DE602005000696T2 - Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung - Google Patents

Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE602005000696T2
DE602005000696T2 DE602005000696T DE602005000696T DE602005000696T2 DE 602005000696 T2 DE602005000696 T2 DE 602005000696T2 DE 602005000696 T DE602005000696 T DE 602005000696T DE 602005000696 T DE602005000696 T DE 602005000696T DE 602005000696 T2 DE602005000696 T2 DE 602005000696T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
barrier
substrate
liquid
substrate table
groove
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE602005000696T
Other languages
English (en)
Other versions
DE602005000696D1 (de
Inventor
Aleksey Yurievich Kolesnychenko
Johannes Jacobus Baselmans
Sjoerd Nicolaas Donders
Christiaan Alexander Hoogendam
Jeroen Johannes Mertens
Johannes Catharinus Mulkens
Felix Godfried Peeters
Bob Streefkerk
Franciscus Johannes Teunissen
Helmar Van Santen
Hans Jansen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of DE602005000696D1 publication Critical patent/DE602005000696D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE602005000696T2 publication Critical patent/DE602005000696T2/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus

Description

  • Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine lithographische Vorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung von Bauteilen.
  • Hintergrund
  • Eine lithographische Vorrichtung ist eine Maschine, die ein gewünschtes Muster auf einen Zielabschnitt eines Substrats aufbringt. Lithographische Vorrichtungen können beispielsweise bei der Herstellung von integrierten Schaltungen (ICs) verwendet werden. In so einem Fall kann eine Musteraufbringungseinrichtung, wie z.B. eine Maske, verwendet werden, um ein Schaltungsmuster entsprechend einer einzelnen Schicht der integrierten Schaltung zu erzeugen und dieses Muster kann auf einen Zielabschnitt (der z.B. einen Teil eines oder mehrerer Dies enthält) auf einem Substrat (z.B. einem Silizium-Wafer), das mit einer Schicht aus strahlungssensitivem Material (Resist) überzogen worden ist, abgebildet werden. Im allgemeinen enthält ein einzelnes Substrat ein Netzwerk benachbarter Zielabschnitte, die sukzessive belichtet werden. Bekannte Lithographievorrichtungen umfassen sogenannte Stepper, bei denen jeder Zielabschnitt bestrahlt wird, indem ein gesamtes Maskenmuster in einem Schritt auf den Zielabschnitt belichtet wird, und sogenannte Scanner, bei denen jeder Zielabschnitt bestrahlt wird, indem das Muster durch den Projektionsstrahl in einer bestimmten Richtung (der „abtastenden" Richtung) abgetastet wird, während das Substrat parallel oder antiparallel zu dieser Richtung synchron abgetastet wird.
  • Es ist vorgeschlagen worden, das Substrat in der lithographischen Projektionsvorrichtung in eine Flüssigkeit zu tauchen, die einen relativ hohen Brechungsindex aufweist, z.B. Wasser, um einen Raum zwischen dem endgültigen Element des Projektionssystems und dem Substrat zu füllen. Der Punkt hierbei besteht darin, die Abbildung kleinerer Strukturen zu ermöglichen, da die Belichtungsstrahlung in der Flüssigkeit eine kürzere Wellenlänge haben wird. (Der Effekt der Flüssigkeit kann auch als eine Vergrößerung der effektiven NA (numerischen Apertur) des Systems und auch als eine Erhöhung der Brennweite betrachtet werden.) Es sind weitere Immersionsflüs sigkeiten vorgeschlagen worden, einschließlich Wasser mit festen Partikeln (z.B. Quarz), die darin schweben.
  • Jedoch bedeutet das Eintauchen des Substrats bzw. des Substrats und des Substrattisches in ein Flüssigkeitsbad (siehe, zum Beispiel, US-Patent 4,509,852 ), dass eine große Flüssigkeitsmenge vorhanden ist, die während einer Abtastbelichtung beschleunigt werden muss. Dies kann zusätzliche oder leistungsstärkere Motoren erforderlich machen, und Turbulenzen in der Flüssigkeit können zu unerwünschten und unvorhersehbaren Effekten führen.
  • Eine der vorgeschlagenen Lösungen für ein Flüssigkeitszufuhrsystem besteht darin, Flüssigkeit nur auf einem örtlich begrenzten Bereich des Substrats und zwischen dem endgültigen Element des Projektionssystems und dem Substrat unter Verwendung eines Flüssigkeitszufuhrsystems bereitzustellen (das Substrat weist im allgemeinen einen größeren Oberflächenbereich auf als das endgültige Element des Projektionssystems). Eine hierfür vorgeschlagene Möglichkeit ist in der PCT-Patentanmeldung Nr. WO 99/49504 offengelegt. Wie in den 2 und 3 dargestellt, wird Flüssigkeit durch wenigstens einen Eingang IN auf das Substrat aufgebracht, vorzugsweise entlang der Bewegungsrichtung des Substrats relativ zum endgültigen Element, und wird durch wenigstens einen Ausgang OUT abgeführt, nachdem sie unter dem Projektionssystem hindurchgelaufen ist. Das heißt, während das Substrat unter dem Element in einer –X-Richtung abgetastet wird, wird Flüssigkeit an der +X-Seite des Elements zugeführt und an der –X-Seite aufgesaugt. 2 ist eine schematische Darstellung der Anordnung, wobei Flüssigkeit durch den Eingang IN zugeführt und an der anderen Seite des Elements durch den Ausgang OUT, der mit einer Unterdruckquelle verbunden ist, aufgesaugt wird. Bei der Darstellung von 2 wird die Flüssigkeit entlang der Bewegungsrichtung des Substrats relativ zum endgültigen Element zugeführt, obwohl dies nicht sein muss. Verschiedene Ausrichtungen und Anzahlen von um das endgültige Element angeordneten Ein- und Ausgängen sind möglich, ein Beispiel ist in 3 dargestellt, wobei vier Satz eines Eingangs mit einem Ausgang an jeder Seite in einem gleichförmigen Muster um das endgültige Element vorgesehen sind.
  • Das Vorhandensein von Immersionsflüssigkeit innerhalb der lithograpischen Vorrichtung kann Probleme mit sich bringen, wenn empfindliche Teile der Vorrichtung durch die Flüssigkeit kontaminiert werden können. Dies ist insbesondere der Fall bei einem Flüssigkeitszufuhrsystem für örtlich begrenzte Bereiche, weil bei Versagen eines derartigen Flüssigkeitszufuhrsystems Immersionsflüssigkeit leicht entweichen kann. Darüber hinaus kann, wenn das Flüssigkeitszufuhrsystem für örtlich begrenzte Bereiche nicht effizient ist, Immersionsflüssigkeit auf dem Substrattisch zurückbleiben und kann dann den Substrattisch aufgrund der durch die Beschleunigung des Substrattisches erzeugten Kräfte verlassen.
  • Die EP-A2-1,429,188 , die gemäß Artikel 54(3) EPÜ entgegengehalten werden kann, offenbart eine lithographische Immersionsvorrichtung, bei der eine Nut zur Aufnahme von Flüssigkeit um ein Substrat direkt neben dem Substrat verläuft.
  • Die EP-A2-1,528,431 und die WO 2004/053953 , die gemäß Artikel 54(3) EPÜ entgegengehalten werden können, offenbaren eine lithographische Vorrichtung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
  • Zusammenfassung
  • Folglich wäre es vorteilhaft, zum Beispiel die Gefahr der Kontaminierung mit Flüssigkeit von Bauteilen in einer lithographischen Immersions-Projektionsvorrichtung zu reduzieren.
  • Gemäß einem Aspekt ist eine lithographische Projektionsvorrichtung geschaffen, mit:
    einem Illuminator, der so ausgebildet ist, dass er einen Strahl aus Strahlung bereitstellt;
    einer Haltekonstruktion, die so ausgebildet ist, dass sie eine Musteraufbringungseinrichtung hält, wobei die Musteraufbringungseinrichtung so ausgebildet ist, dass sie dem Strahl in seinem Querschnitt ein Muster aufprägt;
    einem Substrattisch, der so ausgebildet ist, dass er ein Substrat hält;
    einem Projektionssystem, das so ausgebildet ist, dass es den gemusterten Strahl auf einen Zielabschnitt des Substrats projiziert; und
    einem Flüssigkeitszufuhrsystem, das so ausgebildet ist, dass es einem lokalisierten Bereich des Substrats, dem Substrattisch oder beiden eine Flüssigkeit zuführt, um wenigstens teilweise einen Raum zwischen dem Projektionssystem und dem Substrat, dem Substrattisch oder beiden zu füllen,
    wobei der Substrattisch eine Barriere aufweist, die so ausgebildet ist, dass sie Flüssigkeit auffängt, wobei die Barriere das Substrat umgibt und im Abstand davon angeordnet ist;
    dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens eines der Folgenden (a)-(i) gegeben ist:
    • (a) die Barriere umfasst einen Vorsprung, der aus einer Oberfläche des Substrattisches herausragt;
    • (b) wenigstens ein Teil der Barriere umfasst ein Flüssigkeit anziehendes Material oder eine Beschichtung;
    • (c) die Barriere umfasst eine Nut, die in einer Oberfläche des Substrattisches ausgespart und so geformt ist, dass die Flüssigkeit unter Kapillarwirkung durch die Nut transportiert werden kann;
    • (d) die Barriere umfasst eine Nut, die in einer Oberfläche des Substrattisches ausgespart ist, und der Substrattisch umfasst ferner eine Kammer, die durch die Nut mit der Oberfläche in Flüssigkeitskontakt steht und wobei die Nut eine fortlaufende Schleife bildet;
    • (e) ein Unterdruckanschluss ist so ausgebildet, dass er Flüssigkeit von der Barriere entfernt, wobei der Unterdruckanschluss eine Vielzahl von diskreten Ausgängen umfasst;
    • (f) ein Generator für akustische Oberflächenwellen ist so ausgebildet, dass er akustische Oberflächenwellen in der Barriere erzeugt, um den Transport von Flüssigkeit entlang der Barriere zu erleichtern;
    • (g) die Barriere umfasst eine Nut und einen Vorsprung, der aus einer Oberfläche des Substrattisches herausragt;
    • (h) die Barriere erstreckt sich radial außerhalb eines eine äußere Umfangskante des Substrats umgebenden Drainagegrabens bzw. einer Barriere, der bzw. die eine äußere Umfangskante des Substrats umgibt; und
    • (i) die Barriere umgibt zusätzlich wenigstens einen Sensor, der an einer Oberfläche des Substrattisches befestigt ist, und/oder ein Schließelement, das so ausgebildet ist, dass es das Flüssigkeitszufuhrsystem abdichtet.
  • Wird die Barriere verwendet, kann Flüssigkeit, die durch das Flüssigkeitszufuhrsystem verschüttet worden oder aus dem Flüssigkeitszufuhrsystem ausgetreten ist aufgefangen und wiederverwendet oder entsorgt werden, ohne dass Bauteile in der Vorrichtung mit der ausgetretenen Flüssigkeit kontaminiert werden. Die Barriere benötigt auf dem Substrattisch nicht viel Platz. Dies ist vorteilhaft, da Raum auf dem Substrattisch begrenzt ist, der so klein wie möglich gemacht wird, so dass so wenig Masse wie möglich beschleunigt werden muss.
  • Bei der Ausführungsform umfasst die Barriere einen Vorsprung, der aus einer Oberfläche des Substrattisches ragt. Dies ist eine einfache physikalische Barriere, die verhindert, dass Flüssigkeit aufgrund von durch die Beschleunigung des Substrattisches entstandenen Kräften oder aufgrund eines sprunghaften Vollausfalls des Flüssigkeitszufuhrsystems vom Substrattisch fliegt (z.B. gemäß einer der hier beschriebenen Lösungen).
  • Bei einer Ausführungsform umfasst wenigstens ein Teil der Barriere ein Flüssigkeit anziehendes Material oder eine Beschichtung. Die Barriere aus einem derartigen Material aufzubauen oder eine derartige Beschichtung auf die Barriere aufzubringen erhöht das Auffangen von Flüssigkeit, die an der Barriere klebt.
  • Bei einer Ausführungsform umfasst die Barriere eine Nut, die in einer Oberfläche des Substrattisches ausgespart ist. Dies hat den Vorteil, dass das Querschnittsprofil des Substrattisches eine Oberfläche aufweist, die im allgemeinen mit einer Oberfläche des Substrats bündig ist. Dann ist es nicht erforderlich, den Substrattisch oder das Flüssigkeitszufuhrsystem in die Richtung der optischen Achse des Projektionssystems zu bewegen, um Kollisionen zwischen dem Substrattisch und dem Flüssigkeitszufuhrsystem und/oder dem Projektionssystem zu vermeiden, zum Beispiel während des Substrataustausches.
  • Bei einer Ausführungsform ist die Nut so geformt, dass Flüssigkeit entlang der Nut unter Kapillarwirkung transportiert werden kann. Eine derartige Form kann den Transport von Flüssigkeit, die durch die Barriere aufgefangen worden ist, zu einem Unterdruckanschluss erleichtern, der so ausgebildet ist, dass er Flüssigkeit von der Barriere entfernt, ohne dass irgendwelche anderen Komponenten erforderlich werden. Der Substrattisch kann eine Kammer umfassen, die über die Nut mit der Oberfläche in Flüssigkeitskontakt steht. Die Nut kann fortlaufend ausgebildet sein. Bei Verwendung der Kammer kann der Vakuumfluss über eine Länge der Nut ausgeglichen werden. Bei einer Ausführungsform kann dies die Verwendung von nur einigen diskreten Ausgängen erforderlich machen.
  • Bei einer Ausführungsform kann ein Unterdruckanschluss vorgesehen sein, um Flüssigkeit von der Barriere zu entfernen. Der Unterdruckanschluss kann einzelne diskrete Unterdruckausgänge aufweisen, die zur Nut oder zur Kammer verlaufen können.
  • Bei einer Ausführungsform arbeitet der Unterdruckanschluss unabhängig vom Flüssigkeitszufuhrsystem. Dadurch kann die Barriere auch dann weiterarbeiten, wenn das Flüssigkeitszufuhrsystem ausfällt und daher Flüssigkeit überläuft.
  • Eine Möglichkeit, Flüssigkeit entlang der Barriere zu transportieren besteht darin, einen Generator für akustische Wellen bereitzustellen, der so ausgebildet ist, dass er akustische Oberflächenwellen in der Barriere erzeugt. Bei einer Ausführungsform kann dies durch die Verwendung eines piezoelektrischen Stellgliedes bereitgestellt sein, das vorteilhafter Weise recht klein sein kann.
  • Bei einer Ausführungsform umfasst die Barriere eine Nut und einen Vorsprung, der aus einer Oberfläche des Substrattisches herausragt. Ein Vorteil dieser Kombination besteht zum Beispiel darin, dass Flüssigkeit mit hoher Geschwindigkeit entlang der Oberfläche des Substrattisches entfernt werden kann. Der Vorsprung wirkt im Wesentlichen als ein Damm, und während sich Flüssigkeit gegen den Damm aufbaut, wird sie durch die Nut abgeführt. In Kombination mit einer Kammer, die optional zumindest teilweise in dem Vorsprung ausgebildet sein kann, die durch die Nut mit der Oberfläche in Flüssigkeitskontakt steht, kann eine besonders effektive Barriere gebildet werden.
  • Bei einer Ausführungsform erstreckt sich die Barriere radial außerhalb eines eine äußere Umfangskante des Substrats umgebenden Drainagegrabens bzw. einer Barriere. Ein derartiger eine äußere Umfangskante des Substrats umgebender Drainagegraben bzw. eine Barriere ist so vorgesehen, dass dann, wenn Kantenbereiche des Substrats belichtet werden und das Flüssigkeitszufuhrsystem für örtlich begrenzte Bereiche Flüssigkeit zu Bereichen von sowohl dem Substrat als auch dem Substrattisch gleichzeitig zuführt, die Flüssigkeitsmenge, die durch den Spalt zwischen dem Substrat und dem Substrattisch entweicht, reduziert wird. Beispiele für einen eine äußere Umfangskante des Substrats umgebenden Drainagegraben bzw. eine Barriere sind zum Beispiel in der US-Patentanmeldung Nr. 10/705,804 zu finden. Vom Drainagegraben bzw. der Barriere entweichende Flüssigkeit kann durch die Barriere aufgefangen werden. Die Barriere verläuft im wesentlichen um eine Außenkante oder einen Außenbereich des Substrattisches. Somit kann bei jeder relativen Position des Flüssigkeitszufuhrsystems auf dem Substrattisch die Barriere zum Auffangen von verschütteter Flüssigkeit verwendet werden. Zusätzlich kann die Barriere Bereiche einer Oberfläche des Substrattisches umgeben, die nicht vom Substrat bedeckt sind. Ferner kann die Barriere zusätzlich wenigstens einen Sensor umgeben, der an einer Oberfläche des Substrattisches befestigt ist, und/oder ein Schließelement, das so ausgebildet ist, dass es das Flüssigkeitszufuhrsystem abdichtet. Der Sensor kann ein Übertragungsbildsensor sein, der zur Ausrichtung verwendet wird. Das Schließelement kann die Form einer Scheibe aufweisen, die so ausgebildet ist, dass sie mit dem Boden des Flüssigkeitszufuhrsystems verbunden ist, so dass Flüssigkeit im Flüssigkeitszufuhrsystem enthalten ist, zum Beispiel während des Substrataustausches nach der Belichtung eines Substrats und vor der Belichtung eines nachfolgenden Substrats. Ein typisches Beispiel für ein Schließelement ist in der US-Patentanmeldung US 10/705,785 offenbart.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt ist ein Verfahren zur Herstellung von Bauteilen geschaffen worden, das folgendes umfasst:
    Bereitstellen einer Flüssigkeit für einen lokalisierten Bereich eines Substrats, eines Substrattisches oder beiden, um wenigstens teilweise einen Raum zwischen einem Projektionssystem und dem Substrat, dem Substrattisch oder beiden zu füllen;
    Projizieren eines gemusterten Strahls aus Strahlung durch die Flüssigkeit auf einen Zielbereich des Substrats unter Verwendung des Projektionssystems; und Auffangen von Flüssigkeit mittels einer Barriere, wobei die Barriere das Substrat umgibt und im Abstand dazu angeordnet ist,
    dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens eines der Folgenden (a)-(d) gegeben ist:
    • (a) die Barriere umfasst einen Vorsprung, der von einer Oberfläche des Substrattisches wegragt;
    • (b) in der Barriere werden akustische Oberflächenwellen erzeugt, um den Transport von Flüssigkeit entlang der Barriere zu erleichtern;
    • (c) die Barriere umfasst eine Nut und einen Vorsprung, der aus einer Oberfläche des Substrattisches hinausragt; und
    • (d) Flüssigkeit wird entfernt, indem ein eine äußere Umfangskante des Substrats umgebender und radial innerhalb der Barriere angeordneter Drainagegraben bzw. eine Barriere verwendet wird.
  • Obwohl in diesem Text speziell auf die Verwendung der erfindungsgemäßen Vorrichtung bei der Herstellung von integrierten Schaltungen hingewiesen werden kann, sollte klar sein, dass eine derartige Vorrichtung viele weitere Anwendungsmöglichkeiten hat, wie zum Beispiel bei der Herstellung von integrierten optischen Systemen, Leit- und Erfassungsmustern für Magnetblasenspeicher, Flüssigkristall-Anzeigetafeln (LCDs), Dünnschicht-Magnetköpfen und dergleichen. Der Fachmann wird erkennen, dass im Kontext mit derartigen alternativen Anwendungsmöglichkeiten jede Benutzung der Begriffe „Wafer" oder „Die" in diesem Text jeweils durch die allgemeineren Begriffe „Substrat" und „Zielabschnitt" ersetzt worden sind. Das Substrat, auf das hier Bezug genommen wird, kann vor oder nach der Belichtung in zum Beispiel einem Track (ein Werkzeug, das gewöhnlich eine Resist-Schicht auf ein Substrat aufbringt und das belichtete Resist entwickelt) oder einem Metrologie- oder Inspektionswerkzeug bearbeitet werden. Sofern anwendbar, kann die vorliegende Offenbarung für dieses und weitere Substratbearbeitungswerkzeuge verwendet werden. Ferner kann das Substrat mehr als einmal bearbeitet werden, beispielsweise um einen mehrschichtigen integrierten Schaltkreis zu erzeugen, so dass der hier verwendete Begriff Substrat sich auch auf ein Substrat beziehen kann, das bereits mehrfach bearbeitete Schichten enthält.
  • Die hierin verwendeten Begriffe „Strahlung" und „Strahl" umfassen alle Arten elektromagnetischer Strahlung, einschließlich ultravioletter (UV) Strahlung (z. B. mit einer Wellenlänge von 365, 248, 193, 157 bzw. 126 nm).
  • Der hier verwendete Begriff „Musteraufbringungseinrichtung" sollte so weit interpretiert werden, dass er sich auf eine Einrichtung bezieht, die dafür verwendet werden kann, einem Projektionsstrahl einen gemusterten Querschnitt gemäß einem Muster aufzuprägen, um so ein Muster in einem Zielabschnitt des Substrats zu erzeugen. Festzustellen ist, dass das auf den Projektionsstrahl aufgebrachte Muster einem gewünschten Muster im Zielabschnitt des Substrats eventuell nicht genau entsprechen kann. Im allgemeinen entspricht das auf den Projektionsstrahl aufgebrachte Muster einer bestimmten Funktionsschicht in einem im Zielabschnitt erzeugten Bauelement wie einer integrierten Schaltung.
  • Eine Musteraufbringungseinrichtung kann lichtdurchlässig oder reflektierend sein. Beispiele von Musteraufbringungseinrichtungen umfassen Masken, programmierbare Spiegelfelder und programmierbare LCD-Tafeln. Masken sind in der Lithographie allgemein bekannt und umfassen binäre, wechselnde Phasenverschiebungs- und reduzierte Phasenverschiebungsmaskenarten sowie verschiedene Arten von Hybridmasken. Ein Beispiel eines programmierbaren Spiegelfeldes verwendet eine Matrixanordnung kleiner Spiegel, von denen jeder individuell geneigt werden kann, um einen eingehenden Strahl aus Strahlung in verschiedene Richtungen zu spiegeln; auf diese Weise wird der reflektierte Strahl gemustert. Bei jedem Beispiel einer Musteraufbringungseinrichtung kann die Haltekonstruktion beispielsweise ein Rahmen oder Tisch sein, der nach Wunsch fixiert oder beweglich sein kann und der sicherstellen kann, dass sich die Musteraufbringungseinrichtung in einer gewünschten Position befindet, zum Beispiel hinsichtlich des Projektionssystems. Jegliche Verwendung der Begriffe „Retikel" oder „Maske" kann hier als Synonym für den allgemeineren Begriff „Musteraufbringungseinrichtung" betrachtet werden.
  • Der hier verwendete Begriff „Projektionssystem" sollte so weit interpretiert werden, dass er verschiedene Arten von Projektionssystemen umfasst, die beispielsweise lichtbrechende Optiken, reflektierende Optiken, und katadioptrische Systeme umfassen, wie sie zum Beispiel für die verwendete Belichtungsstrahlung geeignet sind, oder für weitere Faktoren wie die Verwendung einer Immersionsflüssigkeit oder die Verwendung eines Vakuums. Jegliche Verwendung des Begriffes „Linse" kann hier als Synonym für den allgemeineren Begriff „Projektionssystem" betrachtet werden.
  • Das Beleuchtungssystem kann auch verschiedene Arten optischer Komponenten umfassen, einschließlich lichtbrechender Komponenten, reflektierender Komponenten, und katadioptrischer Komponenten zum Leiten, Formen oder Steuern des Pro jektionsstrahls aus Strahlung, und derartige Komponenten können im nachfolgenden gemeinsam oder einzeln als eine „Linse" bezeichnet werden.
  • Die lithographische Vorrichtung kann derart sein, dass sie zwei (zweistufige) oder mehr Substrattische (und/oder zwei oder mehr Maskentische) aufweist. Bei derartigen „mehrstufigen" Geräten können die zusätzlichen Tische parallel verwendet werden, bzw. es können an einem oder an mehreren Tischen vorbereitende Schritte durchgeführt werden, während ein oder mehrere weitere Tische für Belichtungen verwendet werden.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Ausführungsformen der Erfindung werden nun im Folgenden rein exemplarisch mit Bezug die begleitenden schematischen Zeichnungen beschrieben, wobei entsprechende Bezugszeichen entsprechende Teile anzeigen, und wobei:
  • 1 eine lithographische Projektionsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 2 eine Querschnittsansicht eines Flüssigkeitszufuhrsystems zeigt, das gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann;
  • 3 eine Draufsicht auf das Flüssigkeitszufuhrsystem von 2 zeigt;
  • 4 ein Beispiel eines Abdichtelements des Flüssigkeitszufuhrsystems gemäß einer erfindungsgemäßen Ausführungsform zeigt;
  • 5 eine Querschnittsansicht einer Barriere gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 6 eine Draufsicht auf eine Barriere gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 7 eine Querschnittsansicht einer Barriere gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung zeigt; und
  • 8 eine Querschnittsansicht einer Barriere gemäß einer vierten Ausführungsform der Erfindung zeigt.
  • Detaillierte Beschreibung
  • 1 ist eine schematische Darstellung einer lithographischen Vorrichtung gemäß einer speziellen Ausführungsform der Erfindung. Die Vorrichtung umfasst:
    • • ein Beleuchtungssystem (Illuminator) IL zum Bereitstellen eines aus Strahlung (z.B. UV-Strahlung) bestehenden Projektionsstrahls PB;
    • • eine erste Haltekonstruktion (z.B. ein Maskentisch) MT, die eine Musteraufbringungseinrichtung (z.B. eine Maske) MA hält und mit einer ersten Positionierungseinrichtung PM zur genauen Positionierung der Musteraufbringungseinrichtung im Hinblick auf den Gegenstand PL verbunden ist;
    • • einen Substrattisch (z.B. einen Wafer-Tisch) WT, der ein Substrat (z.B. ein mit einer Schutzschicht beschichteter Wafer) W hält und mit einer zweiten Positioniereinrichtung zur genauen Positionierung des Substrats im Hinblick auf den Gegenstand PL verbunden ist; und
    • • ein Projektionssystem (z.B. eine brechende Projektionslinse) PL zum Abbilden eines auf den Projektionsstrahl PB aufgebrachten Musters durch die Musteraufbringungseinrichtung MA auf einen Zielabschnitt C (der einen oder mehrere Dies aufweist) des Substrats W.
  • Wie hier gezeigt, ist die Vorrichtung lichtdurchlässiger Art (d.h. sie verwendet eine durchlässige Maske). Alternativ kann die Vorrichtung auch reflektierender Art sein (d.h. sie verwendet ein programmierbares Spiegelfeld der vorstehend genannten Art).
  • Der Illuminator IL empfängt einen Strahl aus Strahlung von einer Strahlungsquelle. Die Quelle und die lithographische Vorrichtung können separate Einheiten sein, zum Beispiel wenn die Quelle ein Excimer-Laser ist. In derartigen Fällen ist die Quelle nicht als Teil der lithographischen Vorrichtung zu betrachten und der Strahlungsstrahl verläuft von der Quelle zum Illuminator IL mit Hilfe eines Strahlzuführsystems, das zum Beispiel geeignete Leitungsspiegel und/oder einen Strahlexpander aufweist. In anderen Fällen kann die Quelle ein integraler Teil der Vorrichtung sein, zum Beispiel wenn die Quelle eine Quecksilberlampe ist. Die Quelle und der Illuminator IL können, nach Wunsch gemeinsam mit dem Strahlzuführsystem, als Strahlungssystem bezeichnet werden.
  • Der Illuminator IL kann Anpassungseinrichtungen AM zum Anpassen der Winkelintensitätsverteilung des Strahls umfassen. Im allgemeinen kann wengistens der äußere und/oder innere radiale Umfang (gewöhnlich jeweils als σ-innen und σ-außen bezeichnet) der Intensitätsverteilung in einer Pupillenebene des Illuminators angepasst werden. Darüber hinaus kann der Illuminator IL im allgemeinen verschiedene weitere Komponenten enthalten, wie einen Integrator IN und einen Kondensor Co. Der Illuminator stellt einen konditionierten Strahl aus Strahlung bereit, der als der Projektionsstrahl PB bezeichnet wird, der in seinem Querschnitt eine gewünschte Gleichförmigkeit und Intensitätsverteilung aufweist.
  • Der Strahl PB fällt auf die Maske MA auf, die auf dem Maskentisch MT gehalten wird. Nachdem er die Maske MA durchquert hat, läuft der Strahl PB durch die Linse PL, die den Strahl auf einen Zielabschnitt C des Substrats W fokussiert. Mit Hilfe der zweiten Positioniereinrichtung PW und des Positionssensors IF (z.B. einer interferometrischen Messvorrichtung) kann der Substrattisch WT genau bewegt werden, zum Beispiel um unterschiedliche Zielabschnitte C im Weg des Strahls PB zu positionieren. Auf gleiche Weise kann die erste Positioniereinrichtung PM und ein weiterer Positionssensor (der in 1 nicht explizit dargestellt ist) verwendet werden, um die Maske MA im Hinblick auf den Weg des Strahls PB genau zu positionieren, zum Beispiel nachdem die Maske MA mechanisch von einer Maskenbibliothek geholt worden ist oder während einer Abtastung. Im allgemeinen wird die Bewegung der Objekttische MT, WT mit Hilfe eines langhubigen Moduls (Grobpositionierung) und eines kurzhubigen Moduls (Feinpositionierung) durchgeführt, die Teil der Positioniervorrichtungen PM und PW sind. Allerdings kann im Falle eines Steppers (im Gegensatz zu einem Scanner) der Maskentisch MT nur mit einem kurzhubigen Betätigungselement verbunden werden, oder er kann fixiert sein. Die Maske MA und das Substrat W können unter Verwendung von Maskenausrichtmarken M1, M2 und Substratausrichtmarken P1, P2 ausgerichtet werden.
  • Die gezeigte Vorrichtung kann auf folgende bevorzugte Arten eingesetzt werden:
    • 1) Im Step-Modus werden der Maskentisch MT und der Substrattisch WT im wesentlichen stationär gehalten, während ein ganzes auf den Projektionsstrahl aufgebrachtes Muster in einem Schritt (d.h. einer einzelnen statischen Belichtung) auf einen Zielabschnitt C projiziert wird. Der Substrattisch WT wird dann in X- und/oder Y-Richtung verschoben, so dass ein anderer Zielabschnitt C belichtet werden kann. Im Step-Modus ist die Größe des in einer einzigen statischen Belichtung mit einer Abbildung versehenen Zielabschnitts C durch die maximale Größe des Belichtungsfeldes begrenzt.
    • 2) Im Scan-Modus werden der Maskentisch MT und der Substrattisch WT synchron abgetastet, während ein auf den Projektionsstrahl aufgebrachtes Muster auf einen Zielabschnitt C projiziert wird (d.h. eine einzelne dynamische Belichtung). Geschwindigkeit und Richtung des Substrattisches WT relativ zum Maskentisch MT sind bestimmt durch die Verkleinerungs-/Vergrößerungs- und Bildumkehrcharakteristika des Projektionssystems PL. Im Scan-Modus ist die Breite (in Nichtabtastrichtung) des Zielabschnitts bei einer einzelnen dynamischen Belichtung durch die maximale Größe des Belichtungsfeldes begrenzt, wohingegen die Länge der Abtastbewegung die Höhe (in Abtastrichtung) des Zielabschnitts bestimmt.
    • 3) In einem weiteren Modus wird der Maskentisch MT im wesentlichen stationär gehalten und hält eine programmierbare Musteraufbringungseinrichtung, und der Substrattisch WT wird bewegt bzw. abgetastet, während ein auf den Projektionsstrahl aufgebrachtes Muster auf einen Zielabschnitt C projiziert wird. In diesem Modus wird im allgemeinen eine gepulste Strahlungsquelle verwendet, und die programmierbare Musteraufbringungseinrichtung wird nach Wunsch nach jeder Bewegung des Substrattisches WT oder zwischen sukzessiven Strahlungspulsen während einer Abtastung aktualisiert. Dieser Betriebs modus kann leicht auf maskenlose Lithographie angewendet werden, bei der eine programmierbare Musteraufbringungseinrichtung, wie ein programmierbares Spiegelfeld der vorstehend erwähnten Art, verwendet wird.
  • Eine erste Ausführungsform der Erfindung wird mit Bezug auf 5 beschrieben. Es ist ein Substrattisch WT gezeigt, der ein Substrat W hält. Der Substrattisch WT kann jeder beliebige Substrattisch sein, einschließlich der Art, die einen oberen und einen unteren Teil aufweist, wobei sich der untere Teil relativ zur Vorrichtung bewegt und für Grobpositionsbewegungen ausgebildet ist, und wobei sich der obere Teil relativ zum unteren Teil bewegt und für genaue „Kurzhub"-Positionierung ausgebildet ist. Ferner kann der Substrattisch WT der Art sein, bei der ein Spannfutter abnehmbar am Substrattisch WT befestigt und von diesem gehalten werden kann. In der nachfolgenden Beschreibung soll kein Unterschied zwischen den unterschiedlichen Typen von Substrattischen WT gemacht werden und die Beschreibung des Substrattisches WT ist generisch.
  • Ein bei der Immersionslithographie verwendeter Substrattisch WT kann einen Drainagegraben bzw. eine Barriere 40 aufweisen, der/die eine äußere Umfangskante des Substrats W umgibt. Der Drainagegraben bzw. die Barriere 40 ist mit einer Unterdruckquelle so verbunden, dass Immersionsflüssigkeit, die während der Belichtung der Kantenbereiche des Substrats W vom Substrat W verschüttet worden ist, aufgefangen werden kann. Beispiele eines derartigen Drainagegrabens bzw. einer derartigen Barriere 40 können der US-Patentanmeldung Nr. 10/705,804 entnommen werden.
  • Ferner sind weitere Objekte 20 auf einer Oberfläche des Substrattisches angeordnet, die sich im wesentlichen in der gleichen Ebene befindet wie die Oberfläche des Substrats W. Die weiteren Objekte 20 können Sensoren 24 (einschließlich beispielsweise eines Transmissionsbildsensors (TIS) und/oder eines Spot-Sensors (Dosis)) oder eine sogenannte Abschlussscheibe 22 sein, wie in 6 dargestellt. Ein Transmissionsbildsensor 24 wird während der Ausrichtung des Substrats W relativ zum Substrat tisch WT verwendet und gewöhnlich durch einen Projektionsstrahl PB durch das Projektionssystem beleuchtet. Eine Abschlussscheibe 22 wird gewöhnlich während des Substrataustauschs verwendet. Nach der Belichtung eines Substrats wird es vom Substrattisch WT entfernt und durch ein neues, nichtbelichtetes Substrat W ersetzt. Während dieser Zeit kann es vorteilhaft sein, ein Endelement des Projektionssystems in einer Flüssigkeit getaucht zu halten, um auf dem endgültigen Element Trocknungsmarken zu vermeiden. Hierfür ist eine Abschlussscheibe 22 vorgesehen, die mit der Unterseite des Flüssigkeitszufuhrsystems verbunden werden kann, damit das Flüssigkeitszufuhrsystem ohne katastrophalen Flüssigkeitsverlust weiter in Betrieb bleiben kann. Eine Abschlussscheibe ist in der US-Patentanmeldung Nr. 10/705,785 genauer beschrieben.
  • Eine Barriere 100 umgibt das Substrat W, den Drainagegraben 40 und die Abschlussscheibe 22 und den Transmissionsbildsensor 24. Die Barriere 100 umgibt ferner weitere Bereiche der Oberfläche des Substrattisches WT. Die Barriere 100 ist fortlaufend und im wesentlichen an einer Außenkante oder einem Außenbereich der Oberfläche des Substrattisches WT angeordnet. Die Barriere 100 befindet sich physisch nicht in der Ebene der Oberfläche des Substrattisches WT (und des Substrats W). Für den Typ Substrattisch WT, der sowohl ein Spannfutter als auch den Tisch umfasst, kann die Barriere 100 entweder um das Äußere des Spannfutters als auch um das Äußere des Substrattisches angeordnet sein.
  • Bei der ersten Ausführungsform umfasst die Barriere 100 eine Nut 110, die in der Oberfläche des Substrattisches WT ausgespart ist. Die Nut 110 ist eine fortlaufende Schleife (entweder kreisförmig oder nicht-kreisförmig), muss es jedoch nicht sein. Die Nut 110 kann von einem Vorsprung 140 begleitet sein, der über die Oberfläche des Substrattisches WT hinausragt. Bei einer Ausführungsform ist der Vorsprung 140 radial außerhalb der Nut 110 angeordnet. Ein Unterdruckanschluss ist an eine Vielzahl diskreter Ausgänge 120 angeschlossen. Die diskreten Ausgänge 120 sind an den Unterdruckanschluss angeschlossen, der bei einer Ausführungsform vom Flüssigkeitszufuhrsystem unabhängig ist, so dass jegliche Flüssigkeit, die von der Barriere 100 aufgefangen worden ist, zur Entsorgungs oder optional zur Wiederaufbereitung entfernt werden kann. Bei einer Ausführungsform kann der Ausgang 120 eine fortlaufende Schleife sein (entweder kreisförmig oder nicht-kreisförmig).
  • Die Barriere 100 besteht vorteilhafter Weise aus einem Flüssigkeit anziehenden Material oder weist eine Flüssigkeit anziehende Beschichtung derart auf, dass jegliche Flüssigkeit, die mit der Barriere 100 in Kontakt gerät, von der Barriere 100 angezogen wird, die dann die Flüssigkeit effektiver auffangen kann.
  • Bei einer Ausführungsform ist die Nut 100 in ihrem Querschnitt U-förmig und so ausgebildet, dass Kapillarkräfte auf die Flüssigkeit in der Nut einwirken, so dass die Flüssigkeit zu dem Ausgang/den Ausgängen 120 transportiert und vom Substrattisch WT entfernt werden kann.
  • Eine Alternative zum Transport von Flüssigkeit entlang der Barriere 100 besteht darin, akustische Oberflächenwellen zu erzeugen, die eine über die Zeit veränderbare Deformation oder Vibration auf der Oberfläche und/oder direkt unter der Oberfläche der Barriere darstellen (z.B. eine Nut). Die Flüssigkeit wird durch die über die Zeit veränderbare Deformation der Oberfläche transportiert. Die akustischen Oberflächenwellen können durch einen Generator für akustische Oberflächenwellen erzeugt werden, der piezoelektrische Stellglieder aufweisen kann. Dieses Design ist sehr kompakt und die akustischen Oberflächenwellen können sehr lokal auf der Oberfläche erzeugt werden. Daher verlaufen die akustischen Oberflächenwellen nur entlang der Oberfläche des Materials der Barriere 100, so dass keine mechanische Verzerrung des Substrattisches (bzw. des Spannfutters) auftritt.
  • Eine zweite Ausführungsform wird mit Bezug auf die 6 beschrieben und ist der ersten Ausführungsform mit Ausnahme des Nachstehenden gleich. Bei dieser Ausführungsform sind zwei Auffangaussparungen 122 an entgegengesetzten Ecken der Barriere 100 vorgesehen. Die Auffangaussparungen 122 weisen eine halbrunde Form und an ihrem tiefsten Punkt einen Ausgang 120 auf. Die Nut 110 kann über ihre Länge leicht geneigt sein, so dass jegliche Flüssigkeit in der Nut 110 unter Schwerkraft zu den Auffangaussparungen 122 fließt. Selbstverständlich kann die Nut 110 so ausgebildet sein, dass Kapillarkräfte die Flüssigkeit zu den Auffangaussparungen 122 bewegen oder es kann zu diesem Zweck ein Generator für akustische Oberflächenwellen eingesetzt werden.
  • Eine dritte Ausführungsform wird mit Bezug auf die 7 beschrieben und ist der ersten Ausführungsform mit Ausnahme des Nachstehenden gleich. Bei dieser Ausführungsform umfasst die Barriere 100 eine fortlaufende Nut 110, die sich um eine Außenkante oder einen Außenbereich des Substrattisches WT erstreckt. Die fortlaufende Nut 110 steht in Flüssigkeitskontakt mit einer fortlaufenden kreisförmigen Kammer 130, die im Substrattisch ausgebildet ist und deren Querschnittsbereich größer ist als derjenige der Nut. Eine Vielzahl diskreter Ausgänge 120 (oder ein einzelner fortlaufender Ausgang 120), die mit einem Unterdruckanschluss verbunden sind, stehen mit der Kammer 130 in Flüssigkeitskontakt. Auf diese Weise wird der Unterdruck in der Nut 110 über ihre gesamte Länge ausgeglichen, so dass die in das Drainagesystem Flüssigkeit drückende Kraft über die gesamte Länge der Barriere 100 gleich ist.
  • Wie bei anderen Ausführungsformen, jedoch im Gegensatz zum Drainagegraben 40, ist die Barriere 100 vom Substrat W beabstandet, wenn das Substrat W auf dem Substrattisch WT in dem für ein Substrat W bestimmten Bereich positioniert ist.
  • Eine vierte Ausführungsform ist der dritten Ausführungsform gleich, mit Ausnahme des im Nachstehenden mit Bezug auf 8 beschriebenen. Die vierte Ausführungsform ist ausgebildet, um zum Beispiel das Entfernen von Flüssigkeit zu optimieren, die eine hohe Geschwindigkeit auf der Oberfläche des Substrattisches WT aufweist. Flüssigkeit kann auf dem Substrattisch eine hohe Geschwindigkeit entwickeln, wenn sich der Substrattisch mit hoher Drehzahl in der zur optischen Achse des Projektionssystems orthogonalen Ebene bewegt.
  • Die Barriere 100 der vierten Ausführungsform umfasst einen Vorsprung 140, der über die Oberfläche des Substrattisches WT hinausragt und um eine Außenkante bzw. einen Bereich des Substrattisches WT verläuft, im wesentlichen an der Außenkante bzw. dem Bereich des Substrattisches WT. Eine Nut 110 ist im Vorsprung 140 gebildet. Die Nut 110 verläuft horizontal im wesentlichen parallel zu der Oberfläche des Substrattisches WT, im Gegensatz zu den Nuten der vorangegangenen Ausführungsformen, die im wesentlichen senkrecht zur Oberfläche des Substrattisches WT verlaufen. Jedoch kann bei der vierten Ausführungsform, so wie bei den anderen Ausführungsformen, die Nut 110 zur Oberfläche des Substrattisches WT jeglichen Winkel einnehmen. Der horizontale Winkel der Nut 110 bei der vierten Ausführungsform wird vorgezogen, da dann, wenn Flüssigkeit gegen die radiale Innenfläche des Vorsprungs 140 nach oben gedrückt wird, die Beschleunigung des Substrattisches WT von links nach rechts, wie in 8 dargestellt, zu einer auf die Flüssigkeit einwirkenden Kraft führt, durch die die Flüssigkeit durch die Nut 110 gedrückt wird.
  • Die Innenfläche des Vorsprungs 140 ist senkrecht zur Oberfläche des Substrattisches WT dargestellt. Vielleicht ist dies die am leichtesten herzustellende Form, auch wenn ein im Vorsprung 140 über die Oberfläche des Substrattisches WT überkragender Winkel (d.h. nach innen gewinkelt) vorteilhaft sein kann, da Flüssigkeit dann weniger leicht über die Oberfläche des Vorsprungs 140 gedrückt werden kann, da sich Flüssigkeit gegen die radiale Innenfläche aufbaut.
  • Die Kammer 130 der vierten Ausführungsform ist zumindest teilweise im Vorsprung 140 ausgebildet. Dies muss nicht unbedingt der Fall sein, erleichtert jedoch die Herstellung. Tatsächlich kann die Kammer 130 ganz innerhalb des Vorsprungs 140 ausgebildet sein. Auf diese Weise kann die Barriere 100 z.B. aus einem kreisförmigen Ring mit U-förmigem Querschnitt gebildet sein, der auf die Oberfläche des Substrattisches WT geklebt oder auf andere Weise befestigt wird. Weitere Formen und Querschnitte sind selbstverständlich möglich.
  • Kombinationen und/oder Variationen der vorstehend beschriebenen Verwendungsmodi oder vollkommen andere Verwendungsmodi können ebenfalls angewendet werden.
  • Eine weitere Lösung der Immersionslithographie, die vorgeschlagen worden ist, besteht darin, das Flüssigkeitszufuhrsystem mit einem Abdichtelement zu versehen, das entlang wenigstens eines Teils einer Grenze des Raumes zwischen dem endgültigen Element des Projektionssystems und dem Substrattisch verläuft. Das Abdichtelement ist im wesentlichen stationär relativ zum Projektionssystem in der X-Y-Ebene, auch wenn es eine gewisse relative Bewegung in der Z-Richtung (der Richtung der optischen Achse) geben kann. Zwischen dem Abdichtelement und der Oberfläche des Substrats wird eine Abdichtung gebildet. Vorzugsweise ist die Abdichtung eine kontaktfreie Abdichtung, wie zum Beispiel eine Gasdichtung. Ein derartiges System ist beispielsweise in der US-Patentanmeldung Nr. 10/705,783 offenbart, die hierdurch als Referenz eingefügt wird.
  • Eine weitere Lösung zur Immersionslithographie mit einem Flüssigkeitszufuhrsystem für örtlich begrenzte Bereiche ist in 4 gezeigt. Flüssigkeit wird über zwei Nuteingänge IN an jeder Seite des Projektionssystems PL zugeführt und durch eine Vielzahl diskreter Ausgänge OUT abgeführt, die radial außerhalb der Eingänge IN angeordnet sind. Die Eingänge IN und OUT können in einer Platte mit einem Loch in ihrer Mitte angeordnet sein, durch das der Projektionsstrahl projiziert wird. Flüssigkeit wird durch einen Nuteingang IN an einer Seite des Projektionssystems PL zugeführt und durch eine Vielzahl diskreter Ausgänge OUT an der anderen Seite des Projektionssystems PL abgeführt, wodurch ein Fluss einer dünnen Flüssigkeitsschicht zwischen dem Projektionssystem PL und dem Substrat W bewirkt wird. Die Wahl, welche Kombination von Eingängen IN und Ausgängen OUT verwendet werden soll, kann von der Bewegungsrichtung des Substrats W abhängen (wobei die andere Kombination von Eingängen IN und Ausgängen OUT inaktiv ist).
  • In der europäischen Patentanmeldung Nr. 03257072.3 ist der Gedanke einer zweistufigen lithographischen Immersionsvorrichtung offenbart. Eine derartige Vorrichtung weist zwei Substrattische zum Halten des Substrats auf. Nivelliermessungen erfolgen, während sich ein Substrattisch ohne Immersionsflüssigkeit in einer ersten Position befindet, und die Belichtung erfolgt, während sich ein Substrattisch in einer zweiten Position befindet, bei der Immersionsflüssigkeit vorhanden ist. Alternativ kann die Vorrichtung nur einen Substrattisch aufweisen, der sich zwischen der ersten und der zweiten Position bewegt.
  • Die vorliegende Erfindung kann auf jegliche lithographische Immersionsvorrichtung angewendet werden, insbesondere, jedoch nicht ausschließlich, auf die vorstehend erwähnten Arten.
  • Obwohl spezielle Ausführungsformen der Erfindung vorstehend beschrieben worden sind, kann die Erfindung selbstverständlich anders als beschrieben durchgeführt werden. Die Beschreibung soll die Erfindung nicht eingrenzen.

Claims (14)

  1. Lithographische Vorrichtung, mit: einem Illuminator (IL), der so ausgebildet ist, dass er einen Strahl aus Strahlung (PB) bereitstellt; einer Haltekonstruktion (MT), die so ausgebildet ist, dass sie eine Musteraufbringungseinrichtung hält, wobei die Musteraufbringungseinrichtung so ausgebildet ist, dass sie dem Strahl in seinem Querschnitt ein Muster aufprägt; einem Substrattisch (WT), der so ausgebildet ist, dass er ein Substrat hält; einem Projektionssystem (PL), das so ausgebildet ist, dass es den gemusterten Strahl auf einen Zielabschnitt des Substrats projiziert; und einem Flüssigkeitszufuhrsystem, das so ausgebildet ist, dass es einem lokalisierten Bereich des Substrats, dem Substrattisch oder beiden eine Flüssigkeit zuführt, um wenigstens teilweise einen Raum zwischen dem Projektionssystem und dem Substrat, dem Substrattisch oder beiden zu füllen, wobei der Substrattisch eine Barriere (100) aufweist, die so ausgebildet ist, dass sie Flüssigkeit auffängt, wobei die Barriere das Substrat (W) umgibt und im Abstand davon angeordnet ist; dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens eines der folgenden Merkmale (a)- (i) gegeben ist: (j) die Barriere umfasst einen Vorsprung (140), der aus einer Oberfläche des Substrattisches herausragt; (k) wenigstens ein Teil der Barriere umfasst ein Flüssigkeit anziehendes Material oder eine Beschichtung; (l) die Barriere umfasst eine Nut (110), die in einer Oberfläche des Substrattisches ausgespart und so geformt ist, dass die Flüssigkeit unter Kapillarwirkung durch die Nut transportiert werden kann; (m) die Barriere umfasst eine Nut (110), die in einer Oberfläche des Substrattisches ausgespart ist, und der Substrattisch umfasst ferner eine Kammer (130), die durch die Nut mit der Oberfläche in Flüssigkeitskontakt steht und wobei die Nut eine fortlaufende Schleife bildet; (n) ein Unterdruckanschluss ist so ausgebildet, dass er Flüssigkeit von der Barriere entfernt, wobei der Unterdruckanschluss eine Vielzahl von diskreten Ausgängen (120) umfasst; (o) ein Generator für akustische Oberflächenwellen ist so ausgebildet, dass er akustische Oberflächenwellen in der Barriere erzeugt, um den Transport von Flüssigkeit entlang der Barriere zu erleichtern; (p) die Barriere umfasst eine Nut (110) und einen Vorsprung (140), der aus einer Oberfläche des Substrattisches herausragt; (q) die Barriere erstreckt sich radial außerhalb eines eine äußere Umfangskante des Substrats umgebenden Drainagegrabens (40) bzw. einer Barriere, die eine äußere Umfangskante des Substrats umgibt; und (r) die Barriere umgibt zusätzlich wenigstens einen Sensor (22, 24), der an einer Oberfläche des Substrattisches befestigt ist, und/oder ein Schließelement, das so ausgebildet ist, dass es das Flüssigkeitszufuhrsystem abdichtet.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Barriere eine Nut (110) umfasst, die in einer Oberfläche des Substrattisches ausgespart ist.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 1, ferner mit einem Unterdruckanschluss, der so ausgebildet ist, dass er Flüssigkeit von der Barriere entfernt.
  4. Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei der Unterdruckanschluss unabhängig von dem Flüssigkeitszufuhrsystem arbeitet.
  5. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Merkmal (f) gegeben ist und der Generator für akustische Oberflächenwellen einen piezoelektrischen Aktuator umfasst.
  6. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Merkmal (g) gegeben ist und der Substrattisch eine Kammer (130) aufweist, die über die Nut mit der Oberfläche in Flüssigkeitskontakt steht.
  7. Vorrichtung nach Anspruch 6, wobei die Kammer zumindest teilweise in dem Vorsprung ausgebildet ist.
  8. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Barriere sich im wesentlichen um eine Außenkante bzw. einen Bereich des Substrattisches erstreckt.
  9. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Barriere zusätzlich Bereiche einer Oberfläche des Substrattisches umgibt, die nicht von dem Substrat bedeckt sind.
  10. Verfahren zur Herstellung von Bauteilen, das folgendes umfasst: Bereitstellen einer Flüssigkeit für einen lokalisierten Bereich eines Substrats (W), eines Substrattisches oder beiden, um wenigstens teilweise einen Raum zwischen einem Projektionssystem (PL) und dem Substrat, dem Substrattisch (WT) oder beiden zu füllen; Projizieren eines gemusterten Strahls aus Strahlung (PB) durch die Flüssigkeit auf einen Zielbereich des Substrats unter Verwendung des Projektionssystems; und Auffangen von Flüssigkeit mittels einer Barriere (100), wobei die Barriere das Substrat umgibt und im Abstand dazu angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens eines der Folgenden (a)-(d) gegeben ist: (e) die Barriere umfasst einen Vorsprung (140), der von einer Oberfläche des Substrattisches wegragt; (f) in der Barriere werden akustische Oberflächenwellen erzeugt, um den Transport von Flüssigkeit entlang der Barriere zu erleichtern; (g) die Barriere umfasst eine Nut (110) und einen Vorsprung (140), der aus einer Oberfläche des Substrattisches hinausragt; und (h) Flüssigkeit wird entfernt, indem ein eine äußere Umfangskante des Substrats umgebender und radial innerhalb der Barriere angeordneter Drainagegraben (40) bzw. eine Barriere verwendet wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei die Barriere eine Nut (110) umfasst, die in einer Oberfläche des Substrattisches ausgespart ist.
  12. Verfahren nach Anspruch 10, das ferner das Entfernen von Flüssigkeit von der Barriere unter Verwendung eines Unterdruckanschlusses umfasst.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei das Entfernen von Flüssigkeit von der Barriere unabhängig von der Zufuhr von Flüssigkeit geschieht.
  14. Verfahren nach Anspruch 10, wobei das Merkmal (c) gegeben ist und der Substrattisch eine Kammer (130) umfasst, die zumindest teilweise in dem Vorsprung ausgebildet ist und durch die Nut mit der Oberfläche in Flüssigkeitskontakt steht.
DE602005000696T 2004-04-14 2005-04-04 Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung Active DE602005000696T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US823777 1986-01-29
US10/823,777 US7898642B2 (en) 2004-04-14 2004-04-14 Lithographic apparatus and device manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE602005000696D1 DE602005000696D1 (de) 2007-04-26
DE602005000696T2 true DE602005000696T2 (de) 2008-01-24

Family

ID=34940711

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE602005000696T Active DE602005000696T2 (de) 2004-04-14 2005-04-04 Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung

Country Status (8)

Country Link
US (9) US7898642B2 (de)
EP (1) EP1586948B1 (de)
JP (8) JP4376203B2 (de)
KR (1) KR100695554B1 (de)
CN (2) CN100495214C (de)
DE (1) DE602005000696T2 (de)
SG (1) SG116611A1 (de)
TW (2) TWI312911B (de)

Families Citing this family (99)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3953460B2 (ja) 2002-11-12 2007-08-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ投影装置
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN1723541B (zh) 2002-12-10 2010-06-02 株式会社尼康 曝光装置和器件制造方法
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
KR101562447B1 (ko) 2003-02-26 2015-10-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
CN101980087B (zh) 2003-04-11 2013-03-27 株式会社尼康 浸没曝光设备以及浸没曝光方法
SG2014015135A (en) 2003-04-11 2015-06-29 Nippon Kogaku Kk Cleanup method for optics in immersion lithography
JP4552853B2 (ja) * 2003-05-15 2010-09-29 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
TWI612556B (zh) 2003-05-23 2018-01-21 Nikon Corp 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
TW201515064A (zh) 2003-05-23 2015-04-16 尼康股份有限公司 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法
CN100541717C (zh) * 2003-05-28 2009-09-16 株式会社尼康 曝光方法、曝光装置以及器件制造方法
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684008B2 (en) * 2003-06-11 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TW201818451A (zh) 2003-06-13 2018-05-16 日商尼康股份有限公司 曝光裝置、元件製造方法
KR101674329B1 (ko) 2003-06-19 2016-11-08 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
US7236232B2 (en) * 2003-07-01 2007-06-26 Nikon Corporation Using isotopically specified fluids as optical elements
EP2466382B1 (de) * 2003-07-08 2014-11-26 Nikon Corporation Wafertisch für die Immersionslithografie
WO2005006418A1 (ja) * 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR20060026883A (ko) * 2003-07-09 2006-03-24 가부시키가이샤 니콘 결합장치, 노광장치 및 디바이스 제조방법
EP2264532B1 (de) * 2003-07-09 2012-10-31 Nikon Corporation Belichtungsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
WO2005010960A1 (ja) * 2003-07-25 2005-02-03 Nikon Corporation 投影光学系の検査方法および検査装置、ならびに投影光学系の製造方法
CN101436000B (zh) * 2003-07-28 2011-05-11 株式会社尼康 曝光装置、器件制造方法、及曝光装置的控制方法
CN102043350B (zh) 2003-07-28 2014-01-29 株式会社尼康 曝光装置、器件制造方法、及曝光装置的控制方法
EP1503244A1 (de) * 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Projektionsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2804048A1 (de) 2003-08-29 2014-11-19 Nikon Corporation Belichtungsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
KR101238114B1 (ko) 2003-09-03 2013-02-27 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
WO2005029559A1 (ja) * 2003-09-19 2005-03-31 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
TW200518187A (en) 2003-09-29 2005-06-01 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
EP1672682A4 (de) 2003-10-08 2008-10-15 Zao Nikon Co Ltd Substrat-transport-vorrichtung und -verfahren, belichtungs-vorrichtung und -verfahren und bauelementherstellungsverfahren
EP1672681B8 (de) 2003-10-08 2011-09-21 Miyagi Nikon Precision Co., Ltd. Belichtungsgerät, substrattrageverfahren, belichtungsverfahren und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
TW201738932A (zh) 2003-10-09 2017-11-01 Nippon Kogaku Kk 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法
KR101394764B1 (ko) 2003-12-03 2014-05-27 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 그리고 광학 부품
WO2005057635A1 (ja) * 2003-12-15 2005-06-23 Nikon Corporation 投影露光装置及びステージ装置、並びに露光方法
CN100487860C (zh) 2003-12-15 2009-05-13 株式会社尼康 台装置、曝光装置和曝光方法
US7394521B2 (en) * 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101227211B1 (ko) 2004-02-03 2013-01-28 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7898642B2 (en) * 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1747499A2 (de) 2004-05-04 2007-01-31 Nikon Corporation Vorrichtung und verfahren zur bereitstellung eines fluids für die immersionslithographie
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101833247B (zh) 2004-06-04 2013-11-06 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻投影曝光系统的投影物镜的光学测量的测量系统
KR101512884B1 (ko) 2004-06-09 2015-04-16 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
ATE441937T1 (de) 2004-07-12 2009-09-15 Nikon Corp Belichtungsgerät und bauelemente- herstellungsverfahren
KR20070048164A (ko) 2004-08-18 2007-05-08 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006041091A1 (ja) * 2004-10-12 2006-04-20 Nikon Corporation 露光装置のメンテナンス方法、露光装置、デバイス製造方法、液浸露光装置のメンテナンス用の液体回収部材
US7119876B2 (en) * 2004-10-18 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7414699B2 (en) * 2004-11-12 2008-08-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7397533B2 (en) 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7365827B2 (en) 2004-12-08 2008-04-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7880860B2 (en) 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG124359A1 (en) 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
EP3079164A1 (de) 2005-01-31 2016-10-12 Nikon Corporation Belichtungsvorrichtung und herstellungsverfahren einer vorrichtung
US7282701B2 (en) 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
US7684010B2 (en) * 2005-03-09 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, seal structure, method of removing an object and a method of sealing
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1933371A1 (de) * 2005-09-09 2008-06-18 Nikon Corporation Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und bauelemente-herstellungsverfahren
US7462429B2 (en) * 2005-10-12 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Method and arrangement for correcting thermally-induced field deformations of a lithographically exposed substrate
KR100659451B1 (ko) 2005-11-18 2006-12-19 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 웨이퍼 밀봉 메카니즘을 가지는 개선된 이머전 리소그래피시스템
US7633073B2 (en) 2005-11-23 2009-12-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7420194B2 (en) * 2005-12-27 2008-09-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and substrate edge seal
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8027019B2 (en) * 2006-03-28 2011-09-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101410948B (zh) * 2006-05-18 2011-10-26 株式会社尼康 曝光方法及装置、维护方法、以及组件制造方法
US20070273856A1 (en) 2006-05-25 2007-11-29 Nikon Corporation Apparatus and methods for inhibiting immersion liquid from flowing below a substrate
US7532309B2 (en) * 2006-06-06 2009-05-12 Nikon Corporation Immersion lithography system and method having an immersion fluid containment plate for submerging the substrate to be imaged in immersion fluid
US20080043211A1 (en) * 2006-08-21 2008-02-21 Nikon Corporation Apparatus and methods for recovering fluid in immersion lithography
CN101410945B (zh) 2006-08-31 2013-03-27 株式会社尼康 与移动体驱动、图案形成、曝光相关的方法和装置
KR101585370B1 (ko) 2006-08-31 2016-01-14 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
TWI610149B (zh) 2006-08-31 2018-01-01 Nikon Corp 移動體驅動系統及移動體驅動方法、圖案形成裝置及方法、曝光裝置及方法、元件製造方法、以及決定方法
KR101477471B1 (ko) 2006-09-01 2014-12-29 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
EP2071613B1 (de) 2006-09-01 2019-01-23 Nikon Corporation Belichtungsverfahren und vorrichtung
JP5089143B2 (ja) * 2006-11-20 2012-12-05 キヤノン株式会社 液浸露光装置
US8817226B2 (en) 2007-02-15 2014-08-26 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography
US8654305B2 (en) 2007-02-15 2014-02-18 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography
US8514365B2 (en) * 2007-06-01 2013-08-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8264662B2 (en) * 2007-06-18 2012-09-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. In-line particle detection for immersion lithography
US8705010B2 (en) 2007-07-13 2014-04-22 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system, method of clamping and wafer table
TWI514090B (zh) * 2007-07-13 2015-12-21 Mapper Lithography Ip Bv 微影系統及用於支撐晶圓的晶圓台
KR101843699B1 (ko) 2007-07-18 2018-03-29 가부시키가이샤 니콘 계측 방법, 스테이지 장치, 및 노광 장치
KR100956221B1 (ko) * 2007-10-12 2010-05-04 삼성엘이디 주식회사 화학 기상 증착 장치용 서셉터
KR101448152B1 (ko) * 2008-03-26 2014-10-07 삼성전자주식회사 수직 포토게이트를 구비한 거리측정 센서 및 그를 구비한입체 컬러 이미지 센서
US9176393B2 (en) 2008-05-28 2015-11-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus
EP2131242A1 (de) * 2008-06-02 2009-12-09 ASML Netherlands B.V. Substrattisch, lithografischer Apparat und Vorrichtungsherstellungsverfahren
JP2010140958A (ja) * 2008-12-09 2010-06-24 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
US9312159B2 (en) * 2009-06-09 2016-04-12 Nikon Corporation Transport apparatus and exposure apparatus
NL2004907A (en) * 2009-06-19 2010-12-20 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP5507392B2 (ja) * 2009-09-11 2014-05-28 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． シャッター部材、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
NL2006127A (en) 2010-02-17 2011-08-18 Asml Netherlands Bv A substrate table, a lithographic apparatus and a method for manufacturing a device using a lithographic apparatus.
JP2011192991A (ja) * 2010-03-12 2011-09-29 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置および方法
US8760630B2 (en) 2011-01-01 2014-06-24 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method of manufacturing device
CN102736433A (zh) * 2011-04-08 2012-10-17 上海微电子装备有限公司 一种工件台漏水保护装置
JP2018101719A (ja) * 2016-12-21 2018-06-28 株式会社ディスコ 排水機構
JP6473899B1 (ja) 2017-12-29 2019-02-27 株式会社Ｉ・Ｐソリューションズ 複合コードパターン、生成装置、読み取り装置、方法およびプログラム

Family Cites Families (242)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE224448C (de)
DE242880C (de)
DE206607C (de)
DE221563C (de)
US743119A (en) * 1902-12-16 1903-11-03 James Henry Watson Jr Combined ruler and blotter.
GB1242527A (en) * 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US3573976A (en) 1967-11-17 1971-04-06 United Carr Inc Method of making coaxial cable
US3573975A (en) * 1968-07-10 1971-04-06 Ibm Photochemical fabrication process
ATE1462T1 (de) 1979-07-27 1982-08-15 Werner W. Dr. Tabarelli Optisches lithographieverfahren und einrichtung zum kopieren eines musters auf eine halbleiterscheibe.
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
JPS5754317A (en) * 1980-09-19 1982-03-31 Hitachi Ltd Method and device for forming pattern
US4509852A (en) * 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4390273A (en) * 1981-02-17 1983-06-28 Censor Patent-Und Versuchsanstalt Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system
JPS57153433A (en) * 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
DD206607A1 (de) 1982-06-16 1984-02-01 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD242880A1 (de) 1983-01-31 1987-02-11 Kuch Karl Heinz Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD221583B1 (de) 1984-02-15 1987-08-26 Werk Fernsehelektronik Veb Schaltungsanordnung zur erzeugung einer unsymmetrischen vergleichssaegezahnspannung
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS6266326A (ja) 1985-09-19 1987-03-25 Fujitsu Ltd 日本語デ−タ整列処理方式
JPS6265326U (de) 1985-10-16 1987-04-23
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPS62121417U (de) 1986-01-24 1987-08-01
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JPS63157419U (de) 1987-03-31 1988-10-14
US5040020A (en) * 1988-03-31 1991-08-13 Cornell Research Foundation, Inc. Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography
JPH0652707B2 (ja) * 1988-10-11 1994-07-06 キヤノン株式会社 面位置検出方法
JPH03209479A (ja) 1989-09-06 1991-09-12 Sanee Giken Kk 露光方法
US5121256A (en) * 1991-03-14 1992-06-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lithography system employing a solid immersion lens
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04306915A (ja) 1991-04-04 1992-10-29 Nec Corp レベル変換回路
US5121258A (en) 1991-08-12 1992-06-09 Eastman Kodak Company Apparatus for anhysteretic duplication of a flexible magnetic disk
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるｌｓｉ製造縮小投影露光装置の光学系
JPH05304072A (ja) 1992-04-08 1993-11-16 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JPH06181167A (ja) 1992-10-14 1994-06-28 Canon Inc 像形成方法及び該方法を用いてデバイスを製造する方法及び該方法に用いるフォトマスク
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JPH06181157A (ja) 1992-12-15 1994-06-28 Nikon Corp 低発塵性の装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
KR100300618B1 (ko) * 1992-12-25 2001-11-22 오노 시게오 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JPH08316124A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US5826043A (en) 1995-06-07 1998-10-20 Ast Research, Inc. Docking station with serially accessed memory that is powered by a portable computer for identifying the docking station
US6104687A (en) * 1996-08-26 2000-08-15 Digital Papyrus Corporation Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JPH10116760A (ja) 1996-10-08 1998-05-06 Nikon Corp 露光装置及び基板保持装置
JP2872162B2 (ja) 1996-11-28 1999-03-17 埼玉日本電気株式会社 無音報知および可聴報知機能を有する携帯無線機
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
JPH10255319A (ja) * 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JPH10266319A (ja) 1997-03-19 1998-10-06 Ishida Tekko Kk コンクリート溝開口部の蓋体受け枠構造体
JPH10258249A (ja) * 1997-03-19 1998-09-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板処理装置
JP3747566B2 (ja) * 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
US20040221844A1 (en) * 1997-06-17 2004-11-11 Hunt Peter John Humidity controller
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
US5900354A (en) * 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
JPH1140484A (ja) * 1997-07-22 1999-02-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd ノズルキャップ、基板処理装置用カップおよび排液配管
JPH11166990A (ja) 1997-12-04 1999-06-22 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置並びに走査型露光装置
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
EP1039511A4 (de) 1997-12-12 2005-03-02 Nikon Corp Verfahren zur projektionsbelichtung und projektionsausrichteinrichtung
DE19813168A1 (de) 1998-03-25 1999-09-30 Siemens Ag Verfahren zur Datenübertragung, Codierer sowie Decodierer
AU2747999A (en) * 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
WO2000008339A1 (de) 1998-08-06 2000-02-17 Mannesmann Rexroth Ag Hydro-transformator
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
JP2000147788A (ja) * 1998-11-11 2000-05-26 Sony Corp 現像装置
TWI242111B (en) * 1999-04-19 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
JP2001091840A (ja) 1999-09-20 2001-04-06 Olympus Optical Co Ltd 顕微鏡システム
JP4504479B2 (ja) 1999-09-21 2010-07-14 オリンパス株式会社 顕微鏡用液浸対物レンズ
SE518807C2 (sv) * 1999-11-09 2002-11-26 Koncentra Verkst S Ab Förfarande och anordning för att belägga ett kolvringsämne med ett skikt samt kolvring försedd med ett påvärmt beläggningsskikt
US6995930B2 (en) * 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7187503B2 (en) * 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
JP2001272604A (ja) * 2000-03-27 2001-10-05 Olympus Optical Co Ltd 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置
JP2001320837A (ja) * 2000-05-02 2001-11-16 Tokyo Electron Ltd 電源装置およびそれを用いた液処理装置
US6618209B2 (en) 2000-08-08 2003-09-09 Olympus Optical Co., Ltd. Optical apparatus
TW591653B (en) * 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
KR100866818B1 (ko) * 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
US20020163629A1 (en) * 2001-05-07 2002-11-07 Michael Switkes Methods and apparatus employing an index matching medium
US6600547B2 (en) 2001-09-24 2003-07-29 Nikon Corporation Sliding seal
CN1791839A (zh) * 2001-11-07 2006-06-21 应用材料有限公司 光点格栅阵列光刻机
JP2003173975A (ja) 2001-12-05 2003-06-20 Sony Corp 反応管のベーキング方法及び気相成長装置
JP3945569B2 (ja) * 2001-12-06 2007-07-18 東京応化工業株式会社 現像装置
US7092069B2 (en) * 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
DE10229818A1 (de) * 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
JP2005536775A (ja) 2002-08-23 2005-12-02 株式会社ニコン 投影光学系、フォトリソグラフィ方法および露光装置、並びに露光装置を用いた方法
US7093375B2 (en) * 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US6988326B2 (en) * 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US6954993B1 (en) * 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US6788477B2 (en) * 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
US7017017B2 (en) 2002-11-08 2006-03-21 Intel Corporation Memory controllers with interleaved mirrored memory modes
CN101424881B (zh) * 2002-11-12 2011-11-30 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
EP1429188B1 (de) 2002-11-12 2013-06-19 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Projektionsapparat
US7110081B2 (en) * 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100470367C (zh) * 2002-11-12 2009-03-18 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420300B1 (de) 2002-11-12 2015-07-29 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE60335595D1 (de) * 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
JP3953460B2 (ja) * 2002-11-12 2007-08-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ投影装置
DE10253679A1 (de) * 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
SG131766A1 (en) * 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI255971B (en) 2002-11-29 2006-06-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10258718A1 (de) * 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
JP2004193262A (ja) 2002-12-10 2004-07-08 Tokyo Electron Ltd 絶縁性材料および絶縁膜形成方法
EP1571701A4 (de) 2002-12-10 2008-04-09 Nikon Corp Belichtungsvorrichtungund verfahren zur bauelementeherstellung
AU2003302831A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing device
KR101101737B1 (ko) 2002-12-10 2012-01-05 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
EP1429190B1 (de) * 2002-12-10 2012-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Belichtungsapparat und -verfahren
KR20050085026A (ko) 2002-12-10 2005-08-29 가부시키가이샤 니콘 광학 소자 및 그 광학 소자를 사용한 투영 노광 장치
AU2003289272A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method
CN1723541B (zh) * 2002-12-10 2010-06-02 株式会社尼康 曝光装置和器件制造方法
FR2848317B1 (fr) 2002-12-10 2007-04-27 France Telecom Procede de controle d'un titre d'autorisation d'acces a un service ou d'acquisition d'un produit
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR20050085235A (ko) 2002-12-10 2005-08-29 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
SG165169A1 (en) 2002-12-10 2010-10-28 Nikon Corp Liquid immersion exposure apparatus
SG171468A1 (en) 2002-12-10 2011-06-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
JP4529433B2 (ja) * 2002-12-10 2010-08-25 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
JP4235177B2 (ja) 2002-12-11 2009-03-11 富士通株式会社 バックアップシステム，バックアップ制御装置，バックアップデータ管理方法，バックアップ制御プログラムおよび同プログラムを記録したコンピュータ読取可能な記録媒体
US7358507B2 (en) 2002-12-13 2008-04-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer
US6786579B2 (en) * 2002-12-18 2004-09-07 Xerox Corporation Device for dispensing particulate matter and system using the same
EP1579435B1 (de) 2002-12-19 2007-06-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts
ATE335272T1 (de) 2002-12-19 2006-08-15 Koninkl Philips Electronics Nv Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts
US7010958B2 (en) * 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
WO2004063955A2 (en) 2002-12-26 2004-07-29 Sap Aktiengesellschaft Integrating logistic and financial control of projects
US6781670B2 (en) * 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
DE50305675D1 (de) 2003-01-08 2006-12-28 Rolf Krause Verfahren zur bargeldlosen Zahlung von Waren oder Dienstleistungen unter Verwendung eines Mobilfunkendgerätes
ES2237256B1 (es) 2003-01-13 2006-02-01 Servicios Tecnologicos Para La Peritacion, S.L. Sistema de peritaje virtual.
JP2004264880A (ja) 2003-01-14 2004-09-24 Hitachi Ltd 受注支援システムおよび受注支援方法
KR20040086269A (ko) 2003-01-15 2004-10-08 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지 기업간 데이터 제휴 시스템
AU2003900153A0 (en) 2003-01-15 2003-01-30 Super Internet Site System Pty Ltd Spatial marketing system
JP4363179B2 (ja) 2003-01-23 2009-11-11 タカタ株式会社 エアバッグ及びエアバッグ装置
US7090964B2 (en) * 2003-02-21 2006-08-15 Asml Holding N.V. Lithographic printing with polarized light
US7206059B2 (en) * 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US6943941B2 (en) * 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7029832B2 (en) * 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
US20050164522A1 (en) 2003-03-24 2005-07-28 Kunz Roderick R. Optical fluids, and systems and methods of making and using the same
WO2004086470A1 (ja) 2003-03-25 2004-10-07 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR20110104084A (ko) 2003-04-09 2011-09-21 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
JP4488005B2 (ja) * 2003-04-10 2010-06-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用の液体を捕集するための流出通路
WO2004090633A2 (en) 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
EP3352015A1 (de) 2003-04-10 2018-07-25 Nikon Corporation Umweltsystem mit einer transportregion für eine immersionslithographievorrichtung
SG141426A1 (en) 2003-04-10 2008-04-28 Nikon Corp Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus
WO2004092830A2 (en) 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
SG2014015135A (en) 2003-04-11 2015-06-29 Nippon Kogaku Kk Cleanup method for optics in immersion lithography
CN101980087B (zh) 2003-04-11 2013-03-27 株式会社尼康 浸没曝光设备以及浸没曝光方法
JP2006523958A (ja) 2003-04-17 2006-10-19 株式会社ニコン 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造
EP1631548B1 (de) 2003-04-24 2009-10-28 Merck & Co., Inc. Hemmer der akt aktivität
JP4025683B2 (ja) * 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
JP4146755B2 (ja) * 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4552853B2 (ja) * 2003-05-15 2010-09-29 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005277363A (ja) 2003-05-23 2005-10-06 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684008B2 (en) 2003-06-11 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317504B2 (en) 2004-04-08 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4084710B2 (ja) * 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4054285B2 (ja) * 2003-06-12 2008-02-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
TW201818451A (zh) 2003-06-13 2018-05-16 日商尼康股份有限公司 曝光裝置、元件製造方法
US6867844B2 (en) * 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4029064B2 (ja) * 2003-06-23 2008-01-09 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4084712B2 (ja) * 2003-06-23 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US6809794B1 (en) * 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
US7236232B2 (en) 2003-07-01 2007-06-26 Nikon Corporation Using isotopically specified fluids as optical elements
EP2466382B1 (de) * 2003-07-08 2014-11-26 Nikon Corporation Wafertisch für die Immersionslithografie
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
US7006209B2 (en) 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
CN102043350B (zh) 2003-07-28 2014-01-29 株式会社尼康 曝光装置、器件制造方法、及曝光装置的控制方法
US7326522B2 (en) 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
JP4492239B2 (ja) * 2003-07-28 2010-06-30 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法
JP2005057636A (ja) * 2003-08-07 2005-03-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｃｒｔ表示装置
US7061578B2 (en) 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7579135B2 (en) * 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7700267B2 (en) * 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7085075B2 (en) 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
KR101915921B1 (ko) * 2003-08-21 2019-01-07 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
US7070915B2 (en) * 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
EP2804048A1 (de) * 2003-08-29 2014-11-19 Nikon Corporation Belichtungsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US6954256B2 (en) * 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
EP3163375B1 (de) * 2003-08-29 2019-01-09 Nikon Corporation Belichtungsvorrichtung und belichtungsverfahren
EP1513032A1 (de) 2003-09-02 2005-03-09 The Swatch Group Management Services AG Gerät mit einem elektronischen Modul, zum Informationspeichern, und elektronischer Modul, der mit diesem Gerät vereinbar ist
US7014966B2 (en) * 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
KR101238114B1 (ko) 2003-09-03 2013-02-27 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
JP3870182B2 (ja) * 2003-09-09 2007-01-17 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
WO2005029559A1 (ja) * 2003-09-19 2005-03-31 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US6961186B2 (en) * 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
JP4515209B2 (ja) * 2003-10-02 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP4513299B2 (ja) * 2003-10-02 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US7369217B2 (en) * 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
US7678527B2 (en) * 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
TWI361450B (en) 2003-10-31 2012-04-01 Nikon Corp Platen, stage device, exposure device and exposure method
JP2005159322A (ja) 2003-10-31 2005-06-16 Nikon Corp 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法
EP3392713A1 (de) 2003-10-31 2018-10-24 Nikon Corporation Immersionsbelichtungsgerät und -verfahren
US7924397B2 (en) * 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
US7545481B2 (en) * 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4747263B2 (ja) 2003-11-24 2011-08-17 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー オブジェクティブにおける光学素子のための保持装置
WO2005054963A1 (ja) 2003-12-02 2005-06-16 Fujitsu Limited アラーム発生時刻制御方法、電子機器及びコンピュータプログラム
US7125652B2 (en) * 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
EP1691980A4 (de) * 2003-12-03 2009-05-27 Commw Scient Ind Res Org Verfahren zur herstellung von verpackungsmaterial zum transportieren und lagern von verderblichen gütern
JP4513534B2 (ja) * 2003-12-03 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
KR101394764B1 (ko) 2003-12-03 2014-05-27 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 그리고 광학 부품
US20050123856A1 (en) 2003-12-05 2005-06-09 Roberts David H. Process for the manufacture of flexographic printing plates
CN100487860C (zh) 2003-12-15 2009-05-13 株式会社尼康 台装置、曝光装置和曝光方法
JP4600286B2 (ja) * 2003-12-16 2010-12-15 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、及び露光方法
JP2005183656A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Canon Inc 露光装置
JP4106017B2 (ja) * 2003-12-19 2008-06-25 東京エレクトロン株式会社 現像装置及び現像方法
US7394521B2 (en) * 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7589818B2 (en) 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
FR2864743B1 (fr) 2003-12-24 2006-03-03 Sagem Procede de generation de base de temps dans un telephone mobile
JP2005191394A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光方法及び装置
JP4774735B2 (ja) * 2004-01-05 2011-09-14 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2005209705A (ja) * 2004-01-20 2005-08-04 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4513590B2 (ja) * 2004-02-19 2010-07-28 株式会社ニコン 光学部品及び露光装置
JP2005243686A (ja) * 2004-02-24 2005-09-08 Ebara Corp 露光装置および露光方法
JP2005242080A (ja) 2004-02-27 2005-09-08 Victor Co Of Japan Ltd ワイヤグリッドポラライザ
JP2005259870A (ja) * 2004-03-10 2005-09-22 Nikon Corp 基板保持装置、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法
JP2005268700A (ja) * 2004-03-22 2005-09-29 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
US7227619B2 (en) 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005302880A (ja) * 2004-04-08 2005-10-27 Canon Inc 液浸式露光装置
JP2005302860A (ja) 2004-04-08 2005-10-27 Nikon Corp 極短紫外線光学系用光学素子及び極短紫外線露光装置
US7898642B2 (en) * 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE602004025989D1 (de) 2004-07-21 2010-04-22 Alltech Inc Zusammensetzung und ihre verwendung zur bekämpfung von protozoen-infektionen von tieren
WO2006015283A2 (en) 2004-07-29 2006-02-09 Threshold Pharmaceuticals, Inc. Treatment of benign prostatic hyperplasia
US20060026755A1 (en) 2004-08-05 2006-02-09 Bain Colin C Patient lift with integrated foot push pad
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006022266A1 (ja) 2004-08-25 2006-03-02 Kureha Corporation 収縮性積層フィルム及びその製造方法
PE20060653A1 (es) 2004-08-31 2006-09-27 Glaxo Group Ltd Derivados triciclicos condensados como moduladores del receptor 5-ht1
WO2006024325A1 (en) 2004-08-31 2006-03-09 Freescale Semiconductor, Inc. Method for estimating power consumption
JP4667025B2 (ja) 2004-12-03 2011-04-06 日本ミクロコーティング株式会社 研磨スラリー及び方法
JP2006173527A (ja) 2004-12-20 2006-06-29 Sony Corp 露光装置
JP4381317B2 (ja) 2005-01-31 2009-12-09 株式会社東芝 コンテンツ再生装置、コンテンツ再生方法及びプログラム
JP2006243686A (ja) 2005-02-04 2006-09-14 Ricoh Co Ltd 画像形成装置
JP4655718B2 (ja) 2005-03-25 2011-03-23 日本電気株式会社 コンピュータシステム及びその制御方法
CN101452103B (zh) 2007-11-30 2011-03-23 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 镜头模组

Also Published As

Publication number Publication date
US10705432B2 (en) 2020-07-07
JP2009060127A (ja) 2009-03-19
KR20060045679A (ko) 2006-05-17
JP2005303316A (ja) 2005-10-27
US20170153557A1 (en) 2017-06-01
JP4376203B2 (ja) 2009-12-02
EP1586948A1 (de) 2005-10-19
KR100695554B1 (ko) 2007-03-14
US9829799B2 (en) 2017-11-28
TWI312911B (en) 2009-08-01
JP2009033201A (ja) 2009-02-12
JP5300945B2 (ja) 2013-09-25
JP2011249854A (ja) 2011-12-08
JP2012084926A (ja) 2012-04-26
DE602005000696D1 (de) 2007-04-26
US8704998B2 (en) 2014-04-22
US20140253890A1 (en) 2014-09-11
CN100495214C (zh) 2009-06-03
US10234768B2 (en) 2019-03-19
US20160085161A1 (en) 2016-03-24
JP5202228B2 (ja) 2013-06-05
JP5027092B2 (ja) 2012-09-19
US20190212662A1 (en) 2019-07-11
JP5027091B2 (ja) 2012-09-19
US20120013867A1 (en) 2012-01-19
US20110116061A1 (en) 2011-05-19
JP2009044186A (ja) 2009-02-26
US8755033B2 (en) 2014-06-17
EP1586948B1 (de) 2007-03-14
US20180246418A1 (en) 2018-08-30
US20050231694A1 (en) 2005-10-20
CN1684001A (zh) 2005-10-19
JP2009033200A (ja) 2009-02-12
US20180081282A1 (en) 2018-03-22
TWI427427B (zh) 2014-02-21
JP2009044185A (ja) 2009-02-26
JP5529903B2 (ja) 2014-06-25
JP5179317B2 (ja) 2013-04-10
SG116611A1 (en) 2005-11-28
CN101520611A (zh) 2009-09-02
US9568840B2 (en) 2017-02-14
TW200604755A (en) 2006-02-01
US9989861B2 (en) 2018-06-05
US7898642B2 (en) 2011-03-01
US9207543B2 (en) 2015-12-08
TW200921295A (en) 2009-05-16
CN101520611B (zh) 2013-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE602005000696T2 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE602005001835T2 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE60302897T2 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE60308161T2 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
DE602005002155T2 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE602005003082T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE60314484T2 (de) Untersuchungsverfahren und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE602005004949T2 (de) Lithographischer Apparat und Methode zur Herstellung einer Vorrichtung
DE60120282T2 (de) Lithographischer Apparat, Verfahren zur Herstellung eines Artikels und damit hergestellter Artikel
DE602005000147T2 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE60309238T2 (de) Lithographische Maske, lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE602005004592T2 (de) Lithografische Vorrichtung, Beleuchtungssystem und Debrisauffangsystem
DE60020638T2 (de) Lithographischer Projektionsapparat
DE60026461T2 (de) Lithographischer Projektionsapparat
DE60103964T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Ermittlung von Aberrationen in einem optischen System
DE60112355T2 (de) Verfahren zum Entwurf und Verfahren zur Verwendung einer Phasenverschiebungsmaske
DE60202230T2 (de) Naheffektkorrektur mittels nicht aufgelöster Hilfsstrukturen in Form von Leiterstäben
DE60225216T2 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE60218802T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE602004011458T2 (de) Substratverarbeitungsverfahren
DE602004007608T2 (de) Lithographischer Projektionsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE60310498T2 (de) Verfahren zur Reinigung durch Entfernung von Teilchen von Oberflächen, Reinigungsvorrichtung und lithographischer Projektionsapparat
DE60212777T2 (de) OPC-Verfahren mit nicht auflösenden Phasensprung-Hilfsstrukturen
DE602004008009T2 (de) Lithographischer Apparat
DE60127229T2 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition