DE60130754T2 - Apparat zur Erzeugung eines gespülten optischen Weges in einer photolithographischen Projektionsanlage sowie ein entsprechendes Verfahren - Google Patents

Apparat zur Erzeugung eines gespülten optischen Weges in einer photolithographischen Projektionsanlage sowie ein entsprechendes Verfahren Download PDF

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein das Instandhalten eines gespülten Lichtwegs in einem Fotolithografiesystem mit einer kontaktlosen Spülglasversiegelung.
  • Bei der Herstellung von integrierten Schaltungen werden Fotolithografie und Projektionsdrucktechniken verwendet. Bei einer Fotolithografie wird ein Bild, das auf einem Retikel beinhaltet ist, durch ein optisches System auf eine Fläche eines Halbleiterwafers projiziert. Die Halbleiterwaferfläche wird mit einem fotosensitiven Fotolack beschichtet, so dass ein Bild darauf geätzt wird.
  • Im Allgemeinen ist ein Fotolithografiesystem in einer Reinraumumgebung mit Umgebungsatmosphäre angeordnet. Jedoch sind einige Lichtwellenlängen, die bei der Fotolithografie verwendet, empfindlich gegen Absorption durch atmosphärischen Sauerstoff. Deshalb müssen, wenn solche sauerstoffempfindlichen Lichtwellenlängen bei der Fotolithografie verwendet werden, diese durch eine sauerstoffgespülte Atmosphäre übertragen werden.
  • In einigen Situationen kann die Umgebungsatmosphäre des Reinraums nicht sauerstoffgespült werden, da dieses Probleme hinsichtlich der Wartungsfreundlichkeit und des Betriebs hervorruft. Abschnitte der Steuerbewegung des Fotolithografiesystems eines illuminierenden Lasers über eine Halbleiterwaferfläche können durch ein Laserinterferometer gesteuert werden. Das Laserinterferometer ist empfindlich hinsichtlich des Lichtbrechungsindexes von Luft, welcher beeinflusst werden kann durch eine zufällige Fluktuation eines Brechungsindexes, hervorgerufen durch eine Fluktuation einer umgebenden Stickstoffkonzentration. Somit muss in einigen Situationen die stickstoffgespülte Umgebung soweit wie möglich auf den Lichtweg des fotolithografischen Systems begrenzt werden.
  • Das Versiegeln des Lichtweges ist jedoch aufgrund dessen schwierig, dass der Lichtweg mehrere Punkte aufweist, die gegen die Umgebung versiegelt werden müssen.
  • Darüber hinaus kann eine Versiegelung zwischen Flächen in dem Lichtweg erforderlich sein, die sich relativ zueinander bewegen. Zum Beispiel kann sich die Projektionsoptik in Relation zu der Halbleiterwaferoberfläche bewegen, wenn diese Lichtwellenlängen über unterschiedliche Flächen der Halbleiterwaferoberfläche projiziert. Die Projektionsoptik kann sich auch in Relation zu dem Retikel bewegen, wenn unterschiedliche Flächen des Retikels abgebildet werden.
  • Aus EUV- und Röntgenstrahlung-Lithografiesystemen, wie sie zum Beispiel aus EP 0 532 968 A und EP 0 242 178 bekannt sind, welche unter Vakuum betrieben werden und die nicht als Fotolithografiesysteme betrachtet werden, sind Versiegelungen und Luftlagerungen bekannt. EP 0 957 402 A2 offenbart eine Lithografieeinrichtung mit einer UV- oder EUV-Spülanordnung mit Mitteln zum kontinuierlichen Spülen der Innenseite eines Hohlrohrs, die zwischen dem Schutzsystem und dem Substrathalter angeordnet ist, mit einem Gasstrom. EP 0 886 184 A2 offenbart eine UV-Projektionsvorrichtung, die ein Vakuumverteiler mit einer Kavität und Bohrungen zum Abfluss von Gas aus der Kavität umfasst. Sowohl EP 0 957 402 A2 als auch EP 0 886 184 A2 können als repräsentativ für den nächsten Stand der Technik für den unabhängigen Vorrichtungsanspruch 1 betrachtet werden. EP 0 957 402 A2 wird als der nächstliegende Stand für den unabhängigen Verfahrensanspruch 11 betrachtet. Jedoch ist das, was benötigt wird, ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Instandhalten eines gespülten Lichtweges in einem Fotolithografiesystem, welches ein sauerstoffgespülter Lichtweg sein kann.
  • Die Aufgabe wird gelöst mit der Vorrichtung gemäß Anspruch 1 und dem Verfahren gemäß Anspruch 11.
  • Die Erfindung ist auf ein Verfahren und eine Vorrichtung für eine kontaktlose Spülgasversiegelung gerichtet. Die Erfindung ist weiter gerichtet auf ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Schaffen eines gespülten Lichtweges zwischen einer optischen Ursprungsfläche und einer optischen Zielfläche und zum Ermöglichen einer Relativbewegung zwischen der optischen Ursprungsfläche und der optischen Zielfläche. Die kontaktlose Spülgasversiegelung der vorliegenden Erfindung wird gebildet durch eine Spüleinrichtung. Die Spüleinrichtung ist in dem Lichtweg zwischen der optischen Ursprungsfläche und der optischen Zielfläche angeordnet.
  • Die Spülvorrichtung umfasst einen Körper, einen mittigen Hohlraum, eine Gaszufuhrbohrung oder mehrere Gaszufuhrbohrungen und eine oder mehrere Gasableitungsbohrungen. Der Körper definiert erste und zweite gegenüberliegende Flächen. Die erste gegenüberliegende Fläche ist konfiguriert für eine Positionierung nahe benachbart zu der optischen Zielfläche. Die zweite gegenüberliegende Fläche ist konfiguriert zum Eingriff mit der optischen Ursprungsfläche. Der mittige Hohlraum ist in dem Körper gebildet, um Licht durch den Körper durchzulassen, wobei der mittige Hohlraum an der ersten und zweiten gegenüberliegenden Fläche geöffnet ist. Die eine Gaszufuhrbohrung oder die mehreren Gaszufuhrbohrungen sind in dem Körper ausgebildet, um einem Strom eines Spülgases zu dem mittigen Hohlraufan zuzuführen. Die eine Gasableitungsbohrung oder die mehreren Gasableitungsbohrungen sind in dem Körper an der ersten gegenüberliegenden Fläche ausgebildet, um Gas von einem Spalt abzulassen, der zwischen der ersten gegenüberliegenden Fläche und der optischen Zielfläche gebildet ist.
  • Weitere Ausführungsbeispiele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindungen, genauso wie die Struktur und der Betrieb der verschiedenen Ausführungsbeispiele gemäß der vorliegenden Erfindung werden im Detail weiter unten mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben.
  • Kurze Beschreibung der Figuren
  • In den Figuren kennzeichnen gleiche Bezugszeichen im Allgemeinen identische, funktionsähnliche und/oder strukturell-ähnliche Elemente. Die Zeichnungen, in welchen ein Element zuerst auftaucht, ist durch die am weitesten links befindlichen Zeichen in dem korrespondierenden Bezugszeichen gekennzeichnet.
  • 1 zeigt ein Blockdiagramm eines herkömmlichen Fotolithografiesystems.
  • 2 zeigt ein beispielhaftes Blockdiagramm eines Fotolithografiesystems gemäß eines Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.
  • 3 zeigt eine Querschnittsansicht einer beispielhaften kontaktlosen Spülgasversiegelung gemäß eines Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.
  • 4 zeigt eine perspektivische Ansicht einer beispielhaften Spüleinrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • 5 zeigt beispielhaft eine bewegbare Fläche.
  • 6 zeigt eine Ansicht von unten einer beispielhaften Spüleinrichtung gemäß eines Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.
  • 7 zeigt eine Querschnittsansicht einer kontaktlosen Spülgasversiegelung, welche die exemplarische Spüleinrichtung nach 6 einbindet.
  • 8 zeigt ein Flussdiagramm, welches detailliert Betriebsschritte eines beispielhaften Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung bereitstellt.
  • Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele
  • Überblick und Terminologie
  • Die vorliegende Erfindung ist auf ein Verfahren und eine Vorrichtung für eine kontaktlose Spülgasversiegelung gerichtet. In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist die kontaktlose Spülgasversiegelung der vorliegenden Erfindung durch eine Spüleinrichtung in einem Lichtweg gebildet. Die Spüleinrichtung enthält eine im Wesentlichen sauerstofffreie Spülgasumgebung in einem Bereich des Lichtweges zum Durchlassen von sauerstoffempfindlicher aktinischer Strahlung. Die aktinische Strahlung wird durch eine Beleuchtungsquelle übertragen und verläuft entlang des Lichtweges durch eine Spülgasumgebung zu einer bewegbaren Fläche, die freiliegt.
  • Die vorliegende Erfindung entspricht aktinischen Lichtübertragungserfordernissen und einer Sensitivität von Sauerstoffabsorption in fotolithografischen Systemen und dem Bedarf, Verunreinigungen vor dem Aussetzen eines Fotolacks mit aktinischer Strahlung zu entfernen. Die vorliegende Erfindung stellt bereit und beinhaltet eine gespülte Atmosphäre für sauerstoffempfindliche Lichtübertragung. Darüber hinaus kann die vorliegende Erfindung für einen gespülten Atmosphärendruck und einen Außenumgebungsluftdruck angepasst werden.
  • Die vorliegende Erfindung kann verwendet werden, um eine Umgebung, deren Sauerstoff oder jedes andere Gas ausgespült wurde, instand zu halten. Darüber hinaus ist die vorliegende Erfindung anwendbar auf jede Art von gespültem Gas, das verwendet wird, um ein gespültes Volumen zu füllen. Die Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung kann auch verwendet werden für andere Applikationen, die kontaktlose Spülgasversiegelungen erfordern.
  • Weitere Funktionen der kontaktlosen Spülgasversiegelung der vorliegenden Erfindung umfassen das Verhindern, dass Spülgas in die Umgebungsatmosphäre entweicht und das Verhindern, dass Umgebungsatmosphäre in das gespülte Volumen eintritt.
  • Es wurden durchweg durch die Beschreibung Bemühungen vorgenommen, um die folgenden Begriffsdefinitionen so konsistent wie möglich beizubehalten.
  • „Umgebungsluft" bedeutet eine sauerstoffbeinhaltende Atmosphäre, so wie normale atmosphärische Luft, wie sie zum Beispiel in einer Reinraumumgebung gefunden wird.
  • „Spülgas" bedeutet ein Gas mit gesteuerter Reinheit.
  • „Spülplatte" ist eine Platte, die aus einem Metall oder anderem geeignetem Material hergestellt ist, das verwendet wird, um die Ebene, die bereitgestellt ist durch eine bewegbare Fläche, auszubauen.
  • „Spülvolumen" bedeutet ein Volumen oder ein Raum, in dem Sauerstoff, oder ein anderes unerwünschtes Gas, ausgespült ist.
  • Herkömmliche Fotolithografiesysteme
  • 1 zeigt ein herkömmliches Fotolithografiesystem 100. Das herkömmliche Fotolithografiesystem 100 ist in einer Umgebungsluft oder eine Gasumgebung angeordnet.
  • Das herkömmliche Fotolithografiesystem 100 umfasst eine Beleuchtungsquelle 102, eine Ursprungslichtanordnung 104, ein Retikel 106, eine Projektionsoptikanordnung 108 und eine Halbleiterwaferfläche 110. Die Beleuchtungsquelle 102 umfasst eine Lichtstrahlungsquelle zum Belichten der Halbleiterwaferfläche 110. Die Quelloptikanordnung 104 umfasst eine Optik, die notwendig ist, um eine Strahlung von der Beleuchtungsquelle 102 zu dem Retikel 106 zu führen. Das Retikel 106 umfasst eine Maske mit einem Muster, das auf die Halbleiterwaferoberfläche 110 durch Strahlung von der Beleuchtungsquelle 102 zu übertragen ist. Die Projektionsoptikanordnung 108 umfasst die Optik, die notwendig ist, um die Strahlung, die durch das Maskenmuster des Retikels 106 zu der Halbleiterwaferfläche 110 übertragen wurde, zu führen. Die Halbleiterwaferfläche 110 ist die Fläche eines Haibleiterwafers, die beleuchtet und geätzt werden soll.
  • Die Beleuchtungsquelle 102 erzeugt eine Strahlung 112. Die Strahlung 112 wird durch die Quelloptikanordnung 104, das Retikel 106 und die Projektionsoptikanordnung zu der Halbleiterwaferfläche 110 übertragen. Die Strahlung 112 wird übertragen durch verschiedene Umgebungsluftspalten und Kanäle in und zwischen der Beleuchtungsquelle 102, der Quelloptikanordnung 104, dem Retikel 106, der Projektionsoptikanordnung 108 und der Halbleiterwaferfläche 110. Wenn die Strahlung 112 Lichtwellenlängen umfasst, die durch Sauerstoff absorbiert werden können, kann der Sauerstoff in diesen Umgebungsluftspalten und Kanälen eines herkömmlichen Fotolithografiesystems 100 diese absorbieren, was verhindert, dass eine ausreichende Menge an Strahlung die Halbleiterwaferfläche 110 erreicht. Dieses kann zu einem unangemessenen Transfer des Musters des Retikels 106 zu der Halbleiterwaferfläche 110 führen und schlechtere Halbleiterwafer erzeugen.
  • Beispiel eines Fotolithografiesystems gemäß der vorliegenden Erfindung
  • 2 zeigt ein exemplarisches Fotolithografiesystem 200 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Das Fotolithografiesystem 200 ist in einer Außenluftumgebung angeordnet. Das Fotolithografiesystem 200 hält eine Spülgasumgebung zum Übertragen von Lichtwellenlängen, die empfindlich sind auf das Durchlaufen durch Sauerstoff, instand.
