DE602004000657T2 - Elektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Elektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung Download PDF

Info

Publication number
DE602004000657T2
DE602004000657T2 DE602004000657T DE602004000657T DE602004000657T2 DE 602004000657 T2 DE602004000657 T2 DE 602004000657T2 DE 602004000657 T DE602004000657 T DE 602004000657T DE 602004000657 T DE602004000657 T DE 602004000657T DE 602004000657 T2 DE602004000657 T2 DE 602004000657T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
wiring lines
board
electronic component
ultrasonic vibration
wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE602004000657T
Other languages
English (en)
Other versions
DE602004000657D1 (de
Inventor
Murata Manufacturing Co. Takenobu Maeda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of DE602004000657D1 publication Critical patent/DE602004000657D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE602004000657T2 publication Critical patent/DE602004000657T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04BPOSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
    • F04B39/00Component parts, details, or accessories, of pumps or pumping systems specially adapted for elastic fluids, not otherwise provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B37/00
    • F04B39/10Adaptations or arrangements of distribution members
    • F04B39/1066Valve plates
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0271Arrangements for reducing stress or warp in rigid printed circuit boards, e.g. caused by loads, vibrations or differences in thermal expansion
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04BPOSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
    • F04B39/00Component parts, details, or accessories, of pumps or pumping systems specially adapted for elastic fluids, not otherwise provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B37/00
    • F04B39/0027Pulsation and noise damping means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0556Disposition
    • H01L2224/05568Disposition the whole external layer protruding from the surface
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05573Single external layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812Applying energy for connecting
    • H01L2224/81201Compression bonding
    • H01L2224/81205Ultrasonic bonding
    • H01L2224/81206Direction of oscillation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818Bonding techniques
    • H01L2224/81801Soldering or alloying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/156Material
    • H01L2924/15786Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19041Component type being a capacitor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19043Component type being a resistor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10416Metallic blocks or heatsinks completely inserted in a PCB
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10674Flip chip
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/20Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
    • H05K2201/2009Reinforced areas, e.g. for a specific part of a flexible printed circuit
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/20Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
    • H05K2201/2045Protection against vibrations
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/02Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
    • H05K2203/0285Using ultrasound, e.g. for cleaning, soldering or wet treatment
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/328Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by welding

Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Elektronikkomponentenvorrichtung, die gebildet ist durch Befestigen einer elektronischen Komponente an einer Platine über Höcker, und insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf eine Elektronikkomponentenvorrichtung, die unter Verwendung eines Flip-Chip-Bondverfahrens implementiert ist.
  • 2. Beschreibung der verwandten Technik
  • Bislang, im Hinblick auf ein Flip-Chip-Bondverfahren zum Bonden bzw. Verbinden von Höckern und entsprechenden Verdrahtungsstrukturen auf einer Platine miteinander, offenbart die japanische ungeprüfte Patentanmeldungsveröffentlichung Nr. 63-288031 ein Flip-Chip-Bondverfahren, bei dem Höcker, die auf entsprechenden Elektroden eines Halbleiterchips gebildet sind, mit entsprechenden Verdrahtungsstrukturen auf einer Platine ausgerichtet sind, die auf einer erwärmten Stufe angeordnet ist, und bei der Druck und Ultraschallschwingung an die Rückoberfläche des Chips über ein Werkzeug bzw. Tool ausgeübt werden, wodurch die Höcker und die entsprechenden Verdrahtungsstrukturen aneinander gebondet werden.
  • 1 zeigt ein Beispiel einer Elektronikkomponentenvorrichtung. 2 stellt ein Bondverfahren für diese Elektronikkomponentenvorrichtung dar. 3 zeigt eine Platine der Elektronikkomponentenvorrichtung. Hier bezeichnet Bezugszeichen 1 eine Platine, 2a und 2b bezeichnen jeweils eine Verdrahtungsleitung, 3 bezeichnet einen Höcker und 4 bezeichnet eine elektronische Komponente.
  • Die Verdrahtungsleitungen 2a und 2b sind der Länge nach und seitlich an der Platine 1 angeordnet und die Höcker 3 sind im Voraus auf entsprechenden Elektroden (nicht gezeigt) der Elektronikkomponente 4 gebildet. Die obere Oberfläche der elektronischen Komponente 4 wird durch ein Bondwerkzeug 5 gepresst und wird einer Ultraschallschwingung U entlang einer horizontalen Richtung über das Bondwerkzeug 5 ausgesetzt, wodurch die Höcker 3 an die entsprechenden Verdrahtungsleitungen 2a und 2b gebondet werden.
  • Auf diese Weise werden die Elektronikkomponente 4 und die Verdrahtungsstrukturen auf der Platine 1 miteinander auf kollektive Weise gebondet. Dies führt unweigerlich dazu, dass sich die Verdrahtungsleitungen senkrecht zu der Richtung der Ultraschallschwingung U (hierin nachfolgend bezeichnet als „senkrechte Verdrahtungsleitungen") 2a erstrecken, und die Verdrahtungsleitungen, die sich parallel zu der Richtung der Ultraschallschwingung U erstrecken (hierin nachfolgend bezeichnet als „parallele Verdrahtungsleitungen") 2b in einem Mischzustand vorliegen. Wenn eine Ultraschallschwingung auf die Platine 1 wirkt, versucht die Platine 1, sich zu deformieren. Die Verdrahtungsleitungen 2a und 2b jedoch, die eine höhere Steifigkeit aufweisen als die Platine 1, versuchen die Deformation zu sperren bzw. verhindern. Die senkrechten Verdrahtungsleitungen 2a jedoch weisen eine geringe Deformationssperrwirkung im Vergleich zu den parallelen Verdrahtungsleitungen 2b auf, die entlang der Längsrichtung im Hinblick auf die Ultraschallschwingung angeordnet sind, so dass die senkrechten Verdrahtungsleitungen 2a mehr verschoben werden als die parallelen Verdrahtungsleitungen 2b, wie in 4A und 4B gezeigt ist (hier bezeichnet Bezugszeichen 6 eine Elektrode der elektronischen Komponente 4 und das Symbol δ bezeichnet eine Verschiebung).
  • Als ein Ergebnis bewegt sich nicht ausreichend Ultraschallschwingung zu den Bond-Schnittstellen zwischen den senkrechten Verdrahtungsleitungen 2a und den entsprechenden Höckern 3, wodurch das Bonden der senkrechten Verdrahtungsleitungen 2a fehlerhaft im Vergleich zu den parallelen Verdrahtungsleitungen 2b wird. Wenn bei einer elektronischen Komponente solche Variationen bei der Bondbarkeit aufgrund der Richtungen der Verdrahtungsleitungen auftreten, werden Verdrahtungsleitungen, die früher gebondet werden und jene, die später gebondet werden, miteinander vermischt. Dies verursacht insofern ein Problem, dass, wenn viel Zeit bei Ausüben von Ultraschallwellen verwendet wird, bis alle Verdrahtungsleitungen ausreichend gebondet sind, die Verdrahtungsleitungen, die früher gebondet wurden, zu reißen beginnen.
  • Tabelle 1 zeigt Analyseergebnisse-unter Verwendung eines Finites-Element-Verfahrens bei einer Verschiebung der Verdrahtungsleitung und der der Platinenoberfläche, wenn eine erzwungene Verschiebung von 1 μm statisch auf die Chipoberfläche als Ultraschallschwingung ausgeübt wird.
  • TABELLE 1
    Figure 00030001
  • Wie in Tabelle 1 gezeigt ist, weist die senkrechte Verdrahtungsleitung eine größere Verschiebung auf als die parallele Verdrahtungsleitung. Während eine Ultraschallschwingung ausgeübt wird, treten wiederholt Verschiebungen auf, wodurch eine Differenz bei der Bondbarkeit zwischen der senkrechten Verdrahtungsleitung und der parallelen Verdrahtungsleitung verursacht wird. Als ein Beispiel, das die Beziehung zwischen der Verschiebung und der Bondbarkeit zeigt, zeigt 5 die Beziehung zwischen der Verschiebung der Verdrahtungslinie und der Bondfestigkeit. Wie aus 5 ersichtlich ist, je größer die Verschiebung, desto kleiner die Bondfestigkeit.
  • Wenn elektronische Komponenten mit einer solchen Differenz bei der Bondbarkeit mit viel Zeitaufwand beim Ausüben von Ultraschallwellen gebondet werden würden, würden Risse in den Chipelektroden in 10 bis 50 Prozent der elektronischen Komponenten auftreten.
  • Um das oben beschriebene Problem zu lösen, schlägt die japanische ungeprüfte Patentanmeldungsveröffentlichung Nr. 2002-184812 vor, dass, um Verschiebungen von Verdrahtungsleitungen aufgrund von Ultraschallschwingung im Wesentlichen einheitlich zu machen, der Verbindungsabschnitt von jeder der Verdrahtungsleitungen, deren Winkel θ im Hinblick auf eine Richtung der Ultraschallschwingung größer ist, breiter gebildet wird als der Verbindungsabschnitt von jeder der Verdrahtungsleitungen, deren Winkel θ im Hinblick auf die Richtung einer Ultraschallschwingung kleiner ist, wodurch alle Verdrahtungsleitungen in einen im Wesentlichen einheitlichen Bondzustand gebracht werden. Genauer gesagt wurde die Breite von jeder der senkrechten Verdrahtungsleitungen breiter gemacht als die von jeder der parallelen Verdrahtungsleitungen. In diesem Fall muss jedoch der Verbindungsabschnitt von jeder der senkrechten Verdrahtungsleitungen breiter geformt sein und daher, wenn Verdrahtungsleitungen mit hoher Dichte angeordnet sind, ist es schwierig, eine ausreichende Bildungsbreite sicherzustel len. Dies macht es schwierig, alle Verdrahtungsleitungen in einen einheitlichen Bondzustand zu bringen.
  • Die JP 2002164643 A bezieht sich auf eine Flip-Chip-Bondstruktur, bei der ein integrierter Halbleiter-Schaltungschip direkt auf einer ersten Oberfläche einer flexiblen gedruckten Schaltungsplatine befestigt ist. Eine gegenüberliegende zweite Oberfläche der flexiblen gedruckten Schaltungsplatine ist an ein metallisches Material durch ein Haftband gehaftet. Unter der Position, wo der Chip befestigt ist, ist das Haftband durch ein Harz ersetzt, um eine versteifte Struktur zu erhalten.
  • Die US-A-5,252,519 bezieht sich auf ein Mehrschicht-Glas-Keramik-Substrat mit Elektroden zum Flip-Chip-Befestigen auf einer externen Oberfläche und mit internen Verdrahtungsstrukturen, die die externe Elektrode überlappen.
  • Die US-B-6,265,300 bezieht sich auf eine Drahtbondoberfläche und ein Bondverfahren. Eine Bond-Anschlussflächenstruktur zur Verwendung mit nachgiebigen dielektrischen Materialien und ein Verfahren zum Drahtbonden ist beschrieben, bei dem eine starre Schicht zwischen der Bond-Anschlussfläche und der nachgebenden dielektrischen Schicht gebildet ist. Die starre Schicht erhöht die Steifigkeit der Bondstruktur derart, dass eine effektive Bondverbindung durch herkömmliche Ultraschall- und Thermokompressions-Bondverfahren erreicht werden kann.
  • Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Elektronikkomponentenvorrichtung zu schaffen, die in der Lage ist, Verschiebungen von Verdrahtungsleitungen aufgrund einer Ultraschallschwingung zu erzeugen, die im Wesentlichen einheitlich ist, und ferner in der Lage ist, alle Verdrahtungsleitungen in einen im Wesentlichen einheitlichen Bondzustand zu bringen, sogar wenn Verdrahtungsleitungen bei einer hohen Dichte angeordnet sind, und schafft ferner ein Verfahren zum Herstellen derselben.
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Elektronikkomponentenvorrichtung gemäß Anspruch 1 und ein Verfahren gemäß Anspruch 7.
  • Zum Beispiel werden Höcker im Voraus auf Elektroden einer Elektronikkomponente gebildet, und diese Höcker werden gebondet, unter Verwendung von Ultraschallschwingung, an entsprechende Verdrahtungsleitungen auf einer Platine, die den entsprechenden Höckern zugewandt sind. In diesem Fall werden Verdrahtungsleitungen, deren Winkel θ1 im Hinblick auf die Richtung einer Ultraschallschwingung größer ist, und Verdrahtungsleitungen, deren Winkel θ2 im Hinblick auf die Richtung einer Ultraschallschwingung kleiner ist, miteinander vermischt. Bei bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung jedoch, da eine Verschiebungs-Sperrschicht, die eine höhere Steifigkeit als das Material der Platine aufweist, innerhalb der Platine in einem Abschnitt unter jeder der Verdrahtungsleitungen vorgesehen ist, deren Winkel θ im Hinblick auf die Richtung einer Ultraschallschwingung größer ist, ist es möglich, Verschiebungen der Verdrahtungsleitungen aufgrund einer Ultraschallschwingung im Wesentlichen einheitlich zu machen und alle Verdrahtungsleitungen in einen im Wesentlichen einheitlichen Bondzustand zu bringen, unabhängig von der Größenbeziehung des Winkels θ. Dies sperrt bzw. verhindert das Auftreten einer fehlerhaften Bondverbindung und Rissbildung.
  • Da es ferner unnötig ist, die Breite der Verdrahtungsleitung zu vergrößern, besteht kein Problem, sogar wenn Verdrahtungsleitungen mit einer hohen Dichte angeordnet sind.
  • Die Materialien der Platine umfassen vorzugsweise Harz und Keramikmaterialien. Das Keramikmaterial, das eine hohe Steifigkeit aufweist, ist niedrig in der Verschiebung aufgrund einer Ultraschallschwingung. Im Gegensatz dazu unterliegt die Platine, die aus Harz hergestellt ist, die große Verschiebungen aufgrund einer Ultraschallschwingung erfährt, Variationen bei der Bondbarkeit. Daher üben bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung eine größere Wirkung aus, wenn eine Harzplatine verwendet wird.
  • Bei der Elektronikkomponentenvorrichtung gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass erste Verdrahtungsleitungen, die sich im Wesentlichen parallel zu der Richtung einer Ultraschallschwingung erstrecken, und zweite Verdrahtungsleitungen, die sich im Wesentlichen senkrecht zu der Richtung der Ultraschallschwingung erstrecken, auf der Platine entlang der Richtungen angeordnet sind, die im Wesentlichen senkrecht zueinander sind, und dass die Verschiebungs-Sperrschicht innerhalb der Platine an einem Abschnitt unter jeder der zweiten Verdrahtungsleitungen vorgesehen ist.
  • Die Richtung einer Ultraschallschwingung und die der Verdrahtungsleitungen kann beliebig eingestellt sein. Wenn die ersten Verdrahtungsleitungen, die sich im Wesentlichen parallel zu der Richtung einer Ultraschallschwingung erstrecken, und die zweiten Verdrahtungsleitungen, die sich im Wesentlichen senkrecht zu der Richtung einer Ultraschallschwingung erstrecken, vorgesehen sind, maximiert die Bildung der Verschiebungs-Sperrschicht in einem Abschnitt unter der zweiten Verdrahtungsschicht die Vorteile der bevorzugten Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung.
  • Bei der Elektronikkomponentenvorrichtung gemäß verschiedenen bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung, wenn eine Mehrzahl der oben beschriebenen zweiten Verdrahtungsleitungen benachbart zueinander angeordnet ist, ist die Verschiebungs-Sperrschicht vorzugsweise in einem Abschnitt unter der Mehrzahl von zweiten Verdrahtungsleitungen angeordnet, um durchgehend zu sein.
  • Ein alternatives Verfahren zum Bereitstellen der Verschiebungs-Sperrschicht ist das Bilden von jeder der Verschiebungs-Sperrschichten in einem Abschnitt unter einer entsprechenden einen der zweiten Verdrahtungsleitungen auf unabhängige Weise. Im Vergleich zu diesem alternativen Verfahren jedoch ermöglicht das Bereitstellen der Verschiebungs-Sperrschicht in einem Abschnitt unter einer Mehrzahl der zweiten Verdrahtungsleitungen, um durchgehend zu sein, wie oben beschrieben ist sogar, dass die Verschiebung eines Platinenabschnitts, der zwischen den zweiten Verdrahtungsleitungen positioniert ist, durch die Verschiebungssperrschicht gesperrt wird, wodurch die Verschiebungs-Sperrwirkung im Hinblick auf die zweiten Verdrahtungsleitungen vergrößert wird.
  • Es ist jedoch nicht notwendig, dass die Verschiebungs-Sperrschicht durchgehend im Hinblick auf alle zweiten Verdrahtungsleitungen ist. Die Verschiebungs-Sperrschicht muss nur durchgehend im Hinblick auf zumindest zwei benachbarte Verdrahtungsleitungen sein.
  • Bei der Elektronikkomponentenvorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass die Verschiebungs-Sperrschicht in einer Region innerhalb von z. B. ungefähr 1 mm der Oberfläche der Platine vorgesehen ist.
  • Um die Verschiebung der Verdrahtungsleitung aufgrund einer Ultraschallschwingung effektiv zu verhindern, ist es erwünscht, dass die Verschiebungs-Sperrschicht so nahe an der Platinenoberfläche wie möglich ist, die die Verdrahtungsleitung auf derselben aufweist. Wenn die Platine z. B. eine Harzplatine ist, ist die Verschiebungs-Sperrschicht vorzugsweise in einer Region von innerhalb z. B. ungefähr 1 mm von der Platinenoberfläche vorgesehen. Je näher an der Platinenoberfläche, desto effektiver ist die Verschiebungs-Sperrschicht. Es ist daher weiter bevorzugt, dass die Verschiebungs-Sperrschicht in einer Region von innerhalb z. B. ungefähr 10 μm bis ungefähr 150 μm von der Platinenoberfläche vorgesehen ist.
  • Bei der Elektronikkomponentenvorrichtung gemäß verschiedenen bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann die Platine eine gedruckte Mehrschicht-Verdrahtungsplatine sein, und die Verschiebungs-Sperrschicht kann ein Leitermuster sein, das in einer Innenschicht der gedruckten Mehrschicht-Verdrahtungsplatine vorgesehen ist.
  • Wenn die Platine eine gedruckte Mehrschicht-Verdrahtungsplatine ist, ist ein Leitermuster in einer Innenschicht derselben vorgesehen, abgesehen von Verdrahtungsmustern auf Außenschichten beider Seiten der Platine, und daher ist es durch Verwenden von einer dieser Leitermuster als eine Verschiebungs-Sperrschicht ohne weiteres möglich, eine Verschiebungs-Sperrschicht zu bilden, ohne eine spezielle Technik zu verwenden, und ferner die Verschiebungs-Sperrschicht mit einer Funktion als Masse oder Abschirmung zu schaffen.
  • Andere Merkmale, Elemente, Charakteristika und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der nachfolgenden, detaillierten Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung offensichtlich.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht, die den Aufbau einer herkömmlichen Elektronikkomponentenvorrichtung zeigt;
  • 2 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Bondverfahren für die Elektronikkomponentenvorrichtung darstellt, die in 1 gezeigt ist;
  • 3 ist eine perspektivische Ansicht einer Platine, die für die Elektronikkomponentenvorrichtung verwendet wird, die in 1 gezeigt ist;
  • 4A und 4B sind Darstellungen von Verschiebungen einer im Wesentlichen senkrechten Verdrahtungsleitung bzw. einer im Wesentlichen parallelen Verdrahtungsleitung, wenn. dieselben einer Ultraschallschwingung ausgesetzt sind;
  • 5 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen der Verschiebung einer Verdrahtungsleitung und der Bondfestigkeit zeigt;
  • 6 ist eine Draufsicht einer Elektronikkomponentenvorrichtung gemäß einem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 7 ist eine Seitenansicht der Elektronikkomponentenvorrichtung, die in 6 gezeigt ist, wenn sie einem Bonden unterzogen wird;
  • 8A und 8B sind teilweise vergrößerte Ausschnittansichten der Platine, die in 7 gezeigt ist;
  • 9 ist eine Draufsicht einer Platine gemäß einem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 10 ist eine Seitenansicht der Elektronikkomponentenvorrichtung, die in 9 gezeigt ist; und
  • 11 ist eine Draufsicht einer Platine gemäß einem dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele
  • Eine Elektronikkomponentenvorrichtung gemäß einem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird Bezug nehmend auf 6 bis 8 beschrieben. 6 ist eine Draufsicht dieser Elektronikkomponentenvorrichtung. 7 ist eine Seitenansicht der Elektronikkomponentenvorrichtung. 8A und 8B sind jeweils eine vergrößerte Querschnittsansicht eines Bondabschnitts.
  • Eine Platine 10A umfasst vorzugsweise eine organische Platine, die aus einem Material hergestellt ist, wie z. B. Glasepoxydharz oder Bismaleimidtriazin-Harz (BT-Harz), eine Keramikplatine, wie z. B. Alumina, oder eine Kristallplatine, hergestellt aus Silizium oder einem anderen geeigneten Material. Eine Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen 11 und 12, die sich entlang Richtungen erstrecken, die einander im Wesentlichen senkrecht schneiden, ist auf der Platine 10A gebildet. Wie in 6 gezeigt ist, ist jede der Verdrahtungsleitungen 11 angeordnet, um einen Winkel θ1 im Hinblick auf eine Richtung einer Ultraschallschwingung U zu bilden (nachfolgend beschrieben), der größer ist als ungefähr 45° (θ1 > 45°), und jede der Verdrahtungsleitungen 12 ist angeordnet, um einen Winkel θ2 im Hinblick auf die Richtung einer Ultraschallschwingung U zu bilden, der kleiner ist als ungefähr (θ2 < 45°). Somit ist der Winkel θ1 größer als der Winkel θ2.
  • Die hierin nachfolgenden Beschreibungen sind aus Beispielen der Verdrahtungsleitungen 11, von denen jede einen Winkel θ1 = 90° mit der Richtung der Ultraschallschwingung U bildet, d. h. Verdrahtungsleitungen, von denen jede entlang der Richtung angeordnet ist, die im Wesentlichen senkrecht zu der Richtung der Ultraschallschwingung U ist (nämlich im Wesentlichen senkrechte Verdrahtungsleitungen), und der Verdrahtungsleitungen 12 gemacht, von denen jede einen Winkel θ2 = 0° mit der Richtung der Ultraschallschwingung U bildet, d. h. Verdrahtungsleitungen, von denen jede entlang der Richtung angeordnet ist, die im Wesentlichen parallel zu der Richtung der Ultraschallschwingung U ist (nämlich im Wesentlichen parallele Verdrahtungsleitungen).
  • Im Hinblick auf die im Wesentlichen senkrechten Verdrahtungsleitungen 11 sind Verschiebungs-Sperrschichten 13 mit einer höheren Steifigkeit als das Platinenmaterial innerhalb der Platine 10A in Abschnitten unter den im Wesentlichen senkrechten Verdrahtungsleitungen 11 vorgesehen. Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist jede individuelle Verschiebungs-Sperrschicht 13 in einem Abschnitt unter einer entsprechenden der im Wesentlichen senkrechten Verdrahtungsleitungen 11 vorgesehen. Die Verschiebungs-Sperrschichten 13 sind in einer Region vorgesehen, die dem Elektronikkomponentenbefestigungsabschnitt (angezeigt durch eine ketten-doppelgestrichelte Linie in 6) der im Wesentlichen senkrechten Verdrahtungsleitungen 11 entspricht, d. h. in einer Region, die Bereichsabschnitte 11a und 12a umfasst. Hier bezieht sich ein „Abschnitt unter einer Verdrahtungsleitung" z. B. auf „eine Region innerhalb von ungefähr 1 mm der Oberfläche der Platine". Es ist jedoch erwünscht, dass die Verschiebungs-Sperrschicht so nahe wie möglich an der Platinenoberfläche angeordnet ist. Vorzugsweise ist die Verschiebungs-Sperrschicht in einer Region von z. B. innerhalb ungefähr 10 μm bis ungefähr 150 μm der Platinenoberfläche vorgesehen. Das Material der Verschiebungs-Sperrschicht 13 ist vorzugsweise ein metallisches Material, wie z. B. Cu, oder ein Keramikmaterial, mit einem Material hoher Steifigkeit, wie z. B. Alumina, oder einem anderen geeigneten Material. Eine organische Platine weist vorzugsweise eine Steifigkeit in einem Bereich von 10 GPa bis ungefähr 60 GPa auf, wohingegen ein Cu-Material eine Steifigkeit von ungefähr 120 GPa oder mehr aufweist, obwohl sich die Steifigkeit mit der Temperatur ändert. Daher, wenn eine organische Platine als die Platine 10A verwendet wird, kann ein Cu-Material effektiv als die Verschiebungs-Sperrschicht 13 funktionieren.
  • Die Form der Platine 10A ist nicht besonders beschränkt. Die Dicke der Platine 10A kann ebenfalls beliebig eingestellt sein, z. B., um in einem Bereich von ungefähr 0,2 mm bis ungefähr 2 mm zu sein. Die Verdrahtungsleitungen 11 und 12 werden vorzugsweise durch Verwenden eines Plattierungsverfahrens, eines Dünnfilmbildungsverfahrens, eines Dickfilmbildungsverfahrens oder eines anderen geeigneten Verfahrens gebildet. Die Dicke der Verdrahtungsleitung ist vorzugsweise in einem Bereich von mehreren Mikrometern bis mehreren zehn Mikrometern, aber ist nicht auf diesen Bereich beschränkt. Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel wurden die verwendeten Verdrahtungsleitungen 11 und 12 durch Aufbringen einer elektrolytischen Plattierung oder einer stromlosen Plattierung von Ni (ungefähr 3 µm dick) oder Au (ungefähr 0,03 µm oder mehr dick) auf Cu-Folie mit einer Dicke im Bereich von ungefähr 5 µm bis ungefähr 35 µm gebildet.
  • Hier sind die Breiten der Verdrahtungsleitungen 11 und 12 vorzugsweise im Wesentlichen gleich hergestellt. Die Breiten sowie die Formen der Verdrahtungsleitungen 11 und 12 können jedoch unterschiedlich voneinander sein. Ferner kann die Anordnung derart sein, dass die Region, die dem Elektronikkomponentenbefestigungsabschnitt (der Abschnitt, der durch die ketten-doppelgestrichelte Linie in 6 angezeigt ist) der Verdrahtungsleitungen 11 und 12 entspricht, d. h. die Region, die die Bereichsabschnitte 11a und 12a umfasst, ausschließlich der Außenseite ausgesetzt ist, und dass die andere Region mit einem isolierenden Material abgedeckt ist, wie z. B. Resist.
  • Die elektronische Komponente 20 ist vorzugsweise z. B. ein Halbleiterchip oder ein Oberflächenwellenbauelement (SAW-Bauelement; SAW = surface acoustic wave). Auf der Bodenoberfläche der elektronischen Komponente 20 sind Elektrodenanschlussflächen 21 (siehe 8A und 8B), vorzugsweise hergestellt aus Al- oder AU-Material von z. B. ungefähr 100 μm zum Quadrat an Positionen gebildet, die den Bereichsabschnitten 11a und 12a entsprechen. Höcker 22 werden auf den entsprechenden Elektrodenanschlussflächen 21 vorzugsweise unter Verwendung eines Plattierungsverfahrens, Drahtbondverfahrens oder Dampfaufbringungsverfahrens oder eines anderen geeigneten Verfahrens gebildet. Au, Ag, Pd, Cu, Al oder Lötmittel oder ein anderes geeignetes Material ist für die Höcker 22 verwendbar.
  • Wie nachfolgend beschrieben wird, werden die Höcker 22 kollektiv an die entsprechenden Bereichsabschnitte 11a und 12a der Verdrahtungsleitungen 11 und 12 gebondet, durch Ausüben einer Ultraschallschwingung, einer Belastung und falls nötig weiterer Wärme auf die elektronische Komponente 20.
  • Als Nächstes wird ein Verfahren zum Flip-Chip-Bonden der elektronischen Komponente 20 an die Platine 10A beschrieben.
  • Als Erstes werden Höcker 22 auf den entsprechenden Elektrodenanschlussflächen 21 der elektronischen Komponente 20 gebildet. Durch ein Bondwerkzeug (nicht gezeigt) wird die obere Oberfläche (Rückoberfläche) der elektronischen Komponente 20 angezogen und die elektronische Komponente 20 wird aufgenommen. Dann werden die Höcker 22 mit den entsprechenden Bereichsabschnitten 11a und 12a der Verdrahtungsleitungen 11 und 12 der Platine 10A mit einem hohen Grad an Genauigkeit ausgerichtet. Danach werden die Höcker 22 der elektronischen Komponente 20 und die entsprechenden Bereichsabschnitte 11a und 12a der Verdrahtungsleitungen 11 und 12 der Platine 10A in Kontakt gebracht. In diesem Zustand wird eine Ultraschallschwingung U bei einer Frequenz in einem Bereich von z. B. ungefähr 20 kHz bis ungefähr 150 kHz auf die obere Oberfläche der elektronischen Komponente 20 in der Richtung ausgeübt, die im Wesentlichen parallel zu der Oberfläche der Platine 10A ist, und gleichzeitig in der Richtung, die im Wesentlichen senkrecht zu den im Wesentlichen senkrechten Verdrahtungsleitungen 11 ist (d. h. in der Richtung, die im Wesentlichen parallel zu den parallelen Verdrahtungsleitungen 12 ist), über das Bondwerkzeug, wodurch die Höcker 22 und die entsprechenden Bereichsabschnitte 11a und 12a aneinander gebondet werden. Während des Bondens kann eine Last zwischen der Platine 10A und der elektronischen Komponente 20 ausgeübt werden, und eines der Platine 10A und der elektronischen Komponente 20 kann erwärmt werden.
  • Nachdem das oben beschriebene Bonden abgeschlossen ist, kann zum Zweck der Sicherstellung der Bondverbindungszuverlässigkeit der Zwischenraum zwischen der elektronischen Komponente 20 und der Platine 10A einer Harzabdichtung unterzogen werden, um die Differenz bei der linearen Ausdehnung zwischen der elektronischen Komponente 20 und der Platine 10A zu verringern und den Bondabschnitt zu schützen. Die Harzabdichtung kann durch Aufbringen von Harz nach dem Bonden zwischen der elektronischen Komponente 20 und der Platine 10A ausgeführt werden. Alternativ kann die Harzabdichtung derart ausgeführt werden, dass Harz auf Verdrahtungsleitungen auf die Platine im Voraus aufgebracht wird, und derart, dass die Höcker an die entsprechenden Verdrahtungsleitungen auf der Platine gebondet werden, während die Harzschicht durchbrochen wird. In diesem Fall kann ein Bonden und Harzabdichten gleichzeitig erreicht werden.
  • Wenn eine Ultraschallschwingung U ausgeübt wird, zeigen die im Wesentlichen senkrechten Verdrahtungsleitungen 11 eine niedrige Steifigkeit im Hinblick auf die Schwingungsrichtung im Vergleich zu den im Wesentlichen parallelen Verdrahtungsleitungen 12. Da jedoch die im Wesentlichen senkrechten Verdrahtungsleitungen 11 jeweils eine Verschiebungs-Sperrschicht 13 aufweisen, die unter denselben gebildet ist, verringert sich die Differenz bei der Verschiebung zwischen den im Wesentlichen senkrechten Verdrahtungsleitungen 11 und den im Wesentlichen parallelen Verdrahtungs leitungen 12, wie in 8A und 8B gezeigt ist. Als Ergebnis wird die Abweichung bei der Bondbarkeit im Hinblick auf die Höcker 13 zwischen den im Wesentlichen senkrechten Verdrahtungsleitungen 11 und den im Wesentlichen parallelen Verdrahtungsleitungen 12 reduziert und dadurch kann eine im Wesentlichen einheitliche Verbindungsfestigkeit erreicht werden. Dies verhindert das Auftreten einer fehlerhaften Verbindung und Rissbildung in den Elektroden.
  • 9 und 10 zeigen eine Elektronikkomponentenvorrichtung gemäß einem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. In 9 und 10 sind die selben Elemente wie jene in 6 und 7 durch die selben Bezugszeichen bezeichnet.
  • Wie in dem Fall des ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels weist eine Platine 10B auf derselben eine Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen 11 und 12 auf, die entlang Richtungen gebildet sind, die einander im Wesentlichen senkrecht schneiden. Verschiebungs-Sperrschichten 13, die eine höhere Steifigkeit aufweisen als das Platinenmaterial, sind innerhalb der Platine 10B in Abschnitten unter den im Wesentlichen senkrechten Verdrahtungsleitungen 11 vorgesehen. Die Verschiebungs-Sperrschicht 13 ist bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel angeordnet, um durchgehend im Hinblick auf eine Mehrzahl von im Wesentlichen senkrechten Verdrahtungsleitungen 11 (drei in diesem Fall) zu sein. Genauer gesagt sind ebene Abschnitte zwischen benachbarten, im Wesentlichen senkrechten Verdrahtungsleitungen 11 mit der Verschiebungs-Sperrschicht 13 versehen.
  • Da bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel, die Abschnitte der Platine 10B, die zwischen den im Wesentlichen senkrechten Verdrahtungsleitungen 11 positioniert sind, aufgrund der Verschiebungs-Sperrschicht 13 daran gehindert werden, verschoben zu werden, wird die Verschiebung der im Wesentlichen senkrechten Verdrahtungsleitungen 11 und ihrer Peripherien aufgrund einer Ultraschallschwingung zuverläs sig verhindert. Dies reduziert ferner die Verschiebungsdifferenz von den im Wesentlichen parallelen Verdrahtungsleitungen, was zu einer einheitlicheren Bondfestigkeit führt.
  • Unter Verwendung des Implementierungsmodells, das in 9 und 10 gezeigt ist, wurde eine Analyse durch ein Finites-Element-Verfahren ausgeführt, in einem Fall, in dem Verschiebungs-Sperrschichten mit einer Dicke von z. B. 70 µm, hergestellt aus Kupfer, an Abschnitten unter den im Wesentlichen senkrechten Verdrahtungsleitungen vorgesehen sind, d. h. an Positionen in einer Distanz von ungefähr 30 µm von der Platinenoberfläche. Gemäß den Ergebnissen der Analyse ist die Differenz bei der Verschiebung zwischen der im Wesentlichen senkrechten Verdrahtungsleitung und der im Wesentlichen parallelen Verdrahtungsleitung ungefähr 0,03 µm. Im Gegensatz dazu war die Differenz bei der Verschiebung, die ohne Verwendung der Verschiebungs-Sperrschichten erhalten wurde, ungefähr 0,09 µm. Das heißt, die Verwendung von Verschiebungs-Sperrschichten reduziert die Differenz bei der Verschiebung um einen Faktor von ungefähr 3. Somit ist die Bondbarkeit aller Bondabschnitte im Wesentlichen einheitlich hergestellt, wodurch das Auftreten einer Beschädigung verhindert wird.
  • 11 zeigt eine Elektronikkomponentenvorrichtung gemäß einem dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. In 11 sind die selben Elemente wie jene in 6 und 7 durch die selben Bezugszeichen bezeichnet.
  • Eine Platine 10C ist bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel so angeordnet, dass Abschnitte, die keine Verschiebungs-Sperrschicht 13 aufweisen, auf Abschnitte unter den im Wesentlichen parallelen Verdrahtungsleitungen 12 beschränkt sind. Anders ausgedrückt sind Verschiebungs-Sperrschichten 13 im Wesentlichen über der gesamten Region innerhalb der Platine 10C vorgesehen. Zusätzlich dazu sind Fensterlöcher 13a in Abschnitten der Verschiebungs-Sperr schichten 13 vorgesehen, die den Abschnitten unter den im Wesentlichen parallelen Verdrahtungsleitungen 12 entsprechen.
  • Somit ist es möglich, Verschiebungen der im Wesentlichen senkrechten Verdrahtungsleitungen 11 und ihrer Peripherien aufgrund einer Ultraschallschwingung effektiver zu verhindern und ferner die Verschiebungs-Sperrschichten 13 mit einer Funktion als Masse oder eine Abschirmung bereitzustellen.
  • Im Allgemeinen wird eine gedruckte Verdrahtungsplatine mit drei Schichten oder mehr aus Leitermustern als eine „gedruckte Mehrschicht-Verdrahtungsplatine" bezeichnet. Genauer gesagt zeigt dies eine Platine an, bei der Leitermuster (allgemein Cu) in einer Innenschicht derselben vorgesehen sind, zusätzlich zu Schaltungsmustern, die auf Außenschichten beider Oberflächen der Platine vorgesehen sind. Bei einer solchen gedruckten Mehrschicht-Verdrahtungsplatine ermöglicht das Bereitstellen des Leitermusters in der Innenschicht, die eine höhere Steifigkeit aufweist als die Harzschicht, als eine Verschiebungs-Sperrschicht, dass die Vorteile der bevorzugten Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung ohne weiteres erreicht werden, ohne eine spezielle Technik zu verwenden. Ferner ermöglicht das Anwenden bevorzugter Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung an Warenprodukte, die gedruckte Mehrschicht-Verdrahtungsplatinen umfassen, dass die Vorteile der bevorzugten Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung erreicht werden, ohne die Kosten zu erhöhen.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die oben beschriebenen, bevorzugten Ausführungsbeispiele beschränkt. Bei den oben beschriebenen, bevorzugten Ausführungsbeispielen sind die Höcker vorzugsweise auf der elektronischen Komponente gebildet. Durch Bilden von Höckern auf den entsprechenden Verdrahtungsleitungen auf der Platine im Voraus jedoch, und dann Bonden dieser Höcker an die entsprechenden Elektroden anschlussflächen der elektronischen Komponente, können ebenfalls ähnliche Vorteile erreicht werden.
  • Bei den oben beschriebenen, bevorzugten Ausführungsbeispielen wurde ein Beispiel gezeigt, bei dem Verdrahtungsleitungen entlang der Richtungen, die im Wesentlichen senkrecht und im Wesentlichen parallel zu der Richtung einer Ultraschallschwingung sind, auf der Oberfläche der Platine vorgesehen sind. Die Verdrahtungsleitungen können jedoch entlang Richtungen vorgesehen sein, die im Hinblick auf die Richtung einer Ultraschallschwingung geneigt ist.
  • Ferner sind bei den oben beschriebenen, bevorzugten Ausführungsbeispielen die Breiten der im Wesentlichen senkrechten Verdrahtungsleitung und der im Wesentlichen parallelen Verdrahtungsleitung vorzugsweise im Wesentlichen gleich. Die Breite der im Wesentlichen senkrechten Verdrahtungsleitung jedoch, die eine Verschiebungs-Sperrschicht aufweist, kann breiter sein als die der im Wesentlichen parallelen Verdrahtungsleitung. Dies bietet den Vorteil, die Flexibilität bei dem Entwurf der Breiten der Verschiebungs-Sperrschicht und der im Wesentlichen senkrechten Verdrahtungsleitung zu erhöhen.
  • Das Material der Platine ist nicht besonders eingeschränkt. Wenn jedoch eine Harzplatine verwendet wird, und ein Bonden durch eine kombinierte Verwendung eines Thermokompressionsbondens und einer Ultraschallschwingung ausgeführt wird, liefern bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung vorteilhaftere Ergebnisse. Der Grund dafür ist, dass, wenn eine Harzplatine verwendet wird, das Ausführen eines Bondens durch die kombinierte Verwendung eines Thermokompressionsbondens und einer Ultraschallschwingung verursacht, dass die Platine deformiert wird, wodurch die Verschiebung der Verdrahtungsleitungen verstärkt wird.
  • Die Elektronikkomponentenvorrichtung gemäß bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann an das Befestigen, über Höcker, jeglicher Chipkomponenten als Elektronikkomponentenelemente, einschließlich eines Widerstandselements, Kondensators und einer piezoelektrischen Komponente, zusätzlich zu einem Halbleiterchip, sowie anderer geeigneter Komponenten und Elemente angewendet werden.
  • Wie aus dem Vorangehenden ersichtlich ist, ist gemäß verschiedenen bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung eine Verschiebungs-Sperrschicht mit einer höheren Steifigkeit als der des Materials der Platine innerhalb der Platine in einem Abschnitt unter jeder der Verdrahtungsleitungen vorgesehen, deren Winkel θ im Hinblick auf die Richtung der Ultraschallschwingung größer ist, wenn eine Mehrzahl von Elektroden einer elektronischen Komponente kollektiv über entsprechende Höcker unter Verwendung einer Ultraschallschwingung an eine entsprechende Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen gebondet ist, die auf einer Platine entlang unterschiedlicher Richtungen voneinander angeordnet sind. Dadurch wird die Übertragungseffizienz einer Ultraschallschwingung im Wesentlichen einheitlich und alle Verdrahtungsleitungen können in einen im Wesentlichen einheitlichen Bondzustand gebracht werden. Dies hemmt das Auftreten einer mangelhaften Bondverbindung und eine Rissbildung und liefert dadurch eine hochzuverlässige Elektronikkomponentenvorrichtung.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf jedes der oben beschriebenen, bevorzugten Ausführungsbeispiele beschränkt, und verschiedene Modifikationen sind innerhalb des Bereichs möglich, der in den Ansprüchen beschrieben ist. Ein Ausführungsbeispiel, das durch geeignetes Kombinieren technischer Merkmale erhalten wird, die in jedem der unterschiedlichen bevorzugten Ausführungsbeispiele offenbart sind, ist in dem technischen Schutzbereich der vorliegenden Erfindung umfasst.

Claims (7)

  1. Eine Elektronikkomponentenvorrichtung, die folgende Merkmale aufweist: eine Platine (10A); eine Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen (11, 12), die auf der Platine (10A) entlang unterschiedlicher Richtungen angeordnet sind, wobei sich erste Verdrahtungsleitungen in einer ersten Richtung erstrecken und zweite Verdrahtungsleitungen in einer zweiten Richtung erstrecken, die unterschiedlich von der ersten Richtung ist; eine Mehrzahl von Elektroden (21) einer elektronischen Komponente (20), die kollektiv an die entsprechende Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen (11, 12) über entsprechende Höcker (22) auf der Platine (10A) gebondet sind; dadurch gekennzeichnet, dass die Platine (10A) eine Verschiebungs-Sperrschicht (13) umfasst, die eine höhere Steifigkeit aufweist als ein Material der Platine (10A), wobei die Verschiebungs-Sperrschicht (13) innerhalb der Platine (10A) in einem Abschnitt unter jeder der zweiten Verdrahtungsleitungen (11) vorgesehen ist und nicht an Positionen unter jeder der ersten Verdrahtungsleitungen (12) vorgesehen ist.
  2. Die Elektronikkomponentenvorrichtung gemäß Anspruch 1, bei der die ersten Verdrahtungsleitungen (12) und die zweiten Verdrahtungsleitungen (11) sich im Wesentli chen senkrecht zueinander auf der Platine (10A) erstrecken.
  3. Die Elektronikkomponentenvorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2, bei der eine Mehrzahl der zweiten Verdrahtungsleitungen (11) benachbart zueinander angeordnet ist, und bei der die Verschiebungs-Sperrschicht (13) in einem Abschnitt unter der Mehrzahl der zweiten Verdrahtungsleitungen (11) vorgesehen ist, um fortlaufend zu sein.
  4. Die Elektronikkomponentenvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der die Verschiebungs-Sperrschicht (13) in einer Region innerhalb von ungefähr 1 mm von einer externen Oberfläche der Platine (10A) vorgesehen ist.
  5. Die Elektronikkomponentenvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei der die Platine (10A) eine gedruckte Mehrschicht-Verdrahtungsplatine umfasst, und bei der die Verschiebungs-Sperrschicht (13) eine Leiterstruktur umfasst, die in einer inneren Schicht der gedruckten Mehrschicht-Verdrahtungsplatine vorgesehen ist.
  6. Die Elektronikkomponentenvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, bei der eine Mehrzahl von Verschiebungs-Sperrschichten (13) in einer Region vorgesehen ist, die dem Elektronikkomponentenbefestigungsabschnitt entspricht.
  7. Ein Verfahren zum Herstellen einer Elektronikkomponentenvorrichtung, wobei das Verfahren folgendes aufweist: einen Schritt zum Vorbereiten einer Platine (10A) mit einer Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen (11, 12), die auf einer oberen Oberfläche in unterschiedlichen Rich tungen gebildet sind, wobei sich erste Verdrahtungsleitungen in einer ersten Richtung erstrecken und zweite Verdrahtungsleitungen in einer zweiten Richtung erstrecken, die unterschiedlich von der ersten Richtung ist, und wobei eine Verschiebungs-Sperrschicht (13), die eine größere Steifigkeit aufweist als ein Material der Platine (10A), innerhalb der Platine (10A) in einem Abschnitt unter jeder der zweiten Verdrahtungsleitungen (11) vorgesehen ist und nicht in einem Abschnitt unter jeder der ersten Verdrahtungsleitungen (12) vorgesehen ist; einen Schritt zum Vorbereiten einer elektronischen Komponente (20), bei der die Höcker (22) auf entsprechenden Elektroden (21) derselben gebildet sind, die auf einer Hauptoberfläche derselben angeordnet sind; und einen Schritt zum Anordnen der Höcker (22) auf der elektronischen Komponente (20) gegenüberliegend zu den entsprechenden Verdrahtungsleitungen (11, 12) auf der Platine (10A) und zum kollektiven Bonden der Höcker (22) und der Verdrahtungsleitungen (11, 12) miteinander unter Verwendung einer Ultraschallschwingung, wobei die Ultraschallschwingung in einem Zustand angewendet wird, in dem ein Winkel θ1, der zwischen einer Richtung der Ultraschallschwingung und der Richtung der zweiten Verdrahtungsleitungen (11) gebildet ist, größer ist als ein Winkel θ2, der zwischen der Richtung der Ultraschallschwingung und der Richtung der ersten Verdrahtungsleitungen (12) gebildet ist.
DE602004000657T 2003-03-10 2004-01-26 Elektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung Expired - Lifetime DE602004000657T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003062721A JP3855947B2 (ja) 2003-03-10 2003-03-10 電子部品装置およびその製造方法
JP2003062721 2003-03-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE602004000657D1 DE602004000657D1 (de) 2006-05-24
DE602004000657T2 true DE602004000657T2 (de) 2006-09-07

Family

ID=32767884

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE602004000657T Expired - Lifetime DE602004000657T2 (de) 2003-03-10 2004-01-26 Elektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6933615B2 (de)
EP (1) EP1458018B1 (de)
JP (1) JP3855947B2 (de)
KR (1) KR100571723B1 (de)
CN (1) CN1312764C (de)
AT (1) ATE323949T1 (de)
DE (1) DE602004000657T2 (de)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005332872A (ja) * 2004-05-18 2005-12-02 Alps Electric Co Ltd 配線基板への電子部品の取付構造
DE102004047753B4 (de) * 2004-09-30 2009-01-02 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verbesserte Chip-Kontaktierungsanordnung für Chip-Träger für Flip-Chip-Anwendungen
US20060091184A1 (en) * 2004-10-28 2006-05-04 Art Bayot Method of mitigating voids during solder reflow
JP4728782B2 (ja) * 2005-11-15 2011-07-20 パナソニック株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2008060210A (ja) * 2006-08-30 2008-03-13 Fujitsu Ltd ワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置
US8680932B2 (en) * 2011-02-07 2014-03-25 Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd Oscillator
WO2014021080A1 (ja) * 2012-08-03 2014-02-06 株式会社村田製作所 電子デバイスの製造方法
JP5594452B1 (ja) * 2013-03-27 2014-09-24 株式会社村田製作所 カメラモジュール
CN204991657U (zh) 2013-04-26 2016-01-20 株式会社村田制作所 电子元器件及电路基板
WO2017038790A1 (ja) 2015-09-01 2017-03-09 株式会社村田製作所 樹脂基板、部品実装樹脂基板、部品実装樹脂基板の製造方法
JP6593447B2 (ja) 2015-10-13 2019-10-23 株式会社村田製作所 樹脂基板、部品実装樹脂基板、樹脂基板の製造方法、部品実装樹脂基板の製造方法
WO2017065028A1 (ja) 2015-10-15 2017-04-20 株式会社村田製作所 樹脂基板、部品実装樹脂基板、および、部品実装樹脂基板の製造方法
WO2017154643A1 (ja) * 2016-03-11 2017-09-14 本田技研工業株式会社 電子回路基板および超音波接合方法
JP2018125394A (ja) * 2017-01-31 2018-08-09 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 電子部品及びカメラモジュール
KR102059478B1 (ko) * 2017-09-15 2019-12-26 스템코 주식회사 회로 기판 및 그 제조 방법

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63288031A (ja) 1987-05-20 1988-11-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd フリップチップボンディング方法
JPH04169002A (ja) 1990-11-01 1992-06-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 導電性ペーストとそれを用いた多層セラミック配線基板の製造方法
US5567981A (en) 1993-03-31 1996-10-22 Intel Corporation Bonding pad structure having an interposed rigid layer
KR100261793B1 (ko) * 1995-09-29 2000-07-15 니시무로 타이죠 고강도 고신뢰성 회로기판 및 그 제조방법
JPH1174403A (ja) * 1997-08-28 1999-03-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP3882500B2 (ja) * 2000-03-02 2007-02-14 株式会社村田製作所 厚膜絶縁組成物およびそれを用いたセラミック電子部品、ならびに電子装置
JP3609692B2 (ja) * 2000-05-24 2005-01-12 松下電器産業株式会社 高周波信号増幅装置およびその製造方法
JP3407716B2 (ja) * 2000-06-08 2003-05-19 株式会社村田製作所 複合積層電子部品
JP2002164643A (ja) 2000-11-24 2002-06-07 Hitachi Ltd 電子部品の実装構造体
JP4572465B2 (ja) 2000-12-15 2010-11-04 株式会社村田製作所 電子部品装置の製造方法
JP2003014819A (ja) * 2001-07-03 2003-01-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体配線基板,半導体デバイス,半導体デバイスのテスト方法及びその実装方法
JP2003100803A (ja) 2001-09-27 2003-04-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
US6657311B1 (en) * 2002-05-16 2003-12-02 Texas Instruments Incorporated Heat dissipating flip-chip ball grid array

Also Published As

Publication number Publication date
US20040178486A1 (en) 2004-09-16
US6933615B2 (en) 2005-08-23
JP2004273777A (ja) 2004-09-30
JP3855947B2 (ja) 2006-12-13
KR20040081307A (ko) 2004-09-21
DE602004000657D1 (de) 2006-05-24
CN1312764C (zh) 2007-04-25
EP1458018B1 (de) 2006-04-19
CN1531070A (zh) 2004-09-22
KR100571723B1 (ko) 2006-04-18
EP1458018A1 (de) 2004-09-15
ATE323949T1 (de) 2006-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69938582T2 (de) Halbleiterbauelement, seine herstellung, leiterplatte und elektronischer apparat
DE69819216T2 (de) Freitragende Kugelverbindung für integrierte Schaltungschippackung
DE602004000657T2 (de) Elektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE19734794B4 (de) Leiterrahmen mit einer Vielzahl von Verdrahtungsteilen zur Verwendung bei einerHalbleitervorrichtung
DE69838849T2 (de) Mehrchip-Modulstruktur und deren Herstellung
DE102011006489B4 (de) Leiterplatte mit eingebautem Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung derselben
DE19941872B4 (de) Elektronikkomponente, wie z.B. ein Akustikoberflächenwellenbauelement, und Verfahren zum Herstellen derselben
DE69725689T2 (de) Gedruckte Leiterplatte und elektronische Bauteile
EP3231261B1 (de) Leiterplatte mit einem asymmetrischen schichtenaufbau
DE19848834A1 (de) Verfahren zum Montieren eines Flipchips und durch dieses Verfahren hergestellte Halbleiteranordnung
DE102004033057A1 (de) Wafer-Level-Package-Struktur vom Fan-Out-Typ und Verfahren zur Herstellung derselben
DE102011079708B4 (de) Trägervorrichtung, elektrische vorrichtung mit einer trägervorrichtung und verfahren zur herstellung dieser
DE60032067T2 (de) Mehrschichtige Leiterplatte und Verfahren zu deren Herstellung
DE10033977A1 (de) Zwischenverbindungsstruktur zum Einsatz von Halbleiterchips auf Schichtträgern
DE10045043A1 (de) Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
DE112006002635B4 (de) Schaltungsmodul und Schaltungsvorrichtung, die ein Schaltungsmodul umfasst
DE10236689A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE69723801T2 (de) Herstellungsverfahren einer Kontaktgitter-Halbleiterpackung
DE102019005046A1 (de) Multichip-packungsstruktur für einen bildsensor
DE102010033789A1 (de) Multichipmodul und Verfahren zum Herstellen desselben
EP1688997B1 (de) Elektronisches Bauteil mit gestapelten Halbleiterchips
DE10030546B4 (de) Befestigungsverfahren für elektronische Bauelemente
EP1278243A2 (de) Multichipmodul in COB Bauweise, insbesondere Compact Flash Card mit hoher Speicherkapazität und Verfahren zur Herstellung desselben
DE19702186C2 (de) Verfahren zur Gehäusung von integrierten Schaltkreisen
DE10302022B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines verkleinerten Chippakets

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition