DE69913610T2 - Herstellung von Durchkontaktierungen für mehrlagige, induktive oder andere Bauteile - Google Patents

Herstellung von Durchkontaktierungen für mehrlagige, induktive oder andere Bauteile Download PDF

Info

Publication number
DE69913610T2
DE69913610T2 DE69913610T DE69913610T DE69913610T2 DE 69913610 T2 DE69913610 T2 DE 69913610T2 DE 69913610 T DE69913610 T DE 69913610T DE 69913610 T DE69913610 T DE 69913610T DE 69913610 T2 DE69913610 T2 DE 69913610T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
ceramic
conductive pattern
conductive
layer
over
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69913610T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69913610D1 (de
Inventor
John Monroe Jiang
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Vishay Vitramon Inc
Original Assignee
Vishay Vitramon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vishay Vitramon Inc filed Critical Vishay Vitramon Inc
Publication of DE69913610D1 publication Critical patent/DE69913610D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69913610T2 publication Critical patent/DE69913610T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/02Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
    • H01F41/04Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
    • H01F41/041Printed circuit coils
    • H01F41/043Printed circuit coils by thick film techniques
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H05K3/4647Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits by applying an insulating layer around previously made via studs
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/16Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H05K1/165Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed inductors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0756Uses of liquids, e.g. rinsing, coating, dissolving
    • H05K2203/0759Forming a polymer layer by liquid coating, e.g. a non-metallic protective coating or an organic bonding layer
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4038Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
    • H05K3/4053Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H05K3/4664Adding a circuit layer by thick film methods, e.g. printing techniques or by other techniques for making conductive patterns by using pastes, inks or powders
    • H05K3/4667Adding a circuit layer by thick film methods, e.g. printing techniques or by other techniques for making conductive patterns by using pastes, inks or powders characterized by using an inorganic intermediate insulating layer

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft mehrlagige Bauteile. Insbesondere, jedoch nicht ausschließlich, betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Ausbilden von Durchkontaktierungen in mehrlagigen Bauelementen.
  • Probleme im Fachgebiet
  • Typischerweise werden induktive Komponenten mittels eines um einen Kern, entweder magnetisch für hohe Induktivität oder nicht-magnetisch für niedrige Induktivität, gewickelten Drahtes hergestellt. Die Wicklung erfolgt typischerweise von Hand oder mittels einer speziell ausgelegten Maschine. Dieser Prozeß beschränkt jedoch die Möglichkeit einer Miniaturisierung, um den steigenden Bedarf für in hoher Dichte oberflächenmontierbaren Komponenten. Neue Typen induktiver Komponenten, nämlich oberflächenmontierbare Typen werden benötigt, um den Bedarf der Industrie zu befriedigen.
  • Unterschiedliche Typen ebener Induktionsspulen mit niedriger Induktivität wurden auf einlagigen oberflächenmontierbaren Chips hergestellt. Höhere Induktivitätswerte können jedoch mit dieser Konfiguration nicht erreicht werden. Die Induktivität einer Induktionsspule ist proportional zu der effektiven Querschnittsfläche sowie zu der Anzahl von Wicklungen in der Induktionsspule. Die Erhöhung der Anzahl von Wicklungen auf derselben ebenen Lage verringert die effektive magnetische Querschnittsfläche. Eine dritte Dimension in der Dicke kann vorteilhaft für das Hinzufügen von Wicklungen zu der Induktionsspule unter Beibehaltung der Querschnittsfläche genutzt werden kann.
  • Um den Mehrlagenprozeß für Induktionsspulen zu nutzen sind Zwischenverbindungen zwischen den Lagen zur Ausbildung einer fortlaufenden Spule für hohe Induktivitätswerte erforderlich. Eine herkömmliche Zwischenverbindung zwischen Lagen in einem mehrlagigen Bauteil wird typischerweise mittels Durchkontaktierungslöcher erzielt, welche entweder durch mechanisches Stanzen, chemisches Ätzen oder Laser erzeugt werden. Sobald die Durchkontaktierungslöcher ausgebildet sind, werden sie mit einem Leiter gefüllt. Vorrichtungen, welche diesen Prozeß nutzen, können gedruckte Leiterplatten, Gehäuse integrierter Schaltungen, mehrlagige keramische Induktionsspulen, HF-Filter oder -Teilchen, usw. umfassen.
  • Teilweise wegen der Komplexität und Haltbarkeit eines mechanischen Stanzwerkzeuges ist ein Stanzwerkzeug sehr teuer herzustellen und instandzuhalten. Die schnellste Durchkontaktierungslocherzeugung mittels Laser beträgt derzeit etwa 200 pro Sekunde, was immer noch zu langsam für einige mehrlagige Bauteile ist. Chemische Ätzungen sind sogar noch langsamer. In dem vom Wettbewerb geprägten Perlen/Induktionsspulen-Markt sind diese Techniken für eine Hochgeschwindigkeits-Massenproduktion nicht geeignet. Daher besteht ein Bedarf nach einer Technik einer Durchkontaktierungsausbildung welche schnell, zuverlässig und wirtschaftlich ist.
  • Ähnlich zu den vorstehend beschriebenen Induktionsspulen wurden auch Kondensatoren in der Form von oberflächenmontierbaren Chips unter Verwendung mehrlagiger Keramikprozesse hergestellt. Bei der Herstellung von mehrlagigen Keramikkondensatoren ist eine absolute Isolation zwischen den Lagen des Dielektrikums erforderlich. Gelegentlich werden einige Klumpen in der gedruckten Elektrode aufgrund von sich zusammen ballenden Partikeln in der Elektrodentinte oder Schmutz aus unerwünschten Quellen ausgebildet. Wenn der keramische Brei in dem Feuchtstapelungsprozeß über die klumpige Elektrode gegossen wird, tendiert dieses zur Ausbildung von Kurzschlüssen in dem Kondensator. Ähnliche Nachteile treten auch in dem (nachstehend beschriebenen) Trockenfolien- oder Bandprozeßkondensatoren auf. Dieses ist unerwünscht und unkontrolliert, und deshalb ein Zufallsphänomen. Hersteller derartiger Bauteile versuchen die Klumpen wesentlich kleiner als die Dicke des Dielektrikums zu halten, um Qualitätskomponenten herzustellen.
  • Die Herstellung typischer herkömmlicher Komponenten wird nun beschrieben. Mehrlagige keramische Induktionsspulen oder Chipteilchen werden aus abwechselnden Keramiklagen und durch diese Lagen hindurch verbundene Leiterschleifen hergestellt. Diese Herstellung kann primär in zwei Techniken kategorisiert werden. Die erste Technik ist ein Band-(oder auch Trockenfolien)-Prozeß. Eine zweite Technik ist ein Feuchtstapelungsprozeß.
  • Der Bandprozeß beinhaltet Bandgießen, Bandtrocknen, Schneiden, Stapeln, Leiterdrucken, Leitertrocknen, ..., Stapeln, Leiterdrucken, Leitertrocknen, Stapeln, Laminatpressen, Unterteilen, Organstoffe ausbrennen, und Brennen. Eine weitere Variante des Bandprozesses umfaßt Bandgießen, Bandtrocknen, Leiterdrucken, Leitertrocknen, Bandlagern, Stapellaminieren/Pressen, Träger ablösen, Unterteilen, Organstoffe ausbrennen und Brennen. Bei der Herstellung von Komponenten mit Zwischenverbindungen sind ein Durchkontaktierungsstanzprozeß entweder nach dem Bandtrocknen oder Schneiden und ein Füllen des Durchkontaktierungsloches vor oder gleichzeitig mit dem Leiterdrucken erforderlich. Eine genaue und stetige Ausrichtung ist für diesen Vorgang wesentlich. Wie vorstehend er wähnt kann die Ausbildung des Durchkontaktierungsloches durch eine mechanische Stanzung, einen Laser oder durch chemische Ätzung erreicht werden. Wie erwähnt, sind die Kosten für die Werkzeugherstellung und Instandhaltung eines mechanischen Stanzwerkzeugs sehr hoch. Ein Stanzwerkzeug besitzt eine relativ kurze Lebensdauer. Chemische Ätzungen erfordern eine lange Zeitdauer und sind schwierig zu steuern. Eine sorgfältige Spülung ist erforderlich, welche wiederum Zeit erfordert. Die Durchkontaktierungslochausbildung durch Laser ist immer noch langsam und es ist schwierig, einen Durchsatz von Tausenden von Durchkontaktierungen pro Sekunde für die Massenproduktion zu gewährleisten. Jedoch sind die Vorteile des Bandprozesses Flexibilität, schnelles Bandgießen, schnelles Trocknen mit guter Qualität, präzise und genaue Banddicke.
  • In dem Feuchtstapelungsprozeß werden keramische Lagen auf ein Substrat gegossen oder gedruckt und getrocknet. Die Leiter werden dann gedruckt und getrocknet, und gegossen und wiederum gedruckt. Für Zwischenverbindungen ist eine Durchkontaktierung oder eine freigelegte Fläche zum Verbinden der Leiter über die Isolationsschicht hinweg erforderlich. Dieses ist nicht leicht durch keramisches Gießen zu erreichen. Normalerweise wird eine Blockierung des Keramikdruckes angewendet, um eine freiliegende Fläche oder eine Durchkontaktierungsloch zu hinterlassen. Der Vorteil dieses Prozesses ist die leichte Leiterausrichtung. Diese wird durch die Ausrichtung des Substrates, normalerweise eine Metallplatte, erreicht. Jedoch muß die für eine wiederholbare Siebbedruckung und Produktion geeignete keramische Tinte eine langsam trocknende Tinte sein und eine niedrige Viskosität für eine gute Nivellierung besitzen. Falls dies nicht der Fall ist, kann das Sieb verstopft werden, was die Druckqualität verschlechtert oder eine periodische Siebreinigung erfordert, welche Zeit benötigt. Zusätzlich tendiert, aufgrund der langsamen Trockenzeit und niedrigen Viskosität der Tinte die feuchte keramische Tinte zum Fließen. Die Druckausrichtung sowie die Qualität werden beeinträchtigt. Ein schlechteres Szenario kann das sein, daß das Durchkontaktierungsloch vollständig durch den Fluß blockiert wird. Um die Tendenz zum Fließen unter gleichzeitiger Beibehaltung einer langsamen Trocknung zu überwinden, wird die keramische Tinte in einer höheren Viskositätsform oder einer pseudoplastischeren Form mit organischen Bindern und Zusätzen mit hohem Molekulargewicht formuliert. Diese organischen Stoffe machen das Trocknen und Ausbrennen noch schwieriger. Die langsame Trocknungseigenschaft in Verbindung mit den organischen Stoffen mit hohem Molekulargewicht der druckbaren Tinte erfordert eine längere Trocknung bei hohen Temperaturen. Dieser Trocknungszyklus kann eine verhärtete Haut auf der Keramikschicht bewirken und anschließend zu Rissen oder einer Delamination führen.
  • Verschiedene herkömmliche Techniken wurden zur Ausbildung von Durchkontaktierungen mehrlagigen Komponenten angewendet. Es folgen einige Beispiele. Das an Kawabata et al. erteilte U.S. Patent No 4,689,594 offenbart einen Prozeß zur Herstellung von mehrlagigen Chipspulen durch Stapeln eines magnetischen Bandes mit über einen Leiterpfad verbundenen Durchkontaktierungslöchern, die mit elektroleitendem Material beschichtet sind. Das an Walters erteilte U.S. Patent No. 5,300,911 offenbart monolithische magnetische Bauteile aus keramischen Schichten mit mit Kupferleitern plattierten Durchtrittslöchern. Das an Takahashi et al. erteilte U.S. Patent No 4,322,689 offenbart eine Blockbedruckung einer magnetischen Schicht, um die untere Hälfte einer leitenden Spule abzudecken, wobei Segment der der mit der nächsten Spule zu verbindenden Spule frei bleibt. Die obere Hälfte der leitenden Spule wird teilweise durch Bedrucken mit einer anderen magnetischen Lage abgedeckt. Eine Wiederholung dieser abwech selnden Druckmuster erzeugt eine laminierte Induktionsspulkomponente. Das an Takaya erteilte U.S. Patent No 4,731,297 offenbart ein ähnliches Verfahren einer Abwechslung der Hälften überlagerter Ferrit- und Spulen-Drucke um laminierte Komponenten herzustellen. Das an Person et al. erteilte U.S. Patent No 5,302,932 offenbart einen Prozeß zum Herstellen monolithischer mehrlagiger Chipinduktionsspulen, welche gedruckte magnetische Lagen besitzen, mittels Durchkontaktierungslöchern und anschließendes Füllen der Durchkontaktierungslöcher durch Siebbedruckung.
  • Herkömmliche Herstellungstechniken für mehrlagige Komponenten einschließlich keramischer Induktionsspulen/Teilchen können langsam, schwierig und/oder teuer sein. Herkömmliche Techniken erfüllen nicht den Bedarf der Oberflächenmontageindustrie. Hersteller, welche diese herkömmlichen Techniken anwenden, können kein hohes Volumen an Komponenten im Vergleich zu anderen oberflächenmontierbaren Bauteilen produzieren. Obwohl oberflächenmontierbare mehrlagige keramische Induktionsspulen/Teilchen in den Markt eingeführt wurden, sind sie immer noch sehr teuer und unterliegen langen Lieferzeiten. Man kann daher sehen, daß eine neue Technologie zum Produzieren der Komponenten in großen Mengen in schneller und wirtschaftlicher Weise erwünscht ist.
  • Das U.S. Patent No 5,650,199 offenbart ein Verfahren zum Herstellen einer mehrlagigen elektronischen Komponente mit einer Zwischenlagen-Leiterverbindung, welche eine eine leitende Durchkontaktierung ausbildende Tinte verwendet, und somit ein relevanter Teil des Stands der Technik ist.
  • Merkmale der Erfindung
  • Ein allgemeines Merkmal der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung eines Verfahrens zur Herstellung von mehr lagigen Bauteilen, welches in der herkömmlichen Technik vorgefundene Probleme überwindet.
  • Ein weiteres Merkmal der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung eines Verfahrens, das mehrlagige Bauteile erzeugt, welches die physikalischen/chemischen Kräfte nutzt, um Durchkontaktierungslöcher spontan in dem Mehrlagenaufbauprozeß zu erzeugen.
  • Weitere Merkmale, Aufgaben und Vorteile der vorliegenden Erfindung umfassen:
  • Ein Verfahren zum Erzeugen von mehrlagigen Bauteilen wie z. B. von oberflächenmontierbaren keramischen induktiven Komponenten.
  • Ein Verfahren zum Erzeugen mehrlagiger Bauteile in Großmengen mit einer gleichmäßigen überlegenen Qualität.
  • Ein Verfahren zum Erzeugen von mehrlagigen Bauteilen mit niedrigen Kosten.
  • Ein Verfahren zum Erzeugen von mehrlagigen Bauteilen, welches keine zusätzlichen Geräte, außer den derzeit für den mehrlagigen keramischen Aufbau verwendeten, benötigt.
  • Ein Verfahren zum Herstellen von mehrlagigen Bauelementen mit einem schnellen Durchkontaktierungserzeugungsprozeß während der Produktion.
  • Ein Verfahren zum Erzeugen von mehrlagigen Bauteilen unter Nutzung physikalischer/chemischer Kräfte welche sich aus der Wechselwirkung zwischen dem Durchkontaktierungsleiter und dem gegossenen Keramikbrei ergeben.
  • Ein Verfahren zum Erzeugen von mehrlagigen Bauteilen, welches die Ausbildung von Durchkontaktierungen mit Geschwindigkeiten von 1000 bis 10000 pro Sekunde beinhaltet.
  • Diese, sowie weitere Merkmale, Aufgaben und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der nachstehenden Beschreibung und den Ansprüchen ersichtlich.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zum Erzeugen eines mehrlagigen Keramikbauteils mit mehreren leitenden Lagen und Zwischenverbindungen zwischen benachbarten leitenden Lagen bereit, wobei das Verfahren die Schritte umfaßt: Bereitstellen einer keramischen Basis; Drucken eines ersten leitenden Musters auf die Basis; Drucken eines zweiten leitenden Musters über das erste leitende Muster, wobei das zweite leitende Muster eine obere Oberfläche und eine der Größe und Lage einer gewünschten Zwischenverbindung entsprechende Größe und Lage besitzt; Gießen einer Menge keramischen Breis über die keramische Basis, das erste leitende Muster und das zweite leitende Muster unter Steuerung der Dicke der keramischen Lage in der Weise, daß eine hohe Oberflächenspannung zwischen dem keramischen Brei und dem zweiten leitenden Muster den keramischen Brei in dem Bereich der oberen Oberfläche des zweiten leitenden Musters heraustreibt; Trocknen lassen der keramischen Lage; und Drucken eines dritten leitenden Musters über die getrocknete keramische Lage und über das zweite leitende Muster, wobei das zweite leitende Muster eine Zwischenverbindung zwischen dem ersten leitenden Muster und dem dritten leitendem Muster ausbildet.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • In den Zeichnungen zeigen:
  • 1 eine Explosionsansicht einer mehrlagigen keramischen Induktionsspule.
  • 2 ein Flußdiagramm des Herstellungsprozesses der vorliegenden Erfindung.
  • 3 eine Explosionsdarstellung, welche eine typische mehrlagige keramische Induktionsspule zeigt, um die verschiedenen leitenden Lagen und Durchkontaktierungen zu veranschaulichen.
  • 4 eine Veranschaulichung eines mehrlagigen keramischen Aufbauwafers, welcher aus vielen einzelnen Komponenten besteht.
  • 5 eine Darstellung, welche einen Benetzungswinkel definiert.
  • 6 und 7 unterschiedliche Benetzungswinkel in dem Durchkontaktierungsprozeß.
  • 8 eine Darstellung des Gießens einer keramischen Basislage auf einem Träger.
  • 9 eine Darstellung eines auf der Keramikbasis aufgedruckten leitenden Pfades.
  • 10 eine Darstellung eines auf das leitende Muster gedruckten Durchkontaktierungspunktes.
  • 11 eine Darstellung eines Gusses der keramischen Lage, welche zunächst den gedruckten Leiterpfad und den Durchkontaktierungspunkt überdeckt.
  • 12 eine Darstellung der Wechselwirkung zwischen den chemischen/physikalischen Kräften und dem keramischen Brei, welche den Brei von der Oberseite der Durchkontaktierungspunktoberfläche vertreibt.
  • 13 eine Darstellung eines auf der Keramiklage und dem Durchkontaktierungspunkt aufgedruckten zweiten leitenden Musters.
  • 14 eine Darstellung, welche das obere leitende Muster und die gegossenen oberen Keramiklagen darstellt.
  • 15 eine Darstellung des Unterteilungsprozesses.
  • 16 eine Darstellung eines getrommelten Chips (mit abgerundeten Ecken).
  • 17 eine Darstellung des in 16 dargestellten Chips mit ausgebildeten Anschlüssen.
  • 18 eine Schnittansicht entlang der Linien 18-18 von 17.
  • 19 bis 22 den Durchkontaktierungsausbildungsprozeß auf einem Ablösungsträgerfilm oder Band.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Die vorliegende Erfindung wird soweit sie auf ihre bevorzugte Ausführungsform zutrifft beschrieben. Die vorliegende Erfindung soll nicht auf die beschriebene Ausführungsform beschränkt sein.
  • Die vorliegende Erfindung nutzt den Vorteil der unterschiedlichen Art von Induktionsspulen und Kondensatoren. Die Erfindung nutzt das unerwünschte nachteilige Phänomen, das bei der (vorstehend beschriebenen) Herstellung von mehrlagigen keramischen Kondensatoren auftritt als die Zwischenverbindung in Induktionsspulen.
  • 1 stellt ein mehrlagiges keramisches induktives Bauteil 10 dar. Das Bauteil 10 besteht aus einer Spule 12, welche innerhalb einer mehrlagigen keramischen Struktur 14 eingebettet ist. Die keramische Struktur 14 kann entweder magnetisch für höhere Induktivitätswerte, oder nicht-magnetisch für Hochfrequenzanwendungen sein. Die vorliegende Erfindung wird bei einem Aufbauprozeß einer mehrlagigen keramischen Induktionsspule angewendet. Ein Beispiel des Aufbauprozesses umfaßt die Schritte: Erzeugen eines Ferritbreis, einer Leitertinte, Mehrlagenaufbau, Unterteilen, Organstoffe ausbrennen, Sintern, Trommeln, Anschließen, Abschlußbrennen, Testen und Verpacken. 2 ist eine Blockdarstellung welche die detaillierten Prozeduren des mit der vorliegenden Erfindung verwendeten Aufbauprozesses darstellt. 2, welche als die Erfindung bezeichnet werden kann, wird nachstehend im Detail beschrieben. Die restlichen Prozesse können identisch oder ähnlich denen sein, welche bei der Herstellung typischer mehrlagiger keramischer Komponenten verwendet werden. 3 ist eine Explosionsdarstellung einer typischen mehrlagigen keramischen Induktionsspule 16. Gemäß Darstellung enthält die Induktionsspule verschiedene auf dem Substrat 20 ausgebildete Spulenlagen 18. Gemäß Darstellung ist jede Spulenlage 18 elektrisch mit den benachbarten Spulenlagen 18 über Durchkontaktierungen 22 verbunden. Die in 3 dargestellten Durchkontaktierungen 22 sollen allgemein sein, um lediglich deren Zweck zum Verbinden benachbarter Spulenlagen 18 dazustellen. Typischerweise besteht ein fertiggestellter keramischer Aufbauwafer aus einer großen Anzahl einzelner Chipinduktionsspulen 10 gemäß Darstellung in 4. Der Wafer 24 wird später in die einzelnen Chips 10 geschnitten oder unterteilt. Die Chips werden dann in der vorstehend beschriebenen Art verarbeitet, was zu einer fertigen Komponente führt.
  • Die vorliegende Erfindung beruht auf der Physik von Oberflächen und der Oberflächenspannung. Daher folgt ein Hintergrund der Physik und Chemie in Verbindung mit der vorliegenden Erfindung. Die Oberflächenspannung ist definiert als: γAB = γAC + γBC·cos(δ)wobei γAB die Oberflächenspannung zwischen einem Festkörper A und einer Flüssigkeit B ist, γAC die Oberflächenspannung zwischen einem Festkörper A und Luft C ist, γBC die Oberflächenspannung zwischen einer Flüssigkeit B und Luft C ist, und δ der Kontaktwinkel gemäß Definition in 5 ist. 6 und 7 stellen die Benetzungswinkel in dem nachstehend im Detail beschriebenen Durchkontaktierungsausbildungsprozeß dar. Idealerweise wird zur Durchkontaktierungsausbildung eine Nicht-Benetzung bevorzugt, wobei cos(δ) < 0, d. h., δ > 90° oder γAB << γAC ist, oder wenigstens eine schlechte Benetzung für die Ausbildung erforderlich ist: δ ~ 90°, d. h., δ ~ 0°; γAB ≈ γAC und/oder γBC sehr hoch ist. Wenn δ < 90° ist, ist dieses als Benetzung definiert, welche keine Durchkontaktierungen ausbildet.
  • Die (nachstehend im Detail beschriebene) Erfindung auf die Praxis reduziert, werden die nachstehenden Tintentypen oder Kombinationen davon bevorzugt verwendet: Eine zu einem wäßrigen Brei hydrophobe Durchkontaktierungstinte; eine zu einem Lösungsmittelbasisbrei organophobe Durchkontaktierungstinte; eine wachsartige Durchkontaktierungspunkttinte; eine Heißschmelzdurchkontaktierungstinte; eine ein Lösungsmittel mit hohem Molekulargewicht enthaltende Durchkontaktierungstinte, welche eine sehr niedrige chemische Affinität zu dem Breisystem aufweist; eine ein Tensid mit einer hohen Oberflächenspannung zu dem Breisystem enthaltende Durchkontaktierungstinte; ein zu der Durchkontaktierungstinte chemisch inkompatibles Breisystem; ein Fluid mit sehr hoher Oberflächenspannung in dem Breisystem; eine Durchkontaktierungspunkttinte und ein Breisystem, um die Anforderungen: γAB > γAC; oder γAB ~ γAC und/oder γBC sehr hoch, zu erfüllen. Um die Qualität zu verbessern, ist eine glatte Oberfläche der Durchkontaktierungspunkte erwünscht.
  • Ein weiterer wichtiger Faktor, der die Durchkontaktierungsausbildung der vorliegenden Erfindung verbessert ist eine niedrige Oberflächenreibung oder ein niedriger Oberflächenreibungskoeffizient. Die Formel für den Oberflächenreibungskoeffizienten ist: Cf = 2F/pSV2.
  • Dabei ist ρ die Fluiddichte, V die Geschwindigkeit der ungestörten Strömung, F die Gesamtoberflächenreibungskraft und S die benetzte Fläche der Körperoberfläche ist. Cf verringert sich mit der Reynolds-Zahl sowohl in der laminaren als auch in der turbulenten Strömung. Die Oberflächenrauhigkeit ist sowohl als ein Faktor im Ausfällungsübergang in der laminaren Strömung als auch deshalb wichtig, weil sie eine Oberflächenreibung in der turbulenten Strömung erhöht.
  • Wie es in der vorstehenden Gleichung zu sehen ist, ist der Oberflächenreibungskoeffizient Cf umso niedriger, je höher die Geschwindigkeit V ist. Aufgrund der Viskosität und Bewegungsenergie des Breis während und nach dem Gießen fließt er mit einer Geschwindigkeit V proportional zu der relativen Geschwindigkeit des Gießkopfes. Daher sind für den Brei ein Wegbewegen und die Ausbildung einer (nachstehend beschriebenen) Durchkontaktierung um so leichter, je schneller die Gießgeschwindigkeit ist.
  • 8 stellt den Beginn des Aufbauprozesses dar. Wie in 8 dargestellt, wird ein keramischer Brei 26 auf einen Träger 28 gegossen, um eine Basis auszubilden. Der Träger 28 kann aus einem Film, einem rostfreien Stahlblech, einer Metallplatte oder einem Substrat usw. bestehen. Der Träger 28 stellt eine Unterstützung für die keramischen Lagen während des Aufbauprozesses bereit. Die keramische Basis wird normalerweise zum Schutz der Komponente sowie des Schaltkreises in elektrischer und/oder magnetischer Form verwendet. Bei einigen Gelegenheiten wird die Basis nicht benötigt. Die Basis kann eine einfach oder mehrfach gegossene Keramik abhängig von der Dicke der Basis und der Dicke einer Gießschicht sein. Ein Trocknungsschritt folgt jedem Gießen (siehe 2).
  • Gemäß Darstellung in 9 wird ein Leitermuster 30 auf die Keramikbasis bei der vorbestimmten Position und dem Mus ter aufgedruckt. Für eine oberflächenmontierbare Chipkomponente, wie z. B. eine mehrlagige keramische induktive Komponente, stellen die Hersteller typischerweise Tausende von Chips in einer Aufbaupalette her, um den Produktionswirkungsgrad zu erhöhen. Daher wird ein Muster von Tausenden von Leiterspulen auf die Keramikbasis aufgedruckt (siehe 4). Der Leiteraufdruck 30 wird dann getrocknet und von einem Aufdruck der Durchkontaktierungspunkte 32 auf den Leiterspulen 30 gemäß Darstellung in 10 gefolgt. Nach dem Aufdrucken der Durchkontaktierungspunkte 32 läßt man die Durchkontaktierungspunkte 32 trocknen. Man beachte, daß die Ausrichtung der Durchkontaktierungspunkte 32 auf den Spulen 30 in dem Prozeß der vorliegenden Erfindung sehr kritisch ist. Da die Spulen 30 durch die Lagen hindurch gemäß Darstellung in 1 und 3 in Reihe geschaltet sind, unterbricht eine einzige Fehlverbindung die Reihenschaltung und macht die Induktionsspule funktionsunfähig. Die Durchkontaktierungspunkte 32 werden mit einer (vorstehend beschriebenen) speziellen Formulierung einer Leitertinte aufgedruckt, welche (ebenfalls vorstehend beschriebene) physikalische und/oder chemische Kräfte induziert, um mit dem keramischen Brei in Wechselwirkung zu treten, welcher in den nächsten Prozeßschritt (siehe 2) aufgegossen wird. 11 stellt den über die Spulen 30 und die Durchkontaktierungspunkte 32 gegossenen keramischen Brei 34 dar. Nach dem Gießen deckt die Lage des keramischen Breis 34 die vorherige keramische Lage 26, das Leitermuster 30 und die Durchkontaktierungspunkte 32 ab. An diesem Punkt wird der keramische Brei 34 nicht sofort getrocknet und für etwa 2 bis 30 Sekunden bei Raumtemperatur gehalten, bevor er in einen Trockner eintritt. Diese Zeitdauer wird dazu genutzt, den Brei 34 in einem Fluidzustand zu halten und um den Wechselwirkungskräften zu ermöglichen, den Brei von der Oberseite der Oberfläche der Durchkontaktierungspunkte 32 zu vertrei ben. Gemäß Darstellung in 12 wird ein Durchkontaktierungsloch 36 auf der Oberseite des Durchkontaktierungspunktes 32 erzeugt. Nach dem Trocknen schrumpft die Keramiklage 34 auf eine Dicke äquivalent den Durchkontaktierungspunkten 32. Der vorstehend beschriebene Prozeß stellt eine spontane Ausbildung von Durchkontaktierungslöchern bereit.
  • Wie es in der Blockdarstellung von 2 dargestellt ist, kann der Prozeß, wenn mehr Lagen erwünscht sind, fortgesetzt werden. In diesem Falle wird ein zusätzliches Leitermuster aufgedruckt, und eine Leiterspule 30' stellt eine Verbindung mit dem Durchkontaktierungsleiter 32 gemäß Darstellung in 13 her. Nachdem der Aufdruck getrocknet ist, werden zusätzliche Durchkontaktierungspunkte 32 gedruckt und getrocknet und von der vorstehend beschriebenen Keramikaufgießung, Durchkontaktierungsausbildung und Trocknung gefolgt. Eine Wiederholung des Leiterdruck-, Durchkontaktierungspunktdruck-, Keramikgießzyklus kann durchgeführt werden, bis eine gewünschte Anzahl von Lagen erreicht ist. Zum Schluß wird ein oberstes Leitermuster 38 aufgedruckt und getrocknet. Das Leitermuster 38 stellt einen Pfad zur Verbindung der internen Spule mit dem externen Anschluß in derselben Weise dar, wie es der untere Leiter macht. Zum Schluß wird eine oberste keramische Lage 40 oder eine Abdeckung gegossen und getrocknet, um den Aufbauzyklus gemäß Darstellung in 14 abzuschließen.
  • Eine vordefinierte Warte/Trocknungs-Dauer wird zugelassen, um Qualität und Wirkungsgrad des Schnittes sicherzustellen. Der mehrlagige Keramikwafer 24 wird dann in einzelne Komponenten 10 gemäß Darstellung in 15 geschnitten oder unterteilt. Man beachte, daß der in den 4 und 15 dargestellte Wafer 24 nur 40 Komponenten 10 enthält, obwohl wesentlich mehr Komponenten auf einem einzigen Wafer enthalten sein können. Alle von den abgetrennten einzelnen Komponenten 10 werden dann in keramischen Substraten untergebracht, und in einen Sinterofen geladen. Der Sinterungsprozeß verschmilzt die einzelnen Lagen der Keramik zu einem dichten Körper welcher die Leiterspulen im Inneren einschließt. Nach dem Sinterungsprozeß werden die Komponenten 10 getrommelt, um die Ecken gemäß Darstellung in 16 abzurunden. Anschließend wird eine Silberpaste auf die Enden des Keramikchips 10 durch Eintauchen, Streichen oder irgendein äquivalentes Verfahren aufgebracht. Nach dem Brennen verschmilzt das Silber mit den leitenden Anschlüssen, und umgibt den keramischen Körper gemäß Darstellung in 17. Die Barrierelagen werden auf den Silberanschlüssen für die Oberflächenmontageanwendungen plattiert. 17 stellt die sich ergebenden Anschlüsse 42 dar, welche erzeugt werden. Die fertiggestellte Komponente 10 ist in einer Schnittansicht in 18 dargestellt. Man beachte, daß 17 eine vereinfachte Ansicht ist, welche lediglich die relative Platzierung der Spulenlagen 30, 30' und der obersten Lage 38 veranschaulicht.
  • 19 bis 22 veranschaulichen einen alternativen Prozeß welcher mit der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann, nämlich einen Trockenfolien- oder Bandprozeß. Gemäß Darstellung in 19 werden erste Durchkontaktierungspunkte 44 auf einen Trägerfilm 46 aufgedruckt. Nach dem Trocknen wird keramischer Brei 48 auf den Film 46 und die Punkte 44 gegossen (20). Die physikalischen und/oder chemischen Kräfte vertreiben den Brei auf der Oberseite der Oberfläche des Durchkontaktierungspunktes 44 wie vorstehend beschrieben. Die Durchkontaktierungslöcher werden dann in derselben Weise wie vorstehend beschrieben ausgebildet. Nachdem der keramische Brei 48 getrocknet ist, werden die mit einem Leiter gefüllten Durchkontaktierungslöcher in die keramische Schicht 48 eingebettet (21). Ein Leitermuster 42 wird dann auf die kera mische Schicht 48 aufgedruckt, wobei ein Kontakt mit dem Durchkontaktierungsleiter 44 hergestellt wird. Nach dem Trocknen kann die Keramik/Leiter-Anordnung für eine spätere Anwendung zum Bauen von Bauelementen mit Zwischenverbindungen gelagert werden. In der Herstellung von mehrlagigen Bauteilen mit Zwischenverbindungen wird die keramische Schicht/Band mit gefüllten Durchkontaktierungslöchern und aufgedruckten Leitermustern ausgerichtet, gestapelt, drucklaminiert und geschnitten. Die einzelnen Teile durchlaufen die vorstehend erwähnten Prozesse: Organstoffe ausbrennen, Brennen Trommeln, Anschließen, Testen und Verpacken.
  • Die vorstehend beschriebene spontane Durchkontaktierungslochausbildung kann auch zur Herstellung anderer Bauelemente verwendet werden, einschließlich, jedoch nicht darauf beschränkt, mehrlagiger gedruckter Leiterplatten, Gehäuse von integrierten Schaltungen, integrierte LC-, LR-, LCR-Bauteile, Transformatoren, elektronische Filter und alle anderen mehrlagigen Bauteile mit Schaltkreisen mit Zwischenverbindungen. Die Trennungsschichten können Keramik oder irgendein anderer Typ sein.
  • Die bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wurde in den Zeichnungen und der Beschreibung dargestellt und obwohl spezifische Begriffe verwendet werden, werden diese nur in einem allgemeinen oder beschreibenden Sinne verwendet und nicht für Zwecke der Einschränkung verwendet. Veränderungen in der Form und Abmessung von Teilen sowie in der Ersetzung von Äquivalenten werden falls es die Umstände erfordern, oder zweckdienlich machen in Betracht gezogen, ohne von dem Erfindungsgedanken und Schutzumfang der Erfindung abzuweichen, wie er ausführlicher in den nachstehenden Ansprüchen definiert ist.

Claims (9)

  1. Verfahren zum Erzeugen eines mehrlagigen Keramikbauteils mit mehreren leitenden Lagen und Zwischenverbindungen zwischen benachbarten leitenden Lagen, wobei das Verfahren die Schritte umfaßt: Bereitstellen einer keramischen Basis; Drucken eines ersten leitenden Musters auf die Basis; Drucken eines zweiten leitenden Musters über das erste leitende Muster, wobei das zweite leitende Muster eine obere Oberfläche und eine der Größe und Lage einer gewünschten Zwischenverbindung entsprechende Größe und Lage besitzt; Gießen einer Menge keramischen Breis über die keramische Basis, das erste leitende Muster und das zweite leitende Muster unter Steuerung der Dicke der keramischen Lage in der Weise, daß eine hohe Oberflächenspannung zwischen dem keramischen Brei und dem zweiten leitenden Muster den keramischen Brei in dem Bereich der oberen Oberfläche des zweiten leitenden Musters heraustreibt; Trocknen lassen der keramischen Lage; und Drucken eines dritten leitenden Musters über die getrocknete keramische Lage und über das zweite leitende Muster, wobei das zweite leitende Muster eine Zwischenverbindung zwischen dem ersten leitenden Muster und dem dritten leitendem Muster ausbildet.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, welches ferner den Schritt der Erzeugung einer keramischen Kappe über der getrockneten Keramiklage und dem leitenden Muster umfaßt.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, welches ferner den Schritt der Ausbildung leitender Anschlüsse an entgegengesetzten Enden des keramischen Bauteils umfaßt.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, wobei die Schritte des Drucks eines ersten leitenden Musters, des Drucks eines zweiten leitenden Musters, und des Gießens einer Menge keramischen Breis wiederholt werden, um die Anzahl der Lagen in dem mehrlagigen Bauteil zu erhöhen.
  5. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei eine Vielzahl von mehrlagigen keramischen Bauteilen gleichzeitig in einer Waferform erzeugt und später in einzelne Bauteile getrennt werden.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt des Drucks eines zweiten leitenden Musters über das erste leitende Muster, das Drucken eines leitenden Durchkontaktierungspunkts auf das erste leitende Muster dort umfaßt, wo eine Zwischenverbindung gewünscht ist.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, welches ferner das Offenlassen einer oberen Oberfläche des Durchkontaktierungspunktes durch die Keramiklage hindurch umfaßt.
  8. Verfahren nach Anspruch 6, welches ferner die Schritte des Drucks eines zweiten Durchkontaktierungspunkts auf das dritte leitende Muster, dort wo eine zweite Zwischenverbindung gewünscht ist; das Gießen einer zweiten keramischen Lage über die keramische Lage, das dritte leitende Muster und den zweiten leitenden Durchkontaktierungspunkt; das Trocknen lassen der zweiten keramischen Lage; und das Drucken eines vierten leitenden Musters über die getrocknete zweite keramische Lage und über den zweiten leitenden Durchkontaktierungspunkt umfaßt.
  9. Verfahren nach Anspruch 6, welches ferner das Ausbilden des ersten leitenden Musters und des zweiten leitenden Musters in Abschnitte einer leitenden Spule umfaßt.
DE69913610T 1998-06-24 1999-06-23 Herstellung von Durchkontaktierungen für mehrlagige, induktive oder andere Bauteile Expired - Fee Related DE69913610T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/103,962 US6207234B1 (en) 1998-06-24 1998-06-24 Via formation for multilayer inductive devices and other devices
US103962 1998-06-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69913610D1 DE69913610D1 (de) 2004-01-29
DE69913610T2 true DE69913610T2 (de) 2004-09-30

Family

ID=22297941

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69913610T Expired - Fee Related DE69913610T2 (de) 1998-06-24 1999-06-23 Herstellung von Durchkontaktierungen für mehrlagige, induktive oder andere Bauteile

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6207234B1 (de)
EP (1) EP0967624B1 (de)
JP (1) JP3500567B2 (de)
DE (1) DE69913610T2 (de)
HK (1) HK1024332A1 (de)

Families Citing this family (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100328710B1 (ko) 1999-08-23 2002-03-20 박종섭 인덕터 및 그의 제조방법
US6689976B1 (en) * 2002-10-08 2004-02-10 Agilent Technologies, Inc. Electrically isolated liquid metal micro-switches for integrally shielded microcircuits
US7078849B2 (en) * 2001-10-31 2006-07-18 Agilent Technologies, Inc. Longitudinal piezoelectric optical latching relay
JP4039035B2 (ja) * 2001-10-31 2008-01-30 セイコーエプソン株式会社 線パターンの形成方法、線パターン、電気光学装置、電子機器、非接触型カード媒体
US20030178388A1 (en) * 2002-03-22 2003-09-25 Phillips Kenneth L. Inverted micro-vias
US6741767B2 (en) * 2002-03-28 2004-05-25 Agilent Technologies, Inc. Piezoelectric optical relay
US20030194170A1 (en) * 2002-04-10 2003-10-16 Wong Marvin Glenn Piezoelectric optical demultiplexing switch
US6927529B2 (en) 2002-05-02 2005-08-09 Agilent Technologies, Inc. Solid slug longitudinal piezoelectric latching relay
US6750594B2 (en) 2002-05-02 2004-06-15 Agilent Technologies, Inc. Piezoelectrically actuated liquid metal switch
US6756551B2 (en) 2002-05-09 2004-06-29 Agilent Technologies, Inc. Piezoelectrically actuated liquid metal switch
US6855898B2 (en) * 2002-12-12 2005-02-15 Agilent Technologies, Inc. Ceramic channel plate for a switch
US7022926B2 (en) * 2002-12-12 2006-04-04 Agilent Technologies, Inc. Ultrasonically milled channel plate for a switch
US6774324B2 (en) 2002-12-12 2004-08-10 Agilent Technologies, Inc. Switch and production thereof
US6743990B1 (en) 2002-12-12 2004-06-01 Agilent Technologies, Inc. Volume adjustment apparatus and method for use
US6787719B2 (en) * 2002-12-12 2004-09-07 Agilent Technologies, Inc. Switch and method for producing the same
US20040112727A1 (en) * 2002-12-12 2004-06-17 Wong Marvin Glenn Laser cut channel plate for a switch
US6806793B2 (en) * 2002-12-13 2004-10-19 International Business Machines Corporation MLC frequency selective circuit structures
US7019235B2 (en) * 2003-01-13 2006-03-28 Agilent Technologies, Inc. Photoimaged channel plate for a switch
US6809277B2 (en) * 2003-01-22 2004-10-26 Agilent Technologies, Inc. Method for registering a deposited material with channel plate channels, and switch produced using same
US6747222B1 (en) * 2003-02-04 2004-06-08 Agilent Technologies, Inc. Feature formation in a nonphotoimagable material and switch incorporating same
US6825429B2 (en) * 2003-03-31 2004-11-30 Agilent Technologies, Inc. Hermetic seal and controlled impedance RF connections for a liquid metal micro switch
US6961487B2 (en) * 2003-04-14 2005-11-01 Agilent Technologies, Inc. Method and structure for a pusher-mode piezoelectrically actuated liquid metal optical switch
US6762378B1 (en) 2003-04-14 2004-07-13 Agilent Technologies, Inc. Liquid metal, latching relay with face contact
US6831532B2 (en) * 2003-04-14 2004-12-14 Agilent Technologies, Inc. Push-mode latching relay
US6924443B2 (en) * 2003-04-14 2005-08-02 Agilent Technologies, Inc. Reducing oxides on a switching fluid in a fluid-based switch
US6765161B1 (en) 2003-04-14 2004-07-20 Agilent Technologies, Inc. Method and structure for a slug caterpillar piezoelectric latching reflective optical relay
US6956990B2 (en) * 2003-04-14 2005-10-18 Agilent Technologies, Inc. Reflecting wedge optical wavelength multiplexer/demultiplexer
US7071432B2 (en) * 2003-04-14 2006-07-04 Agilent Technologies, Inc. Reduction of oxides in a fluid-based switch
US6903492B2 (en) * 2003-04-14 2005-06-07 Agilent Technologies, Inc. Wetting finger latching piezoelectric relay
US6879088B2 (en) * 2003-04-14 2005-04-12 Agilent Technologies, Inc. Insertion-type liquid metal latching relay array
US6891116B2 (en) * 2003-04-14 2005-05-10 Agilent Technologies, Inc. Substrate with liquid electrode
US6891315B2 (en) * 2003-04-14 2005-05-10 Agilent Technologies, Inc. Shear mode liquid metal switch
US6946775B2 (en) * 2003-04-14 2005-09-20 Agilent Technologies, Inc. Method and structure for a slug assisted longitudinal piezoelectrically actuated liquid metal optical switch
US6803842B1 (en) 2003-04-14 2004-10-12 Agilent Technologies, Inc. Longitudinal mode solid slug optical latching relay
US6882088B2 (en) * 2003-04-14 2005-04-19 Agilent Technologies, Inc. Bending-mode latching relay
US6774325B1 (en) 2003-04-14 2004-08-10 Agilent Technologies, Inc. Reducing oxides on a switching fluid in a fluid-based switch
US6903493B2 (en) * 2003-04-14 2005-06-07 Agilent Technologies, Inc. Inserting-finger liquid metal relay
US6876130B2 (en) * 2003-04-14 2005-04-05 Agilent Technologies, Inc. Damped longitudinal mode latching relay
US6920259B2 (en) * 2003-04-14 2005-07-19 Agilent Technologies, Inc. Longitudinal electromagnetic latching optical relay
US6894237B2 (en) * 2003-04-14 2005-05-17 Agilent Technologies, Inc. Formation of signal paths to increase maximum signal-carrying frequency of a fluid-based switch
US6838959B2 (en) * 2003-04-14 2005-01-04 Agilent Technologies, Inc. Longitudinal electromagnetic latching relay
US6794591B1 (en) 2003-04-14 2004-09-21 Agilent Technologies, Inc. Fluid-based switches
US6906271B2 (en) * 2003-04-14 2005-06-14 Agilent Technologies, Inc. Fluid-based switch
US6903490B2 (en) * 2003-04-14 2005-06-07 Agilent Technologies, Inc. Longitudinal mode optical latching relay
US7012354B2 (en) * 2003-04-14 2006-03-14 Agilent Technologies, Inc. Method and structure for a pusher-mode piezoelectrically actuated liquid metal switch
US6946776B2 (en) * 2003-04-14 2005-09-20 Agilent Technologies, Inc. Method and apparatus for maintaining a liquid metal switch in a ready-to-switch condition
US6879089B2 (en) * 2003-04-14 2005-04-12 Agilent Technologies, Inc. Damped longitudinal mode optical latching relay
US6798937B1 (en) 2003-04-14 2004-09-28 Agilent Technologies, Inc. Pressure actuated solid slug optical latching relay
US6740829B1 (en) 2003-04-14 2004-05-25 Agilent Technologies, Inc. Insertion-type liquid metal latching relay
US6888977B2 (en) * 2003-04-14 2005-05-03 Agilent Technologies, Inc. Polymeric liquid metal optical switch
US7048519B2 (en) * 2003-04-14 2006-05-23 Agilent Technologies, Inc. Closed-loop piezoelectric pump
US6925223B2 (en) * 2003-04-14 2005-08-02 Agilent Technologies, Inc. Pressure actuated optical latching relay
US6768068B1 (en) 2003-04-14 2004-07-27 Agilent Technologies, Inc. Method and structure for a slug pusher-mode piezoelectrically actuated liquid metal switch
US6894424B2 (en) * 2003-04-14 2005-05-17 Agilent Technologies, Inc. High frequency push-mode latching relay
US6876131B2 (en) * 2003-04-14 2005-04-05 Agilent Technologies, Inc. High-frequency, liquid metal, latching relay with face contact
US6885133B2 (en) * 2003-04-14 2005-04-26 Agilent Technologies, Inc. High frequency bending-mode latching relay
US6903287B2 (en) * 2003-04-14 2005-06-07 Agilent Technologies, Inc. Liquid metal optical relay
US6841746B2 (en) * 2003-04-14 2005-01-11 Agilent Technologies, Inc. Bent switching fluid cavity
US6876133B2 (en) * 2003-04-14 2005-04-05 Agilent Technologies, Inc. Latching relay with switch bar
US6818844B2 (en) * 2003-04-14 2004-11-16 Agilent Technologies, Inc. Method and structure for a slug assisted pusher-mode piezoelectrically actuated liquid metal optical switch
US6900578B2 (en) * 2003-04-14 2005-05-31 Agilent Technologies, Inc. High frequency latching relay with bending switch bar
US6730866B1 (en) 2003-04-14 2004-05-04 Agilent Technologies, Inc. High-frequency, liquid metal, latching relay array
US6770827B1 (en) 2003-04-14 2004-08-03 Agilent Technologies, Inc. Electrical isolation of fluid-based switches
US6816641B2 (en) * 2003-04-14 2004-11-09 Agilent Technologies, Inc. Method and structure for a solid slug caterpillar piezoelectric optical relay
US6876132B2 (en) * 2003-04-14 2005-04-05 Agilent Technologies, Inc. Method and structure for a solid slug caterpillar piezoelectric relay
US7070908B2 (en) * 2003-04-14 2006-07-04 Agilent Technologies, Inc. Feature formation in thick-film inks
US20040201447A1 (en) * 2003-04-14 2004-10-14 Wong Marvin Glenn Thin-film resistor device
US6870111B2 (en) * 2003-04-14 2005-03-22 Agilent Technologies, Inc. Bending mode liquid metal switch
US6750413B1 (en) 2003-04-25 2004-06-15 Agilent Technologies, Inc. Liquid metal micro switches using patterned thick film dielectric as channels and a thin ceramic or glass cover plate
US6777630B1 (en) 2003-04-30 2004-08-17 Agilent Technologies, Inc. Liquid metal micro switches using as channels and heater cavities matching patterned thick film dielectric layers on opposing thin ceramic plates
US6759610B1 (en) 2003-06-05 2004-07-06 Agilent Technologies, Inc. Multi-layer assembly of stacked LIMMS devices with liquid metal vias
US6833520B1 (en) * 2003-06-16 2004-12-21 Agilent Technologies, Inc. Suspended thin-film resistor
US6759611B1 (en) 2003-06-16 2004-07-06 Agilent Technologies, Inc. Fluid-based switches and methods for producing the same
US6781074B1 (en) 2003-07-30 2004-08-24 Agilent Technologies, Inc. Preventing corrosion degradation in a fluid-based switch
US6787720B1 (en) 2003-07-31 2004-09-07 Agilent Technologies, Inc. Gettering agent and method to prevent corrosion in a fluid switch
KR100665114B1 (ko) * 2005-01-07 2007-01-09 삼성전기주식회사 평면형 자성 인덕터의 제조 방법
JP4844045B2 (ja) * 2005-08-18 2011-12-21 Tdk株式会社 電子部品及びその製造方法
FR2925222B1 (fr) 2007-12-17 2010-04-16 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'une interconnexion electrique entre deux couches conductrices
WO2012014692A1 (ja) * 2010-07-29 2012-02-02 株式会社村田製作所 セラミック多層基板およびその製造方法
JP5280500B2 (ja) * 2011-08-25 2013-09-04 太陽誘電株式会社 巻線型インダクタ
KR20130051614A (ko) * 2011-11-10 2013-05-21 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자 부품 및 그 제조 방법
KR102052596B1 (ko) * 2014-06-25 2019-12-06 삼성전기주식회사 칩형 코일 부품 및 그 제조방법
KR101693749B1 (ko) * 2015-04-06 2017-01-06 삼성전기주식회사 인덕터 소자 및 그 제조방법
DE102015206173A1 (de) * 2015-04-07 2016-10-13 Würth Elektronik eiSos Gmbh & Co. KG Elektronisches Bauteil und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauteils
KR20180022847A (ko) * 2015-06-30 2018-03-06 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 비아를 포함하는 전자 디바이스 및 그러한 전자 디바이스를 형성하는 방법
WO2017124200A2 (en) * 2016-01-20 2017-07-27 Jaquet Technology Group Ag Manufacturing method for a sensing element and sensor device
US20200105453A1 (en) * 2018-10-01 2020-04-02 Texas Instruments Incorporated Inkjet printed electronic components

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5302932A (en) * 1992-05-12 1994-04-12 Dale Electronics, Inc. Monolythic multilayer chip inductor and method for making same
JPH07167747A (ja) 1993-12-14 1995-07-04 Hitachi Ltd 内燃機関の二次空気供給システムの故障診断装置
US5650199A (en) * 1995-11-22 1997-07-22 Aem, Inc. Method of making a multilayer electronic component with inter-layer conductor connection utilizing a conductive via forming ink

Also Published As

Publication number Publication date
DE69913610D1 (de) 2004-01-29
US6207234B1 (en) 2001-03-27
JP3500567B2 (ja) 2004-02-23
EP0967624A3 (de) 2001-03-28
JP2000114085A (ja) 2000-04-21
EP0967624A2 (de) 1999-12-29
HK1024332A1 (en) 2000-10-05
EP0967624B1 (de) 2003-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69913610T2 (de) Herstellung von Durchkontaktierungen für mehrlagige, induktive oder andere Bauteile
DE60011515T2 (de) Herstellung von Keramiksubstraten und ungesintertes Keramiksubstrat
DE69835659T2 (de) Mehrschichtiges keramisches Substrat mit einem passiven Bauelement, sowie Herstellungsverfahren
DE2330732C2 (de) Schaltungskarte als Träger für elektrische Leitungen und Bauelemente
DE69733714T2 (de) Verfahren zur kontrolle der kavitätabmessungen gebrannter vielschichtschaltungsplatinen auf einem träger
DE69531373T2 (de) Induktivität und zugehöriges Herstellungsverfahren
DE69931846T2 (de) Herstellungsmethode eines Mehrlagensubstrates
DE102006050890B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte mit feinen Leiterstrukturen und lötaugenfreien Durchkontaktierungen
DE102012216101B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer in einem Substrat integrierten Spule, Verfahren zur Herstellung einer mehrschichtigen Leiterplatte und elektronisches Gerät
DE69730629T2 (de) Leiterplatte und Elektronikkomponente
DE10000090A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer mehrlagigen Planarspule
DE102004045719B4 (de) Gedruckte-Schaltungsplatine-Testzugangspunktstrukturen und Verfahren zum Herstellen derselben
DE4421772C2 (de) Festelektrolytkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102005031165A1 (de) Leiterplatte mit dreidimensionalem, spiralförmigen, induktivem Bauelement und Verfahren zur Herstellung davon
DE69837134T2 (de) Herstellung eines mehrschichtigen keramischen Substrats mit einem passiven Bauelement
EP0016925B1 (de) Verfahren zum Aufbringen von Metall auf Metallmuster auf dielektrischen Substraten
DE3738343A1 (de) Schaltkreissubstrat
DE10317675B4 (de) Keramisches Multilayersubstrat und Verfahren zu seiner Herstellung
DE4020498C2 (de) Verfahren zum Herstellen von Multiwire-Leiterplatten mit isolierten Metalleitern und/oder optischen Leitern
DE69816305T2 (de) Mehrschichtinduktor mit hoher eigenresonanzfrequenz und verfahren zur herstellung
DE4434913A1 (de) Mikrochipschmelzsicherung und Verfahren zu ihrer Herstellung
WO2020025500A1 (de) Verfahren zur herstellung eines induktiven bauelements und induktives bauelement
DE102004047045A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Leiterplatte in paralleler Weise
DE102020102362B4 (de) Komponententräger mit Brückenstruktur in einem Durchgangsloch, das die Designregel für den Mindestabstand erfüllt
DE60037780T2 (de) Variables induktives Element

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee