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Die
vorliegend Erfindung betrifft eine lithographische Vorrichtung sowie
ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelements.
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Eine
lithographische Vorrichtung ist eine Maschine, die ein erwünschtes
Muster auf ein Substrat aufbringt, gewöhnlich auf einen Zielabschnitt
des Substrats. Eine lithographische Vorrichtung kann zum Beispiel
bei der Herstellung integrierter Schaltkreise (ICs) verwendet werden.
In diesem Fall kann eine Musteraufbringungsvorrichtung, die alternativ als
eine Maske oder ein Retikel bezeichnet wird, dazu verwendet werden,
ein Schaltkreismuster zu erzeugen, das auf einer einzelnen Schicht
des ICs zu bilden ist. Dieses Muster kann auf einen Zielabschnitt (der
zum Beispiel einen Teil von einem oder mehreren Dies aufweist) eines
Substrats (zum Beispiel eines Siliziumwafers) übertragen werden. Die Übertragung
des Musters geschieht typischerweise durch Abbildung auf eine Schicht
aus strahlungsempfindlichen Material (Photolack), das auf dem Substrat
vorgesehen ist. Im Allgemeinen enthält ein einzelnes Substrat ein
ganzes Netzwerk benachbarter Zielabschnitte, die nacheinander mit
einem Muster versehen werden. Bekannte lithographische Vorrichtungen umfassen
sogenannte Stepper, bei denen jeder Zielabschnitt dadurch bestrahlt
wird, dass ein gesamtes Muster auf den Zielabschnitt auf einmal
abgebildet wird, und sogenannte Scanner, bei denen jeder Zielabschnitt
dadurch bestrahlt wird, dass das Muster durch einen Strahl aus Strahlung
längs einer
vorgegebenen Richtung (der „Scan"-Richtung) gescannt wird,
während
synchron dazu das Substrat parallel oder antiparallel zu dieser
Richtung gescannt wird. Es ist ebenso möglich, das Muster durch Drucken von
der Musteraufbringungsvorrichtung auf das Substrat zu übertragen.
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Es
ist vorgeschlagen worden, das Substrat in der lithographischen Projektionsvorrichtung
in eine Flüssigkeit
zu tauchen, die einen relativ hohen Brechungsindex besitzt, zum
Beispiel Wasser, mit der ein Raum zwischen dem finalen Element des
Projektionssystems und dem Substrat gefüllt wird. Der Zweck besteht
darin, die Abbildung kleinerer Merkmale zu ermöglichen, da die Belichtungsstrahlung
in der Flüssigkeit
eine kürzere
Wellenlänge
besitzt (der Effekt der Flüssigkeit
kann ebenso darin gesehen werden, die Verwendung eines Systems mit
einer größeren effektiven
NA zu ermöglichen
und ebenso die Tiefenschärfe
zu vergrößern). Andere
Tauchflüssigkeiten
sind vorgeschlagen worden, einschließlich Wasser mit darin suspendierten
Partikeln (zum Beispiel Quarz).
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Das
Eintauchen des Substrats oder des Substrats und des Substrattisches
in ein Flüssigkeitsbad (siehe
zum Beispiel die
US 4,509,852 )
bedeutet jedoch, dass ein großer
vorhandener Flüssigkeitskörper bei
der Scanbelichtung beschleunigt werden muss. Dies erfordert zusätzliche
oder leistungsstärkere
Motoren, wobei Turbolenzen in der Flüssigkeit zu unerwünschten
und unvorhersagbaren Effekten führen
können.
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Eine
der vorgeschlagenen Lösungen
besteht darin, ein Flüssigkeitszufuhrsystem
vorzusehen, bei dem Flüssigkeit
lediglich einem lokalen Bereich des Substrats sowie zwischen dem
finalen Element des Projektionssystems und dem Substrat unter Verwendung
eines Flüssigkeitseinschlusssystems
zugeführt wird
(das Substrat besitzt allgemein einen größeren Oberflächenbereich
als das finale Element des Projektionssystems). Eine Möglichkeit,
die vorgeschlagen worden ist, um dies zu erzielen, ist in der
WO 99/49504 offenbart.
Wie in den
2 und
3 dargestellt,
wird Flüssigkeit über zumindest
einen Einlass IN auf das Substrat aufgebracht, vorzugsweise entlang
der Bewegungsrichtung des Substrats relativ zu dem finalen Element,
und durch zumindest einen Auslass OUT abgeführt, nach dem die Flüssigkeit
unterhalb des Projektionssystems vorbeigeführt worden ist. Mit anderen
Worten, während
das Substrat unterhalb des Elements in –X Richtung gescannt wird,
wird Flüssigkeit
an der +X Seite des Elements zugeführt und an der –X Seite
abgeführt.
2 zeigt
auf schematische Weise die Anordnung, bei der Flüssigkeit über einen Einlass IN zugeführt und
auf der anderen Seite des Elements über einen Auslass OUT, der
mit einer Niedrigdruckquelle verbunden ist, abgeführt wird.
In der Darstellung der
2 wird die Flüssigkeit entlang
der Bewegungsrichtung des Substrats relativ zu dem finalen Element
zugeführt,
obwohl dies nicht unbedingt der Fall sein muss. Verschiedene Ausrichtungen
sowie eine andere Anzahl von Ein- und Auslässen, die um das finale Element
herum angeordnet sind, sind möglich,
wobei ein Beispiel in
3 dargestellt ist, bei dem vier
Gruppen aus einem Einlass und einem Auslass an jeder Seite zu einem
regelmäßigen Muster
um das finale Element herum vorgesehen sind.
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Eine
weitere Lösung,
die vorgeschlagen worden ist, besteht darin, das Flüssigkeitszufuhrsystem mit
einem Dichtelement zu versehen, das sich entlang zumindest eines
Abschnitts einer Grenze des Raums zwischen dem finalen Element des
Projektionssystems und dem Substrattisch erstreckt. Solch eine Lösung ist
in
4 dargestellt. Das Dichtelement ist relativ zu
dem Projektionssystem in der XY-Ebene im wesentlichen stationär, wenngleich
es eine Relativbewegung in Z-Richtung (in Richtung der optischen
Achse) geben kann. Eine Dichtung ist zwischen dem Dichtelement und
der Oberfläche
des Substrats gebildet. Vorzugsweise ist die Dichtung eine kontaktlose
Dichtung, wie zum Beispiel eine Gasdichtung. Solch ein System mit
einer Gasdichtung ist in der
europäischen Patentanmeldung
Nr. 03 252 955.4 offenbart.
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In
der
europäischen Patentveröffentlichung Nr.
1 420 300 ist die Idee einer zweistufigen oder doppelstufigen
lithographischen Tauchvorrichtung offenbart. Solch eine Vorrichtung
ist mit zwei Stufen zum Halten bzw. Stützen des Substrats versehen.
Nivellierungsmessungen werden mit einer Stufe an einer ersten Position
ohne Tauchflüssigkeit
durchgeführt,
und die Belichtung wird mit einer Stufe in einer zweiten Position
durchgeführt,
in der Tauchflüssigkeit vorhanden
ist. Alternativ kann die Vorrichtung lediglich eine Stufe aufweisen.
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Mehrere
Sensoren werden auf Substratniveau zum Auswerten und Optimieren
der Abbildungsperformance verwendet. Diese können Transmissionsbildsensoren
(TIS), Punktsensoren zum Messen der Dosis der Belichtungsstrahlung
sowie integrierte Linseninterferometer am Scanner („integrated
lens interferometers at scanner")
(ILIAS) umfassen. TIS sowie ILIAS werden im Anschluss beschrieben.
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Ein
TIS ist ein Sensor, der die Position von einem projizierten Luftbild
auf Substratniveau eines Markierungsmusters auf Masken-(Retikel)Niveau misst.
Das projizierte Bild auf Substratniveau kann ein Linienmuster mit
einer Linienbreite sein, die vergleichbar mit der Wellenlänge der
Belichtungsstrahlung ist. Der TIS misst dieses Maskenmuster unter Verwendung
eines Transmissionsmusters mit Hilfe einer darunter angeordneten
Photozelle. Die Sensordaten können
dazu verwendet werden, die Position der Maske in Bezug auf den Substrattisch
längs sechs
Freiheitsgraden zu messen (drei hinsichtlich der Translation und
drei hinsichtlich der Rotation). Zusätzlich kann die Vergrößerung sowie
die Skalierung der projizierten Maske gemessen werden. Da der Sensor
vorzugsweise in der Lage ist, die Musterpositionen sowie die Einflüsse sämtlicher
Beleuchtungseinstellungen (Sigma, NA der Linse, sämtliche Masken
(binär,
PSM, etc.)) zu messen, wird eine geringe Linienbreite bevorzugt.
Der TIS kann ebenso dazu verwendet werden, um die optische Performance
des Werkzeuges zu messen. Unterschiedliche Beleuchtungseinstellungen
werden in Kombination mit unterschiedlichen projizierten Bildern
verwendet, um verschiedene Eigenschaften, wie zum Beispiel die Pupillenform,
das Koma, die sphärische Aberration,
den Astigmatismus sowie die Feldkrümmung, zu messen.
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Ein
ILIAS ist ein interferometrisches Wellenfrontmesssystem, das statische
Messungen der Linsenabberationen, und zwar bis zu einer höheren Ordnung,
durchführen
kann. Es kann als ein integriertes Messsystem implementiert sein,
das zur Initialisierung und Kalibrierung des Systems verwendet wird. Alternativ
kann es zum Überwachen
und zur erneuten Kalibrierung „nach
Bedarf" verwendet
werden.
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Bei
Systemen mit einer großen
NA, und insbesondere bei Tauchsystemen, hat man herausgefunden,
dass herkömmliche
Sensoren auf Substratniveau eine geringe oder keine Empfindlichkeit
in Bezug auf Strahlung aufweisen, die unter Winkeln entsprechend
einer NA von größer als
1 ankommt. Die NA ist als nsin(θ)
bestimmt, wobei n der Brechungsindex des Materials zwischen dem
letzten Element des Projektionssystems und dem Substrat und θ der Winkel
derjenigen Strahlung zur Normalen ist, die am weitesten von der
Normalen entfernt ist.
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EP 1 486 828 A beschreibt
eine lithographische Projektionsvorrichtung, bei der ein Raum zwischen
dem finalen Element des Projektionssystems und einem Sensor mit
einer Flüssigkeit
gefüllt
ist. Dort wird ein Sensor auf Substratniveau beschrieben, der eine
Lumineszenzschicht in Kombination mit einer Photozelle aufweist,
die direkt auf einer durchlässigen
Platte aufgebracht ist.
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EP 1 510 870 A entspricht
einem Dokument gemäß Artikel
54(3)EPÜ.
Dort wird eine lithographische Vorrichtung beschrieben, die ein
Projektionssystem aufweist, das zum Projizieren eines gemusterten
Strahls aus Strahlung auf einen Zielabschnitt eines Substrats ausgebildet
ist, und das einen Sensor auf Substratniveau umfasst, der ein die
Strahlung empfangendes Element, eine durchlässige Platte, die das die Strahlung
empfangende Element stützt, sowie
eine die Strahlung erfassende Einrichtung aufweist, wobei der Sensor
auf Substratniveau derart angeordnet ist, dass ein Verlust an Strahlung
zwischen dem die Strahlung empfangenden Element und dem finalen
Element der die Strahlung erfassenden Einrichtung vermieden wird.
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Es
ist erwünscht,
einen Sensor auf Substratniveau mit hoher Empfindlichkeit vorzusehen,
der zur Verwendung in einem System mit einer großen NA geeignet ist.
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Gemäß einem
Aspekt der Erfindung wird ein Sensor 30 zur Verwendung
in einer lithographischen Projektionsvorrichtung auf Substrat-Niveau
vorgesehen, die ein Projektionssystem (PL) aufweist, das zum Projizieren
des gemusterten Strahls (B) aus Strahlung auf einen Zielabschnitt
(C) des Substrats (W) mit einer numerischen Apertur von größer als
1 ausgebildet ist, wobei der Sensor (30) umfasst:
einen
Strahlungsdetektor (25);
eine durchlässige Platte
(22), die eine vorderseitige und eine rückseitige Oberfläche (22a)
aufweist, wobei die durchlässige
Platte den Strahlungsdetektor (25) derart überdeckt,
dass die von dem Projektionssystem projizierte Strahlung durch die
vorderseitige Oberfläche
der durchlässigen
Platte (22) und durch die rückseitige Oberfläche (22a)
derselben zu dem Strahlungsdetektor (25) verläuft; und
eine
auf der rückseitigen
Oberfläche
der durchlässigen
Platte (22) vorgesehene lumineszierende Schicht (23),
wobei die lumineszierende Schicht (23) die Strahlung absorbiert
und Lumineszenzstrahlung mit einer anderen Wellenlänge emittiert,
und
wobei die rückseitige
Oberfläche
(22a) rau ist;
dadurch gekennzeichnet, dass die rückseitige
Oberfläche
eine Oberflächenrauigkeit
Rdq im Bereich von 0,1 bis 0,5 aufweist.
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Gemäß einem
weiten Aspekt der Erfindung wird ein Sensor (30) zur Verwendung
in einer lithographischen Projektionsvorrichtung auf Substrat-Niveau
vorgesehen, die ein Projektionssystem (PL) aufweist, das zum Projizieren
des gemusterten Strahls (B) aus Strahlung auf einen Zielabschnitt
(C) des Substrats (W) mit einer numerischen Apertur von größer als
1 ausgebildet ist, wobei der Sensor (30) umfasst:
einen
Strahlungsdetektor (25);
eine durchlässige Platte
(22), die eine vorderseitige und eine rückseitige Oberfläche (22a)
aufweist, wobei die durchlässige
Platte (22) den Strahlungsdetektor (25) derart überdeckt,
dass die von dem Projektionssystem (PL) projizierte Strahlung durch
die vorderseitige Oberfläche
der durchlässigen
Platte (22) und durch die rückseitige Oberfläche (22a)
derselben zu dem Strahlungsdetektor (25) verläuft; und
eine
Fresnel-Linse (31), die auf der rückseitigen Oberfläche (22a)
der durchlässigen
Platte (22) vorgesehen und zur Einkopplung von Strahlung
in den Strahlungsdetektor (25) angeordnet ist.
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Gemäß einem
weiteren Aspekt der Erfindung wird ein Sensor (40) zur
Verwendung in einer lithographischen Projektionsvorrichtung auf
Substrat-Niveau vorgesehen, die ein Projektionssystem (PL) aufweist,
das zum Projizieren des gemusterten Strahl (B) aus Strahlung auf
einen Zielabschnitt (C) des Substrats (W) mit einer numerischen
Apertur von größer als
1 ausgebildet ist, wobei der Sensor (40) umfasst:
einen
Strahlungsdetektor (25);
eine durchlässige Platte
(22), die eine vorderseitige und eine rückseitige Oberfläche (22a)
aufweist, wobei die durchlässige
Platte (22) den Strahlungsdetektor (25) derart überdeckt,
dass die von dem Projektionssystem projizierte Strahlung durch die
vorderseitige Oberfläche
der durchlässigen
Platte (22) und durch die rückseitige Oberfläche (22a)
derselben zu dem Strahlungsdetektor (25) verläuft;
wobei
ein Bereich (41) der durchlässigen Platte (22), durch
den die Strahlung verläuft,
einen Brechungsindexgradienten aufweist derart, dass die Strahlung zur
Normalen der rückseitigen
Oberfläche
(22a) der transparenten Platte (22) gebrochen
wird.
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Gemäß einem
weiteren Aspekt der Erfindung wird ein Sensor (50) zur
Verwendung in einer lithographischen Projektionsvorrichtung auf
Substrat-Niveau vorgesehen, die ein Projektionssystem (PL) aufweist,
das zum Projizieren des gemusterten Strahls (B) aus Strahlung auf
einen Zielabschnitt (C) des Substrats (W) mit einer numerischen
Apertur von größer als
1 ausgebildet ist, wobei der Sensor (50) umfasst:
einen
Strahlungsdetektor (25);
eine durchlässige Platte
(22), die eine vorderseitige und eine rückseitige Oberfläche (22a)
aufweist, wobei die durchlässige
Platte (22) den Strahlungsdetektor (25) derart überdeckt,
dass die von dem Projektionssystem projizierte Strahlung durch die
vorderseitige Oberfläche
der durchlässigen
Platte (22) und durch die rückseitige Oberfläche (22a)
derselben zu dem Strahlungsdetektor (25) verläuft; und
einen
invertierten Winston-Kegel (51), der auf der rückseitigen
Oberfläche
(22a) der durchlässigen Platte
(22) vorgesehen ist und zur Einkoppelung von Strahlung
in den Strahlungsdetektor (25) angeordnet ist.
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Gemäß einem
weiteren Aspekt der Erfindung wird ein Sensor (70) zur
Verwendung in einer lithographischen Projektionsvorrichtung auf
Substrat-Niveau vorgesehen, die ein Projektionssystem (PL) aufweist,
das zum Projizieren des gemusterten Strahls (B) aus Strahlung auf
einen Zielabschnitt (C) des Substrats (W) mit einer numerischen
Apertur von größer als
1 ausgebildet ist, wobei der Sensor (70) umfasst:
einen
Strahlungsdetektor (25);
eine durchlässige Platte
(22), die eine vorderseitige und eine rückseitige Oberfläche (22a)
aufweist, wobei die durchlässige
Platte (22) den Strahlungsdetektor (25) derart überdeckt,
dass die von dem Projektionssystems projizierte Strahlung durch
die vorderseitige Oberfläche
der durchlässigen
Platte (22) und durch die rückseitige Oberfläche (22a)
derselben zu dem Strahlungsdetektor (25) verläuft; und
ein
holographisches optisches Element (71), das auf der rückseitigen
Oberfläche
(22a) der durchlässigen Platte
(22) vorgesehen und zur Einkoppelung von Strahlung in den
Strahlungsdetektor (25) angeordnet ist.
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Gemäß einem
weiteren Aspekt der Erfindung wird ein Sensor zur Verwendung in
einer lithographischen Projektionsvorrichtung auf Substrat-Niveau
vorgesehen, die ein Projektionssystem aufweist, das zum Projizieren
des gemusterten Strahls aus Strahlung auf einen Zielabschnitt des
Substrats mit einer numerischen Apertur von größer als 1 ausgebildet ist,
wobei der Sensor umfasst:
einen Strahlungsdetektor;
eine
durchlässige
Platte, die eine vorderseitige und eine rückseitige Oberfläche aufweist,
wobei die durchlässige
Platte den Strahlungsdetektor derart überdeckt, dass die von dem
Projektionssystem projizierte Strahlung durch die vorderseitige
Oberfläche der
durchlässigen
Platte und durch die rückseitige Oberfläche derselben
zu dem Strahlungsdetektor verläuft;
eine
konvexe sphärische
Linse, die auf der rückseitigen
Oberfläche
der durchlässigen
Platte vorgesehen ist; und
einen zylindrischen Reflektor, der
die konvexe sphärische
Linse umgibt und derart angeordnet ist, dass die aus der Linse austretende
Strahlung in den Strahlungsdetektor eingekoppelt wird.
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Gemäß einem
weiteren Aspekt der Erfindung wird ein Sensor zur Verwendung in
einer lithographischen Projektionsvorrichtung auf Substrat-Niveau
vorgesehen, die ein Projektionssystem aufweist, das zum Projizieren
des gemusterten Strahls aus Strahlung auf einen Zielabschnitt des
Substrats mit einer numerischen Apertur von größer als 1 ausgebildet ist,
wobei der Sensor umfasst:
einen Strahlungsdetektor;
eine
durchlässige
Platte, die eine vorderseitige und eine rückseitige Oberfläche aufweist,
wobei die durchlässige
Platte den Strahlungsdetektor derart überdeckt, dass die von dem
Projektionssystem projizierte Strahlung durch die vorderseitige
Oberfläche der
durchlässigen
Platte und durch die rückseitige Oberfläche derselben
zu dem Strahlungsdetektor verläuft;
und
einen zylindrischen Korpus, der auf der rückseitigen Oberfläche der
durchlässigen
Platte vorgesehen und zur Einkoppelung von Strahlung in den Strahlungsdetektor
angeordnet ist, wobei der zylindrische Korpus eine reflektierende
Beschichtung an seiner gekrümmten
Seitenoberfläche
und eine konkave Vertiefung an seiner dem Sensor zugewandten Endoberfläche aufweist.
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Ausführungsformen
der Erfindung werden nun lediglich beispielhaft unter Bezugnahme
die beigefügten
schematischen Zeichnungen beschrieben, in denen entsprechende Bezugszeichen
auf entsprechende Teile hinweisen, und von denen:
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1 eine
lithographische Vorrichtung gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung darstellt;
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2 und 3 ein
Flüssigkeitszufuhrsystem
darstellen, das in einer lithographischen Projektionsvorrichtung
aus dem Stand der Technik verwendet wird;
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4 ein
Flüssigkeitszufuhrsystem
entsprechend einer weiteren lithographischen Projektionsvorrichtung
aus dem Stand der Technik darstellt;
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5 ein
Flüssigkeitszufuhrsystem
entsprechend einer weiteren lithographischen Projektionsvorrichtung
aus dem Stand der Technik darstellt;
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6 ein
ILIAS Sensormodul entsprechend dem Stand der Technik darstellt;
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7 ein
Sensormodul gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung darstellt;
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8 die
Strahlungseinkoppelung in eine Lumineszenzschicht ohne Oberflächenaufrauung darstellt;
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9 die
Strahlungseinkoppelung in eine Lumineszenzschicht mit Oberflächenaufrauung
darstellt;
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10 ein
weiteres Sensormodul gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung darstellt;
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11 ein
weiteres Sensormodul gemäß der Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung darstellt;
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12 ein
weiteres Sensormodul gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung darstellt;
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13 ein
weiteres Sensormodul gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung darstellt;
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14 ein
weiteres Sensormodul gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung darstellt;
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15 ein
weiteres Sensormodul gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung darstellt; und
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16 ein
weiteres Sensormodul gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung darstellt.
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In
den Figuren weisen entsprechende Bezugszeichen auf entsprechende
Teile hin.
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1 stellt
schematisch eine lithographische Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform
der Erfindung dar. Die Vorrichtung umfasst:
- – ein Illuminationssystem
(Illuminator) IL, der zum Konditionieren eines Strahls B aus Strahlung (zum
Beispiel UV-Strahlung oder DUV-Strahlung) ausgebildet ist;
- – einen
Halteraufbau (zum Beispiel einen Maskentisch) MT, der zum Halten
einer Musteraufbringungsvorrichtung (zum Beispiel einer Maske) MA aufgebaut
und mit einer ersten Positioniereinrichtung PN verbunden ist, die
zum genauen Positionieren der Musteraufbringungsvorrichtung in Übereinstimmung
mit bestimmten Parametern ausgebildet ist;
- – einen
Substrattisch (zum Beispiel einen Wafertisch) WT, der zum Halten
eines Substrats (zum Beispiel eines Wafers, der mit Photolack beschichtet
ist) W aufgebaut und mit einer zweiten Positioniereinrichtung PW
verbunden ist, die zum genauen Positionieren des Substrats in Übereinstimmung
mit gewissen Parametern ausgebildet ist; und
- – ein
Projektionssystem (zum Beispiel ein refraktives Projektionslinsensystem)
PL, das zum Projizieren eines Musters, mit dem der Strahl B aus Strahlung
durch eine Musteraufbringungsvorrichtung MA versehen ist, auf einen
Zielabschnitt C (der zum Beispiel ein oder mehrere Dies aufweist) des
Substrats W ausgebildet ist.
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Das
Illuminationssystem kann verschiedenartige optische Komponenten
umfassen, zum Beispiel refraktive, reflektierende, magnetische,
elektromagnetische, elektrostatische oder andere Arten optischer
Komponenten, oder eine Kombination derselben, zum Richten, Formen
oder Steuern der Strahlung.
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Der
Halteraufbau hält
die Musteraufbringungsvorrichtung, d. h. er trägt deren Gewicht. Er hält die Musteraufbringungsvorrichtung
auf eine Weise, die von der Ausrichtung der Musteraufbringungsvorrichtung,
dem Design der lithographischen Vorrichtung und anderen Bedingungen,
wie zum Beispiel, ob die Musteraufbringungsvorrichtung in einem
Vakuum gehalten wird, abhängt.
Der Halteraufbau kann sich mechanische, vakuumtechnische, elektrostatische oder
andere Klemmmaßnahmen
zu Nutze machen, um die Musteraufbringungsvorrichtung zu halten.
Der Hal teraufbau kann zum Beispiel ein Rahmen oder ein Tisch sein,
der je nach Bedarf fixiert oder beweglich sein kann. Der Halteraufbau
kann sicherstellen, dass sich die Musteraufbringungsvorrichtung
zum Beispiel in Bezug auf das Projektionssystem an einer erwünschten
Position befindet. Jegliche Verwendung der Begriffe „Retikel" oder „Maske" hier können als gleichbedeutend
mit dem eher allgemeineren Begriff „Musteraufbringungsvorrichtung" angesehen werden.
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Der
hier verwendete Begriff „Musteraufbringungsvorrichtung" sollte dahingehend
breit ausgelegt werden, als dass er eine beliebige Vorrichtung bezeichnet,
die dazu verwendet wird, den Querschnitt eines Strahls aus Strahlung
mit einem Muster zu versehen derart, dass ein Muster in einem Zielabschnitt des
Substrats erzeugt wird. Es wird darauf hingewiesen, dass das Muster,
mit dem der Strahl aus Strahlung versehen wird, nicht exakt dem
erwünschten Muster
im dem Zielabschnitt des Substrats entsprechen muss, zum Beispiel
dann, wenn das Muster Phasenverschiebungsmerkmale oder sogenannte Hilfsmerkmale
umfasst. Im Allgemeinen entspricht das Muster, mit dem der Strahl
aus Strahlung versehen wird, einer spezifischen Funktionsschicht
in einem Bauteil, das in einem Zielabschnitt erzeugt wird, beispielsweise
in einem integrierten Schaltkreis.
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Die
Musteraufbringungsvorrichtung kann durchlässig oder reflektierend sein.
Beispiele von Musteraufbringungsvorrichtungen umfassen Masken, programmierbare
Spiegelanordnungen sowie programmierbare LCD-Paneele. Masken sind
in der Lithographie geläufig
und umfassen verschiedene Arten von Masken, wie zum Beispiel binäre, alternierende
Phasenverschiebungsmasken sowie dämpfende Phasenverschiebungsmasken
als auch verschiedenartige Hybridmasken. Ein Beispiel einer programmierbaren
Spiegelanordnung verwendet eine Matrixanordnung kleiner Spiegel,
von denen jeder einzeln geneigt werden kann, um so einen eingehenden
Strahl aus Strahlung in unterschiedliche Richtungen zu reflektieren.
Die geneigten Spiegel verleihen dem Strahl aus Strahlung ein Muster,
der durch die Spiegelmatrix reflektiert wird.
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Der
Begriff „Projektionssystem" sollte dahingehend
breit ausgelegt werden, als dass er verschiedene Arten von Projektionssystemen
umfasst, einschließlich
refraktive, reflektierende, katadioptrische, magnetische, elektromagnetische
sowie elektrostatische optische Systeme, oder eine beliebige Kombination
derselben, und zwar in Abhängigkeit
ihrer Eignung hinsichtlich der verwendeten Belichtungsstrahlung
oder anderer Faktoren, beispielsweise der Verwendung einer Tauchflüssigkeit
oder der Verwendung eines Vakuums. Jegliche Verwendung des Begriffes „Projektionslinse" kann als gleichbedeutend mit
dem eher allgemeineren Begriff „Projektionssystem" angesehen werden.
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Wie
hier dargestellt, ist die Vorrichtung vom Transmissionstyp (d. h.
sie verwendet eine durchlässige
Maske). Alternativ kann die Vorrichtung vom Reflektionstyp sein
(die zum Beispiel eine programmierbare Spiegelanordnung von der
voranstehend bezeichneten Art oder eine reflektierende Maske verwendet).
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Die
lithographische Vorrichtung kann von der Sorte sein, die zwei (zweistufig)
oder mehr Substrattische (und/oder zwei oder mehr Maskentische)
aufweist. Bei solchen „mehrstufigen" Geräten können die
zusätzlichen
Tische parallel verwendet werden, oder vorbereitende Schritte können auf
einem oder mehreren Tischen durchgeführt werden, während einer
oder mehrere andere Tische für
die Belichtung benutzt werden.
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Bezugnehmend
auf die 1 empfängt der Illuminator IL einen
Strahl aus Strahlung von einer Strahlungsquelle SO. Die Quelle und
die lithographische Vorrichtung können getrennte Einheiten sein, zum
Beispiel dann, wenn die Quelle ein Excimer-Laser ist. In solchen Fällen wird
die Quelle nicht als ein Teil der lithographischen Vorrichtung angesehen
und der Strahl aus Strahlung wird von der Quelle SO zu dem Illuminator
IL mit Hilfe eines Strahlabgabesystem BD geführt, der zum Beispiel geeignete
Richtspiegel und/oder einen Strahlaufweiter aufweist. In anderen
Fällen
kann die Quelle ein integraler Teil der lithographischen Vorrichtung
sein, zum Beispiel dann, wenn die Quelle eine Quecksilberlampe ist.
Die Quelle SO und der Illuminator IL können zusammen mit dem Strahlabgabesystem
BD, falls erforderlich, als ein Strahlungssystem bezeichnet werden.
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Der
Illuminator IL kann eine Einstelleinrichtung AM aufweisen zum Einstellen
der winkelmäßigen Intensitätsverteilung
des Strahls aus Strahlung. Im Allgemeinen kann zumindest die äußere und/oder die
innere radiale Ausdehnung (herkömmlich
als σ-außen bzw. σ-innen bezeichnet)
der Intensitätsverteilung
in einer Pupillenebene des Illuminators eingestellt werden. Zusätzlich kann
der Illuminator IL verschiedene andere Komponente aufweisen, wie
zum Beispiel einen Integrator IN und einen Kondensor CO. Der Illuminator
kann zur Konditionierung des Strahls aus Strahlung verwendet werden,
um so seinem Querschnitt eine erwünschte Gleichmäßigkeit und
Intensitätsverteilung
zu verleihen.
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Der
Strahl aus Strahlung B trifft auf die Musteraufbringungsvorrichtung
(zum Beispiel eine Maske MA), die auf dem Halteraufbau (zum Beispiel
einem Maskentisch MT) gehalten wird, und er wird von der Musteraufbringungsvorrichtung
gemustert. Nach Durchlaufen der Maske MA verläuft der Strahl aus Strahlung
B durch das Projektionssystem PL, die den Strahl auf einen Zielabschnitt
C des Substrats W fokussiert. Mit Hilfe der zweiten Positioniereinrichtung PW
und des Positionssensors IF (zum Beispiel einer interferometrischen
Vorrichtung, einem linearen Encoder oder einem kapazitiven Sensor)
kann der Substrattisch WT genauestens bewegt werden, um zum Beispiel
unterschiedliche Zielabschnitte C in den Gang des Strahls aus Strahlung
B zu positionieren. Auf ähnliche
Weise kann die erste Positioniereinrichtung PN und ein weiterer
Positionssensor (der nicht explizit in 1 dargestellt
ist) dazu verwendet werden, um die Position der Maske MA in Bezug
auf den Gang des Strahls aus Strahlung B genauestens zu positionieren,
zum Beispiel nach dem mechanischen Herausrollen aus einem Maskenarchiv
oder während eines
Scans. Im Allgemeinen wird der Maskentisch MT mit Hilfe eines Moduls
mit langem Hub (grobe Positionierung) und eines Moduls mit kurzem
Hub (feine Positionierung) bewegt, die einen Teil der ersten Positioniereinrichtung
PM bilden. Auf ähnliche
Weise wird der Substrattisch WT unter Verwendung eines Moduls mit
langem Hub und eines Moduls mit kurzem Hub bewegt, die einen Teil
der zweiten Positioniereinrichtung PW bilden. Im Falle eines Steppers
(im Gegensatz zu einem Scanner) kann der Maskentisch MT lediglich
mit einem Aktuator mit kurzem Hub verbunden sein, oder er kann fixiert
sein. Die Maske MA sowie das Substrat W können unter Verwendung von Maskenausrichtungsmarkierungen
M1, M2 und Substratausrichtungsmarkierungen P1, P2 ausgerichtet werden.
Obwohl die Substratausrichtungsmarkierungen, wie dargestellt, bestimmte
Zielabschnitte belegen, können
sie sich in Bereichen zwischen Zielabschnitten befinden (diese sind
als „scribe-lane" Ausrichtungsmarkierungen
bekannt). Auf ähnliche
Weise, und zwar in Situationen, in denen mehr als ein Die auf der
Maske MA vorgesehen ist, können
sich die Maskenausrichtungsmarkierungen zwischen den Dies befinden.
Die dargestellte Vorrichtung kann in zumindest einem der folgenden
Modi verwendet werden:
- 1. Im Schrittmodus wird
der Maskentisch MT und der Substrattisch WT im wesentlichen stationär gehalten,
während
ein gesamtes Muster, mit dem der Strahl aus Strahlung versehen wurde,
auf einen Zielabschnitt C auf einmal (d. h. bei nur einer einzigen
statischen Belichtung) projiziert wird. Der Substrattisch WT wird
im Anschluss in X- und/oder Y-Richtung verschoben, so dass ein anderer
Zielabschnitt C belichtet werden kann. Im Schrittmodus begrenzt
die maximale Größe des Belich tungsfeldes
die Größe des Zielabschnittes C,
der bei einer einzelnen statischen Belichtung abgebildet wird.
- 2. Im Scan-Modus wird der Maskentisch MT und der Substrattisch
WT synchron miteinander gescannt, während ein Muster, mit dem ein
Strahl aus Strahlung versehen wurde, auf einen Zielabschnitt C projiziert
wird (d. h. bei nur einer einzigen dynamischen Belichtung). Die
Geschwindigkeit und die Richtung des Substrattisches WT relativ zu
dem Maskentisch MT kann anhand der (Verkleinerung) Vergrößerung sowie
den Bildumkehreigenschaften des Projektionssystem PL bestimmt werden.
Im Scan-Modus begrenzt die maximale Größe des Belichtungsfeldes die
Breite (senkrecht zur Scan-Richtung) des Zielabschnittes bei einer
einzelnen dynamischen Belichtung, während die Länge der Scanbewegung die Höhe (in Scan-Richtung)
des Zielabschnittes bestimmt.
- 3. In einem weiteren Modus wird der Maskentisch MT im wesentlichen
stationär
gehalten, der eine programmierbare Musteraufbringungsvorrichtung
hält, und
der Substrattisch WT wird bewegt oder gescannt, während ein
Muster, mit dem ein Strahl aus Strahlung versehen wurde, auf einen Zielabschnitt
C projiziert wird. In diesem Modus wird allgemein eine gepulste
Strahlungsquelle verwendet, und die programmierbare Musteraufbringungsvorrichtung
wird nach Bedarf nach jeder Bewegung des Substrattisches WT oder
zwischen aufeinanderfolgenden Strahlungspulsen während eines Scans aktualisiert.
Dieser Betriebsmodus kann auf einfache Weise auf die maskenlose
Lithographie angewendet werden, die eine programmierbare Musteraufbringungsvorrichtung
verwendet, zum Beispiel eine programmierbare Spiegelanordnung der
voranstehend bezeichneten Art.
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Kombinationen
und/oder Abänderungen
der voranstehend beschriebenen Verwendungsmodi oder völlig unterschiedliche
Verwendungsmodi können
ebenso eingesetzt werden.
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Wie
in 5 gezeigt, wird ein Flüssigkeitszufuhrsystem verwendet,
die Flüssigkeit
in den Raum zwischen dem finalen Element des Projektionssystems
und dem Substrat zuführt.
Das Reservoir 10 bildet eine kontaktlose Dichtung mit dem
Substrat, und zwar um das Bildfeld des Projektionssystems herum, so
dass Flüssigkeit
in einem Raum zwischen der Substratoberfläche und dem finalen Element
des Projektionssystems eingeschlossen wird. Das Reservoir wird durch
ein Dichtelement 12 gebildet, das oberhalb des finalen
Elements des Projektionssystems PL angeordnet ist und dieses umgibt.
Flüssigkeit
wird in den Raum unterhalb des Projektionssystems und innerhalb
des Dichtelements 12 eingebracht. Das Dichtelement 12 erstreckt
sich ein wenig oberhalb des finalen Elements des Projektionssystems,
und der Flüssigkeitspegel
steigt über
das finale Element an, so dass ein Puffer an Flüssigkeit vorgesehen wird. Das
Dichtelement 12 weist einen Innenumfang auf, der an dem
oberen Ende vorzugsweise in starker Maße der Form des Projektionssystems oder
dem finalen Element desselben entspricht, und kann zum Beispiel
rund sein. Am Boden entspricht der Innenumfang in starker Maße der Form
des Bildfeldes, und ist zum Beispiel rechtwinklig, obwohl dies nicht
unbedingt der Fall sein muss.
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Die
Flüssigkeit
wird in dem Reservoir durch eine Gasdichtung 16 eingeschlossen,
die zwischen dem Boden des Dichtelements 12 und der Oberfläche des
Substrats W angeordnet ist. Die Gasdichtung wird durch Gas, zum
Beispiel Luft oder synthetische Luft, allerdings vorzugsweise N2
oder ein anderes Inertgas, gebildet, das unter Druck über den
Einlass 15 in den Spalt zwischen dem Dichtelement und dem
Substrat zugeführt
und über
den ersten Auslass 14 abgeführt wird. Der Überdruck
an dem Gaseinlass 15, der Vakuumpegel an dem ersten Auslass 14 und die
Geometrie des Spalts 6 sind derart angeordnet, dass es
einen Luftfluss mit hoher Geschwindigkeit nach innen gibt, der die
Flüssigkeit
einschließt.
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6 zeigt
ein ILIAS Sensormodul 20 entsprechend dem Stand der Technik.
Dieses Modul weist eine Schergitterstruktur 21 als ein
die Strahlung empfangendes Element auf, das von einer durchlässigen Platte 22 gestützt wird,
welches aus Glas oder Quarz hergestellt sein kann. Eine Quantum-Konversionsschicht 23 befindet
sich unmittelbar oberhalb eines Kamerachips 25 (ein die
Strahlung erfassendes Element), der wiederum auf einem Substrat 28 befestigt
ist. Das Substrat 28 ist mit der durchlässigen Platte 22 über Abstandselemente 26 verbunden,
und Bonddrähte 27 verbinden
das die Strahlung erfassende Element mit externen Instrumenten.
Ein Luftspalt befindet sich zwischen der Quantum-Konversionsschicht 23 und
der durchlässigen
Platte 22. Bei einer Einstellung, die zum Beispiel für 157 nm Strahlung
empfindlich ist, kann der Luftspalt innerhalb des Sensors nicht
auf einfache Weise gespült werden,
so dass signifikante Anteile von Sauerstoff und Wasser darin verbleiben,
welche die Strahlung absorbieren. Das Signal geht deshalb verloren.
Da der Brechungsindex der Quarz- oder Glasdichtplatte 22 sich
deutlich von dem Brechungsindex der Luft in dem Spalt unterscheidet,
ist der kritische Winkel klein und Strahlung, die unter größeren Winkeln
zur Normalen einfällt,
quasi entsprechend einer NA > 1,
geht verloren. Zusätzlich
zu dem Signalverlust hängt
die Empfindlichkeit des Sensors vom Einfallswinkel ab und ist deshalb
nicht gleichmäßig.
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Die 7 bis 15 stellen
verbesserte Sensoren auf Substrat-Niveau gemäß verschiedener Ausführungsformen
der Erfindung dar. In den folgenden Ausführungsformen werden Teile,
die äquivalent zu
den Teilen des Sensors der 6 sind,
durch gleiche Bezugszeichen bezeichnet, und auf eine detaillierte
Beschreibung wird der Kürze
halber verzichtet.
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Bei
der Ausführungsform
der 7 befindet sich die Quantum-Konversions-(Lumineszenz)Schicht 23 auf
der hinteren Oberfläche
der transparenten Platte 22, und nicht auf der Vorderseite des
Kamerachips (das die Strahlung erfassende Element) 25.
Da die Quantum-Konversionsschicht einen größeren Brechungsindex als Luft
aufweist, ist der kritische Winkel größer und weniger Strahlung wird intern
an der transparenten Platte 22 reflektiert. Wie in 8 gezeigt,
ist jedoch das Material der Quantum-Konversionsschicht, beispielsweise
Phosphor, porös,
so dass die hintere Oberfläche
der transparenten Platte 22 nur unvollständig bedeckt
ist. Auf diese Weise wird mehr Strahlung als erwartet intern an
der transparenten Platte 22 reflektiert. Die Erfinder haben
entdeckt, dass die Empfindlichkeit des Sensors verbessert werden
kann, indem die hintere Oberfläche 22 der
transparenten Platte 22 aufgeraut wird.
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Die
Rauigkeit der Oberfläche 22a besitzt
den Effekt, dass die Strahlung, die durch die transparente Platte
verläuft,
unter verschiedenen Winkeln auf Bereiche der Oberfläche 22a trifft.
Es gibt deshalb einen Transmissionsverlust unter Winkeln nahe der "gesamten" Normalen, allerdings
eine Transmissionszunahme unter Winkeln, die weiter weg von der
gesamten Normalen sind, wie in 9 gezeigt
ist. Der Nettoeffekt besteht in einer Zunahme der Gleichmäßigkeit
des Antwortverhaltens des Sensors in Abhängigkeit vom Einfallswinkel.
Das Diffusionsvermögen
der Oberfläche
verursacht ein gewisses Verschmieren der Abbildung auf dem die Strahlung
erfassenden Element 25, dies ist allerdings akzeptabel,
insbesondere dann, wenn die Verschmierung kleiner als die Pixelgröße, zum
Beispiel 25 μm,
ist, und sie kann deshalb vernachlässigt werden. Das die Strahlung erfassende
Element 25 muss deshalb nahe an oder direkt auf der Konversionsschicht 23 angeordnet sein.
Alternativ kann eine Linse oder ein Glasfaserbündel verwendet werden, um Strahlung,
die von der Konversionsschicht 23 emittiert wird, ohne
Verlust räumlicher
Informationen in die Kamera einzukoppeln.
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Die
Rauigkeit der Oberfläche 22a kann
durch beliebig geeignete Verfahren erzeugt werden, einschließlich dem
Weglassen letzter Polierschritte bei der Herstellung der Platte.
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Die
Oberflächenrauigkeit
sollte derart sein, dass die Variation der Steigung über der
Oberfläche zumindest
so groß wie
derjenige Betrag ist, um den NA größer als 1 ist, d. h. Δθ > sin–1(NA – 1). Dies
stellt sicher, dass ein Strahl bei der maximalen NA immer einen
Einfallswinkel besitzt, der an einem Punkt an der Oberfläche kleiner
als der kritische Winkel ist.
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Die
Rauigkeit RDq, die durch einen Oberflächenrauigkeitstester bestimmt
wird, sollte größer als tan(sin–1(NA – 1)) sein,
zum Beispiel 0,1 bis 0,5.
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Eine
weitere Ausführungsform
des Sensors 30, die in 10 gezeigt
ist, weist eine Fresnel-Linse 31 auf, die an der rückseitigen
Oberfläche 25a der transparenten
Platte 22 gebildet ist. Die Fresnel-Linse ist derart ausgestaltet,
dass sämtliche
durch die Apertur (zum Beispiel eine Lochblende oder ein Gitter)
in der Chromschicht 21 verlaufende Strahlung an der Quarz-
oder Glas/Luftgrenzfläche
unter einem Winkel einfällt,
der geringer als der kritische Winkel ist. Die Fresnel-Linse kann
durch verschiedene bekannte Verfahren gebildet werden, zum Beispiel durch
das lithographische Mustern sowie Ätzen.
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Ein
Sensor 40 gemäß einer
weiteren Ausführungsform
ist in 11 gezeigt und weist einen Bereich 41 in
der transparenten Platte hinter der Apertur (zum Beispiel einer
Lochblende oder Gitter) in der Chromschicht 21 auf, der
einen Brechungsindexgradienten aufweist. Dies kann dadurch erzielt
werden, dass das Quarz oder Glasmaterial, das die transparente Platte 22 bildet,
lokal gezielt dotiert wird, und dies ermöglicht es, dass sämtliche
Strahlen, die durch die Apertur verlaufen, auf die Quarz/Luftgrenzfläche unter
nahezu normalen Winkeln einfallen.
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Die 12 zeigt
eine weitere Ausführungsform
eines Sensors 50, der als ein invertierter Winston-Kegel 51 verwendet
wird, um sämtliche
Strahlen derart zu reflektieren, dass sie auf die Bodenoberfläche 52 unter
einem Winkel einfallen, der geringer als der kritische Winkel ist,
so dass es keine internen Reflektionen und eine maximale Transmission
in den Sensor 25 gibt. Ein Winston-Kegel ist eine achsenversetzte
Rotationsparabel, die möglichst
sämtliche eingehende
Strahlen innerhalb eines gewissen Sichtfeldes einfängt, und
der weiter beschrieben ist in Winston, R. "Light Collection within the Framework
of Geometric Optics." J.
Opt. Soc. Amer. 60, 245–247, 1970.
Der Winston-Kegel 51 bei dieser Ausführungsform ist ein festes Teil
aus Quarz oder Glas, der vorzugsweise integral mit der transparenten
Platte 22 ausgebildet ist und eine reflektierende Beschichtung an
seinen Seitenoberflächen 53 aufweist.
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Bei
dem in 13 gezeigten Sensor 60 ist das
die Strahlung erfassende Element 25 direkt auf der rückseitigen
Oberfläche 22a der
transparenten Platte 22 befestigt. Für diesen Zweck kann ein Klebstoff
verwendet werden, der hinsichtlich der zu detektierenden Strahlung
stabil ist und einen Brechungsindex aufweist, welcher nahezu dem
von Quarz oder Glas der transparenten Platte 22 entspricht.
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Ein
weiterer Sensor 70, der in 14 gezeigt ist,
verwendet ein holographisches Element 71, das auf der rückseitigen
Oberfläche
der transparenten Platte 22 angeordnet ist, um Strahlung
auf das die Strahlung erfassende Element 25 zu richten.
Das erforderliche holographische Muster kann auf einfache Weise
durch bekannte Verfahren erhalten werden. Ein optisches Beugungselement
kann stattdessen verwendet werden.