  • Das Fotolithografiesystem 200 umfasst eine Beleuchtungsquelle 202, eine Quelloptikanordnung 204, eine erste Spüleinrichtung 206, ein Retikel 208, eine zweite Spüleinrichtung 210, eine Projektionsoptikanordnung 212, eine dritte Spüleinrichtung 214 und eine Halbleiterwaferfläche 216.
  • Die Beleuchtungsquelle 202 umfasst eine Strahlungsquelle zum Belichten einer Halbleiterwaferfläche 216. Die Beleuchtungsquelle 202 kann jede anwendbare Lichtstrahlungsquelle umfassen, die zum Belichten einer Halbleiterwaferfläche geeignet ist, einschließlich eines Lasers. Die Beleuchtungsquelle 202 überträgt die Strahlung 218. Die Strahlung 218 kann jede geeignete Art an Lichtstrahlung umfassen, einschließlich Laserlicht. Die Strahlung 218 kann sauerstoffempfindliche Lichtwellenlängen umfassen, die geeignet sind zum Belichten und Ätzen eines Halbleiterwafers. Solche Lichtwellenlängen können zum Beispiel Licht mit einer Wellenlänge von 157 nm umfassen.
  • Die Quelloptikanordnung 204 ist gekoppelt mit einem Ausgang einer Beleuchtungsquelle 202. Die Strahlung 218 wird durch die Quelloptikanordnung 204 übertragen. Die Quelloptikanordnung 204 umfasst eine Spülglaslichtumgebung, so dass sauerstoffempfindliche Wellenlängen, die dadurch verlaufen, nicht verschlechtert werden. Die Quelloptikanordnung 204 umfasst eine Optik, die erforderlich ist, um die Strahlung 218 zu konditionieren und zu formen, um geeignet zu sein zum Beleuchten des Retikels 208.
  • Eine erste Fläche einer ersten Spüleinrichtung 206 ist mit einer Ausgangsfläche der Quelloptikanordnung 204 gekoppelt. Die Strahlung 218 wird durch die erste Spüleinrichtung 206 zu dem Retikel 208 übertragen. Die erste Spüleinrichtung 206 hilft dabei, eine Spülgasumgebung instand zu halten, so dass sauerstoffempfindliche Wellenlängen, die dadurch verlaufen, nicht geschwächt werden.
  • Das Retikel 208 ist mit einer Ausgangsfläche der Quelloptikanordnung 204 durch eine erste Spüleinrichtung 206 gekoppelt. Die erste Spüleinrichtung 206 bewahrt diesen kontaktlosen Spülspalt, wie weiter unten beschrieben, zwischen einer zweiten Fläche der ersten Spüleinrichtung 206 und einer ersten Fläche des Retikels 208. Das Retikel 208 umfasst eine Maske mit einem Muster, das transferiert wird auf die Halbleiterwaferfläche 216 durch den Prozess der Fotolithografie. Das Retikel 208 kann mit einem Pellikel gekoppelt werden, das aus dem relevanten Stand der Technik bekannt ist. Das Retikel 208 hält eine Spülgasumgebung instand, so dass sauerstoffempfindliche Wellenlängen, die dadurch hindurch verlaufen, nicht geschwächt werden. Das Retikel 208 kann bewegbar sein in Relation zu der zweiten Fläche der ersten Spüleinrichtung 206, so dass unterschiedliche Bereiche der Maske in den Strahlungsweg 218 bewegt werden können. Die Strahlung 218 wird durch das Retikel 208 zu der zweiten Spüleinrichtung 210 übertragen.
  • Das Retikel 208 ist mit einer Eingangsfläche der Projektionsoptikanordnung 212 durch die zweite Spüleinrichtung 210 gekoppelt. Die zweite Spüleinrichtung 210 bewahrt einen kontaktlosen Spülspalt, wie weiter unten beschrieben, zwischen einer zweiten Fläche der zweiten Spüleinrichtung 210 und einer zweiten Fläche des Retikels 208. Das Retikel 208 kann bewegbar sein in Relation zu der zweiten Fläche der zweiten Spüleinrichtung 210, so dass unterschiedliche Flächen der Maske in den Strahlungsweg 218 bewegt werden können. Die Strahlung 218 wird durch die zweite Spüleinrichtung 210 zu der Projektionsoptikanordnung 212 übertragen. Die zweite Spüleinrichtung 210 hilft dabei, eine Spülgasumgebung beizubehalten, so dass sauerstoffempfindliche Wellenlängen, welche dadurch verlaufen, nicht geschwächt werden.
  • Die Projektionsoptikanordnung 212 ist mit einer ersten Fläche der zweiten Spüleinrichtung 210 gekoppelt. Die Projektionsoptikanordnung 210 hält eine Spülgasumgebung instand, so dass sauerstoffempfindliche Wellenlängen, die dadurch verlaufen, nicht geschwächt werden. Die Projektionsoptikanordnung 212 umfasst eine Optik, die erforderlich ist, um eine Strahlung 218, die von dem Retikel 208 von der Halbleiterwaferfläche 216 empfangen wird, zu führen.
  • Eine erste Fläche der dritten Spüleinrichtung 214 ist mit einem Ausgang der Projektionsoptikanordnung 212 gekoppelt. Die Strahlung 218 wird durch die dritte Spüleinrichtung 214 zu der Halbleiterwaferfläche 216 übertragen. Die dritte Spüleinrichtung 214 hilft dabei, eine Spülgasumgebung instand zu halten, so dass sauerstoffempfindliche Wellenlängen, die dadurch verlaufen, nicht geschwächt werden.
  • Die Halbleiterwaferfläche 216 ist mit einem Ausgang der Projektionsoptikanordnung 212 durch die dritte Spüleinrichtung 214 gekoppelt. Die dritte Spüleinrichtung 214 hält einen kontaktlosen Spülspalt, wie weiter unten beschrieben, zwischen einer zweiten Fläche der dritten Spüleinrichtung 214 und einer Halbleiterwaferfläche 216 instand. Die Halbleiterwaferfläche 216 kann bewegbar sein in Relation zu der zweiten Fläche der dritten Spüleinrichtung 214, so dass unterschiedliche Bereiche der Waferfläche in den Strahlungsweg 218 bewegt werden können. Die Halbleiterwaferfläche 216 umfasst eine Fläche, die belichtet wird durch die Strahlung 218, die durch eine Beleuchtungsquelle 218 übertragen wird.
  • Das Fotolithografiesystem 200 schafft einen Spülgaslichtweg für eine Strahlung 218 von der Beleuchtungsquelle 202 durch die Quelloptikanordnung 204, das Retikel 208 und die Projektionsoptikanordnung 212 zu der Halbleiterwaferfläche 216. Somit kann die Beleuchtungsquelle 202 sauerstoffempfindliche Lichtwellenlängen übertragen, ohne unter einer signifikanten Abschwächung zu leiden, die hervorgerufen wird durch Sauerstoffabsorption.
  • Drei Spüleinrichtungen sind in dem Ausführungsbeispiel nach 2 dargestellt. Zusätzliche oder weniger Spüleinrichtungen gemäß der vorliegenden Erfindung können in anderen Ausführungsbeispielen verwendet werden, wie es für die Anwendung erforderlich ist. Darüber hinaus kann jede Spüleinrichtung angepasst werden auf die spezielle Anwendung, wie für den Fachmann anhand der technischen Lehre hierin leicht verständlich ist.
  • Die kontaktlose Spülgasversiegelung der vorliegenden Erfindung wird weiter oben in einer beispielhaften Fotolithografieumgebung beschrieben. Die vorliegende Erfindung ist nicht begrenzt auf solch eine Umgebung und ist anwendbar für zusätzliche Fotolithografieumgebungen. Das Beispiel hierin ist dargestellt für Zwecke der Illustration und nicht zur Begrenzung. Alternativen werden für den Fachmann basierend auf den hierin enthaltenden Lehren offensichtlich. Der Geltungsbereich der vorliegenden Erfindung ist definiert durch die Ansprüche.
  • Kontaktlose Spülgasversiegelung der vorliegenden Erfindung
  • Bevorzugte Ausführungsbeispiele für eine kontaktlose Spülgasversiegelung gemäß der vorliegenden Erfindung werden weiter unten beschrieben.
  • 3 zeigt eine Querschnittsansicht einer beispielhaften kontaktlosen Spülgasversiegelung 300 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Die kontaktlose Spülgasversiegelung 300 umfasst eine Spüleinrichtung 302, eine optische Ursprungsfläche 304, eine bewegbare Fläche 306, eine Gaszufuhr 308 und eine Vakuumquelle 310.
  • Die Spüleinrichtung 302 hält eine kontaktlose Spülgasversiegelung über einen Spülspalt 312 zwischen einer ersten gegenüberliegenden Fläche 314 der Spüleinrichtung 302 und der bewegbaren Fläche 306 instand. Die Spüleinrichtung 302 schafft einen gespülten Lichtweg zwischen einer optischen Ursprungsfläche und einer optischen Zielfläche in einem Fotolithografiesystem und erlaubt eine Relativbewegung zwischen der optischen Ursprungsfläche und der optischen Zielfläche. Die Spüleinrichtung 302 umfasst ein Spülvolumen 316, zumindest eine Gaszufuhrbohrung 328, zumindest eine Vakuumbohrung 330 und einen Körper 338.
  • Der Körper 338 umfasst eine erste gegenüberliegende Fläche 314 und eine zweite gegenüberliegende Fläche 336. Die erste gegenüberliegende Fläche 314 ist konfiguriert, um nahe benachbart zu der bewegbaren Fläche 306 positioniert zu werden. Die zweite gegenüberliegende Fläche 336 ist konfiguriert, um im Eingriff mit der optischen Ursprungsfläche 304 zu stehen. In einem Ausführungsbeispiel sind die erste gegenüberliegende Fläche 314 und die zweite gegenüberliegende Fläche 336 im Wesentlichen parallel zueinander.
  • Das Spülvolumen 316 ist bevorzugt ein Hohlraum, gebildet mitten in dem Körper 338 zum Durchlassen von Licht durch die Spüleinrichtung 312. Das Spülvolumen 316 ist an der ersten und zweiten gegenüberliegenden Fläche 314 und 336 geöffnet. In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird eine aktinische Strahlung 318, die erzeugt wird durch eine Beleuchtungsquelle, durch die optische Ursprungsfläche 304 und das Spülvolumen 316 zu einer bewegbaren Fläche 306 übertragen. In alternativen Ausführungsbeispielen wird die aktinische Strahlung 318, die durch eine Beleuchtungsquelle erzeugt ist, in die entgegengesetzte Richtung durch die bewegbare Fläche 306 und das Spülvolumen 316 zu der optischen Ursprungsfläche 304 übertragen. Das Spülgas in dem Spülvolumen 316 ist im Wesentlichen frei von Sauerstoff und schwächt somit im Wesentlichen nicht die aktinische Strahlung 318. Die Erfindung hält bevorzugt eine Spülgasumgebung in einem Spülvolumen 316 durch passives Eingreifen des Druckes des Spülgases in dem Spülvolumen 316 mit dem der Umgebung außerhalb der Spülvorrichtung 302 instand.
  • Die optische Ursprungsfläche 304 ist eine optische Schnittstelle oder ein optisches Element in einem Lichtweg, welches zu oder von der Spüleinrichtung 302 führt. Die optische Ursprungsfläche 304 versiegelt eine Öffnung zu dem Spülvolumen 316 an der zweiten gegenüberliegenden Fläche 336. Die optische Ursprungsfläche 304 kann jedes optische Element oder jede optische Elementträgerstruktur sein. Zum Beispiel kann die optische Ursprungsfläche 304 ein flaches Stück Glas sein oder eine flache Linse, ein Linsenelement mit einer Krümmung und/oder andere optische Elemente oder Schnittstellen, die dem Fachmann bekannt sind.
  • Die bewegliche Fläche 306 ist im Wesentlichen eine planare Fläche, die relativ zu der ersten gegenüberliegenden Fläche 314 des Körpers 338 bewegbar ist. Zum Beispiel kann die bewegbare Fläche 306 eine Fläche eines Retikels oder eines Halbleiterwafers sein, oder eine andere optische Zielfläche. Andere geeignete bewegbare Flächen sind dem Fachmann bekannt anhand der hierin aufgeführten Lehre.
  • Die Gaszufuhr 308 führt einen Spülgasstrom in den mittigen Hohlraum des Spülvolumens 316. Das Spülgas, welches in das Spülvolumen 316 eintritt, wird als Spülgasstrom 320 dargestellt. Der Spülgasstrom 320 verläuft in die Spüleinrichtung 302 durch eine oder mehrere Gasstrombohrungen, die als Gasstrombohrung 328 dargestellt sind, in den Körper 338. Die Gaszufuhr 308 schafft einen Druckgradienten. Geeignete Gaszufuhrsysteme für eine Gaszufuhr 308 sind in dem Stand der Technik bekannt.
  • Das Vakuumsystem 310 entfernt das Spülgas und das Umgebungsgas von einem Spülspalt 312. Das Spülgas, das abgelassen wird von dem Spülspalt 312, ist als Spülgasstrom 322 dargestellt. Das Umgebungsgas, das von dem Spülspalt 312 entfernt wird, ist dargestellt als Umgebungsgasstrom 324. Die Kombination von Spülgasstrom 322 und Umgebungsgasstrom 324 ist als Gasstrom 326 dargestellt. Der Gasstrom 326 fließt von dem Spülspalt 312 durch eine oder mehrere Gasableitungsbohrungen ab, die in dem Körper 338 an der ersten gegenüberliegenden Fläche 314 gebildet sind, dargestellt als Vakuumbohrung 330. Die Druckgradienten, die zugeführt werden durch die Gaszufuhr 308, werden unterstützt durch einen vakuumgetriebenen Auslass des Vakuumsystems 310. Das Vakuumsystem 310 verhindert, dass sowohl das Spülgas als auch das Umgebungsgas den gesteuerten Bereich des Spülspalts 212 durch eine beliebige Route unterschiedlich zu der Vakuumbohrung 330 verlassen. Geeignete Vakuumsysteme zur Verwendung als Vakuumsystem 310 sind aus dem Stand der Technik bekannt.
  • Die Gasstromdynamik sichert, dass für die richtig spezifizierten Flussraten die Gasreinheit im Spülvolumen 316 am signifikantesten durch die Gaszuführung 308 geregelt wird. Zusätzlich dient die kinetische Energie des Gasstroms in dem Spülvolumen 316 und dem Spülspalt 312 dazu, Verschmutzungen, die durch aktinisches Belichten des Halbleiterwaferfotolacks entstanden sind, zu entfernen. Darüber hinaus wird eine Intensität an Flächendiskontinuitäten unterstützt durch die durch einen Massenstrom angetriebene Geschwindigkeit in dem Spülspalt 312.
  • In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel kann der Spülspalt 312 eine Länge oder eine Höhe in dem Bereich von 0,002 Inch bis 0,02 Inch (etwa 0,05 bis 0,5 mm) zwischen der ersten gegenüberliegenden Fläche 314 und der bewegbaren Fläche 306 aufweisen. Jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf diesen Bereich begrenzt, sondern ist anpassbar an andere Spülspaltbereiche, wie für den Fachmann anhand der hierin aufgeführten Lehre zu ersehen ist.
  • Darüber hinaus ist es nicht erforderlich, dass der Spülspalt 312 durchweg gleichmäßig ausgebildet ist, sondern er kann ungleichförmig ausgebildet sein. Zum Beispiel kann die bewegbare Fläche 306 in einem leichten Winkel ab von der Parallelität zu der ersten gegenüberliegenden Fläche 314 ausgebildet sein, solang die Abstände zwischen der bewegbaren Fläche 306 und der ersten gegenüberliegenden Fläche 314 in einem ausgewiesenen akzeptablen Bereich liegen, wie in dem Bereich der zuvor angegeben ist.
  • Der Körper 338 kann in beliebiger Anzahl in unterschiedlichen Weisen geformt werden, einschließlich runder oder zylindrischer, elliptischer, quadratischer, rechtwinkliger, irregulärer und anderer Formen. 4 zeigt eine perspektivische Ansicht einer beispielhaften runden oder zylindrischen Spüleinrichtung 302 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. 4 zeigt die zweite gegenüberliegende Fläche 336 und das Spülvolumen 316 der Spüleinrichtung 302.
  • Das Spülgas kann an einer oder mehreren Stellen einer äußeren Fläche der Spüleinrichtung eingefügt werden, abhängig davon, wie der Gasstrom innerhalb des Spülvolumens definiert wird für eine bestimmte Anwendung. Jede Anzahl an Gasstrombohrungen zum Einlassen von Spülgas kann verwendet werden. 4 zeigt exemplarisch Gasstrombohrungen 328 an einer äußeren Fläche 402 der Spüleinrichtung 302. In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel sind die Gaszufuhrbohrungen gleichmäßig beabstandet um die Spüleinrichtung. In einem Ausführungsbeispiel sind die Gaszuführungsbohrungen geöffnet zu dem Spülvolumen 316 benachbart zu der zweiten gegenüberliegenden Oberfläche 336.
  • Der Druck des Spülvolumens 316 relativ zu dem Druck der Umgebung kann durch Variieren der Dimension der Spüleinrichtung 302 gesteuert werden. 3 zeigt einen ersten Abstand 332 und einen zweiten Abstand 334. Durch Variieren des ersten Abstands 332 und des zweiten Abstands 334 relativ zueinander kann der "Pegel"-Druck oder der Druck innerhalb des Spülvolumens 316 relativ zu dem Umgebungsdruck variiert werden. Der erste Abstand 312 und der zweite Abstand 334 sind analog zu „Ableitungswegen" in der Fluiddynamik. Durch Anpassen des ersten Abstandes 332 und des zweiten Abstandes 334 können der Druck in dem Spülvolumen 316 und der Umgebungsdruck angepasst werden. Dadurch, dass der erste Abstand 332 länger relativ zu dem zweiten Abstand 334 ist, kann der Druck in dem Spülvolumen 316 herabgesenkt werden relativ zu dem Umgebungsdruck. Dadurch, dass der erste Abstand 332 kürzer relativ zu dem zweiten Abstand 334 ist, kann der Druck in dem Spülvolumen 316 erhöht werden relativ zu dem Umgebungsdruck.
  • Zum Beispiel würde in einem zylindrischen Spüleinrichtungsausführungsbeispiel eine Vakuumbohrung 330 an der ersten gegenüberliegenden Oberfläche 314 radial näher zu dem Spülvolumen 316 angeordnet sein als zu einem Außenrand des Körpers 338, um einen Druck in dem Spülvolumen 316 bereitzustellen, der geringer ist als ein Druck außerhalb des Körpers 338. Auf ähnliche Weise würde eine Vakuumbohrung 330 an der ersten gegenüberliegenden Oberfläche 314 radial näher an einer Außenkante des Körpers 338 lokalisiert sein als an dem Spülvolumen 316, um einen Druck innerhalb des Spülvolumens 316 bereitzustellen, der höher ist als ein Druck außerhalb des Körpers 338.
  • Exemplarische Ausführungsbeispiele einer kontaktlosen Spülgasversiegelung der vorliegenden Erfindung sind zuvor beschreiben. Die vorliegende Erfindung ist nicht begrenzt auf diese Beispiele. Die Beispiele sind hier wiedergegeben für Zwecke der Illustration und nicht für eine Beschränkung. Alternativen sind dem Fachmann anhand der hierin beinhalteten Lehre offensichtlich. Der Geltungsbereich der vorliegenden Erfindung wird durch die Ansprüche definiert.
  • Kontaktloses Spülgasversiegelungsausführungsbeispiel mit Spülplatte
  • Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung können weiter eine Spülplatte umfassen. 5 zeigt eine beispielhafte bewegbare Fläche 306, welche eine Spülplatte 502 und eine Halbleiterwaferfläche 504 umfasst.
  • Die Spülplatte 512 und die Halbleiterwaferfläche 504 sind koplanar. Die Spülplatte 512 kann verwendet werden, um die Fläche der bewegbaren Fläche 306 auszubauen. Zum Beispiel kann die Spülplatte 502 verwendet werden, um die Fläche oder die Ebene der Halbleiterwaferfläche 504 auszubauen, so dass eine Versiegelung zwischen der bewegbaren Fläche 306 und einer Spüleinrichtung entlang des gesamten Weges der Kanten der Waferfläche beibehalten werden kann.
  • Die Spülplatte 502 begründet den nicht unbedeutenden Durchmesser der Spüleinrichtung 302, welche eine Fläche benachbart zu dieser erfordert, um eine Gasversiegelung instand zu halten. Die Spülplatte 502 erlaubt es der Spüleinrichtung 302, sich zu der Kante der Halbleiterwaferfläche 502 (oder einer anderen Fläche) zu bewegen, ohne die Gasabdichtung zu schwächen. Die Spülplatte 502 kann auch verwendet werden, um die Fläche oder die Ebene einer Retikelfläche, oder einer anderen anwendbaren Fläche, auszubauen.
  • In dem Beispiel der bewegbaren Fläche 306, die in 5 dargestellt ist, umgibt die Spülplatte 502 die Kanten der Halbleiterwaferfläche 504 und baut die Ebene des Wafers radial in alle Richtungen aus. Die Halbleiterwaferfläche 504 ist im Wesentlichen rund, mit einem Durchmesser. Die Spülplatte 502 weist eine im Wesentlichen runde Öffnung darin auf, mit einem Durchmesser, der im Wesentlichen gleich ist zu dem der Halbleiterwaferfläche 504, so dass die Halbleiterwaferfläche 504 dort hineinpasst.
  • Die Spülplatte 502 kann jede geeignete planare Form aufweisen, einschließlich eine runde, elliptische, quadratische, rechtwinklige, irreguläre oder jede andere Form, wie es für die spezielle Anwendung notwendig ist. Die Spülplatte 502 ist anpassbar an jede Größe des Halbleiterwafers oder Retikels oder anderer Flächen.
  • Kontaktlose Spülgasversiegelungsausführungsbeispiele mit internem Speicher
  • Verschiedene Ausführungsbeispiele gemäß der vorliegenden Erfindung können unterschiedliche Gasströme und Druckanordnungen bereitstellen. 6 zeigt eine Ansicht von unten auf eine exemplarische Spüleinrichtung 602 gemäß einem alternativen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. 7 zeigt eine Querschnittsansicht einer beispielhaften kontaktlosen Spülgasversiegelung 700, welche die Spüleinrichtung 602 nach 6 einbindet. Die kontaktlose Spülgasversiegelung 700 ist ähnlich konfiguriert und wird ähnlich betrieben wie die kontaktlose Spülgasversiegelung 300 nach 3. Die kontaktlose Spülgasversiegelung 700 umfasst eine Spülvorrichtung 602, eine optische Ursprungsfläche 604 und eine bewegbare Fläche 606, wie in 7 dargestellt.
  • Wie in 7 dargestellt, hält die Spüleinrichtung 602 eine Gasversiegelung in einem Spülspalt 612 zwischen einer ersten gegenüberliegenden Fläche 614 der Spüleinrichtung 602 und der bewegbaren Fläche 606 instand. Die Spüleinrichtung 602 umfasst ein Spülvolumen 616, zumindest eine Gaszuführbohrung 628, zumindest eine Vakuumbohrung 630, einen Speicher 632, einen Vakuumkanal 634, zumindest eine Speicherbohrung 636 und einen Körper 638.
  • Das Spülvolumen 616 ist bevorzugt eine Bohrung, die mittig in dem Körper 638 ausgebildet ist, um Licht durch die Spüleinrichtung 602 durchzulassen. Wie in der Diskussion zuvor führt eine Gaszufuhr ein Spülgas in das Spülvolumen 616 durch zumindest eine Gaszuführbohrung 628 in die Körper 638 ein. Eine Vakuumquelle entfernt das Spülgas und Umgebungsgas, das in den Spülspalt 612 eindringt, um die Gasversiegelung instand zu halten. Eine Beleuchtungsquelle überträgt eine Strahlung 618 durch das Spülvolumen 616 zur bewegbaren Fläche 606.
  • Der Speicher 632 ist in dem Körper 638 angeordnet. Der Speicher 632 ist ein Hohlraum, der zumindest eine Vakuumbohrung 630 in dem Körper 638 verbindet. In einem Ausführungsbeispiel, in welchem der Körper 638 zylindrisch ist, ist der Speicher ein kreisförmiger Kanal in dem Körper 638. Der Speicher 632 hilft dabei zu veranlassen, dass der Vakuumdruck in dem Spülspalt 612 gleichmäßiger und konstanter wird. Weitere Konfigurationen für den Speicher 632 sind möglich.
  • Der Vakuumkanal 634 ist in dem Körper 638 angeordnet. Der Vakuumkanal 634 ist mit dem Speicher 632 durch zumindest eine Speicherbohrung 636 gekoppelt. Das Spülgas und das Umgebungsgas strömen von dem Spülspalt 612 durch den Vakuumkanal 634, zumindest eine Speicherbohrung 636, den Speicher 632 und zumindest eine Vakuumbohrung 630 zu der Vakuumquelle. Der Vakuumkanal 634 trägt auch dazu bei, zu verursachen, dass der Druck in dem Spülspalt 612 gleichmäßig und konstant wird. In einem Ausführungsbeispiel, in welchem die Spülvorrichtung 602 im Wesentlichen zylindrisch ist, ist der Vakuumkanal 634 ein kreisförmiger Kanal in der ersten gegenüberliegenden Fläche 614 des Körpers 638.
  • Weitere Ausführungsbeispiele für variierende Gasströme und Drücke, die von dem Fachmann erkannt werden anhand der hierin aufgeführten Lehre, sind möglich.
  • Betrieb der vorliegenden Erfindung
  • Exemplarische Betriebs- und/oder Strukturimplementationen, die bezogen sind auf die Struktur(en) und/oder Ausführungsbeispiele, die zuvor beschrieben sind, werden in diesem Abschnitt wiedergegeben. Diese Komponenten und Verfahren sind hierin für Zwecke der Darstellung und nicht für eine Beschränkung dargestellt. Die Erfindung ist nicht begrenzt auf die speziellen Beispiele der Komponenten und Verfahren, die hierin beschrieben sind. Alternativen werden für den Fachmann basierend auf den hierin beinhalteten Lehren offensichtlich. Der Geltungsbereich der vorliegenden Erfindung ist durch die Ansprüche definiert.
  • 8 zeigt ein Flussdiagramm, welches detaillierte Betriebsschritte eines beispielhaften Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung bereitstellt. Die Schritte nach 8 müssen nicht notwendigerweise in der gleichen Reihenfolge wie dargestellt auftreten, wie für den Fachmann basierend auf der hierin aufgeführten Lehre offensichtlich ist. Andere strukturelle Ausführungsbeispiele werden für den Fachmann basierend auf der hierin beinhalteten Diskussion deutlich. Diese Schritte werden im Detail weiter unten beschrieben.
  • Der in 8 dargestellte Vorgang zeigt ein Verfahren zum Bereitstellen eines gespülten Lichtweges zwischen einer optischen Ursprungsfläche und einer optischen Zielfläche und zum Ermöglichen einer relativen Bewegung zwischen der optischen Ursprungsfläche und der optischen Zielfläche.
  • Das Verfahren startet mit Schritt 802. In Schritt 802 wird ein Spalt zwischen einer ersten gegenüberliegenden Fläche und einer optischen Zielfläche gebildet. In Schritt 804 wird eine zweite gegenüberliegende Fläche versiegelt mit einer optischen Ursprungsfläche, um ein Spülvolumen zwischen der ersten gegenüberliegenden Fläche und der zweiten gegenüberliegenden Fläche zu bilden. In Schritt 806 wird ein Spülgas eingeblasen in das geformte Spülvolumen. In Schritt 808 treten Umgebungsluft und das in das Spülvolumen eingeblasene Spülgas in den Spalt ein. In Schritt 810 werden die Umgebungsluft und das Spülgas in dem Spalt entfernt, um eine Versiegelung zwischen der ersten gegenüberliegenden Fläche und der optischen Zielfläche zu bilden.
  • Schritt 810 kann einen Schritt einschließen, in welchem die abgelassene Umgebungsluft und das Spülgas gespeichert werden. Zum Beispiel können die entfernte Umgebungsluft und das Spülgas in einem internen Speicher der Spüleinrichtung gespeichert werden.
  • Schritt 810 umfasst einen Schritt, in welchem die Umgebungsluft und das Spülgas in dem Spalt durch zumindest eine Vakuumbohrung in der ersten gegenüberliegenden Fläche abgelassen werden, um eine Versiegelung zwischen der ersten gegenüberliegenden Fläche und der optischen Zielfläche zu bilden.
  • Das Verfahren, das in 8 dargestellt ist, kann weiter den Schritt umfassen, in welchem ein Abstand der ersten gegenüberliegenden Fläche radial außerhalb der zumindest einen Vakuumbohrung modifiziert ist, um einen Druck innerhalb des Spülvolumens anzupassen.
  • Das Verfahren, das in 8 dargestellt ist, kann weiter den Schritt umfassen, in welchem ein Abstand der ersten gegenüberliegenden Fläche radial innerhalb der zumindest einen Vakuumbohrung modifiziert wird, um einen Druck innerhalb des Spülvolumens anzupassen.
  • Das Verfahren, das in 8 dargestellt ist, kann weiter den Schritt umfassen, in welchem die optische Zielfläche relativ zu der ersten gegenüberliegenden Fläche bewegt wird.
  • Das Verfahren, das in 8 dargestellt ist, kann weiter den Schritt umfassen, in welchem einen Flächenebene der optischen Zielfläche ausgebaut wird.
  • Zusätzliche Schritte oder Erweiterungen zu den zuvor aufgeführten Schritten, die dem Fachmann anhand der technischen Lehre hierin bekannt sind, sind ebenso von der vorliegenden Erfindung umfasst.
  • Zusammenfassung
  • Obwohl verschiedene Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung zuvor beschrieben wurden, sollte es offensichtlich sein, dass diese nur beispielhaft aufgeführt wurden keine Beschränkung sind. Es ist für den Fachmann offensichtlich, dass verschiedene Veränderungen hinsichtlich Form und im Detail vorgenommen werden können, ohne den Geltungsbereich der Erfindung zu verlassen. Somit sollte der Geltungsbereich der vorliegenden Erfindung nicht begrenzt werden durch eines der zuvor aufgeführten beispielhaften Ausführungsbeispiele, sondern sollte nur in Übereinstimmung mit den folgenden Ansprüchen definiert werden.

Claims (13)

  1. Vorrichtung (300) zum Bereitstellen eines gespülten Lichtweges in einem Projektions-Fotolithografiesystem zwischen einer optischen Ursprungsfläche (304) und einer optischen Zielfläche (306) und zum Zulassen relativer Bewegung zwischen der optischen Ursprungsfläche (304) und der optischen Zielfläche (306), wobei die Vorrichtung umfasst: einen Körper (338) mit einer ersten (314) und einer zweiten (336) Fläche, die einander gegenüberliegen, wobei die erste (314) der einander gegenüberliegenden Flächen zur Positionierung nahe an die optische Zielfläche (306) angrenzend konfiguriert ist und die zweite der einander gegenüberliegenden Flächen zum Eingriff mit der optischen Ursprungsfläche (304) konfiguriert ist; einen mittigen Hohlraum (316), der in dem Körper (338) ausgebildet ist, um Licht durch den Körper (338) auf einem optischen Weg zwischen einer Öffnung der ersten (314) der einander gegenüberliegenden Flächen und einer Öffnung in der zweiten (336) der einander gegenüberliegenden Flächen durchzulassen; und wenigstens eine Gaszuführbohrung (328), die in dem Körper (338) ausgebildet ist, um dem mittigen Hohlraum (316) einen Strom von Spülgas zuzuführen und den optischen Weg zu spülen; dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung (300) des Weiteren umfasst: wenigstens eine Gasableitungsbohrung (330; 636), die in dem Körper (338) an der ersten (314) der einander gegenüberliegenden Flächen ausgebildet ist, um das Spülgas über einen Spalt (312) zu entfernen, der zwischen der ersten (314) der einander gegenüberliegenden Flächen und der optischen Zielfläche (306) ausgebildet ist.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die optische Zielfläche eine Retikel-Fläche, eine Pellicle-Fläche oder eine Halbleiter-Wafer-Fläche ist.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 1, die des Weiteren eine Spülplatte (502) umfasst, die die optische Zielfläche (306) umgibt und koplanar zu ihr ist.
  4. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Spalt (312) im Bereich von 0,0508 mm (0,002 Inch) bis 0,508 mm (0,02 Inch) liegt.
  5. Vorrichtung nach Anspruch 1, die eine Vielzahl von Gasableitungsbohrungen (630; 636) umfasst, wobei der Körper (638) des Weiteren einen Speicher (632) im Inneren des Körpers umfasst und der Speicher (632) die Vielzahl von Gasableitungsbohrungen (630; 636) miteinander verbindet.
  6. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Körper (338) im Wesentlichen zylindrisch geformt ist.
  7. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei sich die wenigstens eine Gaszuführbohrung (328) an die zweite (336) der einander gegenüberliegenden Flächen (336) angrenzend in den mittigen Hohlraum (316) öffnet.
  8. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die erste (314) der einander gegenüberliegenden Flächen und die zweite (336) der einander gegenüberliegenden Flächen im Wesentlichen parallel sind.
  9. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die wenigstens eine Gasableitungsbohrung (330) an der ersten (314) der einander gegenüberliegenden Flächen radial näher an dem mittigen Hohlraum (316) liegt an einer Außenkante des Körpers (338), um einen Druck in dem mittigen Hohlraum (316) zu erzeugen, der niedriger ist als ein Druck außerhalb des Körpers (338).
  10. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die wenigstens eine Gasableitungsbohrung (330) an der ersten (314) der einander gegenüberliegenden Flächen radial näher an einer Aufsetzkante des Körpers (338) liegt als an dem mittigen Hohlraum (316), um einen Druck in dem mittigen Hohlraum (316) zu erzeugen, der größer ist als ein Druck außerhalb des Körpers (338).
  11. Verfahren zum Bereitstellen eines gespülten optischen Weges in einem Projektions-Fotolithografiesystem zwischen einer optischen Ursprungsfläche (304) und einer optischen Zielfläche (306) und zum Zulassen relativer Bewegung zwischen der optischen Ursprungsfläche (304) und der optischen Zielfläche (306), das die folgenden Schritte umfasst: (a) Einsetzen einer Spüleinrichtung (300) in den optischen Weg zwischen der optischen Ursprungsfläche (304) und der optischen Zielfläche (306), wobei eine erste von einander gegenüberliegenden Flächen der Spüleinrichtung (300) nahe an die optische Zielfläche (306) angrenzend angeordnet ist und einen Spalt (312) zwischen ihnen bildet, und eine zweite von einander gegenüberliegenden Flächen (336) der Spüleinrichtung (300) mit der optischen Ursprungsfläche (304) verbunden ist; (b) Einblasen eines Spülgases über wenigstens eine Gaszuführbohrung (328) in einen mittigen Hohlraum (316), der in der Spüleinrichtung (300) ausgebildet ist, entlang des optischen Weges (316) zwischen einer Öffnung in der ersten der einander gegenüberliegenden Flächen (314) und einer Öffnung in der zweiten der einander gegenüberliegenden Flächen (336), um den optischen Weg zu spülen; (c) Zulassen, dass das Spülgas in den Spalt (312) eintritt; und gekennzeichnet durch (d) Ableiten des Spülgases und jeglicher Umgebungsluft aus dem Spalt (312) über wenigstens eine Gasableitungsbohrung (330; 636) in der ersten der einander gegenüberliegenden Flächen (314).
  12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei Schritt (d) des Weiteren den folgenden Schritt umfasst: Speichern des Spülgases und jeglicher Umgebungsluft aus dem Spalt vor Ableitung.
  13. Verfahren nach Anspruch 11, das des Weiteren den folgenden Schritt umfasst: (e) Positionieren der wenigstens einen Gasableitungsbohrung (330) an der ersten (314) der einander gegenüberliegenden Flächen, um einen gewünschten Druck in dem mittigen Hohlraum (316) zu erreichen.
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DE (1) DE60130754T2 (de)
WO (1) WO2001084241A1 (de)

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI233535B (en) 1999-04-19 2005-06-01 Asml Netherlands Bv Motion feed-through into a vacuum chamber and its application in lithographic projection apparatuses
US6970228B1 (en) 1999-07-16 2005-11-29 Nikon Corporation Exposure method and system
US6954255B2 (en) 2001-06-15 2005-10-11 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
JP2005505945A (ja) * 2001-10-12 2005-02-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ リソグラフィック装置及びデバイス製造方法
EP1310828A1 (de) * 2001-11-09 2003-05-14 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US6934003B2 (en) 2002-01-07 2005-08-23 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method
DE10239344A1 (de) * 2002-08-28 2004-03-11 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zum Abdichten einer Projektionsbelichtungsanlage
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3977324B2 (ja) 2002-11-12 2007-09-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100588124B1 (ko) 2002-11-12 2006-06-09 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치 및 디바이스제조방법
US6770895B2 (en) * 2002-11-21 2004-08-03 Asml Holding N.V. Method and apparatus for isolating light source gas from main chamber gas in a lithography tool
SG115613A1 (en) * 2003-02-12 2005-10-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus comprising a gas flushing system
TWI275913B (en) 2003-02-12 2007-03-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method to detect correct clamping of an object
EP1447715A3 (de) * 2003-02-12 2009-09-02 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Feststellung der korrekten Festklemmung eines Objekts
JP2004259786A (ja) * 2003-02-24 2004-09-16 Canon Inc 露光装置
TW200500813A (en) 2003-02-26 2005-01-01 Nikon Corp Exposure apparatus and method, and method of producing device
US6919573B2 (en) * 2003-03-20 2005-07-19 Asml Holding N.V Method and apparatus for recycling gases used in a lithography tool
KR101225884B1 (ko) 2003-04-11 2013-01-28 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101289979B1 (ko) 2003-06-19 2013-07-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
EP1491954A1 (de) * 2003-06-27 2004-12-29 ASML Netherlands B.V. Dichtungsanordnung, lithographischer Projektionsapparat, und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
EP1498778A1 (de) 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
EP1494079B1 (de) * 2003-06-27 2008-01-02 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat
WO2005006418A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP1510867A1 (de) * 2003-08-29 2005-03-02 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
US7352433B2 (en) 2003-10-28 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005047979A2 (en) * 2003-11-06 2005-05-26 Carl Zeiss Smt Ag Optical system
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US7057702B2 (en) * 2004-06-23 2006-06-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070085984A1 (en) * 2005-10-18 2007-04-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7502095B2 (en) 2005-03-29 2009-03-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
TWI330762B (en) 2005-03-29 2010-09-21 Asml Netherlands Bv Seal of a lithographic apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method and data storage medium
US7719661B2 (en) * 2007-11-27 2010-05-18 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and method for producing device
JP5827827B2 (ja) * 2010-06-29 2015-12-02 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. アクチュエータ
EP2423749B1 (de) * 2010-08-24 2013-09-11 ASML Netherlands BV Lithografische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
NL2008954A (en) * 2011-07-08 2013-01-09 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
US9513568B2 (en) 2012-07-06 2016-12-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP6496017B2 (ja) * 2014-11-13 2019-04-03 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
CN111352309B (zh) * 2015-04-20 2024-03-01 Asml荷兰有限公司 光刻设备和光刻工艺中的方法
CN107783283B (zh) * 2016-08-30 2020-01-24 上海微电子装备(集团)股份有限公司 镜片防污染装置及方法
CN109283797B (zh) 2017-07-21 2021-04-30 上海微电子装备(集团)股份有限公司 物镜保护装置、物镜系统以及光刻设备
EP3620858B1 (de) * 2018-09-10 2023-11-01 Canon Kabushiki Kaisha Belichtungsvorrichtung und verfahren zur herstellung eines artikels
CN114830463A (zh) * 2019-12-20 2022-07-29 西默有限公司 用于激光源的气体吹扫系统
CN111736432A (zh) * 2020-06-15 2020-10-02 上海集成电路研发中心有限公司 一种阻隔光阻放气污染的装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4185202A (en) * 1977-12-05 1980-01-22 Bell Telephone Laboratories, Incorporated X-ray lithography
KR940000696B1 (ko) 1986-04-15 1994-01-27 햄프셔 인스트루 먼트스 인코포레이티드 엑스레이 석판인쇄 장치
US4837443A (en) * 1987-10-15 1989-06-06 The Perkin-Elmer Corporation Guard ring for a differentially pumped seal apparatus
JP3127511B2 (ja) 1991-09-19 2001-01-29 株式会社日立製作所 露光装置および半導体装置の製造方法
US5412981A (en) 1993-09-07 1995-05-09 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Apparatus for testing high pressure injector elements
US5973764A (en) 1997-06-19 1999-10-26 Svg Lithography Systems, Inc. Vacuum assisted debris removal system
US5997963A (en) * 1998-05-05 1999-12-07 Ultratech Stepper, Inc. Microchamber
EP0957402B1 (de) * 1998-05-15 2006-09-20 ASML Netherlands B.V. Lithographische Vorrichtung
US6970228B1 (en) * 1999-07-16 2005-11-29 Nikon Corporation Exposure method and system
EP1098225A3 (de) * 1999-11-05 2002-04-10 Asm Lithography B.V. Lithographischer Projektionsapparat mit Spülgassystem und Verfahren unter Verwendung desselben

Also Published As

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