DE602005002155T2 - Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung - Google Patents

Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE602005002155T2
DE602005002155T2 DE602005002155T DE602005002155T DE602005002155T2 DE 602005002155 T2 DE602005002155 T2 DE 602005002155T2 DE 602005002155 T DE602005002155 T DE 602005002155T DE 602005002155 T DE602005002155 T DE 602005002155T DE 602005002155 T2 DE602005002155 T2 DE 602005002155T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
immersion liquid
substrate
bubbles
electric field
particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE602005002155T
Other languages
English (en)
Other versions
DE602005002155D1 (de
Inventor
Paulus Cornelis Duineveld
Peter Dirksen
Aleksey Yurievich Kolesnychenko
Helmar Van Santen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV, Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of DE602005002155D1 publication Critical patent/DE602005002155D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE602005002155T2 publication Critical patent/DE602005002155T2/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70341Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine lithographische Vorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements.
  • Eine lithographische Vorrichtung ist eine Maschine, die ein gewünschtes Muster auf einen Zielabschnitt eines Substrats aufbringt. Lithographische Vorrichtungen können beispielsweise für die Herstellung von integrierten Schaltungen (ICs) verwendet werden. In so einem Fall kann eine Musteraufbringungseinrichtung, wie eine Maske, verwendet werden, um ein Schaltungsmuster entsprechend einer einzelnen Schicht der integrierten Schaltung zu erzeugen, und dieses Muster kann auf einen Zielabschnitt (der z. B. einen oder mehrere Dies enthält) auf ein Substrat (z. B. ein Silizium-Wafer), das eine Schicht aus strahlungssensitivem Material (Resist) aufweist, abgebildet werden. Im allgemeinen enthält ein einzelnes Substrat ein ganzes Netzwerk benachbarter Zielabschnitte, die sukzessive bestrahlt werden. Bekannte lithographische Vorrichtungen beinhalten sogenannte Stepper, bei denen jeder Zielabschnitt bestrahlt wird, indem ein gesamtes Muster in einem Schritt auf den Zielabschnitt aufgebracht wird, und sogenannte Scanner, bei denen jeder Zielabschnitt bestrahlt wird, indem das Muster durch den Projektionsstrahl in einer vorbestimmten Richtung (der „abtastenden" Richtung) abgetastet wird, während das Substrat parallel oder antiparallel zu dieser Richtung synchron abgetastet wird.
  • Es ist vorgeschlagen worden, das Substrat in der lithographischen Projektionsvorrichtung in eine Flüssigkeit zu tauchen, die einen relativ hohen Brechungsindex aufweist, z. B. Wasser, um einen Raum zwischen dem endgültigen Element des Projektionssystems und dem Substrat zu füllen. Dies ermöglicht die Abbildung kleinerer Strukturen, da die Belichtungsstrahlung in der Flüssigkeit eine kürzere Wellenlänge haben wird. (Der Effekt der Flüssigkeit kann auch als eine Vergrößerung der effektiven NA (numerischen Apertur) des Systems und auch als eine Erhöhung der Brennweite betrachtet werden.)
  • Jedoch bedeutet das Eintauchen des Substrats bzw. des Substrats und des Substrattisches in ein Flüssigkeitsbad (siehe, zum Beispiel, US-Patent 4,509,852 ), dass eine große Flüssigkeitsmenge vorhanden ist, die während einer Abtastbelichtung beschleunigt werden muss. Dies kann zusätzliche oder leistungsstärkere Motoren erforderlich machen, und Turbulenzen in der Flüssigkeit können zu unerwünschten und unvorhersehbaren Effekten führen.
  • Eine der vorgeschlagenen Lösungen für ein Flüssigkeitszufuhrsystem besteht darin, Flüssigkeit nur auf einem örtlich begrenzten Bereich des Substrats und zwischen dem endgültigen Element des Projektionssystems und dem Substrat unter Verwendung eines Flüssigkeitszufuhrsystems bereitzustellen (das Substrat weist im allgemeinen einen größeren Oberflächenbereich auf als das endgültige Element des Projektionssystems). Eine hierfür vorgeschlagene Möglichkeit ist in der WO 99/49504 offengelegt. Wie in den 2 und 3 dargestellt, wird Flüssigkeit durch wenigstens einen Eingang IN auf das Substrat W aufgebracht, vorzugsweise entlang der Bewegungsrichtung des Substrats relativ zum endgültigen Element, und wird durch wenigstens einen Ausgang OUT abgeführt, nachdem sie unter dem Projektionssystem PL hindurchgelaufen ist. Das heißt, während das Substrat unter dem Element in einer –X-Richtung abgetastet wird, wird Flüssigkeit an der +X-Seite des endgültigen Elements zugeführt und an der –X-Seite aufgesaugt. 2 ist eine schematische Darstellung der Anordnung, wobei Flüssigkeit durch den Eingang IN zugeführt und an der anderen Seite des Elements durch den Ausgang OUT, der mit einer Unterdruckquelle verbunden ist, aufgesaugt wird. Bei der Darstellung von 2 wird die Flüssigkeit entlang der Bewegungsrichtung des Substrats relativ zum endgültigen Element zugeführt, obwohl dies nicht sein muss. Verschiedene Ausrichtungen und Anzahlen von um das endgültige Element angeordneten Ein- und Ausgängen sind möglich. Ein Beispiel ist in 3 dargestellt, wobei vier Satz eines Eingangs mit einem Ausgang an jeder Seite in einem gleichförmigen Muster um das endgültige Element vorgesehen sind.
  • Eine weitere Lösung, die vorgeschlagen worden ist, besteht darin, das Flüssigkeitszufuhrsystem mit einem Abdichtelement zu versehen, das entlang wenigstens eines Teils einer Grenze des Raumes zwischen dem endgültigen Element des Projektionssystems und dem Substrattisch verläuft. Das Abdichtelement ist im Wesentlichen stationär relativ zum Projektionssystem in der X-Y-Ebene, auch wenn es eine gewisse relative Bewegung in der Z-Richtung (der Richtung der optischen Achse) geben kann. Zwischen dem Abdichtelement und der Oberfläche des Substrats wird eine Abdichtung gebildet. Vorzugsweise ist die Abdichtung eine kontaktfreie Abdichtung, wie zum Beispiel eine Gasdichtung. Ein derartiges System ist beispielsweise in der Europäischen Patentanmeldung EP-A-1420 298 offenbart.
  • Weitere Arten von Abdichtelementen sind eindeutig möglich, einschließlich jener mit unterschiedlichen Anordnungen von Eingängen und Ausgängen und auch jener, die asymmetrisch sind.
  • Eine Schwierigkeit in der Immersionslithographie ist in der Existenz von Bläschen in der Immersionsflüssigkeit zu finden. Diese Bläschen können jede Größe aufweisen, jedoch haben Bläschen in der Größenordnung von einigen wenigen μm ein spezielles Problem dargestellt. Dies ist insbesondere dann der Fall, wenn die μm-Bläschen auf der Oberfläche des Substrats oder eines Sensors liegen, die mit einer Abbildung zu versehen ist, da die Bläschen in dieser Position einen maximalen Störeinfluss auf den Projektionsstrahl haben.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, den Effekt von Bläschen und/oder Partikeln in Immersionsflüssigkeit auf die Abbildungsqualität in der Immersionslithographie zu reduzieren.
  • Gemäß einem Aspekt ist eine lithographische Vorrichtung geschaffen, mit:
    • – einem Beleuchtungssystem zum Bereitstellen eines Projektionsstrahls aus Strahlung;
    • – einer Haltekonstruktion zum Halten von Musteraufbringungseinrichtungen, wobei die Musteraufbringungseinrichtungen dazu dienen, dem Projektionsstrahl in seinem Querschnitt ein Muster aufzuprägen;
    • – einem Substrattisch zum Halten eines Substrats;
    • – einem Projektionssystem zum Projizieren des gemusterten Strahls auf einen Zielabschnitt des Substrats;
    • – einer Immersionsflüssigkeit, die zumindest teilweise einen Raum zwischen dem Projektionssystem und dem Substrat und einem Flüssigkeitszufuhrsystem zum Zuführen der Immersionsflüssigkeit füllt; und mit
    • – einer Stromquelle zum Anlegen eines ersten elektrischen Feldes über die Immersionsflüssigkeit, die vom Flüssigkeitszufuhrsystem zugeführt worden ist, um Bläschen und/oder Partikel in der Immersionsflüssigkeit zu bewegen, wobei das erste elektrische Feld aufgebaut wird, indem ein erstes elektrisches Potential an ein erstes Objekt angelegt wird, und wobei der Raum derart ist, dass sich bei Benutzung die Immersionsflüssigkeit in direktem Kontakt mit dem Substrat befindet, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Objekt eine Einzelelektrode ist, die auf eine der folgenden Arten angeordnet ist: a) so, dass der Projektionsstrahl durch den Mittelpunkt des ersten Objekts verläuft; b) so, dass das erste elektrische Feld derart ist, dass es eine Kraft anlegt, die so ausgerichtet ist, dass sie Bläschen und/oder Partikel in der Immersionsflüssigkeit in dem Raum von einer optischen Achse des Projektionssystems weg bewegt, und dass das erste elektrische Feld nicht so stark ist, dass es eine Trennung der Immersionsflüssigkeit bewirkt; und c) das erste Objekt steht mit der Immersionsflüssigkeit in einem Zufuhrkanal oberhalb des Raums in Kontakt.
