DE69927996T2 - Scharfe, orientierte druckkontaktspitze - Google Patents

Scharfe, orientierte druckkontaktspitze Download PDF

Info

Publication number
DE69927996T2
DE69927996T2 DE69927996T DE69927996T DE69927996T2 DE 69927996 T2 DE69927996 T2 DE 69927996T2 DE 69927996 T DE69927996 T DE 69927996T DE 69927996 T DE69927996 T DE 69927996T DE 69927996 T2 DE69927996 T2 DE 69927996T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
knife
tip structure
tip
connecting element
trench
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69927996T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69927996D1 (de
Inventor
N. Benjamin ELDRIDGE
W. Gary GRUBE
Y. Igor KHANDROS
Alec Madsen
L. Gaetan MATHIEU
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
FormFactor Inc
Original Assignee
FormFactor Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=22698665&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DE69927996(T2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by FormFactor Inc filed Critical FormFactor Inc
Publication of DE69927996D1 publication Critical patent/DE69927996D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69927996T2 publication Critical patent/DE69927996T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R4/00Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
    • H01R4/24Connections using contact members penetrating or cutting insulation or cable strands
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02Contact members
    • H01R13/22Contacts for co-operating by abutting
    • H01R13/24Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted
    • H01R13/2407Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the resilient means
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/06711Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/06711Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06716Elastic
    • G01R1/06727Cantilever beams
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/50Fixed connections
    • H01R12/51Fixed connections for rigid printed circuits or like structures
    • H01R12/55Fixed connections for rigid printed circuits or like structures characterised by the terminals
    • H01R12/57Fixed connections for rigid printed circuits or like structures characterised by the terminals surface mounting terminals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02Contact members
    • H01R13/22Contacts for co-operating by abutting
    • H01R13/24Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted
    • H01R13/2442Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted with a single cantilevered beam
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R4/00Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
    • H01R4/26Connections in which at least one of the connecting parts has projections which bite into or engage the other connecting part in order to improve the contact
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R2201/00Connectors or connections adapted for particular applications
    • H01R2201/20Connectors or connections adapted for particular applications for testing or measuring purposes
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49004Electrical device making including measuring or testing of device or component part
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49128Assembling formed circuit to base
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155Manufacturing circuit on or in base
    • Y10T29/49165Manufacturing circuit on or in base by forming conductive walled aperture in base

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft im Allgemeinen das Gebiet von elektrischen Verbindungs- (Kontakt-) Elementen und insbesondere Verbindungselemente und Spitzenstrukturen, die zum Bewirken von Druckverbindungen zwischen elektronischen Bauteilen geeignet sind.
  • Beschreibung des Standes der Technik
  • Im Allgemeinen können Verbindungen zwischen elektronischen Bauteilen in die zwei breiten Kategorien von "relativ dauerhaft" und "leicht demontierbar" klassifiziert werden. Ein Beispiel einer relativ dauerhaften Verbindung ist eine Lötverbindung. Sobald zwei elektronische Bauteile aneinander gelötet sind, muss ein Prozess des Entlötens verwendet werden, um die Bauteile zu trennen. Eine Drahtbondverbindung wie z.B. zwischen einem Halbleiterchip und den inneren Anschlussleitungen eines Halbleitergehäuses (oder den inneren Enden von Leiterrahmenzinken) ist ein weiteres Beispiel für eine relativ dauerhafte Verbindung.
  • Ein Beispiel für eine leicht demontierbare Verbindung sind starre Anschlussstifte eines elektronischen Bauteils, die von elastischen Steckfassungselementen eines anderen elektronischen Bauteils aufgenommen werden. Die Steckfassungselemente üben eine Kontaktkraft (Druck) auf die Anschlussstifte in einem Ausmaß aus, das ausreicht, um eine zuverlässige elektrische Verbindung zwischen diesen sicherzustellen. Eine weitere Art einer leicht demontierbaren Verbindung sind Verbindungselemente (hierin auch als Federn, Federelemente, Federkontakte oder Federkontaktelemente bezeichnet), die selbst elastisch, federnd oder in und/oder an einem Federmedium angebracht sind. Ein Beispiel eines solchen Federkontaktelements ist eine Nadel eines Nadelkartenbauteils. Solche Federkontaktelemente sollen typischerweise vorübergehende Druckverbindungen zwischen einem Bauteil, an dem sie angebracht sind, und Anschlüssen eines anderen Bauteils wie z.B. eines zu prüfenden Halbleiterbauelements herstellen.
  • Spitzenstrukturen werden häufig an einem Ende eines Verbindungselements angebracht (oder befestigt oder mit diesem gekoppelt). Spitzenstrukturen sehen eine gewünschte Spitzenform für die Verbindungselemente vor und sind bei der Bereitstellung eines Kontakts mit kleiner Fläche mit einer gesteuerten Geometrie, der einen reproduzierbaren hohen Druck erzeugt, besonders nützlich. Spitzenstrukturen werden zunehmend kritisch, wenn die Verbindungselemente selbst immer kleiner werden. Eine Spitzenstruktur kann auch topologische Strukturen auf ihrer Oberfläche aufweisen, um die Bereitstellung eines elektrischen Kontakts zwischen den zwei elektrischen Bauteilen zu unterstützen. Der Zweck der Spitzenstruktur besteht beispielsweise typischerweise darin, die nicht-leitende Schicht (häufig Korrosion, Oxidationsprodukte oder andere Arten von verunreinigten Filmen) auf den Anschlüssen des getesteten elektrischen Bauteils zu durchbrechen. Wenn eine Kontaktkraft aufgebracht wird, bringt das Verbindungselement einen Druck auf den Anschluss des zu prüfenden elektronischen Bauteils auf und bewirkt, dass die Spitzenstruktur über den Anschluss ausgelenkt wird. Diese kleine horizontale Bewegung der Spitzenstruktur über die Oberfläche des entsprechenden Anschlusses ermöglicht, dass die Spitzenstruktur die nicht-leitende Schicht auf dem Anschluss durchdringt, wodurch ein guter elektrischer Kontakt zwischen den zwei elektronischen Bauteilen hergestellt wird. Die Spitzenstruktur 10, die am Verbindungselement 12 (in 1A und 1B gezeigt) angebracht ist, weist beispielsweise ein Messer 14 auf, das seitwärts über die nicht-leitende Schicht kratzt, um einen elektrischen Kontakt zu erzielen.
  • Es gibt eine Anzahl von Problemen, die mit dem Erzielen des vorstehend beschriebenen elektrischen Kontakts verbunden sind. Wenn die Anschlusskontaktflächen auch kleiner werden, wird erstens die horizontale Bewegung der Spitzenstruktur 10 ein Problem. Wenn die Spitzenstruktur 10 dazu gebracht wird, sich über den Anschluss auszulenken (siehe 1B), kann sie zweitens auch nach unten und vom Anschluss weggedrückt werden, was verursacht, dass sich das Messer 14 der Spitzenstruktur 10 vom Anschluss wegdreht, wenn die Spitzenstruktur 10 über den Anschluss ausgelenkt wird. Die Drehung des Messers 14 weg vom Anschluss des zu prüfenden elektronischen Bauteils verringert die Möglichkeiten, dass die Spitzenstruktur einen zuverlässigen elektrischen Kontakt mit dem Anschluss des elektronischen Bauteils erzielt. Wenn die Spitzenstruktur bei einem Versuch, die nicht-leitende Oberfläche zu durchdringen und einen guten elektrischen Kontakt herzustellen, über die nicht-leitende Oberfläche des Anschlusses kratzt, tritt ferner häufig eine Streuteilchenansammlung entlang des Messers 14 und der oberen Oberfläche der Spitzenstruktur 10 auf. Diese Ansammlung kann zu einem hohen Kontaktwiderstand zwischen der Spitzenstruktur und dem Anschluss beitragen, der ungenaue Spannungspegel während der Bauelementprüfung aufgrund der über der Spitzenstruktur erzeugten Spannung verursachen kann. Die ungenauen Spannungspegel können verursachen, dass ein Bauelement fälschlich versagt, was zu niedrigeren Testausbeuten führt, wenn der Kontakt in einer Bauelementtestumgebung verwendet wird.
  • Ein Doppelschleifenkontakt für einen elektrischen Verbindungsstecker ist in US 5 573 435 offenbart. Der Verbindungsstecker ist mit einer mit Spitze versehenen Spitzenstruktur an beiden Enden versehen, die in die Oberflächen einer oberen und einer unteren Kontaktstelle eindringt, wenn ein senkrechter Kontaktdruck ausgeübt wird, indem die obere Kontaktstelle an die untere angenähert wird.
  • In US 5 230 632 ist ein elektrisches Doppelelement-Kontaktelement an beiden Enden mit Kontaktspitzen versehen. Zum Verbessern des elektrischen Kontakts, wenn zwei Kontaktstellen verbunden werden, werden dendritische Elemente auf beiden Kontaktspitzen des Kontaktelements gezüchtet.
  • US 5 092 782 offenbart eine einteilige elastomere Kartensteckerleiste mit einer Vielzahl von sägezahnförmigen Vorsprüngen, die sich in einer geneigten Richtung von einer Oberfläche erstrecken. Wenn ein elektrischer Anschluss kontaktiert wird, werden die Vorsprünge gebogen und führen eine Streifwirkung an dem kontaktierten Anschluss durch, um den elektrischen Kontakt zu verbessern.
  • Folglich ist eine Spitzenstruktur, die die Teilchenansammlung entlang eines Messers der Spitzenstruktur minimiert und den Kontaktdruck der Spitzenstruktur mit einem zu kontaktierenden Anschluss maximiert, erwünscht, ebenso wie eine elektrische Kontaktstruktur und eine Vorrichtung, die die Spitzenstruktur verwendet, und ein Verfahren zur Herstellung derselben.
  • Die Erfindung ist in den Ansprüchen 1, 18, 19 bzw. 28 definiert.
  • Spezielle Ausführungsbeispiele sind in den abhängigen Ansprüchen dargelegt.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Eine Vorrichtung und ein Verfahren, die verbesserte Verbindungselemente und Spitzenstrukturen zum Bewirken von Druckverbindungen zwischen Anschlüssen von elektronischen Bauteilen bereitstellen, werden beschrieben. Die Spitzenstruktur der vorliegenden Erfindung weist ein geschärftes Messer auf, das auf der oberen Oberfläche der Spitzenstruktur derart orientiert ist, dass die Länge des Messers zur Richtung der horizontalen Bewegung der Spitzenstruktur, wenn sich die Spitzenstruktur über den Anschluss eines elektronischen Bauteils auslenkt, im Wesentlichen parallel ist. Auf diese Weise durchschneidet das geschärfte, im Wesentlichen parallel orientierte Messer sauber irgendeine (irgendwelche) nicht-leitende(n) Schicht(en) auf der Oberfläche des Anschlusses und sieht eine zuverlässige elektrische Verbindung zwischen dem Verbindungselement und dem Anschluss des elektrischen Bauteils vor.
  • BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1A ist eine Seitenansicht eines Verbindungselements und einer Spitzenstruktur, die im Stand der Technik bekannt sind.
  • 1B ist eine Seitenansicht eines Verbindungselements und einer Spitzenstruktur, die im Stand der Technik bekannt sind, unter Auslenkung.
  • 2A ist eine Seitenansicht eines Verbindungselements und einer Spitzenstruktur der vorliegenden Erfindung.
  • 2B ist eine bildhafte Darstellung eines Ausführungsbeispiels einer Spitzenstruktur der vorliegenden Erfindung.
  • 2C ist eine Seitenansicht, die ein Verbindungselement und eine Spitzenstruktur der vorliegenden Erfindung unter Auslenkung zeigt.
  • 2D ist eine Seitenansicht eines alternativen Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung, die ein Verbindungselement mit einem im Wesentlichen parallel orientierten Messer an einem Ende zeigt.
  • 3A ist eine Querschnittsansicht eines länglichen Verbindungselements.
  • 3B ist eine Querschnittsansicht eines länglichen Verbindungselements.
  • 3C ist eine Querschnittsansicht eines länglichen Verbindungselements.
  • 4A ist eine bildhafte Darstellung eines verallgemeinerten Ausführungsbeispiels der Erfindung, die vorgefertigte Kontaktspitzenstrukturen und die Verbindungselemente, mit denen sie verbunden werden, zeigt.
  • 4B ist eine Querschnittsseitenansicht der Kontaktspitzenstrukturen von 4A, die durch Hartlöten mit den Verbindungselementen von 4A verbunden sind.
  • 4C ist eine Querschnittsseitenansicht der Kontaktspitzenstrukturen von 4A, die durch Hartlöten mit den Verbindungselementen von 1A verbunden sind, nachdem das Opfersubstrat entfernt ist.
  • 5A5C sind Querschnittsansichten von Schritten bei einem Prozess zur Herstellung von freitragenden Spitzenstrukturen auf einem Opfersubstrat für Verbindungselemente gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung.
  • 5D ist eine bildhafte Darstellung eines Ausführungsbeispiels einer freitragenden Spitzenstruktur, die auf einem Opfersubstrat ausgebildet ist, gemäß der Erfindung.
  • 5E ist eine bildhafte Darstellung eines zweiten Ausführungsbeispiels einer freitragenden Spitzenstruktur, die auf einem Opfersubstrat ausgebildet ist, gemäß der Erfindung.
  • 5F ist eine Seitenansicht, die die freitragende Spitzenstruktur von 5E an einem erhabenen Verbindungselement auf einer Oberfläche eines elektronischen Bauteils angebracht zeigt.
  • 5G ist eine Vorderansicht der freitragenden Spitzenstruktur von 5E, die an einem erhabenen Verbindungselement auf einer Oberfläche eines elektronischen Bauteils angebracht ist.
  • 5H ist eine Querschnittsansicht einer freitragenden Spitzenstruktur, die an einem erhabenen Verbindungselement, das in 5D dargestellt ist, angebracht ist.
  • 5I ist eine Seitenquerschnittsansicht eines weiteren Ausführungsbeispiels zur Herstellung von freitragenden Spitzenstrukturen gemäß einem alternativen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • 5J ist eine Querschnittsvorderansicht des Ausführungsbeispiels, das in 5I dargestellt ist.
  • 5K ist eine Seitenquerschnittsansicht der freitragenden Spitzenstruktur, die in den 5I und 5J dargestellt und an einem elektronischen Bauteil angebracht ist, gemäß einem alternativen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • 6A ist eine bildhafte Darstellung einer Spitzenstruktur der vorliegenden Erfindung mit einem Messer mit pyramidenförmigen Kanten.
  • 6B ist eine bildhafte Darstellung einer Spitzenstruktur der vorliegenden Erfindung mit diamantförmigen Kanten.
  • 7A ist eine Draufsicht auf eine Spitzenstruktur der vorliegenden Erfindung mit zwei Messern.
  • 7B ist eine Querschnittsansicht einer Spitzenstruktur der vorliegenden Erfindung mit zwei Messern, die durch eine Brücke verbunden sind.
  • 7C ist eine Querschnittsansicht einer Spitzenstruktur der vorliegenden Erfindung mit zwei Messern in einer nebeneinanderliegenden Position.
  • 8A ist eine bildhafte Darstellung einer Spitzenstruktur der vorliegenden Erfindung mit einem Messer, das ein primäres Messer und ein hinteres Messer aufweist.
  • 8B ist eine Querschnittsansicht der Spitzenstruktur von 8A.
  • 9A ist eine Querschnittsansicht einer Spitzenstruktur und eines im wesentlichen parallel orientierten Messers der vorliegenden Erfindung, die an Kobra-Sonden befestigt ist.
  • 9B ist eine Querschnittsansicht von Kobra-Sonden mit einem im Wesentlichen parallel orientierten Messer an einem Ende.
  • 10 ist eine bildhafte Darstellung einer Spitzenstruktur der vorliegenden Erfindung mit einem freistehenden Messer.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Eine Vorrichtung und ein Verfahren, die verbesserte Verbindungselemente und Spitzenstrukturen bereitstellen, die zum Bewirken von Druckverbindungen zwischen Anschlüssen von elektronischen Bauteilen geeignet sind, werden beschrieben. In der folgenden Beschreibung werden zahlreiche spezielle Details dargelegt, wie z.B. Materialarten, Abmessungen, Bearbeitungsschritte usw., um für ein gründlicheres Verständnis der vorliegenden Erfindung zu sorgen. Es ist jedoch für einen Fachmann offensichtlich, dass die Erfindung ohne diese speziellen Details ausgeführt werden kann. In anderen Fällen wurden gut bekannte Elemente und Bearbeitungsverfahren nicht in speziellem Detail gezeigt, um zu vermeiden, dass die vorliegende Erfindung unnötigerweise schwer verständlich wird. Obwohl die vorliegende Erfindung bezüglich der Verwendung als Nadel eines Nadelkartenbauteils erörtert wird, die eine elektrische Verbindung zwischen der Nadelkarte und einem Anschluss eines zu prüfenden elektrischen Bauteils bereitstellt, ist die vorliegende Erfindung ferner nicht auf die Verwendung in einer Nadelkarte begrenzt und kann verwendet werden, um elektrische Verbindungen zwischen anderen elektrischen Bauteilen unter anderen Verhältnissen vorzusehen.
  • Überblick über die vorliegende Erfindung
  • Wie vorher erörtert, gibt es eine Anzahl von Problemen, die mit der Verwendung der Verbindungselemente und Spitzenstrukturen verbunden sind, die derzeit auf dem Fachgebiet bekannt sind, um einen guten elektrischen Kontakt zwischen zwei elektronischen Bauteilen zu erzielen. Die vorliegende Erfindung wendet sich diesen Problemen zu, indem sie ein Verbindungselement mit einer Spitzenstruktur mit einem geschärften Messer bereitstellt, das auf der oberen Oberfläche der Spitzenstruktur derart orientiert ist, dass die Länge des Messers im Wesentlichen parallel (innerhalb ungefähr ± 15° parallel) zur Richtung der horizontalen Bewegung der Spitzenstruktur verläuft, wenn die Spitzenstruktur über den Anschluss des zu prüfenden elektronischen Bauteils ausgelenkt wird. Durch die Verwendung der vorliegenden Erfindung wird ein zuverlässiger elektrischer Kontakt zwischen den elektronischen Bauteilen hergestellt. Sobald die Spitzenstruktur den Anschluss des elektronischen Bauteils kontaktiert, drückt das Verbindungselement die Spitzenstruktur so, dass sie sich über die Oberfläche des Anschlusses auslenkt, so dass das Spitzenstrukturmesser die nicht-leitende(n) Schicht(en) auf der Oberfläche des Anschlusses durchschneidet (durchdringt). Das elektronische Bauteil kann eine integrierte Schaltung, eine Verbindungsplatine, ein Halbleiterwafer oder eine Leiterplatte sein.
  • 2A zeigt eine Seitenansicht der vorliegenden Erfindung, die ein Federkontaktelement 24 darstellt, das an einem Ende mit einem Substrat 26 gekoppelt ist und eine Spitzenstruktur 20 aufweist, die an einem entgegengesetzten Ende mit diesem gekoppelt ist. 2B ist eine bildhafte Darstellung der Spitzenstruktur 20 der vorliegenden Erfindung mit einem Messer 22 an der oberen Oberfläche der Spitzenstruktur 20. Bei diesem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung weist das Messer 22 ein Kontaktelement auf, dessen Flächen, wenn sie weitergeführt sind, eine Linie im Raum bilden. Wenn die Spitzenstruktur 20 mit einem Anschluss eines elektronischen Bauteils (nicht dargestellt) in Kontakt gebracht und eine Kraft aufgebracht wird, wird die Spitzenstruktur 20 über die Oberfläche des Anschlusses ausgelenkt. Wenn sich die Spitzenstruktur 20 über den Anschluss auslenkt, durchdringt das Messer 22 der Spitzenstruktur 20 die nicht-leitende Schicht auf der Oberfläche des Anschlusses. 2C ist eine Seitenansicht der vorliegenden Erfindung. Die gestrichelten Linien von 2C zeigen das Verbindungselement 24 und die Spitzenstruktur 22 nach der Auslenkung über den Anschluss. ΔX stellt das Ausmaß an seitlicher (oder horizontaler) Auslenkung der Spitzenstruktur 20 dar.
  • Das Messer 22 ist auf der oberen Oberfläche der Spitzenstruktur 20 derart orientiert, dass die Länge (L) des Messers zur Richtung der horizontalen Bewegung (ΔX) der Spitzenstruktur 20, wenn die Spitzenstruktur 20 über den Oberflächenanschluss ausgelenkt wird (siehe 2C), im Wesentlichen parallel ist. Die Orientierung des Messers 22 im Wesentlichen parallel zur Richtung der horizontalen Bewegung der Spitzenstruktur ermöglicht, dass das Messer 22 irgendeine (irgendwelche) nicht-leitende Schicht(en) auf der Oberfläche des Anschlusses durchtrennt (oder durchschneidet).
  • 2D stellt ein alternatives Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung dar, wobei das Messer 26 vielmehr am Ende des Federkontaktelements 28 selbst ausgebildet ist, als dass es sich an einer separaten Spitzenstruktur befindet. Auf diese Weise kann ein im Wesentlichen parallel orientiertes Messer 26 ohne überführte Spitzenstruktur (wie z.B. die Spitzenstruktur 20 in 2A) ausgebildet werden. Das Messer 26 kann am Ende des Federkontakts 28 durch verschiedene Verfahren, einschließlich, jedoch nicht begrenzt auf einen Plattierungs- oder maschinellen Bearbeitungsprozess (wie z.B. die Verwendung eines Stempels, einer Matrize, von Elektropolieren oder elektrostatischer Entladung), ausgebildet werden.
  • Die Orientierung des Messers 22 an der oberen Oberfläche der Spitzenstruktur 20 (oder des Messers 26, das am Ende des Federelements 28 ausgebildet ist) im wesentlichen parallel zur Richtung der horizontalen Bewegungskomponente der Spitzenstruktur 20 (nachstehend allgemein als parallele Orientierung bezeichnet) sieht zahlreiche Vorteile gegenüber Spitzenstrukturen des Standes der Technik vor. Erstens ermöglicht die parallele Orientierung der geschärften Kante entlang der Länge (L) des Messers 22, dass das Messer 22 sauber durch die nicht-leitende Schicht am Anschluss schneidet und eine gute elektrische Verbindung mit dem Anschluss des zu prüfenden elektrischen Bauteils herstellt. Im Gegensatz dazu sieht die im Wesentlichen senkrechte Orientierung der Messer von Spitzenstrukturen des Standes der Technik (d.h. wenn die Länge des Messers auf der oberen Oberfläche der Spitzenstruktur im Wesentlichen senkrecht zur Richtung der horizontalen Bewegungskomponente der Spitzenstruktur orientiert ist, wenn sich die Spitzenstruktur über die Oberfläche des getesteten Anschlusses auslenkt; siehe beispielsweise Messer 14 von 1A und 1B) eine Kratzbewegung über die nicht-leitende Schicht vor. Das Messer des Standes der Technik kratzt über die Anschlussoberfläche ganz wie ein Bulldozer eine Schmutzschicht beiseite kratzt. Die Kratzbewegung von senkrecht orientierten Messern kann die Oberfläche des Anschlusses beschädigen, verursacht häufig einen signifikanten Verschleiß und signifikante Einrisse an den Messern, was zu einer kurzen Lebensdauer der Messer führt, und führt häufig zu einer Ansammlung von Streuteilchen und der nicht-leitenden Schichten entlang des Messers. Im Gegensatz dazu umgeht das parallel orientierte Messer 22 der vorliegenden Erfindung jedes der vorstehend beschriebenen Probleme, indem es der Richtung der horizontalen Bewegungskomponente der Spitzenstruktur folgt und die nicht-leitende Schicht auf dem Anschluss sauber durchschneidet. Ferner entsteht, falls überhaupt, eine minimale Ansammlung an Teilchen entlang der Oberfläche des Messers 22, was zu einem niedrigeren Kontaktwiderstand zwischen der Spitzenstruktur und dem Anschluss führt und genauere Spannungspegel während der Prüfung erzeugt.
  • Die parallele Orientierung des Messers 22 sieht auch eine zuverlässigere elektrische Verbindung mit dem Anschluss des zu prüfenden elektronischen Bauteils vor. Wenn die Anschlüsse von elektronischen Bauteilen kleiner werden, wird jegliche Bewegung durch das Messer signifikant, da die Möglichkeit zunimmt, dass irgendeine Bewegung das Messer außerhalb des Anschlusses bewegt, so dass das Messer außerstande ist, einen elektrischen Kontakt mit dem Anschluss herzustellen. Wie in den 1B und 2C gezeigt, kann die Auslenkung der Spitzenstruktur (10, 20) über den Anschluss sowohl von dem Material als auch der Form des Verbindungselements abhängen. Bei einem Ausführungsbeispiel wird die Spitzenstruktur entlang eines im Wesentlichen sich drehenden Weges sowohl mit einer seitlichen (oder horizontalen) als auch einer vertikalen Komponente zur Bewegung ausgelenkt, was sowohl zu einer seitlichen als auch einer vertikalen Auslenkung führt, wenn die Spitzenstruktur (10, 20) nach unten und vom Anschluss weg geschoben wird. Es ist möglich, dass das senkrecht orientierte Messer 14 infolge der Drehbewegung der Spitzenstruktur 10 außerhalb die Anschlusskontaktfläche geschoben wird. Wenn die Spitzenstruktur 20 über den Anschluss ausgelenkt wird, liegt im Gegensatz dazu, selbst wenn ein Teil des Messers 22 außerhalb die Anschlusskontaktfläche bewegt wird, die restliche Länge des Messers 22 (das Hinterende) weiterhin innerhalb der Anschlusskontaktfläche. Selbst wenn das Vorderende des Messers 22 dazu gebracht wird, sich nach unten und von der Anschlusskontaktfläche weg zu drehen, bleibt ebenso das Hinterende des Messers 22 mit der Anschlussfläche in Kontakt. Auf diese Weise sieht das parallel orientierte Messer 22 des vorliegenden Erfinders eine zuverlässigere elektrische Verbindung (oder Schnittstelle) mit dem Anschluss des zu prüfenden elektrischen Bauteils vor.
  • Komponenten der vorliegenden Erfindung
  • Das Verbindungselement und die Spitzenstruktur der vorliegenden Erfindung können durch eine Vielfalt von Verfahren und aus einer Vielfalt von Materialien hergestellt werden. Die folgenden erörterten Verfahren zur Herstellung und Arten von Materialien sind nur erläuternde Beispiele und sollen die Erfindung in keiner Weise begrenzen. Andere auf dem Fachgebiet bekannte Verfahren und Materialien können auch beachtet und/oder verwendet werden.
  • Verbindungselement
  • Existierende Verbindungselemente wie z.B. längliche und/oder elastische Verbindungselemente können für das Verbindungselement der vorliegenden Erfindung (Element 24 von 2A) verwendet werden. Wenn elastische Verbindungselemente verwendet werden, ist ein zusammengesetztes Verbindungselement eine bevorzugte Form von Kontaktstruktur (Feder- oder federartiges Element). Die 3A3C stellen verschiedene Formen dar, die üblicherweise für zusammengesetzte Verbindungselemente verwendet werden. Die Spitzenstrukturen der vorliegenden Erfindung können an beliebigen federartigen Elementen verwendet werden, einschließlich jener, die hierin nachstehend erörtert sind, und jener, die im US-Patent Nr. 5 476 211 gezeigt sind.
  • In 3A umfasst ein elektrisches Verbindungselement 310 einen Kern 312 aus einem "weichen" Material (z.B. einem Material mit einer Dehngrenze von weniger als 2756 bar (40000 psi)) und einen Mantel (Überzug) 314 aus einem "harten" Material (z.B. einem Material mit einer Dehngrenze von mehr als 5512 bar (80000 psi)). Der Kern 312 ist ein längliches Element, das als im Wesentlichen gerader Auslegerbalken ausgebildet (gestaltet) ist, und kann ein Draht mit einem Durchmesser von 12,7–76,2 μm (0,0005–0,0030 Inch) sein. Der Mantel 314 wird über den bereits geformten Kern 312 durch einen beliebigen geeigneten Prozess wie z.B. durch einen geeigneten Plattierungsprozess (z.B. durch elektrochemisches Plattieren) aufgebracht. Es ist im Allgemeinen bevorzugt, dass die Dicke des Mantels (ob ein einlagiger oder mehrlagiger Überzug) dicker ist als der Durchmesser des Drahts, der überzogen wird. Durch seine "Härte" und durch Steuern seiner Dicke (6,35–508 μm (0,00025–0,02000 In.)) verleiht der Mantel 314 dem gesamten Verbindungselement 310 eine gewünschte Elastizität. Auf diese Weise kann eine elastische Verbindung zwischen elektronischen Bauteilen (nicht dargestellt) zwischen den zwei Enden 310a und 310b des Verbindungselements 310 bewirkt werden.
  • 3A stellt dar, was vielleicht die einfachste von Federformen für ein Verbindungselement der vorliegenden Erfindung ist, nämlich einen geraden Auslegerbalken, der in einem Winkel zu einer Kraft "F", die an seiner Spitze 310b aufgebracht wird, orientiert ist. Wenn eine solche Kontaktkraft (Druck) durch einen Anschluss eines elektronischen Bauteils aufgebracht wird, mit dem das Verbindungselement einen Druckkontakt herstellt, führt die Abwärts- (wie gesehen) Auslenkung der Spitze dazu, dass sich die Spitze in einer "Streif"-Bewegung über den Anschluss bewegt. Ein solcher Streifkontakt stellt sicher, dass ein zuverlässiger Kontakt zwischen dem Verbindungselement und dem kontaktierten Anschluss des elektronischen Bauteils hergestellt wird. Die Auslenkung (Elastizität) des Verbindungselements ist im Allgemeinen teilweise durch die Gesamtform des Verbindungselements, teilweise durch die dominante (größere) Dehngrenze des Überzugsmaterials (gegenüber jenem des Kerns) und teilweise durch die Dicke des Überzugsmaterials festgelegt.
  • In 3B umfasst ein elektrisches Verbindungselement 320 ebenso einen weichen Kern 322 (vergleiche 312) und einen harten Mantel 324 (vergleiche 314). Bei diesem Beispiel ist der Kern 322 so geformt, dass er zwei Biegungen aufweist, und kann somit als S-förmig betrachtet werden. Wie in dem Beispiel von 3A kann eine elastische Verbindung zwischen elektronischen Bauteilen (nicht dargestellt) zwischen den zwei Enden 320a und 320b des Verbindungselements 320 bewirkt werden. Beim Kontaktieren eines Anschlusses eines elektronischen Bauteils würde das Verbindungselement 320 einer Kontaktkraft (Druck) ausgesetzt werden, wie durch den mit "F" bezeichneten Pfeil angegeben.
  • In 3C umfasst ein elektrisches Verbindungselement 330 ebenso einen weichen Kern 332 (vergleiche 312) und einen harten Mantel 334 (vergleiche 314). Bei diesem Beispiel ist der Kern 332 so geformt, dass er eine Biegung aufweist, und kann als U-förmig betrachtet werden. Wie im Beispiel von 3A kann eine elastische Verbindung zwischen elektronischen Bauteilen (nicht dargestellt) zwischen den zwei Enden 330a und 330b des Verbindungselements 330 bewirkt werden. Beim Kontaktieren eines Anschlusses eines elektronischen Bauteils könnte das Verbindungselement 330 einer Kontaktkraft (Druck) ausgesetzt werden, wie durch den mit "F" bezeichneten Pfeil angegeben. Alternativ könnte das Verbindungselement 330 verwendet werden, um einen Kontakt anderswo als an seinem Ende 330b herzustellen, wie durch den mit "F'" bezeichneten Pfeil angegeben.
  • Es sollte selbstverständlich sein, dass der weiche Kern leicht zu einer beliebigen federfähigen Form ausgebildet werden kann – mit anderen Worten, einer Form, die bewirkt, dass sich ein resultierendes Verbindungselement als Reaktion auf eine an seiner Spitze aufgebrachte Kraft elastisch auslenkt. Der Kern könnte beispielsweise zu einer herkömmlichen Spulenform ausgebildet werden. Eine Spulenform wäre jedoch aufgrund der Gesamtlänge des Verbindungselements und der mit dieser verbundenen Induktivität (und dergleichen) und der nachteiligen Wirkung derselben auf eine mit hohen Frequenzen (Geschwindigkeiten) arbeitende Schaltung nicht bevorzugt. Ebenso muss das Kernelement keinen runden Querschnitt aufweisen, sondern kann vielmehr ein flacher Vorsprung ("Band") mit einem im Allgemeinen rechteckigen Querschnitt sein, der sich von einer Platte erstreckt. Andere nicht-kreisförmige Querschnitte, wie z.B. C-förmige, I-förmige, L-förmige und T-förmige Querschnitte, können auch für das Verbindungselement verwendet werden.
  • Das Material des Mantels oder zumindest einer Schicht eines mehrlagigen Mantels (nachstehend beschrieben) weist eine signifikant höhere Dehngrenze auf als das Material des Kerns. Daher überschattet der Mantel den Kern bei der Festlegung der mechanischen Eigenschaften (z.B. Elastizität) der resultierenden Verbindungsstruktur. Verhältnisse von Mantel:Kern-Dehngrenzen sind vorzugsweise mindestens 2:1 und können nicht niedriger als 10:1 sein. Es ist auch ersichtlich, dass der Mantel oder zumindest eine äußere Schicht eines mehrlagigen Mantels elektrisch leitend sein sollte, vor allem in Fällen, in denen der Mantel das Ende des Kerns bedeckt.
  • Geeignete Materialien für den Kern (312, 322, 332) umfassen, sind jedoch nicht begrenzt auf: Gold, Aluminium, Kupfer und ihre Legierungen. Diese Materialien werden typischerweise mit kleinen Mengen anderer Metalle legiert, um gewünschte physikalische Eigenschaften zu erhalten, wie z.B. mit Beryllium, Cadmium, Silizium, Magnesium und dergleichen. Es ist auch möglich, Silber, Palladium, Platin; Metalle oder Legierungen wie z.B. Metalle der Platingruppe der Elemente zu verwenden. Weichlot, das aus Blei, Zinn, Indium, Wismut, Cadmium, Antimon und ihren Legierungen besteht, kann verwendet werden. Im Allgemeinen wäre ein Draht aus einem beliebigen Material (z.B. Gold), das für Bonden zugänglich ist (unter Verwendung von Temperatur, Druck und/oder Ultraschallenergie, um das Bonden zu bewirken), zur Ausführung der Erfindung geeignet. Es liegt innerhalb des Schutzbereichs dieser Erfindung, dass ein beliebiges Material, das für Überziehen (z.B. Plattieren) geeignet ist, einschließlich nicht-metallischen Materials, für den Kern verwendet werden kann.
  • Geeignete Materialien für den Mantel (314, 324, 334) umfassen, sind jedoch nicht begrenzt auf: Nickel und seine Legierungen; Kupfer, Kobalt, Eisen und ihre Legierungen; Gold (insbesondere hartes Gold) und Silber, die beide ausgezeichnete Stromführungsfähigkeiten und gute Kontaktwiderstandseigenschaften aufweisen; Elemente der Platingruppe; Edelmetalle; Halbedelmetalle und ihre Legierungen, insbesondere Elemente der Platingruppe und ihre Legierungen; Wolfram und Molybdän. In Fällen, in denen eine weichlotartige Oberflächengüte erwünscht ist, können auch Zinn, Blei, Wismut, Indium und ihre Legierungen verwendet werden. Das zum Aufbringen dieser Beschichtungsmaterialien über die verschiedenen Kernmaterialien vorstehend dargelegte ausgewählte Verfahren variiert natürlich von Anwendung zu Anwendung. Elektroplattieren und stromloses Plattieren sind im Allgemeinen bevorzugte Verfahren.
  • Eine weitere Art von elektrischem Verbindungselement, das bei der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann, ist ein elastisches Verbindungselement, das lithographisch ausgebildet wird. Ein orientiertes Messer der Erfindung kann an einem Kontaktende eines lithographisch ausgebildeten elastischen Verbindungselements ausgebildet werden. In einem Beispiel der Erfindung kann ein orientiertes Messer auf einem Opfersubstrat ausgebildet werden und dann zu einem Kontaktende eines lithographisch ausgebildeten elastischen Verbindungselements überführt werden.
  • Die Verbindungselemente der vorliegenden Erfindung (Element 24 von 2A2D) können im Allgemeinen auf einer beliebigen geeigneten Oberfläche eines beliebigen geeigneten Substrats, einschließlich Opfersubstraten, hergestellt oder an dieser angebracht werden, dann entweder von dieser entfernt oder an Anschlüssen von elektronischen Bauteilen angebracht werden.
  • Kopplung von Verbindungselementen mit Spitzenstrukturen
  • 4A stellt ein verallgemeinertes Ausführungsbeispiel 400 der Erfindung dar, wobei eine Vielzahl (vier von vielen gezeigt) von Kontaktspitzenstrukturen 402 an einem Träger- (Opfer-) Substrat 404 auf eine nachstehend beschriebene Weise vorgefertigt wurden. Eine entsprechende Vielzahl (vier von vielen gezeigt) von Verbindungselementen 406 sind zur Vorbereitung darauf, dass ihre freien Enden 406a mit den Kontaktspitzenstrukturen 402 verbunden werden (oder umgekehrt), gezeigt. Die freien Enden 406a der länglichen Verbindungselemente 406 sind von entgegengesetzten Enden (nicht dargestellt) der länglichen Verbindungselemente 406 entfernt (distal), die sich typischerweise von einer Oberfläche eines elektronischen Bauteils (nicht dargestellt), wie z.B. eines Halbleiterbauelements, eines mehrlagigen Substrats oder eines Halbleitergehäuses usw., wegerstrecken würden.
  • 4B stellt in einer Seitenansicht einen nächsten Schritt zum Verbinden der Kontaktspitzenstrukturen 402 mit den länglichen Verbindungselementen 406 durch Hartlöten dar. Ein resultierender Hartlotkegel 408 ist dargestellt. Die Kontaktspitzenstrukturen 402 befinden sich immer noch auf dem Opfersubstrat 404 in ihrer vorgeschriebenen räumlichen Beziehung zueinander. 4B stellt auch die Kontaktspitzenstrukturen 402 dar, die mit den länglichen Verbindungselementen mit leitendem Klebstoff (z.B. mit Silber gefülltem Epoxy) oder dergleichen verbunden sind. Ein alternatives Verfahren zum Verbinden der Kontaktspitzenstrukturen 402 mit den länglichen Verbindungselementen 406 besteht im Überziehen zumindest des Übergangs der Kontaktspitzenstrukturen 402 und der benachbarten Endteile der länglichen Verbindungselemente 406 mit einem Metallmaterial wie z.B. Nickel durch Plattieren.
  • 4C stellt in einer Seitenansicht einen anschließenden Schritt dar, bei dem nach dem Verbinden der Kontaktspitzenstrukturen 402 mit den länglichen Verbindungselementen 406 das Träger- (Opfer-) Substrat 404 entfernt wird. Das resultierende "mit einer Spitze versehene" Verbindungselement 406 (wie hierin verwendet ist ein "mit Spitze versehenes" Verbindungselement ein Verbindungselement, mit dem eine separate Kontaktspitzenstruktur verbunden wurde) ist so gezeigt, dass eine Kontaktspitzenstruktur 402 auf die mit Bezug auf 4B beschriebene Weise an dieses hartgelötet (408) wurde.
  • Bei den hierin beschriebenen Ausführungsbeispielen zum Ausbilden von freistehenden Verbindungselementen (entweder allein oder an vorgefertigten Spitzenstrukturen) auf Opfersubstraten hat sich die Erörterung im Allgemeinen auf das Bonden eines Endes des Verbindungselements (oder im Fall eines zusammengesetzten Verbindungselements das Bonden eines länglichen Kerns) an ein Opfersubstrat gerichtet. Es liegt innerhalb des Schutzbereichs dieser Erfindung, dass andere Mittel (Verfahren) als Bonden verwendet werden können.
  • Spitzenstrukturen
  • 5A5H stellen ein Verfahren 500 zur Herstellung von Spitzenstrukturen mit einem parallel orientierten Messer und zum Anbringen derselben an Verbindungselementen dar, die als Anschlüsse von elektronischen Bauteilen dienen können, und 5I5K stellen ein alternatives Verfahren 550 dar, das solche Spitzenstrukturen verwendet. Diese Verfahren eignen sich besonders gut zum endgültigen Anbringen von freistehenden Verbindungselementen an elektronischen Bauteilen wie z.B. Halbleiterbauelementen, Raumtransformatorsubstraten von Nadelkartenanordnungen und dergleichen.
  • 5A stellt ein Opfersubstrat 502 wie z.B. einen Wafer aus einkristallinem Silizium dar, in dessen Oberfläche eine Vielzahl (einer von vielen gezeigt) von Gräben 504 geätzt wird. Eine strukturierte Maskierungsschicht wie z.B. ein Photoresist (nicht dargestellt) wird zuerst auf dem Substrat 50 strukturiert, um die Länge und Breite des Grabens 504 festzulegen. Als nächstes wird der Graben 504 im Substrat 504 ausgebildet. Beim bevorzugten Ausführungsbeispiel wird selektives Ätzen mit Kaliumhydroxid (KOH) zwischen der 111- und 001-Kristallorientierung durchgeführt.
  • Man beachte, dass andere Verfahren als selektives KOH-Ätzen verwendet werden können, um den Graben 504 auszubilden, der verwendet wird, um die Messer der vorliegenden Erfindung auszubilden. Die Gräben können beispielsweise auch mit reaktivem Ionenätzen (RIE) ausgebildet werden. Ferner können auch nicht-lithographische Verfahren verwendet werden, einschließlich, jedoch nicht begrenzt auf Polieren (sowohl Elektropolieren als auch mechanisches Polieren), Prägen oder Abreiben der Spitzenstrukturen. Kombinationen von geradwandigen Strukturen und Grabenstrukturen können auch durch Kombinieren von verschiedenen Ätzverfahren hergestellt werden. Solche Kombinationen können erwünscht sein, um freistehende Strukturen wie z.B. die in 10 dargestellte zu erzeugen. Wie bei den hierin vorstehend erörterten Spitzenstrukturen besteht die Spitzenstruktur 980 aus einer Spitzenbasis 982 und einem Spitzenmesser 984. Die Spitzenstruktur 980 umfast jedoch auch einen geradwandigen Abschnitt 986, der den freien Abstand (D) für die Spitzenstruktur 980 bereitstellt.
  • Das bevorzugte Ausführungsbeispiel umfasst eine Spitzenstruktur mit einem Messer an der oberen Oberfläche, wobei das Messer eine geschärfte Kante entlang der Länge des Messers und einen dreieckigen Querschnitt aufweist. Die Gräben 504 erläutern jedoch nur irgendeine Oberflächentextur-"Schablone" für die Spitzenstrukturen, die auf dem Opfersubstrat 502 hergestellt werden. Das Layout (Abstand und Anordnung) der Gräben 504 kann vom Bondkontaktstellenlayout eines Halbleiterchips (nicht dargestellt), der letztlich (bei der Verwendung) durch freistehende Verbindungselemente, an denen die Spitzenstrukturen 504 letztlich befestigt werden, kontaktiert (z.B. geprüft) werden soll, abgeleitet werden (dieses kopieren). Die Gräben 504 können beispielsweise in einer Reihe, einer einzelnen Linie, die Mitte des Opfersubstrats hinab angeordnet werden. Viele Speicherchips werden beispielsweise mit einer zentralen Reihe von Bondkontaktstellen hergestellt.
  • 5B stellt dar, dass eine harte "Feld"-Schicht 506 auf der Oberfläche des Opfersubstrats 502, einschließlich in den Gräben 504, abgeschieden wurde. Die Feldschicht 506 dient als Löseschicht. Eine mögliche Löseschicht besteht aus Aluminium mit einer ungefähren Dicke von 500 nm (5000 Å). Eine weitere Schicht 508 kann wahlweise über der Feldschicht 506 abgeschieden werden, wenn die Feldschicht aus einem Material besteht, das für Plattieren nicht geeignet ist. Typischerweise besteht die Schicht 508 aus Kupfer mit einer ungefähren Dicke von 500 nm (5000 Å). (Wenn die Schicht 506 schwierig zu entfernen ist, kann sie durch selektive Abscheidung (z.B. Strukturieren durch eine Maske hindurch) aufgebracht werden, um eine solche Entfernung zu vermeiden.) Nachdem die Kontaktstrukturen innerhalb des Grabens hergestellt sind (siehe nachstehend), kann das Opfersubstrat 502 durch einen beliebigen geeigneten Prozess wie z.B. durch selektives chemisches Ätzen entfernt werden.
  • Man beachte jedoch auch, dass zusätzlich zu einem chemischen Ätzmittel eine geeignete Metallurgie in Verbindung mit Wärme verwendet werden kann, um das Opfersubstrat 502 zu lösen. Bei einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung umfasst die Schicht 506 beispielsweise ein nicht-benetzbares Material wie z.B. Wolfram (oder Titanwolfram), das auf dem Substrat 502 durch ein Mittel wie z.B. Sputtern abgeschieden wird. Als nächstes wird die dünne Schicht 508, die ein nicht-benetzbares Material wie z.B. plattierbares Blei (oder Indium) umfasst, auf der Wolframschicht 506 abgeschieden. Nachdem die Kontaktspitzenstrukturen innerhalb des Grabens hergestellt sind (siehe nachstehend), kann dann ein Aufschmelzverfahren (unter Verwendung von Wärme) verwendet werden, um die Kontaktspitzenstrukturen an Verbindungselementen anzubringen. Während des Aufschmelzens schmilzt das Blei (Material 508) und agglomeriert, da Wolfram (Material 506) bezüglich Blei nicht benetzbar ist.
  • Dies bewirkt, dass die Kontaktspitzenstrukturen vom Opfersubstrat 502 gelöst werden. Wahlweise kann eine zweite Schicht (nicht dargestellt) aus einem nicht-benetzbaren Material (z.B. Wolfram) über der Schicht 508 aufgebracht werden und wird zu einem Teil der resultierenden Kontaktspitzenstruktur, wenn sie nicht (z.B. durch Ätzen) entfernt wird. Ferner kann eine weitere Schicht aus einem Material, das agglomeriert, wenn es erhitzt wird (z.B. Blei, Indium), über der zweiten Schicht aus nicht-benetzbarem Material (z.B. Wolfram) aufgebracht werden. Irgendwelches restliches Blei auf der Oberfläche der resultierenden Kontaktspitzenstruktur wird leicht entfernt oder kann an der Stelle belassen werden. Alternativ kann eine Schicht aus einem "Sperr"-Material zwischen der zweiten Schicht aus einem Material, das agglomeriert, und der ersten Schicht der hergestellten Kontaktspitzenstruktur abgeschieden werden. Das "Sperr"-Material kann Wolfram, Siliziumnitrid, Molybdän oder dergleichen sein.
  • Sobald die Schichten 506 und 508 abgeschieden sind, wird ein Maskierungsmaterial 510 (in 5C dargestellt), wie z.B. Photoresist, aufgebracht, um eine Vielzahl von Öffnungen für die Herstellung von Spitzenstrukturen festzulegen. Die Öffnungen in der Maskierungsschicht 510 legen einen Bereich um die Gräben 504 fest. Zuerst wird ein Kontaktmetall 512 abgeschieden, das typischerweise eine minimale Dicke von ungefähr 0,5 mil aufweist. Dieses Kontaktmetall kann durch Sputtern, CVD, PVD oder Plattieren abgeschieden werden. Bei einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung besteht das Kontaktmetall 512 aus Palladium-Kobalt. Andere Materialien können auch für das Kontaktmetall 512 verwendet werden, einschließlich, jedoch nicht begrenzt auf Palladium, Rhodium, Wolframsilizid, Wolfram oder Diamant. Als nächstes wird eine Schicht 514, die aus einem Federlegierungsmaterial (wie z.B. Nickel und seinen Legierungen) besteht, wahlweise abgeschieden (wie z.B. durch Plattieren), um den Hauptteil der Spitzen struktur zu erzeugen. Die Schicht 514 weist typischerweise eine ungefähre Dicke von 0–2 mils auf. Über der Schicht 514 wird eine Schicht 516 abgeschieden, die ein Material umfasst, das für Hartlöten oder Weichlöten geeignet ist, falls sich an die Federlegierung nicht leicht bonden, weichlöten oder hartlöten lässt. Die Federlegierungsschicht 514 wird durch ein beliebiges geeignetes Mittel abgeschieden, wie z.B. Plattieren, Sputtern oder CVD. Schließlich wird eine Au-Hartlot-Verbindungsschicht 516 abgeschieden. Die Au-Hartlotschicht ist für eine AuSn-Hartlotbefestigung spezifisch.
  • Wie durch die 5D und 5E dargestellt, wird das Maskierungsmaterial 510 als nächstes zusammen mit demjenigen Teil der Schichten (506 und 508), der unter dem Maskierungsmaterial 510 liegt, abgelöst (entfernt), was zu einer Vielzahl (eine von vielen gezeigt) von Spitzenstrukturen (520 und 520a) führt, die auf dem Opfersubstrat 502 hergestellt wurden. 5D zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel einer Spitzenstruktur 520 der vorliegenden Erfindung mit einem Messer 522, das sich über die ganze Länge des Fußes der Spitzenstruktur 520 erstreckt. 5E zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel einer Spitzenstruktur 520a der vorliegenden Erfindung mit einem Messer 522a, das sich entlang eines Teils des Fußes der Spitzenstruktur 520a erstreckt. Die Spitzenstruktur 520a weist auch einen hinteren Teil 521 auf, in dem sich das Messer 522a nicht über den Fuß der Spitzenstruktur 520a erstreckt. Die zwei alternativen Ausführungsbeispiele von Spitzenstrukturen 520 und 520a dienen derselben Funktion bei der Bereitstellung eines elektrischen Kontakts mit dem Anschluss eines getesteten elektronischen Bauteils, sehen jedoch verschiedene Oberflächen zum Koppeln der Spitzenstruktur 520 und 520a mit einem Verbindungselement vor.
  • 5F und 5G stellen das Anbringen der Spitzenstrukturen 520a, die in 5E gezeigt sind, an erhabenen Verbindungselementen 530 dar, die sich (z.B. freistehend) von entsprechenden Anschlüssen (einer von vielen gezeigt) 532 eines elektronischen Bauteils 534 erstrecken. 5F zeigt eine Seitenansicht von angebrachten Spitzenstrukturen 520a und 5G zeigt eine Vorderansicht von angebrachten Auslegerspitzenstrukturen 520. Das Verbindungselement ist mit dem Fuß der Spitzenstruktur 520a entlang des hinteren Teils 521 der Spitzenstruktur 520a gekoppelt, wo sich das Messer 522a nicht erstreckt und die Oberfläche des Fußes der Spitzenstruktur 520a flach ist. Die vorgefertigten Spitzenstrukturen 520a werden an den Spitzen (Oberseiten, wie gezeigt) der Verbindungselemente 530 auf eine beliebige geeignete Weise wie z.B. Hartlöten oder Weichlöten angebracht.
  • 5H stellt das Anbringen der Spitzenstruktur 520, die in 5D gezeigt ist, an erhabenen Verbindungselementen 530 dar, die sich (z.B. freistehend) von entsprechenden Anschlüssen (einer von vielen gezeigt) 532 eines elektronischen Bauteils 534 erstrecken. Bei diesem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird die Weichlotpaste oder das Hartlötmaterial, das verwendet wird, um die Spitzenstruktur 520 am Verbindungselement 530 anzubringen, innerhalb der Vertiefung 523 angeordnet. Das Endergebnis ist eine angebrachte Spitzenstruktur ähnlich der in den 5F und 5G dargestellten, wobei das Verbindungselement vielmehr an der Vertiefung 523 als an einem flachen hinteren Abschnitt befestigt ist (siehe 521 von 5F). Die Verwendung der Vertiefung, die ausgebildet wird, wenn das Messer 522 hergestellt wird, unterstützt die Positionierung der Weichlötpaste oder des Hartlötmaterials und sieht ein zuverlässigeres Verfahren zum Ausbilden der mechanischen Verbindung zwischen dem Verbindungselement 530 und dem Fuß der Spitzenstruktur 520 vor.
  • Die erhabenen Verbindungselemente 530 können beliebige freistehende Verbindungselemente sein, einschließlich, jedoch nicht begrenzt auf zusammengesetzte Verbindungselemente, und insbesondere einschließlich Kontakthöckern von Sondenmembranen (in welchem Fall das elektronische Bauteil 534 eine Sondenmembran wäre) und Wolframnadeln von herkömmlichen Nadelkarten. Das Verbindungselement kann lithographisch oder durch einen Bond- und Plattierungsvorgang ausgebildet werden, wie im US-Patent 5 476 211. Die erhabenen Verbindungselemente können, obwohl sie typischerweise elastisch sind und eine federartige Bewegung vorsehen, auch starre Stützen sein. Man beachte, dass die Form des elastischen Elements, an dem die Spitzenstrukturen befestigt werden, die Streifeigenschaft (d.h. die horizontale Bewegung der Spitzenstruktur über die Oberfläche des Anschlusskontakts des getesteten Bauelements) bei der Sondenprüfung beeinflusst. Externe Kräfte wie z.B. eine durch eine Maschine gesteuerte Bewegung können die Streifeigenschaft auch beeinflussen. Somit können die Verbindungselemente dazu ausgelegt werden, ein gewünschtes Kontaktverhalten zu optimieren.
  • Die 5I–K stellen ein weiteres Verfahren 550 zur Verwendung von Spitzenstrukturen dar, wobei die Spitzenstrukturen mit ihren eigenen erhabenen Kontakten (Verbindungselementen) versehen werden, bevor sie an Anschlüssen eines elektronischen Bauteils angebracht werden. Dieses Verfahren beginnt mit denselben Schritten zum Ausbilden von Gräben 504 in einer Oberfläche eines Opfersubstrats 502, Aufbringen einer Feldschicht 506, Aufbringen einer wahlweisen Hartlötschicht 508 und Aufbringen eines Maskierungsmaterials 510 mit Öffnungen, die die Stellen und Formen der resultierenden Spitzenstrukturen festlegen. Vergleiche 5A5C oben.
  • In einem nächsten Schritt, wie durch 5I-J dargestellt (5I ist eine Seitenansicht und 5J ist eine Vorderansicht) wird ein freistehendes Verbindungselement 552 am hinteren Endteil der Spitzenstruktur 530 angebracht. Unter Verwendung einer Maskierungsschicht 510 wird dann eine Schicht aus hartem (federnden) Material 554 über der Spitzenstruktur (und wahlweise eine weitere Schicht wie z.B. 516, die hartlötbar ist, siehe oben) abgeschieden. Die Maskierungsschicht 510 wird abgelöst und die Spitzenstruktur 570 kann an Anschlüssen 582 eines elektronischen Bauteils 584 durch Weichlöten oder Hartlöten der Spitzen der freistehenden Verbindungselemente 552 an Anschlüsse 582 angebracht werden, wie durch den Weichlotkegel 586 angegeben. Man beachte, dass in dem alternativen Montageverfahren, das in den 5I–K gezeigt ist, der Kopplungsschritt (typischerweise Weichlöten oder Hartlöten) stattfindet, wenn das Verbindungselement mit einem elektronischen Bauteil gekoppelt wird, wobei beim ersten Montageverfahren, das in den 5A–H beschrieben ist, der Kopplungsschritt die Spitzenstruktur mit dem Verbindungselement verbindet. Mit anderen Worten, wenn die zwei Montageverfahren gegenübergestellt werden, wird der Kopplungsschritt des Weichlötens oder Hartlötens an entgegengesetzten Enden des Verbindungselements durchgeführt.
  • In diesen Beispielen sind die Verbindungselemente 520 und 570 als zusammengesetzte Verbindungselemente mit Federformen dargestellt, aber es sollte natürlich selbstverständlich sein, dass die Erfindung ausdrücklich nicht darauf begrenzt ist. In beiden Fällen (500, 550) besteht das Ergebnis darin, dass ein elektronisches Bauteil (534, 584) mit einer Vielzahl von freistehenden Verbindungselementen (530, 552) versehen ist, die sich von Anschlüssen desselben wegerstrecken, wobei die Spitzen (freien Enden) der freistehenden Verbindungselemente 520 mit Spitzenstrukturen mit einer Oberflächentextur versehen sind, die während des Prozesses der Herstellung der Spitzenstrukturen auf dem Opfersubstrat 502 verliehen (festgelegt) wird.
  • Aus den vorangehenden Beschreibungen ist ersichtlich, dass die Verbindungselemente allein (530, 552 (d.h. 552 mit 554 überzogen)) nicht elastisch sein müssen. Die Elastizität kann durch die Fähigkeit der Auslegerspitzenstrukturen (520, 570), sich als Reaktion darauf auszulenken, dass eine Druckverbindung mit einem anderen elektronischen Bauteil (nicht dargestellt) hergestellt wird, bereitgestellt werden, da die Spitzenstrukturen 504 entlang eines Auslegerbalkens angeordnet sind. Vorzugsweise sind die freistehenden Verbindungselemente 520 viel steifer als die Auslegerbalken, so dass die Kontaktkraft, die sich aus einer Druckverbindung ergibt, gut festgelegt und gesteuert werden kann.
  • Bei einer beliebigen Auslegerbalkenanordnung ist es bevorzugt, dass ein Ende des Auslegers "fest" ist und das andere Ende "beweglich" ist. Der Auslegerbalken kann als Fuß für eine Spitzenstruktur dienen oder ein Fuß einer vorgefertigten Spitzenstruktur kann an einem separat hergestellten Balken angebracht werden. Auf diese Weise werden Biegemomente leicht berechnet. Daher ist es ersichtlich, dass die länglichen Verbindungselemente (530, 552) vorzugsweise so starr wie möglich sind. (In dem Fall, in dem die Verbindungselemente (530) Kontakthöcker an einer Membransonde sind, wird die Elastizität durch die Membran (534) selbst vorgesehen.) Es ist jedoch nicht gänzlich unangebracht, dass die länglichen Verbindungselemente als zusammengesetzte Verbindungselemente wie z.B. die vorstehend erörterten zusammengesetzten Verbindungselemente implementiert werden, die zur gesamten Auslenkung der Spitzenstrukturen als Reaktion darauf, dass Druckverbindungen mit den (durch die) Spitzenstrukturen hergestellt werden, beitragen.
  • Alternative Ausführungsbeispiele unter Verwendung der vorliegenden Erfindung
  • Der Querschnitt des Spitzenabschnitts des Messers, wie vorstehend erörtert, ist dreieckig. Andere Querschnitte können jedoch auch verwendet werden. Ein Pyramidenstumpf könnte beispielsweise leicht auf eine ähnliche Weise zur vorstehend beschriebenen hergestellt werden. Man beachte auch, dass eine Spitzenstruktur, die anfänglich so hergestellt wird, dass sie ein scharfkantiges Messer entlang der Länge der Spitzenstruktur aufweist, häufig eine flache Oberseite bekommt, wenn sie bei Verwendung verschleißt. Diese "flache Oberseite" führt zu einem Querschnitt, der zu einem Pyramidenstumpf sehr ähnlich ist. Eine Spitzenstruktur mit einem Pyramidenstumpf-Querschnitt hält immer noch die Vorteile eines vorstehend umrissenen parallel orientierten Messers aufrecht.
  • Verschiedene Ausführungsbeispiele des parallel orientierten Messers der vorliegenden Erfindung können verschiedene Vorder- und Hinterkanten aufweisen. In einigen Fällen können die Messer beispielsweise geradlinige Kanten (d.h. Kanten, die zur Spitzenstruktur senkrecht sind) aufweisen, wie z.B. das Messer 522, das in 5D hergestellt wird. 6A zeigt ein alternatives Messer 600 mit pyramidenförmigen Vorder- und Hinterkanten 602. Am Messer 600 liegen die Vorder- und Hinterkanten 602 in einem Winkel, der größer als 90° ist, zum Fuß der Spitzenstruktur 604. Ein zweites alternatives Messer 610 mit einer Diamantform ist in 6B dargestellt. Das Messer 610 wird durch Durchführen von KOH-Ätzen in 45° relativ zur primären Achse des Gitters und dann Festlegen des Photoresist-Ätzfensters als mit 6 Seiten (oder als mit einer hexagonalen Form) ausgebildet. Dies führt zu einer Spitzenstruktur 614 mit einem Diamantformmesser 610 auf ihrer oberen Oberfläche.
  • Es gibt viele weitere alternative Ausführungsbeispiele, die von den zahlreichen Vorteilen profitieren, die durch das parallel orientierte Messer der vorliegenden Erfindung bereitgestellt werden. Mehr als ein Messer 700 kann beispielsweise an einer Spitzenstruktur hergestellt werden, wie in einer Draufsicht auf die Spitzenstruktur 702 in 7A gezeigt. Dieses Ausführungsbeispiel wäre für die Sondenprüfung von Lötkugeln oder anderen kugelförmigen Strukturen einer Chipverbindung mit kontrolliertem Einsacken (C4 Prozess) besonders nützlich.
  • Eine weitere Variation des Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung mit zwei oder mehr Messern, die an einem einzelnen Fuß hergestellt sind, ist in 7B gezeigt. 7B ist eine Vorderansicht einer Spitzenstruktur 714, die zwei Messer 710 zeigt, die durch eine Brücke 712 verbunden sind und einen eingeschlossenen Abstand 716 aufweisen. Wenn mehrere Messer an einer Spitzenstruktur ausgebildet sind, wäre der vorbestimmte Abstand zwischen den Messern außerdem bei der sphärischen Sondenprüfung mit einem feinen Rastermaß besonders nützlich.
  • 7C ist eine Seitenansicht eines dritten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung mit zwei oder mehreren Messern, die an einem einzelnen Fuß ausgebildet sind. An der Spitzenstruktur 724 sind zwei Messer 720 in einer nebeneinanderliegenden Position angeordnet und teilen sich einen gemeinsamen Graben 722 mit einer Abstandshöhe H. Die nebeneinanderliegenden Messer 720 sind in Situationen für Anwendungen mit feinem Rastermaß mit Kontaktflächen in unmittelbarer Nähe besonders nützlich. Ein weiteres Ausführungsbeispiel unter Verwendung der vorliegenden Erfindung ist ein Messer mit mehreren Höhen wie z.B. das in 8A und 8B gezeigte Messer 800. Das Messer 800 weist ein primäres Messer 802 in Richtung der Vorderkante der Spitzenstruktur 806 und ein hinteres Messer 804 in Richtung der Rückseite der Spitzenstruktur 806 auf. Das Messer 800 kann unter Verwendung eines Maskierungsprozesses ausgebildet werden, bei dem die Maske, die das kürzere, hintere Messer 804 umgibt, ein kleineres Loch vorsieht, so dass das Grabenätzen durch das KOH-Ätzmittel flach ist, und die Maske, die das größere, vordere Messer umgibt, ein größeres Loch vorsieht, so dass das Grabenätzen durch das KOH-Ätzmittel tiefer und das Messer 806 größer ist.
  • Die vorliegende Erfindung kann auch bei den herkömmlichen Kobra-Sonden verwendet werden, von welchen eine Teilansicht in 9A gezeigt ist. Sonden im Kobra-Stil verwenden vorgebogene Kontaktdrähte 906, die vertikal angeordnet sind und durch zwei Führungsplatten 908 und 910 gehalten werden. Die perforierten Führungsplatten 908 und 910 halten und richten die Drähte 906 aus. Die Kobra-Sonden leiden unter der Einschränkung, dass die Kontaktgeometrie durch die Verwendung eines runden Drahts festgelegt ist und dass die Kontaktmetallurgie jene der Feder selbst ist. Die Verwendung von überführten Spitzenstrukturen der vorliegenden Erfindung ergibt eine gesteuerte Geometrie, die den Kontakt und die Federmetallurgie abkoppelt. Folglich ist es vorteilhaft, die Spitzenstrukturen 900 an den Enden der Kontaktdrähte 906 zu befestigen. Die Führungsplatten 908 und 910 richten dann sowohl die Kontaktdrähte 906 als auch die Spitzenstrukturen 900 mit parallel orientierten Messern 902 der vorliegenden Erfindung, die an diesen befestigt sind, über die Anschlüsse eines getesteten elektronischen Bauteils aus. Auf diese Weise können verschiedene Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung in Verbindung mit Kobra-Sonden verwendet werden, um eine zuverlässigere elektrische Verbindung zwischen den Kobra-Sonden 906 und dem Anschluss des zu prüfenden elektrischen Bauteils vorzusehen.
  • Alternativ stellt 9B ein weiteres Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung mit parallel orientierten Messern 912 an den Enden von Kontaktdrähten 906 dar. Auf dieselbe Weise, wie vorher mit Bezug auf 2D beschrieben, können die Messer 912 am Ende der Kontaktdrähte 906 beispielsweise durch einen Plattierungsprozess oder maschinellen Bearbeitungsprozess ausgebildet werden. Folglich weisen die Kontaktdrähte 906 eine Messerspitze oder einen "gemeißelten" Kopf 912 ohne die Verwendung einer überführten Spitzenstruktur auf. Man beachte auch, dass jedes der vorstehend und nachstehend mit Bezug auf die 6A, 6B, 7A, 7B, 7C, 8A und 8B erörterten alternativen Ausführungsbeispiele zur Verwendung mit einem Messer (wie z.B. einem Messer 912), das am Ende eines Verbindungselements ausgebildet ist, das keine überführte Spitzenstruktur verwendet, modifiziert werden kann.
  • Obwohl das bevorzugte Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung das geschärfte Messer der Spitzenstruktur aufweist, das derart orientiert ist, dass die Länge des Messers zur horizontalen Bewegung der Spitzenstruktur im Wesentlichen parallel ist, wenn die Spitzenstruktur über die Oberfläche des Anschlusses des getesteten elektronischen Bauteils ausgelenkt wird, orientiert ein alternatives Ausführungsbeispiel das Messer derart, dass die Länge des Messers in einem geringen Winkel von der parallelen Ausrichtung versetzt ist. Ein Ausführungsbeispiel kann beispielsweise ein Messer umfassen, das in einem Winkel orientiert ist, so dass die Länge des Messers innerhalb ungefähr 45° der zur horizontalen Bewegung der Spitzenstruktur parallelen Achse liegt, wenn die Spitzenstruktur über die Oberfläche des Anschlusses des getesteten elektronischen Bauteils ausgelenkt wird. Idealerweise liegt (liegen) das (die) Messer in einem ungefähren Winkel von ± 30° zur parallel orientierten Achse. Folglich kann dieses Ausführungsbeispiel eine modifizierte Kratzbewegung über die Oberfläche des getesteten Anschlusses vorsehen, während die Menge an Ansammlung an Teilchen, die sich entlang des Messers 800 ansammelt, minimiert wird.
  • Die Anlage zur Sondenprüfung umfasst häufig ein Ausrichtungsmerkmal. Eine solche Ausrichtungsanlage kann optische Sensoren umfassen, die Lichtstrahlen verwenden, um die Reflexion an den Spitzenstrukturen zu erfassen. Jedes der vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiele kann ferner so verbessert werden, dass es eine Messerkonstruktion mit einer besseren Reflexion umfasst. Stärker reflektierende Messer und/oder Spitzenstrukturen würden ein Verfahren zur automatischen Erkennung für Klassifizierungs- und Ausrichtungszwecke (z.B. Ausrichtungsoperationen, die automatisch in einem Waferprüfgerät durchgeführt werden) bereitstellen. Die Reflexionsfähigkeit eines Messers hängt von einer flachen oberen Oberfläche an der Spitze des Messers (d.h. einem Messer mit einem Querschnitt eines Pyramidenstumpfs) ab. Die Menge an Reflexion wird durch Steuern der Länge der Zeit, in der der anfängliche Graben (d.h. der zum Ausbilden des Messers verwendete Graben) geätzt wird, gesteuert, so dass der Graben an seiner Spitze keinen spitzen Punkt bekommt. Ein weiteres Verfahren zum Steuern der Menge an Reflexion pro Messer beinhaltet das Einfügen von Aufschmelzglas in den Boden des Grabens vor dem Abscheiden der Aluminium- und Kupferschichten. Das Glas an der Spitze des Grabens erweicht die Kante (oder Spitze) des Messers und führt zu einem Messer mit einem Querschnitt ähnlich eines Pyramidenstumpfs. Alternativ könnten die Messerspitzen auf die vorstehend beschriebene Weise derart hergestellt werden, dass sie eine geschärfte Kante aufweisen, wobei die geschärfte Kante dann sandgestrahlt (oder abgeschliffen) wird, so dass das Messer eine flache obere Kante aufweist, die reflektierend ist. Diese beiden alternativen Verfahren zum Erzeugen eines reflektierenden Messers sind leicht in den Herstellungsprozess zu integrieren.
  • Folglich sind eine Vorrichtung und ein Verfahren, die verbesserte Verbindungselemente und Spitzenstrukturen zum Bewirken von Druckverbindungen zwischen Anschlüssen von elektronischen Bauteilen bereitstellen, beschrieben. Das geschärfte Messer, das an der oberen Oberfläche der Spitzenstruktur derart orientiert ist, dass die Länge des Messers zur Richtung der horizontalen Bewegung der Spitzenstruktur im Wesentlichen parallel ist, wenn die Spitzenstruktur über den Anschluss eines getesteten elektronischen Bauteils ausgelenkt wird, stellt zahlreiche Vorteile gegenüber dem Stand der Technik bereit. Das im Wesentlichen parallel orientierte Messer ermöglicht, dass die Spitzenstruktur der vorliegenden Erfindung sauber irgendwelche nicht-leitenden Schichten auf der Oberfläche des Anschlusses durchschneidet und einen zuverlässigen elektrischen Kontakt herstellt, ohne die Oberfläche des Anschlusses zu beschädigen oder eine Teilchenansammlung entlang der Oberfläche des Messers zu erreichen. Ferner maximiert die parallele Orientierung des Messers der vorliegenden Erfindung den Kontakt zwischen der Spitzenstruktur und dem Anschluss, so dass der elektrische Kontakt selbst bei Anschlüssen mit kleineren Kontaktflächen nicht verloren geht, wenn die Spitzenstruktur über den Anschluss ausgelenkt wird.

Claims (39)

  1. Spitzenstruktur mit: einem Verbindungselement (24); und mindestens einem Messer (22, 600, 610) an einem Ende des Verbindungselements (24), wobei das Messer (22, 600, 610) eine geschärfte Kante entlang einer bestimmten Länge (L) aufweist, wobei die geschärfte Kante dazu ausgelegt ist, mit einem Anschluss, der von der Spitzenstruktur kontaktiert werden soll, einen Kontakt herzustellen; wobei die Spitzenstruktur dazu ausgelegt ist, seitlich ausgelenkt zu werden (Δx), wenn ein Anschluss kontaktiert wird, wobei die geschärfte Kante am Verbindungselement (24) derart orientiert ist, dass die Länge (L) im Wesentlichen parallel zu einer horizontalen Streifbewegung des Messers (22, 600, 610) verläuft, wenn das Verbindungselement seitlich ausgelenkt (Δx) wird.
  2. Spitzenstruktur nach Anspruch 1, wobei das Messer (22, 600, 610) eine Pyramidenstumpf-Querschnittsstruktur aufweist.
  3. Spitzenstruktur nach Anspruch. 1, wobei das Messer (22, 600, 610) eine Querschnittsstruktur mit einer Vorderkante an einem ersten Ende der Länge (L) des Messers und einer Hinterkante an einem zweiten Ende der Länge des Messers aufweist.
  4. Spitzenstruktur nach Anspruch 3, wobei die Vorder- und die Hinterkante geradlinig sind.
  5. Spitzenstruktur nach Anspruch 3, wobei die Vorder- und die Hinterkante (612) pyramidenförmig sind.
  6. Spitzenstruktur nach Anspruch 3, wobei die Vorder- und die Hinterkante (612) zwei Seiten aufweisen, so dass das Messer eine hexagonale Form aufweist.
  7. Spitzenstruktur nach Anspruch 1, welche ferner umfasst: einen Fuß (20) am Ende des Verbindungselements (24) mit einer oberen und einer unteren Oberfläche, wobei das mindestens eine Messer (22, 600, 610) an der oberen Oberfläche des Fußes angeordnet ist.
  8. Spitzenstruktur nach Anspruch 7, wobei das Verbindungselement (24) elastisch ist und mit der unteren Oberfläche des Fußes (20) gekoppelt ist.
  9. Spitzenstruktur nach Anspruch 7, wobei das Messer (600, 610) eine primäre Kante (602, 612) an einem Vorderende des Messers und eine Hinterkante an einem Hinterende des Messers aufweist.
  10. Spitzenstruktur nach Anspruch 7 mit einem ersten und einem zweiten Messer (710, 720) an der oberen Oberfläche des Fußes (714, 724).
  11. Spitzenstruktur nach Anspruch 10, wobei das erste und das zweite Messer (710, 720) durch eine Brücke verbunden sind.
  12. Spitzenstruktur nach Anspruch 10, wobei das erste und das zweite Messer (710, 720) sich in einer nebeneinanderliegenden Position befinden.
  13. Spitzenstruktur nach Anspruch 7, wobei das Messer (22, 600, 610) eine dreieckige Querschnittsstruktur mit einer Vorderkante (602, 612) an einem ersten Ende der Länge (L) des Messers und einer Hinterkante an einem zweiten Ende der Länge des Messers aufweist.
  14. Spitzenstruktur nach Anspruch 13, wobei die Vorder- und die Hinterkante (612) geradlinig sind.
  15. Spitzenstruktur nach Anspruch 13, wobei die Vorder- und die Hinterkante pyramidenförmig sind.
  16. Spitzenstruktur nach Anspruch 13, wobei die Vorder- und die Hinterkante (612) zwei Seiten aufweisen, so dass das Messer (610) eine hexagonale Form aufweist.
  17. Spitzenstruktur nach einem der Ansprüche 7 bis 16, wobei das mindestens eine Messer (22, 600, 610) an dem Fuß (20) derart orientiert ist, dass die Länge (L) innerhalb ungefähr ± 45° einer Achse, die zu einer horizontalen Streifbewegung des Fußes parallel ist, liegt.
  18. Elektrische Kontaktstruktur mit einer Vielzahl von Spitzenstrukturen nach einem der vorangehenden Ansprüche.
  19. Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Kontaktstruktur mit den Schritten: Ausbilden eines Grabens (504) in einem Opfersubstrat (502); Abscheiden mindestens einer Schicht (506, 508) aus mindestens einem leitenden Material in dem Graben (504), um ein Messer (522) mit einer bestimmten Länge (L), einer geschärften Kante an einer oberen Oberfläche und einer unteren Oberfläche auszubilden; und Koppeln eines Verbindungselements (530) mit der unteren Oberfläche des Messers (522), wobei das Messer derart orientiert ist, dass die Länge des Messers zu einer horizontalen Streifbewegung des Messers im Wesentlichen parallel verläuft, wenn die obere Oberfläche des Messers einen Anschluss kontaktiert.
  20. Verfahren nach Anspruch 19, welches ferner den Schritt des Lösens des Messers (522) vom Opfersubstrat (502) umfasst.
  21. Verfahren nach Anspruch 20, wobei der Schritt des Lösens des Messers (522) vom Opfersubstrat (502) ferner das Lösen des Messers vom Opfersubstrat durch einen Prozess, der aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Wärme und chemischem Ätzen besteht, umfasst.
  22. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Schritt des Ausbildens eines Grabens (504) ferner das Ätzen eines Grabens in ein Substrat mit selektivem Kaliumhydroxid-Ätzmittel umfasst.
  23. Verfahren nach Anspruch 22, wobei der Schritt des Ätzens eines Grabens (504) ferner das Ätzen eines Grabens in ein Substrat mit Kaliumhydroxid-Ätzmittel zwischen der 111- und 001-Kristallorientierung umfasst.
  24. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Schritt des Ausbildens eines Grabens (504) ferner das Ausbilden eines Grabens in einem Substrat umfasst, wobei der Graben einen dreieckigen Querschnitt aufweist.
  25. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Schritt des Ausbildens eines Grabens (504) ferner das Ausbilden eines Grabens in einem Substrat umfasst, wobei der Graben einen Pyramidenstumpf-Querschnitt aufweist.
  26. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Schritt des Koppelns des Verbindungselements (24) mit der unteren Oberfläche des Messers (22, 600, 610) ferner das Weichlöten des Verbindungselements an die untere Oberfläche des Messers umfasst.
  27. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Schritt des Koppelns des Verbindungselements (24) mit der unteren Oberfläche des Messers (22, 600, 610) ferner das Hartlöten des Verbindungselements an die untere Oberfläche des Messers umfasst.
  28. Vorrichtung mit: einem Substrat (26); und einer Spitzenstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 17, die auf dem Substrat (26) angeordnet ist.
  29. Vorrichtung nach Anspruch 28, wobei die Vielzahl von Messern (802, 804) ein primäres Messer und ein sekundäres Messer umfasst.
  30. Vorrichtung nach Anspruch 29, wobei das primäre Messer (802) und das sekundäre Messer (804) verschiedene Größen aufweisen.
  31. Vorrichtung nach Anspruch 28, wobei das Verbindungselement (24) einen Draht umfasst.
  32. Vorrichtung nach Anspruch 31, wobei das Verbindungselement (320) ferner einen Mantel (324) über dem Draht (322) aufweist.
  33. Vorrichtung nach Anspruch 28, wobei das Verbindungselement (24) eine Kobra-Sonde aufweist.
  34. Vorrichtung nach Anspruch 28, wobei das Messer (22) derart orientiert ist, dass eine Länge (L) des Messers innerhalb ungefähr +/– 15 Grad einer zur Streifbewegung der Spitzenstruktur (24) parallelen Achse liegt.
  35. Vorrichtung nach Anspruch 28, welche ferner eine Vielzahl der Verbindungselemente (24) aufweist.
  36. Vorrichtung nach Anspruch 28, wobei die Spitzenstruktur (20) ein erstes Material umfasst, das mindestens eines von Palladium, Kobalt, Rhodium, Wolfram oder Diamant einschließt.
  37. Vorrichtung nach Anspruch 36, wobei die Spitzenstruktur (20) ein zweites Material umfasst, das eine Federlegierung einschließt.
  38. Vorrichtung nach Anspruch 36, wobei die Spitzenstruktur (20) ein zweites Material umfasst, das Nickel einschließt.
  39. Vorrichtung nach Anspruch 28, wobei die Spitzenstruktur (20) an dem Verbindungselement (24) durch Hartlot oder Weichlot befestigt ist.
DE69927996T 1998-11-10 1999-11-10 Scharfe, orientierte druckkontaktspitze Expired - Lifetime DE69927996T2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US189761 1998-11-10
US09/189,761 US6441315B1 (en) 1998-11-10 1998-11-10 Contact structures with blades having a wiping motion
PCT/US1999/026787 WO2000028625A1 (en) 1998-11-10 1999-11-10 Sharpened, oriented contact tip structures

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69927996D1 DE69927996D1 (de) 2005-12-01
DE69927996T2 true DE69927996T2 (de) 2006-07-27

Family

ID=22698665

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69927996T Expired - Lifetime DE69927996T2 (de) 1998-11-10 1999-11-10 Scharfe, orientierte druckkontaktspitze

Country Status (9)

Country Link
US (4) US6441315B1 (de)
EP (2) EP1129510B1 (de)
JP (3) JP3902729B2 (de)
KR (1) KR100370720B1 (de)
CN (2) CN100470946C (de)
AU (1) AU1913000A (de)
DE (1) DE69927996T2 (de)
TW (1) TW588483B (de)
WO (1) WO2000028625A1 (de)

Families Citing this family (123)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020053734A1 (en) 1993-11-16 2002-05-09 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit, and methods of making same
US8033838B2 (en) 1996-02-21 2011-10-11 Formfactor, Inc. Microelectronic contact structure
US5914613A (en) 1996-08-08 1999-06-22 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system with local contact scrub
US7063541B2 (en) * 1997-03-17 2006-06-20 Formfactor, Inc. Composite microelectronic spring structure and method for making same
US6256882B1 (en) 1998-07-14 2001-07-10 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6441315B1 (en) * 1998-11-10 2002-08-27 Formfactor, Inc. Contact structures with blades having a wiping motion
US6426638B1 (en) * 2000-05-02 2002-07-30 Decision Track Llc Compliant probe apparatus
DE10143173A1 (de) 2000-12-04 2002-06-06 Cascade Microtech Inc Wafersonde
US6933738B2 (en) * 2001-07-16 2005-08-23 Formfactor, Inc. Fiducial alignment marks on microelectronic spring contacts
US7182672B2 (en) * 2001-08-02 2007-02-27 Sv Probe Pte. Ltd. Method of probe tip shaping and cleaning
AU2002327490A1 (en) 2001-08-21 2003-06-30 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US7010854B2 (en) * 2002-04-10 2006-03-14 Formfactor, Inc. Re-assembly process for MEMS structures
US7273812B2 (en) * 2002-05-07 2007-09-25 Microfabrica Inc. Microprobe tips and methods for making
US20060238209A1 (en) * 2002-05-07 2006-10-26 Microfabrica Inc. Vertical microprobes for contacting electronic components and method for making such probes
US7531077B2 (en) 2003-02-04 2009-05-12 Microfabrica Inc. Electrochemical fabrication process for forming multilayer multimaterial microprobe structures
US7412767B2 (en) * 2003-02-04 2008-08-19 Microfabrica, Inc. Microprobe tips and methods for making
US7363705B2 (en) * 2003-02-04 2008-04-29 Microfabrica, Inc. Method of making a contact
US20060006888A1 (en) * 2003-02-04 2006-01-12 Microfabrica Inc. Electrochemically fabricated microprobes
US20050104609A1 (en) * 2003-02-04 2005-05-19 Microfabrica Inc. Microprobe tips and methods for making
US20060053625A1 (en) * 2002-05-07 2006-03-16 Microfabrica Inc. Microprobe tips and methods for making
US7640651B2 (en) * 2003-12-31 2010-01-05 Microfabrica Inc. Fabrication process for co-fabricating multilayer probe array and a space transformer
US20050184748A1 (en) * 2003-02-04 2005-08-25 Microfabrica Inc. Pin-type probes for contacting electronic circuits and methods for making such probes
US20060051948A1 (en) * 2003-02-04 2006-03-09 Microfabrica Inc. Microprobe tips and methods for making
US7265565B2 (en) * 2003-02-04 2007-09-04 Microfabrica Inc. Cantilever microprobes for contacting electronic components and methods for making such probes
US6911835B2 (en) * 2002-05-08 2005-06-28 Formfactor, Inc. High performance probe system
US6965244B2 (en) * 2002-05-08 2005-11-15 Formfactor, Inc. High performance probe system
US6992399B2 (en) * 2002-05-24 2006-01-31 Northrop Grumman Corporation Die connected with integrated circuit component for electrical signal passing therebetween
US7567089B2 (en) * 2003-02-04 2009-07-28 Microfabrica Inc. Two-part microprobes for contacting electronic components and methods for making such probes
US20080157793A1 (en) * 2003-02-04 2008-07-03 Microfabrica Inc. Vertical Microprobes for Contacting Electronic Components and Method for Making Such Probes
US9244101B2 (en) * 2003-02-04 2016-01-26 University Of Southern California Electrochemical fabrication process for forming multilayer multimaterial microprobe structures
US8613846B2 (en) * 2003-02-04 2013-12-24 Microfabrica Inc. Multi-layer, multi-material fabrication methods for producing micro-scale and millimeter-scale devices with enhanced electrical and/or mechanical properties
US20080211524A1 (en) * 2003-02-04 2008-09-04 Microfabrica Inc. Electrochemically Fabricated Microprobes
US10416192B2 (en) 2003-02-04 2019-09-17 Microfabrica Inc. Cantilever microprobes for contacting electronic components
WO2004079795A2 (en) 2003-03-04 2004-09-16 Rohm And Haas Electronic Materials, L.L.C. Coaxial waveguide microstructures and methods of formation thereof
US7342402B2 (en) * 2003-04-10 2008-03-11 Formfactor, Inc. Method of probing a device using captured image of probe structure in which probe tips comprise alignment features
DE10318223A1 (de) * 2003-04-22 2004-12-02 Louis Renner Gmbh Kontaktstück aus Wolfram mit einer korrosionshemmenden Schicht aus Unedelmetall
US6965245B2 (en) * 2003-05-01 2005-11-15 K&S Interconnect, Inc. Prefabricated and attached interconnect structure
US9671429B2 (en) 2003-05-07 2017-06-06 University Of Southern California Multi-layer, multi-material micro-scale and millimeter-scale devices with enhanced electrical and/or mechanical properties
US7057404B2 (en) 2003-05-23 2006-06-06 Sharp Laboratories Of America, Inc. Shielded probe for testing a device under test
KR20060126700A (ko) 2003-12-24 2006-12-08 캐스케이드 마이크로테크 인코포레이티드 능동 웨이퍼 프로브
US10641792B2 (en) 2003-12-31 2020-05-05 University Of Southern California Multi-layer, multi-material micro-scale and millimeter-scale devices with enhanced electrical and/or mechanical properties
US20080108221A1 (en) * 2003-12-31 2008-05-08 Microfabrica Inc. Microprobe Tips and Methods for Making
US9097740B2 (en) 2004-05-21 2015-08-04 Formfactor, Inc. Layered probes with core
US7659739B2 (en) * 2006-09-14 2010-02-09 Micro Porbe, Inc. Knee probe having reduced thickness section for control of scrub motion
US7733101B2 (en) * 2004-05-21 2010-06-08 Microprobe, Inc. Knee probe having increased scrub motion
US7759949B2 (en) * 2004-05-21 2010-07-20 Microprobe, Inc. Probes with self-cleaning blunt skates for contacting conductive pads
USRE43503E1 (en) 2006-06-29 2012-07-10 Microprobe, Inc. Probe skates for electrical testing of convex pad topologies
US8988091B2 (en) 2004-05-21 2015-03-24 Microprobe, Inc. Multiple contact probes
US9476911B2 (en) 2004-05-21 2016-10-25 Microprobe, Inc. Probes with high current carrying capability and laser machining methods
US7172431B2 (en) * 2004-08-27 2007-02-06 International Business Machines Corporation Electrical connector design and contact geometry and method of use thereof and methods of fabrication thereof
KR20070058522A (ko) 2004-09-13 2007-06-08 캐스케이드 마이크로테크 인코포레이티드 양측 프루빙 구조
US7535247B2 (en) 2005-01-31 2009-05-19 Cascade Microtech, Inc. Interface for testing semiconductors
US7656172B2 (en) 2005-01-31 2010-02-02 Cascade Microtech, Inc. System for testing semiconductors
US7161346B2 (en) * 2005-05-23 2007-01-09 Electro Scientific Industries, Inc. Method of holding an electronic component in a controlled orientation during parametric testing
US7245135B2 (en) * 2005-08-01 2007-07-17 Touchdown Technologies, Inc. Post and tip design for a probe contact
US7877866B1 (en) * 2005-10-26 2011-02-01 Second Sight Medical Products, Inc. Flexible circuit electrode array and method of manufacturing the same
US7649367B2 (en) 2005-12-07 2010-01-19 Microprobe, Inc. Low profile probe having improved mechanical scrub and reduced contact inductance
US7312617B2 (en) 2006-03-20 2007-12-25 Microprobe, Inc. Space transformers employing wire bonds for interconnections with fine pitch contacts
US7528618B2 (en) * 2006-05-02 2009-05-05 Formfactor, Inc. Extended probe tips
US7444253B2 (en) * 2006-05-09 2008-10-28 Formfactor, Inc. Air bridge structures and methods of making and using air bridge structures
US7764072B2 (en) 2006-06-12 2010-07-27 Cascade Microtech, Inc. Differential signal probing system
US7403028B2 (en) 2006-06-12 2008-07-22 Cascade Microtech, Inc. Test structure and probe for differential signals
US7723999B2 (en) 2006-06-12 2010-05-25 Cascade Microtech, Inc. Calibration structures for differential signal probing
US7836587B2 (en) * 2006-09-21 2010-11-23 Formfactor, Inc. Method of repairing a contactor apparatus
US8907689B2 (en) 2006-10-11 2014-12-09 Microprobe, Inc. Probe retention arrangement
US7786740B2 (en) * 2006-10-11 2010-08-31 Astria Semiconductor Holdings, Inc. Probe cards employing probes having retaining portions for potting in a potting region
US7656256B2 (en) 2006-12-30 2010-02-02 Nuvotronics, PLLC Three-dimensional microstructures having an embedded support member with an aperture therein and method of formation thereof
JP5123533B2 (ja) * 2007-02-01 2013-01-23 株式会社日本マイクロニクス 通電試験用プローブおよびその製造方法
KR101472134B1 (ko) 2007-03-20 2014-12-15 누보트로닉스, 엘.엘.씨 동축 전송선 마이크로구조물 및 그의 형성방법
EP3104450A3 (de) 2007-03-20 2016-12-28 Nuvotronics, LLC Integrierte elektronische komponenten und herstellungsverfahren dafür
US7514948B2 (en) 2007-04-10 2009-04-07 Microprobe, Inc. Vertical probe array arranged to provide space transformation
US7876114B2 (en) 2007-08-08 2011-01-25 Cascade Microtech, Inc. Differential waveguide probe
US8723546B2 (en) 2007-10-19 2014-05-13 Microprobe, Inc. Vertical guided layered probe
US7671610B2 (en) * 2007-10-19 2010-03-02 Microprobe, Inc. Vertical guided probe array providing sideways scrub motion
WO2009084770A1 (en) 2007-12-28 2009-07-09 Phicom Corporation Contact tip structure of a connecting element
KR200452208Y1 (ko) * 2008-05-02 2011-02-14 임송재 헤어밴드
US8230593B2 (en) 2008-05-29 2012-07-31 Microprobe, Inc. Probe bonding method having improved control of bonding material
CN101884141B (zh) * 2008-06-12 2013-09-11 综合测试电子系统有限公司 接触插座
US7888957B2 (en) 2008-10-06 2011-02-15 Cascade Microtech, Inc. Probing apparatus with impedance optimized interface
WO2010059247A2 (en) 2008-11-21 2010-05-27 Cascade Microtech, Inc. Replaceable coupon for a probing apparatus
JP2010212091A (ja) * 2009-03-10 2010-09-24 Alps Electric Co Ltd 弾性接触子
JP5333029B2 (ja) * 2009-08-10 2013-11-06 Jsr株式会社 電気接続部材および電気接続部材の製造方法
US20110123783A1 (en) 2009-11-23 2011-05-26 David Sherrer Multilayer build processses and devices thereof
TWI534432B (zh) 2010-09-07 2016-05-21 瓊斯科技國際公司 用於微電路測試器之電氣傳導針腳
CN102013617B (zh) * 2010-10-21 2015-10-07 昆山德力康电子科技有限公司 一种连接器插针切尖角机
JP5798315B2 (ja) 2010-11-19 2015-10-21 株式会社神戸製鋼所 コンタクトプローブピン
DE102011016294B4 (de) 2011-04-07 2013-09-12 Kathrein-Werke Kg Dachantenne, insbesondere Kraftfahrzeug-Dachantenne mit zugehöriger Steckverbindungseinrichtung
US9244099B2 (en) 2011-05-09 2016-01-26 Cascade Microtech, Inc. Probe head assemblies, components thereof, test systems including the same, and methods of operating the same
US8814601B1 (en) 2011-06-06 2014-08-26 Nuvotronics, Llc Batch fabricated microconnectors
CN102353480B (zh) * 2011-07-12 2013-05-08 北京邮电大学 一种法向压力施加装置
KR101982887B1 (ko) 2011-07-13 2019-05-27 누보트로닉스, 인크. 전자 및 기계 구조체들을 제조하는 방법들
JP2013101043A (ja) * 2011-11-08 2013-05-23 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
US9325044B2 (en) 2013-01-26 2016-04-26 Nuvotronics, Inc. Multi-layer digital elliptic filter and method
US9306254B1 (en) 2013-03-15 2016-04-05 Nuvotronics, Inc. Substrate-free mechanical interconnection of electronic sub-systems using a spring configuration
US9306255B1 (en) 2013-03-15 2016-04-05 Nuvotronics, Inc. Microstructure including microstructural waveguide elements and/or IC chips that are mechanically interconnected to each other
US9810714B2 (en) * 2013-11-07 2017-11-07 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Probe pin and method for producing a probe pin
US9726691B2 (en) 2014-01-07 2017-08-08 International Business Machines Corporation 3D chip testing through micro-C4 interface
US10310009B2 (en) * 2014-01-17 2019-06-04 Nuvotronics, Inc Wafer scale test interface unit and contactors
US9252138B2 (en) * 2014-05-27 2016-02-02 General Electric Company Interconnect devices for electronic packaging assemblies
US10847469B2 (en) 2016-04-26 2020-11-24 Cubic Corporation CTE compensation for wafer-level and chip-scale packages and assemblies
US10511073B2 (en) 2014-12-03 2019-12-17 Cubic Corporation Systems and methods for manufacturing stacked circuits and transmission lines
US10068181B1 (en) 2015-04-27 2018-09-04 Rigetti & Co, Inc. Microwave integrated quantum circuits with cap wafer and methods for making the same
US10636731B2 (en) 2015-07-14 2020-04-28 Georgia Tech Research Corporation Mechanically flexible interconnects, methods of making the same, and methods of use
US10114042B2 (en) 2016-02-05 2018-10-30 Texas Instruments Incorporated Vertical probe card
US10336958B2 (en) * 2016-08-30 2019-07-02 Resinate Materials Group, Inc. Sustainable base oils for lubricants
CN109792114B (zh) * 2016-09-29 2021-05-25 3M创新有限公司 用于无焊接安装到电路板的连接器组件
WO2018118075A1 (en) 2016-12-23 2018-06-28 Intel Corporation Fine pitch probe card methods and systems
WO2018131321A1 (ja) * 2017-01-13 2018-07-19 アルプス電気株式会社 圧接コネクタ
DE102017002150A1 (de) * 2017-03-06 2018-09-06 Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Kg Elektrisches Kontaktelement
US11121301B1 (en) 2017-06-19 2021-09-14 Rigetti & Co, Inc. Microwave integrated quantum circuits with cap wafers and their methods of manufacture
US11268983B2 (en) 2017-06-30 2022-03-08 Intel Corporation Chevron interconnect for very fine pitch probing
US10775414B2 (en) 2017-09-29 2020-09-15 Intel Corporation Low-profile gimbal platform for high-resolution in situ co-planarity adjustment
US10319654B1 (en) 2017-12-01 2019-06-11 Cubic Corporation Integrated chip scale packages
US11061068B2 (en) 2017-12-05 2021-07-13 Intel Corporation Multi-member test probe structure
US11204555B2 (en) 2017-12-28 2021-12-21 Intel Corporation Method and apparatus to develop lithographically defined high aspect ratio interconnects
US11073538B2 (en) * 2018-01-03 2021-07-27 Intel Corporation Electrical testing apparatus with lateral movement of a probe support substrate
US10488438B2 (en) 2018-01-05 2019-11-26 Intel Corporation High density and fine pitch interconnect structures in an electric test apparatus
US11543454B2 (en) 2018-09-25 2023-01-03 Intel Corporation Double-beam test probe
US11262383B1 (en) 2018-09-26 2022-03-01 Microfabrica Inc. Probes having improved mechanical and/or electrical properties for making contact between electronic circuit elements and methods for making
US10935573B2 (en) 2018-09-28 2021-03-02 Intel Corporation Slip-plane MEMS probe for high-density and fine pitch interconnects
US11867721B1 (en) 2019-12-31 2024-01-09 Microfabrica Inc. Probes with multiple springs, methods for making, and methods for using
US11761982B1 (en) 2019-12-31 2023-09-19 Microfabrica Inc. Probes with planar unbiased spring elements for electronic component contact and methods for making such probes
US11774467B1 (en) 2020-09-01 2023-10-03 Microfabrica Inc. Method of in situ modulation of structural material properties and/or template shape

Family Cites Families (127)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3781681A (en) * 1971-12-17 1973-12-25 Ibm Test probe apparatus
US3881799A (en) * 1972-09-11 1975-05-06 George H Elliott Resilient multi-micro point metallic junction
US3806801A (en) * 1972-12-26 1974-04-23 Ibm Probe contactor having buckling beam probes
US3851249A (en) * 1973-06-04 1974-11-26 Electroglass Inc Microcircuit test device with multi-axes probe control and probe stop means
JPS6010298B2 (ja) 1974-07-24 1985-03-16 キヤノン株式会社 無孔ロ−ルフイルム使用の電動式フイルム送りカメラの作動装置
US4295184A (en) * 1978-08-21 1981-10-13 Advanced Circuit Technology Circuit board with self-locking terminals
US4251772A (en) * 1978-12-26 1981-02-17 Pacific Western Systems Inc. Probe head for an automatic semiconductive wafer prober
JPS55111970A (en) 1979-02-21 1980-08-29 Ricoh Co Ltd Developing method
US4329642A (en) * 1979-03-09 1982-05-11 Siliconix, Incorporated Carrier and test socket for leadless integrated circuit
US4220383A (en) * 1979-04-06 1980-09-02 Amp Incorporated Surface to surface connector
JPS6010298Y2 (ja) * 1982-05-07 1985-04-09 株式会社日立製作所 印刷配線板用電気コネクタの雌コンタクト
JPS5988860A (ja) 1982-11-12 1984-05-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 金属リ−ドへの金属突起物形成方法
JPS6010298A (ja) 1983-06-29 1985-01-19 富士通株式会社 音声メツセ−ジ長予測方式
US4553192A (en) 1983-08-25 1985-11-12 International Business Machines Corporation High density planar interconnected integrated circuit package
US4618821A (en) * 1983-09-19 1986-10-21 Lenz Seymour S Test probe assembly for microelectronic circuits
JPS60109272U (ja) * 1983-12-27 1985-07-24 山一電機工業株式会社 ピン端子用接触子
US4636722A (en) 1984-05-21 1987-01-13 Probe-Rite, Inc. High density probe-head with isolated and shielded transmission lines
JPS6119770A (ja) 1984-07-04 1986-01-28 Nippon Steel Corp 溶射被膜製造方法
JPS6149432A (ja) * 1984-08-18 1986-03-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
FR2587549B1 (fr) 1985-09-13 1988-03-04 Radiotechnique Systeme d'interconnexion
US5829128A (en) 1993-11-16 1998-11-03 Formfactor, Inc. Method of mounting resilient contact structures to semiconductor devices
US5917707A (en) 1993-11-16 1999-06-29 Formfactor, Inc. Flexible contact structure with an electrically conductive shell
US4647392A (en) 1985-12-27 1987-03-03 Texaco Inc. Monobasic-dibasic acid/salt antifreeze corrosion inhibitor
JPS62160373A (ja) 1986-01-09 1987-07-16 三菱重工業株式会社 廃船利用式屋内工場形成方法
JPH0411346Y2 (de) * 1986-03-28 1992-03-19
JPS6348063A (ja) 1986-08-15 1988-02-29 Tokyo Electric Co Ltd フアクシミリ装置
JP2784570B2 (ja) * 1987-06-09 1998-08-06 日本テキサス・インスツルメンツ 株式会社 ソケツト
US5103557A (en) 1988-05-16 1992-04-14 Leedy Glenn J Making and testing an integrated circuit using high density probe points
US5225771A (en) * 1988-05-16 1993-07-06 Dri Technology Corp. Making and testing an integrated circuit using high density probe points
US4937653A (en) * 1988-07-21 1990-06-26 American Telephone And Telegraph Company Semiconductor integrated circuit chip-to-chip interconnection scheme
DE3838413A1 (de) 1988-11-12 1990-05-17 Mania Gmbh Adapter fuer elektronische pruefvorrichtungen fuer leiterplatten und dergl.
US5075621A (en) * 1988-12-19 1991-12-24 International Business Machines Corporation Capacitor power probe
US4916002A (en) * 1989-01-13 1990-04-10 The Board Of Trustees Of The Leland Jr. University Microcasting of microminiature tips
DE4012839B4 (de) 1989-04-26 2004-02-26 Atg Test Systems Gmbh & Co.Kg Verfahren und Prüfvorrichtung zum Prüfen von elektrischen oder elektronischen Prüflingen
US4980638A (en) * 1989-05-26 1990-12-25 Dermon John A Microcircuit probe and method for manufacturing same
US5580827A (en) * 1989-10-10 1996-12-03 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Casting sharpened microminiature tips
US4965865A (en) * 1989-10-11 1990-10-23 General Signal Corporation Probe card for integrated circuit chip
US5070297A (en) * 1990-06-04 1991-12-03 Texas Instruments Incorporated Full wafer integrated circuit testing device
JP2928592B2 (ja) 1990-06-20 1999-08-03 株式会社日立製作所 半導体lsi検査装置用プローブヘッドの製造方法および検査装置
US5090118A (en) 1990-07-31 1992-02-25 Texas Instruments Incorporated High performance test head and method of making
US5521518A (en) * 1990-09-20 1996-05-28 Higgins; H. Dan Probe card apparatus
US6037785A (en) * 1990-09-20 2000-03-14 Higgins; H. Dan Probe card apparatus
US5148103A (en) * 1990-10-31 1992-09-15 Hughes Aircraft Company Apparatus for testing integrated circuits
JPH04214650A (ja) 1990-12-12 1992-08-05 Nec Kyushu Ltd オートハンドラ用接触子
US5092782A (en) 1991-02-01 1992-03-03 Beaman Brian S Integral elastomeric card edge connector
US5172050A (en) 1991-02-15 1992-12-15 Motorola, Inc. Micromachined semiconductor probe card
US5092783A (en) * 1991-05-16 1992-03-03 Motorola, Inc. RF interconnect
US6219908B1 (en) 1991-06-04 2001-04-24 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for manufacturing known good semiconductor die
US6340894B1 (en) * 1991-06-04 2002-01-22 Micron Technology, Inc. Semiconductor testing apparatus including substrate with contact members and conductive polymer interconnect
DE4118312C2 (de) * 1991-06-04 1995-03-09 Amphenol Tuchel Elect Kontaktsatz für eine Kontaktzonen aufweisende Karte
KR940001809B1 (ko) * 1991-07-18 1994-03-09 금성일렉트론 주식회사 반도체 칩의 테스터
US5177438A (en) 1991-08-02 1993-01-05 Motorola, Inc. Low resistance probe for semiconductor
US5152695A (en) * 1991-10-10 1992-10-06 Amp Incorporated Surface mount electrical connector
US5230632A (en) 1991-12-19 1993-07-27 International Business Machines Corporation Dual element electrical contact and connector assembly utilizing same
US5228861A (en) 1992-06-12 1993-07-20 Amp Incorporated High density electrical connector system
JPH0618555A (ja) 1992-06-30 1994-01-25 Meisei Denshi Kogyo Kk マイクロスプリングコンタクト、マイクロスプリングコンタクトの集合体、該マイクロスプリングコンタクトの集合体からなる電気的接続用端子及びマイクロスプリングコンタクトの製造方法
JP3218414B2 (ja) * 1992-07-15 2001-10-15 キヤノン株式会社 微小ティップ及びその製造方法、並びに該微小ティップを用いたプローブユニット及び情報処理装置
JPH06119770A (ja) 1992-08-18 1994-04-28 Sony Corp 防振機構
US5599194A (en) 1992-08-18 1997-02-04 Enplas Corporation IC socket and its contact pin
US5259769A (en) 1992-09-29 1993-11-09 Molex Incorporated Electrical connector with preloaded spring-like terminal with improved wiping action
US5297967A (en) * 1992-10-13 1994-03-29 International Business Machines Corporation Electrical interconnector with helical contacting portion and assembly using same
EP0615131A1 (de) 1993-03-10 1994-09-14 Co-Operative Facility For Aging Tester Development Sonde für Halbleiterscheiben mit integrierten Schaltelementen
DE4310349C2 (de) 1993-03-30 2000-11-16 Inst Mikrotechnik Mainz Gmbh Sensorkopf und Verfahren zu seiner Herstellung
US5395253A (en) * 1993-04-29 1995-03-07 Hughes Aircraft Company Membrane connector with stretch induced micro scrub
US5412866A (en) * 1993-07-01 1995-05-09 Hughes Aircraft Company Method of making a cast elastomer/membrane test probe assembly
US5326428A (en) * 1993-09-03 1994-07-05 Micron Semiconductor, Inc. Method for testing semiconductor circuitry for operability and method of forming apparatus for testing semiconductor circuitry for operability
JPH0794252A (ja) * 1993-09-20 1995-04-07 Texas Instr Japan Ltd ソケット
US20020053734A1 (en) * 1993-11-16 2002-05-09 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit, and methods of making same
US5974662A (en) 1993-11-16 1999-11-02 Formfactor, Inc. Method of planarizing tips of probe elements of a probe card assembly
US5806181A (en) * 1993-11-16 1998-09-15 Formfactor, Inc. Contact carriers (tiles) for populating larger substrates with spring contacts
US6336269B1 (en) 1993-11-16 2002-01-08 Benjamin N. Eldridge Method of fabricating an interconnection element
US5583445A (en) * 1994-02-04 1996-12-10 Hughes Aircraft Company Opto-electronic membrane probe
US5462440A (en) 1994-03-11 1995-10-31 Rothenberger; Richard E. Micro-power connector
US5632631A (en) * 1994-06-07 1997-05-27 Tessera, Inc. Microelectronic contacts with asperities and methods of making same
JPH07333232A (ja) 1994-06-13 1995-12-22 Canon Inc 探針を有するカンチレバーの形成方法
US5506515A (en) * 1994-07-20 1996-04-09 Cascade Microtech, Inc. High-frequency probe tip assembly
US5476818A (en) 1994-08-19 1995-12-19 Motorola, Inc. Semiconductor structure and method of manufacture
JPH0878110A (ja) 1994-08-29 1996-03-22 Whitaker Corp:The 電気コネクタ
EP0707214A3 (de) * 1994-10-14 1997-04-16 Hughes Aircraft Co Multiport-Membranfühler zum Testen vollständiger Wafer
US5611696A (en) * 1994-12-14 1997-03-18 International Business Machines Corporation High density and high current capacity pad-to-pad connector comprising of spring connector elements (SCE)
US5773986A (en) * 1995-04-03 1998-06-30 Motorola, Inc Semiconductor wafer contact system and method for contacting a semiconductor wafer
EP0742682B1 (de) * 1995-05-12 2005-02-23 STMicroelectronics, Inc. IC-Packungsfassungssystem mit niedrigem Profil
US6002266A (en) * 1995-05-23 1999-12-14 Digital Equipment Corporation Socket including centrally distributed test tips for testing unpackaged singulated die
CN1151009C (zh) 1995-05-26 2004-05-26 福姆法克特公司 利用牺牲基片制作互连件和接点
US5506499A (en) * 1995-06-05 1996-04-09 Neomagic Corp. Multiple probing of an auxilary test pad which allows for reliable bonding to a primary bonding pad
US5613861A (en) 1995-06-07 1997-03-25 Xerox Corporation Photolithographically patterned spring contact
JP3611637B2 (ja) 1995-07-07 2005-01-19 ヒューレット・パッカード・カンパニー 回路部材の電気接続構造
US5642054A (en) * 1995-08-08 1997-06-24 Hughes Aircraft Company Active circuit multi-port membrane probe for full wafer testing
US5573435A (en) 1995-08-31 1996-11-12 The Whitaker Corporation Tandem loop contact for an electrical connector
US5655913A (en) * 1995-09-26 1997-08-12 Motorola, Inc. Electrical interconnect contact
US5994152A (en) 1996-02-21 1999-11-30 Formfactor, Inc. Fabricating interconnects and tips using sacrificial substrates
US5883519A (en) * 1996-02-23 1999-03-16 Kinetic Probe, Llc Deflection device
US5869974A (en) * 1996-04-01 1999-02-09 Micron Technology, Inc. Micromachined probe card having compliant contact members for testing semiconductor wafers
JP3022312B2 (ja) 1996-04-15 2000-03-21 日本電気株式会社 プローブカードの製造方法
US5838161A (en) * 1996-05-01 1998-11-17 Micron Technology, Inc. Semiconductor interconnect having test structures for evaluating electrical characteristics of the interconnect
CN1145802C (zh) 1996-05-17 2004-04-14 福姆法克特公司 微电子弹簧接触元件及电子部件
EP2058667A2 (de) 1996-05-17 2009-05-13 FormFactor, Inc. Mikroelektronisches Federkontaktelement
TW341747B (en) 1996-05-17 1998-10-01 Formfactor Inc Techniques of fabricating interconnection elements and tip structures for same using sacrificial substrates
JP3233195B2 (ja) * 1996-07-02 2001-11-26 信越ポリマー株式会社 半導体素子検査用ソケット
US5764486A (en) * 1996-10-10 1998-06-09 Hewlett Packard Company Cost effective structure and method for interconnecting a flip chip with a substrate
US6037786A (en) * 1996-12-13 2000-03-14 International Business Machines Corporation Testing integrated circuit chips
US5952840A (en) * 1996-12-31 1999-09-14 Micron Technology, Inc. Apparatus for testing semiconductor wafers
US5861759A (en) 1997-01-29 1999-01-19 Tokyo Electron Limited Automatic probe card planarization system
US6060891A (en) * 1997-02-11 2000-05-09 Micron Technology, Inc. Probe card for semiconductor wafers and method and system for testing wafers
US5894161A (en) * 1997-02-24 1999-04-13 Micron Technology, Inc. Interconnect with pressure sensing mechanism for testing semiconductor wafers
US5929521A (en) * 1997-03-26 1999-07-27 Micron Technology, Inc. Projected contact structure for bumped semiconductor device and resulting articles and assemblies
US5962921A (en) * 1997-03-31 1999-10-05 Micron Technology, Inc. Interconnect having recessed contact members with penetrating blades for testing semiconductor dice and packages with contact bumps
EP0985231A1 (de) 1997-05-15 2000-03-15 Formfactor, Inc. Lithodraphisch abgezeichnete mikroelektronische kontaktstrukturen
US6040702A (en) * 1997-07-03 2000-03-21 Micron Technology, Inc. Carrier and system for testing bumped semiconductor components
JPH1138041A (ja) * 1997-07-24 1999-02-12 Mitsubishi Electric Corp プローブカード用片持ち型プローブ針とその製造方法ならびに制御方法
US6059982A (en) 1997-09-30 2000-05-09 International Business Machines Corporation Micro probe assembly and method of fabrication
US5859128A (en) * 1997-10-30 1999-01-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Modified cationic starch composition for removing particles from aqueous dispersions
US6028436A (en) * 1997-12-02 2000-02-22 Micron Technology, Inc. Method for forming coaxial silicon interconnects
US6114221A (en) * 1998-03-16 2000-09-05 International Business Machines Corporation Method and apparatus for interconnecting multiple circuit chips
US6008982A (en) * 1998-05-20 1999-12-28 General Motors Corporation Low profile electrical distribution center and method of making a bus subassembly therefor
US6256882B1 (en) * 1998-07-14 2001-07-10 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6031282A (en) 1998-08-27 2000-02-29 Advantest Corp. High performance integrated circuit chip package
US6184576B1 (en) * 1998-09-21 2001-02-06 Advantest Corp. Packaging and interconnection of contact structure
US6441315B1 (en) * 1998-11-10 2002-08-27 Formfactor, Inc. Contact structures with blades having a wiping motion
US6759858B2 (en) * 1999-10-20 2004-07-06 Intel Corporation Integrated circuit test probe having ridge contact
AU2001232772A1 (en) * 2000-01-20 2001-07-31 Gryphics, Inc. Flexible compliant interconnect assembly
JP4214650B2 (ja) 2000-02-08 2009-01-28 トヨタ車体株式会社 車両用回転シート
US6426638B1 (en) * 2000-05-02 2002-07-30 Decision Track Llc Compliant probe apparatus
JP2002082130A (ja) * 2000-09-06 2002-03-22 Hitachi Ltd 半導体素子検査装置及びその製造方法
JP2002343478A (ja) * 2001-05-16 2002-11-29 Tyco Electronics Amp Kk 電気コンタクトおよびそれを用いた電気接続部材
USRE43503E1 (en) * 2006-06-29 2012-07-10 Microprobe, Inc. Probe skates for electrical testing of convex pad topologies
US20060038576A1 (en) * 2004-08-19 2006-02-23 Pooya Tadayon Sort interface unit having probe capacitors

Also Published As

Publication number Publication date
DE69927996D1 (de) 2005-12-01
EP1641082A2 (de) 2006-03-29
JP4493317B2 (ja) 2010-06-30
KR20010090835A (ko) 2001-10-19
JP2010073698A (ja) 2010-04-02
EP1641082A3 (de) 2008-12-31
US6825422B2 (en) 2004-11-30
JP2004139992A (ja) 2004-05-13
EP1129510B1 (de) 2005-10-26
KR100370720B1 (ko) 2003-02-05
AU1913000A (en) 2000-05-29
CN100470946C (zh) 2009-03-18
WO2000028625A1 (en) 2000-05-18
US20100323551A1 (en) 2010-12-23
US6441315B1 (en) 2002-08-27
US20040177499A1 (en) 2004-09-16
CN1497794A (zh) 2004-05-19
CN1325553A (zh) 2001-12-05
JP2002529903A (ja) 2002-09-10
EP1129510A1 (de) 2001-09-05
US9030222B2 (en) 2015-05-12
TW588483B (en) 2004-05-21
US20030015347A1 (en) 2003-01-23
CN1127781C (zh) 2003-11-12
JP3902729B2 (ja) 2007-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69927996T2 (de) Scharfe, orientierte druckkontaktspitze
DE60314548T2 (de) Sonde zur prüfung der elektrischen leitfähigkeit
DE69635083T2 (de) Herstellung von verbindungen und ansatzstücken unter verwendung eines opfersubstrats
DE69531996T2 (de) Elektrische kontaktstruktur aus flexiblem draht
DE10023379B4 (de) Membranmeßfühler und Membranmessfühleraufbauten, Verfahren zu ihrer Herstellung und mit ihnen angewandte Testverfahren
EP0938738B1 (de) Verfahren zum herstellen eines mikromechanischen relais
DE60212906T2 (de) Feder mit leitfähiger Beschichtung
DE69533041T2 (de) Montage von federelementen auf halbleiterbauteilen
DE69735101T2 (de) Kontaktspitzenstruktur für mikroelektronische verbindungselemente und herstellungsverfahren dazu
DE69530509T2 (de) Herstellung eines prüfkopfs auf siliziumbasis zum prüfen nackter halbleiterchips
DE60035667T2 (de) Kontaktor mit Kontaktelement auf der LSI-Schaltungsseite, Kontaktelement auf der Testplattinenseite zum Testen von Halbleitergeräten und Herstellungsverfahren dafür
DE112005003667B4 (de) Elektrische Prüfsonde
DE60218985T2 (de) Verfahren zur herstellung von kontaktsonde
DE10297653T5 (de) Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontaktbauteils zur Prüfung einer elektrischen Vorrichtung und ein elektrisches Kontaktbauteil
DE112007000210T5 (de) Kontaktvorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
DE2813968A1 (de) Halbleiteranordnung mit kontaktwarzen-anschluessen
DE112007001350T5 (de) Verfahren zur Herstellung einer Sonde vom Ausleger-Typ und Verfahren zur Herstellung einer Sondenkarte unter Verwendung derselben
DE10227854B4 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE112010005383T5 (de) Halbleitervorrichtung
DE10017746A1 (de) Elektronisches Bauteil mit mikroskopisch kleinen Kontaktflächen und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10149688B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer Mikrokontaktfeder auf einem Substrat
DE3151933C2 (de) Elektrischer Verbinder
DE10157205A1 (de) Kontakthöcker mit profilierter Oberflächenstruktur sowie Verfahren zur Herstellung
DE3014127A1 (de) Pruefspitze zur zwischenmessung von halbleiterchips und deren herstellungsverfahren
DE1923352A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Kontaktelements mit einem Goldkontakt

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition