DE4311197A1 - Verfahren zum Betreiben einer inkohärent strahlenden Lichtquelle - Google Patents
Verfahren zum Betreiben einer inkohärent strahlenden LichtquelleInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betreiben einer inkohärent
strahlenden Lichtquelle gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Als
Lichterzeugungsmechanismus dient eine Entladung, die innerhalb eines
Entladungsgefäßes erzeugt wird, wobei zwischen mindestens einer
Elektrode und der Entladung eine dielektrische Schicht angeordnet ist,
weshalb dieser Entladungstyp auch stille oder dielektrisch behinderte
Entladung oder Barrierenentladung genannt wird. Unter inkohärent
strahlenden Lichtquellen sind insbesondere Entladungslampen, die UV-
Licht, IR-Licht oder sichtbares Licht abstrahlen, zu verstehen. Die
Erfindung eignet sich sowohl für Niederdruck- als auch für Hochdruck
gasfüllungen und alle Gasdrücke, die innerhalb des Bereiches zwischen
Nieder- und Hochdruck liegen.
Die Anregung solcher Entladungen erfolgt üblicherweise mit Hilfe einer
Wechselspannung, wie dies beispielsweise in den Offenlegungsschriften
DE 40 22 279 und DE 42 03 594 und in der Patentschrift US 5 117 160
offenbart ist. Die Anregungsfrequenz wird dort im Bereich zwischen der
Frequenz des technischen Wechselstroms und einigen MHz (DE 40 22
279) bzw. zwischen 20 und 100 kHz (US 5 117 160) gewählt.
Der Nachteil dieser Betriebsart ist, daß die Strahlungsleistung und die
Strahlungsausbeute relativ gering sind. Typische Wirkungsgrade betra
gen zwischen 10% bei Flächenleistungsdichten von 1 kW/m2 und 15%
bei 10 W/m2, siehe 3. Tagung des Arbeitskreises UV und IR am Licht
technischen Institut der Universität Karlsruhe, vom 07.10.1992 und
"Dielectric Barrier Discharges: An Unusual Light Source", M. Neiger, LTI,
Universität Karlsruhe, 6th International Symposium on The Science And
Technology of Light Sources, Budapest, 1992.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Effizienz der Strahlungs
erzeugung zu verbessern.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden
Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteran
sprüchen erläutert.
Der Grundgedanke der Erfindung beruht darauf, daß eine dielektrisch
behinderte Entladung repetitiv gepulst betrieben wird, so daß die elek
trische Energie im wesentlichen nur während Zeitspannen TPn - im fol
genden als "Pumpzeiten" bezeichnet - eingekoppelt wird, die durch
Zeitspannen TOn - im folgenden als "Totzeiten" bezeichnet - unterbro
chen sind. Die Dauer der einzelnen Zeitspannen TP bzw. TO ergeben
sich aus den Forderungen, daß die Einkopplung der Energie oder ge
nauer gesagt, die der Wirkleistung, im wesentlichen beendet wird, so
bald die Umwandlung der elektrischen Energie in Strahlungsenergie
ineffizient wird, bzw. daß die "Totzeit" beendet wird, sobald die Gasfül
lung wieder soweit relaxiert ist, um erneut zur effizienten Emission von
Strahlung angeregt werden zu können, so daß im zeitlichen Mittel die
Strahlungseffizienz optimiert wird. Auf diese Weise lassen sich Wir
kungsgrade von beispielsweise 65% und mehr für die Konversion
elektrischer Energie in UV-Licht erzielen, was eine vielfache Steigerung
gegenüber der konventionell betriebenen dielektrisch behinderten Ent
ladung darstellt.
Im Normalfall handelt es sich dabei um eine Folge von identischen oder
lediglich polaritätswechselnden Spannungspulsen. Es ist jedoch für
Spezialfälle auch eine Folge von regelmäßig sich verändernden Span
nungspulsen verwendbar. Schließlich kann die Pulsfolge auch völlig un
regelmäßig sein (z. B. bei Effektbeleuchtung, wobei mehrere Pulse so zu
einem Bündel zusammengefaßt werden, daß ein für das menschliche
Auge erkennbarer Lichteffekt entsteht). Die Zahl n der Spannungspulse
ist nicht beschränkt.
Während der Pumpzeit TP wird zwischen den Elektroden ein Span
nungspuls UP(t) angelegt. Sein zeitlicher Verlauf ist nicht festgelegt, er
kann aus verschiedenen Formen ausgewählt werden, wie z. B.
- a) unipolare Formen, d. h. die Spannung wechselt ihr Vorzeichen wäh rend der Pumpzeit nicht. Hierunter fallen trapezförmige, dreieckför mige, bogenförmig gekrümmte Spannungspulse, insbesonders para belförmige Spannungspulse und sinusförmige Halbwellen , wobei sowohl positive als auch negative Werte geeignet sind (siehe Fig. 6a, in der beispielhaft nur negative Werte dargestellt sind),
- b) bipolare Formen, d. h. die Spannung wechselt ihr Vorzeichen während der Pumpzeit, wobei die Form sowohl mit einem positiven als auch mit einem negativen Vorzeichen beginnen kann. Beispiele hierfür sind beide Halbwellen eines Sinus, zwei unmittelbar aufeinanderfolgende Dreiecke entgegengesetzten Vorzeichens, zwei unmittelbar aufein ander folgende "Rechtecke" oder Trapeze entgegengesetzten Vor zeichens wobei die Flanken unterschiedliche Anstiegs- bzw. Abfall zeiten haben können (siehe Fig. 6b), sowie
- c) die zeitliche Folge von einigen (bevorzugt zwei oder drei) Elementen aus a und b, wobei die Amplitude UP(t) unterschiedlichste Werte an nehmen kann, insbesondere kurzzeitig auch den Wert 0, so daß einzelne Elemente auch durch Zeitbereiche in denen die Spannung den Wert 0 hat getrennt sein können (siehe Fig. 6c). Insbesondere können sich die einzelnen Elemente wiederholen.
In den Fig. 6a-c ist exemplarisch nur eine Auswahl möglicher Span
nungsformen dargestellt. Darüberhinaus ist eine große Zahl weiterer
Formen denkbar. Insbesondere haben elektrische Signale in der Praxis
immer endliche Anstiegs- und Abfallzeiten, Über- und Unterschwinger,
was in den Fig. 6a-c nicht dargestellt ist.
An die Spannungsform während der Totzeit TOn wird die Forderung ge
stellt, daß die Amplitude UOn(t) so klein ist, daß im wesentlichen keine
Energieeinkopplung stattfindet.
Zusätzlich müssen die zeitlichen Mittelwerte der Beträge der Span
nungsamplituden UPn(t) wesentlich größer als die zeitlichen Mittelwerte
der Beträge der Spannungsamplituden UOn(t) sein, so daß folgende
Ungleichung erfüllt ist:
Auf diese Weise erfolgt die Wiederzündung stets zu einem Zeitpunkt, in
dem deutlich weniger freie Ladungsträger vorhanden sind als jeweils zu
Beginn der Totzeit.
Typische Absolutwerte für UP sind einige kV. UO liegt bevorzugt in der
Nähe von 0 V. Die Werte von TP und TO liegen typisch im µs-Bereich,
wobei normalerweise TP deutlich kürzer als TO ist.
Das erfindungsgemäße Betriebsregime für die Entladung wird im we
sentlichen durch eine geeignete Wahl der Anregungsparameter TP, TO
und der Spannungsamplitude UP erzielt, wobei diese Größen für den ef
fizienten Betrieb nicht frei wählbar sind, d. h. voneinander abhängen und
deshalb aufeinander abgestimmt werden müssen. Daneben spielt auch
die Pulsform eine Rolle. Im Einzelfall hängen die für die drei Anre
gungsparameter TP, TO und UP zu wählenden Werte von der Entla
dungsgeometrie, der Art der Gasfüllung und dem Gasdruck, sowie von
der Art und Dicke der dielektrischen Schicht ab. Befindet sich die Entla
dung im erfindungsgemäßen Betriebsregime, nimmt die Strahlungsaus
beute ein Maximum an.
Die Ratenkoeffizienten der in der Entladung stattfindenden Stoßpro
zesse und folglich auch die der Strahlungserzeugung werden im we
sentlichen durch die Elektronendichte ne und die Energieverteilung der
Elektronen bestimmt. Das erfindungsgemäße Betriebsverfahren er
möglicht es, diese zeitabhängigen Größen mittels entsprechender Wahl
von TP, TO und der Spannungsamplitude UP bzw. der Pulsform für die
Strahlungserzeugung optimal einzustellen.
Im Vergleich zum Wechselspannungsbetrieb benützt die Erfindung ge
zielt einen zusätzlichen Parameter, die "Totzeit" TO,, mit dem erstmals
gezielt Einfluß auf den zeitlichen und räumlichen Verlauf der Ladungs
trägerdichte sowie die Energieverteilungsfunktion genommen werden
kann. Beim Stand der Technik, bei dem Wechselspannung verwendet
wird, ist eine gezielte Einflußnahme auf diese Größen nie versucht wor
den. Sie wäre bei dieser Betriebsart auch nur begrenzt möglich. Erst die
vorliegende Erfindung ermöglicht es, den Wirkungsgrad soweit zu
steigern, daß eine Alternative zu konventionellen Lichtquellen gegeben
ist.
Das erfindungsgemäße Betriebsregime läßt sich daran erkennen, daß
zwischen den Elektroden statt unterschiedlich ausgebildeter Entla
dungsstrukturen eine Vielzahl gleichartiger, in Draufsicht deltaförmiger
Entladungsstrukturen auftreten, die sich jeweils in Richtung Anode
verbreitern. Da diese Entladungsstrukturen bevorzugt mit einer Wieder
holfrequenz von einigen 100 Hz bis einige kHz erzeugt werden, nimmt
der Betrachter nur eine der zeitlichen Auflösung des menschlichen Au
ges entsprechende "mittlere" Entladungsstruktur wahr. Aus diesem Grund
erscheint visuell im bipolaren Fall eine Überlagerung zweier alternieren
der deltaförmiger Strukturen, deren Orientierungen bezüglich der Elek
troden entsprechend der Polarität der Pulse wechseln. Stehen sich bei
spielsweise zwei längliche Elektroden, die ein oder zweiseitig dielektri
sch behindert sein können, parallel gegenüber, so erscheinen die einzel
nen Entladungsstrukturen transversal zu den länglichen Elektroden
orientiert, nebeneinander aufgereiht. Im Grenzfall niedriger Drücke oder
sehr kurzer Schlagweiten läßt sich bei bestimmter Wahl der Parameter
erreichen, daß die Aneinanderreihung der Einzelstrukturen zu einer ein
zigen diffus erscheinenden Entladung führt. Die Entladungsstrukturen
können z. B. in transparenten Lampenkolben direkt beobachtet werden.
Ein besonderer Wert der Erfindung liegt in der besonderen Stabilität der
einzelnen Entladungsstruktur gegenüber einer Veränderung der elektri
schen Leistung. Wird z. B. die Amplitude UP der Spannungspulse erhöht,
ändern die einzelnen Entladungsstrukturen ihre prinzipielle Form nicht,
sondern es entstehen nach Überschreiten eines Schwellwertes aus
einer der Entladungsstrukturen durch "Teilung" zwei identische
Strukturen. Eine Erhöhung der eingekoppelten elektrischen Leistung
durch Erhöhen der Amplitude der Spannungspulse führt also im wesent
lichen zu einer Erhöhung der Anzahl der beschriebenen einzelnen Ent
ladungsstrukturen, wobei die Qualität dieser Strukturen, insbesondere
ihr äußeres Erscheinungsbild und ihre effizienten Strahlungseigenschaf
ten, unverändert bleibt.
Dieses Verhalten ermöglicht es erstmals, die in ein vorgegebenes Entla
dungsvolumen einkoppelbare elektrische Leistung sinnvoll weiter zu
steigern, indem statt einer Elektrode mehrere verwendet werden, die
das Entladungsvolumen optimal ausnützen. Beispielsweise können ei
ner zentrisch innerhalb des Entladungsgefäßes angeordneten Innen
elektrode mit genügend großer Oberfläche mehrere Außenelektroden
symmetrisch auf der Außenwand des Entladungsgefäßes angeordnet
gegenübergestellt werden. Mit der Anzahl der Außenelektroden läßt sich
somit die aus dem Volumen des Entladungsgefäßes maximal extra
hierbare Strahlungsleistung bis zu einer bestimmten Grenze erhöhen,
da die Entladungsstrukturen, von der zentrischen Innenelektrode aus
gehend, in die Richtung der jeweiligen Außenelektroden brennen und
somit bei entsprechender Leistungseinkopplung das Volumen des Entla
dungsgefäßes zunehmend ausfüllen.
Neben dieser Möglichkeit liegt bei achsparalleler Anordnung der Elek
troden ein weiterer Vorteil in der Skalierbarkeit der elektrischen Leistung
und des Lichtstromes mit der Länge des Entladungsgefäßes. Da in die
sem Fall das elektrische Feld im wesentlichen senkrecht zur Längs
achse des Entladungsgefäßes steht, kann die Länge des Entladungsge
fäßes nahezu beliebig vergrößert werden, ohne daß die erforderliche
Zündspannung, wie beispielsweise bei einer konventionellen röhren
förmigen Entladungslampe üblich, entsprechend ansteigt. Für eine Lei
stungsangabe muß somit bei dieser Art von Entladung sowohl das Vo
lumen des Entladungsgefäßes als auch die Anzahl der Elektroden bzw.
der Ebenen, in denen die Entladungsstrukturen brennen, berücksichtigt
werden. Bei einer röhrenförmigen Lampe mit 50 cm Länge, und 24 mm
Durchmesser und Xenon als Füllgas können pro "Entladungsebene" ty
pisch 18 W elektrische Leistung eingekoppelt werden.
Werden TP und/oder TO und/oder UP falsch gewählt, so treten stocha
stisch ein oder mehrere zum Gasraum scharf abgegrenzte, dünne und
hell leuchtende "Entladungsfäden" auf, die sich auf Kosten der erfin
dungsgemäßen Entladungsstrukturen über weite Bereiche innerhalb des
Entladungsgefäßes erstrecken können. Diese "Entladungsfäden" unter
scheiden sich somit visuell sowohl in ihrer Form als auch in ihrer spek
tralen Strahlungsverteilung deutlich von der Entladungsform des erfin
dungsgemäßen Betriebsregimes und sind unerwünscht, da sie den
Stromtransport innerhalb kleiner Querschnittsflächen konzentrieren,
wodurch sich erhöhte Ladungsträgerdichten verbunden mit erhöhten
Quenchraten ergeben und folglich die Effizienz der Strahlungs
erzeugung abnimmt.
Aus dieser Phänomenologie läßt sich eine allgemeine Vorschrift zum Er
reichen der für die erfindungsgemäße Betriebsweise geeigneten Werte
für UP,TP und TO ableiten. Nach dem Zünden der Entladung ist UP, TP
und TO so zu wählen, daß die gewünschte elektrische Leistung im erfin
dungsgemäßen Betriebsregime eingekoppelt wird, d. h. die oben be
schriebenen Entladungsstrukturen sichtbar sind. Sobald sich ein oder
mehrere hell leuchtende "Entladungsfäden" bilden, muß eine andere
Wertekombination für UP, TP und TO gewählt werden. Nach dem bisher
gesagten sind geeignete Wertekombinationen jene, bei denen der zeitli
che Mittelwert des Volumens einer einzelnen Entladungsstruktur maxi
mal wird derart, daß die Elektronendichte sowie die Elektronenenergie
verteilungsfunktion Werte annehmen, die die Verlustprozesse minimie
ren.
Jeder dieser Parameter beeinflußt sowohl die zeitliche und räumliche
Struktur der Ladungsträgerdichten als auch die Energieverteilungsfunk
tion der Elektronen. Da ihr Einfluß auf die genannten Größen unter
schiedlich stark ist, legt die Wahl eines Parameters die Werte der restli
chen Parameter zur Erzielung des effizienten Entladungsmodus in ge
wissen Bereichen fest.
Typische Werte für die Amplitude UP des Spannungspulses liegen be
vorzugt im Bereich zwischen 0,01 und 2 V pro cm Schlagweite und Pa
scal Fülldruck, die Pumpzeit TP liegt bevorzugt im Bereich zwischen
0,01 µs und 10 µs oder mehr und das Produkt aus Totzeit TO und Füll
druck liegt bevorzugt im Bereich zwischen 10 ms·Pa und 10 s·Pa. Für
die erfindungsgemäße Betriebsweise liegt der Betriebsdruck vorteilhaft
zwischen 1 kPa und 3 MPa. Im Mitteldruckbereich (z. B. 10 kPa) bedeu
tet dies bevorzugt eine Amplitude UP des Spannungspulses im Bereich
zwischen 100 und 20.000 V pro cm Schlagweite, eine Pumpzeit TP im
Bereich zwischen 0,1 µs und 10 µs oder mehr und eine Totzeit TO im
Bereich zwischen 1 µs und 100 µs oder mehr. Im Hochdruckbereich
(z. B. 1 MPa) bedeutet dies bevorzugt eine Amplitude UP des Span
nungspulses im Bereich zwischen 10 kV und 200 kV pro cm Schlagweite
oder mehr, eine Pumpzeit TP im Bereich zwischen 0,01 µs und 10 µs
oder mehr und eine Totzeit TO im Bereich zwischen 0,01 µs und 10 µs
oder mehr.
Aus Gründen der elektrischen Sicherheit werden die Außenelektroden
bevorzugt mit Massepotential verbunden und die Innenelektrode mit der
Hochspannung. Dadurch ist ein weitgehender Berührungsschutz span
nungsführender Teile möglich. Als leitendes Elektrodenmaterial können
alle stromtragfähigen Materialien, also auch Elektrolyte verwendet wer
den.
Für die einseitig dielektrisch behinderte Entladung ist darüberhinaus
zwingend, daß die im Gasraum befindliche unbehinderte metallische In
nenelektrode zu Beginn der Pumpzeit eine negative Polarität gegenüber
der behinderten Außenelektrode erhält. Danach kann die Polarität wäh
rend der Pumpzeit wechseln.
Im Falle, daß beide Elektroden dielektrisch behindert sind, spielt die
zeitliche Reihenfolge der Polarität und sie selbst keine Rolle.
Die Elektrode(n) können auch durch eine dielektrische Schicht von der
Entladung getrennt sein, so daß eine zweiseitig dielektrisch behinderte
Entladung vorliegt, ohne daß die erfindungsgemäße Betriebsweise prin
zipiell geändert werden müßte oder seine vorteilhafte Wirkung verlo
renginge. Diese Variante ist z. B. besonders vorteilhaft, wenn sich
aggressive Medien innerhalb des Entladungsgefäßes befinden, da so ei
ne Korrosion der Innenelektrode wirkungsvoll verhindert werden kann.
Prinzipiell können sich die Elektroden sowohl sämtlich außerhalb des
Gasraums, z. B. auf der äußeren Oberfläche, oder eine gewisse Anzahl
von ihnen außerhalb und eine gewisse Anzahl innerhalb, wie auch alle
innerhalb des Entladungsgefäßes, im Gasraum, befinden. Im letzten Fall
ist es notwendig, daß mindestens eine davon mit einem Dielektrikum
überzogen ist und dabei eine bezüglich der restlichen Elektroden gegen
sätzliche Polarität erhält.
Die äußere Form der Elektroden ist prinzipiell nicht zwingend vorgege
ben. Durch entsprechende Formgebung kann allerdings erreicht wer
den, daß sich die Entladungsstrukturen bevorzugt in den gewünschten
Ebenen ausbilden und ein stochastisches Ändern der Orte der Fuß
punkte der Entladungsstrukturen auf Dielektrika und/oder Elektroden
weitgehend verhindert wird. Dies kann beispielsweise dadurch gesche
hen, daß die Kontur der Elektrode(n) in der gewünschten Richtung mit
einer geeignet dimensionierten Erhebung so versehen wird, daß die dort
erhöhte elektrische Feldstärke ein Entstehen der Entladungsstruktur an
dieser Stelle bevorzugt. Ein besonderer Vorteil der Erfindung besteht
außerdem darin, daß auf großflächige Elektroden verzichtet werden
kann.
Die ein- bzw. zweiseitig behinderte Entladung erlaubt damit die Realisie
rung einer Vielzahl möglicher Elektrodenanordnungen und Entladungs
geometrien, insbesondere auch all jene, die bei konventionell betriebenen
dielektrisch behinderten Entladungen beispielsweise in EP-A 0 385 205,
EP-PS 0312732, EP-A 0482230, EP-A 0363832, EP-A 0458 140,
EP-A 0 449 018 und EP-A 0 489 184 offenbart sind.
In Entladungsgefäßen, die lediglich kurze Entladungslängen zulassen,
sollten bevorzugt die Elektroden so angeordnet werden, daß deren Ab
stand so groß wie möglich wird. Zum Beispiel wird für zylindrische Entla
dungsgefäße mit kleinem Querschnitt die Innenelektrode bevorzugt
azentrisch innerhalb des Entladungsgefäßes angeordnet und die Au
ßenelektrode diametral gegenüberliegend auf der Außenwand fixiert.
Bei größeren Querschnitten wird die Innenelektrode bevorzugt zentrisch
innerhalb des Entladungsgefäßes angeordnet, wobei vorteilhafterweise
mehrere Außenelektroden auf der Außenwand symmetrisch über den
Umfang verteilt fixiert sind. Vorteilhafterweise wird dabei die Form der
Innenelektrode so gestaltet, daß definierte räumliche Zuordnungen zu
den Außenelektroden entstehen. Dies kann beispielsweise dadurch ge
schehen, daß der Querschnitt der Innenelektrode sternförmig ausgebil
det wird und die einzelnen Arme in Richtung der Außenelektroden orien
tiert werden. Auf diese Weise wird das Volumen des Entladungsgefäßes
besonders effizient zur Strahlungserzeugung ausgenutzt.
Die Form des Entladungsgefäßes ist prinzipiell nicht zwingend vorgege
ben. Je nach Anwendungszweck müssen die Gefäßwände aus Materia
lien bestehen, die für die gewünschte Strahlung die notwendige Trans
parenz aufweisen. Als dielektrische Barrieren eignen sich für die ver
wendete Hochspannung durchschlagfeste elektrisch isolierende Mate
rialien, wie z. B. Glas, Quarzglas, Al2O3, MgF2, LiF, BaTiO3, usw.
Die spektrale Zusammensetzung der Strahlung hängt im wesentlichen
von der Gasfüllung ab und kann beispielsweise im sichtbaren, im IR-
oder im UV-Bereich liegen. Als Gasfüllung eignen sich u. a. Edelgase
und deren Mischungen, Mischungen von Edelgasen mit Halogenen oder
Metalldämpfen. Insbesondere die aufgrund der erfindungsgemäßen
Betriebsweise sehr effiziente UV-Erzeugung in Excimer-Entladungen
eröffnet das weite Anwendungsfeld der UV-Hochleistungsstrahler, das
beispielsweise in der EP-A 0 482 230 erwähnt ist. Dazu gehören unter
anderem photochemische Prozesse wie das Härten von Lacken, das
Verändern von Oberflächen, der Abbau von Schadstoffen in der Um
welttechnik und das Entkeimen von Trinkwasser o. ä. durch UV-Strah
lung. Eine andere bevorzugte Anwendung ist die Beleuchtung, indem
die UV-Strahlung mittels geeigneter Leuchtstoffe in den sichtbaren Be
reich des elektromagnetischen Spektrums konvertiert wird.
Die Vorteile der Erfindung sind: es ist keine äußere Strombegrenzung
erforderlich, die Lampe ist dimmbar, der Parallelbetrieb mehrerer Lampen
ist an nur einer Spannungsversorgung möglich und es wird eine hohe
Effizienz der Strahlungserzeugung bei gleichzeitig in der Lichttechnik er
forderlichen Leistungsdichten erzielt.
In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird das Entla
dungsgefäß mit einer Leuchtstoffschicht versehen, um das bei der Ent
ladung erzeugte Licht in besonders geeignete Spektralbereiche zu
transferieren. Eine Leuchtstoffbeschichtung läßt sich sowohl bei Nieder
druck- als auch bei Hochdrucklampen einsetzen. Es können hierbei an
sich bekannte Leuchtstoffe bzw. Mischungen verwendet werden. Be
sonders gut bewährt hat sich für Leuchtstofflampen eine Kombination
aus blau, grün und rot emittierenden Leuchtstoffen. Ein geeigneter blau
er Leuchtstoff ist insbesondere das mit zweiwertigem Europium akti
vierte Bariummagnesiumaluminat (BaMgAl10O17: Eu2+). Als Grün
komponente können insbesondere Terbium- oder Mangan-aktivierte
Leuchtstoffe verwendet werden. Beispiele sind Terbiumaktiviertes Yttri
umoxidsilikat (Y2SiO5: Tb) oder Lanthanphosphat (LaPO4: Tb) bzw. mit
zweiwertigem Mangan aktiviertes Zinksilikat (Zn2SiO4: Mn) oder Ma
gnesiumaluminat (MgAl2O4: Mn). Vorteilhafte Rotkomponenten finden
sich unter den mit dreiwertigem Europium aktivierten Leuchtstoffen, wie
z. B. Yttriumoxid (Y2O3: Eu3+) oder den Boraten des Yttrium und/oder
Gadolinium. Im einzelnen handelt es sich dabei um YBO3: Eu3+, Gd-
BO3: Eu3+ und das gemischte Borat (Gd,Y)BO3: Eu3+.
Für Lampen warmer Lichtfarbe kann - entsprechend der bei üblichen
Leuchtstofflampen vorbekannten Vorgehensweise - der Anteil der
Blaukomponente vermindert oder ggf. ganz weggelassen werden.
Für Lampen mit speziellen Farbwiedergabeeigenschaften eigenen sich
Komponenten, die im blaugrünen Spektralbereich emittieren, z. B.
Leuchtstoffe die mit zweiwertigem Europium aktiviert sind. Für diese
Anwendung ist Strontiumborophosphat Sr6BP5O20: Eu2+ bevorzugt.
Die Erfindung schafft insbesondere einen Durchbruch auf dem Gebiet
der Leuchtstofflampen. Erstmals ist es gelungen, bei der Füllung auf
Quecksilber zu verzichten und trotzdem Wirkungsgrade zu erzielen, die
denen von konventionellen Leuchtstofflampen entsprechen. Im Ver
gleich zu konventionellen Leuchtstofflampen ergeben sich dadurch noch
folgende zusätzliche Vorteile: ein problemloser Kaltstart ist möglich,
ohne daß ein Einfluß der Umgebungstemperatur auf den Lichtstrom und
ohne daß Kolbenschwärzung auftritt; es sind keine die Lebensdauer be
grenzenden Elektroden (z. B. Glühkathoden mit Emitterpaste), keine
Schwermetalle und keine radioaktive Bauteile (Glimmzünder) erforder
lich.
Die Erfindung wird im folgenden anhand einiger Ausführungsbeispiele
näher erläutert. Es zeigen, stark schematisiert,
Fig. 1 die teilweise geschnittene Längsansicht einer erfindungsge
mäßen Ausführungsform einer Entladungslampe in Stabform,
die nach dem neuen Verfahren betrieben werden kann,
Fig. 2a den Querschnitt entlang A-A der in Fig. 1 gezeigten Entla
dungslampe,
Fig. 2b den Querschnitt einer weiteren Ausführungsform einer erfin
dungsgemäßen Entladungslampe,
Fig. 2c den Querschnitt einer weiteren Ausführungsform einer erfin
dungsgemäßen Entladungslampe,
Fig. 3a eine schematische Darstellung der erfindungsgemäß bevor
zugten Form der Spannung zwischen Kathode und Anode der
in Fig. 1 gezeigten einseitig dielektrisch behinderten Entla
dungslampe,
Fig. 3b eine schematische Darstellung einer Form der Spannung, die
nur für den erfindungsgemäßen Betrieb beidseitig dielektrisch
behinderter Entladungslampen verwendet werden kann,
Fig. 4a die teilweise geschnittene Draufsicht einer weiteren erfin
dungsgemäßen Ausführungsform einer Entladungslampe in
Form eines Flächenstrahlers, die nach dem neuen Verfahren
betrieben werden kann,
Fig. 4b den Querschnitt der in Fig. 4a gezeigten Entladungslampe,
Fig. 5a die Seitenansicht einer weiteren erfindungsgemäßen Ausfüh
rungsform einer Entladungslampe in Form einer konventionel
len Lampe mit Edison-Schraubsockel, die nach dem neuen
Verfahren betrieben werden kann,
Fig. 5b den Querschnitt entlang A-A der in Fig. 5a gezeigten Entla
dungslampe,
Fig. 6a eine schematische Darstellung einiger unipolarer Formen er
findungsgemäßer Spannungspulse UP(t) mit negativen Wer
ten,
Fig. 6b eine schematische Darstellung einiger bipolarer Formen er
findungsgemäßer Spannungspulse UP(t),
Fig. 6c eine schematische Darstellung einiger erfindungsgemäßer
Formen von Spannungspulsen UP(t), erzeugt durch Kombi
nation einzelner Elemente aus Fig. 6a und 6b.
Anhand von Fig. 1 läßt sich die Erfindung in einer besonders einfachen
Ausführungsform erläutern. Gezeigt ist eine Mitteldruck-Entladungs
lampe 1 in teilweise geschnittener Längsansicht, die mit Xenon bei ei
nem Druck von 150 Torr gefüllt ist. Innerhalb des eine Längsachse defi
nierenden zylindrischen Entladungsgefäßes 2 aus Natronkalkglas mit
einer Länge von 500 mm und einem Durchmesser von 24 mm befindet
sich eine achsparallele Innenelektrode 3 in Gestalt eines Wolframstabs
mit 2,2 mm Durchmesser. Außerhalb des Entladungsgefäßes 2 befindet
sich eine Außenelektrode, die aus zwei 2 mm breiten, dicht anliegenden
Streifen 4a, b aus Aluminiumfolie besteht, die achsparallel angeordnet
und mit Massepotential leitend verbunden sind. Die einzelnen
Aluminiumstreifen 4a, b können, wie in vorliegendem Ausfüh
rungsbeispiel gezeigt, durch einen Metallring miteinander verbunden
und mit einem gemeinsamen Massepunkt kontaktiert sein. Dabei ist
darauf zu achten, daß der Metallring ausreichend schmal geformt ist, um
die Entladung nicht zu stören. In einem weiteren Ausführungsbeispiel
können die Aluminiumstreifen 4a, b auch separat mit dem Massepoten
tial verbunden sein. Die Innenelektrode 3 ist mit einer bügelförmigen
Stromzuführung 14 elektrisch leitend kontaktiert. Die Stromzuführung 14
ist über eine Quetschung 15 nach außen geführt, die mittels einer Tel
lereinschmelzung 16 mit dem Entladungsgefäß 2 gasdicht verbunden
ist.
Fig. 2a zeigt den Querschnitt der Entladungslampe aus Fig. 1. Die In
nenelektrode 3 ist zentrisch angeordnet, wobei auf der Außenwandung
des Entladungsgefäßes 2 zwei Elektroden 4a, b, symmetrisch auf dem
Umfang der Außenwandung verteilt, angeordnet sind.
