DE69909313T2 - Spannungsgesteuerte varaktoren und abstimmbare geräte mit derartigen varaktoren - Google Patents

Spannungsgesteuerte varaktoren und abstimmbare geräte mit derartigen varaktoren Download PDF

Info

Publication number
DE69909313T2
DE69909313T2 DE69909313T DE69909313T DE69909313T2 DE 69909313 T2 DE69909313 T2 DE 69909313T2 DE 69909313 T DE69909313 T DE 69909313T DE 69909313 T DE69909313 T DE 69909313T DE 69909313 T2 DE69909313 T2 DE 69909313T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
tunable
ferroelectric layer
varactor
substrate
generally planar
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69909313T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69909313D1 (de
Inventor
Louise Sengupta
C. Steven STOWELL
Yongfei Zhu
Somnath Sengupta
H. Luna CHIU
Xubai Zhang
Andrey Kozyrev
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BlackBerry RF Inc
Original Assignee
Paratek Microwave Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=22300851&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DE69909313(T2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Paratek Microwave Inc filed Critical Paratek Microwave Inc
Application granted granted Critical
Publication of DE69909313D1 publication Critical patent/DE69909313D1/de
Publication of DE69909313T2 publication Critical patent/DE69909313T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/18Phase-shifters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/2016Slot line filters; Fin line filters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/18Phase-shifters
    • H01P1/181Phase-shifters using ferroelectric devices

Description

  • Diese Anmeldung beansprucht den Nutzen der United States Provisional Patent Application Nr. 60/ 104,504, die am 16. Oktober 1998 eingereicht wurde.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein bei Raumtemperatur über die Spannung abstimmbare Varaktoren und abstimmbare Einrichtungen, die derartige Varaktoren einschließen.
  • Phasenfeld-Antennen (Phased Array Antennen) bestehen aus einer großen Anzahl von Elementen, die in der Phase gesteuerte Signale aussenden, um einen Funkstrahl zu bilden. Das Funksignal kann elektronisch durch die aktive Manipulation der relativen Phaseneinstellung der einzelnen Antennenelemente gesteuert werden. Das elektronische Strahlsteuerkonzept findet sowohl bei Sendern als auch Empfängern Anwendung. Phased Array Antennen sind im Vergleich mit ihren mechanischen Entsprechungen hinsichtlich ihrer Geschwindigkeit, Genauigkeit und Zuverlässigkeit vorteilhaft. Der Austausch von Kompassscanantennen durch deren elektronisch gescannte Entsprechung kann einen schnellere und genauere Zielidentifikation bereitstellen. Komplexe Nachverfolgungsübungen können ebenfalls schnell und genau mit einem Phased Array Antennensystem ausgeführt werden.
  • Einstellbare Phasenschieber werden verwendet, um den Strahl in Phased Array Antennen zu steuern bzw. lenken. Vorangehende Patente in diesem Gebiet umfassen ferroelektrische Phasenschieber in den United States Patenten mit den Nrs.: 5,307,033, 5,032,805 und 5,562,407. Diese Phasenschieber umfassen ein oder mehrere Mikrostreifenleitungen auf einem ferroelektrischen Substrat als die Phasenmodulationselemente. Die Permitivität des ferroelektrischen Substrats kann durch Ändern der Stärke eines elektrischen Felds auf dem Substrat verändert werden. Eine Abstimmung der Permitivität des Substrats führt zu einer Phasenverschiebung, wenn ein HF Signal durch die Mikrostreifenleitung geführt wird. Die ferroelektrischen Phasenschieber in Form eines Mikrostreifens, die in diesen Patenten offenbart sind, weisen den Nachteil von hohen Leiterverlusten und von Impedanzanpassungsproblemen als Folge der hohen dielektrischen Konstanten der ferroelektrischen Substrate auf.
  • Kommunikationen der Zukunft werden Breitband-Frequenzsprungtechniken verwenden, so dass große Mengen von digitalen Daten über das Band transferiert werden können. Eine kritische Komponente für diese Anwendungen ist ein kostengünstiges schnellarbeitendes abstimmbares Filter. Digitale Daten können über ein Band von Frequenzen in einer Sequenz, die durch eine Steuerschaltungsanordnung des abstimmbaren Filters bestimmt wird, verteilt oder kodiert werden. Dies ermöglicht mehreren Benutzern über einen gemeinsamen Bereich von Frequenzen zu senden und zu empfangen.
  • Varaktoren können unabhängig verwendet werden oder können in kostengünstige abstimmbare Filter integriert werden. Diese Varaktoren und Filter können in zahlreichen Frequenzbereichen, einschließlich von Frequenzen über den L-Band in einer Vielzahl von kommerziellen und militärischen Anwendungen verwendet werden. Diese Anwendungen umfassen (a) L-Band (1–2 GHz) abstimmbare Filter für drahtlose Lokalnetzsysteme, Personalkommunikationssysteme und Satellitenkommunikationssysteme, (b) C-Band (4–6 GHz) Varaktoren und abstimmbare Filter für ein Frequenzsprungverfahren für Satellitenkommunikationen und Radarsysteme, (c) X-Band (9–12 GHz) Varaktoren und Filter zur Verwendung in Radarsystemen, (d) Ku-Band (12–18 GHz) zur Verwendung in Satellitenfernsehsystemen, und (e) KA-Band abstimmbare Filter für Satellitenkommunikationen.
  • Übliche Varaktoren, die heutzutage verwendet werden, sind Dioden auf Silizium und GaAs Basis. Das Betriebsverhalten von diesen Varaktoren wird durch das Kapazitätsverhältnis Cmax/Cmin, den Frequenzbereich und die Gütezahl oder den Q Faktor (1/ tan δ) in dem spezifizierten Frequenzbereich definiert. Die Q Faktoren von diesen Halbleitervaraktoren für Frequenzen bis zu 2 GHz sind gewöhnlicher weise sehr gut. Bei Frequenzen über 2 GHz nehmen die Q Faktoren von diesen Varaktoren schnell ab. Tatsächlich sind bei 10 GHz die Q Faktoren für diese Varaktoren gewöhnlicher weise nur ungefähr 30.
  • Varaktoren, die eine ferroelektrische Dünnfilmkeramik als ein über die Spannung abstimmbares Element in Kombination mit einem supraleitenden Element verwenden, sind beschrieben worden. Zum Beispiel offenbart das United States Patent Nr. 5,640,042 einen ferroelektrischen Dünnfilmvaraktor mit einer Trägersubstratschicht, einer Hochtemperatur-Supraleiterschicht, die auf dem Substrat abgelagert ist, als eine ferroelektrische Dünnfilmschicht, die auf der Metallschicht aufgebracht ist, und eine Vielzahl von metallischen Einrichtungen, die auf der ferroelektrischen Dünnfilmschicht aufgebracht sind, und die in einen elektrischen Kontakt mit HF Übertragungsleitungen in Abstimmeinrichtungen gelegt sind. Ein anderer abstimmbarer Kondensator unter Verwendung eines ferroelektrischen Elements in Kombination mit einem Supra leitenden Element ist in dem United States Patent Nr. 5,721,194 offenbart.
  • Kozyrev A. et al. „Ferroelectric Films: Nonlinear Properties And Applications In Microwave Devices" , IEEE MIT-S International Microwave Symposium Digest, US, New York, NY, IEEE, 7–12 June 1998, Seiten 985–988, offenbart einen in der Spannung abstimmbaren Varaktor mit einer abstimmbaren dielektrischen Schicht auf einem Substrat und Elektroden auf der dielektrischen Schicht, die dem Substrat gegenüberliegt.
  • Es besteht ein Bedarf für Varaktoren, die bei Temperaturen oberhalb von denjenigen, die für eine Supraleiterung erforderlich sind, und bei Frequenzen bis zu 10 GHz und darüber hinaus arbeiten können, während hohe Q Faktoren aufrecht erhalten werden. Zusätzlich besteht ein Bedarf für Mikrowelleneinrichtungen, die derartige Varaktoren einschließen.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Ein dielektrischer Varaktor, der in Abhängigkeit von einer Spannung abstimmbar ist, umfasst ein Substrat mit einer ersten dielektrischen Konstanten und mit einer allgemein planaren Oberfläche, eine abstimmbare ferroelektrische Schicht, die auf der allgemein planaren Oberfläche des Substrats positioniert ist, wobei die abstimmbare ferroelektrische Schicht eine zweite dielektrische Konstante größer als die erste dielektrische Konstante aufweist, und erste und zweite Elektroden, die auf einer Oberfläche der abstimmbaren ferroelektrischen Schicht, der allgemein planaren Oberfläche des Substrats gegenüberliegend, positioniert sind. Die ersten und zweiten Elektroden sind getrennt, um einen Spalt dazwischen zu bilden. Eine Vorspannung, die an die Elektroden angelegt ist, ändert die Kapazität des Varaktors zwischen seinem Eingang und seinem Ausgang. Die abstimmbare dielektrische Schicht umfasst eine Barium-Strontium-Titanat-Verbundkeramik.
  • Die Erfindung schließt auch Phasenschieber ein, die die obigen Varaktoren einschließen. Eine Ausführungsform von derartigen Phasenschiebern umfasst einen Umlaufring-Koppler (Rat Race Koppler) mit einem HF (RF) Eingang und einem HF (RF) Ausgang, erste und zweite Mikrostreifen, die auf dem Umlaufring-Koppler positioniert sind, einen ersten reflektierenden Abschluss, der benachbart zu einem Ende des ersten Mikrostreifens positioniert ist, und einen zweiten reflektierenden Abschluss, der angrenzend zu einem Ende des zweiten Mikrostreifens positioniert ist, wobei die ersten und zweiten reflektierenden Abschlüsse jeweils einen der abstimmbaren Varaktoren einschließen.
  • Eine andere Ausführungsform von derartigen Phasenschiebern umfasst einen Mikrostreifen mit einem HF (RF) Eingang und einem HF (RF) Ausgang, ersten und zweiten radialen Stichleitungen, die sich von dem Mikrostreifen erstrecken, einen ersten Varaktor, der innerhalb der ersten radialen Stichleitung positioniert ist, und einen zweiten Varaktor, der innerhalb der zweiten radialen Stichleitung positioniert ist, wobei jeder der ersten und zweiten Varaktoren einer der vorangehenden abstimmbaren Varaktoren ist.
  • Die planaren ferroelektrischen Varaktoren der vorliegenden Erfindung können verwendet werden, um eine Phasenverschiebung in verschiedenen Mikrowelleneinrichtungen und in anderen Einrichtungen, wie beispielsweise abstimmbaren Filtern, bereitzustellen. Die hier betrachteten Einrichtungen sind in der Konstruktion einzigartig und zeigen einen niedrigen Einfügeverlust sogar bei Frequenzen größer als 10 GHz auf. Die Einrichtungen verwenden abstimmbare dielektrische Block- oder Filmelemente.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Ein vollständiges Verständnis der Erfindung kann aus der folgenden Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen gewonnen werden, wenn diese im Zusammenhang mit den beiliegenden Zeichnungen gelesen wird. In den Zeichnungen zeigen:
  • 1 eine Draufsicht von oben auf einen planaren über die Spannung abstimmbaren dielektrischen Varaktor, der in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung konstruiert ist;
  • 2 eine Querschnittsansicht des Varaktors der 1, entlang der Schnittlinie 2-2;
  • 3a, 3b und 3e Graphen, die die Kapazität und die Verlusttangente von in der Spannung abstimmbaren Varaktoren darstellen, die in Übereinstimmung mit dieser Erfindung konstruiert sind und zwar bei verschiedenen Betriebsfrequenzen und Spaltbreiten;
  • 4 eine Draufsicht von oben auf einen analogen Phasenschieber mit einem reflektierenden Abschluss und einem hybriden Umlaufring-Koppler, der Varaktoren einschließt, die in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung konstruiert sind;
  • 5 einen Graph, der eine Phasenverschiebung darstellt, die von dem Phasenschieber der 4 bei verschiedenen Frequenzen und Vorspannungen erzeugt wird;
  • 6 eine Draufsicht von oben auf einen Phasenschieber mit einer Schaltung einer belasteten Leitung mit einem planaren Varaktor, der in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung konstruiert ist;
  • 7 ein Ersatzschaltbild des Phasenschiebers der 7;
  • 8a, 8b und 8e Graphen, die simulierte Betriebsdaten für den Phasenschieber mit der belasteten Leitung der 6 darstellen;
  • 9 eine Draufsicht auf ein abstimmbares Filter mit einem Finnleitungs-Wellenleiter mit planaren Varaktoren, die in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung konstruiert sind;
  • 10 einen Graph, der Messdaten für das abstimmbare Filter mit Finnleitungen der 9 darstellt.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Bezugnehmend auf die Zeichnungen sind die 1 und 2 eine Draufsicht bzw. eine Querschnittsansicht eines Varaktors 10, der in Übereinstimmung mit dieser Erfindung konstruiert ist. Der Varaktor 10 umfasst ein Substrat 12 mit einer allgemein planaren Oberfläche 14. Eine abstimmbare ferroelektrische Schicht 16 ist angrenzend zu der oberen Oberfläche des Substrats positioniert. Ein Paar von Metallelektroden 18 und 20 sind oben auf der ferroelektrischen Schicht positioniert. Das Substrat 12 ist aus einem Material mit einer relativ geringen Permitivität gebildet, wie MgO, Aluminiumoxyd, LaAlO3, Saphir oder einer Keramik. Für die Zwecke dieser Erfindung ist eine niedrige Permitivität eine Permitivität von weniger als ungefähr 30. Die abstimmbare ferroelektrische Schicht 16 ist aus einem Material mit einer Permitivität in einem Bereich von ungefähr 20 bis ungefähr 2000 und mit einer Abstimmbarkeit in dem Bereich von ungefähr 10% bis ungefähr 80% bei einer Vorspannung von ungefähr 10 V/μm gebildet. In der bevorzugten Ausführungsform ist diese Schicht aus einem Barium-Strontium-Titanat, BaxSr1–xTiO3 (BSTO) gebildet, wobei x im Bereich von null bis eins liegen kann, oder ist aus einer BSTO-Verbundkeramik gebildet. Beispiele von derartigen BSTO Zusammensetzungen umfassen beispielsweise: BSTO-MgO, BSTO-MgAl2O4, BSTO-CaTiO3, BSTO-MgTiO3, BSTO-MgSrZrTiO6, und Kombinationen davon, sind aber nicht darauf beschränkt. Die abstimmbare Schicht in einer bevorzugten Ausführungsform weist eine dielektrische Permitivität von größer als 100 aus, wenn sie typischen DC Vorspannung ausgesetzt wird, zum Beispiel Spannungen im Bereich von ungefähr 5 Volt bis ungefähr 300 Volt. Ein Spalt 22 mit einer Breite g ist zwischen den Elektroden 18 und 20 gebildet. Die Spaltbreite muss optimiert werden, um ein Verhältnis der maximalen Kapazität Cmax zu der minimalen Kapazität Cmin(Cmax/Cmin) zu erhöhen und den Qualitätsfaktor (Q) der Einrichtung zu erhöhen. Die Breite dieses Spalts hat den größten Einfluss auf die Varaktorparameter. Die optimale Breite g würde durch die Breite bestimmt, bei der die Einrichtung ein maximales Cmax/Cmin Verhältnis und eine minimale Verlusttangente aufweist.
  • Eine steuerbare Spannungsquelle 24 ist über Leitungen 26 und 28 mit Elektroden 18 und 20 verbunden. Diese Spannungsquelle wird verwendet, um an die ferroelektrische Schicht eine DC Vorspannung zu liefern, wodurch die Permitivität der Schicht gesteuert wird. Der Varaktor umfasst auch einen HF (RF) Eingang 30 und einen HF (RF) Ausgang 32. Der HF Eingang und der Ausgang sind mit Elektroden 18 bzw. 20 über gelötete oder gebondete Verbindungen verbunden.
  • In den bevorzugten Ausführungsformen können die Varaktoren Spaltbreiten von weniger als 5–50 μm verwenden. Die Dicke der ferroelektrischen Schicht liegt im Bereich von ungefähr 0,1 μm bis ungefähr 20 μm. Ein Abdichtungsmittel 34 ist in dem Spalt positioniert und kann irgendein nicht-leitendes Material mit einer hohen dielektrischen Durchbruchfestigkeit sein, um die Anlegung einer hohen Spannung ohne eine Funkenbildung über dem Spalt zu erlauben. In der bevorzugten Ausführungsform kann das Dichtungsmittel Epoxyd oder Polyurethan sein.
  • Die andere Abmessung, die die Konstruktion der Varaktoren stark beeinflusst, ist die Länge L des Spalts, wie in 1 gezeigt. Die Länge des Spalts L kann durch Ändern der Länge der Enden 36 und 38 der Elektroden eingestellt werden. Veränderungen in der Länge weisen einen starken Einfluss auf die Kapazität des Varaktors auf. Die Spaltlänge wird für diesen Parameter optimiert. Sobald die Spaltbreite gewählt worden ist, wird die Kapazität eine lineare Funktion der Länge L. Für eine gewünschte Kapazität kann die Länge L experimentell oder durch eine Computersimulation bestimmt werden.
  • Die Dicke der abstimmbaren ferroelektrischen Schicht weist ebenfalls einen starken Effekt auf das Cmax/Cmin Verhältnis auf. Die optimale Dicke der ferroelektrischen Schichten wird durch die Dicke bestimmt, bei der das maximale Cmax/Cmin auftritt. Die ferroelektrische Schicht des Varaktors der 1 und 2 kann aus einem Dünnfilm, einem Dickfilm, oder einem ferroelektrischen Blockmaterial wie Barium-Strontium-Titanat BaxSr1–xTiO3 (BSTO), BSTO und verschiedenen Oxyden, oder einem BSTO Verbund mit verschiedenen hinzugefügten Dotiermaterialien gebildet sein. Alle diese Materialien zeigen eine niedrige Verlusttangente. Für die Zwecke dieser Beschreibung würde die Verlusttangente, für einen Betrieb bei Frequenzen im Bereich von ungefähr 1,0 GHz bis 10 GHz, im Bereich von ungefähr 0,0001 bis ungefähr 0,001 liegen. Für einen Betrieb bei Frequenzen im Bereich von ungefähr 10 GHz bis ungefähr 20 GHz würde die Verlusttangente im Bereich von ungefähr 0,001 bis ungefähr 0,01 liegen. Für einen Betrieb bei Frequenzen im Bereich von über 20 GHz bis ungefähr 30 GHz, würde die Verlusttangente im Bereich von ungefähr 0,05 bis ungefähr 0,02 liegen.
  • Die Elektroden können invgendeiner Geometrie oder Form hergestellt werden, die einen Spalt mit einer vorgegebenen Breite enthält. Der erforderliche Strom für eine Manipulation der Kapazität der Varaktoren, die in dieser Erfindung offenbart werden, ist typischerweise kleiner als 1 μA. In der bevorzugten Ausführungsform ist das Elektrodenmaterial Gold. Jedoch können auch andere Materialien, wie Kupfer, Silber oder Aluminium, verwendet werden. Gold ist gegenüber einer Korrosion widerstandsfähig und kann leicht an den HF Eingang und Ausgang gebondet werden. Kupfer stellt eine hohe elektrische Leitfähigkeit bereit und würde typischerweise mit Gold für einen Bondungsvorgang oder mit Nickel für einen Lötvorgang beschichtet werden.
  • Die 1 und 2 zeigen einen über die Spannung abstimmbaren planaren Varaktor mit einer planaren Elektrode mit einem vorgegebenen Spaltabstand auf einem abstimmbaren Einzelschichtblock, einem Dickfilm oder Dünnfihndielektrikum. Die angelegte. Spannung erzeugt ein elektrisches Feld über dem Spalt des abstimmbaren Dielektrikums, das eine Gesamtänderung in der Kapazität des Varaktors erzeugt. Die Breite des Spalts kann im Bereich von 5 bis 50 μm liegen, in Abhängigkeit von den Betriebsanforderungen. Der Varaktor kann wiederum in eine Vielzahl von abstimmbaren Einrichtungen integriert werden, beispielsweise in diejenigen, die gewöhnlicher weise im Zusammenhang mit Halbleitervaraktoren verwendet werden.
  • Die bevorzugten Ausführungsformen von über die Spannung abstimmbaren dielektrischen Varaktoren dieser Erfindung weisen Q Faktoren im Bereich von ungefähr 50 bis ungefähr 10.000 auf, wenn ein Betrieb von Frequenzen, im Bereich von ungefähr 1 GHz bis ungefähr 40 GHz vorgenommen wird. Die Kapazität (in pF) und der Verlustfaktor (tan δ) der Varaktoren, gemessen bei 3, 10 und 20 GHz für Spaltabstände von 10 und 20 μm, sind in den 3a, 3b und 3c gezeigt. Auf Grundlage der Daten, die in den 3a, 3b und 3c gezeigt sind, sind die Qs für die Varaktoren ungefähr die folgenden: 200 bei 3 GHz, 80 bei 10 GHz, 45–55 bei 20 GHz. Im Vergleich sind typische Qs für GaAs Halbleiterdiodenvaraktoren wie folgt: 175 bei 2 GHz, 35 bei 10 GHz und viel kleiner bei noch höherer Frequenz. Deshalb weisen die Varaktoren dieser Erfindung bei Frequenzen, die größer oder gleich zu 10 GHz sind, viel bessere Q Faktoren auf.
  • 4 zeigt eine Draufsicht auf einen Phasenschieber 40 mit Varaktoren, die in Übereinstimmung mit der Erfindung zur Verwendung in einen Betriebsbereich von 1,8 bis 1,9 GHz konstruiert sind. Der Phasenschieber 40 umfasst einen Umlaufring-Koppler 42, zwei reflektierende Abschlüsse 44, 46 und eine Vorspannungsschaltung, die mit den Varaktoren verbunden sind, wie in 1 gezeigt, aber in 4 nicht gezeigt. Jeder der reflektierenden Abschlüsse umfasst eine Serienkombination eines ferroelektrischen Varaktors der 1 und 2, und einen Induktor 48, 50. Zwei DC Blöcke 52 und 54 sind auf den Armen des Eingangs 56 und bzw. dem Ausgang 58 des Umlaufring-Kopplers angebracht. Die DC Blöcke können in Übereinstimmung mit bekannten Techniken konstruiert werden, beispielsweise durch Verwendung eines Oberflächenanbringungskondensators mit einer hohen Kapazität oder einem Verteilungs-Bandpassfilter.
  • Experimentelle Ergebnisse für den Phasenschieber der 4 wurden wie in 5 gezeigt in dem Bereich der angelegten Varaktorvorspannung von 0 bis 300 Volt DC ermittelt. Die Gütezahl ist ungefähr 110, mit einem relativen Phasenverschiebefehler von geringer als 3% über einem Frequenzbereich von 1,8 bis 1,9 GHz. Der Einfügeverlust des Phasenschiebers beträgt ungefähr 1,0 dB, was 0,5 dB im Zusammenhang mit einer Fehlanpassung und von Verlusten in den Metallfilmen einschließt. Die Betriebstemperatur der Einrichtung betrug 300°K.
  • 6 ist eine Draufsicht auf einen 10 GHz Phasenschieber 60 auf Grundlage einer Mikrostreifenschaltung mit einer beladenen bzw. belasteten Leitung 62. Zwei planare ferroelektrische Varaktoren 10 sind in die Spalte 64, 66 der Leitung 62 eingebaut. Ein HF (RF) wird mit Hilfe von 50-Ohm Mikrostreifen 68 bzw. 70 eingegeben und ausgegeben. Der mittlere Mikrostreifen weist in diesem Beispiel einen Impedanz von 40-Ohm auf. Radiale Viertel-Wellenlängen-Stichleitungen 72, 74, 76 und 78 werden für die Impedanzanpassung verwendet. Die Varaktoren werden durch die DC Vorspannung, die durch das Kontaktkissen 80 und den Draht 82 angelegt wird, abgestimmt. Zwei DC Blöcke 84 und 86 sind ähnlich zu denjenigen, die in 4 diskutiert wurden. Die Ersatzschaltung des Phasenschiebers der 6, ohne die DC Blöcke, ist in 7 gezeigt. Berechnete Werte des Einfügeverlusts (S21), des Reflektionskoeffizienten (S11) und der Phasenverschiebung (Δϕ) der Einrichtung für die Varaktorkapazitäten im Bereich von 0,4 pF bis 0,8 pF, sind in den 8a, 8b und 8c gezeigt. Die Gütezahl für den Phasenschieber der 6 ist 180 Grad/dB über einem Frequenzbereich von 0,5 GHz. Die Einrichtung ist geeignet für Anwendungen, bei denen die Phasenverschiebeanforderungen kleiner als 100 Grad sind.
  • 9 ist eine Draufsicht auf ein abstimmbares Feld 88 mit 4 fenoelektrischen Varaktoren auf Grundlage einer symmetrischen Finnenleitung in einem rechteckförmigen Wellenleiter. In dieser Ausführungsform der Erfindung wird ein elektrisch abstimmbares Filter bei Raumtemperatur erhalten, indem mehrere ferroelektrische Varaktoren auf einem Finnenleitungs-Wellenleiter angebracht sind. Die Finnenleitungs-Konstruktion umfasst 3 Folienkupferplatten 90, 92 und 94 mit einer Dicke von 0,2 mm, die an der Mitte des Wellenleiters 96 entlang dessen longitudinaler Achse angeordnet sind. Zwei laterale Platten mit kurzgeschlossenen Endfinnenleitungs-Resonatoren 98 und 100 sind als Folge des Kontakts mit dem Wellenleiter auf Masse gelegt. Die zentrale Platte 92 ist für die DC Spannung von dem Wellenleiter durch Mica 102 und 104 isoliert und wird verwendet, um die Steuerspannung (Ub) an die abstimmbaren dielektrischen Varaktoren 106, 108, 110 und 112 anzulegen. Die abstimmbaren ferroelektrischen Varaktoren werden in dem Ende der Finnenleitungs-Resonatoren zwischen den Platten 90 und 92, und den Platten 94 und 92 angelötet. Flansche 114 und 116 halten die Platten. Die Frequenzantwortfilter der 9 ist in 10 gezeigt. In dem Frequenzbereich der Abstimmung ΔF ∼0,8 GHz (∼4%) des Filters demonstriert die Einfügeverluste (L0) von nicht mehr als 0,9 dB und die Bandbreite von Δf/f ∼ 2,0% bei dem Pegel von L0. Der Reflektionskoeffizient für die zentrale Frequenz betrug nicht mehr als –20 dB für irgendeinen Punkt des Abstimmungsbereichs. Die Anzahl von Bändern Δf des Filters, die in dem Frequenzbereich der Abstimmung ΔF enthalten sind, betrug ungefähr ΔF/Δf = 2. Es sei darauf hingewiesen, dass für höhere Vorspannungen eine größere Abstimmung des Filters möglich ist.
  • Durch Verwenden der einzigartigen Anwendung von Dielektrika mit geringen Verlusten (tan δ < 0,02) von vorgegebenen Abmessungen stellt diese Erfindung einen Hochfrequenz-Hochleistungs-Varaktor bereit, der das Hochfrequenz-(>3 GHz) Betriebsverhalten der Halbleitervaraktoren übergeht. Die Verwendung von diesen Varaktoren in abstimmbare Einrichtungen wird ebenfalls in dieser Erfindung realisiert. Mehrere Beispiele von spezifischen Anwendungen der Varaktoren in Phasenschiebern und einem abstimmbaren Filter sind beschrieben worden. Diese Erfindung hat viele praktische Anwendungen und viele andere Modifikationen der offenbarten Einrichtungen können Durchschnittsfachleuten in dem technischen Gebiet offensichtlich sein, ohne von dem Grundgedanken und dem Umfang dieser Erfindung abzuweichen. Zusätzlich haben die abstimmbaren dielektrischen Varaktoren dieser Erfindung eine erhöhte HF Leistungs-Behandlungsmöglichkeit und einen verringerten Energieverbrauch und geringere Kosten.
  • Die Erfindung stellt über die Spannung abstimmbare Block-, Dickfilm- und Dünnfilm-Varaktoren bereit, die in bei Raumtemperatur über die Spannung abstimmbaren Einrichtungen verwendet werden können, beispielsweise in Filtern, Phasenschiebern, spannungsgesteuerten beiden Oszillatoren, Verzögerungsleitungen und abstimmbaren Resonatoren, oder irgendeiner Kombination davon. Beispiele sind für Varaktoren, finnenleitungs-abstimmbaren Filtern und Phasenschiebern bereitgestellt. Das Finnenleitungs-Filter umfasst zwei oder eine größere Anzahl von Varaktoren und ist auf einer symmetrischen Finnenleitung in einem rechteckförmigen Wellenleiter gestützt. Die beispielhaften Phasenschieber enthalten reflektierende Abschlüsse mit hybriden Kopplern und eine Schaltung mit belasteter Leitung mit dem Einbau von planaren Varaktoren. Die beispielhaften Phasenschieber können bei Frequenzen von 2, 10, 20 und 30 GHz arbeiten.

Claims (10)

  1. Dielektrischer Varaktor (10), der in Abhängigkeit von einer Spannung abstimmbar ist und umfasst: ein Substrat (12) mit einer ersten dielektrischen Konstanten und mit einer allgemein planaren Oberfläche (14); eine abstimmbare ferroelektrische Schicht (16), die auf der allgemein planaren Oberfläche des Substrats positioniert ist, wobei die abstimmbare ferroelektrische Schicht eine zweite dielektrische Konstante größer als die erste dielektrische Konstante aufweist; und erste und zweite Elektroden (18, 20), die auf einer Oberfläche der abstimmbaren fenoelektrischen Schicht, der allgemein planaren Oberfläche des Substrats gegenüberliegend, positioniert ist, wobei die ersten und zweiten Elektroden getrennt sind, um einen Spalt (22) dazwischen zu bilden; dadurch gekennzeichnet, dass die abstimmbare ferroelektrische Schicht eine Barium-Strontium-Titanat-Verbundkeramik umfasst.
  2. Dielektrischer Varaktor, der in Abhängigkeit von einer Spannung abstimmbar ist, nach Anspruch 1, ferner umfassend: ein isolierendes Material (34) in dem Spalt.
  3. Dielektrischer Varaktor, der in Abhängigkeit von einer Spannung abstimmbar ist, nach Anspruch 1, wobei die abstimmbare ferroelektrische Schicht (16) eine Permittivität in einem Bereich von ungefähr 20 bis ungefähr 2000 und eine Abstimmbarkeit in einem Bereich von ungefähr 10% bis ungefähr 80% bei einer Vorspannung von ungefähr 10 V/μm aufweist.
  4. Dielektrischer Varaktor, der in Abhängigkeit von einer Spannung abstimmbar ist, nach Anspruch 1, wobei die abstimmbare ferroelektrische Schicht einen RF Eingang (30) und einen RF Ausgang (32) zum Führen eines RF Signals durch die abstimmbare ferroelektrische Schicht in einer ersten Richtung einschließt, und wobei sich der Spalt in einer zweiten Richtung, im wesentlichen senkrecht zu der ersten Richtung, erstreckt.
  5. Phasenschieber (40) mit einem reflektierenden Abschluss, umfassend einen Umlaufring-Koppler mit einem RF Eingang (56) und einem RF Ausgang (58); erste und zweite Stichleitungen, die auf dem Umlaufring-Koppler (42) positioniert sind; einen ersten reflektierenden Abschluss (44), der benachbart zu einem Ende der ersten Stichleitung positioniert ist; und einen zweiten reflektierenden Abschluss (46), der benachbart zu einem Ende der zweiten Stichleitung positioniert ist; wobei der erste reflektierende Abschluss und der zweite reflektierende Abschluss jeweils einen abstimmbaren Varaktor (10) einschließt, der umfasst: ein Substrat (12) mit einer ersten dielektrischen Konstanten und mit einer allgemein planaren Oberfläche (14), eine abstimmbare ferroelektrische Schicht (16), die auf der allgemein planaren Oberfläche des Substrats positioniert ist, wobei die abstimmbare ferroelektrische Schicht eine zweite dielektrische Konstante größer als die erste dielektrische Konstante aufweist, und die ersten und zweiten Elektroden (18, 20) auf einer Oberfläche der abstimmbaren ferroelektrischen Schicht gegenüberliegend zu der allgemein planaren Oberfläche des Substrats positioniert sind, wobei die ersten und zweiten Elektroden getrennt sind, um einen Spalt dazwischen zu bilden, dadurch gekennzeichnet, dass die abstimmbare ferroelektrische Schicht eine Barium-Strontium-Titanat-Verbundkeramik umfasst.
  6. Phasenschieber mit einem reflektierenden Abschluss (40) nach Anspruch 5, wobei der erste reflektierende Abschluss und der zweite reflektierende Abschluss jeweils ferner einen Induktor (48, 50) einschließt, der elektrisch in Reihe zu dem Varaktor geschaltet ist.
  7. Phasenschieber mit einem reflektierenden Abschluss (40) nach Anspruch 5, ferner umfassend: erste und zweite DC Blöcke (52, 54), wobei der erste DC Block in dem RF Eingang positioniert ist, und wobei der zweite DC Block in dem RF Ausgang positioniert ist.
  8. Phasenschieber mit einer belasteten Leitung (60), umfassend einen Mikrostreifen (62) mit einem RF Eingang (68) und einem RF Ausgang (70); erste und zweite radiale Stichleitungen (72, 74), die sich von dem Mikrostreifen erstrecken; einen ersten Varaktor (10), die innerhalb der ersten radialen Stichleitung positioniert ist; und einen zweiten Varaktor (10) der innerhalb der zweiten radialen Stichleitung positioniert ist; wobei der erste Varaktor und der zweite Varaktor jeweils umfasst: ein Substrat (12) mit einer ersten dielektrischen Konstanten und mit einer allgemein planaren Oberfläche (14), eine abstimmbare ferroelektrische Schicht (16), die auf der allgemein planaren Oberfläche des Substrats positioniert ist, wobei die abstimmbare ferroelektrische Schicht eine zweite dielektrische Konstante größer als die erste dielektrische Konstante aufweist, wobei die ersten und zweiten Elektroden (18, 20) auf einer Oberfläche der abstimmbaren fenoelektrischen Schicht gegenüberliegend zu der allgemein planaren Oberfläche des Substrats positioniert sind, wobei die ersten und zweiten Elektroden getrennt sind, um einen Spalt dazwischen zu bilden, dadurch gekennzeichnet, dass die abstimmbare ferroelektrische Schicht eine Barium-Strontium-Titanat-Verbundkeramik umfasst.
  9. Leitungsfilter mit einer abstimmbaren Finne (88), umfassend: einen rechteckförmigen Wellenleiter (96); drei leitende Platten (90, 92, 94), die entlang einer longitudinalen Achse des Wellenleiters positioniert sind, wobei eine der leitenden Platten von dem Wellenleiter isoliert ist; zwei laterale Platten (90, 94), die Finnen-Leitungsresonatoren mit Kurzschlussende (8, 100) aufweisen und an dem Wellenleiter mit Masse verbunden sind; und eine Vielzahl von Varaktoren (106, 108, 110, 112), wobei einer der Varaktoren elektrisch mit jedem Finnen-Leitungs-Resonator gekoppelt ist; wobei jeder abstimmbare Varaktor einschließt: ein Substrat (12) mit einer ersten dielektrischen Konstanten und mit einer allgemein planaren Oberfläche (14), eine abstimmbare ferroelektrische Schicht (16), die auf der allgemein planaren Oberfläche des Substrats positioniert ist, wobei die abstimmbare ferroelektrische Schicht eine zweite dielektrische Konstante größer als die erste dielektrische Konstante aufweist, und wobei die ersten und zweiten Elektroden auf einer Oberfläche der abstimmbaren ferroelektrischen Schicht gegenüberliegend zu der allgemein planaren Oberfläche des Substrats positioniert sind, wobei die ersten und zweiten Elektroden (18, 20) getrennt sind, um einen Spalt dazwischen zu bilden, dadurch gekennzeichnet, dass die abstimmbare ferroelektrische Schicht eine Barium-Strontium-Titanat-Verbundkeramik umfasst.
  10. Dielektrischer Varaktor (10), der in Abhängigkeit von einer Spannung abstimmbar ist, nach den Ansprüchen 1, 5, 8 oder 9, ferner dadurch gekennzeichnet, dass die Barium-Strontium-Titanat-Verbundkeramik umfasst: BSTO-MgO, BSTO-MgAl2O4, BSTO-CaTiO3, BSTO-MgTiO3, BSTO-MgSrZrTiO6, oder Kombinationen davon.
DE69909313T 1998-10-16 1999-10-15 Spannungsgesteuerte varaktoren und abstimmbare geräte mit derartigen varaktoren Expired - Fee Related DE69909313T2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10450498P 1998-10-16 1998-10-16
US104504P 1998-10-16
PCT/US1999/024161 WO2000024079A1 (en) 1998-10-16 1999-10-15 Voltage tunable varactors and tunable devices including such varactors

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69909313D1 DE69909313D1 (de) 2003-08-07
DE69909313T2 true DE69909313T2 (de) 2004-06-03

Family

ID=22300851

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69909313T Expired - Fee Related DE69909313T2 (de) 1998-10-16 1999-10-15 Spannungsgesteuerte varaktoren und abstimmbare geräte mit derartigen varaktoren

Country Status (12)

Country Link
US (2) US6531936B1 (de)
EP (1) EP1121725B1 (de)
JP (1) JP2002528899A (de)
KR (1) KR20010089308A (de)
CN (1) CN1326599A (de)
AT (1) ATE244459T1 (de)
AU (1) AU1117500A (de)
CA (1) CA2346856A1 (de)
DE (1) DE69909313T2 (de)
EA (1) EA200100448A1 (de)
ES (1) ES2201797T3 (de)
WO (1) WO2000024079A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018126085A1 (de) * 2018-10-19 2020-04-23 Forschungsverbund Berlin E.V. Ausgangsfilter für einen Verstärker
DE102014210747B4 (de) 2014-02-12 2023-11-16 Rohde & Schwarz GmbH & Co. Kommanditgesellschaft Phasenregelschleife mit Varaktor in Mikrosystemtechnik

Families Citing this family (156)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE60026388T2 (de) * 1999-08-24 2006-11-30 Paratek Microwave, Inc. Spannungsgesteuerte koplanare Phasenschieber
AU2001259372A1 (en) 2000-05-02 2001-11-12 Paratek Microwave, Inc. Microstrip phase shifter
AU2001257358A1 (en) 2000-05-02 2001-11-12 Paratek Microwave, Inc. Voltage tuned dielectric varactors with bottom electrodes
US8744384B2 (en) 2000-07-20 2014-06-03 Blackberry Limited Tunable microwave devices with auto-adjusting matching circuit
WO2002009226A1 (en) * 2000-07-20 2002-01-31 Paratek Microwave, Inc. Tunable microwave devices with auto-adjusting matching circuit
US7865154B2 (en) * 2000-07-20 2011-01-04 Paratek Microwave, Inc. Tunable microwave devices with auto-adjusting matching circuit
US8064188B2 (en) 2000-07-20 2011-11-22 Paratek Microwave, Inc. Optimized thin film capacitors
US6683513B2 (en) * 2000-10-26 2004-01-27 Paratek Microwave, Inc. Electronically tunable RF diplexers tuned by tunable capacitors
US6993107B2 (en) * 2001-01-16 2006-01-31 International Business Machines Corporation Analog unidirectional serial link architecture
US7746292B2 (en) * 2001-04-11 2010-06-29 Kyocera Wireless Corp. Reconfigurable radiation desensitivity bracket systems and methods
US7221243B2 (en) * 2001-04-11 2007-05-22 Kyocera Wireless Corp. Apparatus and method for combining electrical signals
US7394430B2 (en) * 2001-04-11 2008-07-01 Kyocera Wireless Corp. Wireless device reconfigurable radiation desensitivity bracket systems and methods
US6690251B2 (en) 2001-04-11 2004-02-10 Kyocera Wireless Corporation Tunable ferro-electric filter
US7164329B2 (en) * 2001-04-11 2007-01-16 Kyocera Wireless Corp. Tunable phase shifer with a control signal generator responsive to DC offset in a mixed signal
JP2004530360A (ja) * 2001-04-11 2004-09-30 キョウセラ ワイヤレス コーポレイション チューナブルマルチプレクサ
US7154440B2 (en) * 2001-04-11 2006-12-26 Kyocera Wireless Corp. Phase array antenna using a constant-gain phase shifter
US7174147B2 (en) * 2001-04-11 2007-02-06 Kyocera Wireless Corp. Bandpass filter with tunable resonator
US6617062B2 (en) * 2001-04-13 2003-09-09 Paratek Microwave, Inc. Strain-relieved tunable dielectric thin films
SE520018C2 (sv) * 2001-05-09 2003-05-06 Ericsson Telefon Ab L M Ferroelektriska anordningar och förfarande relaterande därtill
US6535076B2 (en) 2001-05-15 2003-03-18 Silicon Valley Bank Switched charge voltage driver and method for applying voltage to tunable dielectric devices
US6710679B2 (en) * 2001-08-16 2004-03-23 Paratek Microwave, Inc. Analog rat-race phase shifters tuned by dielectric varactors
US6801160B2 (en) * 2001-08-27 2004-10-05 Herbert Jefferson Henderson Dynamic multi-beam antenna using dielectrically tunable phase shifters
US20050200422A1 (en) * 2001-09-20 2005-09-15 Khosro Shamsaifar Tunable filters having variable bandwidth and variable delay
EP1428289A1 (de) * 2001-09-20 2004-06-16 Paratek Microwave, Inc. Abstimmbare filter mit variabler bandbreite und variabler verzögerung
US7184727B2 (en) * 2002-02-12 2007-02-27 Kyocera Wireless Corp. Full-duplex antenna system and method
US7176845B2 (en) * 2002-02-12 2007-02-13 Kyocera Wireless Corp. System and method for impedance matching an antenna to sub-bands in a communication band
US7180467B2 (en) * 2002-02-12 2007-02-20 Kyocera Wireless Corp. System and method for dual-band antenna matching
US20050159187A1 (en) * 2002-03-18 2005-07-21 Greg Mendolia Antenna system and method
US20050113138A1 (en) * 2002-03-18 2005-05-26 Greg Mendolia RF ID tag reader utlizing a scanning antenna system and method
US7496329B2 (en) * 2002-03-18 2009-02-24 Paratek Microwave, Inc. RF ID tag reader utilizing a scanning antenna system and method
US20030176179A1 (en) * 2002-03-18 2003-09-18 Ken Hersey Wireless local area network and antenna used therein
US7187288B2 (en) * 2002-03-18 2007-03-06 Paratek Microwave, Inc. RFID tag reading system and method
US7183922B2 (en) * 2002-03-18 2007-02-27 Paratek Microwave, Inc. Tracking apparatus, system and method
US6987493B2 (en) * 2002-04-15 2006-01-17 Paratek Microwave, Inc. Electronically steerable passive array antenna
US7107033B2 (en) * 2002-04-17 2006-09-12 Paratek Microwave, Inc. Smart radio incorporating Parascan® varactors embodied within an intelligent adaptive RF front end
US6864843B2 (en) * 2002-08-15 2005-03-08 Paratek Microwave, Inc. Conformal frequency-agile tunable patch antenna
US6854342B2 (en) 2002-08-26 2005-02-15 Gilbarco, Inc. Increased sensitivity for turbine flow meter
US7111520B2 (en) * 2002-08-26 2006-09-26 Gilbarco Inc. Increased sensitivity for liquid meter
US6960546B2 (en) 2002-09-27 2005-11-01 Paratek Microwave, Inc. Dielectric composite materials including an electronically tunable dielectric phase and a calcium and oxygen-containing compound phase
US20040183626A1 (en) * 2003-02-05 2004-09-23 Qinghua Kang Electronically tunable block filter with tunable transmission zeros
US7369828B2 (en) * 2003-02-05 2008-05-06 Paratek Microwave, Inc. Electronically tunable quad-band antennas for handset applications
US20040251991A1 (en) * 2003-02-05 2004-12-16 Rahman Mohammed Mahbubur Electronically tunable comb-ring type RF filter
US7048992B2 (en) * 2003-02-05 2006-05-23 Paratek Microwave, Inc. Fabrication of Parascan tunable dielectric chips
US20050116797A1 (en) * 2003-02-05 2005-06-02 Khosro Shamsaifar Electronically tunable block filter
US20040227592A1 (en) 2003-02-05 2004-11-18 Chiu Luna H. Method of applying patterned metallization to block filter resonators
US20040224649A1 (en) * 2003-02-05 2004-11-11 Khosro Shamsaifar Electronically tunable power amplifier tuner
US20040178867A1 (en) * 2003-02-05 2004-09-16 Rahman Mohammed Mahbubur LTCC based electronically tunable multilayer microstrip-stripline combline filter
US20040185795A1 (en) * 2003-02-05 2004-09-23 Khosro Shamsaifar Electronically tunable RF Front End Module
US6967540B2 (en) * 2003-03-06 2005-11-22 Paratek Microwave, Inc. Synthesizers incorporating parascan TM varactors
US6949982B2 (en) * 2003-03-06 2005-09-27 Paratek Microwave, Inc. Voltage controlled oscillators incorporating parascan R varactors
US8204438B2 (en) * 2003-03-14 2012-06-19 Paratek Microwave, Inc. RF ID tag reader utilizing a scanning antenna system and method
US20040229025A1 (en) * 2003-04-11 2004-11-18 Chen Zhang Voltage tunable photodefinable dielectric and method of manufacture therefore
US20040232523A1 (en) * 2003-04-30 2004-11-25 Khosro Shamsaifar Electronically tunable RF chip packages
US7042316B2 (en) * 2003-05-01 2006-05-09 Paratek Microwave, Inc. Waveguide dielectric resonator electrically tunable filter
WO2004107499A2 (en) * 2003-05-22 2004-12-09 Paratek Microwave Inc. Wireless local area network antenna system and method of use therefore
US7720443B2 (en) 2003-06-02 2010-05-18 Kyocera Wireless Corp. System and method for filtering time division multiple access telephone communications
US20060035023A1 (en) * 2003-08-07 2006-02-16 Wontae Chang Method for making a strain-relieved tunable dielectric thin film
US7123115B2 (en) * 2003-08-08 2006-10-17 Paratek Microwave, Inc. Loaded line phase shifter having regions of higher and lower impedance
US7106255B2 (en) * 2003-08-08 2006-09-12 Paratek Microwave, Inc. Stacked patch antenna and method of operation therefore
KR100546759B1 (ko) * 2003-08-18 2006-01-26 한국전자통신연구원 식각된 강유전체 박막을 이용한 분포 정수형 아날로그위상 변위기 및 그 제조방법
US7142072B2 (en) 2003-09-22 2006-11-28 Kyocera Corporation Variable matching circuit, variable resonance circuit, variable phase-shifting circuit and variable attenuation circuit each having variable-capacitance capacitor
US6992638B2 (en) * 2003-09-27 2006-01-31 Paratek Microwave, Inc. High gain, steerable multiple beam antenna system
US7030463B1 (en) 2003-10-01 2006-04-18 University Of Dayton Tuneable electromagnetic bandgap structures based on high resistivity silicon substrates
US20050164647A1 (en) * 2004-01-28 2005-07-28 Khosro Shamsaifar Apparatus and method capable of utilizing a tunable antenna-duplexer combination
US7268643B2 (en) * 2004-01-28 2007-09-11 Paratek Microwave, Inc. Apparatus, system and method capable of radio frequency switching using tunable dielectric capacitors
WO2005072469A2 (en) * 2004-01-28 2005-08-11 Paratek Microwave Inc. Apparatus and method operable in a wireless local area network incorporating tunable dielectric capacitors embodied within an intelligent adaptive antenna
US7145509B2 (en) 2004-02-17 2006-12-05 Kyocera Corporation Array antenna and radio communication apparatus using the same
US20050206482A1 (en) * 2004-03-17 2005-09-22 Dutoit Nicolaas Electronically tunable switched-resonator filter bank
US7151411B2 (en) * 2004-03-17 2006-12-19 Paratek Microwave, Inc. Amplifier system and method
US20060006962A1 (en) * 2004-07-08 2006-01-12 Du Toit Cornelis F Phase shifters and method of manufacture therefore
US20060009185A1 (en) * 2004-07-08 2006-01-12 Khosro Shamsaifar Method and apparatus capable of interference cancellation
US20060006961A1 (en) * 2004-07-08 2006-01-12 Sengupta L Tunable dielectric phase shifters capable of operating in a digital-analog regime
US20060006966A1 (en) * 2004-07-08 2006-01-12 Qinghua Kang Electronically tunable ridged waveguide cavity filter and method of manufacture therefore
US7248845B2 (en) * 2004-07-09 2007-07-24 Kyocera Wireless Corp. Variable-loss transmitter and method of operation
US7379711B2 (en) * 2004-07-30 2008-05-27 Paratek Microwave, Inc. Method and apparatus capable of mitigating third order inter-modulation distortion in electronic circuits
US7519340B2 (en) * 2004-07-30 2009-04-14 Paratek Microwave, Inc. Method and apparatus capable of mitigating third order inter-modulation distortion in electronic circuits
US20060033593A1 (en) * 2004-08-13 2006-02-16 Qinghua Kang Method and apparatus with improved varactor quality factor
US20060044204A1 (en) * 2004-08-14 2006-03-02 Jeffrey Kruth Phased array antenna with steerable null
US7557055B2 (en) * 2004-09-20 2009-07-07 Paratek Microwave, Inc. Tunable low loss material composition
US20060065916A1 (en) * 2004-09-29 2006-03-30 Xubai Zhang Varactors and methods of manufacture and use
US7397329B2 (en) * 2004-11-02 2008-07-08 Du Toit Nicolaas D Compact tunable filter and method of operation and manufacture therefore
KR100582548B1 (ko) * 2004-12-20 2006-05-22 한국전자통신연구원 강유전체 박막을 이용한 pbg 구조의 위상 변위기
US20060267174A1 (en) * 2005-02-09 2006-11-30 William Macropoulos Apparatus and method using stackable substrates
US8283723B2 (en) * 2005-02-11 2012-10-09 Alpha & Omega Semiconductor Limited MOS device with low injection diode
US7948029B2 (en) 2005-02-11 2011-05-24 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated MOS device with varying trench depth
US8362547B2 (en) 2005-02-11 2013-01-29 Alpha & Omega Semiconductor Limited MOS device with Schottky barrier controlling layer
US8093651B2 (en) 2005-02-11 2012-01-10 Alpha & Omega Semiconductor Limited MOS device with integrated schottky diode in active region contact trench
US7285822B2 (en) 2005-02-11 2007-10-23 Alpha & Omega Semiconductor, Inc. Power MOS device
US7471146B2 (en) * 2005-02-15 2008-12-30 Paratek Microwave, Inc. Optimized circuits for three dimensional packaging and methods of manufacture therefore
US7786820B2 (en) * 2005-03-21 2010-08-31 Ngimat Co. Tunable dielectric radio frequency microelectromechanical system capacitive switch
US7884703B2 (en) * 2005-03-23 2011-02-08 Crest Electronics, Inc. Pillow speaker remote control
US20070007850A1 (en) * 2005-07-09 2007-01-11 Toit Nicolaas D Apparatus and method capable of a high fundamental acoustic resonance frequency and a wide resonance-free frequency range
US20070007854A1 (en) * 2005-07-09 2007-01-11 James Oakes Ripple free tunable capacitor and method of operation and manufacture therefore
US20070007853A1 (en) 2005-07-09 2007-01-11 Toit Nicolaas D Apparatus and method capable of a high fundamental acoustic resonance frequency and a wide resonance-free frequency range
US8067997B2 (en) * 2005-11-10 2011-11-29 The Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona Apparatus and method of selecting components for a reconfigurable impedance match circuit
US9406444B2 (en) 2005-11-14 2016-08-02 Blackberry Limited Thin film capacitors
US7548762B2 (en) * 2005-11-30 2009-06-16 Kyocera Corporation Method for tuning a GPS antenna matching network
US8325097B2 (en) * 2006-01-14 2012-12-04 Research In Motion Rf, Inc. Adaptively tunable antennas and method of operation therefore
US7711337B2 (en) 2006-01-14 2010-05-04 Paratek Microwave, Inc. Adaptive impedance matching module (AIMM) control architectures
US8125399B2 (en) 2006-01-14 2012-02-28 Paratek Microwave, Inc. Adaptively tunable antennas incorporating an external probe to monitor radiated power
US20070279159A1 (en) * 2006-06-02 2007-12-06 Heinz Georg Bachmann Techniques to reduce circuit non-linear distortion
KR100747657B1 (ko) * 2006-10-26 2007-08-08 삼성전자주식회사 매크로 및 마이크로 주파수 튜닝이 가능한 반도체 소자 및이를 갖는 안테나와 주파수 튜닝 회로
US7535312B2 (en) 2006-11-08 2009-05-19 Paratek Microwave, Inc. Adaptive impedance matching apparatus, system and method with improved dynamic range
US7714676B2 (en) * 2006-11-08 2010-05-11 Paratek Microwave, Inc. Adaptive impedance matching apparatus, system and method
US9201556B2 (en) * 2006-11-08 2015-12-01 3M Innovative Properties Company Touch location sensing system and method employing sensor data fitting to a predefined curve
US8299867B2 (en) * 2006-11-08 2012-10-30 Research In Motion Rf, Inc. Adaptive impedance matching module
US7813777B2 (en) * 2006-12-12 2010-10-12 Paratek Microwave, Inc. Antenna tuner with zero volts impedance fold back
US8207944B2 (en) * 2006-12-19 2012-06-26 3M Innovative Properties Company Capacitance measuring circuit and method
US8040329B2 (en) * 2006-12-20 2011-10-18 3M Innovative Properties Company Frequency control circuit for tuning a resonant circuit of an untethered device
US8243049B2 (en) 2006-12-20 2012-08-14 3M Innovative Properties Company Untethered stylus employing low current power converter
US7956851B2 (en) * 2006-12-20 2011-06-07 3M Innovative Properties Company Self-tuning drive source employing input impedance phase detection
US8134542B2 (en) * 2006-12-20 2012-03-13 3M Innovative Properties Company Untethered stylus employing separate communication and power channels
US8040330B2 (en) 2006-12-28 2011-10-18 3M Innovative Properties Company Untethered stylus empolying multiple reference frequency communication
US7787259B2 (en) * 2006-12-28 2010-08-31 3M Innovative Properties Company Magnetic shield for use in a location sensing system
US8089474B2 (en) 2006-12-28 2012-01-03 3M Innovative Properties Company Location sensing system and method employing adaptive drive signal adjustment
KR100813937B1 (ko) * 2007-02-22 2008-03-17 한국원자력연구원 가변 결합 계수를 갖는 도파관 어레이 커플러
US7936553B2 (en) * 2007-03-22 2011-05-03 Paratek Microwave, Inc. Capacitors adapted for acoustic resonance cancellation
US8467169B2 (en) 2007-03-22 2013-06-18 Research In Motion Rf, Inc. Capacitors adapted for acoustic resonance cancellation
US7917104B2 (en) * 2007-04-23 2011-03-29 Paratek Microwave, Inc. Techniques for improved adaptive impedance matching
US8213886B2 (en) 2007-05-07 2012-07-03 Paratek Microwave, Inc. Hybrid techniques for antenna retuning utilizing transmit and receive power information
US7991363B2 (en) 2007-11-14 2011-08-02 Paratek Microwave, Inc. Tuning matching circuits for transmitter and receiver bands as a function of transmitter metrics
US8112852B2 (en) * 2008-05-14 2012-02-14 Paratek Microwave, Inc. Radio frequency tunable capacitors and method of manufacturing using a sacrificial carrier substrate
US7922975B2 (en) * 2008-07-14 2011-04-12 University Of Dayton Resonant sensor capable of wireless interrogation
US8072285B2 (en) 2008-09-24 2011-12-06 Paratek Microwave, Inc. Methods for tuning an adaptive impedance matching network with a look-up table
US8067858B2 (en) * 2008-10-14 2011-11-29 Paratek Microwave, Inc. Low-distortion voltage variable capacitor assemblies
US20100096678A1 (en) * 2008-10-20 2010-04-22 University Of Dayton Nanostructured barium strontium titanate (bst) thin-film varactors on sapphire
US8194387B2 (en) 2009-03-20 2012-06-05 Paratek Microwave, Inc. Electrostrictive resonance suppression for tunable capacitors
US8472888B2 (en) 2009-08-25 2013-06-25 Research In Motion Rf, Inc. Method and apparatus for calibrating a communication device
US9026062B2 (en) 2009-10-10 2015-05-05 Blackberry Limited Method and apparatus for managing operations of a communication device
WO2011090933A1 (en) * 2010-01-21 2011-07-28 Northeastern University Voltage tuning of microwave magnetic devices using magnetoelectric transducers
US8803631B2 (en) 2010-03-22 2014-08-12 Blackberry Limited Method and apparatus for adapting a variable impedance network
WO2011133657A2 (en) 2010-04-20 2011-10-27 Paratek Microwave, Inc. Method and apparatus for managing interference in a communication device
CN102457242B (zh) * 2010-10-14 2014-12-31 重庆融海超声医学工程研究中心有限公司 一种阻抗匹配网络及其设计方法
US9379454B2 (en) 2010-11-08 2016-06-28 Blackberry Limited Method and apparatus for tuning antennas in a communication device
US8712340B2 (en) 2011-02-18 2014-04-29 Blackberry Limited Method and apparatus for radio antenna frequency tuning
US8655286B2 (en) 2011-02-25 2014-02-18 Blackberry Limited Method and apparatus for tuning a communication device
US8594584B2 (en) 2011-05-16 2013-11-26 Blackberry Limited Method and apparatus for tuning a communication device
US8626083B2 (en) 2011-05-16 2014-01-07 Blackberry Limited Method and apparatus for tuning a communication device
EP2740221B1 (de) 2011-08-05 2019-06-26 BlackBerry Limited Verfahren und vorrichtung zur frequenzbandabstimmung bei einer kommunikationsvorrichtung
US8948889B2 (en) 2012-06-01 2015-02-03 Blackberry Limited Methods and apparatus for tuning circuit components of a communication device
US9000866B2 (en) 2012-06-26 2015-04-07 University Of Dayton Varactor shunt switches with parallel capacitor architecture
US9853363B2 (en) 2012-07-06 2017-12-26 Blackberry Limited Methods and apparatus to control mutual coupling between antennas
US9246223B2 (en) 2012-07-17 2016-01-26 Blackberry Limited Antenna tuning for multiband operation
US9350405B2 (en) 2012-07-19 2016-05-24 Blackberry Limited Method and apparatus for antenna tuning and power consumption management in a communication device
US9413066B2 (en) 2012-07-19 2016-08-09 Blackberry Limited Method and apparatus for beam forming and antenna tuning in a communication device
US9362891B2 (en) 2012-07-26 2016-06-07 Blackberry Limited Methods and apparatus for tuning a communication device
WO2014033572A2 (en) * 2012-08-28 2014-03-06 Koninklijke Philips N.V. Electrical breakdown protection for a capacitive wireless powering system
US10404295B2 (en) 2012-12-21 2019-09-03 Blackberry Limited Method and apparatus for adjusting the timing of radio antenna tuning
US9374113B2 (en) 2012-12-21 2016-06-21 Blackberry Limited Method and apparatus for adjusting the timing of radio antenna tuning
US9219877B2 (en) 2013-03-07 2015-12-22 Holland Electronics, Llc Impedance compensation circuit
US9466868B2 (en) 2014-04-21 2016-10-11 Globalfoundries Inc. Reconfigurable branch line coupler
CN103956999A (zh) * 2014-04-29 2014-07-30 中国人民解放军国防科学技术大学 一种集成的移相和脉冲压缩信号处理器件
US9461612B2 (en) 2014-05-22 2016-10-04 Globalfoundries Inc. Reconfigurable rat race coupler
US9438319B2 (en) 2014-12-16 2016-09-06 Blackberry Limited Method and apparatus for antenna selection
WO2017126717A1 (ko) * 2016-01-20 2017-07-27 엘지전자 주식회사 Fdr 방식의 사용에 따른 자기간섭 신호를 제거하기 위한 방법 및 자기간섭 신호를 제거하기 위한 장치
US11317519B2 (en) * 2018-10-15 2022-04-26 International Business Machines Corporation Fabrication of superconducting devices that control direct currents and microwave signals

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS583401B2 (ja) * 1972-05-23 1983-01-21 日本放送協会 マイクロハカイロ
JPS5933902A (ja) * 1982-08-19 1984-02-24 Fujitsu Ltd Mic回路
JPS59196611A (ja) * 1983-04-22 1984-11-08 Toshiba Corp マイクロ波ミクサ回路
US5032805A (en) 1989-10-23 1991-07-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army RF phase shifter
US5472935A (en) 1992-12-01 1995-12-05 Yandrofski; Robert M. Tuneable microwave devices incorporating high temperature superconducting and ferroelectric films
JPH06216640A (ja) * 1993-01-19 1994-08-05 Fujitsu Ltd 高周波回路
US5307033A (en) 1993-01-19 1994-04-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Planar digital ferroelectric phase shifter
US5442327A (en) * 1994-06-21 1995-08-15 Motorola, Inc. MMIC tunable biphase modulator
US5561407A (en) 1995-01-31 1996-10-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Single substrate planar digital ferroelectric phase shifter
US5640042A (en) * 1995-12-14 1997-06-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Thin film ferroelectric varactor
WO1998000881A1 (en) 1996-06-28 1998-01-08 Superconducting Core Technologies, Inc. Near resonant cavity tuning devices
US5760661A (en) * 1996-07-11 1998-06-02 Northrop Grumman Corporation Variable phase shifter using an array of varactor diodes for uniform transmission line loading
US6096127A (en) * 1997-02-28 2000-08-01 Superconducting Core Technologies, Inc. Tuneable dielectric films having low electrical losses
US6377440B1 (en) * 2000-09-12 2002-04-23 Paratek Microwave, Inc. Dielectric varactors with offset two-layer electrodes

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014210747B4 (de) 2014-02-12 2023-11-16 Rohde & Schwarz GmbH & Co. Kommanditgesellschaft Phasenregelschleife mit Varaktor in Mikrosystemtechnik
DE102018126085A1 (de) * 2018-10-19 2020-04-23 Forschungsverbund Berlin E.V. Ausgangsfilter für einen Verstärker

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002528899A (ja) 2002-09-03
CA2346856A1 (en) 2000-04-27
CN1326599A (zh) 2001-12-12
US6686814B2 (en) 2004-02-03
WO2000024079A1 (en) 2000-04-27
KR20010089308A (ko) 2001-09-29
ATE244459T1 (de) 2003-07-15
US6531936B1 (en) 2003-03-11
EP1121725A1 (de) 2001-08-08
DE69909313D1 (de) 2003-08-07
US20030001692A1 (en) 2003-01-02
EP1121725B1 (de) 2003-07-02
EA200100448A1 (ru) 2001-10-22
ES2201797T3 (es) 2004-03-16
AU1117500A (en) 2000-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69909313T2 (de) Spannungsgesteuerte varaktoren und abstimmbare geräte mit derartigen varaktoren
DE60026388T2 (de) Spannungsgesteuerte koplanare Phasenschieber
DE60104304T2 (de) Mikrostreifenleiter-phasenschieber
DE60009520T2 (de) Reihengespeiste phasenarrayantennen mit dielektrischen phasenschiebern
US6525630B1 (en) Microstrip tunable filters tuned by dielectric varactors
DE60308266T2 (de) Hocheffiziente resonante Leitung
US6216020B1 (en) Localized electrical fine tuning of passive microwave and radio frequency devices
US6593833B2 (en) Tunable microwave components utilizing ferroelectric and ferromagnetic composite dielectrics and methods for making same
EP0947030A1 (de) Mikrowellenfilter
DE2062038A1 (de) Integrierte Hochstfrequenzschaltung
EP1530249B1 (de) Spannungsgesteuerte koplanare Phasenschieber
WO1993000721A1 (de) Planare mäander-antenne
DE2739156C2 (de)
DE60314470T2 (de) Netzwerk zur Vorspannungsversorgung für symmetrische Leitungen
EP1349232B1 (de) Mikrowellenresonator
DE69935486T2 (de) Hochfrequenzschaltung mit variabler Phasenverschiebung
DE2133647B2 (de) Abschlusswiderstand fuer hoechstfrequenz-uebertragungsleitungen in band- oder streifenleitungstechnik
DE69630258T2 (de) Funkübertragungsfilter für den Tieftemperaturbetrieb
EP0977299A2 (de) Aktives Hochfrequenzsteuerelement
DE19821353A1 (de) Filteranordnung
DE10048064A1 (de) Hochfrequenzanordnung
DE4434416C1 (de) Mikrowellen-SQUID mit Flußfokussierungsstruktur
DE10062614A1 (de) Anordnung mit abstimmbarer Kapazität und Verfahren zu deren Herstellung
Varadan et al. Stripline microwave phase shifter on tunable substrate
DD298195A7 (de) Bandsperre im mikrowellenbereich

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee