DE69909494T2 - Verfahren zur teilweisen reduktion eines nioboxids und nioboxide mit verringertem sauerstoffanteil - Google Patents

Verfahren zur teilweisen reduktion eines nioboxids und nioboxide mit verringertem sauerstoffanteil Download PDF

Info

Publication number
DE69909494T2
DE69909494T2 DE69909494T DE69909494T DE69909494T2 DE 69909494 T2 DE69909494 T2 DE 69909494T2 DE 69909494 T DE69909494 T DE 69909494T DE 69909494 T DE69909494 T DE 69909494T DE 69909494 T2 DE69909494 T2 DE 69909494T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
niobium oxide
niobium
getter
oxygen content
reduced
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69909494T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69909494D1 (de
DE69909494T3 (de
Inventor
A. James FIFE
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cabot Corp
Original Assignee
Cabot Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=26851462&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DE69909494(T2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Priority claimed from US09/154,452 external-priority patent/US6391275B1/en
Application filed by Cabot Corp filed Critical Cabot Corp
Publication of DE69909494D1 publication Critical patent/DE69909494D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69909494T2 publication Critical patent/DE69909494T2/de
Publication of DE69909494T3 publication Critical patent/DE69909494T3/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H01G9/052Sintered electrodes
    • H01G9/0525Powder therefor
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G1/00Methods of preparing compounds of metals not covered by subclasses C01B, C01C, C01D, or C01F, in general
    • C01G1/02Oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G33/00Compounds of niobium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G35/00Compounds of tantalum
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/495Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/62645Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering
    • C04B35/6265Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering involving reduction or oxidation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/62645Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering
    • C04B35/6268Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering characterised by the applied pressure or type of atmosphere, e.g. in vacuum, hydrogen or a specific oxygen pressure
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/638Removal thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64Burning or sintering processes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C29/00Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides
    • C22C29/12Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides based on oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/042Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H01G9/052Sintered electrodes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/01Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/20Particle morphology extending in two dimensions, e.g. plate-like
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/50Agglomerated particles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/61Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/10Solid density
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/12Surface area
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/14Pore volume
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/16Pore diameter
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/40Electric properties
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/80Compositional purity
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3251Niobium oxides, niobates, tantalum oxides, tantalates, or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3251Niobium oxides, niobates, tantalum oxides, tantalates, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3253Substoichiometric niobium or tantalum oxides, e.g. NbO
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/40Metallic constituents or additives not added as binding phase
    • C04B2235/404Refractory metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54Particle size related information
    • C04B2235/5409Particle size related information expressed by specific surface values
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/658Atmosphere during thermal treatment
    • C04B2235/6582Hydrogen containing atmosphere
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/72Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/72Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
    • C04B2235/721Carbon content
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74Physical characteristics
    • C04B2235/77Density
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74Physical characteristics
    • C04B2235/79Non-stoichiometric products, e.g. perovskites (ABO3) with an A/B-ratio other than 1
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C1/00Making non-ferrous alloys
    • C22C1/10Alloys containing non-metals
    • C22C1/1089Alloys containing non-metals by partial reduction or decomposition of a solid metal compound
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771Transition metal-base component
    • Y10T428/12806Refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
    • Y10T428/12819Group VB metal-base component

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft Niob und Oxide davon und insbesondere Nioboxide und Verfahren, um Nioboxid zumindest teilweise zu reduzieren, und betrifft außerdem im Sauerstoffgehalt verringertes Niob.
  • Gemäß der Aufgabe der vorliegenden Erfindung, wie hierin anhand von Ausführungsformen beschrieben, betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren, um ein Nioboxid zumindest teilweise zu reduzieren, umfassend die Schritte Wärmebehandeln des Nioboxids in Anwesenheit eines Getterstoffs und in einer Atmosphäre, die den Übergang von Sauerstoffatomen von dem Nioboxid zu dem Getterstoff ermöglicht, über einen ausreichenden Zeitraum und eine ausreichende Temperatur, um ein im Sauerstoffgehalt verringertes Nioboxid herzustellen.
  • Die vorliegende Erfindung betrifft auch im Sauerstoffgehalt verringerte Nioboxide, wie in den Ansprüchen 24 bis 43 definiert, die vorzugsweise vorteilhafte Eigenschaften aufweisen, insbesondere, wenn daraus eine Elektrolytkondensatoranode hergestellt wird, und ein Verfahren um Nioboxid zumindest teilweise zu reduzieren, wie in den Ansprüchen 1 bis 23 definiert.
  • Beispielsweise kann ein aus dem erfindungsgemäßen im Sauerstoffgehalt verringerten Nioboxid hergestellter Kondensator eine Kapazität von bis zu etwa 200000 CV/g oder mehr aufweisen. Außerdem können aus dem erfindungsgemäßen im Sauerstoffgehalt verringerten Nioboxid hergestellte Elektrolytkondensatoranoden einen geringen Gleichstrom-Durchbruch aufweisen. Beispielsweise kann ein solcher Kondensator einen Gleichstrom-Durchbruch von etwa 0,5 nA/CV bis etwa 5,0 nA/CV aufweisen.
  • Entsprechend betrifft die vorliegende Erfindung auch Verfahren zur Erhöhung der Kapazität und Verringerung des Gleichstrom-Durchbruchs in Kondensatoren, die aus Nioboxiden hergestellt wurden, die das teilweise Reduzieren eines Nioboxids durch Wännebehandlung des Nioboxids in Gegenwart eines Getterstoffs und in einer Atmosphäre, die den Übergang von Sauerstoffatomen von dem Nioboxid zu dem Getterstoff ermöglichen, über einen ausreichenden Zeitraum und bei einer ausreichenden Temperatur, um ein im Sauerstoffgehalt verringertes Nioboxid herzustellen, umfassen, welches, wenn daraus eine Kondensatoranode hergestellt wird, einen verringerten Gleichstrom-Durchbruch und/oder eine erhöhte Kapazität aufweist.
  • Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer Kondensatoranode, wie in den Ansprüchen 50 bis 54 angegeben.
  • Selbstverständlich sind die vorangegangene allgemeine Beschreibung und die folgende detaillierte Beschreibung nur exemplarisch und erläuternd und sollen die vorliegende Erfindung, wie beansprucht, näher erläutern.
  • Die 1 bis 11 sind REM-Aufnahmen von verschiedenen im Sauerstoffgehalt reduzierten Nioboxiden der vorliegenden Erfindung bei verschiedenen Vergrößerungen.
  • Im Folgenden wird die vorliegende Erfindung detailliert beschrieben.
  • In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung betrifft die Erfindung Verfahren, um ein Nioboxid zumindest teilweise zu reduzieren. Im Allgemeinen umfasst das Verfahren die Schritte Wärmebehandeln eines Ausgangs-Nioboxids in Anwesenheit eines Getterstoffs in einer Atmosphäre, die den Übergang von Sauerstoffatomen von dem Nioboxid zu dem Getterstoff ermöglicht, über einen ausreichenden Zeitraum und bei einer ausreichenden Temperatur, um ein im Sauerstoffgehalt verringertes Nioboxid herzustellen.
  • Für die Zweck der vorliegenden Erfindung kann das Nioboxid mindestens ein Oxid von Niobmetall und/oder Legierungen davon sein. Ein spezielles Beispiel für das Ausgangs-Nioboxid ist Nb2O5.
  • Das in der vorliegenden Erfindung verwendete Nioboxid kann jede beliebige Form oder Größe aufweisen. Vorzugsweise liegt das Nioboxid in Form eines Pulvers oder einer Vielzahl von Teilchen vor. Beispiele für die Art des Pulvers, die verwendet werden kann, umfassen plättchenförmiges, eckiges, nadelförmiges und Mischungen oder Variationen davon, sind aber nicht darauf beschränkt. Vorzugsweise liegt das Nioboxid in Form eines Pulvers vor, das wirksamer zu den im Sauerstoffgehalt verringerten Nioboxid führt.
  • Beispiele für solche bevorzugten Nioboxidpulver umfassen solche mit Korngrößen (mesh sizes) von 60/100 bis 100/325 Mesh und von 60/100 bis 200/325 Mesh. Ein anderer Größenbereich reicht von –40 Mesh bis –325 Mesh. In anderen Worten weisen bevorzugte Nioboxidpulver Teilchengrößen von 150/250 bis 45/150 μm (microns) und von 150/250 bis 45/75 μm (microns) auf. Ein anderer bevorzugter Größenbereich ist von 355 μm (microns) bis 45 μm (microns).
  • Der Getterstoff für den Zweck der vorliegenden Erfindung ist ein beliebiges Material, das das spezielle Nioboxidausgangsmaterial zu einem im Sauerstoffgehalt verringerten Nioboxid reduzieren kann. Vorzugsweise umfasst der Getterstoff Tantal, Niob oder beides. Weitere Beispiele umfassen Magnesium und Ähnliches, sind aber nicht darauf beschränkt. Es kann jeder Getterstoff verwendet werden, der eine größere Affinität zu Sauerstoff aufweist als Nioboxid. Weiter bevorzugt ist der Getterstoff Niob. Der Niob-Getterstoff für den Zweck der vorliegenden Erfindung ist ein beliebiges Material, das Niobmetall enthält und das Sauerstoff zumindest teilweise von dem Nioboxid entfernen oder dieses reduzieren kann. Somit kann der Niob-Getterstoff eine Legierung oder ein Material, das Mischungen aus Niobmetall mit anderen Stoffen enthält, sein. Vorzugsweise ist der Niob-Getterstoff hauptsächlich, wenn nicht ausschließlich; Niobmetall. Die Reinheit des Niob-Getterstoffs ist nicht wichtig, es ist aber bevorzugt, dass der Getterstoff hochreines Niob umfasst, um das Einbringen anderer Verunreinigungen während des Wärmebehandlungsverfahrens zu vermeiden. Folglich weist das Niobmetall in dem Niob-Getterstoff vorzugsweise eine Reinheit von mindestens 98%, weiter bevorzugt von mindestens 99%, auf. Sauerstoff kann in dem Niob-Getterstoff in einer beliebigen Menge vorliegen. Vorzugsweise liegt die Menge von Verunreinigungen, die den Gleichstrom-Durchbruch negativ beeinflussen, wie Eisen, Nickel, Chrom und Kohlenstoff, unter 100 ppm. Insbesondere bevorzugt ist der Getterstoff ein plättchenförmiges Niobmetall, vorzugsweise mit der Fähigkeit, eine hohe Kapazität zu erzeugen, wie größer als 75000 CV/g und weiter bevorzugt 100000 CV/g oder darüber, wie etwa 200000 CV/g. Der Getterstoff hat außerdem vorzugsweise einen großen Obertlächenbereich, beispielsweise ein BET von 5 bis 30 m2/g und weiter bevorzugt von 20 bis 30 m2/g.
  • Der Getterstoff kann in jeder beliebigen Form oder Größe vorliegen. Beispielsweise kann der Getterstoff in Form eines Tabletts, welches das zu reduzierende Nioboxid enthält, oder in Form von Teilchen oder in Pulverform vorliegen. Vorzugsweise liegen die Getterstoffe in Form eines Pulvers vor, damit sie eine möglichst wirksame Oberfläche zur Reduzierung des Nioboxids aufweisen. Der Getterstoff kann folglich plättchenförmig, eckig (angular), nadelförmig oder in einer gemischten oder variierten Form davon, z. B. in Form von groben Spänen, wie Spänen mit einer Größe von 14/40 Mesh, vorliegen, die leicht von dem pulverförmigen Produkt durch Sieben abgetrennt werden können.
  • Entsprechend kann der Getterstoff Tantal und Ähnliches sein und kann dieselben bevorzugten Parameter und/oder Eigenschaften, wie oben mit Bezug auf den Niob-Getterstoff beschrieben, aufweisen. Andere Getterstoffe können allein oder in Kombination mit dem Tantal- oder Niob-Getterstoff verwendet werden. Andere Materialien können ebenfalls einen Teil des Getterstoffs ausmachen.
  • Der Getterstoff kann nach der Verwendung entfernt werden oder kann bleiben. Wenn der Getterstoff in dem im Sauerstoffgehalt verringerten Nioboxid verbleiben soll, ist es bevorzugt, dass der Getterstoff Niob ist, vorzugsweise mit einer ähnlichen Form und Größe wie das Ausgangs-Nioboxid. Außerdem wird vorzugsweise ein Getterstoff mit hoher Reinheit, einem großen Oberflächenbereich und/oder einer hohen Porosität (z. B. Material von Kondensatorqualität) verwendet, da ein solches Material denselben oder einen ähnlichen Oxidationszustand wie das im Sauerstoffgehalt verringerte Nioboxid annehmen wird und das Verfahren so eine 100%ige Ausbeute an im Sauerstoffgehalt verringertem Nioboxid erzielt. Somit kann der Getterstoff als Getterstoff wirken und verbleiben, um Teil des im Sauerstoffgehalt verringerten Nioboxids zu werden.
  • Im Allgemeinen ist eine ausreichende Menge an Getterstoff vorhanden, um das Wärme zu behandelnde Nioboxid zumindest teilweise zu reduzieren. Die Menge an Getterstoff hängt davon ab, welcher Grad an Reduktion für das Nioboxid gewünscht wird. Wenn beispielsweise eine leichte Reduktion des Nioboxids erwünscht ist, wird der Getterstoff in einer stöchiometrischen Menge anwesend sein. Wenn das Nioboxid entsprechend beträchtlich bezüglich des darin enthaltenen Sauerstoffs reduziert werden soll, liegt der Getterstoff in der 2- bis 5fachen stöchiometrischen Menge vor. Im Allgemeinen kann der Getterstoff (z. B. bezogen auf einen Tantal-Getterstoff mit 100% Tantal) in einer Menge, basierend auf dem folgenden Verhältnis von Getterstoff zur Menge an vorhandenem Nioboxid, im Bereich von 2 zu 1 bis 10 zu 1 vorliegen. Der Getterstoff wird vorzugsweise mit dem Ausgangs-Nioboxid in einer Atmosphäre vermengt oder vermischt, die den Übergang von Sauerstoffatomen von dem Nioboxid zu dem Getterstoff ermöglicht (z. B. eine Wasserstoffatmosphäre), und vorzugsweise bei einer Temperatur von 1100°C bis 1500°C.
  • Die Menge an Getterstoff kann außerdem abhängen von der Art des zu reduzierenden Nioboxids. Wenn das zu reduzierende Nioboxid beispielsweise Nb2O5 ist, ist die Menge an Getterstoff vorzugsweise 5 zu 1. Wenn man von Nb2O5 ausgeht, wird ebenfalls eine stöchiometrische Menge an Getterstoff, vorzugsweise plättchenförmiges Niobmetall, verwendet, um ein Oxid zu erhalten, welches 0,89 Teile Metall pro 1 Teil Oxid enthält.
  • Die Wärmebehandlung, der das Ausgangs-Nioboxid unterworfen wird, kann in beliebigen Wärmebehandlungsvorrichtungen oder Öfen, die üblicherweise für die Wärmebehandlung von Metallen, wie Niob und Tantal, verwendet werden, durchgeführt werden. Die Wärmebehandlung des Nioboxids in Anwesenheit des Getterstoffs erfolgt bei einer ausreichenden Temperatur und über einen ausreichenden Zeitraum, um ein im Sauerstoffgehalt verringertes Nioboxid zu bilden. Die Temperatur und die Zeit der Wärmebehandlung können von einer Vielzahl von Faktoren abhängen, wie dem Grad der Reduktion des Nioboxids, der Menge an Getterstoff und der Art des Getterstoffs, sowie der Art des Ausgangs-Nioboxids. Im Allgemeinen wird die Wärmebehandlung des Nioboxids bei einer Temperatur von weniger als etwa 800°C bis 1900°C, weiter bevorzugt von 1000°C bis 1400°C, und am meisten bevorzugt von 1100°C bis 1250°C, erfolgen. Genauer gesagt liegen die Temperaturen für die Wärmebehandlung im Bereich von 1000°C bis 1300°C, weiter bevorzugt von 1100°C bis 1250°C, für einen Zeitraum von 5 Minuten bis 100 Minuten, und weiter bevorzugt von 30 Minuten bis 60 Minuten. Routinetests im Hinblick auf die Anwendung ermöglichen es dem Fachmann, die Zeiten und Temperaturen für die Wärmebehandlung ohne Weiteres einzustellen und so die genaue oder gewünschte Reduktion des Nioboxids zu erhalten.
  • Die Wärmebehandlung erfolgt in einer Atmosphäre, die den Übergang von Sauerstoffatomen von dem Nioboxid zu dem Getterstoff ermöglicht. Die Wärmebehandlung erfolgt vorzugsweise in einer Wasserstoff enthaltenden Atmosphäre, die vorzugsweise nur Wasserstoff ist. Andere Gase, wie Inertgase, können neben dem Wasserstoff ebenfalls vorliegen, solange die anderen Gase nicht mit dem Wasserstoff reagieren. Vorzugsweise liegt die Wasserstoffatmosphäre während der Wännebehandlung bei einem Druck von 1,333 kPa (10 Torr) bis 266,6 kPa (2000 Torr), weiter bevorzugt von 13,33 kPa (100 Torr) bis 133,3 kPa (1000 Torr) und am meisten bevorzugt von 13,33 kPa (100 Torr) bis 123,97 kPa (930 Torr) vor. Mischungen von H2 und einem Inertgas, wie Ar, können verwendet werden. N2 in N2 kann ebenfalls verwendet werden, um den N2-Gehalt des Nioboxids einzustellen.
  • In dem Wärmebehandlungsverfahren kann während der gesamten Wärmebehandlung eine konstante Behandlungstemperatur gewählt werden, oder Variationen der Temperatur oder Temperaturstufen können gewählt werden. Beispielsweise kann Wasserstoff am Anfang bei 1000°C zugeführt werden, gefolgt von der Erhöhung der Temperatur auf 1250°C über einen Zeitraum von 30 Minuten, gefolgt von einer Verringerung der Temperatur auf 1000°C, auf der sie bis zur Entfernung des H2-Gases gehalten wird. Nachdem H2 oder ein anderes Atmosphärengas entfernt wurde, kann die Ofentemperatur abgesenkt werden. Variationen dieser Schritte können angewendet werden, um sie an industrielle Präferenzen anzupassen. Das im Sauerstoffgehalt verringerte Nioboxid kann anschließend zerkleinert werden, beispielsweise durch Brechen (crushing). Das im Sauerstoffgehalt verringerte Nioboxid kann agglomeriert und gebrochen oder auf eine andere Weise, in der Ventilmetalle behandelt werden können, behandelt werden.
  • Die im Sauerstoffgehalt verringerten Nioboxide können auch Stickstoffgehalte, beispielsweise von 100 ppm bis 30000 ppm N2, aufweisen.
  • Das im Sauerstoffgehalt verringerte Nioboxid ist ein beliebiges Nioboxid, welches einenniedrigeren Sauerstoffgehalt im Metalloxid aufweist als das Ausgangs-Nioboxid. Typische reduzierte Nioboxide umfassen NbO, NbO0,7, NbO1,1, NbO2 und beliebige Kombinationen davon, in denen andere Oxide anwesend sein können oder nicht. Im Allgemeinen weist das erfindungsgemäße, reduzierte Nioboxid ein Atomverhältnis von Niob zu Sauerstoff von 1 : weniger als 2,5, vorzugsweise von 1 : 2, und weiter bevorzugt von 1 : 1,1, 1 : 1 oder 1 : 0,7, auf. Anders ausgedrückt hat das reduzierte Nioboxid vorzugsweise die Formel NbxOy, worin Nb Niob ist, x 2 oder weniger bedeutet und y weniger als 2,5 x ist. Weiter bevorzugt ist x 1 und y ist weniger als 2, beispielsweise 1,1, 1,0, 0,7 und Ähnliches.
  • Das Ausgangs-Nioboxid kann hergestellt werden durch Kalzinieren bei 1000°C, bis alle flüchtigen Komponenten entfernt sind. Die Oxide können durch Sieben klassiert werden. Eine Wärmevorbehandlung des Nioboxids kann durchgeführt werden, um in den Oxidteilchen eine bestimmte Porosität zu erzeugen.
  • Die erfindungsgemäßen reduzierten Oxide weisen ebenfalls vorzugsweise eine mikroporöse Oberfläche auf und haben vorzugsweise eine schwammartige Struktur, in der die Primärteilchen vorzugsweise eine Größe von 1 μm (micron) oder weniger aufweisen. Die REM-Aufnahmen zeigen außerdem den Typ von bevorzugtem reduzierten Nioboxid der vorliegenden Erfindung. Wie aus diesen Mikrofotografien ersichtlich ist, können die erfindungsgemäßen reduzierten Nioboxide eine hohe spezifische Oberfläche und eine poröse Struktur mit einer Porosität von etwa 50%, aufweisen. Außerdem können die erfindungsgemäßen reduzierten Nioboxide dadurch gekennzeichnet sein, dass sie eine bevorzugte spezifische Oberfläche von 0,5 bis 10,0 m2/g, weiter bevorzugt von 0,5 bis 2,0 m2/g, und noch weiter bevorzugt von 1,0 bis 1,5 m2/g, aufweisen. Die bevorzugte Schüttdichte von Pulvern der Nioboxide ist geringer als 2,0 g/cm3, weiter bevorzugt weniger als 1,5 g/cm3 und noch weiter bevorzugt von 0,5 bis 1,5 g/cm3. Die Pulver der Nioboxide können außerdem Scott-Dichten, wie etwa von 0,31 g/cm3 (5 g/in3) bis 2,14 g/cm3 (35 g/in3), aufweisen.
  • Die vorliegende Erfindung ermöglicht es, Eigenschaften zu erhalten, die ähnlich wenn nicht sogar besser als die von Niob sind, und doch weniger Niob im Produkt verwenden, da ein im Sauerstoffgehalt verringertes Nioboxid gebildet und verwendet wird. Folglich streckt die vorliegende Erfindung die Niobmenge in Produkten, wie Kondensatoranoden, da mehr Anoden oder andere Produkte hergestellt werden können unter Verwendung derselben Menge an Niob.
  • Die verschiedenen erfindungsgemäßen im Sauerstoffgehalt verringerten Nioboxide können weiter gekennzeichnet werden durch die elektrischen Eigenschaften, die aus der Bildung einer Kondensatoranode unter Verwendung des im Sauerstoffgehalt verringerten Nioboxids der vorliegenden Erfindung erhalten werden. Im Allgemeinen können die erfindungsgemäßen im Sauerstoffgehalt verringerten Nioboxide bezüglich ihrer elektrischen Eigenschaften getestet werden durch Pressen von Pulvern des im Sauerstoffgehalt verringerten Nioboxids zu einer Anode und Sintern des gepressten Pulvers bei einer geeigneten Temperatur und anschließend Anodisieren der Anode, um eine Elektrolytkondensatoranode herzustellen, die anschließend bezüglich ihrer elektrischen Eigenschaften getestet werden kann.
  • Entsprechend betrifft eine andere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung Anoden für Kondensatoren, die aus dem im Sauerstoffgehalt verringerten Nioboxid der vorliegenden Erfindung hergestellt wurden. Anoden können aus der Pulverform des reduzierten Oxids in einem ähnlichen Verfahren, wie es für die Herstellung von Metallanoden angewendet wird, hergestellt werden, d. h. durch Pressen von porösen Pellets mit eingebetteten Bleidrähten (lead wires) oder anderen Verbindungselementen, gefolgt von optionalem Sintern und Anodisieren. Das Bleiverbindungselement kann eingebettet sein oder zu jedem beliebigen Zeitpunkt vor dem Anodisieren angebracht werden. Anoden aus einigen der im Sauerstoffgehalt verringerten Nioboxide der vorliegenden Erfindung können eine Kapazität von 1000 CV/g oder niedriger bis 300000 CV/g oder mehr aufweisen, und weitere Kapazitätsbereiche können von 20000 CV/g bis 300000 CV/g oder von 62000 CV/g bis 200000 CV/g und vorzugsweise von 60000 CV/g bis 150000 CV/g gehen. Bei der Herstellung der Kondensatoranoden der vorliegenden Erfindung kann eine Sintertemperatur gewählt werden, die die Bildung einer Kondensatoranode mit den gewünschten Eigenschaften ermöglicht. Die Sintertemperatur hängt von dem verwendeten im Sauerstoffgehalt reduzierten Nioboxid ab. Vorzugsweise liegt die Sintertemperatur im Bereich von 1200°C bis 1750°C, weiter bevorzugt von 1200°C bis 1400°C, und am meisten bevorzugt von 1250°C bis 1350°C, wenn das im Sauerstoffgehalt verringerte Nioboxid ein im Sauerstoffgehalt verringertes Nioboxid ist.
  • Die aus den erfindungsgemäßen Nioboxiden hergestellten Anoden werden vorzugsweise bei einer Spannung von etwa 35 Volt und vorzugsweise von 6 bis 70 Volt, konfiguriert. Wenn ein im Sauerstoffgehalt verringertes Nioboxid verwendet wird, liegen die Konfigurierungsspannungen vorzugsweise im Bereich von 6 bis 50 Volt und weiter bevorzugt von 10 bis 40 Volt. Andere hohe Konfigurierungsspannungen können verwendet werden. Anoden aus den reduzierten Nioboxiden können hergestellt werden durch Herstellung eines Pellets aus Nb2O5 mit einem Bleidraht, gefolgt von Sintern in einer H2-Atmosphäre oder einer anderen geeigneten Atmosphäre, wobei sich ein Getterstoff in unmittelbarer Nähe der pulverförmigen Oxide befindet. In dieser Ausführungsform kann der Anodengegenstand direkt hergestellt werden. Beispielsweise werden das im Sauerstoffgehalt reduzierte Ventilmetalloxid und eine Anode gleichzeitig gebildet. Die aus den im Sauerstoffgehalt verringerten Nioboxiden der vorliegenden Erfindung hergestellten Anoden weisen außerdem vorzugsweise einen Gleichstrom-Durchbruch von weniger als 5,0 nA/CV auf. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weisen Anoden, die aus einigen der erfindungsgemäßen im Sauerstoffgehalt verringerten Nioboxide hergestellt wurden, einen Gleichstrom-Durchbruch von 5,0 nA/CV bis 0,50 nA/CV auf.
  • Die vorliegende Erfindung betrifft außerdem einen erfindungsgemäßen Kondensator mit einem Nioboxidfilm auf der Oberfläche des Kondensators. Vorzugsweise ist der Film ein Niobpentoxidfilm. Die Mittel zur Herstellung einer Kondensatoranode aus einem Metallpulver sind dem Fachmann bekannt, und solche Verfahren werden in den US-Patenten Nr. 4,805,074, 5,412,533, 5,211,741 und 5,245,514 und den europäischen Patentanmeldungen Nr. 0 634 762 A1 und 0 634 761 A1 beschrieben.
  • Die erfindungsgemäßen Kondensatoren können in einer Vielzahl von Endanwendungen eingesetzt werden, wie Automobil-Elektronik, Mobiltelefone, Computer, beispielsweise Monitore, Hauptplatinen und Ähnliches, Verbraucherelektronik, einschließlich N und CRT, Drucker/Kopierer, Netzanschlüsse, Modems, Computer-Notebooks und Diskettenlaufwerke.
  • Die vorliegende Erfindung wird durch die nachstehenden Beispiele verdeutlicht, die exemplarisch für die vorliegende Erfindung sein sollen.
  • TESTVERFAHREN
  • Anodenherstellung:
    • Größe - 0,5 cm (0,197'') Durchmesser
    • 3,5 Dp
    • Pulvergewicht = 341 mg
  • Anodensinterung:
    • 1300°C* 10'
    • 1450°C* 10'
    • 1600°C* 10'
    • 1750°C* 10'
  • 30V Ef Anodisierung:
  • 30V Ef @ 60°C/0,1% HP3O4 Elektrolyt
    • 20 mA/g konstanter Strom
  • Gleichstrom-Durchbruch/Kapazität-ESR-Test:
  • Gleichstrom-Durchbruch-Test
    • 70% Ef (21 VDC) Testspannung
    • 60 Sekunden Ladungszeit
    • 10% HP3O4 @ 21°C
  • Kapazität-DF-Test:
    • 18% H2SO4 @ 21°C
    • 120 Hz
  • 50V Ef Reform-Anodisierung:
  • 50V Ef @ 60°C/0,1% H3PO4 Elektrolyt
    • 20 mA/g konstanter Strom
  • Gleichstrom-Durchbruch/Kapazität-ESR-Test:
  • Gleichstrom-Durchbruch-Test
    • 70% Ef (35 VDC) Testspannung
    • 60 Sekunden Ladungszeit
    • 10% HP3O4 @ 21°C
  • Kapazität-DF-Test:
    • 18% H2SO4 @ 21°C
    • 120 Hz
  • 75 V Ef Reform-Anodisierung:
  • 75V Ef @ 60°C/0,1% HP3O4 Elektrolyt
    • 20 mA/g konstanter Strom
  • Gleichstrom-Durchbruch/Kapazität-ESR-Test:
  • Gleichstrom-Durchbruch-Test
    • 70% Ef (52,5 VDC) Testspannung
    • 60 Sekunden Ladungszeit
    • 10% HP3O4 @ 21°C
  • Kapazität-DF-Test:
    • 18% H2SO4 @ 21°C
    • 120 Hz
  • Bestimmung der Scott-Dichte, Sauerstoffanalyse, Phosphoranalyse und BET-Analyse wurden entsprechend den in den US-Patenten Nr. 5,011,742, 4,960,471 und 4,964,906 beschriebenen Verfahren durchgeführt.
  • BEISPIELE
  • Beispiel 1
  • +10 Mesh Tantalhydrid-Späne (99,2 g) mit etwa 50 ppm Sauerstoff wurden mit 22 Gramm Nb2O5 gemischt und in Tantal-Tabletts gegeben. Die Tabletts wurden in einen Vakuum-Wärmebehandlungsofen eingeführt und auf 1000°C erhitzt. H2-Gas wurde in den Ofen bis zu einem Druck von +20,685 kPa (+3 psi) eingelassen. Die Temperatur wurde weiter auf 1240°C erhöht und über einen Zeitraum von 30 Minuten gehalten. Dann wurde die Temperatur auf 1050°C über einen Zeitraum von 6 Minuten erniedrigt, bis das gesamte H2 aus dem Ofen gespült war. Während die Temperatur noch auf 1050°C gehalten wurde, wurde das Argongas aus dem Ofen abgesaugt, bis ein Druck von 66,65 mPa (5 × 10–4 Torr) erreicht war. An diesem Punkt wurden 93,31 kPa (700 mm) Argon wieder in die Kammer eingelassen und der Ofen wurde auf 60°C abgekühlt.
  • Das Material wurde durch mehrere cyclische Behandlungen mit progressiv höher werdenden Partialdrücken von Sauerstoff wie folgt passiviert, bevor es aus dem Ofen genommen wurde. Der Ofen wurde wieder mit Argon auf 93,31 kPa (700 mm) gefüllt, gefolgt durch Auffüllen mit Luft bis zu einer Atmosphäre. Nach 4 Minuten wurde die Kammer auf 1,33 Pa (10–2 Torr) evakuiert. Die Kammer wurde dann wieder auf 79,98 kPa (600 mm) mit Argon befüllt, gefolgt von Luft auf 101 kPa (eine Atmosphäre) und so 4 Minuten gehalten. Die Kammer wurde auf 1,33 Pa (10–2 Torr) evakuiert. Die Kammer wurde dann auf 53,32 kPa (400 mm) mit Argon befüllt, gefolgt durch Luft auf 101 kPa (eine Atmosphäre). Nach vier Minuten wurde die Kammer auf 1,33 Pa (10–2 Torr) evakuiert. Die Kammer wurde dann wieder auf 26,66 kPa (200 mm) mit Argon befüllt, gefolgt von Luft auf 101 kPa (eine Atmosphäre) und 4 Minuten so gehalten. Die Kammer wurde auf 1,33 Pa (10–2 Torr) evakuiert. Die Kammer wurde dann wieder auf 101 kPa (eine Atmosphäre) mit Argon befüllt und geöffnet, um die Probe zu entnehmen.
  • Das Pulverprodukt wurde von dem Getterstoff aus Tantal-Spänen durch Sieben über ein 40 Mesh Sieb getrennt. Das Produkt wurde mit den folgenden Ergebnissen getestet. CV/g von Pellets, gesintert bei 1300°C × 10 Minuten und konfiguriert bei 35 Volt = 81,297.
    nA/CV (Gleichstrom-Durchbruch) = 5,0
    Sinterdichte der Pellets = 2,7 g/cm3
    Scott-Dichte = 0,9 g/cm3
  • Chemische Analyse (ppm)
    • C = 70
    • N2 = 56
    • Ti = 25
    • Mn = 10
    • Sn = 5
    • Cr = 10
    • sMo = 25
    • sCu = 50
    • Pb = 2
    • Fe = 25
    • Si = 25
    • Ni = 5
    • Al = 5
    • Mg = 5
    • B = 2
    • alle anderen < Messgrenzen
  • BEISPIEL 2
  • Proben 1 bis 20 sind Beispiele mit ähnlichen Schritten wie oben beschrieben mit pulverförmigen Nb2O5, wie in der Tabelle angegeben. Für die meisten Beispiele werden die Korngrößen (mesh sizes) des als Ausgangsmaterial zugegebenen Materials in der Tabelle angegeben. Beispielsweise bedeutet 60/100 eine Korngröße von weniger als 60 Mesh, aber größer als 100 Mesh. Entsprechend wird die Korngröße (screen size) einiger Ta-Getterstoffe als 14/40 angegeben. Die als "Ta Hydrid-Späne" gekennzeichneten Getterstoffe sind +40 Mesh ohne obere Grenze der Teilchengröße.
  • In Probe 18 wurde Nb als Getterstoff eingesetzt (im Handel erhältliches N200 plättchenförmiges Nb-Pulver von CPM). Der Getterstoff für Probe 18 war feingemahlenes Nb-Pulver, das nicht aus dem Endprodukt abgetrennt wurde. Die Röntgenbeugung zeigte dass ein Teil des Getterstoffs als Nb zurückblieb, das meiste aber in NbO1,1 und NbO durch das Verfahren umgewandelt wurde, ebenso wie das Ausgangs-Nioboxid-Material Nb2O5.
  • Probe 15 war ein Pellet aus Nb2O5, gepresst auf annähernd Feststoffdichte und umgesetzt mit H2 in enger Nachbarschaft zum Ta-Getterstoff. Das Verfahren führte das feste Oxidpellet in einen porösen Block aus NbO-Suboxid über. Dieser Block wurde zu einer Platte aus Nb-Material gesintert, um eine Anoden-Blei-Verbindung (anode lead connection) herzustellen, und auf 35 Volt anodisiert unter Verwendung eines ähnlichen elektrischen Verfahrens wie es für die Pulverblock-Pellets verwendet wird. Diese Probe zeigt die einzigartige Fähigkeit dieses Verfahrens, einen zur Anodisierung bereiten Block in einem einzigen Schritt aus Nb2O5-Ausgangsmaterial herzustellen.
  • Die Tabelle zeigt die hohe Kapazität und den niedrigen Gleichstrom-Durchbruch von Anoden, hergestellt aus den gepressten und gesinterten Pulvern/Pellets der vorliegenden Erfindung. Mikrofotografien (REM's) von verschiedenen Proben wurden aufgenommen. Diese Fotografien zeigen die poröse Struktur des erfindungsgemäßen im Sauerstoffgehalt reduzierten Nioboxids. Insbesondere ist 1 eine Fotografie der äußeren Oberfläche eines Pellets, aufgenommen bei 5000facher Vergrößerung (Probe 15). 2 ist eine Fotografie des Inneren desselben Pellets, aufgenommen bei 5000facher Vergrößerung. Die 3 und 4 sind Fotografien der äußeren Oberfläche desselben Pellets bei 1000facher Vergrößerung. 5 ist eine Fotografie der Probe 11 bei 2000facher Vergrößerung und die 6 und 7 sind Fotografien der Probe 4, aufgenommen bei 5000facher Vergrößerung. 8 ist eine Fotografie der Probe 3, aufgenommen bei 2000facher Vergrößerung, und 9 ist eine Fotografie der Probe 6 bei 2000facher Vergrößerung. 10 ist eine Fotografie der Probe 6, aufgenommen bei 3000facher Vergrößerung, und 11 ist eine Fotografie der Probe 9, aufgenommen bei 2000facher Vergrößerung.
  • Figure 00150001
  • Figure 00160001

Claims (54)

  1. Verfahren um ein Nioboxid zumindest teilweise zu reduzieren, umfassend das Wärmebehandeln des Nioboxids in Anwesenheit eines Getterstofts und in einer Atmosphäre, die den Übergang von Sauerstoffatomen von dem Nioboxid an den Getterstoft ermöglicht, über einen ausreichenden Zeitraum und bei einer ausreichenden Temperatur, um ein im Sauerstoffgehalt verringertes Nioboxid herzustellen.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, worin das Nioboxid ein Niobpentoxid ist.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, worin das im Sauerstoffgehalt verringerte Nioboxid ein Niobsuboxid ist.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, worin das im Sauerstoffgehalt verringerte Nioboxid ein Atomverhältnis von Niob zu Sauerstoff von 1 : weniger als 2,5 aufweist.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, worin das im Sauerstoffgehalt verringerte Nioboxid Sauerstoffgehalte aufweist, die weniger als das stöchiometrische Verhältnis für ein vollständig oxidiertes Niob sind.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, worin das im Sauerstoffgehalt verringerte Nioboxid eine mikroporöse Struktur aufweist.
  7. Verfahren nach Anspruch 1, worin das im Sauerstoffgehalt verringerte Nioboxid ein Porenvolumen von etwa 50% aufweist.
  8. Verfahren nach Anspruch 1, worin die Atmosphäre Wasserstoff in einer Menge von 1,333 kPa bis 266,6 kPa (10 Torr bis 2.000 Torr) ist.
  9. Verfahren nach Anspruch 1, worin der Getterstoff ein Niob-Getterstoff ist, der zur Herstellung einer Anode mit einer Kapazität von mindestens 75.000 CV/g verwendet werden kann.
  10. Verfahren nach Anspruch 1, worin die Atmosphäre eine Wasserstoffatmosphäre ist.
  11. Verfahren nach Anspruch 1, worin der Getterstoff ein Niob-Getterstoff ist, der zur Herstellung einer Anode mit einer Kapazität von 100.000 CV/g bis 200.000 CV/g verwendet werden kann.
  12. Verfahren nach Anspruch 1, worin die Wärmebehandlung bei einer Temperatur von 1.000° bis 1.500°C über einen Zeitraum von 10 bis 90 Minuten durchgeführt wird.
  13. Verfahren nach Anspruch 1, worin der Getterstoff mit dem Nioboxid vor oder während der Wärmebehandlung homogenisiert wird.
  14. Verfahren nach Anspruch 1, worin der Getterstoff ein blättchenförmiger Niob-Getterstoff ist.
  15. Verfahren nach Anspruch 1, worin der Getterstoff nach der Wärmebehandlung ein im Sauerstoffgehalt verringertes Nioboxid bildet.
  16. Verfahren nach Anspruch 1, worin der Getterstoff ein Magnesium enthaltender Getterstoff ist.
  17. Verfahren nach Anspruch 1, worin der Getterstoff Tantalhydrid-Teilchen enthält.
  18. Verfahren nach Anspruch 1, worin der Getterstoff Tantal, Niob oder beides enthält.
  19. Verfahren nach Anspruch 1, worin der Getterstoff Tantalhydrid-Teilchen mit 14/40 Mesh sind.
  20. Verfahren nach Anspruch 1, worin der Getterstoff eine für die Kondensatorherstellung geeignete Reinheit aufweist.
  21. Verfahren nach Anspruch 1, worin das im Sauerstoffgehalt verringerte Nioboxid NbO ist und der Getterstoff Niob ist.
  22. Verfahren nach Anspruch 1, worin das im Sauerstoffgehalt verringerte Nioboxid eine Oberfläche von 0,5 bis 10,0 m2/g aufweist.
  23. Verfahren nach Anspruch 1, worin das im Sauerstoffgehalt verringerte Nioboxid eine Oberfläche von 1,0 bis 2,0 m2/g aufweist.
  24. Nioboxid mit einem Atomverhältnis von Niob zu Sauerstoff von 1 : weniger als 2,5.
  25. Nioboxid nach Anspruch 24, worin das Atomverhältnis 1 : weniger als 2,0 ist.
  26. Nioboxid nach Anspruch 24, worin das Atomverhältnis 1 : weniger als 1,5 ist.
  27. Nioboxid nach Anspruch 24, worin das Atomverhältnis 1 : 1,1 ist.
  28. Nioboxid nach Anspruch 24, worin das Atomverhältnis 1 : 0,7 ist.
  29. Nioboxid nach Anspruch 24, worin das Atomverhältnis 1 : 0,5 ist.
  30. Nioboxid nach Anspruch 24, worin das Nioboxid eine poröse Struktur aufweist.
  31. Nioboxid nach Anspruch 24, worin das Nioboxid eine poröse Struktur mit Poren von 0,1 bis 10 μm aufweist.
  32. Nioboxid nach Anspruch 24, worin das Nioboxid NbO, NbO0,7 NbO1,1 oder Kombinationen davon aufweist.
  33. Nioboxid nach Anspruch 24, worin das Nioboxid zu einer Anode eines Elektrolytkondensators mit einer Kapazität von bis zu 300.000 CV/g verarbeitet wird.
  34. Nioboxid nach Anspruch 24, welches weiterhin Stickstoff umfasst.
  35. Nioboxid nach Anspruch 24, worin der Stickstoff in einer Menge von 100 bis 30.000 ppm N2 vorhanden ist.
  36. Nioboxid nach Anspruch 24, worin das Nioboxid zu einer Anode eines Elektrolytkondensators verarbeitet wird, wobei die Anode eine Kapazität von 1.000 bis 300.000 CV/g aufweist.
  37. Nioboxid nach Anspruch 36, worin die Kapazität im Bereich von 60.000 bis 200.000 CV/g liegt.
  38. Nioboxid nach Anspruch 36, worin die Anode einen Gleichstrom-Durchbruch von 0,5 bis 5 nA/CV aufweist.
  39. Nioboxid nach Anspruch 24, worin das Niob nadelförmiges, blättchenförmiges oder kantiges Niob oder Kombinationen davon enthält.
  40. Nioboxid nach Anspruch 24 mit einer spezifischen Oberfläche von 0,5 bis 10,0 m2/g.
  41. Nioboxid nach Anspruch 24 mit einer spezifischen Oberfläche von 0,5 bis 2,0 m2/g.
  42. Nioboxid nach Anspruch 24 mit einer spezifischen Oberfläche von 1,0 bis 1,5 m2/g.
  43. Nioboxid nach Anspruch 24 mit einer spezifischen Oberfläche von 1,0 bis 10,0 m2/g.
  44. Kondensator, umfassend das Nioboxid gemäß einem der Ansprüche 24 bis 43.
  45. Nioboxid nach Anspruch 24, worin das Nioboxid bei einer Temperatur von 1.200°C bis 1.750°C gesintert ist.
  46. Nioboxid nach Anspruch 24, worin das Nioboxid bei einer Temperatur von 1.200°C bis 1.450°C gesintert ist.
  47. Kondensator nach Anspruch 44 mit einer Kapazität von 1.000 bis 300.000 CV/g.
  48. Kondensator nach Anspruch 44 mit einer Kapazität von 60.000 bis 200.000 CV/g.
  49. Kondensator nach Anspruch 44 mit einem Gleichstrom-Durchbruch von 0,5 bis 5 nA/CV.
  50. Verfahren zur Herstellung einer Kondensatoranode, umfassend die Schritte a) Herstellen eines Pellets aus Nioboxid und Wärmebehandeln des Pellets in Anwesenheit eines Getterstoffs und in einer Atmosphäre, die den Übergang von Sauerstoffatomen aus dem Nioboxid an den Getterstoff ermöglicht, über einen ausreichenden Zeitraum und bei einer ausreichenden Temperatur um einen Elektrodenkörper, umfassend das Pellet, herzustellen, wobei das Pellet ein im Sauerstoffgehalt verringertes Nioboxid umfasst, und b) Anodisieren des Elektrodenkörpers, um die Kondensatoranode herzustellen.
  51. Verfahren nach Anspruch 50, worin die Atmosphäre eine Wasserstoffatmosphäre ist.
  52. Verfahren nach Anspruch 50, worin der Getterstoff Tantal, Niob oder beides umfasst.
  53. Verfahren nach Anspruch 50, worin der Getterstoff Niob ist.
  54. Verfahren nach Anspruch 50, worin das im Sauerstoffgehalt verringerte Nioboxid ein Atomverhältnis von Niob zu Sauerstoff von 1 : weniger als 2,5 aufweist.
DE69909494T 1998-09-16 1999-09-15 Verfahren zur teilweisen reduktion eines nioboxids und nioboxide mit verringertem sauerstoffanteil Expired - Lifetime DE69909494T3 (de)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US154452 1998-09-16
US09/154,452 US6391275B1 (en) 1998-09-16 1998-09-16 Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides
US09/347,990 US6416730B1 (en) 1998-09-16 1999-07-06 Methods to partially reduce a niobium metal oxide oxygen reduced niobium oxides
US347990 1999-07-06
EP99969075A EP1115658B2 (de) 1998-09-16 1999-09-15 Verfahren zur teilweisen reduktion eines nioboxids und nioboxide mit verringertem sauerstoffanteil
PCT/US1999/021193 WO2000015555A1 (en) 1998-09-16 1999-09-15 Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE69909494D1 DE69909494D1 (de) 2003-08-14
DE69909494T2 true DE69909494T2 (de) 2004-05-27
DE69909494T3 DE69909494T3 (de) 2011-12-01

Family

ID=26851462

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69909494T Expired - Lifetime DE69909494T3 (de) 1998-09-16 1999-09-15 Verfahren zur teilweisen reduktion eines nioboxids und nioboxide mit verringertem sauerstoffanteil

Country Status (19)

Country Link
US (6) US6416730B1 (de)
EP (2) EP1115658B2 (de)
JP (1) JP5070533B2 (de)
KR (1) KR20010075153A (de)
CN (2) CN102603002A (de)
AT (1) ATE244685T1 (de)
AU (1) AU757379B2 (de)
BR (1) BR9913828B1 (de)
CZ (1) CZ298823B6 (de)
DE (1) DE69909494T3 (de)
DK (1) DK1115658T3 (de)
ES (1) ES2198990T3 (de)
HK (1) HK1040231B (de)
IL (1) IL142008A (de)
MX (1) MXPA01002775A (de)
PT (1) PT1115658E (de)
RU (1) RU2232720C2 (de)
TW (1) TW460414B (de)
WO (1) WO2000015555A1 (de)

Families Citing this family (170)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6416730B1 (en) * 1998-09-16 2002-07-09 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide oxygen reduced niobium oxides
US6462934B2 (en) 1998-09-16 2002-10-08 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides
DE19847012A1 (de) * 1998-10-13 2000-04-20 Starck H C Gmbh Co Kg Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung
BR0109429A (pt) * 2000-03-23 2005-11-16 Cabot Corp Ëxido de nióbio de reduzido teor de oxigênio
US6576099B2 (en) 2000-03-23 2003-06-10 Cabot Corporation Oxygen reduced niobium oxides
DE10041901A1 (de) * 2000-08-25 2002-03-07 Starck H C Gmbh Kondensatoranode auf Basis Niob
PT1334498E (pt) * 2000-11-06 2006-12-29 Cabot Corp Oxidos de metais de valvula modificados com reduzido teor de oxigenio
US6755884B2 (en) 2000-11-30 2004-06-29 Showa Denko K.K. Niobium powder for capacitor, sintered body thereof and capacitor using the sintered body
JP4521849B2 (ja) * 2000-12-01 2010-08-11 昭和電工株式会社 コンデンサ用ニオブ粉と該ニオブ粉を用いた焼結体および該焼結体を用いたコンデンサ
EP1275124B1 (de) * 2000-12-01 2005-05-04 Showa Denko K.K. Niobium-pulver für kondensatoren daraus, gesinterter körper und kondensator mit einem solchen gesinterten körper
US7210641B2 (en) * 2001-02-28 2007-05-01 Cabot Corporation Methods of making a niobium metal oxide
US7149074B2 (en) * 2001-04-19 2006-12-12 Cabot Corporation Methods of making a niobium metal oxide
EP1402079B1 (de) * 2001-05-15 2014-12-03 Showa Denko K.K. Gesinterter formkörper aus niobium und seine verwendung als kondensator
US20030104923A1 (en) * 2001-05-15 2003-06-05 Showa Denko K.K. Niobium oxide powder, niobium oxide sintered body and capacitor using the sintered body
US7737066B2 (en) * 2001-05-15 2010-06-15 Showa Denko K.K. Niobium monoxide powder, niobium monoxide sintered body and capacitor using the sintered body
JP3965300B2 (ja) * 2002-01-18 2007-08-29 Necトーキン株式会社 Nb固体電解コンデンサおよびその製造方法
DE10307716B4 (de) 2002-03-12 2021-11-18 Taniobis Gmbh Ventilmetall-Pulver und Verfahren zu deren Herstellung
JP2004076063A (ja) * 2002-08-13 2004-03-11 Kawatetsu Mining Co Ltd ニオブ合金粉末、固体電解コンデンサ用アノード及び固体電解コンデンサ
BR0204587A (pt) 2002-11-04 2004-06-29 Cbmm Sa Processo de produção de pó de nióbio e/ou de tântalo de elevada área superficial
US7655214B2 (en) * 2003-02-26 2010-02-02 Cabot Corporation Phase formation of oxygen reduced valve metal oxides and granulation methods
ES2279992T3 (es) * 2003-03-28 2007-09-01 Mitsubishi Materials Corporation Metodo para fabricar una punta desechable y aparato para alinear comprimido crudo.
US7135141B2 (en) * 2003-03-31 2006-11-14 Hitachi Metals, Ltd. Method of manufacturing a sintered body
US7157073B2 (en) * 2003-05-02 2007-01-02 Reading Alloys, Inc. Production of high-purity niobium monoxide and capacitor production therefrom
US20060275204A1 (en) * 2003-05-05 2006-12-07 Companhia Brasileira De Metalurgia E Mineracao Process for the production of niobium oxide powder for use in capacitors
US7445679B2 (en) * 2003-05-16 2008-11-04 Cabot Corporation Controlled oxygen addition for metal material
US7515397B2 (en) * 2003-05-19 2009-04-07 Cabot Corporation Methods of making a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides
EP1498391B1 (de) * 2003-07-15 2010-05-05 H.C. Starck GmbH Niobsuboxidpulver
DE10333156A1 (de) * 2003-07-22 2005-02-24 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Niobsuboxid
PT1505611E (pt) * 2003-07-22 2012-01-12 Starck H C Gmbh Método para a produção de condensadores
BR0304252B1 (pt) * 2003-09-25 2013-05-14 processo de produÇço de pà de monàxido de niàbio, monàxido de niàbio, e, capacitor.
DE10347702B4 (de) * 2003-10-14 2007-03-29 H.C. Starck Gmbh Sinterkörper auf Basis Niobsuboxid
EP1683167B1 (de) 2003-11-10 2012-04-18 Showa Denko K.K. Niobpulver für einen kondensator, niob-gesinterter körper und kondensator
US7803235B2 (en) * 2004-01-08 2010-09-28 Cabot Corporation Passivation of tantalum and other metal powders using oxygen
US7481864B2 (en) * 2004-01-14 2009-01-27 Cabot Corporation Conversion of Ta2O5 to Ta metal
US20050225927A1 (en) * 2004-04-06 2005-10-13 Tagusagawa Solon Y Processes for the production of niobium oxides with controlled tantalum content and capacitors made therefrom
BRPI0512556B1 (pt) 2004-06-24 2015-04-14 Starck H C Inc Processo para a produção de pó de metal de válvula
JP4743507B2 (ja) 2004-11-29 2011-08-10 昭和電工株式会社 固体電解コンデンサ用多孔質陽極体、その製造方法、及び固体電解コンデンサ
JP2006206428A (ja) * 2004-12-27 2006-08-10 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd ニオブ酸化物及びその製造方法
US7099143B1 (en) * 2005-05-24 2006-08-29 Avx Corporation Wet electrolytic capacitors
EP2022759A1 (de) * 2005-06-03 2009-02-11 H.C. Starck GmbH Niobium Suboxide
GB0511321D0 (en) * 2005-06-03 2005-07-13 Starck H C Gmbh Inorganic compounds
US20080310080A1 (en) * 2005-08-19 2008-12-18 Martin Biler Solid State Capacitors and Method of Manufacturing Them
GB0517952D0 (en) * 2005-09-02 2005-10-12 Avx Ltd Method of forming anode bodies for solid state capacitors
US7283350B2 (en) * 2005-12-02 2007-10-16 Vishay Sprague, Inc. Surface mount chip capacitor
US7511943B2 (en) * 2006-03-09 2009-03-31 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a cathode coating
US7480130B2 (en) * 2006-03-09 2009-01-20 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor
JPWO2008001774A1 (ja) * 2006-06-26 2009-11-26 三井金属鉱業株式会社 ニオブ酸化物の製造方法及び一酸化ニオブ
KR101451443B1 (ko) 2006-08-16 2014-10-15 하.체. 스타르크 게엠베하 구조화 소결 활성 표면을 갖는 반제품 및 그 제조 방법
GB0622463D0 (en) 2006-11-10 2006-12-20 Avx Ltd Powder modification in the manufacture of solid state capacitor anodes
US7554792B2 (en) * 2007-03-20 2009-06-30 Avx Corporation Cathode coating for a wet electrolytic capacitor
US7460356B2 (en) 2007-03-20 2008-12-02 Avx Corporation Neutral electrolyte for a wet electrolytic capacitor
US7649730B2 (en) * 2007-03-20 2010-01-19 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a plurality of thin powder-formed anodes
US20080232032A1 (en) * 2007-03-20 2008-09-25 Avx Corporation Anode for use in electrolytic capacitors
US20080254269A1 (en) * 2007-04-13 2008-10-16 Yuri Freeman NbO Capacitors With Improved Performance And Higher Working Voltages
US8325465B2 (en) * 2007-04-13 2012-12-04 Kemet Electronics Corporation NbO capacitors with improved performance and higher working voltages
WO2009012124A2 (en) * 2007-07-18 2009-01-22 Cabot Corporation Niobium suboxide- and niobium-tantalum-oxide-powders and capacitor anodes produced thereof
MX2010001586A (es) * 2007-08-16 2010-03-15 Starck H C Gmbh Estructuras de dimensiones nanometricas compuestas de metales de valvula y suboxidos de metales de valvula y proceso para producirlas.
CN100577574C (zh) 2007-08-25 2010-01-06 宁夏东方钽业股份有限公司 低价氧化铌或铌粉的制备方法
US7760487B2 (en) * 2007-10-22 2010-07-20 Avx Corporation Doped ceramic powder for use in forming capacitor anodes
US7760488B2 (en) 2008-01-22 2010-07-20 Avx Corporation Sintered anode pellet treated with a surfactant for use in an electrolytic capacitor
US7768773B2 (en) * 2008-01-22 2010-08-03 Avx Corporation Sintered anode pellet etched with an organic acid for use in an electrolytic capacitor
US7852615B2 (en) * 2008-01-22 2010-12-14 Avx Corporation Electrolytic capacitor anode treated with an organometallic compound
US7826200B2 (en) * 2008-03-25 2010-11-02 Avx Corporation Electrolytic capacitor assembly containing a resettable fuse
US8094434B2 (en) 2008-04-01 2012-01-10 Avx Corporation Hermetically sealed capacitor assembly
US8199462B2 (en) 2008-09-08 2012-06-12 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for embedding into a circuit board
MX2011002540A (es) * 2008-09-09 2011-06-28 Ndc Corp Guante y accesorio para el mismo.
JP2010064923A (ja) * 2008-09-11 2010-03-25 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 一酸化ニオブの製造方法及び一酸化ニオブ
US20100085685A1 (en) * 2008-10-06 2010-04-08 Avx Corporation Capacitor Anode Formed From a Powder Containing Coarse Agglomerates and Fine Agglomerates
US8203827B2 (en) * 2009-02-20 2012-06-19 Avx Corporation Anode for a solid electrolytic capacitor containing a non-metallic surface treatment
US8345406B2 (en) * 2009-03-23 2013-01-01 Avx Corporation Electric double layer capacitor
US8223473B2 (en) * 2009-03-23 2012-07-17 Avx Corporation Electrolytic capacitor containing a liquid electrolyte
GB2468942B (en) 2009-03-23 2014-02-19 Avx Corp High voltage electrolytic capacitors
US8405956B2 (en) * 2009-06-01 2013-03-26 Avx Corporation High voltage electrolytic capacitors
US8441777B2 (en) * 2009-05-29 2013-05-14 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with facedown terminations
US8279583B2 (en) * 2009-05-29 2012-10-02 Avx Corporation Anode for an electrolytic capacitor that contains individual components connected by a refractory metal paste
US8199461B2 (en) * 2009-05-29 2012-06-12 Avx Corporation Refractory metal paste for solid electrolytic capacitors
US8139344B2 (en) * 2009-09-10 2012-03-20 Avx Corporation Electrolytic capacitor assembly and method with recessed leadframe channel
US8194395B2 (en) 2009-10-08 2012-06-05 Avx Corporation Hermetically sealed capacitor assembly
US8125768B2 (en) 2009-10-23 2012-02-28 Avx Corporation External coating for a solid electrolytic capacitor
US8339771B2 (en) * 2010-02-19 2012-12-25 Avx Corporation Conductive adhesive for use in a solid electrolytic capacitor
KR20130076793A (ko) * 2010-04-07 2013-07-08 도요 알루미늄 가부시키가이샤 전극 구조체의 제조 방법, 전극 구조체 및 콘덴서
US8512422B2 (en) 2010-06-23 2013-08-20 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing an improved manganese oxide electrolyte
US8619410B2 (en) 2010-06-23 2013-12-31 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for use in high voltage applications
US8125769B2 (en) 2010-07-22 2012-02-28 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor assembly with multiple cathode terminations
US8259436B2 (en) 2010-08-03 2012-09-04 Avx Corporation Mechanically robust solid electrolytic capacitor assembly
US8279584B2 (en) 2010-08-12 2012-10-02 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor assembly
US8824121B2 (en) 2010-09-16 2014-09-02 Avx Corporation Conductive polymer coating for wet electrolytic capacitor
US8968423B2 (en) 2010-09-16 2015-03-03 Avx Corporation Technique for forming a cathode of a wet electrolytic capacitor
US8605411B2 (en) 2010-09-16 2013-12-10 Avx Corporation Abrasive blasted conductive polymer cathode for use in a wet electrolytic capacitor
US8199460B2 (en) 2010-09-27 2012-06-12 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with improved anode termination
US8824122B2 (en) 2010-11-01 2014-09-02 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for use in high voltage and high temperature applications
US8259435B2 (en) 2010-11-01 2012-09-04 Avx Corporation Hermetically sealed wet electrolytic capacitor
US8514547B2 (en) 2010-11-01 2013-08-20 Avx Corporation Volumetrically efficient wet electrolytic capacitor
US8355242B2 (en) 2010-11-12 2013-01-15 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor element
US8848342B2 (en) 2010-11-29 2014-09-30 Avx Corporation Multi-layered conductive polymer coatings for use in high voltage solid electrolytic capacitors
US8576543B2 (en) 2010-12-14 2013-11-05 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a poly(3,4-ethylenedioxythiophene) quaternary onium salt
US8493713B2 (en) 2010-12-14 2013-07-23 Avx Corporation Conductive coating for use in electrolytic capacitors
US8477479B2 (en) 2011-01-12 2013-07-02 Avx Corporation Leadwire configuration for a planar anode of a wet electrolytic capacitor
US8687347B2 (en) 2011-01-12 2014-04-01 Avx Corporation Planar anode for use in a wet electrolytic capacitor
US8514550B2 (en) 2011-03-11 2013-08-20 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a cathode termination with a slot for an adhesive
US8582278B2 (en) 2011-03-11 2013-11-12 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with improved mechanical stability
US8451588B2 (en) 2011-03-11 2013-05-28 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a conductive coating formed from a colloidal dispersion
US8379372B2 (en) 2011-04-07 2013-02-19 Avx Corporation Housing configuration for a solid electrolytic capacitor
US8947857B2 (en) 2011-04-07 2015-02-03 Avx Corporation Manganese oxide capacitor for use in extreme environments
US9767964B2 (en) 2011-04-07 2017-09-19 Avx Corporation Multi-anode solid electrolytic capacitor assembly
US8300387B1 (en) 2011-04-07 2012-10-30 Avx Corporation Hermetically sealed electrolytic capacitor with enhanced mechanical stability
US8451586B2 (en) 2011-09-13 2013-05-28 Avx Corporation Sealing assembly for a wet electrolytic capacitor
US9105401B2 (en) 2011-12-02 2015-08-11 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a gelled working electrolyte
US9275799B2 (en) 2011-12-20 2016-03-01 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing an improved anode
WO2013106659A1 (en) 2012-01-13 2013-07-18 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with integrated fuse assembly
DE102013101443A1 (de) 2012-03-01 2013-09-05 Avx Corporation Ultrahigh voltage solid electrolytic capacitor
US9076592B2 (en) 2012-03-16 2015-07-07 Avx Corporation Wet capacitor cathode containing a conductive coating formed anodic electrochemical polymerization of a microemulsion
US8971020B2 (en) 2012-03-16 2015-03-03 Avx Corporation Wet capacitor cathode containing a conductive copolymer
US8971019B2 (en) 2012-03-16 2015-03-03 Avx Corporation Wet capacitor cathode containing an alkyl-substituted poly(3,4-ethylenedioxythiophene)
US9053861B2 (en) 2012-03-16 2015-06-09 Avx Corporation Wet capacitor cathode containing a conductive coating formed anodic electrochemical polymerization of a colloidal suspension
US9129747B2 (en) 2012-03-16 2015-09-08 Avx Corporation Abrasive blasted cathode of a wet electrolytic capacitor
JP2013219362A (ja) 2012-04-11 2013-10-24 Avx Corp 過酷な条件下で強化された機械的安定性を有する固体電解コンデンサ
US8760852B2 (en) 2012-04-24 2014-06-24 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing multiple sinter bonded anode leadwires
US8947858B2 (en) 2012-04-24 2015-02-03 Avx Corporation Crimped leadwire for improved contact with anodes of a solid electrolytic capacitor
US9776281B2 (en) 2012-05-30 2017-10-03 Avx Corporation Notched lead wire for a solid electrolytic capacitor
GB2502703B (en) 2012-05-30 2016-09-21 Avx Corp Notched lead for a solid electrolytic capacitor
US9548163B2 (en) 2012-07-19 2017-01-17 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with improved performance at high voltages
DE102013213728A1 (de) 2012-07-19 2014-01-23 Avx Corporation Nichtionisches Tensid zur Verwendung in einem festen Elektrolyten eines Elektrolytkondensators
DE102013213723A1 (de) 2012-07-19 2014-01-23 Avx Corporation Festelektrolytkondensator mit erhöhter Feucht-zu-Trocken-Kapazität
DE102013213720A1 (de) 2012-07-19 2014-01-23 Avx Corporation Temperaturstabiler Festelektrolytkondensator
JP5933397B2 (ja) 2012-08-30 2016-06-08 エイヴィーエックス コーポレイション 固体電解コンデンサの製造方法および固体電解コンデンサ
GB2512480B (en) 2013-03-13 2018-05-30 Avx Corp Solid electrolytic capacitor for use in extreme conditions
GB2512486B (en) 2013-03-15 2018-07-18 Avx Corp Wet electrolytic capacitor
US9324503B2 (en) 2013-03-15 2016-04-26 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor
GB2512481B (en) 2013-03-15 2018-05-30 Avx Corp Wet electrolytic capacitor for use at high temperatures
US9240285B2 (en) 2013-04-29 2016-01-19 Avx Corporation Multi-notched anode for electrolytic capacitor
US9472350B2 (en) 2013-05-13 2016-10-18 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a multi-layered adhesion coating
GB2514486B (en) 2013-05-13 2018-08-29 Avx Corp Solid electrolytic capacitor containing a pre-coat layer
US9824826B2 (en) 2013-05-13 2017-11-21 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing conductive polymer particles
US9236192B2 (en) 2013-08-15 2016-01-12 Avx Corporation Moisture resistant solid electrolytic capacitor assembly
US9269499B2 (en) 2013-08-22 2016-02-23 Avx Corporation Thin wire/thick wire lead assembly for electrolytic capacitor
US9236193B2 (en) 2013-10-02 2016-01-12 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for use under high temperature and humidity conditions
US9589733B2 (en) 2013-12-17 2017-03-07 Avx Corporation Stable solid electrolytic capacitor containing a nanocomposite
TWI560781B (en) * 2014-09-10 2016-12-01 Au Optronics Corp Method for fabricating thin film transistor and apparatus thereof
US9916935B2 (en) 2014-11-07 2018-03-13 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with increased volumetric efficiency
US9620293B2 (en) 2014-11-17 2017-04-11 Avx Corporation Hermetically sealed capacitor for an implantable medical device
US9892860B2 (en) 2014-11-24 2018-02-13 Avx Corporation Capacitor with coined lead frame
US9837216B2 (en) 2014-12-18 2017-12-05 Avx Corporation Carrier wire for solid electrolytic capacitors
US9620294B2 (en) 2014-12-30 2017-04-11 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a recessed planar anode and a restraint
US10014108B2 (en) 2015-03-13 2018-07-03 Avx Corporation Low profile multi-anode assembly
US10297393B2 (en) 2015-03-13 2019-05-21 Avx Corporation Ultrahigh voltage capacitor assembly
US9754730B2 (en) 2015-03-13 2017-09-05 Avx Corporation Low profile multi-anode assembly in cylindrical housing
US9928963B2 (en) 2015-03-13 2018-03-27 Avx Corporation Thermally conductive encapsulant material for a capacitor assembly
US9842704B2 (en) 2015-08-04 2017-12-12 Avx Corporation Low ESR anode lead tape for a solid electrolytic capacitor
US9905368B2 (en) 2015-08-04 2018-02-27 Avx Corporation Multiple leadwires using carrier wire for low ESR electrolytic capacitors
DE102015216964A1 (de) * 2015-09-04 2017-03-09 Robert Bosch Gmbh Asymmetrischer Hybridsuperkondensator
US9545008B1 (en) 2016-03-24 2017-01-10 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for embedding into a circuit board
US9907176B2 (en) 2016-03-28 2018-02-27 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor module with improved planarity
US9870868B1 (en) 2016-06-28 2018-01-16 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor for use in a subcutaneous implantable cardioverter-defibrillator
US9870869B1 (en) 2016-06-28 2018-01-16 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor
US10535471B2 (en) 2016-09-22 2020-01-14 Avx Corporation Electrolytic capacitor containing a valve metal sourced from a conflict-free mine site and a method of forming thereof
US10431389B2 (en) 2016-11-14 2019-10-01 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for high voltage environments
CN106732326B (zh) * 2016-11-18 2019-02-26 湖南稀土金属材料研究院 吸气材料及其制备方法和吸气剂
US11077497B2 (en) 2017-06-07 2021-08-03 Global Titanium Inc. Deoxidation of metal powders
WO2019060303A1 (en) 2017-09-21 2019-03-28 Avx Corporation ELECTRONIC PART CONTAINING A METALLIC CONSTITUENT FROM A CONFLICT-FREE MINING SITE AND METHOD OF FORMING THE SAME
CN108046323B (zh) * 2017-12-20 2019-08-02 广东省稀有金属研究所 一种铌氧化物的制备方法
US10553673B2 (en) 2017-12-27 2020-02-04 Micron Technology, Inc. Methods used in forming at least a portion of at least one conductive capacitor electrode of a capacitor that comprises a pair of conductive capacitor electrodes having a capacitor insulator there-between and methods of forming a capacitor
KR102389784B1 (ko) 2018-03-05 2022-04-22 글로벌 어드밴스드 메탈스 유에스에이, 아이엔씨. 구형 분말을 함유하는 애노드 및 커패시터
CN111819016A (zh) 2018-03-05 2020-10-23 全球先进金属美国股份有限公司 球形钽粉末、含其的产品以及其制造方法
US11081288B1 (en) 2018-08-10 2021-08-03 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor having a reduced anomalous charging characteristic
US11380492B1 (en) 2018-12-11 2022-07-05 KYOCERA AVX Components Corporation Solid electrolytic capacitor
KR20210148365A (ko) 2019-04-25 2021-12-07 로무 가부시키가이샤 고체 전해 콘덴서
CN113661551B (zh) 2019-05-17 2023-04-04 京瓷Avx元器件公司 固体电解电容器
US11756742B1 (en) 2019-12-10 2023-09-12 KYOCERA AVX Components Corporation Tantalum capacitor with improved leakage current stability at high temperatures
US11763998B1 (en) 2020-06-03 2023-09-19 KYOCERA AVX Components Corporation Solid electrolytic capacitor

Family Cites Families (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US135973A (en) * 1873-02-18 Improvement in seats for chairs
US28175A (en) * 1860-05-08 Frog for bayonet-scabbards
US104923A (en) * 1870-07-05 Improved instep-stretcher for boots and shoes
US114722A (en) * 1871-05-09 Improvement in extension tables
US1123015A (en) 1914-09-03 1914-12-29 Jacob Samuels Stocking attachment.
US1415516A (en) 1919-05-29 1922-05-09 Bridge Arthur Method of and apparatus for reducing metals, etc.
US1906184A (en) 1931-02-27 1933-04-25 Heraeus Vacuumschmelze Ag Method of reducing metal oxides
US2183517A (en) 1937-03-19 1939-12-12 Metallurg De Hoboken Soc Gen Treatment of materials containing tantalum and niobium
GB489742A (en) 1937-03-22 1938-08-03 Metallurg De Hoboken Soc Gen Improvements in and relating to the treatment of substances containing tantalum and/or niobium
GB485318A (en) 1937-03-23 1938-05-18 Metallurg De Hoboken Soc Gen Improvements in and relating to the treatment of materials containing tantulum and niobium
US2242759A (en) 1938-03-02 1941-05-20 Walter H Duisberg Reduction of difficultly reducible oxides
US2443254A (en) * 1945-12-07 1948-06-15 Electro Metallargical Company Separation of columbium and tantalum oxides
US2621137A (en) 1948-07-13 1952-12-09 Charles Hardy Inc Reducing metal powders
US2700606A (en) 1951-08-01 1955-01-25 Harley A Wilhelm Production of vanadium metal
US2761776A (en) 1956-03-29 1956-09-04 Bichowsky Foord Von Process for the manufacture of particulate metallic niobium
GB835316A (en) 1957-07-24 1960-05-18 Johnson Matthey Co Ltd Improvements in and relating to the refining of metals
US2861882A (en) 1957-11-12 1958-11-25 Bichowsky Foord Von Process for reducing niobium oxides to metallic state
US2992095A (en) 1958-01-17 1961-07-11 Wah Chang Corp Process of separating niobium and tantalum values in oxidic ores and of producing pure niobium
US2937939A (en) 1958-11-10 1960-05-24 Harley A Wilhelm Method of producing niobium metal
CH377325A (de) * 1959-12-04 1964-05-15 Ciba Geigy Verfahren zur Herstellung von Niob- und Tantalpentoxyd
GB1123015A (en) 1964-08-07 1968-08-07 Union Carbide Corp A process for producing sintered anodes
US3421195A (en) 1965-12-23 1969-01-14 Dale Electronics Capacitor and method of making same
US3418106A (en) 1968-01-31 1968-12-24 Fansteel Inc Refractory metal powder
CH515996A (de) 1968-06-06 1971-11-30 Starck Hermann C Fa Verfahren zur Herstellung von hochreinem Niob und/oder Tantal
US3849124A (en) * 1969-12-05 1974-11-19 Norton Co Capacitor powder
US3665260A (en) * 1970-06-01 1972-05-23 Trw Inc Alloy capacitor porous anodes
FR2142203A5 (en) 1971-06-16 1973-01-26 Korotkevich Maria Nitrides, oxides and oxy-nitrides of refractory metals - - in the form of a homogeneous powder
IT963874B (it) 1972-08-10 1974-01-21 Getters Spa Dispositivo getter perfezionato contenente materiale non evapora bile
DE2240658A1 (de) 1972-08-18 1974-02-28 Degussa Verfahren zur desoxydation refraktaerer metalle, insbesondere zur desoxydation von niob und tantal
US3962715A (en) 1974-12-03 1976-06-08 Yeshiva University High-speed, high-current spike suppressor and method for fabricating same
US4032328A (en) 1975-10-23 1977-06-28 University Of Minnesota, Inc. Metal reduction process
US4059442A (en) 1976-08-09 1977-11-22 Sprague Electric Company Method for making a porous tantalum pellet
DE2743842C2 (de) * 1976-10-01 1982-07-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka Trockenelektrolytkondensator und Verfahren zu dessen Herstellung
US4201798A (en) 1976-11-10 1980-05-06 Solarex Corporation Method of applying an antireflective coating to a solar cell
US4118727A (en) 1977-09-09 1978-10-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army MOX multi-layer switching device comprising niobium oxide
US4406699A (en) 1981-06-09 1983-09-27 Beck David E High-temperature electrically conductive ceramic composite and method for making same
DE3130392C2 (de) 1981-07-31 1985-10-17 Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verfahren zur Herstellung reiner agglomerierter Ventilmetallpulver für Elektrolytkondensatoren, deren Verwendung und Verfahren zur Herstellung von Sinteranoden
JPS5950604B2 (ja) * 1981-11-27 1984-12-10 三菱マテリアル株式会社 酸化チタン粉末の製造法
US4428856A (en) 1982-09-30 1984-01-31 Boyarina Maya F Non-evaporable getter
US4748737A (en) 1985-11-27 1988-06-07 Westinghouse Electric Corp. Method of removing surface oxidation from particulates
JPS62188956A (ja) * 1985-12-03 1987-08-18 コンダクタ ゲゼルシヤフト フユア メス−ウント レゲルテヒニク ミツト ベシユレンクテル ハフツング ウント コンパニ− 化学半電池
CN86107657B (zh) * 1986-11-11 1988-01-13 北京有色金属研究总院 球状五氧化二铌的生产方法
US4722756A (en) 1987-02-27 1988-02-02 Cabot Corp Method for deoxidizing tantalum material
US4805074A (en) 1987-03-20 1989-02-14 Nitsuko Corporation Solid electrolytic capacitor, and method of manufacturing same
US5211741A (en) 1987-11-30 1993-05-18 Cabot Corporation Flaked tantalum powder
DE3819779A1 (de) * 1988-06-10 1989-12-21 Bayer Ag Verbessertes chromoxidgruen, verfahren zu seiner herstellung und dessen verwendung
US4923531A (en) 1988-09-23 1990-05-08 Rmi Company Deoxidation of titanium and similar metals using a deoxidant in a molten metal carrier
US5022935A (en) 1988-09-23 1991-06-11 Rmi Titanium Company Deoxidation of a refractory metal
DE3918691A1 (de) 1989-06-08 1990-12-13 Starck Hermann C Fa Nioboxidpulver (nb(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)o(pfeil abwaerts)5(pfeil abwaerts)) sowie verfahren zu dessen herstellung
US4960471A (en) 1989-09-26 1990-10-02 Cabot Corporation Controlling the oxygen content in tantalum material
US4964906A (en) 1989-09-26 1990-10-23 Fife James A Method for controlling the oxygen content of tantalum material
US5011742A (en) 1989-09-26 1991-04-30 Fife James A Article for controlling the oxygen content in tantalum material
US5013357A (en) 1989-10-26 1991-05-07 Westinghouse Electric Corp. Direct production of niobium titanium alloy during niobium reduction
JP2973499B2 (ja) 1990-09-13 1999-11-08 松下電器産業株式会社 チップ型固体電解コンデンサ
JP3005319B2 (ja) * 1990-10-19 2000-01-31 石原産業株式会社 針状あるいは板状低次酸化チタンおよびその製造方法
US5173215A (en) * 1991-02-21 1992-12-22 Atraverda Limited Conductive titanium suboxide particulates
US5171379A (en) 1991-05-15 1992-12-15 Cabot Corporation Tantalum base alloys
US5245514A (en) 1992-05-27 1993-09-14 Cabot Corporation Extruded capacitor electrode and method of making the same
US5284531A (en) 1992-07-31 1994-02-08 Cabot Corporation Cylindrical metal fibers made from tantalum, columbium, and alloys thereof
US5369547A (en) * 1993-03-22 1994-11-29 The Evans Findings Co., Ltd. Capacitor
FR2703348B1 (fr) * 1993-03-30 1995-05-12 Atochem Elf Sa Procédé de préparation de poudre pour céramique en oxynitrure d'aluminium gamma optiquement transparente et la poudre ainsi obtenue.
US5448447A (en) 1993-04-26 1995-09-05 Cabot Corporation Process for making an improved tantalum powder and high capacitance low leakage electrode made therefrom
US5412533A (en) 1993-06-22 1995-05-02 Rohm Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof
US5470525A (en) 1994-07-01 1995-11-28 H. C. Starck, Inc. Removal of binder from Ta products
US6338832B1 (en) * 1995-10-12 2002-01-15 Cabot Corporation Process for producing niobium and tantalum compounds
DE19781674T1 (de) * 1996-03-26 1999-04-01 Cabot Corp Verfahren zum Löslichmachen von Metallbeständen aus Ta-Nb-Erzmaterialien, welche unlösliche Fluoride enthalten
US5993513A (en) 1996-04-05 1999-11-30 Cabot Corporation Method for controlling the oxygen content in valve metal materials
US6165623A (en) * 1996-11-07 2000-12-26 Cabot Corporation Niobium powders and niobium electrolytic capacitors
US5825611A (en) 1997-01-29 1998-10-20 Vishay Sprague, Inc. Doped sintered tantalum pellets with nitrogen in a capacitor
US6007597A (en) 1997-02-28 1999-12-28 Teledyne Industries, Inc. Electron-beam melt refining of ferroniobium
US6051326A (en) 1997-04-26 2000-04-18 Cabot Corporation Valve metal compositions and method
US6051044A (en) 1998-05-04 2000-04-18 Cabot Corporation Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors
US6171363B1 (en) * 1998-05-06 2001-01-09 H. C. Starck, Inc. Method for producing tantallum/niobium metal powders by the reduction of their oxides with gaseous magnesium
DE19831280A1 (de) 1998-07-13 2000-01-20 Starck H C Gmbh Co Kg Verfahren zur Herstellung von Erdsäuremetallpulvern, insbesondere Niobpulvern
AU757790B2 (en) 1998-05-06 2003-03-06 H.C. Starck Tantalum and Niobium GmbH Metal powders produced by the reduction of the oxides with gaseous magnesium
US6001281A (en) 1998-09-04 1999-12-14 Kemet Electronics Corporation Preparation of conductive polymers from stabilized precursor solutions
US6416730B1 (en) 1998-09-16 2002-07-09 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide oxygen reduced niobium oxides
US6462934B2 (en) * 1998-09-16 2002-10-08 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides
US6322912B1 (en) 1998-09-16 2001-11-27 Cabot Corporation Electrolytic capacitor anode of valve metal oxide
US6391275B1 (en) 1998-09-16 2002-05-21 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides
US6072694A (en) 1998-09-30 2000-06-06 Kemet Electronics Corporation Electrolytic capacitor with improved leakage and dissipation factor
DE19847012A1 (de) * 1998-10-13 2000-04-20 Starck H C Gmbh Co Kg Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung
DE19953946A1 (de) 1999-11-09 2001-05-10 Starck H C Gmbh Co Kg Kondensatorpulver
BR0109429A (pt) 2000-03-23 2005-11-16 Cabot Corp Ëxido de nióbio de reduzido teor de oxigênio
US6576099B2 (en) 2000-03-23 2003-06-10 Cabot Corporation Oxygen reduced niobium oxides
DE10030387A1 (de) 2000-06-21 2002-01-03 Starck H C Gmbh Co Kg Kondensatorpulver
US20030104923A1 (en) 2001-05-15 2003-06-05 Showa Denko K.K. Niobium oxide powder, niobium oxide sintered body and capacitor using the sintered body
US7737066B2 (en) * 2001-05-15 2010-06-15 Showa Denko K.K. Niobium monoxide powder, niobium monoxide sintered body and capacitor using the sintered body

Also Published As

Publication number Publication date
BR9913828B1 (pt) 2009-01-13
AU6041299A (en) 2000-04-03
US6759026B2 (en) 2004-07-06
IL142008A (en) 2004-09-27
US20020135973A1 (en) 2002-09-26
US20050084445A1 (en) 2005-04-21
DK1115658T3 (da) 2003-10-27
DE69909494D1 (de) 2003-08-14
ATE244685T1 (de) 2003-07-15
CN102603002A (zh) 2012-07-25
HK1040231A1 (en) 2002-05-31
DE69909494T3 (de) 2011-12-01
AU757379B2 (en) 2003-02-20
US6373685B1 (en) 2002-04-16
WO2000015555A1 (en) 2000-03-23
EP1115658B2 (de) 2011-07-20
CZ298823B6 (cs) 2008-02-13
CN1320103A (zh) 2001-10-31
KR20010075153A (ko) 2001-08-09
US20040033183A1 (en) 2004-02-19
MXPA01002775A (es) 2002-06-04
US20030003044A1 (en) 2003-01-02
TW460414B (en) 2001-10-21
US6416730B1 (en) 2002-07-09
JP2002524378A (ja) 2002-08-06
EP1115658B1 (de) 2003-07-09
IL142008A0 (en) 2002-03-10
HK1040231B (zh) 2004-02-13
US7445762B2 (en) 2008-11-04
JP5070533B2 (ja) 2012-11-14
PT1115658E (pt) 2003-11-28
EP1357086A1 (de) 2003-10-29
BR9913828A (pt) 2001-12-18
US6592740B2 (en) 2003-07-15
ES2198990T3 (es) 2004-02-01
CZ2001952A3 (cs) 2002-02-13
RU2232720C2 (ru) 2004-07-20
EP1115658A1 (de) 2001-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69909494T2 (de) Verfahren zur teilweisen reduktion eines nioboxids und nioboxide mit verringertem sauerstoffanteil
EP1508550B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Niobsuboxid
EP1753566B1 (de) Verfahren zur herstellung von niob- und tantalpulver
DE3737016C2 (de)
EP1802412B1 (de) Verfahren zur herstellung von ventilmetallpulvern
EP1498391B1 (de) Niobsuboxidpulver
DE2940290C2 (de)
EP1843868B1 (de) Tantalpulver zur herstellung von festelektrolytkondensatoren
DE10307716B4 (de) Ventilmetall-Pulver und Verfahren zu deren Herstellung
DE4030469C2 (de) Verfahren zur Kontrolle des Sauerstoffgehalts in Werkstoffen aus Tantal
DE2816342A1 (de) Verfahren zur herstellung von agglomerierten pulvern
DE60133143T2 (de) Mischungen aus Niob und Niobnitridpulver für Substrate für Elektrolytische Kondensatoren
EP0964937A1 (de) Tantalpulver, verfahren zu seiner herstellung, sowie daraus erhältliche sinteranoden
EP2329507B1 (de) Ventilmetall- und ventilmetalloxid-agglomeratpulver und verfahren zu deren herstellung
WO2001099130A1 (de) Kondensatorpulver
AT394188B (de) Verfahren zur herstellung von feinkoernigen, sinteraktiven nitrid- und carbonitridpulvern des titans
EP1505611B9 (de) Verfahren zur Herstellung von Kondensatoren
DE112004001796T5 (de) Ein Verfahren für die Herstellung von Nioboxid-Pulver für die Verwendung in Kondensatoren
DE10192560B4 (de) Kondensatorpulver

Legal Events

Date Code Title Description
8363 Opposition against the patent
R102 Epo decision maintaining patent in amended form now final

Ref document number: 1115658

Country of ref document: EP

R102 Epo decision maintaining patent in amended form now final

Ref document number: 1115658

Country of ref document: EP

Effective date: 20110720