DE602005004942T2

DE602005004942T2 - Prüfvorrichtung für Halbleiter und Verfahren zur Herstellung einer Prüfsonde

Info

Publication number: DE602005004942T2
Application number: DE602005004942T
Authority: DE
Inventors: Kei Nagano-shi Murayama
Original assignee: Shinko Electric Industries Co Ltd
Current assignee: Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date: 2004-01-16
Filing date: 2005-01-14
Publication date: 2009-02-26
Anticipated expiration: 2025-01-15
Also published as: DE602005004942D1; US20060130322A1; US7061261B2; EP1555533A1; US20050156614A1; JP2005201813A; EP1555533B1

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
1. Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf eine Halbleiterprüfungsvorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen einer Kontaktsonde und insbesondere auf eine Halbleiterprüfungsvorrichtung, die eine Kontaktsonde aufweist, die mit einem Anschlussteil einer elektronischen Vorrichtung elektrisch verbunden ist, wenn die elektronische Vorrichtung geprüft wird, und ein Verfahren zum Herstellen der Kontaktsonde.
2. Beschreibung der verwandten Technik
Im Zuge einer hohen Verdichtung von Halbleitervorrichtungen in den letzten Jahren werden äußere Verbindungsanschlüsse für Halbleitervorrichtungen mit einer zunehmend großen Zahl von Stiften versehen. Gleichzeitig besteht ferner ein Bedarf an einer weiteren Größenreduzierung von Halbleitervorrichtungen. Es wird daher gewünscht, dass Halbleitervorrichtungen eine hochdichte Anordnung von äußeren Verbindungsanschlüssen haben. Als ein bekanntes Paket zum Erfüllen eines solchen Wunsches gibt es beispielsweise ein BGA (= ball grid array = Kugelgitter-Array) und ein CSP (= chip size package = Chipgrößenpaket).
Bei dem BGA (Kugelgitter-Array) und dem CSP (Chipgrößenpaket) ist deren Bodenoberflächenteil mit einem gitterartigen Array von Lotkugeln versehen. Durch Anordnen der Lotkugeln auf eine gitterartige Art und Weise kann die Teilung der Lotkugeln mit einer schmaleren Teilung angeordnet werden. Dies ermöglicht eine hohe Verdichtung und eine Größenreduzierung der Halbleitervorrichtung. Da für die Halbleitervorrichtung eine hohe Zuverlässigkeit erforderlich ist, wird ferner vor einer Auslieferung eine Zuverlässigkeitsprüfung an der Halbleitervorrichtung durchgeführt.
Bei dem Zuverlässigkeitstest wird die Halbleitervorrichtung dadurch getestet, dass der Halbleitervorrichtung tatsächlich ein Testsignal zugeführt wird. Demgemäß werden Kontaktsonden, die mit einem Tester verbunden sind, mit den Lotkugeln der Halbleitervorrichtung verbunden.
1 ist eine Zeichnung, die eine Kontaktsonde gemäß einer herkömmlichen Technologie zeigt. In 1 ist eine Kontaktsonde 10 dargestellt, auf die im Allgemeinen als ein Pogo-Stift Bezug genommen wird. Die Kontaktsonde 10 weist hauptsächlich einen Schaftteil 11, einen Oberteilkolben 12 zum Verbinden mit den Lotkugeln des BGA, einen Unterteilkolben 13 zum Verbinden mit einer Prüfungsvorrichtung (einem Tester) und Schraubenfedern 14 auf.
Die Schraubenfedern 14 sind zwischen dem oberen und dem unteren Kolben 12, 13 angeordnet. Die Schraubenfedern 14 erlauben dem Oberteilkolben 12, in einer vertikalen Richtung (der Pfeilrichtung in 1) hinsichtlich des Unterteilkolbens 13 verschiebbar zu sein. Ferner ist ein Gehäuse 15 mit einem Durchgangsloch zum Anordnen der Kontaktsonde 10 in demselben gebildet (siehe beispielsweise die japanische offengelegte Patentanmeldung Nr. 2001-255340 ).
2 ist eine Zeichnung, die eine drahtförmige Kontaktsonde gemäß einer herkömmlichen Technologie zeigt. In 2 weist eine Kontaktsonde 20 einen weichen Kern 21 und eine harte Schale 22, die auf eine den weichen Kern 21 umhüllende Art und Weise angeordnet ist, auf. Der weiche Kern 21 ist mit einem Drahtbondverfahren gebildet. Die harte Schale 22 ist mit einem Plattierungsverfahren gebildet (siehe beispielsweise die japanische offengelegte Patentanmeldung Nr. 11-126800 ).
Da die Kontaktsonde 10 jedoch mechanische Komponenten, wie die Schraubenfedern., einsetzt, hat die Kontaktsonde 10 eine Schwierigkeit bei dem Anordnen der Kontaktsonde 10 in einer schmalen Teilung. Da die Kontaktsonde 10 von Hand hergestellt ist, hat die Kontaktsonde 10 ferner eine schlechte Prozessgenauigkeit, erfordert einen großen Herstellungsaufwand und kann nicht in Massen erzeugt werden. Zusätzlich erfordert die Kontaktsonde 10 eine große Zahl von Komponenten, was den Herstellungsaufwand weiter erhöht.
Bei der Kontaktsonde 20, die durch das Drahtbondverfahren gebildet ist, ist es schwierig, die Kontaktsonde 20 in einer schmalen Teilung anzuordnen, da die Kontaktsonde 20 mit einer komplizierten Form gebildet ist. Infolge der Drahtform der Kontaktsonde 20 neigt die Kontaktsonde 20 ferner dazu, Problemen, wie einer bleibenden Ermüdungsdehnung und/oder einer plastischen Verformung, zu unterliegen.
Eine bekannte Halbleiterprüfungsvorrichtung ist in der US-B-6359455 offenbart. Diese offenbart eine Vorrichtung mit einer Kontaktsonde, die durch einen Spiralarm, der als eine schneckenartige Platte wirkt, getragen ist. Die gesamte Kontaktsonde ist aus Nickel oder einer Nickellegierung gebildet.
Eine andere bekannte Halbleiterprüfungsvorrichtung ist in der US-A-4520314 offenbart. Diese offenbart eine Prüfungsvorrichtung mit einer Vielzahl von Kontaktsonden, die durch eine Mehrzahl von parallelen Siliziumfingern gebildet sind, die aus einem einzelnen Siliziumsubstrat gebildet sind.
Eine andere bekannte Halbleiterprüfungsvorrichtung ist in der JP 07007052 A offenbart. Diese offenbart eine Kontaktsonde, die durch eine Auslegerbalkenstruktur, die an einem Siliziumsubstrat gebildet ist, getragen ist.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Es ist eine allgemeine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Halbleiterprüfungsvorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen einer Kontaktsonde zu schaften, das im Wesentlichen eines oder mehrere der Probleme beseitigt, die durch die Begrenzungen und Nachteile der verwandten Technik verursacht werden.
Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden in der folgenden Beschreibung dargelegt und werden teilweise aus der Beschreibung und den beigefügten Zeichnungen offensichtlich oder können durch eine Anwendung der Erfindung gemäß den in der Beschreibung gelieferten Lehren gelernt werden. Aufgaben sowie andere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden durch eine Halbleiterprüfungsvorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen einer Kontaktsonde realisiert und erlangt, die insbesondere in der Beschreibung in solch vollständigen, klaren, prägnanten und exakten Ausdrücken aufgezeigt sind, dass durchschnittlichen Fachleuten ermöglicht ist, die Erfindung anzuwenden.
Um diese und andere Vorteile zu erreichen, und gemäß dem Zweck der Erfindung, die hierin ausgeführt und allgemein beschrieben ist, schafft die Erfindung eine Halbleiterprüfungsvorrichtung nach Anspruch 1.
Bei der Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung können die Blockteile, aus einer Draufsichtrichtung betrachtet, auf eine spiralartige Art und Weise auf dem Siliziumsubstrat angeordnet sein.
Bei der Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung kann der Halteteil einen Rahmenkörper, der die Blockteile umgibt, umfassen, wobei der Rahmenkörper mit mindestens einem der Blockteile der Kontaktsonde einstückig gebildet ist, wobei die Blockteile jeweils einen Bodenflächenteil haben, der hinsichtlich eines Bodenflächenteils des Rahmenkörpers eine gleiche Ebene teilt.
Die vorliegende Erfindung schafft ferner ein Verfahren zum Herstellen einer Kontaktsonde nach Anspruch 4.
Die vorliegende Erfindung schafft ferner ein Verfahren zum Herstellen einer Kontaktsonde, die erste bis vierte Blockteile umfasst, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: a) Bilden eines ersten Resistfilms an einem Abschnitt des Siliziumsubstrats, der dem Halteteil entspricht, und einem Abschnitt des Siliziumsubstrats, der einer Position des ersten Blockteils entspricht; b) Bilden eines zweiten Resistfilms an dem ersten Resistfilm und einem Abschnitt des Siliziumsubstrats, der einer Position des zweiten Blockteils entspricht, wobei der zweite Resistfilm eine Eigenschaft hat, die sich von derjenigen des ersten Resistfilms unterscheidet; c-1) Bilden eines dritten Resistfilms an dem zweiten Resistfilm und einem Abschnitt des Siliziumsubstrats, der einer Position des dritten Blockteils entspricht, wobei der dritte Resistfilm eine Eigenschaft hat, die sich von derjenigen des zweiten Resistfilms unterscheidet; c-2) Bilden eines vierten Resistfilms an dem dritten Resistfilm und einem Abschnitt des vierten Blockteils, wobei der vierte Resistfilm eine Eigenschaft hat, die sich von derjenigen des dritten Resists unterscheidet; d) Ätzen eines ersten Bereichs auf eine erste Tiefe durch Verwenden des vierten Resistfilms als eine Maske und dann Entfernen des vierten Resistfilms; e-1) Ätzen eines zweiten Bereichs auf eine zweite Tiefe durch Verwenden des dritten Resistfilms als eine Maske und dann Entfernen des dritten Resistfilms; e-2) Ätzen eines dritten Bereichs auf eine dritte Tiefe durch Verwenden des zweiten Resistfilms als eine Maske und dann Entfernen des zweiten Resistfilms; e-3) Ätzen eines vierten Bereichs auf eine vierte Tiefe durch Verwenden des ersten Resistfilms als eine Maske; und f) Bilden einer leitfähigen Schicht mindestens an den Oberflächen der ersten bis vierten Blockteile und Füllen eines Durchgangslochs, das durch das Ätzen bei dem Schritt e-3) gebildet wird, mit einem leitfähigen Material.
Bei dem Verfahren gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung kann der Halteteil einen Rahmenkörper, der die ersten bis vierten Blockteile umgibt, aufweisen, wobei der Rahmenkörper mit mindestens einem der ersten bis vierten Blockteile der Kontaktsonde einstückig gebildet sein kann.
Andere Aufgaben und weitere Merkmale der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung, wenn diese in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen gelesen wird, offensichtlich.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1 ist eine Zeichnung, die eine herkömmliche Kontaktsonde zeigt;
2 ist eine Zeichnung, die eine herkömmliche Kontaktsonde mit einer Drahtform zeigt;
3 ist eine Draufsicht einer Halbleiterprüfungsvorrichtung, die eine Kontaktsonde aufweist, gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
4 ist eine perspektivische Ansicht einer Kontaktsonde, die in 3 gezeigt ist;
5 ist eine Querschnittsansicht einer Halbleiterprüfungsvorrichtung, die in 3 gezeigt ist, entlang einer Linie A-A von 3;
6 ist eine Draufsicht (Teil 1), die einen Prozess eines Herstellverfahrens einer Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
7 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 6 gezeigt ist, entlang einer Linie C-C von 6;
8 ist eine Draufsicht (Teil 2), die einen Prozess eines Herstellverfahrens einer Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
9 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 8 gezeigt ist, entlang einer Linie C-C von 8;
10 ist eine Draufsicht (Teil 3), die einen Prozess eines Herstellungsverfahrens einer Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
11 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 10 gezeigt ist, entlang einer Linie C-C von 10;
12 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 10 gezeigt ist, entlang einer Linie D-D von 10;
13 ist eine Draufsicht (Teil 4), die einen Prozess eines Herstellungsverfahrens einer Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
14 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 13 gezeigt ist, entlang einer Linie C-C von 13;
15 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 13 gezeigt ist, entlang einer Linie E-E von 13;
16 ist eine Draufsicht (Teil 5), die einen Prozess eines Herstellungsverfahrens einer Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
17 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 16 gezeigt ist, entlang einer Linie C-C von 16;
18 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 16 gezeigt ist, entlang einer Linie E-E von 16;
19 ist eine Draufsicht (Teil 6), die einen Prozess eines Herstellungsverfahrens einer Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
20 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 19 gezeigt ist, entlang einer Linie C-C von 19;
21 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 19 gezeigt ist, entlang einer Linie E-E von 19;
22 ist eine Draufsicht (Teil 7), die einen Prozess eines Herstellungsverfahrens einer Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
23 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 22 gezeigt ist, entlang einer Linie C-C von 22;
24 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 22 gezeigt ist, entlang einer Linie E-E von 22;
25 ist eine Draufsicht (Teil 8), die einen Prozess eines Herstellungsverfahrens einer Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
26 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 25 gezeigt ist, entlang einer Linie C-C von 25;
27 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 25 gezeigt ist, entlang einer Linie E-E von 25;
28 ist eine Draufsicht (Teil 9), die einen Prozess eines Herstellungsverfahrens einer Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
29 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 28 gezeigt ist, entlang einer Linie A-A von 28;
30 ist eine Querschnittsansicht (Teil 1), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens der Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
31 ist eine Draufsicht (Teil 10), die einen Prozess eines Herstellungsverfahrens einer Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
32 ist eine perspektivische Ansicht von ersten bis vierten Säulenteilen, die in einem Bereich G, der in 31 gezeigt ist, gebildet sind;
33 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 31 gezeigt ist, entlang einer Linie A-A von 31;
34 ist eine Draufsicht (Teil 11), die einen Prozess eines Herstellungsverfahrens einer Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
35 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 34 gezeigt ist, entlang einer Linie A-A von 34;
36 ist eine Querschnittsansicht, die einen Prozess des Herstellungsverfahrens einer Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
37 ist eine Draufsicht (Teil 12), die einen Prozess eines Herstellungsverfahrens einer Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
38 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 37 gezeigt ist, entlang einer Linie A-A von 37;
39 ist eine Draufsicht (Teil 12), die einen Prozess eines Herstellungsverfahrens einer Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
40 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 39 gezeigt ist, entlang einer Linie A-A von 39;
41 ist eine Draufsicht, die eine Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
42 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 41 gezeigt ist, entlang einer Linie C-C von 41;
43 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 41 gezeigt ist, entlang einer Linie E-E von 41;
44 ist eine Draufsicht, die eine Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
45 ist eine perspektivische Ansicht einer Kontaktsonde, die in 44 gezeigt ist;
46 ist eine Querschnittsansicht einer Halbleiterprüfungsvorrichtung entlang einer Linie I-I von 44;
47 ist eine Draufsicht (Teil 1), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens einer Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
48 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 47 gezeigt ist, entlang einer Linie I-I von 47;
49 ist eine Draufsicht (Teil 2), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens einer Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
50 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 49 gezeigt ist, entlang einer Linie I-I von 49;
51 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 49 gezeigt ist, entlang einer Linie J-J von 49;
52 ist eine Draufsicht (Teil 3), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens einer Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
53 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 52 gezeigt ist, entlang einer Linie I-I von 52;
54 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 52 gezeigt ist, entlang einer Linie J-J von 52;
55 ist eine Draufsicht (Teil 4), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens einer Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
56 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 55 gezeigt ist, entlang einer Linie I-I von 55;
57 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 55 gezeigt ist, entlang einer Linie J-J von 55;
58 ist eine Draufsicht (Teil 5), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens einer Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
59 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 58 gezeigt ist, entlang einer Linie I-I von 58;
60 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 58 gezeigt ist, entlang einer Linie J-J von 58;
61 ist eine Draufsicht (Teil 6), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens einer Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
62 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 61 gezeigt ist, entlang einer Linie I-I von 61;
63 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 61 gezeigt ist, entlang einer Linie J-J von 61;
64 ist eine Draufsicht (Teil 7), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens einer Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
65 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 64 gezeigt ist, entlang einer Linie I-I von 64;
66 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 64 gezeigt ist, entlang einer Linie J-J von 64;
67 ist eine Draufsicht (Teil 8), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens einer Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
68 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 67 gezeigt ist, entlang einer Linie I-I von 67;
69 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 67 gezeigt ist, entlang einer Linie J-J von 67;
70 ist eine Draufsicht (Teil 9), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens einer Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
71 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 70 gezeigt ist, entlang einer Linie I-I von 70; und
72 ist eine Querschnittsansicht einer Konfiguration, die in 70 gezeigt ist, entlang einer Linie J-J von 70.
BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
Im Folgenden werden Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
[Erstes Ausführungsbeispiel]
Zuerst ist unter Bezugnahme auf 3 bis 5 eine Halbleiterprüfungsvorrichtung, die eine Kontaktsonde aufweist, gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beschrieben. 3 ist eine Draufsicht, die die Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. 4 ist eine perspektivische Ansicht einer Kontaktsonde, die in 3 gezeigt ist, und 5 ist eine Querschnittsansicht der Halbleiterprüfungsvorrichtung entlang einer Linie A-A von 3. Es sei bemerkt, dass die Pfeilrichtung Z-Z in 4 eine vertikale Richtung anzeigt. Die Ziffer 60B, die in 5 gezeigt ist, zeigt eine Rückenfläche einer Kontaktsonde 45 und eines Halteteils 41 (auf die im Folgenden als „Hinterfläche 60B" Bezug genommen ist).
Eine Halbleiterprüfungsvorrichtung 40 weist hauptsächlich den Halteteil 41, die Kontaktsonde 45 und einen Messteil 58 auf (siehe 5). Die Kontaktsonde 45 und der Halteteil 41 sind einstückig gebildet. Der Halteteil 41 ist auf eine die Kontaktsonde 45 umgebende Art und Weise als ein Rahmenkörper gebildet, zwischen der Kontaktsonde 45 und dem Halteteil 41 ist ein Durchgangsteil 83 gebildet. Es sei bemerkt, dass, obwohl in der Zeichnung nicht gezeigt, mehrere Kontaktsonden 45 auf eine gitterartige Art und Weise in der Halbleiterprüfungsvorrichtung 40 angeordnet sind.
Die Kontaktsonde 45 weist hauptsächlich mehrere Säulenteile (einen ersten Säulenteil 46 bis vierten Säulenteil 49), eine leitfähige Schicht (eine Schicht aus einem leitfähigen Metall) 52 und eine Durchgangslochelektrode 55 auf. Die ersten bis vierten Säulenteile 46–49, die eine unterschiedliche Höhe haben, sind fortlaufend angeordnet, wobei der erste Säulenteil 46 der höchste Säulenteil ist, der zweite Säulenteil 47 der zweithöchste Säulenteil ist, der dritte Säulenteil 48 der dritthöchste Säulenteil ist und der vierte Säulenteil 49 der vierthöchste Säulenteil ist. Die ersten bis vierten Säulenteile 46–49 haben ferner jeweils einen Bodenflächenteil (eine Hinterfläche 60B), der eine gleiche Ebene teilt.
In einer Draufsicht der ersten bis vierten Säulenteile 46–49 (siehe 3) sind die ersten bis vierten Säulenteile 46–49 so angeordnet, dass sie eine spiralartige Form bilden. Die Kontaktsonde 45 ist durch den Halteteil 41 über den vierten Säulenteil 49 auf eine Art und Weise eines Auslegers getragen.
So strukturiert, ist die Kontaktsonde 45 fähig, hinsichtlich des rahmenkörperförmigen Halteteils 41 eine federartige Eigenschaft zu erlangen. Demgemäß kann, wenn die Kontaktsonde 45 mit einem Anschlussteil 57 einer elektronischen Vorrichtung 56 kontaktiert wird, eine plastische Verformung der Kontaktsonde 45 reduziert werden, wodurch die Lebenszeit der Kontaktsonde 45 verlängert wird. Ferner kann, da durch Anordnen der ersten bis vierten Säulenteile 46–49 auf die spiralartige Art und Weise die ersten bis vierten Säulenteile 46–49 einander tragen, die Festigkeit der Kontaktsonde 45 erhöht werden.
Die leitfähige Schicht 52 ist mindestens an den Oberflächen der ersten bis vierten Säulenteile 46–49 gebildet. Der vierte Säulenteil 49, dessen Höhe am niedrigsten ist, weist die Durchgangslochelektrode 55 auf, die in einem Durchgangsloch gebildet ist, das den vierten Säulenteil 49 in einer Richtung Z-Z durchdringt. Die Durchgangslochelektrode 55 wird gleichzeitig mit dem Bilden der leitfähigen Schicht 52 gebildet. Die Durchgangslochelektrode 55 dient dazu, um die Hinterfläche 608 und die leitfähige Schicht 52 elektrisch zu verbinden. Der Messteil 58 ist mit der Durchgangslochelektrode 55 elektrisch verbunden. Der Messteil 58 wird bei dem Prüfen einer elektronischen Vorrichtung 56 basierend auf Eingangs-Ausgangs-Signalen von der elektronischen Vorrichtung 56 verwendet. Was die elektronische Vorrichtung 56 als das Ziel für eine Prüfung betrifft, können andere Halbleiterelemente als Alternativen des CSP oder des BGA eingesetzt sein.
Die Prüfung der elektronischen Vorrichtung 56 unter Verwendung der Halbleiterprüfungsvorrichtung 40 wird durch Anstoßen des Anschlussteils 57 der elektronischen Vorrichtung 56 an die leitfähige Schicht 52, die bei einem oberen Flächenteil des ersten Säulenteils 46 gebildet ist, und elektrisches Verbinden des Messteils 58 und der elektronischen Vorrichtung 56 über die Durchgangslochelektrode 55 durchgeführt.
So strukturiert, sind die Kontaktsonde 45 und der Halteteil 41 mit einem einzelnen Siliziumsubstrat einstückig gebildet. Was das Verfahren für eine einstückige Bildung betrifft, wird eine Hochgenauigkeitsverarbeitungstechnologie eingesetzt, die bei dem Verarbeiten von Halbleitervorrichtungen verwendet wird (und im Folgenden detailliert beschrieben ist). Demgemäß kann eine Prozessgenauigkeit verbessert werden, wodurch ermöglicht wird, dass die Kontaktsonden 45, verglichen mit der herkömmlichen Kontaktsonde, in einer schmaleren Teilung angeordnet sind. Zusätzlich können die Kontaktsonden 45 bei einem niedrigen Aufwand in Massen erzeugt werden. Ferner kann, da als das Material der Kontaktsonde 45 ein Siliziumsubstrat eingesetzt ist, eine plastische Verformung der Kontaktsonde 45, verglichen mit der herkömmlichen Kontaktsonde, wirksamer verhindert werden.
Als Nächstes ist ein Verfahren zum Herstellen der Halbleiterprüfungsvorrichtung 40, die die Kontaktsonde 45 aufweist, gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 6–40 beschrieben. 6 ist eine Draufsicht (Teil 1), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens der Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. 7 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 6 gezeigt ist, entlang einer Linie C-C von 6.
Wie in 6 und 7 gezeigt, wird an einem Bereich 63 des Siliziumsubstrats 60, der dem Halteteil 41 entspricht, und an einem Bereich 61 des Siliziumsubstrats 60, der dem ersten Säulenteil 46 entspricht, ein erster Resistfilm 62 gebildet. Als ein bevorzugtes Beispiel des ersten Resistfilms 62 können ein Flüssigresist, der beispielsweise ein Phenolharz als eine Hauptkomponente, ein Melamin- und/oder ein Epoxidharz als eine Teilkomponente enthält, und ein photoempfindlicher Wirkstoff, in dem der Resist beschichtet wird und dann erhitzt wird, eingesetzt werden.
8 ist eine Draufsicht (Teil 2), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens der Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. 9 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 8 gezeigt ist, entlang einer Linie C-C von 6.
Als Nächstes wird, wie in 8 und 9 gezeigt, an einem Bereich 64 des Siliziumsubstrats 60, der dem zweiten Säulenteil 47 entspricht, und an dem ersten Resistfilm 62 ein zweiter Resistfilm 65 gebildet, der eine Eigenschaft hat, die sich von derjenigen des ersten Resistfilms 62 unterscheidet. Als ein bevorzugtes Beispiel des zweiten Resistfilms 65 kann ein Flüssigresist, der beispielsweise ein Novolac-Harz und/oder ein Naphthochinondiazid-Dielektrikum als eine Hauptkomponente enthält, eingesetzt werden.
10 ist eine Draufsicht (Teil 3), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens der Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. 11 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 10 gezeigt ist, entlang einer Linie C-C von 10. 12 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 10 gezeigt ist, entlang einer Linie D-D von 10.
Als Nächstes wird, wie in 10 bis 12 gezeigt, an einem Bereich 66 des Siliziumsubstrats 60, der dem dritten Säulenteil 48 entspricht, und an dem zweiten Resistfilm 65 ein dritter Resistfilm 67 gebildet, der eine Eigenschaft hat, die sich von derjenigen des zweiten Resistfilms 65 unterscheidet. Als ein bevorzugtes Beispiel des dritten Resistfilms 67 können ein Flüssigresist, der beispielsweise ein Phenolharz als eine Hauptkomponente, ein Melamin- und/oder ein Epoxidharz als eine Teilkomponente enthält, und ein photoempfindlicher Wirkstoff, in dem der Resist beschichtet wird und dann erhitzt wird, eingesetzt werden.
13 ist eine Draufsicht (Teil 4), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens der Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. 14 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 13 gezeigt ist, entlang einer Linie C-C von 6. 15 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 13 gezeigt ist, entlang einer Linie E-E von 13.
Als Nächstes wird, wie in 13 bis 15 gezeigt, an einem Bereich 72 des Siliziumsubstrats 60, der dem vierten Säulenteil 49 entspricht, und an dem dritten Resistfilm 67 ein vierter Resistfilm 71 gebildet, der eine Eigenschaft hat, die sich von derjenigen des dritten Resistfilms 67 unterscheidet. Hier werden die vierte Resistschicht 71 bei dem Bereich 62, der dem vierten Säulenteil 49 entspricht, und die vierte Resistschicht 71, die bei dem Bereich 63 gelegen ist, der dem Halteteil 41 entspricht, auf eine fortgesetzte Art und Weise einstückig gebildet. Dadurch kann während eines ersten Ätzprozesses unter Verwendung der vierten Resistschicht 71 als eine Maske der vierte Säulenteil 49 durch den Halteteil 41 getragen werden. Als ein bevorzugtes Beispiel des vierten Resistfilms 71 kann ein Flüssigresist, der beispielsweise ein Novolac-Harz und/oder ein Naphthochinondiazid-Dielektrikum als eine Hauptkomponente enthält, eingesetzt werden.
16 ist eine Draufsicht (Teil 5), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens der Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. 17 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 16 gezeigt ist, entlang einer Linie C-C von 16. 18 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 16 gezeigt ist, entlang einer Linie E-E von 16. Es sei bemerkt, dass H1 in 17 und 18 die Tiefe eines Nutteils 73, der durch einen ersten Ätzprozess gebildet wird, anzeigt (auf die im Folgenden als eine Tiefe H1 Bezug genommen ist).
Als Nächstes wird, wie in 16 bis 18 gezeigt, an dem Siliziumsubstrat 60 unter Verwendung der vierten Resistschicht 71 als eine Maske der erste Ätzprozess durchgeführt, um den Nutteil 73 zu bilden, der hinsichtlich einer Oberfläche 60A des Siliziumsubstrats 60 eine Tiefe H1 hat. Dann wird der vierte Resistfilm 71 entfernt.
19 ist eine Draufsicht (Teil 6), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens der Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. 20 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 19 gezeigt ist, entlang einer Linie C-C von 19. 21 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 19 gezeigt ist, entlang einer Linie E-E von 19. Es sei bemerkt, dass H2 in 20 und 21 eine Ätztiefe, die durch einen zweiten Ätzprozess gebildet wird, anzeigt (auf die im Folgenden als eine Tiefe H2 Bezug genommen ist).
Als Nächstes wird, wie in 19 bis 21 gezeigt, an dem Siliziumsubstrat 60 unter Verwendung der dritten Resistschicht 67 als eine Maske der zweite Ätzprozess durchgeführt, um einen Nutteil 75, der hinsichtlich einer Oberfläche 60A des Siliziumsubstrats 60 eine Tiefe (H1 + H2) hat, und einen Stufenteil 76 des Bereichs 72, der dem vierten Säulenteil 49 entspricht, zu bilden. Der Stufenteil 75 wird als eine Stufe gebildet, die hinsichtlich einer Oberfläche 60A des Siliziumsubstrats 60 eine Tiefe H2 hat. Dann wird der dritte Resistfilm 67 entfernt.
22 ist eine Draufsicht (Teil 7), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens der Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. 23 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 22 gezeigt ist, entlang einer Linie C-C von 22. 24 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 22 gezeigt ist, entlang einer Linie E-E von 22. Es sei bemerkt, dass H3 in 23 und 24 eine Ätzmenge eines dritten Ätzprozesses (eine Ätztiefe, auf die im Folgenden als eine „Tiefe H3" Bezug genommen ist) anzeigt.
Als Nächstes wird, wie in 22 bis 24 gezeigt, an dem Siliziumsubstrat 60 unter Verwendung der zweiten Resistschicht 65 als eine Maske der dritte Ätzprozess durchgeführt, um einen Nutteil 77, der hinsichtlich einer Oberfläche 60A des Siliziumsubstrats 60 eine Tiefe (H1+H2+H3) hat, einen Stufenteil 79 mit einer Tiefe (H2+H3) in dem Bereich 72, der dem vierten Säulenteil 49 entspricht, und einen Stufenteil 81 mit einer Tiefe H3 in dem Bereich 66, der dem dritten Säulenteil 48 entspricht, zu bilden. Dann wird der zweite Resistfilm 65 entfernt.
25 ist eine Draufsicht (Teil 8), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens der Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. 26 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 25 gezeigt ist, entlang einer Linie C-C von 25. 27 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 25 gezeigt ist, entlang einer Linie E-E von 25. Es sei bemerkt, dass H4 in 26 und 27 eine Ätzmenge eines vierten Ätzprozesses (eine Ätztiefe, auf die im Folgenden als eine „Tiefe H4" Bezug genommen ist) anzeigt.
Als Nächstes wird, wie in 25 bis 27 gezeigt, an dem Siliziumsubstrat 60 unter Verwendung der ersten Resistschicht 62 als eine Maske der vierte Ätzprozess durchgeführt, um den Durchgangsteil 83, den Halteteil 41, den vierten Säulenteil 49, der in dem Bereich 72 eine Stufe mit einer Tiefe (H2+H3+H4) hinsichtlich einer oberen Fläche 41A des Halteteils (des Silizium-Halteteils) 41 aufweist, den dritten Säulenteil 48, der in dem Bereich 66 eine Stufe mit einer Tiefe (H3+H4) aufweist, den zweiten Säulenteil 47, der in dem Bereich 64 eine Stufe mit einer Tiefe (H4) aufweist, und den ersten Säulenteil 46 zu bilden. Eine obere Fläche 46A des ersten Säulenteils 46 ist so angeordnet, dass sie mit der oberen Fläche 41A des Halteteils 41 eine gemeinsame Ebene teilt.
Es sei bemerkt, dass die Tiefen H1-H4 eine Beziehung H1=H2=H3=H4 erfüllend gebildet werden können oder jeweils mit unterschiedlichen Tiefen gebildet werden können. Ferner kann bei einem Fall, bei dem die Tiefen H1-H4 die Beziehung H1=H2=H3=H4 erfüllen, H1 auf beispielsweise 50 μm eingestellt sein. Ferner können die Breiten der ersten bis vierten Säulenteile 46–49 beispielsweise in Größen gebildet sein, die näherungsweise zwischen 15–50 μm liegen.
28 ist eine Draufsicht (Teil 9), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens der Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. 29 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 28 gezeigt ist, entlang einer Linie A-A von 28. 30 ist eine Querschnittsansicht (Teil 1), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens der Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt.
Als Nächstes wird, wie in 28 und 29 gezeigt, nachdem der erste Resistfilm 62 entfernt ist, ein Resistfilm 91 mit einem Öffnungsteil 92 zum Bilden eines Durchgangslochs 94 gebildet, so dass in dem vierten Säulenteil 49 die Durchgangslochelektrode 55 gebildet werden kann. Dann wird, wie in 30 gezeigt, unter Verwendung des Resistfilms 91 als eine Maske ein Ätzprozess durchgeführt, um das Durchgangsloch 94 zu bilden.
31 ist eine Draufsicht (Teil 10), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens der Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. 32 ist eine perspektivische Ansicht der ersten bis vierten Säulenteile 46–49, die in einem Bereich G gebildet sind, der in 31 gezeigt ist. 33 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 31 gezeigt ist, entlang einer Linie A-A von 31. Als Nächstes wird, wie in 31 bis 33 gezeigt, der Resistfilm 91 entfernt.
34 ist eine Draufsicht (Teil 11), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens der Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. 35 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 34 gezeigt ist, entlang einer Linie A-A von 34. Als Nächstes wird, wie in 34 und 35 gezeigt, eine Keimschicht 95 gebildet, die bei dem Bilden eines Plattierungsfilms an der Konfiguration, die in 33 gezeigt ist, und innerhalb des Durchgangslochs 94 verwendet wird. Die Keimschicht 95 kann mit beispielsweise einem Zerstäubungsverfahren (engl.: sputter method) oder einem CVD-Verfahren gebildet werden. Für die Keimschicht 95 kann beispielsweise ein Ti-Film, ein W-Film oder ein Cr-Film eingesetzt werden.
36 ist eine Querschnittsansicht (Teil 2), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens der Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. Als Nächstes wird, wie in 36 gezeigt, die Keimschicht 96 an die Hinterfläche 60B der Kontaktsonde 45 und des Halteteils 41 angehaftet. Als die Keimschicht 96 kann beispielsweise ein leitfähiges Band mit CU als einem Basismaterial eingesetzt werden.
37 ist eine Draufsicht (Teil 12), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens der Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. 38 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 37 gezeigt ist, entlang einer Linie A-A von 37. Wie in 37 und 38 gezeigt, wird von der Keimschicht 95, die an der Hinterfläche 608 der Kontaktsonde 45 und des Halteteils 41 angehaftet ist, eine Elektrizität zugeführt, und dann wird ein Plattierungsprozess durchgeführt, um an den oberen und seitlichen Flächen der ersten bis vierten Säulenteile 46–49 einen Plattierungsfilm 98 zu bilden. Demgemäß wird innerhalb des Durchgangslochs 94 die Durchgangslochelektrode 55 gebildet, die die Keimschicht 95 und den Plattierungsfilm 98 aufweist, und an der Kontaktsonde 45 und dem Halteteil 41 wird die leitfähige Schicht 52 gebildet, die die Keimschicht 95 und den Plattierungsfilm 98 aufweist. Als der Plattierungsfilm 98 kann beispielsweise ein Film eingesetzt werden, der eine Ni-Legierung, Cu und/oder Gold aufweist.
39 ist eine Draufsicht (Teil 13), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens der Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. 40 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 39 gezeigt ist, entlang einer Linie A-A von 39. Als Nächstes werden, wie in 39 und 40 gezeigt, die Keimschichten 95 und 96 und der Plattierungsfilm 98 (die leitfähige Schicht 52), außer denjenigen, die an der Oberfläche der Kontaktsonde 45 und der Durchgangslochelektrode 55 gebildet sind, entfernt, wodurch das Herstellen der Halbleiterprüfungsvorrichtung 40, die die Kontaktsonde 45 gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung aufweist, abgeschlossen wird.
Bei dem Herstellen der Halbleiterprüfungsvorrichtung 40 mit den im Vorhergehenden beschriebenen Herstellprozessen kann folglich durch Einsetzen eines solchen Photoätzverfahrens, das für ein Verarbeiten von Halbleitervorrichtungen oder dergleichen verwendet wird, eine Prozessgenauigkeit verbessert werden, um dadurch zu ermöglichen, dass die Kontaktsonde(n) 45 in einer schmaleren Teilung als die herkömmliche(n) Kontaktsonde(n) angeordnet ist (sind). Zusätzlich kann die Kontaktsonde 45, die eine geringe plastische Verformung hat, bei einem niedrigen Aufwand in Massen erzeugt werden. Es sei bemerkt, dass als eine Alternative für das leitfähige Metallmaterial der leitfähigen Schicht 52 ein Film eines leitfähigen Polymers, wie Polypyrrol oder Polyacetylen, eingesetzt werden kann. Die Durchgangslochelektrode 55 kann mit dem leitfähigen Polymer gebildet werden. Bei einem Fall eines Einsetzens von Polypyrrol als das Material der leitfähigen Schicht 52 kann durch Beschichten mit einer Polypyrrollösung ein Polypyrrolfilm gebildet werden.
[Zweites Ausführungsbeispiel]
Als Nächstes ist unter Bezugnahme auf 41 bis 43 ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterprüfungsvorrichtung, die eine Kontaktsonde aufweist, gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beschrieben. 41 ist eine Draufsicht, die die Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt, 42 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 41 gezeigt ist, entlang einer Linie C-C von 41. 43 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 41 gezeigt ist, entlang einer Linie E-E von 41. Es sei bemerkt, dass das Verfahren zum Herstellen der Halbleiterprüfungsvorrichtung, die die Kontaktsonde gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung aufweist, ein modifiziertes Beispiel des Verfahrens zum Herstellen der Halbleiterprüfungsvorrichtung 40, die die Kontaktsonde 45 gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung aufweist, ist. In 41 bis 43 sind daher gleiche Komponenten durch gleiche Ziffern wie von 25 bis 27 bezeichnet.
Bei dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung werden durch Durchführen des vierten Ätzprozesses ein Plattenglied 87 mit einer Dicke H5 und der Halteteil 41 zusätzlich zu der Bildung der ersten bis vierten Säulenteile 46–49 gebildet. Ferner wird zwischen den ersten bis vierten Säulenteilen 46–49 und dem Halteteil 41 ein Nutteil 85 gebildet. Nach dem vierten Ätzprozess wird das Plattenglied 87 durch Polieren oder Ätzen entfernt. Nachdem das Plattenglied 87 entfernt ist, werden durch Ausführen der im Vorhergehenden beschriebenen Prozesse, die bei 28–40 dargestellt sind, die leitfähige Schicht 52 und die Durchgangslochelektrode 55 gebildet, wodurch das Herstellen der Halbleiterprüfungsvorrichtung 40 abgeschlossen wird.
Durch Erlauben, dass das Plattenglied 87, das die Bodenfläche der ersten bis vierten Säulenteile 46–49 und die Bodenfläche des Halteteils 41 trägt, nach dem vierten Ätzprozess übrig bleibt, kann die Festigkeit der Halbleiterprüfungsvorrichtung 40 aufrechterhalten werden, wenn die Halbleiterprüfungsvorrichtung 40 während der Herstellungsprozesse zu oder von Verarbeitungsvorrichtungen, wie einer Photolithographievorrichtung oder einer Ätzvorrichtung, transportiert wird.
[Drittes Ausführungsbeispiel]
Als Nächstes ist unter Bezugnahme auf 44 bis 46 eine Halbleiterprüfungsvorrichtung, die eine Kontaktsonde gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung aufweist, beschrieben. 44 ist eine Draufsicht, die die Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt, 45 ist eine perspektivische Ansicht einer Kontaktsonde, die in 44 gezeigt ist, und 46 ist eine Querschnittsansicht der Halbleiterprüfungsvorrichtung entlang einer Linie I-I von 44. Es sei bemerkt, dass die Pfeilrichtung Z-Z in 45 eine vertikale Richtung anzeigt.
Eine Halbleiterprüfungsvorrichtung 100 weist hauptsächlich einen Halteteil 101, eine Kontaktsonde 105 und einen Messteil 58 auf (siehe 46). Die Kontaktsonde 105 und der Halteteil 101 sind einstückig gebildet. Der Halteteil 101 ist auf eine die Kontaktsonde 105 umgebende Art und Weise als ein Rahmenkörper gebildet. Der Halteteil 101 ist mit einem ersten Säulenteil 106, den die Kontaktsonde 105 in sich aufweist, einstückig gebildet. Ferner ist zwischen der Kontaktsonde 105 und dem Halteteil 101 ein Durchgangsteil 102 gebildet. Dies erlaubt, dass die Kontaktsonde 105 durch den Halteteil 101 in einem flexiblen Zustand getragen wird.
So strukturiert, ist die Kontaktsonde 105 fähig, hinsichtlich des Halteteils 101 eine federartige Eigenschaft zu erlangen. Demgemäß kann, wenn die Kontaktsonde 105 mit dem Anschlussteil 57 der elektronischen Vorrichtung 56 kontaktiert wird, eine plastische Verformung der Kontaktsonde 105 reduziert werden, wodurch die Lebenszeit der Kontaktsonde 105 verlängert wird.
Die Kontaktsonde 105 weist mehrere Säulenteile (einen ersten Säulenteil 106 bis vierten Säulenteil 109), eine leitfähige Schicht (eine Schicht aus einem leitfähigen Metall) 114 und eine Durchgangslochelektrode 111 auf. Die ersten bis vierten Säulenteile 106–109, die eine unterschiedliche Höhe haben, sind fortlaufend angeordnet, wobei der erste Säulenteil 106 der höchste Säulenteil ist, der zweite Säulenteil 107 der zweithöchste Säulenteil ist, der dritte Säulenteil 108 der dritthöchste Säulenteil ist und der vierte Säulenteil 109 der vierthöchste Säulenteil ist. In einer Draufsicht der ersten bis vierten Säulenteile 106–109 (siehe 44) sind die ersten bis vierten Säulenteile 106–109 so angeordnet, dass sie eine spiralartige Form bilden. Die ersten bis vierten Säulenteile 106–109 haben ferner jeweils Bodenflächenteile 106A–109A, die eine gleiche Ebene teilen.
Die Bodenflächenteile 106A–109A der ersten bis vierten Säulenteile 106–109 sind zum elektrischen Verbinden mit dem Anschlussteil 57 der elektronischen Vorrichtung 56 jeweils mit der leitfähigen Metallschicht 114 gebildet. Durch Anordnen der Bodenflächenteile 106A–109A der ersten bis vierten Säulenteile 106–109 auf einer gleichen Ebene kann ein großer Bereich zum elektrischen Verbinden mit dem Anschlussteil 57 der elektronischen Vorrichtung 56 erhalten werden. Die Kontaktsonde 105 und die elektronische Vorrichtung 56 können demgemäß mit einer hinreichenden Genauigkeit elektrisch verbunden werden.
Der erste Säulenteil 106 weist die Durchgangslochelektrode 111 auf, die in einem Durchgangsloch gebildet ist, das den ersten Säulenteil 106 in einer Richtung Z-Z durchdringt. Die Durchgangslochelektrode 111 dient dazu, einen Oberflächenteil des ersten Säulenteils 106 und die leitfähige Schicht 114 elektrisch zu verbinden. Die Durchgangslochelektrode 111 wird gleichzeitig mit dem Bilden der leitfähigen Schicht 114 gebildet. Der Messteil 58 ist mit der Durchgangslochelektrode 111 elektrisch verbunden. Der Messteil 58 wird bei dem Prüfen der elektronischen Vorrichtung 56 basierend auf Eingangs-Ausgangs-Signalen von der elektronischen Vorrichtung 56 verwendet.
Die Prüfung der elektronischen Vorrichtung 56 wird durch Anstoßen des Anschlussteils 57 der elektronischen Vorrichtung 56 an eine Fläche des vierten Säulenteils, bei der die leitfähige Schicht 114 gebildet ist, und elektrisches Verbinden des Messteils 58 und der elektronischen Vorrichtung 56 über die Durchgangslochelektrode 111 durchgeführt.
Demgemäß kann (können) die Kontaktsonde(n) 105 in einer schmalen Teilung angeordnet sein und bei einem niedrigen Aufwand in Massen erzeugt werden.
Als Nächstes ist unter Bezugnahme auf 47–72 ein Verfahren zum Herstellen der Halbleiterprüfungsvorrichtung 100, die die Kontaktsonde 105 aufweist, gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beschrieben. 47 ist eine Draufsicht (Teil 1), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens der Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. 48 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 47 gezeigt ist, entlang einer Linie I-I von 47.
Wie in 47 und 48 gezeigt, wird an einem Bereich 121 des Siliziumsubstrats 120, der dem Halteteil 101 entspricht, und an einem Bereich 122 des Siliziumsubstrats 120, der dem ersten Säulenteil 106 entspricht, ein erster Resistfilm 123 gebildet. Hier wird in dem ersten Resistfilm 123, der in dem Bereich 122, der dem ersten Säulenteil 106 entspricht, angeordnet ist, ein Öffnungsteil 124 gebildet. Der Öffnungsteil 124 ist zum späteren Bilden eines Durchgangslochs in dem ersten Säulenteil 106 vorgesehen. Es sei bemerkt, dass als ein bevorzugtes Beispiel des ersten Resistfilms 123 ein Flüssigresist, der beispielsweise ein Phenolharz als eine Hauptkomponente, ein Melamin- und/oder ein Epoxidharz als eine Teilkomponente enthält, und ein photoempfindlicher Wirkstoff, in dem der Resist beschichtet wird und dann erhitzt wird, eingesetzt werden können.
49 ist eine Draufsicht (Teil 2), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens der Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. 50 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 49 gezeigt ist, entlang einer Linie I-I von 49. 51 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 49 gezeigt ist, entlang einer Linie J-J von 49.
Als Nächstes wird, wie in 49 bis 51 gezeigt, an einem Bereich 126 des Siliziumsubstrats 120, der dem zweiten Säulenteil 107 entspricht, und an dem ersten Resistfilm 123 ein zweiter Resistfilm 107 gebildet, der eine Eigenschaft hat, die sich von derjenigen des ersten Resistfilms 123 unterscheidet, und somit einen Öffnungsteil 128 hat, der an demselben gebildet ist. Als ein bevorzugtes Beispiel des zweiten Resistfilms 127 kann ein Flüssigresist, der beispielsweise ein Novolac-Harz und/oder ein Naphthochinondiazid-Dielektrikum als eine Hauptkomponente enthält, eingesetzt werden.
52 ist eine Draufsicht (Teil 3), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens der Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. 53 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 52 gezeigt ist, entlang einer Linie I-I von 52. 54 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 52 gezeigt ist, entlang einer Linie J-J von 52.
Als Nächstes wird, wie in 52 bis 54 gezeigt, an einem Bereich 131 des Siliziumsubstrats 120, der dem dritten Säulenteil 108 entspricht, und an dem zweiten Resistfilm 127 ein dritter Resistfilm 108 gebildet, der eine Eigenschaft hat, die sich von derjenigen des zweiten Resistfilms 127 unterscheidet. Der dritte Resistfilm 132 wird mit einem Öffnungsteil 133 gebildet, der den Öffnungsteil 128 freilegt. Als ein bevorzugtes Beispiel des dritten Resistfilms 132 können ein Flüssigresist, der beispielsweise ein Phenolharz als eine Hauptkomponente, ein Melamin- und/oder ein Epoxidharz als eine Teilkomponente enthält, und ein photoempfindlicher Wirkstoff, in dem der Resist beschichtet wird und dann erhitzt wird, eingesetzt werden.
55 ist eine Draufsicht (Teil 4), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens der Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. 56 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 55 gezeigt ist, entlang einer Linie I-I von 55. 57 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 55 gezeigt ist, entlang einer Linie J-J von 55.
Als Nächstes wird, wie in 55 bis 57 gezeigt, an einem Bereich 136 des Siliziumsubstrats 120, der dem vierten Säulenteil 109 entspricht, und an dem dritten Resistfilm 132 ein vierter Resistfilm 109 gebildet, der eine Eigenschaft hat, die sich von derjenigen des dritten Resistfilms 132 unterscheidet. Der vierte Resistfilm 137 wird mit einem Öffnungsteil 138 gebildet, der den Öffnungsteil 133 freilegt. Als ein bevorzugtes Beispiel des vierten Resistfilms 137 kann ein Flüssigresist, der beispielsweise ein Novolac-Harz und/oder ein Naphthochinondiazid-Dielektrikum als eine Hauptkomponente enthält, eingesetzt werden.
58 ist eine Draufsicht (Teil 5), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens der Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. 59 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 58 gezeigt ist, entlang einer Linie I-I von 58. 60 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 58 gezeigt ist, entlang einer Linie J-J von 58. Es sei bemerkt, dass L1 in 58 bis 60 die Tiefe eines Nutteils 141, der durch einen ersten Ätzprozess gebildet ist (eine Ätztiefe, auf die im Folgenden als eine Tiefe L1 Bezug genommen ist), anzeigt.
Als Nächstes wird, wie in 58 bis 60 gezeigt, an dem Siliziumsubstrat 120 unter Verwendung der vierten Resistschicht 137 als eine Maske der erste Ätzprozess durchgeführt, um den Nutteil 141 zu bilden, der hinsichtlich der Oberfläche des Siliziumsubstrats 120 eine Tiefe L1 hat. Dann wird der vierte Resistfilm 137 entfernt.
61 ist eine Draufsicht (Teil 6), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens der Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. 62 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 61 gezeigt ist, entlang einer Linie I-I von 61. 63 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 61 gezeigt ist, entlang einer Linie J-J von 61. Es sei bemerkt, dass L2 in 61 bis 63 eine Ätzmengentiefe, die durch einen zweiten Ätzprozess gebildet ist (eine Ätztiefe, auf die im Folgenden als eine Tiefe L2 Bezug genommen ist), anzeigt.
Als Nächstes wird, wie in 64 bis 66 gezeigt, an dem Siliziumsubstrat 120 unter Verwendung der dritten Resistschicht 132 als eine Maske der zweite Ätzprozess durchgeführt, um einen Nutteil 146, der hinsichtlich der Oberfläche des Siliziumsubstrats 120 eine Tiefe (L1+L2) hat, und einen Stufenteil 142 des Bereichs 136, der dem vierten Säulenteil 109 entspricht, zu bilden. Der Stufenteil 142 wird als eine Stufe gebildet, die hinsichtlich der Oberfläche des Siliziumsubstrats 120 eine Tiefe L2 hat. Dann wird der dritte Resistfilm 132 entfernt.
64 ist eine Draufsicht (Teil 7), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens der Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. 65 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 64 gezeigt ist, entlang einer Linie I-I von 64. 66 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 64 gezeigt ist, entlang einer Linie J-J von 64. Es sei bemerkt, dass L3 in 64 bis 66 eine Ätzmenge eines dritten Ätzprozesses (eine Ätztiefe, auf die im Folgenden als eine „Tiefe L3" Bezug genommen ist), anzeigt.
Als Nächstes wird, wie in 67 bis 69 gezeigt, an dem Siliziumsubstrat 120 unter Verwendung der zweiten Resistschicht 127 als eine Maske der dritte Ätzprozess durchgeführt, um einen Nutteil 152, der hinsichtlich der Oberfläche des Siliziumsubstrats 120 eine Tiefe (L1+L2+L3) hat, einen Stufenteil 148 mit einer Tiefe (L2+L3) in dem Bereich 136, der dem vierten Säulenteil 109 entspricht, und einen Stufenteil 149 mit einer Tiefe L3 in dem Bereich 131, der dem dritten Säulenteil 108 entspricht, zu bilden. Dann wird der zweite Resistfilm 127 entfernt.
67 ist eine Draufsicht (Teil 8), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens der Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. 68 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 67 gezeigt ist, entlang einer Linie I-I von 67. 69 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 67 gezeigt ist, entlang einer Linie J-J von 67. Es sei bemerkt, dass L4 in 67 bis 69 eine Ätzmenge eines vierten Ätzprozesses (eine Ätztiefe, auf die im Folgenden als eine „Tiefe L4" Bezug genommen ist), anzeigt.
Als Nächstes wird, wie in 67 bis 69 gezeigt, an dem Siliziumsubstrat 120 unter Verwendung der ersten Resistschicht 123 als eine Maske der vierte Ätzprozess durchgeführt, um den Durchgangsteil 102, den Halteteil 101, den vierten Säulenteil 109, der in dem Bereich 136 eine Stufe mit einer Tiefe (L2+L3+L4) hinsichtlich einer oberen Fläche des Halteteils 101 aufweist, den dritten Säulenteil 108, der in dem Bereich 131 eine Stufe mit einer Tiefe (L3+L4) hinsichtlich der oberen Fläche des Halteteils 101 aufweist, den zweiten Säulenteil 107, der in dem Bereich 126 eine Stufe mit einer Tiefe (L4) hinsichtlich der oberen Fläche des Halteteils 101 aufweist, und den ersten Säulenteil 106, der eine obere Fläche hat, die hinsichtlich der oberen Oberfläche des Halteteils 101 eine gleiche Ebene teilt, zu bilden. Der erste Säulenteil 106 ist ferner mit einem Durchgangsloch 125 zum Bilden der Durchgangslochelektrode 111 versehen.
Demgemäß wird die Stufe mit der Tiefe L4 zwischen dem ersten Säulenteil 106 und dem zweiten Säulenteil 107 gebildet, die Stufe mit der Tiefe L3 wird zwischen dem zweiten Säulenteil 107 und dem dritten Säulenteil 108 gebildet, und die Stufe mit der Tiefe L2 wird zwischen dem dritten Säulenteil 108 und dem vierten Säulenteil 109 gebildet. Es sei bemerkt, dass die Tiefen L1-L4 eine Beziehung L1=L2=L3=L4 erfüllend gebildet werden können oder jeweils mit unterschiedlichen Tiefen gebildet werden können. Ferner kann bei einem Fall, bei dem die Tiefen L1-L4 die Beziehung L1=L2=L3=L4 erfüllen, L1 auf beispielsweise 50 μm eingestellt sein. Ferner können die Breiten der ersten bis vierten Säulenteile 106–109 beispielsweise in Größen gebildet sein, die näherungsweise zwischen 15–50 μm liegen.
70 ist eine Draufsicht (Teil 9), die einen Prozess des Herstellungsverfahrens der Halbleiterprüfungsvorrichtung gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. 71 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 70 gezeigt ist, entlang einer Linie I-I von 70. 72 ist eine Querschnittsansicht der Konfiguration, die in 70 gezeigt ist, entlang einer Linie J-J von 70.
Als Nächstes wird, wie in 70 bis 72 gezeigt, nachdem der erste Resistfilm 123 entfernt ist, an den Bodenflächenteilen 106A–109A der ersten bis vierten Säulenteile 106–109 die leitfähige Metallschicht 114, die eine Keimschicht 126 und einen Metallplattierungsfilm 127 aufweist, gebildet, und in dem Durchgangsloch 125 wird die Durchgangslochelektrode 111, die die Keimschicht 126 und den Metallplattierungsfilm 127 aufweist, gebildet. Als die Keimschicht 126 kann beispielsweise ein Ti-Film, ein W-Film oder ein Cr-Film eingesetzt werden. Als der Plattierungsfilm 127 kann ferner ein Film eingesetzt werden, der beispielsweise eine Ni-Legierung, Cu und/oder Gold aufweist. Es sei bemerkt, dass, da die Prozesse zum Bilden der leitfähigen Metallschicht 114 und des Durchgangslochs 111 die gleichen wie diejenigen des ersten Ausführungsbeispiels sind, deren weitere Beschreibung weggelassen ist.
Bei dem Herstellen der Halbleiterprüfungsvorrichtung 100 mit den im Vorhergehenden. beschriebenen Herstellprozessen kann folglich durch Einsetzen eines solchen Photoätzverfahrens, das für ein Verarbeiten von Halbleitervorrichtungen oder dergleichen verwendet wird, eine Prozessgenauigkeit verbessert werden, um dadurch zu ermöglichen, dass die Kontaktsonde(n) 105 in einer schmaleren Teilung als die herkömmliche(n) Kontaktsonde(n) angeordnet ist (sind). Zusätzlich kann die Kontaktsonde 105, die eine geringe plastische Verformung hat, bei einem niedrigen Aufwand in Massen erzeugt werden. Es sei bemerkt, dass bei dem dritten Ausführungsbeispiel der vierte Säulenteil 109 einstückig mit dem Halteteil 101 gebildet sein kann. Ferner ist die Position der Durchgangslochelektrode (55, 111) nicht auf die Position begrenzt, die bei den ersten bis dritten Ausführungsbeispielen beschrieben ist, sondern kann bei einem beliebigen der mehreren Säulenteile gebildet sein.
Demgemäß schafft die vorliegende Erfindung eine Halbleiterprüfungsvorrichtung, die eine Kontaktsonde aufweist, und ein Verfahren zum Herstellen der Kontaktsonde zum Verbessern einer Prozessgenauigkeit, was ermöglicht, dass Kontaktsonden in einer schmalen Teilung angeordnet sind, und erlaubt, dass Kontaktsonden bei einem niedrigen Aufwand in Massen erzeugt werden.
Die vorliegende Erfindung ist ferner nicht auf diese Ausführungsbeispiele begrenzt, sondern es können verschiedene Variationen und Modifikationen vorgenommen sein, ohne von dem in den Ansprüchen definierten Schutzbereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen.

Claims

Halbleiterprüfungsvorrichtung (40) zum Prüfen einer elektronischen Vorrichtung, wobei die Halbleiterprüfungsvorrichtung gekennzeichnet ist durch eine Kontaktsonde (45), die eine Mehrzahl von Blockteilen (46–49), die in einem Reihenkontakt angeordnet sind, umfasst, wobei jeder der Blockteile eine unterschiedliche Höhe hat; eine leitfähige Schicht (52), die mindestens an den Oberflächen der Blockteile gebildet ist; einen Halteteil (41) zum Halten der Kontaktsonde; und eine Durchgangslochelektrode (55), die mindestens einen der Blockteile (49) durchdringt; wobei die Kontaktsonde und der Halteteil aus einem einzelnen Siliziumsubstrat (60) einstückig gebildet sind.
Halbleiterprüfungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Blockteile, aus einer Draufsichtrichtung betrachtet, auf eine spiralartige Art und Weise auf dem Siliziumsubstrat angeordnet sind.
Halbleiterprüfungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Halteteil einen Rahmenkörper, der die Blockteile umgibt, umfasst, wobei der Rahmenkörper mit mindestens einem der Blockteile der Kontaktsonde einstückig gebildet ist, wobei die Blockteile jeweils einen Bodenflächenteil haben, der hinsichtlich eines Bodenflächenteils des Rahmenkörpers eine gleiche Ebene teilt.
Verfahren zum Herstellen einer Kontaktsonde (45), die erste bis Nte Blockteile (46–49), die in einem Reihenkontakt angeordnet sind, umfasst, wobei jeder der Blockteile eine unterschiedliche Höhe hat, und die N Blockteile durch einen Halteteil (41) getragen sind, wobei das Verfahren durch folgende Schritte gekennzeichnet ist: a) Bilden eines ersten, d. h. N=1, Resistfilms an einem Abschnitt eines Siliziumsubstrats (60), der einer Position des Halteteils entspricht, und einem Abschnitt des Siliziumsubstrats (60), der einer Position eines ersten Blockteils entspricht; b) Erhöhen von N um 1 und Bilden eines Nten Resists an dem N-1ten Resistfilm und einem Abschnitt des Siliziumsubstrats, der einer Position eines Nten Blockteils entspricht, wobei der Nte Resistfilm eine Eigenschaft hat, die sich von derjenigen des N-1ten Resistfilms unterscheidet; c) Wiederholen des Schritts b) für die restlichen Werte von N; d) Ätzen eines vorbestimmten Bereichs auf eine vorbestimmte Tiefe durch Verwenden des Nten Resistfilms als eine Maske und dann Entfernen des Nten Resistfilms; e) Verringern von N um 1 und Wiederholen des Schritts d) für die restlichen Werte von N; und f) Bilden einer leitfähigen Schicht (52) mindestens an den Oberflächen der ersten bis Nten Blockteile.
Verfahren zum Herstellen einer Kontaktsonde nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Sonde erste bis vierte, d. h. N=4, Blockteile umfasst, wobei das Verfahren durch folgenden Schritt gekennzeichnet ist: Bilden eines Durchgangslochs in mindestens einem der Blockteile und Bilden einer leitfähigen Schicht (52) mindestens an den Oberflächen der ersten bis vierten Blockteile und Füllen des Durchgangslochs mit einem leitfähigen Material.
Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Halteteil einen Rahmenkörper, der die ersten bis vierten Blockteile umgibt, umfasst, wobei der Rahmenkörper mit mindestens einem der ersten bis vierten Blockteile der Kontaktsonde einstückig gebildet ist.