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Hintergrund
der Erfindung
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Diese Erfindung bezieht sich auf
elektrische Verbindungselemente, beispielsweise Verbinder zum elektrischen
Verbinden von Verdrahtungs- oder Leiterplatten miteinander und anisotrope
leitfähige
Elemente zum gegenseitigen Verbinden von Anschlüssen, Elektroden usw. auf flexiblen
gedruckten Verdrahtungs- oder Schaltungsplatten, beispielsweise Flachkabeln
und Leiterplatten, sowie auf ein Verfahren zum Herstellen derselben.
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Bisher war es für bekannte Verbinder zum elektrischen
Verbinden von Verdrahtungsplatten miteinander beispielsweise im
allgemeinen nötig,
Vorrichtungen/Glieder zum mechanischen Fixieren der Verbinder und
Verdrahtungsplatten sowie zum Zusammenhalten der Platten ebenso
wie Glieder zum Herstellen der Verbindung vorzusehen. Herkömmliche
Verbinder mit derartigen mechanischen Kopplungsmitteln haben einen
dementsprechend komplizierten Aufbau, was. die Miniaturisierung
und Verschlankung behindert. Die am 18. August 1995 ausgegebene
japanische Patentveröffentlichung
Nr. 7-220846, die als der am nächsten
kommende Stand der Technik betrachtet wird, offenbart die Herstellung eines
Verbinders durch das Verbinden einer dünnen Metallfolie mit einem
isolierenden Einbettungsmaterial und Einarbeiten von Kanälen in die
dünne Metallfolie
mittels Laser, gefolgt durch ein Biegen der Anordnung in U-förmige Gestalt
rechtwinklig zu der Einarbeitungsrichtung der Kanäle, wobei
das Einbettungsmaterial nach innen weist. Hierzu mußten die Kanäle einer
nach dem anderen mittels Laser in Verbinder eingearbeitet werden,
was das Herstellungsverfahren mühselig
macht.
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Wenn man andererseits das herkömmliche Herstellen
flexibler gedruckter Verdrahtungsplatten (FPC) als Beispiel betrachtet,
muß bei
diesem Verfahren ein erforderliches Leitermuster auf einem Substrat
(Basisfilm) geschaffen werden, anschließend daran eine Abdeckung über das
Leitermuster gelegt werden, um es zu schützen und zu isolieren. Zum
Verbinden der Abdeckung mit dem Substrat war aber ein zweckbestimmter
Klebstoff nötig
und ein zusätzlicher
Schritt zum Aufbringen dieses Klebstoffs.
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Das Dokument US-A-5 219 655 offenbart
ein Verfahren zum Transfer eines Leitermusters in einem Metallfilm
auf ein Substrat, um beispielsweise eine gedruckte Schaltungsplatte
herzustellen. Das bekannte Verfahren weist folgendes auf (a) Ausbilden einer
metallischen Dünnschicht
auf einer Form (11), die eine Vielzahl erhabener Oberflächenbereiche hat;
(b) haftendes Anbringen einer auf einem Substrat ausgebildeten,
ein Haftmaterial oder ein Klebematerial aufweisenden Transferschicht
an der metallischen Dünnschicht über der
Vielzahl erhabener Oberflächenbereiche;
und (c) Trennen des Substrates zusammen mit der Transferschicht,
an der die metallische Dünnschicht
adhärent
befestigt ist, von der Form.
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Das Dokument US-A-4 980 016 offenbart
ein Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Leiterplatte, bei
dem eine Metallfolie an einer auf einem Flachmaterialsubstrat ausgebildeten
Klebeschicht angebracht wird. Die Metallfolie wird dann mit Muster versehen,
um ein gewünschtes
Schaltungsmuster zu erhalten. Die auf diese Weise erhaltene Transferschicht
wird in eine Form gegeben und Harz in die Form eingespritzt. Beim
Entfernen aus der Form bildet das Harz das Flachmaterialsubstrat
und Klebeschicht werden vom geformten Erzeugnis abgezogen, und es
bleibt ein Substrat bestehen, in dessen Oberfläche das Schaltungsmuster eingebettet
ist.
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Folglich ist es eine Aufgabe dieser
Erfindung, ein elektrisches Verbindungselement zu schaffen, welches
leicht herzustellen ist, sowie ein Verfahren zum Herstellen desselben.
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Eine weitere Aufgabe dieser Erfindung
ist die Schaffung eines elektrischen Verbindungselements, welches
einen einfachen Aufbau hat und eine Reduzierung der Größe und Dicke
ermöglicht,
sowie ein Verfahren zum Herstellen desselben.
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Zusammenfassung
der Erfindung
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Diese Ziele werden mit einem Verfahren
erreicht, wie in Anspruch 1 beansprucht, und mit einem elektrischen
Verbindungselement, wie in Anspruch 8 beansprucht. Bevorzugte Ausführungsbeispiele
sind Gegenstand der abhängigen
Ansprüche.
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Der hier verwendete Ausdruck "Haftmaterial" bezieht
sich auf das Material, mit dem zwei Objekte auf solche Weise miteinander
verbunden werden, daß sie
anschließend
an den vereinigten Oberflächen
auseinandergezogen werden können,
während der
Ausdruck "Klebematerial", wie er hier verwendet wird, sich auf das
Material bezieht, mit dem zwei Objekte auf solche Weise miteinander
verbunden werden, daß sie
an den vereinigten Oberflächen
kaum auseinandergezogen werden können.
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Das elektrische Verbindungselement
gemäß dieser
Erfindung weist ein Substrat auf, auf dem sich eine Transferschicht
aus Haftmaterial oder Klebematerial befindet, wobei auf der Transferschicht
ein Leitermuster vorgesehen ist. Das Leitermuster wird erhalten
durch Ausbilden einer metallischen Dünnschicht auf einer Form, die
Vorsprünge
entsprechend dem Leitermuster hat, Anheften des Substrates an die über die
Vorsprünge
gelegte metallische Dünnschicht
mittels der Transferschicht, gefolgt durch das Wegziehen des Substrats
von der Form, so daß die über die
Vorsprünge
gelegte metallische Dünnschicht
auf die Transferschicht übertragen
wird, wodurch darauf das Leitermuster ausgebildet wird.
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Ein elektrisches Verbindungselement
gemäß dieser
Erfindung zur Verwendung als Verbinder zum elektrischen Verbinden
von Verdrahtungsplatten miteinander weist ein Verdrahtungselement
auf, weiches aus einem Substrat, auf dessen Oberfläche auf einer
Seite eine Transferschicht aus Haftmaterial oder Klebematerial aufgetragen
ist, und einem Leitermuster zusammengesetzt ist, welches eine Vielzahl in
der Transferschicht gebildeter paralleler Leiterreihen hat. Das
Leitermuster wird erhalten durch Ausbilden einer metallischen Dünnschicht
auf einer Form mit stegartigen Vorsprüngen entsprechend der Anordnung
der Leiterreihen, Anheften der Transferschichtseite des Substrats
an die über
die Vorsprünge
gelegte metallische Dünnschicht,
gefolgt durch Wegziehen des Substrats von der Form, um die metallische
Dünnschicht
auf den Vorsprüngen
auf die Transferschicht übertragen
zu bekommen, um auf diese Weise das Leitermuster darauf auszubilden, wobei
die Leiterreihen des Leitermusters in gegenüberliegender Berührung mit
den zu verbindenden entsprechenden Verdrahtungsreihen der beiden
verbundenen Verdrahtungsplatten ist, um auf diese Weise Verbindung
zwischen jenen Verdrahtungsreihen herzustellen, wobei das Substrat
gegen die beiden Verdrahtungsplatten gepreßt wird, so daß jene Abschnitte
der Transferschicht zwischen den benachbarten Leiterreihen haftend
(oder klebrig) an den Oberflächen
der beiden Verdrahtungsplatten angebracht werden, um eine mechanische
Verbindung herzustellen.
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Ein elektrisches Verbindungselement
gemäß dieser
Erfindung zur Verwendung als flexible gedruckte Verdrahtungsplatte
weist eine über
die Oberfläche
des Verdrahtungselements gemäß dieser
Erfindung gelegte Abdeckung auf, auf der ein Leitermuster ausgebildet
ist, wobei die Abdeckung mit dem Element mittels der Transferschicht
verbunden ist.
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Ein elektrisches Verbindungselement
gemäß dieser
Erfindung zur Verwendung als anisotropes leitfähiges Element weist das Verdrahtungselement gemäß dieser
Erfindung auf, welches ein Leitermuster besitzt, das aus einer Anzahl
von Leiterreihen zusammengesetzt ist, die in einem vorherbestimmten Abstand
parallel zueinander angeordnet sind, wobei das so aufgebaute Verdrahtungselement
orthogonal zur Länge
der Leiterreihen in Streifen geschnitten ist, von denen eine Vielzahl
ihrerseits in vertikaler Ausrichtung miteinander aufeinandergestapelt
sind und die so aufgebauten Streifen in Richtung des Stapels zusammengepreßt werden,
um in einer einstöckigen Anordnung
zusammenlaminiert zu werden.
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Kurzbeschreibung der Zeichnungen
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1 ist
ein schematisches Diagramm, welches die aufeinanderfolgenden Schritte
eines Ausführungsbeispiels
des Verfahrens zum Herstellen des elektrischen Verbindungselements
gemäß dieser Erfindung
veranschaulicht;
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2 ist
eine perspektivische Ansicht der in 1 gezeigten
Form 11;
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3 ist
eine perspektivische Ansicht eines Ausführungsbeispiels des Verdrahtungselements
zur Verwendung als elektrisches Verbindungselement gemäß dieser
Erfindung, hergestellt gemäß dem in 1 dargestellten Verfahren;
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4A ist
eine perspektivische Ansicht eines Ausführungsbeispiels des Verbinders
zur Verwendung als elektrisches Verbindungselement gemäß dieser
Erfindung;
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4B und 4C sind perspektivische Ansichten,
die zeigen, wie Verdrahtungsplatten durch den in 4A gezeigten Verbinder miteinander verbunden werden;
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5A ist
eine perspektivische Ansicht eines weiteren Ausführungsbeispiels des Verbinders zur
Verwendung als elektrisches Verbindungselement gemäß dieser
Erfindung;
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5B ist
eine Seitenansicht der Verdrahtungsplatten, die durch den in 5A gezeigten Verbinder miteinander
verbunden sind;
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6A ist
eine perspektivische Ansicht noch eines weiteren Ausführungsbeispiels
des Verbinders zur Verwendung als elektrisches Verbindungselement
gemäß dieser
Erfindung;
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6B und 6C sind perspektivische Ansichten,
die darstellen, wie Verdrahtungsplatten durch den in 6A gezeigten Verbinder miteinander
verbunden werden;
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7 ist
eine perspektivische Ansicht eines Ausführungsbeispiels der flexiblen
gedruckten Schaltungsplatte zur Verwendung als elektrisches Verbindungselement
gemäß dieser
Erfindung;
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8A ist
eine perspektivische Ansicht eines weiteren Ausführungsbeispiels des nach dem Verfahren
gemäß dieser
Erfindung hergestellten Verbindervorrats;
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8B ist
eine perspektivische Ansicht von Streifen, die aus dem in 8A gezeigten Vorrat geschnitten
und aufeinandergestapelt sind; und
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8C ist
eine perspektivische Ansicht eines Ausführungsbeispiels des anisotropen
leitfähigen
Elements zur Verwendung als elektrisches Verbindungselement gemäß dieser
Erfindung.
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Detaillierte
Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele
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In 1 sind
die aufeinanderfolgenden Schritte eines Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum
Herstellen des elektrischen Verbindungselements gemäß dieser
Erfindung dargestellt. Die Schritte werden im einzelnen nachfolgend
beschrieben.
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- 1.) Es wird eine Form 11 bereitgestellt. Auf der
Oberfläche
der Form 11 sind Vorsprünge 12 entsprechend einem
zu schaffenden Leitermuster ausgebildet. Wie gezeigt, weisen die
Vorsprünge 12 eine
Vielzahl erhabener Stege auf, die in einem vorherbestimmten Abstand
angeordnet sind, wie 2 zeigt,
obwohl die erhabenen Stege nicht notwendigerweise in gleichmäßigen Abständen angeordnet
sein müssen.
- 2.) Zuerst wird auf der Form 11 ein metallischer Film, der
nur eine verhältnismäßig schwache
Haftung an der Form (schwache Haftkraft) hat, durch Dampfniederschlag,
Zerstäuben
oder Plattieren (entweder stromloses Plattieren oder elektrolytisches
Plattieren) geschaffen, um eine Grundierschicht 13 zu erhalten.
- 3.) Der nächste
Schritt besteht darin, auf dieser Grundierschicht 13 eine
Hauptleiterschicht 14 in Form eines Films in vorherbestimmter
Dicke zu schaffen, aus der ein Leitermuster gebildet wird. Diese
Filmerzeugung geschieht durch Dampfniederschlag, Zerstäuben oder
Plattieren (stromloses Plattieren und/oder elektrolytisches Plattieren),
um auf diese Weise eine zweilagige metallische Dünnschicht 15 zu erhalten, die
aus der Grundierschicht 13 und der Hauptleiterschicht 14 zusammengesetzt
ist.
- 4.) Als nächstes
wird ein Substrat 17 geschaffen, auf dessen Oberfläche auf
einer Seite eine Transferschicht 16 aus Haftmaterial aufgetragen
ist. Das Substrat 17 wird mit seiner Transferschicht 16 der
Form 11 zugewandt angeordnet und die Transferschicht 16 dann
mit der metallischen Dünnschicht 15 auf
den Vorsprüngen 12 in
innige Berührung
gebracht.
- 5.) Die Transferschicht 16 wird zusammen mit dem Substrat 17 von
der Form 11 nach oben weggezogen. Dabei wird die metallische
Dünnschicht 15 auf den
Vorsprüngen 12,
die nunmehr an der Transferschicht 16 haftet, von der Form 11 an
der Grenzfläche
mit der Form abgelöst.
- 6.) Das bedeutet, daß die
metallische Dünnschicht 15 auf
den Vorsprüngen 12 auf
die Transferschicht 16 übertragen
und an diese geheftet wird. Es ist ersichtlich, daß auf diese
Weise ein Verdrahtungselement 19 vervollständigt ist,
welches das Substrat 17 und ein Leitermuster 18 aufweist,
welches aus der auf die Transferschicht 16 übertragenen
metallischen Dünnschicht 15 gebildet
ist. 3 zeigt das so
fertiggestellte Verdrahtungselement 19 in seiner gesamten Gestalt.
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Bei dem oben beschriebenen Verfahren
zur Schaffung eines Leitermusters kann als Material für die Grundierschicht 13 Gold,
Zinn oder Kohlenstoff verwendet werden, der ein schwächeres Haftvermögen an der
Form 11 hat als die Hauptleiterschicht 14, während Nickel
oder Kupfer als Material für
die Hauptleiterschicht 14 benutzt werden kann. Wenn die Hauptleiterschicht 14 aus
Nickel oder Kupfer geschaffen wird, entsteht ein Leitermuster 18,
das eine gewünschte
mechanische Festigkeit hat und mit der nötigen Leitfähigkeit versehen werden kann.
Die Grundierschicht 13 braucht es nur zu erlauben, die metallische
Dünnschicht 15 an
der Grenzfläche
von der Form 11 abziehen zu können, und sie kann sehr dünn sein,
sogar nur in der Größenordnung
von 0,005 μm.
Wenn aber die Grundierschicht 13 aus Gold gemacht wird,
um die Leitfähigkeit
des Leitermusters 18 zu erhöhen, kann sie in der Größenordnung
von beispielsweise 0,05 μm
sein. Vom Standpunkt der mechanischen Stärke ist es wünschenswert,
daß die
Hauptleiterschicht 14 eine Dicke von mehr als 3 μm hat.
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Verschiedene Werkstoffe, beispielsweise Glas,
Silizium, rostfreier Stahl und Fluorkunststoffe können zur
Herstellung der Form 11 benutzt werden. Besteht die Form 11 aus
Fluorkunststoff, dessen Haftvermögen
gegenüber
einem metallischen Film sehr schwach ist, kann eine Hauptleiterschicht 14 aus
Nickel oder Kupfer unmittelbar auf der Form 11 ausgebildet
werden, ohne daß die
Grundierschicht 13, beispielsweise aus Gold oder Zinn zwischengeschaltet
werden muß.
Die Hauptleiterschicht 14 kann dann von der Form 11 an
der Grenzfläche
leicht entfernt werden. Die Notwendigkeit für eine Grundierschicht 13 kann
auch ausgeschaltet werden, wenn man die Oberfläche der aus Glas, Silizium
oder rostfreiem Stahl gemachten Form 11 fluoridisiert,
oder wenn man die Oberfläche der
Form 11, falls diese aus Silizium besteht, oxidiert.
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Was die Ausbildung der Vorsprünge 12 auf der
Form 11 betrifft, können
solche Vorsprünge 12 in Form
erhabener Stege leicht in einer Anordnung mit einem vorherbestimmten
Abstand geschaffen werden, wenn man in der Oberfläche beispielsweise
mit Hilfe einer Trennsäge
Rinnen bildet. Je nach der Konfiguration und den Abmessungen der
Vorsprünge 12 kann
auch ein Ätzverfahren
angewandt werden. Wenn zum Beispiel ein zu schaffendes Leitermuster 18 aus
Leiterreihen winziger Größe und in
feinem Abstand voneinander zusammengesetzt ist, kann ein Verfahren
angewandt werden, bei dem die Form 11 aus Silizium hergestellt
und Vorsprünge 12 durch Trockenätzen unter
Zuhilfenahme einer Maske ausgebildet werden. Mittels einer Trennsäge ist es
möglich,
den Abstand der Vorsprünge 12 in
einer Feinheit von 100 μm
zu erhalten, während
bei Anwendung des Trockenätzens
der Abstand der Vorsprünge 12 eine
Feinheit von 1 μm
haben kann. Es sei erwähnt, daß die Tiefe
der Rinnen größer sein
sollte als die erforderliche Dicke der metallischen Dünnschicht 15.
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Je nach Anwendungsfall des Verdrahtungselements 19 kann
für das
Substrat 17 wahlweise entweder ein flexibles Substrat,
beispielsweise Polyimidharz oder dergleichen oder ein steifes Substrat, beispielsweise
Glas, Epoxyharz oder dergleichen verwendet werden.
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Während
bei dem dargestellten Beispiel die Transferschicht 16 aus
einem seine Klebrigkeit behaltenden Haftmaterial auf einer Oberfläche des Substrats 17 angeordnet
ist, kann das Haftmaterial auch durch eine Transferschicht 16 aus
Klebematerial ersetzt sein, welches nach Ablauf einer vorherbestimmten
Zeitspanne aushärtet.
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Je nach Anwendungsfall kann außerdem die Hauptleiterschicht 14 aus
Gold gemacht werden. In diesem Fall wird die metallische Dünnschicht 15 aus einer
einzigen Schicht Gold erzeugt. Außerdem kann auf der Hauptleiterschicht 14 zusätzlich der
gleiche metallische Film wie die Grundierschicht 13 ausgebildet
werden, um Symmetrie vertikal ausgerichteter Leitermuster 18 sicherzustellen
und Oxidation der aus Nickel oder Kupfer bestehenden Hauptleiterschicht 14 zu
verhüten.
In diesem Fall hat die metallische Dünnschicht 15 einen
dreilagigen Aufbau aus Gold/Nickel/Gold.
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4 zeigt,
wie ein Verdrahtungselement, das durch Verwendung des oben beschriebenen
Verfahrens zur Ausbildung des Leitermusters hergestellt wird (nachfolgend
als "Transferverfahren" bezeichnet), für einen Verbinder als elektrisches
Verbindungselement benutzt wird. Wie 4A zeigt,
hat der Verbinder 21 ein Leitermuster 18 mit einer
Vielzahl von Leiterreihen, die parallel zueinander in einem vorherbestimmten
Abstand auf einer Transferschicht 16 aus Haftmaterial angeordnet
sind, die auf die Oberfläche
auf einer Seite eines Substrats 17 aufgebracht ist.
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Der Verbinder 21 wird benutzt,
um zwei Verdrahtungsplatten 22 miteinander zu verbinden,
wie 4B zeigt. Die Verdrahtungsplatten 22 werden Stirn
an Stirn so ausgerichtet, daß die
Verdrahtungen 23 an den zu verbindenden Enden in einer
Reihe liegen, und der Verbinder 21 wird mit den zwei Verdrahtungsplatten 22 unter
Druck in Berührung
gebracht, wobei die Leitermuster 18 des Verbinders 21 den
entsprechenden, zu verbindenden Verdrahtungen 23 gegenüberliegend
angeordnet werden, wie 4C zeigt.
Dieser Druckkontakt bringt die Verdrahtungen 23 dieser
beiden Verdrahtungsplatten 22 in elektrische Verbindung
miteinander und zwingt außerdem das
Leitermuster 18 des Verbinders 21 in die Transferschicht 16.
Hierdurch werden jene Abschnitte der Transferschicht 16 zwischen
dem Leitermuster 18 an den entsprechenden Oberflächenabschnitten
der beiden Verdrahtungsplatten 22 haftend angebracht, um
eine mechanische Verbindung zwischen dem Verbinder 21 und
den beiden Verdrahtungsplatten 22 zu schaffen. Das Ausmaß der Verbindung
mittels der Transferschicht 16 kann durch die Wahl der
Dicke der Transferschicht 16 unter Berücksichtigung der Dicken des
Leitermusters 18 und der Verdrahtungen 23 bestimmt
werden.
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Die Transferschicht 16 wird
durch das hineingezwängte
Leitermuster 18 einer elastischen Verformung unterworfen
und dadurch an den Oberflächenbereichen
der beiden Verdrahtungsplatten haftend angebracht, so daß die elastische
Rückstellkraft
der Transferschicht einen Beitrag als eine Last leistet, die in
dem Sinn wirkt, daß sie
das Leitermuster 18 mit den Verdrahtungen 23 in
Kontakt drängt,
wodurch eine gute elektrische Verbindung zwischen dem Leitermuster 18 und
den Verdrahtungen 23 hergestellt werden kann.
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Der Aufbau dieses Verbinders 21 erübrigt die Notwendigkeit
für ein
getrenntes zweckbestimmtes Glied (Teil) zum mechanischen Befestigen
des Verbinders an den beiden Verdrahtungsplatten 22, denn die
Transferschicht 16 dient nicht nur zur Ausbildung des Leitermusters 18 im
Wege der Übertragung
aufgrund der Klebrigkeit, sondern auch zur Schaffung einer mechanischen
Befestigung an den miteinander zu verbindenden Verdrahtungsplatten 22.
Das zeigt, daß der
Verbinder 21 gemäß dieser
Erfindung einen einfachen Aufbau hat und mit sehr niedrigem Profil geschaffen
werden kann. Außerdem
sei darauf hingewiesen, daß die
Transferschicht 16 wiederholt (lösbar) benutzt werden kann,
wenn man ein entsprechendes Haftmaterial wählt, aus dem die Transferschicht
gemacht wird. Wenn gewünscht,
kann gemäß einer
Alternative auch eine dauerhafte Verbindung geschaffen werden, wenn
man als Material für
die Transferschicht 16 ein Klebematerial benutzt.
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5 zeigt
ein weiteres Ausführungsbeispiel des
Verbinders r Verwendung als elektrisches Verbindungselement gemäß dieser
Erfindung. Hier ist ein gemäß dem oben
beschriebenen Transferverfahren geschaffenes Verdrahtungselement 19 mit
einem Leitermuster 18, das eine Vielzahl von in einer Anordnung
erzeugten Leiterreihen aufweist, längs einer Falzlinie in Richtung
quer zur Anordnung der Leiterreihen um 180° umgebogen. Das Leitermuster 18 weist
nach außen,
und zwischen die umgebogenen Schenkel des Elements ist ein Abstandshalter
oder ein Halteglied 24 in Form eines dünnen Plättchens schichtartig eingebracht,
so daß ein
Verbinder 25 gemäß 5A entsteht. Der Krümmungsradius
des Falzes kann beispielsweise in der Größenordnung von 0,2 mm liegen.
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Bei dem gezeigten Beispiel ist das
Substrat 17 beispielsweise ein Film aus Polyimidharz oder dergleichen,
der sich leicht umbiegen läßt, und
hat eine auf eine Oberfläche
aufgebrachte Transferschicht 16, auf der Leiterreihen in
solcher Anordnung ausgebildet sind, daß sie ein Leitermuster 18 darstellen.
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Das Verdrahtungselement 19 wird
durch das Halteglied 24 in der umgebogenen Stellung gehalten, denn
die inneren gegenüberliegenden
Flächen
des umgebogenen Verdrahtungselementes 19 sind zum Beispiel
mittels Klebstoff daran befestigt.
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Das Halteglied 24 in Form
eines dünnen Plättchens
ist zum Beispiel aus einer Glasfolie oder einer Folie aus Epoxyharz
oder dergleichen gemacht, kann aber auch aus einem elastischen Werkstoff,
beispielsweise Gummi hergestellt sein.
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Dieser Verbinder 25 soll
im Gebrauch zwischen zwei miteinander zu verbindenden Verdrahtungsplatten 22 schichtartig
angeordnet werden, wie 5B zeigt,
um die beiden Verdrahtungsplatten 22 mit einander gegenüberliegenden
Verdrahtungsflächen
miteinander zu verbinden.
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Es ist klar, daß die Verbindung mittels des Verbinders
durch die schichtartige Anordnung und das Zusammenpressen des Verbinders 25 zwischen zwei
miteinander zu verbindenden Verdrahtungsplatten 22 erhalten
wird, wobei das Leitermuster 18 den Verdrahtungen 23 der
beiden Verdrahtungsplatten 22 gegenüberliegt. Hierdurch wird die
mechanische Verbindung ebenso wie die elektrische Verbindung in
der gleichen Weise erhalten wie mit dem in 4 gezeigten
Verbinder 21.
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6 zeigt
ein weiteres Ausführungsbeispiel des
Verbinders zur Verwendung als etektrisches Verbindungselement zum
Verbinden von zwei Verdrahtungsplatten, deren Verdrahtungsflächen nach
innen gewandt sind (aber nicht notwendigerweise einander gegenüberliegend).
Wie 6A zeigt, ist bei
diesem Beispiel ein Paar Verdrahtungselemente 19 je mit
einem Leitermuster 18, welches eine nach dem oben beschriebenen
Transferverfahren erzeugten Vielzahl von Leiterreihen in einer Anordnung
aufweist, in Längsrichtung
der Leiterreihen gesehen, so angeordnet, daß die Leitermuster der einen
Hälften
der jeweiligen Elemente 19 einander gegenüberliegend
miteinander in Berührung
stehen. Sie sind miteinander verbunden aufgrund der Tatsache, daß die Transferschichten
der beiden Verdrahtungselemente aneinander haften, weil sie so gepreßt werden,
daß diejenigen
Abschnitte der äußeren Substrate 17,
welche die Transferschichten der einen Hälften stützen, zueinander gedrängt werden,
während
an den Substraten 17 der anderen Hälften der jeweiligen Verdrahtungselemente 19 Abstandshalter 26 an
derjenigen Seite befestigt sind, die der Seite gegenüberliegt,
auf der die Leitermuster 18 ausgebildet sind.
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Wie der Verbinder 21 gemäß 5 ist der Verbinder 27 im Gebrauch
schichtartig zwischen zwei Leiterplatten 22 angeordnet,
wie 6B zeigt. Hier liegen
die bloßliegenden
Leitermuster 18 der anderen Hälften der beiden Verdrahtungselemente 19 den
Verdrahtungen 23 der entsprechenden, zu verbindenden Verdrahtungsplatten 22 gegenüber, während die
beiden Abstandshalter 26 von den entsprechenden entgegengesetzten
Leiterplattenoberflächen
der Leiterplatten 22 angedrückt werden, um die Leitermuster 18 und
die Verdrahtungen 23 miteinander unter Druck in Berührung zu
bringen. Hierdurch wird, wie aus 6C hervorgeht,
eine elektrische Verbindung zwischen den zu verbindenden Verdrahtungen 23 hergestellt,
während
gleichzeitig die Transferschichten 16 an den Leiterplattenobertlächen der
Leiterplatten 22 haftend angebracht werden, um eine mechanische
Verbindung zu erhalten. Bei diesem Verbinder haben die miteinander
zu verbindenden Verdrahtungsplatten 22 einen Abstand voneinander,
der dem Abstand zwischen den beiden Abstandshaltern
26 entspricht,
und brauchen einander nicht gegenüber zu liegen.
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7 zeigt
ein Ausführungsbeispiel
der flexiblen gedruckten Verdrahtungsplatte zur Verwendung als elektrisches
Verbindungselement gemäß dieser
Erfindung. Bei diesem Ausführungsbeispiel
ist die flexible gedruckte Verdrahtungsplatte 29 aus einem
Verdrahtungselement 19 mit einem Leitermuster 18,
das eine Vielzahl von gemäß dem oben
beschriebenen Transferverfahren ausgebildeten Leiterreihen aufweist,
und einer Abdeckung 28 zusammengesetzt, die über die
Oberfläche
des Verdrahtungselements 19 mit dem Leitermuster gelegt
ist.
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Als Beispiel kann die Abdeckung 28 am
Verbindungselement 19 dadurch befestigt werden, daß man die
Abdeckung 28 über
das Leitermuster 18 legt und andrückt und eine Walze über die
Abdeckung rollt, um das Leitermuster 18 in die Transferschicht 16 zu
zwingen, wodurch die Transferschicht 16 an der Abdeckung 28 haftend
angebracht wird. Es ist klar, daß bei diesem Beispiel die Abdeckung 28 mit
dem Verdrahtungselement 19 verbunden werden kann, ohne
daß ein
zusätzlicher
Klebstoff auf das Leitermuster 18 aufgetragen werden muß, um die
Abdeckung 28 anzuheften.
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Das Substrat 17 und die
Abdeckung 28 können
zum Beispiel aus Polyimidfilm bestehen.
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Es sei erwähnt, daß bei diesem Beispiel ein Endabschnitt
des Verdrahtungselements 19 nicht von der Abdeckung 28 überdeckt
ist, um die Endbereiche des Leitermusters 18 und der Transferschicht 16 freizulegen,
wie gezeigt. Hierdurch läßt sich
in diesem Endabschnitt das Verdrahtungselement 19 ohne weiteres
mit einem elektrischen Element verbinden, beispielsweise mit einem
weiteren Verdrahtungselement oder dergleichen, um sowohl eine elektrische als
auch eine mechanische Verbindung herzustellen.
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Wenn aber in einem Anwendungsfall
eine Verbindung erforderlich ist, die vom Haftvermögen der
Transferschicht abhängt,
kann das Haftmaterial (klebrig) durch einen Klebstoff ersetzt werden.
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8 zeigt
ein Ausführungsbeispiel
der Erfindung, bei dem die Transferschicht 16, auf der
ein Leitermuster ausgebildet ist, kein Substrat besitzt. Im einzelnen
ist in diesem Fall ein anisotropes leitfähiges Element zur Verwendung
als elektrisches Verbindungselement aus einem Verbindervorrat 31 geschaffen,
der eine Transferschicht 16 mit einem Leitermuster 18 aufweist,
das aus einer Vielzahl von in einer Anordnung darauf ausgebildeten
Leiterreihen zusammengesetzt ist. Wie 8A zeigt,
wird der Vorrat 31 durch Schaffen eines Leitermusters 18 hergestellt,
welches aus einer Vielzahl von parallel zueinander in einem vorherbestimmten
Abstand auf der Transferschicht 16 in Form eines Flachmaterials
angeordneten Leiterreihen zusammengesetzt ist. Anschließend wird
der Vorrat in eine Vielzahl Streifen 32 gleicher Länge in Querrichtung
abgeschnitten, wie in 8A gestrichelt
gezeigt, das heißt
orthogonal zur Länge
der Leiterreihen.
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Die Transferschicht 16 in
Form eines Flachmaterials kann aus einem Werkstoff ähnlich einem doppelseitigen
Klebeband gemacht sein, welches zum Beispiel eine erforderliche
Menge an Fasern, beispielsweise Glasfasern enthält, Jene Streifen 32 werden,
wie 8B zeigt, aufeinander
gestapelt, und die so aufgebauten Streifen 32 werden in
Richtung der Stapelung zusammengepreßt, um zusammenlaminiert zu
werden, wodurch die Haftmaterialien 16 der Streifen 32 mit
den darin eingebetteten Leitermustern 18 zu einer einstöckigen Baugruppe
integriert werden, wie 8C zeigt,
um ein anisotropes leitfähiges
Element 33 zu bilden.
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Das anisotrope leitfähige Element 33 ist durch
eine Vielzahl von Leitermustern 18, die in einer Anordnung
gehalten werden, mit anisotroper Leitfähigkeit versehen und kann zwischen
zwei Elektroden geschaltet werden, um so verbunden zu werden, daß die entgegengesetzten
Stirnflächen
der Leitermuster 18 der einstückig aufgebauten Baugruppe
mit den beiden Elektroden in Kontakt stehen. Hierdurch können die
Elektroden nicht nur verbunden werden, um Elektrizität allein
durch jene Abschnitte zu leiten, die mit dem anisotropen leitfähigen Element 33 in
Verbindung stehen, sondern sie können
auch mechanisch gekoppelt werden wegen der haftenden Anbringung der
Transferschicht 16 an den Elektroden.
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Wie aus dem in 8A dargestellten Ausführungsbeispiel hervorgeht,
ist das Substrat 17 nicht notwendigerweise verwendet, und
infolgedessen kann das Substrat 17 in den in 5 und 6 gezeigten Verbindern
weggelassen werden.
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Aus der vorstehenden Beschreibung
geht hervor, daß es
diese Erfindung erlaubt, leicht ein Leitermuster auf einer Transferschicht
oder einer Schicht aus Klebstoff auszubilden, was bisher schwierig
war, weil das Transferverfahren angewandt wird, bei dem eine auf
einem Formteil ausgebildete metallische Dünnschicht an der Grenzfläche von
der Form abgelöst
werden kann.
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Es sei auch erwähnt, daß die Transferschicht, auf
der das Leitermuster ausgebildet werden soll, keinen besonderen
Einschränkungen
unterliegt hinsichtlich der Wahl des Materials für die Transferschicht, da sie
weder hohen Temperaturen, noch Chemikalien ausgesetzt wird, beispielsweise
während
des Herstellungsverfahrens. Folglich kann die Art von Material für die Trägerschicht
nach Bedarf ausgewählt
werden.
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Gemäß dem Verfahren dieser Erfindung
ist es, sobald eine Form gemacht worden ist, möglich, ein der Gestalt der
Form entsprechendes Leitermuster wiederholt und mit guter Präzision auszubilden. Ferner
erlaubt es dies Verfahren, ein Leitermuster aus extrem schmalen
oder feinen Leiterreihen zu bilden und auch Leiterreihen in sehr
engen Abständen voneinander.
Außerdem
ist es leicht, die auf der Form geschaffene metallische Dünnschicht
durch Steuern des Filmbildungsprozesses extrem dünn zu erzeugen, so daß es möglich ist,
sogar eine extrem dünne Schicht
erfolgreich zu schaffen.
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Die Verwendung dieses Verfahrens
zum Schaffen eines Leitermusters zur Herstellung eines Verbinders
erlaubt die Produktion eines kompakten Verbinders mit niedrigem
Profil und einfachem Aufbau, weil als mechanische Kopplungseinrichtung
mit gegenüberliegenden
Verdrahtungsplatten zum Beispiel ein Haftmaterial verwendet wird.
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Ferner erlaubt es die Anwendung dieses
Verfahrens zum Erzeugen eines Leitermusters für die Herstellung einer flexiblen
gedruckten Verdrahtungsplatte, die Abdeckung unmittelbar mit dem
Verdrahtungselement zu verbinden, ohne daß ein zusätzlicher Klebstoff aufgetragen
werden muß,
wie im Stand der Technik. Das erleichtert die Verbindung mit gegenüberliegenden
Verdrahtungselementen, die mittels der Transferschicht verbunden
werden sollen.
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Ferner ist die Herstellung eines
anisotropen leitfähigen
Elements mit einer Vielzahl von durch die Transferschicht gehaltenen
Durchgangsleitern durch die Anwendung des Verfahrens erleichtert,
mit dem eine auf einer Form gebildete metallische Dünnschicht
auf eine Transferschicht in Form von Flachmaterial übertragen
wird, indem die metallische Schicht veranlaßt wird, in die Transferschicht
einzudringen.