Der prinzipielle Aufbau der erforderlichen Spannungsversorgung zum
erfindungsgemäßen Betrieb der Entladungslampe 1 ist ebenfalls in
Fig. 1 schematisch dargestellt. Der Impulszug, d. h. die Form und Dauer
der Spannungspulse und die Dauer der Totzeiten werden in einem Im
pulsgenerator 10 erzeugt und durch einen nachfolgenden Leistungsver
stärker 11 verstärkt. Der Impulszug ist schematisch so dargestellt, wie er
an der Innenelektrode 3 anliegt. Ein Hochspannungstransformator 12
transformiert das Signal des Leistungsverstärkers 11 auf die erforderli
che Hochspannung.
Die Lampe wird mit gepulster Gleichspannung betrieben. Es handelt
sich um negative Rechteckpulse gemäß Fig. 3a. Sie besitzen folgende
Parameter: Pulszeit TP = 2 µs, Totzeit TO = 25 µs, Spannungsamplitude
UP während TP: -3 kV und Spannungsamplitude UO während TO: 0 kV.
Die Innenwand des Entladungsgefäßes ist zusätzlich mit einer Leucht
stoffschicht 6 beschichtet. Die in diesem Ausführungsbeispiel von der
Entladung bevorzugt emittierte UV-Strahlung wird damit in den sichtba
ren Bereich des optischen Spektrums konvertiert, so daß die Lampe
insbesondere für Beleuchtungszwecke geeignet ist. Es handelt sich da
bei um einen Dreibandenleuchtstoff mit folgenden Komponenten: die
Blaukomponente ist BaMgAl10O17: Eu2+, die Grünkomponente ist
Y2SiO5: Tb und die Rotkomponente ist Y2O3: Eu3+. Damit wird eine
Lichtausbeute von 37 lm/W erzielt. Als Farbwiedergabeeigenschaft
konnte bei einer Farbtemperatur von 4000 K ein Ra < 80 erreicht wer
den. Die mit Hilfe des Leuchtstoffs ermittelte VUV-Ausbeute beträgt
65%.
Ein weiters Ausführungsbeispiel zeigt Fig. 2b. Die Innenelektrode 3′ ist
azentrisch in der Nähe der Innenwandung und parallel zur Längsachse
des zylinderförmigen Entladungsgefäßes 2 angeordnet, wobei die
Außenelektrode 4′ diametral gegenüberliegend auf der Außenwandung
fixiert wird. Diese Anordnung ist besonders vorteilhaft bei zylinder
förmigen Entladungsgefäßen mit kleinem Querschnitt, da sich einerseits
die Entladung diamentral innerhalb des Entladungsgefäßes erstreckt
und andererseits die Außenwand nur mit einem Aluminiumstreifen als
Außenelektrode bedeckt ist, d. h. die abstrahlende Fläche nicht wie in
Fig. 2a durch eine zweite Außenelektrode weiter verringert wird.
In einem weiteren Ausführungsbeispiel in Fig. 2c ist wie in Fig. 2a die
Innenelektrode 3 zentrisch innerhalb des Entladungsgefäßes 2 ange
ordnet. Symmetrisch auf dem Umfang der Außenwand des Entladungs
gefäßes 2 verteilt sind vier Außenelektroden 4′a, 4′b, 4′d, 4′e angebracht,
so daß sich diese Konfiguration insbesondere für Entladungsgefäße mit
großem Querschnitt und damit großer Mantelfläche eignet. Dadurch
brennt die Entladung nicht nur in einer ersten Ebene wie in Fig. 2a bzw.
Fig. 2b, sondern noch in einer weiteren zweiten Ebene, wodurch das Vo
lumen des Entladungsgefäßes 2 noch besser zur Strahlungserzeugung
ausgenutzt wird, als dies in den Ausführungsbeispielen von Fig. 2a und
Fig. 2b der Fall ist.
In Fig. 3a ist schematisch eine für die einseitig dielektrisch behinderte
Entladung erfindungsgemäß bevorzugte Pulsform der Spannung zwi
schen Innenelektrode (Kathode) und Außenelektrode (Anode) gezeigt.
Die Spannungsform kann von der Form des Ausführungsbeispiels in
Fig. 3a abweichen, solange die Spannungspulse an der Innenelektrode
mit negativen Vorzeichen beginnen und durch Totzeiten getrennt sind.
In Fig. 3b ist schematisch eine Pulsform gezeigt, deren Polarität von
Puls zu Puls wechselt. Sie ist nur für die zweiseitig dielektrisch behin
derte Entladung geeignet, wobei der erste Puls mit beliebiger Polarität
beginnen kann.
In Fig. 4a ist die Draufsicht und in Fig. 4b der Querschnitt einer weiteren
Ausführungsform einer einseitig dielektrisch behinderten Entladungs
lampe gezeigt, die nach dem neuen Verfahren betrieben werden kann.
Es handelt sich um einen Flächenstrahler, der eine obere Abstrahlflä
che 7a und eine dazu parallele untere Abstrahlfläche 7b besitzt, zu der
die Innenelektroden 3 und die Außenelektroden 4 senkrecht orientiert
sind und abwechselnd so angeordnet sind, daß eine Vielzahl paralleler
Entladungskammern 8 entstehen. Jeweils benachbarte Außen- und In
nenelektroden sind durch eine dielektrische Schicht und eine gasgefüllte
Entladungskammer 8, benachbarte Innenelektroden nur durch eine
dielektrische Schicht getrennt. Das erfindungsgemäße Betriebsverfahren
gestattet dabei die elektrische Speisung mehrerer parallel geschalteter
Entladungskammern 8 mit nur einer einzigen Spannungsversorgung 13.
Die Innenwand des Entladungsgefäßes ist mit einer Leuchtstoffschicht 6
beschichtet. Der Flächenstrahler ist ebenso durch Zusammenfügen von
zweiseitig dielektrisch behinderten Entladungskammern realisierbar.
In Fig. 5a ist die Seitenansicht und in Fig. 5b der Querschnitt einer wei
teren Ausführungsform einer Entladungslampe gezeigt. Sie ähnelt in ih
rer äußeren Form konventionellen Lampen mit Edison-Sockel 9 und
kann nach dem neuen Verfahren betrieben werden. Innerhalb des Entla
dungsgefäßes 2 ist eine längliche Innenelektrode 3 zentrisch angeord
net, deren Querschnitt der Form eines symmetrischen Kreuzes ent
spricht. Auf der Außenwandung des Entladungsgefäßes 2 sind vier Au
ßenelektroden 4′a, 4′b, 4′d, 4′e so angebracht, daß sie den vier Längssei
ten der Innenelektrode 3 gegenüberstehen und die Entladungsstruktu
ren somit im wesentlichen in zwei Ebenen brennen, die senkrecht auf
einander stehen und sich in der Lampenlängsachse schneiden.
In einer weiteren bevorzugten Variante der obigen Ausführungsform ist
der Querschnitt der Innenelektrode auch kreis- oder sternförmig, wobei
im zweiten Fall die Wertigkeit der Sternsymmetrie die Anzahl der Au
ßenelektroden und damit der Ebenen festlegt, in denen eine Entladung
brennt. Die Innenwand des Entladungsgefäßes ist mit einer Leuchtstoff
schicht 6 beschichtet.
In einer besonders bevorzugten Variante der obigen Ausführungsform
besteht die Innenelektrode aus mehreren kreisförmig angeordneten
Stangen, die nur an den Stirnflächen miteinander verbunden sind. Die
Anzahl der äußeren dielektrisch behinderten Elektroden ist gleich der
Anzahl der Stangen, wobei jeder Stange jeweils eine Außenelektrode
diametral gegenüberliegend zugeordnet ist. Der Vorteil dieser Ausfüh
rungsform besteht in der erhöhten Transparenz der Innenelektrode für
die UV-Strahlung.
Die Erfindung ist nicht auf die gezeigten Ausführungsbeispiele be
schränkt. Insbesondere können einzelne Merkmale verschiedener Aus
führungsbeispiele in geeigneter Weise miteinander kombiniert werden.
Claims (34)
1. Verfahren zum Betreiben einer inkohärent strahlenden Lichtquelle,
insbesondere einer Entladungslampe (1), wobei ein elektrisch
nichtleitendes abgedichtetes und zumindest teilweise transparentes
Entladungsgefäß (2) mit einer Gasfüllung (5) gefüllt ist, mindestens
zwei Elektroden (3, 4) in der Nähe der Gasfüllung (5) angebracht
sind und die Elektroden (3, 4) mittels Zuleitungen mit einer
elektrischen Energieversorgung verbunden sind, wobei die Entla
dung dielektrisch behindert ist, so daß zwischen mindestens einer
Elektrode und der Gasfüllung (5) eine dielektrische Schicht ange
ordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrische Energiever
sorgung zwischen den Elektroden (3, 4) eine Folge von n Span
nungspulsen mit zeitabhängigen Spannungsamplituden UPn(t) mit
der Dauer TPn liefert, die durch Totzeiten der Dauer TOn mit den
Spannungsamplituden UOn(t) voneinander getrennt sind, wobei die
Bedingung erfüllt wird, daß die zeitlichen Mittelwerte der Beträge der
Spannungsamplituden UPn(t) wesentlich größer als die zeitlichen
Mittelwerte der Beträge der Spannungsamplituden UOn(t) sind, wo
bei während der Dauern TPn die Spannungsamplituden UPn(t) so
gewählt werden, daß elektrische Wirkleistung in das Entladungsgas
eingekoppelt wird, wohingegen während der Totzeiten TOn die
Spannungsamplituden UOn(t) so gewählt werden, daß die Gasfül
lung (5) in einen Zustand zurückkehren kann, der dem Zustand vor
den jeweiligen Wirkleistungseinkopplungen entspricht.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß während
der Dauer TPn für die Spannungsamplituden UP zwischen den Elek
troden (3, 4) Werte gewählt werden, die auf die Wiederzündspan
nung der Entladung abgestimmt sind.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dau
ern TOn und TPn auf den Fülldruck, die Art der Füllung, die Schlag
weite, die Dielektrika und die Elektrodenkonfiguration abgestimmt
sind.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Dauer TPn im Bereich zwischen 0,01 µs und 10 µs oder mehr liegt.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Pro
dukt aus Dauer TOn und Fülldruck im Bereich zwischen 10 ms·Pa
und 10 s·Pa liegt.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Am
plituden des Spannungspulses UP(t) auf den Fülldruck, die Art der
Füllung, die Schlagweite, die Dielektrika und die Elektrodenkonfi
guration abgestimmt sind.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Am
plituden UPn(t) der Spannungspulse im Bereich zwischen 0,01 und
1 V pro cm Schlagweite und Pascal Fülldruck liegt.
8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Spannungspulse UPn(t) unipolar oder bipolar sind und sich aus ei
ner oder mehrerer der folgenden Grundformen direkt oder näheru
ngsweise zusammensetzen: dreieckförmig, rechteckförmig, trapez
förmig, stufenförmig, bogenförmig, parabelförmig, sinusförmig.
9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der zeitli
che Verlauf UP(t) der angelegten Spannung einem regelmäßigen
Muster folgt.
10. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dau
ern TOn so gewählt werden, daß der zeitliche Mittelwert des Volu
mens einer einzelnen Entladungsstruktur maximal wird derart, daß
die Elektronendichte sowie Elektronenenergieverteilungsfunktion
Werte annehmen, die die Verlustprozesse minimieren.
11. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß zumindest eine erste Elektrode (4) außerhalb und
mindestens eine zweite Elektrode (3) innerhalb des Entladungsge
fäßes (2) angeordnet ist.
12. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß zwei Elektroden außerhalb des Gasraumes angeord
net sind.
13. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die
zweite Elektrode (3) in bezug auf das Entladungsgefäß (2) mittig an
geordnet ist.
14. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die
zweite Elektrode (3) in bezug auf das Entladungsgefäß (2) azentri
sch angeordnet ist.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 11, 13 und 14, dadurch ge
kennzeichnet, daß auch die im Gasraum befindlichen Elektroden (3)
durch eine dielektrische Wandung von der Gasfüllung (5) getrennt
sind.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 11, 13 und 14 dadurch ge
kennzeichnet, daß die Spannungsamplituden UPn(t) der dielektrisch
unbehinderten Elektroden gemessen gegen die dielektrisch be
hinderte(n) während der Leistungseinkopplung mit negativen Werten
beginnen.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 11, 13 und 14 dadurch ge
kennzeichnet, daß die Spannungsamplituden UPn(t) der dielektrisch
unbehinderten Elektroden gemessen gegen die dielektrisch be
hinderte(n) während der Leistungseinkopplung ausschließlich nega
tiv sind.
18. Verfahren nach Anspruch 12 und 15, dadurch gekennzeichnet, daß
zwischen zweiseitig dielektrisch behinderten Elektroden Span
nungspulse mit wechselnder Polarität angelegt sind.
19. Verfahren nach Anspruch 12 und 15, dadurch gekennzeichnet, daß
zwischen zweiseitig dielektrisch behinderten Elektroden bipolare
Spannungspulse angelegt sind.
20. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die den Gasraum begrenzenden Wände mindestens
teilweise mit einem Leuchtstoff (6) beschichtet sind.
21. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Gasfüllung (5) entweder mindestens ein Edelgas
oder Edelgasmischungen oder eine der folgenden Mischungen ent
hält: Edelgas-Halogen, Edelgas-Metalldampf, Edelgas-Wasserstoff
bzw. Edelgas-Deuterium, Edelgas-Sauerstoff, Edelgas-Stickstoff,
bzw. mindestens ein Edelgas und einen weiteren Zusatz, wobei
dieser Zusatz als Lieferant von atomarem Halogen, Sauerstoff,
Stickstoff oder Wasserstoff dient.
22. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in der
Entladung Excimere gebildet werden.
23. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß der
Gasfüllung (5) eine der folgenden Substanzen zugesetzt ist: Schwe
fel, Zink, Arsen, Selen, Cadmium oder Quecksilber.
24. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 23, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Gasfüllung aus einer der folgenden Substanzen
oder einem Gemisch dieser Substanzen enthält: Stickstoff, Queck
silber, Selen, Deuterium.
25. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Betriebsdruck der Gasfüllung (5) zwischen 1 kPa
und 3 MPa beträgt.
26. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß das
Entladungsgefäß (2) aus einem Rohr besteht, in dessen Längsach
se eine Innenelektrode (3) angeordnet ist und auf dessen Außen
wandung mindestens eine Außenelektrode (4) angebracht ist.
27. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß das
Entladungsgefäß (2) eine flächige quaderförmige Struktur hat, die
durch Seitenflächen und zwei Deckflächen begrenzt wird, durch
welche die Abstrahlung im wesentlichen erfolgt, wobei senkrecht zu
den Deckflächen Innen- und Außenelektroden (3) bzw. (4) so ange
ordnet sind, daß eine Vielzahl paralleler Entladungskammern (8)
entsteht, die in einer Ebene angeordnet sind, die parallel zur Ab
strahlebene, d. h. den Deckflächen der flächigen quaderförmigen
Struktur ist, wobei die jeweils benachbarten Elektroden (3, 4) mit
unterschiedlichem elektrischen Potential durch eine gasgefüllte Ent
ladungskammer (8) und eine dielektrische Schicht getrennt sind.
28. Verfahren nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, daß die
Elektroden durch dielektrische Schichten vom gasgefüllten Entla
dungsraum getrennt sind.
29. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß das
Entladungsgefäß (2) im wesentlichen zylinderförmig ist und an ei
nem Ende mit einem Sockel (9) versehen ist, in dem ein elektrisches
Vorschaltgerät integriert ist, wobei innerhalb des Entladungs
gefäßes (2) eine zentrische längliche Innenelektrode (3) mit einem
sternförmigen Querschnitt angeordnet ist und den einzelnen Rippen
der sternförmigen Innenelektrode (3) jeweils radial gegenüber
liegend auf der Außenwand des Entladungsgefäßes (2) Außen
elektroden (4) zugeordnet sind.
30. Verfahren nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß das
Entladungsgefäß im wesentlichen zylinderförmig ist und an einem
Ende mit einem Sockel versehen ist, in dem das elektrische Vor
schaltgerät integriert ist, wobei sich innerhalb des Entladungsgefä
ßes eine zentrische, längliche Innenelektrode befindet, die aus meh
reren kreisförmig angeordneten Stangen bzw. Drähten besteht, die
nur an den Stirnflächen miteinander verbunden sind, wobei die An
zahl der äußeren dielektrisch behinderten Elektroden gleich der An
zahl der Stangen ist, wobei jeweils eine innere Stange und eine äu
ßere dielektrisch behinderte Elektrode gegenüberliegen.
31. Verfahren nach Anspruch 30, dadurch gekennzeichnet, daß die In
nenelektrode (3) einen kreisförmigen Querschnitt besitzt.
32. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Gesamtdruck der Gasfüllung (5) innerhalb eines
Druckbereiches so gewählt ist, wie er für eine Mitteldruckgasentla
dung charakteristisch ist.
33. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Gesamtdruck der Gasfüllung (5) innerhalb eines
Druckbereiches so gewählt ist, wie er für eine Hochdruckgasentla
dung charakteristisch ist.
34. Verfahren nach Anspruch 1 bis 33 dadurch gekennzeichnet, daß die
Elektroden äußerlich derart strukturiert sind, daß sich die dielektrisch
behinderte Entladung bevorzugt an Stellen ausbildet, denen sie
nicht ausweichen kann.
Priority Applications (26)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4311197A DE4311197A1 (de) | 1993-04-05 | 1993-04-05 | Verfahren zum Betreiben einer inkohärent strahlenden Lichtquelle |
HU9502905A HU215307B (hu) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | Eljárás inkoherens fényt kibocsátó fényforrás működtetésére |
KR1019950704400A KR100299151B1 (ko) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | 비간섭성방출방사원의동작방법 |
DE59410196T DE59410196D1 (de) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | Leuchtstoffe fuer Beleuchtungszwecke |
JP52154694A JP3714952B2 (ja) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | 誘電体妨害放電蛍光ランプ |
JP52154594A JP3298886B2 (ja) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | インコヒーレント放出放射源の作動方法 |
US08/525,757 US5714835A (en) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | Xenon excimer radiation source with fluorescent materials |
CN94191696A CN1066854C (zh) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | 放电灯的运行方法 |
EP00121142A EP1078972B1 (de) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | Leuchtstofflampe für Beleuchtungszwecke |
CA002155340A CA2155340C (en) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | Method to operate an incoherently emitting radiation source |
EP00124154A EP1076084B1 (de) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | Leuchtstoffe fuer Beleuchtungszwecke |
DE59410172T DE59410172D1 (de) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | Leuchtstoffe für beleuchtungszwecke |
CZ19952421A CZ286740B6 (en) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | Operation process of non-coherently radiating radiation source |
US08/491,872 US5604410A (en) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | Method to operate an incoherently emitting radiation source having at least one dielectrically impeded electrode |
EP94911105A EP0738311B1 (de) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | Leuchtstoffe für beleuchtungszwecke |
CA002159906A CA2159906C (en) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | Fluorescent materials for illumination purpose |
DE59410414T DE59410414D1 (de) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | Leuchtstofflampe für Beleuchtungszwecke |
DE59405921T DE59405921D1 (de) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | Verfahren zum betreiben einer inkohärent emittierenden strahlungsquelle |
PCT/DE1994/000382 WO1994022975A1 (de) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | Leuchtstoffe für beleuchtungszwecke |
EP94911103A EP0733266B1 (de) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | Verfahren zum betreiben einer inkohärent emittierenden strahlungsquelle |
PCT/DE1994/000380 WO1994023442A1 (de) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | Verfahren zum betreiben einer inkohärent emittierenden strahlungsquelle |
HK98109427A HK1008759A1 (en) | 1993-04-05 | 1998-07-28 | Process for operating an incoherently emitting radiation source |
JP2001347842A JP3715231B2 (ja) | 1993-04-05 | 2001-11-13 | インコヒーレント放出放射源の作動方法 |
JP2004162737A JP2004296446A (ja) | 1993-04-05 | 2004-06-01 | 蛍光ランプ |
JP2004162736A JP2004303737A (ja) | 1993-04-05 | 2004-06-01 | 蛍光ランプ |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE59405921T Expired - Lifetime DE59405921D1 (de) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | Verfahren zum betreiben einer inkohärent emittierenden strahlungsquelle |
DE59410414T Expired - Lifetime DE59410414D1 (de) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | Leuchtstofflampe für Beleuchtungszwecke |
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Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5714835A (de) |
EP (4) | EP1078972B1 (de) |
JP (6) | JP3298886B2 (de) |
KR (1) | KR100299151B1 (de) |
