DE69737866T2 - Elektrodenabscheidung für organische lichtemittierende vorrichtungen - Google Patents

Elektrodenabscheidung für organische lichtemittierende vorrichtungen Download PDF

Info

Publication number
DE69737866T2
DE69737866T2 DE69737866T DE69737866T DE69737866T2 DE 69737866 T2 DE69737866 T2 DE 69737866T2 DE 69737866 T DE69737866 T DE 69737866T DE 69737866 T DE69737866 T DE 69737866T DE 69737866 T2 DE69737866 T2 DE 69737866T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
light
emitting
organic material
uppermost layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69737866T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69737866D1 (de
Inventor
Karl Hopewell Junction PICHLER
Peter Devine
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cambridge Display Technology Ltd
Original Assignee
Cambridge Display Technology Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from GBGB9618475.9A external-priority patent/GB9618475D0/en
Priority claimed from GBGB9618474.2A external-priority patent/GB9618474D0/en
Priority claimed from GBGB9618473.4A external-priority patent/GB9618473D0/en
Priority claimed from GBGB9712295.6A external-priority patent/GB9712295D0/en
Application filed by Cambridge Display Technology Ltd filed Critical Cambridge Display Technology Ltd
Application granted granted Critical
Publication of DE69737866D1 publication Critical patent/DE69737866D1/de
Publication of DE69737866T2 publication Critical patent/DE69737866T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/816Multilayers, e.g. transparent multilayers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes
    • H10K50/826Multilayers, e.g. opaque multilayers

Description

  • Das Gebiet der Erfindung bezieht sich auf organische lichtemittierende Vorrichtungen mit verbesserten Elektroden und deren Abscheidung.
  • Organische lichtemittierende Vorrichtungen (Organic Light Emitting Devices – OLEDs) wie zum Beispiel beschrieben in US Patent Nr. 5,247,190 , zugeteilt der Cambridge Display Technology Limited oder in Van Slyke et al, US Patent Nr. 4,539,507 , deren Inhalt hierin durch Bezugnahme und als Beispiel integriert wird, weisen großes Potential zur Verwendung in verschieden Display-Anwendungen auf, entweder als einfarbige oder vielfarbige Displays. Vornehmlich besteht ein OLED aus einer Anode, die positive Ladungsträger injiziert, einer Kathode, die negative Ladungsträger injiziert, und mindestens einer zwischen den zwei Elektroden eingeschobenen organischen elektrolumineszenten Schicht. Typischerweise, obwohl nicht notwendigerweise, wäre die Anode eine dünne Schicht aus zum Beispiel Indiumzinnoxid (Indium Tin Oxide – ITO), einem halbdurchsichtigen leitfähigen Oxid, das bereits auf Glas oder Kunststoffsubstrate abgeschieden kommerziell leicht verfügbar ist. Die organische(n) Schicht(en) würde(n) dann normalerweise auf das ITO beschichtete Substrat abgeschieden, zum Beispiel durch Verdampfung/Sublimierung oder Drallbeschichtung, Rakelstreichen, Tauchbeschichtung oder Wulstrandbeschichtung. Der letzte Schritt, die Kathodenschicht auf die oberste organische Schicht abzuscheiden, wird normalerweise durch thermische Verdampfung oder Kathodenzerstäubung eines geeigneten Kathodenmetalls in Vakuum ausgeführt. Schichten aus Al, Ca oder Legierungen aus Mg:Ag oder Mg:In, oder Al Legierungen werden häufig als Kathodenmaterialien verwendet.
  • Einer der wesentlichen Vorzüge der OLED Technik ist, dass Vorrichtungen bei niedrigen elektrischen Ansteuerungsspannungen betrieben werden können, vorausgesetzt, dass geeignete elektrolumineszente organische Schichten und Elektroden mit guter Effizienz für die Injektion von positiver und negativer Ladung verwendet werden. Um eine gute Leistung in OLEDs zu erreichen, ist es von großer Bedeutung, alle die einzelnen Schichten, die Anode, die Kathode und sowohl die organische(n) Schicht(en) als auch die Schnittstellen zwischen den Schichten zu optimieren.
  • Eine Kathode von hoher Qualität ist von großer Bedeutung, um allgemein eine hohe Leistung in OLEDs zu erreichen, gemessen an Kriterien wie zum Beispiel Leistungsausbeute, niedriger elektrischer Ansteuerungsspannung, Lagerfähigkeit, Lebensdauer und Stabilität unter strengen Umweltbedingungen wie zum Beispiel hoher Temperatur und/oder hoher Luftfeuchtigkeit, usw. Die Kriterien für die Qualität der Kathode sind im Besonderen, aber nicht ausschließlich, die Austrittsarbeit, die Korrosionswiderstandsfähigkeit, Morphologie- und Grenzschichteigenschaften, die Haftfähigkeit zum Polymer und der Flächenwiderstand.
  • Metallische Kathodenschichten für OLEDs werden am häufigsten durch einfache thermische Verdampfung des Kathodenmaterials in Vakuum abgeschieden. Ebenso können Kathodenschichten, die aus einer Metalllegierung bestehen, abgeschieden werden durch thermische Verdampfung aus zwei oder mehr Quellen, die die Legierungsbestandteile enthalten, und durch Auswählen entsprechender relativer Raten der Abscheidung, um die gewünschte relative Zusammensetzung der Legierung zu erreichen.
  • Jedoch kann die einfache thermische Verdampfung von Metallen auf OLEDs, um eine Kathodenschicht auszuformen, zu einer schwachen Haftfähigkeit zwischen der Kathode und der obersten organischen Schicht führen, und sehr häufig ist die Morphologie der aufgedampften Schicht polykristallin mit großer durchschnittlicher Korngröße, so dass es eine hohe Dichte der Korngrenze zur Diffusion von Umgebungsgasen, wie zum Beispiel Sauerstoff, und Feuchtigkeit in die Vorrichtung gibt. Schwache Haftfähigkeit und große Korngröße der polykristallinen Morphologie kann die Leistungsfähigkeit der OLED schwerwiegend verschlechtern, im Besonderen die Umweltstabilität (Lagerfähigkeit der Vorrichtung und Betriebslebensdauer, Korrosion der Kathode).
  • Dieselben Themen (Haftfähigkeit, Morphologie) gelten für den Fall, in dem ein OLED von der Kathode aus aufgebaut wird, das heißt, wenn die Kathode auf dem Substrat abgeschieden wird mit der anschließenden Abscheidung der organischen Schicht(en) und als letzten Schritt die Abscheidung der Anode oberhalb der obersten organischen Schicht erfolgt.
  • Eine einfache thermische Verdampfung aus verschiedenen Quellen von elementaren Metallen oder die Verdampfung einer fertigen Legierung, um Kathoden in Legierungsform zu erzielen, weist ebenfalls Probleme auf. Wenn zum Beispiel eine Kathodenlegierungsschicht, die reaktive Elemente mit niedriger Austrittsarbeit, wie zum Beispiel Alkali oder Erdalkalimetalle umfasst, erforderlich ist, können die Verarbeitung und/oder die Handhabung dieser Elemente in einer normalen Umgebung in Luft schwierig sein, wenn nicht unmöglich. Alternativ dazu, wenn eine Legierung selbst verdampft wird, kann es sein, dass die Zusammensetzung der Legierung der Abscheidung (Kathode) schwierig zu steuern ist auf Grund von zum Beispiel unterschiedlicher thermischer Eigenschaften und unterschiedlicher Verdampfungsraten der Bestandteile der Quelllegierung.
  • Es ist daher ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Anordnung und ein Verfahren der Herstellung für eine organische e lektrolumineszente Vorrichtung zur Verfügung zu stellen, die die oben genannten und beschriebenen Probleme überwindet oder zumindest reduziert.
  • Appl. Phys. Lett. 68 (16) beschreibt ein OLED, das aus einer Schicht aus Poly(Methyl-Phenylsilan) besteht, und einer nachfolgend auf einem ITO beschichteten Glas ausgeformten Bis(8-hydroxy Quinolin) Aluminium (Al23) Schicht und einer Aluminium- oder Magnesiumelektronen injizierenden Elektrode, die durch Kathodenzerstäubung mittels HF Magnetron auf der AL23 Schicht abgeschieden wird.
  • Entsprechend einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 13 zur Verfügung gestellt.
  • Dieser erste Aspekt der Erfindung stellt auch ein Verfahren zur Herstellung einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung nach Anspruch 1 zur Verfügung.
  • Auf diese Weise stellt die Erfindung eine organische elektrolumineszente Vorrichtung mit einer metallischen Kathode kompakter Morphologie mit niedriger durchschnittlicher Korngröße und guter Haftfähigkeit zur benachbarten Schicht des OLED Stapels zur Verfügung, wobei die Kathode mittels Abscheidung mittels Kathodenzerstäubung aufgebracht wird. Eine gute Haftfähigkeit zwischen der Kathode und der benachbarten Schicht verringert eine Ablösung und das Eintreten von zum Beispiel Sauerstoff, Feuchtigkeit, Lösungsmitteln oder anderen Zusammensetzungen mit niedrigem molekularem Gewicht an oder entlang der Schnittstelle. Die kompakte Morphologie der Kathodenmetallschicht reduziert auch die Diffusion von Umgebungskomponenten wie Sauerstoff, Feuchtigkeit, Lösungsmitteln oder anderen Zusammensetzungen mit niedrigem molekularem Gewicht in die OLED durch die Kathodenschicht selbst. Die Kathode formt die Elektronen injizierende Elektrode für ein OLED aus mit mindestens einer elektrolumineszenten organischen Schicht zwischen der Kathode und einer Anode, die positive Ladungsträger injiziert. Die organische(n) elektrolumineszente(n) Schicht(en) sind vorzugsweise, aber nicht unbedingt, gepaarte Polymere.
  • 1 veranschaulicht ein nicht der vorliegenden Erfindung entsprechendes OLED;
  • 2 veranschaulicht ein nicht der vorliegenden Erfindung entsprechendes OLED;
  • 3 veranschaulicht ein OLED entsprechend einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 4 veranschaulicht ein weiteres nicht der vorliegenden Erfindung entsprechendes OLED; und
  • 5 veranschaulicht ein nicht der vorliegenden Erfindung entsprechendes OLED mit einer verbesserten Anode.
  • In einem veranschaulichenden Referenzbeispiel wird das OLED aus einer auf ein durchsichtiges abstützendes Substrat abgeschiedenen halbdurchsichtigen Anode ausgeformt. Das Substrat ist zum Beispiel eine Platte aus Glas mit einer Dicke zwischen 30 μm und 5 mm, aber vorzugsweise 1,1 mm oder alternativ dazu eine Platte aus Kunststoff, wie zum Beispiel Polyester, Polycarbonat, Polyimid, Polyätherimid oder Ähnlichem. Die halbdurchsichtige Anode ist vorzugsweise, aber nicht unbedingt, eine dünne Schicht aus leitfähigem Oxid, wie zum Beispiel Indiumzinnoxid, dotiertem Zinnoxid oder Zinkoxid. Die organische(n) Schicht(en), die auf das Anodensubstrat abgeschieden wird/werden, ist/sind vorzugsweise, aber nicht unbedingt, eine oder mehrere Schichten eines elektrolumineszenten gepaarten Polymers, wie zum Beispiel in US Patent Nr. 5,247,190 beschriebenen, typischerweise in der Größenordnung der Dicke von 100 nm. Alternativ dazu kann/können die organische(n) Schicht(en) Zusammensetzungen mit geringem molekularen Gewicht, wie zum Beispiel in dem US Patent Nr. 4,539,507 be schrieben oder in der Tat eine Kombination eines gepaarten Polymers mit einer Zusammensetzung mit geringem molekularen Gewicht sein. Die Kathode, abgeschieden durch Kathodenzerstäubung oberhalb der obersten organischen Schicht, ist ein Metall, das dazu fähig ist, Elektronen in die benachbarte organische Schicht zu injizieren, und ist typischerweise, aber nicht unbedingt, in der Größenordnung von 100–500 nm dick. Beispiele für solche Metalle sind, aber werden nicht darauf eingeschränkt, Al, Mg, In, Pb, Sm, Tb, Yb oder Zr. Die Haftfähigkeit und die kompakte Morphologie von solchen durch Kathodenzerstäubung abgeschieden Metallschichten ist weitaus vorteilhafter verglichen mit jenen, die durch thermische Verdampfung abgeschieden werden; daher wird die Stabilität der Vorrichtung und die Korrosionswiderstandsfähigkeit der Kathode bedeutend verbessert, besonders in Fällen, in denen in der Umgebung Sauerstoff, Feuchtigkeit, Lösungsmittel oder andere Zusammensetzungen mit niedrigem molekularem Gewicht vorliegen, während des Herstellungsprozesses nach der Kathodenabscheidung oder dem Betrieb der Vorrichtungen.
  • Alternativ dazu ist die durch Kathodenzerstäubung abgeschiedene Kathode eine Legierung, die von einer Targetlegierung für die Kathodenzerstäubung kathodenzerstäubt wird. Solche Legierungen sind, aber nicht darauf beschränkt, Legierungen aus Al, Zr, Mg, Si, Sb, Sn, Zn, Mn, Ti, Cu, Co, W, Pb, In oder Ag oder Kombinationen davon und enthalten Elemente mit niedriger Austrittsarbeit wie zum Beispiel Li, Ba, Ca, Ce, Cs, Eu, Rb, K, Na, Sm, Sr, Pb oder Yb. Eine typische solche Legierung wäre zum Beispiel eine handelsübliche Al 95%/Li 2,5%/Cu 1,5%/Mg 1% Legierung. Die Elemente mit niedriger Austrittsarbeit sind in reiner elementarer Form normalerweise sehr anfällig für Oxidation und Korrosion durch Feuchtigkeit, so dass die Handhabung in einer normalen Laborumgebung sehr problematisch, wenn nicht unmöglich ist. Jedoch können diese Elemente mit niedriger Austrittsarbeit in einer Matrix, wie zum Beispiel von weiter oben aufgelisteten stabileren Metallen, in ausreichend niedrigen Konzentrationen in dem Matrixelement stabil genug sein, um die Herstellung mit einem Kathodenzerstäubungstarget, die Handhabung des Targets und die Abscheidung mittels Kathodenzerstäubung der Targetlegierung auf ein OLED in einem Standardgerät zur Kathodenzerstäubung in einer normalen Labor- oder Herstellungsumgebung mit anschließender Stabilität der Kathode auf der OLED nach der Abscheidung mittels Kathodenzerstäubung zu ermöglichen. In diesem Beispiel wirken die Elemente mit niedriger Austrittsarbeit, um die Elektroneninjektion und die Effizienz der Vorrichtung zu verbessern, das Matrixelement stellt Umweltstabilität zur Verfügung und der Abscheidungsprozess durch Kathodenzerstäubung verbessert wiederum die Haftfähigkeit, ergibt eine kompakte Morphologie und ermöglicht, durch Auswahl der Zusammensetzung des Targets und der Bedingungen der Kathodenzerstäubung, die Zusammensetzung der Kathodenlegierung zu steuern, während diese abgeschieden wird. Die besonders durch die Abscheidung mittels Kathodenzerstäubung durch ein Gleichstrommagnetron erzielte Morphologie der Legierung kann wirken, um nach der Abscheidung zum Beispiel Absonderungs- und Diffusionseffekte innerhalb der Kathodenlegierung zu reduzieren. Auf diese Weise können OLEDs unter Umgebungsbedingungen mit Kathoden niedriger Austrittsarbeit hergestellt werden, die eine effiziente Elektroneninjektion in die organische(n) Schicht(en) zur Verfügung stellen.
  • Sich jetzt der 1 zuwendend, wird ein erstes, nicht der vorliegenden Erfindung entsprechendes OLED realisiert durch Abscheiden einer ca. 100 nm dicken Schicht 3 aus Poly(p-Phenylen Vinylen) (PPV) auf ein Substrat 1, das vorab mit einer Schicht 2 aus halbdurchsichtigem Indiumzinnoxid (ITO) beschichtet wurde, das eine Transparenz von mindestens 80 im sichtbaren Bereich und einen Flächenwiderstand von weniger als 100 Ohm je Flächeneinheit aufweist, wie zum Beispiel in US Patent Nr. 5,247,190 beschrieben. Eine Kathode, die eine ca. 150 nm dicke Schicht 4 umfasst, wird durch Kathodenzerstäubung mittels Gleichstrommagnetron auf die PPV Schicht 3 abgeschieden unter den folgenden Bedingungen: Al 5%/Li 2,5%/Cu 1,5%/Mg 1% Target, Kathodenzerstäubung in konstantem Leistungsmodus bei etwa 3,2 W/cm2 (Target mit 100 mm Durchmesser und 250 W), Druck von etwa 5 × 10–3 mbar bei 25 sccm Argonfluss (Basisdruck ca. 1 × 10–6 mbar), Targetspannung 400–410 V, Abstand zwischen Target und Substrat 75 mm und einer Abscheidungsrate von ca. 1 nm/sek. Ein auf diese Weise hergestelltes OLED weist eine niedrige Einschalt- und Betriebsspannung (< 5 V) auf, verbesserte Effizienz gegenüber ähnlichen Vorrichtungen mit Kathoden sogar aus reinem Ca, und das Kathodenmaterial in der Form von einem Kathodenzerstäubungstarget und als Schicht auf dem OLED abgeschieden ist im Hinblick auf die Umwelt stabil und kann in einer normalen Laborumgebung gehandhabt werden.
  • Die durch Kathodenzerstäubung abgeschiedene Elektrode kann eine doppelschichtige Anordnung sein, in der die erste Schicht der der obersten organischen Schicht benachbarten Kathode eine dünne Schicht eines Elements mit niedriger Austrittsarbeit oder eine Legierung ist, die ein Element mit niedriger Austrittsarbeit enthält, wie zum Beispiel hierin weiter oben in Bezug auf die Kathode beschrieben, und in der die das dünne erste Element mit niedriger Austrittsarbeit umfassende Schicht mit einer zweiten dicken Schicht einer stabilen leitfähigen Schicht abgeschlossen ist. Die dünne erste Kathodenschicht kann zum Beispiel eine Legierung sein, die Li enthält, und ist typischerweise ≤ 20 nm, aber vorzugsweise ≤ 5 nm dick. Die dicke zweite Kathodenschicht kann zum Beispiel Al, Al-Cu, Al-Si oder eine andere Legierung sein, ist vorzugsweise mindestens 100 nm dick und wirkt, um die dünne erste Kathodenschicht zu schützen, stellt der Vorrichtung Umweltstabilität zur Verfügung und stellt einen niedrigen Flächenwiderstand der Kathode zur Verfügung. Legierungen zeigen sehr häufig Oberflächenentmischungseffekte, wodurch zum Beispiel eines der Legierungselemente bevorzugt an Schnittstellen/Oberflächen angereichert wird. Eine doppelschichtige Kathodenanordnung, in der Elemente mit niedriger Austrittsarbeit nur zu einem kleinen Prozentsatz enthalten sind, und die zum Beispiel nur in einer dünnen ersten Kathodenschicht Probleme mit der Anreicherung von zum Beispiel dem Element mit niedriger Austrittsarbeit an der Schnittstelle mit der benachbarten organischen Schicht reduziert, könnte zum Beispiel zu erhöhter Reaktivität oder nicht tolerierbaren Ausmaßen an Diffusion des Elements mit niedriger Austrittsarbeit in die organische(n) Schicht(en) führen, was zu nicht tolerierbaren Pegeln anschließender Dotierung der organischen Schicht und einer möglichen Reduktion der Effizienz der Vorrichtung führen könnte. Die dünne erste Kathodenschicht kann leicht erzielt werden und ihre Dicke kann gesteuert werden, zum Beispiel durch Steuern der Durchtrittsgeschwindigkeit der Probe durch die Zone der Kathodenzerstäubung, zusammen mit der Abscheidungsrate.
  • Vorzugsweise beträgt in solchen zweischichtigen dünnen/dicken Kathoden das Verhältnis der Dicke der ersten Schicht aus leitfähigem Material zu der zweiten Schicht aus leitfähigem Material mindestens 20:1.
  • In der zweischichtigen, weiter oben beschriebenen dünnen/dicken Kathodenanordnung kann die zweite „dicke leitfähige Kathodenschicht" alternativ zum Beispiel ein halbdurchsichtiges leitfähiges Oxid sein, wie zum Beispiel Indiumzinnoxid (ITO).
  • In der zweischichtigen, weiter oben beschriebenen dünnen/dicken Kathodenanordnung kann die erste dünne Schicht durch andere Mittel, wie zum Beispiel thermische Verdampfung abgeschieden werden. Dies ist nützlich in Fällen, in denen zum Beispiel die oberste organische Schicht in Bezug auf Beschädigung durch den Kathodenzerstäubungsprozess empfindlich ist, mit oder ohne Anwendung von reaktivem Kathodenzerstäubung, wie es zum Beispiel verwendet wird bei der reaktiven Abscheidung mittels Kathodenzerstäubung von halbdurchsichtigen leitfähigen Oxiden. In diesem Fall würde die erste Schicht immer noch die elektronische Schnittstelle der Kathode zu der benachbarten organischen Schicht ausformen, aber die zweite dicke, mit einem Gleichstrommagnetron kathodenzerstäubte Schicht würde eine morphologisch kompakte schützende und leitfähige Schicht ausformen.
  • Eine als eine oberste Schicht des OLEDs abgeschiedene kathodenzerstäubte Kathode stellt auf Grund ihrer guten Haftfähigkeit, ihrer kompakten Morphologie und ihrer guten Grenzschichteigenschaften auch eine Verkapselungsschicht für die Vorrichtung zur Verfügung, die Schutz vor dem Eindringen von unerwünschten Substanzen in die Vorrichtung zur Verfügung stellt, wie zum Beispiel reaktiven Gasen und Flüssigkeiten, die während anschließender Verarbeitungsschritte und/oder der Lagerzeit und der Betriebszeit der Vorrichtung vorhanden sein können.
  • Eine verbesserte Ladungsträgerbalance und Effizienz der Vorrichtung können durch die Einbringung einer kathodenzerstäubten, sehr dünnen Schicht eines stöchiometrischen oder substöchiometrischen Dielektrikums unter der Kathode erreicht werden, wobei die dünne Schicht des Dielektrikums ≤ 5 nm dick ist. OLEDs zeigen oft eine bessere Injektion und einen besseren Transport für positive Ladungsträger im Vergleich mit negativen Ladungsträgern. Es wurde gefunden, dass dünne Schichten aus Dielektrika der Dicke ≤ 5 nm wesentliche höhere Übertragungsraten für Elektronen aufweisen können als für Löcher (po sitive Ladungsträger); dies kann besonders der Fall sein für stöchiometrische und substöchiometrische Metalloxide. Deshalb verbessern solche dünnen dielektrischen Schichten zwischen der Kathode und dem obersten organischen Abschluss die Effizienz der Vorrichtung.
  • Zum Beispiel ist ein OLED aus einer Anode auf einem unterstützenden Substrat (wie ITO beschichtetem Glas) mit mindestens einer organischen elektrolumineszenten Schicht zusammengesetzt, die mit einer dünnen (≤ 5 nm) Schicht eines Dielektrikums bedeckt ist, die dann mit einer metallischen Kathode entsprechend den ersten und/oder zweiten Aspekten der Erfindung bedeckt wird. Das Dielektrikum ist vorzugsweise, aber nicht darauf eingegrenzt, ein Metalloxid, entweder stöchiometrisch oder substöchiometrisch (mit Mangel an Sauerstoff), und wird durch Kathodenzerstäubung mit den anderen Elementen des OLEDs entsprechend den ersten und/oder zweiten Aspekten der Erfindung auf die oberste organische Schicht abgeschieden. Typischerweise, aber nicht unbedingt, würde das Oxid durch reaktive Kathodenzerstäubung in Sauerstoff mit einem Gleichstrommagnetron mit Al, Mg, Zr oder anderen elementaren Metalltargets ausgeformt, oder in der Tat durch ein Oxid, das reaktiv mit Al:Mg, Al: In, Al:Li, Cu:Mg oder einer anderen Targetlegierung für die Kathodenzerstäubung kathodenzerstäubt wird.
  • Ein nicht der vorliegenden Erfindung entsprechendes OLED mit einer stabilen Kathode mit niedriger Austrittsarbeit und verbesserter Effizienz wird realisiert durch Abscheiden einer ca. 100 nm dicken Schicht 3 aus Poly(p-Phenylen Vinylen) auf ein Substrat 1, vorab beschichtet mit einer Schicht 2 aus halbdurchsichtigem Indiumzinnoxid, das eine Transparenz von mindestens 80 im sichtbaren Bereich und einen Flächenwiderstand von weniger als 100 Ohm je Flächeneinheit aufweist, wie zum Beispiel in US Patent Nr. 5,247,190 beschrieben. Die PPV Schicht 3 wird beschichtet mit einer ca. 3 nm dicken Schicht 5 aus einem stöchiometrischen Oxid aus Al 95%/Li 2,5%/Cu 1,5%/Mg 1% das durch reaktive Kathodenzerstäubung mittels Gleichstrommagnetron unter dem folgenden Bedingungen realisiert wird: Abstand zwischen Substrat und Target 75 mm, Basisdruck 1 × 10–4 Pa, Stromversorgungsmodus bei konstanter elektrischer Spannung von 310 V, Stromdichte 6,2 mA/cm2, Druck 0,5 Pa, 25 sccm Argonfluss, 2 sccm Sauerstofffluss, Abscheidungszeitdauer 7 sek. Eine Kathode, umfassend eine ca. 150 nm dicke Schicht 4, wird durch ein Gleichstrommagnetron oberhalb der dünnen Oxidschicht 5 abgeschieden, das auf die gleich Weise kathodenzerstäubt wird, wie oben beschrieben. Die Kathode umfasst vorzugsweise eine leitfähige Schicht, die eine Dicke von 100 bis 500 nm aufweist. Diese Vorrichtung zeigt eine verbesserte Effizienz gegenüber einer äquivalenten Vorrichtung mit derselben Kathode, aber ohne die dünne Oxidschicht.
  • Ein OLED mit einer kathodenzerstäubten Kathode, wie oben beschrieben, und in dem die der Kathode benachbarte organische Schicht (die oberste organische Schicht) ein gepaartes Polymer ist, das besonders zugänglich ist für die anschließende Abscheidung mittels Kathodenzerstäubung und zu Grunde liegende organische Schichten vor dem Kathodenzerstäubungsprozess schützt, aber sonst die allgemeine Leistungsfähigkeit der Vorrichtung nicht über einen nicht tolerierbaren Pegel hinaus verschlechtert, wird als Beispiel für die vorliegende Erfindung beschrieben.
  • In Bezug auf dieses Beispiel ist gefunden worden, dass die Eigenschaften der obersten organischen Schicht den Erfolg einer anschließenden Abscheidung mittels Kathodenzerstäubung in großem Maß bestimmen kann, wie beurteilt aus der Effizienz der Elektroneninjektion, der Treiberspannung des OLED oder der Zuverlässigkeit und der Ausbeute bei der Herstellung der Vorrichtung und in der Tat der Beschädigung der obersten organischen-Schicht auf Grund des Abscheidungsprozesses durch Katho denzerstäubung selbst. Es wurde gefunden, dass die Abscheidung mittels Kathodenzerstäubung von Metall und Legierungen leicht verwendet werden kann bei morphologisch sehr kompakten und mechanisch stark gepaarten Polymeren, wie zum Beispiel Poly(p-Phenylen Vinylen), PPV, ohne jegliche offensichtliche Zeichen von großem Schaden am Polymer und der Schnittstelle.
  • Dies ist in geringerem Maße der Fall mit „weicheren" löslichen Polymeren, wie zum Beispiel löslichen Derivaten von PPV mit Di-alkoxid Seitenketten. Im Falle von diesen weicheren Polymeren kann der Abscheidungsprozess durch Kathodenzerstäubung leichter zu einem Schaden der obersten Polymerschicht und der Schnittstelle führen, so dass zum Beispiel die Antriebsspannung der Vorrichtung erhöht wird und Vorrichtungen anfälliger für Kurzschlüsse werden.
  • Entsprechend dem beschriebenen Beispiel, werden in OLEDs mit „weicheren" Polymeren als den hauptsächlichen aktiven und elektrolumineszenten Schichten, diese Schicht(en) mit einer dünnen oberen Schicht geschützt aus einem morphologisch sehr kompakten und mechanisch zähen gepaarten Polymer, wie zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, PPV, um die Vorrichtung einer abschließenden Abscheidung einer Kathode durch Kathodenzerstäubung zugänglicher zu machen, mit reduziertem oder ohne Schaden an der Vorrichtung und mit den nachgelagerten Vorzügen einer kathodenzerstäubten Kathode, wie vorstehend umrissen. Die Schicht aus schützendem zähen Polymer ist typischerweise in der Größenordnung von wenigen Zehnteln von nm dick, die Dicke ist jedoch vorzugsweise im Bereich von 5 bis 20 nm. Die optischen, elektronischen und Transporteigenschaften von zum Beispiel PPV auf Di-alkoxid Derivaten von PPV sind so, dass Eigenschaften der Vorrichtung, wie zum Beispiel Effizienz oder Emissionsfarbe nicht stark verändert werden im Vergleich mit einer Vorrichtung ohne die schützende PPV Schicht.
  • In einem bestimmten mit Bezug auf 3 erläuterten Beispiel wird ein OLED realisiert durch Abscheiden einer ca. 100 nm dicken Schicht 6 aus Poly(2-methoxy, 5-(2'-Athyl hexyloxy)-p-henylen vinylen) [MEH-PPV], drallbeschichtet aus einer Xylollösung auf ein Substrat 1, vorab beschichtet mit einer Schicht 2 aus halbdurchsichtigem Indiumzinnoxid. Die MEH-PPV Schicht 6 wird dann mit einer dünnen Schicht 3 aus Poly(p-phenylen vinylen) (ca. 20 nm nach der Umwandlung) bedeckt. Das Drallbeschichten der PPV Vorgängerlösung auf die MEH-PPV Schicht 6 ist möglich auf Grund der Verwendung von nicht vermischbaren Lösungsmitteln für das MEH-PPV und dem PPV Vorgänger, und die Umwandlung des PPV Vorgängers in PPV schadet dem MEH-PPV offensichtlich nicht. Eine Kathode, umfassend eine ca. 150 nm dicke Schicht 4, wird oberhalb der dünnen PPV Schicht 3 durch ein Gleichstrommagnetron abgeschieden, das auf die Weise kathodenzerstäubt wird, wie weiter oben beschrieben. Solch ein OLED erbringt die orange/rote Emissionskennlinie von MEH-PPV und weist eine niedrige elektrische Antriebsspannung (ca. 5–6 V) auf, auf Grund der luftstabilen, durch Kathodenzerstäubung abgeschiedenen Kathodenlegierung mit niedriger Austrittsarbeit. Äquivalente Vorrichtungen, in denen die Kathode auf dieselbe Weise kathodenzerstäubt wird, aber direkt oberhalb der MEH-PPV Schicht, das heißt ohne eine PPV Pufferschicht, tendieren dazu, elektrische Antriebsspannungen von über 10 V aufzuweisen und sehr anfällig für Kurzschlüsse zu sein, möglicherweise auf Grund von Beschädigung der oberen Oberfläche der MEH-PPV Schicht während des Kathodenzerstäubungsprozesses.
  • In einem weiteren Beispiel wird die Kathode bereits auf ein unterstützendes Substrat von einem OLED abgeschieden. Das Substrat mit der Kathode wird mit mindestens einer organischen elektrolumineszenten Schicht bedeckt, und die zweite und oberste Elektrode ist die durch Kathodenzerstäubung abgeschiedene Anode.
  • In einer Anordnung dieses Beispiels ist die oberste kathodenzerstäubte Anodenschicht eine Schicht eines Metalls mit hoher Austrittsarbeit, wie zum Beispiel, aber nicht darauf beschränkt, C, Ag Au, Co, Ni, Pd, Pt, Re, Se oder Legierungen davon oder dotierten halbleitenden Zusammensetzungen oder allgemeiner leitfähige Schichten mit Austrittsarbeiten über 4,7 eV. Alternativ ist die Anode eine Schicht eines leitfähigen kathodenzerstäubten Oxids, wie zum Beispiel, aber nicht darauf beschränkt, Indiumzinnoxid oder dotiertes Sn-Oxid oder Zn-Oxid.
  • Ein weiteres nicht der vorliegenden Erfindung entsprechendes OLED, wird in Bezug auf 4 realisiert durch beschichtendes Aufbringen einer ca. 100 nm dicken Schicht 3 aus Poly(p-Phenylen Vinylen) oberhalb eines Substrats 1, bedeckt mit einer Schicht 4 aus Al, das als die Kathode wirkt. Nach der Umwandlung des PPV Vorgängerpolymers in PPV wird das PPV mit einer dünnen (≤ 5 nm) Schicht 7 aus thermisch verdampftem Au bedeckt, welche dann in einem ITO Abscheidungsprozess in einem standardisierten herkömmlichen reaktiven Gleichstrommagnetron mit einer 150 nm dicken Schicht 2 aus Indiumzinnoxid abgeschlossen wird. Die dünne Schicht 7 aus Au stellt die effiziente Injektion von positiven Ladungsträgern sicher, stellt aber auch eine Pufferschicht während des reaktiven ITO Abscheidungsprozesses zur Verfügung, die die zu Grunde liegende PPV Schicht 3 schützt.
  • Eine schützende Isolierschicht kann über die kathodenzerstäubte oberste Elektrode kathodenzerstäubt werden, ohne das OLED zwischen der Abscheidung der obersten Elektrode und der isolierenden Schicht der Umgebungsatmosphäre auszusetzen, wobei die isolierende Schicht zum Beispiel ein Oxid oder ein Nitrid ist.
  • Ein Verfahren der Herstellung einer organischen elektrolumineszenten Vorrichtung, wobei mindestens eine der Elektroden mindestens zu einem Teil realisiert wird durch Abscheidung mittels Kathodenzerstäubung von einem metallischen Element oder einer metallischen Legierung, oder leitfähigem Oxid oder einem Halbleiter, wird ebenfalls offenbart.
  • Es wurde gefunden, dass einer der Mechanismen, der die Leistungsfähigkeit der Vorrichtung, und im Besonderen die Lebensdauer der Vorrichtung eingrenzt, die Degeneration der der anorganischen Oxidanode benachbarten organischen Schicht und der Schnittstelle zwischen der Anode und der benachbarten organischen Schicht sein kann, zum Beispiel auf Grund von aus der Oxidanode mit der organischen Schicht freigesetzten Sauerstoffs. In diesem Zusammenhang wurde gefunden, dass die Integration von dünnen Schichten aus zum Beispiel halbleitenden Polymeren, wie zum Beispiel Polyanilin, als eine erste organische Schicht oberhalb der anorganischen Oxidanoden in verbesserten Eigenschaften der Vorrichtung und verbesserter Betriebsstabilität resultiert. Die Einbringung solcher zusätzlichen Schichten als erste organische Schicht oberhalb der anorganischen Oxidanode kann jedoch andere Probleme hervorbringen, wie zum Beispiel verschlechterte Haftfähigkeit, Vermischung der ersten organischen Schicht mit anschließenden Schichten, die in einigen Fällen unerwünscht sein können, einer Verschlechterung in den Eigenschaften der Benetzung und Beschichtung von anschließenden Schichten, Probleme mit der gleichmäßigen Abscheidung von dünnen Schichten der ersten organischen Schicht oder Probleme mit der Stabilität der ersten organischen Schicht beim Betrieb der Vorrichtung.
  • 5 veranschaulicht eine Anordnung für eine organische lichtemittierende Vorrichtung, die nicht der vorliegenden Erfindung entspricht, die den Vorteil der Trennung des anorganische halbdurchsichtigen Oxid von der ersten organischen Schicht aufweist, aber eine wirkungsvolle Injektion von positiven Ladungsträgern aufrecht erhält und einige der oben genannten und erwähnten Probleme vermeidet.
  • Die Anordnung umfasst mindestens eine Schicht aus einem lichtemittierenden organischen Material, angeordnet zwischen einer Anode und einer Kathode der Vorrichtung, wobei die Anode eine erste lichtemittierende Schicht aus einem anorganischen Oxid und eine zweite lichtdurchlässige Schicht aus einem leitfähigen Material umfasst, das eine hohe Austrittsarbeit aufweist und angeordnet ist zwischen der mindestens einen Schicht aus organischem Material und der ersten Schicht aus einem anorganischen Oxid, wobei die zweite Schicht aus leitfähigem Material wesentlich dünner ist, als die erste Schicht aus anorganischem Oxid.
  • Die Kathode kann über einem Substrat ausgeformt werden und die Anode kann über der mindestens einen Schicht aus organischem Material ausgeformt werden. Alternativ dazu kann die Anode über einem Substrat ausgeformt werden, und die Kathode wird über der mindestens einen Schicht des organischen Materials ausgeformt.
  • Die erste Schicht des anorganischen Oxids kann durch Kathodenzerstäubung abgeschieden werden, vorzugsweise durch Kathodenzerstäubung mit einem HF oder Gleichstrommagnetron, oder verdampft werden durch vorzugsweise widerstandsbehaftete oder thermische Verdampfung mittels Elektronenstrahl. Die zweite Schicht aus leitfähigem Material kann durch Kathodenzerstäubung abgeschieden werden, vorzugsweise durch Kathodenzerstäubung mit einem HF oder Gleichstrommagnetron, oder verdampft werden, vorzugsweise durch widerstandsbehaftete oder thermische Verdampfung mittels Elektronenstrahl.
  • Das Verhältnis der Dicke der ersten Schicht des anorganischen Oxids zu der der zweiten Schicht aus leitfähigem Material ist vorzugsweise mindestens 15:1.
  • Die Anordnung der 5 stellt eine organische lichtemittierende Vorrichtung (OLED) zur Verfügung, in der die halbdurchsichtige anorganische Oxidanode, zum Beispiel Indiumzinnoxid (ITO), Zinnoxid oder Zinkoxid, vor der Abscheidung der ersten organischen Schicht des OLED Stapels mit einer dünnen halbdurchsichtigen Schicht eines leitfähigen Materials mit einer Austrittsarbeit von mindestens 4,7 eV bedeckt wird. Die Dicke der dünnen Schicht beträgt höchstens 10 nm, vorzugsweise jedoch 3–7 nm. Die dünne Schicht kann aus Ag, As, Au, C, Co, Ge, Ni, Os, Pd, Pt, Re, Ru, Se, Te oder Legierungen oder intermetallischen Zusammensetzungen bestehen, die diese Elemente enthalten. Alternativ dazu kann die dünne Schicht ein dotierter Halbleiter wie dotiertes ZnS oder ZnSe vom p-Typ sein. Die dünne Schicht hoher Austrittsarbeit ist mit mindestens einer organischen elektrolumineszenten Schicht, vorzugsweise einem gepaarten Polymer bedeckt, und die Anordnung wird mit einer Kathode als oberste Elektrode vervollständigt.
  • Vorzugsweise ist die dünne halbdurchsichtige leitfähige Schicht hoher Austrittsarbeit eine Schicht aus Kohlenstoff, zwischen 3 und 7 nm dick.
  • Vorzugsweise ist die organische elektrolumineszente Schicht ein lösliches gepaartes Polymer wie zum Beispiel ein Alkoxy-Derivat von Poly(p-Phenylen Vinylen).
  • Ein OLED kann aus einem Substrat mit einer Kathode als eine erste Elektrode aufgebaut werden, die dann mit mindestens einer elektrolumineszenten Schicht bedeckt wird, vorzugsweise einem gepaarten Polymer, und in welcher die oberste organische Schicht vor der Abscheidung einer dickeren halbdurchsichtigen, leitfähigen oberen Anodenschicht aus Oxid mit einer dünnen halbdurchsichtigen Schicht hoher Austrittsarbeit beschichtet wird.
  • Die Anordnung der 5 kann durch ein Verfahren hergestellt werden, das die Schritte umfasst:
    eine Anode für die Vorrichtung über einem Substrat auszuformen, wobei der Schritt umfasst, eine erste lichtdurchlässige Schicht aus einem anorganischen Oxid über einem Substrat auszuformen und eine zweite lichtdurchlässige Schicht eines leitfähigen Materials, das eine hohe Austrittsarbeit aufweist, über der ersten Schicht des anorganischen Oxids auszuformen,
    wobei die zweite Schicht aus leitfähigem Material wesentlich dünner ist als die erste Schicht des anorganischen Oxids;
    das Ausformen von mindestens einer Schicht aus einem lichtdurchlässigen organischen Materials über der Anode; und
    das Ausformen einer Kathode für die Vorrichtung über der mindestens einen Schicht des organischen Materials.
  • Eine alternative „inverse" Anordnung kann durch ein Verfahren hergestellt werden, das die Schritte umfasst:
    das Ausformen einer Kathode für die Vorrichtung über einem Substrat;
    das Ausformen von mindestens einer Schicht aus einem lichtdurchlässigen organischen Material über der Anode; und
    eine Anode für die Vorrichtung über der mindestens einen Schicht aus organischem Material auszuformen, wobei dieser Schritt umfasst, eine zweite lichtdurchlässige Schicht eines leitfähigen Materials, das eine hohe Austrittsarbeit aufweist, über der mindestens einen Schicht des organischen Materials auszuformen und das Ausformen einer ersten lichtdurchlässigen Schicht aus einem anorganischen Oxid über der zweiten Schicht aus leitfähigem Material, wobei die zweite Schicht aus leitfähigem Material wesentlich dünner ist als die erste Schicht des anorganischen Oxids.
  • Bei einem Verfahren der Herstellung für ein OLED entsprechend der Anordnung gemäß 5 wird eine dünne halbdurchsichtige Schicht hoher Austrittsarbeit zwischen einer halbdurchsichtigen leitfähigen Oxidanode und der benachbarten ersten organischen Schicht abgeschieden. Die dünne halbdurchsichtige Schicht hoher Austrittsarbeit wird durch Abscheidung mittels Kathodenzerstäubung oder durch widerstandsbehaftete oder thermische Verdampfung mittels Elektronenstrahl aufgebracht.
  • Mit jetzt ausdrücklicher Bezugnahme auf 5, ist ein Glassubstrat 10 mit einer Schicht aus einer halbdurchsichtigen leitfähigen Indiumzinnoxid- (ITO) Schicht 20 bedeckt, typischerweise ungefähr 150 nm dick, mit einem Flächenwiderstand von typischerweise ≤ 30 Ohm je Flächeneinheit. Das Substrat kann alternativ ein Kunststoffmaterial umfassen. Die ITO Schicht 20 wird mit einer 6 nm dicken Schicht 30 beschichtet durch Verdampfung eines Kohlenstoffs mit 99,997% Reinheit mittels Elektronenstrahl. Die Schicht 30 wird dann bedeckt mit einer ca. 100 nm dicken Schicht 40 aus Poly(2-methoxy-5-(2-Äthyl hexyloxy)-1,4 Phenylen Vinylen), abgekürzt als MEH-PPV, das aus einer Xylollösung auf die Schicht 30 drallbeschichtet wird. Die MEH-PPV Schicht wird dann mit einer Kathode bedeckt, die zusammengesetzt ist aus einer ersten Schicht 50 mit ca. 50 nm aus Ca, abgeschlossen mit einer zweiten Schutzschicht 60 mit ca. 200 nm aus Al. Diese OLED Vorrichtung stellt eine verbesserte Leistungsfähigkeit der Vorrichtung zur Verfügung und im Besonderen verbesserte Betriebsstabilität verglichen mit einer Vorrichtung ohne die Kohlenstoffschicht zwischen dem ITO und dem MEH-PPV.
  • Auf diese Weise sind eine Anordnung der Vorrichtung und ein Verfahren der Herstellung beschrieben worden für ein OLED mit einer effizienten Anodenanordnung zum Injizieren von positiven Ladungsträgern, die eine halbdurchsichtige dünne leitfähige Oxidanode verwenden, um Transparenz und Leitfähigkeit zu er reichen, die aber direkten Kontakt der leitfähigen Oxidanode mit benachbarten organischen Schichten vermeiden, die bei unmittelbarem Kontakt mit der Oxidanode verschlechtert werden könnten.

Claims (23)

  1. Verfahren der Herstellung einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung, das die Schritte umfasst: Ausformen einer ersten Elektrode (2) über einem Substrat (1), Ausformen eines lichtaussendenden organischen Materials, das über der ersten Elektrode zwei oder mehr Schichten (3, 6) umfasst, wobei die oberste Schicht widerstandsfähiger ist gegenüber Abscheidung mittels Kathodenzerstäubung als die zu Grunde liegende, elektrolumineszente Schicht (6); und Ausformen einer zweiten Elektrode (4) über der obersten Schicht des lichtaussendenden organischen Materials.
  2. Verfahren der Herstellung einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei der Schritt, die zweite Elektrode auszuformen, die Schritte umfasst, eine erste Schicht aus leitfähigem Material, das eine niedrige Austrittsarbeit aufweist, über die oberste Schicht des lichtaussendenden organischen Material zu kathodenzerstäuben und eine zweite Schicht aus leitfähigem Material über die erste Schicht aus leitfähigem Material zu kathodenzerstäuben, wobei die erste Schicht aus leitfähigem Material wesentlich dünner ist als die zweite Schicht aus leitfähigem Material.
  3. Verfahren der Herstellung einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung gemäß Anspruch 2, wobei die erste Schicht aus leitfähigem Material eine Dicke von höchstens 20 nm, vorzugsweise höchstens 5 nm aufweist.
  4. Verfahren der Herstellung einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei der Schritt, die zweite Elektrode auszuformen, die Schritte umfasst, eine erste Schicht aus leitfähigem Material, das eine hohe Austrittsarbeit aufweist, über die oberste Schicht aus lichtaussendendem organischen Material zu kathodenzerstäuben und ein zweite Schicht aus leitfähigem Material über die erstes Schicht aus leitfähigem Material zu kathodenzerstäuben, wobei die erstes Schicht aus leitfähigem Material wesentlich dünner ist als die zweite Schicht aus leitfähigem Material.
  5. Verfahren der Herstellung einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung gemäß Anspruch 4, wobei die erste Schicht aus leitfähigem Material eine Dicke von weniger als 10 nm, vorzugsweise weniger als 5 nm aufweist.
  6. Verfahren der Herstellung einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung gemäß jedem vorangegangenen Anspruch, wobei der obersten Schicht des lichtaussendenden organischen Materials ein gepaartes Polymer ist.
  7. Verfahren der Herstellung einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung gemäß jedem vorangegangenen Anspruch, wobei die oberste Schicht des lichtaussendenden organischen Materials Poly(p-Phenylen Vinylen) oder ein Copolymer davon umfasst.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, wobei das Copolymer ungepaarte Abschnitte umfasst.
  9. Verfahren gemäß jedem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die oberste Schicht des lichtaussendenden organischen Materials Poly(Thienylen Vinylen), Poly(p-Phenylen) oder Poly(Naphthylen Vinylen) umfasst.
  10. Verfahren gemäß jedem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die oberste Schicht des lichtaussendenden organischen Materials Polyquinolin, Polyquinoxalin, Polyhydrazin, Polypyridin oder Polynaphthylpyridin oder ein Copolymer davon umfasst.
  11. Verfahren gemäß jedem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die oberste Schicht des lichtaussendenden organischen Materials Polyazomethin umfasst.
  12. Verfahren gemäß jedem der Ansprüche 1 bis '5, wobei die oberste Schicht des lichtaussendenden organischen Materials Poly-Pyridyl-Vinylen oder ein Copolymer davon umfasst.
  13. Verfahren gemäß jedem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die oberste Schicht des lichtaussendenden organischen Materials ein Oxadiazol-Polymer oder ein Copolymer davon umfasst.
  14. Verfahren gemäß jedem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die oberste Schicht des lichtaussendenden organischen Materials ein Polymer umfasst, das eine einem starren Stab oder einer Leiter ähnliche Struktur aufweist.
  15. Verfahren gemäß jedem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die oberste Schicht des lichtaussendenden organischen Materials ein leitendes Polymer umfasst.
  16. Verfahren der Herstellung einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung nach Anspruch 15, wobei die oberste Schicht des lichtaussendenden organischen Materials Polybenzobisoxazol (PBO) oder Polybenzobisthiazol (PBT) ist.
  17. Verfahren gemäß jedem der Ansprüchen 1 bis 5, wobei die oberste Schicht des lichtaussendenden organischen Materials Polyanilin, Polyethylendioxythiophen oder dotiertes Poly(p-Phenylen Vinylen) umfasst.
  18. Verfahren gemäß jedem der vorangegangenen Ansprüche, wobei die zu Grunde liegende Schicht des lichtaussendenden organischen Materials ein gepaartes Polymer ist.
  19. Verfahren gemäß jedem der vorangegangenen Ansprüche, wobei die zu Grunde liegende Schicht des lichtaussendenden organischen Materials ein lösliches Derivat aus Poly(p-Phenylen Vinylen) mit Di-alkoxy Seitenketten ist.
  20. Verfahren der Herstellung einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung nach Anspruch 19, wobei die zu Grunde liegende Schicht des lichtaussendenden organischen Materials Poly[2-Methoxy, 5-(2'-Athyl-Hexyloxy)-p-Phenylen Vinylen] ist.
  21. Verfahren der Herstellung einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung gemäß jedem der Ansprüche 1 bis 17, wobei die zu Grunde liegende Schicht des lichtaussendenden organischen Materials eine Zusammensetzung niedrigen molekularen Gewichts ist.
  22. Verfahren der Herstellung einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung gemäß jedem der vorangegangenen Ansprüche, wobei die oberste Schicht des lichtaussendenden organischen Materials wesentlich dünner ist als die gesamte Dicke der zu Grunde liegenden Schicht oder der Schichten des lichtaussendenden organischen Materials.
  23. Organische lichtemittierende Vorrichtung, umfassend: eine erste Elektrode (2), ein lichtaussendendes organisches Material, das zwei oder mehr Schichten (3, 6) umfasst, wobei die oberste Schicht (3) widerstandsfähiger ist gegenüber Abscheidung mittels Kathodenzerstäubung als die zu Grunde liegende, elektrolumineszente Schicht (6); und eine zweite, über der obersten Schicht des lichtaussendenden organischen Materials ausgeformte Elektrode (4); wobei die zweite Elektrode mindestens eine Schicht umfasst und die der obersten Schicht des lichtaussendenden organischen Materials benachbarte Schicht eine kathodenzerstäubte Schicht ist.
DE69737866T 1996-09-04 1997-09-04 Elektrodenabscheidung für organische lichtemittierende vorrichtungen Expired - Lifetime DE69737866T2 (de)

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB9618473 1996-09-04
GB9618474 1996-09-04
GB9618475 1996-09-04
GBGB9618475.9A GB9618475D0 (en) 1996-09-04 1996-09-04 Electrode deposition for organic light-emitting devices
GBGB9618474.2A GB9618474D0 (en) 1996-09-04 1996-09-04 Organic light-emitting devices with improved cathode
GBGB9618473.4A GB9618473D0 (en) 1996-09-04 1996-09-04 Organic light-emitting devices with improved anode
GB9712295 1997-06-12
GBGB9712295.6A GB9712295D0 (en) 1997-06-12 1997-06-12 Electrode deposition for organic light-emitting devices
PCT/GB1997/002395 WO1998010473A1 (en) 1996-09-04 1997-09-04 Electrode deposition for organic light-emitting devices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69737866D1 DE69737866D1 (de) 2007-08-09
DE69737866T2 true DE69737866T2 (de) 2008-02-28

Family

ID=27451518

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69737866T Expired - Lifetime DE69737866T2 (de) 1996-09-04 1997-09-04 Elektrodenabscheidung für organische lichtemittierende vorrichtungen

Country Status (7)

Country Link
US (2) US6402579B1 (de)
EP (1) EP0946993B8 (de)
JP (3) JP3813990B2 (de)
AT (1) ATE365976T1 (de)
DE (1) DE69737866T2 (de)
GB (1) GB2332094A (de)
WO (1) WO1998010473A1 (de)

Families Citing this family (102)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3813990B2 (ja) * 1996-09-04 2006-08-23 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド 有機発光デバイスおよびその製造方法
EP0950254A4 (de) * 1996-12-23 2002-11-27 Univ Princeton Organisches lichtemittierendes bauelement mit einer schutzschicht
GB9713074D0 (en) 1997-06-21 1997-08-27 Cambridge Display Tech Ltd Electrically-conducting colour filters for use in organic light-emitting displays
JP2000082588A (ja) * 1997-09-22 2000-03-21 Fuji Electric Co Ltd 有機発光素子およびその製造方法
JPH11162652A (ja) * 1997-12-02 1999-06-18 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機el素子およびその製造方法
WO1999054943A1 (en) * 1998-04-21 1999-10-28 The Dow Chemical Company Organic electroluminescent devices with improved stability in air
EP0966050A3 (de) * 1998-06-18 2004-11-17 Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Organische Leuchtdiode
KR100635429B1 (ko) * 1998-08-03 2006-10-18 듀폰 디스플레이즈, 인크. 무기 재료를 사용한 중합체-기재 고체 장치의 캡슐화
JP3776600B2 (ja) 1998-08-13 2006-05-17 Tdk株式会社 有機el素子
US20030074672A1 (en) * 1998-09-22 2003-04-17 John Daniels Multiuser internet gateway system
JP2000123976A (ja) * 1998-10-09 2000-04-28 Tdk Corp 有機el素子
AU1111200A (en) 1998-10-14 2000-05-01 Uniax Corporation Thin metal-oxide layer as stable electron-injecting electrode for light emittingdiodes
JP2000173776A (ja) 1998-12-07 2000-06-23 Tdk Corp 有機el素子
CN1150639C (zh) * 1998-12-17 2004-05-19 剑桥显示技术有限公司 有机发光装置
CN1188919C (zh) * 1998-12-17 2005-02-09 剑桥显示技术有限公司 制作有机光发射装置的方法
JP2000208276A (ja) 1999-01-13 2000-07-28 Tdk Corp 有機el素子
JP3824798B2 (ja) * 1999-01-21 2006-09-20 Tdk株式会社 有機el素子
JP2000223273A (ja) * 1999-01-27 2000-08-11 Tdk Corp 有機el素子
JP2000223272A (ja) * 1999-01-27 2000-08-11 Tdk Corp 有機el素子
GB9903251D0 (en) * 1999-02-12 1999-04-07 Cambridge Display Tech Ltd Opto-electric devices
JP4255041B2 (ja) * 1999-04-02 2009-04-15 Tdk株式会社 有機el素子
US6593687B1 (en) * 1999-07-20 2003-07-15 Sri International Cavity-emission electroluminescent device and method for forming the device
US6593690B1 (en) 1999-09-03 2003-07-15 3M Innovative Properties Company Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same
JP2001148292A (ja) * 1999-09-08 2001-05-29 Denso Corp 有機el素子
US6465824B1 (en) * 2000-03-09 2002-10-15 General Electric Company Imager structure
JP4474721B2 (ja) 2000-03-15 2010-06-09 ソニー株式会社 有機又は無機発光素子
DE10152655B4 (de) * 2000-10-17 2013-10-02 Samsung Display Co., Ltd. Verfahren zur Herstellung einer organischen Elektrolumineszenz-Vorrichtung
JP4696355B2 (ja) * 2000-12-08 2011-06-08 Tdk株式会社 有機el素子
JP2002216976A (ja) 2001-01-15 2002-08-02 Sony Corp 発光素子及びその製造方法
US6737293B2 (en) * 2001-02-07 2004-05-18 Agfa-Gevaert Manufacturing of a thin film inorganic light emitting diode
US6777249B2 (en) * 2001-06-01 2004-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of repairing a light-emitting device, and method of manufacturing a light-emitting device
DE10135513B4 (de) 2001-07-20 2005-02-24 Novaled Gmbh Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten
US7524528B2 (en) * 2001-10-05 2009-04-28 Cabot Corporation Precursor compositions and methods for the deposition of passive electrical components on a substrate
WO2003035279A1 (en) 2001-10-19 2003-05-01 Superior Micropowders Llc Tape compositions for the deposition of electronic features
US7553512B2 (en) * 2001-11-02 2009-06-30 Cabot Corporation Method for fabricating an inorganic resistor
US7453202B2 (en) 2001-11-28 2008-11-18 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic EL display device having organic soluble derivative layer
KR100478522B1 (ko) * 2001-11-28 2005-03-28 삼성에스디아이 주식회사 유기 화합물 유도체막층을 포함하고 있는 고분자 유기전계 발광 소자 및 그 제조 방법
US7378124B2 (en) * 2002-03-01 2008-05-27 John James Daniels Organic and inorganic light active devices and methods for making the same
US6876143B2 (en) * 2002-11-19 2005-04-05 John James Daniels Organic light active devices and methods for fabricating the same
DE10215210B4 (de) * 2002-03-28 2006-07-13 Novaled Gmbh Transparentes, thermisch stabiles lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten
US20100026176A1 (en) 2002-03-28 2010-02-04 Jan Blochwitz-Nomith Transparent, Thermally Stable Light-Emitting Component Having Organic Layers
US7230271B2 (en) * 2002-06-11 2007-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof
WO2004022343A2 (en) 2002-09-04 2004-03-18 John Daniels Printer and method for manufacturing electronic circuits and displays
US7161590B2 (en) * 2002-09-04 2007-01-09 John James Daniels Thin, lightweight, flexible, bright, wireless display
US20040043139A1 (en) * 2002-09-04 2004-03-04 Daniels John James Printer and method for manufacturing electronic circuits and displays
US6824321B2 (en) * 2002-09-19 2004-11-30 Siemens Communications, Inc. Keypad assembly
JP2004119015A (ja) * 2002-09-20 2004-04-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2004119016A (ja) * 2002-09-20 2004-04-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US7015639B2 (en) * 2002-10-22 2006-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Electroluminescent devices and method of making transparent cathodes
US7256427B2 (en) * 2002-11-19 2007-08-14 Articulated Technologies, Llc Organic light active devices with particulated light active material in a carrier matrix
US20040099926A1 (en) * 2002-11-22 2004-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and light-emitting device, and methods of manufacturing the same
TW595251B (en) * 2002-12-09 2004-06-21 Univ Nat Cheng Kung Method for manufacturing organic light-emitting diodes
US7086918B2 (en) * 2002-12-11 2006-08-08 Applied Materials, Inc. Low temperature process for passivation applications
US6790594B1 (en) * 2003-03-20 2004-09-14 Eastman Kodak Company High absorption donor substrate coatable with organic layer(s) transferrable in response to incident laser light
KR100546324B1 (ko) * 2003-04-22 2006-01-26 삼성전자주식회사 Ald에 의한 금속 산화물 박막 형성 방법, 란탄 산화막 형성 방법 및 반도체 소자의 고유전막 형성 방법
KR100527189B1 (ko) * 2003-05-28 2005-11-08 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
KR20060113884A (ko) * 2003-08-05 2006-11-03 테크니체 우니베르시테트 브라운츠바이그 차롤오-빌헬미나 친유성의, 선형 또는 이차원적 다환 방향족을 포함하는층의 방지층 또는 봉지로서의 사용 및 이런 유형의 층으로구성되며 유기 중합체를 포함하는 전기 부품
KR20050017169A (ko) * 2003-08-08 2005-02-22 삼성에스디아이 주식회사 애노드 표면 개질층을 사용하는 유기 전계 발광 소자
JP4731865B2 (ja) * 2003-10-03 2011-07-27 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US7541734B2 (en) 2003-10-03 2009-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device having a layer with a metal oxide and a benzoxazole derivative
US7858994B2 (en) * 2006-06-16 2010-12-28 Articulated Technologies, Llc Solid state light sheet and bare die semiconductor circuits with series connected bare die circuit elements
US7294961B2 (en) * 2004-03-29 2007-11-13 Articulated Technologies, Llc Photo-radiation source provided with emissive particles dispersed in a charge-transport matrix
US7052924B2 (en) * 2004-03-29 2006-05-30 Articulated Technologies, Llc Light active sheet and methods for making the same
US7259030B2 (en) * 2004-03-29 2007-08-21 Articulated Technologies, Llc Roll-to-roll fabricated light sheet and encapsulated semiconductor circuit devices
US7217956B2 (en) * 2004-03-29 2007-05-15 Articulated Technologies, Llc. Light active sheet material
US7427782B2 (en) 2004-03-29 2008-09-23 Articulated Technologies, Llc Roll-to-roll fabricated light sheet and encapsulated semiconductor circuit devices
JP4610408B2 (ja) * 2004-04-28 2011-01-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子およびその作製方法、並びに発光装置
DE102004025578B4 (de) * 2004-05-25 2009-04-23 Applied Materials Gmbh & Co. Kg Verfahren zum Herstellen von organischen, Licht emittierenden Flächenelementen und Verwendung dieses Verfahrens
KR101200860B1 (ko) * 2004-05-28 2012-11-13 글로벌 오엘이디 테크놀러지 엘엘씨 안정한 중간 연결부를 갖는 직렬식 oled
US7126267B2 (en) * 2004-05-28 2006-10-24 Eastman Kodak Company Tandem OLED having stable intermediate connectors
US20050282307A1 (en) * 2004-06-21 2005-12-22 Daniels John J Particulate for organic and inorganic light active devices and methods for fabricating the same
US7679591B2 (en) * 2004-07-09 2010-03-16 Au Optronics Corporation Light emitting display device
US6992326B1 (en) 2004-08-03 2006-01-31 Dupont Displays, Inc. Electronic device and process for forming same
US7803254B2 (en) * 2004-12-30 2010-09-28 E. I. Du Pont De Nemours And Company Processes for forming electronic devices and electronic devices formed by such processes
TWI253878B (en) * 2005-03-09 2006-04-21 Au Optronics Corp Organic electroluminescent element and display device including the same
US7628896B2 (en) * 2005-07-05 2009-12-08 Guardian Industries Corp. Coated article with transparent conductive oxide film doped to adjust Fermi level, and method of making same
US8845866B2 (en) * 2005-12-22 2014-09-30 General Electric Company Optoelectronic devices having electrode films and methods and system for manufacturing the same
US7696683B2 (en) * 2006-01-19 2010-04-13 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent element and the manufacturing method
JP2007220359A (ja) * 2006-02-14 2007-08-30 Tokyo Electron Ltd 発光素子、発光素子の製造方法、および基板処理装置
EP1830421A3 (de) 2006-03-03 2012-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung, Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung und blattförmiges Dichtungsmaterial
US20080001537A1 (en) * 2006-06-28 2008-01-03 Tpo Displays Corp. System for displaying images
WO2008032584A1 (fr) * 2006-09-11 2008-03-20 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. Dispositif d'affichage électroluminescent organique
TWI338533B (en) * 2006-09-18 2011-03-01 Au Optronics Corp White organic electroluminescent elements and display using the same
US8697254B2 (en) 2006-11-14 2014-04-15 Sri International Cavity electroluminescent devices and methods for producing the same
US7750558B2 (en) * 2006-12-27 2010-07-06 Global Oled Technology Llc OLED with protective electrode
US7646144B2 (en) * 2006-12-27 2010-01-12 Eastman Kodak Company OLED with protective bi-layer electrode
ES2345739T3 (es) 2007-12-27 2010-09-30 Industrial Technology Research Institute Derivados de politiofeno solubles.
CN101971386B (zh) 2008-01-24 2012-07-04 思研(Sri)国际顾问与咨询公司 高效率电致发光器件及其制造方法
DE102008034256A1 (de) * 2008-07-18 2010-01-21 Technische Universität Dresden Photoaktives Bauelement mit organischen Schichten
US8461758B2 (en) 2008-12-19 2013-06-11 E I Du Pont De Nemours And Company Buffer bilayers for electronic devices
TWI418571B (zh) * 2009-05-15 2013-12-11 Ind Tech Res Inst 可溶性聚噻吩衍生物
US8258508B2 (en) * 2009-08-07 2012-09-04 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Anode structure for use in organic EL device, production method thereof and organic EL device
US8329505B2 (en) * 2010-01-29 2012-12-11 Lock Haven University Of Pennsylvania Method for deposition of cathodes for polymer optoelectronic devices
US9287339B2 (en) 2010-10-28 2016-03-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
US20150034926A1 (en) * 2012-01-31 2015-02-05 Panasonic Corporation Organic electroluminescence element
JP6142211B2 (ja) * 2012-02-08 2017-06-07 株式会社Joled 有機el素子の製造方法
WO2014020788A1 (ja) * 2012-08-01 2014-02-06 パナソニック株式会社 有機電界発光素子の製造方法
JP6142326B2 (ja) * 2012-08-01 2017-06-07 株式会社Joled 有機電界発光素子および有機電界発光素子の製造方法
KR102149937B1 (ko) 2013-02-22 2020-09-01 삼성전자주식회사 광전 소자 및 이미지 센서
CN108281565A (zh) * 2017-01-05 2018-07-13 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种电极及应用其的有机电致发光器件
CN107623079B (zh) * 2017-10-31 2021-01-29 京东方科技集团股份有限公司 Oled器件及其制备方法、oled显示基板和装置
US10648069B2 (en) * 2018-10-16 2020-05-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Monolayer-by-monolayer growth of MgO layers using Mg sublimation and oxidation

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
US4885211A (en) 1987-02-11 1989-12-05 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
US5006915A (en) * 1989-02-14 1991-04-09 Ricoh Company, Ltd. Electric device and photoelectric conversion device comprising the same
GB8909011D0 (en) * 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
EP0443861B2 (de) 1990-02-23 2008-05-28 Sumitomo Chemical Company, Limited Organisch elektrolumineszente Vorrichtung
US5047687A (en) 1990-07-26 1991-09-10 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilized cathode
US5059862A (en) 1990-07-26 1991-10-22 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
US5073446A (en) 1990-07-26 1991-12-17 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilizing fused metal particle cathode
US5059861A (en) 1990-07-26 1991-10-22 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilizing cathode capping layer
EP0549345B1 (de) 1991-12-24 1997-03-05 MITSUI TOATSU CHEMICALS, Inc. Organisches elektrolumineszentes Dünnfilmelement
US5343050A (en) 1992-01-07 1994-08-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic electroluminescent device with low barrier height
US5429884A (en) 1992-01-17 1995-07-04 Pioneer Electronic Corporation Organic electroluminescent element
EP0563009B1 (de) 1992-03-23 1998-05-13 Ciba SC Holding AG Organisches Elektrolumineszentelement
JPH05307997A (ja) 1992-04-30 1993-11-19 Pioneer Electron Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1994003032A1 (en) 1992-07-23 1994-02-03 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic el device
GB9215929D0 (en) * 1992-07-27 1992-09-09 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent devices
US5428884A (en) 1992-11-10 1995-07-04 Tns Mills, Inc. Yarn conditioning process
JP2848207B2 (ja) 1993-09-17 1999-01-20 凸版印刷株式会社 有機薄膜el素子
JPH07150137A (ja) 1993-11-30 1995-06-13 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機電界発光素子
US5723873A (en) * 1994-03-03 1998-03-03 Yang; Yang Bilayer composite electrodes for diodes
JP2701738B2 (ja) 1994-05-17 1998-01-21 日本電気株式会社 有機薄膜el素子
US5558904A (en) * 1994-07-08 1996-09-24 Xerox Corporation Electroluminescent devices containing a conjugated polymer obtained via halogen precursor route chemistry
JP3428152B2 (ja) * 1994-07-13 2003-07-22 松下電器産業株式会社 有機el素子の製造方法
JPH08264278A (ja) 1995-03-28 1996-10-11 Japan Radio Co Ltd 有機el素子
JPH0935871A (ja) 1995-07-24 1997-02-07 Sumitomo Chem Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3813990B2 (ja) * 1996-09-04 2006-08-23 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド 有機発光デバイスおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6402579B1 (en) 2002-06-11
JP2000517469A (ja) 2000-12-26
WO1998010473A1 (en) 1998-03-12
JP3813990B2 (ja) 2006-08-23
US6488555B2 (en) 2002-12-03
GB2332094A (en) 1999-06-09
JP4487010B2 (ja) 2010-06-23
EP0946993B8 (de) 2007-09-12
GB9904764D0 (en) 1999-04-28
US20020109458A1 (en) 2002-08-15
DE69737866D1 (de) 2007-08-09
EP0946993B1 (de) 2007-06-27
JP2009059718A (ja) 2009-03-19
JP2005197210A (ja) 2005-07-21
EP0946993A1 (de) 1999-10-06
ATE365976T1 (de) 2007-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69737866T2 (de) Elektrodenabscheidung für organische lichtemittierende vorrichtungen
DE69724129T2 (de) Lichtemittierende organische vorrichtungen mit verbesserter kathode
DE69734131T2 (de) Zweischichtige elektroneninjektionselektrode zur verwendung in einer elektrolumineszenzvorrichtung
DE69729394T2 (de) Organische elektrolumineszente Vorrichtung
DE69531509T2 (de) Organisch/anorganische legierungen zur verbesserung organischer elektroluminiszierender vorrichtungen
DE69737733T2 (de) Lichtemittierende Diode
DE112009001283T5 (de) Organisches Elektrolumineszenzelement
US8431931B2 (en) Reflective anode and wiring film for organic EL display device
DE69815349T2 (de) Dünnschicht-elektrode für flache organische lichtabgebende vorrichtungen
JP2005183406A6 (ja) 有機発光デバイス
DE102008020816B4 (de) Organische Leuchtdiode, flächiges, optisch aktives Element mit einer Kontaktanordnung und Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtdiode
JPH07312290A (ja) 有機薄膜el素子
DE19625993A1 (de) Organisches elektrolumineszentes Bauteil mit Ladungstransportschicht
WO2004057686A2 (de) Lichtemittierende anordnung
WO2000057499A1 (de) Organisches elektrolumineszierendes bauteil
WO2005106987A1 (de) Schichtanordnung für eine organische lichtemittierende diode
JPH1167459A (ja) 有機el素子およびその製造方法
EP0817540A2 (de) Eletrolumineszierende Anordnungen unter Verwendung von lamellaren Elektroden
JPH05326143A (ja) 有機電界発光素子
EP1983593B1 (de) Organisches optoelektronisches Bauelement
WO1998054767A1 (de) Leitfähiges schichtsystem und dessen verwendung in elektrolumineszierenden anordnungen
DE10351822B4 (de) OLED-Bauelement und Display auf Basis von OLED-Bauelementen mit verbesserter Effizienz
Itoh et al. 47.1: Invited Paper: Development of Novel Paste Cathode for all Print Fabricating OLED Devices

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition