DE50111732D1 - Halbleiterpolymere, verfahren zu deren herstellung und optoelektronisches bauelement - Google Patents

Halbleiterpolymere, verfahren zu deren herstellung und optoelektronisches bauelement

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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7247503B2 (en) * 2003-05-07 2007-07-24 Macronix International Co., Ltd. Method of laser annealing to form an epitaxial growth layer
US20070262296A1 (en) * 2006-05-11 2007-11-15 Matthias Bauer Photodetectors employing germanium layers
JP2008069301A (ja) * 2006-09-15 2008-03-27 Toyota Central R&D Labs Inc シリコンナノシート、そのコロイド溶液、およびシリコンナノシートの製造方法。
US10074814B2 (en) * 2013-04-22 2018-09-11 Ohio State Innovation Foundation Germanane analogs and optoelectronic devices using the same
US20160362522A1 (en) * 2015-06-13 2016-12-15 The Pen True nanoscale one and two-dimensional organometals
CN108423637B (zh) * 2017-02-15 2022-11-22 松下知识产权经营株式会社 光电转换材料以及使用该光电转换材料的太阳能电池
KR102080829B1 (ko) * 2018-05-18 2020-02-24 연세대학교 산학협력단 층상형 Ge, 이의 제조 방법, 이로부터 박리된 Ge 나노시트 및 이를 포함하는 리튬이온전지용 전극
CN110746268A (zh) * 2018-07-24 2020-02-04 天津大学 一类氟代乙基取代的二维层状锗及制备方法
CN110746452A (zh) * 2018-07-24 2020-02-04 天津大学 二维材料CaGeTe甲基化制备高性能材料的方法
CN110745859A (zh) * 2018-07-24 2020-02-04 天津大学 二维材料CaGeTe功能化制备高性能材料的方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4271084A (en) * 1978-03-01 1981-06-02 Ryuichi Sato Germanium-containing organic polymer and the process for the production of the same
US4778692A (en) * 1985-02-20 1988-10-18 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
US5280183A (en) * 1988-05-31 1994-01-18 Edison Polymer Innovation Corporation Microelectronic device employing multiring phthalocyanine compound
US5220181A (en) * 1989-12-11 1993-06-15 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic element of junction type with an organic semiconductor layer formed of a polysilane compound
JPH04335519A (ja) * 1991-05-13 1992-11-24 Fujitsu Ltd 半導体結晶の製造方法
DE4139852A1 (de) * 1991-12-03 1993-06-09 Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften Ev, 3400 Goettingen, De Optische einrichtung mit einem lumineszenten material und verfahren zu ihrer herstellung
JP2855300B2 (ja) * 1992-04-15 1999-02-10 キヤノン株式会社 非単結晶ゲルマニウム半導体
JP3508144B2 (ja) * 1992-07-24 2004-03-22 ソニー株式会社 シリコンポリマー
US5437929A (en) * 1994-01-19 1995-08-01 Edison Polymer Innovation Corp. Germanium phthalocyanine films
JPH08231947A (ja) 1995-02-22 1996-09-10 Osaka Gas Co Ltd 有機電界発光素子
JPH08231949A (ja) * 1995-02-22 1996-09-10 Osaka Gas Co Ltd 有機電界発光素子
JPH0964417A (ja) * 1995-08-25 1997-03-07 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> シロキセン系化合物薄膜の製造方法
JPH10180933A (ja) * 1996-12-27 1998-07-07 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 無機−有機層状高分子単層膜およびその多層積層膜
JP3024584B2 (ja) * 1997-03-10 2000-03-21 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US6452218B1 (en) * 1997-06-10 2002-09-17 Uniax Corporation Ultra-thin alkaline earth metals as stable electron-injecting electrodes for polymer light emitting diodes
US6316098B1 (en) * 1998-03-27 2001-11-13 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Molecular layer epitaxy method and compositions

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Publication number Publication date
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US20030151117A1 (en) 2003-08-14
US7402891B2 (en) 2008-07-22
JP4773027B2 (ja) 2011-09-14
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