DE4200809C2 - Verfahren zur Bildung einer metallischen Verdrahtungsschicht in einem Halbleiterbauelement - Google Patents
Verfahren zur Bildung einer metallischen Verdrahtungsschicht in einem HalbleiterbauelementInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren nach dem Oberbegriff
des Patentanspruchs 1.
Der Metallisierungsprozeß ist der wichtigste Schritt bei der
Herstellung eines Halbleiterbauelements, da er bei Vordringen der
Technologie in Richtung ULSI die Funktionsschnelligkeit, die
Ausbeute und die Zuverlässigkeit eines Bauelements bestimmt. Die
Stufenbedeckung durch das Metall war kein großes Problem, solange
nur weniger aggressive Geometrien, Kontaktlöcher mit kleinem
Tiefen/Breiten-Verhältnis oder flache Stufen zu bedecken waren.
Mit höherer Integrationsdichte in Halbleiterbauelementen sind
Kontaktlöcher jedoch bedeutend kleiner geworden, während an der
Oberfläche des Halbleitersubstrats ausgebildete störstellendo
tierte Bereiche viel dünner geworden sind. Bei großem Tiefen/
Breiten-Verhältnis von Kontaktlöchern und großen Stufentiefen
benötigt der herkömmliche Aluminium(Al)-Metallisierungsprozeß für
große Funktionsschnelligkeit, hohe Ausbeute und gute Zuverlässig
keit des Halbleiterbauelements eine Verbesserung, da er mit
vielen Problemen, wie Versagen der Zuverlässigkeit der Al-Ver
bindungen aufgrund des großen Tiefen/Breiten-Verhältnisses der
Kontaktlöcher und schlechter Stufenbedeckung des gesputterten Al,
durch Silizium(Si)-Ausscheidung verursachtes Anwachsen des Kon
taktwiderstands und Verschlechterung der Charakteristik des
flachen Übergangs aufgrund der Entstehung von Al-Spitzen, behaf
tet ist.
Um diese Probleme im herkömmlichen Al-Metallisierungsprozeß zu
überwinden, wurden deshalb neue Prozesse vorgeschlagen. Um zum
Beispiel verschlechterte Halbleiter-Zuverlässigkeit, die durch
Versagen der Al-Verbindungen aufgrund des großen Tiefen/Breiten-
Verhältnisses von Kontaktlöchern und schlechter Stufenbedeckung
des gesputterten Al bei der Al-Metallisierung verursacht wird, zu
vermindern, sind folgende Prozesse bekannt.
In der japanischen Offenlegungsschrift 62-132348 (von Yukiyosu
Sugano et al.) wird ein Verfahren für die Verbesserung einer
Schichtform gegenüber einer abrupten Stufe eines Halbleiterbau
elements vorgeschlagen, das die Bildung einer Metallverdrahtungs
schicht auf der auf einem Halbleitersubstrat gebildeten Stufe und
danach ein thermisches Schmelzen der Verdrahtungsschicht, um die
Metallverdrahtungsschicht planar zu machen, beinhaltet. In der
japanischen Offenlegungsschrift 63-99546 (von Shinpei Lÿima et
al.) wird, um die Verdrahtungszuverlässigkeit zu verbessern und
die Bildung einer Mehrschichtverbindung zu ermöglichen, ein
Verfahren vorgeschlagen, bei dem eine metallische Verdrahtungs
schicht auf einem Substrat mit Kontaktlöchern und Stufen durch
Erwärmen und Verschmelzen der metallischen Verdrahtungsschicht
gebildet wird. In der obigen Veröffentlichung wird ein Verfahren
zur Herstellung eines Halbleiterbauelements durch Bildung einer
metallischen Verdrahtungsschicht auf einem Halbleitersubstrat
vorgesehen, um eine Mehrschichtverbindung zu bilden, welches
folgende Schritte enthält: Bildung mehrfacher Bauelemente auf
einem Halbleitersubstrat; Deposition einer Isolationsschicht auf
dem die fraglichen Bauelemente enthaltenden Substrat; Bildung von
Kontaktlöchern in der Isolationsschicht, die einen vorher festge
legten Teil des Bauelements erreichen; Bildung einer Titanni
trid-Schicht auf der Oberfläche der Isolationsschicht und der
Kontaktlöcher; Deposition einer metallischen Verdrahtungsschicht
auf der gesamten Oberfläche der Titannitrid-Schicht und danach
Erwärmung der metallischen Schicht, so daß sie schmilzt und zum
Fließen gebracht wird, um die Oberfläche der metallischen Schicht
planar zu machen; und Ätzen der metallischen Schicht und der
Titannitrid-Schicht gemäß eines vorher festgelegten Verdrahtungs
musters, um zumindest die erste Verdrahtungsschicht zu bilden.
In der japanischen Offenlegungsschrift 62-109341 (von Masahiro
Shimizu et al.) wird ein Verfahren zur Verbesserung der Zuver
lässigkeit eines Halbleiterbauelements bezüglich Verdrahtungs
unterbrechungen vorgeschlagen, das die Bildung einer leitenden
Aluminiumschicht, wie einer Aluminiumverbindungsschicht, mit
guter Bedeckung an einer Stufe, wie einem Kontakt einer isolie
renden Schichtoberfläche, im Falle der Bildung von Elektroden und
einer Verdrahtungsschicht beinhaltet. Nach Masahiro Shimizu et
al. wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauele
ments vorgesehen, das die Beschichtung eines Siliziumsubstrats
mit einer eine flüssigkeitsähnliche Aluminium-Verbindung oder
Aluminium enthaltenden Lösung und danach Wärmebehandlung zur
Bildung einer leitenden Aluminiumschicht beinhaltet.
Gemäß der obigen Verfahren wird zum Auffüllen der Kontaktlöcher
Al oder eine Al-Legierung flüssig gemacht und geschmolzen. Da
alle obigen Veröffentlichungen ein Aufschmelzen einschließen, bei
dem Al oder eine Al-Verbindung geschmolzen wird, sollte ein
Halbleiterwafer horizontal angeordnet werden, um ein richtiges
Auffüllen der Kontaktlöcher mit dem fließenden, geschmolzenen
Material zu erlauben. Außerdem resultiert aus einer Temperatur
änderung eine Metallschrumpfung im isolierenden Gebiet. Das
heißt, durch Erwärmung der Metallschicht über die Schmelztempera
tur des Al oder der Al-Legierung hinaus füllt die verflüssigte
und fließende Metallschicht das Kontaktloch. Die flüssige Metall
schicht wird eine niedrigere Oberflächenspannung anstreben und
kann so während der Erstarrung schrumpfen oder sich verwerfen und
dadurch das darunterliegende Halbleitermaterial freilegen. Ferner
kann die Temperatur der Wärmebehandlung nicht genau kontrolliert
werden, so daß es schwierig ist, ein bestimmtes Ergebnis zu
reproduzieren. Obwohl diese Verfahren gegebenenfalls ein Kon
taktloch füllen können, können die verbleibenden Gebiete der
Metallschicht uneben werden und dadurch nachfolgende, schützende
Prozesse behindern. Deshalb kann ein zweiter Metallbeschichtungs
prozeß erforderlich sein.
Weiterhin ist bekannt, daß für die Verbesserung der Zuverlässig
keit des Halbleiterbauelements durch Verhinderung der Degradation
der Charakteristik der flachen Übergänge aufgrund entstandener
Al-Spitzen in dem auf dem Halbleiterwafer ausgebildeten Kontakt
loch eine Barrierenschicht aufgebracht wird. Zum Beispiel wird in
der US-PS 4 897 709 (von Natsuki Yokoyama et al.) ein Halbleiter
bauelement beschrieben, das eine Titannitrid-Schicht als Barriere
einschließt, die zur Verhinderung einer Reaktion zwischen der
Verdrahtung und dem Halbleitersubstrat in einer Öffnung ausgebil
det ist. Die obige Titannitrid-Schicht kann durch ein Nieder
druck-CVD-Verfahren mit einem Niedertemperatur-CVD-Gerät abge
schieden werden. Sie hat ausgezeichnete Eigenschaften mit einer
guten Stufenbedeckung für eine sehr kleine Öffnung mit einem
großen Tiefen/Breiten-Verhältnis.
Nach der Bildung der Titannitrid-Schicht wird eine Verdrahtungs
schicht durch ein Sputterverfahren abgeschieden, wobei eine
Al-Legierung verwendet wird. Außer dem obigen wird, anstelle des
Schmelzens des Al oder der Al-Legierung, für eine Verbesserung
der Metallbedeckung einer Stufe in der US-PS 4 970 176 (Clarence
J. Tracy et al.) ein Mehrfachstufen-Metallisierungsprozeß vor
geschlagen. Gemäß dem obigen Patent wird ein erster, dicker Teil
einer vorgegebenen Gesamtdicke einer Metallschicht bei einer
niedrigen Temperatur von 200°C oder weniger auf einem Halbleiterwafer abgeschieden, dann
ohne Unterbrechung der Metallabscheidung
die Temperatur bis zu einer hohen Temperatur von ungefähr 400°C bis
500°C rampenförmig erhöht, bei der ein "Reflow"
der Metallschicht
über Kornwachstum, Rekristallisation und
Volumendiffusion stattfindet. Die Metallabscheidung wird dabei fortgesetzt,
bis die gewünschte Schichtdicke erreicht ist.
Zwischenzeitlich haben Ono et al. berichtet, daß die Fließfähig
keit von Al-Si plötzlich anwächst, wenn die Halbleitersubstrat
temperatur über 500°C ist (Hisako Ono et al., in Proc. 1990 VMIC
Conference June 11 and 12, Seiten 76-82). Gemäß der Lehre von Ono
et al. ändert sich die innere Spannung einer Al-1%Si Schicht
abrupt nahe 500°C, und die Streßrelaxation der Al-1%Si Schicht
tritt rasch bei jener Temperatur ein. Weiterhin muß die Tempera
tur des Halbleitersubstrats zwischen 500°C und 550°C gehalten
werden, um die Kontakte zufriedenstellend zu füllen.
Das obige Kontaktfüllungsverfahren ist verschieden von dem ein
Aufschmelzen einer Metallschicht erläuternden Verfahren in dem
oben zitierten Patent von Tracy et al. Einer der Erfinder der
vorliegenden Anmeldung hat eine frühere Erfindung mit dem Titel
"Verfahren zur Bildung einer Metallschicht in einem Halbleiter
bauelement" gemacht (deutsche Patentanmeldung P 40 28 776.9-33).
Diese frühere Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bildung einer
Metallverdrahtungsschicht durch ein Kontaktloch in einem Halblei
terbauelement, das die Schritte Deposition eines Metalls bei
einer niedrigen Temperatur (unter 200°C) und Nachheizen des abge
schiedenen Metallmaterials bei einer Temperatur zwischen 80% und
100% der Schmelzpunkttemperatur des abgeschiedenen Metallmateri
als beinhaltet.
Die Fig. 2A, 2B und 2C zeigen ein gattungsgemäßes Verfahren
zur Bildung einer Metallschicht gemäß der oben genannten früheren
Erfindung. Unter Bezugnahme auf Fig. 2A, in der ein Prozeß für
die Bildung einer ersten Metallschicht gezeigt ist, wird das
Muster eines Kontaktlochs (2) auf einem Halbleitersubstrat (10)
gebildet. Dann wird das Substrat in eine Sputterreaktorkammer
gebracht, in der eine erste Metallschicht (4) durch Deposition
des Metalls, Aluminium (Al) oder eine Al-Legierung, bei einer
Temperatur von 200°C oder weniger und unter einem vorgegebenen
Vakuumdruck gebildet wird. Diese Schicht hat eine körnige Struk
tur.
Fig. 2B veranschaulicht die Füllung eines Kontaktlochs. Bezugneh
mend auf Fig. 2B wird, nachdem die durch den vorhergehenden
Prozeß erhaltene Substratstruktur ohne Unterbrechung des Vakuums
in eine andere Sputterreaktorkammer gebracht wurde, mindestens 2
Minuten lang eine Erwärmung bei einer Temperatur von 550°C durch
geführt, wodurch das Kontaktloch aufgefüllt wird. Zu diesem
Zeitpunkt ist der Druck in der Reaktorkammer vorzugsweise so
niedrig wie möglich, so daß die Aluminiumatome eine höhere freie
Oberflächenenergie haben. Dadurch kann das Metall die Kontaktlö
cher leichter füllen. Hier bezeichnet das Bezugszeichen 4a die
Metallfüllung des Kontaktlochs.
Die Temperatur der Wärmebehandlung in dem in Fig. 2B gezeigten
Prozeß ist im wesentliche zwischen 80% und 100% des Metall
schmelzpunkts und ändert sich je nach der speziell verwendeten
Aluminiumlegierung bzw. dem Aluminium.
Da die Metallschicht bei einer Temperatur, die niedriger als der
Aluminium-Schmelzpunkt von 660°C ist, wärmebehandelt wird,
schmilzt sie nicht. Zum Beispiel wandern bei 550°C die Al-Atome,
die durch Sputtern bei einer Temperatur unter 150°C abgeschieden
wurden, durch Wärmebehandlung bei der höheren Temperatur anstatt
zu schmelzen. Wenn die Oberfläche uneben oder körnig ist, nimmt
diese Migration aufgrund einer Zunahme der Energie zwischen den
Oberflächenatomen, die sich nicht in vollständigem Kontakt mit
den umgebenden Atomen befinden, zu. So weist die anfangs gesput
terte, körnige Schicht durch Wärmebehandlung eine vermehrte
Migration der Atome auf.
Ein Prozeß zur Bildung einer zweiten Metallschicht (5) ist in
Fig. 2C gezeigt. Hier wird die zweite Metallschicht (5) durch
Deposition des Rests der gesamten, erforderlichen Metallschicht
dicke bei einer durch Berücksichtigung der Zuverlässigkeit des
Halbleiterbauelements bestimmten Temperatur gebildet. Dies ver
vollständigt die Bildung der Metallschicht.
Gemäß obigem Verfahren kann das Kontaktloch durch Verwendung
derselben Sputterapparatur, die für das herkömmliche physikali
sche Depositionsverfahren benutzt wird, leicht und vollständig
mit einem Metall aufgefüllt und dann das abgeschiedene Metall
ausgeheizt werden. Deshalb kann sogar ein Kontaktloch mit einem
großen Tiefen/Breiten-Verhältnis vollständig gefüllt werden.
Wenn jedoch in der Kontaktöffnung ein Hohlraum gebildet wird oder
wenn die Stufenbedeckung durch die Metallschicht unzulänglich
ist, kann das Kontaktloch nach Belassen des mit der Metallschicht
beschichteten Halbleiterwafers im Vakuum bei einer vorgegebenen
Temperatur nicht aufgefüllt werden. Ferner kann dann, obwohl
anschließend eine zweite Metallschicht auf dem mit einer Metall
schicht beschichteten Halbleiterwafer gebildet wird, eine gute
Stufenbedeckung der Kontaktöffnung nicht bereitgestellt werden,
und die Zuverlässigkeit des gefertigten Halbleiterbauelements
wird aufgrund der unzulänglichen Stufenbedeckung verschlechtert.
Eine aus reinem, direkt auf Si abgeschiedenem Al bestehende
Kontaktstruktur wurde in den frühesten Stadien der Siliziumtech
nologie eingeführt. Der Kontakt von Al zu Si weist jedoch einige
schlechte Kontakteigenschaften, wie das Entstehen von Übergangs
spitzen während des Sinterns, auf. Nachdem eine Metallkontakt
schicht abgeschieden und strukturiert worden ist, wird ein Sin
terschritt durchgeführt. Im Fall von Al-Si-Kontakten verursacht
ein derartiges Sintern eine Reaktion des Al mit der natürlichen,
sich auf der Siliziumoberfläche ausbildenden Oxidschicht. Sobald
das Al mit der dünnen SiO₂-Schicht reagiert, wird Al₂O₃ gebildet,
und in einem guten ohmschen Kontakt ist das natürliche Oxid
eventuell vollständig verbraucht. Danach diffundiert Al durch die
resultierende Al₂O₃-Schicht und erreicht die Si-Oberfläche, wo
durch sich ein enger Metall-Si-Kontakt bildet. Al muß durch die
Al₂O₃-Schicht diffundieren, um das verbleibende SiO₂ zu erreichen.
Wenn die Dicke der Al₂O₃-Schicht anwächst, braucht das Al länger
für ihre Durchdringung. So wird die Al₂O₃-Schicht, wenn die natür
liche Oxidschicht zu dick ist, eventuell auch zu dick für das Al,
um durch sie hindurch diffundieren zu können. In diesem Fall wird
nicht alles SiO₂ verbraucht, woraus ein schlechter ohmscher Kon
takt resultiert. Die Durchdringungsrate von Al durch Al₂O₃ ist
eine Funktion der Temperatur. Für annehmbare Sintertemperaturen
und Sinterzeiten sollte die Dicke des Al₂O₃ im Bereich von 0,5 nm
bis 1 nm liegen. Da die maximale Al₂O₃-Dicke in der Größenordnung
der Dicke des verbrauchten natürlichen Oxids liegt, ist damit
eine ungefähre obere Grenze für die zulässige Dicke der natürli
chen Oxidschicht gesetzt. Je länger die Siliziumoberfläche einer
Sauerstoff enthaltenden Umgebung ausgesetzt wird, desto dicker
wird das natürliche Oxid sein. Deshalb werden Oberflächenreini
gungsverfahren in den meisten Kontaktprozessen direkt vor der
Bestückung der Depositionskammer mit den Wafern für die Metall
deposition durchgeführt.
Die Verwendung eines Sinterschritts ist unvermeidlich. Aus dem
Phasendiagramm des Aluminium-Silizium-Systems ist ersichtlich,
daß Al bei einer Kontaktlegierungstemperatur zwischen 450°C und
500°C zwischen 0,5% und 1% Silizium absorbiert. Wenn also eine
reine Al-Schicht auf 450°C erhitzt wird und eine Siliziumquelle
vorhanden ist, nimmt Al Silizium in Lösung auf, bis eine Si-Kon
zentration von 0,5 Gew.-% erreicht ist. Das Halbleitersubstrat dient
als derartige Quelle und das Silizium tritt bei einer erhöhten
Temperatur durch Diffusion ins Al ein. Ist ein großes Al-Volumen
verfügbar, kann eine merkliche Si-Menge von unterhalb der Al-Si-
Grenzschicht in die Al-Schicht hinein diffundieren. Gleichzeitig
wandert das Al der Schicht schnell, um die durch das weggehende
Si geschaffenen Hohlräume zu füllen. Ist die Durchdringung des Al
tiefer als die Tiefe eines pn-Übergangs unterhalb des Kontakts,
wird der Übergang hohe Verlustströme aufweisen oder sogar elek
trisch kurzgeschlossen werden. Dies wird als Entstehen von Über
gangsspitzen bezeichnet. Um das Problem der Entstehung von Über
gangsspitzen an den Kontakten zu vermindern, wird während der
Deposition Si zur Al-Schicht hinzugefügt. Aluminium-Silizium-
Legierungen (1,0 Gewichtsprozent Si) sind bei der Herstellung von
Kontakten und Verbindungsleitungen von integrierten Schaltkreisen
weit verbreitet. Die Verwendung von Aluminium-Silizium-Legierun
gen anstelle von reinem Al kann das Entstehen von Übergangsspit
zen verhindern, es läßt jedoch gleichzeitig ein anderes Problem
entstehen. Während des Abkühlungszyklus des thermischen Aushei
zens nimmt die Löslichkeit von Silizium im festem Al mit abneh
mender Temperatur ab. Das Al wird dadurch mit Si übersättigt,
was Kristallisationskernbildung und Wachstum von Si-Ausscheidun
gen aus der Al-Si-Lösung verursacht. Eine derartige Ausscheidung
tritt sowohl an der Al-SiO₂-Grenzschicht als auch an der Al-Si-
Grenzschicht in den Kontakten auf. Bilden sich diese Ausscheidun
gen an der Kontakt-Grenzschicht zu n⁺-Si, ergibt sich daraus ein
unerwünschter Anstieg des Kontaktwiderstands. Des weiteren wird
eine große Flußdivergenz des Stromes an Stellen hervorgerufen, an
denen sich derartige Ausscheidungen in der Größe von 1,5 µm
gebildet haben. Dies kann zu einem frühen Versagen des Leiters
durch eine elektromigrationsinduzierte Leitungsunterbrechung
führen.
Fig. 3 veranschaulicht auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats
nach der Metallisierung gebildete Si-Ausscheidungen. Deshalb
sollten die obigen Si-Ausscheidungen entfernt werden. Diese
Ausscheidungen wurden bisher durch Veraschen, Überätzen oder
Naßätzen oder durch Verwendung einer Ätzflüssigkeit, die im
Ätzschritt ein Radikal enthält, das die Ausscheidungen vom Sub
strat entfernen kann, entfernt. Wenn die Metallschicht jedoch bei
einer hohen Temperatur abgeschieden wird, können die Silizium-
Ausscheidungen nicht leicht entfernt werden. Werden die Si-Aus
scheidungen durch Überätzen entfernt, werden ihre Strukturen auf
eine darunterliegende Schicht abgebildet und bleiben nach dem
Überätzen zurück. So bleibt die Gestalt der Halbleitersubstrat
oberfläche schlecht. Um die obigen Probleme zu überwinden, haben
die Erfinder dieser Anmeldung viele Anstrengungen unternommen, um
diese Erfindung zu machen.
Aufgabe der Erfindung ist daher die Schaffung eines Verfahrens
zur Bildung einer Metallschicht in einem Halbleiterbauelement,
durch welches Kontaktöffnungen hohlraumfrei
durch eine von einer weiteren Metalldeposition ungestörte Metallmigrationsbewegung aufgefüllt werden und
eine zuverlässige metallische Verdrahtung
mit planarer Oberfläche erzielt wird.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des
Patentanspruchs 1 gelöst.
Bei dem Verfahren nach Anspruch 1 wird die erste Metallschicht
durch Abscheiden eines Metalls, wie Al oder einer Al-Legierung,
in Vakuum bei geringer Temperatur gebildet. Neben reinem Al wird
als Al-Legierung Al-0,5%Cu, Al-1%Si, Al-1%Si-0,5%Cu, etc. ver
wendet. Bevorzugt wird die erste Metallschicht bei einer Tempera
tur unter 150°C abgeschieden. Je niedriger die Temperatur ist,
desto leichter wandern die Metallatome bei Wärmebehandlung in die
Öffnung hinein. Die Dicke der ersten Metallschicht beträgt vor
zugsweise ein Drittel bis zwei Drittel der beabsichtigten gesam
ten Metallschichtdicke.
In Ausgestaltung dieses Verfahrens wird nach der Bildung der
ersten Metallschicht im Vakuum die Metallschicht ohne Unterbre
chung des Vakuums wärmebehandelt. Die Wärmebehandlung wird durch
Heizen des Halbleitersubstrats in einer inerten Atmosphäre von 10
mTorr oder weniger oder in einem Vakuum von 5·10-7 Torr oder
weniger bei einer Temperatur zwischen 0,8 Tm und 1 Tm, wobei Tm
die Schmelztemperatur des Metalls ist, vorzugsweise zwischen 500°C
und 550°C unter Verwendung einer Gasleitungsmethode oder einer
RTA (Schnelles Thermisches Ausheizen)-Methode durchgeführt.
In weiterer Ausgestaltung des Verfahrens wird die Wärmebehandlung
in einer inerten Gas(Beispiele: N₂, Ar)-Atmosphäre oder einer
reduzierenden Gas(Beispiel: H₂)-Atmosphäre durchgeführt. Wird die
Metallschicht wärmebehandelt, wandern die Metallatome aufgrund
einer Reduktion ihrer freien Oberflächenenergie in die Öffnung,
so daß diese mit dem Metall aufgefüllt wird. Wenn die Metallatome
in die Öffnung hineinwandern, nimmt die Oberfläche der Metall
schicht ab. Deshalb verschwindet ein überhängender Teil der
Metallschicht vom oberen Teil der Öffnung und die Einlaßfläche
der Öffnung wird größer. So wird, wenn danach eine zweite Metall
schicht abgeschieden wird, eine gute Stufenbedeckung durch die
Metallschicht erhalten.
Wenn während der obigen Wärmebehandlung das Vakuum unterbrochen
wird, bildet das Al eine Al₂O₃-Schicht, die verhindert, daß die
Al-Atome bei der obigen Temperatur in die Öffnung hinein wandern.
Deshalb kann die Öffnung nicht vollständig mit dem Metall aufge
füllt werden, was unerwünscht ist. Die obige Wärmebehandlung wird
vorzugsweise 1 bis 5 Minuten lang durchgeführt, wenn die Gaslei
tungsmethode mit Argon-Gas verwendet wird, und bei Benutzung des
RTA-Geräts wird die Metallschicht einige Male 20 bis 30 Sekunden
lang oder ungefähr 2 Minuten lang wärmebehandelt.
Danach wird eine zweite Metallschicht durch Deposition eines
Metalls in der gleichen Weise wie die erste Metallschicht gebil
det, außer daß die Metalldeposition bei einer Temperatur unter
350°C ausgeführt wird. Nach Bildung der zweiten Metallschicht wird
diese in der gleichen Weise wie die erste Metallschicht wärmebe
handelt.
Alle obigen Schritte werden bevorzugt in einer inerten Atmosphäre
von 10 mTorr oder weniger oder in einem Vakuum von 5·10-7 Torr
oder weniger und ohne Unterbrechung des Vakuums ausgeführt, was
eines der wichtigsten Merkmale dieser Erfindung ist.
In einer weiteren Ausgestaltung dieses Verfahrens wird nach der
Bildung einer Öffnung auf dem Halbleitersubstrat auf der gesamten
Oberfläche des Halbleiterwafers einschließlich der Öffnung eine
Diffusionsbarrierenschicht gebildet. Die Barrierenschicht besteht
aus einem Übergangsmetall oder einer Übergangsmetall-Legierung
wie Titan oder Titannitrid.
Wenn eine Verdrahtung aus einer Aluminium- oder einer Aluminium
legierungs-Schicht durch ein Kontaktloch mit der Oberfläche eines
dünnen, störstellendotierten Bereiches verbunden und eine Wärme
behandlung ausgeführt wird, diffundiert Aluminium in den stör
stellendotierten Bereich und durchdringt den pn-Übergang, was das
Problem hervorruft, daß der pn-Übergang zerstört wird. Um eine
Reaktion zwischen dem Aluminium und dem Halbleitersubstrat zu
verhindern, wurde ein Verfahren vorgeschlagen, das die Zwischen
schaltung einer Barrierenschicht aus Titannitrid zwischen die
Verdrahtung aus Al oder einer Al-Legierung und die Oberfläche des
Halbleitersubstrats beinhaltet. Zum Beispiel ist die Bildung
einer Titannitrid-Schicht durch ein reaktives Sputterverfahren in
der Zeitschrift J. Vac. Sci. Technol., A4 (4), 1986, Seiten 1850-
1854 veröffentlicht. Auch gemäß der US-PS 4 897 709 ist auf der
inneren Oberfläche eines extrem feinen Lochs mit einem großen
Tiefen/Breiten-Verhältnis eine Titannitrid-Schicht mit einer
gleichmäßigen Dicke und einer ausgezeichneten Barrierenfähigkeit
vorgesehen, wobei nach einer Aluminiumabscheidung eine ausheilende,
mehrstündige Erwärmung durchgeführt wird, die der Verringerung
des Kontaktwiderstandes dient.
Außerdem schlugen Yoda Dakashi et al. ein Verfahren zur Herstel
lung eines Halbleiterbauelements vor, das die Schritte Bildung
von Doppelbarrierenschichten zur Verhinderung einer Reaktion
zwischen der Verdrahtung und dem Halbleitersubstrat oder einer
Isolationsschicht auf der inneren Oberfläche der Kontaktlöcher
und anschließendem Füllen der Kontaktlöcher mit einem abgeschie
denen Metall, wie einer A,l-Legierung, beinhaltet, wobei das
Halbleitersubstrat während der Abscheidung durch Heizen auf einer
gewünschten hohen Temperatur - vorzugsweise zwischen 500°C und
550°C - gehalten wird (siehe EP 0 387 835 A2 und koreanische
Offenlegungsschrift 90-15277 entsprechend der am 14. März 1989
eingereichten japanischen Patentanmeldung 01-061557).
Nach dem obigen Verfahren kann die Diffusionsbarrierenschicht auf
der inneren Oberfläche der Öffnung bei der vorliegenden Erfindung
leicht gebildet werden. Die Barrierenschicht besteht vorzugsweise
aus einer ersten Barrierenschicht, wie einer Ti-Metallschicht,
und einer zweiten Barrierenschicht, wie einer Titannitrid-
Schicht. Es ist bevorzugt, daß die Dicke der ersten Barrieren
schicht 10 nm bis 30 nm und jene der zweiten Barrierenschicht 20
nm bis 150 nm ist.
In einer Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird auf
der zweiten Metallschicht zur Verhinderung einer Reflexion im
photolithographischen Schritt eine Antireflexschicht gebildet und
dadurch die Zuverlässigkeit der Metallverdrahtung verbessert.
Die Öffnung ist bei der vorliegenden Erfindung vorzugsweise als
ein Kontaktloch mit einer Stufe am oberen Teil desselben ausge
bildet.
Das in dem Verfahren verwendete Metall schließt
zum Beispiel reines Al, Al-Cu und Al-Ti ein.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens wird die Metallschicht
durch ein Verfahren gebildet, das die Schritte Bildung einer
ersten Metallschicht durch Deposition eines ersten Metalls,
Wärmebehandlung der Metallschicht und Bildung einer zweiten
Metallschicht durch Deposition eines zweiten Metalls derart beeinhaltet, daß
entweder das erste oder das zweite Metall reines Al oder eine
Al-Legierung ohne Si-Komponente und das andere eine Alumi
niumlegierung mit einer Si-Komponente ist. Das obige Metall wird vor
zugsweise durch ein herkömmliches Sputterverfahren bei einer
vorgegebenen Temperatur abgeschieden. Die Metallschicht kann auch
durch wiederholtes Abscheiden eines Metalls ohne Si-Komponente
und eines Metalls mit Si-Komponente gebildet werden. Diese Depo
sition wird hierbei mindestens einmal ausgeführt. Wenn ein Metall
ohne Si-Komponente, wie oben beschrieben, verwendet wird, ab
sorbiert das Metall Si-Atome von dem Metall mit der Si-Komponen
te, wenn die Temperatur erniedrigt wird. Dadurch kann die Bildung
von Si-Ausscheidungen auf der Halbleitersubstratoberfläche ver
mieden werden. Außerdem absorbiert das Metall ohne Si-Komponente
die Si-Atome von dem Metall mit Si-Komponente leichter als vom
Halbleitersubstrat. Deshalb kann auch die Entstehung von Al-
Spitzen vermieden werden.
In weiterer Ausgestaltung dieses Verfahrens wird nach der Bildung
einer Öffnung eine Barrierenschicht auf der gesamten Oberfläche
des resultierenden Halbleiterwafers gebildet, um eine Reaktion
zwischen dem Metall und dem Halbleitersubstrat oder einer isolie
renden Schicht zu verhindern. Die Barrierenschicht besteht aus
einer Metallverbindung mit einem hohen Schmelzpunkt, wie TiN.
Gemäß vorliegender Erfindung kann die Öffnung ein Kontaktloch mit
einer Stufe am oberen Teil desselben und einem Tiefen/Breiten-
Verhältnis von 1,0 oder mehr sein.
Die obige Metallschicht wird vorzugsweise in einer Vakuum-Sput
terkammer bei einer Temperatur unter 150°C gebildet. Die Metall
schicht wird bei einer Temperatur zwischen 0,8 Tm und 1 Tm wärme
behandelt. Alle oben beschriebenen Schritte zur Bildung einer
Metallverdrahtung werden vorzugsweise in Vakuum und ohne Vakuum
unterbrechung ausgeführt.
Bevorzugte, im folgenden näher beschriebene Ausführungsformen der
Erfindung sowie zu deren besserem Verständnis dienende, anderweitige Ver
fahren sind in den beigefügten Zeichnungen veranschaulicht.
Fig. 1A bis 1D zeigen einen ersten Teil eines erfindungsgemäßen Verfahrens
zur Bildung einer Metallverdrahtung,
Fig. 2A, 2B und 2C ein Verfahren zur Bildung einer Metallschicht
nach der deutschen Patentanmeldung P 40 28
776.9-33,
Fig. 3 auf der Oberfläche Halbleitersubstrats der
Fig. 2C nach der Metallisierung gebildete
Si-Ausscheidungen,
Fig. 4A bis 4D ein erfindungsgemäßes Verfahren zur
Bildung einer Metallverdrahtung,
Fig. 5 eine SEM-Aufnahme einer nach einem erfin
dungsgemäßen Verfahren erhaltenen, auf einem
Halbleitersubstrat ausgebildeten und voll
ständig mit einem Metall aufgefüllten Öffnung
und
Fig. 6 eine nach einem erfindungsgemäßen Verfahren
erhaltene, reine Oberfläche des Halbleiter
substrats.
Die Fig. 1A bis 1D veranschaulichen einen ersten Teil
eines erfindungsgemäßen Verfahrens zur Bildung einer Metallver
drahtung.
Fig 1A zeigt einen Schritt zur Bildung einer ersten Metall
schicht. Eine 0,8 µm große Öffnung (23) mit einem abgestuften
Teil wird auf den mit einer isolierenden Zwischenschicht (22)
bedeckten Halbleitersubstrat (21) ausgebildet und das Substrat
(21) danach gereinigt.
Dann wird eine aus einer Metallverbindung mit hohem Schmelzpunkt,
wie TiN, bestehende Barrierenschicht (24) auf der gesamten Ober
fläche des erhaltenen Halbleitersubstrats (21) abgeschieden. Die
Dicke der gebildeten Barrierenschicht beträgt 20 nm bis 150 nm.
Das Substrat (21) wird dann in eine Sputterreaktorkammer ge
bracht, in der durch Deposition eines Metalls, z. B. von Aluminium
oder einer Aluminiumlegierung ohne Si-Komponente, eine Metall
schicht (25) bis zu einer Dicke von zwei Dritteln der gewünschten
Metallschichtdicke (400 nm, wenn die gewünschte Metallschicht
dicke 600 nm ist) bei einer Temperatur von ungefähr 150°C unter
einem vorgegebenen Vakuumdruck gebildet wird. Die so erzeugte
Metallschicht (25) weist kleine Aluminium-Körner und eine hohe
freie Oberflächenenergie auf.
Fig. 1B illustriert einen Schritt, bei dem die Öffnung gefüllt
wird. Der erhaltene Halbleiterwafer wird ohne Unterbrechung des
Vakuums in eine andere Sputterreaktorkammer gebracht, in der die
Metallschicht (25) 3 Minuten lang bei einer Temperatur von 550°C
wärmebehandelt wird, wodurch die Aluminium-Körner wandern, so daß
die Aluminium-Korngrenzen ihre freie Oberflächenenergie reduzie
ren, um ihre Oberfläche zu minimieren, wodurch die Öffnung mit
Metall gefüllt wird, wie in Fig. 1B gezeigt.
Fig. 1C veranschaulicht einen Schritt, bei dem eine zweite Me
tallschicht (26) auf der Metallschicht 25 gebildet wird. Die
zweite Metallschicht (26) wird durch Deposition des Restes der
gesamten, erforderlichen Metallschichtdicke bei einer Temperatur
unter 350°C gebildet, wodurch
dieser Verfahrensteil, der noch keine Wärmebehandlung der zweiten Metallschicht beinhaltet,
vervollständigt wird. Die zweite Metallschicht (26) wird durch
Verwendung einer Aluminiumlegierung mit einer Si-Komponente wie
Al-Si oder Al-Cu-Si gebildet.
Fig. 1D zeigt einen Schritt, bei dem eine nach Entfernung vor
gegebener Teile der zweiten Metallschicht (26), der ersten Me
tallschicht (25) und der Barrierenschicht (24) durch einen her
kömmlichen Lithographieprozeß erhaltenes Metallverdrahtungsmuster
gebildet wird.
Die Fig. 4A bis 4D illustrieren ein erfindungsgemäßes
Verfahren zur Bildung einer Metallverdrahtung.
Fig. 4A veranschaulicht einen Schritt, bei dem eine erste Metall
schicht (41) gebildet wird. Eine 0,8 µm große Öffnung (35) mit
einer Stufe am oberen Teil wird auf einem mit einer aus SiO₂
bestehenden isolierenden Schicht (33) bedeckten Halbleitersub
strat (31) gebildet und das Substrat (31) danach gereinigt. Dann
wird zur Verhinderung einer Reaktion zwischen der Verdrahtung und
dem Halbleitersubstrat (31) oder der isolierenden Schicht (33)
eine erste, aus Ti bestehende Diffusionsbarrierenschicht (37) bis
zu einer Dicke von 10 nm bis 50 nm auf der gesamten Oberfläche
des erhaltenen Halbleiterwafers einschließlich der Öffnung (35)
gebildet, und eine zweite, aus TiN bestehende Diffusionsbarrie
renschicht (39) wird auf die erste Diffusionsbarrierenschicht
(37) bis zu einer Dicke von 20 nm bis 150 nm aufgebracht. Als
nächstes wird das so erhaltene Halbleitersubstrat eine halbe
Stunde lang bei einer Temperatur von ungefähr 450°C in einer
N₂-Atmosphäre wärmebehandelt. Dann wird eine erste Metallschicht
(41) auf der zweiten Diffusionsbarrierenschicht (39) unter Ver
wendung einer der Legierungen Al-0,5%Cu, Al-1%Si oder Al-0,5%Cu-
1%Si bei einer Temperatur von 150°C oder weniger bis zu einer
Dicke von 200 nm bis 400 nm nach einem Sputterverfahren oder
einem physikalischen Gasphasenabscheidungsverfahren unter Vakuum
abgeschieden.
Fig. 4B veranschaulicht einen Schritt, bei dem ein erster Wärme
behandlungsprozeß der Metallschicht (41) durchgeführt wird. Die
Metallschicht (41) wird bei einer Temperatur von
0,8 Tm bis 1 Tm für 1 bis 5 min in einer inerten Atmosphäre
von 10-2 Torr oder weniger oder in einem Vakuum von 5·10-7 Torr
oder weniger ohne Unterbrechung des Vakuums unter Verwendung
eines Gasleitungsverfahrens wärmebehandelt.
Fig. 4C zeigt einen Schritt, bei dem eine zweite Metallschicht
(43) bis zu einer Dicke von 200 nm bis 400 nm auf der gesamten
Oberfläche der ersten Metallschicht (41) bei einer Temperatur
unter 350°C ohne Unterbrechung des oben beschriebenen Vakuums
gebildet wird.
Fig. 4D illustriert einen Schritt, bei dem ein zweiter Wärmebe
handlungsprozeß der zweiten Metallschicht (43) durchgeführt wird,
um eine planare Oberfläche der Metallschicht zu erhalten. Dieser
Schritt wird in derselben Weise wie im ersten Wärmebehandlungs
prozeß ohne Vakuumunterbrechung ausgeführt. Danach wird eine aus
einer Übergangsmetallverbindung, wie TiN, bestehende Antireflex
schicht (45) bis zu einer Dicke von 20 nm bis 50 nm auf der
Oberfläche der zweiten Metallschicht (43) erzeugt. Dann kann nach
einem herkömmlichen Lithographieprozeß ein nicht gezeigtes Me
tallverdrahtungsmuster erhalten werden.
Gemäß der Erfindung wandern durch Migration die Metallatome der
- durch Deposition eines Metalls mittels eines Sputterverfahrens
auf dem mit einer Öffnung versehenen Halbleiterwafer gebildeten
- Metallschicht in eine Öffnung hinein, wenn die Metallschicht
thermisch behandelt wird. Wird die Metallschicht bei einer nied
rigeren Temperatur abgeschieden, wandern die Metallatome bei
Wärmebehandlung leichter in die Öffnung hinein. Außerdem wird
nach der Wärmebehandlung der zuerst abgeschiedenen Metallschicht
eine zweite Metallschicht bei einer niedrigen Temperatur aufge
bracht und dann ebenfalls wärmebehandelt. Deshalb kann eine
planare Metallschicht erhalten und so nachfolgende Lithographie
schritte leicht ausgeführt werden. Erfindungsgemäß kann nach der
Wärmebehandlung der zweiten abgeschiedenen Metallschicht eine
vollständig mit Metall gefüllte Öffnung realisiert werden. Dies
ist in Fig. 5 abgebildet.
Ferner werden gemäß der Erfindung ein Metall mit einer Si-Kom
ponente und ein Metall ohne Si-Komponente zur Bildung einer Me
tallschicht abgeschieden. Das Metall ohne Si-Komponente absor
biert Si-Atome von dem Metall mit der Si-Komponente, wenn die
Temperatur des Halbleitersubstrats erniedrigt wird. Deshalb
werden auf der Halbleiteroberfläche nach der Bildung des Ver
drahtungsmusters keine Si-Ausscheidungen gebildet und die Ent
stehung von Al-Spitzen tritt überhaupt nicht auf.
Wie aus Fig. 6 zu ersehen ist, wird eine reine, d. h. ebene,
Halbleitersubstratoberfläche bereitgestellt. Deshalb ist es
möglich, eine zuverlässige Metallverdrahtung des Halbleitersub
strats zu erhalten.
Während die Erfindung unter Bezugnahme auf bestimmte Ausführungs
formen beschrieben wurde, ist der Fachmann fähig, verschiedene
Modifikationen auszuführen, ohne Ziel und Umfang der Erfindung,
wie in den beigefügten Ansprüchen definiert, zu verlassen.
Claims (20)
1. Verfahren zur Bildung einer metallischen Verdrahtungs
schicht in einem Halbleiterbauelement mit der Schrittfolge:
- a) Erzeugen einer Öffnung (35) in einer auf dem Halbleiter substrat (31) gebildeten isolierenden Zwischenschicht (33);
- b) Aufbringen einer ersten Metallschicht (41) auf dem so erhaltenen Halbleitersubstrat bei einer relativ zum Schmelzpunkt niedrigen Temperatur, bei der die aufgebrachte Metallschicht eine hohe freie Oberflächenenergie aufweist, durch Sputtern oder ein physikalisches Gasphasenabscheidungsverfahren;
- c) Wärmebehandeln der aufgebrachten ersten Metallschicht bei einer zum Auffüllen der Öffnung mit dem Metall aufgrund einer Migrationsbewegung des Metalls ausreichen den Temperatur, die größer als die erste Temperatur und kleiner als die Schmelztemperatur des Metalls ist; und
- d) Aufbringen einer zweiten Metallschicht (43) auf die erste
Metallschicht bei einer relativ zum Schmelzpunkt niedrigen Temperatur, bei der die aufgebrachte Metallschicht eine hohe freie Oberflächenenergie aufweist, durch Sputtern oder ein physikalisches Gasphasenabscheidungsverfahren;
gekennzeichnet durch den weiteren Schritt: - e) Wärmebehandeln der aufgebrachten zweiten Metallschicht bei einer zur Planarisierung von deren Oberfläche ausreichen den Temperatur.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
nach dem Erzeugen der Öffnung und vor dem Aufbringen der ersten
Metallschicht eine Barrierenschicht (37, 39) erzeugt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
die Barrierenschicht aus einer ersten Barrierenschicht (37) und
einer zweiten Barrierenschicht (39) besteht.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß
die erste Barrierenschicht (37) aus Ti in einer Dicke von 10 nm
bis 50 nm und die zweite Barrierenschicht (39) aus Titannitrid
in einer Dicke von 20 nm bis 150 nm besteht.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die erste Metallschicht (41) durch
Abscheidung eines Metalls in Vakuum unter Verwendung eines
Sputterprozesses gebildet wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, daß die erste Metallschicht (41) bei einer
Temperatur von 150°C oder weniger abgeschieden wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch
gekennzeichnet, daß die erste Metallschicht (41) bei einer
Temperatur zwischen 80% und 100% der Schmelztemperatur des
Metalls wärmebehandelt wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, daß die erste Metallschicht (41) ohne Vakuum
unterbrechung wärmebehandelt wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch
gekennzeichnet, daß die erste Metallschicht (41) eine Dicke von
einem Drittel bis zu zwei Dritteln der vorgegebenen gesamten
Metallschichtdicke aufweist.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch
gekennzeichnet, daß die Öffnung (35) ein Kontaktloch mit einem
abgestuften Teil ist.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch
gekennzeichnet, daß die Öffnung (35) ein Tiefen/Breiten-Ver
hältnis größer als 1 aufweist.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch
gekennzeichnet, daß reines Al oder eine Aluminiumlegierung ohne
Si-Komponente als Metall für die Bildung wenigstens einer der
Metallschichten (41, 43) verwendet wird.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß
die Aluminiumlegierung eine Al-Cu-Legierung oder eine Al-Ti-Le
gierung ist.
14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekenn
zeichnet, daß entweder das erste oder das zweite Metall reines
Al oder eine Al-Legierung ohne Si-Komponente und das andere
Metall eine Al-Legierung mit einer Si-Komponente ist.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch
gekennzeichnet, daß die zweite Metallschicht (43) durch
Abscheidung eines Metalls bei einer Temperatur unter 350°C
gebildet wird.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch
gekennzeichnet, daß die zweite Metallschicht (43) bei einer
Temperatur zwischen 80% und 100% der Schmelztemperatur des
Metalls wärmebehandelt wird, um die resultierende Oberfläche
planar zu machen.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch
gekennzeichnet, daß alle Schritte in Vakuum und ohne Vakuum
unterbrechung oder in einer Atmosphäre von inertem oder redu
zierendem Gas ausgeführt werden.
18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß
alle Schritte in einer inerten Atmosphäre von 10 mTorr oder
weniger ausgeführt werden.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch
gekennzeichnet, daß eine Antireflexschicht (45) auf die zweite
Metallschicht (43) aufgebracht wird.
20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß
die Antireflexschicht (45) aus einer Übergangsmetallverbin
dungsschicht besteht.
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