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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Gebiet der Erfindung
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Diese
Erfindung betrifft im Allgemeinen Lese-/Schreibkopfanordnungen für magnetische
Datenspeicher und im Besonderen ein Verfahren zur paarweisen Anordnung
der Abschirmungen von Lese-/Schreibköpfen zum Optimieren des Verschleißes der
Kopfoberfläche.
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Beschreibung des Standes der
Technik
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Anwendungen
in Wirtschaft, Wissenschaft und Unterhaltung hängen von Computern zur Verarbeitung
und Speicherung von Daten ab, wobei oft große Datenmengen auf nichtflüchtigen
Speichermedien gespeichert oder auf diese übertragen werden, zum Beispiel
auf Magnetplatten, Magnetbandkassetten, optische Plattenkassetten,
Disketten oder optische Disketten. Üblicherweise stellt das Magnetband das
preiswerteste Mittel zur Speicherung oder Archivierung der Daten
dar. Die Speichertechnologie wird ständig weiterentwickelt, um die
Speicherkapazität und
die Sicherheit von Speichern zu erhöhen. Die Erhöhung der
Speicherdichte in magnetischen Speichermedien ist beispielsweise
auf verbesserte Speichermaterialien, verbesserte Fehlerkorrekturverfahren
und verringerte Bitspeicherflächen
zurückzuführen. Die
Datenkapazität
des Halbzoll-Magnetbandes erreicht heute zig Gigabyte auf 256 Datenspuren.
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Die
Verbesserungen der Datenspeicherkapazität magnetischer Medien rühren zum
großen
Teil von Verbesserungen der zum Lesen und Schreiben von Daten auf
das magnetische Speichermedium verwendeten Magnetkopfanordnung her.
Eine wesentliche Verbesserung der Magnetkopfwandlertechnologie brachte
der magnetoresistive (MR) Sensor mit sich, der ursprünglich von
IBM entwickelt wurde. Der MR-Sensor wandelt Magnetfeldänderungen
in einem MR-Streifen in Widerstandsänderungen um, die zu digitalen
Signalen verarbeitet werden. Die Datenspeicherdichte kann erhöht werden,
da ein MR-Sensor Signale liefert, die für eine bestimmte Bitfläche stärker als
bei herkömmlichen
induktiven Leseköpfen
sind. Darüber
hinaus hängt
das Ausgangssignal des MR-Sensors nur von der Momentanmagnetfeldstärke im Speichermedium
und nicht von der Geschwindigkeit der Magnetfeldänderung infolge der Relativgeschwindigkeit
zwischen dem Sensor und dem Medium ab.
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Ein
Beispiel für
einen MR-Sensor wird in der
US-Patentschrift
Nr. 5 978 181 beschrieben. Dieser Stand der Technik wird
in der Präambel
von Anspruch 1 dargelegt.
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Die
Menge der auf einem Magnetband gespeicherten Daten kann durch eine
größere Anzahl von
Datenspuren auf dem Band erhöht
werden, wodurch sich auch der Abstand zwischen benachbarten Spuren
verringert und benachbarte Lese-/Schreibköpfe enger zusammengedrängt werden.
Durch die Verringerung der Abmessungen der Lese- und Schreibelemente,
zum Beispiel unter Verwendung der Dünnschichttechnologie und der
MR-Sensoren, können
mehr Spuren genutzt werden. Während
des Betriebs wird das magnetische Speichermedium, zum Beispiel die
Oberfläche
eines Magnetbandes oder einer Magnetplatte, an einer magnetischen
Lese-/Schreibkopfanordnung (Read/Write, R/W) vorbeigeführt, um
Daten vom Medium zu lesen oder darauf zu schreiben. Bei modernen
Magnetbandaufzeichnungsgeräten
zur Datenspeicherung in Computern stellt das simultane Lesen und
Schreiben mit MR-Sensoren ein wichtiges Merkmal dar, um magnetisch
gespeicherte Daten komplett wiederherstellen zu können. Durch
den R/W-Magnetbandkopf mit versetzten MR-Sensoren kann die Spurdichte auf dem Bandmedium
erhöht
und gleichzeitig das bidirektionale simultane Lesen und Schreiben
auf dem Bandmedium durchgeführt
werden, um die Daten sofort nach dem Schreiben noch einmal zu lesen
und dadurch zu prüfen.
Eine Kopfanordnung zum simultanen Lesen und Schreiben beinhaltet
für jede
der einen oder mehreren Datenspuren ein mit einem Leseelement in
einer Reihe angeordnetes Schreibelement, das hier als Spur-Lese-/Schreibkopfpaar
bezeichnet wird, wobei der Spalt des Leseelements unmittelbar neben
dem Spalt des Schreibelements angeordnet und auf diesen ausgerichtet
ist und das Leselement in Bewegungsrichtung des Mediums hinter dem
Schreibelement angeordnet ist. Durch das kontinuierliche Lesen soeben
aufgezeichneter Daten wird deren Qualität sofort geprüft, während die
ursprünglichen
Daten noch im Kurzspeicher des Datenaufzeichnungssystems zur Verfügung stehen.
Die gelesenen Daten werden mit den ursprünglichen Daten verglichen,
um Fehler zum Beispiel durch erneutes Aufzeichnen korrigieren zu
können.
Bei dem Kopf mit versetzten Sensoren sind die Spur-Lese-/Schreibkopfpaare
so versetzt, dass sie zwei Zeilen einander abwechselnder Lese- und
Schreibelemente bilden. Abwechselnde Spalten (Spurpaare) sind dadurch
so angeordnet, dass nach dem Schreiben in wechselnden Bewegungsrichtungen
des Bandmediums gelesen werden kann. Magnetbandköpfe zum Lesen und Schreiben
auf Hochgeschwindigkeitsbändern
erfordern auch eine genaue Ausrichtung der Spurpaarelemente in der
Magnetkopfanordnung.
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Magnetbandköpfe leiden
besonders unter dem Verschleiß,
dem sie durch die Bewegung des magnetischen Aufzeichnungsbandes
ausgesetzt sind. Durch das häufige
Entlangführen
des Magnetbandmediums an der abriebbeständigen Oberfläche des
Magnetbandkopfes kann es schließlich
zum Abrieb eines Teils der Oberfläche kommen, wodurch sich die
Leistungsparameter des Magnetbandkopfes verschlechtern können. Das
kann besonders bei Dünnschicht-Magnetbandköpfen ein
Problem darstellen, bei denen die Dünnschichtstruktur bereits nach
kurzer Nutzung relativ stark abgenutzt sein kann, wodurch die Lebensdauer
der Magnetkopfanordnung überaus
stark verkürzt
wird. Um den Abrieb zu verhindern, bringen die Techniker auf die
Luftpolsterflächen
von Magnetbandköpfen
sehr harte abriebbeständige
Schichten auf, zum Beispiel eine gesputterte Schicht aus diamantähnlichem
Kohlenstoff oder aus Titancarbid, wobei solche Schichten mit einer
Dicke von etwa 20 nm jedoch auch sehr dünn sind.
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Obwohl
die Mechanismen des Verschleißes in
der Technik noch nicht völlig
klar sind, wird angenommen, dass ein Problem vom beschleunigten
Abrieb am Schreibspalt herrührt,
was sich nachteilig auf die Lebensdauer der Magnetkopfanordnung
auswirkt. Der Verschleiß hängt vom
Medium ab und kann so stark sein, dass bestimmte Medien für solche
Magnetkopfanordnungen ungeeignet sind.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Daher
stellt die Erfindung eine Magnetkopfanordnung mit einer Luftpolsterfläche (Air
Bearing Surface, ABS) bereit, wobei die Magnetkopfanordnung Folgendes
umfasst: einen Lesekopf, der Folgendes beinhaltet: ein magnetoresistives
(MR) Sensorelement mit einander gegenüberliegenden Enden, die mit
je einem entsprechenden elektrischen Leiter verbunden sind, wobei
das MR-Sensorelement und die beiden elektrischen Leiter zwischen
zwei Abschirmungen des MR-Elements in einem Abstand von diesen angeordnet
sind; und einen ersten elektrischen Leiter, der mindestens eine
der Abschirmungen des MR-Elements mit mindestens einem der elektrischen
Leiter verbindet; einen Schreibkopf, der Folgendes beinhaltet: zwei
Magnetpolschuhe mit je einem nahe der Luftpolsterfläche angeordneten
Polspitzenteil; und einen zwischen den Polspitzenteilen angeordneten
Schreibspalt; wobei die Magnetkopfanordnung durch einen zweiten
elektrischen Leiter gekennzeichnet ist, welcher die eine Abschirmung
des MR-Elements mit einem der Schreibspaltpole verbindet.
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Üblicherweise
ist der Schreibspalt unmagnetisch.
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Gemäß einem
Aspekt stellt die Erfindung ferner ein Magnetbandlaufwerk bereit,
das mindestens eine Magnetkopfanordnung gemäß der obigen Beschreibung beinhaltet,
wobei das Magnetbandlaufwerk ferner Folgendes umfasst: ein magnetisches Aufzeichnungsmedium
mit einer Aufzeichnungsfläche;
einen Motor zum Bewegen des magnetischen Aufzeichnungsmediums; eine
Kopfaufnahmebaugruppe zum Haltern der Magnetkopfanordnung in Bezug
auf das magnetische Aufzeichnungsmedium; einen zweiten elektrischen
Leiter zum Verbinden der einen Abschirmung des MR-Elements mit einem
der Pole des Schreibspalts.
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Die
beiden beabstandeten Magnetpolspitzen sind vorzugsweise derart in
einem Abstand von einer Abschirmung des Schreibspalts angeordnet,
dass sich die eine Magnetpolspitze zwischen der Abschirmung des
Schreibspalts und der anderen Magnetpolspitze befindet.
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Die
Abschirmung des Schreibspalts ist vorzugsweise magnetisch und leitend
mit der einen Magnetpolspitze integriert.
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Bei
einer bevorzugten Ausführungsart
bestehen die elektrischen Leiter im Wesentlichen aus einem oder
mehreren Werkstoffen aus der aus Tantal, Kupfer und Gold bestehenden
Gruppe.
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Bei
einer bevorzugten Ausführungsart
weist der zweite Leiter einen Widerstand im Bereich von ungefähr 5 Kiloohm
bis ungefähr
100 Kiloohm auf.
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Eine
abriebbeständige
versetzte Lese-/Schreibkopfanordnung weist vorzugsweise verbesserte
symmetrische Abriebeigenschaften auf.
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Die
Lese-/Schreibkopfanordnung nutzt vorzugsweise die unabhängige paarweise
Anordnung der Abschirmungen von Lese-/Schreibköpfen und ladungsgekoppelte
magnetoresistive Sensoren.
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Der
Magnetkopfabrieb wird vorzugsweise durch den Ausgleich der Spannungsbedingungen der
Lese- und Schreibköpfe
optimiert, um die elektrochemische/mechanische Erosion der abriebbeständigen Schicht
der Luftpolsterfläche
(ABS) zu verringern. Bei einer bevorzugten Ausführungsart wird dies durch Einfügen einer
elektrischen Verbindung zwischen benachbarten elektrisch leitenden
Lesekopfabschirmungen und Schreibkopfpolen/abschirmungen erreicht.
Bei Dünnschicht-Lese-/Schreibkopfanordnungen
für mehrere
Spuren wird eine solche Verbindung vorzugsweise unabhängig für jedes Paar
der Lese-/Schreibelemente
in der Anordnung bereitgestellt.
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Bei
einer bevorzugten Ausführungsart
wird ein Pol oder eine Abschirmung des Schreibspalts nahe der Abschirmung
des Lesespalts bereitgestellt. Bei einer bevorzugten Ausführungsart
ist mindestens eine und sind vorzugsweise beide Abschirmungen des
Lesespalts über
eine Kopplungsstruktur mit Widerständen mit Mittenabgriff elektrisch
mit einer der MR-Signalleitungen
(vorzugsweise der Leitung mit dem höchsten positiven Potenzial)
oder mit beiden MR-Leitungen verbunden, die aus der an denselben Anmelder
abgetretenen
US-Patentschrift 6 246
553 bekannt ist.
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Ein
Vorteil dieser Erfindung besteht darin, dass ein Pol oder eine Abschirmung
des Schreibspalts dieser von IBM Corporation zur Magnetkopffertigung
verwendeten Art gemäß der bevorzugten Ausführungsart
einfach durch einen Leiter mit der benachbarten Abschirmung des
Lesespalts verbunden werden kann.
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Ferner
stellt die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Magnetkopfanordnung
mit einer Luftpolsterfläche
(ABS) bereit, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst:
- (a) Herstellen eines Lesekopfs mit den folgenden Schritten:
(a.1)
Bilden eines magnetoresistiven (MR) Sensorelements mit zwei Enden,
die nahe der ABS in einem Abstand zwischen den beiden Abschirmungen
des MR-Elements angeordnet sind;
(a.2) Bilden eines mit jedem
Ende des MR-Sensorelements verbundenen elektrischen Leiters; und
(a.3)
Bilden eines ersten elektrischen Leiters zum Verbinden mindestens
einer der Abschirmungen des MR-Elements mit mindestens einem der
elektrischen Leiter;
- (b) Herstellen eines Schreibkopfs mit den folgenden Schritten:
(b.1)
Bilden von zwei Magnetpolschuhen mit je einem nahe der ABS angeordneten
Polspitzenteil;
(b.2) Bilden eines zwischen den Polspitzenteilen angeordneten
unmagnetischen Schreibspalts; und
- (c) Bilden eines zweiten elektrischen Leiters zum Verbinden
der einen Abschirmung des MR-Elements mit einem der Pole des Schreibspalts.
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Vorzugsweise
umfasst das Verfahren ferner den folgenden Schritt:
- (b.3) Bilden einer Abschirmung des Schreibspalts in einem Abstand
von den beiden beabstandeten Magnetpolspitzen in der Weise, dass
die eine Magnetpolspitze zwischen der Abschirmung des Schreibspalts
und der anderen Magnetpolspitze angeordnet ist.
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Gemäß einer
Ausführungsart
wird eine Magnetkopfanordnung bereitgestellt, die einen zwischen zwei
beabstandeten Magnetpolspitzen und einem magnetoresistiven (MR)
Sensorelement, dessen einander gegenüber liegende Enden jeweils
mit einem entsprechenden elektrischen Leiter verbunden sind, gebildeten
Schreibspalt beinhaltet, wobei das MR-Sensorelement und die beiden elektrischen
Leiter in einem Abstand zwischen zwei Abschirmungen des MR-Elements
angeordnet sind und die Verbesserung Folgendes umfasst: einen ersten
elektrischen Leiter, der mindestens eine der Abschirmungen des MR-Elements
mit mindestens einem der elektrischen Leiter verbindet; und einen
zweiten elektrischen Leiter, der die eine Abschirmung des MR-Elements
mit einem der Pole des Schreibspalts verbindet.
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KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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Im
Folgenden werden unter Bezug auf die beiliegenden Figuren beispielhafte
Ausführungsarten der
vorliegenden Erfindung beschrieben. Es wird darauf hingewiesen,
dass in allen Figuren gleiche Bezugsnummern gleiche Merkmale kennzeichnen:
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1 veranschaulicht
eine Draufsicht auf die Luftpolsterfläche (ABS) einer verschachtelten magnetoresistiven
(MR) Magnetkopfanordnung gemäß einer
Ausführungsart
der vorliegenden Erfindung im Verhältnis zu einem Magnetband als
Speichermedium;
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2 zeigt
einen vergrößerten Ausschnitt der
MR-Magnetkopfanordnung
von 1 zur Veranschaulichung der Merkmale der Anschlüsse der
Abschirmungen der verschachtelten Dünnschicht-Lese- und Schreibspalte
gemäß einer
Ausführungsart
der vorliegenden Erfindung;
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3 zeigt
eine Querschnittsansicht der MR-Magnetkopfanordnung
gemäß einer
Ausführungsart
der vorliegenden Erfindung von 2 entlang
der Linie 3-3, bei der die Isolierung zwischen den Schichten entfernt
wurde;
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die 4A bis 4B zeigen
vergrößerte Ansichten
alternativer beispielhafter Ausführungsarten des
Dünnschicht-Lesespalts dieser
Erfindung, welche die Kopplungsschicht zum Aufladen der MR-Abschirmung
zeigen;
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5 zeigt
ein Schaubild eines Magnetbandlaufwerks, das in Verbindung mit der
Magnetkopfanordnung einer Ausführungsart
der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann; und
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6 ist
ein Ablaufplan, das eine bevorzugte Ausführungsart des Verfahrens der
vorliegenden Erfindung zur Fertigung einer Magnetkopfanordnung darstellt.
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BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN
AUSFÜHRUNGSART
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1 zeigt
die Luftpolsterfläche
(ABS) einer bevorzugten Ausführungsart
einer verschachtelten magnetoresisitiven (MR) Magnetkopfanordnung 10, deren
Leseelemente mit R und deren Schreibelemente mit W gekennzeichnet
sind. Die durch den Schreibkopf 12 dargestellten Schreibelemente
und die durch den Lesekopf 14 dargestellten Leseelemente
sind in wechselnder Folge angeordnet und bilden einen ganzen Satz
von (zum Beispiel) 38 Lese-/Schreibkopfpaaren für eine Spur,
die beispielsweise durch das Lese-/Schreibkopfpaar 12–14 für eine Spur
dargestellt werden. Der Begriff abwechselnd soll auch andere Formate
beinhalten. Zum Beispiel besagt ein Format, dass die Köpfe H1,
H3, H5 usw. mit ungeraden Zahlen während der Vorwärtsbewegung
des Bandes und die Köpfe
H2, H4, H6 usw. mit geraden Zahlen während der Bewegung des Bandes
in Gegenrichtung in Aktion treten.
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Im
Allgemeinen bewegt sich das Magnetband 16 als Medium entlang
seiner Längsrichtung gemäß den Pfeilen 18 und 20 in
einer Vorwärts-
bzw. einer Gegenrichtung. Die Magnetkopfanordnung 10 in 1 ist
so dargestellt, als sei das Medium des Magnetbandes 16 durchsichtig,
was jedoch normalerweise nicht der Fall ist. Der Pfeil 18 kennzeichnet eine
Vorwärtsbewegung
und der Pfeil 20 eine Gegenrichtung des Bandmediums 16.
Das Magnetband 16 als Medium und die verschachtelte MR-Magnetkopfanordnung 10 bewirken
in der in der Technik bestens bekannten Weise eine Signalwandlung.
Bei der praktischen Anwendung dieser Erfindung können andere Formate verwendet
werden, die Bestandteil der Lehren dieser Erfindung sind.
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Jedes
der Kopfelemente in der Magnetkopfanordnung 10 ist oberhalb
einer Vielzahl von Datenspuren im Magnetbandmedium 16 angeordnet, was
aus den Datenspuren T1, T9, T17 usw. in 1 zu ersehen
ist, die ein beispielhaftes System von 288 Datenspuren zeigt, bei
dem die Dichte der Datenspuren auf dem Magnetbandmedium 16 achtmal
so groß ist
wie die Dichte der Aufzeichnungselemente oder der Lese-/Schreibkopfpaare
H1, H2, H36 für
die Datenspuren in der MR-Magnetkopfanordnung 10. Bei einem
Durchlauf des Magnetbandmediums 16 in Richtung 18 entlang
der geradzahligen Lese-/Schreibkopfpaare H2, H4, ..., H36 können die
Datenspuren T9, T25, ..., T281 und dann beim Rücklauf des Magnetbandmediums 16 entlang
der ungeradzahligen Lese-/Schreibkopfpaare H1, H3, ..., H35 die Datenspuren
T1, T17, ... T273 beschrieben werden, indem die MR-Magnetkopfanordnung 10 in
Richtung des Pfeils 21 um einen Spurabstand (zwischen T1 und
T2) seitlich verschoben wird, der ungefähr 12% des Abstands zwischen
zwei Lese-/Schreibköpfen (zwischen
H1 und H2) beträgt.
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Die
verschachtelte MR-Magnetkopfanordnung 10 beinhaltet zwei
Dünnschichtmodule 22 und 24,
die im Wesentlichen identisch aufgebaut sind. Die Module 22 und 24 sind
durch eine Klebeschicht 25 miteinander verbunden und bilden
zusammen eine physische Einheit, bei der die Lese-/Schreibkopfpaare
H1, H2, H36 möglichst
genau in Transportrichtung des Magnetbandes ausgerichtet sind. Jedes
Modul 22, 24 beinhaltet einen Leiter 26 bzw. 28 für den Magnetkopfspalt,
wobei die einzelnen durch den Schreibkopf 12 und den Lesekopf 14 dargestellten Lese-/Schreibspalte in
jedem Modul genau positioniert sind. Jedes Dünnschichtmodul 22, 24 beinhaltet ein
gesondertes Substrat 30, 32 und ein gesondertes Abschlussstück 34 bzw. 36.
Jedes Substrat 30 ist nahe der Leitung 26 für die Magnetkopfspalte
am Abschlussstück 34 angeklebt
und bildet das Dünnschichtmodul 22,
während
das Substrat 32 nähe
der Leitung 28 für
die Magnetkopfspalte am Abschlussstück 36 angeklebt ist
und das Dünnschichtmodul 24 bildet.
Vor der Bildung der Lese-/Schreibköpfe kann, wie
im Wesentlichen aus der Figur zu ersehen ist, auf dem Substrat (30, 32)
eine Basisschicht (35, 37) und vor dem Anbringen
des Abschlussstücks
(34, 36) eine Deckschicht (39, 41)
auf den Lese-/Schreibköpfen
abgeschieden werden. Die Leitungen 26, 28 für die Magnetkopfspalte
sind senkrecht zu den durch die Pfeile 18, 20 dargestellten
Bewegungsrichtungen des Bandmediums möglichst genau angeordnet. Die Lese-/Schreibkopfspalte
an den Positionen H1 bis H36 dieses Dünnschichtmoduls 22 wirken
mit den entsprechenden Lese-/Schreibkopfspalten im Dünnschichtmodul 24 in
der Weise zusammen, dass sie während
der Bewegung des Magnetbandmediums 16 die Funktionalität Lesen-nach-Schreiben
bieten. Die Schreibkopfspalte eines Dünnschichtmoduls sind in Bewegungsrichtung
des Bandmediums 16 genau auf die Schreibkopfspalte des
anderen Moduls ausgerichtet. So ist zum Beispiel der Schreibkopf 12 auf den
Lesekopf 14 ausgerichtet und bildet mit diesem ein Lese-/Schreibkopfpaar
H1, um die Signale während
der Bewegung des Magnetbandes in der durch den Pfeil 18 angezeigten
Richtung nach dem Schreiben zu lesen.
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2 zeigt
im Einzelnen und gemäß der bevorzugten
Ausführungsart
der vorliegenden Erfindung einen Teil des Substrats 10 von 1,
der Teile von drei beispielhaften Lese-/Schreibkopfspalten auf der
Leitung 26 für
die Magnetkopfspalte beinhaltet, die im Wesentlichen wie in der
Figur auf die Magnetkopfpaare H3 bis H5 ausgerichtet sind. Die in 2 gezeigten
Dünnschichtelemente
sind in der üblichen Weise
im Mikrometerbereich und nicht maßstabsgerecht dargestellt.
Bei dem Lesekopf 38 am Magnetkopfpaar H4 ist zwischen den
beiden Abschirmungen 46 und 48 (S1 und S2) ein
magnetoresistives (MR) Sensorelement 40 angeordnet, wobei
jedes Ende des MR-Sensors mit einem elektrischen Leiter 42 bzw. 44 verbunden
ist. Die relative Lage der elektrischen Leiter 42 und 44 lässt sich
besser unter Bezug auf 3 verstehen, das eine halbdurchsichtige Querschnittsansicht
des Substrats 30 von 2 entlang
der Linie 3-3 zeigt.
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Die
(nicht maßstabsgerechte) 2 zeigt
im Wesentlichen, dass der Lesekopf 38 zwischen den beiden
Schreibköpfen 50 und 52 angeordnet
ist, die Daten mit den Magnetkopfpaaren H3, H5, die jeweils dem
Magnetkopfpaar H4 benachbart sind, auf die Datenspur schreiben.
Der Schreibkopf 52 ist dem Schreibkopf 50 im Wesentlichen
identisch, der einen durch zwei beabstandete Magnetpolspitzen (P1,
P2) 56 und 58 definierten Schreibspalt 54 beinhaltet.
Der Schreibkopf 50 kann auch eine Abschirmung 60 für den Schreibspalt
S1 beinhalten (die der Abschirmung 62 für den Schreibspalt S1 im Schreibkopf 52 im
Wesentlichen identisch ist), die als integraler Bestandteil an der
Magnetpolspitze P1 56 angebracht und im Wesentlichen auf
die Abschirmung 48 des MR-Elements S1 ausgerichtet ist.
Die Abschirmung 60 des Schreibspalts S1 kann unter Verwendung
einer (nicht gezeigten) dazwischen liegenden Isolierschicht von der
Magnetpolspitze P1 56 elektrisch isoliert werden, bildet
jedoch vorzugsweise deren integralen Bestandteil und wird zur Verbesserung
des Fertigungsverfahrens unter Verwendung desselben Materials und
desselben Abscheidungszyklus wie die Abschirmung 48 des
MR-Elements S1 abgeschieden.
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3 zeigt
auch einen Querschnitt des Magnetbands als Medium 16, das
nahe der Luftpolsterfläche
(ABS) 64 des Substrats 30 und der verschachtelten
MR-Magnetkopfanordnung 10 (1) liegt. Die
Bewegungsrichtung des Magnetbandmediums 16 verläuft senkrecht
zur Abbildungsebene, was durch die Symbole für die ein- und austretenden
Pfeile dargestellt wird. 3 zeigt einen halbdurchlässigen Querschnitt
der relativ planaren Ansicht bestimmter Elemente, insbesondere den
rückwärtigen Teil
des Spaltes 66 des Magnetpolschuhs P1 56, wo dieser
mit dem rückwärtigen Teil
des Spaltes des anderen Magnetpolschuhs P2 58 (siehe 2)
verbunden ist, um die von der Schreibspule 68 erzeugten Magnetfeldlinien
in der üblichen
Weise zu schließen.
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Gemäß der in
den 2 und 3 schematisch dargestellten
bevorzugten Ausführungsart
wird zwischen der Abschirmung 48 des elektrisch leitenden
MR-Elements S1 und der Abschirmung 60 des direkt benachbarten
Schreibspalts S1 (und damit zum Magnetpolschuh P1 56) eine
elektrische Verbindung 70 hergestellt. Die elektrische
Verbindung 70 wird zwischen jedem seitlich benachbarten
Lese-/Schreibkopfpaar entlang der Leitungen 26 und 28 (1)
der Magnetkopfspalte hergestellt und in 2 durch
den elektrischen Leiter 70 realisiert, der jedoch nur eines
von vielen brauchbaren Mitteln zur leitenden Verbindung der beiden
Abschirmungselemente 48 und 60 darstellt. Gemäß der bevorzugten Ausführungsart
wird die durch den elektrischen Leiter 70 dargestellte
elektrische Verbindung unabhängig für jedes
Lese-/Schreibkopfpaar entlang der Leitungen 26 und 28 der
Magnetkopfspalte der Substrate 30 und 32 (1)
hergestellt. Der elektrische Leiter 70 (2 und 3)
ist vorzugsweise unmagnetisch und kann durch Abscheiden einer Schicht
eines leitenden Metalls, zum Beispiel Tantal, Kupfer oder Gold oder
eines anderen geeigneten Werkstoffs mit niedrigem bis mittlerem
spezifischem Widerstand gebildet werden. Wenn die Abschirmung 60 des Schreibspalts
S1 gemäß einer
bevorzugten Ausführungsart
der Erfindung mit der Magnetpolspitze P1 56 integriert
ist, muss beachtet werden, dass der elektrische Leiter 70 die
Abschirmung 48 des MR-Elements S1
sowohl mit der Abschirmung 60 des Schreibspalts S1 als
auch mit der Magnetpolspitze P1 56 verbindet. Der elektrische
Leiter 70 kann zum Beispiel einen Widerstand im Bereich
von ungefähr
5 Kiloohm bis ungefähr
50 Kiloohm oder mehr aufweisen.
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Gemäß der bevorzugten
Ausführungsart
ist die Abschirmung
48 des MR-Elements innerhalb jedes
durch den Lesekopf
38 dargestellten Lesekopfs unter Verwendung
eines elektrischen Leiters
72 auch mit einem der elektrischen
Leiter
42,
44, vorzugsweise mit dem am stärksten positiv
vorgespannten der beiden Leiter, (in
3 dem elektrischen
Leiter
44) verbunden. Die
2 und
3 zeigen
als Beispiel diese Verbindung zwischen der Abschirmung
48 des MR-Elements
und dem elektrischen Leiter
44. Die
4A und
4B veranschaulichen eine Alternative dieser
Ladungseinkopplung.
4A zeigt, dass
die Abschirmung
48a des MR-Elements mittels des elektrischen
Leiters
72a mit dem elektrischen Leiter
44a gekoppelt
ist. Desgleichen ist die Abschirmung
48b des MR-Elements gemäß
4B mittels des elektrischen Leiters
72b mit
dem elektrischen Leiter
42b verbunden. Die Fertigung und
die Funktionsweise der elektrischen Leiter
72a und
72b lassen
sich besser unter Bezug auf die an denselben Anmelder abgetretene
US-Patentschrift 6 246 553 verstehen.
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Im
Betriebszustand wird durch den elektrischen Leiter 70 und
den elektrischen Leiter 72 das elektrische Potenzial der
Abschirmung 60 des Schreibspalts mit dem Potenzial der
Abschirmung 48 des MR-Elements und dieses wiederum mit
dem Spannungspotenzial des elektrischen Leiters 42 (oder 44)
des MR-Elements gekoppelt. Durch diese Anordnung werden sowohl der
Schreibkopfs 50 als auch der Lesekopf 38 auf dasselbe
Spannungspotenzial gelegt, damit die Unterschiede im Verschleiß zwischen
den beiden benachbarten Lese-/Schreibköpfen 38, 50 verringert
werden. Durch den Ausgleich der elektrischen Umgebung zwischen benachbarten
Magnetköpfen
wird die Erosion der abriebbeständigen
Aluminiumoxidoberfläche und
anderer infrage kommender Komponenten ausgeglichen. Das geschieht,
weil jeglicher aus der elektrisch bedingten Erosion des Aluminiumoxids
resultierender Abrieb ausgeglichen wird. Bekanntlich ist gesputtertes
Aluminiumoxid in saurer und basischer Umgebung wie beispielsweise
an der dem Magnetband zugewandten Magnetkopfoberfläche an der
Luftpolsterfläche 64 weniger
abriebbeständig
als in neutraler Umgebung. Der Erfinder hat gezeigt, dass dieser
angenommene chemisch-mechanische
Mechanismus durch die lokale elektrische Umgebung beeinflusst wird,
die in der verschachtelten MR-Magnetkopfanordnung
durch den Ausgleich der Verschleißfestigkeit der Schreibköpfe und
der Leseköpfe
beeinflusst wird.
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5 zeigt
ein schematisches Schaubild eines Magnetbandlaufwerks 73,
das mit der oben in Verbindung mit den 1 bis 4 erörterten
Magnetkopfanordnung 10 verwendet werden kann. Die Steuereinheit 74 empfängt Daten
von einem Abspuldrehzahlmesser 76, der mit einem Abspulmotor 78 verbunden
ist, der durch die Steuereinheit 74 gesteuert wird, um
eine in einer einzelnen Abwickelkassette 83 gezeigte Abwickelspule 82 umkehrbar
in Drehung zu versetzen. Ein Aufspuldrehzahlmesser 84 ist
mit einem Aufspulmotor 86 verbunden, der umkehrbar von
der Steuereinheit 74 gesteuert wird. Der Aufspulmotor 186 treibt
die Aufwickelspule 88 an. Das Magnetband 16 und
dessen Bandmitnehmer bewegen sich im Wesentlichen gemäß der Figur
entlang eines durch die gestrichelte Linie 90 gezeigten
Pfades von der Abwickelspule 82 vorbei an einer Leerlaufrolle 92,
den luftgelagerten Bandführungen 94 und 96,
ferner unter Steuerung durch die Steuereinheit 74 um eine
mit einem Spannarmaufnehmer 100 verbundene Rolle herum
und von dort zur Aufwickelspule 88. Die Leseergebnisse
von den Leseelementen in der MR-Magnetkopfanordnung 10 werden
zur Steuereinheit 74 übertragen,
die auch Daten von einer externen Quelle zur Magnetkopfanordnung 10 überträgt, um sie über die
Vielzahl von Schreibelementen in der MR-Magnetkopfanordnung 10 auf
das Bandmedium zu übertragen.
Das Magnetbandlaufwerk 73 kann im Allgemeinen ein Halbzoll-Magnetband
mit einer Einspulenkassette aufweisen. In der Magnetbandlaufwerk-Industrie ist jedoch
auch die Verwendung anderer Medienformate bekannt, beispielsweise
die Viertelzoll-Kassette (Quarter-Inch Cartridge, QIC), das digitale
Linearband (Digital Linear Tape, DLT), das digitale Audioband (Digital
Audio Tape, DAT) und Ähnliches.
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Obwohl
die verschachtelte MR-Magnetkopfanordnung 10 vor allem
für Aufzeichnungsanwendungen
mit Datenbändern
geeignet ist, können dieselben
Fertigungsprinzipien auch auf die Herstellung einer magnetischen
Lese-/Schreibkopfanordnung für
andere magnetische Aufzeichnungsanwendungen angewendet werden. Plattenlaufwerke
verwenden im Allgemeinen integrierte oder Huckepack-Lese-/Schreibköpfe, die
weniger mit Abriebproblemen am Magnetkopf zu tun haben und die hier
beschriebene Verbesserung kaum benötigen dürften.
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6 zeigt
ein Ablaufplan, der ein bevorzugtes Verfahren zur Fertigung einer
Magnetkopfanordnung gemäß dem Verfahren
einer Ausführungsart der
vorliegenden Erfindung zur Herstellung von MR-Magnetkopfanordnungen
veranschaulicht. Zur Verdeutlichung ist der Ablaufplan in
6 in
Abschnitten dargestellt, wobei die linke Spalte die Schritte zur
Bildung der Vielzahl von Schreibelementen, die rechte Spalte die
Schritte zur Bildung der Vielzahl von Leseelementen und die mittlere
Spalte die Schritte zeigt, die beiden gemeinsam sind. In der Praxis
werden diese Prozesse gleichzeitig durchgeführt, sodass sowohl die Lese-
als auch die Schreibelemente möglichst
während
derselben Prozessschritte gebildet werden. Die folgende beispielhafte Beschreibung
ist auf ein einziges benachbartes Paar von Schreib-/Leseköpfen begrenzt
und ermöglicht das
Verständnis
des Prozesses. zur Bildung der Vielzahl von Lese- und Schreibelementen wird im ersten Schritt
134 die
Oberfläche
des Wafersubstrats
30 (
1) vorbereitet.
In Schritt
136 wird die isolierende Basisschicht
35 (
1)
aus Aluminiumoxid auf die Oberfläche
des Substrats
30 gesputtert. In Schritt
138 wird
die Oberfläche
der Basisschicht
35 aus Aluminiumoxid bis auf eine Dicke
von 3 bis 4 μm
abpoliert (geläppt).
Auf diese ebene Oberfläche
kann in Schritt
140 die erste Sendust-Schicht S1 abgeschieden
werden, die zum Erzeugen der Abschirmung S1
48 des MR-Elements
in Schritt
142 und der Abschirmung S1
60 des Schreibspalts
in Schritt
144 strukturiert wird (
2 und
3).
Anschließend
wird in Schritt
146 der elektrische Leiter
70 gebildet,
um die obere MR-Abschirmung S1
48 mit der oberen Abschirmung
S1
60 zu verbinden. Die mehreren Schichten, aus denen der
MR-Sensor besteht, einschließlich
des MR-Sensorelements
40, der elektrischen Leiter
42 und
44 und
der umgebenden Isolierschichten werden in Schritt
148 abgeschieden
und geätzt. Wahlweise
kann in Schritt
150 auf der oberen Abschirmung S1
60 des
Schreibkopfs eine Isolierschicht abgeschieden werden, um sie von
den Magnetpolspitzen P1
56 zu isolieren, jedoch wird dieser wahlweise
Schritt
150 vorzugsweise weggelassen, sodass die Schicht
S2 in Schritt
152 direkt auf der oberen Abschirmung S1
60 des
Schreibkopfs abgeschieden wird, um sie mit der Magnetpolspitze P1
56 zu
verbinden, die in Schritt
154 strukturiert wird. In Schritt
156 wird
die Abschirmung S2
46 des MR-Elements strukturiert. In
Schritt
158 wird auf herkömmliche Weise die Schreibspule
68 (
3)
strukturiert und in Schritt
160 die Magnetpolspitze P2
58 abgeschieden.
Die verschiedenen Strukturierungsschritte zum Schließen der
magnetischen Feldlinien im rückwärtigen Teil
66 des
Spalts zwischen den Magnetpolschichten P1 und P2 sind nicht dargestellt.
Desgleichen sind die Schritte nicht gezeigt, die zum Verbinden mindestens
einer und vorzugsweise beider Abschirmungen des Lesespaltes mit
einer der MR-Signalleitungen
(vorzugsweise der Leiter mit dem höchsten positiven Potenzial)
oder mit beiden MR-Leitungen über
eine Kopplungsstruktur mit Widerständen mit Mittenabgriff erforderlich
sind. Dieser Prozess ist in der an denselben Anmelder abgetretenen
US-Patentschrift 6 246 553 ausführlich beschrieben.
Zum Schluss wird in Schritt
162 eine Aluminiumoxid-Deckschicht
aufgesputtert und in Schritt
164 abpoliert, um die Deckschicht
39 (
1)
zu bilden.