DE69934981T2

DE69934981T2 - Gedruckte leiterplatte und verfahren zur herstellung

Info

Publication number: DE69934981T2
Application number: DE69934981T
Authority: DE
Inventors: Ogaki-kita-kojou Naohiro Ibi-gun HIROSE; Ogaki-kita-kojou Takashi Ibi-gun KARIYA; Ogaki-kita-kojou Yoji Ibi-gun MORI
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 1998-05-19
Filing date: 1999-05-13
Publication date: 2007-11-15
Anticipated expiration: 2019-05-14
Also published as: TW200400782A; US8629550B2; CN1245061C; EP1083779A1; KR20010043723A; TW200623976A; US6407345B1; EP1083779A4; EP1670300A3; CN1301480A; KR100791281B1; US20050158553A1; EP1083779B1; US20020189849A1; US8018046B2; TWI287414B; EP1670300A2; WO1999060831A1; US20110290544A1; US7332816B2

Description

Technischer Bereich
Die vorliegende Erfindung betrifft eine gedruckte Verdrahtungsplatte, die ein Verdrahtungsmuster darauf ausgebildet hat, und betrifft insbesondere eine gedruckte Verdrahtungsplatte, die fähig ist, in einer mehrschichtigen zusammengesetzten Verdrahtungsplatte verwendet zu werden, und ein Herstellungsverfahren für die gedruckte Verdrahtungsplatte.
Hintergrundtechnik
In einem Kernsubstrat wird gegenwärtig ein Verfahren zum abwechselnden Aufbauen einer Isolierschicht und einer Leiterschicht in einem Kernsubstrat eingesetzt, um eine Erhöhung der Dichte der mehrschichtigen gedruckten Verdrahtungsplatte zu realisieren. Hier gibt es zwei Arten von Verfahren, die durch vollständig additive und halbaddititve Verfahren als ein Aufbauverfahren aufgebaut werden. Ein Herstellungsprozeß für eine Leiterschaltung auf einer Zwischenlagen-Harzisolierschicht der mehrschichtigen gedruckten Verdrahtungsplatte unter Verwendung dieses halbadditiven Verfahrens wird als nächstes unter Bezug auf 32 erklärt.
Zuerst wird eine Isolierschicht 250 mit einer Öffnung 250a als ein Durchkontaktierungsloch auf jeder der beiden Seiten eines Kernsubstrats 230 ausgebildet. Eine stromlos metallisierte Kupferschicht 252 wird gleichmäßig auf einer Oberfläche der Zwischenlagen-Harzisolierschicht 250 ausgebildet (32(A)). Eine nicht dargestellte Resistschicht zur Bildung eines Resists wird auf die stromlos metallisierte Kupferschicht 252 geklebt. Danach wird die Resistschicht belichtet und entwickelt, und ein Resist 254 für die Metallisierung wird ausgebildet (32(B)). Danach wird eine galvanisch aufgebrachte Kupferschicht 256 in einem Abschnitt, in dem der Resist 254 nicht ausgebildet ist, abgeschieden, indem das Kernsubstrat 230 in eine Galvanisierungsflüssigkeit eingetaucht wird und ein elektrischer Strom durch die stromlos metallisierte Kupferschicht 252 fließt (32(C)). Verdrahtungsmuster 258a, 258b und ein Durchkontaktierungsloch 260 werden dann durch Trennen des Resists 260 und Trennen der stromlos metallisierten Kupferschicht 252 unter dem Resist 254 mittels Ätzen ausgebildet. Ähnliche Prozesse werden wiederholt, und eine Zwischenlagen-Harzisolierschicht 350, ein Verdrahtungsmuster 358 und ein Durchkontaktierungsloch 360 werden ferner ausgebildet (32(E)).
33(B) zeigt einen B-B-Schnitt von 32(E). Gegenwärtig wird ein Design eingesetzt, bei dem das Herausziehen der Verdrahtung aus einer Hauptverdrahtung verzweigt wird, um die Trennung in der mehrschichtigen Leiterplatte zu verhindern. Daher wird ein Kreuzungsabschnitt X, der in einer T-Form ausgebildet ist, wie in 33(A) und 33(B) gezeigt, ausgebildet.
Es gibt jedoch einen Fall, in dem das Verdrahtungsmuster in dem obigen Kreuzungsabschnitt X getrennt wird. Nämlich wird das Verdrahtungsmuster 258, wie weiter oben unter Bezug auf 32(C) erwähnt, in dem Abschnitt, in dem der Resist 254 nicht ausgebildet ist, ausgebildet. Wie durch den Kreuzungsabschnitt X in 33(A) gezeigt, kann jedoch nicht ausreichend Metallisierungsflüssigkeit um einen Winkelabschnitt C herum bewegt werden, in dem sich Wandseiten 258β, 258β des Verdrahtungsmusters 258 in dem Kreuzungsabschnitt in einem Winkel kreuzen (hier einem rechten Winkel), der gleich oder kleiner als 90° ist. Entsprechend wird das Verdrahtungsmuster dünn gemacht, so daß in einem bestimmten Fall die Trennung verursacht wird.
Ferner ist das aus einem Metall, wie etwa Kupfer, etc., ausgebildete Verdrahtungsmuster 258b, wie in 33(B) gezeigt, in dem Kreuzungsabschnitt X plötzlich gekrümmt. Daher werden bei der Wiederholung einer thermischen Kontraktion ein Fall, in dem sich Spannung auf den Winkelabschnitt C des Kreuzungsabschnitts konzentriert, und ein Riß CL in dem Verdrahtungsmuster dadurch bewirkt, und das Verdrahtungsmuster wird auf diese Weise getrennt.
Wenn das Verdrahtungsmuster 258b, wie weiter oben unter Bezug auf 32(E) beschrieben, mit der Zwischenlagen-Harzisolierschicht 350 beschichtet wird, gibt es einen Fall, in dem, wie in 33(B) gezeigt, in dem Winkelabschnitt C des Kreuzungsabschnitts eine Luftblase B zwischen dem Verdrahtungsmuster 258b und der Zwischenlagen-Harzisolierschicht 350 bleibt. Wenn die Luftblase B an diesem Punkt in einer unteren Schicht der Zwischenlagen-Harzisolierschicht 350 bleibt, dehnt sich die Luftblase B bei der thermischen Kontraktion des gedruckten Leiterplatte aus und verursacht einen Durchschlag der gedruckten Leiterplatte.
In einer weiteren Hintergrundtechnik der vorliegenden Erfindung wird eine mehrschichtige zusammengesetzte Verdrahtungsplatte durch abwechselndes Auflaminieren einer Zwischenlagen-Harzisolierschicht und einer Verdrahtungsschicht auf ein Kernsubstrat ausgebildet. Die mehrschichtige zusammengesetzte Verdrahtungsplatte wird gegenwärtig hauptsächlich durch ein additives Verfahren hergestellt. Die obige Verdrahtungsschicht wird in einem Öffnungsabschnitt eines Resists ausgebildet, der durch Galvanisieren oder durch stromloses Metallisieren auf der Zwischenlagen-Harzisolierschicht ausgebildet wird. Obere und untere Verdrahtungsschichten werden durch ein Durchkontaktierungsloch, das sich durch die Zwischenlagen-Harzisolierschicht erstreckt, miteinander verbunden. Jede dieser Verdrahtungsschichten wird durch einen Durchkontaktierungsloch-Kontaktrand, der als eine Aufnahmepfanne des Durchkontaktierungslochs verwendet wird, ein Verdrahtungsmuster, einen festen Abschnitt mit einem von einer Spannungsquelle angelegten hohen Potential, etc. und mit einer Funktion ähnlich der Funktion einer Kondensatorelektrode, etc. aufgebaut. Hier sind Minimalwerte einer Größe für den Durchkontaktierungsloch-Kontaktrand, ei ne Breite des Verdrahtungsmusters und einen Isolierabstand zwischen dem Durchkontaktierungsloch-Kontaktrand und dem Verdrahtungsmuster durch die Auflösung des Resists, einen Haftungsgrad der Metallisierung, etc. bestimmt. Der Durchkontaktierungsloch-Kontaktrand und das Verdrahtungsmuster werden hergestellt, indem die Größe, die Breite und der Isolierabstand jeweils größer als diese Minimalwerte eingestellt werden.
Die mehrschichtige zusammengesetzte Verdrahtungsplatte für eine Baugruppe wirkt als ein Bindeglied zum elektrischen Verbinden eines elektronischen Teils, wie etwa eines IC-Chips, etc., das auf eine obere Seite der mehrschichtigen zusammengesetzten Verdrahtungsplatte, wie etwa einer Hauptplatine, etc. montiert ist, die sich auf einer Unterseite der mehrschichtigen zusammengesetzten Verdrahtungsplatte befindet. Hier ist es erforderlich, daß eine Leitungsbreite des Verdrahtungsmusters, ein Isolierabstand und ein Kontaktranddurchmesser verringert werden, um eine Erhöhung der Dichte eines Verbindungsabschnitts des elektronischen Teils und der gedruckten Verdrahtungsplatte zu bewältigen. Wenn diese Werte jedoch jeweils kleiner als die obigen Minimalwerte eingestellt werden, kann durch die Verteilung einer unwichtigen Prozeßbedingung keine wünschenswerte Verdrahtung ausgebildet werden, so daß die Wahrscheinlichkeit für die Erzeugung einer Trennung der Verdrahtung, eines Kurzschlusses von Verdrahtungen etc. erhöht wird und die Ausbeute verringert wird.
Im Gegensatz dazu ist es auch möglich, die obige Zunahme der Dichte zu bewältigen, indem die Anzahl von zusammengesetzten Schichten der mehrschichtigen zusammengesetzten Verdrahtungsplatte erhöht wird, ohne die Leitungsbreite des Verdrahtungsmusters und den Isolierabstand zu verringern. Wenn die Anzahl von zusammengesetzten Schichten jedoch erhöht wird, wird ein Herstellungsprozeß exponentiell komplizierter und die Zuverlässigkeit und Ausbeute werden verringert.
In der weiteren Hintergrundtechnik der vorliegenden Erfindung werden hier dicke und dünne Abschnitte des Verdrahtungsmusters in der mehrschichtigen zusammengesetzten Leiterplatte des bisherigen Stands der Technik derart ausgebildet, daß der Widerstand nicht gleichmäßig ist und einen schlechten Einfluß auf die Ausbreitung eines elektrischen Signals hat. Ferner wird die Dicke einer auf einer oberen Schicht des Verdrahtungsmusters (mit im Mittel 15 µm Dicke) ausgebildeten Zwischenlagen-Harzisolierschicht (30 µm) nicht gleichmäßig gemacht, so daß die wesentlichen elektrischen Eigenschaften der Verdrahtungslatte nicht konstant eingestellt werden können. Daher ist es schwierig, die Leistungsfähigkeit der mehrschichtigen zusammengesetzten Verdrahtungsplatte zu verbessern.
Als die Erfinder dieser Anmeldung diesen Grund untersuchten, wurde herausgefunden, daß die Dicke der Zwischenlagen-Harzisolierschicht durch eine Anordnungsdichte des Verdrahtungsmusters verteilt wurde. Zum Beispiel gibt es einen Fall, in dem die Dicke der Zwischenlagen-Harzisolierschicht in einem Abschnitt mit hoher Verdrahtungsdichte dünn ist und in einem Abschnitt mit einer niedrigen Verdrahtungsdichte (der keine Signalleitung um sich herum hat) dick ist. Im Gegensatz dazu gibt es auch einen Fall, in dem die Dicke der Zwischenlagen-Harzisolierschicht in einem Abschnitt mit hoher Verdrahtungsdichte dick ist und in einem Abschnitt mit einer niedrigen Verdrahtungsdichte dünn ist.
Es wird aufgrund dieser Tatsachen zunächst überlegt, daß die Dicke der Zwischenlagen-Harzisolierschicht durch die Metallisierungsdicke verteilt ist. Insbesondere wird überlegt, daß die Dicke einer Signalleitung in dem Abschnitt mit niedriger Verdrahtungsdichte erhöht wird, da ein elektrisches Feld beim Galvanisieren in diesem Abschnitt mit niedriger Verdrahtungsdichte konzentriert wird. Im Gegensatz dazu wird betrachtet, daß die Dicke der Signalleitung in dem Abschnitt mit hoher Verdrahtungsdichte verringert wird, da das elektrische Feld verteilt ist.
Außerdem wird aus einem zweiten Grund überlegt, daß die Dicke des Verdrahtungsmusters durch das Herumbewegen einer Ätzflüssigkeit verteilt wird. Die mehrschichtige zusammengesetzte Verdrahtungsplatte wird gegenwärtig hauptsächlich durch das halbadditive Verfahren ausgebildet, um eine höhere Leistung zu erzielen. In dem halbadditiven Verfahren wird, nachdem in der Zwischenlagen-Harzisolierschicht eine stromlos metallisierte Schicht gleichmäßig ausgebildet ist, ein Resistmuster ausgebildet, und eine Leiterschicht wird ausgebildet, indem in einem Abschnitt, in dem der Resist nicht ausgebildet ist, eine galvanisch aufgebrachte Schicht ausgebildet wird, indem ein elektrischer Strom durch die stromlos metallisierte Schicht fließt. Nachdem die galvanisch aufgebrachte Schicht ausgebildet wurde und der Resist getrennt wurde, wird hier die stromlos metallisierte Schicht unter dem Resist durch Ätzen mit Licht davon entfernt. Bei dieser Lichtätzung kann jedoch nicht ausreichend Ätzflüssigkeit um den Abschnitt mit hoher Verdrahtungsdichte bewegt werden, so daß die Dicke des Verdrahtungsmusters erhöht werden kann. Im Gegensatz dazu wird die Ätzflüssigkeit übermäßig um den Abschnitt mit der niedrigen Verdrahtungsdichte bewegt, so daß die Dicke des Verdrahtungsmusters verringert wird und eine Leitungsbreite in einem bestimmten Fall ebenfalls verschmälert wird.
In einer weiteren Hintergrundtechnik der vorliegenden Erfindung werden nach dem bisherigen Stand der Technik eine Leiterschicht in einem mehrschichtigen Kernsubstrat und eine zusammengesetzte Verdrahtungsschicht in einem Baugruppensubstrat miteinander verbunden; indem ein Kontaktfleck einer inneren Schicht, der von einem Durchgangsloch mit einer Oberfläche des mehrschichtigen Kernsubstrats verdrahtet ist, angeordnet wird und ein Durchkontaktierungsloch mit diesem Kontaktfleck einer inneren Schicht verbunden wird. Nämlich wird der Kontaktfleck der inneren Schicht zum Verbinden des Durchkontaktierungslochs mit einer oberen Schicht zu einem Kontaktrand des Durchgangslochs gefügt, oder der Kontaktfleck einer inneren Schicht zum Anschließen des Durchkontaktierungslochs wird durch die Verdrahtung mit dem Kontaktfleck der Durchgangslochs verbunden.
Bei einer Kontaktfleckenform des bisherigen Stands der Technik wird ein Durchgangslochabstand jedoch verbreitert, um die gegenseitige Isolierung des Kontaktflecks einer inneren Schicht aufzunehmen, und die Anzahl von in dem mehrschichtigen Kernsubstrat ausgebildeten Durchgangslöchern ist durch diese Kontaktfleckenform begrenzt.
Im Gegensatz dazu wird die auf einer Hinterseite des Baugruppensubstrats ausgebildete Anzahl von Lotbumps größer als die auf einer Vorderseite des Baugruppensubstrats ausgebildete Anzahl von Lotbumps festgelegt. Dies liegt daran, daß Verdrahtungen von vielen Lotbumps auf der Rückseite mit den Lotbumps auf der Vorderseite verbunden werden, während diese Verdrahtungen auf der Rückseite miteinander integriert werden. Zum Beispiel werden die einen niedrigen Widerstand erfordernden Stromleitungen zu einer Signalleitung auf 20 Leitungen in den Lotbumps auf der Rückseite (auf einer Hauptplatinenseite) festgelegt, werden aber als eine Leitung auf der Vorderseite (einer IC-Chipseite) integriert.
Hier ist es wünschenswert, die Anzahl der oberen zusammengesetzten Verdrahtungsschichten und die Anzahl der unteren zusammengesetzten Verdrahtungsschichten gleich festzulegen, d.h. die Anzahl von Schichten, für die Verdrahtungen miteinander integriert werden können, in den auf der Vorderseite des Kernsubstrats und den auf der Rückseite des Kernsubstrats ausgebildeten zusammengesetzten Verdrahtungsschichten in gleichem Tempo zu minimieren. Wie weiter oben erwähnt, ist die Anzahl von Durchgangslöchern, die in dem mehrschichtigen Kernsubstrat ausgebildet werden können, begrenzt. Daher werden Verdrahtungen in dem Baugruppensubstrat des bisherigen Stands der Technik in einem gewissen Maß in den zusammengesetzten Verdrahtungsschichten auf der Rückseite miteinander integriert und werden dann durch die Durchgangslöcher des mehrschichtigen Kernsubstrats mit den zusammengesetzten Verdrahtungsschichten auf der Vorderseite verbunden. Da die Verdrahtungsdichte in den zusammengesetzten.
Verdrahtungsschichten auf der Vorderseite nämlich verringert wird, ist ursprünglich nicht die gleiche Schichtanzahl wie de Anzahl von zusammengesetzten Schichten auf der Rückseite erforderlich. Wenn die Anzahl der zusammengesetzten Verdrahtungsschichten auf den Vorder- und Rückseiten verschieden voneinander festgelegt wird, wird jedoch durch eine asymmetrische Eigenschaft eine Wölbung verursacht. Daher wird die Anzahl zusammengesetzter Verdrahtungsschichten auf den Vorder- und Rückseiten gleich festgelegt. Da die Anzahl der in dem mehrschichtigen Kernsubstrat ausgebildeten Durchgangslöcher nämlich begrenzt ist, muß die Anzahl der zusammengesetzten Verdrahtungsschichten auf der Rückseite erhöht werden, und die zusammengesetzten Verdrahtungsschichten auf der Vorderseite müssen ferner in einem solchen Maß ausgebildet werden, daß die Anzahl der zusammengesetzten Verdrahtungsschichten auf der Vorderseite gleich der erhöhten Anzahl von zusammengesetzten Verdrahtungsschichten auf der Rückseite ist.
Da in der gedruckten Verdrahtungsplatte (Baugruppensubstrat) des bisherigen Stands der Technik die Anzahl der zusammengesetzten Verdrahtungsschichten nämlich erhöht wird, gibt es Probleme, wobei die Verbindungszuverlässigkeit der oberen und unteren Schichten verringert wird und die Kosten des Baugruppensubstrats erhöht werden und die Dicke und das Gewicht des Baugruppensubstrats übermäßig erhöht werden.
JP 02 203 587 A offenbart gedruckte Verdrahtungsplatten mit Verdrahtungsmustern mit "T-förmigen" Kreuzungen ebenso wie Krümmungen in einem rechten Winkel, bei denen in dem Winkelabschnitt eine Kehlnaht hinzugefügt ist. EP-A-0 373 356 offenbart gedruckte Verdrahtungsplatten mit "X-förmigen" Kreuzungen als Verdrahtungsmuster.
Um die weiter oben erwähnten Probleme zu lösen, ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine gedruckte Verdrahtungsplatte und ein Herstellungsverfahren für die gedruckte Verdrahtungsplatte zur Verfügung zu stellen, bei denen es keine in einem Verdrahtungsmuster bewirkte Trennung gibt.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist, eine gedruckte Verdrahtungsplatte mit einer hohen Dichte zur Verfügung zu stellen, die fähig ist, mit einer hohen Ausbeute hergestellt zu werden.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist, eine gedruckte Verdrahtungsplatte mit überlegenen gleichmäßigen Dickeeigenschaften eines Verdrahtungsmusters und einer Zwischenlagen-Harzisolierschicht zur Verfügung zu stellen.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist, eine gedruckte Verdrahtungsplatte zur Verfügung zu stellen, die fähig ist, die Anzahl zusammengesetzter Schichten durch Erhöhen der Dichte von in einem Kernsubstrat ausgebildeten Durchgangslöchern zu verringern, und ein Herstellungsverfahren für die gedruckte Verdrahtungsplatte zur Verfügung zu stellen.
Offenbarung der Erfindung
Die obigen Aufgaben der vorliegenden Erfindung werden mit den Merkmalen der Patentansprüche gelöst.
Eine gedruckte Verdrahtungsplatte mit einem Verdrahtungsmuster auf einem Substrat mit einem Isoliersubstrat oder einer Zwischenlagen-Harzisolierschicht wird beschrieben, die technisch dadurch gekennzeichnet ist, daß
an einem Winkelabschnitt gleich oder kleiner als 90° in einem Kreuzungsabschnitt des Verdrahtungsmusters Material (filet) hinzugefügt wird.
Da in der gedruckten Verdrahtungsplatte nach Anspruch 2 Material zu dem Winkelabschnitt gleich oder kleiner als 90° in einem Kreuzungsabschnitt des Verdrahtungsmusters der gedruckten Verdrahtungsplatte hinzugefügt wird, wird in dem Kreuzungsabschnitt kein Verdrahtungsmuster dünn gemacht und getrennt. Ferner wird durch Wärmekontraktion kein Riß verursacht.
In der gedruckten Verdrahtungsplatte wird Material zu dem Kreuzungsabschnitt des Verdrahtungsmusters hinzugefügt, und auf den Kreuzungsabschnitt wird keine Spannung konzentriert, so daß kein Verdrahtungsmuster getrennt wird.
Ferner bleiben keine Luftblasen zwischen dem Kreuzungsabschnitt des Verdrahtungsmusters und der Zwischenlagen-Harzisolierschicht, so daß die Zuverlässigkeit der gedruckten Verdrahtungsplatte verbessert wird.
Ein Herstellungsverfahren für eine gedruckte Verdrahtungsplatte weist auf:
einen Prozeß zum Ausbilden eines Resists mit einem Öffnungsabschnitt zum Ausbilden eines Verdrahtungsmusters auf einem Substrat mit einem Isoliersubstrat oder einer Zwischenlagen-Harzisolierschicht; und
einen Prozeß zum Ausbilden des Verdrahtungsmusters durch Abscheiden einer metallischen Schicht in dem Öffnungsabschnitt des Resists;
wobei das Herstellungsverfahren technisch dadurch gekennzeichnet ist, daß
ein Winkelabschnitt, der gleich oder kleiner als 90° ist, in einem Kreuzungsabschnitt des Verdrahtungsmusters in dem Prozeß zum Ausbilden des Resists abgefast wird.
In dem Herstellungsverfahren der gedruckten Verdrahtungsplatte wird der Winkelabschnitt, der gleich oder kleiner als 90° ist, in einem Kreuzungsabschnitt des Verdrahtungsmusters in dem Prozeß zum Ausbilden des Resists mit dem Öffnungsabschnitt zum Bilden des Verdrahtungsmusters abgefast, und der Resist wird ausgebildet. Das Verdrahtungsmuster wird derart ausgebildet, daß dieser abgefaste Abschnitt als Material eingerichtet wird. Da Material zu dem Winkelabschnitt gefügt wird, wird hier kein Verdrahtungsmuster dünne gemacht und in dem Kreuzungsabschnitt getrennt.
Es wird auch ein Herstellungsverfahren für eine gedruckte Verdrahtungsplatte beschrieben, das aufweist:
einen Prozeß zum Ausbilden eines Resists mit einem Öffnungsabschnitt zum Ausbilden eines Verdrahtungsmusters durch Abfasen eines Winkelabschnitts, der gleich oder kleiner als 90° ist, in einem Kreuzungsabschnitt des Verdrahtungsmusters in einem Prozeß zum Ausbilden des Resists auf einem Substrat mit einem Isoliersubstrat oder einer Zwischenlagen-Harzisolierschicht;
einen Prozeß zum Ausbilden des Verdrahtungsmusters durch Abscheiden einer metallischen Schicht in dem Öffnungsabschnitt des Resists;
einen Prozeß zum Ausbilden der Zwischenlagen-Harzisolierschicht in einer oberen Schicht des Verdrahtungsmusters; und
einen Prozeß zum Ausbilden des Verdrahtungsmusters in einer oberen Schicht der Zwischenlagen-Harzisolierschicht.
In diesem Verfahren wird der Resist in dem Prozeß zum Ausbilden des Resists mit dem Öffnungsabschnitt zum Ausbilden des Verdrahtungsmusters durch Abfasen eines Abschnitts ausgebildet, der den Winkelabschnitt gleich oder kleiner als 90° in dem Kreuzungsabschnitt des Verdrahtungsmusters bildet. Das Verdrahtungsmuster wird derart ausgebildet, daß der Abfasabschnitt als Material eingerichtet wird. Danach werden die Zwischenlagen-Harzisolierschicht und das Verdrahtungsmuster weiter ausgebildet. Da hier das Material zu dem Winkelabschnitt hinzugefügt wird, wird kein Verdrahtungsmuster dünn gemacht und in dem Kreuzungsabschnitt getrennt. Da das Material zu dem Winkelabschnitt hinzugefügt wird, wird ferner keine Spannung auf den Kreuzungsabschnitt konzentriert, so daß kein Verdrahtungsmuster getrennt wird. Ferner bleiben keine Luftblasen zwischen dem Kreuzungsabschnitt des Verdrahtungsmusters und der Zwischenlagen-Harzisolierschicht übrig. Folglich wird die Zuverlässigkeit der gedruckten Verdrahtungsplatte verbessert.
In der obigen gedruckten Verdrahtungsplatte können ein vollständig additives Verfahren oder ein halbadditives Verfahren eingesetzt werden. In dem vollständig additiven Verfahren werden ein auf einem Substrat ausgebildeter Galvano-Resist und eine metallische Schicht in einem Öffnungsabschnitt dieses Galvano-Resist abgeschieden und als ein Verdrahtungsmuster eingerichtet. In dem halbadditiven Verfahren wird, nachdem auf einem Substrat eine metallische Schicht ausgebildet wurde, ein Galvano-Resist ausgebildet, und ferner wird eine metallische Schicht in einem Öffnungsabschnitt dieses Galvano-Resists abgeschieden. Nachdem der Galvano-Resist entfernt wurde, wird durch Entfernen der metallischen Schicht unter dem Galvano-Resist ein Verdrahtungsmuster ausgebildet.
In der vorliegenden Erfindung ist es wünschenswert, ein Haftmittel für die stromlose Metallisierung als die obige Zwischenlagen-Harzisolierschicht zu verwenden. Bei diesem Haftmittel für die stromlose Metallisierung ist es optimal, wenn die in einer gehärteten Säure oder einem Oxidationsmittel löslichen wärmebeständigen Harzpartikel in ungehärtetem wärmebeständigen Harz verteilt sind, das nur schwer in einer Säure oder einem Oxidationsmittel löslich ist.
Die wärmebeständigen Harzpartikel werden durch Verarbeitung dieser Harzpartikel unter Verwendung einer Säure oder eines Oxidationsmittels gelöst und entfernt, und auf einer Schichtoberfläche kann durch eine Verankerung, die in der Form einer Oktopus-Falle ausgebildet ist, eine aufgerauhte Seite ausgebildet werden.
In dem obigen Haftmittel für die stromlose Metallisierung werden die obigen besonders gehärteten wärmebeständigen Harzpartikel aufgebaut unter Verwendung von ➀ einem wärmebeständigen Harzpulver mit einem mittleren Partikeldurchmesser gleich 10 µm oder kleiner, ➁ kohäsiven Partikeln, die durch Vereinigen von wärmebeständigem Harzpulver mit einem mittleren Partikeldurchmesser von 2 µm oder kleiner ausgebildet werden, ➂ einer Mischung aus wärmebeständigem Harzpulver mit einem mittleren Partikeldurchmesser von 2 bis 10 µm und wärmebeständigem Harzpulver mit einem mittleren Partikeldurchmesser gleich 2 µm oder kleiner, ➃ Pseudopartikeln, in denen mindestens eine Art von wärmebeständigem Harzpulver oder anorganischen Pulver mit einem mittleren Partikeldurchmesser von 2 µm oder kleiner an der Oberfläche des wärmebeständigen Harzpulvers mit einem mittleren Partikeldurchmesser von 2 bis 10 µm haftet, ➄ einer Mischung aus wärmebeständigem Harzpulver mit einem mittleren Partikeldurchmesser von 0,1 bis 0,8 µm und wärmebeständigem Harzpul ver mit einem mittleren Partikeldurchmesser, der größer als 0,8 µm und kleiner als 2 µm ist, und ➅ wärmebeständigem Harzpulver mit einem mittleren Partikeldurchmesser von 0,1 bis 1,0 µm. Dies liegt daran, daß diese Materialien eine kompliziertere Verankerung bilden können.
Eine Tiefe der aufgerauhten Seite wird bevorzugt derart eingestellt, daß sie eine feste Hafteigenschaft sicherstellt, so daß Rmax = 0,01 bis 20 µm. Insbesondere reicht Rmax in dem halbadditiven Verfahren bevorzugt von 0,1 bis 5 µm, da eine stromlos metallisierte Schicht entfernt werden kann, während die feste Hafteigenschaft sichergestellt wird.
Das weiter oben erwähnte wärmebeständige Harz, das schwer in einer Säure oder einem Oxidationsmittel löslich ist, wird wünschenswerterweise aus einem "aus wärmehärtendem Harz und thermoplastischem Harz aufgebauten Harzkomplex" oder "einem aus lichtempfindlichem Harz und thermoplastischem Harz aufgebauten Harzkomplex" aufgebaut. Der erstere hat eine Eigenschaft hoher Wärmebeständigkeit. Der letztere ist wünschenswert, da die Öffnung für das Durchkontaktierungsloch durch Photolithographie ausgebildet werden kann.
Das obige wärmehärtende Harz kann unter Verwendung von Epoxidharz, Phenolharz, Polyimidharz, etc. aufgebaut werden. Wenn das wärmehärtende Harz photosensibilisiert ist, reagiert eine wärmehärtende Gruppe akrylisch auf Methakrylsäure, Akrylsäure, etc. Akrylat des Epoxidharzes ist besonders optimal.
Das Epoxidharz kann unter Verwendung von Novolak-Epoxidharz, wie etwa Phenol-Novolac-, Cresol-Novolac-, etc. und mit Dicyclopentadien modifiziertem alizyklischem Epoxidharz aufgebaut werden. Ein Akrylat des Epoxidharzes ist insbesondere optimal.
Das thermoplastische Harz kann unter Verwendung von Polyethersulfon (PES), Polysulfon (PSF), Polyphenylensulfon (PPS), Polyphenylensulfid (PPES), Polyphenylether (PPE), Polyetherimid (PI), etc. aufgebaut werden.
Ein Mischungsverhältnis des wärmehärtenden Harzes (lichtempfindliches Harz) und des thermoplastischen Harzes wird vorzugsweise derart eingestellt, daß wärmehärtendes (lichtempfindliches Harz)/thermoplastisches Harz = 95/5 bis 50/50. Dies liegt daran, daß ein hoher Härtewert sichergestellt werden kann, ohne eine Aufheizwiderstandseigenschaft zu verringern.
Ein Mischgewichtsverhältnis der obigen wärmebeständigen Harzpartikel wird vorzugsweise auf einen Bereich von 5 bis 50 Gewichtsprozent und wünschenswerterweise auf einen Bereich von 10 bis 40 Gewichtsprozent relativ zu dem Feststoffgehalt einer wärmebeständigen Harzmatrix eingestellt.
Die wärmebeständigen Harzpartikel werden vorzugsweise durch Aminoplast (Melaminharz, Harnstoffharz, Guanaminharz), Epoxidharz, etc. aufgebaut.
Das Haftmittel kann durch zwei Schichten mit verschiedenen Zusammensetzungen aufgebaut werden.
Verschiedene Arten von Harzen können als eine Lötstopplackschicht verwendet werden, die zu einer Oberfläche der mehrschichtigen Verdrahtungsplatte hinzugefügt wird. Zum Beispiel ist es möglich, ein Bisphenol-A-Epoxidharz; ein Akrylat von Bisphenol-A-Epoxidharz, ein Novolac-Epoxidharz und ein Harz, das durch Härten eines Akrylats von Novolac-Epoxidharz mit einem Aminsystem-Härtungsmittel, einem Imidazol-Härtungsmittel, etc. gebildet wird, zu verwenden.
Es gibt einen Fall, in dem eine derartige Lötstopplackschicht getrennt wird, da die Lötstopplackschicht durch ein Harz mit einem steifen Gerüst aufgebaut wird. Daher kann die Trennung der Lötstopplackschicht auch verhindert werden, indem eine Verstärkungsschicht angeordnet wird.
Das obige Akrylat des Novolac-Epoxidharzes kann unter Verwendung von Epoxidharz, in dem Glycidylether von Phenol-Novolac und Cresol-Novolac mit Akrylsäure, Methakrylsäure, etc. reagiert.
Das obige Imidazol-Härtungsmittel wird wünschenswerterweise bei 25°C in einem flüssigen Zustand ausgebildet, da das Imidazol-Härtungsmittel in dem flüssigen Zustand gleichmäßig vermischt werden kann.
Ein derartiges Imidazol-Härtungsmittel in flüssigem Zustand kann unter Verwendung 1-Benzyl-2-Methylimidazol (Produktname: 1B2MZ), 1-Cyanethyl-2-Ethyl-4-Methylimidazol (Produktname: 2E4MZ-CN) und 4-Methyl-2-Ethylimidazol (Produktname: 2E4MZ) aufgebaut werden.
Eine Zugabemenge für dieses Imidazol-Härtungsmittel wird wünschenswerterweise auf einen Bereich von 1 bis 10 Gewichtsprozent relativ zu einem Gesamtfeststoffgehalt der obigen Lötstopplack-Stoffzusammensetzung festgelegt. Dies liegt daran, daß das Imidazol-Härtungsmittel leicht gleichmäßig vermischt wird, wenn die Zugabemenge innerhalb dieses Bereichs liegt.
Eine Stoffzusammensetzung vor dem Härten des obigen Lötstopplacks wird wünschenswerterweise unter Verwendung eines Lösungsmittels aus einem Glykolethersystem als ein Lösungsmittel aufgebaut.
In der Lötstopplackschicht unter Verwendung einer derartigen Stoffzusammensetzung wird keine freie Säure bewirkt und keine Kupferanschlußfleckoberfläche wird oxidiert. Ferner sind für einen menschlichen Körper gesundheitsgefährdende Eigenschaften gering.
Ein derartiges Lösungsmittel des Glykolethersystems wird unter Verwendung der folgenden Strukturformel aufgebaut, wobei wünschenswerterweise mindestens eine aus Diethylenglykol-Dimethylether (DMDG) und Triethylenglykol-Dimethylether (DMTG) ausgewählte Art verwendet wird. Dies liegt daran, daß diese Lösungsmittel Benzophenon und Michlers Keton als Reaktionsinitiatoren bei einer Erwärmungstemperatur von etwa 30 bis 50°C perfekt auflösen können. CH₃O-(CH₂CH₂O)_n-CH₃ (N = 1 bis 5)
Dieses Lösungsmittel des Glykolethersystems hat bevorzugt 10 bis 70 Gewichtsprozent relativ zu einem Gesamtgewichtsbetrag der Lötstopplack-Stoffzusammensetzung.
Wie weiter oben erklärt, können ferner verschiedene Arten von Antischaum- und Fließförderungsmitteln, Thermo plastharz zum Verbessern einer Wärmewiderstandseigenschaft und einer antialkalischen Eigenschaft und Verleihen einer flexiblen Eigenschaft, ein lichtempfindliches Monomer zur Verbesserung der Auflösung, etc. zu der Lötstopplack-Stoffzusammensetzung hinzugefügt werden.
Zum Beispiel wird das Fließförderungsmittel bevorzugt aus einem Monomer von Akrylsäureester aufgebaut. Ein Initiator wird bevorzugt durch Irugacure 1907, hergestellt von CHIBAGAIGI, aufgebaut. Ein Photosensitizer wird bevorzugt durch DETX-S, hergestellt von Nihon Kayaku, aufgebaut.
Ferner können der Lötstopplack-Stoffzusammensetzung ein Färbmaterial und ein Pigment zugefügt werden, da ein Verdrahtungsmuster verdeckt werden kann. Dieses Färbmaterial wird wünschenswerterweise unter Verwendung von Phthalozyaningrün aufgebaut.
Bisphenol-Epoxidharz kann als ein Zusatzbestandteil als das obige wärmehärtende Harz verwendet werden. In diesem Bisphenol-Epoxidharz gibt es Bisphenol-A-Epoxidharz und Bisphenol-F-Epoxidharz. Das erstere wird bevorzugt, wenn eine antialkalische Eigenschaft ernsthaft in Betracht gezogen wird. Das letztere wird bevorzugt, wenn eine niedrige Viskosität erforderlich ist (wenn eine Beschichtungseigenschaft ernsthaft betrachtet wird).
Ein mehrere Hydroxylgruppen enthaltendes Akrylsystem-Monomer kann als ein Zusatzbestandteil als das obige lichtempfindliche Monomer verwendet werden, da das mehrere Hydroxylgruppen enthaltende Akrylsystem-Monomer die Auflösung verbessern kann. Zum Beispiel können DPE-6A, hergestellt von Nihon Kayaku, und R-604, hergestellt von Kyoeisya Kagaku, als das mehrere Hydroxylgruppen enthaltende Akrylsystem-Monomer verwendet werden.
Diese Lötstopplack-Stoffzusammensetzungen haben bei 25°C bevorzugt eine Viskosität von 0,5 bis 10 Pa·s und noch besser eine Viskosität von 1 bis 10 Pa·s, da diese Lötstopplack-Stoffzusammensetzungen in diesen Fällen leicht durch eine Walzenbeschichtungsvorrichtung aufgetragen werden.
Kurzbeschreibung der Zeichnungen
1 ist eine Prozeßansicht eines Herstellungsverfahrens einer mehrschichtigen gedruckten Verdrahtungsplatte gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
2 ist eine Prozeßansicht des Herstellungsverfahrens einer mehrschichtigen gedruckten Verdrahtungsplatte gemäß der ersten Ausführungsform.
3 ist eine Prozeßansicht des Herstellungsverfahrens der mehrschichtigen gedruckten Verdrahtungsplatte gemäß der ersten Ausführungsform.
4 ist eine Prozeßansicht des Herstellungsverfahrens der mehrschichtigen gedruckten Verdrahtungsplatte gemäß der ersten Ausführungsform.
5 ist eine Prozeßansicht des Herstellungsverfahrens der mehrschichtigen gedruckten Verdrahtungsplatte gemäß der ersten Ausführungsform.
6 ist eine Prozeßansicht des Herstellungsverfahrens der mehrschichtigen gedruckten Verdrahtungsplatte gemäß der ersten Ausführungsform.
7 ist eine Prozeßansicht des Herstellungsverfahrens der mehrschichtigen gedruckten Verdrahtungsplatte gemäß der ersten Ausführungsform.
8 ist eine Prozeßansicht des Herstellungsverfahrens der mehrschichtigen gedruckten Verdrahtungsplatte gemäß der ersten Ausführungsform.
9 ist eine Ansicht, die entlang eines Pfeils C eines Kernsubstrats in einem in 4(M) gezeigten Prozeß genommen ist.
10 ist eine Ansicht eines Kernsubstrats, die entlang eines Pfeils E in einem in 4(O) gezeigten Prozeß genommen ist.
11 ist eine Draufsicht des Kernsubstrats mit einem darauf ausgebildeten Verdrahtungsmuster in einem Abwandlungsbeispiel der ersten Ausführungsform.
12 ist eine erklärende Ansicht, die das Verdrahtungsmuster in der ersten Ausführungsform zeigt.
13 ist eine Ansicht, die einen Schnitt einer mehrschichtigen zusammengesetzten Verdrahtungsplatte gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
14(A) ist eine schräg laufende Schnittansicht, die entlang der Linie A-A der in 13 gezeigten mehrschichtigen zusammengesetzten Verdrahtungsplatte genommen ist, und 14(B) ist eine Draufsicht, die ein Beispiel für ein Verdrahtungsmuster zeigt.
15 ist eine Draufsicht, die ein Beispiel für das Verdrahtungsmuster zeigt.
16 ist eine Draufsicht, die ein Beispiel für das Verdrahtungsmuster in der zweiten Ausführungsform zeigt.
17 ist eine Querschnittansicht einer mehrschichtigen zusammengesetzten Verdrahtungsplatte gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
18 ist eine entlang der Linie X-X von 17 genommene schräg laufende Schnittansicht.
19(A) ist eine vergrößerte Ansicht eines A-Abschnitts in 18, und 19(B) ist eine vergrößerte Ansicht eines B-Abschnitts in 18.
20(C) ist eine vergrößerte Ansicht eines C-Abschnitts in 18, und 20(C') ist eine vergrößerte Ansicht eines isolierten Kontaktrands.
21 ist eine vergrößerte Ansicht eines D-Abschnitts in 18.
22 ist eine. vergrößerte Ansicht einer Signalleitung und eines Blindleiters.
23 ist eine Herstellungsprozeßansicht für eine gedruckte Verdrahtungsplatte gemäß einem Veranschaulichungsbeispiel.
24 ist eine Herstellungsprozeßansicht für die gedruckte Verdrahtungsplatte gemäß dem Veranschaulichungsbeispiel.
25 ist eine Herstellungsprozeßansicht für eine mehrschichtige gedruckte Verdrahtungsplatte gemäß dem Veranschaulichungsbeispiel.
26 ist eine Herstellungsprozeßansicht für die gedruckte Verdrahtungsplatte gemäß dem Veranschaulichungsbeispiel.
27 ist eine Herstellungsprozeßansicht für die gedruckte Verdrahtungsplatte gemäß dem Veranschaulichungsbeispiel.
28 ist eine Herstellungsprozeßansicht für die gedruckte Verdrahtungsplatte gemäß dem Veranschaulichungsbeispiel.
29 ist eine Herstellungsprozeßansicht für die gedruckte Verdrahtungsplatte gemäß dem Veranschaulichungsbeispiel.
30 ist eine Querschnittansicht eines Herstellungsverfahrens für die gedruckte Verdrahtungsplatte gemäß dem Veranschaulichungsbeispiel.
31 ist eine Querschnittansicht, die entlang der Linie B-B eines in 30 gezeigten Kernsubstrats genommen ist.
32 ist eine Prozeßansicht eines Herstellungsverfahrens für eine mehrschichtige gedruckte Leiterplatte nach dem bisherigen Stand der Technik.
33(A) ist eine Ansicht, die ein Verdrahtungsmuster der mehrschichtigen gedruckten Leiterplatte des bisherigen Stands der Technik zeigt, und 33(B) ist eine entlang der Linie B-B von 32(E) genommene Querschnittansicht.
Beste Techniken zum Ausführen der Erfindung
Ein Herstellungsverfahren für eine mehrschichtige gedruckte Verdrahtungsplatte gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird als nächstes unter Bezug auf die Zeichnungen beschrieben.
Hier wird die Erklärung bezüglich Zusammensetzungen von A. einem Haftmittel für das stromlose Metallisieren, B. einem Zwischenlagen-Harzisoliermittel und C. einem Harzfüllmittel, die in dem Herstellungsverfahren der mehrschichtigen gedruckten Verdrahtungsplatte gemäß der ersten Ausführungsform verwendet werden, gegeben.
A. Grundmaterialzusammensetzung für die Anpassung und Herstellung eines Haftmittels für das stromlose Metallisieren (ein Haftmittel für eine obere Schicht)
[Harzzusammensetzung ➀]
Eine Harzzusammensetzung wird erhalten, indem 35 Gewichtsteile einer Harzflüssigkeit, 3,15 Gewichtsteile eines lichtempfindlichen Monomers (Alonix M315, hergestellt von To-A Gosei), 0,5 Gewichtsteile eines Antischaummittels (S-65, hergestellt von Sannopuko) und 3,6 Gewichtsteile NMP verrührt und vermischt werden. In der Harzflüssigkeit werden 25% eines Cresol-Novolac-Epoxidharzes (Molekulargewicht 2500, hergestellt von Nihon Kayaku) und ein Akrylstoff mit einer Konzentration von 80 Gewichtsprozent in DMDG gelöst.
[Harzzusammensetzung ➁]
Eine Harzzusammensetzung wird erhalten, indem 12 Gewichtsteile Polyethersulfon (PES), 7,2 Gewichtsteile Epoxidharzpartikel (Polymerpol, hergestellt von Sanyo Kasei) mit einem mittleren Partikeldurchmesser von 1,0 µm und 3,09 Gewichtsteile Epoxidharzpartikel mit einem mittleren Partikeldurchmesser von 0,5 µm vermischt und dann 30 Gewichtsteile NMP zu dem vermischten Material hinzugefügt und unter Verwendung einer Perlenmühle verrührt und vermischt werden.
[Härtungsmittelzusammensetzung ➂]
Eine Härtungsmittelzusammensetzung wird erhalten, indem 2 Gewichtsteile eines Imidazol-Aushärtungsmittels (2E4MZ-CN, hergestellt von Shikoku Kasei), 2 Gewichtsteile eines Photoinitiators (Irugacure I-907, hergestellt von CHIBAGAIGI), 0,2 Gewichtsteile eines Photosensitizers (DETX-S, hergestellt von Nihon Kayaku) und 1,5 Gewichtsteile NMP verrührt und vermischt werden.
B. Grundmaterialzusammensetzung für die Anpassung und Herstellung von Zwischenlagen-Harzisoliermittel (einem Haftmittel für die untere Schicht)
[Harzzusammensetzung ➀]
Eine Harzzusammensetzung wird erhalten, indem 35 Gewichtsteile einer Harzflüssigkeit, 4 Gewichtsteile eines lichtempfindlichen Monomers (Alonix M315, hergestellt von To-A Gosei), 0,5 Gewichtsteile eines Antischaummittels (S-65, hergestellt von Sannopuko) und 3,6 Gewichtsteile NMP verrührt und vermischt werden. In der Harzflüssigkeit werden 25% eines Cresol-Novolac-Epoxidharzes (Molekulargewicht 2500, hergestellt von Nihon Kayaku) und ein Akrylstoff mit einer Konzentration von 80 Gewichtsprozent in DMDG gelöst.
[Harzzusammensetzung ➁]
Eine Harzzusammensetzung wird erhalten, indem 12 Gewichtsteile Polyethersulfon (PES) und 14,49 Gewichtsteile Epoxidharzpartikel (Polymerpol, hergestellt von Sanyo Kasei) mit einem mittleren Partikeldurchmesser von 0,5 µm vermischt werden und dann 30 Gewichtsteile NMP zu dem vermischten Material hinzugefügt und diese Materialien unter Verwendung einer Perlenmühle verrührt und vermischt werden.
[Härtungsmittelzusammensetzung ➂]
Eine Härtungsmittelzusammensetzung wird erhalten, indem 2 Gewichtsteile eines Imidazol-Aushärtungsmittels (2E4MZ-CN, hergestellt von Shikoku Kasei), 2 Gewichtsteile eines Photoinitiators (Irugacure I-907, hergestellt von CHIBAGAIGI), 0,2 Gewichtsteile eines Photosensitizers (DETX-S, hergestellt von Nihon Kayaku) und 1,5 Gewichtsteile NMP verrührt und vermischt werden.
C. Grundmaterialzusammensetzung für die Anpassung und Herstellung eines Harzfüllmittels
Ein in der vorliegenden Erfindung verwendetes Füllmittel wird wünschenswerterweise mindestens aus einer Art von Bisphenol-Epoxidharz, das aus einem Bisphenol-F-Epoxidharz und einem Bisphenol-A-Epoxidharz ausgewählt wird, einem Imidazol-Aushärtungsmittel und anorganischen Partikeln aufgebaut.
Die anorganischen Partikel haben wünschenswerterweise einen Partikeldurchmesser von 0,1 bis 5,0 µm. Eine Verbindungsmenge der anorganischen Partikel wird vorzugsweise auf das 1,0- bis 2,0-fache Gewichtsverhältnis des Epoxidharzes festgelegt.
Die anorganischen Partikel sind bevorzugt aus Siliziumdioxid, Aluminiumoxid, Mullit, SiC, etc. aufgebaut.
In der Innenwand eines mit dem Füllmittel gefüllten Durchgangslochs wird wünschenswerterweise eine aufgerauhte Schicht mit einer Rauhigkeitstiefe von Rmax = 0,01 bis 5 µm ausgebildet.
[Harzzusammensetzung ➀]
100 Gewichtsteile eines Bisphenol-A-Epoxid-Monomers (Epicoat 828, hergestellt von Yuka Shell), 150 Gewichtsteile sphärischer Partikel aus Al₂O₃ mit einem jeweiligen mittleren Partikeldurchmesser von 1,5 µm auf ihrer Oberfläche, 30 Gewichtsteile N-Methylpyrrolidon (NMP) und 1,5 Gewichtsteile eines Fließförderungsmittels (Pelenol S4, hergestellt von Sannopuko) werden verrührt und vermischt. Die Viskosität dieser Mischung wird auf 45000 bis 49000 cps bei 23±1°C eingestellt.
[Härtungsmittelzusammensetzung ➁]
Eine Härtungsmittelzusammensetzung wird mit 6,5 Gewichtsteilen eines Imidazol-Aushärtungsmittels (2E4MZ-CN, hergestellt von Shikoku Kasei) ausgebildet.
Die Herstellung der gedruckten Verdrahtungsplatte wird nachfolgend unter Bezug auf 1 bis 9 beschrieben.

(1) Wie in 1(A) gezeigt, wird eine Kupferauftrag-Laminatplatte 30A als ein Ausgangsmaterial bestimmt. In der Kupferauftrag-Laminatplatte 30A wird eine Kupferfolie 32 mit 12 µm Dicke auf beide Seiten eines aus Glasepoxidharz oder BT-Harz (Bismaleimid-Triazin-Harz) mit einer Dicke von 1 mm aufgebauten Substrats 30 laminiert. Zuerst wird mit einem Bohrer ein durchgehendes Loch in dieser Kupferauftrag-Laminatplatte 30A ausgebildet, und eine stromlose Metallisierung 33 wird in dem durchgehenden Loch abgeschieden, so daß ein Durchgangsloch 36 ausgebildet wird (1(B)). Wie in 1(C) gezeigt, wird dann durch Ätzen der Kupferfolie 32 in einer Musterform eine Leiterschicht 34 in einem Kernsubstrat 30 ausgebildet.
(2) Dieses Substrat 30 wird dann mit Wasser gewaschen und getrocknet. Danach wird, wie in 1(D) gezeigt, auf Oberflächen der Leiterschicht 34 und des Durchgangslochs 36 durch eine Oxidations-Reduktionsverarbeitung unter Verwendung von NaOH (10 g/l), NaClO₂ (40 g/l) und Na₃O₄ (6 g/l) als ein Oxidationsbad (Fotobad) und NaOH (10 g/l) und NaBH₄ (6 g/l) als ein Reduktionsbad eine aufgerauhte Schicht 38 ausgebildet.
(3) Die Materialien der Grundmaterialzusammensetzung für die Anpassung und Herstellung des Harzfüllmittels in dem obigen C werden vermischt und geknetet, so daß ein Harzfüllmittel erhalten wird.
(4) Das Durchgangsloch 36 dieses Kernsubstrats 30 wird mit einem Füllmittel 40 gefüllt, das aus wärmehärtendem Harz aufgebaut ist. Eine Oberfläche des Kernsubstrats 30 wird gleichzeitig mit dem Füllmittel 40 beschichtet (siehe 2(E)).
(5) Das Füllmittel wird wärmegehärtet, und die Oberflächen eines Durchgangsloch-Kontaktrands 36a und der Leiterschicht 34 werden durch Bandschleifen unter Verwendung eines Bandschleifpapiers mit #400 (hergestellt von Sankyo Rikagaku) derart poliert, daß kein Harzfüllmittel auf diesen Oberflächen bleibt. Dann wird durch Schleifpartikel aus SiC ein Schwabbelpolierprozeß ausgeführt, um durch diesen Bandschleifpoliervorgang verursachte Defekte zu beseitigen. Eine Folge derartiger Polierprozesse wird ebenso für die andere Seite des Substrats ausgeführt.

Dann wird das Harzfüllmittel 40 eine Stunde lang auf 100°C und eine Stunde lang auf 150°C erwärmt, so daß das Harzfüllmittel 40 ausgehärtet wird.
Auf diese Weise werden beide Seiten des Substrats 30 geglättet, indem die aufgerauhte Schicht von den oberen Seiten eines Oberflächenschichtabschnitts des Harzfüllmittels 40, das das Durchgangsloch 36 ausfüllt, etc. und des Durchgangsloch-Kontaktrands 36a, etc. entfernt wird.

(6) Wie in 2(G) gezeigt, wird eine aus einer Cu-Ni-P-Legierung mit 2,5 μm Dicke aufgebaute aufgerauhte Schicht (eine unregelmäßige Schicht) 42 auf den oberen Seiten des Durchgangsloch-Kontaktrands 36a und der Leiterschicht 34, die der Verarbeitung des obigen Punkts (5) ausgesetzt wurden, ausgebildet. Ferner kann auf einer Oberfläche der aufgerauhten Schicht 42 eine nicht dargestellte Sn-Schicht mit einer Dicke von 0,3 µm ausgebildet werden.

Dieses Ausbildungsverfahren wird wie folgt bereitgestellt. Das Substrat 30 wird mit Säure reduziert und weichgeätzt. Dann wird das Substrat 30 durch eine Katalysatorlösung verarbeitet, die aus Palladiumchlorid und einer anorganischen Säure aufgebaut ist, und dem Substrat 30 wird ein Pd-Katalysator verliehen und aktiviert. Danach wird das Substrat 30 durch ein stromloses Metallisierungsbad metallisiert, das aus 8 g/l Kupfersulfat, 0,6 g/l Nickelsulfat, 15 g/l Zitronensäure, 29 g/l Natriumhypophosphit, 31 g/l Borsäure und 0,1 g/l eines oberflächenaktiven Stoffs mit einem pH-Wert = 9 aufgebaut ist, so daß eine aus einer Cu-Ni-P-Legierung aufgebaute aufgerauhte Schicht 42 auf den oberen Seiten der Leiterschicht 34 und des Durchgangsloch-Kontaktrands 36a ausgebildet wird. Dann wird bei einer Leitung durch 0,1 Mol/l Zinn-Borfluorid und 1,0 Mol/l Thioharnstoff bei einer Temperatur von 50°C und einem pH-Wert = 1,2 eine Cu-Sn-Substitutionsreaktion bewirkt, so daß auf einer Oberfläche der aufgerauhten Schicht 42 eine Sn-Schicht mit 0,3 µm Dicke ausgebildet werden kann. Anstelle der auf gerauhten Schicht 42 aus dieser Cu-Ni-P-Legierung können die Oberflächen des Durchgangsloch-Kontaktrands 36a und der Leiterschicht 34 mit einer Ätzflüssigkeit, die durch Vermischen eines zweiten Kupferkomplexes und einer organischen Säure aufgebaut wird, aufgerauht werden und können auch durch eine Oxidations-Reduktionsverarbeitung aufgerauht werden.

(7) Die Stoffe der Grundmaterialzusammensetzung zur Einstellung und Herstellung eines Zwischenlagen-Harzisoliermittels in der obigen Stoffzusammensetzung B werden verrührt und vermischt, und die Viskosität dieser Mischung wird auf 1,5 Pa·s eingestellt, so daß ein Zwischenlagen-Harzisoliermittel (für eine untere Schicht) erhalten wird.

Als nächstes werden die Stoffe der Grundmaterialzusammensetzung zur Einstellung und Herstellung eines Haftmittels für das stromlose Metallisieren in der obigen Stoffzusammensetzung A verrührt und vermischt, und die Viskosität dieser Mischung wird auf 7 Pa·s eingestellt, so daß eine Haftmittellösung für das stromlose Metallisieren (für eine obere Schicht) erhalten wird.

(8) Wie in 2(H) gezeigt, wird das in dem obigen Punkt (7) erhaltene Zwischenlagen-Harzisoliermittel (für eine untere Schicht) 44 mit einer Viskosität von 1,5 Pa·s auf beiden Seiten des Substrats 30 (2(G)) in dem obigen Punkt (6) angepaßt und hergestellt. Danach werden diese beiden Seiten des Substrats 30 innerhalb von 24 Stunden mit einer Walzenbeschichtungsvorrichtung mit dem Zwischenlagen-Harzisoliermittel 44 beschichtet und 20 Minuten lang in einem horizontalen Zustand stehen gelassen. Beide Seiten des Substrats 30 werden dann 30 Minuten lang bei 60°C getrocknet (im Ofen vorgetrocknet). Dann wird die in dem obigen Punkt (7) erhaltene lichtempfindliche Haftmittellösung (für eine obere Schicht) 46 mit einer Viskosität von 7 Pa·s angepaßt und hergestellt, und beide Seiten des Substrats 30 werden innerhalb von 24 Stunden mit dieser lichtempfindlichen Haftmittellösung 46 beschichtet. Beide Seiten des Substrats 30 werden dann 20 Minuten lang wie sie sind in einem horizonta len Zustand stehen gelassen und 30 Minuten lang bei 60°C getrocknet im (Ofen vorgetrocknet), so daß eine Haftmittelschicht 50 mit 35 µm Dicke ausgebildet wird.
(9) Ein nicht dargestellter Fotomaskenfilm mit einem gedruckten schwarzen Kreis mit ⌀ 85 µm wird fest an beiden Seiten des Substrats 30 mit der in dem obigen Punkt (8) erhaltenen Haftmittelschicht 50 befestigt und wird mit einer Quecksilber-Ultrahochdrucklampe mit 500 mJ/cm² belichtet. Dieser Film wird mit einer DMTG-Lösung spühentwickelt, und das Substrat wird weiter von der Quecksilber-Ultrahochdrucklampe mit 3000 mJ/cm² belichtet. Das Substrat wird eine Stunde lang auf 100°C und eine Stunde lang auf 120°C erwärmt (im Ofen nachgetrocknet) und wird dann drei Stunden lang auf 150° erwärmt (im Ofen nachgetrocknet). Auf diese Weise wird, wie in 3(I) gezeigt, entsprechend dem Fotomaskenfilm eine Zwischenlagen-Harzisolierschicht (Zweischichtstruktur) 50 mit 35 µm Dicke und mit einer Öffnung (einer Öffnung zum Ausbilden eines Durchkontaktierungslochs) 48 mit ⌀ 85 µm und einer hervorragenden Abmessungsgenauigkeit ausgebildet. Eine verzinnte Schicht kann zu der Öffnung 48, die das Durchkontaktierungsloch bildet, teilweise freiliegen.
(10) Das Substrat 30, das die Öffnung 48 darin ausgebildet hat, wird 19 Minuten lang in Chromsäure getaucht, und auf einer Oberfläche der Zwischenlagen-Harzisolierschicht 50 vorhandene Epoxidharzpartikel werden gelöst und davon entfernt. Auf diese Weise wird die Oberfläche der Zwischenlagen-Harzisolierschicht 50, wie in 3(J) gezeigt, als eine aufgerauhte Seite 51 eingerichtet. Danach wird diese Zwischenlagen-Harzisolierschicht 50 in eine Neutralisierungsflüssigkeit (hergestellt von der Shiplay Corporation) getaucht und mit Wasser gewaschen.

Ferner werden Katalysatorkerne an der Oberfläche der Zwischenlagen-Harzisolierschicht 50 und einer inneren Wandseite der Öffnung 48 für das Durchkontaktierungsloch angebracht, indem auf die Oberfläche des aufgerauhten Substrats 30 (mit einer Rauhigkeitstiefe von 3 µm) ein Palladiumkatalysator (hergestellt von Atotech) gegeben wird.

(11) Das Substrat wird in eine wie folgt zusammengesetzte stromlose wäßrige Kupfermetallisierungslösung getaucht, und auf der gesamten rauhen Oberfläche wird, wie in 3(K) gezeigt, eine stromlos metallisierte Kupferschicht 52 mit einer Dicke von 0,6 µm ausgebildet.

EDTA	150 g/l
Kupfersulfat	20 g/l
HCHO	30 ml/l
NaOH	40 g/l
α,α'-Bipyridyl	80 mg/l
Polyethylenglykol (PEG)	0,1 g/l

[Stromlose Metallisierungsbedingungen]
Die stromlosen Metallisierungsbedingungen werden auf 30 Minuten bei einer Flüssigkeitstemperatur von 70°C festgelegt.

(12) Wie in 3(L) gezeigt, wird ein kommerziell erhältlicher lichtempfindlicher Trockenfilm 54α auf der stromlos metallisierten Kupferschicht 52 des Kernsubstrats 30 verteilt und daran befestigt. Eine Maske 53 mit einem Muster 53b zum Ausbilden eines Verdrahtungsmusters und einem schwarzen Kreismuster 53a zum Ausbilden eines Durchkontaktierungslochs und eines Kontaktrands wird auf dem lichtempfindlichen Trockenfilm 54α angeordnet. Die Maske 53 wird dann mit 100 mJ/cm² belichtet und mit 0,8%-igem Natriumkarbonat entwickelt, so daß, wie in 4(M) gezeigt, ein Galvano-Resist 54 mit 15 µm Dicke ausgebildet wird.

9 zeigt eine entlang eines Pfeils C von 4(M) genommene Ansicht, d.h. eine Draufsicht des Kernsubstrats 30, in dem der Galvano-Resist 54 ausgebildet ist. Eine Linie D-D in 9 ist eine Linie, die einem Schnittende von 4(M) entspricht. Ein kreisförmiger Öffnungsabschnitt 54a zum Ausbilden des Kontaktrands oder des Durch kontaktierungslochs und ein linearer Öffnungsabschnitt 54b zum Ausbilden eines Verdrahtungsmusters werden in dem Galvano-Resist 54 ausgebildet. Ein Winkelabschnitt C in einem Kreuzungsabschnitt X' des Öffnungsabschnitts 54b, der das Verdrahtungsmuster mit einem Kreuzungswinkel einer Seitenwand 54β dieses Öffnungsabschnitts gleich oder kleiner als 90° bildet, wird abgefast. Ebenso wird ein Winkelabschnitt L in einem gekrümmten Abschnitt des Öffnungsabschnitts 54b, der das Verdrahtungsmuster mit einem Kreuzungswinkel der Seitenwand 54β dieses gekrümmten Abschnitts gleich oder kleiner als 90° bildet, auch abgefast.

(13) Dann wird in einem Abschnitt, in dem kein Resist ausgebildet ist (Öffnungsabschnitte 54a, 54b), unter den folgenden Bedingungen eine Galvanisierung mit Kupfer durchgeführt, so daß, wie in 4(N) gezeigt, eine galvanisierte Kupferschicht 56 mit 15 µm Dicke ausgebildet wird.

Schwefelsäure	180 g/l
Kupfersulfat	80 g/l
Additiv (Kaparashido GL	1 ml/l
hergestellt von Atotech, Japan)

Stromdichte	1 A/dm²
Dauer	30 Minuten
Temperatur	Raumtemperatur

(14) Wie in 4(O) gezeigt, wird der Galvano-Resist 54 mit 5%-igem NaOH getrennt und entfernt. Danach wird die unter dem Galvano-Resist 54 vorhandene stromlos metallisierte Schicht 52 durch Ätzen mit einem Lösungsgemisch aus einer Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid gelöst und entfernt. Ein Verdrahtungsmuster 58b mit einer Dicke von 18 µm, das aus der stromlos metallisierten Kupferschicht 52 und der galvanisch aufgebrachten Kupferschicht 56 aufgebaut ist, ein Durchkontaktierungsloch 60 und ein Kontaktrand 61 werden ausgebildet.

Das obige Kernsubstrat 30 wird drei Minuten lang bei 70°C in Chromsäure mit 800 g/l getaucht und auf der Oberfläche der Haftmittelschicht 50 für die stromlose Metallisierung, auf der das Verdrahtungsmuster 58b, das Durchkontaktierungsloch 60 und der Kontaktrand 61 nicht ausgebildet sind, wird ein Ätzprozeß um 1 µm durchgeführt. Auf diese Weise wird der Palladiumkatalysator von dieser Oberfläche der Haftmittelschicht 50 entfernt.
10 zeigt eine entlang eines Pfeils E von 4(O) genommene Ansicht, d.h. eine Draufsicht des Kernsubstrats 30. Eine Linie F-F in 10 ist eine Linie, die einem Schnittende von 4(O) entspricht. In dem Kernsubstrat sind Verdrahtungsmuster 58a, 58b, 58c, 58d, 58e, 58f, 58g, ein Durchkontaktierungsloch 60 und ein Kontaktrand 61 ausgebildet. Einem Winkelabschnitt C in einem Kreuzungsabschnitt X des Verdrahtungsmusters 58b mit einem Kreuzungswinkel einer Seitenwand 58β dieses Verdrahtungsmusters gleich oder kleiner als 90° wird Material F hinzugefügt. Ferner wird einem Winkelabschnitt C in einem Kreuzungsabschnitt X des Verdrahtungsmusters (einer Signalleitung) 58c und des Verdrahtungsmusters (einer Signalleitung) 58d an einem Kreuzungswinkel der Seitenwände 58β der Verdrahtungsmuster 58c und 58d gleich oder kleiner als 90° Material F hinzugefügt. Ferner wird einem Winkelabschnitt C in einem Kreuzungsabschnitt X des Verdrahtungsmusters (einer Signalleitung) 58d, des Verdrahtungsmusters (einer Signalleitung) 58e und des Verdrahtungsmusters (einer Signalleitung) 58f an einem Kreuzungswinkel der Seitenwände 58β dieser Verdrahtungsmuster gleich oder kleiner als 90° Material F hinzugefügt. Zu dem Verdrahtungsmuster (einer Signalleitung) 58e und dem Verdrahtungsmuster (einer Signalleitung) 58f hinzugefügte benachbarte Kehlnähte F überlappen sich gegenseitig. Ferner wird auch zu einem Winkelabschnitt L in einem gekrümmten Abschnitt des Verdrahtungsmusters 58g an einem Kreuzungswinkel (hier einem rechten Winkel) einer Seitenwand 54β dieses gekrümmten Abschnitts, der gleich oder kleiner als 90° ist, Material hinzugefügt.
In dieser ersten Ausführungsform wird der Winkelabschnitt des weiter oben unter Bezug auf 9 erwähnten Resists 54 abgefast, um zu dem Kreuzungsabschnitt X des Verdrahtungsmusters 58 Material F hinzuzufügen, so daß eine Metallisierungsflüssigkeit wirksam um diesen Winkelabschnitt herum bewegt wird. Folglich ist es möglich, die Bildung einer Trennung, die, wie weiter oben unter Bezug auf 33(A) erwähnt, in dem bisherigen Stand der Technik verursacht wird, indem das Verdrahtungsmuster in dem Kreuzungsabschnitt X dünn gemacht wird, zu verhindern. Da zu dem Kreuzungsabschnitt X des Verdrahtungsmusters 58 Material F hinzugefügt wird, ist es möglich, die Bildung einer Trennung, die durch Spannungskonzentrationen verursacht wird, die bewirkt werden, wenn Wärmekontraktionen der gedruckten Verdrahtungsplatte wiederholt werden, zu verhindern. Eine Leitungsbreite des Verdrahtungsmusters wird hier auf eine Leitungsbreite kleiner oder gleich 50 µm festgelegt und wird wünschenswerterweise auf eine Leitungsbreite von 15 bis 50 µm festgelegt. Eine Breite des Materials F wird auf einen Bereich von 75 bis 100 µm festgelegt. Wenn die Breite des Materials F auf 70 µm oder mehr festgelegt wird, ist es möglich, die Bildung einer Trennung, die durch Spannungskonzentrationen verursacht wird, die bewirkt werden, wenn die Wärmekontraktion der gedruckten Verdrahtungsplatte wiederholt werden, zu verhindern. Daher ist kein Hinzufügen des Materials erforderlich, wenn die Leitungsbreite 70 µm oder mehr beträgt.

(15) Ein Herstellungsprozeß für die gedruckte Verdrahtungsplatte wird nachfolgend erklärt. Das Substrat 30 mit dem darauf ausgebildeten Verdrahtungsmuster 58 wird in eine stromlose Metallisierungsflüssigkeit mit dem pH-Wert = 9 getaucht, die aus 8 g/l Kupfersulfat, 0,6 g/l Nickelsulfat, 15 g/l Zitronensäure, 29 g/l Natriumhypophosphit, 31 g/l Borsäure und 0,1 g/l eines oberflächenaktiven Stoffs aufgebaut ist. Wie in 5(P) gezeigt, wird auf Oberflächen des Verdrahtungsmusters 58 und des Durchkontaktierungslochs 60 eine aus Kupfer, Nickel und Phosphor aufgebaute aufgerauhte Schicht 62 in einer Dicke von 3 µm ausgebildet. Anstelle dieser aufgerauhten Schicht 62 können auch die Oberflächen der Leiterschaltung 58 und des Durchkontaktierungslochs 60 mit einer Ätzflüssigkeit oder durch eine Oxidations-Reduktionsverarbeitung aufgerauht werden.

Dann wird unter Bedingungen von 0,1 Mol/l Zinn-Borfluorid und 1,0 Mol/l Thioharnstoff bei einer Temperatur von 50°C und einem pH-Wert = 1,2 eine Cu-Sn-Substitutionsreaktion bewirkt, so daß auf einer Oberfläche der aufgerauhten Schicht 62 eine Sn-Schicht mit einer Dicke von 0,3 µm ausgebildet wird. (In den Zeichnungen ist keine Sn-Schicht dargestellt.)

(16) Durch Wiederholen der Prozesse von (2) bis (14) werden ferner eine Zwischenlagen-Harzisolierschicht und eine Leiterschaltung oberer Schichten ausgebildet. Nämlich werden beide Seiten des Substrats 30 mit einer Walzenbeschichtungsvorrichtung mit einem Zwischenlagen-Harzisoliermittel (für eine untere Schicht) beschichtet, so daß eine Isoliermaterialschicht 144 ausgebildet wird (5(Q)). In diesem Fall wird, wie weiter oben erwähnt, das Material F zu dem Kreuzungsabschnitt X des Verdrahtungsmusters 58 hinzugefügt. Daher bleiben im Unterschied zu der weiter oben unter Bezug auf 33(B) erwähnten gedruckten Verdrahtungsplatte des bisherigen Stands der Technik keine Luftblasen zwischen dem Kreuzungsabschnitt X des Verdrahtungsmusters 58 und der Zwischenlagen-Harzisolierschicht (Isoliermaterialschicht) 144 übrig, so daß die Zuverlässigkeit der gedruckten Verdrahtungsplatte verbessert wird. Ferner wird diese Isoliermittelschicht 144 mit einer Walzenbeschichtungsvorrichtung mit einem Haftmittel für die stromlose Metallisierung (für eine obere Schicht) beschichtet, so daß eine Haftmittelschicht 146 ausgebildet wird.

Ein Fotomaskenfilm wird fest an beiden Seiten des Substrats 30 mit der Isoliermittelschicht 144 und der Haftmittelschicht 146 befestigt und belichtet und entwickelt, so daß eine Zwischenlagen-Harzisolierschicht 150 mit einer Öffnung (einer Öffnung zum Ausbilden eines Durchkontaktierungslochs) 148 ausgebildet wird. Danach wird eine Oberfläche der Zwischenlagen-Harzisolierschicht 150 als eine rauhe Seite eingerichtet (siehe 5(R)). Danach wird auf der aufgerauhten Oberfläche des Substrats 30 eine stromlos metallisierte Kupferschicht 152 ausgebildet (siehe 6(S)). Danach wird auf der stromlos metallisierten Kupferschicht 152 ein Galvano-Resist 154 ausgebildet. Danach wird in einem Abschnitt, wo der Resist nicht ausgebildet ist, eine galvanisch aufgebrachte Kupferschicht 156 ausgebildet (siehe 6(T)). Nachdem der Galvano-Resist 154 mit KOH getrennt und entfernt wurde, wird die stromlos metallisierte Schicht 152 unter dem Galvano-Resist 154 gelöst und entfernt, und eine nicht dargestellte Leiterschaltung, ein Kontaktrand 161 und ein Durchkontaktierungsloch 160 werden ausgebildet. Ferner wird auf Oberflächen der Leiterschaltung, des Kontaktrands 161 und des Durchkontaktierungslochs 160 eine aufgerauhte Schicht 162 ausgebildet, so daß eine mehrschichtige gedruckte Verdrahtungsplatte vollständig hergestellt wird (siehe 7(U)). In diesem Prozeß wird keine Sn-Substitution durchgeführt, um die Leiterschaltung in der oberen Schicht auszubilden.

(17) In der obigen mehrschichtigen gedruckten Leiterplatte wird ein Lotbump ausgebildet. Zuerst. wird das Substrat 30 mit einer Lötstopplackzusammensetzung beschichtet, so daß diese Lötstopplackzusammensetzung 20 µm Dicke hat. Das Substrat 30 wird dann 20 Minuten lang bei 70°C und 30 Minuten lang bei 70°C getrocknet. Danach wird das Substrat 30 mit Ultraviolettstrahlen mit 1000 mJ/cm² belichtet und mit DMTG entwickelt.

Ferner wird das Substrat 30 unter folgenden Bedingungen erwärmt: eine Stunde lang auf 80°C, eine Stunde lang auf 100°C, eine Stunde lang auf 120°C und drei Stunden lang auf 150°C. Auf diese Weise wird, wie in 7(V) gezeigt, eine Lötstopplackschicht 70 (mit 20 µm Dicke) mit einem einem Kontaktfleckenabschnitt entsprechenden Öffnungsabschnitt 71 (mit einem Öffnungsdurchmesser von 200 µm) ausgebildet.

(18) Dann wird das Substrat 30 20 Minuten lang in eine stromlose Nickelmetallisierungsflüssigkeit mit pH-Wert = 4,5 eingetaucht, die aus 2,31 × 10^–1 Mol/l Nickelchlorid, 2,8 × 10^–1 Mol/l Natriumhypophosphit und 1,85 × 10^–1 Mol/l Natriumcitrat besteht. Auf diese Weise wird in dem Öffnungsabschnitt 71 eine vernickelte Schicht 72 mit einer Dicke von 5 µm ausgebildet. Ferner wird dieses Substrat für 7 Minuten und 20 Sekunden bei 80°C in eine stromlose Goldmetallisierungslösung eingetaucht, die aus 4,1 × 10^–2 Mol/l Gold-Kalium-Cyanid, 1,87 × 10^–1 Mol/l Ammoniakchlorid, 1,16 × 10^–1 Mol/l Natriumcitrat und 1,7 × 10^–1 Mol/l Natriumhypophosphit besteht. Auf diese Weise wird auf der vernickelten Schicht eine vergoldete Schicht 74 mit einer Dicke von 0,03 µm ausgebildet, so daß in dem Durchkontaktierungsloch 160 ein Lötkontaktfleck ausgebildet wird. Danach wird eine Verstärkungsschicht 78 der Lötstopplackschicht 70 überzogen.
(20) Auf den Öffnungsabschnitt 71 der Lötstopplackschicht 70 wird Lötpaste gedruckt und einem Reflow-Prozeß bei 200°C unterzogen, um einen Lotbump (Lötkörper) 76 auszubilden. Auf diese Weise wird die gedruckte Verdrahtungsplatte mit dem Lotbump hergestellt.

Ein Verdrahtungsmuster der gedruckten Verdrahtungsplatte in einem Abwandlungsbeispiel der ersten Ausführungsform wird nachfolgend unter Bezug auf 11 beschrieben. Zu der gedruckten Verdrahtungsplatte in der weiter oben unter Bezug auf 10 erwähnten ersten Ausführungsform wird ein dreieckiges Material F hinzugefügt. In dieser zweiten Ausführungsform wird jedoch ein Material F in einer gekrümmten Form zu der gedruckten Verdrahtungsplatte hinzugefügt. Nämlich wird das Material F zu einem Winkelabschnitt C in einem Kreuzungsabschnitt X eines Verdrahtungsmusters 58b mit einem Kreuzungswinkel einer Seitenwand 58β dieses Verdrah tungsmusters gleich oder kleiner als 90° hinzugefügt. Ferner wird einem Winkelabschnitt C in einem Kreuzungsabschnitt X eines Verdrahtungsmusters (einer Signalleitung) 58c und eines Verdrahtungsmusters (einer Signalleitung) 58d an einem Kreuzungswinkel der Seitenwände 58β gleich oder kleiner als 90° ein Material F hinzugefügt. Ferner wird einem Winkelabschnitt C in einem Kreuzungsabschnitt X des Verdrahtungsmusters (einer Signalleitung) 58d, eines Verdrahtungsmusters (einer Signalleitung) 58e und eines Verdrahtungsmusters (einer Signalleitung) 58f an einem Kreuzungswinkel der Seitenwände 58β dieser Verdrahtungsmuster gleich oder kleiner als 90° ein Material F hinzugefügt. Ferner wird zu einem Winkelabschnitt L in einem gekrümmten Abschnitt eines Verdrahtungsmusters 58g an einem Kreuzungswinkel einer Seitenwand 54β dieses gekrümmten Abschnitts, der gleich oder kleiner als 90° ist, ein Material F hinzugefügt.
Die Kehlnähte in dem Abwandlungsbeispiel haben Vorzüge in der Hinsicht, daß es schwierig ist, Spannungen zu konzentrieren. Im Gegensatz dazu haben die Kehlnähte in der in 10 gezeigten Form Vorzüge in der Hinsicht, daß die Verarbeitung zum Hinzufügen der Kehlnähte (Verarbeitung zum Ausbilden des Musters einer Maske) leicht durchgeführt wird.
In der gedruckten Verdrahtungsplatte in der obigen ersten Ausführungsform wird zu dem Winkelabschnitt C in dem Kreuzungsabschnitt X der Verdrahtungsmuster der gedruckten Verdrahtungsplatte bei einem Kreuzungswinkel gleich oder kleiner als 90° ein Material F hinzugefügt. Daher wird keine Trennung durch eine Spannungskonzentration in dem Kreuzungsabschnitt bewirkt. Nachdem ferner keine Spannung in dem Kreuzungsabschnitt der Verdrahtungsmuster verursacht wird, wird kein Riß in der Zwischenlagen-Harzisolierschichten 50, 150 bewirkt. Ferner wird die Zuverlässigkeit der gedruckten Verdrahtungsplatte verbessert, da keine Luftblasen zwischen dem Kreuzungsabschnitt X der Verdrahtungsmuster 58 und der Zwischenlagen-Harzisolierschicht 150 bleiben.
Wie in 12(A) und 12(B) gezeigt, kann das Material F auch zu dem Kreuzungsabschnitt hinzugefügt werden, wenn die Verdrahtungsmuster 58 sich in Formen von X und K-Buchstaben kreuzen.
Eine mehrschichtige zusammengesetzte Verdrahtungsplatte gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nachstehend unter Bezug auf die Zeichnungen beschrieben.
13 zeigt einen Schnitt der mehrschichtigen zusammengesetzten Verdrahtungsplatte gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Zusammengesetzte Verdrahtungsschichten 90A, 90B sind auf Vorder- und Rückseiten eines mehrschichtigen Kernsubstrats 30 ausgebildet. Die zusammengesetzten Schichten 90A, 90B sind aus Zwischenlagen-Harzisolierschichten 50 und 150 aufgebaut. In der Zwischenlagen-Harzisolierschicht 50 sind ein Durchkontaktierungsloch 60, ein Durchkontaktierungsloch-Kontaktrand 61 und ein Verdrahtungsmuster 58 ausgebildet. In der Zwischenlagen-Harzisolierschicht 150 sind ein Durchkontaktierungsloch 160, ein Kontaktrand 161 und ein nicht dargestelltes Verdrahtungsmuster ausgebildet. Das Durchkontaktierungsloch 160 in einer oberen Schicht ist mit dem Durchkontaktierungsloch-Kontaktrand 61 verbunden.
Ein Lotbump 76U zur Verbindung mit einem nicht dargestellten Bump eines IC-Chips ist auf einer Vorderseite (Oberseite) der gedruckten Verdrahtungsplatte ausgebildet. Ein Lotbump 76D für die Verbindung mit einem nicht dargestellten Bump einer Hauptplatine ist auf einer Rückseite (Unterseite) der gedruckten Verdrahtungsplatte ausgebildet. Ein Verdrahtungsmuster von dem mit dem IC-Chip verbundenen Lotbump 76U ist in einer äußeren Umfangsrichtung des Substrats innerhalb der mehrschichtigen zusammengesetzten Verdrahtungsplatte verdrahtet und mit dem Lotbump 76D verbunden, der mit einer Hauptplatinenseite verbunden ist. Die zusammengesetzte Schicht 90A auf der Vorderseite und die zusammengesetzte Schicht 90B auf der Rückseite sind durch ein in dem Kernsubstrat 30 ausgebildetes Durchgangsloch 36 miteinander verbunden.
14(A) zeigt einen A-A-Schnitt der mehrschichtigen zusammengesetzten Verdrahtungsplatte in 13. Eine Linie X-X in 14(A) entspricht einem Schnittende von 13. In der mehrschichtigen zusammengesetzten Verdrahtungsplatte in der zweiten Ausführungsform sind der Durchkontaktierungsloch-Kontaktrand 61 und das Durchkontaktierungsloch 60 derart ausgebildet, daß Durchmesser des Durchkontaktierungsloch-Kontaktrands 61 und des Durchkontaktierungslochs 60 von 140 bis 200 µm reichen. Im Gegensatz dazu sind in dem Verdrahtungsmuster 58 ein schmaler Abschnitt (hier im weiteren als Abschnitt mit schmaler Breite bezeichnet) 58b mit 30 µm Breite und ein Abschnitt mit normaler Leitungsbreite (hier im weiteren als Abschnitt mit normaler Breite bezeichnet) 58a mit einer Breite von 40 bis 50 µm entsprechend eines Abstand von einem benachbarten Leiterabschnitt (dem Durchkontaktierungsloch, dem Durchkontaktierungsloch-Kontaktrand) ausgebildet.
Nämlich wird ein Abschnitt, der sich zwischen den Durchkontaktierungsloch-Kontakträndern 61 und 61 befindet, relativ zu den zwei Verdrahtungsmustern 58, die sich zwischen den Durchkontaktierungsloch-Kontakträndern 61 und 61 befinden, als der Abschnitt 58b mit schmaler Breite festgelegt. Ein Abschnitt, der fähig ist, einen Isolierabstand (hier 40 µm) zwischen den Durchkontaktierungsloch-Kontakträndern dieser zwei Verdrahtungsmuster 58 aufzunehmen, wird als der Abschnitt 58a mit normaler Breite festgelegt, der derart ausgebildet ist, daß dieser Abschnitt eine Breite von 40 bis 50 µm hat. Die Isolierabstände von beiden Durchkontaktierungsloch-Kontakträndern 61 werden eingehalten, indem jeweils die Breiten der Verdrahtungsmuster auf zu den beiden Durchkontaktierungsloch-Kontakträndern 61 entgegengesetzten Seiten verschmälert werden. Andererseits werden alle Verdrahtungsmuster 58, die zwischen dem Durchkontaktierungsloch 60 und den Durchkontaktierungsloch-Kontakträndern 61 ange ordnet sind, als der Abschnitt 58a mit normaler Breite ausgebildet, da die Isolierabstände (40 μm) von dem Durchkontaktierungsloch 60 und den Durchkontaktierungsloch-Kontakträndern 61 selbst in dem nächstliegenden Abschnitt eingehalten werden können.
In der mehrschichtigen zusammengesetzten Verdrahtungsplatte in der zweiten Ausführungsform wird der Isolierabstand zwischen dem Verdrahtungsmuster 58 und einem Leiterabschnitt eingehalten, und die Dichte des Verdrahtungsmusters 58 wird erhöht, indem die Breite eines Abschnitts (Abschnitt mit schmaler Breite) 58a, der sich zwischen Leiterabschnitten (Durchkontaktierungsloch-Kontakträndern 61) befindet, verschmälert wird. Daher kann die Dichte des Verdrahtungsmusters 58 erhöht werden, ohne die Anzahl der zusammengesetzten Schichten zu erhöhen. Hier wird die Breite des Abschnitts, der fähig ist, den Isolierabstand von dem Leiterabschnitt, d.h. dem Abschnitt (Abschnitt mit normaler Breite) 58a, der sich nicht zwischen den Durchkontaktierungsloch-Kontakträndern 61 befindet, aufzunehmen, nicht verschmälert. Daher wird die Möglichkeit einer Trennung in einem später beschriebenen Herstellungsprozeß verringert, und eine Verringerung der Ausbeute kann verhindert werden.
Ferner wird eine Form des Verdrahtungsmusters 58 in der zweiten Ausführungsform durchgängig unter Bezug auf 14(B), 15(C), 15(D) und 16 erklärt. In 14(B) befindet sich ein Verdrahtungsmuster 58 zwischen Leiterabschnitten (Durchkontaktierungsloch-Kontakträndern oder Kontaktflecken zum Montieren (hier im weiteren als Kontaktflecken bezeichnet) 61), und ein Abschnitt 58b mit schmaler Breite auf einer mittleren Seite des Verdrahtungsmusters ist verschmälert. Nämlich werden die Isolierabstände von beiden Leiterabschnitten (Durchkontaktierungsloch-Kontakträndern oder Kontaktflecken 61) eingehalten, indem die obige Breite auf der mittleren Seite des Verdrahtungsmusters 58 verschmälert wird.
Wenn sich in 15(C) drei Verdrahtungsmuster zwischen Leiterabschnitten (Durchkontaktierungsloch-Kontakt rändern oder Kontaktflecken) 61 befinden, wird die Breite eines mittleren Verdrahtungsmusters 58 auf seiner mittleren Seite verschmälert, und die Breiten der Verdrahtungsmuster 58 auf beiden Seiten des mittleren Verdrahtungsmusters werden jeweils auf zu den Leiterabschnitten (Durchkontaktierungsloch-Kontakträndern oder Anschlußflecken) 61 entgegengesetzten Seiten verschmälert. Nämlich wird die Breite des mittleren Verdrahtungsmusters auf der mittleren Seite verschmälert, und die Breiten der Verdrahtungsmuster auf den beiden Seiten werden jeweils auf zu den Leiterabschnitten entgegengesetzten Seiten verschmälert, so daß die Isolierabstände von den beiden Leiterabschnitten und der Isolierabstand zwischen den Verdrahtungsmustern eingehalten werden.
In 15(D) sind ähnlich zu 15(C) in drei Verdrahtungsmustern 58 Abschnitte 58a mit schmaler Breite ausgebildet, und Verdrahtungsmusterseiten von Leiterabschnitten (Durchkontaktierungsloch-Kontakträndern oder Kontaktflecken 61) sind eingekerbt. Nämlich werden die Isolierabstände zwischen den Verdrahtungsmustern und den Durchkontaktierungsloch-Kontakträndern oder Kontaktflecken 61 eingehalten, indem die Verdrahtungsmusterseiten der Durchkontaktierungsloch-Kontaktränder oder Kontaktflecken 61 eingekerbt werden. Dieses in 15(D) gezeigte Beispiel wird nur verwendet, wenn der Isolierabstand von 40 mm nicht eingehalten werden kann, indem, wie in 15(C) gezeigt, einfach die Breiten der Verdrahtungsmuster verschmälert werden. Nämlich, wenn der Durchmesser einer unteren Endseite eines in 13 gezeigten Durchkontaktierungslochs 160 einer oberen Schicht auf 140 µm festgelegt wird, wird ein Durchkontaktierungsloch oder Kontaktfleck 61 derart ausgebildet, daß dieser Durchkontaktierungsloch-Kontaktrand oder Kontaktfleck 61 einen Durchmesser von 190 µm hat, der um 50 µm größer als dieser Durchmesser der unteren Endseite ist. Dieser Durchmesser des Durchkontaktierungsloch-Kontaktrands oder Kontaktflecks 61 wird derart festgelegt, daß das Durchkontaktierungsloch 160 der oberen Schicht auf dem Durchkontaktierungsloch-Kontaktrand oder Kontaktfleck 61 ausgebildet wird, selbst wenn das Durchkontaktierungsloch 160 der oberen Schicht sich in einer am weitesten versetzten Position befindet, da ein Positionsfehler des Durchkontaktierungslochs 160 der oberen Schicht auf etwa +25 µm relativ zu dem Durchkontaktierungsloch-Kontaktrand oder Kontaktfleck 61 bestimmt wird. Ferner wird dieser Durchmesser des Durchkontaktierungsloch-Kontaktrands oder Kontaktflecks 61 bestimmt, da in einem gewissen Fall kein, Durchkontaktierungsloch-Kontaktrand oder Kontaktfleck 61 geeignet mit dem Durchkontaktierungsloch 160 der oberen Schicht verbunden ist und die Ausbeute verringert wird, wenn ein Abschnitt des Durchkontaktierungsloch-Kontaktrands oder Kontaktflecks 61, wie in dem in 15(D) gezeigten Beispiel, eingekerbt ist.
Wenn sich ferner, wie in 16 gezeigt, vier oder mehr Verdrahtungsmuster 58 zwischen Leiterabschnitten 61 befinden, können die Isolierabstände sowohl von den Leiterabschnitten 61 als auch die Isolierabstände zwischen den Verdrahtungsmustern 58 eingehalten werden, indem eine Breite von mindestens einem Abschnitt eines mittleren Verdrahtungsmusters mit Ausnahme von Verdrahtungsmustern auf beiden Seiten einer mittleren Seite verschmälert wird und die Breiten der Verdrahtungsmuster, die zu jeweiligen Leiterabschnitten entgegengesetzt sind, auf beiden Seiten verschmälert werden.
Ein Herstellungsverfahren für die mehrschichtige zusammengesetzte Verdrahtungsplatte in der weiter oben unter Bezug auf 13 erwähnten zweiten Ausführungsform ist ähnlich der in der weiter oben unter Bezug auf 1 bis 8 erwähnten ersten Ausführungsform. Folglich wird eine Erklärung dieses Herstellungsverfahrens hier weggelassen. Wenn, wie hier in 4(N) und 4(O) gezeigt, ein Verdrahtungsmuster 58 ausgebildet wird, wird das Verdrahtungsmuster 58 in der mehrschichtigen zusammengesetzten Verdrahtungsplatte in der zweiten Ausführungsform derart festgelegt, daß nur die Breite von einem Abschnitt (Abschnitt mit schmaler Breite) 58a, der sich zwischen Leiterabschnitten, wie etwa Durchkontaktierungsloch-Kontakträndern 61, etc. befindet, wie weiter oben unter Bezug auf 14(A) bis 15(D) erwähnt, verschmä lert wird. Nämlich wird keine Breite eines Abschnitts (Abschnitts mit normaler Breite) 58a, der sich nicht zwischen den Durchkontaktierungsloch-Kontakträndern 61 befindet, verschmälert. Daher wird die Möglichkeit der Trennung in dem obigen Prozeß verringert, und die Ausbeute wird erhöht.
Ferner wird das Verdrahtungsmuster in dem obigen Beispiel durch stromloses Metallisieren ausgebildet. Eine Form des Verdrahtungsmusters in der obigen zweiten Ausführungsform kann jedoch auch angewendet werden, wenn das Verdrahtungsmuster durch Ätzen einer Kupferfolie ausgebildet wird. Ferner wird in der obigen zweiten Ausführungsform ein Abschnitt des Verdrahtungsmusters, der sich zwischen den Durchkontaktierungsloch-Kontakträndern 61 befindet, dünn gemacht. Ein Abschnitt des Verdrahtungsmusters, der sich zwischen Durchkontaktierungslöchern und festen Schichten oder nahe dieser Abschnitte befindet, kann ebenfalls dünn gemacht werden.
Als nächstes werden eine Verdrahtungsplatte und ihr Herstellungsverfahren gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezug auf die Zeichnungen beschrieben.
Zuerst wird der Aufbau der gedruckten Verdrahtungsplatte 10 gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezug auf 17 und 18 beschrieben. 17 zeigt einen Zustand, in dem ein IC-Chip 90 auf die mehrschichtige gedruckte Leiterplatte 10 montiert ist und an einer Tochterplatte 94 befestigt ist.
Wie in 17 gezeigt, ist in einem Kernsubstrat 30 in der gedruckten Verdrahtungsplatte 10 ein Durchgangsloch 36 ausgebildet, und auf jeder von beiden Seiten des Kernsubstrats 30 ist eine Leiterschaltung 34 ausgebildet. Auf dem Kernsubstrat 30 ist eine Zwischenlagen-Harzisolierschicht 50 einer unteren Schichtseite ausgebildet. In der Zwischenlagen-Harzisolierschicht 50 der unteren Schichtseite ist durch ein Durchkontaktierungsloch 60, ein Verdrahtungsmuster 58S, einen Kontaktrand 58R und einen Blindleiter 58D eine Leiterschicht ausgebildet. Auf der Zwischenlagen-Harzisolier schicht 50 der unteren Schicht ist eine Zwischenlagen-Harzisolierschicht 150 der oberen Schicht angeordnet. In der Zwischenlagen-Harzisolierschicht 150 ist durch ein Durchkontaktierungsloch 160, eine Signalleitung 158S und einen Blindleiter 158D eine Leiterschicht ausgebildet.
Auf einer Oberseite der gedruckten Verdrahtungsplatte 10 ist ein Lotbump 76U für die Verbindung mit einem Kontaktrand 92 eines IC-Chips 90 angeordnet. Der Lotbump 76U ist durch die Durchkontaktierungslöcher 160 und 60 mit dem Durchgangsloch 36 verbunden. Ein Lotbump 76D für die Verbindung mit einem Kontaktrand 96 einer Tochterplatte 94 ist auf einer Unterseite der gedruckten Verdrahtungsplatte 10 angeordnet. Der Lotbump 76D ist durch die Durchkontaktierungslöcher 160 und 60 mit dem Durchgangsloch 36 verbunden.
18 zeigt eine schräg laufende X-X-Schnittseite von 17, d.h. eine Draufsicht einer auf einer Oberfläche der unteren Zwischenlagen-Harzisolierschicht 50 ausgebildeten Leiterschicht. Ein E-E-Schnitt von 18 entspricht 17. Wie in 18 gezeigt, sind ein Verdrahtungsmuster 58S, ein Kontaktrand 58R, ein isolierter Kontaktrand 58RS, ein Blindleiter 58D und ein Blindleiter 58DS als eine Leiterschicht auf der Zwischenlagen-Harzisolierschicht 50 ausgebildet.
19(A) zeigt einen Abschnitt vergrößert, der in 18 von dem Bezugszeichen A umgeben ist. In der dritten Ausführungsform ist der Blindleiter 58D um das isolierte Verdrahtungsmuster 58S herum angeordnet. Im Gegensatz dazu zeigt 19(B) einen vergrößerten Abschnitt, der in 18 von dem Bezugszeichen B umgeben ist. Hier ist der Blindleiter 58D um drei Verdrahtungsmuster 58S herum angeordnet. In der gedruckten Verdrahtungsplatte in der dritten Ausführungsform ist der Blindleiter 58D um das Verdrahtungsmuster 58S herum angeordnet. Entsprechend wird keine elektrische Feldkonzentration verursacht, wenn die Leiterschicht, wie später beschrieben, durch Galvanisieren ausgebildet wird. Ferner wird in der später beschriebenen Lichtätzung keine Überätzung verursacht. Folglich kann das Verdrahtungsmuster 58S in einer vorbestimmten Dicke (15 µm) und (37 µm) Breite ausgebildet werden. Ferner können eine isolierte Signalleitung und eine Signalleitung in einem nahen Abschnitt mit gleichmäßigen Dicken ausgebildet werden. Folglich kann die Dicke der Zwischenlagen-Harzisolierschicht 150 in oberen Schichten dieser Signalleitungen vereinheitlicht werden, so daß wesentliche elektrische Eigenschaften der gedruckten Verdrahtungsplatte verbessert werden können.
Eine Breite des Blindleiters 58D wird auf das Ein- bis Dreifache (37 bis 111 µm) einer Minimalbreite (37 µm) des Verdrahtungsmusters 58S festgelegt. Wenn eine derartige Breite des Blindleiters 58D eingestellt wird, wird kein elektrisches Feld auf das Verdrahtungsmuster 58S und den Blindleiter 58D konzentriert, so daß die Signalleitungen und der Blindleiter in vorbestimmten Dicken ausgebildet werden können. Im Gegensatz dazu wird ein Minimalabstand D1 zwischen dem Blindleiter 58D und dem Verdrahtungsmuster 58S auf das Ein- bis Dreifache (37 bis 111 µm) der Breite einer Signalleitung 38 festgelegt. Daher wird keine Konzentration eines elektrischen Felds verursacht, und das Verdrahtungsmuster und der Blindleiter können in vorbestimmten Dicken ausgebildet werden.
20(C) zeigt einen vergrößerten Abschnitt, der in 18 von dem Bezugszeichen C umgeben ist. Ein isolierter Kontaktrand 58RS ist von dem Blindleiter 58DS umgeben. In der gedruckten Verdrahtungsplatte in der dritten Ausführungsform ist der Blindleiter 58DS derart angeordnet, daß er den isolierten Kontaktrand 58RS umgibt, so daß keine Konzentration eines elektrischen Feldes bewirkt wird, wenn die Leiterschicht, wie später beschrieben, durch Galvanisieren ausgebildet wird. Ferner wird in dem später beschriebenen Lichtätzen kein Überätzen bewirkt. Folglich kann der isolierte Kontaktrand 58RS in der vorbestimmten Dicke (15 µm) und dem Durchmesser (133 µm) ausgebildet werden. Daher können der isolierte Kontaktrand 58DS und der Kontaktrand 58D in einem nahen Abschnitt mit gleichmäßiger Dicke ausgebildet werden. Ferner kann die Dicke der Zwischenlagen-Harzisolierschicht 150 in einer oberen Schicht des Verdrahtungsmusters vereinheitlicht werden, so daß wesentliche elektrische Eigenschaften der gedruckten Verdrahtungsplatte verbessert werden können.
Eine Minimalbreite des Blindleiters 58DS um den isolierten Kontaktrand 58RS herum wird auf 1/6 bis das Dreifache (22 bis 399 µm) eines Kontaktranddurchmessers (133 µm) festgelegt. Daher wird keine Konzentration eines elektrischen Felds bewirkt, und der Kontaktrand und der Blindleiter können in vorbestimmten Dicken ausgebildet werden. Da ferner der Minimalabstand D2 zwischen dem Blindleiter 58DS und dem isolierten Kontaktrand auf 1/6 bis zum Dreifachen (22 bis 399 µm) des Kontaktranddurchmessers festgelegt ist, wird keine Konzentration eines elektrischen Felds bewirkt, und der Kontaktrand und der Blindleiter können in vorbestimmten Dicken ausgebildet werden. Da ferner ein äußerer Randabschnitt des isolierten Kontaktrands 58RS von dem Blindleiter 58DS umgeben ist, ist es möglich, den Einfluß von Rauschen, etc. von außen auf den isolierten Kontaktrand 58RS zu verringern.
20(C') zeigt einen isolierten Kontaktrand, der sich von dem in 20(C) gezeigten isolierten Kontaktrand unterscheidet. In dem in 20(C') gezeigten Beispiel ist ein Blindleiter 58DS mit einem Durchkontaktierungsloch 60 verbunden und ist auch auf der Seite eines Kernsubstrats 30 mit einer Erdleitung verbunden (siehe 17). Da der Blindleiter 58DS in diesem Beispiel mit Erde verbunden ist, ist es möglich, zu verhindern, daß der isolierte Kontaktrand 58RS durch Rauschen, etc. von außen beeinflußt wird.
21 zeigt einen vergrößerten Abschnitt, der in 18 von dem Bezugszeichen D umgeben ist. In einer gedruckten Verdrahtungsplatte 10 in der dritten Ausführungsform ist in einem Kreuzungsabschnitt von Blindleitern 58D und 58D mit einem rechten Winkel ein Material F2 ausgebildet, und in einem spitzen Winkelabschnitt in dem Kreuzungsabschnitt ist ein Material F1 ausgebildet. Daher können die Blindleiter richtig miteinander verbunden werden. Ferner werden der rechte Winkelabschnitt und der Spitzwinkelabschnitt nicht ausgebildet, um einen Riß zu verhindern, der durch eine Spannungskonzentration bewirkt wird, die von einem Winkelabschnitt verursacht wird. Nämlich wenn es in einem Abschnitt der Leiterschicht einen Winkelabschnitt gibt, werden in einem Wärmezyklus thermische Spannungen konzentriert, und in einem gewissen Fall wird in der Zwischenlagen-Harzisolierschicht mit einem derartigen Winkelabschnitt als einem Anfangspunkt ein Riß bewirkt. Es ist jedoch möglich, zu verhindern, daß ein derartiger Riß in der gedruckten Verdrahtungsplatte in der dritten Ausführungsform verursacht wird.
22(E) zeigt einen Fall, in dem das Verdrahtungsmuster 58S und der isolierte Kontaktrand 58RS in nächster Nähe zueinander angeordnet sind. In einem derartigen Fall können sowohl das Verdrahtungsmuster 58S als auch der isolierte Kontaktrand 58RS von dem Blindleiter 58D umgeben sein. Im Gegensatz dazu zeigt 22(F) einen Fall, in dem in der Nachbarschaft des Verdrahtungsmusters 58S eine ungemusterte Schicht 58H für eine Stromquellenschicht vorhanden ist. In einem derartigen Fall ist es nicht notwendig, speziell einen Blindleiter zwischen dem Verdrahtungsmuster 58S und der ungemusterten Schicht 58H anzuordnen.
Ein Herstellungsverfahren für die gedruckte Verdrahtungsplatte gemäß der obigen dritten Ausführungsform ist ähnlich dem der obigen ersten Ausführungsform. Daher wird eine Erklärung dieses Herstellungsverfahrens hier weggelassen.
In der gedruckten Verdrahtungsplatte in der dritten Ausführungsform werden, ähnlich der weiter oben unter Bezug auf 4 erwähnten ersten Ausführungsform, eine Leiterschicht und ein Durchkontaktierungsloch 60 ausgebildet, indem eine galvanisch aufgebrachte Kupferschicht 56 auf einer stromlos metallisierten Kupferschicht 52 ausgebildet wird. Wie weiter oben unter Bezug auf 18 erwähnt, werden ein Verdrahtungsmuster 58S, ein Kontaktrand 58R, ein isolierter Kontaktrand 58RS, ein Blindleiter 58D und ein Blindleiter 58DS als diese Leiterschicht ausgebildet. Hier in der dritten Ausführungsform sind die Blindleiter 58D, 58DS um das isolierte Verdrahtungsmuster 58S und den isolierten Kontaktrand 58RS herum angeordnet. Daher wird in der obigen galvanisch aufgebrachten Schicht keine Konzentration eines elektrischen Felds bewirkt, und das Verdrahtungsmuster 58S, der Kontaktrand 58R und der isolierte Kontaktrand 58RS können in gleichmäßigen Dicken ausgebildet werden.
Wenn die stromlos metallisierte Schicht 52 durch Lichtätzen entfernt wird, ist der Blindleiter 58D in der dritten Ausführungsform um das isolierte Verdrahtungsmuster 58S herum angeordnet. Daher wird eine Ätzflüssigkeit gleichmäßig um das Verdrahtungsmuster 58S herum bewegt, so daß das Verdrahtungsmuster 58S mit gleichmäßiger Dicke (15 µm) und Breite (37 µm) ausgebildet werden kann.
Als nächstes wird eine gedruckte Verdrahtungsplatte gemäß einem Veranschaulichungsbeispiel unter Bezug auf die Zeichnungen erklärt.
30 zeigt einen Schnitt der gedruckten Verdrahtungsplatte gemäß dem Veranschaulichungsbeispiel. Zusammengesetzte Verdrahtungsschichten 90A, 90B sind auf Vorder- und Rückseiten eines mehrschichtigen Kernsubstrats 30 ausgebildet. Die zusammengesetzten Schichten 50 und 150 werden durch Zwischenlagen-Harzisolierschichten 90A, 90B aufgebaut. Ein Durchkontaktierungsloch 60 und eine Leiterschaltung 58 sind in der Zwischenlagen-Harzisolierschicht 50 ausgebildet. Ein Durchkontaktierungsloch 160 und eine Leiterschaltung 158 sind in der Zwischenlagen-Harzisolierschicht 150 ausgebildet.
Ein Lotbump 76U zur Verbindung mit einem nicht dargestellten Bump eines IC-Chips ist auf einer Vorderseite der gedruckten Verdrahtungsplatte ausgebildet. Ein Lotbump 76D für die Verbindung mit einem nicht dargestellten Bump einer Hauptplatine ist auf einer Rückseite der gedruckten Verdrahtungsplatte ausgebildet. Eine Leiterschaltung von dem mit dem IC-Chip verbundenen Lotbump 76U ist innerhalb der ge druckten Verdrahtungsplatte mit dem Lotbump 76D verbunden, der mit einer Hauptplatinenseite verbunden ist. Die zusammengesetzte Schicht 90A auf der Vorderseite und die zusammengesetzte Schicht 90B auf der Rückseite sind durch ein in dem Kernsubstrat 30 ausgebildetes Durchgangsloch 36 miteinander verbunden.
Ein Kontaktrand 36a ist in einer Öffnung des Durchgangslochs 36 ausgebildet. Das Durchkontaktierungsloch 60 auf einer oberen Schichtseite ist mit dem Kontaktrand 36a verbunden. Das Durchkontaktierungsloch 160 in einer oberen Schicht ist mit der Leiterschaltung 58 verbunden, die mit dem Durchkontaktierungsloch 60 verbunden ist. Die Lotbumps 76U, 76D sind in der Leiterschaltung 158 ausgebildet, die mit dem Durchkontaktierungsloch 160 verbunden ist.
31 zeigt einen B-B-Schnitt des Kernsubstrats 30 der gedruckten Verdrahtungsplatte in 30. Hier ist der in der Öffnung des Durchgangslochs 36 ausgebildete Kontaktrand 36a in einer kreisförmigen Form ausgebildet, und das Durchkontaktierungsloch 60 ist, wie weiter oben unter Bezug auf 30 erwähnt, direkt mit dem Kontaktrand 36a verbunden. In einer derartigen Verbindung wirkt ein Bereich direkt über dem Kontaktrand 36a als ein Anschlußfleck einer inneren Schicht des bisherigen Stands der Technik, so daß es keinen ungenutzten Raum gibt. Ferner wird kein Kontaktfleck 226b einer inneren Schicht für die Verbindung von dem Kontaktrand 36a zu dem Durchkontaktierungsloch 60 hinzugefügt. Folglich kann der Kontaktrand 36a des Durchgangslochs 36 in einer kreisförmigen Form ausgebildet werden. Als ein Ergebnis kann die Anzahl von Durchgangslöchern erhöht werden, indem eine Anordnungsdichte der innerhalb des mehrschichtigen Kernsubstrats 30 angeordneten Durchgangslöcher 36 verbessert wird.
Wie weiter oben erwähnt, werden ferner Verdrahtungen von mehreren Bumps auf der Rückseite der gedruckten Verdrahtungsplatte mit Bumps auf der Vorderseite verbunden, während diese Verdrahtungen auf der Rückseite miteinander integriert werden. Die Verdrahtungen in den auf den Vorder- und Rückseiten ausgebildeten zusammengesetzten Verdrahtungsschichten 90A, 90B können in dem gleichen Tempo miteinander integriert werden, indem die Durchgangslöcher mit der erforderlichen Dichte ausgebildet werden. Auf diese Weise ist es möglich, die Anzahl von auf den Vorder- und Rückseiten ausgebildeten zusammengesetzten Verdrahtungsschichten 90A, 90B zu verringern.
In der gedruckten Verdrahtungsplatte in dem Veranschaulichungsbeispiel wird das Durchkontaktierungsloch 60 auf dem Kontaktrand 36a ausgebildet, indem ein Radius des Kontaktrands 36a gleich oder größer als ein Wert festgelegt wird, der durch Addieren des Durchmessers TW eines durchgehenden Lochs 16, eines Fehlerbereichs des Kontaktrands 36a relativ zu dem durchgehenden Loch 16 relativ zu dem Kontaktrand 36a, ein Durchmesser BW der Öffnung (Durchkontaktierungsloch) 60 und ein Fehlerbereich 2α der Öffnung 60 addiert werden. Im Gegensatz dazu wird die Anordnungsdichte der Durchgangslöcher erhöht bestimmt, indem ein Durchmesser RW des Kontaktrands 36a im Vergleich zu einem Aufbau, in dem ein Kontaktrand zum Anordnen des Durchkontaktierungslochs zu dem Kontaktrand des bisherigen Stands der Technik addiert wird, gleich oder kleiner als 700 µm festgelegt wird.
Ein konkreter numerischer Wert für einen Radius des durchgehenden Lochs 16 für ein Durchgangsloch wird wünschenswerterweise kleiner oder gleich 175 µm und größer oder gleich 125 µm festgelegt. Wenn der Radius des durchgehenden Lochs 16 175 µm übersteigt, wird die Anzahl von in dem Kernsubstrat angeordneten Durchgangslöchern verringert. Wenn der Radius des durchgehenden Lochs 16 im Gegensatz dazu kleiner als 125 µm ist, ist es schwierig, das durchgehende Loch 16 mit einem Bohrer auszubilden. Andererseits wird ein Radius des Kontaktrands 36a wünschenswerterweise um 75 µm bis 175 µm größer als der Radius des durchgehenden Lochs 16 für ein Durchgangsloch festgelegt. Dies liegt dran, daß 75 µm insgesamt als ein Minimalwert erhalten werden, um zur technischen Einstellung fähig zu sein, wobei ein Durchmesser von 25 µm des Durchkontaktierungslochs 60, ein Fehler von ±12,5 µm (25 µm insgesamt) der Öffnung für das Durchkontaktierungsloch relativ zu dem Kontaktrand 36a und ein Fehler von 25 µm des Kontaktrands 36a relativ zu dem durchgehenden Loch 16 addiert werden. Andererseits werden insgesamt 175 µm als ein Minimalwert für die wirtschaftliche Einstellung in der Massenfertigung erhalten, indem ein Durchmesser von 35 µm des Durchkontaktierungslochs 60, ein Fehler von ±20 µm (40 µm insgesamt) der Öffnung 60 für das Durchkontaktierungsloch und ein Fehler von 100 µm des Kontaktrands 36a relativ zu dem durchgehenden Loch 16 addiert werden. Nämlich kann das Durchkontaktierungsloch technisch und wirtschaftlich auf dem Kontaktrand angeordnet werden, indem der Kontaktrand derart ausgebildet wird, daß der Radius des Kontaktrands um 75 µm bis 175 µm größer als der Radius des Durchgangslochs ist.
Ein Herstellungsverfahren für die gedruckte Verdrahtungsplatte gemäß dem Veranschaulichungsbeispiel wird nachfolgend unter Bezug auf 23 bis 30 erklärt.
A die Zusammensetzungen für ein Haftmittel für die stromlose Metallisierung, B ein Zwischenlagen-Harzisoliermittel und C ein Harzfüllmittel, die in dem Herstellungsverfahren der gedruckten Verdrahtungsplatte in dem Veranschaulichungsbeispiel verwendet werden, sind ähnlich denen in der ersten Ausführungsform. Daher wird eine Beschreibung dieser Zusammensetzungen hier weggelassen.

(1) Wie in 23(A) gezeigt, wird ein Kupferauftrag-Laminiermaterial 30A als ein Ausgangsmaterial festgelegt. Bei dem Kupferauftrag-Laminiermaterial 30A wird auf beide Seiten eines Substrats 30 eine Kupferfolie 32 mit 18 µm Dicke auflaminiert. Zuerst wird mit einem Bohrer ein Loch in diesem Kupferauftrag-Laminiermaterial 30A ausgebildet, so daß ein durchgehendes Loch 15 mit 300 µm Durchmesser (TW) ausgebildet wird (23(B)). Der Durchmesser des durchgehenden Lochs 16 für ein Durchgangsloch wird wünschenswerterweise auf kleiner oder gleich 350 µm und größer oder gleich 250 µm festgelegt. Wenn der Durchmesser des durchgehenden Lochs 16 350 µm übersteigt, wird die Anzahl von in dem Kernsubstrat angeordneten Durchgangslöchern verringert. Wenn der Durchmesser des durchgehenden Lochs 16 im Gegensatz dazu kleiner als 250 μm ist, ist es schwierig, das durchgehende Loch 16 mit einem Bohrer auszubilden. Dann wird bezüglich des gesamten Substrats eine stromlose Metallisierungsverarbeitung durchgeführt, und eine stromlos metallisierte Kupferschicht 18 wird auf einer Innenwand des durchgehenden Lochs 16 abgeschieden, und ein Durchgangsloch 36 wird ausgebildet (23(C)). Ein Kontaktrand 36a des Durchgangslochs, eine Leiterschaltung 34 und eine Positionsausrichtungsmarkierung 33 (siehe 31) werden nacheinander durch Ätzen des Substrats in einer Musterform ausgebildet (23(B)). Hier wird der Kontaktrand 36a derart ausgebildet, daß dieser Kontaktrand 36a einen Durchmesser von 600 µm (RW) hat.
(2) Dieses Substrat 30 wird mit Wasser gewaschen und getrocknet. Danach wird durch eine Oxidations-Reduktionsverarbeitung, wie in 24(E) gezeigt, auf Oberflächen der Leiterschaltung 34, des Durchgangslochs 36 und des Kontaktrands 36a eine aufgerauhte Schicht 38 ausgebildet.
(3) Stoffe der Grundmaterialzusammensetzung zur Einstellung und Herstellung des Harzfüllmittels in der oben erwähnten C werden vermischt und verknetet, und das Harzfüllmittel wird erhalten.
(4) Das Kernsubstrat 30 wird unter Verwendung einer Maske bedruckt, und das Innere des Durchgangslochs 36 wird mit dem Füllmittel 40 gefüllt, und eine Oberfläche des Substrats 30 wird mit dem Füllmittel 40 beschichtet (siehe 24(F)). Danach wird das Füllmittel 40 wärmegehärtet.
(5) Das in dem obigen Punkt (4) abschließend verarbeitete Substrat 30 wird von einem Bandschleifer poliert, damit auf Oberflächen des Kontaktrands 36a des Durchgangslochs 36 und der Leiterschaltung 34 kein Harzfüllmittel bleibt. Dann wird das Harzfüllmittel 40 durch eine Wärmever arbeitung ausgehärtet. Die aufgerauhte Schicht auf einer Oberseite des Substrats 30 wird davon entfernt, und beide Seiten des Substrats 30 werden, wie in 24(G) gezeigt, geglättet.
(6) Eine aufgerauhte Schicht (unregelmäßige Schicht) 42 wird, wie in 24(H) gezeigt, auf Oberseiten des Durchgangsloch-Kontaktrands 36a und der in der Verarbeitung des obigen Punkts (5) belichteten Leiterschaltung 34 ausgebildet.
(7) Stoffe der Grundmaterialzusammensetzung zur Einstellung und Herstellung eines Zwischenlagen-Harzisoliermittels der Stoffzusammensetzung B werden verrührt und vermischt und werden auf eine Viskosität von 1,5 Pa·s eingestellt, so daß das Zwischenlagen-Harzisoliermittel (für eine untere Schicht) erhalten wird.

Dann werden Stoffe der Grundmaterialzusammensetzung zur Einstellung und Herstellung eines Haftmittels für die stromlose Metallisierung der Stoffzusammensetzung A verrührt und vermischt und werden auf eine Viskosität von 7 Pa·s eingestellt, so daß eine Haftmittellösung (für eine obere Schicht) für die stromlose Metallisierung erhalten wird.

(8) Wie in 25(I) gezeigt, werden beide Seiten des Substrats 30 (24(H)) in dem obigen Punkt (6) mit dem in dem obigen Punkt (7) erhaltenem Zwischenlagen-Harzisoliermittel (für eine untere Schicht) 44 mit einer Viskosität von 1,5 Pa·s beschichtet und getrocknet. Dann werden beide Seiten des Substrats 30 mit der in dem obigen Punkt (7) erhaltenen Haftmittellösung (für eine obere Schicht) 46 mit einer Viskosität von 7 Pa·s beschichtet und getrocknet. Auf diese Weise wird eine Haftmittelschicht 50 mit 35 µm Dicke ausgebildet.
(9) Ein nicht dargestellter Fotomaskenfilm wird fest an beiden Seiten des Substrats 30 mit der in dem obigen Punkt (8) ausgebildeten Haftmittelschicht 50 angebracht und belichtet. Dieser Film wird sprühentwickelt, und das Substrat wird weiter belichtet und erwärmt (im Ofen nachge trocknet). Auf diese Weise wird, wie in 25(J) gezeigt, eine Zwischenlagen-Harzisolierschicht (Zweischichtstruktur) 50 mit 35 µm Dicke ausgebildet. Diese Zwischenlagen-Harzisolierschicht 50 hat eine Öffnung (eine Öffnung zum Ausbilden eines Durchkontaktierungslochs) 48 mit einem Durchmesser von ⌀ 30 µm (BW) und einer hervorragenden Abmessungsgenauigkeit, die dem Fotomaskenfilm entspricht.

Bei der Bildung dieser Öffnung 48 wird eine Position des Fotomaskenfilms mit der in 31 gezeigten Positionsausrichtungsmarkierung 33 als einer Referenz ausgerichtet. Da das obige durchgehende Loch 16 für ein Durchgangsloch mechanisch mit einem Bohrer ausgebildet wird, ist es schwierig, die Positionsgenauigkeit zu verbessern. Daher wird der in dem durchgehenden Loch ausgebildete Kontaktrand 36a mit einer Positionsgenauigkeit von 90 µm (± 45 µm) relativ zu dem durchgehenden Loch ausgebildet. Die Positionsgenauigkeit des Kontaktrands 36a ist relativ hoch, da dieser Kontaktrand, wie weiter oben erwähnt, optisch ausgebildet wird. Daher wird eine Positionsgenauigkeit der Öffnung 48 relativ zu dem Kontaktrand 36a zu +15 µm bestimmt, indem diese Positionsgenauigkeit zweifach oder höher festgelegt wird. Hier werden die in 31 gezeigten Positionsmarkierungen 33 mit der bezüglich dem Kernsubstrat 30 erhaltenen weiter oben erforderlichen Genauigkeit für ein mehrfaches Abfasen zusammen mit dem Kontaktrand 36a angeordnet, und die Positionsgenauigkeit wird verbessert, indem die Position des Fotomaskenfilms mit den Positionsmarkierungen 33 als Bezüge ausgerichtet wird. Wenn zum Beispiel der Kontaktrand ausgebildet wird, wird der Fotomaskenfilm mit Positionsausrichtungsbezügen (Positionsmarkierungen) von vier Ecken eines mehrfach abgefasten Substrats (d.h. entsprechend 36 Substraten) ausgerichtet. Wenn im Gegensatz dazu die Öffnung 48 ausgebildet wird, wird der Fotomaskenfilm mit Positionsausrichtungsbezügen (Positionierungsmarkierungen) ausgerichtet, die an vier Ecken mehrerer unterteilter Substrate angeordnet sind (d.h. entsprechend 8 Substraten), so daß die erforderliche Genauigkeit erzielt wird.
Hier kann die Öffnung 48 auf dem Kontaktrand 36a ausgebildet werden, indem der Radius des Kontaktrands 36a um 140 µm oder mehr größer als der Radius des durchgehenden Lochs für ein Durchgangsloch festgelegt wird. Dies liegt dran, daß 75 µm insgesamt als ein Minimalwert erhalten werden, um zur technischen Einstellung fähig zu sein, wobei ein Durchmesser von 25 µm des Durchkontaktierungslochs 60, ein Fehler von +12,5 µm (25 µm insgesamt) der Öffnung für das Durchkontaktierungsloch relativ zu dem Kontaktrand und ein Fehler von 25 µm des Kontaktrands 36a relativ zu dem durchgehenden Loch 16 addiert werden. Andererseits kann die mehrschichtige gedruckte Verdrahtungsplatte mit einer hohen Ausbeute gebildet werden, indem der Kontaktrand 36a mit einer großen Größe von etwa 175 µm ausgebildet wird. Dies liegt daran, daß insgesamt 175 µm als ein Minimalwert für die wirtschaftliche Einstellung in der Massenfertigung erhalten werden, indem ein Durchmesser von 35 µm des Durchkontaktierungslochs 60, ein Fehler von +20 µm (40 µm insgesamt) der Öffnung 60 für das Durchkontaktierungsloch und ein Fehler von 100 µm des Kontaktrands 36a relativ zu dem durchgehenden Loch 16 addiert werden. In der gedruckten Verdrahtungsplatte in der vierten Ausführungsform kann das Durchkontaktierungsloch technisch und wirtschaftlich auf dem Kontaktrand angeordnet werden, indem der Kontaktrand derart ausgebildet wird, daß der Radius des Kontaktrands um 140 µm bis 175 µm größer als der Radius des Durchgangslochs ist.
Hier wird die Öffnung 48 durch Ätzen ausgebildet, kann jedoch ebenso unter Verwendung eines Laserstrahls ausgebildet werden.

(10) Das Substrat 30 mit der darin ausgebildeten Öffnung 48 wird in Chromsäure getaucht. Wie in 25(K) gezeigt, wird eine Oberfläche der Zwischenlagen-Harzisolierschicht 50 als eine aufgerauhte Schicht 51 eingerichtet und dann in eine Neutralisierungsflüssigkeit getaucht und mit Wasser gewaschen.

Ferner werden Katalysatorkerne an der Oberfläche der Zwischenlagen-Harzisolierschicht 50 und einer Innenwandseite der Öffnung 48 für das Durchkontaktierungsloch angebracht.

(11) Das Substrat wird in eine stromlose wäßrige Kupfermetallisierungslösung getaucht, und auf einer gesamten aufgerauhten Oberfläche des Substrats wird, wie in 26(L) gezeigt, eine stromlos metallisierte Kupferschicht 52 mit 0,6 µm Dicke ausgebildet.
(12) Nachdem eine kommerziell erhältliche Resistschicht an die stromlos metallisierte Kupferschicht 52 geklebt wurde, wird eine Maske auf der Resistschicht angeordnet, und diese Resistschicht wird belichtet und entwickelt, so daß, wie in 26(M) gezeigt, ein Galvano-Resist 54 mit 15 µm Dicke ausgebildet wird.
(13) Eine galvanisch aufgebrachte Kupferschicht 56 mit 15 µm Dicke wird durch Ausführen einer Galvanisierung mit Kupfer ausgebildet (27(N)).
(14) Nachdem der Galvano-Resist 56 mit 5%-igem KOH von dem Substrat getrennt und entfernt wurde, wird die stromlos metallisierte Schicht 52 unter diesem Galvano-Resist 56 durch einen Ätzprozeß unter Verwendung einer Mischflüssigkeit aus Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid gelöst und entfernt. Wie in 27(O) gezeigt, werden auf diese Weise eine Leiterschaltung 58 und ein Durchkontaktierungsloch 60 mit 15 µm Dicke, die aus der stromlos metallisierte Kupferschicht 52 und der galvanisch aufgebrachten Kupferschicht 56 aufgebaut sind, ausgebildet. Ferner wird eine Haftmittelschichtoberfläche für die stromlose Metallisierung zwischen der Leiterschaltung 58 und dem Durchkontaktierungsloch 60 um 1 µm geätzt, so daß ein Palladiumkatalysator von dieser Oberfläche entfernt wird.
(15) Das Substrat 30, auf dem die Leiterschaltung 58 ausgebildet ist, wird in eine stromlose Metallisierungslösung getaucht. Wie in 28(P) gezeigt, werden auf Ober flächen der Leiterschaltung 58 und des Durchkontaktierungslochs 60 Nickel und Phosphor mit einer Dicke von 3 µm ausgebildet. Anstelle dieser aufgerauhten Schicht 62 können die Oberflächen der Leiterschaltung 58 und des Durchkontaktierungslochs 60 auch durch eine Ätzflüssigkeit oder eine Oxidations-Reduktionsverarbeitung aufgerauht werden.

Eine Sn-Schicht mit 0,3 µm Dicke kann auf einer Oberfläche der aufgerauhten Schicht 62 ausgebildet werden, indem eine Cu-Sn-Substitution bewirkt wird (in den Zeichnungen ist keine Sn-Schicht dargestellt).

(16) Eine Zwischenlagen-Harzisolierschicht 150, ein Durchkontaktierungsloch 160 und eine Leiterschaltung 158 in einer oberen Schicht werden ferner ausgebildet, indem die Prozesse von (2) bis (15) wiederholt werden (28(Q)).
(17) Beide Seiten der in dem obigen Punkt (16) erhaltenen Verdrahtungsplatte werden mit einer kommerziell erhältlichen Lötstopplackzusammensetzung mit 20 µm Dicke beschichtet. Nachdem die Verdrahtungsplatte getrocknet wurde, wird die Verdrahtungsplatte dann belichtet und entwickelt. Ferner wird die Verdrahtungsplatte erwärmt, und eine Lötstopplackschicht (mit 20 µm Dicke) 70 wird ausgebildet (siehe 29(R)). Ein Kontaktfleckenabschnitt 71 (mit einem Öffnungsdurchmesser von 200 µm) wird in dieser Lötstopplackschicht 70 geöffnet.
(18) Ein äußerer Randabschnitt einer Öffnungsgruppe des Lötstopplacks wird danach mit einer Harzzusammensetzung beschichtet, um die Lötstopplackschicht zu verstärken, so daß eine Verstärkungsschicht 78 mit 40 µm Dicke ausgebildet wird.
(19) Das Substrat 30, auf dem die Lötstopplackschicht 70 ausgebildet ist, wird dann in eine stromlose Nickelmetallisierungsflüssigkeit getaucht, und eine mit Nickel metallisierte Schicht 72 mit 5 µm Dicke wird in dem Öffnungsabschnitt 71 ausgebildet. Ferner wird dieses Substrat 30 in eine stromlose Goldmetallisierungsflüssigkeit getaucht, und auf der vernickelten Schicht 72 wird eine ver goldete Schicht 74 mit einer Dicke von 0,03 µm ausgebildet (29(S)).
(20) Dann wird Lötpaste auf den Öffnungsabschnitt 71 der Lötstopplackschicht 70 gedruckt, und durch einen Reflow-Prozeß bei 200°C werden Lotbumps 76U, 76D ausgebildet, so daß eine gedruckte Verdrahtungsplatte mit den Lotbumps hergestellt wird (30).

Claims

Gedruckte Verdrahtungsplatte, mit einem metallisierten Verdrahtungsmuster auf einem Substrat, wobei eine Zwischenlagen-Harzisolierschicht und ein Verdrahtungsmuster einer oberen Schicht in einer oberen Schicht des Verdrahtungsmusters ausgebildet sind, wobei das metallisierte Verdrahtungsmuster einen Kreuzungsabschnitt (X) hat, der sich mit einem anderen metallisierten Verdrahtungsmuster kreuzt, und dadurch gekennzeichnet ist, daß zu einem Winkelabschnitt (C), der kleiner als 90° ist, in dem Kreuzungsabschnitt (X) des Verdrahtungsmusters Material (F) hinzugefügt wird.
Gedruckte Verdrahtungsplatte nach Anspruch 1, wobei eine Leitungsbreite der metallisierten Verdrahtungsplatte kleiner oder gleich 50 µm ist.
Herstellungsverfahren für eine gedruckte Verdrahtungsplatte nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Herstellungsverfahren aufweist: einen Prozeß zum Ausbilden eines Resists mit Öffnungsabschnitten zum Ausbilden eines Verdrahtungsmusters, wobei sich die Öffnungsabschnitte in einem kleineren Winkel als 90° schneiden, indem ein Winkelabschnitt, der kleiner als 90° ist, in einem Kreuzungsabschnitt des Verdrahtungsmusters in einem Prozeß zum Ausbilden des Resists auf einem Substrat abgefast einen Prozeß zum Ausbilden des Verdrahtungsmusters durch galvanisches Aufbringen einer Metallschicht in dem Öffnungsabschnitt des Resists; einen Prozeß zum Ausbilden einer Zwischenlagen-Harzisolierschicht in einer oberen Schicht des Verdrahtungsmusters; und einen Prozeß zum Ausbilden des Verdrahtungsmusters in einer oberen Schicht der Zwischenlagen-Harzisolierschicht.