DE69633334T2 - Photolithographisch gemusterter federkontakt - Google Patents

Photolithographisch gemusterter federkontakt Download PDF

Info

Publication number
DE69633334T2
DE69633334T2 DE69633334T DE69633334T DE69633334T2 DE 69633334 T2 DE69633334 T2 DE 69633334T2 DE 69633334 T DE69633334 T DE 69633334T DE 69633334 T DE69633334 T DE 69633334T DE 69633334 T2 DE69633334 T2 DE 69633334T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
contact
substrate
spring
spring contact
contacts
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69633334T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69633334D1 (de
Inventor
Leonard Donald SMITH
Sebastian Andrew ALIMONDA
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xerox Corp
Original Assignee
Xerox Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xerox Corp filed Critical Xerox Corp
Application granted granted Critical
Publication of DE69633334D1 publication Critical patent/DE69633334D1/de
Publication of DE69633334T2 publication Critical patent/DE69633334T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06716—Elastic
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07342—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07357—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with flexible bodies, e.g. buckling beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/50—Fixed connections
    • H01R12/51—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures
    • H01R12/52—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures connecting to other rigid printed circuits or like structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02—Contact members
    • H01R13/22—Contacts for co-operating by abutting
    • H01R13/24—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted
    • H01R13/2407—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the resilient means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02—Contact members
    • H01R13/22—Contacts for co-operating by abutting
    • H01R13/24—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted
    • H01R13/2464—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the contact point
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/325—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by abutting or pinching, i.e. without alloying process; mechanical auxiliary parts therefor
    • H05K3/326—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by abutting or pinching, i.e. without alloying process; mechanical auxiliary parts therefor the printed circuit having integral resilient or deformable parts, e.g. tabs or parts of flexible circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4092—Integral conductive tabs, i.e. conductive parts partly detached from the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/0006—Printed inductances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/02—Fixed inductances of the signal type  without magnetic core
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/05099—Material
    • H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/05124—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05644—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05655—Nickel [Ni] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/819—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector with the bump connector not providing any mechanical bonding
    • H01L2224/81901—Pressing the bump connector against the bonding areas by means of another connector
    • H01L2224/81903—Pressing the bump connector against the bonding areas by means of another connector by means of a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01018—Argon [Ar]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0104—Zirconium [Zr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01049—Indium [In]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01058—Cerium [Ce]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01072—Hafnium [Hf]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/70—Coupling devices
    • H01R12/71—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures
    • H01R12/72—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures coupling with the edge of the rigid printed circuits or like structures
    • H01R12/722—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures coupling with the edge of the rigid printed circuits or like structures coupling devices mounted on the edge of the printed circuits
    • H01R12/728—Coupling devices without an insulating housing provided on the edge of the PCB
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02—Contact members
    • H01R13/22—Contacts for co-operating by abutting
    • H01R13/24—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/325—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by abutting or pinching, i.e. without alloying process; mechanical auxiliary parts therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/403—Edge contacts; Windows or holes in the substrate having plural connections on the walls thereof

Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft allgemein fotolithografisch gemusterte Federkontakte zur Verwendung in elektrisch angeschlossenen integrierten Schaltungen, Leiterplatten, Elektrodenfeldern oder anderen Vorrichtungen.
  • Beschreibung des Standes der Technik
  • Zu den Standardanschlusstechniken zum elektrischen Anschließen integrierter Schaltungen oder Chips an eine Leiterplatte oder an eine andere Vorrichtung zählen das Drahtverbinden (wire bonding), das Streifenverbinden (tab bonding), das Lötperlen-Umdrehverbinden (solder-bump flip-chip bonding), das Goldperlen-Umdrehverbinden (gold-bump flip-chip bonding) und andere. 1 zeigt eine auf einem Chip 2 ausgebildete Kontaktfläche 3, die mit einer entsprechenden auf einem Substrat 1 ausgebildeten Kontaktfläche 3 mittels Drahtverbinden verbunden worden ist. Die Kontaktflächen 3 sind elektrisch durch einen Draht 4 verbunden beziehungsweise aneinander angeschlossen. Da der Chip 2 üblicherweise Dutzende oder sogar Hunderte von Kontaktflächen 3 aufweist, ist das Drahtverbinden jeder Kontaktfläche 3 auf dem Chip mit der entsprechenden Kontaktfläche 3 auf dem Substrat arbeitsintensiv, kostenaufwändig und langsam. Darüber hinaus müssen die Kontaktflächen 3 ausreichend groß sein, um sowohl dem Draht 4 als auch der Genauigkeit der Drahtverbindungsvorrichtung gerecht zu werden, die zur Herstellung der Drahtverbindung eingesetzt wird. Aus diesem Grunde werden die Kontaktflächen 3 größer als eigentlich notwendig ausgebildet, um so einen Ausgleich für derartige Beschränkungen hinsichtlich des Drahtes 4 und der Drahtverbindungsvorrichtung zu schaffen.
  • 2 zeigt die auf dem Chip 2 ausgebildete Kontaktfläche 3, die mit der entsprechenden Kontaktfläche 3 auf dem Substrat 1 mittels Streifenverbinden verbunden worden ist. Ein flexibles Substrat 5 mit an seiner Unterseite ausgebildeten Leiterbahnen wird gegen die Kontaktflächen 3 gedrückt. Eine Schicht aus anisotropem Klebstoff (nicht gezeigt) wird zwischen der Kontaktfläche 3 und dem flexiblen Substrat 5 angeordnet. Wird das flexible Substrat 5 gegen die Kontaktflächen 3 gedrückt, so wirken der anisotrope Klebstoff und die auf dem flexiblen Substrat 5 ausgebildeten Leiterbahnen zusammen, damit die elektrische Verbindung zwischen den Kontaktflächen 3 fertiggestellt wird. Genauso wie das Drahtverbinden krankt das Streifenverbinden an geringem Ausstoß, an Verbindungsbrüchigkeit und an hohen Kosten.
  • Ein weiteres herkömmliches Verfahren zum Verbinden der auf dem Chip 2 ausgebildeten Kontaktflächen 3 mit den auf dem Substrat 1 ausgebildeten Kontaktflächen 3 oder mit einer anderen Vorrichtung ist das Lötperlen-Umdrehverbinden (solder-bump flip-chip bonding). 3 zeigt, dass der Chip 2 umgedreht ist, sodass die Kontaktflächen 3 zu dem Substrat 1 hin weisen. Der Name „Umdrehverbinden" (flip-chip bonding") rührt vom Umdrehen des Chips 2 her, da der Chip 2 „umgedreht" („geflippt") wird, sodass die Kontaktflächen 3 hin zu dem Substrat 1 weisen, was beim Streifenverbinden und beim Drahtverbinden nicht der Fall ist, da hier die Kontaktflächen 3 auf dem Chip 2 weg von dem Substrat 1 weisen. Es sei am Rande bemerkt, dass auch das Streifenverbinden derart vorgenommen werden kann, dass der Chip 2 „umgedreht" ist. Beim Standardumdrehverbinden werden an den Kontaktflächen 3 auf dem Substrat 1 oder auf dem Chip 2 Lötperlen 6 ausgebildet. Die elektrische Verbindung zwischen den entsprechenden Kontaktflächen 3 erfolgt mittels Drücken der Kontaktflächen 3 auf dem Chip 2 gegen die Lötperlen 6 und mittels Schmelzen der Lötperlen 6.
  • Das Umdrehverbinden stellt im Vergleich zum Drahtverbinden und zum Streifenverbinden eine Verbesserung dar. Die vergleichsweise weichen Lötperlen 6 neigen dazu, sich dauerhaft zu verformen, wenn der Chip 2 gegen die Lötperlen 6 nach unten gedrückt wird. Diese Verformung der Lötperlen 6 schafft einen Ausgleich hinsichtlich eventueller Höhenunregelmäßigkeiten der Kontaktflächen 3 und eventueller ungleichmäßiger Kontaktdrücke, die den Chip 2 gegen die Lötperlen 6 drücken.
  • Gleichwohl krankt das Umdrehverbinden sowohl an mechanischen wie auch an thermischen Schwankungen in den Lötperlen 6. Für den Fall, dass viele der Lötperlen 6 höhenmäßig nicht gleichmäßig sind, oder das Substrat 1 verbogen ist, kann der Kontakt zwischen den Kontaktflächen 3 und den Lötperlen 6 verloren gehen. Für den Fall, dass der Kontaktdruck, der den Chip nach unten gegen die Lötperlen 6 drückt, ungleichmäßig ist, kann der Kontakt zwischen einigen Kontaktflächen 3 und den entsprechenden Lötperlen 6 ebenfalls verloren gehen. Darüber hinaus zerstören Spannungen aufgrund thermischer Expansionsverschiebungen zwischen dem Chip 2 und dem Substrat 1 die von den Lötperlen 6 gebildeten Verbindungen.
  • Im Gegensatz zu den vorstehend beschriebenen vergleichsweise dauerhaften Verbindungen zeigt 4 eine Standardtechnik zum Herstellen eines vorübergehenden elektrischen Kontaktes zwischen zwei Vorrichtungen. Eine Sondenkarte 7 mit einer Mehrzahl von Sondennadeln 8 kontaktiert die Kontaktflächen 3, indem die Sondennadeln 8 gegen die Kontaktflächen 3 gedrückt werden. Der physikalische Kontakt zwischen den Sondennadeln 8 und den Kontaktflächen 3 erzeugt eine elektrische Verbindung zwischen den Sondennadeln 8 und den auf dem Substrat 1 ausgebildeten Bahnen 9.
  • Die Sondenkarten 7 werden im Allgemeinen dazu verwendet, vorübergehende Kontakte zwischen den Sondennadeln 8 und den Kontaktflächen 3 herzustellen, sodass die Vorrichtung 10 geprüft, abgefragt oder auf andere Weise angesprochen werden kann. Die Vorrichtung 10 kann eine Matrix aus Anzeigeelektroden sein, die Teil einer Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige sind. Das Prüfen der Vorrichtungen 10, so beispielsweise der Flüssigkristallanzeige-Elektrodenmatrizen ist eingehend in der Druckschrift US-A-6531953 beschrieben.
  • Die Sondenkarten 7 haben neben dem Prüfen von Flüssigkristallanzeigen viele weitere Anwendungen. Eine beliebige Vorrichtung 10 mit zahlreichen und vergleichsweise kleinen Kontaktflächen 3, die ähnlich denjenigen auf dem Chip 2 sind, kann unter Verwendung der Sondenkarte 7 geprüft werden. Dem steht gegenüber, dass die Standardtechniken zur Herstellung der Sondenkarte 7 zeitaufwändig und arbeitsintensiv sind. Jede Sondenkarte 7 muss für die jeweilige zu prüfende Vorrichtung 10 einzeln hergestellt werden. Üblicherweise werden die Sondennadeln 8 auf der Sondenkarte 7 manuell hergestellt. Da die Sondenkarten 7 einzeln hergestellt und vergleichsweise kostenintensiv sind, werden üblicherweise keine Sondenkarten 7 hergestellt, die sämtliche Kontaktflächen 3 an der Vorrichtung 10 auf einmal kontaktieren. Aus diesem Grunde können lediglich Teile der Vorrichtung 10 gleichzeitig angesprochen, geprüft oder abgefragt werden, sodass eine Bewegung der Sondenkarte 7 notwendig wird, um das Ansprechen, Prüfen oder Abfragen der gesamten Vorrichtung 10 zu ermöglichen.
  • Die Sondenkarten 7 werden darüber hinaus verwendet, um die Chips 2 zu prüfen, wenn diese noch Teil eines Monokristallsiliziumwafers sind. Eine derartige Sondenkarte 7 wird in einem fotolithografischen Musterplattierverfahren hergestellt, das beispielsweise in dem Beitrag „Probing at Die Level" (Corwrith, Advanced Packaging, Februar 1995, Seiten 26 bis 28) offenbart ist. Das fotolithografische Musterplattierverfahren erzeugt Sondenkarten 7, die im Wesentlichen dasselbe Aussehen wie die Standardsondenkarte 7 aufweisen. Es hat sich jedoch herausgestellt, dass dieser neue Typ von Verfahren bei einem automatisierten Verfahren zur Herstellung von Sondennadeln 8 zum Einsatz kommen kann, sodass die manuelle Herstellung der Sondennadeln 8 vermieden wird. Darüber hinaus offenbart der genannte Beitrag eine Sondenkarte 7, die an dem den Sondennadeln 8 näheren Ende gebogen ist, was 5 zeigt. Die Biegung in der Sondenkarte 7 ermöglicht, dass die Sondennadeln 8 die Kontaktfläche 3 unter einem Winkel kontaktieren. Da die Sondenkarte 7 die Sondennadeln 8 in den Kontakfflächenbereich hineinschiebt, tritt eine mechanische Scheuerwirkung auf, durch die ermöglicht wird, dass die Sondennadeln 8 durch das an der Oberseite der Kontaktfläche 3 gebildete Oxid hindurchgelangen. Sämtliche Standardsondenkarten 7 können jedoch nur zum Prüfen von Kontaktflächen 3 eingesetzt werden, die in einem linearen Feld angeordnet sind.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Entsprechend stellt die vorliegende Erfindung einen Federkontakt bereit, bei dem das Lötperlen-Umdrehverbinden schnell und einfach erfolgen kann, während die Notwendigkeit zur Schaffung gleichmäßiger Lötperlen oder eines gleichmäßigen Kontaktdruckes beseitigt wird. Darüber hinaus stellt die Erfindung Kontakffelder bereit, die im Vergleich zum Lötperlen-Umdrehverbinden feinmaschiger sind.
  • Erfindungsgemäß umfasst der Federkontakt ein Substrat; eine Kontaktoberfläche, die gegenüber dem Substrat angeordnet ist; und ein elastisches Element mit einem Verankerungsabschnitt und einem freien Abschnitt, wobei der Verankerungsabschnitt mit dem Substrat verbunden ist, und der freie Abschnitt von dem Substrat getrennt ist; wobei das elastische Element eine Mehrzahl von Schichten mit einem inhärenten Spannungsgra dienten aufweist, der den freien Abschnitt weg von dem Substrat und hin zu einem Kontakt mit der gegenüber dem Substrat angeordneten Oberfläche vorbelastet.
  • Die Erfindung stellt darüber hinaus einen Federkontakt bereit, der elastische Eigenschaften aufweist, wodurch er in die Lage versetzt wird, ungeachtet eventueller Schwankungen hinsichtlich der Höhe der Kontaktflächen und des Kontaktdruckes, thermischer Schwankungen oder mechanischer Erschütterungen den physikalischen Kontakt mit einer Kontaktfläche zu halten.
  • Schließlich stellt die vorliegende Erfindung auch eine Sondenkarte und ein Verfahren zum Herstellen der Sondenkarte bereit, die Federkontakte anstelle von Standardsondennadeln aufweist.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnung
  • Die Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnung beschrieben, in der gleiche Bezugszeichen gleiche Elemente bezeichnen, und die sich wie folgt zusammensetzt.
  • 1 zeigt einen Chip, der mittels Drahtverbinden mit einem Substrat verbunden worden ist.
  • 2 zeigt einen Chip, der mittels Streifenverbinden mit dem Substrat verbunden worden ist.
  • 3 zeigt einen Chip, der mittels Lötperlen-Umdrehverbinden mit dem Substrat verbunden worden ist.
  • 4 zeigt eine Sondenkarte, die mit einer elektronischen Vorrichtung in Kontakt steht.
  • 5 zeigt eine Sondenkarte mit einer gewinkelten Sondennadel.
  • 6 zeigt einen Federkontakt in einem unvertormten freien Zustand und einen weiteren Federkontakt, der bei Kontakt mit einer Kontaktfläche verformt wird.
  • 7 zeigt einen Metallstreifen ohne Spannungsgradient.
  • 8 zeigt ein Modell zum Bestimmen der Krümmung eines Federkontaktes aufgrund des Spannungsgradienten.
  • 9 zeigt ein Modell zum Bestimmen der Größe der Reaktionskraft, die an der Spitze des Federkontaktes wirkt.
  • 10 zeigt die ersten Schritte eines Verfahrens zum Herstellen eines Federkontaktes entsprechend der vorliegenden Erfindung.
  • 11 zeigt zusätzliche Schritte im Anschluss an diejenigen von 10 bei einem Verfahren zum Herstellen eines Federkontaktes entsprechend der vorliegenden Erfindung.
  • 12 zeigt zusätzliche Schritte im Anschluss an diejenigen von 11 bei einem Verfahren zum Herstellen eines Federkontaktes entsprechend der vorliegenden Erfindung.
  • 13 zeigt einen letzten Schritt bei einem der Verfahren zum Herstellen eines Federkontaktes entsprechend der vorliegenden Erfindung.
  • 14 ist eine grafische Darstellung der Schichtspannung in einer mittels Sputtern aufgebrachten Nickel-Zirkon-Legierung als Funktion des Plasmagasdrucks.
  • 15 ist eine Draufsicht auf einen Federkontakt.
  • 16 ist eine Vorrichtung zum Prüfen des Kontaktwiderstandes einer Mehrzahl von Federkontaktpaaren.
  • 17 ist eine grafische Darstellung des gemessenen Widerstandes der Mehrzahl von Federkontaktpaaren.
  • 18 ist eine grafische Darstellung des Kontaktwiderstandes eines Federkontaktes als Funktion des Abstandes zwischen der Kontaktfläche und dem Substrat.
  • 19 ist ein Federkontakt mit einem flachen Ende.
  • 20 ist ein Federkontakt mit einem spitzen Ende.
  • 21 ist ein Federkontakt mit zwei Spitzen an dem spitzen Ende.
  • 22 ist ein Federkontakt mit mehreren Spitzen an dem spitzen Ende.
  • 23 ist ein Federkontakt mit einem verformbaren Streifen an dem spitzen Ende.
  • 24 zeigt einen Federkontakt mit einem verformbaren Streifenende, wenn dieses gegen eine Kontaktfläche gedrückt wird.
  • 25 zeigt einen Chip mit einer Mehrzahl von Federkontakten, die mit einem Substrat elektrisch verbunden sind.
  • 26 zeigt einen Chip, der mit einer Staubabdeckung verbunden und elektrisch an ein Substrat mit einer Mehrzahl von Federkontakten und einer Staubabdeckung angeschlossen ist.
  • 27 zeigt einen Chip, der mit einem Substrat und elektrisch mit einer Mehrzahl von Federkontakten auf dem Substrat verbunden ist.
  • 28 zeigt einen Chip, der elektrisch mit einem Substrat über einen Zwischenwafer mit einer Mehrzahl von Federkontakten verbunden ist.
  • 29 zeigt eine Sondenkarte mit einer Mehrzahl von Federkontakten, die zum Prüfen einer elektronischen Vorrichtung verwendet werden.
  • 30 zeigt eine Flüssigkristallanzeige und eine Vorrichtung zum Prüfen der Funktion der Anzeige.
  • Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele
  • 6 ist eine Seitenansicht einer Verbindungsstruktur 100 mit einer Mehrzahl von Federkontakten 15. Jeder Federkontakt 15 umfasst einen freien Abschnitt 11 und einen Verankerungsabschnitt 12, der an einer isolierenden Unterschicht 13 befestigt und elektrisch mit einer Kontakffläche 3 verbunden ist. Jeder Federkontakt 15 ist aus einem hochelastischen Material, so beispielsweise einer Chrom-Molybdän-Legierung oder einer Nickel-Zirkon-Legierung, hergestellt. Vorzugsweise sind die Federkontakte 15 aus einem elastischen leitenden Material hergestellt. Sie können jedoch auch aus einem nichtleitenden oder halbleitenden Material hergestellt sein, wobei sie dann mit einem leitenden Material beschichtet oder plattiert werden. Insbesondere bestehen die Federkontakte 15 aus einer Nickel-Zirkon-Legierung mit einem Zirkon-Anteil von 1%. Das Zirkon wird dem Nickel zugesetzt, um die elastischen Eigenschaften der Legierung zu verbessern, ohne die Leitfähigkeit des Nickels übermäßig zu verringern. Für den Fall, dass das elastische Material nichtleitend ist, erfolgt eine Beschichtung mit einem leitenden Material, so beispielsweise mit einem Metall oder einer Metalllegierung, auf wenigstens einer Seite.
  • Die Kontaktfläche 3 ist das terminale Ende einer Verbindungsleitung, die elektrisch mit einer elektronischen Vorrichtung in Verbindung steht, die auf dem Substrat 14 oder der Vorrichtung 101 ausgebildet ist, so beispielsweise einem Transistor, einer Anzeigeelektrode oder einer beliebigen anderen elektrischen Vorrichtung. Die Kontaktfläche besteht üblicherweise aus Aluminium, kann jedoch auch aus einem beliebigen anderen leitenden Material bestehen. Für den Fall, dass die Kontaktfläche 3 an der Vorrichtung 101 aus Aluminium besteht, ist die Kontaktfläche 3 vorzugsweise mit einem leitenden Material, beispielsweise mit Gold, Indium-Zinn-Oxid oder Nickel beschichtet. Dies ermöglicht, dass der Federkontakt 15 einen besseren elektrischen Kontakt zu der Kontaktfläche 3 aufbaut, da der Federkontakt 15 nicht an der unbeschichteten Kontaktfläche 2 „scheuern" kann, um durch die Aluminiumoxidschicht hindurch zu gelangen, die sich an einer unbeschichteten Aluminium-Kontaktfläche 3 bildet. Die isolierende Unterschicht 13 besteht aus Siliziumnitrid oder einem beliebigen anderen ätzbaren isolierenden Material. Man beachte, dass die isolierende Unterschicht 13 nicht notwendig ist und weggelassen werden kann. Die isolierende Unterschicht 13 und die Kontakffläche 3 sind an oder über einem Substrat 14 ausgebildet, das ebenfalls aus einem isolierenden Material gebildet ist, so beispielsweise aus oxidiertem Silizium oder Glas.
  • Wie in 7 gezeigt, ist ein Streifen aus Metall ohne inhärenten Spannungsgradienten flach. Wird der Streifen zu einem Bogen geformt, so wird dem Streifen, wie in 8 gezeigt, jedoch ein gleichmäßiger Spannungsgradient Δσ/h aufgeprägt. Entsprechend bildet für den Fall, dass dem flachen Metallstreifen ein gleichmäßiger Spannungsgradient Δσ/h aufgeprägt wird, der Metallstreifen eine Bogenform aus.
  • Jeder Federkontakt 15 ist derart ausgebildet, dass dem Federkontakt 15 ein Spannungsgradient Δσ/h aufgeprägt wird. Bei der Herstellung des Federkontaktes 15 wird die Metallschicht mit dem Federkontakt 15 derart aufgebracht, dass in oberen Abschnitten der Metallschicht eine Druckspannung (kompressive Spannung) und in unteren Abschnitten der Metallschicht eine Zugspannung (tensile Spannung) vorhanden ist. Die Druckspannung in den oberen Abschnitten der Metallschicht ist durch nach innen gerichtete Pfeile angedeutet. Die Zugspannung in den unteren Abschnitten der Metallschicht ist durch nach außen gerichtete Pfeile angedeutet. Der Spannungsgradient Δσ/h bewirkt, dass der Federkontakt 15 durch Biegung die Form eines Bogens mit einem Radius r annimmt. Gleichung 1 gibt den Krümmungsradius r des Federkontaktes 15 an. r = Yh/[(1 – v)Δσ] (1)
  • Hierbei bezeichnen Y den Young'schen Modul des Metalls, h die Dicke der den Federkontakt 15 bildenden Metallschicht, Δσ die Gesamtspannungsdifferenz und V die Poisson'sche Zahl des Metalls.
  • Wie 6 zu entnehmen ist, ist r der Krümmungsradius des freien Abschnittes 11 des Federkontaktes 15 entsprechend Gleichung 1, während Θ den Winkel bezeichnet, der die zu der Verbindungsstelle des freien Abschnittes 11 und dem Verankerungsabschnitt 12 weisende Radiuslinie und die zu der Spitze 30 des freien Abschnittes 11 weisende Radiuslinie voneinander trennt. Gleichung 2 gibt die ungefähre Höhe b der Federkontaktspitze 30 von dem Substrat 14 für Winkel mit θ < 50° an. b ≈ L2/2r (2)
  • Hierbei ist L die Länge des freien Abschnittes, während r den Krümmungsradius des freien Abschnittes 11 bezeichnet.
  • Da jeder Federkontakt 15 vorzugsweise aus einem hochelastischen Material besteht, kann jeder Federkontakt 15 an der Spitze 30 nach unten gedrückt und, wie in 6 gezeigt, verformt werden, wobei keine plastische Verformung auftritt. Typischerweise übt die Kontaktfläche 30 einer Vorrichtung 101 eine auf die Spitze 30 wirkende Abwärtskraft aus und kontaktiert die Spitze 30 elektrisch. Der Federkontakt 15 wirkt der Abwärtskraft auf die Spitze 30 entgegen und verbleibt in elektrischem Kontakt mit der Kontaktfläche 3. Lässt die Kraft auf die Spitze 30 nach, so kehrt der Federkontakt in seinen unverformten Zustand zurück. Aus diesem Grunde ermöglicht die Elastizität der Federkontakte 15, dass diese zahlreiche leitende elektrische Verbindungen zu verschiedenen Kontaktflächenbereichen aufbauen, während die Integrität der elektrischen Verbindungen zwischen der Federkontaktspitze 30 und der Kontaktfläche 3 erhalten bleibt.
  • Darüber hinaus besteht der Federkontakt 15 vorzugsweise aus einem kriechfesten Material. Aus diesem Grunde wirkt der Federkontakt 15, wenn er über einen ausgedehnten Zeitraum von einer die Federkontaktspitze 30 noch unten drückenden Kontaktfläche 3 elastisch verformt wird, der Abwärtskraft entgegen und schiebt die Federkontaktspitze 30 gegen die Kontaktfläche 3, sodass die elektrische Verbindung erhalten bleibt.
  • 9 zeigt ein Modell zur Bestimmung der Größe Ftip, die von der Federkontaktspitze 30 als Reaktion auf eine Kraft der Kontaktfläche 3, die die Federkontaktspitze 30 nach unten drückt, auf eine Kontaktfläche 3 einwirkt. Gleichung 3 gibt die Reaktionskraft Ftip der Federkontaktspitze 30 an. Ftip = wh2Δσ/12x (2)
  • Hierbei bezeichnen w die Breite des Federkontaktes 15, h die Dicke des Federkontaktes 15, Δσ die Gesamtspannungsdifferenz und x den horizontalen Abstand zwischen der Federkontaktspitze 30 und dem Punkt, an dem der Federkontakt 15 das Substrat 14 erstmals berührt.
  • Für eine gegebene Breite w, eine gegebene Dicke h und eine gegebene Spannungsdifferenz Δσ variiert die Reaktionskraft Ftip der Spitze 30 reziprok mit dem Abstand x. Aus diesem Grunde steigt die Reaktionskraft Ftip, je näher die Federkontaktspitze 30 dem Substrat 14 kommt, da der Abstand x abnimmt, wenn der Federkontakt 15 zusammengedrückt wird und gegen das Substrat 14, wie in 6 gezeigt, drückt. Die Zunahme der Reaktionskraft Ftip für den Fall, dass die Kontakffläche 3 die Federkontaktspitze 30 näher an das Substrat 14 herandrückt, verbessert allgemein die elektrische Verbindung zwischen der Federkontaktspitze 30 und der Kontakffläche 3. Die zunehmende Reaktionskraft Ftip bewirkt, dass die Federkontaktspitze 30 und/oder die Kontakffläche 3 in einem Kontaktbereich eine lokale Verformung erfahren, sodass der Kontaktbereich zwischen der Kontakffläche 3 und der Federkontaktspitze 30 zunimmt.
  • 10 bis 13 zeigen die grundlegenden Schritte zur Herstellung eines Federkontaktes 15. Wie in 10 gezeigt, wird eine Kontakffläche 3 auf einem Orovera-Substrat 14 ausgebildet. Darüber hinaus wird eine isolierende Unterschicht 13 an oder über dem Substrat 14 gebildet. Es sei nochmals darauf hingewiesen, dass die isolierende Unterschicht 13 nicht notwendig ist und weggelassen werden kann.
  • Wie in 11 gezeigt, wird eine Schicht aus einem Metall 16 an oder über dem Substrat 14 aufgebracht. Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung ist das Metall 16 die vorstehend beschriebene Nickel-Zirkon-Legierung. Ein Teil der Metallschicht 16 wird an oder über der isolierenden Unterschicht 13 aufgebracht. Es gibt viele Verfahren, die zur Aufbringung einer Metallschicht 16 an oder über dem Substrat 14 geeignet sind, darunter die Elektronenstrahlaufbringung, die thermische Aufdampfung, die chemische Dampfaufbringung, die Sputteraufbringung und andere Verfahren. Vorzugsweise wird die Metallschicht 16 mittels Sputtern aufgebracht.
  • Bei der Aufbringung eines Metalls mittels Sputtern wird eine Target genannte Metallplatte an einer Kathode angeordnet, die an einem hohen negativen Potential liegt und in eine Niederdruckgasatmosphäre von typischerweise 1 bis 100 mTorr (0,13 bis 133 Pa) eingetaucht wird. Dies bewirkt, dass ein Glühentladungsplasma zündet, aus dem positive Ionen zu dem negativen Target hin beschleunigt werden. Dieses Ionenbombardement schlägt Metallatome aus dem Target, woraufhin sich viele dieser Atome an naheliegenden Flächen, so beispielsweise an dem Substrat 14, ablagern.
  • Die Metallschicht 16 kann man sich derart vorstellen, dass sie mit mehreren Unterschichten 16-1 bis 16-n bis zu einer Enddicke h von ungefähr 1 μm beschichtet ist. Der Spannungsgradient Δθ/h wird der Metallschicht 16 dadurch aufgeprägt, dass der jeder der Unterschichten 16-1 bis 16-n der Metallschicht 16 inhärente Spannungsgradient, wie in 11 gezeigt, derart verändert wird, dass jede Unterschicht 16-x eine inhärente Spannung anderer Größe innehat.
  • Unterschiedliche Größen der Spannung können jeder der Unterschichten 16-x der aufgebrachten Metallschicht 16 während der Sputteraufbringung auf verschiedene Arten aufgeprägt werden, darunter durch Einbringen eines reaktiven Gases in das Plasma; Aufbringen des Metalls unter einem Winkel und Ändern des Druckes des Plasmagases. Vorzugsweise werden der Metallschicht 16 verschiedene Größen der Spannung dadurch aufgeprägt, dass der Druck des Plasmagases, das vorzugsweise Argon ist, variiert wird.
  • 14 zeigt einen Graph, der eine typische Beziehung zwischen der Schichtspannung in einer mittels Sputtern aufgebrachten Nickel-Zirkon-Legierung und dem Druck des bei der Aufbringung eingesetzten Plasmagases zeigt. Für niedrige Drücke des Plasmagases im Bereich von ungefähr 1 mTorr (0,13 Pa) ist die Schichtspannung in dem aufgebrachten Material eine Druckspannung. Steigt der Druck des Plasmagases, so ändert sich die Schichtspannung in der aufgebrachten Unterschicht in eine Zugspannung und steigt mit zunehmendem Plasmagasdruck.
  • Vorzugsweise wird die Metallschicht 16 in Form von fünf Unterschichten 16-1 bis 16-5 aufgebracht. Die erste Unterschicht 16-1 wird bei einem Plasmagasdruck von 1 mTorr aufgebracht, wie durch das Bezugszeichen 1 in 14 angedeutet ist. Die erste Unterschicht 16-1 ist die am weitesten unten liegende Schicht in der Metallschicht 16 und weist eine inhärente Druckspannung auf. Die zweite Unterschicht 16-2 wird auf die erste Unterschicht 16-1 bei einem Plasmagasdruck von ungefähr sechs 6 mTorr (1 Pa) aufgebracht. Die zweite Unterschicht 16-2 weist eine geringe inhärente Zugspannung auf, was durch das Bezugszeichen 2 in 14 angedeutet ist. Die Unterschichten 16-3, 16-4 und 16-5 werden sodann übereinander bei Plasmagasdrücken aufgebracht, die in 14 durch die Bezugszeichen 3, 4 und 5 bezeichnet sind.
  • Das Verfahren zum Aufbringen der Metallschicht 16 in Form von fünf einzelnen Unterschichten 16-1 bis 16-5 führt zu einer Metallschicht 16 mit einem Spannungsgradienten Δθ/h, der in dem unteren Abschnitt der Metallschicht 16 kompressiv (Druckspannung) ist, und der hin zu der Oberseite der Metallschicht 16 in zunehmendem Maße tensil (Zugspannung) wird. Obwohl der Spannungsgradient Δθ/h die Metallschicht 16 dazu bringt, durch Biegung die Form eines Bogens anzunehmen, haftet die Metallschicht 16 an der isolierenden Unterschicht 13, dem Substrat 14 und der Kontaktfläche 3 an und ist daher flach.
  • Nach der Ablagerung der Metallschicht 16 wird die Metallschicht 16 fotolithografisch zu Federkontakten 15 gemustert. Das fotolithografische Mustern ist ein bekanntes Verfahren und wird in der Halbleiterchipindustrie standardmäßig eingesetzt. Zunächst wird ein positiver lichtempfindlicher Schutzlack 17 auf der Oberseite der Metallschicht 16 aufgebracht und bei 90°C weichgebacken, um Lösungsmittel in dem Schutzlack 17 auszutreiben. Der lichtempfindliche Schutzlack 17 wird einem geeigneten Muster ultravioletten Lichtes ausgesetzt und anschließend entwickelt. Die belichteten Bereiche des Schutzlackes 17 werden während der Entwicklung entfernt, woraufhin der verbleibende Schutzlack 17 bei 120°C hartgebacken wird. Nassätzen oder Plasmaätzen werden sodann eingesetzt, um die belichteten Bereiche der Metallschicht 16 zu entfernen. Die nach dem Ätzen verbleibenden Bereiche der Metallschicht 16 bilden die Federkontakte 15. Eine Draufsicht auf einen Federkontakt 15 ist in 15 gezeigt. Der durch Ätzen entfernte Bereich der Metallschicht 16 ist durch die gestrichelte Linie 18 angedeutet.
  • Anschließend wird, wie in 12 gezeigt, der freie Bereich 11 des Federkontaktes 15 von der isolierenden Unterschicht 13 in einem Unterätzverfahren befreit. Bis der freie Abschnitt 11 von der isolierenden Unterschicht 13 befreit ist, haftet der freie Abschnitt 11 an der isolierenden Unterschicht 13 an, und der Federkontakt 15 ist flach auf dem Substrat 14. Es gibt zwei Verfahren zum Befreien der Federkontakte 15 von dem Substrat 14 oder der isolierenden Unterschicht 13. Beim ersten Verfahren wird die isolierende Unterschicht 13, üblicherweise Siliziumnitrid, mittels PECVD (plasma chemical vapor deposition) bei einer Temperatur von 200 bis 250°C aufgebracht. Dies führt zu einer hohen Ätzrate für die isolierende Unterschicht 13. Die isolierende Unterschicht 13 wird sodann, bevor die Metallschicht 16 aufgebracht wird, zu Inseln gemustert, auf denen die Federkontakte 15 gebildet werden. Nachdem die Federkontakte 15 an oder über den Inseln der isolierenden Unterschicht 13 gebildet worden sind, werden die Federkontakte 15 von den Inseln der isolierenden Unterschicht 13 durch Ätzen der Inseln mit einem selektiven Ätzmittel befreit. Das selektive Ätzmittel ist typischerweise eine HF-Lösung. Das Ätzmittel wird selektives Ätzmittel genannt, da es die isolierende Unterschicht 13 schneller ätzt, als es das Metall von den Federkontakten 15 entfernt. Dies bedeutet, dass die Federkontakte 15 von der isolierenden Unterschicht 13 befreit werden und so in der Lage sind, sich nach oben und weg von der isolierenden Unterschicht 13 zu biegen, was durch den Spannungsgradienten Δσ/h in den Federkontakten 15 bedingt ist. Die Inseln können zudem aus einem Niederschmelztemperaturmaterial, so beispielsweise Lot oder Kunststoff, gebildet werden. Nachdem die Federkontakte 15 gebildet worden sind, wird das Niederschmelztemperaturmaterial erwärmt, um die Federkontakte 15 freizulegen.
  • Bei dem zweiten Verfahren zum Freilegen der Federkontakte 15 wird die isolierende Unterschicht 13, so sie verwendet wird, nicht zu Inseln vorgemustert. Anstelle dessen wird, nachdem die Federkontakte 15 gebildet worden sind, eine Passivierungsschicht, so beispielsweise aus Siliziumoxynitrid, auf die Federkontakte 15 und die umgebenden Bereiche mittels PECVD aufgebracht. Die Passivierungsschicht ist zu Fenstern gemustert, die in 15 durch schattierte Bereiche angedeutet sind, um den freien Abschnitt 11 der Federkontakte 15 und die umgebenden Bereiche der isolierenden Unterschicht 13 freizulegen. Das gleiche selektive Ätzmittel, nämlich die HF-Lösung, wird verwendet, um die isolierende Unterschicht 13 zu ätzen und die Federkontakte 15 freizulegen. Bei diesem Verfahren wird eine Stufendiskontinuität in dem Metall des Federkontaktes 15 an der Kante des Verankerungsabschnittes 12 vermieden, wodurch eine isolierende Abdeckung auf dem Verankerungsabschnitt 12 zurückbleibt. Die isolierende Abdeckung schützt den Verankerungsabschnitt 12 vor Kurzschlussbildungen und trägt zudem dazu bei, den Verankerungsabschnitt 12 an dem Substrat 14 zu halten.
  • Nur die Bereiche der isolierenden Unterschicht 13 unter dem freien Abschnitt 11 des Federkontaktes 15 werden unterätzt. Der Bereich der isolierenden Unterschicht 13, der für jeden Federkontakt 15 unterätzt wurde, ist in 15 durch einen schattierten Bereich angedeutet. Dies bedeutet, dass der Verankerungsabschnitt 12 des Federkontaktes 15 an der isolierenden Unterschicht 13 befestigt bleibt und kein Wegziehen von der isolierenden Unterschicht 13 erfolgt. Man beachte, dass das Verfahren zum Mustern der Metallschicht 16 zu Federkontakten 15 nicht zu einem Glühen der Metallschicht 16 führt.
  • Zusätzlich zu dem Unterätzverfahren können weitere Schritte ausgeführt werden, um das Verfahren gegebenenfalls zu verbessern. So können beispielsweise Ätzdurchgänge (Vias) oder kleine Fenster in die freien Abschnitte 11 der Federkontakte 15 geätzt werden. Die Ätzmitteldurchgänge wirken derart, dass sie einen schnelleren Zugang zu der isolierenden Unterschicht 13 für das selektive Ätzmittel schaffen, wodurch das Verfahren zum Freilegen der freien Abschnitte 11 von der isolierenden Unterschicht 13 beschleunigt wird. Darüber hinaus kann eine Hartmaske, beispielsweise aus Silizium, auf der Oberseite der Federkontakte 15 aufgebracht werden, um sicherzustellen, dass das Ätzmittel kein Material von der Oberseite der Federkontakte 15 für den Fall entfernt, dass das lichtempfindliche Material 17, das die Oberseite der Federkontakte 15 schützt, während der Musterung des Federkontaktes 15 wirkungslos bleibt.
  • Sobald der freie Abschnitt 11 von der isolierenden Unterschicht 13 freigelegt ist, bewirkt der Spannungsgradient Δσ/h, dass der freie Abschnitt 11 nach oben und weg von dem Substrat 14 gebogen wird. Der Spannungsgradient Δσ/H ist dem Verankerungsabschnitt 12 nach wie vor inhärent und bewirkt, dass der Verankerungsabschnitt 12 von dem Substrat 14 weggezogen wird.
  • Um die Möglichkeit des Wegziehens des Verankerungsabschnittes 12 von dem Substrat 14 zu verringern, kann der Federkontakt 15 geglüht werden, um die Spannung in dem Verankerungsabschnitt 12 zu beseitigen. Der Glühvorgang hat keinerlei Auswirkung auf den freien Abschnitt 11, da, sobald der freie Abschnitt 11 freiliegt und in die Lage versetzt wird, sich nach oben zu biegen, keine Spannung in dem freien Abschnitt 11 verbleibt, die mittels Glühen beseitigt werden müsste. Auf diese Weise bleibt der freie Abschnitt 11 nach dem Glühen nach oben und weg von dem Substrat 14 gebogen.
  • Schließlich zeigt 13 eine Goldschicht 19, die über der Außenseite jedes Federkontaktes 15 plattiert ist. Die Goldschicht 19 wird vorzugsweise verwendet, um den Widerstand in den Federkontakten 15 zu verringern; sie kann jedoch durch ein beliebiges anderes leitendes Material ersetzt werden. Vorzugsweise wird die Goldschicht 19 auf die Federkontakte 15 unter Verwendung eines autokatalytischen Plattierverfahrens aufplattiert.
  • Da der Vorgang der Bildung der Federkontakte 15 nur durch räumliche Vorgaben für das fotolithografische Mustern beschränkt ist, können Hunderte oder Tausende von Federkontakten 15 nahe aneinander in einem vergleichsweise kleinen Bereich auf dem Substrat 14 ausgebildet werden. Die typische Breite w eines Federkontaktes 15 beträgt 10 bis 100 μm. Daher können die Federkontakte 15 nahe aneinander ausgebildet werden, und zwar mit einem gegenseitigen Abstand von ungefähr 10 bis 20 μm. Hierdurch beträgt der Mitte-zu-Mitte-Abstand zwischen benachbarten Federkontakten 15 ungefähr 20 bis 120 μm, was dem typischen Mitte-zu-Mitte-Abstand zwischen benachbarten Kontaktflächen 3 auf einem Standardhalbleiterchip 2 entspricht oder weniger als dieser ist.
  • Zum Prüfen der Wirksamkeit der Federkontakte 15 in Anwendungen, die denjenigen beim Lötperlen-Umdrehverbinden ähnlich sind, wurde ein Prüffeld aus Federkontakten 15 mit einem Mitte-zu-Mitte-Abstand von 80 μm, siehe 16, entwickelt. Vier Sätze aus Feldern 20 von Federkontakten 15 wurden auf einem unteren Substrat 21 ausgebildet. Vier entsprechende Felder verbundener Kontaktflächen 22 wurden auf einem oberen Substrat 23 ausgebildet. Das obere Substrat 23 und das untere Substrat 21 wurden derart zusammengebracht, dass die Federkontakte 15 mit einer entsprechenden Kontaktfläche 3 in Kontakt traten. Der Widerstand R wurde sodann über Paare von Leitungen der Federkontakte 15 gemessen.
  • 17 zeigt grafisch den gemessenen Widerstand R für jedes Federkontaktpaar in der Prüfvorrichtung. Der gemessene Widerstand R innerhalb jedes Feldes weist im Allgemeinen von links nach rechts einen Aufwärtstrend auf, der von der zunehmenden Leiterlänge der rechts angeordneten Federkontakte 15 im Vergleich zu den links angeordneten Federkontakten 15 in jedem Feld herrührt. Ein Großteil des Widerstandes von ungefähr 25 bis 30 Ohm, der für jedes Paar von Federkontakten 15 gemessen wurde, ist durch die Länge und Geometrie der Leiter bedingt, die sich zwischen den Federkontakten 15 und den Sondenpunkten des Widerstandes R erstrecken.
  • 18 zeigt den Gesamtwiderstand der Verbindung zwischen einem Federkontakt 15 und einer entsprechenden Kontaktfläche 3, wobei ein Großteil des in 17 gezeigten Widerstandes durch Verwendung einer Vierpunktsondengeometrie wegfällt. Wie in 18 gezeigt, rührt der Widerstand von annähernd 1,3 Ohm von den Leitern her, die zu der Kontaktfläche 3 und dem Federkontakt 15 führen. Der Widerstand von annähernd 0,2 Ohm rührt von der Form der Federkontaktspitze 30 her. Der übrige Widerstand, nämlich ungefähr 0,1 Ohm für b < 80 μm, ist der Widerstand an der Grenzfläche zwischen der Kontaktfläche 3 und der Federkontaktspitze 30.
  • Im Allgemeinen sinkt der Widerstand an der Grenzfläche zwischen der Kontaktfläche 3 und der Federkontaktspitze 30, wenn die Höhe b abnimmt. Wie vorstehend ausgeführt, steigt die Reaktionskraft Ftip, die die Federkontaktspitze 30 auf die Kontaktfläche 3 ausübt, wenn die Kontaktfläche 3 die Federkontaktspitze 30 näher an das Substrat 14 heranschiebt. Die vergrößerte Reaktionskraft Ftip bewirkt, dass die Federkontaktspitze 30 eine lokale Verformung an der Kontaktfläche 3 erfährt, wodurch der Kontaktbereich zu- und der Widerstand an der Grenzfläche abnimmt.
  • Die Federkontaktspitze 30 kann verschiedene Formen aufweisen, was von der jeweiligen Anwendung abhängt. Da die Federkontakte 15 fotolithografisch gemustert sind, können die Federkontaktspitzen 30 auf einfache Weise in einer Mehrzahl von Formen ausgebildet werden. 19 zeigt eine Federkontaktspitze 30 mit einem flachen Ende. Die Federkontaktspitze 30 gemäß 20 weist ein spitzes Ende auf, das die Kraft Ftip, die von dem Federkontakt 15 ausgeübt wird, in einem einzigen Punkt auf der Kontaktfläche 3 konzentriert. Die spitze Form unterstützt den Vorgang, wenn die Federkontaktspitze 30 durch eventuell auf den Kontaktflächen vorhandene Oxide hindurchscheuern. 21 und 22 zeigen Federkontaktspitzen 30 mit mehreren Punkten für Anwendungen, in denen eine Redundanz der Kontakte erforderlich ist. 23 zeigt eine Federkontaktspitze 30 mit einem verformbaren Streifen. Der verformbare Streifen steigert den Kontaktbereich mit der Kontaktfläche 3 durch Verformung, siehe 24, wenn der Federkontakt 15 die Spitze 30 gegen die Kontaktfläche 3 drückt.
  • Es gibt weitere Verfahren, um den Kontaktwiderstand zwischen der Federkontaktspitze 30 und der Kontaktfläche 3 zu senken. Die Federkontaktspitzen 30 können mit Ultraschall in die Kontaktflächen 3 eingescheuert werden, um den Kontaktbereich zu vergrößern. Darüber hinaus können die Federkontaktspitzen 30 und die Kontaktflächen 3 mit Lot beschichtet werden, das geschmolzen wird, nachdem die Spitzen 30 und die Kon taktflächen 3 miteinander in Kontakt gebracht worden sind. Das Schmelzen des Lotes verbindet die Federkontakte 15 mit den Kontaktflächen 3.
  • Wie vorstehend ausgeführt, können, da die Herstellung der Federkontakte 15 nur durch die räumlichen Vorgaben des fotolithografischen Musterns beschränkt ist, die Federkontakte 15 dazu verwendet werden, verschiedene Typen von Vorrichtungen miteinander zu verbinden. So zeigt 25 beispielsweise ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfindung. Die Federkontakte 15 werden an der Unterseite des Chips 2 ausgebildet. Die Federkontakte 15 kontaktieren entsprechende Kontaktflächen 3 auf dem Substrat 14. Ein Klebstoff 24 hält den Chip 2 in Bezug auf das Substrat 14 stationär. 26 zeigt das Substrat 14 mit einer Mehrzahl von Federkontakten 15, die an der Oberseite des Substrates 14 ausgebildet sind. Die Kontaktflächen 3, die an der Unterseite des Chips 2 ausgebildet sind, sind elektrisch mit entsprechenden Federkontakten 15 an dem Substrat 14 verbunden. Ein Klebstoff 14 hält den Chip 2 in Bezug auf eine Staubabdeckung oder Haube 25 stationär, die den Chip 2 bedeckt und die Staubabdeckung 25 gegen das Substrat 14 abdichtet. Die Staubabdeckung 25 stellt sicher, dass Feuchtigkeit und Fremdstoffe keine Korrodierung der Federkontakte 15 oder der Kontaktflächen 3 bewirken oder auf andere Weise auf die elektrischen Verbindungen zwischen den einzelnen Federkontakten 15 und den entsprechenden Kontaktflächen 3 Einfluss nehmen. Gegebenenfalls vorhandene Kühlrippen 50 sowie die Staubabdeckung 25 stellen eine Wärmesenke zur Kühlung des Chips 2 bereit. 27 zeigt eine alternative Form des Ausführungsbeispiels von 26. Der Klebstoff 24 hält den Chip 2 stationär an dem Substrat 14. Es ist keine Wärmesenke durch die Staubabdeckung 25 gegeben.
  • 28 zeigt ein alternatives Ausführungsbeispiel einer Verbindungsvorrichtung zur elektrischen Verbindung zweier Vorrichtungen. Es ist ein Wafer 26 gezeigt, der eine Mehrzahl von Federkontakten 15 aufweist, die an gegenüberliegenden Seiten des Wafers ausgebildet sind. Paare von Federkontakten 15 an den gegenüberliegenden Seiten des Wafers 26 stehen miteinander über Durchgänge in Verbindung, die in den Wafer 26 geätzt sind und die Kontaktflächen 3 sowohl auf dem Chip wie auch auf dem Substrat 14 elektrisch miteinander verbinden. Dieses Ausführungsbeispiel der Erfindung ermöglicht eine Weiterverarbeitung des Chips 2 und des Substrats 14, ohne dass eine Beschädigung der Federkontakte 15 riskiert würde. Der Wafer 26 wird verwendet, um den Chip 2 und das Substrat 14 erst dann miteinander zu verbinden, nachdem die gesamte Bearbeitung des Chips 2 und des Substrats 14 beendet ist.
  • Die Federkontakte 15 sind nicht auf die Verbindung eines Chips 2 und eines Substrates 14 oder einer Leiterplatte beschränkt. Die Federkontakte 15 werden gleichermaßen eingesetzt, um zwei Chips 2, zwei Leiterplatten oder andere elektrische Vorrichtungen miteinander zu verbinden. Die beiden beispielhalber aufgeführten Anwendungen sind das Anbringen von Treiberchips an visuellen Anzeigen und das Zusammensetzen von MCMs (multi-chip modules) für Computer. Eine weitere alternative Verwendung für die Federkontakte 15 sind Sondenkarten. Wie vorstehend ausgeführt, werden die Sondenkarten 7 verwendet, um eine vorübergehende Verbindung zweier Vorrichtungen herzustellen, und zwar üblicherweise dann, wenn eine der Vorrichtungen geprüft wird. Eine derartige Prüfung ist in der Halbleiterindustrie üblich, in der die Sondenkarten 7 zum Einsatz kommen, um Halbleiterchips zu prüfen, während die Chips noch Teil eines Monokristallsiliziumwafers sind.
  • 29 zeigt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung, in dem die Sondenkarte 27 ein Feld von Federkontakten 15 aufweist, das anstelle der Standardsondennadeln 8 zum Einsatz kommt. Die Sondenkarte 27 funktioniert auf gleiche Weise wie die Sondenkarte 7, außer dass sie Federkontakte 15 aufweist. Die Sondenkarte 27 ist auf die Vorrichtung 10 derart ausgerichtet, dass die Federkontakte 15 von sich aus die entsprechenden Kontaktflächen 3 auf der Vorrichtung 10 kontaktieren. Die Vorrichtung 10 wird sodann geprüft oder angesprochen, indem eine Prüfvorrichtung mit der Sondenkarte 27 elektrisch verbunden wird.
  • Eine als Beispiel angegebene Prüfvorrichtung ist in 30 gezeigt. Die Vorrichtung ist eingehend in der Anmeldung JAO34053 beschrieben, die zeitgleich eingereicht wurde. Ein Anzeigemustergenerator 40 steht mit Treiberchips 42 in Verbindung, die an zwei Vollbreitensondenkarten 27 angebracht sind. Die Sondenkarten 27 weisen Federkontakte 15 auf, die zugehörige Adressleitungen 43 kontaktieren, die an der Anzeigeplatte 44 ausgebildet sind. Die Adressleitungen 43 stehen mit Anzeigeelektroden (nicht gezeigt) in Verbindung. Aus diesem Grund kann der Anzeigemustergenerator 40 die Anzeigeelektroden steuern, sodass eine Matrix elektrischer Potentiale entsteht, die einem Prüfbild entsprechen. (Nicht gezeigte) Sensoren an der Sensorplatte 45 erfassen die Matrix der elektrischen Potentiale an den Anzeigeelektroden und erzeugen Signale, von denen jedes dem jeweiligen elektrischen Potential entspricht. Die Signale werden von Scannerchips 46 ausgelesen, die an der Sensorplatte 55 angebracht sind. Das Prüfsignalanalysegerät 41 empfängt die Signale von den Scannerchips 46 und bildet ein Messbild, das den Signalen entspricht. Das Prüfsignalanalysegerät 41 vergleicht das Messbild mit dem Prüfbild, das von dem Anzeigemustergenerator 40 ausgegeben wurde, um festzustellen, ob die Anzeigeplatte 44 und die Anzeigeelektroden richtig funktionieren.
  • Da das Herstellen einer Standardsondenkarte 7 mit Sondennadeln 8 arbeitsintensiv und zeitaufwändig ist, werden Standardsondenkarten 7 üblicherweise nicht derart hergestellt, dass sie sämtliche Adressleitungen 43 auf der Anzeigeplatte 44 kontaktieren. Aus diesem Grund muss das Prüfen der Anzeigeplatte 44 in Schritten erfolgen, da die Sondenkarten 7 der vollen Breite der Adressleitungen 43 nicht gerecht werden. Dem steht gegenüber, dass die mit Federkontakten 15 versehene Sondenkarte 27 einfach und kostengünstig hergestellt werden kann. Darüber hinaus können die Federkontakte 15 aufweisenden Sondenkarten 27 mit beliebigen Breiten hergestellt werden und daher alle Daten oder Adressleitungen einer Vorrichtung, so beispielsweise diejenigen der Anzeige von 30, gleichzeitig prüfen.
  • Bei einem weiteren Beispiel können das Wafer-Scale-Prüfen und das Einbrennen (Burning-in) von Chips 2 mittels einer einzigen Sondenkarte 27 vorgenommen werden, die sämtliche Kontaktflächen 3 sämtlicher Chips kontaktiert, während die Chips 2 noch Teil eines einzelnen Halbleiterwafers sind. Die Sondenkarte 27 kann ein Siliziumwafer mit Mikroschaltungen zur Verteilung von Prüfsignalen an jeden Chip 2 (oder in Umkehrrichtung) auf dem geprüften Wafer sein. Die Prüfsignale können entweder alle gleichzeitig oder nacheinander an die Chips 2 verteilt werden.
  • Die vorliegende Erfindung wurde anhand spezifischer Ausführungsbeispiele beschrieben. Die Beschreibung der spezifischen Ausbildungsbeispiele ist rein illustrativ und in keinster Weise als den Umfang der Erfindung beschränkend gedacht. Verschiedene weitere Änderungen und Abwandlungen erschließen sich einem Fachmann unmittelbar, ohne dass durch diese der Schutzumfang der Erfindung gemäß den beigefügten Ansprüchen verlassen würde.

Claims (10)

  1. Federkontakt, umfassend: ein Substrat (14); eine Kontaktoberfläche (3), die gegenüber dem Substrat angeordnet ist; und ein elastisches Element (15) mit einem Verankerungsabschnitt (12) und einem freien Abschnitt (11), wobei der Verankerungsabschnitt (12) an dem Substrat befestigt ist, und der freie Abschnitt (11) von dem Substrat getrennt ist; und wobei das elastische Element (15) eine Mehrzahl von Schichten mit einem inhärenten Spannungsgradient umfasst, der den freien Abschnitt weg von dem Substrat und hin zu einem Kontakt mit der gegenüber dem Substrat (14) angeordneten Oberfläche (3) vorbelastet.
  2. Federkontakt nach Anspruch 1, wobei der Verankerungsabschnitt (12) mit einem ersten über dem Substrat (14) ausgebildeten Kontakt (3) elektrisch verbunden ist, und der freie Abschnitt (11) die über einem zweiten Substrat (101) ausgebildete Kontaktoberfläche (3) von sich aus kontaktiert.
  3. Sondenkarte und mittels Sonden geprüfte Vorrichtung, umfassend: ein Substrat (14), das Teil der Sonde ist; eine Mehrzahl leitender Signalbahnen, die auf dem Substrat ausgebildet sind; und eine Mehrzahl von Federkontakten nach Anspruch 1 oder 2, die in einem Muster angeordnet sind, das auf ein Feld von Kontaktflächen (3) an der mittels Sonden zu prüfenden und gegenüber dem Substrat (14) angeordneten Vorrichtung abgestimmt ist, wobei ein jeder von der Mehrzahl von Federkontakten eine entsprechende von der Mehrzahl leitender Signalbahnen elektrisch kontaktiert.
  4. Sondenkarte und Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei die mittels Sonden zu prüfende Vorrichtung eine visuelle Anzeigematrix ist, und ein jeder von der Mehrzahl von Federkontakten (15) mit einer entsprechenden Kontaktfläche (3) des Feldes von Kontaktflächen in Kontakt tritt, und einige ausgewählte von der Mehrzahl von Anzeigeelektroden der visuellen Anzeigematrix, die mit wenigstens einer von der Mehrzahl leitender Signalbahnen in Verbindung stehen, aktiviert werden.
  5. Sondenkarte und Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei die zu prüfende Vorrichtung ein Halbleiterwafer mit einer Mehrzahl von Chips und dem Feld von Kontaktflächen ist, wobei ein jeder von der Mehrzahl von Chips einem der Vorgänge Wafer-Scale-Prüfung and Burning-in unterzogen wird.
  6. Kontaktvorrichtung, umfassend: ein Substrat (14) mit einer Oberseite und einer gegenüberliegenden Unterseite; wenigstens einen oberen Federkontakt (15) nach Anspruch 1 oder 2, der an der Oberseite des Substrates (14) ausgebildet ist, wobei der wenigstens eine obere Federkontakt derart angeordnet ist, dass er auf eine entsprechende wenigstens eine Kontaktfläche (3) an einer ersten Vorrichtung über der Substanz abgestimmt ist und diese kontaktiert; und wenigstens einen unteren Federkontakt (15) nach Anspruch 1 oder 2, der an der Unterseite des Substrates (14) ausgebildet ist, wobei der wenigstens eine untere Federkontakt derart angeordnet ist, dass er auf eine entsprechende wenigstens eine Kontaktfläche (3) an einer zweiten Vorrichtung unter dem Substrat abgestimmt ist und diese kontaktiert, wobei jeder wenigstens eine untere Federkontakt (15) elektrisch mit einem entsprechenden des wenigstens einen oberen Federkontaktes (15) in Verbindung steht.
  7. Federkontakt, Sondenkarte oder Kontaktvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei (A) das oder jedes elastische Element (15) aus einem elektrisch leitenden Material gebildet ist, oder (B) eine elektrisch leitende Schicht an wenigstens einem Teil einer Außenfläche des oder jedes elastischen Elementes (15) ausgebildet ist.
  8. Federkontakt, Sondenkarte und Vorrichtung oder Kontaktvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein freies Ende des freien Abschnittes (11) des oder eines jeden von der Mehrzahl von Federkontakten (15) mit einem Material beschichtet ist, das weicher als ein Material ist, das den oder einen jeden von der Mehrzahl von Federkontakten bildet, wobei das weichere Material den Kontakt zwischen dem freien Ende eines jeden von der Mehrzahl von Federkontakten und den entsprechenden Kontaktflächen (3) verbessert.
  9. Verfahren zum Herstellen eines Federkontaktes nach Anspruch 1, umfassend die nachfolgenden Schritte: Aufbringen einer Schicht aus elastischem Material auf einem Substrat (14), wobei das elastische Material einen inneren Spannungsgradient aufweist, der das elastische Material weg von dem Substrat vorbelastet; fotolithografisches Mustern der Schicht aus elastischem Material zur Bildung wenigstens eines Federkontaktes (15) mit einem freien Abschnitt (11) und einem Verankerungsabschnitt (12); und Unterätzen eines Abschnittes des Substrates (14) unter dem wenigstens einen Federkontakt (15) zur Freilegung des freien Abschnittes (11) des wenigstens einen Federkontaktes von dem Substrat, wobei der Verankerungsabschnitt (12) des wenigstens einen Federkontaktes an dem Substrat befestigt bleibt, und wobei der freie Abschnitt vorbelastet ist, um sich, wenn der freie Abschnitt freigelegt ist, aufgrund des inhärenten Spannungsgradient weg von dem Substrat zu bewegen, um eine Oberfläche zu kontaktieren, die gegenüber dem Substrat angeordnet ist.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei der Schritt des Unterätzens die nachfolgenden Schritte umfasst: fotolithografisches Bilden von Ätzmitteldurchgängen in dem wenigstens einen Federkontakt (15); und Einsetzen eines Ätzmittels zum Ätzen des Substrates (14) unter dem wenigstens einen Federkontakt (15) zur Freilegung des freien Abschnittes (11) des Federkontaktes von dem Substrat, wobei vorzugsweise der Schritt des Aufbringens der Schicht aus dem elastischen Material den Schritt des Aufbringens einer Mehrzahl von Unterschichten aus einer Metalllegierung mittels Sputtern umfasst, wobei eine jede von der Mehrzahl von Unterschichten bei einem anders gewählten Plasma gasdruck aufgebracht wird, und wobei jeder anders gewählte Plasmagasdruck eine inhärente Spannung einer entsprechend anderen Größe in einer entsprechenden von der Mehrzahl von Unterschichten erzeugt.
DE69633334T 1995-06-07 1996-05-30 Photolithographisch gemusterter federkontakt Expired - Lifetime DE69633334T2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/478,578 US5613861A (en) 1995-06-07 1995-06-07 Photolithographically patterned spring contact
US478578 1995-06-07
PCT/US1996/008018 WO1996041506A1 (en) 1995-06-07 1996-05-30 Photolithographically patterned spring contact

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69633334D1 DE69633334D1 (de) 2004-10-14
DE69633334T2 true DE69633334T2 (de) 2005-02-17

Family

ID=23900491

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69633334T Expired - Lifetime DE69633334T2 (de) 1995-06-07 1996-05-30 Photolithographisch gemusterter federkontakt

Country Status (7)

Country Link
US (6) US5613861A (de)
EP (1) EP0834243B1 (de)
JP (1) JP3795922B2 (de)
KR (1) KR100442902B1 (de)
DE (1) DE69633334T2 (de)
ES (1) ES2227588T3 (de)
WO (1) WO1996041506A1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7772860B2 (en) 1999-05-27 2010-08-10 Nanonexus, Inc. Massively parallel interface for electronic circuit
US7872482B2 (en) 2000-05-23 2011-01-18 Verigy (Singapore) Pte. Ltd High density interconnect system having rapid fabrication cycle
US7952373B2 (en) * 2000-05-23 2011-05-31 Verigy (Singapore) Pte. Ltd. Construction structures and manufacturing processes for integrated circuit wafer probe card assemblies

Families Citing this family (245)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5476211A (en) 1993-11-16 1995-12-19 Form Factor, Inc. Method of manufacturing electrical contacts, using a sacrificial member
US5917707A (en) 1993-11-16 1999-06-29 Formfactor, Inc. Flexible contact structure with an electrically conductive shell
US20020053734A1 (en) 1993-11-16 2002-05-09 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit, and methods of making same
US20030199179A1 (en) * 1993-11-16 2003-10-23 Formfactor, Inc. Contact tip structure for microelectronic interconnection elements and method of making same
US7200930B2 (en) * 1994-11-15 2007-04-10 Formfactor, Inc. Probe for semiconductor devices
US6482013B2 (en) 1993-11-16 2002-11-19 Formfactor, Inc. Microelectronic spring contact element and electronic component having a plurality of spring contact elements
US6727580B1 (en) 1993-11-16 2004-04-27 Formfactor, Inc. Microelectronic spring contact elements
US7579269B2 (en) * 1993-11-16 2009-08-25 Formfactor, Inc. Microelectronic spring contact elements
US6499216B1 (en) 1994-07-07 2002-12-31 Tessera, Inc. Methods and structures for electronic probing arrays
US6690186B2 (en) 1994-07-07 2004-02-10 Tessera, Inc. Methods and structures for electronic probing arrays
US20100065963A1 (en) * 1995-05-26 2010-03-18 Formfactor, Inc. Method of wirebonding that utilizes a gas flow within a capillary from which a wire is played out
US5613861A (en) 1995-06-07 1997-03-25 Xerox Corporation Photolithographically patterned spring contact
KR100202998B1 (ko) * 1995-12-02 1999-06-15 남재우 마이크로 팁을 갖는 웨이퍼 프로브 카드 및 그 제조방법
JP2908747B2 (ja) * 1996-01-10 1999-06-21 三菱電機株式会社 Ｉｃソケット
US8033838B2 (en) 1996-02-21 2011-10-11 Formfactor, Inc. Microelectronic contact structure
JP3022312B2 (ja) * 1996-04-15 2000-03-21 日本電気株式会社 プローブカードの製造方法
JP3215629B2 (ja) * 1996-07-12 2001-10-09 シャープ株式会社 記録ヘッド
US5907817A (en) * 1996-12-24 1999-05-25 Ericsson Inc. Radiotelephones with coplanar antenna connectors and related assembly methods
US6520778B1 (en) 1997-02-18 2003-02-18 Formfactor, Inc. Microelectronic contact structures, and methods of making same
US5923178A (en) * 1997-04-17 1999-07-13 Cerprobe Corporation Probe assembly and method for switchable multi-DUT testing of integrated circuit wafers
US6045396A (en) 1997-09-12 2000-04-04 Trw Inc. Flex cable connector for cryogenic application
US6245444B1 (en) * 1997-10-02 2001-06-12 New Jersey Institute Of Technology Micromachined element and method of fabrication thereof
US6357112B1 (en) * 1997-11-25 2002-03-19 Tessera, Inc. Method of making connection component
US5944537A (en) * 1997-12-15 1999-08-31 Xerox Corporation Photolithographically patterned spring contact and apparatus and methods for electrically contacting devices
US6807734B2 (en) * 1998-02-13 2004-10-26 Formfactor, Inc. Microelectronic contact structures, and methods of making same
US5979892A (en) * 1998-05-15 1999-11-09 Xerox Corporation Controlled cilia for object manipulation
EP1095282B1 (de) * 1998-07-08 2007-09-19 Capres Aps Mehrspitzenfühler
US6441315B1 (en) 1998-11-10 2002-08-27 Formfactor, Inc. Contact structures with blades having a wiping motion
TW589453B (en) * 1998-12-02 2004-06-01 Formfactor Inc Lithographic contact elements
US6255126B1 (en) * 1998-12-02 2001-07-03 Formfactor, Inc. Lithographic contact elements
US6491968B1 (en) 1998-12-02 2002-12-10 Formfactor, Inc. Methods for making spring interconnect structures
US6672875B1 (en) * 1998-12-02 2004-01-06 Formfactor, Inc. Spring interconnect structures
US6644982B1 (en) 1998-12-04 2003-11-11 Formfactor, Inc. Method and apparatus for the transport and tracking of an electronic component
US6456099B1 (en) 1998-12-31 2002-09-24 Formfactor, Inc. Special contact points for accessing internal circuitry of an integrated circuit
US6183267B1 (en) 1999-03-11 2001-02-06 Murray Hill Devices Ultra-miniature electrical contacts and method of manufacture
US6498636B1 (en) * 1999-03-30 2002-12-24 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for substantially stress-free electrical connection to a liquid crystal display
US6799976B1 (en) 1999-07-28 2004-10-05 Nanonexus, Inc. Construction structures and manufacturing processes for integrated circuit wafer probe card assemblies
US6710609B2 (en) * 2002-07-15 2004-03-23 Nanonexus, Inc. Mosaic decal probe
US7247035B2 (en) * 2000-06-20 2007-07-24 Nanonexus, Inc. Enhanced stress metal spring contactor
AU5171800A (en) * 1999-05-27 2000-12-18 Nanonexus, Inc. Massively parallel interface for electronic circuit
US20070245553A1 (en) * 1999-05-27 2007-10-25 Chong Fu C Fine pitch microfabricated spring contact structure & method
JP2003506686A (ja) * 1999-07-28 2003-02-18 ナノネクサス インコーポレイテッド 集積回路ウェーハのプローブカード組立体の構造および製造方法
US6939474B2 (en) * 1999-07-30 2005-09-06 Formfactor, Inc. Method for forming microelectronic spring structures on a substrate
US7189077B1 (en) * 1999-07-30 2007-03-13 Formfactor, Inc. Lithographic type microelectronic spring structures with improved contours
US7435108B1 (en) * 1999-07-30 2008-10-14 Formfactor, Inc. Variable width resilient conductive contact structures
US6713374B2 (en) 1999-07-30 2004-03-30 Formfactor, Inc. Interconnect assemblies and methods
WO2001009952A2 (en) * 1999-07-30 2001-02-08 Formfactor, Inc. Interconnect assemblies and methods
US6780001B2 (en) * 1999-07-30 2004-08-24 Formfactor, Inc. Forming tool for forming a contoured microelectronic spring mold
US6888362B2 (en) * 2000-11-09 2005-05-03 Formfactor, Inc. Test head assembly for electronic components with plurality of contoured microelectronic spring contacts
US6426233B1 (en) * 1999-08-03 2002-07-30 Micron Technology, Inc. Uniform emitter array for display devices, etch mask for the same, and methods for making the same
US6297562B1 (en) * 1999-09-20 2001-10-02 Telefonaktieboalget Lm Ericsson (Publ) Semiconductive chip having a bond pad located on an active device
US6352454B1 (en) * 1999-10-20 2002-03-05 Xerox Corporation Wear-resistant spring contacts
US6267605B1 (en) 1999-11-15 2001-07-31 Xerox Corporation Self positioning, passive MEMS mirror structures
US6213789B1 (en) * 1999-12-15 2001-04-10 Xerox Corporation Method and apparatus for interconnecting devices using an adhesive
US6426637B1 (en) 1999-12-21 2002-07-30 Cerprobe Corporation Alignment guide and signal transmission apparatus and method for spring contact probe needles
US6794725B2 (en) 1999-12-21 2004-09-21 Xerox Corporation Amorphous silicon sensor with micro-spring interconnects for achieving high uniformity in integrated light-emitting sources
US6827584B2 (en) * 1999-12-28 2004-12-07 Formfactor, Inc. Interconnect for microelectronic structures with enhanced spring characteristics
US6586955B2 (en) 2000-03-13 2003-07-01 Tessera, Inc. Methods and structures for electronic probing arrays
US7262611B2 (en) * 2000-03-17 2007-08-28 Formfactor, Inc. Apparatuses and methods for planarizing a semiconductor contactor
JP4323055B2 (ja) 2000-03-22 2009-09-02 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体装置試験用コンタクタ及びその製造方法
US6367251B1 (en) * 2000-04-05 2002-04-09 Jds Uniphase Corporation Lockable microelectromechanical actuators using thermoplastic material, and methods of operating same
US6640432B1 (en) * 2000-04-12 2003-11-04 Formfactor, Inc. Method of fabricating shaped springs
US7458816B1 (en) 2000-04-12 2008-12-02 Formfactor, Inc. Shaped spring
US6392524B1 (en) 2000-06-09 2002-05-21 Xerox Corporation Photolithographically-patterned out-of-plane coil structures and method of making
US6396677B1 (en) 2000-05-17 2002-05-28 Xerox Corporation Photolithographically-patterned variable capacitor structures and method of making
US6856225B1 (en) * 2000-05-17 2005-02-15 Xerox Corporation Photolithographically-patterned out-of-plane coil structures and method of making
JP3650722B2 (ja) * 2000-05-18 2005-05-25 株式会社アドバンテスト プローブカードおよびその製造方法
US20050068054A1 (en) * 2000-05-23 2005-03-31 Sammy Mok Standardized layout patterns and routing structures for integrated circuit wafer probe card assemblies
US7579848B2 (en) * 2000-05-23 2009-08-25 Nanonexus, Inc. High density interconnect system for IC packages and interconnect assemblies
AU2001268630A1 (en) 2000-06-20 2002-01-02 Nanonexus, Inc. Systems for testing integraged circuits during burn-in
EP1168510B1 (de) * 2000-06-21 2004-09-01 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Elektrische Verbindungsvorrichtung
US6505811B1 (en) * 2000-06-27 2003-01-14 Kelsey-Hayes Company High-pressure fluid control valve assembly having a microvalve device attached to fluid distributing substrate
US6290510B1 (en) 2000-07-27 2001-09-18 Xerox Corporation Spring structure with self-aligned release material
US6632373B1 (en) * 2000-09-28 2003-10-14 Xerox Corporation Method for an optical switch on a substrate
DE60116969T2 (de) * 2000-09-28 2006-07-27 Xerox Corp. Herstellung einer Spiegelstruktur
US6632374B1 (en) * 2000-09-28 2003-10-14 Xerox Corporation Method for an optical switch on a silicon on insulator substrate
US6504643B1 (en) * 2000-09-28 2003-01-07 Xerox Corporation Structure for an optical switch on a substrate
WO2002087024A1 (en) * 2000-10-18 2002-10-31 Honeywell International Inc. Compliant interposer for single-sided electronic package attachment
US6377438B1 (en) * 2000-10-23 2002-04-23 Mcnc Hybrid microelectromechanical system tunable capacitor and associated fabrication methods
US6743982B2 (en) 2000-11-29 2004-06-01 Xerox Corporation Stretchable interconnects using stress gradient films
US6534249B2 (en) 2001-02-09 2003-03-18 Xerox Corporation Method of making low cost integrated out-of-plane micro-device structures
US6655964B2 (en) 2001-02-09 2003-12-02 Xerox Corporation Low cost integrated out-of-plane micro-device structures and method of making
US6595787B2 (en) 2001-02-09 2003-07-22 Xerox Corporation Low cost integrated out-of-plane micro-device structures and method of making
US6910268B2 (en) * 2001-03-27 2005-06-28 Formfactor, Inc. Method for fabricating an IC interconnect system including an in-street integrated circuit wafer via
US6811406B2 (en) 2001-04-12 2004-11-02 Formfactor, Inc. Microelectronic spring with additional protruding member
US6528350B2 (en) 2001-05-21 2003-03-04 Xerox Corporation Method for fabricating a metal plated spring structure
US6730134B2 (en) * 2001-07-02 2004-05-04 Intercon Systems, Inc. Interposer assembly
US6560861B2 (en) 2001-07-11 2003-05-13 Xerox Corporation Microspring with conductive coating deposited on tip after release
US6729019B2 (en) * 2001-07-11 2004-05-04 Formfactor, Inc. Method of manufacturing a probe card
US6713956B2 (en) * 2001-07-24 2004-03-30 Lite-On Technology Corporation Display module including a plate for heat dissipation and shielding
JP3794586B2 (ja) * 2001-08-24 2006-07-05 ナノネクサス インク スパッタされた膜において、均一な等方性の応力を生じさせるための方法および装置
US6625004B1 (en) * 2001-08-31 2003-09-23 Superconductor Technologies, Inc. Electrostatic actuators with intrinsic stress gradient
US6664885B2 (en) * 2001-08-31 2003-12-16 Adc Telecommunications, Inc. Thermally activated latch
US6731492B2 (en) * 2001-09-07 2004-05-04 Mcnc Research And Development Institute Overdrive structures for flexible electrostatic switch
US6794737B2 (en) * 2001-10-12 2004-09-21 Xerox Corporation Spring structure with stress-balancing layer
JP2003168736A (ja) * 2001-11-30 2003-06-13 Hitachi Ltd 半導体素子及び高周波電力増幅装置並びに無線通信機
DE10159415B4 (de) * 2001-12-04 2012-10-04 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Verfahren zur Herstellung einer Mikrospule und Mikrospule
ITMI20012574A1 (it) * 2001-12-06 2003-06-06 Technoprobe S R L Sonda di contattatura per una testa di misura
DE10162983B4 (de) 2001-12-20 2010-07-08 Qimonda Ag Kontaktfederanordnung zur elektrischen Kontaktierung eines Halbleiterwafers zu Testzwecken sowie Verfahren zu deren Herstellung
US7064953B2 (en) * 2001-12-27 2006-06-20 Formfactor, Inc. Electronic package with direct cooling of active electronic components
US6891385B2 (en) 2001-12-27 2005-05-10 Formfactor, Inc. Probe card cooling assembly with direct cooling of active electronic components
US6684499B2 (en) 2002-01-07 2004-02-03 Xerox Corporation Method for fabricating a spring structure
US6756244B2 (en) * 2002-01-29 2004-06-29 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Interconnect structure
DE10210344A1 (de) * 2002-03-08 2003-10-02 Univ Bremen Verfahren zur Herstellung mikromechanischer Bauteile und nach dem Verfahren hergestellte Bauteile
TWI288958B (en) * 2002-03-18 2007-10-21 Nanonexus Inc A miniaturized contact spring
US6668628B2 (en) 2002-03-29 2003-12-30 Xerox Corporation Scanning probe system with spring probe
US6866255B2 (en) * 2002-04-12 2005-03-15 Xerox Corporation Sputtered spring films with low stress anisotropy
US7006720B2 (en) * 2002-04-30 2006-02-28 Xerox Corporation Optical switching system
US6891240B2 (en) 2002-04-30 2005-05-10 Xerox Corporation Electrode design and positioning for controlled movement of a moveable electrode and associated support structure
US7412767B2 (en) * 2003-02-04 2008-08-19 Microfabrica, Inc. Microprobe tips and methods for making
US20060053625A1 (en) * 2002-05-07 2006-03-16 Microfabrica Inc. Microprobe tips and methods for making
US7363705B2 (en) * 2003-02-04 2008-04-29 Microfabrica, Inc. Method of making a contact
US7273812B2 (en) * 2002-05-07 2007-09-25 Microfabrica Inc. Microprobe tips and methods for making
US20060051948A1 (en) * 2003-02-04 2006-03-09 Microfabrica Inc. Microprobe tips and methods for making
US7265565B2 (en) 2003-02-04 2007-09-04 Microfabrica Inc. Cantilever microprobes for contacting electronic components and methods for making such probes
DE10221085B4 (de) * 2002-05-11 2012-07-26 Robert Bosch Gmbh Baugruppe mit einer Verbindungseinrichtung zum Kontaktieren eines Halbleiter-Bauelements und Herstellungsverfahren
US7011530B2 (en) * 2002-05-24 2006-03-14 Sitaraman Suresh K Multi-axis compliance spring
US20040000579A1 (en) * 2002-07-01 2004-01-01 Fuerst Robert M. Forming contact arrays on substrates
US6621141B1 (en) 2002-07-22 2003-09-16 Palo Alto Research Center Incorporated Out-of-plane microcoil with ground-plane structure
US8080221B2 (en) * 2002-08-05 2011-12-20 Palo Alto Research Center Incorporated Capillary-channel probes for liquid pickup, transportation and dispense using stressy metal
US7241420B2 (en) * 2002-08-05 2007-07-10 Palo Alto Research Center Incorporated Capillary-channel probes for liquid pickup, transportation and dispense using stressy metal
US20040100638A1 (en) * 2002-11-27 2004-05-27 The Regents Of The University Of California. Correcting surface contour of a non-rigid object through control of surface residual stress
US10416192B2 (en) 2003-02-04 2019-09-17 Microfabrica Inc. Cantilever microprobes for contacting electronic components
US20080211524A1 (en) * 2003-02-04 2008-09-04 Microfabrica Inc. Electrochemically Fabricated Microprobes
US20080157793A1 (en) * 2003-02-04 2008-07-03 Microfabrica Inc. Vertical Microprobes for Contacting Electronic Components and Method for Making Such Probes
US20100167561A1 (en) * 2003-04-11 2010-07-01 Neoconix, Inc. Structure and process for a contact grid array formed in a circuitized substrate
US7244125B2 (en) * 2003-12-08 2007-07-17 Neoconix, Inc. Connector for making electrical contact at semiconductor scales
US7056131B1 (en) 2003-04-11 2006-06-06 Neoconix, Inc. Contact grid array system
US7113408B2 (en) * 2003-06-11 2006-09-26 Neoconix, Inc. Contact grid array formed on a printed circuit board
US6916181B2 (en) * 2003-06-11 2005-07-12 Neoconix, Inc. Remountable connector for land grid array packages
US8584353B2 (en) * 2003-04-11 2013-11-19 Neoconix, Inc. Method for fabricating a contact grid array
US20070020960A1 (en) * 2003-04-11 2007-01-25 Williams John D Contact grid array system
US7597561B2 (en) * 2003-04-11 2009-10-06 Neoconix, Inc. Method and system for batch forming spring elements in three dimensions
US7758351B2 (en) * 2003-04-11 2010-07-20 Neoconix, Inc. Method and system for batch manufacturing of spring elements
US7114961B2 (en) * 2003-04-11 2006-10-03 Neoconix, Inc. Electrical connector on a flexible carrier
US7628617B2 (en) * 2003-06-11 2009-12-08 Neoconix, Inc. Structure and process for a contact grid array formed in a circuitized substrate
US20050120553A1 (en) * 2003-12-08 2005-06-09 Brown Dirk D. Method for forming MEMS grid array connector
US7070419B2 (en) * 2003-06-11 2006-07-04 Neoconix Inc. Land grid array connector including heterogeneous contact elements
US6869290B2 (en) * 2003-06-11 2005-03-22 Neoconix, Inc. Circuitized connector for land grid array
US7015584B2 (en) * 2003-07-08 2006-03-21 Xerox Corporation High force metal plated spring structure
US20050012212A1 (en) * 2003-07-17 2005-01-20 Cookson Electronics, Inc. Reconnectable chip interface and chip package
US6844214B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Xerox, Corporation Microelectromechanical system based sensors, sensor arrays, sensing systems, sensing methods and methods of fabrication
US7030632B2 (en) * 2003-10-14 2006-04-18 Micron Technology, Inc. Compliant contract structures, contactor cards and test system including same
US6973722B2 (en) * 2003-11-17 2005-12-13 Palo Alto Research Center Incorporated Release height adjustment of stressy metal devices by annealing before and after release
JP4182430B2 (ja) * 2003-11-28 2008-11-19 オムロン株式会社 送信機
US6998703B2 (en) 2003-12-04 2006-02-14 Palo Alto Research Center Inc. Thin package for stacking integrated circuits
US20050227510A1 (en) * 2004-04-09 2005-10-13 Brown Dirk D Small array contact with precision working range
US7160121B2 (en) * 2003-12-15 2007-01-09 Palo Alto Research Center Incorporated Stressed metal contact with enhanced lateral compliance
US7410590B2 (en) * 2003-12-19 2008-08-12 Palo Alto Research Center Incorporated Transferable micro spring structure
US20080108221A1 (en) * 2003-12-31 2008-05-08 Microfabrica Inc. Microprobe Tips and Methods for Making
US6912082B1 (en) 2004-03-11 2005-06-28 Palo Alto Research Center Incorporated Integrated driver electronics for MEMS device using high voltage thin film transistors
TWI286606B (en) * 2004-03-16 2007-09-11 Gunsei Kimoto Electric signal connecting device, and probe assembly and prober device using it
US20050205988A1 (en) * 2004-03-19 2005-09-22 Epic Technology Inc. Die package with higher useable die contact pad area
US7347698B2 (en) * 2004-03-19 2008-03-25 Neoconix, Inc. Deep drawn electrical contacts and method for making
US7090503B2 (en) * 2004-03-19 2006-08-15 Neoconix, Inc. Interposer with compliant pins
US7025601B2 (en) * 2004-03-19 2006-04-11 Neoconix, Inc. Interposer and method for making same
US7383632B2 (en) * 2004-03-19 2008-06-10 Neoconix, Inc. Method for fabricating a connector
US7651382B2 (en) * 2006-12-01 2010-01-26 Interconnect Portfolio Llc Electrical interconnection devices incorporating redundant contact points for reducing capacitive stubs and improved signal integrity
US7192320B2 (en) * 2004-03-26 2007-03-20 Silicon Pipe, Inc. Electrical interconnection devices incorporating redundant contact points for reducing capacitive stubs and improved signal integrity
US7695053B1 (en) * 2004-04-16 2010-04-13 Bae Systems Survivability Systems, Llc Lethal threat protection system for a vehicle and method
WO2005104717A2 (en) * 2004-04-23 2005-11-10 Research Triangle Institute Flexible electrostatic actuator
US7454095B2 (en) * 2004-04-27 2008-11-18 California Institute Of Technology Integrated plasmon and dielectric waveguides
US7372013B2 (en) * 2004-04-27 2008-05-13 California Institute Of Technology Near field scanning microscope probe and method for fabricating same
US20050277281A1 (en) * 2004-06-10 2005-12-15 Dubin Valery M Compliant interconnect and method of formation
WO2008070673A2 (en) * 2006-12-04 2008-06-12 Nanonexus, Inc. Construction structures and manufacturing processes for integrated circuit wafer probe card assemblies
US7649145B2 (en) * 2004-06-18 2010-01-19 Micron Technology, Inc. Compliant spring contact structures
US20060000642A1 (en) * 2004-07-01 2006-01-05 Epic Technology Inc. Interposer with compliant pins
US7354276B2 (en) * 2004-07-20 2008-04-08 Neoconix, Inc. Interposer with compliant pins
US7156365B2 (en) * 2004-07-27 2007-01-02 Kelsey-Hayes Company Method of controlling microvalve actuator
US7082684B2 (en) * 2004-08-04 2006-08-01 Palo Alto Research Center Incorporated Intermetallic spring structure
US20060030179A1 (en) * 2004-08-05 2006-02-09 Palo Alto Research Center, Incorporated Transmission-line spring structure
CA2576868A1 (en) * 2004-08-09 2006-02-16 The Australian National University Solar cell (sliver) sub-module formation
US7750487B2 (en) * 2004-08-11 2010-07-06 Intel Corporation Metal-metal bonding of compliant interconnect
US6956389B1 (en) * 2004-08-16 2005-10-18 Jem America Corporation Highly resilient cantilever spring probe for testing ICs
US7459795B2 (en) * 2004-08-19 2008-12-02 Formfactor, Inc. Method to build a wirebond probe card in a many at a time fashion
US7372348B2 (en) * 2004-08-20 2008-05-13 Palo Alto Research Center Incorporated Stressed material and shape memory material MEMS devices and methods for manufacturing
US7390740B2 (en) * 2004-09-02 2008-06-24 Micron Technology, Inc. Sloped vias in a substrate, spring-like contacts, and methods of making
US20060074836A1 (en) * 2004-09-03 2006-04-06 Biowisdom Limited System and method for graphically displaying ontology data
US7230440B2 (en) 2004-10-21 2007-06-12 Palo Alto Research Center Incorporated Curved spring structure with elongated section located under cantilevered section
US8330485B2 (en) * 2004-10-21 2012-12-11 Palo Alto Research Center Incorporated Curved spring structure with downturned tip
US7771803B2 (en) * 2004-10-27 2010-08-10 Palo Alto Research Center Incorporated Oblique parts or surfaces
US7292294B2 (en) * 2004-11-03 2007-11-06 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Manufacturing method of color filter on TFT array and manufacturing method of LCD panel
US7356920B2 (en) * 2004-11-12 2008-04-15 Palo Alto Research Center Incorporated Micro-machined structure production using encapsulation
US7342596B2 (en) * 2004-12-14 2008-03-11 Palo Alto Research Center Incorporated Method for direct xerography
US7166326B1 (en) 2004-12-14 2007-01-23 Palo Alto Research Center (Parc) Method of electroplating stressed metal springs
US7325903B2 (en) * 2004-12-14 2008-02-05 Palo Alto Research Center Incorporated Quill-jet printer
US7286149B2 (en) * 2004-12-14 2007-10-23 Palo Alto Research Center Incorporated Direct xerography system
US7325987B2 (en) * 2004-12-14 2008-02-05 Palo Alto Research Center Incorporated Printing method using quill-jet
US20060180927A1 (en) * 2005-02-14 2006-08-17 Daisuke Takai Contact structure and method for manufacturing the same
JP2007005635A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Toshiba Corp 半導体装置
US20090090617A1 (en) * 2005-07-14 2009-04-09 Giauque Pierre H Method and Apparatus for Producing Controlled Stresses and Stress Gradients in Sputtered Films
US7362119B2 (en) * 2005-08-01 2008-04-22 Touchdown Technologies, Inc Torsion spring probe contactor design
US7245135B2 (en) * 2005-08-01 2007-07-17 Touchdown Technologies, Inc. Post and tip design for a probe contact
US20070050738A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-01 Dittmann Larry E Customer designed interposer
US20070057685A1 (en) * 2005-09-14 2007-03-15 Touchdown Technologies, Inc. Lateral interposer contact design and probe card assembly
US20070075717A1 (en) * 2005-09-14 2007-04-05 Touchdown Technologies, Inc. Lateral interposer contact design and probe card assembly
US7118385B1 (en) 2005-09-22 2006-10-10 International Business Machines Corporation Apparatus for implementing a self-centering land grid array socket
US7550855B2 (en) * 2005-12-02 2009-06-23 Palo Alto Research Center Incorporated Vertically spaced plural microsprings
JP2007165383A (ja) 2005-12-09 2007-06-28 Ibiden Co Ltd 部品実装用ピンを形成したプリント基板
JP4848752B2 (ja) * 2005-12-09 2011-12-28 イビデン株式会社 部品実装用ピンを有するプリント配線板及びこれを使用した電子機器
JP4654897B2 (ja) * 2005-12-09 2011-03-23 イビデン株式会社 部品実装用ピンを有するプリント配線板の製造方法
US7357644B2 (en) * 2005-12-12 2008-04-15 Neoconix, Inc. Connector having staggered contact architecture for enhanced working range
US20070145523A1 (en) * 2005-12-28 2007-06-28 Palo Alto Research Center Incorporated Integrateable capacitors and microcoils and methods of making thereof
US7278857B2 (en) * 2006-02-02 2007-10-09 Palo Alto Research Center Incorporated Brittle fracture resistant spring
TWI397696B (zh) * 2006-02-19 2013-06-01 Gunsei Kimoto Probe assembly
US7713388B2 (en) * 2006-02-27 2010-05-11 Palo Alto Research Center Incorporated Out-of-plane spring structures on a substrate
US20070245552A1 (en) * 2006-04-07 2007-10-25 John Caldwell Probe interposers and methods of fabricating probe interposers
US20080045076A1 (en) * 2006-04-21 2008-02-21 Dittmann Larry E Clamp with spring contacts to attach flat flex cable (FFC) to a circuit board
US7685709B2 (en) * 2006-08-29 2010-03-30 Palo Alto Research Center Incorporated Process for making a spring
US8614742B2 (en) 2007-06-06 2013-12-24 Palo Alto Research Center Incorporated Miniature low cost pan/tilt magnetic actuation for portable and stationary video cameras
US20090140433A1 (en) * 2007-11-30 2009-06-04 Alces Technology, Inc. MEMS chip-to-chip interconnects
TW200922009A (en) * 2007-12-07 2009-05-16 Jye Chuang Electronic Co Ltd Contact terminal
US7927905B2 (en) * 2007-12-21 2011-04-19 Palo Alto Research Center Incorporated Method of producing microsprings having nanowire tip structures
US8111522B2 (en) * 2008-04-29 2012-02-07 Apple Inc. Switch structures for use on printed circuit boards
US7995081B2 (en) * 2008-06-25 2011-08-09 Palo Alto Research Center Incorporated Anisotropically conductive backside addressable imaging belt for use with contact electrography
KR101022912B1 (ko) * 2008-11-28 2011-03-17 삼성전기주식회사 금속범프를 갖는 인쇄회로기판 및 그 제조방법
US8579414B2 (en) * 2009-12-23 2013-11-12 Xerox Corporation Self-assembling structures for electrostatic extraction of pigments from liquid inks for marking
US8278748B2 (en) 2010-02-17 2012-10-02 Maxim Integrated Products, Inc. Wafer-level packaged device having self-assembled resilient leads
JP5441789B2 (ja) * 2010-03-30 2014-03-12 キヤノン株式会社 電子機器
US8154119B2 (en) 2010-03-31 2012-04-10 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Compliant spring interposer for wafer level three dimensional (3D) integration and method of manufacturing
US8686560B2 (en) 2010-04-07 2014-04-01 Maxim Integrated Products, Inc. Wafer-level chip-scale package device having bump assemblies configured to mitigate failures due to stress
FR2959350B1 (fr) * 2010-04-26 2012-08-31 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d?un dispositif microelectronique et dispositif microelectronique ainsi fabrique
US8441808B2 (en) 2010-09-22 2013-05-14 Palo Alto Research Center Incorporated Interposer with microspring contacts
US8519534B2 (en) 2010-09-22 2013-08-27 Palo Alto Research Center Incorporated Microsprings partially embedded in a laminate structure and methods for producing same
US8803001B2 (en) 2011-06-21 2014-08-12 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Bonding area design for transient liquid phase bonding process
US8641428B2 (en) 2011-12-02 2014-02-04 Neoconix, Inc. Electrical connector and method of making it
US8525353B2 (en) * 2011-12-19 2013-09-03 Palo Alto Research Center Incorporated Microspring structures adapted for target device cooling
US10058951B2 (en) 2012-04-17 2018-08-28 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Alloy formation control of transient liquid phase bonding
US9044822B2 (en) 2012-04-17 2015-06-02 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Transient liquid phase bonding process for double sided power modules
US8969735B2 (en) 2013-03-13 2015-03-03 Palo Alto Research Center Incorporated Flexible metal interconnect structure
US8736049B1 (en) 2013-03-13 2014-05-27 Palo Alto Research Center Incorporated Micro-plasma generation using micro-springs
US8614514B1 (en) 2013-03-13 2013-12-24 Palo Alto Research Center Incorporated Micro-spring chip attachment using ribbon bonds
US9210785B2 (en) 2013-03-13 2015-12-08 Palo Alto Research Center Incorporated Micro-plasma generation using micro-springs
US8686552B1 (en) 2013-03-14 2014-04-01 Palo Alto Research Center Incorporated Multilevel IC package using interconnect springs
US9680273B2 (en) 2013-03-15 2017-06-13 Neoconix, Inc Electrical connector with electrical contacts protected by a layer of compressible material and method of making it
US8951825B1 (en) 2013-09-10 2015-02-10 Palo Alto Research Center Incorporated Solar cell texturing
FR3038779A1 (fr) * 2015-07-07 2017-01-13 Ingenico Group Connecteur de carte a puce securise
US9955575B1 (en) 2017-07-17 2018-04-24 Palo Alto Research Center Incorporated Out of plane structures and methods for making out of plane structures
WO2019108889A1 (en) * 2017-12-02 2019-06-06 Bellutech Llc Sensing devices, sensors, and methods for monitoring environmental conditions
US11011323B2 (en) * 2017-12-02 2021-05-18 Bellutech Llc Sensing devices, sensors, and methods for monitoring environmental conditions
US11262383B1 (en) 2018-09-26 2022-03-01 Microfabrica Inc. Probes having improved mechanical and/or electrical properties for making contact between electronic circuit elements and methods for making
DE102018217104A1 (de) * 2018-10-05 2020-04-09 Annerose Streibl Platinenanordnung sowie Platine für eine solche Platinenanordnung
US11761982B1 (en) 2019-12-31 2023-09-19 Microfabrica Inc. Probes with planar unbiased spring elements for electronic component contact and methods for making such probes
US11867721B1 (en) 2019-12-31 2024-01-09 Microfabrica Inc. Probes with multiple springs, methods for making, and methods for using
US11774467B1 (en) 2020-09-01 2023-10-03 Microfabrica Inc. Method of in situ modulation of structural material properties and/or template shape

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2562685A (en) * 1949-06-04 1951-07-31 Soren S Adams Thermostatic snap-action element
US3356369A (en) * 1965-01-22 1967-12-05 Kolmer Bros Inc Die agitating chance device
US3826984A (en) * 1969-02-28 1974-07-30 Licentia Gmbh Measuring device for the dynamic measurement of semiconductor parameters and method of making such a device
US3842189A (en) * 1973-01-08 1974-10-15 Rca Corp Contact array and method of making the same
GB1381701A (en) * 1973-02-06 1975-01-22 Comtelco Uk Ltd Manufacture of reed switch contact units and the like
US4320438A (en) * 1980-05-15 1982-03-16 Cts Corporation Multi-layer ceramic package
US4423401A (en) * 1982-07-21 1983-12-27 Tektronix, Inc. Thin-film electrothermal device
US4535219A (en) * 1982-10-12 1985-08-13 Xerox Corporation Interfacial blister bonding for microinterconnections
US4758927A (en) * 1987-01-21 1988-07-19 Tektronix, Inc. Method of mounting a substrate structure to a circuit board
US5121298A (en) * 1988-08-16 1992-06-09 Delco Electronics Corporation Controlled adhesion conductor
US5463246A (en) * 1988-12-29 1995-10-31 Sharp Kabushiki Kaisha Large scale high density semiconductor apparatus
WO1991013533A1 (en) * 1990-03-01 1991-09-05 Motorola, Inc. Selectively releasing conductive runner and substrate assembly
US5090118A (en) * 1990-07-31 1992-02-25 Texas Instruments Incorporated High performance test head and method of making
US5166774A (en) * 1990-10-05 1992-11-24 Motorola, Inc. Selectively releasing conductive runner and substrate assembly having non-planar areas
DE69233684D1 (de) * 1991-02-22 2007-04-12 Canon Kk Elektrischer Verbindungskörper und Herstellungsverfahren dafür
US5487999A (en) * 1991-06-04 1996-01-30 Micron Technology, Inc. Method for fabricating a penetration limited contact having a rough textured surface
US5152695A (en) * 1991-10-10 1992-10-06 Amp Incorporated Surface mount electrical connector
DE4143006A1 (de) * 1991-12-24 1993-07-01 Minnesota Mining & Mfg Kontaktanordnung fuer ein elektrisches bauteil und verfahren zur herstellung
US5214563A (en) * 1991-12-31 1993-05-25 Compaq Computer Corporation Thermally reactive lead assembly and method for making same
WO1994009374A1 (en) * 1992-10-12 1994-04-28 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Probe unit and method of manufacturing the same
JP2875128B2 (ja) * 1993-01-22 1999-03-24 シャープ株式会社 梁およびその製造方法
JPH06249880A (ja) * 1993-03-01 1994-09-09 Kobe Steel Ltd プローブユニット
US5518964A (en) * 1994-07-07 1996-05-21 Tessera, Inc. Microelectronic mounting with multiple lead deformation and bonding
US5513430A (en) * 1994-08-19 1996-05-07 Motorola, Inc. Method for manufacturing a probe
US5613861A (en) 1995-06-07 1997-03-25 Xerox Corporation Photolithographically patterned spring contact
US5665648A (en) * 1995-12-21 1997-09-09 Hughes Electronics Integrated circuit spring contact fabrication methods

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7772860B2 (en) 1999-05-27 2010-08-10 Nanonexus, Inc. Massively parallel interface for electronic circuit
US7884634B2 (en) 1999-05-27 2011-02-08 Verigy (Singapore) Pte, Ltd High density interconnect system having rapid fabrication cycle
US7872482B2 (en) 2000-05-23 2011-01-18 Verigy (Singapore) Pte. Ltd High density interconnect system having rapid fabrication cycle
US7952373B2 (en) * 2000-05-23 2011-05-31 Verigy (Singapore) Pte. Ltd. Construction structures and manufacturing processes for integrated circuit wafer probe card assemblies

Also Published As

Publication number Publication date
US6184699B1 (en) 2001-02-06
ES2227588T3 (es) 2005-04-01
EP0834243A4 (de) 1998-08-12
KR100442902B1 (ko) 2004-11-06
JP3795922B2 (ja) 2006-07-12
JPH11506829A (ja) 1999-06-15
US5613861A (en) 1997-03-25
WO1996041506A1 (en) 1996-12-19
US6184065B1 (en) 2001-02-06
US6264477B1 (en) 2001-07-24
EP0834243A1 (de) 1998-04-08
EP0834243B1 (de) 2004-09-08
DE69633334D1 (de) 2004-10-14
US5848685A (en) 1998-12-15
KR19990022385A (ko) 1999-03-25
US5914218A (en) 1999-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69633334T2 (de) Photolithographisch gemusterter federkontakt
DE69926241T2 (de) Leiterplatten-verbindungsvorrichtung und herstellungsverfahren
DE69735318T2 (de) Flip-Chip-Halbleiter mit Teststruktur und seine Herstellung
DE69533336T2 (de) Testkarte und ihre anwendung
DE69635227T2 (de) Kontakträger zum bestücken von substraten mit federkontakten
DE19957326B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Kontaktstrukturen
DE19940633A1 (de) IC-Gehäuse
DE10250636A1 (de) Übertragungsverkapselung auf Waferebene
WO2006007930A1 (de) Temperaturfühler und verfahren zu dessen herstellung
DE10151125A1 (de) Anschlussstruktur und zugehöriges Herstellungsverfahren sowie die Anschlussstruktur verwendende Prüfanschlussanordnung
DE10129282A1 (de) Anschlußstruktur und zugehöriger Verbindungsmechanismus
DE19648475A1 (de) Mikrokontaktstiftstruktur, diese verwendende Prüfkarte und Herstellungsverfahren
EP1266402A2 (de) Halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung
DE10037216A1 (de) Anschlußstruktur sowie Verfahren zur Herstellung von Anschlußelementen und Verfahren zur Erzeugung einer Anschlußstruktur
WO2000079589A1 (de) Elektronisches bauelement mit flexiblen kontaktierungsstellen und verfahren zum herstellen eines derartigen bauelements
DE112018003756B4 (de) Prüfung und initialisierung von klein-chips auf wafer-niveau
DE10045043A1 (de) Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
DE3824008A1 (de) Elektronische schaltung sowie verfahren zu deren herstellung
DE4403916A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterchip-Kontaktstelle
DE19500492C2 (de) Brückenstruktur zu einer Testvorrichtung für integrierte Schaltungen und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE4133598C2 (de) Anordnung mit einem auf einem Substrat oberflächenmontierten Chip mit einer integrierten Schaltung und Verfahren zu seiner Herstellung
DE112017007356T5 (de) Hohle versiegelte Vorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
DE10017746B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils mit mikroskopisch kleinen Kontaktflächen
DE10250634B4 (de) Halbleiterstruktur mit nachgiebigem Zwischenverbindungselement und Verfahren zu deren Herstellung
DE4113034A1 (de) System und verfahren zum automatisierten bandbonden, die die reparatur erleichtern

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition