DE602005000863D1 - Speicherzellenprogrammierverfahren mit Detektion von Transkonduktanzdegradierung - Google Patents
Speicherzellenprogrammierverfahren mit Detektion von TranskonduktanzdegradierungInfo
- Publication number
- DE602005000863D1 DE602005000863D1 DE602005000863T DE602005000863T DE602005000863D1 DE 602005000863 D1 DE602005000863 D1 DE 602005000863D1 DE 602005000863 T DE602005000863 T DE 602005000863T DE 602005000863 T DE602005000863 T DE 602005000863T DE 602005000863 D1 DE602005000863 D1 DE 602005000863D1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- detection
- memory cell
- programming method
- cell programming
- transconductance degradation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3436—Arrangements for verifying correct programming or erasure
- G11C16/3454—Arrangements for verifying correct programming or for detecting overprogrammed cells
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0409215A FR2874732A1 (fr) | 2004-08-31 | 2004-08-31 | Procede de programmation de cellules memoire incluant une detection des degradations de transconductance |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE602005000863D1 true DE602005000863D1 (de) | 2007-05-24 |
Family
ID=34948540
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE602005000863T Active DE602005000863D1 (de) | 2004-08-31 | 2005-07-22 | Speicherzellenprogrammierverfahren mit Detektion von Transkonduktanzdegradierung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7218553B2 (de) |
EP (1) | EP1630820B1 (de) |
DE (1) | DE602005000863D1 (de) |
FR (1) | FR2874732A1 (de) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE602006003886D1 (de) * | 2005-05-09 | 2009-01-08 | St Microelectronics Sa | Einrichtung zum schutz eines speichers vor fehlerinjektionsattacken |
US8060798B2 (en) * | 2007-07-19 | 2011-11-15 | Micron Technology, Inc. | Refresh of non-volatile memory cells based on fatigue conditions |
US7545679B1 (en) | 2007-12-28 | 2009-06-09 | Freescale Semiconductor, Inc. | Electrical erasable programmable memory transconductance testing |
US8120966B2 (en) * | 2009-02-05 | 2012-02-21 | Aplus Flash Technology, Inc. | Method and apparatus for management of over-erasure in NAND-based NOR-type flash memory |
US9767894B2 (en) * | 2014-06-09 | 2017-09-19 | Micron Technology, Inc. | Programming memories with stepped programming pulses |
US9508397B1 (en) | 2015-12-03 | 2016-11-29 | Freescale Semiconductor, Inc. | Non-volatile memory (NVM) with endurance control |
KR102524916B1 (ko) * | 2018-03-13 | 2023-04-26 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 저장 장치 및 그 동작 방법 |
US11056203B1 (en) * | 2020-02-11 | 2021-07-06 | Intel Corporation | Boosted bitlines for storage cell programmed state verification in a memory array |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5532962A (en) * | 1992-05-20 | 1996-07-02 | Sandisk Corporation | Soft errors handling in EEPROM devices |
EP1260989A3 (de) * | 1995-12-29 | 2005-11-30 | STMicroelectronics S.r.l. | Verfahren zum Verhindern von Störungen während des Löschens eines nichtflüchtigen Speichers |
KR100223868B1 (ko) * | 1996-07-12 | 1999-10-15 | 구본준 | 비휘발성 메모리를 프로그램하는 방법 |
KR100316522B1 (ko) * | 1999-03-04 | 2001-12-12 | 김영환 | 비휘발성 메모리를 자동 조회 프로그램하는 회로 |
US6205056B1 (en) * | 2000-03-14 | 2001-03-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Automated reference cell trimming verify |
US6363016B1 (en) * | 2000-10-12 | 2002-03-26 | Xilinx, Inc. | Method for enhancement of non-volatile memory cell read current |
FR2816751A1 (fr) * | 2000-11-15 | 2002-05-17 | St Microelectronics Sa | Memoire flash effacable par page |
DE60139670D1 (de) * | 2001-04-10 | 2009-10-08 | St Microelectronics Srl | Verfahren zur Programmierung nichtflüchtiger Speicherzellen mit Programmier- und Prüfalgorithmus unter Verwendung treppenförmiger Spannungsimpulse mit variablem Stufenabstand |
US6621741B2 (en) * | 2002-01-30 | 2003-09-16 | Fujitsu Limited | System for programming verification |
JP3906189B2 (ja) * | 2002-07-15 | 2007-04-18 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリ |
US7193898B2 (en) * | 2005-06-20 | 2007-03-20 | Sandisk Corporation | Compensation currents in non-volatile memory read operations |
US7236402B2 (en) * | 2005-11-30 | 2007-06-26 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method and apparatus for programming/erasing a non-volatile memory |
-
2004
- 2004-08-31 FR FR0409215A patent/FR2874732A1/fr not_active Withdrawn
-
2005
- 2005-07-22 EP EP05015927A patent/EP1630820B1/de not_active Expired - Fee Related
- 2005-07-22 DE DE602005000863T patent/DE602005000863D1/de active Active
- 2005-08-30 US US11/215,311 patent/US7218553B2/en active Active
-
2007
- 2007-04-30 US US11/742,334 patent/US7453732B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7453732B2 (en) | 2008-11-18 |
EP1630820A1 (de) | 2006-03-01 |
US20070201278A1 (en) | 2007-08-30 |
EP1630820B1 (de) | 2007-04-11 |
US7218553B2 (en) | 2007-05-15 |
FR2874732A1 (fr) | 2006-03-03 |
US20060056239A1 (en) | 2006-03-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE602005000863D1 (de) | Speicherzellenprogrammierverfahren mit Detektion von Transkonduktanzdegradierung | |
DE602006011684D1 (de) | Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher mit drei Zuständen und dessen Betriebsverfahren | |
DE602004011467D1 (de) | Speichersteuerungssystem und -verfahren | |
DE602004016283D1 (de) | Integrierter Daten-Flash-Speicher und Programmcode-Flash-Speicher | |
ATE430150T1 (de) | 8-ä3-amino-piperidin-1-ylü-xanthine, deren herstellung und deren verwendung als dpp-iv hemmer | |
DE602006018807D1 (de) | Nichtflüchtige Speicherzellen, Speicherarrays damit und Verfahren zum Betrieb der Zellen und Arrays | |
ATE523154T1 (de) | Marknagel mit formgedächtniselementen | |
DK2116087T3 (da) | Cellegenvalg/-opdatering medens i en forstærket Cell_FACH-tilstand | |
DE602006009540D1 (de) | L und herstellungsverfahren dafür | |
DE602006018808D1 (de) | Nichtflüchtige Speicherzellen, Speicherarrays damit und Verfahren zum Betrieb der Zellen und Arrays | |
ATE511507T1 (de) | Piperidinylcarbonylpyrrolidine und deren verwendung als melanocortinagonisten | |
DE602005013344D1 (de) | Erweiterte sichere Speicherzugriffsmethode und Archtitektur | |
ATE417045T1 (de) | Substituierte diazaspiroä5.5üundecanderivate und deren verwendung als neurokininantagonisten | |
ATE402154T1 (de) | Monohydrochloridsalz von 1-ä3-ä3-(4- chlorphenyl)propoxyüpropylüpiperidin | |
DE602005004508D1 (de) | Speichersystem und Speichersteuerverfahren | |
DE60335465D1 (de) | Über den Inhalt anwählbare Speicherzelle | |
DE602006006694D1 (de) | Remanente flüchtige speicherzelle | |
ATE423117T1 (de) | Heterocyclische 7-aminoalkylidenylchinolone und - naphthyridone | |
DE60217463D1 (de) | Nichtflüchtige ferroelektrische Zweitransistor-Speicherzelle | |
DE602006018434D1 (de) | Leitfähige walze und prüfverfahren dafür | |
DE602004007884D1 (de) | Speichersteuerungssystem und -Verfahren | |
DE602005020821D1 (de) | Brennstoffzellen-herstellungsverfahren und brennstoffzelle | |
DE60222891D1 (de) | Nichtflüchtige Speicheranordnung und Selbstreparatur-Verfahren | |
DE602004016280D1 (de) | Nichtflüchtige Speicherzelle und Betriebsverfahren hierfür | |
DE10393993D2 (de) | Elektrolysezelle mit Innenrinne |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8332 | No legal effect for de |