DE60222434D1 - Verfahren zur herstellung einer legierungsschicht auf der kontaktfläche eines wärmetauschers für einen integrierten schaltkreis - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer legierungsschicht auf der kontaktfläche eines wärmetauschers für einen integrierten schaltkreis

Info

Publication number
DE60222434D1
DE60222434D1 DE60222434T DE60222434T DE60222434D1 DE 60222434 D1 DE60222434 D1 DE 60222434D1 DE 60222434 T DE60222434 T DE 60222434T DE 60222434 T DE60222434 T DE 60222434T DE 60222434 D1 DE60222434 D1 DE 60222434D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
producing
heat exchanger
integrated circuit
contact surface
alloy layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE60222434T
Other languages
English (en)
Other versions
DE60222434T2 (de
Inventor
Blanquita Ortega Morange
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Delta Design Inc
Original Assignee
Delta Design Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Delta Design Inc filed Critical Delta Design Inc
Application granted granted Critical
Publication of DE60222434D1 publication Critical patent/DE60222434D1/de
Publication of DE60222434T2 publication Critical patent/DE60222434T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/4935—Heat exchanger or boiler making
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49826—Assembling or joining
    • Y10T29/49888—Subsequently coating
DE60222434T 2001-07-24 2002-07-17 Verfahren zur herstellung einer legierungsschicht auf der kontaktfläche eines wärmetauschers für einen integrierten schaltkreis Expired - Fee Related DE60222434T2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US912836 2001-07-24
US09/912,836 US6513239B1 (en) 2001-07-24 2001-07-24 Method of fabricating an alloy film on a face of a heat exchanger for an integrated circuit
PCT/US2002/022832 WO2003010815A2 (en) 2001-07-24 2002-07-17 Method of fabricating an alloy film on a face of a heat exchanger for an integrated circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60222434D1 true DE60222434D1 (de) 2007-10-25
DE60222434T2 DE60222434T2 (de) 2008-06-12

Family

ID=25432533

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60222434T Expired - Fee Related DE60222434T2 (de) 2001-07-24 2002-07-17 Verfahren zur herstellung einer legierungsschicht auf der kontaktfläche eines wärmetauschers für einen integrierten schaltkreis

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6513239B1 (de)
EP (1) EP1415341B1 (de)
JP (1) JP3929974B2 (de)
DE (1) DE60222434T2 (de)
WO (1) WO2003010815A2 (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2005316788B2 (en) 2004-12-17 2012-04-05 Dow Global Technologies Llc Rheology modified polyethylene compositions
US8123968B2 (en) * 2005-08-25 2012-02-28 Round Rock Research, Llc Multiple deposition for integration of spacers in pitch multiplication process

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58199546A (ja) * 1982-05-17 1983-11-19 Hitachi Ltd 半導体冷却装置
US4527708A (en) * 1984-05-14 1985-07-09 Plymouth Tank Of West Michigan, Inc. Liquid tank spillage control system
US5323394A (en) * 1992-04-07 1994-06-21 Digital Equipment Corporation Selecting optimal routes in source routing bridging without exponential flooding of explorer packets
US5459352A (en) * 1993-03-31 1995-10-17 Unisys Corporation Integrated circuit package having a liquid metal-aluminum/copper joint
US6090261A (en) * 1995-05-26 2000-07-18 Formfactor, Inc. Method and apparatus for controlling plating over a face of a substrate
US5572404A (en) * 1995-09-21 1996-11-05 Unisys Corporation Heat transfer module incorporating liquid metal squeezed from a compliant body
US5707881A (en) * 1996-09-03 1998-01-13 Motorola, Inc. Test structure and method for performing burn-in testing of a semiconductor product wafer
US6243944B1 (en) * 1997-12-08 2001-06-12 Unisys Corporation Residue-free method of assembling and disassembling a pressed joint with low thermal resistance
US6179047B1 (en) * 1998-12-10 2001-01-30 Unisys Corporation Mechanical assembly for regulating the temperature of an electronic device which incorporates at least two leaf springs for self-alignment plus a low initial contact force and a low profile

Also Published As

Publication number Publication date
EP1415341A2 (de) 2004-05-06
DE60222434T2 (de) 2008-06-12
JP2004537170A (ja) 2004-12-09
WO2003010815A3 (en) 2004-01-22
JP3929974B2 (ja) 2007-06-13
US20030019102A1 (en) 2003-01-30
EP1415341B1 (de) 2007-09-12
US6513239B1 (en) 2003-02-04
WO2003010815A2 (en) 2003-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60238957D1 (de) Verfahren zur Reduktion der Mustergröße auf einer Photoresistschicht
DE50214957D1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Trägermaterials für eine Spiegelschicht
DE60234300D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Metall/Keramik-Verbundleiterplatte
DE60217927D1 (de) Verfahren zur herstellung einer oxidschicht auf einer gaas-basierenden halbleiterstruktur
DE60003651D1 (de) Verfahren zur herstellung eines bohrloches in einer untergrundformation
ATE295903T1 (de) Verfahren zur herstellung eines hartmetallansatzes
DE60329170D1 (de) Verfahren zur herstellung eines aluminiumlegierungsverbundwerkstoffs für wärmetauscher
DE602004016855D1 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements mit bandentworfenem supergitter
DE60217023D1 (de) Mehrschichtige Leiterplatte und Verfahren zur Herstellung einer mehrschichtigen Leiterplatte
DE60224735D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Prüfkarte
ATE488844T1 (de) Verfahren zur herstellung eines mehrschichtigen elektronischen bauelementes und mehrschichtiges bauelement
DE60303868D1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers
DE502005001733D1 (de) Verfahren zur herstellung einer molybdän-legierung
ATE488120T1 (de) Drahtbeschriebene leiterplatte oder platine mit geätzten leiterbahnen und anschlussstellen und verfahren zur herstelleung einer drahtbeschriebenen leiterplatte oder platine mit geätzten anschlussstellen.
DE50212295D1 (de) Funktionselement zur anbringung an ein blechteil, aus diesen hergestelltes zusammenbauteil sowie verfahren zur anbringung des funktionselements an ein blechteil
DE60102725D1 (de) Wärmetauscher, Rippen für Wärmetauscher, sowie Verfahren zur Herstellung derselben
ATE218406T1 (de) Verfahren zur herstellung eines thermisch hoch belastbaren verbundbauteiles
DE60218773D1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtmaterials
DE50311103D1 (de) Verfahren zur herstellung einer multilayerschicht und vorrichtung zur durchführung des verfahrens
DE60209069D1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Oxidfilms auf einen metallischen Gegenstand
DE50212806D1 (de) Verfahren zur herstellung eines brillenglases
DE502004006205D1 (de) Verfahren zur Herstellung eines keramischen Vielschicht-Bauelements
DE60220107D1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Metalllaminats
DE60207779D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer mehrschichtigen Platte
DE60222434D1 (de) Verfahren zur herstellung einer legierungsschicht auf der kontaktfläche eines wärmetauschers für einen integrierten schaltkreis

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee