DE69908639T2 - Testkarte für chips mit erhöhten kontaktelementen - Google Patents
Testkarte für chips mit erhöhten kontaktelementen Download PDFInfo
- Publication number
- DE69908639T2 DE69908639T2 DE69908639T DE69908639T DE69908639T2 DE 69908639 T2 DE69908639 T2 DE 69908639T2 DE 69908639 T DE69908639 T DE 69908639T DE 69908639 T DE69908639 T DE 69908639T DE 69908639 T2 DE69908639 T2 DE 69908639T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- contact
- arrangement according
- structures
- substrate
- raised
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
- B23K20/004—Wire welding
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07314—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being perpendicular to test object, e.g. bed of nails or probe with bump contacts on a rigid support
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07342—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07364—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch
- G01R1/07378—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch using an intermediate adapter, e.g. space transformers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2884—Testing of integrated circuits [IC] using dedicated test connectors, test elements or test circuits on the IC under test
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
- H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0652—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/325—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by abutting or pinching, i.e. without alloying process; mechanical auxiliary parts therefor
- H05K3/326—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by abutting or pinching, i.e. without alloying process; mechanical auxiliary parts therefor the printed circuit having integral resilient or deformable parts, e.g. tabs or parts of flexible circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
- H05K3/4015—Surface contacts, e.g. bumps using auxiliary conductive elements, e.g. pieces of metal foil, metallic spheres
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
- G01R1/06716—Elastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/061—Disposition
- H01L2224/0612—Layout
- H01L2224/0613—Square or rectangular array
- H01L2224/06134—Square or rectangular array covering only portions of the surface to be connected
- H01L2224/06136—Covering only the central area of the surface to be connected, i.e. central arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/818—Bonding techniques
- H01L2224/81801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01022—Titanium [Ti]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01027—Cobalt [Co]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01039—Yttrium [Y]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01045—Rhodium [Rh]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01075—Rhenium [Re]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12042—LASER
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/141—One or more single auxiliary printed circuits mounted on a main printed circuit, e.g. modules, adapters
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
- H05K2201/1031—Surface mounted metallic connector elements
- H05K2201/10318—Surface mounted metallic pins
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10742—Details of leads
- H05K2201/1075—Shape details
- H05K2201/10757—Bent leads
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10742—Details of leads
- H05K2201/1075—Shape details
- H05K2201/10878—Means for retention of a lead in a hole
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10742—Details of leads
- H05K2201/10886—Other details
- H05K2201/10909—Materials of terminal, e.g. of leads or electrodes of components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10742—Details of leads
- H05K2201/10886—Other details
- H05K2201/10946—Leads attached onto leadless component after manufacturing the component
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
- H05K3/368—Assembling printed circuits with other printed circuits parallel to each other
Description
- Gebiet der Erfindung
- Diese Erfindung ist auf eine Vorrichtung zum Kontaktieren eines elektronischen Bauteils mit erhabenen Kontaktstrukturen gerichtet. Diese Erfindung eignet sich besonders gut zum Sondenprüfen von Wafern mit elastischen Kontaktstrukturen.
- Hintergrund der Erfindung
- Es ist auf dem Fachgebiet der Herstellung von Halbleiterbauelementen absolut selbstverständlich, Bauelemente, während sie noch nicht vom Wafer abgetrennt sind, auf ein gewisses Niveau an Funktionalität zu testen. Üblicherweise wird dies unter Verwendung einer Nadelkarte und einer Prüfsonde durchgeführt. Eine repräsentative Nadelkarte ist in
1 dargestellt. Die Nadelkarte ist in einer Prüfsonde montiert, die wiederum mit hoher Präzision die Position und Orientierung der Nadelkarte und die Position und Orientierung eines zu testenden Wafers erfasst, dann die beiden in genaue Ausrichtung bringt. Die Nadelkarte ist wiederum mit einem Prüfgerät verbunden, das eine Verbindung zwischen dem Prüfgerät und einem oder mehreren Bauelementen auf dem Wafer vorsieht. Das Prüfgerät kann das getestete Bauelement (DUT) ansteuern und die Leistung des Bauelements bewerten. Dieser Prozess wird nach Bedarf wiederholt, um im Wesentlichen jedes Bauelement auf dem Wafer zu testen. Bauelemente, die die Testkriterien erfüllen, werden weiterverarbeitet. - Eine besonders nützliche Nadelkarte macht von elastischen Federelementen zum Kontaktieren des Wafers Gebrauch. Eine solche Nadelkarte ist in
1 dargestellt. Diese Nadelkarte ist im gemeinsam übertragenen Patent der Vereinigten Staaten Nr. 5 974 662 mit dem Titel "Method of Planarizing Tips of Probe Elements of a Probe Card Assembly" und der entsprechenden PCT-Anmeldung, veröffentlicht am 23. Mai 1996 als WO 96/15458, im einzelnen beschrieben. - Halbleiterbauelemente werden auf einem Halbleiterwafer hergestellt, müssen jedoch zertrennt und mit externen Bauelementen verbunden werden, um zu funktionieren. Das Standardverfahren zum Verbinden eines Halbleiters hat viele Jahre die Herstellung eines Halbleiterbauelements mit Kontaktstellen, typischerweise aus Aluminium, beinhaltet. Diese Kontaktstellen werden mit größeren Strukturen, typischerweise einem Anschlusskamm, typischerweise unter Verwendung von Drahtbonden verbunden. Der Anschlusskamm kann in einem geeigneten Gehäuse, typischerweise aus Keramik oder Kunststoff, montiert werden. Der Abstand von Verbindungen am Gehäuse ist zum Herstellen eines Kontakts mit einer Leiterplatte oder einer anderen Kontaktierungsvorrichtung wie z. B. einem Sockel ausgelegt. Verschiedene Neuerungen bei der Verkappung über die Jahre ermöglichen einen relativ engen Abstand und immer höhere Anschlussstiftzahlen bei der Verkappung.
- Eine signifikante Änderung von diesem Verkappungsmusterbeispiel ist bei der BGA-Verkappung zu sehen. Hier sind die Kontaktpunkte Kügelchen aus einem aufschmelzbaren Material. Ein Lötmaterial wird üblicherweise verwendet, so dass ein Gehäuse in einem Kontaktbereich angeordnet und dann erhitzt werden kann, um das Lötmittel aufzuschmelzen, was eine sichere elektrische Verbindung vorsieht. Eben diese allgemeine Strategie wird auf der Chipebene verwendet, wobei kleine Höcker über Kontaktbereichen ausgebildet werden. Ein üblicherweise verwendeter Prozess stellt C4-Kugeln her (Chipverbindung mit gesteuertem Zusammenfallen).
- Herkömmliche Nadelkarten sind dazu ausgelegt, herkömmliche Bondkontaktstellen, typischerweise Aluminium, zu kontaktieren. Die bekannte Nadelkarte von
1 ist für diesen Zweck nützlich. Die Sondenprüfung von C4-Kugeln ist aus einer Vielzahl von Gründen komplexer, aber die Nadelkarte von1 eignet sich für diesen Zweck ebenso besonders gut. - Eine neue Form der Verkappung wurde verfügbar, die die Ausbildung von kleinen elastischen Kontaktstrukturen direkt auf einem Halbleiterwafer ermöglicht. Dies ist der Gegenstand von mehreren Patenten, einschließlich des Patents der Vereinigten Staaten 5 829 128, herausgegeben am 3. November 1998. Ein erläuterndes Ausführungsbeispiel ist hier in
2 als Wafer208 mit Federn224 , die mit Anschlüssen226 verbunden sind, gezeigt. - Eine großmaßstäbliche Kontakteinrichtung zum Kontaktieren von einigem oder allem eines Halbleiterwafers, der mit elastischen Kontaktelementen aufgebaut ist, wurde offenbart. Befestigungs- und Voralterungsprozesse sind in der gleichzeitig anhängigen, gemeinsam übertragenen Patentanmeldung der Vereinigten Staaten, Seriennr. 08/784 862, eingereicht. am 15. Januar 1997, beschrieben, die durch den Hinweis vollständig hierin aufgenommen wird.
- Die entsprechende PCT-Anmeldung wurde als WO 97/43656 am 20. November 1997 veröffentlicht.
- Zusammenfassung der Erfindung
- Die Erfindung betrifft eine Anordnung, wie in Anspruch 1 definiert, ein Verfahren zur Verwendung einer Vorrichtung, wie in Anspruch 21 definiert, und ein Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung, wie in Anspruch 23 definiert. Bevorzugte Ausführungsbeispiele sind in den abhängigen Ansprüchen definiert.
- Die vorliegende Erfindung stellt eine Nadelkarte bereit, die zur Sondenprüfung eines Halbleiterwafers mit erhabenen Kontaktelementen nützlich ist. Insbesondere ist die vorliegende Erfindung zum Kontaktieren von elastischen Kontaktelementen wie z. B. Federn nützlich.
- Eine Nadelkarte ist so ausgelegt, dass sie Anschlüsse aufweist, um mit den Kontaktelementen auf dem Wafer einen Kontakt herzustellen. In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel sind die Anschlüsse Pfosten. In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel umfassen die Anschlüsse ein Kontaktmaterial, das für wiederholte Kontakte geeignet ist.
- In einem besonders bevorzugten Ausführungsbeispiel wird ein Raumtransformator mit Kontaktpfosten auf einer Seite und Anschlüssen auf der entgegengesetzten Seite hergestellt. Eine Zwischenschalteinrichtung mit Federkontakten verbindet einen Kontakt auf der entgegengesetzten Seite des Raumtransformators mit einem entsprechenden Anschluss auf einer Nadelkarte, wobei der Anschluss wiederum mit einem Anschluss verbunden wird, der mit einem Testbauelement wie z. B. einem herkömmlichen Prüfgerät verbindbar ist.
- Es ist eine Aufgabe dieser Erfindung, eine Nadelkarte zur Sondenprüfung eines Halbleiterbauelements mit erhabenen Kontaktelementen bereitzustellen.
- Es ist eine weitere Aufgabe dieser Erfindung, ein elektronisches Bauteil mit erhabenen Kontaktelementen mit einer Nadelkarte zu prüfen. Ein solches elektronisches Bauteil kann einen verkappten Halbleiter wie z. B. ein BGA-Gehäuse umfassen.
- Diese und weitere Aufgaben und Vorteile der Erfindung sowie die Einzelheiten eines erläuternden Ausführungsbeispiels sind aus der folgenden Beschreibung und den Zeichnungen genauer verständlich.
- Kurzbeschreibung der Zeichnungen
-
1 stellt eine Nadelkarte zur Sondenprüfung von herkömmlichen Halbleiterbauelementen dar. -
2 stellt eine Nadelkarte zur Sondenprüfung von Halbleiterbauelementen mit erhabenen Kontaktelementen dar. -
3 stellt ein zweites Ausführungsbeispiel einer Nadelkarte zur Sondenprüfung von Halbleiterbauelementen mit erhabenen Kontaktelementen dar. -
4 bis9 stellen Schritte bei dem Prozess zum Ausbilden eines Pfostens, der sich zur Verwendung bei der Nadelkarte dieser Erfindung eignet, dar. -
10 und11 stellen die Vorrichtung der Erfindung dar, die mit einem Wafer mit Bewegungsstopp-Schutzvorrichtungen verwendet wird. - Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele
- Die Nadelkartenanordnung von
1 wurde im einzelnen im vorstehend angeführten gemeinsam übertragenen Patent der Vereinigten Staaten Nr. 5 974 662 beschrieben. Diese Figur ist5 in dem Patent 5 974 662 unter Verwendung der Bezugsziffern in der 500-Reihe, die hier in der 100-Reihe umnummeriert sind. - Mit Bezug auf
2 wurde die Nadelkartenanordnung von1 für den neuen Zweck geringfügig modifiziert. Gemeinsame Elemente umfassen die Trägernadelkarte102 , die in einem Prüfgerät (nicht dargestellt) montiert ist. Eine Zwischenschalteinrichtung112 umfasst Federn114 und entsprechende Federn116 , die durch die Zwischenschalteinrichtung in Verbindung stehen, so dass entsprechende Anschlüsse110 und120 elektrisch verbunden sind. Im Raumtransformator106 sind entsprechende Anschlüsse120 und222 (122 in1 ) verbunden. Die Nadelkarte102 trägt eine Verbindungsschaltung, so dass eine Prüfgerät-Anschlussleitung mit einem entsprechenden Anschluss110 und dann durch114 ,116 ,120 und222 (oder122 ) verbunden werden kann, um eine Verbindung von einem Halbleiterbauelement aufzunehmen. In1 ist ein elastisches Kontaktelement124 mit dem Anschluss122 verbunden und ist mit dem Anschluss126 auf dem Halbleiterwafer108 in Kontakt gebracht. In2 weist der Halbleiterwafer208 Anschlüsse226 auf, die wiederum erhabene Kontaktelemente, hier elastische Kontaktelemente224 , aufweisen, die mit entsprechenden Kontaktbereichen von entsprechenden Anschlüssen222 in Kontakt gebracht werden können, um einen Schaltkreis mit dem Prüfgerät zu vervollständigen. Das Prüfgerät kann ein angeschlossenes Halbleiterbauelement ansteuern und die Funktionalität des Bauelements bewerten. - Die Zwischenschalteinrichtung
112 mit den Federn114 und116 stößt gegen die Anschlüsse110 und120 . Durch Drücken des Raumtransformators106 in Richtung der Nadelkarte102 gegen die Federkräfte der Zwischenschalteinrichtung112 hält die Zwischenschalteinrichtung den Kontakt mit jedem entsprechenden Anschluss110 und120 aufrecht, selbst wenn die Planarität der Spitzen der Federn114 , der Federn116 , der Anschlüsse110 und der Anschlüsse120 unvollkommen ist. Innerhalb der Grenzen der Elastizität der verschiedenen Komponenten kann der Raumtransformator überdies relativ zur Nadelkarte abgewinkelt werden, um die Ausrichtung in bestimmten Dimensionen zu ermöglichen. Differentialschrauben138 und136 können sehr genau eingestellt werden, um die Oberfläche des Raumtransformators118 relativ zur Nadelkarte102 umzuorientieren. Folglich wird alles, was mit dem Raumtransformator verbunden ist, entsprechend orientiert. Somit können die Spitzen der Federn124 in1 und die Anschlüsse222 in2 mit hoher Genauigkeit relativ zu einem Halbleiterwafer positioniert werden. - Mit Bezug auf
3 sind die Komponenten von2 in einem alternativen Ausführungsbeispiel zu sehen. Die primären Elemente funktionieren wie in bezug auf2 beschrieben. Der Raumtransformator324 trägt Anschlüsse336 und335 , die entsprechend verbunden sind. Die Zwischenschalteinrichtung325 trägt elastische Kontaktelemente334 und333 . Die Nadelkarte321 trägt Anschlüsse332 und331 , die entsprechend verbunden sind. Im Allgemeinen steht eine Anschlussleitung von einem Prüfgerät mit einem Anschluss331 in Verbindung, der wiederum mit einem Anschluss332 verbunden ist, dann über die elastischen Kontaktelemente333 und334 mit einem Anschluss335 und schließlich mit einem entsprechenden Anschluss336 . Die Trägerfeder320 hält den Raumtransformator324 an der Zwischenschalteinrichtung325 und der Nadelkarte321 . Die Orientierungsvorrichtung322 funktioniert wie vorstehend beschrieben zum Verfeinern der Orientierung des Raumtransformators relativ zur Nadelkarte321 . -
3 zeigt eine breitere Ansicht des Halbleiterwafers310 , hier mit mehreren unterschiedlichen Halbleiterbauelementen311 . Hier ist ein einzelnes Halbleiterbauelement fast mit den entsprechenden Anschlüssen336 verbunden dargestellt. Durch Bewegen des Halbleiterwafers310 in Richtung der Nadelkarte321 wird ein Mikrofederkontakt301 mit einem Kontaktbereich eines entsprechenden Anschlusses336 in direkten und innigen Kontakt gebracht und daher mit einer entsprechenden Prüfgerät-Anschlussleitung verbunden. Nach dem Prüfen kann der Halbleiterwafer neu positioniert werden, um ein anderes Halbleiterbauelement mit den entsprechenden Anschlüssen auf der Nadelkartenanordnung in Kontakt zu bringen. -
4 stellt ein besonders bevorzugtes Verfahren zur Herstellung einer Pfostenstruktur dar. Einzelheiten der Herstellung der Zwischenschalteinrichtung, des Raumtransformators und der Nadelkarte sind in dem gemeinsam übertragenen Patent der Vereinigten Staaten Nr. 5 974 662 und in den dort angeführten früheren Anmeldungen detailliert dargestellt. - Mit Bezug auf
4 umfasst in der Struktur400 ein Trägersubstrat405 einen Anschluss410 , eine Verbindung420 und einen Anschluss415 . Geeignete Materialien und alternative Zusammensetzungen sind in den angeführten Anmeldungen detailliert angegeben. Für ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel ist das Trägersubstrat ein mehrlagiges Keramiksubstrat. Eine leitende Schicht417 verbindet eine Vielzahl von Anschlüssen415 (andere Anschlüsse nicht dargestellt). Eine detailliertere Beschreibung der folgenden Schritte ist in der gleichzeitig anhängigen, gemeinsam übertragenen Anmeldung mit dem Titel "Lithographic Contact Elements", Patentanmeldung der Vereinigten Staaten, Seriennr. 09/205 023, und der entsprechenden PCT-Anmeldung, eingereicht am 23. November 1999, Seriennr. US 99/28597, veröffentlicht als WO 00/33089, zu finden.4 bis7 sind aus2 bis5 von dieser entsprechenden Anmeldung angepasst. - In dem Prozess der Galvanisierung ist es vorteilhaft, eine gemeinsame Verbindung zwischen zu plattierenden Elementen vorzusehen, um eine geeignete Schaltung zum Plattieren bereitzustellen. Weitere Verfahren zur Abscheidung können verwendet werden, um Strukturen ähnlich den hier beschriebenen auszubilden. Solche Verfahren sind in USPN 5 974 662 und stützenden Anmeldungen beschrieben oder angeführt. Eine Alternative für eine Kurzschlussschicht wie z. B. 417 besteht darin, eine Kurzschlussschicht
407 vorzusehen, die eine Vielzahl von Anschlüssen410 (nur einer hier gezeigt) direkt verbindet. Beide sind hier dargestellt, aber in der Praxis würde im Allgemeinen nur die eine oder die andere verwendet werden. Die Verwendung einer "oberen" Schicht wie z. B.407 ist besonders vorteilhaft, wenn keine zweckmäßige Weise besteht, durch das Substrat hindurch zu verbinden. Dies könnte der Fall sein, wenn Silizium als Substrat oder bestimmte Konfigurationen von Keramik, Polyimid oder anderen Materialien verwendet werden. - Die Kurzschlussschicht
407 wird durch Sputtern aufgebracht. Die Einzelheiten der Materialien, Dicken, Bearbeitungsvariationen und dergleichen sind in der entsprechenden gemeinsam übertragenen Patentanmeldung der Vereinigten Staaten 09/032 473, eingereicht am 26. Februar 1998, mit dem Titel "Lithographically Defined Microelectronic Contact Structures" und der entsprechenden PCT-Anmeldung, veröffentlicht als WO 98/52224 am 19. November 1999, zu finden. Ein besonders bevorzugtes Material ist eine Legierung aus Wolfram und Titan. Diese kann durch Sputtern aufgebracht werden. Eine nützliche Tiefe liegt in der Größenordnung von 3000 bis 6000 Angström, wie z. B. etwa 4500 Angström (1 Angström = 0,1 nm). Verschiedene Legierungen aus Titan oder Wolfram sind auch nützlich. - Eine Schicht aus Resist wie z. B. negativem Photoresist
425 wird auf die Oberfläche des Substrats (natürlich auf die Oberseite von irgendwelchen anderen aufgebrachten Schichten) aufgebracht. Diese wird strukturiert, um eine Öffnung über dem Anschluss410 zu belassen. - Ein geeignetes Strukturmaterial
430 wird in der Öffnung im Photoresist abgeschieden, das mehr als die Öffnung füllt. In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird ein Material wie z. B. eine Legierung aus Nickel und Kobalt durch Galvanisieren abgeschieden. Andere nützliche Materialien umfassen Kupfer, Palladium, Palladiumkobalt und diese Materialien enthaltende Legierungen. Andere Abscheidungsverfahren wie z. B. Sputtern können geeignet sein. - Ein Läpp- oder Schleifprozess wie z. B. chemischmechanisches Polieren wird verwendet, um überschüssiges Strukturmaterial zu entfernen, um eine sehr planare Struktur zu belassen. Überdies werden andere Strukturen auf dem Substrat planarisiert. Es ist erwünscht, eine minimale Höhenabweichung sowohl im Bereich eines einzelnen Pfostens als auch über eine Reihe von Pfosten zu haben. Eine Ebenheit in der Größenordnung von eins in 1000 (Höhe über der Oberfläche, gemessen bei einer relativ entfernten entsprechenden Struktur) ist erwünscht, obwohl die speziellen Einschränkungen einer gegebenen Konstruktion gut 2 bis 5 bis 10 in 1000 oder noch mehr gestatten können. Dies entspricht einer Höhenkonsistenz von etwa 100 Mikroinch pro linearem Inch oder etwa 1 Mikrometer pro Zentimeter.
- In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird eine zusätzliche Kontaktschicht aufgebracht. Mit Bezug auf
8 wird eine Kontaktschicht431 auf dem Strukturmaterial430 abgeschieden. In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird diese durch Galvanisierung abgeschieden. Ein bevorzugtes Material ist eine Legierung aus Palladium und Kobalt. Andere nützliche Materialien umfassen Palladium, hartes Gold, weiches Gold und Rhodium. Die Dicke kann durch Entwurfskriterien, die für Fachleute der Herstellung von Kontaktkomponenten verständlich sind, gewählt werden. In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist die Dicke etwa 0 bis etwa 200 Mikroinch (etwa 0 bis etwa 5 Mikrometer). - Die Struktur wird durch Ablösen der Maskierungsschicht aus Photoresist und Entfernen der leitenden Schicht
407 oder417 fertiggestellt. Nützliche Verfahren umfassen Lackentfernung, Naßätzen und Laserabtragung. Die Details der Zeit, Materialien und Bedingungen sind auf dem Fachgebiet äußerst gut bekannt. Mit Bezug auf9 kann die fertiggestellte Struktur400 dann in eine Nadelkartenanordnung, wie in2 oder3 gezeigt, integriert werden. - Die Geometrien der Anschlüsse sind unter Verwendung dieses Verfahrens ziemlich flexibel und der Konstrukteur hat einen großen Grad an Flexibilität. Es ist ziemlich einfach, Pfosten auszubilden, die einen ungefähr quadratischen Querschnitt aufweisen (in der XY-Ebene im Wesentlichen parallel zur Substratoberfläche). Dies kann in der Größenordnung von etwa 1 bis 10 mils (1 mil = 25,4 μm oder Mikrometer) in jeder der X- und Y-Dimensionen liegen. Offensichtlich kann hier fast jede Größe und Form entworfen werden. Es ist zweckmäßig, die Höhe der Struktur in der Größenordnung von 0 bis 60 mils (0 bis 1,5 Millimeter) von der Substratoberfläche entfernt herzustellen. Der Anschluss kann natürlich tatsächlich unter der Oberfläche des Substrats vertieft sein, solange die Anschlüsse gemeinsam sehr planar sind. Eine nützliche Höhe liegt in der Größenordnung von etwa 5 bis etwa 10 mils (125 bis 250 Mikrometer). Ein weiteres bevorzugtes Ausführungsbeispiel umfasst Strukturen, die eine Höhe in der Größenordnung von etwa 40 bis 60 mils (etwa 1 bis 1,5 Millimeter) aufweisen.
- Das Orientieren der Sondenstruktur, so dass sie so gut wie möglich auf die Ebene des zu testenden Wafers ausgerichtet wird, ist sehr günstig. Wenn die Oberfläche des Raumtransformators angemessen eben ist, ist dies ebenso sehr hilfreich. Unter der Annahme, dass die Kontaktenden der elastischen Kontaktstrukturen auf dem Wafer ("Spitzen" in einer Perspektive) im Allgemeinen koplanar sind, bedeutet das Bringen der koplanaren Spitzen mit den koplanaren Anschlüssen über ausgerichtete Ebenen in Kontakt, dass die Spitzen um ein minimales Ausmaß herabgedrückt werden können, um den Kontakt aller Spitzen mit allen Anschlüssen zu garantieren. Welches Ausmaß an Nicht-Koplanarität auch immer in den Spitzen, in den Anschlüssen oder in einer Fehlausrichtung der Ebenen für den Kontakt existiert, es ergibt das Ergebnis, dass ein gewisser Teil der Spitzen sich weiter bewegen muss, um zu garantieren, dass alle Spitzen in zufriedenstellendem Kontakt stehen. Die hier beschriebene Struktur kann leicht relativ flach gemacht werden und erfolgreich orientiert werden, um einen minimalen Trieb am Wafer zu ermöglichen. Bei einer bevorzugten Konstruktion ist eine Überstrecke in der Größenordnung von 3 mils (75 Mikrometer) ein nützlicher Konstruktionspunkt. Das heißt, von dem Punkt, an dem die erste Spitze einen entsprechenden Anschluss berührt, wird die Basis, die dieser Spitze entspricht, um den Überstreckenabstand näher zum Anschluss gebracht. Dies drückt die Spitze an den Anschluss und verursacht in vielen Konstruktionen, dass die Spitze über den Anschluss gleitet, wobei sie sich somit in und durch irgendwelche Verunreinigungen, die entweder auf der Spitze oder dem Anschluss vorhanden sein können, eingräbt. Dies bringt auch andere Sitzen mit entsprechenden Anschlüssen in Kontakt und treibt sie entlang derselben. Wenn die Bauteile korrekt konstruiert und ausgerichtet sind, verursacht der ausgewählte Grad der Überstrecke, dass die Spitze, die als letzte einen entsprechenden Anschluss berührt, immer noch einen geeigneten Kontakt herstellen kann.
- Einige Fälle von Wafern mit Federn umfassen eine Überstrecken-Stoppschutzvorrichtung. Solche Überstrecken-Stoppschutzvorrichtungen sind im einzelnen in der gleichzeitig anhängigen, gemeinsam übertragenen Patentanmeldung der Vereinigten Staaten, Seriennummer 09/114 586, eingereicht am 13. Juli 1998, mit dem Titel "Interconnect Assemblies and Method", welche als einzigen Erfinder Benjamin Eldridge nennt, und in der entsprechenden PCT-Anmeldung, Seriennr. US 99/00322, eingereicht am 4. Januar 1999, beschrieben. Mit Bezug auf
10 ist ein Beispiel einer solchen Überstrecken-Stoppschutzvorrichtung zu sehen. Ein Halbleiterwafer1008 wird so hergestellt, dass er Anschlüsse1026 mit elastischen Kontaktelementen1024 enthält. Vergleiche208 ,226 und224 in2 . Außerdem ist eine Überstrecken-Stoppschutzvorrichtung1025 enthalten. In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel nimmt diese die Form eines gehärteten Epoxids an. Die Schutzvorrichtung kann viele Formen annehmen. Wie dargestellt, ist die Schutzvorrichtung mehr oder weniger ein im Allgemeinen planares Epoxidfeld mit Öffnungen nur für die elastischen Kontaktelemente1024 . Die Höhe der Stoppschutzvorrichtung wird so ausgewählt, dass sich jedes elastische Kontaktelement um das gewünschte Ausmaß verformen kann, aber dann "unter" die Ebene der Schutzvorrichtung gelangt, was die Überstrecke wirksam begrenzt. Ein Wafer mit solchen Stoppschutzvorrichtungen kann unter Verwendung derselben vorstehend in den2 und3 beschriebenen Vorrichtung getestet werden. - Wenn die elastischen Kontaktelemente
1024 anfangs entsprechende Anschlüsse222 berühren, berühren die elastischen Kontaktelemente mit Bezug auf die10 und11 zuerst die entsprechenden Anschlüsse und beginnen dann, über die Oberfläche zu streifen. In11 stehen die elastischen Kontaktelemente1024A in Kontakt und wurden in einem gewissen Grad zusammengedrückt. In11 ist jeder Anschluss222 mit einer entsprechenden Überstrecken-Stoppschutzvorrichtung1025 in Kontakt gekommen und drückt das entsprechende elastische Kontaktelement1024A nicht weiter herab. Wenn der Halbleiter1008 weiter in Richtung der Nadelkarte102 gebracht wird (in10 gezeigt), drücken die Überstrecken-Stoppschutzvorrichtungen1025 gegen die Anschlüsse222 , was den Raumtransformator106 in Richtung der Nadelkarte102 treibt. Mit ausreichender Treibkraft am Halbleiterwafer1008 wird die Nadelkarte102 vom Halbleiterwafer weg verformt. Die Konstrukteure können Steifigkeitseigenschaften für die Nadelkarte auswählen, um die erwartete Sondenprüfkraft aufzunehmen. Ein zu betrachtender Faktor ist die Anzahl von elastischen Kontaktelementen, von denen erwartet wird, dass sie die Nadelkartenanordnung berühren. Ein weiterer Faktor ist die Federkonstante jeder Feder. Ein weiterer Faktor besteht darin, zu berücksichtigen, wie sehr die Nadelkarte nachgeben sollte, wenn die Nadelkarte zu weit getrieben wird. Wenn die Federkonstante pro elastischem Kontaktelement ks ist, dann ist im Allgemeinen für n Federn die effektive Federrate von kontaktierten Federn nks. In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist die Federrate für die Nadelkarte kpcb größer als oder gleich nks. Es ist besonders bevorzugt, dass kpcb in der Größenordnung von 2 mal nks liegt. - Eine besonders bevorzugte Betriebsart besteht darin, zu veranlassen, dass die Überstreckenanschläge gleichmäßig auf die Nadelkartenanordnung treffen und dann wenig oder keine zusätzliche Kraft vorsehen.
- Eine allgemeine Beschreibung der Vorrichtung und des Verfahrens zur Verwendung der vorliegenden Erfindung sowie eines bevorzugten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung wurde vorstehend dargelegt. Ein Fachmann wird viele Veränderungen in vielen Aspekten der Vorrichtung und des Verfahrens, die vorstehend beschrieben wurden, erkennen und diese auszuführen können, einschließlich Veränderungen, die innerhalb die Lehren der Erfindung fallen. Der Schutzbereich der Erfindung sollte nur, wie in den Ansprüchen, die folgen, dargelegt, begrenzt werden.
Claims (27)
- Anordnung mit einer Vorrichtung zum direkten Kontaktieren eines elektronischen Bauteils mit erhabenen Kontaktelementen (
224 ), wobei die Vorrichtung umfasst: ein Substrat (405 ) mit einer ersten Substratfläche (118 ) und einer ersten Vielzahl von Kontaktstrukturen (222 ,430 ,336 ), die benachbart zur ersten Substratfläche montiert sind, und eine erste Vielzahl von Kontaktverbindungen (415 ,331 ), und eine erste Vielzahl von Verbindungselementen (420 ), die jeweils eine der ersten Vielzahl von Kontaktstrukturen mit einer entsprechenden der ersten Vielzahl von Kontaktverbindungen verbinden; wobei die Anordnung ferner das elektronische Bauteil (208 ,310 ) mit erhabenen Kontaktelementen (224 ,301 ) umfasst, wobei jedes erhabene Kontaktelement in Kontakt mit und in elektrischer Verbindung mit einer entsprechenden der ersten Vielzahl von Kontaktstrukturen steht; wobei die erhabenen Kontaktelemente elastische Kontaktelemente sind und unter Druck stehen; und wobei die erhabenen Kontaktelemente über die entsprechenden Kontaktstrukturen gestreift sind. - Anordnung nach Anspruch 1, wobei die Kontaktstrukturen ferner erhabene Kontaktstrukturen umfassen, die sich von der ersten Substratfläche wegerstrecken, und die erhabenen Kontaktstrukturen starr sind.
- Anordnung nach den Ansprüchen 1 oder 2, wobei die Kontaktstrukturen zum Kontaktieren von erhabenen Kontaktelementen auf dem elektronischen Bauteil, die elastische Kontaktelemente sind, besonders geeignet sind.
- Anordnung nach den Ansprüchen 1, 2 oder 3, wobei die Vorrichtung chipmaßstäblich ist, wodurch sie ein Halbleiterbauelement direkt kontaktieren kann.
- Anordnung nach den Ansprüchen 1, 2 oder 3, wobei die Vorrichtung gehäusemaßstäblich ist, wodurch sie ein Halbleiterbauelement-Gehäuse direkt kontaktieren kann.
- Anordnung nach den Ansprüchen 1, 2 oder 3, welche ferner eine Vielzahl von Kontaktbereichen, einen an jeder Kontaktstruktur, umfasst, wobei die Vielzahl von Kontaktbereichen im Wesentlichen in einer Ebene liegen.
- Anordnung nach den Ansprüchen 2, 3 oder 6, wobei sich die erhabenen Kontaktstrukturen vom Substrat weit genug wegerstrecken, um einen Abstand für das elektronische Bauteil vorzusehen, wenn die erhabenen Kontaktelemente auf dem elektronischen Bauteil mit den erhabenen Kontaktstrukturen in Kontakt gebracht werden.
- Anordnung nach den Ansprüchen 1, 2, 3 oder 6, wobei die Kontaktstrukturen zum Kontaktieren von erhabenen Kontaktelementen auf dem elektronischen Bauteil besonders geeignet sind, welche eine Kontaktschicht mit einem Material umfassen, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Nickel, Palladium, Kobalt, hartem Gold, weichem Gold und Rhodium besteht.
- Anordnung nach den Ansprüchen 1, 2, 3 oder 6, wobei das Substrat ein Raumtransformator (
106 ) mit der ersten Substratfläche (118 ) und der zweiten Substratfläche ist und die Kontaktverbindungen eine Vielzahl von Raumtransformator-Kontaktstellen (120 ) umfassen, die auf der zweiten Substratfläche angeordnet sind. - Anordnung nach Anspruch 9, wobei jede der ersten Vielzahl von Kontaktstrukturen mit einem engsten Abstand eines ersten Rastermaßes zwischen beliebigen zwei der ersten Vielzahl von Kontaktelementen voneinander beabstandet sind, und jede der Vielzahl von Raumtransformator-Kontaktstellen mit einem engsten Abstand eines zweiten Rastermaßes zwischen beliebigen zwei der Vielzahl von Kontaktstellen voneinander beabstandet sind, und das erste Rastermaß sich vom zweiten Rastermaß unterscheidet.
- Anordnung nach Anspruch 10, wobei das zweite Rastermaß größer ist als das erste Rastermaß.
- Anordnung nach den Ansprüchen 1, 2, 3, 6, 9, 10 oder 11, welche ferner umfasst eine Nadelkarte (
102 ,321 ) mit einer ersten Nadelkartenfläche, einer zweiten Nadelkartenfläche und einer Vielzahl von Nadelkarten-Kontaktschlüssen (110 ,332 ) auf der ersten Nadelkartenfläche, und der ersten Vielzahl von Kontaktverbindungen (331 ) auf der zweiten Nadelkartenfläche, und wobei die erste Vielzahl von Verbindungselementen jeweils ferner eine oder mehrere Verbindungselementkomponenten umfasst, wobei jede Komponente des Verbindungselements mit der anderen verbunden ist, wenn zwei oder mehr Komponenten vorhanden sind, so dass jedes Verbindungselement eine der ersten Vielzahl von Kontaktstrukturen mit einer entsprechenden der ersten Vielzahl von Kontaktverbindungen verbindet. - Anordnung nach Anspruch 12 und irgendeinem der Ansprüche 9, 10 oder 11, welche ferner umfasst eine Zwischenschalteinrichtung (
104 ) mit einer ersten Zwischenschalteinrichtungsfläche (112 ), einer zweiten Zwischenschalteinrichtungsfläche, einer ersten Vielzahl von elastischen Zwischenschalteinrichtungs-Kontaktstrukturen (116 ), die sich von der ersten Zwischenschalteinrichtungsfläche erstrecken, und einer zweiten Vielzahl von elastischen Zwischenschalteinrichtungs-Kontaktstrukturen (114 ), die sich von der zweiten Zwischenschalteinrichtungsfläche erstrecken; wobei die erste Vielzahl von elastischen Zwischenschalteinrichtungs-Kontaktstrukturen eine Druckverbindung mit den Raumtransformator-Kontaktstellen auf der zweiten Substratfläche bewirken, und die zweite Vielzahl von elastischen Zwischenschalteinrichtungs-Kontaktstrukturen eine Druckverbindung mit den Nadelkarten-Kontaktanschlüssen der Nadelkarte bewirken, wobei jede der ersten Vielzahl von elastischen Zwischenschalteinrichtungs-Kontaktstrukturen eine der Raumtransformator-Kontaktstellen mit einer entsprechenden der zweiten Vielzahl von elastischen Zwischenschalteinrichtungs-Kontaktstrukturen und mit einem entsprechenden der Nadelkarten-Kontaktanschlüsse verbindet, wobei jede der entsprechenden der ersten Vielzahl von elastischen Zwischenschalteinrichtungs-Kontaktstrukturen, eine der Raumtransformator-Kontaktstellen, eine der zweiten Vielzahl von elastischen Zwischenschalteinrichtungs-Kontaktstrukturen und einer der Nadelkarten-Kontaktanschlüsse auch als Bauteilverbindungselemente wirken. - Anordnung nach den Ansprüchen 12 oder 13, welche ferner umfasst ein Mittel (
136 ,138 ) zum Einstellen der Orientierung des Raumtransformators relativ zur Nadelkarte, ohne die Orientierung der Nadelkarte zu verändern. - Anordnung nach Anspruch 14, wobei das Mittel zum Einstellen der Orientierung des Raumtransformators umfasst ein Stellglied, das auf einen Computer reagiert, der auf den Raumtransformator einwirkt.
- Anordnung nach den Ansprüchen 12 oder 13, welche ferner umfasst eine Vielzahl von Differentialschrauben mit jeweils einem äußeren Differentialschraubenelement (
136 ) und einem inneren Differentialschraubenelement (138 ), die auf die zweite Oberfläche des Raumtransformators einwirken, wobei eine oder mehrere der Vielzahl von Differentialschrauben eingestellt werden können, um die Orientierung des Raumtransformators relativ zur Nadelkarte einzustellen, ohne die Orientierung der Nadelkarte zu verändern. - Anordnung nach den Ansprüchen 1 oder 2, welche ferner Anschlüsse benachbart zur ersten Oberfläche des Substrats umfasst, wobei die erste Vielzahl von Kontaktstrukturen (
431 ,430 ,407 ) direkt an Anschlüssen (410 ) auf der ersten Oberfläche des Substrats montiert sind. - Anordnung nach Anspruch 1, wobei das elektronische Bauteil einen Halbleiterchip (
311 ) umfasst. - Anordnung nach Anspruch 18, wobei der Halbleiterchip einen Teil eines Halbleiterwafers umfasst, der nicht vollständig zertrennt wurde.
- Anordnung nach Anspruch 1, wobei das elektronische Bauteil ein Gehäuse für ein Halbleiterbauelement umfasst.
- Verfahren zur Verwendung einer Vorrichtung zum direkten Kontaktieren eines elektronischen Bauteils mit erhabenen Kontaktelementen (
224 ), wobei die Vorrichtung umfasst ein Substrat (405 ) mit einer ersten Substratfläche (118 ) und einer ersten Vielzahl von Kontaktstrukturen (222 ,430 ,336 ), die benachbart zur ersten Substratfläche montiert sind, und eine erste Vielzahl von Kontaktverbindungen (415 ,331 ), und eine erste Vielzahl von Verbindungselementen (420 ), die jeweils eine der ersten Vielzahl von Kontaktstrukturen mit einer entsprechenden der ersten Vielzahl von Kontaktverbindungen verbinden; wobei das Verfahren das Bringen eines elektronischen Bauteils (310 ) mit erhabenen Kontaktelementen (301 ) in Kontakt mit den Kontaktsturen umfasst, wobei eine Vielzahl von erhabenen Kontaktelementen jeweils in Kontakt mit und in elektrischer Verbindung mit einer entsprechenden der ersten Vielzahl von Kontaktstrukturen steht; wobei die erhabenen Kontaktelemente elastische Kontaktelemente sind, wobei das Verfahren ferner das Zusammendrücken der elastischen Kontaktelemente umfasst; und ferner das Streifen der erhabenen Kontaktelemente über die entsprechenden Kontaktstrukturen umfasst. - Verfahren nach Anspruch 21, welches ferner das Drücken des elektronischen Bauteils in Richtung des Substrats umfasst, so dass sich das Substrat verformt und eine Federkraft bereitstellt, die dem Drücken entgegenwirkt.
- Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung der Anordnung nach den Ansprüchen 2–17 mit erhabenen Kontaktstrukturen, wobei das Verfahren das Plattieren einer erhabenen Kontaktstruktur über einem Anschluss auf dem Substrat umfasst.
- Verfahren nach Anspruch 23, welches ferner umfasst Versehen des Substrats mit einer Vielzahl von Anschlüssen benachbart zur ersten Oberfläche des Substrats, Aufbringen einer leitenden Schicht (
417 ,407 ) aus leitendem Material auf das Substrat, um eine elektrische Verbindung mit der Vielzahl von Anschlüssen herzustellen, Aufbringen und Strukturieren einer Schicht aus Maskierungsmaterial (425 ) auf der ersten Oberfläche des Substrats, um Öffnungen über der Vielzahl von Anschlüssen vorzusehen, und Abscheiden eines ersten Strukturmaterials (430 ) in den Öffnungen in elektrischem Kontakt mit der Vielzahl von Anschlüssen. - Verfahren nach Anspruch 24, welches ferner umfasst wenn das erste Strukturmaterial in den Öffnungen abgeschieden wird, Überfüllen jeder Öffnung, und Zurückschleifen irgendeines überschüssigen ersten Strukturmaterials, so dass eine Vielzahl von Kontaktstrukturen jeweils entsprechende Oberflächen aufweisen, die im Wesentlichen in derselben Ebene liegen.
- Verfahren nach Anspruch 24 oder 25, welches ferner umfasst Abscheiden eines Kontaktmaterials (
431 ) über und in elektrischem Kontakt mit dem ersten Strukturmaterial. - Verfahren nach Anspruch 24, 25 oder 26, welches ferner umfasst Entfernen des Maskierungsmaterials und zumindest einiges der leitenden Schicht aus leitendem Material, so dass zumindest einige der Vielzahl von Kontaktstrukturen jeweils vom elektrischen Kontakt mit anderen der Vielzahl von Kontaktstrukturen isoliert werden.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US204740 | 1998-12-02 | ||
US09/204,740 US6483328B1 (en) | 1995-11-09 | 1998-12-02 | Probe card for probing wafers with raised contact elements |
PCT/US1999/028746 WO2000033096A1 (en) | 1998-12-02 | 1999-12-02 | Probe card for probing wafers with raised contact elements |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69908639D1 DE69908639D1 (de) | 2003-07-10 |
DE69908639T2 true DE69908639T2 (de) | 2004-05-13 |
Family
ID=22759236
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69908639T Expired - Lifetime DE69908639T2 (de) | 1998-12-02 | 1999-12-02 | Testkarte für chips mit erhöhten kontaktelementen |
DE69936470T Expired - Lifetime DE69936470T2 (de) | 1998-12-02 | 1999-12-02 | Testkarte |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69936470T Expired - Lifetime DE69936470T2 (de) | 1998-12-02 | 1999-12-02 | Testkarte |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6483328B1 (de) |
EP (2) | EP1135693B1 (de) |
JP (1) | JP3727540B2 (de) |
KR (1) | KR100430208B1 (de) |
CN (2) | CN1201161C (de) |
AU (1) | AU1933700A (de) |
DE (2) | DE69908639T2 (de) |
TW (1) | TW589462B (de) |
WO (1) | WO2000033096A1 (de) |
Families Citing this family (116)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020053734A1 (en) | 1993-11-16 | 2002-05-09 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly and kit, and methods of making same |
US5914613A (en) | 1996-08-08 | 1999-06-22 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system with local contact scrub |
US6256882B1 (en) | 1998-07-14 | 2001-07-10 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
US6812718B1 (en) | 1999-05-27 | 2004-11-02 | Nanonexus, Inc. | Massively parallel interface for electronic circuits |
US6917525B2 (en) * | 2001-11-27 | 2005-07-12 | Nanonexus, Inc. | Construction structures and manufacturing processes for probe card assemblies and packages having wafer level springs |
US7349223B2 (en) * | 2000-05-23 | 2008-03-25 | Nanonexus, Inc. | Enhanced compliant probe card systems having improved planarity |
US7382142B2 (en) | 2000-05-23 | 2008-06-03 | Nanonexus, Inc. | High density interconnect system having rapid fabrication cycle |
US6888362B2 (en) * | 2000-11-09 | 2005-05-03 | Formfactor, Inc. | Test head assembly for electronic components with plurality of contoured microelectronic spring contacts |
US7189077B1 (en) | 1999-07-30 | 2007-03-13 | Formfactor, Inc. | Lithographic type microelectronic spring structures with improved contours |
US6939474B2 (en) | 1999-07-30 | 2005-09-06 | Formfactor, Inc. | Method for forming microelectronic spring structures on a substrate |
US6780001B2 (en) | 1999-07-30 | 2004-08-24 | Formfactor, Inc. | Forming tool for forming a contoured microelectronic spring mold |
US6468098B1 (en) * | 1999-08-17 | 2002-10-22 | Formfactor, Inc. | Electrical contactor especially wafer level contactor using fluid pressure |
US7262611B2 (en) * | 2000-03-17 | 2007-08-28 | Formfactor, Inc. | Apparatuses and methods for planarizing a semiconductor contactor |
US7952373B2 (en) | 2000-05-23 | 2011-05-31 | Verigy (Singapore) Pte. Ltd. | Construction structures and manufacturing processes for integrated circuit wafer probe card assemblies |
DE20114544U1 (de) | 2000-12-04 | 2002-02-21 | Cascade Microtech Inc | Wafersonde |
US7396236B2 (en) * | 2001-03-16 | 2008-07-08 | Formfactor, Inc. | Wafer level interposer |
US6729019B2 (en) | 2001-07-11 | 2004-05-04 | Formfactor, Inc. | Method of manufacturing a probe card |
CN1288450C (zh) | 2001-07-11 | 2006-12-06 | 佛姆法克特股份有限公司 | 探头和探测卡制造方法 |
US7182672B2 (en) * | 2001-08-02 | 2007-02-27 | Sv Probe Pte. Ltd. | Method of probe tip shaping and cleaning |
US7355420B2 (en) | 2001-08-21 | 2008-04-08 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
US20030038356A1 (en) * | 2001-08-24 | 2003-02-27 | Derderian James M | Semiconductor devices including stacking spacers thereon, assemblies including the semiconductor devices, and methods |
US6714828B2 (en) | 2001-09-17 | 2004-03-30 | Formfactor, Inc. | Method and system for designing a probe card |
JP2003107105A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-09 | Mitsubishi Electric Corp | プローブカード |
US6759311B2 (en) | 2001-10-31 | 2004-07-06 | Formfactor, Inc. | Fan out of interconnect elements attached to semiconductor wafer |
US20030150640A1 (en) * | 2002-02-14 | 2003-08-14 | Crippen Warren Stuart | Silicon space transformer and method of manufacturing same |
US7265565B2 (en) | 2003-02-04 | 2007-09-04 | Microfabrica Inc. | Cantilever microprobes for contacting electronic components and methods for making such probes |
US20060006888A1 (en) * | 2003-02-04 | 2006-01-12 | Microfabrica Inc. | Electrochemically fabricated microprobes |
US20050104609A1 (en) * | 2003-02-04 | 2005-05-19 | Microfabrica Inc. | Microprobe tips and methods for making |
US7412767B2 (en) * | 2003-02-04 | 2008-08-19 | Microfabrica, Inc. | Microprobe tips and methods for making |
US20060051948A1 (en) * | 2003-02-04 | 2006-03-09 | Microfabrica Inc. | Microprobe tips and methods for making |
US7363705B2 (en) * | 2003-02-04 | 2008-04-29 | Microfabrica, Inc. | Method of making a contact |
US20050184748A1 (en) * | 2003-02-04 | 2005-08-25 | Microfabrica Inc. | Pin-type probes for contacting electronic circuits and methods for making such probes |
US20060053625A1 (en) * | 2002-05-07 | 2006-03-16 | Microfabrica Inc. | Microprobe tips and methods for making |
US7640651B2 (en) * | 2003-12-31 | 2010-01-05 | Microfabrica Inc. | Fabrication process for co-fabricating multilayer probe array and a space transformer |
US7273812B2 (en) * | 2002-05-07 | 2007-09-25 | Microfabrica Inc. | Microprobe tips and methods for making |
US7531077B2 (en) | 2003-02-04 | 2009-05-12 | Microfabrica Inc. | Electrochemical fabrication process for forming multilayer multimaterial microprobe structures |
US20060238209A1 (en) * | 2002-05-07 | 2006-10-26 | Microfabrica Inc. | Vertical microprobes for contacting electronic components and method for making such probes |
US7694246B2 (en) * | 2002-06-19 | 2010-04-06 | Formfactor, Inc. | Test method for yielding a known good die |
US6867608B2 (en) | 2002-07-16 | 2005-03-15 | Aehr Test Systems | Assembly for electrically connecting a test component to a testing machine for testing electrical circuits on the test component |
JP3621938B2 (ja) | 2002-08-09 | 2005-02-23 | 日本電子材料株式会社 | プローブカード |
US9244101B2 (en) * | 2003-02-04 | 2016-01-26 | University Of Southern California | Electrochemical fabrication process for forming multilayer multimaterial microprobe structures |
US8613846B2 (en) | 2003-02-04 | 2013-12-24 | Microfabrica Inc. | Multi-layer, multi-material fabrication methods for producing micro-scale and millimeter-scale devices with enhanced electrical and/or mechanical properties |
US7567089B2 (en) * | 2003-02-04 | 2009-07-28 | Microfabrica Inc. | Two-part microprobes for contacting electronic components and methods for making such probes |
US10416192B2 (en) | 2003-02-04 | 2019-09-17 | Microfabrica Inc. | Cantilever microprobes for contacting electronic components |
US6924654B2 (en) * | 2003-03-12 | 2005-08-02 | Celerity Research, Inc. | Structures for testing circuits and methods for fabricating the structures |
US20040180561A1 (en) * | 2003-03-12 | 2004-09-16 | Nexcleon, Inc. | Structures for testing circuits and methods for fabricating the structures |
US7170306B2 (en) * | 2003-03-12 | 2007-01-30 | Celerity Research, Inc. | Connecting a probe card and an interposer using a compliant connector |
US6946859B2 (en) * | 2003-03-12 | 2005-09-20 | Celerity Research, Inc. | Probe structures using clamped substrates with compliant interconnectors |
US20040177995A1 (en) * | 2003-03-12 | 2004-09-16 | Nexcleon, Inc. | Structures for testing circuits and methods for fabricating the structures |
US6965245B2 (en) * | 2003-05-01 | 2005-11-15 | K&S Interconnect, Inc. | Prefabricated and attached interconnect structure |
US9671429B2 (en) | 2003-05-07 | 2017-06-06 | University Of Southern California | Multi-layer, multi-material micro-scale and millimeter-scale devices with enhanced electrical and/or mechanical properties |
US7057404B2 (en) | 2003-05-23 | 2006-06-06 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Shielded probe for testing a device under test |
JP2005010052A (ja) * | 2003-06-19 | 2005-01-13 | Japan Electronic Materials Corp | プローブカード |
GB2406973B (en) * | 2003-10-08 | 2006-03-29 | Wan-Chuan Chou | Modular socket of integrated circuit |
DE10355296B3 (de) * | 2003-11-27 | 2005-06-09 | Infineon Technologies Ag | Testeinrichtung zum Wafertest von digitalen Halbleiterschaltungen |
WO2005065258A2 (en) | 2003-12-24 | 2005-07-21 | Cascade Microtech, Inc. | Active wafer probe |
US10641792B2 (en) | 2003-12-31 | 2020-05-05 | University Of Southern California | Multi-layer, multi-material micro-scale and millimeter-scale devices with enhanced electrical and/or mechanical properties |
US20080108221A1 (en) * | 2003-12-31 | 2008-05-08 | Microfabrica Inc. | Microprobe Tips and Methods for Making |
US7071715B2 (en) * | 2004-01-16 | 2006-07-04 | Formfactor, Inc. | Probe card configuration for low mechanical flexural strength electrical routing substrates |
TW200525675A (en) | 2004-01-20 | 2005-08-01 | Tokyo Electron Ltd | Probe guard |
DE102004023987B4 (de) * | 2004-05-14 | 2008-06-19 | Feinmetall Gmbh | Elektrische Prüfeinrichtung |
US9097740B2 (en) | 2004-05-21 | 2015-08-04 | Formfactor, Inc. | Layered probes with core |
US7759949B2 (en) | 2004-05-21 | 2010-07-20 | Microprobe, Inc. | Probes with self-cleaning blunt skates for contacting conductive pads |
US8988091B2 (en) | 2004-05-21 | 2015-03-24 | Microprobe, Inc. | Multiple contact probes |
US9476911B2 (en) | 2004-05-21 | 2016-10-25 | Microprobe, Inc. | Probes with high current carrying capability and laser machining methods |
USRE43503E1 (en) | 2006-06-29 | 2012-07-10 | Microprobe, Inc. | Probe skates for electrical testing of convex pad topologies |
DE102004027887B4 (de) * | 2004-05-28 | 2010-07-29 | Feinmetall Gmbh | Prüfeinrichtung zur elektrischen Prüfung eines Prüflings |
DE102004027886A1 (de) * | 2004-05-28 | 2005-12-22 | Feinmetall Gmbh | Prüfeinrichtung zur elektrischen Prüfung eines Prüflings sowie Verfahren zur Herstellung einer Prüfeinrichtung |
US7084651B2 (en) * | 2004-07-28 | 2006-08-01 | International Business Machines Corporation | Probe card assembly |
CN101002311A (zh) * | 2004-07-28 | 2007-07-18 | Sv探针私人有限公司 | 用于在基板上形成共面焊盘的方法和装置 |
US7385411B2 (en) * | 2004-08-31 | 2008-06-10 | Formfactor, Inc. | Method of designing a probe card apparatus with desired compliance characteristics |
JP2008512680A (ja) | 2004-09-13 | 2008-04-24 | カスケード マイクロテック インコーポレイテッド | 両面プロービング構造体 |
CN100360943C (zh) * | 2004-11-29 | 2008-01-09 | 华硕电脑股份有限公司 | 具有防止压力过大的测试装置 |
US7129730B2 (en) * | 2004-12-15 | 2006-10-31 | Chipmos Technologies (Bermuda) Ltd. | Probe card assembly |
US7535247B2 (en) | 2005-01-31 | 2009-05-19 | Cascade Microtech, Inc. | Interface for testing semiconductors |
US7656172B2 (en) | 2005-01-31 | 2010-02-02 | Cascade Microtech, Inc. | System for testing semiconductors |
EP2569646A4 (de) * | 2005-03-28 | 2014-01-22 | Texas Instruments Inc | Nachgiebige sonden zur elektrischen prüfung |
JP4472593B2 (ja) | 2005-07-12 | 2010-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブカード |
JP4642603B2 (ja) * | 2005-08-25 | 2011-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブカード |
KR100546831B1 (ko) * | 2005-08-31 | 2006-01-25 | (주) 마이크로프랜드 | 프로브 카드의 탐침팁 공정 방법 |
US7649367B2 (en) | 2005-12-07 | 2010-01-19 | Microprobe, Inc. | Low profile probe having improved mechanical scrub and reduced contact inductance |
US7312617B2 (en) * | 2006-03-20 | 2007-12-25 | Microprobe, Inc. | Space transformers employing wire bonds for interconnections with fine pitch contacts |
US7403028B2 (en) | 2006-06-12 | 2008-07-22 | Cascade Microtech, Inc. | Test structure and probe for differential signals |
US7723999B2 (en) | 2006-06-12 | 2010-05-25 | Cascade Microtech, Inc. | Calibration structures for differential signal probing |
US7764072B2 (en) | 2006-06-12 | 2010-07-27 | Cascade Microtech, Inc. | Differential signal probing system |
US8907689B2 (en) | 2006-10-11 | 2014-12-09 | Microprobe, Inc. | Probe retention arrangement |
US20080170712A1 (en) * | 2007-01-16 | 2008-07-17 | Phonic Ear Inc. | Sound amplification system |
US7764076B2 (en) * | 2007-02-20 | 2010-07-27 | Centipede Systems, Inc. | Method and apparatus for aligning and/or leveling a test head |
CN101583880B (zh) * | 2007-03-20 | 2011-05-18 | 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 | 电连接装置 |
US7514948B2 (en) | 2007-04-10 | 2009-04-07 | Microprobe, Inc. | Vertical probe array arranged to provide space transformation |
US7876114B2 (en) | 2007-08-08 | 2011-01-25 | Cascade Microtech, Inc. | Differential waveguide probe |
US8723546B2 (en) | 2007-10-19 | 2014-05-13 | Microprobe, Inc. | Vertical guided layered probe |
US8033012B2 (en) * | 2008-03-07 | 2011-10-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor test probe card space transformer |
US20100066395A1 (en) | 2008-03-13 | 2010-03-18 | Johnson Morgan T | Wafer Prober Integrated With Full-Wafer Contacter |
JP5088197B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2012-12-05 | 日本電気株式会社 | 電子回路基板の電源雑音抑制に関する設計妥当性検証装置と方法並びにプログラム |
US8230593B2 (en) | 2008-05-29 | 2012-07-31 | Microprobe, Inc. | Probe bonding method having improved control of bonding material |
JP4862017B2 (ja) | 2008-07-10 | 2012-01-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 中継基板、その製造方法、プローブカード |
US7888957B2 (en) | 2008-10-06 | 2011-02-15 | Cascade Microtech, Inc. | Probing apparatus with impedance optimized interface |
KR101493871B1 (ko) * | 2008-11-11 | 2015-02-17 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 검사장치의 인터페이스 구조 |
WO2010059247A2 (en) | 2008-11-21 | 2010-05-27 | Cascade Microtech, Inc. | Replaceable coupon for a probing apparatus |
CN101807619B (zh) * | 2010-03-19 | 2012-02-01 | 河南大学 | 一种透明柔性紫外探测器及其制备方法 |
US8154119B2 (en) | 2010-03-31 | 2012-04-10 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Compliant spring interposer for wafer level three dimensional (3D) integration and method of manufacturing |
US8878560B2 (en) * | 2010-12-30 | 2014-11-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | High frequency probing structure |
US8803001B2 (en) | 2011-06-21 | 2014-08-12 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Bonding area design for transient liquid phase bonding process |
JP2013101043A (ja) * | 2011-11-08 | 2013-05-23 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
US9044822B2 (en) | 2012-04-17 | 2015-06-02 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Transient liquid phase bonding process for double sided power modules |
US10058951B2 (en) | 2012-04-17 | 2018-08-28 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Alloy formation control of transient liquid phase bonding |
TWI454710B (zh) | 2012-09-19 | 2014-10-01 | Mpi Corp | Probe card and its manufacturing method |
US9594113B2 (en) * | 2014-02-21 | 2017-03-14 | Sensata Technologies, Inc. | Package on package thermal forcing device |
US9797928B2 (en) | 2014-09-15 | 2017-10-24 | International Business Machines Corporation | Probe card assembly |
US10120020B2 (en) * | 2016-06-16 | 2018-11-06 | Formfactor Beaverton, Inc. | Probe head assemblies and probe systems for testing integrated circuit devices |
US10802071B2 (en) | 2017-12-01 | 2020-10-13 | International Business Machines Corporation | Elemental mercury-containing probe card |
KR102581387B1 (ko) * | 2018-09-11 | 2023-09-21 | 삼성전자주식회사 | 프로브 및 이를 포함하는 프로브 카드 |
US11262383B1 (en) | 2018-09-26 | 2022-03-01 | Microfabrica Inc. | Probes having improved mechanical and/or electrical properties for making contact between electronic circuit elements and methods for making |
CN111312667B (zh) * | 2019-09-20 | 2023-04-18 | 天津大学 | 带导电通孔偏移结构的半导体器件、供电结构和电子设备 |
US20220349937A1 (en) * | 2021-04-30 | 2022-11-03 | Xcerra Corporation | Calibration System |
Family Cites Families (143)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2967216A (en) | 1960-03-08 | 1961-01-03 | Henry S Zablocki | Contact making assembly |
US3835530A (en) | 1967-06-05 | 1974-09-17 | Texas Instruments Inc | Method of making semiconductor devices |
US3826984A (en) | 1969-02-28 | 1974-07-30 | Licentia Gmbh | Measuring device for the dynamic measurement of semiconductor parameters and method of making such a device |
US3676776A (en) | 1970-01-19 | 1972-07-11 | Siemens Ag | Testing probe construction |
US3654585A (en) | 1970-03-11 | 1972-04-04 | Brooks Research And Mfg Inc | Coordinate conversion for the testing of printed circuit boards |
US3663920A (en) | 1970-07-27 | 1972-05-16 | Burndy Corp | Mounting for integrated circuits |
US3832632A (en) | 1971-11-22 | 1974-08-27 | F Ardezzone | Multi-point probe head assembly |
US3771110A (en) | 1971-11-23 | 1973-11-06 | Walton Prod Inc | Electrical contact pins |
US3714384A (en) | 1971-11-24 | 1973-01-30 | Exxon Production Research Co | Subsea electric connector system and procedure for use |
CA948705A (en) | 1972-07-28 | 1974-06-04 | Robert C. Cook | Method for making an integrated circuit apparatus |
US3842189A (en) | 1973-01-08 | 1974-10-15 | Rca Corp | Contact array and method of making the same |
US4032058A (en) | 1973-06-29 | 1977-06-28 | Ibm Corporation | Beam-lead integrated circuit structure and method for making the same including automatic registration of beam-leads with corresponding dielectric substrate leads |
US3891924A (en) | 1973-09-10 | 1975-06-24 | Probe Rite Inc | Adjustable multi-point probe head assembly |
US3939414A (en) | 1974-01-28 | 1976-02-17 | Electroglas, Inc. | Micro-circuit test apparatus |
US4038599A (en) | 1974-12-30 | 1977-07-26 | International Business Machines Corporation | High density wafer contacting and test system |
US3994552A (en) | 1975-10-01 | 1976-11-30 | International Telephone And Telegraph Corporation | Submersible pipe electrical cable assembly |
US4085502A (en) | 1977-04-12 | 1978-04-25 | Advanced Circuit Technology, Inc. | Jumper cable |
US4307928A (en) | 1979-08-17 | 1981-12-29 | Petlock Jr William | Bellows-type electrical test contact |
US4281449A (en) | 1979-12-21 | 1981-08-04 | Harris Corporation | Method for qualifying biased burn-in integrated circuits on a wafer level |
US4338621A (en) | 1980-02-04 | 1982-07-06 | Burroughs Corporation | Hermetic integrated circuit package for high density high power applications |
US4523144A (en) | 1980-05-27 | 1985-06-11 | Japan Electronic Materials Corp. | Complex probe card for testing a semiconductor wafer |
US4358175A (en) | 1980-11-03 | 1982-11-09 | Burroughs Corporation | Connector for pin type integrated circuit packages |
US4466184A (en) | 1981-04-21 | 1984-08-21 | General Dynamics, Pomona Division | Method of making pressure point contact system |
US4623839A (en) | 1982-09-17 | 1986-11-18 | Angliatech Limited | Probe device for testing an integrated circuit |
JPS59205105A (ja) | 1983-05-07 | 1984-11-20 | 住友電気工業株式会社 | 導電性複合材料 |
US4567432A (en) | 1983-06-09 | 1986-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus for testing integrated circuits |
US4553192A (en) | 1983-08-25 | 1985-11-12 | International Business Machines Corporation | High density planar interconnected integrated circuit package |
US4615573A (en) | 1983-10-28 | 1986-10-07 | Honeywell Inc. | Spring finger interconnect for IC chip carrier |
US4548451A (en) | 1984-04-27 | 1985-10-22 | International Business Machines Corporation | Pinless connector interposer and method for making the same |
US4593958A (en) | 1984-05-04 | 1986-06-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Socket for baseless lamp |
FR2565737B3 (fr) | 1984-06-12 | 1986-09-19 | Feinmetall Gmbh | Element de contact pour adaptateur de controle pour effectuer des controles electriques de pieces a controler notamment de circuits imprimes |
DK291184D0 (da) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | Boeegh Petersen Allan | Fremgangsmaade og indretning til test af kredsloebsplader |
US4616404A (en) | 1984-11-30 | 1986-10-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of making improved lateral polysilicon diode by treating plasma etched sidewalls to remove defects |
US6330164B1 (en) | 1985-10-18 | 2001-12-11 | Formfactor, Inc. | Interconnect assemblies and methods including ancillary electronic component connected in immediate proximity of semiconductor device |
US5476211A (en) | 1993-11-16 | 1995-12-19 | Form Factor, Inc. | Method of manufacturing electrical contacts, using a sacrificial member |
US4866504A (en) | 1986-05-05 | 1989-09-12 | Itt Corporation | Direct interconnection for use between a semiconductor and a pin connector or the like |
DE3679319D1 (de) | 1986-05-27 | 1991-06-20 | Ibm | Speichereinheit mit direktem zugriff. |
EP0256541A3 (de) | 1986-08-19 | 1990-03-14 | Feinmetall Gesellschaft mit beschrÀ¤nkter Haftung | Kontaktiervorrichtung |
US5189507A (en) | 1986-12-17 | 1993-02-23 | Raychem Corporation | Interconnection of electronic components |
US4955523A (en) | 1986-12-17 | 1990-09-11 | Raychem Corporation | Interconnection of electronic components |
JP2533511B2 (ja) | 1987-01-19 | 1996-09-11 | 株式会社日立製作所 | 電子部品の接続構造とその製造方法 |
US4795977A (en) | 1987-03-19 | 1989-01-03 | Pacific Western Systems, Inc. | Interface system for interfacing a device tester to a device under test |
US4947481A (en) | 1987-05-09 | 1990-08-07 | Pioneer Electronic Corporation | Information reader for disk player |
US4983907A (en) | 1987-05-14 | 1991-01-08 | Intel Corporation | Driven guard probe card |
JPH01152271A (ja) | 1987-12-09 | 1989-06-14 | Toshiba Corp | スパッタ装置 |
DE68913318T2 (de) | 1988-03-11 | 1994-09-15 | Ibm | Elastomerische Verbinder für elektronische Bausteine und für Prüfungen. |
US5103557A (en) | 1988-05-16 | 1992-04-14 | Leedy Glenn J | Making and testing an integrated circuit using high density probe points |
US4924589A (en) | 1988-05-16 | 1990-05-15 | Leedy Glenn J | Method of making and testing an integrated circuit |
JPH01313969A (ja) | 1988-06-13 | 1989-12-19 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH0254814A (ja) | 1988-08-17 | 1990-02-23 | Sharp Corp | コンタクトピン |
DE3838413A1 (de) | 1988-11-12 | 1990-05-17 | Mania Gmbh | Adapter fuer elektronische pruefvorrichtungen fuer leiterplatten und dergl. |
DE69022605T2 (de) | 1989-02-28 | 1996-03-21 | Fujitsu Ltd | Elektrische Verbindungsvorrichtung. |
JPH02237047A (ja) | 1989-03-09 | 1990-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体試験装置 |
JPH0664086B2 (ja) | 1989-08-02 | 1994-08-22 | 武田産業株式会社 | プローブカード |
US4965865A (en) | 1989-10-11 | 1990-10-23 | General Signal Corporation | Probe card for integrated circuit chip |
US5399982A (en) | 1989-11-13 | 1995-03-21 | Mania Gmbh & Co. | Printed circuit board testing device with foil adapter |
US5160779A (en) | 1989-11-30 | 1992-11-03 | Hoya Corporation | Microprobe provided circuit substrate and method for producing the same |
US4969826A (en) | 1989-12-06 | 1990-11-13 | Amp Incorporated | High density connector for an IC chip carrier |
US5379515A (en) | 1989-12-11 | 1995-01-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for preparing electrical connecting member |
US5471151A (en) | 1990-02-14 | 1995-11-28 | Particle Interconnect, Inc. | Electrical interconnect using particle enhanced joining of metal surfaces |
US5071359A (en) | 1990-04-27 | 1991-12-10 | Rogers Corporation | Array connector |
US5245751A (en) | 1990-04-27 | 1993-09-21 | Circuit Components, Incorporated | Array connector |
US5070297A (en) | 1990-06-04 | 1991-12-03 | Texas Instruments Incorporated | Full wafer integrated circuit testing device |
US5130779A (en) | 1990-06-19 | 1992-07-14 | International Business Machines Corporation | Solder mass having conductive encapsulating arrangement |
JP2928592B2 (ja) | 1990-06-20 | 1999-08-03 | 株式会社日立製作所 | 半導体lsi検査装置用プローブヘッドの製造方法および検査装置 |
US5090118A (en) | 1990-07-31 | 1992-02-25 | Texas Instruments Incorporated | High performance test head and method of making |
US5187020A (en) | 1990-07-31 | 1993-02-16 | Texas Instruments Incorporated | Compliant contact pad |
US5521518A (en) | 1990-09-20 | 1996-05-28 | Higgins; H. Dan | Probe card apparatus |
US5072520A (en) | 1990-10-23 | 1991-12-17 | Rogers Corporation | Method of manufacturing an interconnect device having coplanar contact bumps |
US5148103A (en) | 1990-10-31 | 1992-09-15 | Hughes Aircraft Company | Apparatus for testing integrated circuits |
JPH04294559A (ja) | 1991-03-22 | 1992-10-19 | Tokyo Electron Ltd | プローブカード |
US5686317A (en) | 1991-06-04 | 1997-11-11 | Micron Technology, Inc. | Method for forming an interconnect having a penetration limited contact structure for establishing a temporary electrical connection with a semiconductor die |
JPH04357848A (ja) | 1991-06-04 | 1992-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハ用プローバ |
FR2677772B1 (fr) | 1991-06-11 | 1993-10-08 | Sgs Thomson Microelectronics Sa | Carte a pointes pour testeur de puces de circuit integre. |
JPH0529406A (ja) | 1991-07-18 | 1993-02-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体検査装置 |
US5177438A (en) | 1991-08-02 | 1993-01-05 | Motorola, Inc. | Low resistance probe for semiconductor |
US5264787A (en) * | 1991-08-30 | 1993-11-23 | Hughes Aircraft Company | Rigid-flex circuits with raised features as IC test probes |
US5177439A (en) | 1991-08-30 | 1993-01-05 | U.S. Philips Corporation | Probe card for testing unencapsulated semiconductor devices |
US5139427A (en) | 1991-09-23 | 1992-08-18 | Amp Incorporated | Planar array connector and flexible contact therefor |
EP0678232B1 (de) | 1991-09-30 | 1997-10-29 | Ceridian Corporation | Plattierter nachgiebiger leiter |
US5152695A (en) | 1991-10-10 | 1992-10-06 | Amp Incorporated | Surface mount electrical connector |
KR100196195B1 (ko) | 1991-11-18 | 1999-06-15 | 이노우에 쥰이치 | 프로우브 카드 |
US5221895A (en) | 1991-12-23 | 1993-06-22 | Tektronix, Inc. | Probe with microstrip transmission lines |
US5210939A (en) | 1992-04-17 | 1993-05-18 | Intel Corporation | Lead grid array integrated circuit |
US5228861A (en) | 1992-06-12 | 1993-07-20 | Amp Incorporated | High density electrical connector system |
US5237743A (en) | 1992-06-19 | 1993-08-24 | International Business Machines Corporation | Method of forming a conductive end portion on a flexible circuit member |
JPH0650990A (ja) | 1992-07-30 | 1994-02-25 | Nec Corp | プローブカード |
US5371654A (en) | 1992-10-19 | 1994-12-06 | International Business Machines Corporation | Three dimensional high performance interconnection package |
US5354712A (en) | 1992-11-12 | 1994-10-11 | Northern Telecom Limited | Method for forming interconnect structures for integrated circuits |
JPH06151532A (ja) | 1992-11-13 | 1994-05-31 | Tokyo Electron Yamanashi Kk | プローブ装置 |
US5308797A (en) | 1992-11-24 | 1994-05-03 | Texas Instruments Incorporated | Leads for semiconductor chip assembly and method |
KR960004089B1 (ko) | 1992-12-30 | 1996-03-26 | 현대전자산업주식회사 | 반도체소자의 저저항 접촉형성방법 |
JPH06241777A (ja) | 1993-02-16 | 1994-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | 原子間力顕微鏡用カンチレバー、その製造方法、このカンチレバーを用いた原子間力顕微鏡及びこのカンチレバーを用いた試料表面密着性評価方法 |
JP3185452B2 (ja) | 1993-02-25 | 2001-07-09 | ジェイエスアール株式会社 | 回路基板検査用アダプター装置の製造方法、並びに回路基板検査用アダプター装置、これを用いた回路基板検査方法および装置 |
EP0615131A1 (de) | 1993-03-10 | 1994-09-14 | Co-Operative Facility For Aging Tester Development | Sonde für Halbleiterscheiben mit integrierten Schaltelementen |
JP3345948B2 (ja) | 1993-03-16 | 2002-11-18 | ジェイエスアール株式会社 | プローブヘッドの製造方法 |
JPH0792479B2 (ja) | 1993-03-18 | 1995-10-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブ装置の平行度調整方法 |
DE4310349C2 (de) | 1993-03-30 | 2000-11-16 | Inst Mikrotechnik Mainz Gmbh | Sensorkopf und Verfahren zu seiner Herstellung |
FR2703839B1 (fr) | 1993-04-09 | 1995-07-07 | Framatome Connectors France | Connecteur intermédiaire entre carte de circuit imprimé et substrat à circuits électroniques. |
US5395253A (en) | 1993-04-29 | 1995-03-07 | Hughes Aircraft Company | Membrane connector with stretch induced micro scrub |
JPH0782027B2 (ja) | 1993-04-30 | 1995-09-06 | フレッシュクエストコーポレーション | テスト用コンタクトピンの製造方法 |
GB2279805B (en) | 1993-07-02 | 1997-09-17 | Plessey Semiconductors Ltd | Bare die testing |
US5483741A (en) | 1993-09-03 | 1996-01-16 | Micron Technology, Inc. | Method for fabricating a self limiting silicon based interconnect for testing bare semiconductor dice |
US5475318A (en) | 1993-10-29 | 1995-12-12 | Robert B. Marcus | Microprobe |
US6029344A (en) | 1993-11-16 | 2000-02-29 | Formfactor, Inc. | Composite interconnection element for microelectronic components, and method of making same |
US5974662A (en) | 1993-11-16 | 1999-11-02 | Formfactor, Inc. | Method of planarizing tips of probe elements of a probe card assembly |
US6064213A (en) | 1993-11-16 | 2000-05-16 | Formfactor, Inc. | Wafer-level burn-in and test |
US6336269B1 (en) | 1993-11-16 | 2002-01-08 | Benjamin N. Eldridge | Method of fabricating an interconnection element |
US6184053B1 (en) | 1993-11-16 | 2001-02-06 | Formfactor, Inc. | Method of making microelectronic spring contact elements |
US5806181A (en) | 1993-11-16 | 1998-09-15 | Formfactor, Inc. | Contact carriers (tiles) for populating larger substrates with spring contacts |
US5455390A (en) | 1994-02-01 | 1995-10-03 | Tessera, Inc. | Microelectronics unit mounting with multiple lead bonding |
US5666190A (en) | 1994-04-12 | 1997-09-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Jr. University | Method of performing lithography using cantilever array |
US5546012A (en) | 1994-04-15 | 1996-08-13 | International Business Machines Corporation | Probe card assembly having a ceramic probe card |
US5534784A (en) * | 1994-05-02 | 1996-07-09 | Motorola, Inc. | Method for probing a semiconductor wafer |
US5632631A (en) | 1994-06-07 | 1997-05-27 | Tessera, Inc. | Microelectronic contacts with asperities and methods of making same |
US5491426A (en) | 1994-06-30 | 1996-02-13 | Vlsi Technology, Inc. | Adaptable wafer probe assembly for testing ICs with different power/ground bond pad configurations |
US5513430A (en) | 1994-08-19 | 1996-05-07 | Motorola, Inc. | Method for manufacturing a probe |
US5476818A (en) | 1994-08-19 | 1995-12-19 | Motorola, Inc. | Semiconductor structure and method of manufacture |
EP1408337A3 (de) | 1994-11-15 | 2007-09-19 | FormFactor, Inc. | Testkarte |
DE19507127A1 (de) | 1995-03-01 | 1996-09-12 | Test Plus Electronic Gmbh | Adaptersystem für Baugruppen-Platinen, zu verwenden in einer Prüfeinrichtung |
US6133744A (en) | 1995-04-28 | 2000-10-17 | Nec Corporation | Apparatus for testing semiconductor wafer |
US5701085A (en) | 1995-07-05 | 1997-12-23 | Sun Microsystems, Inc. | Apparatus for testing flip chip or wire bond integrated circuits |
US5686842A (en) | 1995-08-31 | 1997-11-11 | Nat Semiconductor Corp | Known good die test apparatus and method |
US6046597A (en) | 1995-10-04 | 2000-04-04 | Oz Technologies, Inc. | Test socket for an IC device |
JP3099873B2 (ja) | 1996-12-05 | 2000-10-16 | 日本電産リード株式会社 | プリント基板検査装置およびユニバーサル型プリント基板検査装置の使用方法 |
US6166552A (en) | 1996-06-10 | 2000-12-26 | Motorola Inc. | Method and apparatus for testing a semiconductor wafer |
US5828226A (en) | 1996-11-06 | 1998-10-27 | Cerprobe Corporation | Probe card assembly for high density integrated circuits |
NL1004510C2 (nl) | 1996-11-12 | 1998-05-14 | Charmant Beheer B V | Werkwijze voor het vervaardigen van een test-adapter alsmede test-adapter en een werkwijze voor het testen van printplaten. |
US6037786A (en) | 1996-12-13 | 2000-03-14 | International Business Machines Corporation | Testing integrated circuit chips |
DE19654404A1 (de) | 1996-12-24 | 1998-06-25 | Hewlett Packard Co | Adaptationsvorrichtung zum elektrischen Test von Leiterplatten |
JP3080595B2 (ja) | 1997-02-28 | 2000-08-28 | 日本電産リード株式会社 | 基板検査装置および基板検査方法 |
US6016060A (en) | 1997-03-25 | 2000-01-18 | Micron Technology, Inc. | Method, apparatus and system for testing bumped semiconductor components |
US6014032A (en) | 1997-09-30 | 2000-01-11 | International Business Machines Corporation | Micro probe ring assembly and method of fabrication |
JPH11125646A (ja) | 1997-10-21 | 1999-05-11 | Mitsubishi Electric Corp | 垂直針型プローブカード、その製造方法およびその不良プローブ針の交換方法 |
JPH11125645A (ja) | 1997-10-21 | 1999-05-11 | Mitsubishi Electric Corp | 垂直針型プローブカードおよびその製造方法 |
ATE260470T1 (de) | 1997-11-05 | 2004-03-15 | Feinmetall Gmbh | Prüfkopf für mikrostrukturen mit schnittstelle |
US6043668A (en) | 1997-12-12 | 2000-03-28 | Sony Corporation | Planarity verification system for integrated circuit test probes |
US6181144B1 (en) | 1998-02-25 | 2001-01-30 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor probe card having resistance measuring circuitry and method fabrication |
US6107812A (en) | 1998-03-05 | 2000-08-22 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for testing integrated circuit components of a multi-component card |
US6160412A (en) | 1998-11-05 | 2000-12-12 | Wentworth Laboratories, Inc. | Impedance-matched interconnection device for connecting a vertical-pin integrated circuit probing device to integrated circuit test equipment |
US6177805B1 (en) | 1998-11-24 | 2001-01-23 | International Business Machines Corporation | High density test connector for disk drives in a high volume manufacturing environment |
US6081429A (en) | 1999-01-20 | 2000-06-27 | Micron Technology, Inc. | Test interposer for use with ball grid array packages assemblies and ball grid array packages including same and methods |
US6188286B1 (en) | 1999-03-30 | 2001-02-13 | Infineon Technologies North America Corp. | Method and system for synchronizing multiple subsystems using one voltage-controlled oscillator |
-
1998
- 1998-12-02 US US09/204,740 patent/US6483328B1/en not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-12-02 DE DE69908639T patent/DE69908639T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-12-02 KR KR10-2001-7006673A patent/KR100430208B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-12-02 CN CNB998137901A patent/CN1201161C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-12-02 AU AU19337/00A patent/AU1933700A/en not_active Abandoned
- 1999-12-02 EP EP99963010A patent/EP1135693B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-12-02 DE DE69936470T patent/DE69936470T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-12-02 CN CNB2005100551062A patent/CN100526901C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-12-02 JP JP2000585681A patent/JP3727540B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-12-02 WO PCT/US1999/028746 patent/WO2000033096A1/en not_active Application Discontinuation
- 1999-12-02 TW TW088121093A patent/TW589462B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-12-02 EP EP03003496A patent/EP1326079B1/de not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-07-16 US US10/198,198 patent/US6937037B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3727540B2 (ja) | 2005-12-14 |
EP1135693A1 (de) | 2001-09-26 |
AU1933700A (en) | 2000-06-19 |
CN1201161C (zh) | 2005-05-11 |
EP1326079B1 (de) | 2007-07-04 |
CN1328644A (zh) | 2001-12-26 |
EP1135693B1 (de) | 2003-06-04 |
KR100430208B1 (ko) | 2004-05-03 |
DE69908639D1 (de) | 2003-07-10 |
DE69936470T2 (de) | 2008-03-06 |
TW589462B (en) | 2004-06-01 |
US6483328B1 (en) | 2002-11-19 |
CN1702470A (zh) | 2005-11-30 |
US20030038647A1 (en) | 2003-02-27 |
KR20010086060A (ko) | 2001-09-07 |
JP2002531836A (ja) | 2002-09-24 |
EP1326079A2 (de) | 2003-07-09 |
EP1326079A3 (de) | 2004-05-19 |
DE69936470D1 (de) | 2007-08-16 |
CN100526901C (zh) | 2009-08-12 |
WO2000033096A1 (en) | 2000-06-08 |
US6937037B2 (en) | 2005-08-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69908639T2 (de) | Testkarte für chips mit erhöhten kontaktelementen | |
DE69533336T2 (de) | Testkarte und ihre anwendung | |
DE69635227T2 (de) | Kontakträger zum bestücken von substraten mit federkontakten | |
DE60115437T2 (de) | Testsystem von integrierten schaltungen | |
DE69734158T2 (de) | Prüfkopfstruktur mit mehreren getrennten isolierten prüfspitzen | |
DE69533041T2 (de) | Montage von federelementen auf halbleiterbauteilen | |
DE69829986T2 (de) | Testkarte zur wafer-prüfung | |
DE19648475B4 (de) | Kontaktstruktur, Prüfkarten und Herstellungsverfahren | |
DE69737599T2 (de) | Integrierte nachgiebige sonde für waferprüfung und einbrennen | |
DE69922656T2 (de) | Zusammenbau von elektronischen komponenten mittels federpackungen | |
DE112005003667B4 (de) | Elektrische Prüfsonde | |
DE69633771T2 (de) | Verfahren und gerät zum kontaktieren | |
DE69908638T2 (de) | Lithographische kontaktstrukturen | |
DE2625383C2 (de) | Verbindungsträger zur Bildung der elektrischen Verbindungen zwischen Anschlußleitern eines Packungsrahmens und Kontaktierungsstellen mindestens einer innerhalb des Packungsrahmens gelegenen integrierten Schaltung und Verfahren zur Herstellung eines solchen Verbindungsträgers | |
EP0698288B1 (de) | Herstellungsverfahren für vertikal kontaktierte halbleiterbauelemente | |
DE102005059224B4 (de) | SiC-Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür | |
DE69635083T2 (de) | Herstellung von verbindungen und ansatzstücken unter verwendung eines opfersubstrats | |
DE202005021386U1 (de) | Prüfkopf mit einem Messfühler mit Membranaufhängung | |
DE10196368T5 (de) | Kontaktstruktur und Verfahren zu dessen Herstellung und eine Prüfkontaktanordnung, die diese verwendet | |
DE112005000233T5 (de) | Kontaktstück, Kontaktanordnung mit Kontaktstücken, Probenkarte, Prüfgerät und Verfahren und Gerät zur Herstellung der Kontaktanordnung | |
DE112007000389T5 (de) | Abstandswandler, Herstellungsverfahren des Abstandswandlers und Prüfkarte, die den Abstandswandler enthält | |
DE4411973A1 (de) | KGD-Anordnung | |
DE10017746B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils mit mikroskopisch kleinen Kontaktflächen | |
DE602004011000T2 (de) | Prüfkopf zur Messung der elektrischen Eigenschaften und Verfahren zur dessen Herstellung | |
DE10250634A1 (de) | Nachgiebige Entlastungsverkapselung auf Waferebene |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition |