DE4316266A1 - Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer solchen - Google Patents

Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer solchen

Info

Publication number
DE4316266A1
DE4316266A1 DE4316266A DE4316266A DE4316266A1 DE 4316266 A1 DE4316266 A1 DE 4316266A1 DE 4316266 A DE4316266 A DE 4316266A DE 4316266 A DE4316266 A DE 4316266A DE 4316266 A1 DE4316266 A1 DE 4316266A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
film
semiconductor substrate
holes
interlayer insulation
connection layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE4316266A
Other languages
English (en)
Other versions
DE4316266C2 (de
Inventor
Noriaki Fujiki
Shigeru Harada
Hiroshi Adachi
Etsushi Adachi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of DE4316266A1 publication Critical patent/DE4316266A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE4316266C2 publication Critical patent/DE4316266C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76819—Smoothing of the dielectric
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H01L23/5329—Insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung sowie ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung. Insbesondere betrifft die Erfindung eine Halbleitervorrichtung mit einer Mehrschicht-Verbindungsstruktur.
Fig. 12 ist eine Schnittansicht mit einer herkömmlichen Halb­ leitervorrichtung mit einer Mehrschicht-Verbindungsstruktur.
Feldoxidfilme 7 sind auf einer Hauptoberfläche eines Silizium­ substrates 1 gebildet, und Gateelektrodendrähte (Gateelektro­ denverdrahtungen) 6 sind auf dem Feldoxidfilm 7 gebildet. Ein erster Isolationszwischenschichtfilm 8 ist auf dem Silizium­ substrat 1 gebildet, die Gateelektrodendrähte 6 bedeckend.
Muster (Reliefs) 9a, 9b und 9c einer ersten Aluminiumverbin­ dungsschicht sind auf dem ersten Isolationszwischenschichtfilm 8 gebildet. Ein zweiter Isolationszwischenschichtfilm 10 ist die Muster 9a, 9b und 9c der ersten Aluminiumverbindungsschicht bedeckend gebildet. Der zweite Isolationszwischenschichtfilm 10 ist mit einem ersten und einem zweiten durchgehenden Loch 10a und 10b versehen, zum Freilegen eines ersten und eines zweiten Verbindungsbereiches (Verbindungsabschnitt) 90a und 90b der Muster 9a und bzw. 9b der ersten Aluminiumverbindungsschicht. Eine zweite Aluminiumverbindungsschicht 12 ist zum Verbinden mit dem ersten und dem zweiten Verbindungsabschnitt 90a und 90c über dem ersten bzw. dem zweiten durchgehenden Loch 10a und 10b vor­ gesehen. Ein Passivierungsfilm 13 ist über dem Siliziumsubstrat 1 gebildet, die zweite Aluminiumverbindungsschicht 12 bedeckend.
Nachfolgend wird ein Verfahren zum Herstellen der in Fig. 12 gezeigten herkömmlichen Halbleitervorrichtung beschrieben.
Die Fig. 13 bis 17 sind Schnittansichten mit Schritten des Verfahrens zum Herstellen der herkömmlichen Halbleitervorrich­ tung in der üblichen Reihenfolge.
Wie in Fig. 13 gezeigt, werden Feldoxidfilme 7 auf einer Haupt­ oberfläche eines Siliziumsubstrates 1 gebildet, und dann werden Gateelektrodendrähte 6 auf den Feldoxidfilmen 7 gebildet. Ein erster Isolationszwischenschichtfilm 8 wird auf dem Silizium­ substrat 1 gebildet, die Gateelektrodendrähte 6 bedeckend, Muster 9a, 9b und 9c einer ersten Aluminiumverbindungsschicht werden auf dem ersten Isolationszwischenschichtfilm 8 gebildet, und ein zweiter Isolationszwischenschichtfilm 10 ist die Muster 9a, 9b und 9c bedeckend gebildet. Der zweite Isolationszwi­ schenschichtfilm 10 wird durch Bilden eines Siliziumoxidfilmes über dem Siliziumsubstrat 1 durch Plasma-CVD erhalten, dann wird darauf eine anorganische Beschichtung/Isolationsfilm durch eine Rotationsbeschichtung gebildet, und danach werden diese Filme durch Trockenätzen zurückgeätzt. Der anorganische Beschichtungs­ /Isolationsfilm wird aus einem Spin-on Glass (SOG-Film) herge­ stellt.
Wie in Fig. 14 gezeigt, wird ein Resistfilm 22 auf den zweiten Isolationszwischenschichtfilm 10 aufgebracht. Dann wird der Resistfilm 22 so bemustert, daß er eine erste und eine zweite Öffnung 22a und 22b in Bereichen erhält, die mit dem ersten und dem zweiten durchgehenden Loch zu versehen sind, zum Freilegen des ersten und des zweiten Verbindungsabschnittes der Muster 9a bzw. 9b der ersten Aluminiumverbindungsschicht.
Wie in Fig. 15 gezeigt, wird der bemusterte Resistfilm 22 als Maske benutzt, zum selektiven Ätzen des zweiten Isolationszwi­ schenschichtfilmes 10 beispielsweise durch reaktives Ionenätzen, wodurch das erste und das zweite durchgehende Loch 10a und 10b gebildet werden. Danach wird der Resistfilm 22 durch Sauer­ stoffplasma oder dergleichen entfernt, wie in den Fig. 15 und 16 gezeigt.
Wie in Fig. 17 gezeigt, wird ein Aluminiumfilm über der gesamten Oberfläche des zweiten Isolationszwischenschichtfilmes 11 beispielsweise durch Sputtern gebildet, zum Auffüllen des ersten und des zweiten durchgehenden Loches 10a und 10b. Danach wird dieser Aluminiumfilm durch Photolithographie und reaktives Ionenätzen bemustert, wodurch die Muster einer zweiten Alumi­ niumverbindungsschicht 12 gebildet werden. Ein Siliziumnitrid­ film zum Bestimmen eines Passivierungsfilmes 13 wird über der gesamten Oberfläche des Siliziumsubstrates 1 durch Plasma-CVD gebildet, zum Bedecken der Muster der zweiten Aluminiumver­ bindungsschicht 12. Danach werden Öffnungen (nicht gezeigt) in dem Passivierungsfilm 13 gebildet, zum Freilegen von Anschluß­ stücken (Bonding-Pads, Bonding-Anschlüssen), die wiederum mit Bonddrähten verbunden werden, zum Vervollständigen der Schritte zum Herstellen der Halbleitervorrichtung.
Bei der oben beschriebenen herkömmlichen Methode zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit einer Mehrschichtverbindungs­ struktur treten allerdings die folgenden Probleme bei der Schichtmultiplikation und bei der Verfeinerung der Verbindungs­ struktur auf:
Durch die Verfeinerung der Verbindungsstruktur, d. h. der Ver­ minderung der Verbindungsbreite, ist es notwendig, den Durch­ messer der durchgehenden Löcher zu verringern. Folglich ist es schwierig, Muster für die durchgehenden Löcher zu bilden. Dieses Problem wird nachfolgend im Detail unter Bezug auf die Fig. 18 beschrieben. Wie in Fig. 18 gezeigt, ist dort ein Resistfilm 22 vorgesehen, mit einer ersten und einen zweiten Öffnung 22a und 22b zum Definieren zweier durchgehender Löcher. Die erste und die zweite Öffnung 22a und 22b sind zum Bestimmen des ersten und des zweiten durchgehenden Loches eingerichtet, zum Freilegen von Verbindungsabschnitten der Muster 9a bzw. 9b einer ersten Alu­ miniumverbindungsschicht.
Die erste Öffnung 22a ist in einem Bereich gebildet, zum Be­ zeichnen (Definieren) des ersten durchgehenden Loches, d. h. eines Bereiches, wo ein Feldoxidfilm 7, ein Gateelektrodendraht 6a und das Muster 9a der ersten Aluminiumverbindungsschicht einander überlappen. Andererseits ist die zweite Öffnung 22b in einem Bereich gebildet, die nur mit dem Muster 9b der ersten Aluminiumverbindungsschicht versehen ist. Mit anderen Worten, die erste Öffnung 22a ist auf einem vorstehenden Abschnitt des Isolationszwischenschichtfilmes 10 gebildet, während die zweite Öffnung 22b auf einem abgesenkten Abschnitt gebildet ist. Eine Entfernung a3 ist nämlich größer als eine Entfernung b3 in Fig. 18.
Wenn der Resistfilm 22 auf dem Isolationszwischenschichtfilm 10 aufgebracht wird und eine derartige Stufe hinterläßt, ist dessen Dicke auf dem hervorstehenden Abschnitt relativ vermindert und auf dem abgesenkten Abschnitt relativ erhöht. Mit anderen Worten, eine Entfernung a4 ist kleiner als eine Entfernung b4 in Fig. 18. Wenn der Resistfilm 22 in einem derartigen Zustand durch Photolithographie bemustert wird, ist ein Durchmesser a2 unvermeidbar größer als eine Durchmesser b2 in Fig. 18 am Boden des Resistmusters, obwohl ein Durchmesser a1 gleich einem Durchmesser b1 an dessen Spitze ist.
Der Grund hierin wird nachfolgend unter Bezug auf die Fig. 19, 20, 21 beschrieben.
Fig. 19 verdeutlicht eine optimale Fokussierungsposition von jeweiligen Abschnitten in einem Resistfilm 22, der auf einem Isolationszwischenschichtfilm 10 gebildet ist, der eine Stufe aufweist. Symbole a und b bezeichnen die optimale Fokussie­ rungsposition eines Abschnittes A bzw. eines Abschnittes B des Resistfilmes 22 mit geringer bzw. großer Dicke. Wenn die jeweiligen Abschnitte A und B zum Belichten des Resistfilmes 22 in Fokus gebracht werden, ist es möglich, eine erste und eine zweite Öffnung 22a und 22b mit demselben Durchmesser zu erhal­ ten. Allerdings wird im allgemeinen nur einer der Abschnitte A oder B zum Belichten des Resistfilmes 22 (korrekt) fokussiert.
Wenn der Abschnitt A in Fokus gebracht wird, wird die zweite Öffnung 22b unvollständig durch den Abschnitt B definiert, wie in Fig. 20 gezeigt. Wenn andererseits der Abschnitt B in Fokus gebracht wird, ist die erste Öffnung 22a im Abschnitt A im Durchmesser zu weit erhöht, wie in Fig. 21 gezeigt.
Wie in Fig. 18 gezeigt, unterscheidet sich der Querschnitt der ersten und der zweiten Öffnung 22a und 22b aus dem obigen Grund voneinander. Wenn der zweite Isolationszwischenschichtfilm 10 durch den Resistfilm 22 mit einer derartigen Querschnittsform geätzt wird, wird, wie in Fig. 22 gezeigt, das zweite durch­ gehende Loch 10b unvollständig definiert, obwohl das erste durchgehende Loch 10a vollständig definiert ist. Durch eine derartige unvollständige Öffnung des zweiten durchgehenden Loches 10b wird eine zweite Aluminiumverbindungsschicht 12 nicht elektrisch mit dem Muster 9b der ersten Aluminiumverbindungs­ schicht verbunden.
Mit der Vervielfachung der Schichten der Verbindungsstruktur wurde insbesondere mit dem Zunehmen der Stufe das obige Problem verstärkt, durch die unregelmäßige Oberfläche des Isolations­ zwischenschichtfilmes.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zu schaffen, die zu einer zuverlässigen Mehr­ schichtverbindungsstruktur führen. Dabei ist insbesondere eine Mehrzahl von durchgehenden Löchern mit konstanten Durchmessern zu schaffen.
Die Aufgabe wird durch die Halbleitervorrichtung nach dem Pa­ tentanspruch 1, 3 sowie das Verfahren nach dem Patentanspruch 5 und 6 gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen be­ schrieben.
Eine Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform umfaßt ein Halbleitersubstrat sowie eine erste Verbindungs­ schicht, die auf dem Halbleitersubstrat vorgesehen ist und einen ersten und einen zweiten Verbindungsabschnitt aufweist. Ein Isolationszwischenschichtfilm ist über dem Halbleitersubstrat gebildet, die erste Verbindungsschicht bedeckend. Um die Ober­ fläche des Isolationszwischenschichtfilmes zu verflachen ist ein Film aus einem Siliziumketten-Harz auf der Oberfläche des Isolationszwischenschichtfilmes aufgebracht, der durch die folgende allgemeine Strukturformel dargestellt wird:
wobei R1 gleiche oder ungleiche Phenylradikale oder niedere Alkylradikale darstellt, R2 gleiche oder ungleiche Wasserstoff­ atome oder niedere Alkylradikale darstellt, und n eine ganze Zahl zwischen 20 und 1000 darstellt.
Ein erstes und ein zweites durchgehendes Loch ist durch den Si­ liziumketten-Harzfilm und den Isolationszwischenschichtfilm hindurchgehend vorgesehen, zum Freilegen eines ersten und eines zweiten Verbindungsabschnittes, die jeweils auf der Oberfläche der ersten Verbindungsschicht vorgesehen sind. Eine zweite Ver­ bindungsschicht ist über dem Halbleitersubstrat gebildet, zum Verbinden mit dem ersten und dem zweiten Verbindungsabschnitt durch das erste und das zweite durchgehende Loch.
Bei einem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform wird eine erste Verbin­ dungsschicht mit einem ersten und einem zweiten Verbindungsab­ schnitt auf einem Halbleitersubstrat gebildet. Ein Isolations­ zwischenschichtfilm ist über dem Halbleitersubstrat die erste Verbindungsschicht bedeckend gebildet. Ein Film aus einem Si­ liziumketten-Harz, das durch die nachfolgende allgemeine Strukturformel dargestellt wird, wird über der gesamten oberen Oberfläche des Isolationszwischenschichtfilmes aufgebracht, wodurch die Oberfläche des Isolationszwischenschichtfilmes verflacht wird:
wobei R1 gleiche oder ungleiche Phenylradikale oder niedere Alkylradikale darstellt, R2 gleiche oder ungleiche Wasserstoff­ atome oder untere Alkylradikale darstellt, und n eine ganze Zahl zwischen 20 und 1000 darstellt.
Ein Resistfilm wird über der gesamten oberen Oberfläche des Si­ liziumketten-Harzfilmes aufgebracht. Der Resistfilm wird so be­ mustert, daß er die erste und die zweite Öffnung in Bereichen bildet, die mit dem ersten und dem zweiten durchgehenden Loch zu versehen sind, zum Freilegen des ersten und des zweiten Ver­ bindungsabschnittes auf der Oberfläche der ersten Verbindungs­ schicht. Der bemusterte Resistfilm wird zum selektiven Ätzen des Isolationszwischenschichtfilmes benutzt, wodurch das erste und das zweite durchgehende Loch in dem Isolationszwischenschicht­ film gebildet werden.
Danach wird der Resistfilm entfernt. Eine zweite Verbindungs­ schicht wird über dem Halbleitersubstrat gebildet, zum Verbinden mit dem ersten und dem zweiten Verbindungsabschnitt der ersten Verbindungsschicht über das erste und das zweite durchgehende Loch.
Bei einem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform wird eine erste Verbin­ dungsschicht mit einem ersten und einem zweiten Verbindungs­ abschnitt auf einem Halbleitersubstrat gebildet.
Ein Isolationszwischenschichtfilm wird auf dem Halbleitersub­ strat gebildet, die erste Verbindungsschicht bedeckend. Ein Film aus Siliziumkettenharz, das durch die folgende allgemeine Strukturformel dargestellt wird, wird auf die gesamte obere Oberfläche des Isolationszwischenschichtfilmes aufgebracht, wodurch die Oberfläche des Isolationszwischenschichtfilmes ver­ flacht (flachgemacht) wird:
wobei R1 gleiche oder ungleiche Phenylradikale oder niedere Alkylradikale darstellt, R2 gleiche oder ungleiche Wasserstoff­ atome oder niedere Alkylradikale darstellt, und n eine ganze Zahl zwischen 20 und 1000 darstellt.
Dann wird ein Resistfilm auf der gesamten oberen Oberfläche des Siliziumketten-Harzfilms aufgebracht. Der Resistfilm wird so bemustert, daß er die erste und die zweite Öffnung in denjenigen Bereichen bildet, die mit dem ersten und dem zweiten durch­ gehenden Loch zu versehen sind, zum Freilegen des ersten bzw. des zweiten Verbindungsabschnittes, die auf der Oberfläche der ersten Verbindungsschicht vorgesehen sind. Der bemusterte Resistfilm wird zum selektiven Ätzen des Isolationszwischen­ schichtfilmes benutzt, wodurch das erste und das zweite durch­ gehende Loch im Isolationszwischenschichtfilm gebildet werden. Dann wird der Resistfilm entfernt. Danach wird der Siliziumket­ ten-Harzfilm entfernt. Eine zweite Verbindungsschicht wird über dem Halbleitersubstrat gebildet, zum Verbundenwerden mit dem ersten und dem zweiten Verbindungsabschnitt der ersten Verbin­ dungsschicht über das erste und das zweite durchgehende Loch.
Bei der Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform wird die Oberfläche des Isolationszwischenschichtfilmes durch den Siliziumketten-Harzfilm verflacht. Dieser Siliziumketten- Harzfilm wird mit einer großen Dicke gebildet, zum hinreichenden Verflachen der Oberfläche des Isolationszwischenschichtfilmes, da der Siliziumketten-Harzfilm keine Bruch-/Rißbildung bewirkt, selbst wenn dieser eine hohe Dicke aufweist. Folglich weisen das erste und das zweite durchgehende Loch einen konstanten Durch­ messer auf, zum Verbessern der Zuverlässigkeit der Halbleiter­ vorrichtung.
Bei dem Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung gemäß der weiteren Ausführungsform wird die Oberfläche des Isolationszwischenschichtfilmes durch den Siliziumketten-Harzfilm verflacht, wie in der durch die oben dargestellte Strukturformel beschrieben wird. Der Siliziumketten-Harzfilm führt zu keiner Rißbildung, selbst wenn seine Dicke erhöht ist. Daher ist es möglich, hinreichend die Oberfläche des Isola­ tionszwischenschichtfilmes durch Bilden des Siliziumketten- Harzfilmes darauf mit großer Dicke zu verflachen. Folglich ist es möglich, die ersten und die zweiten durchgehenden Löcher mit konstanten Durchmessern in dem Isolationszwischenschichtfilm zu schaffen.
Bei dem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß der weiteren Ausführungsform wird der Siliziumketten- Harzfilm vor der Bildung der zweiten Verbindungsschicht ent­ fernt. Daher weisen das erste und das zweite durchgehende Loch im wesentlichen gleiche Tiefen auf. Daher kann die zweite Ver­ bindungsschicht leicht gebildet werden.
Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren.
Von den Figuren zeigen:
Fig. 1 eine Schnittansicht mit einer Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform;
Fig. 2 eine Schnittansicht entlang der Linie A - A aus Fig. 1;
Fig. 3 eine lokale Schnittansicht mit einem ersten Schritt eines Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervor­ richtung gemäß der ersten Ausführungsform;
Fig. 4 eine lokale Schnittansicht mit einem zweiten Schritt des Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervor­ richtung gemäß der ersten Ausführungsform;
Fig. 5 eine lokale Schnittansicht mit einem dritten Schritt des Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervor­ richtung gemäß der ersten Ausführungsform;
Fig. 6 eine lokale Schnittansicht mit einem vierten Schritt des Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervor­ richtung gemäß der ersten Ausführungsform;
Fig. 7 eine lokale Schnittansicht mit einem fünften Schritt des Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervor­ richtung gemäß der ersten Ausführungsform;
Fig. 8 ein Schaubild zum Verdeutlichen der Wirkung der vor liegenden Erfindung;
Fig. 9 eine lokale Schnittansicht mit einem ersten Schritt eines Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervor­ richtung gemäß einer zweiten Ausführungsform;
Fig. 10 eine lokale Schnittansicht mit einem zweiten Schritt des Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervor­ richtung gemäß der zweiten Ausführungsform;
Fig. 11 eine Schnittansicht mit einer Halbleitervorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform;
Fig. 12 eine Schnittansicht mit einer herkömmlichen Halb­ leitervorrichtung;
Fig. 13 eine lokale Schnittansicht mit einem ersten Schritt eines herkömmlichen Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung;
Fig. 14 eine lokale Schnittansicht mit einem zweiten Schritt eines herkömmlichen Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung;
Fig. 15 eine lokale Schnittansicht mit einem dritten Schritt des herkömmlichen Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung;
Fig. 16 eine lokale Schnittansicht mit einem vierten Schritt des herkömmlichen Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung;
Fig. 17 eine lokale Schnittansicht mit einem fünften Schritt des herkömmlichen Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung;
Fig. 18 ein Schaubild zum Verdeutlichen eines Problemes des herkömmlichen Verfahrens zum Herstellen einer Halb­ leitervorrichtung;
Fig. 19 ein erstes Schaubild zum Verdeutlichen einer Litho­ graphie;
Fig. 20 ein zweites Diagramm zum Verdeutlichen einer Litho­ graphie;
Fig. 21 ein drittes Diagramm zum Verdeutlichen einer Litho­ graphie; und
Fig. 22 ein Diagramm zum Verdeutlichen eines Problems einer herkömmlichen Halbleitervorrichtung.
Nachfolgend werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezug auf die Figuren beschrieben.
Erste Ausführungsform
Fig. 1 ist eine lokale Schnittansicht mit einer Halbleitervor­ richtung, auf welche die vorliegende Erfindung angewendet wird.
Bei dem in Fig. 1 gezeigten Bereich ist ein CMOS-Inverter durch zwei MOS-Transistoren gebildet. Fig. 2 ist eine Schnittansicht entlang der Linie A - A in Fig. 1. Wie in den Fig. 1 und 2 gezeigt, sind eine p-Typ Wannen-Diffusionsschicht 2 und eine n- Typ-Wannen-Diffusionsschicht 3 auf einer Hauptoberfläche eines p-Typ Siliziumsubstrates 1 gebildet. Ein Source 4b und ein Drain 5b, die n-Typ Diffusionsschichten sind, sind auf einer Haupt­ oberfläche der p-Typ Wannen-Diffusionsschicht 2 gebildet. Ein Gateelektrodendraht 6b ist oberhalb der p-Typ Wannen-Diffu­ sionsschicht 2 über einem Gateoxidfilm gebildet, wodurch ein p- Kanaltransistor gebildet wird.
Ein Source 4a und ein Drain 5a, welche p-Typ Diffusionsschichten sind, sind auf einer Hauptoberfläche der n-Typ Wannendiffu­ sionsschicht 3 gebildet. Ein Gateelektrodendraht 6a ist oberhalb der n-Typ Wannen-Diffusionsschicht 3 auf einem Gateoxidfilm ge­ bildet, wodurch ein n-Kanaltransistor gebildet wird. Der n-Ka­ naltransistor ist von dem p-Kanaltransistor durch einen Feld­ oxidfilm 7 isoliert. Ein erster Isolationszwischenschichtfilm 8 wird auf das Siliziumsubstrat 1 aufgebracht, die Gateelektro­ dendrähte 6a und 6b bedeckend. Der Drain 5a des n-Kanal-Tran­ sistors ist elektrisch mit dem Source 4b des p-Kanal-Transistors verbunden, durch eine erste Aluminiumverbindungsschicht 9 über ein Kontaktloch. Ein zweiter Isolationszwischenschichtfilm 10 ist auf dem Siliziumsubstrat 1 aufgebracht, die erste Alumi­ niumverbindungsschicht 9 bedeckend. Ein Film 14 aus Silizium­ kettenharz, der durch die folgende allgemeine Formel dargestellt wird, ist auf der Oberfläche des zweiten Isolationszwischen­ schichtfilmes 10 aufgebracht, um diesen zu verflachen:
wobei R1 gleiche oder ungleiche Phenylradikale oder niedere Alkylradikale darstellt, R2 gleiche oder ungleiche Wasserstoff­ atome oder niedere Alkylradikale darstellt, und n eine ganze Zahl zwischen 20 und 1000 darstellt.
Das erste und das zweite durchgehende Loch 10a und 10b ist durch den ersten Siliziumketten-Harzfilm 14 und den zweiten Isola­ tionszwischenschichtfilm 10 vorgesehen, zum Freilegen eines ersten und eines zweiten Verbindungsabschnittes 90a und 90b der Muster 9a bzw. 9b auf der ersten Aluminiumverbindungsschicht 9. Eine-zweite Aluminiumverbindungsschicht 12 ist zum Verbinden mit den ersten und den zweiten Verbindungsabschnitten 90a und 90b über das erste bzw. das zweite durchgehende Loch 10a und 10b vorgesehen. Ein Passivierungsfilm 13 ist über dem Siliziumsub­ strat 1 aufgebracht, die zweite Aluminiumverbindungsschicht 12 bedeckend. Bei dieser Ausführungsform ist der Durchmesser des ersten durchgehenden Loches 10a im wesentlichen gleich dem Durchmesser des zweiten durchgehenden Loches 10b. Ferner ist der Abstand zwischen dem oberen Endabschnitt des ersten durchge­ henden Loches 10a und der Hauptoberfläche des Siliziumsubstrates 1 im wesentlichen gleich dem zwischen dem oberen Endabschnitt des zweiten durchgehenden Loches 10b und der Hauptoberfläche des Siliziumsubstrates.
Nachfolgend wird ein Verfahren zum Herstellen der in Fig. 2 gezeigten Halbleitervorrichtung beschrieben.
Die Fig. 3 bis 7 sind lokale Schnittansichten mit Schritten des Verfahrens zum Herstellen der Halbleitervorrichtung gemäß Fig. 2 in der Reihenfolge.
Wie in Fig. 3 gezeigt, werden Feldoxidfilme 7 auf einer Haupt­ oberfläche eines Siliziumsubstrates 1 gebildet, und Gateelek­ trodendrähte 6 werden auf den Feldoxidfilmen 7 gebildet.
Ein erster Isolationszwischenschichtfilm 8 wird über dem Si­ liziumsubstrat 1 gebildet, die Gateelektrodendrähte 6 bedeckend.
Muster 9a, 9b und 9c einer ersten Aluminiumverbindungsschicht werden auf dem ersten Isolationszwischenschichtfilm 8 gebildet. Ein zweiter Isolationszwischenschichtfilm 10 wird auf dem ersten Isolationszwischenschichtfilm 8 gebildet, die Muster 9a, 9b und 9c der ersten Aluminiumverbindungsschicht bedeckend. Dann wird ein Film 14 aus Siliziumkettenharz, das durch die nachfolgende Strukturformel beschrieben wird, auf der gesamten oberen Ober­ fläche des zweiten Isolationszwischenfilmes 10 beispielsweise durch eine Rotationsbeschichtung aufgebracht:
wobei R1 gleiche oder verschieden Phenylradikale oder niedere Alkylradikale bezeichnet, R2 gleiche oder verschiedene Wasser­ stoffatome oder niedere Alkylradikale bezeichnet, und n eine ganze Zahl zwischen 20 und 1000 bezeichnet.
Das Siliziumkettenharz wird beispielsweise aus Polyphenyl- Silsesguioxan, Polyphenylvinyl-Silsesquioxan, Polyphenylmethyl- Silsesquioxan, Polymethylvinyl-Silsesquioxan, Polymethyl- Silsesquioxan, Polyvinyl-Silsesquioxan oder Polyallyl-Silses­ quioxan gebildet. Der Siliziumketten-Harzfilm 14 wird so auf den zweiten Isolationszwischenschichtfilm 10 aufgebracht, daß er dessen Oberfläche glättet (flachmacht).
Wenn die ganze Zahl n in der obigen Formel weniger als 2 beträgt, wird die Filmbildungseigenschaft negativ beeinflußt, während die Naßätzeigenschaft nach der Filmbildung verschlech­ tert wird, wenn die ganze Zahl n 1000 übersteigt.
Die Substanz wird dann bei einer Temperatur von 150°C gewärmt, so daß das Lösungsmittel verdampft. Danach wird die Substanz erneut bei einer Temperatur oberhalb von 300°C erwärmt, so daß dessen Isoliereigenschaften (Insulabilität) verbessert werden. Wenn eine anorganische Beschichtung/Isolationsfilm, der im wesentlichen aus Silanol (Si(OH)4) besteht, zum Zweck der Ver­ flachung eingesetzt wird, wird maximal eine Filmdicke von nur 0,5 µm erreicht, da der Film durch seine eigene Zusammenzieh­ belastung zerbricht (rissig wird). Andererseits kann der oben beschriebene Siliziumketten-Harzfilm 14 mit einer Dicke von mindestens 1,0 µm gebildet werden, da die Wärme-Zusammenzieh­ barkeit des Siliziumkettenharzes so gering ist, daß keine Riß­ bildung entsteht, selbst wenn die Dicke 1,0 µm übersteigt. Daher kann der Siliziumketten-Harzfilm 14 effektiv die Oberfläche des zweiten Isolationszwischenschichtfilmes 10 verflachen (ausglei­ chen).
Wie in Fig. 4 gezeigt, wird ein Resistfilm 15 auf der gesamten oberen Oberfläche des siliziumketten-Harzfilmes 14 aufgebracht. Dann wird der Resistfilm 15 so durch Photolithographie bemu­ stert, daß eine erste und eine zweite Öffnung 15a und 15b in Bereichen gebildet werden, die mit einem ersten bzw. einem zweiten durchgehenden Loch versehen werden sollen, zum Freilegen eines ersten und eines zweiten Verbindungsabschnittes auf der Oberfläche der Muster 9a bzw. 9b der ersten Verbindungsschicht.
Zu diesem Zeitpunkt kann der Resistfilm 15 mit hoher Genauigkeit bemustert werden, da die Oberfläche des zweiten Isolations­ zwischenschichtfilmes 10 durch den Siliziumketten-Harzfilm 14 mit hervorragender Glättungseigenschaft abgeflacht worden ist.
Derartiges hochpräzises Bemustern wird nachfolgend im Detail unter Bezug auf die Fig. 8 beschrieben, die eine vergrößerte Ansicht entsprechend Fig. 4 zeigt. Wie in Fig. 8 gezeigt, sind die erste und die zweite Öffnung 15a und 15b im Resistfilm 15 gebildet. Die erste Öffnung 15a ist oberhalb eines Abschnittes gebildet, wo der Feldoxidfilm 7, der Gateelektrodendraht 6, der erste Isolationszwischenschichtfilm 8 und das Muster 9a der ersten Aluminiumverbindungsschicht einander überlappen. Ande­ rerseits ist die zweite Öffnung 15b oberhalb eines Abschnitts gebildet, wo nur das Muster 9b der ersten Aluminiumverbindungs­ schicht auf dem ersten Isolationszwischenschichtfilm 8 gebildet ist. Da die Oberfläche des zweiten Isolationszwischenschicht­ filmes 10 durch den darauf aufgebrachten Siliziumketten-Harzfilm 14 hinreichend abgeflacht (ausgeglichen) worden ist, sind die in Fig. 8 erscheinenden Entfernungen c3 und d3 im wesentlichen zu­ einander gleich. Daher kann der Resistfilm 15 mit konstanter Dicke auf der gesamten oberen Oberfläche des abgeflachten zweiten Isolationszwischenschichtfilmes 10 aufgebracht werden. Auch in den Abschnitten, wo die erste und die zweite Öffnung 15a bzw. 15b zu schaffen ist, sind die in Fig. 8 eingetragenen Ent­ fernungen c4 und d4 zueinander gleich. Wenn der Resistfilm 15 durch Photolithographie bemustert wird, sind die Durchmesser c1 und d1 auf den oberen Abschnitten des Resistmusters zueinander gleich, während die Durchmesser c2 und d2 an den Bodenbereichen des Resistmusters ebenfalls zueinander gleich sind. Daher kann der Resistfilm 15 mit hoher Genauigkeit bemustert werden.
Wie in Fig. 5 gezeigt, wird der bemusterte Resistfilm 15 als Maske zum Ätzen des Siliziumketten-Harzfilmes 14 beispielsweise durch RIE benutzt. Dann wird der zweite Isolationszwischen­ schichtfilm 10 zum Bilden des ersten und des zweiten durchge­ henden Loches 10a und 10b geätzt.
Wie in Fig. 6 gezeigt, wird der Resistfilm 15 durch Sauerstoff­ plasma oder dergleichen entfernt.
Wie in Fig. 7 gezeigt, wird ein Aluminiumlegierungsfilm über der gesamten Oberfläche des Siliziumketten-Harzfilmes 14 beispiels­ weise durch Sputtern gebildet, zum Auffüllen des ersten und des zweiten durchgehenden Loches 10a und 10b, und dann wird dieser Aluminiumlegierungsfilm durch Photolithographie oder RIE bemu­ stert, zum Bilden von Mustern einer zweiten Aluminiumverbin­ dungsschicht 12. Danach wird ein Passivierungsfilm 13 über dem Siliziumsubstrat 1 gebildet, zum Bedecken der Muster der zweiten Aluminiumverbindungsschicht 12.
Zweite Ausführungsform
Obwohl die zweite Aluminiumverbindungsschicht 12 ohne Entfernen des Siliziumketten-Harzfilmes 14 bei der in Fig. 7 gezeigten ersten Ausführungsform gebildet worden ist, kann dieser Sili­ ziumketten-Harzfilm 14 alternativ entfernt werden, nach der Bildung des ersten und des zweiten durchgehenden Loches 10a und 10b.
Wie in Fig. 9 gezeigt, wird ein Siliziumketten-Harzfilm nach den Schritten entfernt, die den in den Fig. 3 bis 6 gezeigten ent­ sprechen. Der Siliziumketten-Harzfilm wird durch Naßätzen mit einer verdünnten Fluorwasserstoffsäure entfernt. Wenn eine der­ artige Fluorwasserstoffsäurelösung eingesetzt wird, wird die Ätzrate für den Siliziumketten-Harzfilm erhöht. Daher wird eine Ätzauswahlrate des Siliziumketten-Harzfilmes bezüglich eines zweiten Isolationszwischenschichtfilmes 10 so erhöht, daß der Siliziumketten-Harzfilm vorzugsweise entfernt werden kann. Der Siliziumketten-Harzfilm kann alternativ beispielsweise durch Trockenätzen entfernt werden, solange dieses eine hinreichende Selektionsrate (Auswahlrate) aufweist.
Wenn der Siliziumketten-Harzfilm vollständig entfernt ist, weisen das erste und das zweite durchgehende Loch 10a und 10b eine im wesentlichen uniforme Tiefe auf, wie in den Fig. 9 und 10 gezeigt, wodurch eine zweite Aluminiumverbindungsschicht 12 leicht gebildet werden kann. Wenn die durchgehenden Löcher 10a und 10b nicht uniforme Tiefen (ungleiche Tiefen) aufweisen, kann eine Stufenbedeckung verschlechtert sein, wenn die zweite Alu­ miniumverbindungsschicht 12 beispielsweise durch Sputtern ge­ bildet wird. Wenn die durchgehenden Löcher 10a und 10b ande­ rerseits eine gleichmäßige Tiefe aufweisen, füllt die zweite Aluminiumverbindungsschicht 12 gleichmäßig diese durchgehenden Löcher 10a und 10b. Daher ist es möglich, eine Halbleitervor­ richtung mit hoher Zuverlässigkeit zu erhalten.
Dritte Ausführungsform
Obwohl in den obigen Ausführungsformen Verbindungsschichten aus Aluminium gebildet sind, ist die vorliegende Erfindung hierauf nicht beschränkt. Die Verbindungsschichten können alternativ aus einem Metall gebildet sein, das einen hohen Schmelzpunkt auf­ weist, wie Wolfram, Titan oder Molybdän oder ein Silizid davon, wie WSi2, TiSi2 oder MoSi2, oder aus einem polykristallinem Siliziummaterial.
Vierte Ausführungsform
Obwohl die durchgehenden Löcher zum Verbinden der ersten und der zweiten Aluminiumverbindungsschichten miteinander bei den oben beschriebenen Ausführungsformen eingerichtet sind, ist die vor­ liegende Erfindung hierauf nicht beschränkt. Alternativ kann der Gegenstand der vorliegenden Erfindung auf die durchgehenden Löcher zum Verbinden von zweiten und dritten Aluminiumverbin­ dungsschichten miteinander angewendet werden, wie in Fig. 11 gezeigt, zum Erreichen einer Wirkung, die den oben beschriebenen Ausführungsformen gleich ist.
Bei der in Fig. 11 gezeigten Ausführungsform sind die der Aus­ führungsform gemäß Fig. 1 identischen Teile durch dieselben Bezugszeichen bezeichnet. Wie in Fig. 11 gezeigt, bezeichnet ein Bezugszeichen 51 einen dritten Isolationszwischenschichtfilm, das Bezugszeichen 52 einen Siliziumketten-Harzfilm, und das Be­ zugszeichen 54 bezeichnet eine dritte Aluminiumverbindungs­ schicht.
Bei der Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform, wie oben beschrieben, weisen das erste und das zweite durch­ gehende Loch konstante Durchmesser auf. Folglich füllt die zweite Verbindungsschicht genau diese durchgehenden Löcher und schafft eine hochgradig zuverlässige Halbleitervorrichtung.
Bei dem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform wird der Isolationszwi­ schenschichtfilm durch den Siliziumketten-Harzfilm mit über­ ragender Glättungseigenschaft verflacht. Der Siliziumketten- Harzfilm wird auf dem Isolationszwischenschichtfilm mit großer Dicke gebildet, um dessen Oberfläche hinreichend auszugleichen (zu verflachen), da in dem Film keine Rißbildung bewirkt wird, selbst wenn dessen Dicke erhöht ist. Ferner können die ersten und die zweiten durchgehenden Löcher in dem Isolationszwischen­ schichtfilm mit konstantem Durchmesser gebildet werden. Daher ist es möglich, eine hochgradig zuverlässige Halbleitervor­ richtung mit einer Mehrschicht-Verbindungsstruktur zu schaffen.
Bei dem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform wird der Siliziumketten- Harzfilm vor der Bildung der zweiten Verbindungsschicht ent­ fernt. Daher weisen das erste und das zweite durchgehende Loch im wesentlichen uniforme Tiefen auf, und daher kann die zweite Verbindungsschicht leicht gebildet werden.

Claims (6)

1. Halbleitervorrichtung mit
einem Halbleitersubstrat (1), einer ersten Verbindungsschicht (9), die auf dem Halbleitersubstrat (1) geschaffen ist, und
einen ersten (90a) und einen zweiten (90b) Verbindungsabschnitt aufweist,
einem Isolationszwischenschichtfilm (10), der auf dem Halb­ leitersubstrat (1) geschaffen ist, zum Bedecken der ersten Verbindungsschicht (9),
einem Film aus Siliziumkettenharz (14), der auf der Oberfläche des Isolationszwischenschichtfilmes (10) zum Verflachen von diesem aufgebracht ist, wobei das Siliziumkettenharz durch die folgende Strukturformel beschrieben wird: wobei R1 gleiche oder ungleiche Phenylradikale oder niedere Alkylradikale bezeichnet, R2 gleiche oder ungleiche Wasser­ stoffatome oder niedere Alkylradikale bezeichnet, und n eine ganze Zahl zwischen 20 und 1000 bezeichnet,
ersten und zweiten durchgehenden Löchern (10a, 10b), die durch den Siliziumketten-Harzfilm (14) und den Isolationszwischen­ schichtfilm (10) geschaffen sind, zum Freilegen des ersten bzw. des zweiten Verbindungsabschnittes (90a, 90b), und
einer zweiten Verbindungsschicht (12), die über dem Halblei­ tersubstrat (1) geschaffen ist, zum Verbinden mit dem ersten und dem zweiten Verbindungsabschnitt (90a, 90b) über das erste bzw. das zweite durchgehende Loch.
2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß Abstände zwischen den oberen Endabschnitten des ersten und des zweiten durchgehenden Loches (10a, 10b) und einer Hauptober­ fläche des Halbleitersubstrates (1) im wesentlichen gleich sind.
3. Halbleitervorrichtung mit
einem Halbleitersubstrat (1) mit Hauptoberflächen vom p-Typ und vom n-Typ,
einem auf der p-Typ Hauptoberfläche geschaffenen p-Typ Kanal- Transistor,
einem auf der n-Typ Hauptoberfläche geschaffenen n-Kanal- Transistor,
einer ersten Verbindungsschicht (9), die über dem Halbleiter­ substrat (1) geschaffen ist, zum Verbinden des p-Kanal- und des n-Kanal-Transistors miteinander, wobei die erste Verbindungs­ schicht (9) einen ersten und einen zweiten Verbindungsabschnitt (90a, 90b) aufweist,
einem Isolationszwischenschichtfilm (10), der über dem Halb­ leitersubstrat (1) vorgesehen ist, zum Bedecken der ersten Ver­ bindungsschicht (9),
einem Film aus Siliziumkettenharz (14), der auf der Oberfläche des Isolationszwischenschichtfilmes (10) zum Verflachen von dieser aufgebracht ist, wobei das Siliziumkettenharz durch die folgende allgemeine Strukturformel dargestellt wird: wobei R1 gleiche oder ungleiche Phenylradikale oder niedere Alkylradikale bezeichnet, R2 gleiche oder ungleiche Wasser­ stoffatome oder niedere Alkylradikale bezeichnet, und n eine ganze Zahl zwischen 20 und 1000 bezeichnet,
ersten und zweiten durchgehenden Löchern (10a, 10b), die durch den Siliziumketten-Harzfilm (14) und den Isolationszwischen­ schichtfilm (10) geschaffen sind, zum Freilegen der ersten und der zweiten Verbindungsabschnitte (90a, 90b) auf der Oberfläche der ersten Verbindungsschicht (9), und
einer zweiten Verbindungsschicht (12), die über dem Halb­ leitersubstrat (1) vorgesehen ist, zum Verbinden mit dem ersten und dem zweiten Verbindungsabschnitt (90a, 90b) über das erste bzw. das zweite durchgehende Loch (10a, 10b).
4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeich­ net, daß die Abstände zwischen den oberen Endabschnitten des ersten und des zweiten durchgehenden Loches (10a, 10b) und der Haupt­ oberfläche des Halbleitersubstrates (1) im wesentlichen zueinander gleich sind.
5. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit den Schritten
Bilden einer ersten Verbindungsschicht (9) mit ersten und zweiten Verbindungsabschnitten (90a, 90b) auf einem Halbleiter­ substrat (1),
Bilden eines Isolationszwischenschichtfilmes (10) auf dem Halb­ leitersubstrat (1) zum Bedecken der ersten Verbindungsschicht (9),
Aufbringen eines Filmes aus Siliziumkettenharz (14) auf der gesamten oberen Oberfläche des Isolationszwischenschichtfilmes (10), wodurch dieser verflacht wird, und das Harz durch die folgende allgemeine Strukturformel beschrieben wird: wobei R1 gleiche oder ungleiche Phenylradikale oder niedere Alkylradikale bezeichnet, R2 gleiche oder ungleiche Wasser­ stoffatome oder niedere Alkylradikale bezeichnet, und n eine ganze Zahl zwischen 20 und 1.000 bezeichnet,
Aufbringen eines Resistfilmes (15) auf der gesamten oberen Oberfläche des Siliziumketten-Harzfilmes (14),
Bemustern des Resistfilmes zum Bestimmen von ersten und zweiten Öffnungen im Bereichen, die mit ersten und zweiten durchgehenden Löchern (10a, 10b) zu versehen sind, zum Freilegen des ersten und des zweiten Verbindungsabschnittes (90a, 90b) auf der Ober­ fläche der ersten Verbindungsschicht (9),
selektives Ätzen des ersten Isolationszwischenschichtfilmes (10) durch den bemusterten Resistfilm (50), und dadurch Bilden der ersten und der zweiten durchgehenden Löcher (10a, 10b) im Iso­ lationszwischenschichtfilm (10),
Entfernen des Resistfilmes (15),
Bilden einer zweiten Verbindungsschicht (12) über dem Halb­ leitersubstrat (1), die mit dem ersten und dem zweiten Ver­ bindungsabschnitt (90a, 90b) über das erste bzw. das zweite durchgehende Loch (10a, 10b) verbunden wird.
6. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit den Schritten
Bilden einer ersten Verbindungsschicht (9) mit einem ersten und einem zweiten Verbindungsabschnitt (90a, 90b) auf einem Halb­ leitersubstrat (1),
Bilden eines Isolationszwischenschichtfilmes (10) auf dem Halb­ leitersubstrat (1) zum Bedecken der ersten Verbindungsschicht (9),
Aufbringen eines Filmes aus Siliziumkettenharz (14) auf der gesamten oberen Oberfläche des Isolationszwischenschichtfilmes (10), wodurch diese abgeflacht wird und das Siliziumkettenharz durch die folgende allgemeine Formel beschrieben wird: wobei R1 gleiche oder ungleiche Phenylradikale oder niedere Al­ kylradikale bezeichnet, R2 gleiche oder ungleiche Wasserstoff­ atome oder niedere Alkylradikale bezeichnet, und n eine ganze Zahl zwischen 20 und 1.000 bezeichnet,
Aufbringen eines Resistfilmes (15) auf der gesamten oberen Oberfläche des Siliziumketten-Harzfilmes (14),
Bemustern des Resistfilmes (15) zum Bestimmen von ersten und zweiten Öffnungen in der Bereichen, die mit ersten und zweiten durchgehenden Löchern (10a, 10b) zu versehen sind, zum Freilegen des ersten und des zweiten Verbindungsabschnitts (90a, 90b) auf der Oberfläche der ersten Verbindungsschicht (9), selektives Ätzen des Isolationszwischenschichtfilmes (10) durch den bemusterten Resistfilm (15) und dadurch Bilden der ersten und der zweiten durchgehenden Löcher (10a, 10b) im Isolations­ zwischenschichtfilm (10),
Entfernen des Resistfilmes (15),
Entfernen des Siliziumketten-Harzfilmes (14), und
Bilden einer zweiten Verbindungsschicht (12) über dem Halb­ leitersubstrat (1) zum Verbinden mit dem ersten und dem zweiten Verbindungsabschnitt (90a, 90b) über das erste bzw. das zweite durchgehende Loch (10a, 10b).
DE4316266A 1992-05-25 1993-05-14 Halbleitervorrichtung mit einer Mehrschicht-Verbindungsstruktur und Verfahren zum Herstellen einer solchen Expired - Fee Related DE4316266C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4132580A JPH05326718A (ja) 1992-05-25 1992-05-25 半導体装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE4316266A1 true DE4316266A1 (de) 1993-12-02
DE4316266C2 DE4316266C2 (de) 1997-07-17

Family

ID=15084657

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4316266A Expired - Fee Related DE4316266C2 (de) 1992-05-25 1993-05-14 Halbleitervorrichtung mit einer Mehrschicht-Verbindungsstruktur und Verfahren zum Herstellen einer solchen

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5510653A (de)
JP (1) JPH05326718A (de)
KR (1) KR0124144B1 (de)
DE (1) DE4316266C2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19509203A1 (de) * 1993-10-07 1996-09-19 Mitsubishi Electric Corp Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0696056B1 (de) * 1994-07-29 2000-01-19 STMicroelectronics, Inc. Verfahren zum Testen und Reparieren eines integrierten Schaltkreises und zum Herstellen einer Passivierungsstruktur
US6335561B2 (en) * 1998-01-20 2002-01-01 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device having a passivation film
US6965165B2 (en) * 1998-12-21 2005-11-15 Mou-Shiung Lin Top layers of metal for high performance IC's
JP2000216264A (ja) * 1999-01-22 2000-08-04 Mitsubishi Electric Corp Ｃｍｏｓ論理回路素子、半導体装置とその製造方法およびその製造方法において用いる半導体回路設計方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0021818A1 (de) * 1979-06-21 1981-01-07 Fujitsu Limited Elektronische Vorrichtung mit einer Mehrschicht-Bedrahtungsstruktur
DE4140180A1 (de) * 1991-06-14 1992-12-17 Mitsubishi Electric Corp Halbleitereinrichtung und verfahren zu deren herstellung

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4349609A (en) * 1979-06-21 1982-09-14 Fujitsu Limited Electronic device having multilayer wiring structure
JPS59107523A (ja) * 1983-12-05 1984-06-21 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体素子の保護膜形成方法
JPS60143649A (ja) * 1983-12-29 1985-07-29 Hitachi Ltd 半導体装置の多層配線構造
JPH06101453B2 (ja) * 1985-05-10 1994-12-12 株式会社日立製作所 パタ−ン形成方法
JPS6267839A (ja) * 1985-09-19 1987-03-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JPS62299843A (ja) * 1986-06-19 1987-12-26 Fujitsu Ltd パタ−ン形成方法
JPS63213347A (ja) * 1987-02-27 1988-09-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH0769610B2 (ja) * 1987-03-19 1995-07-31 株式会社日立製作所 パターン形成方法
JPH0226053A (ja) * 1988-07-14 1990-01-29 Matsushita Electron Corp 半導体装置の製造方法
JPH02101764A (ja) * 1988-10-08 1990-04-13 Toshiba Chem Corp 樹脂封止型半導体装置
JPH02277255A (ja) * 1989-04-18 1990-11-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0021818A1 (de) * 1979-06-21 1981-01-07 Fujitsu Limited Elektronische Vorrichtung mit einer Mehrschicht-Bedrahtungsstruktur
DE4140180A1 (de) * 1991-06-14 1992-12-17 Mitsubishi Electric Corp Halbleitereinrichtung und verfahren zu deren herstellung

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19509203A1 (de) * 1993-10-07 1996-09-19 Mitsubishi Electric Corp Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
US5604380A (en) * 1993-10-07 1997-02-18 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device having a multilayer interconnection structure
DE19509203B4 (de) * 1993-10-07 2004-06-17 Mitsubishi Denki K.K. Halbleitervorrichtung mit einer mehrschichtigen Zwischenverbindungsstruktur und Verfahren zu ihrer Herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
KR930024122A (ko) 1993-12-22
KR0124144B1 (ko) 1997-11-25
JPH05326718A (ja) 1993-12-10
DE4316266C2 (de) 1997-07-17
US5510653A (en) 1996-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10218155B4 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
DE102016100766B4 (de) Strukturierung von durchkontaktierungen durch mehrfachfotolithografie und mehrfachätzung
DE3021206C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Leiterbahnen auf Halbleiterbauelementen
DE4420365C2 (de) Halbleiterbauelement-Isolierverfahren und integrierte Schaltungen für eine Speicheranordnung
DE10256346A1 (de) Halbleiterbauelement mit MIM-Kondensator und Herstellungsverfahren
DE10351875A1 (de) Integriertes Schaltkreisbauelement und Halbleiterbauelement mit MIM-Kondensator
DE3834241A1 (de) Halbleitereinrichtung
DE112019003120T5 (de) Dünnfilmwiderstand in einer integrierten schaltung und herstellungsverfahren dafür
DE112004001530T5 (de) Versiegelte Poren in Damascene-Strukturen mit Low-k-Material
DE102013103976A1 (de) Halbleiterbauelement mit selbstausgerichteten Verbindungen und Sperrabschnitten
DE4139039C2 (de) MOS-Halbleitervorrichtung
DE19626039A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Metalleitung
DE3038773C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltungsanordnung mit MOS-Transistoren und mit spannungsunabhängigen Kondensatoren
DE19531602C2 (de) Verbindungsstruktur einer Halbleitereinrichtung und ihr Herstellungsverfahren
DE60037599T2 (de) Herstellungsverfahren für halbleiteranordnung mit reduzierter signalwegverzögerungszeit
DE10246682A1 (de) Halbleiter-Vorrichtung
DE10046915A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
DE4120592C2 (de) Halbleitereinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE69735919T2 (de) Ein verfahren zur herstellung einer monolithischen mikrowellenschaltung mit dicken leitern
DE4316266C2 (de) Halbleitervorrichtung mit einer Mehrschicht-Verbindungsstruktur und Verfahren zum Herstellen einer solchen
DE2703618C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines integrierten Halbleiterschaltkreises
DE19716791B4 (de) Verfahren zum Herstellen von Kontaktöffnungen in einer mehrschichtigen Halbleiterstruktur
DE10111722A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE3705152C2 (de)
DE10242145B4 (de) Halbleiterbauelement mit lokaler Zwischenverbindungsschicht und Herstellungsverfahren

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee