DE60216942T2 - Herstellung von nichtflüchtigen widerstandsveränderlichen bauelementen sowie programmierbarer speicherzellen - Google Patents

Herstellung von nichtflüchtigen widerstandsveränderlichen bauelementen sowie programmierbarer speicherzellen Download PDF

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Description

  • Diese Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bildung nicht flüchtiger widerstandsvariabler Einrichtungen und ein Verfahren zur Bildung einer programmierbaren Speicherzelle einer Speicherschaltung.
  • Die Halbleiterherstellung strebt weiterhin danach, die einzelnen elektronischen Komponenten immer kleiner zu gestalten, was zu immer dichter integrierten Schaltungen führt. Eine Art der integrierten Schaltungen umfasst Speicherschaltungen, bei welchen die Informationen in Form von Binärdaten gespeichert werden. Die Schaltung kann auf eine solche Weise hergestellt werden, dass die Daten flüchtig oder nicht flüchtig sind. Flüchtig speichernde Speichereinrichtungen führen zum Datenverlust, wenn die Energiezufuhr unterbrochen wird. Nicht flüchtige Speicherschaltungen behalten die gespeicherten Daten, selbst wenn die Energiezufuhr unterbrochen wird.
  • Diese Erfindung wurde hauptsächlich dadurch motiviert, Verbesserungen am Design und der Funktionsweise von Speicherschaltungen vorzunehmen, die in Kozicki et al. U.S.-Patente Nr. 5,761,115; 5,896,312; 5,914,893 und 6,084,796 offen gelegt wurden und ferner, was als programmierbare Metallisierungszelle bezeichnet wird, offenbaren. Eine derartige Zelle beinhaltet entgegengesetzte Elektroden, zwischen welchen sich ein isolierendes dielektrisches Material befindet. In dem dielektrischen Material befindet sich ein schnelles Ionenleitermaterial. Der Widerstand eines derartigen Materials kann zwischen hoch isolierenden und hoch leitenden Zuständen verändert werden. In seinem normalen hochohmigen Zustand zur Ausführung einer Schreiboperation wird ein Spannungspotenzial an eine bestimmte Elektrode angelegt, wobei die andere Elektrode bei Nullspannung oder Masse gehalten wird. Die Elektrode, an welche die Spannung angelegt worden ist, wirkt als Anode, während die Elektrode, die bei Null oder Masse gehalten wird, als Kathode wirkt. Die Beschaffenheit des schnellen Ionenleitermaterials ist eine solche, dass es bei einer bestimmten angelegten Spannung eine Strukturveränderung durchläuft. Bei einer derartigen angelegten Spannung erstreckt sich ein leitender Dendrit oder ein Draht zwischen den Elektroden, wodurch die oberen und unteren Elektroden effektiv verbunden werden, um sie elektrisch miteinander kurz zu schließen.
  • Wenn dies eintritt, wird das Dendritenwachstum unterbrochen und wird beibehalten, wenn die Spannungspotenziale entfernt werden. Dies kann effektiv dazu führen, dass der Widerstand der Masse des schnellen Ionenleitermaterials zwischen den Elektroden um einen Faktor von 1000 fällt. Ein solches Material kann in seinen hochohmigen Zustand zurückgeführt werden, indem das Spannungspotenzial zwischen Anode und Kathode umgekehrt wird, wodurch der Draht verschwindet. Wieder wird der hochohmige Zustand aufrechterhalten, wenn die umgekehrten Spannungspotenziale entfernt werden. Dementsprechend kann eine derartige Einrichtung beispielsweise als eine programmierbare Speicherzelle einer Speicherschaltung funktionieren.
  • Das bevorzugte widerstandsvariable Material, das sich zwischen den Elektroden befindet, umfasst üblicherweise und bevorzugt ein Chalkogenidmaterial, in welches Metallionen diffundiert sind. Ein spezielles Beispiel ist Germaniumselenid, in welches Silberionen diffundiert sind. Das vorliegende Verfahren der Bereitstellung von Silberionen in dem Germaniumselenid-Material besteht darin, dass anfänglich die chemische Gasphasenabscheidung des Germaniumselenid-Glases erfolgt, ohne dass Silber darin enthalten ist. Eine dünne Silberschicht wird danach auf das Glas aufgebracht, beispielhafte Dicke ist 200 Angström (1 Angström = 10–10 m) oder weniger. Die Silberschicht wird dann bestrahlt, vorzugsweise mit elektromagnetischer Energie mit einer Wellenlänge von weniger als 500 Nanometer. Die dünne Beschaffenheit des aufgetragenen Silbers ermöglicht, dass eine solche Energie durch das Silber auf die Silber/Glas-Schnittstelle hindurchgeht, was bewirkt, dass eine Chalkogenidbindung des Chalkogenidmaterials durchbrochen wird. Dadurch kann Ag2Se gebildet werden, welches das Glas effektiv mit Silber dotiert. Die angelegte Energie und das darüber liegende Silber führen schließlich zur Diffusion des Silbers in die Glasschicht, so dass eine typische homogene Verteilung des Silbers in der gesamten Schicht erreicht wird.
  • Die Sättigung von Silber in Germaniumselenid liegt offenbar bei einem Maximum von etwa 34 Atomprozent oder weniger, in Abhängigkeit von der Stöchiometrie des Germaniumselenids. Aber die bevorzugte bestehende Technologie für die Zellherstellung bildet eine Konzentration, welche geringer als das Maximum ist; im Fall der maximalen 34 Atomprozent wäre eine Beispielkonzentration etwa 27 Atomprozent.
  • Nachdem das Chalkogenidmaterial bis zu einer gewünschten Konzentration mit Silber versehen worden ist, wird als nächstes das obere Elektrodenmaterial (üblicherweise Silber) aufgetragen. Aber es wurde festgestellt, dass – wenn sich die Silberdotierung/-diffundierung in das Chalkogenidmaterial dem Maximum oder der Sättigung nähert – sich an der Oberfläche etwas Ag2Se bildet und dort verbleibt, im Gegensatz zur Diffundierung in das Glas. Ferner hatte üblicherweise das Oberflächen-Ag2Se überall die Form von halbkreisförmigen Knötchen oder Unebenheiten, von 50 Angström bis 20 μm. Unglücklicherweise tendiert das übliche Silberelektrodenmaterial, wenn es nachfolgend aufgetragen wird, zur Hügelbildung an der Oberseite dieser vorherigen Unebenheiten. Dies kann Fehlstellen auf dem dotierten Germaniumglas durch das obere Elektrodenmaterial erzeugen, wodurch das silberdotierte Germaniumselenid-Glas teilweise frei liegt. Unglücklicherweise werden einige der Lösungen zur Photoentwicklung, die üblicherweise für die Strukturierung der oberen Elektrode verwendet werden (d. h. Tetramethylammoniumhydroxid), das frei liegende Glas verätzen.
  • Es wäre wünschenswert, dieses Problem zu überwinden oder wenigstens zu reduzieren. Während die Erfindung hauptsächlich durch die Überwindung dieses Problems motiviert ist, ist sie in keiner Weise darauf beschränkt. Der Fachmann wird die Anwendbarkeit der Erfindung in anderen Aspekten erkennen, die nicht mit dem Problem im Zusammenhang stehen, wobei die Erfindung nur durch die begleitenden Ansprüche begrenzt wird, wie sie wörtlich abgefasst sind und wie sie entsprechend in Übereinstimmung mit dem Grundsatz der Äquivalente interpretiert werden.
  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bildung einer nicht flüchtigen widerstandsvariablen Einrichtung bereit, welches umfasst: Bildung einer Schicht aus Chalkogenidmaterial, wobei die Chalkogenidmaterial-Schicht AxSey umfasst, wobei „A" wenigstens ein Element beinhaltet, welches aus Gruppe 13, Gruppe 14, Gruppe 15 oder Gruppe 17 des Periodensystems der Elemente ausgewählt wird; Bildung einer silberhaltigen Schicht über der Chalkogenidmaterial-Schicht; Bestrahlung der silberhaltigen Schicht, die bewirkt, dass wenigstens eine Chalkogenidbindung der Chalkogenidmaterial-Schicht an einer Schnittstelle der silberhaltigen Schicht und der Chalkogenidmaterial-Schicht durchbrochen wird, so dass wenigstens ein Abschnitt der silberhaltigen Schicht in die Chalkogenidmaterial-Schicht diffundiert; und nach besagtem Schritt der Bestrahlung, Einwirkung eines jodhaltigen Fluids auf eine äußere Oberfläche der Chalkogenidmaterial-Schicht, wobei das besagte jodhaltige Fluid wenigstens einen Abschnitt der besagten äußeren Oberfläche entfernt.
  • Einige optionale Merkmale der Erfindung sind in den angefügten Ansprüchen 2 bis 19 definiert.
  • Weitere Implementierungen und Aspekte werden betrachtet und offenbart.
  • Bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachstehend unter Bezugnahme auf die folgenden Begleitzeichnungen beschrieben.
  • 1 ist eine schematische Schnittansicht eines Halbleiterscheibenfragments bei der Bearbeitung entsprechend eines Aspekts der Erfindung.
  • 2 ist eine Ansicht des Halbleiterscheibenfragments aus 1 bei einem Bearbeitungsschritt, gemäß dem in 1 gezeigten.
  • 3 ist eine Ansicht des Halbleiterscheibenfragments aus 1 bei einem Bearbeitungsschritt, gemäß dem in 2 gezeigten.
  • 4 ist eine Ansicht des Halbleiterscheibenfragments aus 1 bei einem Bearbeitungsschritt, gemäß dem in 3 gezeigten.
  • 5 ist eine Ansicht des Halbleiterscheibenfragments aus 1 bei einem Bearbeitungsschritt, gemäß dem in 4 gezeigten.
  • 6 ist eine Ansicht des Halbleiterscheibenfragments aus 1 bei einem Bearbeitungsschritt, gemäß dem in 5 gezeigten.
  • Es wird auf 1 Bezug genommen; es wird ein Halbleiterscheibenfragment 10 gezeigt, in einer bevorzugten Ausführungsform eines Verfahrens zur Bildung einer nicht flüchtigen widerstandsvariablen Einrichtung. Nur um ein Beispiel zu geben, beispielhafte derartige Einrichtungen umfassen programmierbare Metallisierungszellen und programmierbare optische Elemente der Patente, auf die oben Bezug genommen wurde; ferner, nur um ein Beispiel zu geben, umfassen sie programmierbare Kapazitätselemente, programmierbare Widerstandselemente, programmierbare Antifuses von integrierten Schaltungen und programmierbare Speicherzellen von Speicherschaltungen.
  • Die Erfindung betrachtet die Herstellungsverfahren und Strukturen von nicht flüchtigen widerstandsvariablen Einrichtungen.
  • Im Kontext dieses Dokuments wird der Begriff „Halbleitersubstrat" oder „halbleitendes Substrat" definiert als jegliche Konstruktion, die halbleitendes Material enthält, eingeschlossen aber nicht beschränkt auf halbleitende Bulkmaterialien, wie beispielweise Halbleiterscheiben (entweder einzeln oder in Baugruppen, die andere Materialien enthalten) und halbleitende Materialschichten (entweder einzeln oder in Baugruppen, die andere Materialien enthalten). Der Begriff „Substrat" bezieht sich auf jede tragende Struktur, eingeschlossen aber nicht beschränkt auf die oben beschriebenen halbleitenden Substrate. Ebenfalls im Kontext dieses Dokuments umfasst der Begriff „Schicht" sowohl Singular als auch Plural, sofern nichts anderweitig angegeben ist. Ferner wird der Fachmann erkennen, dass „widerstandsvariable Einrichtung" Einrichtungen beinhaltet, bei welchen zusätzlich zum Widerstand eine Eigenschaft oder Eigenschaften ebenfalls variiert ist/sind. Zum Beispiel, und nur um ein Beispiel zu geben, könnten die Kapazität und/oder Induktivität der Einrichtung zusätzlich zum Widerstand ebenfalls verändert werden.
  • Das Halbleiterscheibenfragment 10 umfasst ein monokristallines halbleitendes Bulkmaterial 12, zum Beispiel Silizium, das eine isolierende dielektrische Schicht 14 aufweist, zum Beispiel Siliziumdioxid, die darüber gebildet wird. Ein erstes leitendes Elektrodenmaterial 16 wird über der dielektrischen Schicht 14 gebildet. Nur um ein Beispiel zu geben, zu den bevorzugten Materialien gehören alle diejenigen, die in den einbezogenen Patenten an Kozicki et al. beschrieben wurden, auf welche im Zusammenhang mit der bevorzugten Art der Einrichtung, die hergestellt wird, oben Bezug genommen wurde. Eine dielektrische Schicht 18 wird über dem ersten Elektrodenmaterial 16 gebildet. Ein bevorzugtes Beispiel ist Siliziumnitrid.
  • Eine Öffnung 20 wird durch Schicht 18 zur leitenden Elektrodenschicht 16 gebildet. Diese wird mit einem chalkogenidhaltigen Material 22 bis zu einer ersten Dicke gefüllt, welche bei diesem Beispiel im Wesentlichen durch die Dicke von Schicht 18 bestimmt wird. Nur um ein Beispiel zu geben, ein beispielhafter Bereich für eine erste Dicke beträgt 100 bis 1000 Angström. Das chalkogenidhaltige Material umfasst AxSey, wobei „A" wenigstens ein Element beinhaltet, welches aus Gruppe 13 (B, Al, Ga, In, Tl), Gruppe 14 (C, Si, Ge, Sn, Pb), Gruppe 15 (N, P, As, Sb, Bi) oder Gruppe 17 (F, Cl, Br, I, At) des Periodensystems der Elemente ausgewählt wird. Nur um ein Beispiel zu geben, bevorzugte Elemente für „A" sind Ge und Si. Ein beispielhaftes bevorzugtes Verfahren der Bildung des Materials 22 über dem Substrat 10 ist die chemische Gasphasenabscheidung zur vollständigen Füllung der Öffnung 20, gefolgt von einer Planar-Technik, wie beispielsweise chemisch-mechanisches Polieren. Das Material 22 wird vorzugsweise so gebildet, dass es amorph ist und in der fertig gestellten Einrichtung amorph bleibt.
  • Eine silberhaltige Schicht 24 wird bis zu einer zweiten Dicke über dem Chalkogenidmaterial 22 gebildet. Die silberhaltige Schicht 24 ist vorzugsweise überwiegend (größtenteils) Elementarsilber und kann aus diesem bestehen oder im Wesentlichen aus diesem bestehen. Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel beträgt die zweite Dicke wenigstens 30 % der ersten Dicke.
  • Es wird auf 2 Bezug genommen; die silberhaltige Schicht 24 wird bestrahlt, was bewirkt, dass die Chalkogenidbindung des Chalkogenidmaterials 22 an einer Schnittstelle der silberhaltigen Schicht 24 und des Chalkogenidmaterials 22 durchbrochen wird, und wenigsten etwas von dem Silber in das Chalkogenidmaterial 22 diffundiert. In 2 wird das Material 22 mit der Ziffer 23 bezeichnet und in der Zeichnung gepunktet dargestellt, um die Metallionen anzuzeigen, die darin enthalten sind. Eine bevorzugte Bestrahlung beinhaltet, dass das Material aktinischer Strahlung ausgesetzt wird, die eine Wellenlänge von etwa 164–904 Nanometer hat, wobei eine Strahlungseinwirkung zwischen 404–408 Nanometer ein spezielleres Beispiel ist. Ein spezielleres Beispiel ist ein Flut-UV-Einwirkungsinstrument, das bei einer Energie von 4,5 Milliwatt/cm2 15 Minuten lang in einer sauerstoffhaltigen Umgebung bei Raumtemperatur und unter Druck arbeitet. Das gesamte Material 24, das direkt über dem chalkogenidhaltigen Material 22 aufgenommen wurde, könnte in ein derartiges Material diffundieren, oder nur in irgendeinen Abschnitt desselben. Die Dicke der Schicht 24 wird ebenfalls so gewählt, dass sie ausreichend dünn ist, damit die auftreffende elektromagnetische Strahlung in der Lage ist, im Wesentlichen transparent durch das Material 24 auf die Schnittstelle eines solchen Materials mit dem Chalkogenidmaterial 22 hindurchzugehen. Eine beispielhafte bevorzugte Dicke ist geringer als oder gleich 200 Angström. Ferner resultiert die scheinbare lineare Dicke der Schicht 24 als Prozentsatz der linearen Dicke des Chalkogenidmaterials 22 effektiv in derselben ungefähren Metallaufnahme in Atomprozent in dem Chalkogenidmaterial. Ungeachtet dessen führt dies zu einem Chalkogenidmaterial 23, das eine äußere Oberfläche 25 aufweist.
  • In nur einem Ausführungsbeispiel wird die äußere Oberfläche 25 durch die Bildung von Ag2Se als wenigstens ein Teil der äußeren Oberfläche charakterisiert, wobei bei einem Ausführungsbeispiel die Bestrahlung bewirkt, dass eine diskontinuierliche Schicht 27 aus Ag2Se entsteht, die über den chalkogenidhaltigen Materialien 22/23 gebildet wird. Weiterhin bewirkt die Bestrahlung vorzugsweise, dass das Chalkogenidmaterial, das unter dem Ag2Se liegt, in einem im Wesentlichen amorphen Zustand erhalten wird. Darüber hinaus bewirkt die Bestrahlung vorzugsweise, dass das chalkogenidhaltige Material mit bis zu durchschnittlich wenigstens 30 Atomprozent Silber in einem niedrigsten von einer Mehrzahl von variablen Widerstandszuständen dotiert wird. Ferner betrachtet die Erfindung jedes andere Verfahren der Bildung von Ag2Se über dem chalkogenidhaltigen Material, und beispielsweise eine diskontinuierliche Schicht von Ag2Se, durch jedes andere bereits bestehende oder noch zu entwickelnde Verfahren.
  • Unter Bezugnahme auf 3 und nach dem Bestrahlen erfolgt die Einwirkung eines jodhaltigen Fluids auf die äußere Oberfläche 25 des Chalkogenidmaterials, die bewirkt, dass die Rauheit der äußeren Oberfläche des Chalkogenidmaterials gegenüber der, wie sie vor der Einwirkung war, reduziert wird. Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel geschieht diese Einwirkung auf das Ag2Se so, dass sie bewirkt, dass wenigstens etwas von dem Ag2Se wegätzt wird, noch wünschenswerter so, dass sie bewirkt, dass wenigstens ein größerer Teil des Ag2Se wegätzt wird, und am wünschenswertesten so, dass sie bewirkt, dass im Wesentlichen das gesamte Ag2Se wegätzt wird, wie in 3 gezeigt. Bei einem exemplarischen Ausführungsbeispiel wird die Rauheitsreduzierung unabhängig von der Bildung und Entfernung des Ag2Se betrachtet. Ferner wird bei einem exemplarischen Ausführungsbeispiel das Wegätzen von wenigsten etwas von dem Ag2Se unabhängig von der Wirkung auf die Oberflächenrauheit betrachtet.
  • Ein bevorzugtes jodhaltiges Fluid ist eine Flüssigkeit, beispielsweise eine Jodidlösung, wie zum Beispiel eine Kaliumjodidlösung. Ein Beispiel einer bevorzugten Kaliumjodidlösung beinhaltet 5 bis 30 Gramm I2 pro ein Liter einer Kaliumjodidlösung von 20 bis 50 Volumenprozent. Die Einwirkung von Dampf, einer Flüssigkeitslösung bei beispielsweise Umgebungstemperatur und Druckbedingungen, oder erhöht oder vermindert gegenüber der Umgebungstemperatur und/oder Druckbedingungen wird selbstverständlich ebenfalls betrachtet. Ein spezifisches Beispiel ist das Eintauchen des Substrats in eine Kaliumjodidlösung, die 20 Gramm I2 pro ein Liter einer 30%igen Kaliumjodidlösung enthält.
  • Unter Bezugnahme auf 4 und nach der Einwirkung wird ein zweites leitendes Elektrodenmaterial 26 über dem Chalkogenidmaterial 23 aufgebracht. In dem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist dieses zweite leitende Elektrodenmaterial kontinuierlich und bedeckt zumindest das Chalkogenidmaterial 23 vollständig. Ein beispielhafter bevorzugter Dickebereich für das zweite leitende Elektrodenmaterial 26 liegt zwischen 140 Angström und 200 Angström. Das erste und zweite leitende Elektrodenmaterial kann/können dasselbe/dieselben Material/ien oder verschiedenes/verschiedene Material/ien sein. Nur um ein Beispiel zu geben, bevorzugte obere und untere Elektrodenmaterialien sind Silber, Wolfram, Platin, Nickel, Kohlenstoff, Chrom, Molybdän, Aluminium, Magnesium, Kupfer, Kobalt, Palladium, Vanadium, Titan, Legierungen derselben und Verbindungen, die eines oder mehrere dieser Elemente enthalten. In Übereinstimmung mit einem bevorzugten Ausführungsbeispiel einer programmierbaren Metallisierungszelle, und wobei „A" Geist, stellt wenigstens eines der Materialien 16 und 26 Silber dar. Während der Bildung der Schicht 26 könnte etwas davon in Schicht 23 diffundieren.
  • Es wird auf 5 Bezug genommen; Material 26 wird in eine Elektrode 30 strukturiert. Die Strukturierung zur Herstellung der Elektrode 30 erfolgt üblicherweise und bevorzugt unter Nutzung der Photolithografie. Dies liefert nur ein bevorzugtes Beispiel zur Bildung eines zweiten Elektrodenmaterials, das unmittelbar auf das Chalkogenidmaterial wirkend ist. Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel führt dies zur Bildung einer nicht flüchtigen widerstandsvariablen Einrichtung, welche in eine programmierbare Speicherzelle einer Speicherschaltung verarbeitet wird.
  • Es wird auf 6 Bezug genommen; es werden schließlich eine oder mehrere dielektrische Schichten 32 über der Einrichtung gebildet. Selbstverständlich könnten auch dazwischenliegende leitende und halbleitende Schichten bereitgestellt werden, um andere Leitungen und Einrichtungen außen an der dargestellten Einrichtung zu bilden.

Claims (19)

  1. Ein Verfahren zur Bildung einer nicht flüchtigen widerstandsvariablen Einrichtung (10), welches umfasst: Bildung einer Schicht (22) aus Chalkogenidmaterial, wobei die Chalkogenidmaterial-Schicht AxSey umfasst, wobei „A" wenigstens ein Element beinhaltet, welches aus Gruppe 13, Gruppe 14, Gruppe 15 oder Gruppe 17 des Periodensystems der Elemente ausgewählt wird; Bildung einer silberhaltigen Schicht (24) über der Chalkogenidmaterial-Schicht (22); Bestrahlung der silberhaltigen Schicht, die bewirkt, dass wenigstens eine Chalkogenidbindung der Chalkogenidmaterial-Schicht an einer Schnittstelle der silberhaltigen Schicht und der Chalkogenidmaterial-Schicht durchbrochen wird, so dass wenigstens ein Abschnitt der silberhaltigen Schicht in die Chalkogenidmaterial-Schicht diffundiert; und nach besagtem Schritt der Bestrahlung, Einwirkung eines jodhaltigen Fluids auf eine äußere Oberfläche (25) der Chalkogenidmaterial-Schicht (22), wobei das jodhaltige Fluid wenigstens einen Abschnitt der äußeren Oberfläche entfernt.
  2. Das Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Chalkogenidmaterial ein Chalkogenidglas ist.
  3. Das Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei das jodhaltige Fluid eine Flüssigkeit ist.
  4. Das Verfahren nach jedem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das jodhaltige Fluid eine Jodidlösung ist.
  5. Das Verfahren nach jedem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das jodhaltige Fluid eine Kaliumjodidlösung ist.
  6. Das Verfahren nach Anspruch 5, wobei die Kaliumjodidlösung 5 bis 30 Gramm I2 pro 1 Liter einer 20%igen bis 50%igen Kaliumjodidlösung enthält.
  7. Das Verfahren nach jedem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die silberhaltige Schicht vorwiegend aus Elementarsilber besteht.
  8. Das Verfahren nach jedem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend die Bestrahlung des Silbers, die bewirkt, dass eine Chalkogenidbindung des Chalkogenidmaterials an einer Schnittstelle der silberhaltigen Schicht und des Chalkogenidmaterials durchbrochen wird, so dass wenigstens ein Abschnitt des Silbers in das Chalkogenidmaterial diffundiert, wodurch eine äußere Oberfläche des Chalkogenidmaterials gebildet wird.
  9. Das Verfahren nach Anspruch 8, ferner umfassend die Einwirkung eines jodhaltigen Fluids auf die äußere Oberfläche des Chalkogenidmaterials, die bewirkt, dass die Rauheit der äußeren Oberfläche des Chalkogenidmaterials gegenüber der, wie sie vor der Einwirkung war, reduziert wird.
  10. Das Verfahren nach Anspruch 9, wobei die Bestrahlung bewirkt, dass AG2Se als wenigstens ein Teil der äußeren Oberfläche gebildet wird, wobei die Einwirkung bewirkt, dass wenigstens etwas von dem AG2Se weggeätzt wird und dadurch zumindest teilweise zu besagter Rauheitsreduzierung beigetragen wird.
  11. Das Verfahren nach Anspruch 1, wobei „A" Ge enthält.
  12. Das Verfahren nach jedem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend das Aufbringen eines leitenden Materials (26) über dem Chalkogenidmaterial und die Bildung des leitenden Materials in eine Elektrode (30).
  13. Das Verfahren nach jedem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend die Bildung einer nicht flüchtigen widerstandsvariablen Einrichtung, wobei diese widerstandsvariable Einrichtung eine Speichereinrichtung ist.
  14. Das Verfahren nach jedem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend die Bildung einer programmierbaren Speicherzelle einer Speicherschaltung.
  15. Das Verfahren nach jedem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend: Bildung eines ersten leitenden Elektrodenmaterials (16) auf einem Substrat (12, 14), Bildung des Chalkogenidmaterials (22) über dem ersten leitenden Elektrodenmaterial, nach der Bildung des Chalkogenidmaterials, Bildung von AG2Se über dem chalkogenidhaltigen Material; Einwirkung eines jodhaltigen Fluids auf das AG2Se, das bewirkt, dass wenigstens etwas von dem AG2Se weggeätzt wird; und nach der Einwirkung, Aufbringen eines zweiten leitenden Elektrodenmaterials (26) über dem Chalkogenidmaterial und Bildung des zweiten leitenden Elektrodenmaterials in eine Elektrode (30) der Einrichtung.
  16. Das Verfahren nach Anspruch 15, wobei das erste und das zweite leitende Material verschieden sind.
  17. Das Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, ferner umfassend das Aufbringen des zweiten leitenden Elektrodenmaterials, so dass es kontinuierlich ist und zumindest das Chalkogenidmaterial vollständig abdeckt.
  18. Das Verfahren nach jedem der Ansprüche 15 bis 17, wobei die Einwirkung bewirkt, dass im Wesentlichen das gesamte AG2Se weggeätzt wird.
  19. Das Verfahren nach Anspruch 8, wobei das Chalkogenidmaterial im Wesentlichen amorph ist, und wobei die Bestrahlung bewirkt, dass eine nichtkontinuierliche Schicht (27) von AG2Se über dem Chalkogenidmaterial gebildet wird und das Chalkogenidmaterial, das unter dem AG2Se liegt, in einem im Wesentlichen amorphen Zustand erhalten wird.
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