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Hintergrund der Erfindung
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1. Gebiet der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente und
eine Mobilkommunikationsvorrichtung, die dieselbe umfasst, und insbesondere
auf eine zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente, die bei drei unterschiedlichen
Kommunikationssystemen verwendet werden kann, und eine Mobilkommunikationsvorrichtung,
die dieselbe umfasst.
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2. Beschreibung der verwandten
Technik
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Momentan
wird als eine Mobilkommunikationsvorrichtung ein tragbares Dreibandtelefon
vorgeschlagen, das in mehreren Frequenzbändern betrieben werden kann,
zum Beispiel DCS (Digitalzellularsystem) und PCS (Personalkommunikationsdienste), die
in dem 1,8 GHz-Band betrieben werden können, und GSM (Globales System
für Mobilkommunikation),
das in dem 900 MHz-Band wirksam ist.
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6 ist
ein Blockdiagramm, das ein Beispiel des Front-End-Abschnitts eines tragbaren Dreibandtelefons
gemäß dem Stand
der Technik zeigt. In diesem Fall werden DCS und PCS, die das 1,8
GHz-Band verwenden, als das erste und das zweite Kommunikationssystem
verwendet, die bei benachbarten Frequenzen wirksam sind, GSM, das in
dem 900 MHz-Band wirksam, wird als das dritte Kommunikationssystem
verwendet, das bei einer anderen Frequenz als das erste und das
zweite Kommunikationssystem anwendbar ist.
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Der
Front-End-Abschnitt des tragbaren Dreibandtelefons ist mit einer
Antenne 1, einem Diplexer 2, einem ersten bis
dritten Schalter 3 bis 5, die drei Tore aufweisen,
und einem ersten und einem zweiten Filter 6 und 7 ausgestattet.
Der Diplexer 2 hat die Funktion, im Fall eines Sendens
ein Sendesignal von DCS, PCS oder GSM zu koppeln, und im Fall eines
Empfangens ein Empfangssignal an DCS, PCS oder GSM zu verteilen.
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Der
erste Hochfrequenzschalter 3 schaltet die Sendeabschnittseite
von DCS und PCS zu der Empfangsabschnittseite von DCS und PCS und
umgekehrt. Der zweite Hochfrequenzschalter 4 hat die Funktion,
die Empfangsabschnitt-Rxd-Seite
von DCS und die Empfangsabschnitt-Rxp-Seite von PCS zu schalten
und umgekehrt. Der dritte Hochfrequenzschalter 5 hat die
Funktion, die Sendeabschnitt-Txg-Seite von GSM und die Empfangsabschnitt-Rxg-Seite
desselben zu schalten.
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Das
erste Filter 6 hat die Funktion, ein Sende-Empfangssignal von
DCS und PCS zu leiten und eine zweite und dritte höhere Oberschwingung
zu dämpfen,
und das zweite Filter 7 ist beim Leiten eines Sende-Empfangssignals
von GSM und einem Dämpfen
der dritten höheren
Oberschwingung wirksam.
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Im
Folgenden wird nun die Operation eines tragbaren Dreibandtelefons,
das durch DSC wirksam ist, beschrieben. In dem Fall eines Sendens
wird durch eine Verbindung des Sendeabschnitts Txdp, der DCS und
PCS gemeinsam ist, mittels des ersten Hochfrequenzschalters 3 ein
Sendesignal von dem Sendeabschnitt Txdp zu dem ersten Filter 6 gesendet.
Das Sendesignal, das durch das erste Filter 6 geleitet
wird, wird in dem Diplexer 2 wellenzugeordnet und durch
eine Antenne 1 gesendet. In dem Fall eines Empfangens wird
ein Empfangssignal, das durch die Antenne 1 empfangen wird,
in dem Diplexer 2 in seine Komponentenwellen zerlegt. Das
Empfangssignal von der Antenne 1 wird an das erste Filter 6 gesendet,
das sich auf der DCS- und PCS-Seite befindet. Mit dem ersten Hochfrequenzschalter 3 wird
die Empfangsabschnittseite angeschaltet, so dass das Empfangssignal,
das durch das erste Filter 6 geleitet wird, zu dem zweiten Hochfrequenzschalter 4 gesendet
wird. Der Empfangsabschnitt Rxd von DCS wird mittels des zweiten
Hochfrequenzschalters 4 angeschlossen, so dass das Empfangssignal,
das durch den zweiten Hochfrequenzschalter 4 geleitet wird,
an den Empfangsabschnitt Rxd von DCS gesendet wird. Wenn PCS verwendet
wird, wird das Senden und der Empfang durch eine ähnlich Operation
erreicht.
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Der
Fall von GSM wird nun im Folgenden beschrieben. In dem Fall eines
Sendens wird der Sendeabschnitt Txg mittels des dritten Hochfrequenzschalters 5 angeschlossen,
so dass ein Sendesignal von dem Sendeabschnitt Txg an das zweite
Filter 7 gesendet wird. Das Sendesignal, das durch das zweite
Filter 7 geleitet wird, wird in dem Diplexer 2 wellenzugeordnet
und durch die Antenne 1 gesendet. In dem Fall eines Empfangens
wird ein Empfangssignal, das durch die Antenne 1 empfangen wird,
in dem Diplexer 2 wellenverzweigt, und das Empfangssignal
von der Antenne 1 wird an das zweite Filter 7 gesendet,
das sich auf der GSM-Seite befindet. Durch eine Verbindung des Empfangsabschnitts
Rxg mittels des dritten Hochfrequenzschalters 5 wird das
Empfangssignal, das durch das zweite Filter 7 geleitet
wird, an den Empfangsabschnitt Rxg gesendet.
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Bei
der Mobilkommunikationsvorrichtung des tragbaren Dreibandtelefons
gemäß dem Stand der
Technik, die im vorhergehenden beschrieben ist, sind die zwei Hochfrequenzschalter
jedoch auf der ersten und der zweiten Kommunikationssystemseite bereitgestellt,
wobei die Systeme bei unterschiedlichen Frequenzen wirksam sind.
Dementsprechend tritt- der Einfügungsverlust
aufgrund der zwei Hochfrequenzschalter in den Empfangsabschnitten
auf. Somit besteht ein Problem darin, dass der Einfügungsverlust
erhöht
wird.
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Ferner
ist die Fläche,
die durch die Hochfrequenzschalter belegt wird, groß, und das
Schaltungssubstrat ist voluminös.
Folglich besteht auch ein Problem darin, dass die Größe des tragbaren
Dreibandtelefons (Mobilkommunikationsvorrichtung) groß ist.
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Zusammenfassung
der Erfindung
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Um
die im Vorhergehenden beschriebenen Probleme zu beseitigen, liefert
ein Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung eine zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente,
die folgende Merkmale aufweist: einen Front-End-Abschnitt, der ein erstes
Kommunikationssystem und ein zweites Kommunikationssystem, die bei
zueinander benachbarten Frequenzen wirksam sind, und ein drittes
Kommunikationssystem aufweist, das bei einer anderen Frequenz als
denjenigen des ersten und des zweiten Kommunikationssystems wirksam
ist; einen Diplexer zum Koppeln eines Sendesignals von dem ersten, dem
zweiten und dem dritten Kommunikationssystem im Fall eines Sendens
und zum Verteilen eines Empfangssignals an das erste, das zweite
und das dritte Kommunikationssystem im Fall eines Empfangs; einen
ersten Hochfrequenzschalter, der vier Tore aufweist, zum Trennen
in einen Sendeabschnitt, der dem ersten und dem zweiten Kommunikationssystem
gemeinsam ist, einen Empfangsabschnitt des ersten Kommunikationssystems
und einen Empfangsabschnitt des zweiten Kommunikationssystems; einen
zweiten Hochfrequenzschalter, der drei Tore aufweist, zum Trennen
in einen Sende- und einen Empfangsabschnitt des dritten Kommunikationssystems;
ein erstes Filter zum Leiten eines Sende-Empfangssignals durch das erste und
das zweite Kommunikationssystem; und ein zweites Filter zum Leiten
eines Sende-Empfangssignals
durch das dritte Kommunikationssystem.
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Gemäß der im
Vorhergehenden beschriebenen Struktur und Anordnung sind die zwei
Hochfrequenzschalter, d. h. der erste Hochfrequenzschalter, der
die vier Tore aufweist, und der zweite Hochfrequenzschalter, der
die drei Tore aufweist, enthalten. Somit ist nur der erste Hochfrequenzschalter
in dem Empfangsweg für
das erste und das zweite Kommunikationssystem, die bei benachbarten
Frequenzen wirksam sind, bereitgestellt. Folglich wird der Einfügungsverlust
bei den Empfangsabschnitten verringert.
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Die
zwei Hochfrequenzschalter, die in der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente
enthalten sind, können
aus den fünf
Dioden gebildet sein. Somit kann die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente
miniaturisiert und kostengünstig hergestellt
werden.
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Bei
der im Vorgehenden beschriebenen zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente
kann das An-Aus des ersten Hochfrequenzschalters mit einer ersten
Steuerleistungsversorgung, die mit der Sendeabschnittseite verbunden
ist, die dem ersten und dem zweiten Kommunikationssystem gemeinsam
ist, einer zweiten Steuerleistungsversorgung, die mit der Empfangsabschnittseite
des ersten Kommunikationssystems verbunden ist, und einer dritten Steuerleistungsversorgung,
die mit der Empfangsabschnittseite des zweiten Kommunikationssystems verbunden
ist, gesteuert werden; und das An-Aus des zweiten Hochfrequenzschalters
kann mit einer vierten Steuerleistungsversorgung, die mit der Sendeabschnittseite
des dritten Kommunikationssystems verbunden ist, und einer fünften Steuerleistungsversorgung,
die mit der Empfangsabschnittseite des dritten Kommunikationssystems
verbunden ist, gesteuert werden.
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Gemäß der im
Vorhergehenden beschriebenen Struktur und Anordnung wird das An-Aus
des ersten Hochfrequenzschalters mittels der ersten bis dritten
Steuerleistungsversorgung gesteuert, und das An-Aus des zweiten
Hochfrequenzschalters mittels der vierten und fünften Steuerleistungsversorgung. Somit
sind bei einem Senden durch das erste und das zweite Kommunikationssystem,
die bei benachbarten Frequenzen wirksam sind, alle drei Dioden, die
den ersten Hochfrequenzschalter bilden, der die vier Tore aufweist,
angeschaltet. Somit kann die höhere
harmonische Verzerrung der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente
verringert werden.
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Bei
der im Vorhergehenden beschriebenen zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente kann
das An-Aus des ersten Hochfrequenzschalters mit einer ersten und
einer zweiten Steuerleistungsversorgung gesteuert werden, die mit
zwei ausgewählten
von der Sendeabschnittseite, die dem ersten und dem zweiten Kommunikationssystem
gemeinsam ist, der Empfangsabschnittseite des ersten Kommunikationssystems
und der Empfangsabschnittseite des zweiten Kommunikationssystems verbunden
sind; und das An-Aus des zweiten Hochfrequenzschalters kann mit
einer dritten Steuerleistungsversorgung gesteuert werden, die mit
einer der Sendeabschnittseite des dritten Kommunikationssystems
und der Empfangsabschnittseite des dritten Kommunikationssystems
verbunden ist.
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Gemäß der im
Vorhergehenden beschriebenen Struktur und Anordnung wird das An-Aus
des ersten Hochfrequenzschalters mittels der ersten und der zweiten
Steuerleistungsversorgung gesteuert, und das An-Aus des zweiten
Hochfrequenzschalters mittels der dritten Steuerleistungsversorgung.
Dementsprechend werden beim Empfangen durch eines des ersten und
des zweiten Kommunikationssystems, die sich in der Nachstufe des
ersten Hochfrequenzschalters befinden, oder beim Empfangen durch
das dritte Kommunikationssystem, das sich in der Nachstufe des zweiten
Hochfrequenzschalters befindet, die Spannungen, die an die erste
und die zweite Steuerleistungsversorgung angelegt sind, die für den ersten
Hochfrequenzschalter bereitgestellt sind, und die Spannung, die
an die dritte Steuerleistungsversorgung angelegt ist, die für den zweiten Hochfrequenzschalter
bereitgestellt ist, 0 V. Folglich kann der Aufnahmestrom der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente
verringert werden.
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Bei
der im Vorhergehenden beschriebenen zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente kann
zumindest eines des ersten und des zweiten Filters in der Nachstufe
auf der Sendeabschnittseite des ersten und des zweiten Hochfrequenzschalters angeordnet
sein.
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Gemäß der im
Vorhergehenden beschriebenen Struktur und Anordnung ist zumindest
eines des ersten und des zweiten Filters in der Nachstufe oder auf
der Sendeabschnittseite des Hochfrequenzschalters angeordnet. Somit
kann die Verzerrung eines Sendesignals, die durch einen Hochleistungsverstärker verursacht
wird, gedämpft
werden. Somit kann der Einfügungsverlust
bei den Empfangsabschnitten verbessert werden.
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Bei
der im Vorhergehenden beschriebenen zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente können der
Diplexer, der erste und der zweite Hochfrequenzschalter und das
erste und das zweite Filter mit einem Keramikmehrschichtsubstrat
integriert sein, das durch ein Laminieren einer Mehrzahl von Keramiklageschichten
gebildet ist.
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Gemäß der im
Vorhergehenden beschriebenen Struktur und Anordnung sind der Diplexer,
die Hochfrequenzschalter und die Filter, die die zusammengesetzte
Hochfrequenzkomponente bilden, in das Keramikmehrschichtsubstrat
integriert, das durch eine Laminierung von mehreren Keramiklageschichten
gebildet ist. Dementsprechend kann die Anpassungseinstellung zwischen
dem Diplexer und den jeweiligen Hochfrequenzschaltern ohne weiteres erreicht
werden. Es ist unnötig,
eine Anpassungsschaltung zwischen dem Diplexer und den Hochfrequenzschaltern
und zwischen den Hochfrequenzschaltern und den Filtern bereitzustellen.
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Da
die Anzahl von Elementen verringert werden kann, kann das Schaltungssubstrat
zum Bilden einer Mikrowellenschaltung mit mehreren Signalwegen dementsprechend
miniaturisiert werden.
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Bei
der im Vorhergehenden beschriebenen zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente kann
der Diplexer ein erstes Induktivitätselement und ein erstes Kapazitätselement
aufweisen; der erste Hochfrequenzschalter kann ein erstes Schaltelement,
ein zweites Induktivitätselement
und ein zweites Kapazitätselement
aufweisen; der zweite Hochfrequenzschalter kann ein zweites Schaltelement,
ein drittes Induktivitätselement
und ein drittes Kapazitätselement
aufweisen; das erste Filter kann ein viertes Induktivitätselement
und ein viertes Kapazitätselement
aufweisen; das zweite Filter kann ein fünftes Induktivitätselement
und ein fünftes
Kapazitätselement aufweisen;
und das erste und das zweite Schaltelement, das erste bis fünfte Induktivitätselement
und das erste bis fünfte
Kapazitätselement
können
in dem Keramikmehrschichtsubstrat enthalten oder auf demselben befestigt
sein und mit einer Verbindungseinrichtung, die in dem Keramikmehrschichtsubstrat gebildet
ist, verbunden sein.
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Gemäß der im
Vorhergehenden beschriebenen Struktur und Anordnung ist der Diplexer
aus den ersten Induktivitätselementen
und den ersten Kapazitätselementen,
jedem des ersten bis dritten Hochfrequenzschalters des ersten und
des zweiten Schaltelements, den zweiten Induktivitätselementen
und den zweiten Kapazitätselementen,
jedem des ersten und des zweiten Filters der dritten Induktivitätselemente
und der dritten Kapazitätselemente
gebildet. Dieselben sind in dem Keramikmehrschichtsubstrat enthalten
oder auf demselben befestigt und mit der Verbindungseinrichtung
verbunden. Somit kann die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente
unter Verwendung eines Keramikmehrschichtsubstrats gebildet werden
und kann weiter miniaturisiert werden. Außerdem kann der Verlust aufgrund
der Verdrahtung zwischen ihren Elementen verbessert werden.
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Ferner
können
mit den Wellenlängenverkürzungseffekten
die Streifenleitungselektroden, die zu den jeweiligen Induktivitätselementen
werden, verkürzt
werden. Somit können
die Einfügungsverluste aufgrund
dieser Streifenleitungselektroden verbessert werden. Folglich kann
die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente miniaturisiert werden,
und die Verringerung des Verlustes kann realisiert werden.
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Ein
weiteres bevorzugtes Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung liefert eine Mobilkommunikationsvorrichtung,
die eine beliebige der im Vorhergehenden beschriebenen zusammengesetzten
Hochfrequenzkomponenten umfasst.
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Die
im Vorhergehenden beschriebene Mobilkommunikationsvorrichtung umfasst
die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente der vorliegenden Erfindung,
die eine geringe Größe und einen
geringen Verlust aufweist. Dementsprechend kann die Mobilkommunikationsvorrichtung,
an der die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente befestigt ist, miniaturisiert
werden und eine Operation hoher Qualität aufweisen.
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Andere
Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der
folgenden Beschreibung der Erfindung ersichtlich, die sich auf die
beiliegenden Zeichnungen bezieht.
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Kurze Beschreibung
der Zeichnungen
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1 ist
ein Schaltbild einer zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente gemäß einem ersten
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung.
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2 ist
eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht eines Teils der
zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente, die in 1 gezeigt
ist.
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3 ist
ein Schaltbild einer zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente gemäß einem zweiten
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung.
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4 ist
ein Blockdiagramm einer zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente
gemäß einem
dritten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung.
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5 ist
ein Blockdiagramm, das einen Teil einer Mobilkommunikationsvorrichtung
zeigt, die die zu sammengesetzte Hochfrequenzkomponente umfasst,
die in 1 gezeigt ist.
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6 ist
ein Blockdiagramm, das den Front-End-Abschnitt eines allgemein verwendeten tragbaren
Dreibandtelefons (Mobilkommunikationsvorrichtung) zeigt.
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Beschreibung
der bevorzugten Ausführungsbeispiele
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1 ist
ein Schaltbild eines ersten Ausführungsbeispiels
einer zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente gemäß der vorliegenden
Erfindung. Eine zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente 10,
die teilweise einen Front-End-Abschnitt bildet, der einem ersten,
einem zweiten und einem dritten Kommunikationssystem, nämlich DCS
(1,8 GHz-Band), PCS (1,8 GHz-Band) und GSM (900 MHz-Band), entspricht.
Der Front-End-Abschnitt
ist aus einem Diplexer 11, einem ersten Hochfrequenzschalter 12,
der vier Tore aufweist, einem zweiten Hochfrequenzschalter 13,
der drei Tore aufweist, und einem ersten und einem zweiten Filter 14 und 15 gebildet.
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Eine
Antenne 1 ist mit dem ersten Tor P11 des Diplexers 11 verbunden.
Das erste Tor P41 des ersten Filters 14 ist mit dem zweiten
Tor P12 des Diplexers 11 verbunden, und das erste Tor P51
des zweiten Filters 15 ist mit dem dritten Tor P13 des
Diplexers 11 verbunden.
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Das
erste Tor P21 des ersten Hochfrequenzschalters 12 ist mit
dem zweiten Tor P42 des ersten Filters 14 verbunden. Der
Sendeabschnitt Txdp, der DCS und PCS gemeinsam ist, ist mit dem
zweiten Tor P22 des ersten Hochfrequenzschalters 12 verbunden.
Der Empfangsabschnitt Rxd von DCS ist mit dem dritten Tor P23 des
ersten Hochfrequenzschalters 12 verbunden. Der Empfangsabschnitt
Rxp von PCS ist mit dem vierten Tor P24 des ersten Hochfrequenzschalters 12 verbunden.
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Ferner
ist das erste Tor P31 des zweiten Hochfrequenzschalters 13 mit
dem zweiten Tor P52 des zweiten Filters 15 verbunden. Der
Sendeabschnitt Txg von GSM ist mit dem zweiten Tor P32 des zweiten
Hochfrequenzschalters 13 verbunden. Der Empfangsabschnitt
Rxg von GSM ist mit dem dritten Tor P33 des zweiten Hochfrequenzschalters 13 verbunden.
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Der
Diplexer 11 ist aus ersten Induktoren L11 und L12, bei
denen es sich um erste Induktivitätselemente handelt, und ersten
Kondensatoren C11 bis C15, bei denen es sich um erste Kapazitätselemente handelt,
gebildet.
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Die
ersten Kondensatoren C11 und C12 sind in Reihe zwischen das erste
Tor P11 und das zweite Tor P12 geschaltet, und ihr gemeinsamer Knoten
ist durch eine Reihenkombination des ersten Induktors L11 und des
ersten Kondensators C13 geerdet.
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Eine
Parallelschaltung, die den ersten Induktor L12 und den ersten Kondensator
C14 aufweist, ist zwischen das erste Tor P11 und das dritte Tor
P13 geschaltet. Diese Parallelschaltung an dem dritten Tor P13 ist
durch den ersten Kondensator C15 geerdet.
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Der
erste Hochfrequenzschalter 12 ist aus ersten Dioden D11
bis D13, bei denen es sich um erste Schaltelemente handelt, zweiten
Induktoren L21 bis L25, bei denen es sich um zweite Induktivitätselemente
handelt, und zweite Kondensatoren C21 bis C25, bei denen es sich
um zweite Kapazitätselemente
handelt, gebildet.
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Die
erste Diode D11 ist zwischen das erste Tor P21 und das zweite Tor
P22 geschaltet, derart, dass ihre Kathode sich an dem ersten Tor
P21 befindet. Eine Reihenschaltung, die den zweiten Induktor L21
und den zweiten Kondensator C21 aufweist, ist parallel mit der ersten
Diode D11 geschaltet.
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Die
Anode der ersten Diode D11 ist durch eine Reihenkombination des
zweiten Induktors L22 und des zweiten Kondensators C22 geerdet.
Der gemeinsame Knoten zwischen dem zweiten Induktor L22 und dem
zweiten Kondensator C22 ist mit einem ersten Steueranschluss Vc1
ausgestattet.
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Der
zweite Induktor L23 ist zwischen das erste Tor P21 und das dritte
Tor P23 geschaltet. Der zweite Induktor L23 an dem dritten Tor P23
ist durch eine Reihenkombination der ersten Diode D12 und des zweiten
Kondensators C23 geerdet (wobei die Kathode der Diode D12 mit dem
dritten Tor P23 verbunden ist). Der gemeinsame Knoten zwischen der Anode
der ersten Diode D12 und dem zweiten Kondensator C23 ist mit einem
zweiten Steueranschluss Vc2 ausgestattet.
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Der
zweite Induktor L24 ist zwischen das erste Tor P21 und das vierte
Tor P24 geschaltet. Der zweite Induktor L24 an dem vierten Tor P24
ist durch eine Reihenkombination der ersten Diode D13 und des zweiten
Kondensators C24 geerdet (wobei die Kathode der Diode D12 mit dem
vierten Tor P24 verbunden ist). Der gemeinsame Knoten zwischen der Anode
der ersten Diode D13 und dem zweiten Kondensator C24 ist mit einem
dritten Steueranschluss Vc3 ausgestattet.
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Das
erste Tor P21 ist durch eine Reihenkombination des zweiten Induktors
L25 und des zweiten Kondensators C25 geerdet. Der gemeinsame Knoten zwischen
dem zweiten Induktor L25 und dem zweiten Kondensator C25 ist durch
einen Widerstand R geerdet.
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Der
zweite Hochfrequenzschalter 13 ist aus zweiten Dioden D21
und D22, bei denen es sich um zweite Schaltelemente handelt, dritten
Induktoren L31 bis L33, bei denen es sich um dritte Induktivitätselemente
handelt, und dritten Kondensatoren C31 bis C33, bei denen es sich
um dritte Kapazitätselemente
handelt, gebildet.
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Die
zweite Diode D21 ist zwischen das erste Tor P31 und das zweite Tor
P32 geschaltet, derart, dass ihre Kathode sich an dem ersten Tor
P31 befindet. Eine Reihenschaltung, die den dritten Induktor L31
und den dritten Kondensator C31 aufweist, ist parallel mit der zweiten
Diode D21 geschaltet.
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Die
Anode der zweiten Diode D21 ist durch eine Reihenkombination des
dritten Induktors L32 und des dritten Kondensators C32 geerdet.
Der gemeinsame Knoten zwischen dem dritten Induktor L32 und dem
dritten Kondensator C32 ist mit einem vierten Steueranschluss Vc4
ausgestattet.
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Der
dritte Induktor L33 ist zwischen das erste Tor P31 und das dritte
Tor P33 geschaltet. Der dritte Induktor L33 an dem dritten Tor P33
ist durch eine Reihenkombination der zweiten Diode D22 und des dritten
Kondensators C33 geerdet. Der gemeinsame Knoten zwischen der Kathode
der zweiten Diode D22 und dem dritten Kondensator C33 ist mit einem
fünften
Steueranschluss Vc5 ausgestattet.
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Das
erste Filter 14 ist aus einem vierten Induktor L41, bei
dem es sich um ein viertes Induktivitätselement handelt, und vierten
Kondensatoren C41 und C42, bei denen es sich um vierte Kapazitätselemente
handelt, gebildet.
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Der
vierte Induktor L41 ist in Reihe zwischen das erste Tor P41 und
das zweite Tor P42 geschaltet. Der vierte Kondensator C41 ist parallel
mit dem vierten Induktor L41 geschaltet. Der vierte Induktor L41 an
dem zweiten Tor P42 ist durch den vierten Kondensator C42 geerdet.
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Das
zweite Filter 15 ist aus einem fünften Induktor L51, bei dem
es sich um ein fünftes
Induktivitätselement
handelt, und fünften
Kondensatoren C51 und C52, bei denen es sich um fünfte Kapazitätselemente
handelt, gebildet.
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Der
fünfte
Induktor L51 ist in Reihe zwischen das erste Tor P51 und das zweite
Tor P52 geschaltet. Der fünfte
Kondensator C51 ist parallel mit dem fünften Induktor L51 geschaltet.
Der fünfte
Induktor L51 an dem zweiten Tor P52 ist durch den fünften Kondensator
C52 geerdet.
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2 ist
eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht eines Teils der
zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente, die die Schaltungsanordnung
aufweist, die in 1 gezeigt ist. Die zusammengesetzte
Hochfrequenzkomponente 10 enthält ein Keramikmehrschichtsubstrat 16.
Das Keramikmehrschichtsubstrat 16 enthält die ersten Induktoren L11
und L12 und die ersten Kondensatoren C11 bis C15, die den Diplexer 11 bilden,
die zweiten Induktoren L21 und L23 bis L25, die zweiten Kondensatoren
C21, C22 und C25 des ersten Hochfrequenzschalters 12, die
dritten Induktoren L31 und L33 und die dritten Kondensatoren C31
und C32 des zweiten Hochfrequenzschalters 13, den vierten
Induktor L41 und die vierten Kondensatoren C41 und C42, die das erste
Filter 14 bilden, und den fünften Induktor L51 und die
fünften
Kondensatoren C51 und C52, die jeweils das zweite Filter 15 bilden,
obwohl dieselben in der Figur nicht gezeigt sind.
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Auf
der Oberfläche
des Keramikmehrschichtsubstrats 16 sind die ersten Dioden
D11 bis D13, der zweite Induktor L22, die zweiten Kondensatoren
C23 und C24, die den ersten Hochfrequenzschalter 12 bilden,
und die zweiten Dioden D21 und D22, der dritte Induktor L32 und
der dritte Kondensator C33, die den zweiten Hochfrequenzschalter 13 bilden,
in Form von Chipelementen befestigt.
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Zwölf äußere Anschlüsse Ta bis
Tl sind durch Siebdrucken oder dergleichen gebildet, um sich von einer
Seitenfläche
auf eine Unterseite des Keramikmehrschichtsubstrats 16 zu
erstrecken. Die fünf äußeren Anschlüsse Ta bis
Te sind an einem Langseitenabschnitt des Keramikmehrschichtsubstrats 11 gebildet,
die fünf äußeren Anschlüsse Tg bis
Tk sind an dem anderen Langseitenabschnitt des Keramikmehrschichtsub strats 11 gebildet,
und die verbleibenden zwei äußeren Anschlüsse Tf und
Tl sind jeweils an den gegenüberliegenden
Kurzseitenabschnitten des Keramikmehrschichtsubstrats 11 durch Siebdrucken
oder dergleichen gebildet.
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Die äußeren Anschlüsse Ta bis
Tl werden als das Tor P11 des Diplexers 11, das zweite
und das dritte Tor P22, P23, P32 und P33 des ersten und des zweiten
Hochfrequenzschalters 12 und 13, der erste bis
fünfte
Steueranschluss Vc1, Vc2, Vc3, Vc4 und Vc5 des ersten und des zweiten
Hochfrequenzschalters 12 und 13 und Anschlüsse zum
Erden verwendet.
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Eine
Metallabdeckung 17 bedeckt das Keramikmehrschichtsubstrat 16 auf
eine Weise, um die Oberfläche
des Keramikmehrschichtsubstrats 16 zu beschichten. In diesem
Fall ist die Metallabdeckung 17 mit den äußeren Anschlüssen Tf
und Tl verbunden, die als Anschlüsse
zum Erden anwendbar sind, die an den jeweiligen gegenüberliegenden
Kurzseitenabschnitten des Keramikmehrschichtsubstrats 16 bereitgestellt
sind.
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Die
Operation der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente 10,
die die Schaltungsanordnung aufweist, die in 1 gezeigt
ist, wird nun beschrieben. Zunächst
wird bei dem ersten Hochfrequenzschalter 12, falls ein
Sendesignal von DCS oder PCS (1,8 GHz-Band) gesendet wird, 1V an
den ersten Steueranschluss Vc1 angelegt, 1V wird an den zweiten
Steueranschluss Vc2 angelegt bzw. 1V wird an den dritten Steueranschluss
Vc3 angelegt, so dass das erste Tor P21 und das zweite Tor P22 des ersten
Hochfrequenzschalters 12 verbunden sind, und dadurch wird
das Sendesignal von DCS oder PCS durch den ersten Hochfrequenzschalter 12,
das erste Filter 14 und den Diplexer 11 geleitet
und durch die Antenne 1 gesendet. In diesem Fall lässt das
erste Filter 14 das Sendesignal von DCS oder PCS hindurchgehen
und dämpft
die zweite und die dritte höhere
Oberschwingung.
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Andererseits
werden bei dem zweiten Hochfrequenzschalter 13 0V an den
vierten Steueranschluss Vc4 angelegt bzw. 1V wird an den fünften Steueranschluss
Vc5 angelegt, so dass der zweite Hochfrequenzschalter 13 gesperrt
ist.
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Ferner
wird bei dem zweiten Hochfrequenzschalter 13 in dem Fall,
dass ein Sendesignal von GSM (900 MHz-Band) gesendet wird, 1V an
den vierten Steueranschluss Vc4 angelegt bzw. 0V werden an den fünften Steueranschluss
Vc5 angelegt, so dass das erste Tor P31 und das zweite Tor P32 des zweiten
Hochfrequenzschalters 13 verbunden sind, und dadurch wird
das Sendesignal von GSM durch den zweiten Hochfrequenzschalter 13,
das zweite Filter 15 und den Diplexer 11 geleitet
und durch die Antenne 1 durch GSM gesendet. In diesem Fall
lässt das
zweite Filter 15 das Sendesignal hindurchgehen und dämpft die
dritte höhere
Oberschwingung.
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Andererseits
werden bei dem ersten Hochfrequenzschalter 12 0V an den
ersten Steueranschluss Vc1 angelegt, 0V werden an den zweiten Steueranschluss
Vc2 angelegt bzw. 0V werden an den dritten Steueranschluss Vc3 angelegt,
so dass der erste Hochfrequenzschalter 12 gesperrt ist.
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Ferner
werden bei dem ersten Hochfrequenzschalter 12 in dem Fall,
dass ein Empfangssignal von DCS empfangen wird, 0V an den ersten
Steueranschluss Vc1 angelegt, 0V werden an den zweiten Steueranschluss
Vc2 angelegt bzw. 1V wird an den dritten Steueranschluss Vc3 angelegt,
so dass das erste Tor P21 und das zweite Tor P23 des ersten Hochfrequenzschalters 12 verbunden
sind, und dadurch wird das Empfangssignal von DCS, das durch die
Antenne 1 empfangen wird, durch den Diplexer 11,
das erste Filter 14 und den ersten Hochfrequenzschalter 12 geleitet
und an den Empfangsabschnitt Rxd von DCS gesendet. In diesem Fall
lässt das
erste Filter 14 das Empfangssignal von DCS hindurchgehen
und dämpft
die zweite und die dritte höhere Oberschwingung.
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Bei
dem zweiten Hochfrequenzschalter 13 werden 0V an den vierten
Steueranschluss Vc4 angelegt bzw. 1V wird an den fünften Steueranschluss Vc5
angelegt, so dass der zweite Hochfrequenzschalter 14 gesperrt
ist.
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Ferner
werden bei dem ersten Hochfrequenzschalter 12 in dem Fall,
dass das Empfangssignal von PCS empfangen wird, 0V an den ersten Steueranschluss
Vc1 angelegt, 1V wird an den zweiten Steueranschluss Vc2 angelegt
bzw. 0V werden an den dritten Steueranschluss Vc3 angelegt, so dass
das erste Tor P21 und das vierte Tor P24 des ersten Hochfrequenzschalters 12 verbunden
sind, und dadurch wird das Empfangssignal von PCS, das durch die
Antenne 1 empfangen wird, durch den Diplexer 11,
das erste Filter 14 und den ersten Hochfrequenzschalter 12 geleitet
und an den Empfangsabschnitt Rxp von PCS gesendet. In diesem Fall
lässt das
erste Filter 14 das Empfangssignal von PCS hindurchgehen
und dämpft
die zweite und die dritte höhere
Oberschwingung.
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Andererseits
werden bei dem zweiten Hochfrequenzschalter 13 0V an den
vierten Steueranschluss Vc4 angelegt bzw. 1V wird an den fünften Steueranschluss
Vc5 angelegt, so dass der zweite Hochfrequenzschalter 13 gesperrt
ist.
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Ferner
werden bei dem zweiten Hochfrequenzschalter 13 in dem Fall,
dass ein Empfangssignal von GSM empfangen wird, 0V an den vierten Steueranschluss
Vc4 angelegt bzw. 1V wird an den fünften Steueranschluss Vc5 angelegt,
so dass das erste Tor P31 und das dritte Tor P33 des zweiten Hochfrequenzschalters 13 verbunden
sind, und dadurch wird das Empfangssignal von GSM, das durch die
Antenne 1 empfangen wird, durch den Diplexer 11,
das zweite Filter 15 und den zweiten Hochfrequenzschalter 13 geleitet
und an den Empfangsabschnitt Rxg durch GSM gesendet. In diesem Fall
lässt das
zweite Filter 15 das Empfangssignal von GSM hindurchgehen
und dämpft
die dritte höhere
Oberschwingung.
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Bei
dem ersten Hochfrequenzschalter 12 werden 0V an den ersten
Steueranschluss Vc1 angelegt, 0V werden an den zweiten Steueranschluss
Vc2 angelegt bzw. 0V werden an den dritten Steueranschluss Vc3 angelegt,
und dadurch ist der erste Hochfrequenzschalter 12 gesperrt.
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Da
die im Vorhergehenden beschriebene zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente
des ersten Ausführungsbeispiels
zwei Hochfrequenzschalter umfasst, d. h. den ersten Hochfrequenzschalter,
der die vier Tore aufweist, und den zweiten Hochfrequenzschalter,
der die drei Tore aufweist, ist es möglich, dass nur der erste Hochfrequenzschalter in
dem Empfangsweg des ersten und des zweiten Kommunikationssystems,
die bei benachbarten Frequenzen wirksam sind, bereitgestellt ist,
und dadurch wird der Einfügungsverlust
bei den Empfangsabschnitten verringert.
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Die
zwei Hochfrequenzschalter, die die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente
bilden, sind vorteilhaft unter Verwendung von fünf Dioden gebildet. Dies ermöglicht die
Miniaturisierung des zusammengesetzten Hochfrequenzschalters und
eine kostengünstige
Herstellung.
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Ferner
wird das An-Aus des ersten Hochfrequenzschalters mittels der ersten
bis dritten Steuerleistungsversorgung gesteuert, und das An-Aus
des zweiten Hochfrequenzschalters wird mittels der vierten und der
fünften
Steuerleistungsversorgung gesteuert. Somit sind in dem Fall eines
Sendens durch DCS oder PCS (die bei benachbarten Frequenzen wirksam
sein können)
alle drei Dioden, die den ersten Hochfrequenzschalter bilden, der
die vier Tore aufweist, angeschaltet. Folglich kann die höhere harmonische
Verzerrung der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente verringert
werden.
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Der
Diplexer, der erste und der zweite Hochfrequenzschalter und das
erste und das zweite Filter, die die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente
bilden, sind in das Keramikmehrschichtsubstrat integriert, das durch
ein Laminieren der Keramiklageschichten gebildet ist. Somit können die
Anpassungs-, Dämpfungs-
und Isolationscharakteristika der jeweiligen Elemente sichergestellt
werden, und dadurch wird ein Anpassungsnetzwerk, das zwischen dem
Diplexer und dem ersten und dem zweiten Hochfrequenzschalter angeordnet
ist, unnötig.
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Dementsprechend
kann die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente miniaturisiert
werden. Zum Beispiel können
der Diplexer, der erste und der zweite Hochfrequenzschalter und
das erste und das zweite Filter in das Keramikmehrschichtsubstrat mit
einer Größe von 6,3
mm × 5
mm × 2
mm integriert sein.
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Ferner
ist der Diplexer aus den ersten Induktoren und den ersten Kondensatoren
gebildet. Der erste Hochfrequenzschalter ist aus den ersten Dioden,
den zweiten Induktoren und den zweiten Kondensatoren gebildet. Der
zweite Hochfrequenzschalter ist aus den zweiten Dioden, den dritten
Induktoren und den dritten Kondensatoren gebildet. Das erste Filter
ist aus dem vierten Induktor und den vierten Kondensatoren gebildet.
Das zweite Filter ist aus dem fünften
Induktor und den fünften
Kondensatoren gebildet. Dieselben sind in dem Keramikmehrschichtsubstrat
enthalten oder auf demselben befestigt und unter Verwendung einer
Verbindungsvorrichtung verbunden, die in dem Keramikmehrschichtsubstrat
gebildet ist. Somit kann die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente
auf einem Keramikmehrschichtsubstrat gebildet sein, d. h. die Komponente kann
miniaturisiert werden. Außerdem
können
jegliche Verluste, die durch eine Verdrahtung zwischen Elementen
verursacht werden, verbessert werden. Folglich kann der Gesamtverlust
der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente verringert werden.
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Ferner
können
aufgrund des Wellenlängenverkürzungseffekts
die Längen
der Streifenleitungselektroden, bei denen es sich um den ersten
bis fünften
Induktor handelt, verkürzt
werden. Somit kann der Einfügungsverlust,
der durch diese Streifenleitungselektroden verursacht wird, verbessert
werden. Folglich können
die Miniaturisierung und der gerin ge Verlust der zusammengesetzten
Hochfrequenzkomponente realisiert werden.
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3 ist
ein Schaltbild der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente gemäß einem zweiten
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung. Die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente 20 ist
aus einem Diplexer 11, einem ersten und einem zweiten Hochfrequenzschalter 12 und 13 und einem
ersten und einem zweiten Filter 14 und 15 gebildet.
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Die
Anordnungen des Diplexers 11 und des ersten und des zweiten
Filters 14 und 15 sind die gleichen wie diejenigen
bei der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente 10 des
ersten Ausführungsbeispiels,
das in 1 gezeigt ist. Auf ihre detaillierte Beschreibung
wird verzichtet.
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Der
erste Hochfrequenzschalter 12 ist aus den ersten Dioden
D11 bis D13, bei denen es sich um erste Schaltelemente handelt,
den zweiten Induktoren L21 bis L25, bei denen es sich um zweite
Induktivitätselemente
handelt, und den zweiten Kondensatoren C21 bis C25, bei denen es
sich um zweite Kapazitätselemente
handelt, gebildet.
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Die
erste Diode D11 ist zwischen das erste Tor P21 und das zweite Tor
P22 geschaltet, derart, dass ihre Kathode sich an dem ersten Tor
P21 befindet. Eine Reihenschaltung, die den zweiten Induktor L21
und den zweiten Kondensator C21 aufweist, ist parallel mit der ersten
Diode D11 geschaltet.
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Ferner
ist die Anode der ersten Diode D11 durch eine Reihenkombination
des zweiten Induktors L22 und des zweiten Kondensators C22 geerdet.
Der gemeinsame Knoten zwischen dem zweiten Induktor L22 und dem
zweiten Kondensator C22 ist mit dem ersten Steueranschluss Vc1 ausgestattet.
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Der
zweite Induktor L23 ist zwischen das erste Tor P21 und das dritte
Tor P23 geschaltet. Der zweite Induktor L23 an dem dritten Tor P23
ist durch eine Reihenkombination der ersten Diode D12 und des zweiten
Kondensators C23 geerdet. Der gemeinsame Knoten zwischen der Kathode
der ersten Diode D12 und dem zweiten Kondensator C23 ist durch den Widerstand
R geerdet.
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Die
erste Diode D13 ist zwischen das erste Tor P21 und das vierte Tor
P24 geschaltet, derart, dass ihre Kathode sich an dem ersten Tor
P21 befindet. Eine Reihenschaltung, die den zweiten Induktor L24
und den zweiten Kondensator C24 aufweist, ist parallel mit der ersten
Diode D13 geschaltet.
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Die
Anode der ersten Diode D13 ist durch eine Reihenkombination des
zweiten Induktors L25 und des zweiten Kondensators C25 geerdet.
Der gemeinsame Knoten zwischen dem zweiten Induktor L25 und dem
zweiten Kondensator C25 ist mit dem zweiten Steueranschluss Vc2
ausgestattet.
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Der
zweite Hochfrequenzschalter 13 ist aus den zweiten Dioden
D21 und D22, bei denen es sich um zweite Schaltelemente handelt,
den dritten Induktoren L31 bis L33, bei denen es sich um dritte
Induktivitätselemente
handelt, und dritten Kondensatoren C31 bis C33, bei denen es sich
um dritte Kapazitätselemente
handelt, gebildet.
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Die
zweite Diode D21 ist zwischen das erste Tor P31 und das zweite Tor
P32 geschaltet, derart, dass ihre Kathode sich an dem ersten Tor
P31 befindet. Eine Reihenschaltung, die den dritten Induktor L31
und den dritten Kondensator C31 aufweist, ist parallel mit der zweiten
Diode D21 geschaltet.
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Die
Anode der zweiten Diode D21 ist durch eine Reihenkombination des
dritten Induktors L32 und des dritten Kondensators C32 geerdet.
Der gemeinsame Knoten zwischen dem dritten Induktor L32 und dem
dritten Kondensator C32 ist mit dem dritten Steueranschluss Vc3
ausgestattet.
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Der
dritte Induktor L33 ist zwischen das erste Tor P31 und das dritte
Tor P33 geschaltet. Die Seite des dritten Tors P33 des dritten Induktors
L33 ist durch eine Reihenkombination der zweiten Diode D22 und des
dritten Kondensators C33 geerdet. Der gemeinsame Knoten zwischen
der Kathode der zweiten Diode D22 und dem dritten Kondensator C33
ist durch den Widerstand R geerdet.
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Im
Folgenden wird die Operation der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente 20,
die die Schaltungsanordnung aufweist, die in 3 gezeigt ist,
beschrieben. Falls bei dem ersten Hochfrequenzschalter 12 ein
Sendesignal von DCS oder PCS (1,8 GHz) gesendet wird, wird 1V an
den ersten Steueranschluss Vc1 angelegt bzw. 0V werden an den zweiten Steueranschluss
Vc2 angelegt, so dass das erste Tor P21 und das zweite Tor P22 des
ersten Hochfrequenzschalters 12 verbunden sind, und dadurch
wird das Sendesignal von DCS oder PCS durch den ersten Hochfrequenzschalter 12,
das erste Filter 14 und den Diplexer 11 geleitet
und durch die Antenne 1 gesendet. In diesem Fall lässt das
erste Filter 14 das Sendesignal von DCS und PCS hindurchgehen
und dämpft
die zweite und die dritte Oberschwingung.
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Bei
dem zweiten Hochfrequenzschalter 13 werden 0V an den dritten
Steueranschluss Vc3 angelegt, so dass der zweite Hochfrequenzschalter 13 gesperrt
ist.
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Ferner
wird bei dem zweiten Hochfrequenzschalter 13 in dem Fall,
dass ein Sendesignal von GSM (900 MHz-Band) gesendet wird,
1V an den dritten Steueranschluss Vc3 angelegt; so dass das erste Tor
P31 und das zweite Tor P32 des zweiten Hochfrequenzschalters 13 verbunden
sind, und dadurch wird das Sendesignal von GSM durch den zweiten
Hochfrequenzschalter 13, das zweite Filter 15 und
den Diplexer 11 geleitet und durch die Antenne 1 gesendet. In
diesem Fall lässt
das zweite Filter 15 das Sendesignal von GSM hindurchgehen
und dämpft
die dritte Oberschwingung.
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Andererseits
werden bei dem ersten Hochfrequenzschalter 12 0V an den
ersten Steueranschluss Vc1 angelegt bzw. 0V werden an den zweiten Steueranschluss
Vc2 angelegt, so dass der erste Hochfrequenzschalter 12 gesperrt
ist.
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Ferner
werden bei dem ersten Hochfrequenzschalter 12, falls ein
Empfangssignal von DCS empfangen wird, 0V an den ersten Steueranschluss Vc1
angelegt bzw. 0V werden an den zweiten Steueranschluss Vc2 angelegt,
so dass das erste Tor P21 und das dritte Tor P23 des ersten Hochfrequenzschalters 12 verbunden
sind, und dadurch wird das Empfangssignal von DCS, das durch die
Antenne 1 empfangen wird, durch den Diplexer 11,
das erste Filter 14 und den ersten Hochfrequenzschalter 12 geleitet
und an den Empfangsabschnitt Rxd von DCS gesendet. In diesem Fall
lässt das
erste Filter 14 das Empfangssignal von DCS hindurchgehen
und dämpft die
zweite und die dritte Oberschwingung.
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Andererseits
werden bei dem zweiten Hochfrequenzschalter 13 0V an den
dritten Steueranschluss Vc3 angelegt, so dass der zweite Hochfrequenzschalter 13 gesperrt
ist.
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Ferner
werden bei dem ersten Hochfrequenzschalter 12, falls ein
Empfangssignal von PCS empfangen wird, 0V an den ersten Steueranschluss Vc1
angelegt bzw. 1V ist dem zweiten Steueranschluss Vc2 gemeinsam,
so dass das erste Tor P21 und das vierte Tor P24 des ersten Hochfrequenzschalters 12 verbunden
sind, und dadurch wird das Empfangssignal von PCS, das durch die
Antenne 1 empfangen wird, durch den Diplexer 11,
das erste Filter 14 und den ersten Hochfrequenzschalter 12 geleitet
und an den Empfangsabschnitt Rxp von PCS gesendet. In diesem Fall
lässt das
erste Filter 14 das Empfangssignal von PCS hindurchgehen
und dämpft die
zweite und die dritte höhere
Oberschwingung.
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Andererseits
werden bei dem zweiten Hochfrequenzschalter 13 0V an den
dritten Steueranschluss Vc3 angelegt, so dass der dritte Hochfrequenzschalter 13 gesperrt
ist.
-
Ferner
werden bei dem zweiten Hochfrequenzschalter 13 in dem Fall,
dass ein Empfangssignal von GSM empfangen wird, 0V an den dritten Steueranschluss
Vc3 angelegt, so dass das erste Tor P31 und das dritte Tor P33 des
zweiten Hochfrequenzschalters 13 verbunden sind, und dadurch
wird das Empfangssignal von GSM, das durch die Antenne 1 empfangen
wird, durch den Diplexer 11, das zweite Filter 15 und
den zweiten Hochfrequenzschalter 13 geleitet und an den
Empfangsabschnitt Rxg von GSM gesendet. In diesem Fall lässt das
zweite Filter 15 das Empfangssignal von GSM hindurchgehen
und dämpft
die dritte höhere
Oberschwingung.
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Bei
dem ersten Hochfrequenzschalter 12 werden 0V an den ersten
Steueranschluss Vc1 angelegt bzw. 0V werden an den zweiten Steueranschluss Vc2
angelegt, so dass der erste Hochfrequenzschalter 12 gesperrt
ist.
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Bei
der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente gemäß dem im Vorhergehenden beschriebenen
zweiten Ausführungsbeispiel
wird das An-Aus des ersten Hochfrequenzschalters mittels der ersten
und der zweiten Steuerleistungsversorgung gesteuert, und das An-Aus
des zweiten Hochfrequenzschalters wird mittels der dritten Steuerleistungsversorgung
gesteuert. Wenn somit DCS, das sich in der Nachstufe des ersten
Hochfrequenzschalters befindet, und GSM in der Nachstufe des zweiten Hochfrequenzschalters
wirksam sind, um zu empfangen, werden die Spannungen, die an die
erste und die zweite Steuerleistungsversorgung anzulegen sind, mit
denen der erste Hochfrequenzschalter ausgestattet ist, und die Spannung,
die an die dritte Steuerleistungsversorgung anzulegen ist, mit der
der zweite Hochfrequenzschalter ausgestattet ist, 0V. Folglich kann
der Aufnahmestrom der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente verringert
werden.
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4 ist
ein Blockdiagramm der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente gemäß dem dritten
bevorzugten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung. Die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente 30 unterscheidet
sich von der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente 10 des ersten
Ausführungsbeispiels
(1) in der Anordnung und Position des ersten und
des zweiten Filters 14 und 15.
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Das
erste Filter 14 ist in der Nachstufe oder auf der Sendeabschnittseite
des ersten Hochfrequenzschalters 12 angeordnet, d. h. auf
der Seite des Sendeabschnitts Txdp, der DCS und PCS gemeinsam ist.
Das zweite Filter 15 ist zwischen dem zweiten Hochfrequenzschalter 13 und
dem Sendeabschnitt Txg von GSM bereitgestellt, der sich in der Nachstufe
oder auf der Sendeabschnittseite des zweiten Hochfrequenzschalters 13 befindet.
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Bei
der im Vorhergehenden beschriebenen zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente
des dritten Ausführungsbeispiels
ist jedes Filter in der Nachstufe oder auf der Sendeabschnittseite
des Hochfrequenzschalters, d. h. zwischen dem Hochfrequenzschalter
und dem Sendeabschnitt, angeordnet. Somit können bei einem Senden Verzerrungen
bei Hochleistungsverstärkern,
die in den Sendeabschnitten bereitgestellt sind, jeweils mittels
der Filter verringert werden. Somit kann ein Einfügungsverlust
auf der Empfangsseite verbessert werden.
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5 ist
ein Blockdiagramm, das einen Teil der Konfiguration eines tragbaren
Dreibandtelefons (ein Typ von Mobilkommunikationsvorrichtung) zeigt, und
veranschaulicht beispielhaft eine Kombination von DCS und PCS, die
in dem 1,8 GHz-Band wirksam sind, und GSM in dem 900 MHz-Band. Das
tragbare Dreibandtelefon 40 ist mit der Antenne 1 und
der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente 10 (1)
ausgestattet.
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Die
Antenne 1 ist mit einem Tor P11 der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente 10 verbunden.
Tore P22, P23, P24, P32 und P33 sind mit dem Sendeabschnitt Txdp,
der DCS und PCS gemeinsam ist, dem Empfangsabschnitt Rxp von PCS, dem Empfangsabschnitt
Rxd von DCS, dem Sendeabschnitt Txg von GSM bzw. dem Empfangsabschnitt
Rxg von GSM verbunden.
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Bei
dem im Vorhergehenden beschriebenen tragbaren Dreibandtelefon wird
die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente, die eine geringe Größe und einen
geringen Verlust aufweist, verwendet. Somit kann die Mobilkommunikationsvorrichtung,
an der die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente befestigt ist,
miniaturisiert werden und eine Operation hoher Qualität aufweisen.
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Falls
die zusammengesetzten Hochfrequenzkomponenten 20 bzw. 30 (2 und 3) anstelle
der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente 10 verwendet
werden, können ähnliche
Wirkungen erhalten werden.