DE69833140T2 - Abscheidung einer Diffusionsbarriereschicht - Google Patents

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Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf die Verarbeitung von Halbleiterbauelementen und insbesondere auf eine Zurverfügungstellung einer Diffusionsbarriere auf ein Halbleiterbauelement.
  • Hintergrund der Erfindung
  • Moderne Halbleiterbauelemente erfordern Geschwindigkeiten von mehr als 200 Megahertz. Um künftige Generationen von Halbleiterbauelementen zu bilden, wird für Verbindungen hauptsächlich Kupfer (Cu) benötigt. Ein Problem bei der Verwendung von Kupfer besteht darin, dass Kupfer Siliciumdioxid nicht direkt kontaktieren kann, weil Kupfer zu leicht durch die Siliciumdioxidschicht diffundiert. Deshalb ist auf dem bekannten Stand der Technik das Kupfer übli cherweise auf allen Seiten von einer Diffusionsbarriere umgeben.
  • Diffusionsbarrieren für Kupfer umfassen eine Anzahl von Materialien, wie z. B. Siliciumnitrid und verschiedene Feuerfestmetallnitride (TiN, TaN, WN, MoN) und Feuerfestsiliciumnitride (TiSiN, TaSiN, WSiN) oder Feuerfestmetallhalbleiternitridschichten. Von all diesen Barrieren umfassen die beiden, die in Bezug auf Barrieren zu den besten Hoffnungen berechtigen, Tantalnitrid (TaN) und Tantalsiliciumnitrid (TaSiN). Diese Materialien werden gewöhnlich durch Sputtern aufgebracht. Sputtern verfügt jedoch im Allgemeinen über eine schlechte Seitenwandstufendeckung, wobei Stufendeckung als der Prozentsatz einer auf einer bestimmten Oberfläche aufgebrachten Schicht dividiert durch die Dicke einer auf der obersten Oberfläche eines Halbleiterbauelements aufgebrachten Schicht definiert wird. Im Falle von gesputtertem Tantalnitrid (TaN) und Tantalsiliciumnitrid (TaSiN) kann die Stufendeckung für ein 0,35 μm-Via im Bereich von 5% bis 20% für ein Seitenverhältnis von 3:1 liegen. Solch geringe Stufendeckung erhöht das Risiko, dass das Barrierematerial nicht dick genug ist, um entlang den Seiten und dem Boden einer tiefen Öffnung eine effektive Diffusionsbarriere zu sein. Bei einem Versuch, genügend Material entlang den Wänden von Öffnungen zu erhalten, wird eine viel dickere Schicht auf der obersten Oberfläche aufgebracht, doch ist das unerwünscht, da es den Widerstand der Verbindung erhöht.
  • Eine chemische Abscheidung aus der Gasphase (CVD) ist verwendet worden, um Tantalnitrid zu bilden. Die Vorläufer für TaN umfassen Tantalhalogenide, wie z. B. Tantalpentachlorid (TaCl5). Das Problem bei Tantalhalogeniden liegt dar in, dass die Halogenide mit dem Kupfer reagieren, wodurch eine Verbindungskorrosion verursacht wird. Ein anderer Vorläufer umfasst Penta [Dimethylamido] Tantal (Ta(NMe2)5) . Wenn dieser Vorläufer verwendet wird, um Tantalnitrid (TaN) aufzubringen, handelt es sich bei der Verbindung, die sich tatsächlich bildet, um eine Isolierschicht aus Ta3N5. Ein Isolator kann in Kontaktöffnungen oder Viaöffnungen nicht verwendet werden, da der Isolator einen elektrischen Kontakt zwischen der oberen Verbindungsschicht und der unteren Verbindungsschicht verhindert.
  • Noch ein anderer bekannter Vorläufer umfasst Terbutylimido-Tris-Diethyl Aminotantal [(TBTDET), Ta=NBu(NEt2)3]. Diese Verbindung kann zur Bildung von TaN verwendet werden. Es gibt jedoch Probleme, die mit diesem Vorläufer verbunden sind. Insbesondere sind Abscheidungstemperaturen von höher als 600°C erforderlich, um Schichten mit ziemlich niedrigem spezifischen Widerstand aufzubringen. Solch hohe Temperaturen zur Back-End-Metallisierung sind mit Low-k-Dielektrika inkompatibel und induzieren auch auf Grund von thermischer Fehlanpassung zwischen den Back-End-Materialien hohe Spannungen. Ein weiteres Problem bei dem TBTDET-Vorläufer liegt darin, dass innerhalb der Schicht zuviel Kohlenstoff (C) umfasst ist. Diese Verbindung weist für gewöhnlich ungefähr 25 Atomprozent Kohlenstoff auf. Der relativ hohe Kohlenstoffgehalt macht die Schicht hochohmig und führt zu Schichten, die weniger dicht sind, wodurch die Effektivität der Diffusionsbarriere für eine vergleichbare Dicke von anderen Materialien reduziert wird. Der spezifische Widerstand von TaN beträgt bei Aufbringen unter Verwendung von TBTDET bei Temperaturen unter 600°C ungefähr 12000 μohm-cm. Schichten mit solch einem hohen spezifischen Widerstand (erwünscht sind weniger als ungefähr 1000 μohm-cm) können nicht zur Herstellung effektiver Verbindungsstrukturen verwendet werden.
  • Eine CVD von Titansiliciumnitrid (TiSiN) ist unter Verwendung von Titantetrachlorid (TiCl4) dargestellt worden. Diese Verbindung ist wiederum nicht wünschenswert, weil bei der Bildung des TiSiN erneut Chlor vorhanden ist, was zur Korrosion von Kupfer und anderen zur Verbindung verwendeten Materialien führt.
  • Die US 5,252,518 offenbart ein Verfahren zur Bildung einer Mischphasen-TiN/TiSi-Schicht zur Halbleiterherstellung unter Verwendung Metall- organometallischer Vorläufer und organischen Silans. Eine Abscheidung einer TiN-Schicht auf eine Halbleiterstruktur umfasst, dass ein organometallisches Titanausgangsgas, wie z. B. TMAT, und organisches Silan als ein Reaktivgas zur Reaktion gebracht werden. Die Reaktion wird in einem Kaltwand-CVD-Reaktor bei relativ niedrigen Temperaturen (200°C) und bei Drücken von etwa 0,05 bis 30 Torr (1 Torr = 133 Pa) durchgeführt.
  • Die US 5,273,783 offenbart ein Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Gasphase von Titan und Titan umfassenden Schichten unter Verwendung von Bis(2,4-Dimethylpentadienyl)Titan als ein Vorläufer. Der Abscheidungsvorgang findet in einer Niederdruckkammer statt. Ein Substrat innerhalb der Kammer, und auf das die Schicht aufzubringen ist, wird auf eine Temperatur innerhalb eines Bereichs von etwa 300-600°C erwärmt. In einem Beispiel wird Titanvorläuferverbindungsgas entweder allein oder in Kombination mit einem oder mehreren Trägergasen in die Kammer eingelassen. In einem weiteren Beispiel wird Titanvorläuferverbindungsgas in Kombination mit einem oder mehreren Trägergasen und/oder anderen Gasphasenreaktionspartnern in die Kammer eingelassen.
  • Der Artikel "Effect of hydrogen on deposition of tantalum nitride thin films from ethylimidotantalum complex", Journal of Material Science Letters, Band.11, No. 9, Seiten 570-572, offenbart eine Umwandlung von metallorganischen Vorläufern einer einzelnen Quelle in anorganische Materialien. Der Artikel offenbart auch vorläufige Ergebnisse verschiedener Versuche, die dazu ausgelegt sind, um den Effekt von Wasserstoff auf das Aufwachsen von TaN-Dünnschichten aus einer Mischung aus Ethyliminoethyl(C,N)Tris-(Diethylamido)Tantal und Ethylimidotris(Diethylamido)Tantal zu untersuchen.
  • Es besteht deshalb ein Bedarf zum Aufbringen von TaSiN unter Verwendung organometallischer Vorläufer, das relativ konform mit einem angemessenen spezifischen Widerstand und guten Barriereeigenschaften bei niedrigeren Wafertemperaturen gebildet werden kann.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Die vorliegende Erfindung wird als Beispiel dargestellt und nicht in den begleitenden Figuren beschränkt, in denen gleiche Verweiszeichen gleiche Elemente anzeigen, und in denen:
  • 1 eine Darstellung einer Querschnittsansicht eines Abschnitts eines Halbleiterbauelementsubstrats umfasst, nachdem in einer Interlevel-Dielektrikumsschicht Öffnungen zu dotierten Bereichen innerhalb des Substrats gebildet wurden;
  • 2 eine Darstellung einer Querschnittsansicht von 1 umfasst, nachdem Materialien, die zum Bilden von Verbindungen gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erforderlich sind, gebildet wurden;
  • 3 eine Darstellung eines Substrats von 2, nachdem eingelegte Verbindungen zu dotierten Bereichen innerhalb des Substrats gebildet wurden, umfasst;
  • 4 eine Darstellung einer Draufsicht des Substrats von 3, nachdem eine Interlevel-Dielektrikumsschicht und eine Öffnung innerhalb derjenigen Schicht gebildet wurden, umfasst;
  • 5 eine Darstellung einer Querschnittsansicht des Substrats von 4 umfasst, die die Öffnung zu der unteren Verbindung darstellt;
  • 6 eine Darstellung einer Querschnittsansicht des Substrats von 5 nach Bildung einer Verbindung zu einem unteren Verbindungslevel umfasst; und
  • 7 eine Darstellung einer Querschnittsansicht des Substrats von 6 nach Bildung eines im Wesentlichen fertigen Bauelements umfasst.
  • Es versteht sich für qualifizierte Fachleute, dass Elemente in den Figuren der Einfachheit und Klarheit halber dargestellt werden und nicht unbedingt maßstabsgerecht gezeichnet sind. Die Maße einiger Elemente in den Figuren sind zum Beispiel bezüglich anderer Elemente übertrieben, um das Verständnis für die Ausführungsform(en) der vorliegenden Erfindung verbessern zu helfen.
  • Ausführliche Beschreibung der Zeichnungen
  • Im Folgenden behandelt die Erfindung, die nur wie in den Ansprüchen definiert die Bildung von TaSiN ist, nicht die Bildung von TaN.
  • Eine Feuerfestmetallsiliciumnitridschicht wird unter Verwendung einer metallorganischen chemischen Abscheidung gebildet. Insbesondere kann durch eine chemische Abscheidung aus der Gasphase (CVD) unter Verwendung von Ethyltrikis (Diethylamido) Tantal [(ETDET), (ET2N)3Ta=NEt] und Ammoniak (NH3) Tantalnitrid (TaN) gebildet werden. Durch den Einschluss einer Halbleiterquelle, wie z. B. Silan (SiH4), wird eine Tantalsiliciumnitrid (TaSiN)-Schicht gebildet. Diese beiden Schichten können bei Wafertemperaturen unter 500°Celsius mit relativ geringen Mengen an Kohlenstoff (C) innerhalb der Schicht gebildet werden. Deshalb können die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung verwendet werden, um eine Tantalsiliciumnitrid (TaSiN)-Schicht zu bilden, die relativ konform ist und ziemlich gute Diffusionsbarriereeigenschaften aufweist.
  • Wie in dieser Spezifikation verwendet, ist die chemische Abscheidung aus der Gasphase ein Typ von Abscheidungsverfahren, der von der Sputterabscheidung unterschieden werden muss. Bei der Sputterabscheidung handelt es sich im Wesentlichen um einen physikalischen Typ der Abscheidung, in dem eine Schicht durch den Einfluss von einem Plasma, das auf ein Target gerichtet wird, auf einen Wafer aufgebracht wird. Das Material bildet sich aus dem Target und wird in einer im wesentlichen vertikalen Orientierung zu dem Wafer aufgebracht. Demgegenüber handelt es sich bei der chemischen Abscheidung aus der Gasphase um eine chemische Reaktion, die auf oder nahe der Oberfläche des Substrats stattfindet, um eine Schicht entlang den exponierten Oberflächen des Wafers zu bilden.
  • Tantalnitrid (TaN) und Tantalsiliciumnitrid (TaSiN) werden unter Verwendung von ETDET/NH3 beziehungsweise ETDET/NH3/SiH4 gebildet. Für TaN findet die Abscheidung im Allgemeinen in einem CVD-Reaktor bei einem Druck in dem Bereich von 5-15 Torr (1 Torr = 133 Pa) statt. Die überwachte Abscheidungstemperatur variiert abhängig davon, wo die Temperatur überwacht wird. Falls die Heizblocktemperatur überwacht wird, liegt die Temperatur im Allgemeinen in einem Bereich von ungefähr 400-480°Celsius. Falls die Wafertemperatur gemessen wird, liegt die Temperatur üblicherweise in einem Bereich von ungefähr 350-400°C.
  • Das ETDET wird unter Verwendung von Helium (HE) als ein Trägergas, das durch die Ampulle hindurchgeperlt wird, eingebracht. Die Strömungsgeschwindigkeit des Heliums (He) liegt in dem Bereich von 200-800 sccm. Die Heizzellentemperatur für die Ampulle wird bei ungefähr 80°Celsius gehalten. Im Allgemeinen kann die Heizzellentemperatur innerhalb eines Bereichs von ungefähr 50-90°Celsius gehalten werden. Die Temperatur des ETDET innerhalb der Ampulle ist ungefähr etwa 10°Celsius niedriger als die Heizzellentemperatur. Ammoniak (NH3) wird bei einer Geschwindigkeit im Bereich von 200-500 sccm eingebracht, was gewöhnlich eine Abscheidungsrate von ungefähr 150-200 Å/Minute (1 Å = 0,1 nm) ergibt. Die Abscheidungsrate hängt auch von der Reaktorkonfiguration ab. Unter Verwendung dieser Parameter kann eine TaN-Schicht aufgebracht werden, die weniger als 15% Kohlenstoff (C) – und gewöhnlich nicht mehr als 1% – aufweist. Wenn sie als eine Barriereschicht verwendet wird, wird die TaN- Schicht üblicherweise bis zu einer Dicke in einem Bereich von ungefähr 200-300 Å entlang einer exponierten Oberfläche des Substrats aufgebracht und verfügt gewöhnlich über eine Stufendeckung von mehr als 50% an der unteren Oberfläche einer Öffnung mit einem Seitenverhältnis von 3:1.
  • Die Strömung von Ammoniak ist überwacht worden, um die Abscheidung über alle Temperaturbereiche zu verbessern. Ohne Ammoniak wird selbst bei höheren Wafertemperaturen eine beschränkte oder keine Abscheidung beobachtet. Das steht im Gegensatz zu dem Vorläufer (TBTDET), der verwendet wird, um TaN wie in der Literatur berichtet, in der von einer Abscheidung ohne Ammoniak (NH3) berichtet wurde, abzuscheiden.
  • In CVD-Systemen gibt es üblicherweise mehr Schwierigkeiten, die Schicht am Boden der Öffnung aufzubringen und deshalb ist die Stufendeckung am Boden ein guter Indikator des dünnsten Abschnitts der Schicht. Es ist auch festgestellt worden, dass das TaN eine ziemlich gute Adhäsion an die Oberflächen von sowohl Metallen als auch Oxiden aufweist. Das ist für ein Integrieren der Schicht in einen Verbindungsprozess wichtig. Sollte die Schicht verwendet werden, um einen Kontakt (elektrisch oder physikalisch) mit einer Silicium umfassenden Schicht, wie z. B. einer Gateelektrode oder dotierten Bereichen innerhalb eines Halbleitersubstrats, herzustellen, kann zwischen dem TaN und Silicium (Si) Titan aufgebracht werden, um eine gute galvanisch leitende Verbindung zu bilden. Ohne das Titan kann wegen großer Unterschiede in den Austrittsarbeiten zwischen p+ Silicium und Tantalnitrid ein relativ hoher Kontaktwiderstand zwischen TaN und p+ Silicium gebildet werden.
  • Die Abscheidungsparameter für TaSiN sind dieselben außer wie unten erwähnt. Der Druck liegt üblicherweise in einem Bereich von ungefähr 0,1 bis 1 Torr. Die Strömungsgeschwindigkeiten sind insofern leicht geändert als das Helium (He) bei denselben Konditionen für die Ampulle wie früher für TaN beschrieben, bei einer Geschwindigkeit von ungefähr 50-150 sccm strömt, Ammoniak (NH3) bei einer Geschwindigkeit von ungefähr 150-300 sccm eingebracht wird und Silan (SiH4) bei ungefähr 1-10 sccm eingebracht wird. Diese Parameter ergeben eine Abscheidungsrate von ungefähr 150-250 Å/Minute mit ungefähr derselben Kohlenstoffbeimischung und Adhäsionseigenschaften wie das TaN.
  • Es können unterschiedliche Ausgangsgase für die Siliciumquelle und den TaN-Vorläufer verwendet werden. Insbesondere ist es möglich, dass Disilan (Si2H6) oder ein anderes Siliciumgas verwendet werden könnte. Es sollte jedoch darauf geachtet werden, sicherzustellen, dass eine Gasphasenreaktion nicht vorhanden ist. Auch sollte die Wafertemperatur der Abscheidung wegen der vorher erwähnten Probleme 500°Celsius nicht überschreiten und üblicherweise weniger als 400°Celsius betragen. Der TaN-Vorläufer zeigt ähnliche Bedenken. Im Allgemeinen kann die an den doppelt gebundenen Stickstoff gebundene Ethylgruppe entweder eine Ethyl [(Et2N)3Ta=NEt]- oder eine Methyl [(Et2N)3Ta=NMe]-Gruppe umfassen. Das Trägergas für die Ampulle umfasst Helium (He), Argon (Ar), Stickstoff (N2) oder Wasserstoff (H2).
  • Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden besser mit dem folgenden Beispiel, in dem zwei Levels von Verbindungen unter Verwendung des chemischen Gas abgeschiedenen Materials gebildet werden, verstanden. 1 umfasst eine Darstellung einer Querschnittsansicht eines Abschnitts eines Halbleiterbauelementsubstrats 10, bevor Verbindungen gebildet werden. Bei dem Halbleiterbauelementsubstrat 10 handelt es sich um einen monokristallinen Halbleiterwafer, einen Halbleiter-auf-Isolierwafer, oder jedes andere Substrat, das verwendet wird, um Halbleiterbauelemente zu bilden. Feldtrennbereiche 12 werden über dem Halbleiterbauelementsubstrat 10 gebildet. Dotierte Bereiche 14 sind Source/Drain-Bereiche für einen Transistor und liegen innerhalb des Substrats 10 angrenzend an die Feldtrennbereiche 12. Eine Gate-Dielektrikumsschicht 22 und eine Gateelektrode 24 liegen über dem Substrat 10 und Abschnitten der dotierten Bereiche 14. Eine Interlevel-Dielektrikumsschicht 26 wird über dem Halbleiterbauelementsubstrat 10 aufgebracht. Die Interlevel-Dielektrikumsschicht 26 kann eine undotierte, eine dotierte, oder eine Kombination aus dotierten und undotierten Siliciumdioxidschichten umfassen. In einer bestimmten Ausführungsform wird eine undotierte Siliciumdioxidschicht von einer Borophosphosilicatglas (BPSG)-Schicht umfasst. Nach einer Planarisierung der Schicht 26 werden Öffnungen 28 durch die Interlevel-Dielektrikumsschicht 26 gebildet und erstrecken sich zu den dotierten Bereichen 14. Wie in 1 dargestellt wird, umfassen die Öffnungen 28 einen Kontaktabschnitt, der relativ schmal ist, der die dotierten Bereiche 14 kontaktiert, und einen relativ breiteren Verbindungsgraben, der sich befindet, wo die Verbindung gebildet wird. In einem Beispiel von 1 weist der Kontaktabschnitt ein Seitenverhältnis auf, das 3:1 im Vergleich zu dem Graben beträgt. Das ist ein Beispiel für einen Dual Damascene Prozess zum Bilden von eingelegten Verbindungen, die innerhalb des bekannten Stands der Technik allgemein bekannt sind.
  • Die Materialien, die verwendet werden, um die Kontakte und Verbindungen zu bilden, werden dann über der Interlevel-Dielektrikumsschicht 26 und innerhalb der Öffnungen 28 aufgebracht. Wie in 2 dargestellt wird, die ein teilweise fertiges Bauelement darstellt, wird eine Schicht 32 aus Titan oder anderem feuerfestem Material gebildet, und steht in Kontakt mit den dotierten Bereichen 14. Diese Schicht verfügt gewöhnlich über eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 100-400 Å. Danach wird eine TaSiN-Schicht 34 über der Schicht 32 gebildet. Die TaSiN-Schicht 34 wird unter Verwendung der vorher beschriebenen Abscheidungsparameter gebildet. Die Dicke der Schicht liegt in dem Bereich von ungefähr 200 bis 300 Å. Eine leitende Schicht 36 wird innerhalb der verbleibenden Abschnitte der Öffnungen und oberhalb von 34 gebildet. Die leitende Schicht 36 umfasst üblicherweise Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Wolfram (W) oder ähnliches. In dieser bestimmten Ausführungsform ist die leitende Schicht 36 Kupfer. Das teilweise fertige Bauelement wird dann poliert, um die Abschnitte der Schichten 32, 34 und 36 zu entfernen, die über der Interlevel-Dielektrikumsschicht 26 liegen. Das bildet Kontaktabschnitte und Verbindungsabschnitte für die Verbindungen 44 und 42 wie in 3 dargestellt.
  • Eine zweite Interlevel-Dielektrikumsschicht 56 wird über den Verbindungen 42 und 44 und der ersten Interlevel-Dielektrikumsschicht 26 aufgebracht und gemustert. 4 und 5 stellen Drauf- beziehungsweise Querschnittsansichten der zweiten Interlevel-Dielektrikumsschicht nach dem Mustern dar. Die zweite Interlevel-Dielektrikumsschicht 56 umfasst ein dotiertes oder undotiertes Oxid. Das Mustern bildet eine Viaöffnung 52 und einen Verbindungsgraben 54. An dere Viaöffnungen und Verbindungsgräben werden gebildet, sind aber in 4 und 5 nicht dargestellt.
  • Wie in 6 dargestellt wird, wird dann eine TaSiN-Schicht 64 unter Verwendung des vorher beschriebenen Abscheidungsverfahrens aufgebracht. Die Schicht 64 kontaktiert die untere Verbindung 42. Die Schicht 64 verfügt über eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 200 bis 300 Å und wird von einer zweiten leitenden Schicht 66 unter Verwendung eines der Schicht 36 ähnlichen Materials umfasst. Die Abschnitte der Schichten 64 und 66, die über der zweiten Interlevel-Dielektrikumsschicht außerhalb des Verbindungsgrabens liegen, werden dann durch Polieren entfernt, um die Struktur wie in 6 dargestellt zu ergeben. Die Kombination der Schichten 64 und 66 bildet eine Bitleitung 62 für das Halbleiterbauelement. Ein im Wesentlichen fertiges Bauelement 70 wird gebildet, nachdem eine Passivierungsschicht 72 über den zweiten Level Verbindungen liegend aufgebracht wird, wie in 7 dargestellt wird. In anderen Ausführungsformen können andere Isolierschichten und Verbindungslevels gebildet werden, werden aber nicht in den Figuren dargestellt.
  • Es gibt viele Vorteile für die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung. Die CVD-Reaktion, die TaSiN bildet, wird bei Wafertemperaturen durchgeführt, die unter ungefähr 500°Celsius, und üblicherweise bei weniger als 400°Celsius, liegen. Deshalb ist das Verfahren mit Low-k-Dielektrika kompatibel und induziert keine hohen Spannungen in den Schichten. Die Menge an Kohlenstoffbeimischung beträgt weniger als 15 Atomprozent und üblicherweise 1 Atom% oder weniger. Deshalb weist die Schicht keine porösen Eigenschaften auf und ergibt im Vergleich zur Verwendung von TBTDET als ein Vorläufer eine bessere Diffusionsbarriere. Noch ein weiterer Vorteil bei den Ausführungsformen liegt in der relativ einfachen Integration in einen bestehenden Verfahrensablauf.

Claims (7)

  1. Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements, das durch die Schritte gekennzeichnet ist: Platzieren eines Halbleitersubstrats (10) in einen chemischen Gasphasenabscheidungs (CVD)-Reaktor; Einbringen eines metallorganischen Vorläufers in den (CVD) Reaktor, wobei der metallorganische Vorläufer Tantal umfasst, wobei der metallorganische Vorläufer [(R1)2N)]3-Ta=NR2 ist, wobei R1 ein Ethyl umfasst und R2 ein Ethyl oder ein Methyl umfasst; Einbringen einer Halbleiterquelle in den (CVD) Reaktor, wobei die Halbleiterquelle Silicium umfasst, wobei die Halbleiterquelle Silan ist; Einbringen von Ammoniak in den CVD-Reaktor; und das Ammoniak, den metallorganischen Vorläufer und die Halbleiterquelle zur Reaktion bringen, um eine Feuerfestmetallhalbleiternitridschicht (34) zu bilden; wobei die Feuerfestmetallhalbleiternitridschicht eine Tantal-Silicium-Nitrid-Schicht umfasst.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Halbleitersubstrat (10) ein Halbleitersubstrat umfasst, das über eine Isolierschicht (26) verfügt, und wobei die Isolierschicht (26) über eine Öffnung (28) verfügt; und wobei das Verfahren im Anschluss an das Aufbringen einer Feuerfestmetallhalbleiternitridschicht unter Verwendung einer chemischen Abscheidung aus der Gasphase darüber hinaus den Schritt umfasst: Bilden einer leitenden Schicht (36), wobei die leitende Schicht (36) Aluminium oder Kupfer umfasst.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei der Schritt zum Bilden der leitenden Schicht (36) umfasst, dass die leitende Schicht (36) so gebildet wird, dass sie Kupfer umfasst, und wobei die Kombination der leitenden Schicht (36) und der Feuerfestmetallhalbleiternitridschicht (34) eine Verbindung bilden.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Bilden der Feuerfestmetallhalbleiternitridschicht (34) umfasst, dass die Feuerfestmetallhalbleiternitridschicht so gebildet wird, dass sie einen Kohlenstoffgehalt von weniger als ungefähr 15 Atomprozent aufweist.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Feuerfestmetallhalbleiternitridschicht (34) bei einer Wafertemperatur von weniger als ungefähr 500° Celsius gebildet wird.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Bilden der Feuerfestmetallhalbleiternitridschicht (34) darüber hinaus umfasst, dass die Feuerfestmetallhalbleiternitridschicht so gebildet wird, dass sie über eine Stufendeckung ("step co verage") von mehr als ungefähr 50% in einer Struktur des Halbleiterbauelements verfügt.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, wobei die Struktur eine solche umfasst, die über ein Seitenverhältnis ("aspect ratio") von ungefähr 3:1 oder größer verfügt.
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