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Wie
in der 15 gezeigt, weist ein Sensor 80 gemäß einer
weiteren Ausführungsform
eine konvexe sphärische
Linse 81, die auf der rückseitigen Oberfläche der
transparenten Platte 22 gebildet ist, und einen reflektierenden
Zylinder 82 auf, um die Strahlung auf das die Strahlung
erfassende Element 25 zu richten. Die Mitte der sphärischen
Linse 81 befindet sich in der Nähe der Apertur in der Chromschicht 21,
so dass für
sämtliche
Strahlen die Einfallswinkel an der Quarz/Luftgrenzfläche nahezu
normal sind.
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Die
sphärische
Linse ist vorzugsweise integral mit der transparenten Platte ausgebildet,
kann aber ebenso als separater Körper
ausgebildet und unter Verwendung eines geeigneten Klebstoffs angebracht
sein, d. h. einer, der hinsichtlich der Belichtungsstrahlung stabil
ist und einen Brechungsindex besitzt, der nahezu dem der Linse entspricht.
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Der
zylindrische Reflektor ist jedoch vorzugsweise als ein separater
Körper
hergestellt und wird anschließend
an das transparente Substrat oder an den Sensor angebracht. Dies
ist dadurch bedingt, da die Anforderungen hinsichtlich der Art und
Weise sowie der Genauigkeit seiner Befestigung deutlich geringer
sind als die hinsichtlich seiner Form.
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Bei
der Ausführungsform
der 16 weist der Sensor 90 einen zylindrischen
Vorsprung 91 auf, der auf der rückwärtigen Seite der transparenten Platte 22 vorgesehen
ist. Das distale Ende des Vorsprungs besitzt eine konkave, ausgeschnittene Form,
die eine Linse bildet. Die Außenoberfläche 93 des
Vorsprungs 91 wird poliert und beschichtet, um sein Reflektionsvermögen zu erhöhen. Die
konkave Oberfläche kann
ebenso beschichtet sein, um ihr Transmissionsvermögen zu erhöhen. Wie
in der Figur gezeigt, kann Strahlung das die Strahlung erfassende
Element 25 über
eine von drei möglichen
Routen erreichen. Unter kleinen Winkeln zur Normalen verläuft die
Strahlung direkt durch die konkave Oberfläche 92, um das die
Strahlung erfassende Element 25 zu erreichen. Unter größeren Winkeln
zur Normalen wird die Strahlung intern an der konkaven Oberfläche 92 reflektiert
und von der rückseitigen
Oberfläche 93 zurück zur konkaven
Oberfläche 92 reflektiert, wo
sie hindurchgelassen wird, um den Sensor zu erreichen. Bei noch
größeren Winkeln
zur Normalen wird die Strahlung von der Seitenoberfläche 93 reflektiert,
und danach gelangt sie durch die konkave Oberfläche 92 zu dem Sensor.
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Wenngleich
keine Lumineszenz oder Quantum-Konversionsschicht bei den Ausführungsformen der 11 bis 16 gezeigt
worden ist, so kann eine solche bei Bedarf auf dem Sensor oder sonst
wo vorgesehen werden. Es ist zu erkennen, dass Merkmale der verschiedenen
Ausführungsformen
der Erfindung miteinander kombiniert werden können.
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Das
die Strahlung empfangende Element kann ein Gitter oder ein Element
mit einem kleinen Loch aufweisen, und zwar in Abhängigkeit
von der Funktion des Sensors.
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Die
Sensoren befinden sich auf Substrat-Niveau, und insbesondere derart,
dass das die Strahlung empfangende Element 21 im wesentlichen
um den gleichen Abstand wie das Substrat W von dem finalen Element
des Projektionssystems angeordnet ist.
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Wenn
gleich in diesem Text speziell Bezug genommen wird auf die Verwendung
der lithographischen Vorrichtung bei der Herstellung von ICs, so
ist zu erkennen, dass die hier beschriebene lithographische Vorrichtung
andere Anwendungsmöglichkeiten besitzt,
wie zum Beispiel bei der Herstellung integrierter optischer Systeme,
bei Führungs-
und Erfassungsmustern für
magnetische Domainspeicher, für Flachbildschirmanzeigegeräte, für Flüssigkristallanzeigegeräte (LCDs),
Dünnfilmmagnetköpfe etc.
Der Fachmann auf diesem Gebiet erkennt, dass im Zusammenhang mit
solchen alternativen Anwendungen die Begriffe "Wafer" oder "Die" als
gleichbedeutend mit den eher allgemeineren Begriffen "Substrat" bzw. "Zielabschnitt" angesehen werden
können.
Das hier bezeichnete Substrat kann, vor oder nach der Belichtung,
in zum Beispiel einem „track" (einem Werkzeug, das
typischerweise eine Schicht aus Photolack auf ein Substrat aufbringt
und den belichteten Photolack entwickelt), einem metrologischen
Werkzeug und/oder einem Inspektionswerkzeug bearbeitet werden. Die
vorliegende Offenbarung kann, wo anwendbar, auf solche und andere
Substrat bearbeitungswerkzeuge angewendet werden. Des weiteren kann das
Substrat mehr als einmal bearbeitet werden, um zum Beispiel einen
mehrschichtigen IC zu erzeugen, so dass der hier verwendete Begriff
Substrat sich ebenso auf ein Substrat beziehen kann, das bereits mehrere
bearbeitete Schichten enthält.
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Die
Begriffe "Strahlung" sowie "Strahl", die hier verwendet
werden, umfassen sämtliche
Arten elektromagnetischer Strahlung, einschließlich ultravioletter (UV) Strahlung
(zum Beispiel mit einer Wellenlänge
von ungefähr
365, 248, 193, 157 oder 126 nm).
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Der
Begriff "Linse", und zwar immer
da, wo es der Zusammenhang erlaubt, kann sich auf eine Komponente
oder auf eine Kombination von verschiedenartigen optischen Komponenten
beziehen, einschließlich
refraktiver und reflektierender optischer Komponenten.
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Währen spezifische
Ausführungsformen
der Erfindung voranstehend beschrieben worden sind, so ist zu erkennen,
dass die Erfindung auf andere Art und Weise als beschrieben in die
Praxis umgesetzt werden kann.
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Die
vorliegende Erfindung kann auf beliebige lithographische Tauchvorrichtungen
angewendet werden, insbesondere, allerdings nicht ausschließlich, auf
die voranstehend erwähnten
Arten.
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Die
voranstehend dargelegte Beschreibung dient der Illustration, und
nicht der Einschränkung. Auf
diese Weise erkennt der Fachmann auf dem Gebiet, dass Modifikationen
an der beschriebenen Erfindung vorgenommen werden können, ohne
dass der Bereich der im Anschluss folgenden Ansprüche verlassen
wird.