantDahlberg Reinhard
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Liens externes: DPMA (Office allemand des brevets et des marques), Espacenet
Thermoelectric arrangement having tunnel contacts
DE 3818192 A1
Résumé
The improvement to the thermodynamic efficiency of Peltier elements and Seebeck elements is the problem addressed by the invention. It is proposed as a solution to construct a thermocouple arm from two separate semiconductor parts at different temperatures in such a way that they have a multiplicity of points where they touch one another. The two semiconductor parts have a surface coating in which electron or hole concentration is so high that the Fermi level there is situated in or very near the conduction band or valence band. There is a metallically conductive overlayer (capping layer) on these surface coatings. The points of contact between the two semiconductor parts at different temperatures are thereby tunnel contacts between the overlayers. The thickness of these surface coatings and overlayers is small by comparison with the mean free path length of the majority charge carriers in the semiconductor parts. As a result, the thermal e.m.f. of the semiconductor parts determines the thermal e.m.f. of the thermocouple arm. Since, on the other hand, the tunnel contacts between the overlayers obey the Wiedemann-Franz-Lorenz law, this combination yields an increase in the thermodynamic efficiency of the energy conversion.
Revendications(13)  Langue du texte original : Allemand
1. Thermoelektrische Anordnung, bei welcher ein Thermoschenkel aus zwei getrennten und ungleich temperierten Teilen besteht, welche sich an mindestens einer Stelle stationär berühren, wobei die Berührungsstellen so ausgebildet sind, daß sie mit Hilfe von mechanischem Druck erzeugte thermische und elek trische Kontakte mit durchtunnelbarer Potentialbarriere sind, durch welche ein Wärmestrom mit einem Temperaturgradienten <10 4 °K/cm fließt, dadurch gekennzeichnet, daß die ungleich temperierten Teile des Thermoschenkels aus n-leitendem oder aus p-leitendem einkristallinem, polykristallinem oder amor phem Halbleitermaterial bestehen, daß dieses Halbleiterma terial mindestens an seiner Oberfläche eine so hohe Konzen tration von Elektronen oder Defektelektronen aufweist, daß dort das Fermi-Niveau bei Raumtemperatur einen Abstand vom Leitungsband bzw. vom Valenzband hat, welcher höchstens ein Zehntel des Halbleiter-Bandabstandes beträgt, daß auf diese Halbleiteroberfläche eine Deckschicht aus Metall, aus einer Metall-Legierung, aus einer metallisch leitenden Verbindung oder aus einem Supraleiter aufgebracht ist, so daß die Druck- Kontakte zwischen den beiden ungleich temperierten Teilen des Thermoschenkels Tunnelkontakte zwischen metallisch leitendem oder supra-leitendem Material sind, und daß die Dicke der Deck-Schicht kleiner ist als die mittlere freie Weglänge der Majoritätsladungsträger im Halbleitermaterial, aus welchem die ungleich temperierten Teile des Thermoschenkels bestehen. 1. A thermoelectric arrangement in which a thermocouple legs of two separate and non-tempered parts, which are in contact stationary at least at one point, the contact points are formed so as to generated with the aid of mechanical pressure thermal and elec trical contacts with durchtunnelbarer potential barrier are, through which a heat flow with a temperature gradient <10 4 ° K / cm flows, characterized in that the difference in temperature-controlled parts of the thermal leg of n-type or p-type single-crystalline, polycrystalline or amor PHEM semiconductor material, that this Halbleiterma material at least on its surface, such a high concen tration of electrons or holes, in that there at room temperature at a distance from the conduction band or the valence band has the Fermi level, which is at most one tenth of the semiconductor band gap that in this semiconductor surface an outer layer of metal is deposited from a metal alloy, a metallic conductive compound or a superconductor, so that the pressure contacts between the two equal-tempered parts of the thermal leg tunnel junctions between metallic conductive or supra-conductive material, and that the thickness of the cover layer is smaller than the mean free path of the majority charge carriers in the semiconductor material from which are made the non-tempered parts of the thermal leg.
2. Thermoelektrische Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß der mittlere Durchmesser der Druck-Kontakte zwi schen den beiden ungleich temperierten Teilen des Thermoschen kels so klein ist, daß die Größe des Gesamt-Wärmewiderstandes der thermoelektrischen Anordnung durch die Tunnelkontakte zwi schen den beiden ungleich temperierten Teilen des Thermoschen kels bestimmt wird. 2. Thermoelectric assembly according to claim 1, characterized in that the mean diameter of the pressure contacts between tween the two equal-tempered parts of Thermo's cle is so small that the size of the total thermal resistance of the thermoelectric device through the tunnel junctions rule between the two equal-tempered parts of the thermal cle's is determined.
3. Thermoelektrische Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß die ungleich temperierten Teile des Thermoschen kels aus zwei Halbleiterscheiben bestehen, und daß mindestens eine Halbleiterscheibe so an ihrer Oberfläche strukturiert ist, daß die Berührung zwischen den beiden Halbleiterscheiben eine Vielzahl von Druck-Kontakten mit Durchmessern ≦ 1×10 -4 cm ergibt. 3. Thermoelectric device according to claim 1, characterized in that the difference in temperature-controlled parts of the thermal's cle consist of two semiconductor wafers, and that at least one semiconductor wafer is structured on its surface that the contact between the two semiconductor wafers, a plurality of pressure contacts with diameters ≦ 1 × 10 -4 cm results.
4. Thermoelektrische Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß der elektrische Widerstand und damit die Lei stungsabgabe oder Leistungsaufnahme eines Thermoschenkels über die Größe des mechanischen Drucks eingestellt wird. 4. The thermoelectric device of claim 1, characterized in that the electrical resistance and thus the power consumption of a thermal Lei stungsabgabe or leg over the size of the mechanical pressure is adjusted.
5. Thermoelektrische Anordnung, nach einem der vorhergehenden An sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die ungleich temperierten Teile des Thermoschenkels aus Element-Halbleitern wie z. B. Germanium oder Silizium oder aus Verbindungshalbleitern wie z. B. SiC, III/V-Verbindungen oder II/VI-Verbindungen bestehen. 5. Thermoelectric arrangement, sayings according to An, characterized in that the non-temperate parts of the thermal leg of element semiconductors such. As germanium or silicon or compound semiconductors such. As SiC, III / V compounds or II / VI compounds.
6. Thermoelektrische Anordnung nach einem der vorhergehenden An sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zur Reduzierung der Wärme verluste durch Strahlung und zur besseren Anpassung an große Temperaturdifferenzen zwei oder mehrere Thermoschenkel aus je zwei getrennten und ungleich temperierten Teilen, thermisch und elektrisch in Serie zu einem segmentierten Thermoschenkel zu sammengesetzt sind. 6. The thermoelectric device according to any one of the preceding claims, characterized in that to reduce the heat losses by radiation and for better adaptation to large temperature differences two or more thermal legs of two separate and non-tempered parts, thermally and electrically in series with a segmented thermocouple wires are sammengesetzt.
7. Thermoelektrische Anordnung nach einem der vorhergehenden An sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden ungleich tem perierten Teile des Thermoschenkels durch mechanischen Druck zusammengehalten werden, welcher mit Hilfe eines Magnetfeldes erzeugt ist. 7. Thermoelectric arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that the two unequal portions of the thermal system perierten leg are held together by mechanical pressure which is generated with the aid of a magnetic field.
8. Thermoelektrische Anordnung nach einem der vorhergehenden An sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens die Tunnelkontak te zwischen den beiden ungleich temperierten Teilen des Thermo schenkels - zur Reduzierung der thermischen Nebenschlüsse - von Vakuum umgeben sind, und daß der mechanische Druck, mit dem die Kontaktwiderstände zusammengehalten werden, aus der Druckdif ferenz zwischen dem Vakuum und der umgebenden Atmosphäre stammt. 8. Thermoelectric arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that at least the Tunnelkontak TE between the two non-tempered parts of the thermal leg - for reducing the thermal shunts - are surrounded by vacuum, and in that the mechanical pressure with which the contact resistances are held together ence from the Druckdif between the vacuum and the surrounding atmosphere comes from.
9. Thermoelektrische Anordnung nach einem der vorhergehenden An sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein Thermoschenkel gemäß der Erfindung in einem eigenen Vakuumgehäuse untergebracht ist. 9. The thermoelectric device according to any one of the preceding claims, characterized in that one temperature sensing arm is housed according to the invention in a separate vacuum enclosure.
10. Thermoelektrische Anordnung nach einem der vorhergehenden An sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein Seebeckelement oder ein Peltierelement mit einem p-Schenkel und einem n-Schenkel gemäß der Erfindung - oder mehrere Seebeckelemente oder Pel tier-Elemente gemäß der Erfindung - in einem gemeinsamen Vaku umgehäuse untergebracht sind. 10. Thermoelectric assembly according to any of the preceding claims, characterized in that a Seebeck element or a Peltier element having a p-leg and a n-leg according to the invention - or more Seebeck elements or Pel tier elements according to the invention - in a common Vaku An enclosure are housed.
11. Thermoelektrische Anordnung nach einem der vorhergehenden An sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein Seebeckelement oder ein Peltierelement gemäß der Erfindung - oder eine Mehrzahl dieser Seebeckelemente oder Peltierelemente parallel und in Serie geschaltet - als Thermogenerator oder als Peltier-Küh ler benutzt ist. 11. Thermoelectric assembly according to any of the preceding claims, characterized in that a Seebeck element or a Peltier element according to the invention - or a plurality of these Seebeck elements or Peltier elements connected in parallel and in series - is used as a heat generator or a Peltier Küh LER.
12. Thermoelektrische Anordnung nach einem der vorhergehenden An sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine thermoelektrische An ordnung gemäß der Erfindung zusammen mit einem Supraleiter oder mit einer supraleitenden Anordnung eine Funktionseinheit bildet. 12. Thermoelectric device according to any preceding claims, characterized in that a thermoelectric An arrangement according to the invention together with a superconductor or a superconducting device forms a functional unit.
13. Thermoelektrische Anordnung nach einem der vorhergehenden An sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine thermoelektrische An ordnung gemäß der Erfindung als Thermogenerator mit einer ther moelektrischen Anordnung als Wärmepumpe eine Funktionseinheit bildet. 13. Thermoelectric device according to any preceding claims, characterized in that a thermoelectric An arrangement according to the invention as a thermal generator with a ther moelektrischen arrangement forms a functional unit as a heat pump.
Description  Langue du texte original : Allemand

Die Patentanmeldung betrifft eine thermoelektrische Anordnung zur Umwandlung von Wärme in elektrische Energie und zum reversiblen Pumpen von Wärme mit großem thermodynamischem Wirkungsgrad. The patent application relates to a thermoelectric device for converting heat into electrical energy and of heat for the reversible pump with large thermodynamic efficiency. Durch das deutsche Patent 25 47 262 ist bekannt, daß höhere Wirkungsgrade bei thermoelektrischen Anordnungen erreicht werden können, wenn in jedem Thermoelement der Wärmestrom über mindestens eine Stelle mit Temperaturgradienten größer als 10 4 ° K/cm fließt. Through the German patent 25 47 262 is known that higher efficiency can be achieved at thermoelectric assemblies when in any thermocouple of the heat flow through at least one point with temperature gradients greater than 10 4 ° C / cm flows. Durch die deut sche Offenlegungsschrift DE 34 04 137 A1 ist ferner bekannt, daß die Stelle mit dem Temperaturgradienten <10 4 ° K/cm ein Kontaktwider stand mit Fremdschicht sein kann. Due to the significant cal patent document DE 34 04 137 A1 is also known that the place <10 4 may be K / cm, a contact resistance was with impurity layer the temperature gradient. Das Material, aus welchem die Fremdschicht besteht, hat einen makroskopischen elektrischen Wi derstand größer als 1 Ωcm. The material from which there is a foreign film, has a macroscopic electrical resistance greater than 1 ohm-cm Wi. Wegen seiner Dicke kleiner als 1×10 -6 cm ist der spez. Because of its thickness is less than 1 × 10 -6 cm is the spec. elektrische Widerstand - als Folge des Tunneleffek tes - auf unter 1 Ωcm verkleinert. electrical resistance - tes as a result of Tunneleffek - reduced to less than 1 ohm-cm. Wenn thermoelektrisches Material mit hoher Thermokraft für die Fremdschicht im Kontakt verwendet wird, kann über den Tunneleffekt die Effektivität des thermoelek trischen Materials vergrößert werden. If thermoelectric materials with high thermal power is used for the third layer in contact, the effectiveness of the thermoelek tric material can be increased over the tunnel effect.

Durch die deutsche Offenlegungsschrift DE 34 04 138 A1 ist ferner be kannt, daß die Stelle mit dem Temperaturgradienten < 10 4 ° K/cm zwischen den beiden ungleich temperierten Teilen des Thermoschen kels ein elektrischer und thermischer Engewiderstand ohne Fremd schicht sein kann, und daß der Durchmesser dieses Engewiderstan des kleiner ist als die Diffusionslänge oder die mittlere freie Weglänge der Ladungsträger. By the German Patent Application DE 34 04 138 A1 also be known that the place <10 4 K / cm between the two equal-tempered parts of Thermo's cle an electrical and thermal constriction resistance without external can be layered with the temperature gradient, and that the This narrow diameter of the abutment Stan is smaller than the diffusion length or the mean free path of the charge carriers.

Die vorliegende Erfindung stellt ebenfalls eine Weiterbildung des deutschen Patents 25 47 262 dar. Auch bei ihr besteht ein Thermo schenkel aus zwei getrennten und ungleich temperierten Teilen, welche sich an mindestens einer Stelle stationär berühren. The present invention also provides a training of German Patent 25 47 262. With her, there is a thermal leg of two separate and unequal temperate parts which touch stationary at least one point. Auch die Berührungsstellen sind so ausgebildet, daß sie mit Hilfe von mecha nischem Druck erzeugte thermische und elektrische Kontakte mit durchtunnelbarer Potentialbarriere sind, durch welche ein Wärme strom mit einem Temperaturgradienten < 10 4 ° K/cm fließt. The contact points are designed so that they are using mecha nical pressure generated thermal and electrical contacts with durchtunnelbarer potential barrier through which a heat flow with a temperature gradient <10 4 K / cm flows. Die vor liegende "Thermoelektrische Anordnung mit Tunnelkontakten" ist zu sätzlich jedoch dadurch gekennzeichnet, daß die ungleich temperier ten Teile des Thermoschenkels aus n-leitendem oder p-leitendem ein kristallinem, polykristallinem oder amorphem Halbleitermaterial be stehen, daß dieses Halbleitermaterial mindestens an seiner Oberfläche eine so hohe Konzentration von Elektronen oder Defektelektronen auf weist, daß dort das Fermi-Niveau bei Raumtemperatur einen Abstand vom Leitungsband bzw. vom Valenzband hat, welcher höchstens ein Zehntel des Halbleiter-Bandabstandes beträgt, daß auf diese Halbleiterober fläche eine Deckschicht aus Metall, aus einer Metall-Legierung, aus einer metallisch leitenden Verbindung oder aus einem Supraleiter auf gebracht ist, so daß die Druck-Kontakte zwischen den beiden ungleich temperierten Teilen des Thermoschenkels Tunnelkontakte zwischen me tallisch leitendem oder supraleitendem Material sind, und daß die Dic ke der Deckschicht kleiner ist als die mittlere freie Weglänge der Ma joritätsladungsträger im Halbleitermaterial, aus welchem die bei den ungleich temperierten Teile des Thermoschenkels bestehen. The front lying "Thermoelectric arrangement with tunnel junctions" is to additionally however characterized in that the non-tempering relevant parts of the thermal leg of n-type or p-type a crystalline, polycrystalline or amorphous semiconductor material be available that this semiconductor material at least on its surface such a high concentration of electrons or holes at points that there at room temperature at a distance from the conduction band or the valence band has the Fermi level, which at most one tenth of the semiconductor band gap is that in this semiconductor top surface of a top layer of metal, from a metal alloy is brought from a metallically conductive compound or of a superconductor, so that the pressure contacts between the two non-tempered parts of the thermal leg tunnel junctions between me tallisch conducting or superconducting material, and in that the Dic ke of the cover layer is smaller than the mean free path of Ma joritätsladungsträger in the semiconductor material of which are in existence at the equal tempered parts of the thermal leg.

Es ist die Lehre der vorliegenden Erfindung, daß die Thermokraft des Thermoschenkels durch die Thermokraft des verwendeten Halblei termaterials bestimmt wird, wenn die Dicke der Deckschicht kleiner ist als die freie Weglänge der Majoritätsladungsträger im Halblei termaterial. It is the teaching of the present invention that the thermoelectric power of the thermal leg is determined by the thermal power of the semicon used termaterials when the thickness of the top layer is smaller than the mean free path of the majority charge carriers in the semicon termaterial. Wenn außerdem noch die Oberflächenschicht mit großer Elektronen- oder Defektelektronenkonzentration sich auf höherohmi gem Halbleitermaterial befindet und wenn ihre Dicke kleiner ist als die freie Weglänge der Majoritätsladungsträger im höherohmigen Halb leitermaterial, dann wird die Thermokraft des Thermoschenkels durch die Thermokraft des höherohmigen Halbleitermaterials bestimmt. In addition, when yet the surface layer with high electron or hole-concentration is on höherohmi according semiconductor material and if its thickness is smaller than the mean free path of the majority charge carriers in the higher resistance semi conductor material, the thermoelectric power of the thermal leg is determined by the thermal power of the higher resistance semiconductor material. Es findet dann durch die Oberflächenschichten und Deckschichten in den Druck-Kontakten hindurch ein ballistischer Transport der Ladungs träger zwischen den beiden ungleich temperierten Halbleiter-Tei len des Thermoschenkels statt. It is then through the surface layers and layers in the pressure-contacts through a ballistic transport of charge carriers between the two equal-tempered semiconductor Tei of the thermal leg len instead. Da andererseits die Druck-Kontakte Tunnelkontakte zwischen metallischem oder supraleitendem Material sind, kann das Verhältnis von elektrischem zum Wärmewiderstand des Thermoschenkels einen Minimalwert erreichen. Other hand, since the pressure-contacts are tunnel junctions between metallic or superconducting material, the ratio of electric resistance of the thermocouple can be used to heat the leg reach a minimum value. Zur Vermeidung von thermischen Nebenschlüssen ist der Zwischenraum zwischen den beiden ungleich temperierten Teilen des Thermoschenkels in der Umgebung der Druck-Kontakte evakuiert. To avoid thermal shunts, the gap between the two parts of the non-tempered thermal leg is evacuated in the vicinity of the pressure contacts. Außerdem ist der mitt lere Durchmesser der Druck-Kontakte so klein, daß die Größe des Ge samtwärmewiderstandes der thermoelektrischen Anordnung durch die Tunnelkontakte zwischen den beiden ungleich temperierten Teilen des Thermoschenkels bestimmt wird. Also, the mitt sized diameter of the pressure contacts is so small that the size of the Ge samtwärmewiderstandes the thermoelectric device is determined by the tunneling contacts between the two equal-tempered parts of the thermal leg. Wenn die beiden Teile des Thermoschenkels z. B. aus zwei Halbleiterscheiben bestehen, von denen wenigstens eine an ihrer Oberfläche so strukturiert ist, daß die Berührung unter Druck zwischen den beiden Halbleiterschei ben eine Vielzahl etwa gleich großer Druck-Kontakte erzeugt, dann genügt ein mittlerer Kontakt-Durchmesser von etwa 1×10 -4 cm, da mit der Wärmewiderstand der Druck-Kontakte den Wärmewiderstand des Thermoschenkels bestimmt. When the two parts of the thermal leg z. B. consist of two semiconductor wafers, one of which at its surface is structured at least in that the contact under pressure between the two semiconductor discs have a plurality of approximately equally large pressure-contacts produced, is then sufficient, a mean Contact-diameter of about 1 × 10 -4 cm, as determined by the heat resistance of the pressure-contacts the thermal resistance of the thermal leg. Wenn die Druck-Kontakte außerdem auch noch den elektrischen Widerstand des Thermoschenkels bestimmen, dann verbindet die thermoelektrische Anordnung der Erfindung die hohen Thermokräfte des Halbleitermaterials mit einem niedrigen Verhältnis von elektrischem zum Wärmewiderstand in den Druck-Kon takten zwischen metallisch leitendem oder supraleitendem Material. When the pressure contacts may also be made to determine the electrical resistance of the thermal leg, the thermoelectric assembly of the invention combines the high thermal strength of the semiconductor material with a low ratio of electrical to thermal resistance in the pressure-Kon clocks between metallically conductive or superconductive material.

Die Folge davon ist ein hoher thermodynamischer Wirkungsgrad von Peltierkühlern oder Thermogeneratoren, die mit Hilfe der thermo elektrischen Anordnung der Erfindung aufgebaut sind. The consequence is a high thermodynamic efficiency of Peltier coolers or thermoelectric generators, which are constructed with the aid of the thermoelectric device of the invention.

Die Oberflächenschicht mit der hohen Konzentration von Elektronen oder Defektelektronen kann durch Erzeugung einer Anreicherungs- Randschicht oder durch Einbau einer entsprechend hohen Konzentra tion von Donatoren oder Akzeptoren in an sich bekannter Weise z. B. mit Hilfe von influenzierter Ladung oder mit Hilfe von Eindif fusion, lonenimplantation oder Einlegieren von Dotierungsmaterial in die Halbleiteroberfläche erzeugt sein. The surface layer with the high concentration of electrons or holes, by generating an enrichment boundary layer or by incorporating an appropriately high concentra tion of donors or acceptors in such manner known per se. Eg by means of influenzierter charge or using Eindif fusion, ion implantation or alloying of doping material may be generated in the semiconductor surface. Die Deckschicht aus Metall, einer Metall-Legierung, einer metallisch leitenden Ver bindung oder aus Supraleiter kann in ebenfalls an sich bekannter Weise auf die hochdotierte Halbleiteroberfläche aufgebracht sein. The top layer of metal, a metal alloy, a metallic conductive Ver bond or superconductor can be applied also in a conventional manner to the highly doped semiconductor surface. Geeignete Verfahren sind z. B. das Aufsputtern, das Aufdampfen im Hochvakuum und das pyrolytische oder elektrochemische Abschei den. Suitable methods are, for. Example, the sputtering, vapor deposition under high vacuum and the pyrolytic or electrochemical the separa. Als Metalle eignen sich vor allem die Metalle der IV- bis VIl-Gruppe des Periodischen Systems der Elemente sowie die Ei sen- und Platin-Metalle. Suitable metals are mainly the metals of the IV to VIl group of the Periodic Table of the Elements and the egg ferrous and platinum metals. Unter den metallisch leitenden Verbin dungen sind besonders die Silizide, Carbide, Nitride und Boride geeignet. Among the metallic conductive connec tions particularly silicides, carbides, nitrides and borides are also suitable. Als Supraleiter sind die klassischen Tieftemperatursup raleiter und aber auch die oxidischen Supraleiter - z. As the classical superconductors Tieftemperatursup are raleiter and also the oxide superconductor - z. B. auf der Ba sis Kupferoxid - mit Vorteil verwendbar. B. on the Ba sis copper - used with advantage. Als Halbleitermaterialien für die beiden ungleich temperierten Teile eines Thermoschenkels eignen sich Element-Halbleiter wie z. B. Silizium oder Germanium oder auch Verbindungshalbleiter wie z. B. SiC, III/V-Verbindungen oder II/IV-Verbindungen. As semiconductor materials for the two unequal parts of a temperature-controlled thermal leg is elemental semiconductor such suitable. As silicon or germanium or compound semiconductor such. As SiC, III / V compounds or II / IV compounds.

Zur Reduzierung der Wärmeverluste durch Strahlung und zur besseren Anpassung an die Verhältnisse bei großen Temperaturdifferenzen kann eine thermoelektrische Anordnung auch aus zwei oder mehreren Thermoschenkeln aus je zwei getrennten und ungleich temperierten Teilen thermisch und elektrisch in Serie zu einem segmentierten Thermoschenkel zusammengesetzt sein. To reduce heat loss by radiation and for better adaptation to the conditions of large temperature differences, a thermoelectric arrangement of two or more thermocouples legs of two separate and unequal temperate parts be thermally and electrically assembled in series with a segmented thermal leg.

Der mechanische Druck auf die Berührungsstellen zwischen den bei den Teilen des Thermoschenkels kann mit Hilfe eines Magnetfeldes erzeugt sein. The mechanical pressure on the points of contact between the can be produced with the aid of a magnetic field in those parts of the thermal leg. Der mechanische Druck auf die Berührungsstellen kann aber auch aus der Druck-Differenz zwischen dem Vakuum in der Umgebung der Druck-Kontakte und der umgebenden Atmosphäre erzeugt sein. The mechanical pressure on the contact points can also be generated from the pressure difference between the vacuum in the vicinity of the pressure contacts and the surrounding atmosphere.

Ein Thermoschenkel kann gemäß der Erfindung in einem eigenen Vaku umgefäß untergebracht sein. A thermocouple wires according to the invention may be housed in a separate umgefäß Vaku. Es können sich jedoch auch ein n-Schen kel und ein p-Schenkel als Seebeck-Element oder als Peltier-Element in einem gemeinsamen Vakuumgehäuse befinden. However, it can also be an n-kel's and a p-legs are as Seebeck element or a Peltier element in a common vacuum housing. Auch mehrere Seebeck- Elemente und Peltier-Elemente können in einem gemeinsamen Vakuumge häuse untergebracht sein. Several elements Seebeck and Peltier elements may be housed in a common housing Vakuumge. Die thermoelektrische Anordnung der Er findung kann auch zusammen mit einem Supraleiter oder mit einer supraleitenden Anordnung eine Funktionseinheit bilden. The thermoelectric arrangement of the invention, it may also form together with a superconductor or a superconducting device, a functional unit. Auch als Funktionseinheit von Thermogenerator und Wärmepumpe kann die ther moelektrische Anordnung mit Vorteil benutzt werden. Also, as a function of thermo-generator unit and the heat pump can ther moelectric arrangement be used with advantage.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sollen nachstehend näher erläu tert werden. Embodiments of the invention will be more detail below erläu tert.

In der Zeichnung zeigt: In the drawings:

Fig. 1 im Querschnitt einen Druck-Kontakt zwischen den beiden un gleich temperierten Teilen eines thermoelektrischen p-Schenkels, FIG. 1 is a cross sectional view of a pressure contact between the two un equal temperament parts of a thermoelectric p-leg,

Fig. 2 schematisch im Querschnitt ein Peltier-Element mit einem p/p- und einem n/n-Druck-Kontakt mit Deckschichten aus einem Su praleiter. Fig. 2 shows schematically in cross section a Peltier element with a p / p- and an n / n-pressure-contact with outer layers of a Su praleiter.

Fig. 3 schematisch im Querschnitt ein Seebeck-Element mit je einem Ausschnitt aus einem segmentierten p-Schenkel und einem segmentier ten n-Schenkel, Fig. 3 shows schematically in cross section a Seebeck element each with a section of a segmented p-leg and a n-th segmentation leg,

Fig. 4 zeigt im Querschnitt einen p-Schenkel im eigenen Vakuumge häuse mit magnetisch erzeugtem Druck zwischen den beiden Teilen des p-Schenkels, Fig. 4 shows in cross section a p-leg in its own housing with Vakuumge magnetically generated pressure between the two parts of the p-arm,

Fig. 5 zeigt einen p-Schenkel und einen n-Schenkel in einem ge meinsamen Vakuumgehäuse, Fig. 5 shows a p-leg and a leg in n-produce a combined vacuum housing,

Fig. 6 zeigt im Querschnitt die Funktionseinheit eines Peltier kühlers mit einer supraleitenden Anordnung. Fig. 6 shows in cross section the functional unit of a Peltier cooler with a superconductor arrangement.

Ausführungsbeispiel 1 Example 1

In Fig. 1 ist das thermoelektrische p-Material 1 eine Silizium scheibe mit einem spezifischen Widerstand von 0,01 Ωcm. In Fig. 1, the thermoelectric material p-1 is a silicon wafer having a resistivity of 0.01 ohm-cm. Die Siliziumscheibe hat als Folge eines Vakuum-Temperprozesses eine p- leitende Oberflächenschicht 2 in Form einer Anreicherungs-Rand schicht, welche an der Oberfläche eine Defektelektronenkonzentra tion von < 1×10 19 /cm 3 aufweist. The silicon wafer has as a result of a vacuum annealing a p-type surface layer 2 layer in the form of an edge-enhancement, which on the surface of a Defektelektronenkonzentra tion of <1 × 10 19 / cm 3. Als Folge dieser hohen Konzen tration liegt das Fermi-Niveau sehr nahe am Valenzband. As a result of this high concen tration, the Fermi level is very close to the valence band. Die Dic ke dieser Oberflächenschicht 2 ist kleiner als die freie Weglänge 5 der Defektelektronen in der p-leitenden Silizium-Scheibe 1 mit einem spez. DIC ke this surface layer 2 is smaller than the mean free path 5 of the electron holes in the p-type silicon wafer 1, having a spec. elektrischen Widerstand von 0,01 Ωcm. electrical resistance of 0.01 ohm-cm. Auf diese Oberflächen schicht 2 ist in an sich bekannter Weise eine metallisch leitende Schicht 3 von Platinsilizid aufgebracht worden, welche die Ober flächenschicht 2 sperrfrei kontaktiert. This surface layer 2 has a metallic layer deposited in a conventional manner 3 of platinum silicide which the upper surface layer 2 contacted barrier-free. Die Dicke dieser metal lisch leitenden Platinsilizidschicht 3 ist etwa 5×10 -7 cm. The thickness of this metal cally conductive platinum silicide layer 3 is about 5 × 10 -7 cm. Die beiden Siliziumscheiben 1 mit den Oberflächenschichten 2 und den metallisch leitenden Schichten 3 gehören zu den beiden getrenn ten Teilen eines thermoelektrischen p-Schenkels, welche sich auf den Temperaturen T 1 und T 2 befinden. The two silicon wafers 1 having the surface layers 2 and the conductive metallic layers 3 among the two getrenn th parts of a thermoelectric p-leg, which are located on the temperatures T 1 and T 2. Sie berühren sich unter me chanischem Druck mit ihren beiden metallisch leitenden Platin- Silizid-Schichten 3 . They touch with me chanical pressure with their two metallic conductive platinum silicide layers. 3 Dadurch entsteht ein elektrischer und ther mischer Druck-Kontakt mit dem Tunnelspalt 4 . This creates an electrical and undergo thermal pressure contact with the tunnel gap. 4 Eine elektrische Potentialdifferenz (+, -) zwischen den beiden Teilen bewirkt ei nen stark eingeschnürten und damit quantisierten ballistischen Transport von Nichtgleichgewichts-Defektelektronen von der rech ten zur linken Seite des Kontaktes. An electrical potential difference (+, -) between the two parts causes egg nen strongly constricted and thus quantized ballistic transport of nonequilibrium electron holes of the computational th to the left side of the contact. Die mittlere freie Weglänge 5 der Defektelektronen ist größer als die Dicke der Oberflächen schichten 2 und der Deckschichten 3 . The mean free path 5 of the electron holes is greater than the thickness of the surface layers 2 and the cover layers third Der Druck-Kontakt ist von Vakuum 6 mit einem Restdruck ≦ 1×10 -4 Torr umgeben. The pressure contact is surrounded by 6 vacuum with a residual pressure ≦ 1 × 10 -4 Torr.

Ausführungsbeispiel 2 Embodiment 2

In Fig. 2 sind 1 und 7 die jeweils getrennten Teile des p-Schen kels und des n-Schenkels eines Peltierelements. 1 besteht aus p- leitendem und 7 aus n-leitendem einkristallinem Galliumarsenid mit 0,3 Ωcm bzw. 0,1 Ωcm spez. In FIG. 2, 1 and 7 respectively separated parts of the p-cle's and the n-leg of a Peltier element. 1 consists of p-conducting and 7 of n-type monocrystalline gallium arsenide with 0.3 ohm cm and 0.1 ohm cm spec. elektrischem Widerstand. 2 ist eine Oberflächenschicht, welche ebenso wie 8 in an sich be kannter Weise mit Hilfe von Ionenimplantation von Akzeptoren bzw. Donatoren mit anschließendem Ausheilen der Gitterdefekte erzeugt wurde. electrical resistance. 2 is a surface layer, which has been well as 8 in per se known manner be produced by means of ion implantation of acceptors and donors with subsequent annealing of the lattice defects. Die Ionenimplantation wurde durch eine 40 Å dicke Barium titanatschicht (auf dem Galliumarsenid 1 und 7 ) hindurch durchge führt. The ion implantation was titanate by a 40 Å thick barium (on the gallium arsenide 1 and 7) through Runaway leads.

Auf die Oberflächenschichten 2 und 8 ist jeweils eine 2×10 -6 cm dicke Deck-Schicht 3 aus SrBiCaCu 2 O 6 in an sich bekannter Weise aufgebracht und mit LASER-Puls annealed. On the surface layers 2 and 8, 2 × 10 -6 cm thick cover layer 3 of SrBiCaCu 2 O 6 is applied in a conventional manner and annealed with LASER pulse, respectively. Die beiden getrennten Teile des p-Schenkels und die beiden getrennten Teile des n-Schen kels berühren sich in den Druck-Kontakten mit den Deck-Schichten 3 aus SrBiCaCu 2 O 6 über die Tunnelspalte 4 . The two separate parts of the p-arm and the two separate parts of the n-cle's touch in the pressure-contact with the deck layers 3 SrBiCaCu 2 O 6 via the tunnel column. 4 Die sperrfreien Anschlüs se 13 und 14 an dem p-Schenkel und dem n-Schenkel sind auf einer Temperatur T < 90° K festgehalten. The barrier-free connec SE 13 and 14 at the p-n-leg and the leg are held at a temperature T <90 ° K. Dadurch sind die Deckschich ten 3 aus SrBiCaCu 2 O 6 auf den Oberflächenschichten 2 und 8 supra leitende Schichten. Thus, the Deckschich are th from 3 SrBiCaCu 2 O 6 on the surface layers 2 and 8 superconducting layers. Da diese - ebenso wie die Oberflächenschich ten 2 und 8 - dünner sind als die freie Weglänge der Defektelek tronen im p-GaAs und der Elektronen im n-GaAs fließt der Peltier strom 12 durch die supraleitenden Druck-Kontakte als ballistischer Transport von Defektelektronen und Elektronen. Since these - th as well as the Oberflächenschich 2 and 8 - are thinner than the mean free path of the Defektelek electrons in the p-GaAs and the electrons in the n-GaAs flows the Peltier current 12 through the superconducting pressure contacts as ballistic transport of holes and electrons , In den supraleiten den Kontakten gibt es keine Kontaktwiderstände, aber der Wärmewi derstand des p-Schenkels und des n-Schenkels sind vergrößert um die Wärme-Querwiderstände der supraleitenden Deck-Schichten 3 in den Druck-Kontakten. In the superconductive the contacts, there is no contact resistance, but the resistance of the p-Wärmewi leg and the n-leg are increased by the heat-transverse resistances of the superconducting layers deck 3 in the pressure contacts. Das Peltierelement ist von Vakuum 6 umgeben. The Peltier element is surrounded by vacuum 6. Der Peltierstrom 12 fließt im Außenkreis über den Widerstand 11 und die Spannungsquelle 10 . The Peltier current flows in the external circuit 12 via the resistor 11 and the voltage source 10th Als Folge des Peltierstromes 12 kühlt sich die leitende Brücke 9 zwischen dem p-Schenkel und dem n- Schenkel auf die Temperatur T 1 ab. As a result of the Peltier current 12, the conductive bridge 9 between the p-leg and the leg to the temperature T n-1 is cooled.

Ausführungsbeispiel 3 Embodiment 3

In Fig. 3 bilden vier p-Silizium-Scheiben 1 von 0.01 Ωcm mit drei elektrisch und thermisch in Serie geschalteten Druck-Kontakten den p-Schenkel. In Fig. 3, four p-type silicon wafers 1 of 0.01 ohm-cm with three electrically and thermally connected in series pressure contacts form the p-leg. Der n-Schenkel besteht aus vier n-Silizium-Scheiben 7 von 0,02 Ωcm mit drei elektrisch und thermisch in Serie geschalte ten Druck-Kontakten. The n-leg consists of four n-type silicon wafers 7 of 0.02 ohm-cm with three electrically and thermally nected in series th printing contacts. Die innere p-Scheibe 1 und die innere n-Schei be 7 sind sperrfrei mit der elektrisch leitenden Brücke 9 verbun den. The inner p-disc 1 and the inner N-Schei be 7 are barrier-free with the electrically conductive bridge 9 verbun the. Die äußere p-Scheibe 1 ist sperrfrei mit dem Anschluß 13 und die äußere n-Scheibe 7 mit dem Anschluß 14 sperrfrei verbunden. The outer p-disc 1 is barrier free barrier free connected to terminal 13 and the outer n-disc 7 to terminal 14. Die Druckkontakte zwischen den p-Scheiben 1 , die mit den Ober flächenschichten 2 und den Deckschichten 3 aus Iridiumsilizid über zogen sind, erzeugen über die Tunnelspalte 4 elektrische und ther mische Verbindungen. The pressure contacts between the p-sheets 1, the surface layers with the upper 2 and the surface layers 3 are made of iridium coated over, generating column 4 via the tunnel electrical and mixtures ther compounds. Ebenso sind die n-Scheiben 7 mit den Ober flächenschichten 8 und den Deckschichten 3 aus Tantalsilizid über Tunnelspalte 4 elektrisch und thermisch verbunden. 6 ist das um gebende Vakuum. Similarly, the n-disks 7 are connected to the upper surface layers 8 and the outer layers 3 are connected electrically and thermally from tantalum silicide over tunnel column 4. 6, the vacuum to imaging. Die elektrisch leitende Brücke 9 ist durch Wärme zufuhr von außen auf der Temperatur T 1 =700° K festgehalten. The electrically conductive bridge 9 is by supplying heat from the outside at the temperature T 1 = 700 ° K noted. Die Anschlüsse 13 und 14 sind auf 30°C gekühlt. The terminals 13 and 14 are cooled to 30 ° C. Der Generator strom 15 fließt über den Verbraucherwiderstand 11 . The current generator 15 flows through the load resistor 11th

Ausführungsbeispiel 4 Embodiment 4

In Fig. 4 sind zwei p-leitende Halbleiterscheiben 1 aus Silizium carbid über die sperrfreien Kontakte 16 und 17 mit dem ferromagne tischen Träger 18 und dem Magneten 19 verbunden. In FIG. 4, two p-type semiconductor wafers 1 are made of silicon carbide on the lockless-contacts 16 and 17 with the ferromagnetic magne tables carrier 18 and the magnet 19 is connected. Die Siliziumcar bid-Scheiben 1 werden durch die Anziehungskraft zwischen dem Mag neten 19 und dem ferromagnetischen Träger 18 zusammengepreßt. The Siliziumcar bid wafers 1 are determined by the attractive force between the Mag Neten 19 and the ferromagnetic support 18 together. Da durch entstehen Druck-Kontakte zwischen den beiden Siliziumcarbid scheiben 1 . Since incurred by pressure contact between the two silicon carbide discs. 1 Die Druck-Kontakt-Seiten der Siliziumcarbidscheiben 1 haben Oberflächenschichten 2 , auf welche Deckschichten 3 aus Tan talcarbid mit einer Dicke < 1×10 -6 cm aufgebracht sind. The pressure-contact faces of the Siliziumcarbidscheiben 1 have surface layers 2, on which surface layers 3 of Tan talcarbid with a thickness of <1 × 10 -6 cm are applied. Die Druckkontakte zwischen den beiden Scheiben 1 sind dadurch Tunnel kontakte 4 zwischen Tantal-Carbid-Oberflächen 3 . 20 ist ein Kera mik-Gehäuse, welches evakuiert 6 ist. The pressure contacts between the two discs 1 are characterized tunnel contacts 4 between tantalum carbide surfaces. 3 is a 20 Kera mik-housing which is evacuated 6.

Ausführungsbeispiel 5 Example 5

In Fig. 5 sind zwei p-leitende Halbleiterscheiben 1 und zwei n-lei tende Halbleiterscheiben 7 in einem Vakuumgehäuse 6 aufgebaut. In Fig. 5, two p-type semiconductor wafers 1 and two n-lei tend semiconductor wafers 7 are constructed in a vacuum housing 6. Eine p-Scheibe 1 und eine n-Scheibe 7 sind sperrfrei auf die metallisch leitende Brücke 9 legiert. A p-disc 1, and an n-wheel 7 are blocking free alloyed to the metallic conductive bridge 9. Die andere p-Scheibe 1 und die andere n- Scheibe 7 ist ebenfalls sperrfrei mit dem elektrischen Anschluß 13 bzw. 14 verbunden. The other p-disc 1 and the other n-wheel 7 is also connected to the electric lock releases terminal 13 and 14 respectively. Die Anschlüsse 13 und 14 sind auf der Tempera tur T 2 festgehalten. The terminals 13 and 14 are held on the tempera ture T 2. Zu diesem Zweck sind sie über die Federn 21 elektrisch und thermisch gut leitend mit den beiden voneinander isolierten Bodenplatten 23 und 24 des Glasgehäuses 20 verbunden. To this end, they are connected by the springs 21 are electrically and thermally conductive well with the two mutually insulated floor panels 23 and 24 of the glass housing 20. Die Federn 21 können über die beiden Schrauben 22 zusammengedrückt werden. The springs 21 can be compressed over the two screws 22. Damit wird der Kontaktdruck zwischen den beiden Teilen der Thermoschenkel eingestellt. For the contact pressure between the two parts of the thermal leg is set. Über den Kontaktdruck ist die maximale Leistungsabgabe - bei Betrieb als Seebeck-Element - oder die maxi male Leistungsaufnahme (Kühlleistung) - bei Betrieb als Peltier- Element - einstellbar. About the contact pressure is the maximum power output - during operation as the Seebeck element - or the maxi male power (cooling capacity) - during operation as Peltier element - adjustable. Auf den Kontaktseiten tragen die beiden Halbleiterscheiben 1 bzw. 7 Oberflächenschichten 2 bzw. 8 und je eine metallische Deckschicht 3 . On the contact pages, the two wafers carry 1 or 7 surface layers 2 and 8 and one metallic outer layer. 3 Die Druckkontakte leiten über die Tunnelspalte 4 . The pressure contacts directed through the tunnel column. 4

Ausführungsbeispiel 6 Embodiment 6

Fig. 6 zeigt schematisch eine supraleitende Anordnung 28 , welche mit ihren elektrischen Anschlüssen 29 in dem Keramikrohr 25 auf gebaut ist. Fig. 6 schematically shows a superconducting device 28, which is constructed with its electrical connections 29 in the ceramic tube 25. Die leitenden Brücken 9 eines Peltier-Kühlers sind im Wärmekontakt mit dem Keramikrohr 25 . The conductive bridges 9 of a Peltier cooler is in thermal contact with the ceramic tube 25th Sie kühlen dieses auf die Temperatur T 1 für den supraleitenden Betrieb von 28 . Cool this to the temperature T 1 for the superconducting operation of the 28th Die Schenkel des Peltierkühlers bestehen aus p-Silizium-Epitax-Scheiben 1 mit einem spez. The legs of the Peltier cooler comprised of p-type silicon wafers 1 Epitax with a spec. el. Widerstand der Epitax-Schicht von 3-4 Ωcm und n-Silizium-Epitax-Scheiben 7 mit einem spez. el resistance. Epitax the layer of 3-4 ohm-cm and n-silicon wafers Epitax 7 with a spec. el. Widerstand der Epitax-Schicht von 0,8-1,2 Ωcm. el. Epitax resistance of the layer of 0.8-1.2 ohm cm. Diese Scheiben 1 und 7 sind einseitig mit den leitenden Brücken 9 bzw. 26 oder mit den elek trischen Anschlüssen 13 bzw. 14 sperrfrei verbunden. These discs 1 and 7 are single 13 or 14 barrier-free connected to the conductive bridges 9 or 26 or with the elec tric terminals. Die leiten den Brücken 26 und die Anschlüsse 13 und 14 sind auf der Tempera tur T 2 festgehalten. The route the bridges 26 and the terminals 13 and 14 are held on the tempera ture T 2. Zwischen den paarweisen Epitaxscheiben 1 und 7 , die jeweils einseitig strukturiert sind, gibt es eine Vielzahl geometrisch gleich großer Druck-Kontakte mit Durchmessern < 1×10 -4 cm. Between the paired Epitaxscheiben 1 and 7, which are each structured on one side, there are a variety geometrically equally large pressure-contacts with diameters <1 × 10 -4 cm. Außerdem haben die Silizium-Epitaxscheiben 1 und 7 jeweils eine Oberflächenschicht 2 bzw. 8 mit einer Ladungsträgerkonzentra tion < 5×10 19 /cm 3 . In addition, the silicon-Epitaxscheiben 1 and 7 each have a surface layer 2, or 8 with a Ladungsträgerkonzentra tion <5 × 10 19 / cm 3. Auf den Oberflächenschichten 2 bzw. 8 befinden sich metallische Deckschichten 3 . On the surface layers 2 and 8 are metallic layers. 3 Der Peltierstrom fließt als bal listische Trägerinjektion durch die Tunnelspalte 4 und die metal lischen Deckschichten 3 sowie durch die Oberflächenschichten 2 bzw. 8 . The Peltier current flows as bal listic carrier injection through the tunnels column 4 and the metallic outer layers 3 and through the surface layers 2 and 8 respectively. Da die Tunnelkontakte ein Verhältnis von elektrischem zum Wärmewiderstand haben, welches dem Gesetz von Wiedemann-Franz- Lorenz gehorcht (wie bei Metallen) und andererseits der Peltier- Kühler die hohe Thermospannung der Silizium-Epitax-Zonen auf weist, wird eine Kühltemperatur T 1 erreicht, bei welcher die su praleitende Anordnung 28 arbeitet. 20 ist das Glasgehäuse des Peltier-Kühlers, welches evakuiert 6 ist. Since the tunnel junctions have a ratio of electric to heat resistance, which obeys the law of Wiedemann-Franz-Lorenz (such as metals) and on the other side of the Peltier cooler, the high thermal stress of the silicon Epitax zones has a cooling temperature T 1 is reached in which the su praleitende assembly 28 operates. 20, the glass housing of the Peltier cooler, which is evacuated 6.

Bezugszeichenliste Reference numeral list

1 p-Halbleiter 1 p-type semiconductor
2 Oberflächenschicht mit hoher Defektelektronen- 2 surface layer with high Defektelektronen-
Konzentration Concentration
3 metallisch leitende oder supraleitende Deckschicht 3 metallic conducting or superconducting outer layer
4 Tunnelspalt zwischen den Deckschichten 3 4 tunnel gap between the outer layers 3
5 mittlere freie Weglänge 5 mean free path
6 Vakuum 6 Vacuum
7 n-Halbleiter 7 n-type semiconductor
8 Oberflächenschicht mit hoher Elektronen- 8 surface layer with high electron
Konzentration Concentration
9 metallische Brücke zwischen dem p- und dem 9 metallic bridge between the p- and the
n-Schenkel n-leg
10 Stromquelle 10 Power Source
11 elektrischer Widerstand 11 electrical resistance
12 Peltier-Strom 12 Peltier current
13 elektrischer Anschluß des p-Schenkels auf der 13 electrical connection of the leg on the p-
konstanten Temperatur T constant temperature T
14 elektrischer Anschluß des n-Schenkels auf der 14 electrical connection of the leg on the n-
konstanten Temperatur T constant temperature T
15 Seebeck-Strom 15 Seebeck current
16 sperrfreier Kontakt zwischen dem ferromagnetischen 16 barrier-free contact between the ferromagnetic
Träger 18 und dem p-Schenkel Carrier 18 and the p-leg
17 sperrfreier Kontakt zwischen dem Magneten 19 und 17 barrier-free contact between the magnet 19 and
dem p-Schenkel the p-leg
18 ferromagnetischer Träger 18 ferromagnetic carrier
19 Magnet 19 Magnetic
20 Glasgehäuse 20 Glass Housing
21 Druckfeder 21 spring
22 Schraube 22 screw
23 Bodenplatte des p-Schenkels 23 bottom plate of the p-leg
24 Bodenplatte des n-Schenkels 24 bottom plate of the n-leg
25 Keramik-Rohr 25 ceramic tube
26 metallische Brücke zwischen dem p-Schenkel und dem 26 metallic bridge between the P-limb and the
n-Schenkel auf der Temperatur T n-leg on the temperature T
27 elektrischer Anschluß des Peltier-Kühlers 27 electrical connection of the Peltier cooler
28 supraleitende Anordnung 28 superconducting device
29 elektrischer Anschluß an 28 29 electrical connection to 28

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Classifications
Classification internationaleH01L35/20, H01L35/00, H01L35/32, H01L35/22, H01L35/10, H01L35/18, H01L35/06
Classification coopérativeF25B21/02, H01L35/10, H01L35/20, H01L35/32, H01L35/225, H01L35/18, H01L35/06, H01L35/22, H01L35/00
Classification européenneH01L35/20, H01L35/00, H01L35/32, H01L35/22, H01L35/10, H01L35/18, H01L35/22S, H01L35/06
Événements juridiques
DateCodeÉvénementDescription
8 mai 19918139Disposal/non-payment of the annual fee