  • Es ist möglich, auf Bläschen in der Immersionsflüssigkeit eine Kraft in einer Richtung anzulegen, die entweder in Richtung hin zu dem ersten Objekt oder von diesem weg geht, da Bläschen in der Immersionsflüssigkeit ein natürliches elektrokinetisches Potential haben, das eine Potentialdifferenz zwischen der Oberfläche der Bläschen und der vollständig zerfallenen Ionenkonzentration in der Flüssigkeitsmenge ist. Indem ausgewählt wird, ob das erste elektrische Potential entweder die gleiche oder die entgegengesetzte Polarität wie das elektrokinetische Potential der Bläschen aufweist, kann somit festgestellt werden, ob sich das Bläschen zum ersten Objekt hinbewegt oder sich von diesem entfernt. Folglich kann dieses System dazu verwendet werden, Bläschen in der Immersionsflüssigkeit zu Stellen zu bewegen, bei denen ihr Effekt auf die Abbildungsqualität der Vorrichtung auf ein Minimum reduziert ist. Die vorliegende Erfindung wirkt auf kleine Partikel auf die gleiche Weise wie auf Bläschen.
  • Vorzugsweise bildet das erste Objekt eine Grenze zu dem Raum, so dass die Positionen der Bläschen in der Immersionsflüssigkeit in dem Raum gesteuert werden können. Alternativ dazu kann das erste Objekt mit der Immersionsflüssigkeit in einem Zufuhrkanal oberhalb des Raums in Kontakt stehen. Auf diese Weise kann verhindert werden, dass zu hohe elektrische Spannungsfelder in dem Raum erzeugt werden, was für Sensoren in dem Raum nachteilig oder was schwierig anzuordnen sein kann, da der Raum für Objekte unter dem Projektionssystem begrenzt ist.
  • Es ist vorteilhaft, eine zweite Einrichtung zum Anlegen eines zweiten elektrischen Potentials an ein zweites Objekt, das mit der Immersionsflüssigkeit in Kontakt steht, zu haben. Auf diese Weise kann die Kraft auf die Bläschen verstärkt werden, da das erste elektrische Potential zum Abstoßen der Bläschen eingesetzt werden könnte, während das zweite elektrische Potential zum Anziehen der Bläschen eingesetzt werden könnte, oder umgekehrt.
  • Bei einer Ausführungsform kann das zweite Objekt zum endgültigen Element des Projektionssystems werden, so dass Bläschen davon angezogen und damit vom Substrat wegbewegt werden können.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform bildet das erste Objekt noch eine Grenze des Raums, ist jedoch distal zu der optischen Achse der Vorrichtung angeordnet. Auf diese Weise können Bläschen von der optischen Achse der Vorrichtung wegbewegt werden, so dass die Flüssigkeit, durch die eine Abbildung tatsächlich stattfindet, im Wesentlichen bläschenfrei ist.
  • Festzustellen ist, dass die EP 0 834 773 A nur ein Immersionslithographiesystem offenbart (9), das kapazitive Spaltsensoren (GDL, GDR, GDC) aufweist, die, da die Sensoren einzeln steuerbar sind, insgesamt nicht als eine Einzelelektrode betrachtet werden können.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements geschaffen worden, das folgendes umfasst:
    • – Projizieren eines gemusterten Strahls aus Strahlung auf einen Zielabschnitt des Substrats unter Verwendung eines Projektionssystems;
    • – Bereitstellen einer Immersionsflüssigkeit von einem Flüssigkeitszufuhrsystem zu einem Zwischenraum zwischen dem Projektionssystem und dem Substrat, wobei sich die Immersionsflüssigkeit mit dem Substrat in direktem Kontakt befindet; und
    • – Anlegen einer Kraft an Bläschen und/oder Partikel in der durch das Flüssigkeitszufuhrsystem bereitgestellten Immersionsflüssigkeit, indem eine Ladung an ein Objekt angelegt wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Objekt eine Einzelelektrode ist, die auf eine der folgenden Arten angeordnet ist: a) so, dass der Projektionsstrahl durch den Mittelpunkt des Objekts verläuft; b) so, dass eine elektrische Kraft an Bläschen und/oder Partikel im Zwischenraum angelegt ist, die ausgerichtet ist, um die Bläschen und/oder Partikel von einer optischen Achse des Projektionssystems weg zu bewegen, und dass das erste elektrische Feld nicht so stark ist, dass es eine Trennung der Immersionsflüssigkeit bewirkt; und c) das Objekt steht in einem Zufuhrkanal (30) oberhalb des Zwischenraums mit der Immersionsflüssigkeit in Kontakt.
  • Obwohl in diesem Text speziell auf die Verwendung der erfindungsgemäßen Vorrichtung bei der Herstellung von integrierten Schaltungen hingewiesen werden kann, sollte klar sein, dass die hier beschriebene lithographische Vorrichtung weitere Anwendungsmöglichkeiten haben kann, wie zum Beispiel bei der Herstellung von integrierten optischen Systemen, Leit- und Erfassungsmustern für Magnetblasenspeicher, Flüssigkristall-Anzeigetafeln (LCDs), Dünnschicht-Magnetköpfen und dergleichen. Der Fachmann wird erkennen, dass im Kontext mit derartigen alternativen Anwendungsmöglichkeiten jede Benutzung der Begriffe „Wafer" oder „Die" in diesem Text jeweils durch die allgemeineren Begriffe „Substrat" bzw. „Zielabschnitt" ersetzt worden sind. Das Substrat, auf das hier Bezug genommen wird, kann vor oder nach der Belichtung in zum Beispiel einem Track (ein Tool, das gewöhnlich eine Resist-Schicht auf ein Substrat aufbringt und das belichtete Resist entwickelt) oder einem Metrologie- oder Inspektionstool bearbeitet werden. Sofern anwendbar, kann die vorliegende Offenbarung für dieses und weitere Substratbearbeitungstools verwendet werden. Ferner kann das Substrat mehr als einmal bearbeitet werden, beispielsweise um eine mehrschichtige integrierte Schaltung zu erzeugen, so dass der hier verwendete Begriff Substrat sich auch auf ein Substrat beziehen kann, das bereits mehrere bearbeitete Schichten enthält.
  • Die hierin verwendeten Begriffe „Strahlung" und „Strahl" umfassen alle Arten elektromagnetischer Strahlung, einschließlich ultravioletter (UV) Strahlung (z. B. mit einer Wellenlänge von 365, 248, 193, 157 bzw. 126 nm).
  • Der hier verwendete Begriff „Musteraufbringungseinrichtung" sollte so weit interpretiert werden, dass er sich auf eine Einrichtung bezieht, die dafür verwendet werden kann, einem Projektionsstrahl einen gemusterten Querschnitt gemäß einem Muster aufzuprägen, um so ein Muster in einem Zielabschnitt des Substrats zu erzeugen. Festzustellen ist, dass das auf den Projektionsstrahl aufgebrachte Muster einem ge wünschten Muster im Zielabschnitt des Substrats eventuell nicht genau entsprechen kann. Im allgemeinen entspricht das auf den Projektionsstrahl aufgebrachte Muster einer bestimmten Funktionsschicht in einem im Zielabschnitt erzeugten Bauelement, wie einer integrierten Schaltung.
  • Musteraufbringungseinrichtungen können lichtdurchlässig oder reflektierend sein. Beispiele von Musteraufbringungseinrichtungen umfassen Masken, programmierbare Spiegelfelder und programmierbare LCD-Tafeln. Masken sind in der Lithographie allgemein bekannt und umfassen binäre, wechselnde Phasenverschiebungs- und reduzierte Phasenverschiebungsmaskenarten sowie verschiedene Arten von Hybridmasken. Ein Beispiel eines programmierbaren Spiegelfeldes verwendet eine Matrixanordnung kleiner Spiegel, von denen jeder individuell geneigt werden kann, um einen eingehenden Strahl aus Strahlung in verschiedene Richtungen zu spiegeln; auf diese Weise wird der reflektierte Strahl gemustert. Bei jedem Beispiel einer Musteraufbringungseinrichtung kann die Haltekonstruktion beispielsweise ein Rahmen oder Tisch sein, der nach Wunsch fixiert oder beweglich sein kann und der sicherstellen kann, dass sich die Musteraufbringungseinrichtung in einer gewünschten Position befindet, zum Beispiel hinsichtlich des Projektionssystems. Jegliche Verwendung der Begriffe „Retikel" oder „Maske" kann hier als Synonym für den allgemeineren Begriff „Musteraufbringungseinrichtung" betrachtet werden.
  • Der hier verwendete Begriff „Projektionssystem" sollte so weit interpretiert werden, dass er verschiedene Arten von Projektionssystemen umfasst, die beispielsweise brechende Optiken, reflektierende Optiken, und katadioptrische Systeme umfassen, wie sie zum Beispiel für die verwendete Belichtungsstrahlung geeignet sind, oder für weitere Faktoren wie die Verwendung einer Immersionsflüssigkeit oder die Verwendung eines Vakuums. Jegliche Verwendung des Begriffes „Linse" kann hier als Synonym für den allgemeineren Begriff „Projektionssystem" betrachtet werden.
  • Das Beleuchtungssystem kann auch verschiedene Arten optischer Komponenten umfassen, einschließlich lichtbrechender Komponenten, reflektierender Komponen ten, und katadioptrischer Komponenten zum Leiten, Formen oder Steuern des Projektionsstrahls aus Strahlung, und derartige Komponenten können im nachfolgenden gemeinsam oder einzeln als eine „Linse" bezeichnet werden.
  • Die lithographische Vorrichtung kann derart sein, dass sie zwei (zweistufige) oder mehr Substrattische (und/oder zwei oder mehr Maskentische) aufweist. Bei derartigen „mehrstufigen" Maschinen können die zusätzlichen Tische parallel verwendet werden, bzw. es können an einem oder an mehreren Tischen vorbereitende Schritte durchgeführt werden, während ein oder mehrere weitere Tische für Belichtungen verwendet werden.
  • Ausführungsformen der Erfindung werden nun im Folgenden rein exemplarisch mit Bezug auf die begleitenden schematischen Zeichnungen beschrieben, wobei entsprechende Bezugszeichen entsprechende Teile anzeigen, und wobei:
  • 1 eine lithographische Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 2 eine Querschnittsansicht eines Flüssigkeitszufuhrsystems gemäß einer erfindungsgemäßen Ausführungsform darstellt;
  • 3 eine Draufsicht auf das Flüssigkeitszufuhrsystem von 2 darstellt;
  • 4 eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt; und
  • 5 eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
  • AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • 1 ist eine schematische Darstellung einer lithographischen Vorrichtung gemäß einer speziellen Ausführungsform der Erfindung. Die Vorrichtung umfasst:
    • • ein Beleuchtungssystem (Illuminator) IL zum Bereitstellen eines aus Strahlung (z. B. UV-Strahlung) bestehenden Projektionsstrahls PB;
    • • eine erste Haltekonstruktion (z. B. ein Maskentisch) MT zum Halten einer Musteraufbringungseinrichtung (z. B. eine Maske) MA, die mit einer ersten Positionierungseinrichtung PM zur genauen Positionierung der Musteraufbringungseinrichtung im Hinblick auf den Gegenstand PL verbunden ist;
    • • einen Substrattisch (z. B. einen Wafer-Tisch) WT zum Halten eines Substrats (z. B. ein mit einer Schutzschicht beschichteter Wafer) W, der mit einer zweiten Positioniereinrichtung zur genauen Positionierung des Substrats im Hinblick auf den Gegenstand PL verbunden ist; und
    • • ein Projektionssystem (z. B. eine brechende Projektionslinse) PL zum Abbilden eines auf den Projektionsstrahl PB aufgebrachten Musters durch die Musteraufbringungseinrichtung MA auf einen Zielabschnitt C (der einen oder mehrere Dies aufweist) des Substrats W.
  • Wie hier gezeigt, ist die Vorrichtung lichtdurchlässiger Art (d. h. sie verwendet eine durchlässige Maske). Alternativ kann die Vorrichtung auch reflektierender Art sein (d. h. sie verwendet ein programmierbares Spiegelfeld der vorstehend genannten Art).
  • Der Illuminator IL empfängt einen Strahl aus Strahlung von einer Strahlungsquelle LA. Die Quelle und die lithographische Vorrichtung können separate Einheiten sein, zum Beispiel wenn die Quelle ein Excimer-Laser ist. In derartigen Fällen ist die Quelle nicht als Teil der lithographischen Vorrichtung zu betrachten und der Strahlungsstrahl verläuft von der Quelle LA zum Illuminator IL mit Hilfe eines Strahlzuführsystems Ex, das zum Beispiel geeignete Leitungsspiegel und/oder einen Strahlexpander aufweist. In anderen Fällen kann die Quelle ein integraler Teil der Vorrichtung sein, zum Beispiel wenn die Quelle eine Quecksilberlampe ist. Die Quelle LA und der Illuminator IL können, auf Wunsch gemeinsam mit dem Strahlzuführsystem Ex, als Strahlungssystem bezeichnet werden.
  • Der Illuminator IL kann Anpassungseinrichtungen AM zum Anpassen der Winkelintensitätsverteilung des Strahls umfassen. Im allgemeinen kann wenigstens der äußere und/oder innere radiale Umfang (gewöhnlich jeweils als σ-innen und σ-außen bezeichnet) der Intensitätsverteilung in einer Pupillenebene des Illuminators angepasst werden. Darüber hinaus kann der Illuminator IL im allgemeinen verschiedene weitere Komponenten enthalten, wie einen Integrator IN und einen Kondensor CO. Der Illuminator stellt einen konditionierten Strahl aus Strahlung bereit, der als der Projektionsstrahl PB bezeichnet wird, der in seinem Querschnitt eine gewünschte Gleichförmigkeit und Intensitätsverteilung aufweist.
  • Der Projektionsstrahl PB fällt auf die Maske MA auf, die auf dem Maskentisch MT gehalten wird. Nachdem er die Maske MA durchquert hat, läuft der Strahl PB durch die Linse PL, die den Strahl auf einen Zielabschnitt C des Substrats W fokussiert. Mit Hilfe der zweiten Positioniereinrichtung PW und eines Positionssensors IF (z. B. einer interferometrischen Vorrichtung) kann der Substrattisch WT genau bewegt werden, zum Beispiel um unterschiedliche Zielabschnitte C im Weg des Strahls PB zu positionieren. Auf gleiche Weise kann die erste Positioniereinrichtung PM und ein weiterer Positionssensor (der in 1 nicht explizit dargestellt ist) verwendet werden, um die Maske MA im Hinblick auf den Weg des Strahls PB genau zu positionieren, zum Beispiel nachdem die Maske MA mechanisch von einer Maskenbibliothek geholt worden ist oder während einer Abtastung. Im allgemeinen wird die Bewegung der Objekttische MT, WT mit Hilfe eines langhubigen Moduls (Grobpositionierung) und eines kurzhubigen Moduls (Feinpositionierung) durchgeführt, die Teil der Positioniervorrichtungen PM und PW sind. Allerdings kann im Falle eines Steppers (im Gegensatz zu einem Scanner) der Maskentisch MT nur mit einem kurzhubigen Betätigungselement verbunden werden, oder er kann fixiert sein. Die Maske MA und das Substrat W können unter Verwendung von Maskenausrichtmarken M1, M2 und Substratausrichtmarken P1, P2 ausgerichtet werden.
  • Die gezeigte Vorrichtung kann auf folgende bevorzugte Betriebsarten eingesetzt werden:
    • 1) Im Step-Modus werden der Maskentisch MT und der Substrattisch WT im wesentlichen stationär gehalten, während ein ganzes auf den Projektionsstrahl aufgebrachtes Muster in einem Schritt (d. h. einer einzelnen statischen Belichtung) auf einen Zielabschnitt C projiziert wird. Der Substrattisch WT wird dann in X- und/oder Y-Richtung verschoben, so dass ein anderer Zielabschnitt C belichtet werden kann. Im Step-Modus ist die Größe des in einer einzigen statischen Belichtung mit einer Abbildung versehenen Zielabschnitts C durch die maximale Größe des Belichtungsfeldes begrenzt.
    • 2) Im Scan-Modus werden der Maskentisch MT und der Substrattisch WT synchron abgetastet, während ein auf den Projektionsstrahl aufgebrachtes Muster auf einen Zielabschnitt C projiziert wird (d. h. eine einzelne dynamische Belichtung). Geschwindigkeit und Richtung des Substrattisches WT relativ zum Maskentisch MT sind bestimmt durch die Verkleinerungs-/Vergrößerungs- und Bildumkehrcharakteristika des Projektionssystems PL. Im Scan-Modus ist die Breite (in Nichtabtastrichtung) des Zielabschnitts bei einer einzelnen dynamischen Belichtung durch die maximale Größe des Belichtungsfeldes begrenzt, wohingegen die Länge der Abtastbewegung die Höhe (in Abtastrichtung) des Zielabschnitts bestimmt.
    • 3) In einem weiteren Modus wird der Maskentisch MT im wesentlichen stationär gehalten und hält eine programmierbare Musteraufbringungseinrichtung, und der Substrattisch WT wird bewegt bzw. abgetastet, während ein auf den Projektionsstrahl aufgebrachtes Muster auf einen Zielabschnitt C projiziert wird. In diesem Modus wird im allgemeinen eine gepulste Strahlungsquelle verwendet, und die programmierbare Musteraufbringungseinrichtung wird nach Wunsch nach jeder Bewegung des Substrattisches WT oder zwischen sukzessiven Strahlungspulsen während einer Abtastung aktualisiert. Dieser Betriebsmodus kann leicht auf maskenlose Lithographie angewendet werden, bei der eine programmierbare Musteraufbringungseinrichtung, wie ein programmierbares Spiegelfeld der vorstehend erwähnten Art, verwendet wird.
  • Kombinationen und/oder Variationen der vorstehend beschriebenen Verwendungsmodi können ebenfalls angewendet werden.
  • Die vorliegende Erfindung ist auf jede Art von Flüssigkeitszufuhrsystem anwendbar. Das Zufuhrsystem kann zum Zuführen jeder Art von Immersionsflüssigkeit sein und kann jede Art von System zum Einschließen der Immersionsflüssigkeit zwischen dem Projektionssystem PL und dem Substrat W verwenden.
  • 4 stellt eine Art von Flüssigkeitseinschlusssystem dar, obwohl die Erfindung auf diese Ausführungsform nicht begrenzt ist. Beispielsweise könnte die vorliegende Erfindung auf die Flüssigkeitszufuhrsysteme von 2 und 3 angewendet werden.
  • Das Flüssigkeitszufuhrsystem von 4 enthält ein Barriereelement 10, das unter dem und um das endgültige Element 20 herum des Projektionssystems PL angeordnet ist. Die Flüssigkeit wird in den Raum 5 unterhalb des Projektionssystems und innerhalb des Barriereelements 10 gebracht. Das Barriereelement 10 verläuft vorzugsweise etwas oberhalb des endgültigen Elements des Projektionssystems PL. Optional kann eine Abdichteinrichtung zwischen dem Boden des Barriereelements 10 und dem Substrat W vorgesehen sein. Diese Abdichteinrichtung kann zum Beispiel eine Gasdichtung oder eine hydrostatische Dichtung sein. Das Barriereelement 10 kann von der Projektionslinse PL oder dem Basisrahmen der Vorrichtung oder auf jede andere Weise gehalten werden, die das Halten seines eigenen Gewichts auf dem Substrat W mit einschließt.
  • Immersionsflüssigkeit wird dem Raum zwischen dem Projektionssystem PL und dem Substrat W durch eine Leitung 30 zugeführt. Dann wird die Immersionsflüssigkeit aus dem Raum entfernt. Dieses Entfernen von Flüssigkeit ist nicht dargestellt, kann jedoch auf jede Weise erfolgen, zum Beispiel über eine Unterdruckquelle.
  • Mikrobläschen und kleine Partikel können in der Immersionsflüssigkeit vorhanden sein und können, sofern sie sich während der Abbildung nahe der Oberfläche des Substrats W befinden, die Qualität des projizierten Bildes und des daraus resultierenden Produkts negativ beeinflussen. Die vorliegende Erfindung befasst sich mit diesem Gesichtspunkt aufgrund der Entdeckung der Bergbauindustrie, dass kleine Festpartikel in einer Flüssigkeit an Bläschenoberflächen haften. Man hat festgestellt, dass elektrische Kräfte zwischen Bläschen in Mikrometergröße und den Festpartikeln eine wichtige Rolle bei der Adhäsion spielen. Man hat festgestellt, dass Bläschen in einer Flüssigkeit an ihrer Oberfläche ein elektrokinetisches (oder Zeta-) Potential aufweisen, was zu einer Potentialdifferenz zwischen der Oberfläche des Bläschens und der vollständig zerfallenen Ionenkonzentration in der Flüssigkeitsmenge führt. Dies ist gilt auch für kleine Partikel.
  • Bei der vorliegenden Erfindung wird eine Stromquelle bzw. Spannungsversorgung V (bzw. ein Generator oder ein Anschluss für Ladung, Spannung, elektrisches Feld oder Potentialdifferenz) verwendet, um ein elektrisches Potential an ein oder mehrere Objekte der Immersionsvorrichtung anzulegen. Das Arbeitsprinzip besteht darin, dass bei erforderlicher Abstoßung eine Potentialdifferenz zwischen der vollständig zerfallenen Ionenkonzentration der Flüssigkeit und dem Objekt erzeugt wird, die die gleiche Polarität aufweist wie die Potentialdifferenz zwischen der vollständig zerfallenen Ionenkonzentration in der Flüssigkeitsmenge und der Oberfläche des Bläschens. Wenn eine Anziehung zwischen dem Objekt und dem Bläschen erfordert ist, sollte die Potentialdifferenz die gleiche Polarität aufweisen. Auf diese Weise können auf den Bläschen Kräfte zu den Objekten (Elektroden), die mit der Immersionsflüssigkeit in Kontakt stehen, hin bzw. von diesen hinweg erzeugt werden.
  • In 4 ist an mehrere verschiedene Objekte ein Potential bzw. eine Ladung angelegt. Die vorliegende Erfindung arbeitet mit nur einem derartigen Objekt und auch mit jeder Kombination von Objekten, und es können in der Tat auch andere nicht dargestellte ebenfalls oder alternativ dazu verwendet werden.
  • Bei Reinwasser, dem vielversprechendsten Kandidaten für die Verwendung als eine Immersionsflüssigkeit bei einer Projektionsstrahlwellenlänge von 193 nm, ist festgestellt worden, dass das Oberflächenpotential von μm-Bläschen ca. –50 mV beträgt. Dieses Potential variiert mit der Bläschengröße und auch mit der Art der Immersionsflüssigkeit. Jedoch können die gleichen Prinzipien wie die hier beschriebenen für andere Immersionsflüssigkeiten und Bläschengrößen verwendet werden und die Erfindung ist auf diese voll anwendbar. Es können der Immersionsflüssigkeit Zusätze zugefügt werden, um den Effekt des Oberflächenpotentials zu ändern. CaCl2 und NaCl sind für diesen Zweck geeignete Kandidat-Zusätze.
  • In 4 sind sechs verschiedene Objekte dargestellt, an die ein Potential bzw. eine Spannung oder Ladung angelegt werden könnte. Vorzugsweise sind diese Objekte mit der Immersionsflüssigkeit in Kontakt, auch wenn dies im Prinzip nicht erforderlich ist. Eines dieser Objekte ist das Substrat W, das vorzugsweise die gleiche Polarität elektrischen Potentials erhalten hat, wie das elektrische Potential der Oberfläche der Bläschen. Auf diese Weise wirkt eine Kraft auf die Bläschen direkt vom Substrat W hinweg, so dass ihre Wirkung auf das projizierte Bild auf ein Minimum reduziert ist. In Kombination mit einem Negativpotential auf das Substrat W, oder durch sich selbst, kann das endgültige Element des Projektionssystems oder ein Objekt nahe dem endgültigen Element 20 des Projektionssystems PL ein Potential erhalten, dessen Polarität dem Potential der Oberfläche der Bläschen entgegengesetzt ist. Dadurch entsteht der Effekt, dass die Bläschen zum endgültigen Element 20 des Projektionssystems PL hinbewegt und dadurch vom Substrat W wegbewegt werden. Die Form des Objekts (z. B. Elektrode) dicht am endgültigen Element 20 des Projektionssystems PL könnte jede Form sein. Sie könnte plattenförmig oder rund sein, so dass der Projektionsstrahl PB durch den Mittelpunkt des Objekts hindurchläuft.
  • Alternativ könnten die Objekte, die zu laden sind oder an die eine Spannung anzulegen ist, an einer Oberfläche des Barriereelements 10 befestigt werden. In 4 sind diese Objekte an der Innenfläche des Barriereelements 10 befestigt. Wie dargestellt, befinden sich zwei Elektroden 12, 14 je an gegenüber liegenden Seiten des Barriereelements und weisen entgegengesetztes Potential auf. Auf diese Weise könnten die Bläschen zu einer der Elektroden 12, 14 gezogen werden, eventuell in die Richtung eines Immersionsflüssigkeitsausgangs. Alternativ können ein oder mehrere Objekte um die Innenseite des Abdichtelements 10 (in Kontakt mit der Immersionsflüssigkeit) vorgesehen sein, das/die ein Potential aufweist/aufweisen, dessen Polarität sich von der Polarität des Potentials der Oberfläche der Bläschen unterscheidet. Auf diese Weise werden Bläschen in der Immersionsflüssigkeit im Raum 5 zwischen dem endgültigen Element 20 des Projektionssystems PL und dem Substrat W von der optischen Achse der Vorrichtung weggezogen, wodurch der Weg des Projektionsstrahls PB zum Substrat W im Wesentlichen nicht von Bläschen behindert wird.
  • Eine weitere Stelle für die Verwendung der vorliegenden Erfindung befindet sich oberhalb des Raums 5 zwischen dem endgültigen Element 20 des Projektionssystems PL und dem Substrat W im Flüssigkeitszufuhrsystem. In diesem Fall erzeugen, während die Immersionsflüssigkeit durch Leitungen 30 und durch ein Gehäuse 40 strömt, entgegengesetzt geladene und gegenüberliegende Platten (z. B. Elektroden) 42, 44 eine Kraft auf die Bläschen, die wirkt, um dann, wenn sich die Immersionsflüssigkeit im Raum 5 befindet, die Bläschen vom Substrat W weiter wegzubewegen, als es der Fall wäre, wenn das elektrische Feld nicht oberhalb des Raums 5 angelegt ist. Die Immersionsflüssigkeit mit einer hohen Bläschendichte, d. h. nahe der Elektrode 44, könnte sogar entfernt und dem Raum 5 nicht zugeführt werden. Die entfernte Flüssigkeit könnte einem Bläschenentfernungsverfahren ausgesetzt werden, bevor sie in das Flüssigkeitszufuhrsystem zurückgeführt wird.
  • Bei allen vorstehenden Beispielen gilt: je höher die durch den Spannungsgenerator V angelegte Spannung ist, umso größer ist die Kraft auf die Bläschen. Das Potential auf die Objekte sollte nicht so stark sein, dass eine Trennung der Immersionsflüssigkeit hervorgerufen wird, sollte jedoch stark genug sein, eine derartige Kraft auf die Bläschen auszuüben, dass die vorliegende Erfindung effektiv ist. Bei einer Immersionsflüssigkeit, die hauptsächlich aus Wasser besteht, betragen typische Potentialdifferenzen, die an die Objekte angelegt werden, 5 mV bis 5 V, vorzugsweise 10 mV bis 500 mV. Ein elektrisches Feld von 5 mV/mm bis 500 mV/mm aufgrund der Anwendung des Potentials wird vorgezogen.
  • In 5 ist eine zweite Stromquelle/Spannungsversorgung/ein Generator oder ein Anschluss für Ladung/Spannung/ein elektrisches Feld oder eine Potentialdifferenz V2 vorgesehen. Die zweite Stromquelle V2 liefert oder erzeugt ein zweites elektrisches Potential, dessen Polarität dem elektrischen Potential entgegengesetzt ist, das durch die Stromquelle V geliefert oder erzeugt wird. Das zweite elektrische Potential kann die gleiche Polarität aufweisen, wie das elektrokinetische Potential einer Oberfläche der Bläschen und/oder Partikel in der Immersionsflüssigkeit. Auch wenn die Stromquelle V gezeigt ist, wie sie das elektrische Potential an Objekte 12, 20, 42, 44 anlegt, und die zweite Stromquelle V2 gezeigt ist, wie sie das zweite elektrische Potential an Objekte W, 14 anlegt, ist festzustellen, dass die erste und die zweite Stromquelle V, V2 elektrische Potentiale in jeglicher Kombination an die Objekte anlegen können.
  • Obwohl spezielle Ausführungsformen der Erfindung vorstehend beschrieben worden sind, ist festzustellen, dass die Erfindung auch anders als beschrieben durchgeführt werden kann. Die Beschreibung soll die Erfindung nicht eingrenzen. Die Erfindung ist durch die Ansprüche definiert.

Claims (20)

  1. Lithographische Vorrichtung, mit: – einem Beleuchtungssystem (IL) zum Bereitstellen eines Projektionsstrahls (PB) aus Strahlung; – einer Haltekonstruktion (MT) zum Halten einer Musteraufbringungseinrichtung (MA), wobei die Musteraufbringungseinrichtung (MA) dazu dient, den Projektionsstrahl (PB) in seinem Querschnitt mit einem Muster zu versehen; – einem Substrattisch (WT) zum Halten eines Substrats (W); – einem Projektionssystem (PL) zum Projizieren des gemusterten Strahls auf einen Zielabschnitt des Substrats (W); – einer Immersionsflüssigkeit zum Füllen eines Zwischenraums (5) zwischen dem Projektionssystem (PL) und dem Substrat (W) zumindest teilweise, wobei der Zwischenraum (5) derart ist, dass sich bei Benutzung die Immersionsflüssigkeit in direktem Kontakt mit dem Substrat befindet, und einem Flüssigkeitszufuhrsystem zum Zuführen der Immersionsflüssigkeit; dadurch gekennzeichnet, dass die lithographische Vorrichtung umfasst: – eine Stromquelle (V), die angeordnet ist, um eine erste elektrische Spannung an ein erstes Objekt derart anzulegen, dass ein erstes elektrisches Feld durch die vom Flüssigkeitszufuhrsystem zugeführte Immersionsflüssigkeit aufgebaut wird, um Blasen und/oder Partikel in der Immersionsflüssigkeit zu bewegen, wobei das erste Objekt eine Einzelelektrode ist, die auf eine der folgenden Arten angeordnet ist: a) so, dass der Projektionsstrahl (PB) durch den Mittelpunkt des ersten Objekts verläuft; b) so, dass das erste elektrische Feld derart ist, dass es eine Kraft anlegt, die ausgerichtet ist, um Blasen und/oder Partikel in der Immersionsflüssigkeit in dem Zwischenraum (5) von einer optischen Achse des Projektionssystems (PL) weg zu bewegen, und dass das erste elektrische Feld nicht so stark ist, dass es eine Trennung der Immersionsflüssigkeit bewirkt; und c) das erste Objekt steht in einem Zufuhrkanal oberhalb des Zwischenraums mit der Immersionsflüssigkeit in Kontakt.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei das erste Objekt mit der Immersionsflüssigkeit in Kontakt steht.
  3. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das erste elektrische Feld wirkt, um eine Kraft auf Blasen und/oder Partikel in der Immersionsflüssigkeit in eine Richtung weg vom Substrat (W) auszuüben.
  4. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner mit einer zweiten Einrichtung zum Anlegen eines zweiten elektrischen Feldes über die Immersionsflüssigkeit.
  5. Vorrichtung nach Anspruch 4, wobei die Polarität des ersten elektrischen Feldes der des zweiten elektrischen Feldes entgegengesetzt ist.
  6. Vorrichtung nach Anspruch 4 oder 5, wobei das zweite elektrische Feld über die Immersionsflüssigkeit im Zwischenraum (5) angelegt wird.
  7. Vorrichtung nach Anspruch 4, 5 oder 6, wobei das zweite elektrische Feld über die Immersionsflüssigkeit außerhalb des Zwischenraums (5) angelegt wird.
  8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 4 bis 7, wobei das zweite elektrische Feld an ein zweites Objekt angelegt wird.
  9. Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei das zweite Objekt eine Grenze zum Zwischenraum (5) bildet.
  10. Vorrichtung nach Anspruch 8 oder 9, wobei das zweite Objekt mit der Immersionsflüssigkeit in einem Zufuhrkanal (30) oberhalb des Zwischenraums (5) in Kontakt steht.
  11. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das erste elektrische Feld wirkt, um eine Kraft auf Blasen und/oder Partikel in der Immersionsflüssigkeit in eine derartige Richtung auszuüben, dass die Blasen und/oder Partikel, dann, wenn sie sich im Zwischenraum (5) befinden, weiter vom Substrat (W) entfernt sein werden, wie wenn kein elektrisches Feld angelegt wurde.
  12. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste elektrische Spannung zwischen ±5 mV und ±5 V, vorzugsweise zwischen 10 mV und 500 mV, liegt.
  13. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste elektrische Spannung wirkt, um ein elektrisches Feld auf bis zu 500 mV/mm aufzubauen.
  14. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei sich die Polarität der ersten elektrischen Spannung von der Polarität der elektrokinetischen Spannung der Oberfläche von Blasen und/oder Partikeln in der Immersionsflüssigkeit unterscheidet.
  15. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 4 bis 14, wenn sie von Anspruch 4 abhängen, wobei die Polarität der zweiten elektrischen Spannung der Polarität der elektrokinetischen Spannung von Blasen und/oder Partikeln in der Immersionsflüssigkeit gleich ist.
  16. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 15, wobei das erste Objekt auf der optischen Achse der Vorrichtung liegt.
  17. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 16, wobei das erste Objekt eine Grenze des Zwischenraums (5) bildet und distal von der optischen Achse der Vorrichtung angeordnet ist.
  18. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 17, wobei das erste Objekt auf einem Barriereelement (10) angeordnet ist, das sich entlang wenigstens eines Teils der Grenze des Zwischenraums (5) erstreckt.
  19. Verfahren zur Herstellung eines Bauelements, das folgendes umfasst: – Projizieren eines gemusterten Strahls aus Strahlung auf einen Zielabschnitt des Substrats (W) unter Verwendung eines Projektionssystems (PL); – Bereitstellen einer Immersionsflüssigkeit von einem Flüssigkeitszufuhrsystem zu einem Zwischenraum (5) zwischen dem Projektionssystem (PL) und dem Substrat (W), wobei sich die Immersionsflüssigkeit mit dem Substrat in direktem Kontakt befindet; gekennzeichnet durch: – Anlegen einer Kraft an Blasen und/oder Partikel in der durch das Flüssigkeitszufuhrsystem zugeführten Immersionsflüssigkeit, indem eine Ladung an ein Objekt angelegt wird, wobei das Objekt eine Einzelelektrode ist, die auf eine der folgenden Arten angeordnet ist: d) so, dass der Projektionsstrahl (PB) durch den Mittelpunkt des Objekts verläuft; e) so, dass eine elektrische Kraft an Blasen und/oder Partikel im Zwischenraum (5) angelegt ist, die ausgerichtet ist, um die Blasen und/oder Partikel von einer optischen Achse des Projektionssystems (PL) weg zu bewegen, und dass das erste elektrische Feld nicht so stark ist, dass es eine Trennung der Immersionsflüssigkeit bewirkt; und f) das Objekt steht in einem Zufuhrkanal (30) oberhalb des Zwischenraums (5) mit der Immersionsflüssigkeit in Kontakt.
