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Die vorliegende Erfindung bezieht
sich auf die Herstellung von integrierten Schaltungen durch eine
chemische Gasphasenabscheidung in einer Vakuumkammer. Insbesondere
bezieht sich die Erfindung auf ein Verfahren und eine Vorrichtung,
die die Ausbildung hoch qualitativer CVD-Filme sowohl unter Verwendung
einer Bearbeitung bei niedriger Temperatur (beispielsweise ungefähr 400°C) als auch
bei hoher Temperatur (beispielsweise bei über ungefähr 580°C) ermöglichen. Die vorliegende Erfindung
ist speziell nützlich
bei der Abscheidung von chemischen Verbindungen auf TEOS-Basis (Tetraethylorthosilicat)
und auf der Basis von Silan, die die PECVD und SACVD Abscheidung
von Silikonoxid, Silikonnitrid, Silikonoxynitrid und amorphem Silikon als
auch dotierter Silikonoxyde, wie Borphosophor-Silikatglas, Phosphorsilikatglas
und mit Fluor dotiertes Silikatglas einschließt. Die vorliegende Erfindung
kann jedoch auch mit anderen chemischen Abscheidungsvorgängen verwendet
werden.
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Einer der grundlegenden Schritte
bei der Herstellung moderner Halbleitereinrichtungen ist die Ausbildung
eines dünnen
Films auf einem Halbleitersubstrat durch die chemische Reaktion
von Gasen. Ein solches Abscheidungsverfahren wird als chemische
Gasphasenabscheidung oder CVD bezeichnet. Konventionelle thermische
CVD-Verfahren liefern
reaktive Gase zur Substratoberfläche,
wo durch Hitze induzierte chemische Reaktionen stattfinden, um einen
gewünschten
Film zu erzeugen.
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Ein alternatives Verfahren für das Abscheiden
von Schichten über
einem Substrat umfasst plasmaverstärkte CVD-Techniken (PECVD-Techniken). Plasmaverstärkte CVD-Techniken fördern die
Stimulation und/oder die Dissoziation der reaktiven Gase durch die
Anwendung einer Radiofrequenzenergie (RF-Energie) auf eine Reaktionszone
nahe der Oberfläche
des Substrats, um somit ein Plasma zu schaffen. Die hohe Reaktionsfreudigkeit
der Spezies im Plasma reduziert die Energie, die erforderlich ist,
damit eine chemische Reaktion stattfindet, und erniedrigt im Vergleich
zu konventionellen thermischen CVD-Verfahren somit die Temperatur,
die für
solche CVD-Verfahren erforderlich ist. Die relativ niedrige Temperatur
einiger PECVD-Verfahren hilft den Herstellern von Halbleitern, das
gesamte thermische Budget bei der Herstellung integrierter Schaltungen zu
senken.
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Die Abmessungen von Halbleitervorrichtungen
haben sich in ihrer Größe dramatisch
vermindert, seit solche Vorrichtungen vor einigen Jahrzehnten zum
ersten Mal eingeführt
wurden. Seit damals sind die integrierten Schaltungen im allgemeinen
dem Gesetz achtzehn Monate/halbe Größe (das oft als "Moore-Gesetz" bezeichnet wird)
gefolgt, was bedeutet, dass die Anzahl von Vorrichtungen, die auf
einen Chip passt, sich alle achtzehn Monate vervierfacht. Die Betriebe
zur Waferherstellung produzieren heutzutage routinemäßig integrierte
Schaltungen, die Elemente in der Größe von 0,5 μm und sogar von 0,25 μm aufweisen,
und zukünftige
Produktionsanlagen werden Vorrichtungen produzieren, die noch kleinere
Geometrien aufweisen.
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Eine solche Abnahme in der Größe wurde teilweise
durch Fortschritte bei der Technologie, die die die Vorrichtungen
zur Herstellung der Halbleiter betreffen, wie beispielsweise den
Substratbehandlungskammern, die für die PECVD-Behandlung verwendet
werden, möglich.
Einige der technologischen Fortschritte schließen Fortschritte ein, die sich
in der Gestaltung und der Herstellung gewisser CVD-Abscheidungssystem,
die heutzutage in Fabrikationseinrichtungen verwendet werden, widerspiegeln, während andere
sich in verschiedenen Stadien der Entwicklung befinden und bald
bei den zukünftigen Fabrikationseinrichtungen
eine weit verbreitete Verwendung finden werden.
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Ein technologischer Fortschritt,
der allgemein in heutigen Fabrikationseinrichtungen verwendet wird,
umfasst die Verwendung einer PECVD-Technik, die oft als PECVD mit
gemischter Frequenz bezeichnet wird, bei der sowohl hochfrequente
als auch niederfrequente RF-Energie verwendet wird, um ein Plasma
zu erzeugen und den Ionenbeschuss eines Substrats zu fördern. Ein
solches Mischfrequenzverfahren koppelt hochfrequente als auch niederfrequente
RF-Energie an einen Metallgasverteilungsrohr, das als eine erste
Elektrode dient. In diesem Verfahren ist die Anwendung der RF-Energie
hoher Frequenz der primäre
Mechanismus, der die Reaktionsteilnehmergase dissoziiert, während die
Anwendung der RF-Energie niedriger Frequenz den Ionenbeschuss eines
Substrats, das auf einem geerdeten Substratträger angeordnet ist, der auch
als eine zweite Elektrode dient, fördert. Ein anderes Verfahren
mit gemischter Frequenz koppelt die RF-Energie mit hoher Frequenz
an ein Gasverteilungsrohr (erste Elektrode) und es koppelt RF-Energie
mit niedriger Frequenz an einen Substrathalter (zweite Elektrode).
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Ein anderer technologischer Fortschritt,
der bei einigen aktuell erhältlichen
PECVD-Abscheidungskammern verwendet wird, umfasst die Verwendung
konischer Öffnungen
im Gasverteilungsrohr, um die Dissoziation der Gase, die in eine
Kammer einge führt
werden, zu erhöhen.
Eine detailliertere Beschreibung solcher konischen Öffnungen
ist im US-Patent 4,854,263 enthalten.
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Ein Beispiel eines technologischen
Fortschritts, das neuer als die oben angegebenen ist, ist die Verwendung
von Keramikerzeugnissen in einer CVD-Kammer, um es zu ermöglichen,
dass der Reaktor bei Hochtemperaturvorgängen verwendet werden kann.
Eine CVD-Kammer, die speziell für
eine solche Hochtemperaturbehandlung gestaltet ist und eine keramische
Heizeinrichtung unter anderen Merkmalen der Kammer einschließt, ist
in der oben angegebenen Anmeldung 08/800,896 beschrieben.
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Fortschritte in der Technologie,
wie die gerade oben beschriebenen, sind nicht ohne Einschränkungen.
Beispielsweise muss, während PECVD-Techniken
mit gemischter Frequenz sich bei einer Vielzahl von Anwendungen
als vorteilhaft erwiesen haben, die gleichzeitige Anwendung der
Wellenformen mit hoher Frequenz und der Wellenformen mit niedriger
Frequenz gesteuert werden, um Interferenzen zu vermeiden, die zu
hohen Spannungen und einer Lichtbogenbildung im Gasverteiler führen könnten. Eine
Lichtbogenbildung kann von einer Glimmentladung in den Öffnungen
im Gasverteiler zeugen und von einer Reduktion in der Abscheidungsmenge pro
Zeiteinheit, wenn die Amplitude der Spannung mit hoher Frequenz
erhöht
wird. Eine Lichtbogenbildung wird typischerweise durch das Verwenden
einer oder mehrerer der folgenden Techniken verhindert: Halten des
Drucks in der Vakuumkammer über
einem minimalen Pegel für
ein spezielles Verfahren, ein Betrieb, bei dem die RF-Energie mit
niedriger Frequenz auf einen Wert von weniger als 30% der gesamten RF-Energie
eingestellt wird, und/oder durch das Reduzieren der gesamten RF-Energie.
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In der Vergangenheit wurde Experimente durchgeführt, bei
denen konische Öffnungen
bei einer PECVD-Kammer mit gemischter Frequenz, bei der die RF-Energiequellen mit
hoher Frequenz als auch die RF-Energiequellen mit niedriger Frequenz mit
dem Gasverteiler verbunden waren, verwendet wurden. Bei diesen Experimenten
wurde herausgefunden, dass das Problem der Lichtbogenbildung weiter
bis zu dem Punkt erhöht
wurde, bei der es die Filmabscheidung wesentlich stört. Somit
verwenden alle PECVD-Systeme mit gemischter Frequenz, die den Erfindern
bekannt sind, gerade statt konische Öffnungen im Gasverteiler.
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Somit ist es wünschenswert, eine Technologie
für Substratabscheidungskammern
zu entwickeln, die es Herstellern von Halbleitern ermöglicht, gleichzeitig
die Vorteile von konischen Öffnungen
als auch von PECVD-Abscheidungstechniken mit gemischter Frequenz
zu nutzen.
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die vorliegende Erfindung liefert
ein verbessertes Verfahren und eine verbesserte Vorrichtung für das Abscheiden
von CVD-Filmen auf einem Substrat. Die Vorrichtung verwendet eine
RF-Energie mit gemischter Frequenz und umfasst einen Gasverteiler mit
konischen Öffnungen.
Das Potential für
eine Lichtbogenbildung wird stark reduziert durch das Verbinden
der RF-Energiequelle mit niedriger Frequenz mit einer Elektrode,
die in den Substrathalter eingebettet ist, und das Verbinden der
Energiequelle hoher Frequenz mit dem Gasverteiler, der auch als
eine Elektrode fungiert. Ein unabhängiges Anpassungsnetzwerk entkoppelt
die Wellenform mit niedriger Frequenz von der Wellenform mit hoher
Frequenz, um die Phaseninterferenzen zwischen den Wellenformen zu
minimieren.
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Der Ausdruck "konische Öffnung", wie er hier verwendet wird, bezieht
sich auf jede Öffnung,
die gestaltet ist, um die Dissoziation und die Reaktionsfähigkeit
von Gasen, die in die Reaktionszone durch die Öffnung eingeführt werden,
zu erhöhen,
wobei der Durchmesser des Gasauslasses größer als der Durchmesser des
Gaseinlasses ist. Somit sind vertikale Querschnittsformen, bei denen
es sich nicht um konische Formen handelt, in der Bedeutung "konische Öffnung", wie sie hier verwendet
wird, enthalten. Ein anderes Beispiel einer konischen Öffnung ist in 4B gezeigt. Die in 4B gezeigte Öffnung weist
einen konkaven Querschnitt 51 auf. Nochmals andere Öffnungen,
die andere vertikale Querschnitte aufweisen, die unter anderem konvexe,
parabolische, hyperbolische, schüsselartige
und halb-elliptische Formen einschließen, können ebenfalls verwendet werden.
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Diese Merkmale werden kombiniert,
um Abscheidungsverfahren zu ermöglichen,
die bei Bedingungen ablaufen, die bei bisherigen Substratbehandlungskammern
nicht erzielbar waren, und um es auch zu ermöglichen, dass die Substratbehandlungsvorrichtung
der vorliegenden Erfindung bei Abscheidungsverfahren unterhalb 0,35 μm, die Verfahren von
0,25 und 0,18 μm
einschließen,
verwendet werden kann.
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Ein Substratbehandlungssystem gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung umfasst einen keramischen Substrathalter
mit einer eingebetteten RF-Elektrode und einen Gasverteiler, der
in einem Abstand vom Substrathalter angeordnet ist. Der Gasverteiler
liefert ein oder mehrere Prozessgase durch mehrere konische Öffnungen
zu einer Reaktionszone einer Substratbehandlungskammer innerhalb
des Behandlungssystems und dient auch als eine zweite RF-Elektrode.
Jede konischen Öffnung
weist einen Auslass auf, der in die Reaktionszone mündet, und
einen Einlass, der in einem Abstand vom Auslass angeordnet ist,
der einen kleineren Durchmesser als der Auslass aufweist. Eine RF-Energieversorgung
mit gemischter Frequenz ist mit dem Substratbehandlungssystem verbunden,
wobei eine RF-Energiequelle hoher Frequenz mit der Gaseinlasselektrode
verbunden ist, und wobei eine RF-Energiequelle mit niedriger Frequenz
mit der Substrathalterelektrode verbunden ist. Ein RF-Filter- und
Anpassungsnetzwerk entkoppelt die Wellenform mit hoher Frequenz
von der Wellenform mit niedriger Frequenz. Eine solche Konfiguration
erlaubt einen vergrößerten Verfahrensbereich
und liefert eine Abscheidung von Filmen, die Silikonnitridfilme
einschließen,
die physikalische Eigenschaften aufweisen, die bisher nicht erzielbar
waren.
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In einer bevorzugten Ausführungsform
des Verfahrens der vorliegenden Erfindung wird ein Silikonnitridfilm
abgeschieden. Ein Prozessgas, das Silan, Ammoniak und molekularen
Stickstoff einschließt,
wird durch einen Gasverteiler, der konische Öffnungen aufweist, eingeführt, und
ein Plasma wird aus dem Prozessgas unter Verwendung einer RF-Energie mit gemischter
Frequenz ausgebildet. Die Komponente mit hoher Frequenz (HF) wird
an den Gasverteiler angelegt, während
die Komponente mit niedriger Frequenz (LF) an eine Bodenelektrode angelegt
wird. Es ist gezeigt worden, dass Silikonnitridfilme, die gemäß dieser
Ausführungsform
unter Behandlungsbedingungen niedriger Temperatur abgeschieden wurden,
eine Nassätzgeschwindigkeit (WER)
von nur 170 Å/min
aufweisen kann, während sie
ausgezeichnete Stufenbedeckungseigenschaften bei Seitenverhältnissen
von 2 : 1 oder höher
aufweisen. Es konnte auch gezeigt werden, dass Silikonnitridfilme,
die gemäß dieser
Ausführungsform
unter Hochtemperaturbehandlungsbedingungen (über 580°C) abgelagert wurden, eine WER
von 15 Å/min oder
weniger haben können.
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Die ausgezeichneten physikalischen
Eigenschaften dieser Silikonnitridfilme werden teilweise erzielt,
da sie bei Größen des
Drucks und der RF-Energie abgeschieden werden können, die bisher in anderen
Kammern nicht möglich
waren. Beispielsweise ist in einer stärker bevorzugten Ausführungsform
das Verhältnis
der LF-Energie zur gesamten RF-Energie größer als 50%. Während in
einer anderen bevorzugten Ausführungsform
die Silikonnitridabscheidungssequenz bei einem Druck zwischen 2,66 × 102 bis 6,66 × 102 Pascal
(2 und 5 Torr) stattfindet. Die physikalischen Eigenschaften werden
zum Teil auch durch die Verwendung konischer Öffnungen, die wiederum die
Plasmadichte und die Ionisierungseffizienz des geschaffenen Plasmas
erhöhen,
was somit im Vergleich zu NH eine erhöhte Menge von N2 ergibt, die
als Prozessgas verwendet wird. Der reduzierte NH3-Gehalt im Prozessgas
führt zu
weniger Wasserstoff im Film und einer geringeren WER.
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In einer anderen Ausführungsform
wird eine bipolare asymmetrische RF-Wellenform mit niedriger Frequenz, die
auch als Dreieck- oder Sägezahnwellenform
bezeichnet wird, verwendet, um den Ionenbeschuss zu steuern. Eine
solche asymmetrische RF-Wellenform verbessert den Ionenbeschuss
am Substrat, während
sie die Ausbildung von Harmonischen verhindert, von denen die Erfinder
herausgefunden haben, dass sie Plasmahülleninstabilitäten hervorrufen
können.