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CA (2) | CA2159906C (de) |
CZ (1) | CZ286740B6 (de) |
DE (5) | DE4311197A1 (de) |
HU (1) | HU215307B (de) |
WO (2) | WO1994022975A1 (de) |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996036066A1 (de) * | 1995-05-12 | 1996-11-14 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Entladungslampe und verfahren zum betreiben derartiger entladungslampen |
DE19526211A1 (de) * | 1995-07-18 | 1997-01-23 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Verfahren zum Betreiben von Entladungslampen bzw. -strahler |
DE19636965A1 (de) * | 1996-09-11 | 1998-03-12 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Elektrische Strahlungsquelle und Bestrahlungssystem mit dieser Strahlungsquelle |
DE19651552A1 (de) * | 1996-12-11 | 1998-06-18 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Kaltkathode für Entladungslampen, Entladungslampe mit dieser Kaltkathode und Betriebsweise für diese Entladungslampe |
DE19718395C1 (de) * | 1997-04-30 | 1998-10-29 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Leuchtstofflampe und Verfahren zu ihrem Betrieb |
DE19817480A1 (de) * | 1998-03-20 | 1999-09-23 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Flachstrahlerlampe fpr dielektrisch behinderte Entladungen mit Abstandshaltern |
DE19817476A1 (de) * | 1998-04-20 | 1999-11-04 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Leuchtstofflampe mit Abstandshaltern und lokal verdünnter Leuchtstoffschichtdicke |
WO2000019487A1 (de) * | 1998-09-29 | 2000-04-06 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Entladungslampe für dielektrisch behinderte entladungen mit verbesserter elektrodenkonfiguration |
DE19844720A1 (de) * | 1998-09-29 | 2000-04-06 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Dimmbare Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen |
WO2000021116A1 (de) * | 1998-10-01 | 2000-04-13 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Dimmbare entladungslampe für dielektrisch behinderte entladungen |
WO2002027747A1 (de) * | 2000-09-29 | 2002-04-04 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Dielektrische barriere-entladungslampe |
US6380669B1 (en) | 1997-12-23 | 2002-04-30 | Patent-Treuhand-Gesellschaft Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Signaling lamp with phosphor excitation in the VUV range and having specified phosphor mixtures |
US6388374B1 (en) | 1997-12-12 | 2002-05-14 | Patent-Treuhand-Gesellschaft Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Signal lamp having a flat reflector lamp with locally modulated luminance |
EP1519407A2 (de) * | 2003-08-06 | 2005-03-30 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | UV-Strahler mit rohrförmigem Entladungsgefäss |
DE102007006861B3 (de) * | 2007-02-12 | 2008-05-29 | Universität Karlsruhe (Th) | Transparente Strahlungsquelle und Verfahren zur Strahlungserzeugung |
DE102012018854A1 (de) * | 2012-09-25 | 2014-03-27 | Berger GmbH & Co.KG | Flächige Gasentladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen |
US9196800B2 (en) | 1996-06-26 | 2015-11-24 | Osram Gmbh | Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element |
Families Citing this family (450)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6153971A (en) * | 1995-09-21 | 2000-11-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light source with only two major light emitting bands |
DE19543342A1 (de) * | 1995-11-22 | 1997-05-28 | Heraeus Noblelight Gmbh | Verfahren und Strahlungsanordnung zur Erzeugung von UV-Strahlen zur Körperbestrahlung sowie Verwendung |
DE19548003A1 (de) | 1995-12-21 | 1997-06-26 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Schaltungsanordnung zur Erzeugung von Impulsspannungsfolgen, insbesondere für den Betrieb von dielektrisch behinderten Entladungen |
JP3277788B2 (ja) * | 1996-01-16 | 2002-04-22 | ウシオ電機株式会社 | 放電ランプ点灯装置 |
JP3546610B2 (ja) * | 1996-09-20 | 2004-07-28 | ウシオ電機株式会社 | 誘電体バリア放電装置 |
JP3355976B2 (ja) * | 1997-02-05 | 2002-12-09 | ウシオ電機株式会社 | 放電ランプ点灯装置 |
DE19711892A1 (de) | 1997-03-21 | 1998-09-24 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Flachstrahler |
WO1998043277A2 (de) | 1997-03-21 | 1998-10-01 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Flachleuchtstofflampe für die hintergrundbeleuchtung und flüssigkristallanzeige-vorrichtung mit dieser flachleuchtstofflampe |
DE19711893A1 (de) | 1997-03-21 | 1998-09-24 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Flachstrahler |
US5998921A (en) * | 1997-03-21 | 1999-12-07 | Stanley Electric Co., Ltd. | Fluorescent lamp with coil shaped internal electrode |
CN1183807C (zh) | 1997-07-22 | 2005-01-05 | 电灯专利信托有限公司 | 包括介电隔离放电灯和脉冲电压序列产生电路的照明系统 |
DE19734885C1 (de) * | 1997-08-12 | 1999-03-11 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Verfahren zum Erzeugen von Impulsspannungsfolgen für den Betrieb von Entladungslampen und zugehörige Schaltungsanordnung |
DE19734883C1 (de) * | 1997-08-12 | 1999-03-18 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Verfahren zum Erzeugen von Impulsspannungsfolgen für den Betrieb von Entladungslampen und zugehörige Schaltungsanordnung |
EP1030339B1 (de) * | 1997-11-06 | 2004-05-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Lumineszenzmittel, pulverförmiges lumineszenzmittel, plasma-anzeigetafel und herstellungsverfahren dersleben |
US6045721A (en) * | 1997-12-23 | 2000-04-04 | Patent-Treuhand-Gesellschaft Fur Elekrische Gluhlampen Mbh | Barium magnesium aluminate phosphor |
JP3353684B2 (ja) * | 1998-01-09 | 2002-12-03 | ウシオ電機株式会社 | 誘電体バリア放電ランプ光源装置 |
JP3521731B2 (ja) | 1998-02-13 | 2004-04-19 | ウシオ電機株式会社 | 誘電体バリア放電ランプ光源装置 |
DE19811520C1 (de) * | 1998-03-17 | 1999-08-12 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Entladungen |
DE19817477A1 (de) * | 1998-04-20 | 1999-10-21 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Leuchtstofflampe mit auf die geometrische Entladungsverteilung abgestimmter Leuchtstoffschichtdicke |
DE19817475B4 (de) * | 1998-04-20 | 2004-04-15 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Elektroden sowie Beleuchtungssystem mit einer solchen Entladungslampe |
DE19826808C2 (de) * | 1998-06-16 | 2003-04-17 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Elektroden |
DE19826809A1 (de) * | 1998-06-16 | 1999-12-23 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Dielektrische Schicht für Entladungslampen und zugehöriges Herstellungsverfahren |
DE19839329A1 (de) | 1998-08-28 | 2000-03-09 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Elektronisches Vorschaltgerät für Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Entladungen |
DE19839336A1 (de) * | 1998-08-28 | 2000-03-09 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Elektronisches Vorschaltgerät für Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Entladungen |
DE19843419A1 (de) | 1998-09-22 | 2000-03-23 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Elektroden |
DE19844725A1 (de) * | 1998-09-29 | 2000-03-30 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Gasentladungslampe mit steuerbarer Leuchtlänge |
DE19905219A1 (de) | 1998-09-30 | 2000-08-31 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Flache Beleuchtungsvorrichtung |
DE69915030T2 (de) * | 1998-10-20 | 2004-11-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Plasma anzeigetafel |
DE19858810A1 (de) | 1998-12-21 | 2000-06-29 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Flache Beleuchtungsvorrichtung und Betriebsverfahren |
WO2000058998A1 (en) * | 1999-03-25 | 2000-10-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Lighting arrangement |
US6191539B1 (en) * | 1999-03-26 | 2001-02-20 | Korry Electronics Co | Fluorescent lamp with integral conductive traces for extending low-end luminance and heating the lamp tube |
DE19916877A1 (de) * | 1999-04-14 | 2000-10-19 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe mit Sockel |
DE19919169A1 (de) * | 1999-04-28 | 2000-11-02 | Philips Corp Intellectual Pty | Vorrichtung zur Desinfektion von Wasser mit einer UV-C-Gasentladungslampe |
DE19927791A1 (de) | 1999-06-18 | 2000-12-21 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Farbanzeige mit sequentieller Primärfarberzeugung |
DE19928438A1 (de) * | 1999-06-23 | 2000-12-28 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Verfahren zum Betrieb einer Entladungslampe |
DE69938465T2 (de) | 1999-10-18 | 2009-06-04 | Ushio Denki K.K. | Dielektrisch behinderte entladungslampe und lichtquelle |
DE19953531A1 (de) | 1999-11-05 | 2001-05-10 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe mit Elektrodenhalterung |
DE19955108A1 (de) * | 1999-11-16 | 2001-05-17 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe mit verbesserter Temperaturhomogenität |
DE19960053A1 (de) | 1999-12-13 | 2001-06-21 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Flache Beleuchtungsvorrichtung |
DE10005975A1 (de) * | 2000-02-09 | 2001-08-16 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Betriebsverfahren für eine Entladungslampe mit mindestens einer dielektrisch behinderten Elektrode |
DE10011484A1 (de) * | 2000-03-09 | 2001-09-13 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Verbessertes Pulsbetriebsverfahren für eine Stille Entladungslampe |
DE10014407A1 (de) * | 2000-03-24 | 2001-09-27 | Philips Corp Intellectual Pty | Niederdruckgasentladungslampe |
US6541924B1 (en) | 2000-04-14 | 2003-04-01 | Macquarie Research Ltd. | Methods and systems for providing emission of incoherent radiation and uses therefor |
AU2001250151B2 (en) * | 2000-04-14 | 2004-07-22 | Macquarie Research Ltd | Methods and systems for providing emission of incoherent radiation and uses therefor |
EP1279321A4 (de) * | 2000-04-14 | 2005-01-19 | Macquarie Res Ltd | Verfahren und systeme zur bereitstellung einer emission inkohärenter strahlung und verwendungen dafür |
CN100437889C (zh) | 2000-04-19 | 2008-11-26 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 高压放电灯 |
DE10023504A1 (de) * | 2000-05-13 | 2001-11-15 | Philips Corp Intellectual Pty | Edelgas-Niederdruck-Entladungslampe, Verfahren zum Herstellen einer Edelgas-Niederdruck-Entladungslampe Lampe sowie Verwendung einer Gasentladungslampe |
DE10026913A1 (de) * | 2000-05-31 | 2001-12-06 | Philips Corp Intellectual Pty | Gasentladungslampe mit Leuchtstoffschicht |
US6961441B1 (en) | 2000-09-29 | 2005-11-01 | General Electric Company | Method and apparatus for steganographic embedding of meta-data |
DE10048409A1 (de) | 2000-09-29 | 2002-04-11 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe mit kapazitiver Feldmodulation |
JP3818043B2 (ja) * | 2000-10-12 | 2006-09-06 | 株式会社日立製作所 | 緑色蛍光体およびそれを用いた画像表示装置 |
JP2002212553A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-07-31 | Kasei Optonix Co Ltd | 真空紫外線用燐酸ランタン蛍光体及び希ガス放電ランプ |
DE10104364A1 (de) * | 2001-02-01 | 2002-08-14 | Philips Corp Intellectual Pty | Plasmabildschirm mit einer Leuchtstoffschicht |
JP3471782B2 (ja) * | 2001-02-13 | 2003-12-02 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 平面型蛍光ランプユニット及びそれを用いた液晶表示装置 |
DE10111191A1 (de) | 2001-03-08 | 2002-09-19 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Verfahren mit Kontaktsystem |
DE10121095A1 (de) * | 2001-04-27 | 2002-10-31 | Philips Corp Intellectual Pty | Gasentladungslampe mit Down-Conversion-Leuchtstoff |
DE10122211A1 (de) | 2001-05-08 | 2002-11-14 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Flache Beleuchtungsvorrichtung mit Spiegelfläche |
US6861805B2 (en) * | 2001-05-08 | 2005-03-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Coil antenna/protection for ceramic metal halide lamps |
DE10126159A1 (de) * | 2001-05-30 | 2002-12-05 | Philips Corp Intellectual Pty | Gasentladungslampe mit Down-Conversion-Leuchtstoff |
DE10129630A1 (de) * | 2001-06-20 | 2003-01-02 | Philips Corp Intellectual Pty | Niederdruckgasentladungslampe mit Leuchtstoffbeschichtung |
DE10133326A1 (de) | 2001-07-10 | 2003-01-23 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Dielektrische Barrieren-Entladungslampe mit Zündhilfe |
DE10133411A1 (de) * | 2001-07-13 | 2003-01-23 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Verwendung eines UVA-Leuchtstoffs |
DE10133949C1 (de) * | 2001-07-17 | 2003-03-20 | Inst Niedertemperatur Plasmaph | Vorrichtung zur Erzeugung von Gasentladungen, die nach dem Prinzip der dielektrisch behinderten Entladung aufgebaut ist, für Lichtquellen und Sichtanzeigeeinrichtungen |
DE10134965A1 (de) * | 2001-07-23 | 2003-02-06 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Flache Entladungslampe |
DE10140355A1 (de) * | 2001-08-17 | 2003-02-27 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe mit Zündhilfe |
DE10140356A1 (de) * | 2001-08-17 | 2003-02-27 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Röhrförmige Entladungslampe mit Zündhilfe |
JP4727093B2 (ja) * | 2001-09-12 | 2011-07-20 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイ装置 |
US6891334B2 (en) | 2001-09-19 | 2005-05-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light source device and liquid crystal display employing the same |
TW558732B (en) * | 2001-09-19 | 2003-10-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Light source apparatus and liquid crystal display apparatus using the same |
DE10147961A1 (de) * | 2001-09-28 | 2003-04-10 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Dielektrische Barriere-Entladungslampe und Verfahren sowie Schaltunggsanordnung zum Zünden und Betreiben dieser Lampe |
US6806648B2 (en) * | 2001-11-22 | 2004-10-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light source device and liquid crystal display device |
US6906461B2 (en) * | 2001-12-28 | 2005-06-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light source device with inner and outer electrodes and liquid crystal display device |
DE10214156A1 (de) * | 2002-03-28 | 2003-10-09 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit gewellter Deckenplattenstruktur |
JP3889987B2 (ja) * | 2002-04-19 | 2007-03-07 | パナソニック フォト・ライティング 株式会社 | 放電灯装置及びバックライト |
DE10222100A1 (de) | 2002-05-17 | 2003-11-27 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Sockel |
JP2003336052A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイ装置 |
DE10236420A1 (de) * | 2002-08-08 | 2004-02-19 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit verbesserter Farbwiedergabe |
TWI230962B (en) * | 2002-08-30 | 2005-04-11 | Harison Toshiba Lighting Corp | Lighting device |
DE10254208A1 (de) * | 2002-11-20 | 2004-06-03 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Dielektrische Barriere-Entladungslampe und Verwendung dieser Lampe für die Röntgenbildbetrachtung |
US6827877B2 (en) * | 2003-01-28 | 2004-12-07 | Osram Sylvania Inc. | Red-emitting phosphor blend for plasma display panels |
JP3793880B2 (ja) * | 2003-02-06 | 2006-07-05 | 松永 浩 | 点灯装置 |
US6730458B1 (en) | 2003-03-03 | 2004-05-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for forming fine patterns through effective glass transition temperature reduction |
DE10312720A1 (de) * | 2003-03-21 | 2004-09-30 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Quetschdichtung |
US6831421B1 (en) | 2003-03-24 | 2004-12-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Shunt-induced high frequency excitation of dielectric barrier discharges |
EP1473348B1 (de) * | 2003-04-30 | 2007-03-21 | Centrum für Angewandte Nanotechnologie (CAN) GmbH | Lumineszente Kern-Mantel-Nanoteilchen |
DE10324832A1 (de) * | 2003-06-02 | 2004-12-23 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Entladungslampe mit Leuchtstoff |
DE10326755A1 (de) | 2003-06-13 | 2006-01-26 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Entladungslampe mit Zweibanden-Leuchtstoff |
US20060164830A1 (en) * | 2003-07-15 | 2006-07-27 | Thomas Justel | Colour tunable lighting element |
DE10347636A1 (de) * | 2003-10-09 | 2005-05-04 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe mit mindestens einer Außenelektrode und Verfahren zu ihrer Herstellung |
EP1683849A4 (de) * | 2003-10-21 | 2009-04-15 | Sumitomo Chemical Co | Fluoreszierendes material und paste daraus |
US7863816B2 (en) * | 2003-10-23 | 2011-01-04 | General Electric Company | Dielectric barrier discharge lamp |
JP3872472B2 (ja) * | 2003-11-12 | 2007-01-24 | 日亜化学工業株式会社 | 投写管用緑色発光イットリウムシリケート蛍光体及びそれを用いた投写管 |
DE10359882A1 (de) * | 2003-12-19 | 2005-07-14 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Schaltungsanordnung zum Betreiben von elektrischen Lampen |
DE102004020398A1 (de) * | 2004-04-23 | 2005-11-10 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Außenelektroden und Beleuchtungssystem mit dieser Lampe |
US11158768B2 (en) | 2004-05-07 | 2021-10-26 | Bruce H. Baretz | Vacuum light emitting diode |
US7196473B2 (en) * | 2004-05-12 | 2007-03-27 | General Electric Company | Dielectric barrier discharge lamp |
DE102004025266A1 (de) * | 2004-05-19 | 2005-12-08 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Beleuchtungssystem mit einem Gehäuse und einer darin angeordneten Flachlampe |
JP2008500422A (ja) * | 2004-05-27 | 2008-01-10 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Uv−a蛍光体を有する低圧水銀蒸気放電ランプ |
US7446477B2 (en) | 2004-07-06 | 2008-11-04 | General Electric Company | Dielectric barrier discharge lamp with electrodes in hexagonal arrangement |
US20060006804A1 (en) * | 2004-07-06 | 2006-01-12 | Lajos Reich | Dielectric barrier discharge lamp |
KR20060004791A (ko) * | 2004-07-08 | 2006-01-16 | 삼성코닝 주식회사 | 평판 램프 |
US7390437B2 (en) * | 2004-08-04 | 2008-06-24 | Intematix Corporation | Aluminate-based blue phosphors |
JP4575123B2 (ja) * | 2004-11-29 | 2010-11-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 誘電体バリア放電ランプ |
JP5244398B2 (ja) * | 2005-01-07 | 2013-07-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | セグメント化された誘電バリア放電ランプ |
CN101268539A (zh) * | 2005-03-30 | 2008-09-17 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 放电灯和用于为包括这种放电灯的显示设备提供背光照明的背光照明单元 |
DE102005034505A1 (de) | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Schaltungsanorndung mit transformatorlosem Wandler mit Drossel für den gepulsten Betrieb von dielektrischen Barriere-Entladungslampen |
KR100725763B1 (ko) | 2005-12-05 | 2007-06-08 | 주식회사 신안유브이 | 전계 자외선 방전등 |
US7495396B2 (en) * | 2005-12-14 | 2009-02-24 | General Electric Company | Dielectric barrier discharge lamp |
DE102006010791A1 (de) * | 2006-03-08 | 2007-09-13 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Beleuchtungssystem mit einer Flachlampe und einem Rahmen |
DE202006005212U1 (de) * | 2006-03-31 | 2006-07-20 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Beleuchtungssystem mit dielektrischer Barriere-Entladungslampe, Betriebsgerät und Verbindungskabel |
WO2007116331A1 (en) * | 2006-04-11 | 2007-10-18 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Discharge lamp comprising uv-phosphor |
US20080174226A1 (en) | 2007-01-23 | 2008-07-24 | Nulight Technology Corporation | Mercury-free flat fluorescent lamps |
DE202007002131U1 (de) * | 2007-02-13 | 2007-04-19 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Beleuchtungssystem mit einer Flachlampe und einem Rahmen |
DE202007004236U1 (de) * | 2007-03-22 | 2007-06-14 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Zündhilfe |
JP4668287B2 (ja) * | 2008-02-18 | 2011-04-13 | シャープ株式会社 | 照明装置および液晶表示装置 |
WO2009139908A1 (en) * | 2008-05-15 | 2009-11-19 | Rutgers, The State University | Fluorescent excimer lamps |
US20110056513A1 (en) * | 2008-06-05 | 2011-03-10 | Axel Hombach | Method for treating surfaces, lamp for said method, and irradiation system having said lamp |
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
JP5195371B2 (ja) * | 2008-12-05 | 2013-05-08 | ウシオ電機株式会社 | エキシマランプ装置 |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
DE102009030310A1 (de) * | 2009-06-24 | 2010-12-30 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Entladungsräumen |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
TWI483287B (zh) | 2010-06-04 | 2015-05-01 | Access Business Group Int Llc | 感應耦合介電質屏障放電燈 |
JP5504095B2 (ja) * | 2010-08-10 | 2014-05-28 | 株式会社オーク製作所 | 放電ランプ |
DE102010043208A1 (de) | 2010-11-02 | 2012-05-03 | Osram Ag | Vorrichtung zum Bestrahlen von Oberflächen |
DE102010043215A1 (de) | 2010-11-02 | 2012-05-03 | Osram Ag | Strahler mit Sockel für die Bestrahlung von Oberflächen |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
JP6055170B2 (ja) * | 2011-06-15 | 2016-12-27 | セイコーエプソン株式会社 | 光源装置、放電灯の駆動方法およびプロジェクター |
US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
TW201310497A (zh) * | 2011-07-13 | 2013-03-01 | Gs Yuasa Int Ltd | 紫外線照射裝置 |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
US20140099798A1 (en) * | 2012-10-05 | 2014-04-10 | Asm Ip Holding B.V. | UV-Curing Apparatus Provided With Wavelength-Tuned Excimer Lamp and Method of Processing Semiconductor Substrate Using Same |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US9133389B2 (en) * | 2012-10-31 | 2015-09-15 | Empire Technology Development Llc | Light guide structure and illuminating device |
US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
US10381226B2 (en) | 2016-07-27 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing substrate |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
CN111316417B (zh) | 2017-11-27 | 2023-12-22 | 阿斯莫Ip控股公司 | 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置 |
WO2019103610A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
WO2019142055A2 (en) | 2018-01-19 | 2019-07-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
EP3737779A1 (de) | 2018-02-14 | 2020-11-18 | ASM IP Holding B.V. | Verfahren zum abscheiden eines ruthenium-haltigen films auf einem substrat durch ein zyklisches abscheidungsverfahren |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TWI811348B (zh) | 2018-05-08 | 2023-08-11 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
TW202349473A (zh) | 2018-05-11 | 2023-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
JP2021529254A (ja) | 2018-06-27 | 2021-10-28 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法 |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
JP2021019198A (ja) | 2019-07-19 | 2021-02-15 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
TW202115273A (zh) | 2019-10-10 | 2021-04-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202140831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1022399A (en) * | 1911-08-18 | 1912-04-09 | Joseph T Thomasson | Animal-shoeing apparatus. |
AT258368B (de) * | 1963-12-31 | 1967-11-27 | Philips Nv | Leuchtschirm |
JPS5915951B2 (ja) * | 1974-12-10 | 1984-04-12 | 松下電器産業株式会社 | ディスプレイ用真空紫外線励起螢光体装置 |
JPS5941474B2 (ja) * | 1976-04-30 | 1984-10-06 | 大日本塗料株式会社 | 気体放電発光素子 |
US4161457A (en) * | 1977-03-15 | 1979-07-17 | Dai Nippon Toryo Co., Ltd. | Process for preparing a divalent europium activated alkaline earth metal aluminate phosphor |
US4423349A (en) * | 1980-07-16 | 1983-12-27 | Nichia Denshi Kagaku Co., Ltd. | Green fluorescence-emitting material and a fluorescent lamp provided therewith |
EP0062993A1 (de) * | 1981-04-09 | 1982-10-20 | The Secretary of State for Defence in Her Britannic Majesty's Government of the United Kingdom of Great Britain and | Leuchtstoffschichten für Kathodenstrahlröhren |
JPS5813688A (ja) * | 1981-07-20 | 1983-01-26 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 螢光体の製造方法 |
JPS5834560A (ja) * | 1981-08-21 | 1983-03-01 | 周 成祥 | 放電灯ディスプレイ装置 |
CA1198148A (en) * | 1982-06-28 | 1985-12-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electrostatic printing process |
US4583026A (en) * | 1983-07-19 | 1986-04-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Low-pressure mercury vapor discharge lamp |
JPS6155839A (ja) * | 1984-08-26 | 1986-03-20 | Osamu Tada | 螢光ランプの製造方法 |
JPH079795B2 (ja) * | 1986-12-01 | 1995-02-01 | 東芝ライテック株式会社 | 放電ランプ |
AU607520B2 (en) * | 1987-08-06 | 1991-03-07 | Shing Cheung Chow | Discharge lamp type display device |
WO1989001700A1 (en) * | 1987-08-10 | 1989-02-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Green light emitting rare gas discharge lamp |
CH675504A5 (de) * | 1988-01-15 | 1990-09-28 | Asea Brown Boveri | |
JPH02135277A (ja) * | 1988-11-17 | 1990-05-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 蛍光ランプ |
US5117160C1 (en) * | 1989-06-23 | 2001-07-31 | Nec Corp | Rare gas discharge lamp |
JP2671575B2 (ja) * | 1989-11-22 | 1997-10-29 | 日本電気株式会社 | ガス放電表示素子の駆動方法 |
KR930005688B1 (ko) * | 1990-02-06 | 1993-06-24 | 삼성전관 주식회사 | 녹색 발광 형광체 |
FR2672281B1 (fr) * | 1991-02-04 | 1993-04-16 | Rhone Poulenc Chimie | Phosphate mixte de lanthane, terbium et cerium, procede de fabrication de celui-ci. |
US5047173A (en) * | 1991-03-08 | 1991-09-10 | Gte Products Corporation | Method of reducing the powder weight of europium activated strontium tetraborate phosphor |
KR930008163B1 (ko) * | 1991-04-02 | 1993-08-26 | 삼성전관 주식회사 | 방전관 |
DE4209763A1 (de) * | 1991-06-18 | 1992-12-24 | Hartmut Dipl Phys Schmidt | Elektronisch betriebene kompaktleuchtstofflampe |
US5132043A (en) * | 1991-12-24 | 1992-07-21 | Gte Products Corporation | Method of preparing small particle size borate phosphor |
US5436532A (en) * | 1993-03-26 | 1995-07-25 | Rockwell International Corporation | Fluorescent lamp with improved efficiency |
-
1993
- 1993-04-05 DE DE4311197A patent/DE4311197A1/de not_active Withdrawn
-
1994
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-
2001
- 2001-11-13 JP JP2001347842A patent/JP3715231B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
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-
2005
- 2005-06-07 JP JP2005166606A patent/JP2005276846A/ja active Pending
Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5965988A (en) * | 1995-05-12 | 1999-10-12 | Patent-Treuhand-Gesellschaft Fur Elektrische Gluehlampen Mbh | Discharge lamp with galvanic and dielectric electrodes and method |
WO1996036066A1 (de) * | 1995-05-12 | 1996-11-14 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Entladungslampe und verfahren zum betreiben derartiger entladungslampen |
DE19526211A1 (de) * | 1995-07-18 | 1997-01-23 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Verfahren zum Betreiben von Entladungslampen bzw. -strahler |
US9196800B2 (en) | 1996-06-26 | 2015-11-24 | Osram Gmbh | Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element |
DE19636965B4 (de) * | 1996-09-11 | 2004-07-01 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Elektrische Strahlungsquelle und Bestrahlungssystem mit dieser Strahlungsquelle |
DE19636965A1 (de) * | 1996-09-11 | 1998-03-12 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Elektrische Strahlungsquelle und Bestrahlungssystem mit dieser Strahlungsquelle |
US6060828A (en) * | 1996-09-11 | 2000-05-09 | Patent-Treuhand-Gesellschaft Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Electric radiation source and irradiation system with this radiation source |
DE19651552A1 (de) * | 1996-12-11 | 1998-06-18 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Kaltkathode für Entladungslampen, Entladungslampe mit dieser Kaltkathode und Betriebsweise für diese Entladungslampe |
US6157145A (en) * | 1996-12-11 | 2000-12-05 | Patent-Treuhand-Gesellschaft Fuer Elektrische Gluenlampen Mbh | Method of operating a discharge lamp with a cold cathode structure having ferroelectric between |
DE19718395C1 (de) * | 1997-04-30 | 1998-10-29 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Leuchtstofflampe und Verfahren zu ihrem Betrieb |
US6388374B1 (en) | 1997-12-12 | 2002-05-14 | Patent-Treuhand-Gesellschaft Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Signal lamp having a flat reflector lamp with locally modulated luminance |
US6380669B1 (en) | 1997-12-23 | 2002-04-30 | Patent-Treuhand-Gesellschaft Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Signaling lamp with phosphor excitation in the VUV range and having specified phosphor mixtures |
DE19817480A1 (de) * | 1998-03-20 | 1999-09-23 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Flachstrahlerlampe fpr dielektrisch behinderte Entladungen mit Abstandshaltern |
DE19817480B4 (de) * | 1998-03-20 | 2004-03-25 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Flachstrahlerlampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit Abstandshaltern |
DE19817476A1 (de) * | 1998-04-20 | 1999-11-04 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Leuchtstofflampe mit Abstandshaltern und lokal verdünnter Leuchtstoffschichtdicke |
DE19817476B4 (de) * | 1998-04-20 | 2004-03-25 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Leuchtstofflampe mit Abstandshaltern und lokal verdünnter Leuchtstoffschichtdicke |
WO2000019485A1 (de) * | 1998-09-29 | 2000-04-06 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Dimmbare entladungslampe für dielektrisch behinderte entladungen |
US6411039B1 (en) | 1998-09-29 | 2002-06-25 | Patent-Treuhand-Gesellschaft Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Discharge lamp for dielectrically impeded discharges with improved electrode configuration |
US6376989B1 (en) | 1998-09-29 | 2002-04-23 | Patent-Treuhand-Gesellschaft Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Dimmable discharge lamp for dielectrically impeded discharges |
DE19844720A1 (de) * | 1998-09-29 | 2000-04-06 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Dimmbare Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen |
WO2000019487A1 (de) * | 1998-09-29 | 2000-04-06 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Entladungslampe für dielektrisch behinderte entladungen mit verbesserter elektrodenkonfiguration |
WO2000021116A1 (de) * | 1998-10-01 | 2000-04-13 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Dimmbare entladungslampe für dielektrisch behinderte entladungen |
US6636004B1 (en) | 1998-10-01 | 2003-10-21 | Patent-Treuhand-Gesellschaft Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Dimmable discharge lamp for dielectrically impeded discharges |
US6605899B2 (en) | 2000-09-29 | 2003-08-12 | Patent-Treuhand-Gesellschaft Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Dielectric barrier discharge lamp |
WO2002027747A1 (de) * | 2000-09-29 | 2002-04-04 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Dielektrische barriere-entladungslampe |
EP1519407A2 (de) * | 2003-08-06 | 2005-03-30 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | UV-Strahler mit rohrförmigem Entladungsgefäss |
DE102007006861B3 (de) * | 2007-02-12 | 2008-05-29 | Universität Karlsruhe (Th) | Transparente Strahlungsquelle und Verfahren zur Strahlungserzeugung |
DE102012018854A1 (de) * | 2012-09-25 | 2014-03-27 | Berger GmbH & Co.KG | Flächige Gasentladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen |
DE102012018854B4 (de) * | 2012-09-25 | 2018-02-15 | Berger GmbH & Co.KG | Flächige Gasentladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit drei Elektroden und zwei Gasräumen |
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