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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf einen Prägungsstempel
und ein Verfahren zum Bilden desselben. Genauer gesagt bezieht sich
die vorliegende Erfindung auf eine Struktur und ein Verfahren zum
Fertigen von Prägungsstempeln
für nanometergroße Muster
unter Verwendung einer Abstandhaltertechnik, wobei die resultierenden
Prägungsstempel
im Wesentlichen die ganze Oberflächenfläche eines
Substrats einnehmen können,
an dem die Prägungsstempel
gebildet sind, und wobei die Prägungsstempel
komplexe Formen aufweisen können,
die unter den Prägungsstempeln
variieren.
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Nanoprägungslithographie
ist eine vielversprechende Technik zum Erhalten nanometergroßer Muster (so
klein wie wenige zig Nanometer). Ein Schlüsselschritt bei einem Bilden
der nanometergroßen
Muster ist es, zuerst einen Prägungsstempel
zu bilden, der ein Muster umfasst, das zu den nanometergroßen Mustern komplementär ist.
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In
1a umfasst
ein bekannter Nanoprägelithographieprozess
einen Prägungsstempel
200,
der eine Mehrzahl von Prägemustern
202 aufweist,
die an demselben gebildet sind. Ein derartiger Prozess ist in der
US6294450 berichtet. Das
Patent mit der Nummer
US5260175 berichtet
einen Stempel des Stands der Technik für Mikromerkmale. In
1b umfassen
die Prägemuster
202 ein
einfaches Linien- und Leerraummuster, das eine Mehrzahl von Linien
204 aufweist,
die durch eine Mehrzahl von Leerräumen
206 zwischen
benachbarten Linien
204 getrennt sind. Durch ein Pressen
(siehe gestrichelter Pfeil
201) des Prägungsstempels
200 auf
eine speziell entworfene Maskenschicht
203 wird eine Dicke
der Maskenschicht
203 mit Bezug auf die Prägemuster
202 (siehe
1a)
moduliert, derart, dass die Prägemuster
202 in
der Maskenschicht
203 repliziert sind.
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Typischerweise
ist die Maskenschicht 203 aus einem Material, wie beispielsweise
einem Polymer hergestellt. Es kann beispielsweise ein Photoresistmaterial
für die
Maskenschicht 203 verwendet werden. Die Maskenschicht 203 ist
auf ein Tragesubstrat 205 aufgebracht. Unter Verwendung
eines Step- und Repeat-Prozesses (Schrittweise-Verfahr- und Wiederholprozesses)
wird der Prägungsstempel 200 wiederholt
auf die Maskenschicht 203 gepresst, um die Prägemuster 202 in
der Maskenschicht 203 zu replizieren und die gesamte Fläche der
Maskenschicht 203 zu bedecken.
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In 2 umfasst
nach dem Step- und Repeat-Prozess die Maskenschicht 203 eine
Mehrzahl von nanometergroßen
Vertiefungen 207, die komplementär zu der Form der Prägemuster 202 sind.
Als Nächstes
wird in 3 die Maskenschicht 203 anisotrop
geätzt
(d. h. eine sehr direktionale Ätzung),
um nanometergroße Muster 209 in
der Maskenschicht 203 zu bilden. Typischerweise dient das
Tragesubstrat 205 oder eine andere Schicht (nicht gezeigt),
die zwischen der Maskenschicht 203 und dem Tragesubstrat 205 positioniert
ist, als ein Ätzstopp
für die
anisotrope Ätzung.
Alternativ kann die Maskenschicht 203 als eine Ätzmaske
für eine
darunter liegende Schicht dienen (siehe Bezugszeichen 208 in 7a bis 7d)
und das Muster der nanometergroßen
Vertiefungen 207 ist in der Unterschicht durch einen nachfolgenden
anisotropen Ätzprozess
repliziert.
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In 4a beginnt
die Bildung der Prägemuster 202 an
dem bekannten Prägungsstempel 200 durch ein
Aufbringen abwechselnder Schichten eines Dünnfilmmaterials (211, 213)
an einem Substrat 215, um einen mehrfach gestapelten Dünnfilm 210 zu
bilden, der sich von dem Substrat 215 nach außen erstreckt.
Der mehrfach gestapelte Dünnfilm 210 wird
dann in eine Mehrzahl diskreter Segmente ΔS entlang
einer Richtung, die durch einen gestrichelten Pfeil S gezeigt ist,
aufgeteilt. In 4b beispielsweise kann das Substrat 215 ein Wafer
eines Halbleitermaterials sein, auf dem der mehrfach gestapelte
Dünnfilm 210 aufgebracht
ist. Nachdem alle Schichten des mehrfach gestapelten Dünnfilms 210 aufgebracht
wurden, wird der Wafer (d. h. das Substrat 215) dann aufgeteilt,
um die diskreten Segmente ΔS zu bilden.
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In 5a umfasst
ein diskretes Segment ΔS einen Abschnitt des mehrfach gestapelten
Dünnfilms 210 und
einen Abschnitt des Substrats 215. In 5b und 5c wird
das diskrete Segment ΔS selektiv geätzt, um das Prägemuster 202 zu
definieren. Unterschiede bei Ätzraten
zwischen den abwechselnden Schichten (211, 213)
bewirken, dass eine der Schichten mit einer schnelleren Rate als
die andere Schicht geätzt
wird, was in Höhenunterschieden
zwischen den abwechselnden Schichten (211, 213)
resultiert. Diese Höhenunterschiede
definieren das Prägemuster 202.
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Ein
Nachteil des bekannten Prägungsstempels 200 besteht
darin, dass das Prägemuster 202 an
lediglich einem Bruchteil der Nutzfläche des Prägungsstempels 200 gebildet
ist, wie es in 5b, 5c und 6 dargestellt
ist. Das Prägemuster 202 nimmt
eine Prägefläche IA ein, die im Wesentlichen kleiner als eine nichtstrukturierbare
Fläche
NA ist. Folglich wird lediglich ein Bruchteil
der verfügbaren
Fläche
durch das Prägemuster 202 genutzt.
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Ein
zweiter Nachteil des bekannten Prägungsstempels 200 besteht
darin, dass das Prägemuster 202 einfache
Linien- und Leerraummuster
(204, 206) umfasst, wie es in 6 dargestellt
ist. Folglich sind die resultierenden nanometergroßen Vertiefungen 207 ebenfalls
auf einfache Linien- und
Leerraummuster begrenzt, weil dieselben komplementär zu dem
Prägemuster 202 sind.
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In 7a wird
der Prägestempel 200 auf
die Maskenschicht 203 gepresst 201, um die einfachen
Muster einer Linie 204 und eines Leerraums 206 des
Prägemusters 202 in
der Maskenschicht 203 zu replizieren. In 7b umfasst
nach dem Pressschritt die Maskenschicht 203 die komplementären nanometergroßen Vertiefungen 207,
die in derselben repli ziert sind. Wie es oben angemerkt ist, weisen
die nanometergroßen
Vertiefungen 207 ebenfalls das einfache Linien- und Leerraummuster
auf, das als 204' bzw. 206' bezeichnet
ist.
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In 7c wird
die Maskenschicht 203 anisotrop geätzt, bis die Leerraummuster 206' mit einer oberen Oberfläche 208' einer Unterschicht 208 zusammenfallen
und die Linienmuster 204' sich
von der oberen Oberfläche 208' nach außen erstrecken.
Die Linien- und Leerraummuster (204', 206') dienen als eine Ätzmaske
für einen
nachfolgenden anisotropen Ätzschritt.
Als Nächstes
wird in 7d die Unterschicht 208 durch
die Maske hindurch, die durch die Linien- und Leerraummuster (204', 206') erzeugt ist,
anisotrop geätzt,
um die nanometergroßen
Muster 209 zu definieren.
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Ein
anderer Nachteil des bekannten Prägungsprozesses, wie es in 7a bis 7d dargestellt
ist, besteht darin, dass die Prägefläche IA und die nichtstrukturierbare Fläche NA des Prägestempels 200 in
den nanometergroßen
Mustern 209 repliziert sind, derart, dass lediglich ein
geringer Bruchteil der verfügbaren
Fläche
des Substrats 205 die nanometergroßen Muster 209 umfasst,
wie es durch eine strukturierte Fläche PA angegeben
ist, und ein großer
Abschnitt des Substrats 205 als eine unstrukturierte Fläche UA bleibt. Die strukturierte Fläche PA kann beispielsweise mehrere Mikrometer
groß sein
und die unstrukturierte Fläche
UA kann mehrere hundert Mikrometer oder
mehr betragen.
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Obwohl
ein Step- und Repeat-Prozess verwendet werden kann, um das Prägemuster 202 wiederholt über eine
größere Fläche der
Maskenschicht 203 zu pressen, kann dieser Prozess in Druckdefekten
resultieren, die dadurch, dass etwas des Materials von der Maskenschicht 203 an
den Prägemustern 202 haftet,
oder durch eine Abnutzung an den Prägemustern 202 aufgrund
wiederholter Pressschritte bewirkt sind. Zudem spricht der Step-
und Repeat-Prozess nicht die Einschrän kungen an, die durch die zuvor
erwähnten
einfachen Linien- und
Leerraummuster (204, 206) erzeugt sind.
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Folglich
existiert ein Bedarf nach einem nanometergroßen Prägungsstempel, der über einer
großen Fläche gebildet
sein kann. Es besteht ferner ein Bedarf nach einem nanometergroßen Prägungsstempel,
der komplexe Muster und Formen umfassen kann.
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Gemäß einem
Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Prägungsstempel für nanometergroße Muster gemäß Anspruch
1 vorgesehen. Gemäß einem
anderen Aspekt ist ein Verfahren gemäß Anspruch 12 vorgesehen.
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Der
Prägungsstempel
der vorliegenden Erfindung löst
die zuvor erwähnten
Nachteile und Einschränkungen.
Der großflächige Prägungsstempel
der vorliegenden Erfindung umfasst eine Mehrzahl von Prägestempeln,
die im Wesentlichen die ganze Oberflächennutzfläche eines Substrats einnehmen
können,
wodurch einer der Nachteile der bekannten Prägestempel gelöst wird,
bei denen die Prägemuster
an lediglich einem Bruchteil der verfügbaren Nutzfläche gebildet
waren. Die Prägestempel
der vorliegenden Erfindung weisen komplexe vorbestimmte Formen auf,
die unter den Prägestempeln
variieren können,
so dass die Einschränkungen
von einfachen Linien- und Leerraummustern der bekannten Prägestempel
gelöst
sind. Zudem kann der Prägungsstempel
der vorliegenden Erfindung über
einer breiten Fläche
gebildet sein, so dass die Nachteile, die der nichtstrukturierbaren
Fläche
der bekannten Prägestempel
zugeordnet sind, ebenfalls gelöst
sind.
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Andere
Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden
detaillierten Beschreibung in Verbindung mit den zugehörigen Zeichnungen
ersichtlich, die durch ein Beispiel eine Anzahl bevorzugter Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung darstellen.
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1a und 1b sind
eine Profil- bzw. eine obere Draufsicht eines bekannten Prägestempels
und bekannter Prägemuster.
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2 ist
eine Profilansicht einer bekannten Maskenschicht mit einer nanometergroßen Vertiefung,
die in derselben durch den bekannten Prägestempel von 1a gebildet
ist.
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3 ist
eine Profilansicht der bekannten Maskenschicht von 2 nach
einem anisotropen Ätzschritt.
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4a ist
eine Querschnittsansicht eines bekannten Prozesses zum Bilden eines
bekannten Prägestempels.
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4b ist
eine Profilansicht eines bekannten Substrats, bevor das Substrat
in diskrete Segmente aufgeteilt wurde.
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5a bis 5c sind
Querschnittsansichten diskreter Segmente eines bekannten Prägestempels, der
selektiv geätzt
wurde, um die bekannten Prägemuster
zu definieren.
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6 ist
eine Profilansicht, die eine Prägefläche und
eine nichtstrukturierbare Fläche
des bekannten Prägestempels
zeigt.
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7a bis 7d zeigen
einen bekannten Prozess zum Pressen des bekannten Prägestempels
in die bekannte Maskenschicht, um nanometergroße Muster zu bilden.
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8 ist
eine Profilansicht eines Mikromerkmals gemäß der Erfindung.
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9 ist
eine Profilansicht einer Abstandhalterschicht, die über dem
Mikromerkmal von 8 gebildet ist, gemäß der vorliegenden
Erfindung.
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10 ist
eine Profilansicht eines Abstandhalters, der durch ein selektives Ätzen der
Abstandhalterschicht von 9 gebildet ist, gemäß der vorliegenden
Erfindung.
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11a bis 11f zeigen
einen Prozess zum Bilden eines großflächigen Prägungsstempels gemäß der vorliegenden
Erfindung.
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12a bis 12c sind
obere Profilansichten von Mikromerkmalen und lateralen Abstandhaltern
mit komplexen Formen gemäß der vorliegenden
Erfindung.
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13a bis 13c sind
Querschnittsansichten, die einen Prozess zum Bilden der Mikromerkmale und
lateralen Abstandhalter von 12a bis 12c zeigen.
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14 ist
eine Profilansicht eines großflächigen Prägungsstempels,
der durch ein selektives Ätzen der
Mikromerkmale und lateralen Abstandhalter von 13c gebildet ist.
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15 ist
eine Profilansicht, die ein Prägeprofil
zeigt, das durch Mikromerkmale und laterale Abstandhalter mit komplexen
Formen gebildet ist, gemäß der vorliegenden
Erfindung.
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16 ist
eine Querschnittsansicht verschiedener Schichten von Materialien,
die verwendet werden können,
um einen großflächigen Prägungsstempel
gemäß der vorliegenden
Erfindung zu bilden.
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17 ist
eine Querschnittsansicht eines Mikromerkmals und lateraler Abstandhalter,
die unter Verwendung eines Prozesses ähnlich einem LDD-Prozess gebildet
sind, gemäß der vorliegenden
Erfindung.
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18a und 18b sind
obere Draufsichten von Substraten, bei denen die Prägestempel
im Wesentlichen die ganze Nutzfläche
der Substrate einnehmen, gemäß der vorliegenden
Erfindung.
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19a und 19b sind
obere Draufsichten eines Substrats, das in eine Mehrzahl von Chips
partitioniert wurde, und eines Chips, bei dem die Prägestempel
im Wesentlichen die ganze Chipfläche
des Chips einnehmen, gemäß der vorliegenden
Erfindung.
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20 ist
eine Querschnittsansicht eines Prägestempels, bei dem eine Füllstoffschicht
selektiv auf eine vorbestimmte Dicke geätzt wurde, gemäß der vorliegenden
Erfindung.
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21a bis 21d sind
Querschnittsansichten, die die Bildung eines Mikromerkmals aus einer Merkmalsschicht
gemäß der vorliegenden
Erfindung zeigen.
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22 ist
eine Profilansicht eines großflächigen Prägungsstempels
und einer Maskenschicht, die in Kontakt miteinander gezwungen sind,
um ein Prägeprofil
auf die Maskenschicht zu übertragen,
gemäß der vorliegenden
Erfindung.
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In
der folgenden detaillierten Beschreibung und den mehreren Figuren
der Zeichnungen sind gleiche Elemente mit gleichen Bezugszeichen
identifiziert.
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Wie
es in den Zeichnungen zu Darstellungszwecken gezeigt ist, ist die
vorliegende Erfindung in einem großflächigen Prägungsstempel verkörpert, der
durch ein Substrat getragen ist, das eine Basisoberfläche mit einer
an derselben definierten Nutzfläche
umfasst. Eine Mehrzahl von Prägestempeln befinden
sich in Kontakt mit der Basisoberfläche und erstrecken sich von
der Basisoberfläche
nach außen.
Die Prägestempel
sind voneinander beabstandet und nehmen im Wesentlichen die ganze
Nutzfläche
der Basisoberfläche
ein. Jeder Prägestempel
weist eine vorbestimmte Form auf und umfasst ein Mikromerkmal, das
Seitenoberflächen
aufweist, die einander gegenüberliegend
positioniert sind, und eine Mehrzahl von lateralen Abstandhaltern,
die an den gegenüberliegenden
Seitenoberflächen
gebildet sind und sich von den Seitenoberflächen nach außen erstrecken.
Die lateralen Abstandhalter und die Mikromerkmale erstrecken sich
ebenfalls von der Basisoberfläche nach
außen
und die lateralen Abstandhalter und die Mikromerkmale umfassen eine
Höhe und
eine Breite, die unter den lateralen Abstandhaltern und den Mikromerkmalen
variiert, um ein Prägeprofil
zu definieren. Das Prägeprofil
kann komplexe Formen definieren, die als ein Muster an einer Maskenschicht
geprägt
werden können.
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In 8 umfasst
ein Substrat 11 eine Basisoberfläche 13, die eine Nutzfläche AU aufweist, die durch ein Produkt einer Breite
W und einer Länge
L der Basisoberfläche 13 definiert
ist, derart, dass die Nutzfläche AU = W·L
beträgt.
Obwohl in 8 eine rechteckige Form dargestellt
ist, ist die vorliegende Erfindung nicht auf diese Form begrenzt,
und es können
andere Formen verwendet werden, wie beispielsweise eine kreisförmige Form,
und die Nutzfläche
AU kann basierend auf der ausgewählten Form
bestimmt sein. Die Nutzfläche
AU für eine
kreisförmige
Form betrüge
beispielsweise AU = 2π ·r2.
Eine Mehrzahl von Prägestempeln 20 befinden
sich in Kontakt mit der Basisoberfläche 13 und erstrecken
sich von der Basisoberfläche 13 nach
außen
(wie es unten beschrieben ist). Die Prägestempel 20 sind
voneinander beabstandet und sind an der Basisoberfläche 13 positioniert,
so dass die Prägestempel 20 im
Wesentlichen die ganze Nutzfläche
AU einnehmen.
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In 8 und 10 weist
jeder Prägestempel 20 eine
vorbestimmte Form auf und umfasst ein Mikromerkmal 21,
das sich von der Basisoberfläche 13 nach
außen
erstreckt und gegenüberliegende
Seitenoberflächen
(22a, 22b) umfasst. Jeder Prägestempel 20 umfasst
ferner eine Mehrzahl von lateralen Abstandhaltern 23 (in 10 sind
zwei gezeigt), die sich von den gegenüberliegenden Seitenoberflächen (22a, 22b)
des Mikromerkmals 21 lateral nach außen erstrecken, und die lateralen
Abstandhalter 23 erstrecken sich ebenfalls von der Basisoberfläche 13 nach
außen.
Das Mikromerkmal 21 und die lateralen Abstandhalter 23 umfassen eine
Höhe und
eine Breite, die unter dem Mikromerkmal 21 und den lateralen
Abstandhaltern 23 variiert, um ein Prägeprofil 24 zu definieren
(wie es unten beschrieben ist).
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In 9 können die
lateralen Abstandhalter 23 durch ein Aufbringen eines Materials
für eine
Abstandhalterschicht 23a an dem Mikromerkmal 21 und
der Basisoberfläche 13 unter
Verwendung von Aufbringungsprozessen gebildet sein, die auf dem
Mikroelektronikgebiet gut bekannt sind, wie beispielsweise eine
chemische Dampfaufbringung (CVD = Chemical Vapor Deposition) oder
eine Atomschichtaufbringung (ALD = Atomic Layer Deposition). Das
Material für
die Abstandhalterschicht 23a ist vorzugsweise konform über dem
Mikromerkmal 21 und der Basisoberfläche 13 aufgebracht,
so dass eine erste Dicke t1 des Materials
an der gegenüberliegenden
Seitenoberfläche
(22a, 22b) im Wesentlichen gleich einer zweiten
Dicke t2 des Materials an der Basisoberfläche 13 und
einer oberen Oberfläche 25 des
Mikromerkmals 21 ist (t1 t2). Das heißt, die laterale Wachstumsrate
des Materials ist im Wesentlichen gleich der vertikalen Wachstumsrate
des Materials. Ein Abschnitt der Abstandhalterschicht 23a,
der an der oberen Oberfläche 25 und
der Basisoberfläche 13 angeordnet ist,
wird unter Verwendung eines höchst
selektiven Ätzprozesses
entfernt, wie beispielsweise einer anisotropen Ätzung, die das Material mit
einer schnelleren Ätzrate
in eine bevorzugte Ätzrichtung ätzt, die
durch einen gestrichelten Pfeil E angegeben ist. Folglich wird das
Material, das die obere Oberfläche 25 und
die Basisoberfläche 13 bedeckt,
entfernt und verbleibt das Material, das die gegenüberliegenden
Seitenoberflächen
(22a, 22b) bedeckt, und bildet die lateralen Abstandhalter 23,
wie es in 10 gezeigt ist.
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In 11a sind eine Mehrzahl von Mikromerkmalen 21 an
der Basisoberfläche 13 des
Substrats 11 gebildet. Nach einem konformen Aufbringen
und anschließenden
selektiven Ätzen
eines Materials für
die lateralen Abstandhalter 23, werden eine Mehrzahl von
lateralen Abstandhaltern 23 an den gegenüberliegenden Seitenoberflächen (22a, 22b)
gebildet, wie es in 11b gezeigt ist.
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Der
Aufbringungsprozess kann, falls nötig, wiederholt werden um zusätzliche
laterale Abstandhalter 23 zu bilden, wie es in 11c und 11d gezeigt
ist. Jeder Aufbringungsschritt ist gefolgt von einen selektiven Ätzschritt.
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In 11e werden, nachdem die erwünschte Anzahl von lateralen
Abstandhaltern 23 gebildet sind, die Mehrzahl von Mikromerkmalen 21 und
die zugeordneten lateralen Abstandhalter 23 derselben durch
einen Planarisierungsprozess, wie beispielsweise eine chemische
mechanische Planarisierung (CMP = Chemical Mechanical Planarization)
planarisiert (d. h. im Wesentlichen flach gemacht). Nach dem Planarisierungsschritt erstrecken
sich die Mikromerkmale 21 und die zugeordneten lateralen
Abstandhalter 23 derselben von der Basisoberfläche 13 um
eine im Wesentlichen einheitliche Höhe h0 nach
außen.
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In 11f wird ein großflächiger Prägungsstempel 10 für nanometergroße Muster
durch ein selektives Ätzen
der Mikromerkmale 21 und der lateralen Abstandhalter 23 gebildet.
Beispielsweise kann ein Ätzmittel ausgewählt sein,
um lediglich die Mikromerkmale 21 zu ätzen, derart, dass die Höhe der Mikromerkmale 21 (d.
h. die Höhe,
um die sich dieselben von der Basisoberfläche 13 nach außen erstrecken)
mit einer Ätzzeit abnimmt.
Folglich gibt es nach dem Ätzprozess
Höhenvariationen
(h1 und h2) zwischen
den Mikro merkmalen 21 und den zugeordneten lateralen Abstandhaltern 23 derselben.
Diese Höhenvariationen
(h1 und h2) definieren
das Prägeprofil 24 für jeden
Prägestempel 20.
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Abhängig von
den Materialien, aus denen die verschiedenen lateralen Abstandhalter 23 und
die Mikromerkmale 21 hergestellt sind, kann ein Ätzmittel
gewählt
sein, um lediglich eines oder mehrere dieser Materialien zu ätzen, um
die Höhe
dieser Materialien zu reduzieren, während jene Materialien, auf
die durch das Ätzmittel
nicht abgezielt wird, nicht geätzt
werden. Folglich gibt es nach dem Ätzprozess Höhenvariationen unter den lateralen
Abstandhaltern 23 und den Mikromerkmalen 21, die
das Prägeprofil 24 jedes
Prägestempels 20 definieren.
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Die
vorbestimmte Form jedes Prägestempels 20 ist
durch mehrere Faktoren definiert, einschließlich: des lithographischen
Prozesses, der verwendet wird, um die Mikromerkmale 21 und
die lateralen Abstandhalter 23 zu definieren; der Materialien,
die für
die Mikromerkmale 21 verwendet werden; und der lateralen
Abstandhalter 23 und des Ätzmittels und der Ätzprozesse,
die verwendet werden, um das Prägeprofil 24 jedes Prägestempels 20 zu
definieren. Die vorbestimmte Form kann eine identische Form unter
allen Prägestempeln 20 sein,
die vorbestimmte Form kann unter allen Prägestempeln 20 variieren
oder die vorbestimmte Form kann eine Kombination von identischen
Formen und Formen sein, die unter allen Prägestempeln 20 variieren.
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In 11f ist die vorbestimmte Form der Prägestempel 20 unter
allen Prägestempeln 20 identisch.
Im Gegensatz dazu weisen in 14 und 15 die
Prägestempel 20 eine
vorbestimmte Form auf, die unter allen Prägestempeln 20 (zwei
sind gezeigt) variiert. Wie es in 11f, 14 und 15 gezeigt
ist, können die
Prägestempel 20 Prägeprofile 24 aufweisen,
die komplexe Formen definieren.
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In 12a bis 12c sind
die komplexen Formen für
die Prägestempel 20 von 14 durch
zuerst ein Aufbringen der Mikromerkmale 21 an der Basisoberfläche 13 gebildet.
In 12a weisen die Mikromerkmale 21 eine
kreisförmige
Form und eine Rautenform auf; diese Formen sind jedoch lediglich
zu Darstellungszwecken vorgesehen und die vorliegende Erfindung
soll nicht als auf lediglich diese hierin beschriebenen Formen begrenzt
aufgefasst werden. In 12b sind
gleichermaßen
laterale Abstandhalter 23, die eine Form aufweisen, die
konform zu dieser des Mikromerkmals 23 ist, an der Basisoberfläche 13 und
den gegenüberliegenden
Seitenoberflächen
(22a, 22b) (nicht gezeigt) gebildet. In 12c ist noch eine andere Schicht von lateralen
Abstandhaltern 23 an der vorhergehenden Schicht von lateralen
Abstandhaltern 23 gebildet.
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13a bis 13c sind
Querschnittsansichten entlang einer gestrichelten Linie AA von 12c. In 13a ist
eine Füllstoffschicht 31 zwischen
benachbarten Prägestempeln 20 aufgebracht.
Ein Planarisierungsschritt wird verwendet, um die gesamte Struktur
zu planarisieren, derart, dass die Füllstoffschicht 31,
die Mikromerkmale 21 und die lateralen Abstandhalter 23 sich
von der Basisoberfläche 13 um
die im Wesentlichen einheitliche Höhe h0 nach
außen
erstrecken und eine im Wesentlichen planare Oberfläche definieren,
wie es durch eine gestrichelte Linie x angegeben ist.
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In 14 werden
nach einem oder mehreren Selektivätzschritten die lateralen Abstandhalter 23 und die
Füllstoffschicht 31 mit
einer höheren Ätzrate als
die Mikromerkmale 21 von 13c geätzt, was
darin resultiert, dass sich die Mikromerkmale 21 von der
Basisoberfläche 13 am
weitesten nach außen
erstrecken. Zusätzlich
resultieren Unterschiede bei Ätzraten
und Materialien, die für
die lateralen Abstandhalter 23 verwendet werden, darin,
dass sich ein Innerster der lateralen Abstandhalter 23 von
der Basisoberfläche 13 um
einen größeren Abstand
als ein Äußerster
der lateralen Abstandhalter 23 nach außen erstreckt. Folglich weisen
die Prägestempel 20 von 14 ein
Prägeprofil 24 auf,
das konzentrische kreisförmige
und konzentrische rechteckige Formen definiert. In 15 sind
andere mögliche
komplexe Formen für
die Prägemuster 20 dargestellt.
Lithographische Prozesse und Photoresistmasken können verwendet werden, um komplexe
Prägeprofile 24 wie diese
zu definieren, die in 15 gezeigt sind.
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16 ist
eine Querschnittsansicht, die eine Mehrzahl von Mikromerkmalen
21 (als
B bezeichnet) und lateralen Abstandhaltern
23 (als D, E & F bezeichnet)
zeigt, die an einem Substrat
13 (als A bezeichnet) gebildet
und planarisiert sind. Für
alle hierin beschriebenen Ausführungsbeispiele
kann ein Material B für
die Mikromerkmale
21 und können Materialien D, E & F für die lateralen
Abstandhalter
23 ein Material sein, das diese, die in Tabelle
1 unten dargelegt sind, umfasst, aber nicht darauf begrenzt ist:
TABELLE
1
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In 16 wechseln
sich die Schichten aus Materialien D, E & F für die lateralen Abstandhalter 23 ab, derart,
dass die Materialien für
D, E & F unterschiedliche
Materialien oder die gleichen Materialien sein können. Beispielsweise können D,
E & F identische
Materialien sein, die mit unterschiedlichen Fremdstoffen dotiert sind,
um die jeweiligen Ätzraten
derselben zu ändern.
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Optional
kann eine Füllstoffschicht
31 (als
C bezeichnet) zwischen benachbarten Prägestempeln
20 angeordnet
sein. Die Füllstoffschicht
31 kann
ein Material sein, das diese, die in Tabelle 2 unten dargelegt sind, umfasst,
aber nicht darauf begrenzt ist:
TABELLE
2
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Das
Substrat
11 (als A bezeichnet) kann aus einem Material
hergestellt sein, das diese, die in
3 unten
dargelegt sind, umfasst, aber nicht darauf begrenzt ist:
TABELLE
3
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Optional
kann das Substrat (als A bezeichnet) an einem Tragesubstrat S gebildet
sein. Das Substrat 11 kann beispielsweise eine Schicht
aus Siliziumoxid (SiO2) sein und das Tragesubstrat
S kann ein Halbleitermaterial wie Silizium (Si) sein. Beispielsweise
kann das Tragesubstrat S ein Wafer aus Einkristallsilizium (Si) sein.
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Wie
es oben angemerkt war, können
die Prägestempel 20 im
Wesentlichen die ganze Nutzfläche
AU = W·L
einnehmen. In einigen Fällen
jedoch kann es erwünscht
oder notwendig sein, dass die Prägestempel eine
Fläche
einnehmen, die geringer als im Wesentlichen die ganze Nutzfläche AU ist. In 18a und 18b nehmen die Prägestempel 20 eine
Fläche
AP ein, die geringer als die Nutzfläche AU ist. In 18a weist
das Substrat 11 eine rechteckige Form auf und in 18b weist das Substrat 11 eine kreisförmige Form
auf. In jedem Fall lässt
die Fläche
AP einen Abschnitt des Substrats 11 unbesetzt
und diese unbesetzte Fläche
kann verwendet werden, um das Substrat 11 während einer
mikroelektronischen Fertigung des großflächigen, nanometergroßen Prägungsstempels 10 physisch
zu handhaben.
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In 19a kann der großflächige Prägungsstempel 10 für nanometergroße Muster
an einer Mehrzahl von Chips 50 gebildet sein, die an dem
Substrat 11 gebildet sind. Die Chips 50 sind voneinander
in einer Weise beabstandet, die ähnlich
dem Chip ist, der bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen
verwendet wird, wie beispielsweise einer ASIC, wobei die Leerräume zwischen
benachbarten Chips Ritzmarkierungen definieren, die bei einem Sägen des
Substrats in einzelne Chips verwendet werden. Falls beispielsweise
das Substrat 11 ein Wafer aus Silizium (Si) ist, dann wird
der Wafer entlang den Ritzlinien gesägt, um die einzelnen Chips 50 von
dem Wafer zu trennen.
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Ein
Chip 50, der durch gestrichelte Linien dd bezeichnet ist,
ist in 19b detaillierter gezeigt, wobei der
Chip 50 eine Chipfläche
aufweist, die als das Produkt von WD LD definiert ist, und die Prägestempel 20 eine Teilfläche AP einnehmen, die im Wesentlichen die ganze
Chipfläche
(d. h. WD·LD)
sein kann oder geringer als eine Chipfläche sein kann. In 19b ist die Teilfläche AP geringer
als die Chipfläche
(WD·LD).
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Der
großflächige Prägungsstempel 10 kann
unter Verwendung gut bekannter Mikroelektronikverarbeitungstechniken
gebildet sein. In 21a bis 21d können die
Mikromerkmale 21 durch ein Aufbringen einer Merkmalsschicht 21a an
der Nutzfläche
AU der Basisoberfläche 13 des Substrats 11 gebildet
werden. Die Merkmalsschicht 21a kann dann lithographisch
strukturiert 27 und dann trockengeätzt werden, um eine Mehrzahl
der Mikromerkmale 21 zu definieren, die eine obere Oberfläche 25 und
gegenüberliegende
Seitenoberflächen
(22a, 22b) aufweisen.
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Als
Nächstes
wird eine Abstandhalterschicht 23a konform an den Mikromerkmalen 21 aufgewachsen, bis
die Abstandhalterschicht 23a eine erwünschte Dicke (t1,
t2) aufweist, die an der oberen Oberfläche 25 und den
gegenüberliegenden
Seitenoberflächen
(22a, 22b) im Wesentlichen gleich ist (d. h. t1 = t2) (siehe Bezugszeichen 23a in 9).
Ein Prozess, wie beispielsweise CVD, kann für das konforme Aufwachsen der
Abstandhalterschicht verwendet werden.
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Die
Abstandhalterschicht 23a wird anisotrop geätzt, um
einen Abschnitt der Abstandhalterschicht 23a zu entfernen,
der an der oberen Oberfläche 25 angeordnet
ist, wodurch eine Mehrzahl von Prägestempeln 20 definiert
werden, die eine Mehrzahl von lateralen Abstandhaltern 23 umfassen,
die an den gegenüberliegenden
Seitenoberflächen
(22a, 22b) der Mikromerkmale 21 angeordnet
sind. Ein sehr selektiver Nass- oder
Trockenätzprozess
kann für
den Schritt einer anisotropen Ätzung
verwendet werden.
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Der
Schritt eines konformen Aufwachsens und der Schritt eines anisotropen Ätzens werden
falls nötig wiederholt,
um zusätzliche
laterale Abstandhalter 23 an den Prägestempeln 20 zu definieren.
Nach einem Abschließen
der Schritte eines konformen Aufwachsens und eines anisotropen Ätzens werden
die Prägestempel 20 planarisiert,
so dass die Mikromerkmale 21 und die lateralen Abstandhalter 23 sich
von der Basisoberfläche um
eine im Wesentlichen identische Höhe h0 nach außen erstrecken.
Ein Prozess, wie beispielsweise CMP, kann für den Planarisierungsschritt
verwendet werden.
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Eines
oder mehrere Ausgewählte
der Mikromerkmale 21 und der lateralen Abstandhalter 23 werden selektiv
geätzt,
um das Prägeprofil 24 in
den Prägestempeln 20 zu
definieren. Der Selektivätzprozess
wird falls nötig
wiederholt, um eines oder mehrere Ausgewählte der Mikromerkmale 21 und
der lateralen Abstandhalter 23 selektiv zu ätzen, um
das Prägeprofil 24 weiter
zu definieren. Ein anisotroper Nass- oder Trockenätzprozess kann
verwendet werden, um die Mikromerkmale 21 und die lateralen
Abstandhalter 23 selektiv zu ätzen.
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Vor
dem oben erwähnten
Planarisierungsschritt kann eine Füllstoffschicht 31 über den
Prägestempeln 20 aufgebracht
werden. Die Füllstoffschicht 31 bedeckt
die Prägestempel 20 vollständig. Nach
dem Aufbringen der Füllstoffschicht 31 wird
der Planarisierungsschritt verwendet, um die Prägestempel 20 und die
Füllstoffschicht 31 zu
planarisieren, so dass die Mikromerkmale 21, die lateralen
Abstandhalter 23 und die Füllstoffschicht 31 sich
von der Basisoberfläche 13 um
die im Wesentlichen identische Höhe
h0 nach außen erstrecken. Nach dem Planarisierungsschritt
kann die Füllstoffschicht 31 selektiv
geätzt
werden, bis die Füllstoffschicht 31 eine
vorbestimmte Dicke tf erreicht. Das heißt, die
Füllstoffschicht 31 wird
geätzt,
bis dieselbe unter die im Wesentlichen identische Höhe h0 ausgenommen ist (siehe 20).
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In 22 wird
der großflächige Prägungsstempel 10 mit
einem Maskensubstrat 61, das eine Filmschicht 63 und
eine Maskenschicht 65 trägt, in Kontakt gezwungen (siehe
gestrichelter Pfeil U). Die Maskenschicht 65 kann beispielsweise
ein Photoresistmaterial sein, wie beispielsweise PMMA, das sich
verformt und konform zu den Prägeprofilen 24 der
Prägestempel 20 ist,
wenn der großflächige, nanometergroße Prägungsstempel 10 und
das Maskensubstrat 61 in Kontakt miteinander gepresst U
werden. Bei nachfolgenden Verarbeitungsschritten kann die Maskenschicht
geätzt
werden, um die Prägemuster,
die in derselben durch die Prägeprofile 24 gebildet
sind, auf die darunter liegende Filmschicht 63 zu übertragen.
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In 17 umfasst
ein Beispiel eines Verfahrens zum Herstellen des großflächigen Prägungsstempels 10 unter
Verwendung der Abstandhaltertechnik ein Verwenden eines Prozesses,
der ähnlich
einem mikroelektronischen Prozess zum Bilden eines n-Gates für ein schwach
dotiertes Drain (LDD = Lightly Doped Drain) eines Metalloxidhalbleitertransistors
(MOS-Transistor; MOS = Metal Oxide Semiconductor) ist. Das Substrat 11 kann
ein Siliziumsubstrat (Si-Substrat) sein, auf dem eine dünne dielektrische
Gate-Schicht 41 an der Basisoberfläche 13 aufgebracht
ist. Die dielektrische Gate-Schicht 41 kann
beispielsweise Siliziumdioxid (SiO2) sein. Als
Nächstes
wird eine Gate-Elektrode, die als g bezeichnet ist, an der dielektrischen
Gate-Schicht 41 gebildet und die Gate-Elektrode g bildet
das Mikromerkmal 21. Ein Material, wie beispielsweise Polysilizium,
kann zum Beispiel verwendet werden, um das Mikromerkmal 21 zu
bilden. Nach dem Bilden des Mikromerkmals 21 kann eine
Abstandhalterschicht 23a konform über dem Mikromerkmal 21 aufgebracht
und dann anisotrop geätzt werden,
um die lateralen Abstandhalter 23 zu bilden. Ein Material,
wie beispielsweise Siliziumnitrid (Si3N4) kann beispielsweise für die Abstandhalterschicht 23a verwendet
werden. Ein Prozess, wie beispielsweise eine CVD, kann verwendet
werden, um die Abstandhalterschicht 23a konform aufzubringen.
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In 17 wird
ein Schritt einer konformen Aufbringung gefolgt von einem Schritt
einer anisotropen Ätzung
zwei Mal wiederholt, um zwei laterale Abstandhalter 23 zu
definieren, die sich von den gegenüberliegenden Seitenoberflächen des
Mikromerkmals 21 nach außen erstrecken. Die tatsächliche
Anzahl von lateralen Abstandhaltern 23 ist durch die Anzahl
von Schritten einer konformen Aufbringung und der Anzahl von Schritten
einer anisotropen Ätzung
bestimmt.
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Die
Mikromerkmale 21 können
eine Abmessung t0 aufweisen, die zum Teil
durch einen lithographischen Prozess und einen Ätzprozess bestimmt sein kann,
die verwendet werden, um die Mikromerkmale 21 zu definieren.
Die Abmessung t0 kann beispielsweise etwa
0,10 μm
betragen. Gleichermaßen
können
die lateralen Abstandhalter 23 Abmessungen t1 und
t2 aufweisen, die identisch sein können oder
unter den lateralen Abstandhaltern 23 variieren können. Die
Abmessungen t1 und t2 können beispielsweise
etwa 0,010 μm
betragen. Nach dem zuvor erwähnten
Planarisierungsschritt sind die Höhenvariationen unter den lateralen
Abstandhaltern 23 und den Mikromerkmalen 21 durch
die jeweiligen Materialien derselben und die anisotropen Ätzprozesse
bestimmt, denen die lateralen Abstandhalter 23 und die
Mikromerkmale 21 unterzogen sind. Die Abmessungen für t0, t1 und t2 sind nicht auf die hierin dargelegten Werte
beschränkt
und die tatsächlichen
Abmessungen für
t0, t1 und t2 sind anwendungsabhängig.
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Lediglich
zu Darstellungszwecken kann eine Source s und ein Drain d in dem
Substrat 11 gebildet sein und können eine schwach dotierte
Region 43 und eine stark dotierte Region 45 umfassen.
Bei einem typischen LDD-Prozess würde die schwach dotierte Region 43 durch
ein Implantieren einer schwachen Dosis eines Dotiermittels in das
Substrat 11 unter Verwendung der Gate-Elektrode g als eine
Maske gebildet. Nach der Bildung des lateralen Abstandhalters 23 würde als
Nächstes
die stark dotierte Region 45 durch ein Implantieren einer
starken Dosis eines Dotiermittels in das Substrat 11 unter
Verwendung des lateralen Abstandhalters 23 als eine Maske
gebildet.
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Die
oben erwähnten
Schritte zum Bilden der schwach dotierten Region 43 und
einer stark dotierten Region 45 sind jedoch zum Herstellen
des großflächigen,
nanometergroßen
Prägungsstempels 10 unter
Verwendung der Abstandhaltertech nik nicht notwendig und können gänzlich eliminiert
werden. Die dielektrische Gate-Schicht 41 ist optional
und kann ebenfalls eliminiert werden. Die Mikromerkmale 21 und
die lateralen Abstandhalter 23 können ohne die Implantationsschritte
gebildet werden und die obige Beschreibung des LDD-Prozesses dient
lediglich dazu, darzustellen, wie Mikroelektronikfertigungstechniken,
die Fachleuten auf dem Mikroelektronikgebiet gut verständlich sind
(z. B. ein CMOS-Prozess), angepasst werden können, um den großflächigen Prägungsstempel 10 unter
Verwendung der Abstandhaltertechnik der vorliegenden Erfindung zu bilden.
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Obwohl
mehrere Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung offenbart und dargestellt wurden, ist
die Erfindung nicht auf die spezifischen Formen oder Anordnungen
von Teilen begrenzt, die so beschrieben und dargestellt sind. Die
Erfindung ist lediglich durch die Ansprüche begrenzt.