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In einer anderen Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung umfasst ein Substratbehandlungssystem
eine Abscheidungskammer, die eine Reaktionszone, eine Plasmaenergiequelle
für das
Ausbilden eines Plasmas in der Reaktionszone der Abscheidungskammer
und ein Impedanzabstimmungssystem aufweist. Das Plasma weist einen
ersten Impedanzpegel auf, der durch das Impedanzabstimmungssystem
auf einen zweiten Impedanzpegel eingestellt werden kann. Eine solche
Einstellung dient als ein zusätzlicher "Steuerknopf", der ein anderes Verfahren
für Verfahrensingenieure
liefert, um die Änderung
zu nutzen und die Eigenschaften des Films, der in der Reaktionszone
abgeschieden wird, einzustellen. In einer bevorzugten Version der
Ausführungsform
umfasst das Impedanzabstimmungssystem einen variablen Kondensator.
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In nochmals einer anderen Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung umfasst ein Substratbehandlungssystem eine
Abscheidungskammer mit einer Reaktionszone, einen Substrathalter
für das
Halten eines Substrats in der Reaktionszone während der Substratbehandlung,
ein Gasverteilungssystem für
das Liefern eines Prozessgases zur Reaktionszone, eine Plasmaenergiequelle
für das
Ausbilden eines Plasmas innerhalb der Reaktionszone aus dem Prozessgas,
und einen Impedanzmonitor, der elektrisch mit der Abscheidungskammer
gekoppelt ist und der den Impedanzpegel des Plasmas messen kann.
Das Substratbehandlungssystem kann auch einen Computerprozessor
einschließen,
der den gemessenen Impedanzpegel als eine Eingabe empfängt. Der
Prozessor kann mit verschiedenen Systemen der Substratbehandlungskammer,
wie dem Gasverteilungssystem, einem Drucksteuersystem und/oder dem
RF-Generator verbunden werden, und Behandlungszustände gemäß dem gemessenen
Impedanzpegel einstellen. Eine solche Einstellung kann beispielsweise
nahe dem Ende eines ausgedehnten Waferlaufs (beispielsweise eines
Laufs von 2000 Wafern), wo sich die gemessene Impedanz der Kammer während des
Verlaufs geändert
haben kann, vorgenommen werden. In diesem Beispiel könnte der
Prozessor die Behandlungsbedingungen einstellen, wenn oder zu dem
Zeitpunkt, zu dem der Impedanzpegel der Kammer aus einem vorbestimmten
Bereich triftet. Die Einstellung kann das Einstellen des Kammerdrucks,
der Temperatur, des Plasmaenergiepegels (beispielsweise des RF-Energiepegels)
oder einer ähnlichen
Pro zessvariablen einschließen.
Auch wenn das Substratbehandlungssystem ein Impedanzabstimmungssystem
einschließt,
könnte
die Einstellung das direkte Einstellen der Impedanz der Kammer mit
diesem System einschließen.
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Diese und andere Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung als auch ihre Vorteile und Merkmale sind
detaillierter in Verbindung mit dem unten stehenden Text und den
angefügten
Zeichnungsfiguren beschrieben.
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1 ist
eine Blockdiagramm einer Ausführungsform
eines Abscheidungssystems gemäß der vorliegenden
Erfindung, das eine vereinfachte Querschnittsansicht der Abscheidungskammer
einschließt;
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2 zeigt
eine vereinfachte Querschnittsansicht des keramischen Sockels, der
am Halteschaft befestigt ist, gemäß einer Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung;
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3 ist
ein schematisches Diagramm einer Metall/Keramik-Verbindung für einen
bevorzugten keramischen Substrathalter, der eine eingebettete RF-Elektrode
aufweist;
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4A und 4B sind Querschnittsansichten der
Ausführungsformen
konischer Öffnungen,
die im Gasverteiler eingeschlossen sind;
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5 ist
ein vereinfachtes Diagramm, das eine Ausführungsform des RF-Filter- und
Anpassungsnetzwerks zeigt, das verwendet wird, um die RF-Wellenformen
mit niedriger Frequenz und mit hoher Frequenz in der Vorrichtung
der vorliegenden Erfindung zu entkoppeln;
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6 zeigt
eine Schnittstelle zwischen einem Nutzer und einem Prozessor, der
das Abscheidungssystem der vorliegenden Erfindung steuern kann;
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7 ist
ein Flussdiagramm eines Verfahrenssteuercomputerprogrammprodukts,
das in Verbindung mit dem beispielhaften CVD-Plasmareaktor der 1 verwendet wird;
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8A–8D zeigen die Wirkung des
Verfahrensdrucks während
der Abscheidung eines Silikonnitridfilms auf die Reaktorimpedanz;
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9 zeigt
die experimentellen Ergebnisse, die die Bedeutung des Verfahrensdrucks
auf die Nassätzgeschwindigkeit
und die Abscheidungsgeschwindigkeit der abgeschiedenen Silikonnitridfilme zeigt;
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10A–10D zeigen die Wirkung der
Frequenz, die in der Energiequelle mit niedriger Frequenz verwendet
wurde, auf die Abscheidung eines Silikonnitridfilms;
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11 ist
eine Darstellung der modellierten Schaltung, die verwendet wurde,
um die Kammer 30 in einer SPICE-Simulation der Kammer darzustellen;
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12A und 12B zeigen einen Vergleich
der gemessenen mit den simulierten Daten auf die Wirkung der Kapazität der Heizvorrichtung,
auf den Phasenwinkel und die Reaktorimpedanz;
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13 zeigt
die Definitionen der Seitenwandstufenbedeckung, der Bodenstufenbedeckung und
der Winkeltreue, wie sie in der vorliegenden Anmeldung verwendet
werden;
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14 zeigt
die Wirkung der Kapazität
der Heizvorrichtung auf die Filmbeanspruchung;
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15 zeigt
das Elektrodenpotential als eine Funktion der Energie mit niedriger
Frequenz über
der gesamten RF-Energie;
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16 zeigt
die Nassätzgeschwindigkeit
als eine Funktion der Filmbelastung und des Verhältnisses der RF-Energie mit
niedriger Frequenz zur gesamten RF-Energie bei der Abscheidung eines
Silikonnitridfilms;
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17A–17D zeigen verschiedene RF-Wellenformen
mit niedriger Frequenz, die verwendet werden, um den Ionenbeschuss
während
der Abscheidung eines Silikonnitridfilms zu steuern; und
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18 zeigt
ein Beispiel einer RF-Wellenform mit hoher Frequenz, die in gepulsten
Plasmaabscheidungsverfahren gemäß der vorliegenden
Erfindung verwendet werden können.
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Für
ein weiteres Verstehen der vorliegenden Erfindung sollte Bezug genommen
werden auf die folgende detaillierte Beschreibung.
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1. Die Hardware des CVD-Systems 10
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Betrachtet man die 1, so umfasst ein CVD-System 10 gemäß der vorliegenden
Erfindung eine Reaktorkammer 30, ein Vakuumsystem 88,
ein Gasliefersystem 89, eine RF-Energieversorgung 5, eine
Wärmetauschsystem 6,
einen keramischen Sockel 32 und einen Prozessor 85 unter
anderen Hauptkomponenten. Von speziellem Interesse für die Diskussion
der vorliegenden Erfindung ist die Konfiguration eines Gasverteilers
(der hier auch als Einlassverteiler und als ein "Brausekopf" bezeichnet wird) 40, der Prozessgase,
die von einem Gasliefersystem 89 geliefert werden, in eine
Reaktionszone 58 der Kammer 30 einführt, und
die Konfiguration und die Verbindungen der RF-Energieversorgung 5 mit dem
Verteiler 40 und einer Elektrode, die im Sockel 32 eingebettet
ist. Somit werden diese Komponenten zuerst beschrieben, und andere
Komponenten des CVD-Systems 10 werden nachfolgend beschrieben,
wenn es notwendig ist, um die vorliegende Erfindung zu verstehen.
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A. Gasliefersystem 89
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Betrachtet man weiter die 1, so liefert das Gasliefersystem 89 Gase
in die Kammer 30 über Gasleitungen 92A–C.
Das Gasliefersystem 89 umfasst ein Gaslieferfeld 90 und
Gas- oder Flüssigkeit- oder
Feststoffquellen 91A–C (es
können
zusätzliche Quellen
hinzugefügt
werden, wenn dies gewünscht wird),
die Gase wie SiH4 oder N2,
oder Flüssigkeiten (wie
TEOS) oder Feststoffe enthalten, wobei diese in Abhängigkeit
von den gewünschten
Verfahren, die für
eine spezielle Anwendung verwendet werden, variieren können. Im
allgemeinen umfasst die Versorgungsleitung für jedes der Prozessgase ein
(ebenfalls nicht gezeigtes) Absperrventil, das verwendet werden
kann, um automatisch oder manuell den Fluss des Prozessgases abzuschalten,
als auch eine (nicht gezeigte) Massenflusssteuerung, die den Fluss
des Gases oder der Flüssigkeit
durch jede der Versorgungsleitungen misst. Der Mengenfluss, mit dem
die Prozess- und Trägergase,
die beispielsweise Silan (SiH4), Helium
(He), Stickstoff (N2) und/oder andere Dotier-
oder Reaktionsstoffquellen einschließen, zur Reaktionskammer geliefert
werden, wird auch durch auf der Temperatur basierenden Flüssigkeits-
oder Gasmassenflusssteuerung (MFCs) (nicht gezeigt) und/oder durch
(nicht gezeigte) Ventile gesteuert. Natürlich wird erkennbar, dass
andere Verbindungen als Abscheidungs- oder Reinigungsquellen verwendet
werden können.
In alternativen Ausführungsformen
kann der Mengenfluss, mit dem die Prozessund Trägergase zur Reaktionskammer 30 geliefert
werden, durch eine auf dem Druck basierende feste oder variable Öffnung gesteuert
werden. Wenn toxische Gase (bei spielsweise Ozon oder halogenhaltiges
Gas) im Verfahren verwendet werden, können die verschiedenen Absperrventile
auf jeder Gasversorgungsleitung in konventionellen Konfigurationen
angeordnet sein.
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Das Gasversorgungsfeld 90 weist
ein Mischsystem auf, das die Abscheidungsverfahrens- und Trägergase
(oder verdampfte Flüssigkeiten)
von den Quellen 91A– C für ein Mischen
und Senden zu einem zentralen Gaseinlass 44 in einer Gasversorgungsabdeckplatte 45 über Versorgungsleitungen 92A–C empfängt (andere
Leitungen können
vorhanden sein, sind aber nicht gezeigt). In dieser spezifischen
Ausführungsform
sind das Mischsystem, der Eingangsverteiler zum Mischsystem, und
der Ausgangsverteiler vom Mischsystem zum zentralen Einlass 44 aus
Nickel oder einem Material, wie Aluminiumoxid, das mit Nickel beschichtet
ist, hergestellt.
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Wenn eine Flüssigquelle verwendet wird, kann
es mehrere verschiedene Wege geben, um die Quelle in die Kammer 30 einzuführen, wie
das Fachleuten des Stands der Technik bekannt ist. Ein solcher Weg
besteht darin, die Flüssigkeit
in einer Ampulle einzuschließen
und zu erhitzen, so dass der Dampfdruck einen stabilen Fluss der
verdampften Quelle liefert, der für das Abscheidungsverfahren ausreichend
ist. Ein anderer Weg, um ein Quellengas unter Verwendung einer flüssigen Quelle
einzuführen,
besteht darin, ein Trägergas,
wie Helium, durch die Flüssigkeit
perlen zu lassen. Ein nochmals anderer Weg besteht darin, ein Flüssigkeitsinjektionssystem
zu verwenden, das eine abgemessene Menge der Flüssigkeit in einen Trägergasstrom
verdampft. Ein Flüssigkeitsinjektionssystem
wird in manchen Fällen
bevorzugt, da es im Vergleich zu Quellen des Gasspülertyps
eine größere Kontrolle
des Volumen der an der Reaktion teilnehmenden Flüssigkeit, die in das Gasmischsystem
eingeführt
wird, liefert.
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B. Gasverteiler 40 mit
konischen Öffnungen 42
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Das Prozessgas wird in den Reaktor 30 durch
einen zentralen Gaseinlass 44 in einer Gasversorgungsabdeckplatte 45 in
einen ersten scheibenförmigen
Raum 48 und von dort durch (nicht gezeigte) Durchgänge in einer
Prallplatte (oder Gasblockiererplatte) 52 in einen zweiten
scheibenförmigen Raum 54 zum
Brausekopf 40 geführt.
Der Brausekopf 40 umfasst eine große Anzahl von Öffnungen oder
Durchgängen 42,
um das Prozessgas in die Reaktionszone 58 auszustoßen.
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Vorzugsweise ist jede der Öffnungen 42 eine "konische Öffnung", wie das im Detail
im US-Patent Nr. 4,854,263 beschrieben ist, was in 4A gezeigt ist. 4A ist eine schematische Ansicht einer
bevorzugten konischen Öffnung,
die eine der vielen Öffnungen
im Brausekopf 40 darstellt. Jede konische Öffnung weist
einen konischen Abschnitt 50 auf, der während der Behandlung zum Substrat
zeigt. Die Öffnungen
weisen eine Größe auf,
um einen laminaren Fluss durch den Brausekopf 40 zu fördern. Das
Vorhandensein des konischen Abschnitts 50 in der Gasverteilungsöffnung verbessert
die Dissoziation der Reaktionsgase, um somit die Plasmadichte und
die Ionisierungseffizienz zu erhöhen.
Die verbesserte Dissoziation ist insbesondere vorteilhaft, wenn
Gase, wie N2, die schwierig auseinander
zu brechen sind, für
die Abscheidung verwendet werden.
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Der Ausdruck "konische Öffnung", wie er hier verwendet wird, bezieht
sich auf jede Öffnung,
die gestaltet ist, um die Dissoziation und die Reaktionsfreudigkeit
der Gase, die in die Reaktionszone 58 durch die Öffnung geführt werden,
zu erhöhen,
wobei der Durchmesser des Gasauslasses größer als der Durchmesser des
Gaseinlasses ist. Somit sind vertikale Querschnittsformen, bei denen
es sich nicht um Kegel handelt, in der Bedeutung des Begriffs "konische Öffnung", wie er hier verwendet
wird, enthalten. Ein anderes Beispiel einer konischen Öffnung ist
in 4B gezeigt. Die Öffnung,
die in 4B gezeigt ist, weist einen konkaven Querschnitt 51 auf.
Nochmals andere Öffnungen,
die andere vertikale Querschnitte aufweisen, die konvexe, parabolische,
hyperbolische, schüsselartige
und halb-elliptische Formen einschließen, können ebenfalls verwendet werden.
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Kehrt man wieder zu 1 zurück,
so tritt das Prozessgas von den Öffnungen 42 im
Brausekopf 40 in die Reaktionszone 58 zwischen
dem Brausekopf und dem Sockel so aus, dass es an der Oberfläche des
Wafers 36 reagiert. Die Prozessgasnebenprodukte fließen dann
radial nach außen über den
Rand des Wafers 36 und einen Strömungsdrosselring 46,
der am oberen Umfang des Sockels angeordnet ist, wenn der Sockel 32 sich
in der Behandlungsposition befindet. Von dort fließt das Prozessgas
in einen Pumpkanal 60.
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Ein Vakuumsystem 88 wird
verwendet, um einen spezifizierten Druck in der Kammer aufrecht
zu halten und gasförmige
Nebenprodukte und verbrauchte Gase aus der Kammer zu entfernen.
Das Vakuumsystem 88 umfasst eine Vakuumpumpe 82 und
ein Drosselventil 83. Nach dem Eintreten in den Pumpkanal 60 wird
das Abgas um den Umfang der Behandlungskammer gelenkt, um durch
eine Vakuumpumpe 82 evakuiert zu werden. Der Pumpkanal 60 ist
durch eine Abführöffnung 74 mit
dem Pumpplenum 76 verbunden. Die Abführöffnung 74 schränkt den
Fluss zwischen dem Pumpkanal und dem Pumpplenum ein. Das Ventil 78 führt das
Abgas durch die Abgasabführöffnung zur
Vakuumpumpe 82. Das Drosselventil 83 wird durch
den Prozessor 85 gemäß einem
Drucksteuerprogramm, das im Speicher 86 gespeichert ist,
das ein gemessenes Signal von einem (nicht gezeigten) Drucksensor,
wie einem Manometer, mit einem gewünschten Wert, der in einem
Speicher gespeichert ist oder der gemäß dem Steuerprogramm erzeugt
wird, vergleicht, gesteuert. Der Pumpkanal 60 und seine
Komponenten sind gestaltet, um die Wirkungen einer unerwünschten
Filmabscheidungen durch das Richten des Prozessgases und seiner
Nebenprodukte in das Abführsystem
zu minimieren.
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C. Keramischer Sockel 32
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Kehrt man zur 1 zurück,
so trägt
ein durch eine Widerstandsbeheizung beheizter keramischer Sockel 32 den
Wafer in einer Wafertasche 34. Der Sockel kann vertikal
zwischen einer Behandlungsposition (wie sie beispielsweise in 1 gezeigt ist) und einer
tieferen Beladungsposition unter Verwendung eines selbst einstellenden
Hebemechanismus bewegt werden, wie das im Detail in der allgemein übertragenen
US-Patentanmeldung
Nr. 081738,240 (eingereicht am 25. Oktober 1996 mit den Erfindern
Leonid Selyutin und Jun Zhao) mit dem Titel "Self-Aligning Lift Mechanismus" beschrieben ist.
Wenn sich der Sockel 32 in einer tiefen Beladungsposition
(leicht niedriger als ein Schlitzventil 56) befindet, so überführt eine
(nicht gezeigte) Roboterschaufel in Kooperation mit den Hebestiften
und dem Hebering Wafer 36 in und aus der Kammer 30 durch
das Schlitzventil 56, das durch Vakuum abgedichtet werden
kann, um den Fluss von Gas durch das Schlitzventil 56 in
die Kammer hinein oder aus ihr heraus zu verhindern. Hebestifte 38 heben
einen (nicht gezeigten) eingeschobenen Wafer von der Roboterschaufel,
und dann hebt sich der Sockel, um den Wafer von den Hebestiften
auf die Wafertasche auf der oberen Oberfläche des Sockels anzuheben. Eine
geeignete Roboterüberführungsvorrichtung
ist im allgemein übertragenen
US-Patent 4,951,601, das an Maydan et al. erteilt wurde, beschrieben. Durch
die Verwendung des selbstausrichtenden Hebemechanismus hebt der
Sockel 32 dann den Wafer 36 weiter in die Behandlungsposition,
die sich in großer
Nahe zum Gasverteiler 40 befindet.
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Wie in 2,
die eine vereinfachte Querschnittsansicht des Sockels 32 ist,
gezeigt ist, umfasst der keramische Sockel 32 eine eingebettete RF-Elektrode 22,
wie ein eingebettetes Molybdängitter,
und ein Heizelement 33, wie beispielsweise eine eingebettete
Molybdändrahtspule.
Der keramische Sockel 32 ist vorzugsweise aus Aluminiumnitrid
hergestellt und wird vorzugsweise durch Diffusionsverbinden mit
einem keramischen Trägerschaft 26,
der an einem mit Wasser gekühlten
Aluminiumschaft 28 (der in 2 nicht
aber in 1 gezeigt ist),
der in einen Hebemotor eingreift, befestigt ist, verbunden. Der
keramische Trägerschaft 26 und
der Aluminiumschaft 28 weisen einen zentralen Kanal auf,
der durch einen Nickelstab 25 belegt wird, der die RF-Energie
mit niedriger Frequenz zur eingebetteten Elektrode 22 überträgt. Der
zentrale Kanal wird auf Atmosphärendruck
gehalten, um eine Lichtbogenbildung und korrodierende Angriffe an
den Metall-zu-Metall-Verbindungen
zu vermeiden.
-
3 ist
ein schematisches Diagramm einer bevorzugten Metall-zu-Keramik-Verbindung für das Liefern
von RF-Energie an die RF-Elektrode 22, die im keramischen
Substrathalter 32 eingebettet ist. Wie in 3 gezeigt ist, ist der Nickelstab 25 mit
einem durchgezogene Gewindeloch 27 aus Nickel verlötet, wobei
dieses ein äußeres Gewinde 29 aufweist, das
in das innere Gewinde im Substrathalter 32 eingreift. Ein
Covar-Stopfen 28A ist mit dem Ende des Nickelstabs 25 innerhalb
des durchgezogenen Gewindelochs 27 verlötet. Ein Molybdänkügelchen 26A ist
mit dem AIN-Substrathalter in Kontakt mit den RF-Elektroden 22 gemeinsam
gesintert. Der Covar-Stopfen 28A wird dann mit dem Molybdänkügelchen 25A verlötet, um
den Nickelstab 25 sicher an der RF-Elektrode 22 zu
befestigen. Eine Silber-Titan-Lötlegierung
wird bevorzugt.
-
Der keramische Sockel 32 wird
hergestellt, um eine gleichmäßige Kapazität zu liefern,
indem die RF-Elektrode 22 in einer gleichförmigen Tiefe
unter der Oberfläche
des Substrathalters eingebettet wird. Die RF-Elektrode 22 wird
vorzugsweise in einer minimalen Tiefe angeordnet, wobei diese vom
keramischen Material abhängt,
um eine maximale Kapazität zu
liefern, während
ein Brechen oder Abschuppen der dünnen Keramikschicht, die die
RF-Elektrode 22 bedeckt, vermieden wird. In einer Ausführungsform ist
die RF-Elektrode 22 ungefähr 101,6 × 105 μm
(40 mil) unter der oberen Oberfläche
des Sockels 32 eingebettet.
-
D. RF-Energieversorgung 5 und
Filter/Anpassungs-Netzwerk
-
Eine RF-Energieversorgung 5 liefert
sowohl Radiofrequenzenergie (RF-Energie) mit hoher als auch mit
niedriger Frequenz an die Kammer für plasmaverstärkte Verfahren. 5 ist ein schematisches Schaltungsdiagramm,
das eine externe RF-Schaltung zeigt, die eine RF-Quelle 12 mit
hoher Frequenz und eine RF-Quelle 17 mit niedriger Frequenz
zeigt. Die Schaltung gibt die RF-Energie mit hoher Frequenz an den
Gasverteiler 40 der Kammer 30, der in 1 gezeigt ist, und sie gibt
die RF-Energie mit niedriger Frequenz an die RF-Elektrode 22,
die im Substrathalter 32 eingebettet ist.
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Die RF-Wellenformen mit hoher und
mit niedriger Frequenz werden durch ein Netzwerk mit Hochpass- und
mit Tiefpassfiltern entkoppelt. Die Amplitude der niedrigen Frequenz
wird an der Plasmahülle,
die sich an der Oberfläche
des Substratträgers
befin det, maximiert und sie wird am Gasverteilungssystem minimiert.
Die Amplitude der hohen Frequenz wird an der Plasmahülle neben
dem Gasverteilungssystem maximiert, und die Spannung der hohen Frequenz
wird an der Oberfläche
des Substratträgers
minimiert. Das Gasverteilungssystem stellt eine "Scheinerde" für
die RF-Energie mit niedriger Frequenz dar, und die Spannung wird
minimiert, um eine Lichtbogenbildung zu verhindern. Das Entkoppeln
der RF-Leistung mit niedriger und mit hoher Frequenz führt zu einer
Erniedrigung der eigenen Vorgleichspannung, wenn die Energie mit
der niedrigen Frequenz zunimmt. Somit wird die Ionenenergie direkt
durch die Spannungsamplitude des RF-Signals mit niedriger Frequenz
durch die Bodenplasmahülle gesteuert.
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Eine Interferenz zwischen der RF-Energie mit
hoher und mit niedriger Frequenz wird über den oberen und unteren
Plasmahüllen
durch eine externe RF-Anpassungseinheit, die die Impedanz bei der
RF hoher Frequenz und die Impedanz der entkoppelten niedrigen Frequenz
anpasst, minimiert. Ansonsten würden
die Interferenzen hohe Spannungen an den Elektroden erzeugen, was
zu einer Lichtbogenbildung im Gasverteilungssystem führen würde, was den
Brausekopf beschädigt.
Die Verwendung einer unteren Plasmahülle mit einer niedrigen Frequenz und
einer vorherrschenden oberen Plasmahülle mit hoher Frequenz induziert
eine harmonische Oszillationsfrequenz, die durch die externe RF-Schaltung
in gewünschtem
Maße erhöht oder
erniedrigt werden kann.
-
Wie in 5 gezeigt
ist, ist die RF-Quelle mit hoher Frequenz mit einer Impedanzanpassungseinheit 13 hoher
Frequenz und einem Hochpassfilter 14, das die RF-Quelle 12 hoher
Frequenz von der RF-Energie niedriger Frequenz abschirmt, verbunden.
Die RF-Quelle 12 hoher Frequenz ist auch durch ein Tiefpassfilter 16 von
einer niederfrequenten Erde 15 abgeschirmt. Die RF-Quelle 17 mit
niedriger Frequenz ist mit einem Tiefpassfilter 18 verbunden,
das die RF-Quelle mit niedriger Frequenz gegenüber der RF-Energie mit hoher Frequenz abschirmt.
Das Eingangssignal mit niedriger Frequenz ist auch gegenüber einer
hochfrequenten Erde 19, die einen Hochpassfilter 20 einschließt, abgeschirmt.
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Die Lieferung der RF-Energie, die
von der in 5 gezeigten
Konfiguration geliefert wird, ist gestaltet, um die 13,56 MHz Spannungsamplitude
für eine
effizientere Elektronenauftreffdissoziation zu maximieren und um
die Oszillation niedriger Frequenz an der Brausekopfelektrode zu
minimieren. Tatsächlich
haben die Erfinder entdeckt, wie das detaillierter unten beschrieben
wird, dass die Phasen- und Potentialinterferenzen zwischen den konischen Öffnungen
im Brausekopf 40 minimiert werden sollten, um Plas mainstabilitäten und
eine Mikrolichtbogenbildung zu verhindern. Das RF-Netz ist auch
gestaltet, um das Potential der niedrigen Frequenz an der unteren
Elektrode, die eine "Pseudo-Erde" für das 13,56
MHz-Signal bildet, zu maximieren. Die begrenzt die 13,56 MHz-Oszillation
an der unteren Elektrode und verhindert die Ausbildung einer Selbstgleichvorspannung
(< 20 V), so dass
die Ionenenergie direkt durch die LF-Spannungsamplitude gesteuert werden
kann. Somit kann sich eine Reduktion der Ladewirkungen an der Waferoberfläche und
eine Reduktion der plasmainduzierten Beschädigungen ergeben.
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Während
es im allgemeinen wünschenswert ist,
die Ausbildung von Harmonischen zu verhindern, ist es in gewissen
Ausführungsformen
möglich,
die externe Anpassungsschaltung, die oben beschrieben wurde, zu
verwenden, um die Harmonischen, die in der Plasmahülle geschaffen
werden, zu verstärken. Beispielsweise
kann die Frequenz und die Amplitude der Harmonischen durch das Variieren
der externe Kapazität
des Kondensators 20 an der unteren RF-Anpassung abgestimmt
werden. Durch eine mathematische Modellbildung unter Verwendung
von SPICE (simulated Programm while integrated circuit emphasis)
haben die Erfinder beobachtet, dass eine sehr feste Resonanz abgestimmt
werden kann. Diese Berechnungen haben bewiesen, dass wenn der Kondensator 20 so
gewählt
wird, dass er eine Kapazität
von 1500 pF aufweist, die Resonanzfrequenz der Harmonischen ungefähr 3 MHz
betrug, und dass die Amplitude der Schwingung höher war als die Schwingungsamplitude
bei 13,56 MHz. Es wird angenommen, dass dieses Phänomen der
Ionenresonanz zugeschrieben werden kann, wobei diese, wenn sie korrekt
abgestimmt wurde, verwendet werden kann, um eine gewünschte Sputter-Komponente in
das Abscheidungsverfahren einzuführen
oder um die Natur und die Konzentration der negativen Spezies im
Plasma abzustimmen.
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E. Andere Komponenten
-
Kehrt man zu 1 zurück,
so verwendet ein Flüssigkeitswärmetauschsystem 6 ein
flüssiges Wärmetauschmedium,
wie Wasser oder eine Wasser-Glycol-Mischung, um für stabile
Verfahrenstemperaturen Wärme
aus der Reaktorkammer zu entfernen und gewisse Teile der Kammer
auf einer geeigneten Temperatur zu halten. Das Flüssigkeitswärmetauschsystem 6 liefert
Flüssigkeit
an verschiedene Komponente der Kammer 30, um diese Komponenten
während
der Hochtemperaturbehandlung auf einer geeigneten Temperatur zu
halten. Das System 6 wirkt, um die Temperatur einiger dieser
Kammerkomponenten zu erniedrigen, um eine unerwünschte Abscheidung auf diesen
Komponenten, verursacht durch die Hochtemperaturverfahren, zu minimieren. Wie
man in 1 sehen kann,
ermöglichen
Wärmetauschkanäle 79 in
der Gasversorgungsabdeckplatte 45 es der Wärmetauschflüssigkeit
durch die Gasversorgungsabdeckplatte 45 zu zirkulieren,
um somit die Temperatur der Gasversorgungsabdeckplatte 45 und benachbarter
Komponenten zu halten. Das Flüssigkeitswärmetauschsystem 6 umfasst
(nicht gezeigte) Verbindungen, die die Flüssigkeit (wie beispielsweise Wasser)
durch ein (nicht gezeigtes) Wärmetauschflüssigkeitsverteilrohr
für das
Liefern der Flüssigkeit zum
Gasverteilungssystem, das den Brausekopf 40 einschließt (wie
das unten diskutiert wird), führen.
Ein Wasserflussdetektor detektiert den Wasserfluss von einem (nicht
gezeigten) Wärmetauscher
zum Gehäuseaufbau.
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Motore und optische Sensoren (nicht
gezeigt) werden verwendet, um die beweglichen mechanischen Aufbauten,
wie das Drosselventil 83 und den Sockel 32, zu
bewegen und ihre Position zu bestimmen. (Nicht gezeigte) Faltenbälge, die
am Boden des Sockels 32 und dem Kammerboden 11 befestigt sind,
bilden eine bewegliche gasdichte Versiegelung um den Sockel. Das
Sockelhebesystem, die Motore, der Absperrschieber, das Plasmasystem,
das wahlweise ein entferntes Pasmasystem 4 einschließen kann
(das verwendet werden kann, um eine Kammerreinigungsmöglichkeit
unter Verwendung eines entfernten Plasmas, das beispielsweise unter
Verwendung einer Mikrowellenquelle ausgebildet wird, zu liefern),
und andere Systemkomponenten werden durch den Prozessor 85 über die
Steuerleitungen 3 und 3A–D, von denen nur einige
gezeigt sind, gesteuert, wie das detaillierter unten beschrieben
ist.
-
II. Systemsteuerung des
CVD-Systems 10
-
Der Prozessor 85 führt eine
Systemsteuersoftware aus, bei der es sich um ein Computerprogramm
handelt, das in einem Speicher 86 gespeichert ist, der
mit dem Prozessor 85 verbunden ist. Vorzugsweise kann es
sich beim Speicher 86 um ein Festplattenlaufwerk handeln,
wobei aber der Speicher 86 auch aus anderen Arten von Speichern
bestehen kann. Zusätzlich
zum Speicher 86 umfasst der Prozessor 85 ein Diskettenlaufwerk
und ein Karteneinschubgestell. Der Prozessor 85 arbeitet
unter der Steuerung der Systemsteuersoftware, die Sätze von
Befehlen einschließt,
die die Zeitgebung, die Mischung der Gase, den Gasfluss, den Kammerdruck, die
Kammertemperatur, die RF-Energiepegel,
die Position des Heizsockels, die Temperatur der Heizvorrichtung
und andere Parameter einer speziellen Behandlung vorgibt. Andere
Computerprogramme, wie solche, die auf einem anderen Speicher gespeichert
sind, der beispielsweise eine Diskette oder ein anderes Computerprogrammprodukt,
das in ein Plattenlaufwerk oder ein anderes passendes Laufwerk eingeschoben
werden kann, umfasst, können
auch verwendet werden, um den Prozessor 85 zu betreiben.
Die Systemsteuersoftware wird im Detail unten diskutiert. Das Karteneinschubgestell
enthält
einen Einplatinencomputer, analoge und digitale Eingabe/Ausgabe-Karten,
Schnittstellenkarten und Karten für die Steuerung eines Schrittmotors.
Verschiedene Teile der CVD-Vorrichtung 10 entsprechen der
Norm Versa Modular European (VME), die Karten, Kartenkäfige und
Abmessungen und Typen von Verbindungsvorrichtungen definiert. Die
VME-Norm definiert auch die Busstruktur, die einen 16-Bit Datenbus und
einen 24-Bit Adressbus aufweist.
-
Die Schnittstelle zwischen einem
Nutzer und dem Prozessor 85 erfolgt über einen Kathodenstrahlmonitor 93a und
einen Lichtstift 93b, die in 6,
die ein vereinfachtes Diagramm des Systemmonitors und der CVD-Vorrichtung 10 ist,
die als eine der Kammern in einem Mehrkammersystem dargestellt ist, gezeigt
sind. Die CVD-Vorrichtung 10 ist vorzugsweise an der Chassiseinheit 95 befestigt,
die elektrische Funktionen, Armaturen und andere Unterstützungsfunktionen
für die
Vorrichtung 10 liefert. Beispielhafte Chassiseinheiten,
die mit der dargestellten Ausführungsform
der CVD-Vorrichtung 10 kompatibel sind, sind aktuell kommerziell
erhältlich
als die Systeme Precision 5000TM und Centura
5200TM von Applied Materials, Inc. aus Santa
Clara, Kalifornien. Das Mehrkammersystem hat die Fähigkeit,
einen Wafer zwischen seinen Kammern zu überführen, ohne das Vakuum zu unterbrechen
und ohne, dass der Wafer Feuchtigkeit oder anderen Verunreinigungen
außerhalb
des Mehrkammersystems ausgesetzt wird. Ein Vorteil des Mehrkammersystems
besteht darin, dass verschiedene Kammern im Mehrkammersystem für verschiedene
Zwecke in der gesamten Behandlung verwendet werden können. Beispielsweise
kann eine Kammer für
die Abscheidung eines Metallfilms verwendet werden, eine andere
Kammer kann für
die schnelle thermische Behandlung verwendet werden, und nochmals
eine andere kann für
das Abscheiden einer Antireflektionsschicht verwendet werden. Die Behandlung
kann ohne Unterbrechung im Mehrkammersystem ablaufen, um somit eine
Verunreinigung der Wafer zu verhindern, die ansonsten auftreten kann,
wenn Wafer zwischen verschiedenen getrennten einzelnen Kammern (nicht
in einem Mehrkammersystem) für
getrennte Teile einer Behandlung überführt werden.
-
In der bevorzugten Ausführungsform
werden zwei Monitore 93a verwendet, wobei einer in der Reinraumwand
für die
Bedienpersonen und der andere hinter der Wand für die Wartungstechniker montiert
ist. Beide Monitore 93a zeigen gleichzeitig dieselbe Information
an, wobei aber nur ein Lichtstift 93b freigeschaltet ist.
Der Lichtstift 93b detektiert Licht, das durch die CRT-Anzeige
ausgestrahlt wird, mit einem Lichtsensor in der Spitze des Stifts.
Um einen speziellen Schirm oder eine Funktion auszuwählen, berührt die
Bedienpeson ein bezeichnetes Gebiet des Anzeigeschirms und drückt den
Knopf auf dem Stift 93b. Das berührte Gebiet ändert eine
hervorgehobene Farbe, oder es wird ein neues Menü oder ein neuer Schirm angezeigt,
um eine Kommunikation zwischen dem Lichtstift und dem Anzeigeschirm
zu bestätigen.
Natürlich
können
andere Vorrichtungen, wie eine Tastatur, eine Maus oder eine andere
Zeige- oder Kommunikationsvorrichtung, statt oder zusätzlich zum
Lichtstift 93b verwendet werden, um es dem Nutzer zu ermöglichen,
mit dem Prozessor 85 zu kommunizieren.
-
Die Verfahren für das Abscheiden des Films und
für das
trockenen Reinigen der Kammer können unter
Verwendung eines Computerprogrammprodukts, das vom Prozessor 85 ausgeführt wird,
implementiert werden. Der Computerkode kann in jeder konventionellen,
von einem Computer lesbaren Programmiersprache, wie beispielsweise
68000 Maschinensprache, C, C++, Pascal, Fortran oder einer anderen
Sprache, geschrieben sein. Ein geeigneter Programmkode wird in eine
einzige Datei oder mehrere Dateien unter Verwendung eines konventionellen
Texteditors eingegeben und in einem vom Computer verwendbaren Medium,
wie einem Speichersystem des Computers, gespeichert oder verkörpert. Wenn
der eingegebene Computerkode in einer höheren Programmiersprache vorliegt,
so wird der Computerkode kompiliert, und der sich ergebende Compilerkode
wird dann mit einem Objektkode vorkompilierter Windows Bibliotheksroutinen
verbunden. Um den verbundenen, kompilierten Objektkode auszuführen, ruft
der Systemnutzer den Objektkode auf und veranlasst das Computersystem,
den Kode in einen Speicher zu laden, von dem die CPU den Kode liest
und ausführt,
um die Aufgaben, die im Programm angegeben sind, durchzuführen.
-
7 ist
ein illustratives Blockdiagramm der hierarchischen Steuerstruktur
der Systemsteuersoftware, des Computerprogramms 160 gemäß einer spezifischen
Ausführungsform.
Unter Verwendung der Lichtstiftschnittstelle gibt ein Nutzer eine
Verfahrenssatznummer und Behandlungskammernummern in ein Verfahrensauswahlunterprogramm 161 in
Reaktion auf Menüs
oder Schirme, die auf dem CRT-Monitor angezeigt sind, ein. Die Verfahrenssätze, die
vorbestimmte Sätze
von Verfahrensparametern sind, die notwendig sind, um die spezifizierten Verfahren
auszuführen,
werden durch vordefinierten Satznummern identifiziert. Das Verfahrensauswahlunterprogramm 161 identifiziert
(i) die gewünschte Behandlungskammer
und (ii) den gewünschten
Satz von Verfahrensparametern, die benötigt werden, um die Behandlungskammer
für das
Durchführen
der gewünschten
Behandlung zu betreiben. Die Verfahrensparameter für das Durchführen einer
spezifischen Behandlung beziehen sich auf die Verfahrenszustände, wie
die Zusammensetzung des Prozessgases und die Mengenströme, die
Temperatur, den Druck, die Plasmazustände, wie die RF-Energiepegel
der hohen Frequenz und der niedrigen Frequenz und die RF-Frequenzen
der hohen Frequenz und der niedrigen Frequenz (und zusätzlich Mikrowellengeneratorleistungspegel
für Ausführungsformen,
die mit entfernten Mikrowellenplasmasystemen ausgerüstet sind),
den Kühlgasdruck
und die Wandtemperatur der Behandlungskammer. Das Verfahrensauswahlunterprogramm 161 steuert,
welcher Typ eines Verfahrens (Abscheidung, Waferreinigung, Kammerreinigung,
Kammer-Gettern,
Reflow) zu einer gewissen Zeit in der Kammer 30 durchgeführt wird.
In einigen Ausführungsformen
kann es mehr als ein Verfahrensauswahlunterprogramm geben. Die Verfahrensparameter
werden dem Nutzer in Form einer Anleitung präsentiert, und sie können unter
Verwendung der Lichtstift/CRT-Monitor-Schnittstelle eingegeben werden.
-
Die Signale für das Überwachen des Prozesses werden
durch die analogen und digitalen Eingabekarten der Systemsteuerung
geliefert, und die Signale für
das Steuern des Verfahrens werden auf den analogen und digitalen
Ausgabekarten des CVD-Systems 10 ausgegeben.
-
Ein Verfahrensablaufsteuerunterprogramm 162 umfasst
einen Programmkode für
das Annehmen der identifizierten Behandlungskammer und den Satz
von Verfahrensparametern vom Verfahrensauswahlunterprogramm 161 und
für das
Steuern des Betriebs der verschiedenen Behandlungskammern. Mehrere
Nutzer können
Verfahrenssatznummern und Behandlungskammernummern eingeben, oder ein
einzelner Nutzer kann mehrere Verfahrenssatznummern und Behandlungskammernummern
eingeben, so dass das Verfahrensablaufsteuerunterprogramm 162 arbeitet,
um die ausgewählten
Verfahren in der gewünschten
Abfolge zeitlich zu steuern. Vorzugsweise umfasst das Verfahrensablaufunterprogramm 162 einen
Programmkode, um die Schritte (i) der Überwachung des Betriebs der
Behandlungskammern auszuführen,
um zu bestimmen, ob die Behandlungskammern verwendet werden, (ii)
der Bestimmung, was für
Verfahren in den verwendeten Behandlungskammern ausgeführt werden,
auszuführen,
und (iii) der Ausführung
des gewünschten
Verfahrens auf der Basis der Verfügbarkeit der Behandlungskammer
und des Typs des auszuführenden Verfahrens
auszuführen.
Konventionelle Verfahren für
die Überwachung
der Behandlungskammern, wie ein zyklisches Abfragen, können verwendet
werden. Wenn zeitlich gesteuert wird, welches Verfahrens auszuführen ist,
so kann das Verfahrensablaufsteuerunterprogramm 162 so
gestaltet werden, dass es den aktuellen Zustand der verwendeten
Behandlungskammer im Vergleich zu den gewünschten Verfahrenszuständen für ein ausgewähltes Verfahren, oder
das "Alter" jeder speziellen
durch den Nutzer eingegebenen Anforderung oder irgend einen anderen
relevanten Faktor, den ein Systemprogrammierer für das Bestimmen der zeitlichen
Prioritäten
einzuschließen
wünscht,
berücksichtigt.
-
Wenn das Verfahrensablaufsteuerunterprogramm 162 bestimmt,
welche Behandlungskammer und welche Verfahrenssatzkombination als
nächstes ausgeführt werden
soll, initiiert das Verfahrensablaufsteuerunterprogramm 162 die
Ausführung
des Verfahrenssatzes durch das Weitergeben der speziellen Verfahrenssatzparameter
an ein Kammerverwaltungsunterprogramm 163a–c, das mehrere Verfahrensaufgaben
in einer Behandlungskammer 30 gemäß dem Verfahrenssatz, der durch
das Verfahrensablaufsteuerunterprogramm 162 bestimmt wurde, steuert.
Beispielsweise umfasst das Kammerverwaltungsunterprogramm 163b einen
Programmkode für das
Steuern der CVD-Operationen
in der Behandlungskammer 30. Das Kammerverwaltungsunterprogramm 163b steuert
auch die Ausführung
verschiedener Kammerkomponentenunterprogramme, die den Betrieb der
Kammerkomponenten, die notwendig sind, um den ausgewählten Verfahrenssatz
auszuführen,
steuern. Beispiele von Kammerkomponentenunterprogrammen sind ein
Substratpositionierunterprogramm 164, ein Prozessgassteuerunterprogramm 165,
ein Drucksteuerunterprogramm 166, ein Heizvorrichtungssteuerunterprogramm 167 und
ein Plasmasteuerunterprogramm 168. In Abhängigkeit von
der spezifischen Konfiguration der CVD-Kammer umfassen einige Ausführungsformen
alle der obigen Unterprogramme, während andere Ausführungsformen
nur einige der Unterprogramme einschließen können. Fachleute werden leicht
erkennen, dass in Abhängigkeit
davon, welche Verfahren in der Behandlungskammer 30 ausgeführt werden
sollen, andere Kammersteuerunterprogramme eingeschlossen werden
können.
Im Betrieb wählt
das Kammerverwaltungsunterprogramm 163b ausgewählt die Verfahrenskomponentenunterprogramme
gemäß dem speziell
auszuführenden
Verfahrenssatz zeitlich aus oder ruft diese auf. Das Kammerverwaltungsunterprogramm 163b steuert
zeitlich die Verfahrenskomponentenunterprogramme, so wie das Verfahrensablaufsteuerunterprogramm 162 zeitlich
steuert, welche Behandlungskammer 30 als nächstes zu
verwenden ist und welcher Verfahrenssatz als nächstes auszuführen ist.
Typischerweise umfasst das Kammerverwaltungsunterprogramm 163b die
Schritte der Überwachung
der verschiedenen Kammerkomponenten, der Bestimmungen auf der Basis
der Verfahrensparameter für
den auszuführenden
Verfahrenssatz, welche Komponenten betrieben werden müssen, und
das Veranlassen der Ausführung
eines Kammerkomponentenunterprogramms in Erwiderung auf die Schritte
der Überwachung
und der Bestimmung.
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Der Betrieb spezieller Kammerkomponentenunterprogramme
wird nun unter Bezug auf 7 beschrieben.
Das Substratpositionierunterprogramm 164 umfasst einen
Programmkode für
das Steuern der Kammerkomponenten, die verwendet werden, um das
Substrat auf das Podest 32 zu laden, und wahlweise um das
Substrat auf eine ge wünschte Höhe in der
Kammer 30 zu heben, um den Abstand zwischen dem Substrat
und dem Brausekopf 40 zu steuern. Wenn ein Substrat in
die Behandlungskammer 30 geladen wird, so wird die Heizvorrichtung 33 abgesenkt,
um das Substrat in der Wafertasche 34 aufzunehmen, und
wird dann auf die gewünschte Höhe angehoben.
Im Betrieb steuert das Substratpositionierunterprogramm 164 die
Bewegung des Podestes 32 in Erwiderung auf die Verfahrenssatzparameter,
die sich auf die Abstützhöhe beziehen,
die vom Kammerverwaltungsunterprogramm 163b überführt werden.
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Das Prozessgassteuerunterprogramm 165 weist
einen Programmkode für
das Steuern der Zusammensetzung und der Mengenströme des Prozessgases
auf. Das Prozessgassteuerunterprogramm 165 steuert die Öffnungsposition
der Sicherheitsabsperrventile und fährt auch die Massenflusssteuervorrichtungen
rampenförmig
nach oben oder unten, um die gewünschten
Menge Gas pro Zeiteinheit zu erhalten. Das Prozessgassteuerunterprogramm 165 wird
wie alle Kammerkomponentenunterprogramme durch das Kammerverwaltungsunterprogramm 163b aufgerufen,
und empfängt
vom Kammerverwaltungsunterprogramm Verfahrensparameter, die sich
auf die gewünschten
Gasmengenströme beziehen.
Typischerweise arbeitet das Prozessgassteuerunterprogramm 165 durch
das Öffnen
der Gasversorgungsleitungen und (i) das wiederholte Ablesen der
erforderlichen Massenflusssteuervorrichtungen, (ii) das Vergleichen
der Messungen mit den gewünschten
Mengenströmen,
die vom Kammerverwaltungsunterprogramm 163b empfangen werden, und
(iii) das Einstellen der Mengenströme der Gasversorgungsleitungen,
sofern das notwendig ist. Weiterhin umfasst das Prozessgassteuerunterprogramm 165 Schritte
für das Überwachen
der Mengenflüsse im
Hinblick auf nicht sichere Mengenflüsse und für das Aktivieren der Absperrventile,
wenn ein nicht sicherer Zustand detektiert wird. Das Prozessgassteuerunterprogramm 165 steuert
auch die Gaszusammensetzung und die Mengenflüsse für Reinigungsgase als auch für die Abscheidungsgase
in Abhängigkeit
vom gewünschten
Verfahren (Reinigung oder Abscheidung oder ein anderes Verfahren),
das ausgewählt
wurde. Alternative Ausführungsformen
könnten
mehr als ein Prozessgassteuerunterprogramm aufweisen, wobei jedes
Unterprogramm einen spezifischen Typ eines Verfahrens oder spezifische
Sätze von
Gasleitungen steuert.
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In einigen Verfahren wird ein Inert-Quellengas,
wie Helium oder Argon, in die Kammer 30 zum Einströmen gebracht,
um den Druck in der Kammer zu stabilisieren, bevor reaktive Prozessgase
eingeführt
werden. Für
diese Verfahren ist das Prozessgassteuerunterprogramm 165 programmiert,
dass es Schritte für
das Strömenlassen
des Inert-Quellengases in die Kammer 30 für eine Zeitdauer,
die notwendig ist, um den Druck in der Kammer zu stabilisieren, einschließt, wonach
dann die oben beschrieben Schritte ausgeführt werden. Zusätzlich ist,
wenn ein Prozessgas aus einem flüssigen
Vorläuferstoff,
wie beispielsweise TEOS, verdampft werden soll, das Prozessgassteuerunterprogramm 165 so
geschrieben, dass es die Schritte für das Hindurchperlenlassen
von Blasen eines Fördergases,
wie Helium, durch den flüssigen
Vorläuferstoft
in einem Gasspüler
oder das Einführen
eines Trägergases,
wie Helium oder Stickstoff, in ein Flüssigkeitsinjektionssystem einschließt. Wenn
ein Gasspüler
für diesen
Typ des Verfahrens verwendet wird, reguliert das Prozessgassteuerunterprogramm 165 den
Fluss des Fördergases,
den Druck im Gasspüler
und die Temperatur des Gasspülers,
um die gewünschten
Prozessgasmengenströme
zu erhalten. Wie oben diskutiert wurde, so werden die gewünschten
Prozessgasmengenströme
an das Prozessgassteuerunterprogramm 165 als Verfahrensparameter
gegeben. Weiterhin umfasst das Prozessgassteuerunterprogramm 165 Schritte
für das
Erhalten des notwendigen Mengenstroms des Fördergases, des Gasspülerdrucks und
der Temperatur des Gasspülers
für den
gewünschten
Prozessgasmengenstrom durch den Zugriff auf eine gespeicherte Tabelle,
die die erforderlichen Werte für
einen gegebenen Prozessgasmengenstrom enthält. Wenn die geforderten Werte
erhalten wurden, so werden der Fördergasmengenstrom, der
Druck des Gasspülers
und die Temperatur des Gasspülers überwacht,
mit den geforderten Werten verglichen und entsprechend eingestellt.
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Das Drucksteuerunterprogramm 166 umfasst
einen Programmkode für
das Steuern des Drucks in der Kammer 30 durch das Regulieren
der Öffnungsgröße des Drosselventils
im Auslasssystem der Behandlungskammer. Die Öffnungsgröße des Drosselventils wird
festgesetzt, um den Druck der Kammer auf den gewünschten Pegel in Relation zum gesamten
Prozessgasmengenstrom, der Größe der Behandlungskammer
und dem Einstellwert des Pumpdrucks für das Auslasssystem zu steuern. Wenn
das Drucksteuerunterprogramm 166 aufgerufen wird, wird
der gewünschte
Druckpegel oder der Zieldruckpegel als ein Parameter vom Kammerverwaltungsunterprogramm 163b empfangen.
Das Drucksteuerunterprogramm 166 misst den Druck in der
Kammer 30 durch das Ablesen eines oder mehrerer konventioneller
Druckmanometer, die mit der Kammer verbunden sind, vergleicht den
oder die gemessenen Werte mit dem Zieldruck, erhält PID-Werte (Proportional-,
Integral- und Differential-Werte), die dem Zieldruck entsprechen,
aus einer gespeicherten Drucktabelle, und stellt das Drosselventil
entsprechend den PID-Werten, die man aus der Drucktabelle erhalten
hat, ein. Alternativ kann das Drucksteuerunterprogramm 166 geschrieben
sein, um das Drosselventil auf eine spezielle Öffnungsgröße zu öffnen oder zu schließen, um
die Pumpkapazität
in der Kammer 30 auf den gewünschten Druck zu regulieren.
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Das Heizvorrichtungssteuerunterprogramm 167 umfasst
einen Programmkode für
das Steuern der Temperatur eines Heizelements 107, das
verwendet wird, um den Sockel 32 (und jedes sich darauf
befindliche Substrat) mit einer Widerstandsbeheizung zu beheizen.
Das Heizvorrichtungssteuerunterprogramm 167 wird auch durch
das Kammerverwaltungsunterprogramm aufgerufen und empfängt einen Ziel-
oder Einstelltemperaturparameter. Das Heizvorrichtungssteuerunterprogramm
misst die Temperatur durch das Messen der Spannung, die von einem Thermoelement,
das im Sockel 32 angeordnet ist, ausgegeben wird, vergleicht
die gemessene Temperatur mit der Solltemperatur und erhöht oder
erniedrigt den Strom, der an die Heizeinheit angelegt wird, um die
Solltemperatur zu erhalten. Die Temperatur erhält man aus der gemessenen Spannung
durch das Nachschlagen der entsprechenden Temperatur in einer gespeicherten
Umwandlungstabelle oder durch das Berechnen der Temperatur unter
Verwendung eines Polynoms vierter Ordnung. Wenn eine eingebettete
Schleife verwendet wird, um den Sockel 32 zu heizen, so
steuert das Heizvorrichtungssteuerunterprogramm 167 allmählich ein
rampenförmiges Hochfahren
oder Herunterfahren des Stroms, der an die Schleife angelegt ist.
Zusätzlich
kann eine Fehlerbetriebsart eingefügt sein, um die Übereinstimmung mit
der Verfahrenssicherheit zu detektieren, und eine Abschalteoperation
der Heizeinheit auszuführen, wenn
die Behandlungskammer 30 nicht passend eingestellt ist.
Ein alternatives Verfahren der Heizvorrichtungssteuerung, das verwendet
werden kann, verwendet einen Rampensteueralgorithmus, der in der
US-A-5,968,587 beschrieben ist.
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Ein Plasmasteuerunterprogramm 168 umfasst
einen Programmkode für
das Einstellen von RF-Energiepegel der niederen Frequenz und der
hohen Frequenz, die an die Verfahrenselektroden in der Kammer 30 und
an die Heizeinrichtung 32 angelegt werden, und für das Einstellen
der verwendeten niederen als auch hohen RF-Frequenz. Wie bei den
vorher beschriebenen Kammerkomponentenunterprogrammen wird das Plasmasteuerunterprogramm 168 durch
das Kammerverwaltungsunterprogramm 163b aufgerufen. Bei
Ausführungsformen,
die einen entfernten Plasmagenerator 4 einschließen, würde ein Plasmasteuerunterprogramm 168 auch
einen Programmkode für
das Steuern des entfernten Plasmagenerators einschließen.
-
III. Abscheiden von CVD-Filmen
mit dem CVD-System 10
-
Vor der Entwicklung der Vorrichtung
der vorliegenden Erfindung, wurde allgemein angenommen, dass ein
Brausekopf, der konische Öffnungen,
wie die Öffnungen 42 verwendet,
nicht wirksam in einem PECVD-Verfahren mit gemischter Frequenz verwendet
werden könnte.
Wie im Abschnitt oben zum Stand der Technik diskutiert wurde, führen alle
bekannten Versuche der Verwendung einer RF-Energie mit einer gemischten
Frequenz mit einem Brausekopf mit konischen Öffnungen zu Situationen, bei
denen die Leistungsversorgungen mit der hohen Frequenz (HF) und
der niederen Frequenz (LF) mit dem Brausekopf (obere Elektrode)
in der Behandlungskammer verbunden wurden. Eine solche Konfiguration
führt zu instabilen
Phaseninterferenzen zwischen den LF- und HF-Wellenformen. Dies wiederum erzeugte Spannungen
in der oberen Elektrode, die höher
als gewünscht
waren, was zu einer unerwünschten Lichtbogenbildung
führte.
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Die Erfinder der vorliegenden Erfindung
entdeckten jedoch, dass durch die Verwendung einer am Boden mit
Energie versorgten Elektrode, bei dem die RF-Energieversorgung mit niedriger Frequenz mit
einer Elektrode unterhalb des Substrats verbunden wird, und durch
die Verwendung des oben beschriebenen RF-Filter- und Anpassungsnetzwerks, die
HF- und LF-Wellenformen genügend
entkoppelt werden können,
um die Probleme der Phaseninterferenz, auf die man bisher gestoßen ist,
zu verhindern. Unter Verwendung dieser Konfiguration können die HF-
und LF-Wellenformen gesteuert werden, um die Interferenz zwischen
den Wellenformen zu minimieren. Mit einer minimierten Interferenz
haben die Erfinder herausgefunden, dass ein Brausekopf mit konischen Öffnungen
in PECVD-Verfahren mit einer gemischten Frequenz verwendet werden
kann, während
eine Lichtbogenbildung in oder nahe den Öffnungen 42 verhindert
werden kann.
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Die Verwendung einer RF-Energie mit
gemischter Frequenz zusammen mit der Verwendung konischer Öffnungen
erlaubt die Abscheidung von Filmen, die in vieler Hinsicht überragende
physikalische Eigenschaften aufweisen. Zuerst liefert, wie das vorher
diskutiert wurde, die Verwendung konischer Öffnungen statt den geraden Öffnungen
eine erhöhte Dissoziation
des Prozessgases, eine höhere
Plasmadichte und eine erhöhte
Ionisierungseffizienz. Die erhöhte
Dissoziation ist insbesondere bei der Abscheidung von Silikonnitridfilmen
und anderen Filmen, bei denen ein oder mehrere der speziellen verwendeten
Quellengase (beispielsweise N2) ziemlich schwierig
auseinander zu brechen sind, wichtig. Somit ermöglicht als ein Beispiel bei
der Abscheidung von Silikonnitridfilmen die Verwendung der konischen Öffnungen
eine Reduktion in der Menge des NH3 und
eine entsprechende Zunahme in der Menge des N2,
die als Quellen für
den Stickstoff verwendet werden. Das reduzierte NH3 führt wiederum
zu weniger Wasserstoff, der in den Film eingeschlossen ist, und
einer niedrigeren WER. Die Verwendung der Vorrichtung der vorliegenden
Erfindung bei der Abscheidung von Silikonnitridfilmen wird nachfolgend detaillierter
beschrieben.
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Der Einschluss der RF-Quelle niedriger
Frequenz ermöglicht
andererseits die Steuerung der Ionenenergie, die verwendet wird,
um das Substrat und den abgeschiedenen Film zu beschießen. Eine
solche erhöhte
Steuerung des Ionenbeschusses kann verwendet werden, um die Filmdichte
zu verbessern, eine bessere Belastungssteuerung zu ermöglichen, eine
niedrigere WER zu liefern (die Geschwindigkeit, mit der der abgeschiedene
Film in einer 6 : 1 (auf das Volumen bezogen) BOE-Lösung geätzt wird,
wie das von einem Durchschnittsfachmann verstanden wird) und um
die gesamte Filmintegrität
zu verbessern. Es wird angenommen, dass bei der Abscheidung von
Silikonnitridfilmen, ein solcher Beschuss den Wasserstoff, der von
der Reaktion des Silans und des Ammoniaks bleibt, verdrängt, was
somit zu einer Verbesserung der WER des Films führt.
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In ähnlicher Weise liefert die
Entkopplung der Wellenformen mit niedriger und mit hoher Frequenz
eigene Verbesserungen. Beispielsweise stellt, wie das oben erwähnt wurde,
die Lichtbogenbildung in den Öffnungen
des Brausekopfs 40 bei der CVD-Abscheidung ein Problem dar. Im allgemeinen ist
die Lichtbogenbildung eher ein Problem bei einem niedrigeren Kammerdruck
als bei einem hohen Kammerdruck. Beispielsweise wurden in einem
früheren PECVD-Verfahren
mit gemischter Frequenz für
die Abscheidung von Silikonnitrid, das eine RF-Energie mit gemischter
Frequenz und gerade statt konische Öffnungen verwendet hat, Probleme
verursacht, wenn der Kammerdruck unterhalb 3,999 × 102 Pascal (3 Torr) lag. Somit begrenzte dieses
Verfahren den Abscheidungsdruck auf 3,999 × 102 Pascal
(3 Torr) oder mehr, obwohl niederere Druckwerte im allgemeinen wünschenswert
sein würden,
da Filme, die niedere WERs aufweisen, bei solchen niederen Druckwerten
abgeschieden werden könnten.
In der Vorrichtung der vorliegenden Erfindung können niedere Abscheidungsdruckwerte
ohne eine Lichtbogenbildung verwendet werden. In einem Test wurde, sogar
wenn ein Brausekopf, der konische Öffnungen aufweist, verwendet
wurde, ein Druck von 3,333 × 102 Pascal (2,5 Torr) ohne eine Lichtbogenbildung verwendet.
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Die entkoppelten Wellenformen mit
hoher und mit niedriger Frequenz ermöglichen es auch, dass eine
erhöhte
Menge von Energie mit niedrigerer Frequenz relativ zur Energie mit
hoher Frequenz bei der Filmabscheidung verwendet werden kann. Beispielsweise
wurde im selben vorher bekannten Silikonnitridverfahren mit gemischter
Frequenz die Lichtbogenbildung zu einem schweren Problem, immer
dann, wenn die verwendete Menge der RF-Energie mit niedriger Frequenz
größer als
ungefähr
35% der gesamten verwendeten RF-Energie gewesen ist. Dies hat sogar
gegolten, wenn gerade Öffnungen statt
den konischen Öffnungen
im Gasbrausekopf verwendet wurden. Mit den Wellenformen mit hoher und
niedriger Frequenz, die entkoppelt sind, wie das durch die Vorrichtung
der vorliegenden Erfindung erreicht werden kann, kann die Menge
der verwendeten RF-Leistung
niedriger Frequenz unter Verwendung desselben Silikonnitridabscheidungsverfahren auf über 35%
der gesamten Energie ohne eine Lichtbogenbildung erhöht werden,
sogar dann wenn konische Öffnungen
statt den geraden Öffnungen
verwendet wurden. Die Vorrichtung der vorliegenden Erfindung wurde
erfolgreich mit einer RF-Energie mit niedriger Frequenz von bis
zu 60% der gesamten verwendeten RF-Energie verwendet. Wie vorher
erwähnt
wurde, führt
eine höhere
Energie mit niederer Frequenz zu einem erhöhten Ionenbeschuss und kann
somit verwendet werden, um die Filmqualitäten zu verbessern. Bei Anwendungen
der Vorrichtung ist es jedoch wichtig, die Wirkung eines erhöhten Beschusses
auf die darunter liegenden Schichten zu betrachten. Wenn beispielsweise
während
der Abscheidung eines gegebenen Films der Beschuss zu hoch eingestellt
wird, so kann er einen vorher abgeschiedenen Film beschädigen, und
somit die Ausbeute beeinträchtigen,
obwohl der erhöhte
Beschuss die Filmqualitäten
bei der augenblicklich abgeschiedenen Schicht verbessert. Dies ist
insbesondere für die
Gateoxidintegrität
während
einer PMD-Film-Abscheidung relevant.
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Die Erfinder dieser Erfindung haben
auch eine detaillierte Analyse der Wirkungen der Reaktorimpedanz
auf die Filmeigenschaften eines Silikonnitridfilms durchgeführt. Die 8A–8D zeigen
die Wirkung eines Behandlungsdrucks auf die Reaktorimpedanz. Für jeden
Datenpunkt in den Figuren [Druck = 1,333 × 102 bis
7,999 × 102 Pascal (1–6 Torr)] wurde ein Si3N-Film mit einem Brechungsindex von 2,0
und einer Druckbeanspruchung von –1,5 × 109 Dyn/cm2 eingestellt. SiH4/NH3/N2 wurden als Vorläufergase
in einem Verhältnis
von 1 : 2 : 10 verwendet. Die Parameter, die aufgezeichnet wurden,
sind: 8A Spannungsamplitude
(VHF an der oberen Elektrode und VLF an der unteren Elektrode; 8B Stromintensitäten (ILF und
IHF); 8C Phasenwinkel
(Φv/i
HF und (Φv/i
LF), und 8D Impedanzgröße (|ZHF| und |ZLF|). Die Messungen
wurden mit zwei ENI V/I ImpedanzmessfühlernTM gemacht,
wobei sich einer oben befindet für die
Charakterisierung der hohen Frequenz und wobei sich der andere am
Boden befindet für
die Messungen der niedrigen Frequenz. Die Ergebnisse zeigen eine
höhere
Impedanzgröße bei niedriger
Frequenz als auch einen Phasenwinkel von ΦLF ~ –65° im Vergleich
mit ΦHF ~ –80°. Dies zeigt
an, dass die "natürliche" kapazitive Impedanz
(Φv/i ~ –90°) des Reaktors durch
das Hinzufügen
eines Signals niedriger Frequenz modifiziert wurde. Andere Messungen
zeigen, dass ΦHF ~ –87°, wenn keine
Energie niedriger Frequenz angelegt wird.
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Das Signal mit niedriger Frequenz,
das in diesen Tests verwendet wird (350 kHz) liegt unterhalb der
Ionenplasmafrequenz (die in diesem Beispiel auf 800 kHz geschätzt wird).
Somit antworten ionisierte Spezies auf die Vorspannung niedriger
Frequenz, die die Ionenbewegung induziert. Diese Ionenbewegung führte eine
induktive Komponente in das Plasma ein, so dass die Plasmavolumenimpedanz
(plasma bulk impedance) nicht als eine parallele RC-Schaltung beschrieben
werden kann, wenn das Energieverhältnis der niedrigen Frequenz
hoch ist (beispielsweise WLF/(WLF +
WHF) > 20%).
Wie in 11 gezeigt und unten
diskutiert wird, kann die Reaktorimpedanz "grob" als
eine RLC-Schaltung beschrieben werden: (L in Reihe mit R) parallel
zu C.
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Eine sorgfältige Steuerung der Ionenenergie (proportional
zum Waferpotential niedriger Frequenz Eion =
qion × VLF) ermöglicht
einen genauen Ionenbeschuss an der Waferoberfläche. 8A zeigt jedoch, dass das Potential der
Elektrode der Heizvorrichtung über
einem großen
Druckbereich [2,66 × 102 bis 6,66 × 102 Pascal
(2 bis 5 Torr)] konstant bleibt (~ 460 V). Die 8C und 8D zeigen,
dass die Reaktorimpedanz zum Druck in Bezug steht: der Phasenwinkel und
die Impedanzgröße sind
ein Maximum, wenn der Druck 2,66 × 102 Pascal
(2 Torr) beträgt.
Es wurde auch herausgefunden, dass der Druck zu einer minimalen
WER in Si3N4 Filmen
in Bezug steht (siehe 9).
Die Korrelation zwischen der Filmätzgeschwindigkeit, dem Phasenwinkel
und der Impedanzgröße zeigt
die Bedeutung der Steuerung der Reaktorimpedanz für einen
genauen Ionenbeschuss während
des Filmwachstums und für
verbesserte Filmeigenschaften, wie eine reduzierte WER in Silikonnitridfilmen.
Dieselben Prinzipien sollten auch auf die Abscheidung anderer Filme,
die Silikonoxid, Silikonoxynitrid, Silikoncarbid, fluorierter amorpher
Kohlenstoff und dergleichen einschließen.
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Die Reaktorimpedanz wurde auch als
eine Funktion der LF-Vormagnetisierungsfrequenz gekennzeichnet.
Die LF-Frequenz wurde von 300 bis 950 kHz unter Verwendung von sinusförmigen Wellenformen
variiert. Die 10A–10D zeigen das Elektrodenpotential,
den Strom und die Reaktorimpedanz bei niedriger und hoher Frequenz.
Das Maß des Phasenwinkels
und der Impedanzgröße als eine Funktion
der Frequenz liefert eine Gelegenheit, um den Reaktor unter Verwendung
einfacher Komponenten zu modellieren. Es wurde eine SPICE-Simulation
durchgeführt,
um die Maße
für den
Phasenwinkel und die Impedanzgröße anzupassen. 11 zeigt die modellierte
Schaltung. Neben dem vorher beschriebenen Anpassungsnetzwerk sind
in 11 das Plasmavolumen 104 und
zwei unterschiedliche Plasmahüllen 100 und 102 gezeigt
(sie stellen alle einen Teil der Reaktionszone 58 dar,
die oben in Bezug auf 1 diskutiert
wurde). Das Plasmavolumen kann als eine RLC-Schaltung mit einem
großen
Induktorwert (L2 = 20 μH), der die Ionenbewegung und eine
Trägheit
widerspiegelt, modelliert werden. Die obere Hülle besteht aus einem Stromgenerator,
um die Erzeugung von elektrisch gelade nen Spezies widerzuspiegeln.
Die Diode (D0) reflektiert einfach, dass
nur ein Elektronenstrom durch diesen Teil der Hülle fließen kann. Der Wert von I0 (10 A) befindet sich in guter Übereinstimmung
mit dem Wert, der bei 13,56 MHz gemessen wurde (10B).
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Die untere Hülle ist ähnlich der oberen Hülle mit
der Ausnahme, dass ein zweiter Induktor (L0)
die Ionenbewegung durch die Hülle
und den induzierten Ionenbeschuss widerspiegelt. Auch der Stromgenerator
(I1 = 0,9 A) wurde eingestellt, um zum gemessenen
Wert (ILF) zu passen. Das Modell befindet
sich in guter Übereinstimmung
mit der Annahme, dass die zwei Hüllen
unterschiedlich sind (die Ionisierung am Brausekopf und der Ionenbeschuss
an der Bodenelektrode). Der keramische Sockel/die Heizeinrichtung ist
als ein einfacher Kondensator 106, der in Reihe mit der
Plasmaimpedanz platziert wurde, modelliert. Der Nennwert der Kapazität der Heizeinrichtung
beträgt
2500 pF, wenn die Tiefe der Elektrode 1016 μm (40 mil) beträgt.
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Die 12A und 12B zeigen einen Vergleich der
gemessenen und simulierten Daten. Die gemessenen Daten (Punkte in
jeder Figur) befinden sich in guter Übereinstimmung mit dem Modell,
das mit C3 = 2500 pF berechnet wurde (dicke
Linie). C3 wurde gemessen, indem eine Metallplatte
auf der Heizvorrichtungstasche platziert wurde und die Kapazität mit einer
Netzwerkanalysevorrichtung gemessen wird, wie das für einen
Fachmann verständlich
ist. Die andere Kurven zeigen den Einfluss auf die Reaktorimpedanz,
wenn die Kapazität
der Heizeinrichtung variiert wird. Aus diesen Daten kann man sehen,
dass die Kapazität
der Heizeinrichtungselektrode einen entscheidenden Einfluss auf
die Reaktorimpedanz hat. Diese Kapazität wird durch die Tiefe (d),
in welcher die Elektrode eingebettet ist, bestimmt (C = εS/d, wobei ε die Dielektrizitätskonstante
von AIN ist, S ist das Oberflächengebiet
der Elektrode, und d ist die Tiefe der Elektrode). Somit ist es
wichtig, diese Elektrodentiefe während
des Herstellungsverfahrens der Heizeinrichtung präzise zu
steuern.
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Basierend auf der obigen Arbeit und
den Charakterisierungen entwickelten die Erfinder hier zwei zusätzliche
Verbesserungen beim CVD-System 10 der vorliegenden Erfindung.
Die erste dieser Verbesserungen umfasst das Hinzufügen einer
Impedanzabstimmvorrichtung 108 zum CVD-System 10. Die
Impedanzabstimmvorrichtung 108 ist in 11 gezeigt, wie sie in Reihe mit dem
Kondensator 106 (Sockel 32) verbunden ist und
in Abhängigkeit
von den Verfahrenszuständen
in ihrem Wert eingestellt werden kann, um die Impedanz des Reaktors 30 mit einem
zusätzlichen "Steuerknopf" einzustellen, um die
gewünschten
Filmeigenschaften zu erhalten. In einer bevorzugten Ausführungsform ist
die Impedanzabstimmvorrichtung 108 ein variabler Kondensator.
In einem Beispiel wird der Kondensator so ausgewählt, dass die gesamte Impedanz
des Reaktors zwischen 600 und 2500 Ω gesteuert werden kann. In einer
anderen Ausführungsform
ist die Impedanzabstimmvorrichtung 108 eine LC-Schaltung,
die eine variable Spule aufweist, die parallel mit einem Kondensator
verbunden ist. In nochmals anderen Ausführungsformen kann die Impedanzabstimmvorrichtung 108 vom
CVD-System 10 mittels eines (nicht dargestellten) Umgehungsschalters
getrennt werden.
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Die zweite Verbesserung umfasst das
Hinzufügen
eines Impedanzmessfühlers 110 (in
den 1 und 5 gezeigt) zum CVD-System 10.
Der Impedanzmessfühler
ist elektrisch mit der Kammer 30 durch zwei Leitungen 111A und 111B verbunden.
Die Leitung 111A ist mit einem Eingangsanschluss 112A verbunden,
der sich in elektrischem Kontakt mit der unteren Elektrode 22 befindet,
die im Sockel 32 eingebettet ist, während die Leitung 111B mit
einem Eingangsanschluss 112B verbunden ist, der sich in
elektrischem Kontakt mit der oberen Elektrode, der Frontplatte 40 befindet.
Der Impedanzmessfühler 110 befindet
sich über
die Steuerleitungen 3 in Verbindung mit dem Prozessor 85.
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Wenn der Impedanzmessfühler in
dieser Art verbunden ist, so kann er verwendet werden, um die Impedanz
des Reaktors während
der Substratbehandlung zu überwachen,
und, sofern es angebracht ist, kann der Prozessor 85 die
Behandlungszustände oder
die Einstellung der Impedanzabstimmvorrichtung 108 einstellen
(beispielsweise wenn die Impedanzabstimmvorrichtung ein variabler
Kondensator ist, die Kapazität
des variablen Kondensators einstellen), um eine Änderung in der Reaktorimpedanz
zu kompensieren. Dies ist insbesondere nützlich, da, wie das oben diskutiert
wurde, in einigen Verfahren die Impedanz des Reaktors 30 eine
bestimmte Wirkung auf die Filmeigenschaften, wie die WER-Belastung,
die Abscheidungsgeschwindigkeit, den Brechungsindex und die Gleichförmigkeit
der Filmdicke, hat. Wenn beispielsweise während eines Behandlungslaufs
von 2000 Wafern der Prozessor 85 detektiert, dass die Reaktorimpedanz
aus dem Bereich, der vorher für
diesen Lauf definiert wurde, heraus läuft, kann eine passende Aktion
während
des Waferlaufs verwendet werden, um die Reaktorimpedanz einzustellen
und weiterhin zu gewährleisten,
dass die Filmeigenschaften innerhalb der Spezifikationen des Herstellers
für die
gegebene Behandlung während des
gesamten Behandlungslaufs liegen. Die Aktionen, die vorgenommen
werden, um eine solche Impedanzdrift einzustellen, können in
nicht einschränkender
Weise das Einstellen des Drucks in der Reaktorkammer, das Erhöhen oder
Erniedrigen der RF-Energie mit der hohen Frequenz oder der niedrigen
Frequenz und, wie das oben beschrieben wurde, das Einstellen der
Einstellung der Impedanzabstimmvorrichtung 108 umfassen.
Dieses Merkmal kann auch als eine Überwachung der Impedanz an Ort
und Stelle bezeichnet werden.
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Die Merkmale und die Gestalt des
oben beschriebenen CVD-Systems 10 zusammen mit den zusätzlichen
Entdeckungen, die durch die Erfinder gemacht wurden und die auch
oben diskutiert wurden, ermöglichen
es, dass das CVD-System 10 verwendet wird, um CVD-Filme über einem
großen
Bereich von Behandlungszuständen,
die die Verwendung von Abscheidungsparametern, die bisher nicht möglich waren,
einschließen,
abzuscheiden. Die Vorrichtung ist für die Abscheidung einer Vielzahl
von CVD-Filmen, die Filme mit niedriger Behandlungstemperatur für intermetallische
dielektrische Anwendungen (intermetal dielektrctric, IMD) und Hochtemperaturbehandlungen
für vormetallische
dielektrische Anwendungen (premetal dielectric, PMD) einschließen, verwendbar.
Einige spezifische Anwendungen umfassen auf TEOS (Tetraethylorthosilicat)
oder auf Silan basierende chemische PECVD- und SACVD (subatmosphärische CVD)
Zusammensetzungen, die die Abscheidung nicht dotierten Silikonoxids (USG)
und dotierter Silikonoxide, wie Bor-Phosphor-Silikatglass (BPSG),
Phosphor-Silikatglas (PSG) und mit Fluor dotierte Silikatglas (FSG)
einschließen.
In ähnlicher
Weise können
Schichten aus Silikonnitrid (Si3N4), Silikoncarbid, SiOx,Ny, amorphem Silikon und andere Schichten
unter Verwendung der Vorrichtung der vorliegenden Erfindung abgeschieden
werden.
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Als ein Beispiel eines verbreiterten
Behandlungsbereiches, der durch die Vorrichtung der vorliegenden
Erfindung erzielbar ist, haben die Erfinder ausführliche Arbeiten mit Si3N4 Filmen durchgeführt und
Techniken entwickelt, die die Abscheidung solcher Si3N4 Filme ermöglichen, die verbesserte (niedrigere)
Nassätzgeschwindigkeiten,
eine ausgezeichnete Stufenbedeckung, eine erhöhte Filmintegrität und reduzierte
Gasblasen bei Niedertemperaturbehandlungsbedingungen aufweisen.
Die Erfinder haben auch Hochtemperatur-PECVD-Si3N4-Filme entwickelt, die eine WER von weniger
als 15 Å/min
aufweisen, wobei diese niedriger ist als die von vielen thermisch
gewachsenen Si3N4 Schichten.
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Bei der Entwicklung dieser verbesserten Si3N4 Filme führten die
Erfinder unter anderem ausführliche
Studien über
die Wirkung der Kapazität
der Heizvorrichtung auf die Beanspruchung, die Wirkung des Verhältnisses
der LF-Energie zur gesamten RF-Energie auf den Ionenbeschuss und
die Beziehung der WER zur Beanspruchung durch. Für diese Studien wurde ein Si3N4 Abscheidungsverfahren
mit einem Brechungsindex von 2,0 und einer komprimierenden Beanspruchung
von 1,5 × 109 Dyn/cm2 durchgeführt. Die
Nennkapazität
der Heizvorrichtung von 2500 pF wurde dann durch das Hinzufügen eines
variab len Kondensators als Impedanzabstimmvorrichtung 108,
die in Serie mit der Heizvorrichtung platziert wurde, reduziert.
Das Verfahren führte
SiH4/NH2/N2 in die Kammer mit Mengenflussraten von
220/1200/600 sccm ein, und die Kammer wurde auf 400°C erhitzt und
bei einem Druck von 4,0 Torr gehalten. RF-Energie hoher Frequenz
wurde dem Gasverteiler mit einer Leistung von 250 W zugeführt, und
RF-Energie mit niedriger Frequenz (350 kHz) mit einer Leistung von 250
W wurde der Bodenelektrode geliefert. Schließlich wurde der Abstand zwischen
dem Substrathalter und dem Gasverteiler auf 10,795 μ (425 mil)
eingestellt. Die Ergebnisse dieser Studien sind in den 14 bis 16 gezeigt und werden nachfolgend diskutiert.
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14 zeigt,
dass die Filmbelastung durch die Kapazität des Sockels/der Heizvorrichtung
stark beeinflusst wird. Es wurde auch herausgefunden, dass der Brechungsindex
und die Gleichförmigkeit des
abgeschiedenen Films zunimmt und dass die Abscheidungsgeschwindigkeit
abnimmt, wenn die Kapazität
der Heizvorrichtung abnimmt. Dies bestätigt die Beziehung zwischen
den Filmeigenschaften und der Reaktorimpedanz. Es wurde herausgefunden, dass
eine Behandlung mit einer einzigen Frequenz weniger beeinflusst
wird als eine Behandlung mit einer gemischten Frequenz, wobei es
sich um ein Phänomen
handelt, das tatsächlich
vom Modell vorhergesagt wurde (siehe 12A und 12B, wo die Distanz zwischen
den Kurven bei höheren
Frequenzen enger wird). Diese Ergebnisse können verwendet werden, um eine
Toleranz der Kapazität
der Heizvorrichtung für
die Abscheidung von Si3N4 Filmen
zu spezifizieren. Beispielsweise wurde herausgefunden, dass für das Ermöglichen
einer maximalen Belastungsauslenkung von ±2 × 108 Dyn/cm2 um das zentrale Verfahren, die Kapazität der Heizvorrichtung
innerhalb von 2500 pF ± 13%
gesteuert werden muss. Dies entspricht einer Elektrodentiefe von
40 mil, +5,1, –3,5.
Werte außerhalb
dieses Toleranzbereichs können
jedoch durch die Verwendung der Impedanzabstimmvorrichtung 108 korrigiert
werden.
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Die Filmintegrität und andere Filmeigenschaften
stehen in starkem Bezug zum Ionenbeschuss. Wie oben erwähnt wurde,
so ist die Ionenenergie proportional zum Potential der Plasmahülle. Die Erfinder
untersuchten die Wirkung der Leistung mit niedriger Frequenz auf
das Potential des Brausekopfs und die Elektrode der Heizvorrichtung.
Sie zeichneten auch die Selbstgleichvorspannung, die allgemein bei
der Vorspannung von 13,56 MHz induziert wurde, auf. 15 zeigt die Wirkung der Erhöhung der
Energie mit niedriger Frequenz. In 15 wurde
die gesamte RF-Energie konstant bei 500 W gehalten, und man kann
sehen, dass das Erhöhen der
LF-Energie die Spannungsamplitude VLF (und
die Ionenenergie) bei der Elektrode der Heizvorrichtung erhöht. Gleichzeitig
nimmt die Spannungsamplitude VHF am Brausekopf
ab. Die Erfinder entdeckten jedoch, dass die Gleichvorspannung auf
beiden Elektroden reduziert wird, wenn die Energie mit niedriger Frequenz
erhöht
wird. Es wird angenommen, dass diese negative Selbstgleichvorspannung
die Ausbildung einer an Ionen verarmten Hülle an den Elektroden widerspiegelt.
Diese Gleichvorspannung kann größer als
200 V sein, wenn ein Behandlung mit einer einzigen (hohen) Frequenz
verwendet wird. Mit dem Hinzufügen
einer Energie mit niedriger Frequenz können die Ionen nicht länger als
feste Ladungen betrachtet werden. Die LF-Vorspannung veranlasst
Ionen, in die Plasmahülle
einzudringen, um somit die Elektronenladewirkungen aufzuheben und
die Gleichspannungskomponente zu reduzieren. Somit befindet sich
die Ionenenergie direkt unter der Kontrolle der Spannungsamplitude
mit niedriger Frequenz. Im Wellental (VLF < 0) beschießen die
positiv ionisierten Spezies (von denen angenommen wird, dass sie
die Mehrheit der Ionen bilden) den wachsenden Film.
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Der Verhältnis der Energie mit niedriger
Frequenz zur gesamten Energie [WLF/(WHF + WLF)] ist ein wichtiger "Knopf" um die Filmbelastung
abzustimmen. Wie vorher erwähnt
wurde, ermöglicht
die Konfiguration der Vorrichtung der vorliegenden Erfindung unter
gewissen Sätzen
von Behandlungszuständen die
LF-Energie auf bis zu 60% der gesamten RF-Energie zu erhöhen, ohne
eine Lichtbogenbildung zu verursachen. 16 zeigt, dass das Hinzufügen von Energie
mit niedriger Frequenz (VLF nimmt zu, Gleichvorspannung
nimmt ab) eine erhöhte
Filmdichte durch den energiereicheren Beschuss in einem Si3N4 Film, der einen
Brechungsindex von 2,0 aufweist, der in der obigen Weise abgeschieden
wurde, ermöglicht. 16 zeigt auch, dass die
Film-WER und die Beanspruchung eng miteinander verbundene Eigenschaften
sind. Für
Anwendungen der Vorrichtungen werden im allgemeinen Filme mit einem
gemäßigten komprimierenden
Beanspruchung (beispielsweise 50 bis 150 MPa) gefordert. Die Reaktorkonfiguration
der vorliegenden Erfindung und die Plasmaimpedanz können optimiert
werden, um die WER und die Filmbeanspruchung zu entkoppeln, um einen
Film hoher Integrität
mit einer abstimmbaren Beanspruchung zu liefern.
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Mit dem Wissen, dass die Ionenenergie
proportional zum Potential der Elektrode der Heizvorrichtung ist,
untersuchten die Erfinder verschiedene Vorspannungswellenformen
und Frequenzen, um ihre Wirkungen und ihre Rolle beim Ionenbeschuss und
bei den Filmeigenschaften zu bestimmen. Drei verschiedene Wellenformen
wurden getestet: sinusförmig,
asymmetrisch und quadratisch (siehe 17A bis 17D). Bei jeder Wellenform
wurde die Frequenz variiert, und die Filmintegrität wurde
gekennzeichnet (Stufenbedeckung vor und nach einer 250 Å Ätzung oder
einer einminütigen
6 : 1 BOE, wie es Fachleute verstehen werden, und das Gasblasenverhalten).
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Eine sinusförmige Wellenform (17A) wurde mit einer Frequenz
von 350 kHz getestet. Sinusförmige
Wellenformen sind die Standardwellenformen, die verwendet werden,
um den Ionenbeschuss in allen PECVD-Verfahren mit gemischter Frequenz,
die den Erfindern bekannt sind, zu steuern. Die Erfinder haben jedoch
herausgefunden, dass eine sinusförmige
Wellenform für
die Abscheidung von Si3N4 Filmen
nicht optimal ist. Tatsächlich gibt
es während
der Hälfte
der Periode keinen Ionenbeschuss, da die Wellenform zwischen dem
Beschuss des Substrathalters und dem Beschuss des Gasverteilers
wechselt. Dies ergibt sich daher, dass wenn Vwarer positiv
ist, der Elektronenstrom zum Wafer gezogen wird, und die Ionen von
der unteren Plasmahülle
zurückgestoßen werden.
Somit existiert ein Ionenbeschuss nur in den schraffierten Bereichen 130 der 17A bis 17D.
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Die Erfinder haben herausgefunden,
dass eine verbesserte Filmqualität
erhalten wurde, wenn eine asymmetrische Wellenform verwendet wurde, wie
das in 17B gezeigt ist.
Die Erfinder haben auch herausgefunden, dass im allgemeinen eine bessere
Filmintegrität
bei einer niedrigen Frequenz (beispielsweise < 400 kHz) erhalten wurde, da beobachtet
wurde, dass eine niedrige Frequenz niedrigere Phasenwinkel (siehe 10D) fördert. Es wurde auch herausgefunden,
dass niedrige Phasenwinkel bessere Filmeigenschaften liefern, wie
dies oben beschrieben ist. Tatsächlich
wurden die besten Ergebnisse bei der Abscheidung des oben beschriebenen Si3N4 Films mit der
asymmetrischen Wellenform bei einer Frequenz von 50 bis 220 kHz
erzielt, wobei 50 kHz die am meisten bevorzugte Frequenz ist. Diese spezielle
Wellenform wurde durch einen neu entwickelten ENI RPG-Generator
geliefert. Ein anderer Typ einer asymmetrischen Sägezahnwellenform,
der verwendet werden kann, ist in 17C gezeigt.
Diese Typen von Wellenformen wurden in der Vergangenheit für reaktive
Sputterabscheidungen (beispielsweise AL2O3) und Vakuumbogenplasmaabscheidungen (beispielsweise
DLC, Al2O3) verwendet, wobei
sie aber nach bestem Wissen der Erfinder niemals als eine Vorspannungstechnik
in PECVD-Verfahren verwendet wurden. In jeder der Wellenformen, die
in den 17B und 17C gezeigt sind, kann der Tastzyklus
der Wellenform eingestellt werden, um die Filmeigenschaften in gewünschter
Weise zu beeinflussen. Der Taktzyklus ist der Prozentsatz der Zeit, zu
dem das Waferpotential positiv ist: Z*/(Z* – Z–).
Im allgemeinen ist es vorteilhaft, wenn der Tastzyklus zwischen
10 und 50 Prozent liegt.
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Eine quadratische Vorspannung (17D), die auch als gepulste
Gleichvorspannung bezeichnet wird, wurde auch mit einer Frequenz,
die von 150 kHz bis 700 kHz variiert, getestet. Der Verfahrensbereich
wurde durch die Frequenz beeinflusst. Somit bestand eine Notwendigkeit
das Verfahren, bei verschiedenen Frequenzen abzustimmen, um Filme
abzuscheiden, die einen Brechungsindex von 2,0 und eine komprimierende
Beanspruchung von 1,5 × 109 Dyne/cm2 aufweisen,
abzuscheiden. In jedem Fall wurde entdeckt, dass die Verwendung
von quadratischen Wellenformen zu einer schlechten Filmintegrität führte. Gepulste
Gleichspannungswellenformen fördern
den Ionenbeschuss des Substrathalters, wobei so eine quadratische
Wellenform auch wesentlich Harmonische fördert. Es wird angenommen,
dass die schlechte Filmintegrität
durch die steilen negativen Fronten 134, die Instabilitäten der
Plasmahülle
durch das Einführen
von Harmonischen in das System provozieren, verursacht wird.
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Somit ist aus den obigen Tests klar,
dass der Ionenbeschuss, der durch die asymmetrische Wellenform der 17B gesteuert wird, im Vergleich
zu den Wellenformen der 17A und 17D zu einem erhöhten Beschuss
und auch zur Abscheidung von Filmen, die verbesserte Eigenschaften
aufweisen, führt.
Die asymmetrische Wellenform, die in 17B gezeigt
ist, kann auch als eine Sägezahnwellenform oder
eine dreieckige bipolare Wellenform beschrieben werden und liefert
einen Ionenbeschuss des Substrathalters während des größten Teils
des Zyklus mit wenigen Harmonischen. Andere asymmetrische Wellenformen
(beispielsweise die Wellenform, die in 17C gezeigt ist) können auch verwendet werden,
um den Ionenbeschuss zu erhöhen
und die Ausbildung von Harmonischen zu verhindern. In der Tat sollte
jede Wellenform, die eine mittlere lineare Verteilung der Ionenenergien über der
Signalperiode aufweist, gegenüber
einer rein sinusförmigen
Wellenform bevorzugt werden. Um die Funktion der Harmonischen zu
verhindern, ist es vorteilhaft, wenn die Neigung der vorderen (negativen)
Flanke der Wellenform eine kleinere Größe als die Neigung der hinteren
Flanke aufweist.
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Zusammengefasst erlaubt der vergrößerte Verfahrensbereich,
der durch die Verwendung der vorliegenden Erfindung erzielbar ist,
die Abscheidung von Filmen, die die oben erwähnten Eigenschaften aufweisen,
und die Abscheidung von Silikonnitridfilmen bei einem niedrigeren
Druck, bei höheren
Verhältnissen
der RF-Energie mit niedriger Frequenz und höheren Verhältnissen des Stickstoffs zum
Ammoniak. Die WER der abgeschiedenen Silikonnitridfilme wurde sogar
um bis zu 50% reduziert, indem die RF-Energie mit hoher Frequenz
dem mit konischen Öffnungen
versehenen Brausekopf zugeführt
wurde, und indem die RF-Energie mit niedriger Frequenz dem keramischen
Substrathalter zugeführt wurde,
wie das oben beschrieben wurde. Die WER steht auch in starker Korrelation
zum Verfahrensdruck. Somit ist das Variieren des Verfahrensdrucks über einem
großen
Bereich ein wichtiger Parameter bei der Steuerung der Eigenschaften
des abgeschiedenen Films.
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Das Entkoppeln der RF-Energie mit
niedriger und mit hoher Frequenz, wie das hier gelehrt wurde, liefert
eine verbesserte W ER und andere Eigenschaften, ohne eine Beeinträchtigung
der Stufenbedeckung oder der Beanspruchungsgrößen. In Experimenten wurde
die Bedeckung der Seiten und des Bodens einer Wanne mit einem Seitenverhältnis von 1
: 1 während
einer Silikonnitridabscheidung gesteuert, um eine Seitenwandstufenabdeckung
von ungefähr
65% in Bezug auf die Feldabdeckung zu liefern, und um eine Bodenstufenabdeckung
von ungefähr 65%
in Bezug auf die Feldabdeckung zu liefern. Ein solches gleichförmiges Wachstum
innerhalb der Wanne liefert einen guten sich der Form anpassenden
Film und starke Bodenecken, die widerstandsfähiger gegenüber dem nachfolgenden Ätzen des Films
sind, wobei ansonsten ein vollständiges
Durchätzen
der relativ schwachen Bodenecken auftreten kann. Die Seitenwandstufenbedeckung,
die Bodenstufenbedeckung und das Formanpassungsvermögen, wie
sie hier verwendet werden, werden in Bezug auf die Darstellung in 13 definiert. In 13 ist ein Silikonnitridfilm 120 gezeigt,
wie er über
benachbarte Metallleitern 122 und 124 abgeschieden
wurde, so dass er die Lücke 126 zwischen
den Leitungen teilweise füllt.
Die Seitenwandstufenbedeckung beträgt a/b × 100%. Die Bodenstufenbedeckung
beträgt d/b × 100%,
und das Formanpassungsvermögen
ist definiert als a/c × 100%.
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IV. Experimente und Testergebnisse
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Die Erfindung wird weiter durch die
folgenden Beispiele, die verfügbare
Silikonnitridverfahren mit gemischter Frequenz mit entkoppelten
Silikonnitridverfahren mit gemischter Frequenz innerhalb des Umfangs
der vorliegenden Erfindung vergleichen, beschrieben. Die Beispiele
wurden ausgewählt,
um die besten Verfahrensbedingungen für das Abscheiden ein winkeltreuen
Silikonnitridschicht auf einem strukturierten Wafer zu zeigen. In
jedem Beispiel weisen die abgeschiedenen Silikonnitridschichten
einen Brechungsindex von 2,0 und eine Filmbeanspruchung von –1,6 × 109 Dyn/cm2 auf, Werte,
die innerhalb der Spezifikationen der Hersteller für viele
moderne Geräteanwendungen
liegen. Verfahren, die nicht modifiziert werden können, um
solche Werte exakt widerzuspiegeln, wurden so eingestellt, dass sie
Filme abscheiden, die am dichtesten an diesen Werten liegende Eigenschaften
aufweisen.
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Die Vergleichsbeispiele A und B beschreiben Abscheidungsverfahren,
die nicht gemäß der vorliegenden
Erfindung durchgeführt
werden, während
die Erfindungsbeispiele 1 bis 4 Verfahren beschreiben, die gemäß der vorliegenden
Erfindung abgeschieden wurden. In jedem Beispiel wurde ein Silikonnitridfilm über einer
gestuften Topographie, die eine Lücke zwischen zwei dicht beabstandeten
Metalleitern aufweist, abgeschieden. Die Distanz zwischen den Leitern
betrug ungefähr
0,5 μm und
das Seitenverhältnis der
Lücke betrug
ungefähr
1 : 1.
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Vergleichsbeispiel
A
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Dieses Beispiel wurde durchgeführt unter Verwendung
einer CVD-Kammer, die einem Aluminiumsubstrathalter und einen Gasverteiler,
der gerade Öffnungen
aufweist, besitzt. RF-Energie hoher Frequenz wurde dem Gasverteiler
geliefert, und RF-Energie niedriger Frequenz wurde dem Aluminiumsubstrathalter,
der einen Wafer in einer Position 8890 μm (350 mil) entfernt vom Gasverteiler
während
der Behandlung hält,
geliefert.
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Der Reaktor wurde auf einen Druck
von 1,333 × 10
Pascal (0,1 Torr) bei einer Temperatur von 400°C herunter gepumpt und dann
bei 4,93 × 102 Pascal
(3,7 Torr) stabilisiert, wobei die Prozessgasdurchsatzmengen 180
sccm Silan, 720 sccm Ammoniak und 1600 sccm Stickstoff betragen.
Dann wurden eine RF-Energie hoher Frequenz (13,56 MHz) mit einer
Leistung von 100 W und eine RF-Energie niedriger Frequenz (350 kHz)
mit einer Leistung von 20 W an den Gasverteiler angelegt. Der Silikonnitridfilm
wurde mit 1600 Å/min
abgeschieden. Der abgeschiedene Film hatte einen Brechungsindex
von 2,0 und eine Beanspruchung von –1,4 × 109 Dyn/cm2.
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Der abgeschiedene Film hatte eine
WER von 305 Å/min
und wenn er einer Ätzlösung ausgesetzt wurde,
um die oberen 250 Å des
Film zu entfernen, so wurde im wesentlichen alles Silikonnitrid
von den Bodenecken der Lücke
entfernt.
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Vergleichsbeispiel
B
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Dieses Beispiel wurde durchgeführt unter Verwendung
einer Kammer zur chemischen Gasphasenabscheidung, und insbesondere
einem "D × Z" Plasmareaktor, der
von Applied Materials, Inc., Santa Clara, Kalifornien hergestellt
und verkauft wird. Der Reaktor wurde jedoch modifiziert, damit er
einen keramischen Substrathalter aufweist, und die RF-Energie hoher Frequenz
und die RF-Energie niedriger Frequenz wurden beide dem Gasverteiler
geliefert. Der Substrathalter hält
während
der Behandlung einen Wafer in einer Position 560 mil entfernt vom
Gasverteiler, und der Gasverteiler umfasst konische Öffnungen.
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Der Reaktor wurde auf einen Druck
von 1,333 × 10
Pascal (0,1 Torr) bei einer Temperatur von 400°C herunter gepumpt und dann
bei 5,33 × 102 Pascal (4,0 Torr) stabilisiert, wobei die
Prozessgasdurchsatzmengen 215 sccm Silan, 1200 sccm Ammoniak und
600 sccm Stickstoff betrugen. Dann wurden eine RF-Energie hoher
Frequenz (13,56 MHz) mit einer Leistung von 200 W und eine RF-Energie niedriger
Frequenz (350 kHz) mit einer Leistung von 200 W an den Gasverteiler
angelegt. Der Silikonnitridfilm wurde mit 5560 Å/min abgeschieden. Der abgeschiedene
Film hatte einen Brechungsindex von 2,0 und eine Beanspruchung von –2 × 109 Dyn/cm2.
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Der abgeschiedene Film hatte auch
eine WER von 305 Å/min.
Ein Ätzen
des abgeschiedenen Films, um die oberen 250 Å des Silikonnitrids vom Feld
zu entfernen, entfernte im wesentlichen auch alles Silikonnitrid
von den Bodenecken der Lücken (oder
der Topographie).
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Erfindungsbeispiel 1
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Dieses Beispiel wurde durchgeführt unter Verwendung
einer Kammer für
eine chemisch Abscheidung aus der Gasphase, und insbesondere eines "D × Z" Plasmareaktors,
der von Applied Materials, Inc., Santa Clara, Kalifornien hergestellt
und verkauft wird. Der Reaktor wurde modifiziert, so dass er einen
Gasverteiler mit konischen Löchern
und einen keramischen Substrathalter gemäß der vorliegenden Erfindung
und wie in 1 gezeigt
umfasst. RF-Energie hoher Frequenz wurde dem Gasverteiler geliefert,
und RF-Energie niedriger Frequenz wurde der RF-Elektrode 22,
die im keramischen Substrathalter eingebettet ist, geliefert. Der
Substrathalter hält
während
der Behandlung einen Wafer in einer Position 600 mil entfernt vom
Gasverteiler.
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Der Reaktor wurde auf einen Druck
von 1,333 × 10
Pascal (0,1 Torr) bei einer Temperatur von 400°C herunter gepumpt und dann
bei 3,33 × 102 Pascal (2,5 Torr) stabilisiert, wobei die
Prozessgasdurchsatzmengen 65 sccm Silan, 130 sccm Ammoniak und 1450
sccm Stickstoff betrugen. Dann wurde eine RF-Energie hoher Frequenz
(13,56 MHz) mit einer Leistung von 160 W an den Gasverteiler angelegt,
und eine RF-Energie niedriger Frequenz (sinusförmige Wellenform, 350 kHz)
mit einer Leistung von 135 W wurde an den keramischen Substrathalter
angelegt. Der Silikonnitridfilm wurde mit 1745 Å/min abgeschieden. Der abgeschiedene
Film hatte einen Brechungsindex von 2,0 und eine Beanspruchung von –1,5 × 109 Dyn/cm2. Der abgeschiedene
Film hatte eine WER von 180 Å/min.
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Erfindungsbeispiel 2
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Dieses Beispiel wurde durchgeführt unter Verwendung
der modifizierten Kammer für
eine chemisch Abscheidung aus der Gasphase des Beispiels 1. Der
Substrathalter hält
während
der Behandlung einen Wafer in einer Position 12,320 um (480 mil) entfernt
vom Gasverteiler.
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Der Reaktor wurde auf einen Druck
von 1,333 × 10
Pascal (0,1 Torr) bei einer Temperatur von 400°C herunter gepumpt und dann
bei 5,33 × 102 Pascal (4,0 Torr) stabilisiert, wobei die
Prozessgasdurchsatzmengen 210 sccm Silan, 1200 sccm Ammoniak und
600 sccm Stickstoff betrugen. Dann wurde eine RF-Energie hoher Frequenz
(13,56 MHz) mit einer Leistung von 250 W an den Gasverteiler angelegt,
und es wurde eine RF-Energie
niedriger Frequenz (sinusförmige
Wellenform, 350 kHz) mit einer Leistung von 250 W an den keramischen
Substrathalter angelegt. Der Silikonnitridfilm wurde mit 5525 Å/min abgeschieden.
Der abgeschiedene Film hatte einen Brechungsindex von 2,0 und eine
Beanspruchung von –1,6 × 109 Dyn/cm2.
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Der abgeschiedene Film hatte eine
WER von 335 Å/min.
Das Ätzen
des abgeschiedenen Films, um ungefähr 250 Å des Silikonnitrids aus dem
Feld zu entfernen, hinterließ im
Vergleich zum Vergleichsbeispiel Å eine beträchtliche Menge des Silikonnitrids in
den Bodenecken der Vertiefung. Vor dem Ätzen betrug die Silikonnitridschicht
auf den Seitenwänden und
des Bodens der Vertiefung ungefähr
63% der Dicke der Silikonnitridschicht, die auf dem Feld abgeschieden
wurde. Nach dem Ätzen
wies die Seitenwandschicht 35% der Dicke des Feldes auf, und die Bodenecke
wies 12% der Dicke des Feldes auf.
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Erfindungsbeispiel 3
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Dieses Beispiel wurde durchgeführt unter Verwendung
der modifizierten Kammer für
eine chemisch Abscheidung aus der Gasphase des Beispiels 1. Der
Substrathalter hielt während
der Behandlung einen Wafer in einer Position 12,446 μm (490 mil) entfernt
vom Gasverteiler.
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Der Reaktor wurde auf einen Druck
von 1,333 × 10
Pascal (0,1 Torr) bei einer Temperatur von 400°C herunter gepumpt und dann
bei 5,33 × 102 Pascal (4,0 Torr) stabilisiert, wobei die
Prozessgasdurchsatzmengen 200 sccm Silan, 1200 sccm Ammoniak und
600 sccm Stickstoff betrugen. Dann wurde eine RF-Energie hoher Frequenz
(13,56
MHz) mit einer Leistung von 170 W an den Gasverteiler
angelegt, und es wurde eine RF-Energie
niedriger Frequenz (sinusförmige
Wellenform, 350 kHz) mit einer Leistung von 250 W an den keramischen
Substrathalter angelegt. Der Silikonnitridfilm wurde mit 4625 Å/min abgeschieden.
Der abgeschiedene Film hatte einen Brechungsindex von 2,0 und eine
Beanspruchung von –2 × 109 Dyn/cm2.
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Der abgeschiedene Film hatte eine
WER von 293 Å/min.
Ein Vergleich dieser Ergebnisse mit dem Beispiel 2 zeigt eine inverse
Beziehung zwischen dem Verhältnis
der RF-Energie mit niedriger Frequenz zur gesamten RF-Energie und
der WER, wenn die Eingabe der hohen Frequenz variiert wird. Es können sowohl
eine niedriger WER als auch eine niedrigere Filmbeanspruchung durch
das Variieren des Verfahrensdrucks, wie das beim Beispiel 1 gezeigt
ist, erzielt werden.
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Erfindungsbeispiel 4
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Dieses Beispiel wurde durchgeführt unter Verwendung
der modifizierten Kammer für
eine chemisch Abscheidung aus der Gasphase des Beispiels 1. Der
Substrathalter hielt während
der Behandlung einen Wafer in einer Position 13,716 μm (540 mil) entfernt
vom Gasverteiler.
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Der Reaktor wurde auf einen Druck
von 1,333 × 10
Pascal (0,1 Torr) bei einer Temperatur von 400°C herunter gepumpt und dann
bei 3,0 Torr stabilisiert, wobei die Prozessgasdurchsatzmengen 200 sccm
Silan, 400 sccm Ammoniak und 4500 sccm Stickstoff betrugen. Dann
wurde eine RF-Energie hoher Frequenz (13,56 MHz) mit einer Leistung
von 170 W an den Gasverteiler angelegt, und es wurde eine bipolare
RF-Energie niedriger Frequenz (Sägezahn) (50
kHz, 4040 ns) mit einer Leistung von 250 W, die eine dreieckige
Wellenform aufweist, um den Ionenbeschuss zu erhöhen, an den keramischen Substrathalter
angelegt. Der Silikonnitridfilm wurde mit 3700 Å/min abgeschieden. Der abgeschiedene
Film hatte einen Brechungsindex von 2,0 und eine Beanspruchung von –2 × 109 Dyn/cm2.
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Der abgeschiedene Film hatte auch
eine W ER von 232 Å/min.
Das Ätzen
des abgeschiedenen Films, um ungefähr 250 Å des Silikonnitrids aus dem Feld
zu entfernen, hinterließ im
Vergleich zum Vergleichsbeispiel A eine beträchtliche Menge des Silikonnitrids
in den Bodenecken der Vertiefung. Vor dem Ätzen betrug die Silikonnitridschicht
auf den Seitenwänden
und des Bodens der Vertiefung ungefähr 57% der Dicke der Silikonnitridschicht,
die auf dem Feld abgeschieden wurde. Nach dem Ätzen wies die Seitenwand schicht
41% der Dicke des Feldes auf, und die Bodenecke wies 18% der Dicke
des Feldes auf.
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Während
das Vorangehende auf gewisse bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden
Erfindung gerichtet ist, können
andere und weitere Ausführungsformen
der Erfindung ausgedacht werden, ohne vom grundsätzlichen Umfang der Erfindung
abzuweichen. Beispielsweise kann eine solche alternative Ausführungsform
ein gepulstes Plasma verwenden, um es einem Hersteller zu ermöglichen,
die Plasmachemie gegenüber
der Plasmadichte einzustellen, um die Filmeigenschaften weiter zu
verbessern. Ein Beispiel einer Wellenform mit hoher Frequenz, die
in solchen gepulsten Plasmaverfahren verwendet wird, ist in 18 gezeigt. In 18 ist eine Wellenform mit
13,56 MHz als Wechsel zwischen AN- und AUS-Zyklen gezeigt. Die Wellenform
bildet ein Plasma, das reaktionsfreudige Spezies während jedes
AN-Zyklusses schafft, und es der chemischen Plasmazusammensetzung
ermöglicht,
das Abscheiden während
jedes AUS-Zyklus zu steuern. Das Verhältnis der AN-Zeit gegenüber der
AUS-Zeit wird als Tastverhältnis
bezeichnet. Gepulste Plasmaabscheidungstechniken sind auf viele
CVD-Verfahren anwendbar und sie sind insbesondere verwendbar, wenn
amorphe Fluorkohlenwasserstofffilme und andere dielektrische Filme
mit niedrigem K in der Vorrichtung der vorliegenden Erfindung abgeschieden werden.
In einer anderen alternativen Ausführungsform wird die Impedanzabstimmvorrichtung 108 verwendet,
um die Impedanz einer CVD-Kammer einzustellen, die andere Verfahren
neben der RF-Energie mit gemischter Frequenz verwendet, um ein Plasma auszubilden
und das Plasma vorzuspannen, um den wachsenden Film zu beschießen. Die
einzige Anforderung an die Impedanzabstimmvorrichtung 108,
um einen zusätzlichen
Steuerknopf für
eine spezielle Kammer und ein Abscheidungsverfahren zu liefern, ist
die, dass die Impedanz des Plasmas in Relation zu einem oder mehreren
Verfahrensparametern variiert. Diese Alternativen zusammen mit anderen
Alternativen und Äquivalenten
sollen im Umfang der vorliegenden Erfindung eingeschlossen sein.