  20. Verfahren nach Anspruch 19, wobei das Objekt eine Grenze des Zwischenraums bildet.
DE602005002155T 2004-02-09 2005-02-08 Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung Active DE602005002155T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US773461 2004-02-09
US10/773,461 US7050146B2 (en) 2004-02-09 2004-02-09 Lithographic apparatus and device manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE602005002155D1 DE602005002155D1 (de) 2007-10-11
DE602005002155T2 true DE602005002155T2 (de) 2008-10-30

Family

ID=34679392

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE602005002155T Active DE602005002155T2 (de) 2004-02-09 2005-02-08 Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung

Country Status (8)

Country Link
US (2) US7050146B2 (de)
EP (1) EP1562080B1 (de)
JP (3) JP4444135B2 (de)
KR (1) KR100665383B1 (de)
CN (1) CN100504610C (de)
DE (1) DE602005002155T2 (de)
SG (1) SG114712A1 (de)
TW (1) TWI266948B (de)

Families Citing this family (142)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110081B2 (en) * 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3977324B2 (ja) * 2002-11-12 2007-09-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置
CN101713932B (zh) * 2002-11-12 2012-09-26 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
JP4352874B2 (ja) * 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
KR20180126102A (ko) * 2003-02-26 2018-11-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
KR101345474B1 (ko) * 2003-03-25 2013-12-27 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
ATE426914T1 (de) * 2003-04-07 2009-04-15 Nikon Corp Belichtungsgerat und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
KR20110104084A (ko) 2003-04-09 2011-09-21 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
JP4656057B2 (ja) * 2003-04-10 2011-03-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子
EP1611482B1 (de) * 2003-04-10 2015-06-03 Nikon Corporation Flüssigkeitsabfluss für verwendung in einer immersionslithographievorrichtung
EP1611486B1 (de) 2003-04-10 2016-03-16 Nikon Corporation Umweltsystem mit einer transportregion für eine immersionslithographievorrichtung
WO2004090634A2 (en) * 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation Environmental system including vaccum scavange for an immersion lithography apparatus
SG139736A1 (en) 2003-04-11 2008-02-29 Nikon Corp Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly
WO2004092830A2 (en) * 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
SG2013077797A (en) 2003-04-11 2017-02-27 Nippon Kogaku Kk Cleanup method for optics in immersion lithography
KR101369582B1 (ko) 2003-04-17 2014-03-04 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피에서 이용하기 위한 오토포커스 소자의 광학적 배열
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100437358C (zh) * 2003-05-15 2008-11-26 株式会社尼康 曝光装置及器件制造方法
TW201806001A (zh) 2003-05-23 2018-02-16 尼康股份有限公司 曝光裝置及元件製造方法
TWI470671B (zh) 2003-05-23 2015-01-21 尼康股份有限公司 Exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
KR20110110320A (ko) * 2003-05-28 2011-10-06 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1486827B1 (de) * 2003-06-11 2011-11-02 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US7317504B2 (en) * 2004-04-08 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101290021B1 (ko) 2003-06-13 2013-07-30 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
KR101931923B1 (ko) 2003-06-19 2018-12-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
JP2007527615A (ja) * 2003-07-01 2007-09-27 株式会社ニコン 同位体特定流体の光学素子としての使用方法
EP2466382B1 (de) * 2003-07-08 2014-11-26 Nikon Corporation Wafertisch für die Immersionslithografie
WO2005006415A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP1643543B1 (de) * 2003-07-09 2010-11-24 Nikon Corporation Belichtungsvorrichtung und verfahren zur bauelementherstellung
KR101296501B1 (ko) 2003-07-09 2013-08-13 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7738074B2 (en) 2003-07-16 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1500982A1 (de) 2003-07-24 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
JP4524669B2 (ja) 2003-07-25 2010-08-18 株式会社ニコン 投影光学系の検査方法および検査装置
CN102043350B (zh) 2003-07-28 2014-01-29 株式会社尼康 曝光装置、器件制造方法、及曝光装置的控制方法
EP1503244A1 (de) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Projektionsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG133590A1 (en) 2003-08-26 2007-07-30 Nikon Corp Optical element and exposure device
US8149381B2 (en) 2003-08-26 2012-04-03 Nikon Corporation Optical element and exposure apparatus
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101303536B (zh) * 2003-08-29 2011-02-09 株式会社尼康 曝光装置和器件加工方法
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261740B1 (de) 2003-08-29 2014-07-09 ASML Netherlands BV Lithographischer Apparat
EP3223074A1 (de) 2003-09-03 2017-09-27 Nikon Corporation Vorrichtung und verfahren für immersionslithographie zur rückgewinnung eines fluids
JP4444920B2 (ja) * 2003-09-19 2010-03-31 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR101248325B1 (ko) * 2003-09-26 2013-03-27 가부시키가이샤 니콘 투영노광장치 및 투영노광장치의 세정방법, 메인터넌스방법 그리고 디바이스의 제조방법
EP2312395B1 (de) * 2003-09-29 2015-05-13 Nikon Corporation Belichtungsapparat, Belichtungsverfahren und Verfahren zur Herstellung eines Bauteils
EP1672681B8 (de) 2003-10-08 2011-09-21 Miyagi Nikon Precision Co., Ltd. Belichtungsgerät, substrattrageverfahren, belichtungsverfahren und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
EP1672682A4 (de) 2003-10-08 2008-10-15 Zao Nikon Co Ltd Substrat-transport-vorrichtung und -verfahren, belichtungs-vorrichtung und -verfahren und bauelementherstellungsverfahren
JP2005136364A (ja) * 2003-10-08 2005-05-26 Zao Nikon Co Ltd 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
TWI598934B (zh) 2003-10-09 2017-09-11 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
KR101712297B1 (ko) 2003-10-22 2017-03-13 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법, 디바이스의 제조 방법
US7411653B2 (en) * 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP4295712B2 (ja) 2003-11-14 2009-07-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及び装置製造方法
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20170107102A (ko) 2003-12-03 2017-09-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 그리고 광학 부품
US20070081133A1 (en) * 2004-12-14 2007-04-12 Niikon Corporation Projection exposure apparatus and stage unit, and exposure method
EP1699073B1 (de) 2003-12-15 2010-12-08 Nikon Corporation Bühnensystem, belichtungsvorrichtung und belichtungsverfahren
JPWO2005057635A1 (ja) * 2003-12-15 2007-07-05 株式会社ニコン 投影露光装置及びステージ装置、並びに露光方法
US7394521B2 (en) * 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7589818B2 (en) * 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
JP4843503B2 (ja) * 2004-01-20 2011-12-21 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101227211B1 (ko) 2004-02-03 2013-01-28 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101250155B1 (ko) 2004-03-25 2013-04-05 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7034917B2 (en) * 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8054448B2 (en) * 2004-05-04 2011-11-08 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) * 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101368523B1 (ko) 2004-06-04 2014-02-27 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 광학적 결상 시스템의 결상 품질을 측정하기 위한 시스템
CN101819386B (zh) 2004-06-09 2013-10-09 尼康股份有限公司 曝光装置及元件制造方法
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1780772B1 (de) 2004-07-12 2009-09-02 Nikon Corporation Belichtungsgerät und bauelemente-herstellungsverfahren
US7248332B2 (en) * 2004-07-13 2007-07-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7304715B2 (en) 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20070048164A (ko) * 2004-08-18 2007-05-08 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7701550B2 (en) * 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7385670B2 (en) * 2004-10-05 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, cleaning system and cleaning method for in situ removing contamination from a component in a lithographic apparatus
JP4961709B2 (ja) * 2004-10-13 2012-06-27 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US7397533B2 (en) 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7403261B2 (en) * 2004-12-15 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7880860B2 (en) 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE602006012746D1 (de) 2005-01-14 2010-04-22 Asml Netherlands Bv Lithografische Vorrichtung und Herstellungsverfahren
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US20090262316A1 (en) * 2005-01-31 2009-10-22 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US7282701B2 (en) * 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
JP2006269940A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Canon Inc 露光装置及び露光方法
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006122578A1 (en) * 2005-05-17 2006-11-23 Freescale Semiconductor, Inc. Contaminant removal apparatus and method therefor
US20070085989A1 (en) * 2005-06-21 2007-04-19 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, maintenance method, and device manufacturing method
US7357768B2 (en) * 2005-09-22 2008-04-15 William Marshall Recliner exerciser
JP2007103658A (ja) * 2005-10-04 2007-04-19 Canon Inc 露光方法および装置ならびにデバイス製造方法
US7986395B2 (en) * 2005-10-24 2011-07-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography apparatus and methods
KR100724082B1 (ko) 2005-11-18 2007-06-04 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 메가소닉 담금 리소그래피 노광 장치 및 방법
US8125610B2 (en) * 2005-12-02 2012-02-28 ASML Metherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus
US20070124987A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-07 Brown Jeffrey K Electronic pest control apparatus
KR100768849B1 (ko) * 2005-12-06 2007-10-22 엘지전자 주식회사 계통 연계형 연료전지 시스템의 전원공급장치 및 방법
US7839483B2 (en) * 2005-12-28 2010-11-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a control system
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101236426B1 (ko) * 2006-02-14 2013-02-22 삼성디스플레이 주식회사 잉크젯 프린트헤드 및 그 기포제거방법
US7893047B2 (en) * 2006-03-03 2011-02-22 Arch Chemicals, Inc. Biocide composition comprising pyrithione and pyrrole derivatives
DE102006021797A1 (de) 2006-05-09 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung
US7969548B2 (en) * 2006-05-22 2011-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method
US8564759B2 (en) 2006-06-29 2013-10-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
JP5029611B2 (ja) * 2006-09-08 2012-09-19 株式会社ニコン クリーニング用部材、クリーニング方法、露光装置、並びにデバイス製造方法
WO2008053918A1 (fr) * 2006-10-31 2008-05-08 Nikon Corporation Appareil de maintien de liquide, procédé de maintien de liquide, appareil d'exposition, procédé d'exposition et procédé de fabrication du dispositif
US7800731B2 (en) * 2006-11-03 2010-09-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for removing particles in immersion lithography
US8817226B2 (en) 2007-02-15 2014-08-26 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography
US8654305B2 (en) 2007-02-15 2014-02-18 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography
US20080204687A1 (en) * 2007-02-23 2008-08-28 Nikon Corporation Exposing method, exposure apparatus, device fabricating method, and substrate for immersion exposure
US8237911B2 (en) 2007-03-15 2012-08-07 Nikon Corporation Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine
JP5055549B2 (ja) * 2007-03-22 2012-10-24 国立大学法人宇都宮大学 液浸露光装置
US8947629B2 (en) 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US7866330B2 (en) 2007-05-04 2011-01-11 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8011377B2 (en) 2007-05-04 2011-09-06 Asml Netherlands B.V. Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method
US9013672B2 (en) * 2007-05-04 2015-04-21 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US20090025753A1 (en) * 2007-07-24 2009-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic Apparatus And Contamination Removal Or Prevention Method
US7916269B2 (en) 2007-07-24 2011-03-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and contamination removal or prevention method
NL1035942A1 (nl) * 2007-09-27 2009-03-30 Asml Netherlands Bv Lithographic Apparatus and Method of Cleaning a Lithographic Apparatus.
SG151198A1 (en) * 2007-09-27 2009-04-30 Asml Netherlands Bv Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus
JP5017232B2 (ja) * 2007-10-31 2012-09-05 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. クリーニング装置および液浸リソグラフィ装置
NL1036187A1 (nl) * 2007-12-03 2009-06-04 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL1036211A1 (nl) * 2007-12-03 2009-06-04 Asml Netherlands Bv Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method.
NL1036273A1 (nl) * 2007-12-18 2009-06-19 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method of cleaning a surface of an immersion lithographic apparatus.
NL1036306A1 (nl) * 2007-12-20 2009-06-23 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and in-line cleaning apparatus.
US8339572B2 (en) 2008-01-25 2012-12-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101448152B1 (ko) * 2008-03-26 2014-10-07 삼성전자주식회사 수직 포토게이트를 구비한 거리측정 센서 및 그를 구비한입체 컬러 이미지 센서
JP5097166B2 (ja) 2008-05-28 2012-12-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及び装置の動作方法
GB2470049B (en) 2009-05-07 2011-03-23 Zeiss Carl Smt Ag Optical imaging with reduced immersion liquid evaporation effects
US8946514B2 (en) * 2009-12-28 2015-02-03 E.I. Du Pont De Nemours And Company Sorghum fertility restorer genotypes and methods of marker-assisted selection
EP2381310B1 (de) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Flüssigkeitshandhabungsstruktur und lithographischer Apparat
CN104238274B (zh) * 2013-06-19 2016-12-28 上海微电子装备有限公司 浸没式光刻机浸没流场维持装置及方法
CN104808326B (zh) * 2014-01-25 2017-10-24 清华大学 一种光学显微镜的辅助装置
CN104808325B (zh) * 2014-01-25 2017-10-24 清华大学 一种通过光学显微镜观测纳米结构的方法
JP6456238B2 (ja) 2015-05-14 2019-01-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (147)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE206607C (de)
DE224448C (de)
DE242880C (de)
DE221563C (de)
US3527684A (en) * 1967-03-13 1970-09-08 Eastman Kodak Co Method of increasing contrast in electrophoretic reproduction
GB1242527A (en) 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US3573975A (en) 1968-07-10 1971-04-06 Ibm Photochemical fabrication process
DE2424091C3 (de) * 1974-05-17 1980-11-27 Sachs Systemtechnik Gmbh, 8720 Schweinfurt Verfahren zur anodischen Oxidation organischer Belastungsstoffe im Wasser in einer Wirbelschicht aus leitfähigem Adsorbens
ATE1462T1 (de) 1979-07-27 1982-08-15 Werner W. Dr. Tabarelli Optisches lithographieverfahren und einrichtung zum kopieren eines musters auf eine halbleiterscheibe.
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
JPS5754317A (en) 1980-09-19 1982-03-31 Hitachi Ltd Method and device for forming pattern
US4509852A (en) 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4390273A (en) 1981-02-17 1983-06-28 Censor Patent-Und Versuchsanstalt Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
DD206607A1 (de) 1982-06-16 1984-02-01 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten
DD242880A1 (de) 1983-01-31 1987-02-11 Kuch Karl Heinz Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD221263A1 (de) 1983-11-01 1985-04-17 Zeiss Jena Veb Carl Anordnung zur beobachtung einer dosenlibelle fuer nivellierinstrumente
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
US4569739A (en) * 1984-12-31 1986-02-11 Dorr-Oliver Incorporated Electrofilter using an improved electrode assembly
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS6265326U (de) 1985-10-16 1987-04-23
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPS62121417U (de) 1986-01-24 1987-08-01
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JPS63157419U (de) 1987-03-31 1988-10-14
US5040020A (en) 1988-03-31 1991-08-13 Cornell Research Foundation, Inc. Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography
US5289001A (en) * 1989-08-07 1994-02-22 Hitachi, Ltd. Laser beam scanning apparatus having a variable focal distance device and the variable focal distance device for use in the apparatus
JPH03209479A (ja) 1989-09-06 1991-09-12 Sanee Giken Kk 露光方法
JP2507153B2 (ja) * 1990-07-31 1996-06-12 松下電器産業株式会社 有機デバイスとその製造方法
US5121256A (en) 1991-03-14 1992-06-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lithography system employing a solid immersion lens
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
JP3319016B2 (ja) 1993-03-11 2002-08-26 石川島播磨重工業株式会社 気泡除去装置
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US5800690A (en) * 1996-07-03 1998-09-01 Caliper Technologies Corporation Variable control of electroosmotic and/or electrophoretic forces within a fluid-containing structure via electrical forces
US6104687A (en) 1996-08-26 2000-08-15 Digital Papyrus Corporation Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction
JP2834097B2 (ja) 1996-09-03 1998-12-09 山口日本電気株式会社 レチクル洗浄装置
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
US5900354A (en) 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
JP3620223B2 (ja) * 1997-07-07 2005-02-16 富士ゼロックス株式会社 画像記録方法および画像記録装置
AU1175799A (en) 1997-11-21 1999-06-15 Nikon Corporation Projection aligner and projection exposure method
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
EP1039511A4 (de) 1997-12-12 2005-03-02 Nikon Corp Verfahren zur projektionsbelichtung und projektionsausrichteinrichtung
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
JP2000162761A (ja) 1998-09-22 2000-06-16 Mitsui Chemicals Inc ペリクル、その製法及び露光方法
TWI242111B (en) 1999-04-19 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
JP2000323396A (ja) 1999-05-13 2000-11-24 Canon Inc 露光方法、露光装置、およびデイバイス製造方法
JP4504479B2 (ja) 1999-09-21 2010-07-14 オリンパス株式会社 顕微鏡用液浸対物レンズ
US6967324B2 (en) * 2000-02-17 2005-11-22 Agilent Technologies, Inc. Micro matrix ion generator for analyzers
JP2001272604A (ja) 2000-03-27 2001-10-05 Olympus Optical Co Ltd 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置
TW591653B (en) 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
KR100866818B1 (ko) 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
WO2002091078A1 (en) 2001-05-07 2002-11-14 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus employing an index matching medium
US7101465B2 (en) * 2001-06-18 2006-09-05 Ebara Corporation Electrolytic processing device and substrate processing apparatus
US6600547B2 (en) 2001-09-24 2003-07-29 Nikon Corporation Sliding seal
EP1446703A2 (de) 2001-11-07 2004-08-18 Applied Materials, Inc. Matrixbelichtungsgerät
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
DE10229818A1 (de) 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
US6913871B2 (en) * 2002-07-23 2005-07-05 Intel Corporation Fabricating sub-resolution structures in planar lightwave devices
TWI242691B (en) 2002-08-23 2005-11-01 Nikon Corp Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US6788477B2 (en) 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
CN101713932B (zh) 2002-11-12 2012-09-26 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
CN101349876B (zh) 2002-11-12 2010-12-01 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
JP3977324B2 (ja) 2002-11-12 2007-09-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG131766A1 (en) 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI255971B (en) 2002-11-29 2006-06-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101139266B1 (ko) 2002-12-03 2012-05-15 가부시키가이샤 니콘 오염 물질 제거 방법 및 장치, 그리고 노광 방법 및 장치
DE10258718A1 (de) 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
EP1571698A4 (de) 2002-12-10 2006-06-21 Nikon Corp Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und verfahren zur herstellung von bauelementen
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
US6992750B2 (en) 2002-12-10 2006-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
SG2011031200A (en) 2002-12-10 2014-09-26 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus and device manufacturing method
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
AU2003302831A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing device
KR101157002B1 (ko) 2002-12-10 2012-06-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
SG150388A1 (en) 2002-12-10 2009-03-30 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
KR20050085026A (ko) 2002-12-10 2005-08-29 가부시키가이샤 니콘 광학 소자 및 그 광학 소자를 사용한 투영 노광 장치
WO2004053957A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法
WO2004053950A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP1571694A4 (de) 2002-12-10 2008-10-15 Nikon Corp EXPOSITIONSGERûT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAF R
WO2004055803A1 (en) 2002-12-13 2004-07-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer
ATE335272T1 (de) 2002-12-19 2006-08-15 Koninkl Philips Electronics Nv Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts
USRE46433E1 (en) 2002-12-19 2017-06-13 Asml Netherlands B.V. Method and device for irradiating spots on a layer
US6781670B2 (en) 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
SG2013077797A (en) 2003-04-11 2017-02-27 Nippon Kogaku Kk Cleanup method for optics in immersion lithography
TW201806001A (zh) 2003-05-23 2018-02-16 尼康股份有限公司 曝光裝置及元件製造方法
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317504B2 (en) 2004-04-08 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1486827B1 (de) 2003-06-11 2011-11-02 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
EP1491956B1 (de) * 2003-06-27 2006-09-06 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
EP1494074A1 (de) * 2003-06-30 2005-01-05 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US7006209B2 (en) * 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7326522B2 (en) 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
US7061578B2 (en) * 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
JP2005072404A (ja) 2003-08-27 2005-03-17 Sony Corp 露光装置および半導体装置の製造方法
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
JP4305095B2 (ja) 2003-08-29 2009-07-29 株式会社ニコン 光学部品の洗浄機構を搭載した液浸投影露光装置及び液浸光学部品洗浄方法
US7014966B2 (en) * 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
KR101248325B1 (ko) 2003-09-26 2013-03-27 가부시키가이샤 니콘 투영노광장치 및 투영노광장치의 세정방법, 메인터넌스방법 그리고 디바이스의 제조방법
EP1672682A4 (de) 2003-10-08 2008-10-15 Zao Nikon Co Ltd Substrat-transport-vorrichtung und -verfahren, belichtungs-vorrichtung und -verfahren und bauelementherstellungsverfahren
JP4295712B2 (ja) 2003-11-14 2009-07-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及び装置製造方法
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005064409A2 (en) 2003-12-23 2005-07-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Removable pellicle for immersion lithography
US7589818B2 (en) 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7557900B2 (en) 2004-02-10 2009-07-07 Nikon Corporation Exposure apparatus, device manufacturing method, maintenance method, and exposure method
US7091502B2 (en) 2004-05-12 2006-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
CN101819386B (zh) 2004-06-09 2013-10-09 尼康股份有限公司 曝光装置及元件制造方法
US8698998B2 (en) 2004-06-21 2014-04-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for cleaning member thereof, maintenance method for exposure apparatus, maintenance device, and method for producing device
DE102004033208B4 (de) 2004-07-09 2010-04-01 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Vorrichtung zur Inspektion eines mikroskopischen Bauteils mit einem Immersionsobjektiv
US7307263B2 (en) 2004-07-14 2007-12-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, radiation system, contaminant trap, device manufacturing method, and method for trapping contaminants in a contaminant trap
US7224427B2 (en) 2004-08-03 2007-05-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Megasonic immersion lithography exposure apparatus and method
JP4772306B2 (ja) 2004-09-06 2011-09-14 株式会社東芝 液浸光学装置及び洗浄方法
US7385670B2 (en) 2004-10-05 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, cleaning system and cleaning method for in situ removing contamination from a component in a lithographic apparatus
KR20070068340A (ko) 2004-10-13 2007-06-29 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JP2006120674A (ja) 2004-10-19 2006-05-11 Canon Inc 露光装置及び方法、デバイス製造方法
JP2006134999A (ja) 2004-11-04 2006-05-25 Sony Corp 液浸型露光装置、及び、液浸型露光装置における保持台の洗浄方法
US7362412B2 (en) 2004-11-18 2008-04-22 International Business Machines Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate in an immersion lithography system
WO2006062065A1 (ja) 2004-12-06 2006-06-15 Nikon Corporation メンテナンス方法、メンテナンス機器、露光装置、及びデバイス製造方法
US7880860B2 (en) 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8125610B2 (en) 2005-12-02 2012-02-28 ASML Metherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus
US7462850B2 (en) 2005-12-08 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Radical cleaning arrangement for a lithographic apparatus
US7405417B2 (en) 2005-12-20 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having a monitoring device for detecting contamination
US20070146658A1 (en) 2005-12-27 2007-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US7522263B2 (en) 2005-12-27 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US7628865B2 (en) 2006-04-28 2009-12-08 Asml Netherlands B.V. Methods to clean a surface, a device manufacturing method, a cleaning assembly, cleaning apparatus, and lithographic apparatus
US7969548B2 (en) 2006-05-22 2011-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method
US9013672B2 (en) 2007-05-04 2015-04-21 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8947629B2 (en) 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US20090025753A1 (en) 2007-07-24 2009-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic Apparatus And Contamination Removal Or Prevention Method
US7916269B2 (en) 2007-07-24 2011-03-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and contamination removal or prevention method

Also Published As

Publication number Publication date
DE602005002155D1 (de) 2007-10-11
EP1562080B1 (de) 2007-08-29
EP1562080A1 (de) 2005-08-10
KR100665383B1 (ko) 2007-01-04
JP2009088552A (ja) 2009-04-23
TW200538858A (en) 2005-12-01
CN1683999A (zh) 2005-10-19
JP2005223342A (ja) 2005-08-18
KR20060041834A (ko) 2006-05-12
JP4444135B2 (ja) 2010-03-31
US7050146B2 (en) 2006-05-23
USRE42849E1 (en) 2011-10-18
SG114712A1 (en) 2005-09-28
US20050174549A1 (en) 2005-08-11
TWI266948B (en) 2006-11-21
JP4834055B2 (ja) 2011-12-07
CN100504610C (zh) 2009-06-24
JP2011066452A (ja) 2011-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE602005002155T2 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE60302897T2 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE602005000696T2 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE602005000147T2 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE602005003082T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE602005001835T2 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE60308161T2 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
DE69233067T2 (de) Integrierte Schaltungen
DE602004010961T2 (de) Lithographischer Apparat
DE602005004949T2 (de) Lithographischer Apparat und Methode zur Herstellung einer Vorrichtung
DE60032568T2 (de) Positionierungsapparat und damit versehener lithographischer Apparat
DE60020638T2 (de) Lithographischer Projektionsapparat
DE60219844T2 (de) Verfahren zur Übernahme einer lithographischen Maske
DE69629087T2 (de) Positionierungsgerät mit einem referenzrahmen für ein messsystem
DE69735016T2 (de) Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern
DE60120282T2 (de) Lithographischer Apparat, Verfahren zur Herstellung eines Artikels und damit hergestellter Artikel
DE60110731T2 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE602004011458T2 (de) Substratverarbeitungsverfahren
DE60129377T2 (de) Lithographischer Projektionsapparat mit einer Stützanordnung
DE60302388T2 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
DE602005001011T2 (de) Methode zur Bestimmung der Aberration eines Projektionssystems eines Lithographieapparats
DE60310498T2 (de) Verfahren zur Reinigung durch Entfernung von Teilchen von Oberflächen, Reinigungsvorrichtung und lithographischer Projektionsapparat
DE602004008009T2 (de) Lithographischer Apparat
DE3938156A1 (de) Probenbewegungsvorrichtung, probenbewegungssystem und halbleiterherstellungsvorrichtung
DE10297658T5 (de) Verfahren und System zum Reparieren defekter Photomasken

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition