DE69819662T2 - Stromgesteuerte emissionsanzeigevorrichtung und herstellungsverfahren - Google Patents
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Description
- Technisches Gebiet
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Anzeigevorrichtung, in der Strom-Lumineszenzvorrichtungen, wie z. B. organische Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtungen (im Folgenden mit "EL-Anzeigevorrichtungen" bezeichnet) unter Verwendung von Dünnschichttransistoren angesteuert werden. Genauer bezieht sich die Erfindung auf eine stromgesteuerte lichtemittierende Anzeigevorrichtung, die mittels Dünnschichttransistoren angesteuert wird, womit die Unterdrückung einer Verschlechterung im Zeitverlauf verwirklicht wird, und auf ein Verfahren zur Herstellung derselben.
- Stand der Technik
- Der Erfinder dieser Erfindung hat organische EL-Anzeigevorrichtungen, die mittels Dünnschichttransistoren angesteuert werden, genau untersucht und folgende Tatsachen festgestellt.
- (1) In einer organischen EL-Anzeigevorrichtung, die mittels Dünnschichttransistoren angesteuert wird, fließt der Gleichstrom auch durch die Dünnschichttransistoren, die in Serie mit der EL-Vorrichtung verbunden sind, um diese zu steuern, da die organische EL-Anzeigevorrichtung eine Gleichstromvorrichtung ist.
- (2) Dünnschichttransistoren sind klassifiziert in einen N-Kanal-Typ und einen P-Kanal-Typ. Diese Typen unterscheiden sich stark in der Art, in der eine Verschlechterung im Zeitverlauf stattfindet.
- Es ist dementsprechend eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Verschlechterung der Dünnschichttransistoren im Zeitverlauf in einer Strom-Lumineszenzvorrichtung, die mittels Dünnschichttransistoren angesteuert wird, zu unterdrücken.
- Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine gleichstromgesteuerte Lumineszenzanzeigevorrichtung geschaffen, umfassend:
mehrere Abtastleitungen;
mehrere Datenleitungen;
mehrere Pixel, die von den Schnittpunkten der mehreren Abtastleistungen und der mehreren Datenleitungen gebildet werden;
ein gleichstromgesteuertes Lumineszenzelement, das in jedem der mehreren Pixel ausgebildet ist;
einen ersten Dünnschichttransistor in jedem der mehreren Pixel, der mit einer Abtastleitung und einer Datenleitung verbunden ist;
einen zweiten Dünnschichttransistor in jedem der mehreren Pixel;
einen Haltekondensator, der in jedem der mehreren Pixel ausgebildet ist;
eine Gate-Elektrode des zweiten Dünnschichttransistors, die mit dem Haltekondensator verbunden ist, wobei der zweite Dünnschichttransistor dem P-Kanal-Typ entspricht; und
mehrere gemeinsame Leitungen, wobei jede der mehreren gemeinsamen Leitungen dafür ausgelegt ist, auf einem geregelten Potenzial gehalten zu werden, um jeweils einem der gleichstromgesteuerten Lumineszenzelemente über den zweiten Dünnschichttransistor einen Gleichstrom zuzuführen. - Der zweite Dünnschichttransistor kann den Gleichstrom steuern, der durch das gleichstromgesteuerte Lumineszenzelement fließt.
- Außerdem kann die gleichstromgesteuerte Lumineszenzanzeigevorrichtung ferner eine gegenüberliegende Elektrode umfassen, wobei das gleichstromgesteuerte Lumineszenzelement zwischen dem zweiten Dünnschichttransistor und der gegenüberliegenden Elektrode angeordnet ist.
- Die Anzeigevorrichtung kann ferner eine erste Ansteuerschaltung umfassen, die mit den mehreren Abtastleitungen verbunden ist, sowie eine zweite Ansteuerschaltung, die mit den mehreren Datenleitungen verbunden ist, wobei die erste Ansteuerschaltung und die zweite Ansteuerschaltung die gleichstromgesteuerten Lumineszenzelemente steuern, und wobei die erste Ansteuerschaltung und die zweite Ansteuerschaltung außerhalb einer Pixelfläche, die die mehreren Pixel umfasst, angeordnet sind.
- In diesem Fall kann sowohl die erste Ansteuerschaltung als auch die zweite Ansteuerschaltung einen Dünnschichttransistor umfassen. Außerdem kann sowohl die erste Ansteuerschaltung als auch die zweite Ansteuerschaltung N-Kanal-Typ-Dünnschichttransistoren und P-Kanal-Typ-Dünnschichttransistoren umfassen.
- Wenn jede der ersten und zweiten Ansteuerschaltungen N-Kanal-Typ-Dünnschichttransistoren und P-Kanal-Typ-Dünnschichttransistoren umfasst, schafft die vorliegende Erfindung ferner ein Verfahren zur Herstellung der gleichstromgesteuerten Lumineszenzanzeigevorrichtung, wobei das Verfahren umfasst: Ausbilden des ersten Dünnschichttransistors im gleichen Prozessschritt wie die N-Kanal-Typ-Transistoren in den Ansteuerschaltungen, und Ausbilden des zweiten Dünnschichttransistors im gleichen Prozessschritt wie die P-Kanal-Typ-Transistoren in den Ansteuerschaltungen.
- Wenn jede der ersten und zweiten Ansteuerschaltungen einen Dünnschichttransistor umfasst, kann wenigstens eine der ersten und zweiten Ansteuerschaltungen wenigstens eine Schieberegisterschaltung und/oder eine Pegelschiebeschaltung und/oder einen Analogschalter umfassen.
- In einer stromgesteuerten Lumineszenzanzeigevorrichtung der vorliegenden Erfindung können der erste Dünnschichttransistor und der zweite Dünnschichttransistor Polysilicium-Dünnschichttransistoren sein.
- Kurzbeschreibung der Zeichnungen
-
1 ist ein Blockschaltbild der Grundstruktur einer Anzeige, auf die die vorliegende Erfindung angewendet wird; -
2 ist ein Äquivalenzschaltbild einer Anzeigevorrichtung, die mit Dünnschichttransistoren ausgestattet ist, gemäß einem ersten Beispiel, das nicht Teil der vorliegenden Erfindung ist; -
3 ist ein Ansteuerspannungsdiagramm der Anzeigevorrichtung, die mit Dünnschichttransistoren ausgestattet ist, gemäß dem ersten Beispiel; -
4 ist ein Strom-Spannung-Kennliniendiagramm eines Strom-Dünnschichttransistors gemäß dem ersten Beispiel; -
5 ist ein Strom-Spannung-Kennliniendiagramm einer organischen EL-Anzeigevorrichtung gemäß dem ersten Beispiel; -
6(a) ist eine Schnittansicht einer organischen EL-Anzeigevorrichtung, die mit Dünnschichttransistoren ausgestattet ist, gemäß dem ersten Beispiel, während6(b) eine Draufsicht einer organischen EL-Anzeigevorrichtung gemäß dem ersten Beispiel ist; -
7 ist ein Äquivalenzschaltbild einer organischen EL-Anzeigevorrichtung, die mit Dünnschichttransistoren ausgestattet ist, die in einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird; -
8 ist ein Ansteuerspannungsdiagramm einer organischen EL-Anzeigevorrichtung, die mit Dünnschichttransistoren ausgestattet ist, gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; -
9 ist ein Strom-Spannung-Kennliniendiagramm eines Strom-Dünnschichttransistors gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; -
10 ist ein Strom-Spannung-Kennliniendiagramm einer organischen EL-Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; -
11(a) ist eine Schnittansicht einer organischen EL-Anzeigevorrichtung, die mit Dünnschichttransistoren der vorliegenden Erfindung ausgestattet ist, gemäß der ersten Ausführungsform, während11(b) eine Draufsicht einer organischen EL-Anzeigevorrichtung ist, die mit Dünnschichttransistoren ausgestattet ist, gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; -
12 ist ein Diagramm, das die Verschlechterung eines N-Kanal-Typ-Dünnschichttransistors im Zeitverlauf zeigt; -
13 ist ein Diagramm, das die Verschlechterung eines P-Kanal-Typ-Dünnschichttransistors im Zeitverlauf zeigt; und -
14 ist ein Flussdiagramm des Prozesses zur Herstellung einer dünnschichttransistor-gesteuerten organischen EL-Anzeigevorrichtung gemäß dem ersten Beispiel. -
- 111
- Abtastleitung
- 112
- Datenleitung
- 113
- Halteelektrode
- 114
- Masseleitung
- 115
- Pixelelektrode, aus AI gebildet
- 116
- gegenüberliegende Elektrode, aus ITO gebildet
- 121
- schaltender Dünnschichttransistor
- 122
- N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor
- 123
- Haltekondensator
- 131
- vorwärts ausgerichtete organische EL-Anzeigevorrichtung
- 132
- Lochinjektionsschicht
- 133
- organische EL-Schicht
- 141
- Stromrichtung des Strom-Lumineszenzelements
- 151
- Resist
- 211
- Abtastpotenzial
- 212
- Signalpotenzial
- 213
- Haltepotenzial
- 214
- Massepotenzial
- 215
- Pixelpotenzial
- 216
- Gegenpotenzial
- 221
- Anzeigeperiode der Pixel
- 222
- Nichtanzeigeperiode der Pixel
- 31
- Strom-Spannung-Kennlinie des N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistors, wenn die Drainspannung gleich 4 V ist
- 32
- Strom-Spannung-Kennlinie des N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistors, wenn die Drainspannung gleich 8 V ist
- 4
- Strom-Spannung-Kennlinie einer vorwärts ausgerichteten organischen EL-Anzeigevorrichtung
- 611
- Abtastleitung
- 612
- Datenleitung
- 613
- Halteelektrode
- 614
- Masseleitung
- 615
- Pixelelektrode, aus ITO gebildet
- 616
- gegenüberliegende Elektrode, aus AI gebildet
- 621
- schaltender Dünnschichttransistor
- 622
- P-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor
- 623
- Haltekondensator
- 631
- rückwärts ausgerichtete organische EL-Anzeigevorrichtung
- 632
- Lochinjektionsschicht
- 633
- organische EL-Schicht
- 641
- Stromrichtung des Strom-Lumineszenzelements
- 651
- Resist
- 711
- Abtastpotenzial
- 712
- Signalpotenzial
- 713
- Haltepotenzial
- 714
- Massepotenzial
- 715
- Pixelpotenzial
- 716
- Gegenpotenzial
- 721
- Anzeigeperiode der Pixel
- 722
- Nichtanzeigeperiode der Pixel
- 81
- Strom-Spannung-Kennlinie des P-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistors, wenn die Drainspannung gleich 4 V ist
- 82
- Strom-Spannung-Kennlinie des P-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistors, wenn die Drainspannung gleich 8 V ist
- 9
- Strom-Spannung-Kennlinie einer vorwärts ausgerichteten organischen EL-Anzeigevorrichtung
- 511
- Leitfähigkeitskennlinie eines N-Kanal-Typ-Dünnschichttransistors vor Anlegen der Spannung, wenn Vd = 4 V
- 512
- Leitfähigkeitskennlinie eines N-Kanal-Typ-Dünnschichttransistors vor Anlegen der Spannung, wenn Vd = 8 V
- 521
- Leitfähigkeitskennlinie eines N-Kanal-Typ-Dünnschichttransistors nach Anlegen der Spannung, wenn Vd = 4 V
- 522
- Leitfähigkeitskennlinie eines N-Kanal-Typ-Dünnschichttransistors nach Anlegen der Spannung, wenn Vd = 8 V
- 811
- Leitfähigkeitskennlinie eines P-Kanal-Typ-Dünnschichttransistors vor Anlegen der Spannung, wenn Vd = 4 V
- 812
- Leitfähigkeitskennlinie eines P-Kanal-Typ-Dünnschichttransistors vor Anlegen der Spannung, wenn Vd = 8 V
- 821
- Leitfähigkeitskennlinie eines P-Kanal-Typ-Dünnschichttransistors nach Anlegen der Spannung, wenn Vd = 4 V
- 822
- Leitfähigkeitskennlinie eines P-Kanal-Typ-Dünnschichttransistors nach Anlegen der Spannung, wenn Vd = 8 V
- Bester Modus zur Ausführung der Erfindung
- (Die allgemeine Struktur einer organischen EL-Anzeigevorrichtung)
- Im folgenden werden mit Bezug auf die Zeichnungen bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben.
- Wie in
1 gezeigt ist, bildet der Zentralbereich eines Substrats1 einen Anzeigeteil. Im Außenumfang des transparenten Substrats1 ist an der Oberseite der Zeichnung eine Datenseite-Ansteuerschaltung3 angeordnet, die Bildsignale an Datenleitungen112 ausgibt, während an der linken Seite der Zeichnung eine Abtastseite-Ansteuerschaltung4 angeordnet ist, die Abtastsignale an Abtastleitungen111 ausgibt. In diesen Ansteuerschaltungen3 und4 bilden N-Typ-Dünnschichttransistoren und P-Typ-Dünnschichttransistoren TFTs des komplementären Typs. Diese Dünnschichttransistoren des komplementären Typs sind in Schieberegisterschaltungen, Pegelschiebeschaltungen, Analogschalterschaltungen und dergleichen enthalten. - Auf dem transparenten Substrat
1 sind mehrere Abtastleitungen111 und mehrere Datenleitungen112 , die in einer Richtung senkrecht zu der Richtung verlaufen, in der die Abtastleitungen verlaufen, angeordnet. Die Schnittpunkte dieser Datenleitungen112 und Abtastleitungen111 bilden Pixel7 in Form einer Matrix. - In jedem dieser Pixel
7 ist ein erster Dünnschichttransistor121 (im Folgenden als "schaltender Dünnschichttransistor" bezeichnet) angeordnet, über welchem Abtastsignale über die Abtastleitung111 einer Gate-Elektrode (einer ersten Gate-Elektrode) zugeführt werden. Ein Ende des Source/Drain-Bereiches des schaltenden Dünnschichttransistors121 ist mit einer Datenleitung112 elektrisch verbunden, während das andere Ende des Source/Drain-Bereiches mit einer Potenzialhalteelektrode113 elektrisch verbunden ist. Außerdem ist eine Masseleitung114 parallel zu den Datenleitungen112 angeordnet. Der Haltekondensator123 ist zwischen der Masseleitung114 und der Potenzialhalteelektrode113 ausgebildet. Die Masseleitung wird auf einem geregelten Potenzial gehalten. Wenn dementsprechend der schaltende Dünnschichttransistor121 durch die Auswahl durch ein Abtastsignal eingeschaltet wird, wird das Bildsignal von der Datenleitung112 über den schaltenden Dünnschichttransistor in den Haltekondensator123 geschrieben. - Die Potenzialhalteelektrode
113 ist mit der Gate-Elektrode des zweiten Dünnschichttransistors122 (im Folgenden als "Strom-Dünnschichttransistor" bezeichnet) elektrisch verbunden. Das eine Ende des Source/Drain-Bereiches des Strom-Dünnschichttransistors122 ist mit einer Masseleitung114 elektrisch verbunden, während das andere Ende des Source/Drain-Bereiches mit einer Elektrode115 eines Lumineszenzelements131 elektrisch verbunden ist. Wenn der Strom-Dünnschichttransistor122 eingeschaltet ist, fließt der Strom der Masseleitung114 zum Lumineszenzelement131 , wie z. B. einer organischen EL-Anzeigevorrichtung, durch den Strom-Dünnschichttransistor122 , so dass das Lumineszenzelement131 Licht emittiert. Obwohl in dieser Anordnung ferner eine Elektrode des Haltekondensators mit einer Masseleitung114 verbunden ist, ist es auch möglich, dass diese mit einer Kapazitätsleitung verbunden ist, die separat vorgesehen ist, anstatt mit der Masseleitung114 verbunden zu sein. Alternativ kann eine Elektrode des Haltekondensators mit einer benachbarten Gate-Leitung verbunden sein. - (Erstes Beispiel)
-
2 ist ein Äquivalenzschaltbild einer organischen EL-Anzeigevorrichtung, die mit Dünnschichttransistoren ausgestattet ist, gemäß einem ersten Beispiel, das keinen Teil der vorliegenden Erfindung darstellt.3 ist ein Ansteuerspannungsdiagramm einer organischen EL-Anzeigevorrichtung mit Dünnschichttransistoren gemäß dem ersten Beispiel.4 ist ein Strom-Spannung-Kennliniendiagramm von Strom-Dünnschichttransistoren gemäß dem ersten Beispiel.5 ist ein Strom-Spannung-Kennliniendiagramm einer organischen EL-Anzeigevorrichtung gemäß dem ersten Beispiel. - In
2 sind eine Abtastleitung111 , eine Datenleitung112 , eine Halteelektrode113 , eine Masseleitung114 , eine aus AL gebildete Pixelelektrode115 , eine aus ITO gebildete gegenüberliegende Elektrode116 , ein schaltender Dünnschichttransistor121 , ein N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor122 , ein Haltekondensator123 , ein organisches EL-Anzeigeelement131 (im Folgenden als "vorwärts ausgerichtete organische EL-Anzeigevorrichtung" bezeichnet), das durch den von der Speiseleitung116 zur Pixelelektrode115 fließenden Strom veranlasst wird, Licht zu emittieren, und die Stromrichtungen der organischen EL-Anzeigevorrichtung131 und141 gezeigt. - In
3 sind ein Abtastpotenzial211 , ein Signalpotenzial212 , ein Haltepotenzial213 , ein Massepotenzial214 , ein Pixelpotenzial215 und ein Gegenpotenzial216 gezeigt. In3 ist nur ein Teil jedes Potenzials gezeigt, um die jeweiligen Potenzialbeziehungen dazustellen. Das Potenzial der Abtastleitung111 entspricht dem Abtastpotenzial211 ; das Potenzial der Datenleitung112 entspricht dem Signalpotenzial212 ; das Potenzial der Halteelektrode113 entspricht dem Haltepotenzial213 ; das Potenzial der Masseleitung114 entspricht dem Massepotenzial214 ; das Potenzial der Pixelelektrode115 , die aus AI gebildet ist, entspricht dem Pixelpotenzial215 ; und das Potenzial der Gegenelektrode116 , die aus ITO (Indium-Zinn-Oxid) gebildet ist, entspricht dem Gegenpotenzial216 .3 zeigt jedes Signalpotenzial schematisch und teilweise. - Das Bezugszeichen
221 bezeichnet eine Periode, in der sich ein Pixel im Anzeigezustand befindet, wobei Strom in das vorwärts ausgerichtete organische EL-Anzeigeelement131 fließt, so dass es Licht emittiert, während das Bezugszeichen222 eine Periode bezeichnet, in der sich das Pixel im Nicht-Anzeigezustand befindet, in welchem kein Strom in das vorwärts ausgerichtete organische EL-Anzeigelement131 fließt, so dass dieses kein Licht emittiert. - Wie in
4 gezeigt ist, zeigt eine Kurve31 die Strom-Spannung-Kennlinie eines N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistors122 , die beobachtet wird, wenn die Drain-Spannung gleich 4 V ist, während eine Kurve32 die Strom-Spannung-Kennlinie des N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistors122 zeigt, die beobachtet wird, wenn die Drain-Spannung gleich 8 V ist. Hinsichtlich der jeweiligen Drain-Spannung können die folgenden Tatsachen beobachtet werden. Wenn die Gate-Spannung niedrig ist, ist der N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor122 ausgeschaltet, wobei eine kleine Menge des Drain-Stroms fließt, was einen hohen Source/Drain-Widerstand anzeigt. Wenn die Gate-Spannung hoch ist, ist der N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor122 eingeschaltet, wobei eine große Menge an Drain-Strom fließt, was einen niedrigen Source/Drain-Widerstand anzeigt. - In
5 bezeichnet das Bezugszeichen4 die Strom-Spannung-Kennlinie des vorwärts ausgerichteten organischen EL-Anzeigeelements131 . Hier stellt die Spannung das Gegenpotenzial216 gegen das Pixelpotenzial215 dar, wobei der Strom den Strom darstellt, der von der gegenüberliegenden Elektrode116 zur Pixelelektrode115 fließt. Das vorwärts ausgerichtete EL-Anzeigeelement131 ist ausgeschaltet, wenn die Spannung nicht höher ist als eine bestimmte Schwellenspannung; der Widerstand ist hoch und erlaubt keinen Stromfluss, so dass die Vorrichtung kein Licht emittiert. Die Vorrichtung ist eingeschaltet, wenn die Spannung über einer bestimmten Schwellenspannung liegt, wobei der Widerstand niedrig ist und einen Stromfluss erlaubt, so dass die Vorrichtung Licht emittiert. In diesem Fall beträgt die obenerwähnte Schwellenspannung etwa 2 V. - Im Folgenden wird mit Bezug auf
2 ,3 ,4 und5 die Operation einer organischen EL-Anzeigevorrichtung beschrieben, die mit den Dünnschichttransistoren dieses Beispiels ausgestattet ist. - Der schaltende Dünnschichttransistor
121 steuert die Leitfähigkeit zwischen der Datenleitung112 und der Halteelektrode113 mittels des Potenzials der Abtastleitung111 . Mit anderen Worten, das Abtastpotenzial211 steuert die Leitfähigkeit zwischen dem Signalpotenzial212 und dem Haltepotenzial213 . Obwohl in diesem Beispiel der schaltende Dünnschichttransistor121 ein N-Kanal-Typ-Dünnschichttransistor ist, kann auch ein P-Kanal-Typ-Dünnschichttransistor verwendet werden. - Für die Periode
221 , in der sich das Pixel im Anzeigezustand befindet, ist das Signalpotenzial212 hoch, wobei das Haltepotenzial213 auf einem hohen Pegel gehalten wird. Für die Periode222 , in der sich das Pixel im Nicht-Anzeigezustand befindet, ist das Signalpotenzial212 niedrig, wobei das Haltepotenzial213 auf einem niedrigen Pegel gehalten wird. - Der N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor
122 besitzt die in4 gezeigte Kennlinie und steuert Gleitfähigkeit zwischen der Masseleitung114 und der Pixelelektrode115 mittels des Potenzials der Halteelektrode113 . Mit anderen Worten, das Haltepotenzial213 steuert die Leitfähigkeit zwischen dem Massepotenzial214 und dem Pixelpotenzial212 . Für die Periode222 , in der sich das Pixel im Anzeigezustand befindet, ist das Haltepotenzial213 hoch, so dass die Masseleitung114 mit der Pixelelektrode115 elektrisch verbunden ist. Für die Periode222 , in der sich das Pixel im Nicht-Anzeigezustand befindet, ist das Haltepotenzial213 niedrig, so dass die Masseleitung114 von der Pixelelektrode115 getrennt ist. - Das organische EL-Anzeigeelement
131 besitzt die in5 gezeigte Kennlinie. Für die Periode221 , in der sich das Pixel im Anzeigezustand befindet, fließt der Strom zwischen der Pixelelektrode115 und den gegenüberliegenden Elektroden116 , so dass das organische EL-Anzeigeelement131 Licht emittiert. Für die Periode222 , in der sich das Pixel im Nicht-Anzeigezustand befindet, fließt kein Strom, so dass die Vorrichtung kein Licht emittiert. -
6(a) ist eine Schnittansicht einer organischen Dünnschichttransistor-EL-Anzeigevorrichtung (ein Pixel), die keinen Teil der vorliegenden Erfindung darstellt.6(b) ist eine Draufsicht einer organischen Dünnschichttransistor-EL-Anzeigevorrichtung (ein Pixel), die keinen Teil der vorliegenden Erfindung darstellt. Der Schnitt längs der Linie A-A' der6(a) entspricht dem Schnitt längs der Linie A-A' der6(b) . - In
6 bezeichnet das Bezugszeichen132 eine Lochinjektionsschicht, während das Bezugszeichen133 eine organische EL-Schicht bezeichnet und das Bezugszeichen151 einen Resist bezeichnet. - In diesem Beispiel verwenden der schaltende Dünnschichttransistor
121 und der N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor122 die Struktur und den Prozess, die gewöhnlich für einen Niedertemperatur-Polysilicium-Dünnschichttransistor verwendet werden, welche für Dünnschichttransistor-Flüssigkristallanzeigevorrichtungen verwendet werden, d. h. eine Top-Gate-Struktur und einen Prozess, der unter der Bedingung durchgeführt wird, dass die maximale Temperatur gleich 600°C oder weniger beträgt. Es sind jedoch auch andere Strukturen und Prozesse anwendbar. - Das vorwärts ausgerichtete organische EL-Anzeigeelement
131 wird von der aus AI gebildeten Pixelelektrode115 , der aus ITO gebildeten gegenüberliegenden Elektrode116 , der Lochinjektionsschicht132 und der organischen EL-Schicht133 gebildet. Im vorwärts ausgerichteten organischen EL-Anzeigeelement131 kann die Richtung des Stroms der organischen EL-Anzeigevorrichtung, die mit141 bezeichnet ist, von der aus ITO gebildeten gegenüberliegenden Elektrode116 zu der aus AI-gebildeten Pixelelektrode115 festgelegt sein. Ferner ist die Struktur der organischen EL-Anzeigevorrichtung nicht auf diejenige beschränkt, die hier verwendet wird. Es sind auch andere Strukturen anwendbar, solange die Richtung des Stroms der organischen EL-Anzeigevorrichtung, die mit 141 bezeichnet ist, auf die Richtung von der gegenüberliegenden Elektrode zur Pixelelektrode festgelegt werden kann. - Hierbei werden die Lochinjektionsschicht
132 und die organische EL-Schicht133 mittels eines Tintenstrahldruckverfahrens ausgebildet, das den Resist151 als eine Trennstruktur zwischen den Pixeln verwendet, während die aus ITO gebildete gegenüberliegende Elektrode116 mittels eines Sputter-Verfahrens gebildet wird, wobei jedoch andere Verfahren ebenfalls anwendbar sind. - In diesem Beispiel ist das Massepotenzial
214 niedriger als das Gegenpotenzial216 , wobei der Strom-Dünnschichttransistor der N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor122 ist. - In der Periode
221 , in der sich das Pixel im Anzeigezustand befindet, ist der N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor122 eingeschaltet. Der Strom, der durch das vorwärts ausgerichtete organische EL-Anzeigeelement131 fließt, d. h. der Ein-Strom des N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistors122 hängt von der Gate-Spannung ab, wie in3 gezeigt ist. Hierbei bedeutet der Ausdruck "Gate-Spannung" die Potenzialdifferenz zwischen dem Haltepotenzial213 und dem niedrigern Potenzial des Massepotenzials214 und des Pixelpotenzials215 . In diesem Beispiel ist das Massepotenzial214 niedriger als das Pixelpotenzial215 , so dass die Gate-Spannung die Potenzialdifferenz zwischen dem Haltepotenzial213 und dem Massepotenzial214 angibt. Die Potenzialdifferenz kann ausreichend groß sein, so dass eine ausreichend große Menge an EIN-Strom verfügbar ist. Der EIN-Strom des N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistors122 hängt ferner von der Drain-Spannung ab. Dies beeinflusst jedoch nicht die obige Situation. - Um im Gegensatz hierzu eine notwendige Menge an Ein-Strom zu erhalten, kann das Haltepotenzial
213 niedriger gemacht werden, wobei die Amplitude des Signalpotenzials212 und somit die Amplitude des Abtastpotenzials211 verringert werden können. Mit anderen Worten, im schaltenden Dünnschichttransistor121 und im N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor122 kann eine Verringerung der Ansteuerspannung erreicht werden, ohne irgendeinen Verlust an Anzeigequalität, anormale Operationen oder eine Verringerung in der Frequenz, die diesen freigibt, zu arbeiten, zu bewirken. - Ferner ist in diesem Beispiel das Signalpotenzial
212 für das Pixel, das sich im Anzeigezustand befinden soll, niedriger als das Gegenpotenzial216 . - Wie oben erwähnt worden ist, hängt in der Periode
221 , in der das Pixel sich im Anzeigezustand befindet, der EIN-Strom des N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistors122 von der Potenzialdifferenz zwischen dem Haltepotenzial213 und dem Massepotenzial214 ab, jedoch nicht direkt von der Potenzialdifferenz zwischen dem Haltepotenzial213 und dem Gegenpotenzial216 . Somit kann das Haltepotenzial213 , d. h. das Signalpotenzial212 für das Pixel, das sich im Anzeigezustand befinden soll, niedriger gemacht werden als das Gegenpotenzial216 , wodurch die Amplitude des Signalpotenzials212 und die Amplitude des Abtastpotenzials211 verringert werden können, während ein ausreichend großer EIN-Strom im N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor122 aufrechterhalten wird. Das heißt, im schaltenden Dünnschichttransistor121 und im N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor122 kann eine Verringerung der Ansteuerspannung erreicht werden, ohne irgendeinen Verlust an Anzeigequalität, anormale Operationen oder eine Verringerung der Frequenz, die diesen freigibt, zu arbeiten, zu bewirken. - Außerdem ist diesem Beispiel das Signalpotenzial
212 für das Pixel, das sich im Nicht-Anzeigezustand befinden soll, höher als das Massepotenzial214 . - In der Periode
222 , in der sich das Pixel im Nicht-Anzeigezustand befindet, ist dann, wenn das Signalpotenzial212 etwas höher wird als das Massepotenzial214 , der N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor222 nicht vollständig ausgeschaltet. Der Source/Drain-Widerstand des N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistors122 wird jedoch erheblich höher, wie in3 gezeigt ist. Somit wird das Pixelpotenzial215 , das bestimmt wird durch Dividieren des Massepotenzials214 und des Gegenpotenzials216 durch die Werte des Widerstands des N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistors122 und des Widerstands des vorwärts ausgerichteten organischen EL-Anzeigeelements131 , gleich einem Potenzial nahe dem Gegenpotenzial216 . - Die Spannung, die an das vorwärts ausgerichtete organische EL-Anzeigeelement
131 angelegt ist, ist die Potenzialdifferenz zwischen dem Pixelpotenzial215 und dem Gegenpotenzial216 . Wie in5 gezeigt ist, ist das vorwärts ausgerichtete organische EL-Anzeigeelement131 ausgeschaltet, wenn die Spannung nicht höher ist als eine bestimmte Schwellenspan nung, wenn kein Strom fließt, so dass die Anzeigevorrichtung kein Licht emittiert. Das heißt, die Nutzung eines Schwellenpotenzials des vorwärts ausgerichteten organischen EL-Anzeigeelements131 ermöglicht, dass das vorwärts ausgerichtete organische EL-Anzeigeelement131 kein Licht emittiert, selbst wenn das Signalpotenzial212 etwas höher ist als das Massepotenzial214 , und wenn der N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor122 nicht vollständig ausgeschaltet ist. - Hierbei kann die Amplitude des Signalpotenzials
212 und somit die Amplitude des Abtastpotenzials211 gesenkt werden, indem das Signalpotenzial212 für das Pixel, das sich im Nicht-Anzeigezustand befinden soll, höher gemacht wird als das Massepotenzial214 . Mit anderen Worten, bezüglich des schaltenden Dünnsichttransistors121 und des N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistors122 kann eine Verringerung des Ansteuerpotenzials erreicht werden, ohne irgendeinen Verlust an Anzeigequalität, anormale Operationen oder eine Verringerung in der Frequenz, die diesen freigibt, zu arbeiten, zu bewirken. - Die Operation einer organischen EL-Anzeigevorrichtung, die mit den Dünnschichttransistoren des Beispiels ausgestattet ist, ist nicht so einfach wie oben beschrieben; sie arbeitet unter einer komplizierteren Beziehung zwischen Spannung und Strom. Die obige Beschreibung trifft jedoch näherungsweise und qualitativ zu.
- (Erste Ausführungsform)
-
7 ist ein Äquivalenzschaltbild einer organischen EL-Anzeigevorrichtung, die mit Dünnschichttransistoren ausgestattet ist, gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.8 ist ein Ansteuerspannungsdiagramm der organischen EL-Anzeigevorrichtung mit Dünnschichttransistoren gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.9 ist ein Strom-Spannung-Kennliniendiagramm eines Strom-Dünnschichttransistors gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.10 ist ein Strom-Spannung-Kennliniendiagramm der organischen EL-Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. - In
7 ist eine Pixelelektrode gezeigt, die aus ITO615 gebildet ist, sowie eine gegenüberliegende Elektrode, die aus AI616 gebildet ist, ein P-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor622 und eine organische EL-Anzeigevorrichtung631 (im folgenden als "rückwärts ausgerichtete organische EL-Anzeigevorrichtung" bezeichnet), die durch den Strom, der von der Pixelelektrode615 zur Speiseleitung616 fließt, zum Emittieren von Licht veranlasst wird. Das Bezugszeichen641 bezeichnet die Richtung des Stroms der organischen EL-Anzeigevorrichtung. Diese Richtung ist die Umkehrung derjenigen, die in2 gezeigt ist. Mit Ausnahme hiervon ist diese Ausführungsform die gleiche wie das in1 gezeigte obige erste Beispiel. -
8 entspricht3 , mit der Ausnahme, dass der Pegel jedes Potenzials sich von demjenigen der3 unterscheidet. - In
9 zeigt eine Kurve81 eine Strom-Spannung-Kennlinie eines P-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistors622 , die beobachtet wird, wenn die Drain-Spannung gleich 4 V ist. Eine Kurve82 zeigt eine Strom-Spannung-Kennlinie des P-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistors622 , die beobachtet wird, wenn die Drain-Spannung gleich 8 V ist. - In
10 zeigt eine Kurve9 eine Strom-Spannung-Kennlinie einer rückwärts ausgerichteten organischen EL-Anzeigevorrichtung631 . - Die organische EL-Anzeigevorrichtung, die mit dem Dünnschichttransistoren dieser Ausführungsform ausgestattet ist, arbeitet in der gleichen Weise wie diejenige des ersten Beispiels, mit der Ausnahme, dass die Potenzialbeziehung hinsichtlich des Strom-Dünnschichttransistors umgekehrt ist, aufgrund der Tatsache, dass der Strom-Dünnsichttransistor der P-Kanal-Typ-Dünnschichttransistor
622 ist. -
11(a) ist eine Schnittansicht einer organischen EL-Anzeigevorrichtung (ein Pixel), die mit den Dünnsichttransistoren ausgestattet ist, gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.11(b) ist eine Draufsicht einer organischen Dünnsichttransistor-EL-Anzeigevorrichtung (ein Pixel) gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Der Schnitt längs der Linie A-A' der11(a) entspricht dem Schnitt längs der Linie A-A' der10(b) . -
11 entspricht der6 mit der Ausnahme, dass sie eine Lochinjektionsschicht622 und eine organische EL-Schicht633 zeigt. - Die rückwärts ausgerichtete organische EL-Anzeigevorrichtung
631 wird gebildet mittels der Pixelelektrode615 , die aus ITO gebildet ist, der gegenüberliegenden Elektrode616 die aus AI gebildet ist, der Lochinjektionssicht632 und der organischen EL-Schicht633 . In der rückwärts ausgerichteten organischen EL-Anzeigevorrichtung631 kann die Richtung des Stroms der organischen EL-Anzeigevorrichtung, die mit641 gezeigt ist, auf die Richtung von der aus ITO gebildeten Pixelelektrode615 zu der aus AI gebildeten gegenüberliegenden Elektrode616 festgelegt sein. - In dieser Ausführungsform ist ein Massepotenzial
714 höher als ein Gegenpotenzial716 . Ferner ist der Strom-Dünnschichttransistor der P-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor622 . - In dieser Ausführungsform ist ein Signalpotenzial
712 für das Pixel, das sich im Anzeigezustand befinden soll, höher als das Gegenpotenzial716 . - Ferner ist in dieser Ausführungsform das Signalpotenzial
712 für das Pixel, das sich im Nicht-Anzeigezustand befinden soll, niedriger als das Massepotenzial714 . - Alle Wirkungen der organischen Dünnschichttransistor-EL-Anzeigevorrichtung dieser Ausführungsform sind ferner dieselben wie beim ersten Beispiel, mit der Ausnahme, dass die Potenzialbeziehung hinsichtlich des Strom-Dünnschichttransistors umgekehrt ist, aufgrund der Tatsache, dass der Strom-Dünnschichttransistor der P-Kanal-Typ-Dünnschichttransistor
622 ist. - In dieser Ausführungsform ist der Strom-Dünnschichttransistor
622 ein P-Kanal-Typ-Dünnschichttransistor. Diese Anordnung ermöglicht, dass die Verschlechterung des Strom-Dünnschichttransistors622 im Zeitverlauf erheblich verringert wird. Ferner ermöglicht die Anordnung, die einen P-Kanal-Typ-Polysilicium-Dünnschichttransistor verwendet, dass die Ver schlechterung des Strom-Dünnschichttransistors622 im Zeitverlauf noch weiter verringert wird. -
14 ist ein Diagramm eines Prozesses zur Herstellung der stromgesteuerten nicht emittierenden Anzeigevorrichtung, die mit den Dünnschichttransistoren ausgestattet ist, gemäß der Modifikation des ersten Beispiels der obenbeschriebenen vorliegenden Erfindung. - Wie in
14(a) gezeigt ist, ist eine amorphe Siliciumschicht mit einer Dicke von 200 bis 600 Ångström über den gesamten Substrat1 abgeschieden, wobei die amorphe Siliciumschicht mittels Laser ausglühen und dergleichen polykristallisiert wird, um eine polykristalline Siliciumschicht zu bilden. Anschließend wird eine Musterung auf der polykristallinen Siliciumschicht durchgeführt, um eine Siliciumdünnschicht421 auszubilden, die als ein Source/Drain-Kanalbereich des schaltenden Dünnschichttransistors121 dient, und um eine erste Elektrode423 des Speicherkondensators123 und eine Siliciumdünnschicht422 zu bilden, die als Source/Drain-Kanalbereich des Strom-Dünnschichttransistors122 dient. Anschließend wird eine Isolationsschicht424 , die als Gate-Isolationsschicht dient, über den Siliciumdünnschichten421 ,422 und der ersten Elektrode423 ausgebildet. Anschließend wird eine Implantierung von Phosphorionen (P-Ionen) selektiv auf der ersten Elektrode423 bewerkstelligt, um deren Widerstand zu senken. Als nächstes, wie in14(b) gezeigt ist, werden Gate-Elektroden111 und111' , die aus TaN-Schichten bestehen, auf den Siliciumdünnschichten421 und422 durch die Vermittlung der Gate-Isolationsschicht ausgebildet. Anschließend wird eine Resistmaske42 auf der Siliciumschicht422 ausgebildet, die als Strom-Dünnsichttransistor dient, wobei Phosphorionen (P-Ionen) durch eine Selbstausrichtung unter Verwendung der Gate-Elektrode als Maske implantiert werden, um einen N-Typ-Source/Drain-Bereich in der Siliciumschicht421 auszubilden. Anschließend, wie in14(c) gezeigt ist, wird eine Resistmaske412' auf der ersten Siliciumschicht421 und der ersten Elektrode ausgebildet, wobei Bohr (B) durch Selbstausrichtung unter Verwendung der Gate-Elektrode111' als Maske in die Siliciumschicht422 ionenimplantiert wird, um einen P-Typ-Source/Drain-Bereich in der Siliciumschicht422 auszubilden. Auf diese Weise erlaubt eine N-Kanal-Typ-Störstellendotierung411 , den schaltenden Dünnschichttransistor121 auszubilden. Zu diesem Zeitpunkt ist der Strom-Dünnschichttransistor122 durch die Resistmaske42 geschützt, so dass keine N-Kanal-Typ-Störstellendotierung411 durchgeführt wird. Anschließend erlaubt eine P-Kanal-Typ-Störstellendotierung412 , den Strom-Dünnschichttransistor122 auszubilden. - Obwohl es nicht gezeigt ist, ist es ferner in einem Fall, in welchem ein Schieberegister eines Ansteuerschaltungsabschnitts, der den schaltenden Transistor
121 ansteuert, und ein Dünnschichttransistor, der eine Abtastwerthalteschaltung und dergleichen bildet, auf dem selben Substrat ausgebildet werden sollen, möglich, diese gleichzeitig im gleichen Prozessschritt auszubilden, wie oben beschrieben worden. - Eine zweite Elektrode
425 des Speicherkondensators kann zusammen mit den Gate-Elektroden111 und111' gleichzeitig ausgebildet werden, entweder aus den gleichen oder verschiedenen Materialien. - Wie in
14(d) gezeigt ist, werden nach der Ausbildung einer Zwischenschicht-Isolationsschicht43 Kontaktlöcher und Elektrodenschichten, die von426 ,427 ,428 und429 aus Aluminium, ITO oder dergleichen gebildet sind, ausgebildet. - Nachdem eine Zwischenschicht-Isolationsschicht
44 ausgebildet und eingeebnet worden ist, werden anschließend Kontaktlöcher ausgebildet; anschließend wird ITO45 mit einer Dicke von 1.000 bis 2.000 Ångström, vorzugsweise etwa 1600 Ångström, ausgebildet, derart, dass eine Elektrode des Strom-Dünnschichttransistors damit verbunden ist. Für jeden Pixelbereich sind Bankschichten46 und47 definiert, die nicht weniger als 2,0 μm bereit sind. Als nächstes wird eine organische EL-Schicht48 mittels eines Tintenstrahlverfahrens und dergleichen in dem Bereich ausgebildet, der von den Bankschichten46 und47 umgeben ist. Nachdem die organische EL-Schicht48 ausgebildet worden ist, wird eine Aluminium-Lithium-Schicht mit einer Dicke von 6000 bis 8000 Ångström als gegenüberliegende Elektrode49 auf der organischen EL-Schicht48 abgeschieden. Zwischen der organischen EL-Schicht48 und der gegenüberliegenden Elektrode49 kann eine Lochinjektionsschicht angeordnet werden, wie in6 gezeigt ist. - Der obenerwähnte Prozess ermöglicht, eine organische EL-Anzeigevorrichtung auszubilden, die mittels eines Hochleistungs-Dünnschichttransistors angesteuert wird. Da Polysilicium eine sehr viel höhere Trägermobilität aufweist als amorphes Silicium, ist eine schnelle Operation möglich.
- Genauer, wenn in diesem Beispiel der P-Kana-Typ-Strom-Dünnschichttransistor
122 und der N-Typ-Schalt-Dünnschichttransistor121 ausgebildet werden, ist es möglich, beide aus N-Typ- und P-Typ-Dünnschichttransistoren, die Dünnschichttransistoren komplementären Typs sind und ein Schieberegister einer Ansteuerschaltung, eine Abtastwerthalteschaltung und dergleichen bilden, gleichzeitig und entsprechend den obenerwähnten Beispiel zu bilden. Die Anordnung ermöglicht, eine Konstruktion zu verwirklichen, die die Verschlechterung des Strom-Dünnschichttransistors 122 im Zeitverlauf zu verringert, ohne die Anzahl der Herstellungsschritte zu erhöhen. - Wie oben beschrieben worden ist, wird im ersten Beispiel ein N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor verwendet, während in der ersten Ausführungsform ein P-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor verwendet wird. Im folgenden wird die Verschlechterung der P-Kanal- und N-Kanal-Typ-Dünnschichttransistoren im Zeitverlauf untersucht.
-
12 und13 sind Diagramme, die jeweils die Verschlechterung eines N-Kanal-Typ- und P-Kanal-Typ-Dünnsichttransistors im Zeitverlauf zeigen, insbesondere von Polysilicium-Dünnschichttransistoren unter äquivalenten Spannungsbeaufschlagungsbedingungen. Die Bezugszeichen511 und512 der12 zeigen die Leitfähigkeitskennlinien eines N-Kanal-Typ-Dünnschichttransistors in den Fällen, in denen Vd = 4 V bzw. Vd = 8 V gilt, vor einer Spannungsbeaufschlagung. Die Bezugszeichen521 und522 zeigen die Leitfähigkeitskennlinien eines N-Kanal-Typ-Dünnschichttransistors in den Fällen, in denen Vg = 0 V und Vd = 15 V gilt, und in denen Vg = 4 V und Vd = 8 V gilt, nach einer Spannungsbeaufschlagung von etwa 1000 Sekunden. Die Bezugszeichen811 und812 der13 zeigen die Leitfähigkeitskennlinien eines P-Kanal-Typ-Dünnschichttransistors in den Fällen, in denen Vd = 4 V bzw. Vd = 8 V gilt, vor einer Spannungsbeaufschlagung. Die Bezugszeichen821 und822 zeigen die Leitfähigkeitskennlinien eines P- Kanal-Typ-Dünnschichttransistors in den Fällen, in denen Vg = 0 V und Vd = 15 V gilt, und in denen Vg = 4 V und Vd = 8 V gilt, nach einer Spannungsbeaufschlagung von etwa 1000 Sekunden. Es wird deutlich, dass im P-Kanal-Typ-Dünnschichttransistor die Verringerung des EIN-Stroms und die Erhöhung des AUS-Stroms kleiner sind als im N-Kanal-Typ. - Unter Berücksichtigung der Differenz der Kennlinie der Verschlechterung im Zeitverlauf zwischen den P-Typ- und den N-Typ-Dünnschichttransistoren, wie in den
12 bzw.13 gezeigt ist, wird wenigstens entweder ein schaltender Dünnschichttransistor oder ein Strom-Dünnschichttransistor aus einem P-Kanal-Typ-Dünnschichttransistor gebildet, insbesondere einem P-Typ-Polysilicium-Dünnschichttransistor, wodurch die Verschlechterung im Zeitverlauf unterdrückt werden kann. Durch Ausbilden des schaltenden Dünnschichttransistors sowie des Strom-Dünnschichttransistors aus einem P-Typ-Dünnschichttransistor ist es ferner möglich, die Eigenschaften der Anzeigevorrichtung aufrechtzuerhalten. - Obwohl in der obenbeschriebenen Ausführungsform eine organische EL-Anzeigevorrichtung als Lumineszenzvorrichtung verwendet worden ist, sollte dies nicht einschränkend aufgefasst werden, dennoch muss nicht erwähnt werden, dass ein anorganische EL-Anzeigevorrichtung oder andere stromgesteuerte Lumineszenzvorrichtungen ebenfalls anwendbar sind.
- Industrielle Anwendbarkeit
- Die Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung kann als Anzeigevorrichtung verwendet werden, die mit einer stromgesteuerten Lumineszenzvorrichtung wie z. B. einer organischen EL-Anzeigevorrichtung oder einer anorganischen EL-Anzeigevorrichtung und einer schaltenden Vorrichtung zum Ansteuern der Lumineszenzvorrichtung wie z. B. einem Dünnschichttransistor, ausgestattet ist.
Claims (9)
- Gleichstromgesteuerte Lumineszenz-Anzeigevorrichtung, umfassend: mehrere Abtastleitungen; mehrere Datenleitungen; mehrere Pixel, die von den Schnittpunkten der mehreren Abtastleistungen und der mehreren Datenleitungen gebildet werden; ein gleichstromgesteuertes Lumineszenzelement, das in jedem der mehreren Pixel ausgebildet ist; einen ersten Dünnschichttransistor in jedem der mehreren Pixel, der mit einer Abtastleitung und einer Datenleitung verbunden ist; einen zweiten Dünnschichttransistor in jedem der mehreren Pixel; einen Haltekondensator, der in jedem der mehreren Pixel ausgebildet ist; eine Gate-Elektrode des zweiten Dünnschichttransistors, die mit dem Haltekondensator verbunden ist, wobei der zweite Dünnschichttransistor dem P-Kanal-Typ entspricht; und mehrere gemeinsame Leitungen, wobei jede der mehreren gemeinsamen Leitungen dafür ausgelegt ist, auf einem geregelten Potential gehalten zu werden, um jeweils einem der gleichstromgesteuerten Lumineszenzelemente über den zweiten Dünnschichttransistor einen Gleichstrom zuzuführen.
- Gleichstromgesteuerte Lumineszenz-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, bei der der zweite Dünnschichttransistor den Gleichstrom regelt, der durch das gleichstromgesteuerte Lumineszenzelement fließt.
- Gleichstromgesteuerte Lumineszenz-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, die ferner eine gegenüberliegende Elektrode umfasst, wobei das gleichstromgesteuerte Lumineszenzelement zwischen dem zweiten Dünnschichttransistor und der gegenüberliegenden Elektrode angeordnet ist.
- Gleichstromgesteuerte Lumineszenz-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, die ferner eine erste Ansteuerschaltung, die mit den mehreren Abtastleitungen verbunden ist, sowie eine zweite Ansteuerschaltung umfasst, die mit den mehreren Datenleitungen verbunden ist, wobei die erste Ansteuerschaltung und die zweite Ansteuerschaltung die gleichstromgesteuerten Lumineszenzelemente steuern, und wobei die erste Ansteuerschaltung und die zweite Ansteuerschaltung außerhalb einer Pixelfläche, die die mehreren Pixel umfasst, angeordnet sind.
- Gleichstromgesteuerte Lumineszenz-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 4, bei der jede der ersten und zweiten Ansteuerschaltungen einen Dünnschichttransistorumfasst.
- Gleichstromgesteuerte Lumineszenz-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 4, bei der jede der ersten und zweiten Ansteuerschaltungen N-Kanal-Typ-Dünnschichttransistoren und P-Kanal-Typ-Dünnschichttransistoren umfasst.
- Gleichstromgesteuerte Lumineszenz-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, bei der der erste Dünnschichttransistor und der zweite Dünnschichttransistor Polysilicium-Dünnschichttransistoren sind.
- Verfahren zur Herstellung einer gleichstromgesteuerten Lumineszenz-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 6, umfassend: Ausbilden des ersten Dünnschichttransistors im gleichen Prozess schritt wie die N-Kanal-Typ-Transistoren in den Ansteuerschaltungen; und Ausbilden des zweiten Dünnschichttransistors im gleichen Prozessschritt wie die P-Kanal-Typ-Transistoren in den Ansteuerschaltungen.
- Gleichstromgesteuerte Lumineszenz-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 5, bei der wenigstens die erste Ansteuerschaltung und/oder die zweite Ansteuerschaltung wenigstens eine Schieberegisterschaltung, eine Pegelschiebeschaltung und/oder einen Analogschalter umfasst.
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