DE69938200T2

DE69938200T2 - Hochfrequenzschalter

Info

Publication number: DE69938200T2
Application number: DE69938200T
Authority: DE
Inventors: Koji Nagaokakyo-shi Furutani; Norio Nagaokakyo-shi Nakajima
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1998-11-20
Filing date: 1999-09-10
Publication date: 2009-02-12
Anticipated expiration: 2019-09-11
Also published as: EP1003291A2; DE69938200D1; DE69930450D1; US6768898B2; DE69942987D1; EP1003291B1; JP2000165274A; EP1253722A2; EP1659656A3; JP3304898B2; DE69930450T2; EP1659656B1; US20020127973A1; EP1659656A2; EP1003291A3; EP1253722B1; US6442376B1; EP1253722A3

Description

Hintergrund der Erfindung
1. Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente und eine Mobilkommunikationsvorrichtung, die dieselbe umfasst, und insbesondere auf eine zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente, die bei drei unterschiedlichen Kommunikationssystemen verwendet werden kann, und eine Mobilkommunikationsvorrichtung, die dieselbe umfasst.
2. Beschreibung der verwandten Technik
Momentan wird als eine Mobilkommunikationsvorrichtung ein tragbares Dreibandtelefon vorgeschlagen, das in mehreren Frequenzbändern betrieben werden kann, zum Beispiel DCS (Digitalzellularsystem) und PCS (Personalkommunikationsdienste), die in dem 1,8 GHz-Band betrieben werden können, und GSM (Globales System für Mobilkommunikation), das in dem 900 MHz-Band wirksam ist.
6 ist ein Blockdiagramm, das ein Beispiel des Front-End-Abschnitts eines tragbaren Dreibandtelefons gemäß dem Stand der Technik zeigt. In diesem Fall werden DCS und PCS, die das 1,8 GHz-Band verwenden, als das erste und das zweite Kommunikationssystem verwendet, die bei benachbarten Frequenzen wirksam sind, GSM, das in dem 900 MHz-Band wirksam, wird als das dritte Kommunikationssystem verwendet, das bei einer anderen Frequenz als das erste und das zweite Kommunikationssystem anwendbar ist.
Der Front-End-Abschnitt des tragbaren Dreibandtelefons ist mit einer Antenne 1, einem Diplexer 2, einem ersten bis dritten Schalter 3 bis 5, die drei Tore aufweisen, und einem ersten und einem zweiten Filter 6 und 7 ausgestattet. Der Diplexer 2 hat die Funktion, im Fall eines Sendens ein Sendesignal von DCS, PCS oder GSM zu koppeln, und im Fall eines Empfangens ein Empfangssignal an DCS, PCS oder GSM zu verteilen.
Der erste Hochfrequenzschalter 3 schaltet die Sendeabschnittseite von DCS und PCS zu der Empfangsabschnittseite von DCS und PCS und umgekehrt. Der zweite Hochfrequenzschalter 4 hat die Funktion, die Empfangsabschnitt-R×d-Seite von DCS und die Empfangsabschnitt-R×p-Seite von PCS zu schalten und umgekehrt. Der dritte Hochfrequenzschalter 5 hat die Funktion, die Sendeabschnitt-T×g-Seite von GSM und die Empfangsabschnitt-R×g-Seite desselben zu schalten.
Das erste Filter 6 hat die Funktion, ein Sende-Empfangssignal von DCS und PCS zu leiten und eine zweite und dritte höhere Oberschwingung zu dämpfen, und das zweite Filter 7 ist beim Leiten eines Sende-Empfangssignals von GSM und einem Dämpfen der dritten höheren Oberschwingung wirksam.
Im Folgenden wird nun die Operation eines tragbaren Dreibandtelefons, das durch DSC wirksam ist, beschrieben. In dem Fall eines Sendens wird durch eine Verbindung des Sendeabschnitts T × dp, der DCS und PCS gemeinsam ist, mittels des ersten Hochfrequenzschalters 3 ein Sendesignal von dem Sendeabschnitt T × dp zu dem ersten Filter 6 gesendet. Das Sendesignal, das durch das erste Filter 6 geleitet wird, wird in dem Diplexer 2 wellenzugeordnet und durch eine Antenne 1 gesendet. In dem Fall eines Empfangens wird ein Empfangssignal, das durch die Antenne 1 empfangen wird, in dem Diplexer 2 in seine Komponentenwellen zerlegt. Das Empfangssignal von der Antenne 1 wird an das erste Filter 6 gesendet, das sich auf der DCS- und PCS-Seite befindet. Mit dem ersten Hochfrequenzschalter 3 wird die Empfangsabschnittseite angeschaltet, so dass das Empfangssignal, das durch das erste Filter 6 geleitet wird, zu dem zweiten Hochfrequenzschalter 4 gesendet wird. Der Empfangsabschnitt R × d von DCS wird mittels des zweiten Hochfrequenzschalters 4 angeschlossen, so dass das Empfangssignal, das durch den zweiten Hochfrequenzschalter 4 geleitet wird, an den Empfangsabschnitt R × d von DCS gesendet wird. Wenn PCS verwendet wird, wird das Senden und der Empfang durch eine ähnlich Operation erreicht.
Der Fall von GSM wird nun im Folgenden beschrieben. In dem Fall eines Sendens wird der Sendeabschnitt T × g mittels des dritten Hochfrequenzschalters 5 angeschlossen, so dass ein Sendesignal von dem Sendeabschnitt T × g an das zweite Filter 7 gesendet wird. Das Sendesignal, das durch das zweite Filter 7 geleitet wird, wird in dem Diplexer 2 wellenzugeordnet und durch die Antenne 1 gesendet. In dem Fall eines Empfangens wird ein Empfangssignal, das durch die Antenne 1 empfangen wird, in dem Diplexer 2 wellenverzweigt, und das Empfangssignal von der Antenne 1 wird an das zweite Filter 7 gesendet, das sich auf der GSM-Seite befindet. Durch eine Verbindung des Empfangsabschnitts R × g mittels des dritten Hochfrequenzschalters 5 wird das Empfangssignal, das durch das zweite Filter 7 geleitet wird, an den Empfangsabschnitt R × g gesendet.
Bei der Mobilkommunikationsvorrichtung des tragbaren Dreibandtelefons gemäß dem Stand der Technik, die im vorhergehenden beschrieben ist, sind die zwei Hochfrequenzschalter jedoch auf der ersten und der zweiten Kommunikationssystemseite bereitgestellt, wobei die Systeme bei unterschiedlichen Frequenzen wirksam sind. Dementsprechend tritt der Einfügungsverlust aufgrund der zwei Hochfrequenzschalter in den Empfangsabschnitten auf. Somit besteht ein Problem darin, dass der Einfügungsverlust erhöht wird.
Ferner ist die Fläche, die durch die Hochfrequenzschalter belegt wird, groß, und das Schaltungssubstrat ist voluminös. Folglich besteht auch ein Problem darin, dass die Größe des tragbaren Dreibandtelefons (Mobilkommunikationsvorrichtung) groß ist.
Die JP 10145270 A bezieht sich auf eine Hochfrequenzvorrichtung, die aus einem Hochfrequenzschalter, mit dem zwei Antennen verbunden sind, einem LC-Filter, das ein Tiefpassfilter ist, und SAW-Filtern (SAW = surface acoustic wave, Oberflächenwelle), die Bandpassfilter sind, besteht. Die Vorrichtung weist eine Mehrschicht-Basisplatte, die von mehreren dielektrischen Schichten überlappt wird, den Hochfrequenzschalter, der aus einer Diode, die an der Mehrschicht-Basisplatte angebracht ist, einer Übertragungsleitung, die in der Mehrschicht-Basisplatte enthalten ist, und einem Kondensator besteht und zumindest vier Ports aufweist, und die SAW-Filter, die an der Mehrschicht-Basisplatte angebracht sind, auf. Auf diese Weise sind der Hochfrequenzschalter und die SAW-Filter auf der Mehrschicht-Basisplatte gebildet, werden von mehreren dielektrischen Schichten überlappt und sind integral gebildet.
Die EP-A-0820155 offenbart einen Duplexer. Der Duplexer umfasst einen Hochfrequenzschalter, ein als Tiefpassfilter dienendes LC-Filter und ein als Bandpassfilter dienendes SAW-Filter. Der Hochfrequenzschalter umfasst Dioden, Kondensatoren und Übertragungsleitungen. Das LC-Filter umfasst Kondensatoren und Übertragungsleitungen. Der Hochfrequenzschalter und das LC-Filter sind in ein Mehrschicht-Keramiksubstrat eingebaut, während die Dioden des Hochfrequenzschalters und das SAW-Filter an dem Substrat angebracht sind. Das Substrat ist aus einem bei geringer Temperatur gebrannten Keramikmaterial hergestellt. Der Hochfrequenzschalter weist einen mit einer Antenne gekoppelten ersten Port, einen mit einem Sender gekoppelten zweiten Port und einen mit einem Empfänger gekoppelten dritten Port, eine Diode zwischen dem ersten Port und dem zweiten Port und eine Übertragungsleitung zwischen dem ersten Port und dem dritten Port auf. Der dritte Port kann mit einem ersten Port eines zusätzlichen Hochfrequenzschalters ver bunden sein, dessen anderen Ports mit einem ersten und einem zweiten Empfänger gekoppelt sind.
Die US-A-5,815,804 offenbart ein weiteres Beispiel einer Dualband-Schaltvorrichtung.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, einen Hochfrequenzschalter zu schaffen, der einen verringerten Einfügungsverlust und verringerte Platzanforderungen aufweist.
Diese Aufgabe wird durch einen Hochfrequenzschalter gemäß Anspruch 1 gelöst.
Gemäß der im Vorhergehenden beschriebenen Struktur und Anordnung sind die zwei Hochfrequenzschalter, d. h. der erste Hochfrequenzschalter, der die vier Tore aufweist, und der zweite Hochfrequenzschalter, der die drei Tore aufweist, enthalten. Somit ist nur der erste Hochfrequenzschalter in dem Empfangsweg für das erste und das zweite Kommunikationssystem, die bei benachbarten Frequenzen wirksam sind, bereitgestellt. Folglich wird der Einfügungsverlust bei den Empfangsabschnitten verringert.
Die zwei Hochfrequenzschalter, die in der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente enthalten sind, können aus den fünf Dioden gebildet sein. Somit kann die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente miniaturisiert und kostengünstig hergestellt werden.
Bei der im Vorgehenden beschriebenen zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente kann das An-Aus des ersten Hochfrequenzschalters mit einer ersten Steuerleistungsversorgung, die mit der Sendeabschnittseite verbunden ist, die dem ersten und dem zweiten Kommunikationssystem gemeinsam ist, einer zweiten Steuerleistungsversorgung, die mit der Empfangsabschnittseite des ersten Kommunikationssystems verbunden ist, und einer dritten Steuerleistungsversorgung, die mit der Empfangsabschnittseite des zweiten Kommunikationssystems verbunden ist, gesteuert werden; und das An-Aus des zweiten Hochfrequenzschalters kann mit einer vierten Steuerleistungsversorgung, die mit der Sendeabschnittseite des dritten Kommunikationssystems verbunden ist, und einer fünften Steuerleistungsversorgung, die mit der Empfangsabschnittseite des dritten Kommunikationssystems verbunden ist, gesteuert werden.
Gemäß der im Vorhergehenden beschriebenen Struktur und Anordnung wird das An-Aus des ersten Hochfrequenzschalters mittels der ersten bis dritten Steuerleistungsversorgung gesteuert, und das An-Aus des zweiten Hochfrequenzschalters mittels der vierten und fünften Steuerleistungsversorgung. Somit sind bei einem Senden durch das erste und das zweite Kommunikationssystem, die bei benachbarten Frequenzen wirksam sind, alle drei Dioden, die den ersten Hochfrequenzschalter bilden, der die vier Tore aufweist, angeschaltet. Somit kann die höhere harmonische Verzerrung der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente verringert werden.
Bei der im Vorhergehenden beschriebenen zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente kann das An-Aus des ersten Hochfrequenzschalters mit einer ersten und einer zweiten Steuerleistungsversorgung gesteuert werden, die mit zwei ausgewählten von der Sendeabschnittseite, die dem ersten und dem zweiten Kommunikationssystem gemeinsam ist, der Empfangsabschnittseite des ersten Kommunikationssystems und der Empfangsabschnittseite des zweiten Kommunikationssystems verbunden sind; und das An-Aus des zweiten Hochfrequenzschalters kann mit einer dritten Steuerleistungsversorgung gesteuert werden, die mit einer der Sendeabschnittseite des dritten Kommunikationssystems und der Empfangsabschnittseite des dritten Kommunikationssystems verbunden ist.
Gemäß der im Vorhergehenden beschriebenen Struktur und Anordnung wird das An-Aus des ersten Hochfrequenzschalters mittels der ersten und der zweiten Steuerleistungsversor gung gesteuert, und das An-Aus des zweiten Hochfrequenzschalters mittels der dritten Steuerleistungsversorgung. Dementsprechend werden beim Empfangen durch eines des ersten und des zweiten Kommunikationssystems, die sich in der Nachstufe des ersten Hochfrequenzschalters befinden, oder beim Empfangen durch das dritte Kommunikationssystem, das sich in der Nachstufe des zweiten Hochfrequenzschalters befindet, die Spannungen, die an die erste und die zweite Steuerleistungsversorgung angelegt sind, die für den ersten Hochfrequenzschalter bereitgestellt sind, und die Spannung, die an die dritte Steuerleistungsversorgung angelegt ist, die für den zweiten Hochfrequenzschalter bereitgestellt ist, 0 V. Folglich kann der Aufnahmestrom der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente verringert werden.
Bei der im Vorhergehenden beschriebenen zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente kann zumindest eines des ersten und des zweiten Filters in der Nachstufe auf der Sendeabschnittseite des ersten und des zweiten Hochfrequenzschalters angeordnet sein.
Gemäß der im Vorhergehenden beschriebenen Struktur und Anordnung ist zumindest eines des ersten und des zweiten Filters in der Nachstufe oder auf der Sendeabschnittseite des Hochfrequenzschalters angeordnet. Somit kann die Verzerrung eines Sendesignals, die durch einen Hochleistungsverstärker verursacht wird, gedämpft werden. Somit kann der Einfügungsverlust bei den Empfangsabschnitten verbessert werden.
Bei der im Vorhergehenden beschriebenen zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente können der Diplexer, der erste und der zweite Hochfrequenzschalter und das erste und das zweite Filter mit einem Keramikmehrschichtsubstrat integriert sein, das durch ein Laminieren einer Mehrzahl von Keramiklageschichten gebildet ist.
Gemäß der im Vorhergehenden beschriebenen Struktur und Anordnung sind der Diplexer, die Hochfrequenzschalter und die Filter, die die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente bilden, in das Keramikmehrschichtsubstrat integriert, das durch eine Laminierung von mehreren Keramiklageschichten gebildet ist. Dementsprechend kann die Anpassungseinstellung zwischen dem Diplexer und den jeweiligen Hochfrequenzschaltern ohne weiteres erreicht werden. Es ist unnötig, eine Anpassungsschaltung zwischen dem Diplexer und den Hochfrequenzschaltern und zwischen den Hochfrequenzschaltern und den Filtern bereitzustellen.
Da die Anzahl von Elementen verringert werden kann, kann das Schaltungssubstrat zum Bilden einer Mikrowellenschaltung mit mehreren Signalwegen dementsprechend miniaturisiert werden.
Bei der im Vorhergehenden beschriebenen zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente kann der Diplexer ein erstes Induktivitätselement und ein erstes Kapazitätselement aufweisen; der erste Hochfrequenzschalter kann ein erstes Schaltelement, ein zweites Induktivitätselement und ein zweites Kapazitätselement aufweisen; der zweite Hochfrequenzschalter kann ein zweites Schaltelement, ein drittes Induktivitätselement und ein drittes Kapazitätselement aufweisen; das erste Filter kann ein viertes Induktivitätselement und ein viertes Kapazitätselement aufweisen; das zweite Filter kann ein fünftes Induktivitätselement und ein fünftes Kapazitätselement aufweisen; und das erste und das zweite Schaltelement, das erste bis fünfte Induktivitätselement und das erste bis fünfte Kapazitätselement können in dem Keramikmehrschichtsubstrat enthalten oder auf demselben befestigt sein und mit einer Verbindungseinrichtung, die in dem Keramikmehrschichtsubstrat gebildet ist, verbunden sein.
Gemäß der im Vorhergehenden beschriebenen Struktur und Anordnung ist der Diplexer aus den ersten Induktivitätsele menten und den ersten Kapazitätselementen, jedem des ersten bis dritten Hochfrequenzschalters des ersten und des zweiten Schaltelements, den zweiten Induktivitätselementen und den zweiten Kapazitätselementen, jedem des ersten und des zweiten Filters der dritten Induktivitätselemente und der dritten Kapazitätselemente gebildet. Dieselben sind in dem Keramikmehrschichtsubstrat enthalten oder auf demselben befestigt und mit der Verbindungseinrichtung verbunden. Somit kann die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente unter Verwendung eines Keramikmehrschichtsubstrats gebildet werden und.
Andere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung der Erfindung ersichtlich, die sich auf die beiliegenden Zeichnungen bezieht.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
1 ist ein Schaltbild einer zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente.
2 ist eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht eines Teils der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente, die in 1 gezeigt ist.
3 ist ein Schaltbild einer zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente, die einen Hochfrequenzschalter aufweist, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
4 ist ein Blockdiagramm einer zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente.
5 ist ein Blockdiagramm, das einen Teil einer Mobilkommunikationsvorrichtung zeigt, die die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente umfasst, die in 1 gezeigt ist.
6 ist ein Blockdiagramm, das den Front-End-Abschnitt eines allgemein verwendeten tragbaren Dreibandtelefons (Mobilkommunikationsvorrichtung) zeigt.
Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele
1 ist ein Schaltbild einer zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente. Eine zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente 10, die teilweise einen Front-End-Abschnitt bildet, der einem ersten, einem zweiten und einem dritten Kommunikationssystem, nämlich DCS (1,8 GHz-Band), PCS (1,8 GHz-Band) und GSM (900 MHz-Band), entspricht. Der Front-End-Abschnitt ist aus einem Diplexer 11, einem ersten Hochfrequenzschalter 12, der vier Tore aufweist, einem zweiten Hochfrequenzschalter 13, der drei Tore aufweist, und einem ersten und einem zweiten Filter 14 und 15 gebildet.
Eine Antenne 1 ist mit dem ersten Tor P11 des Diplexers 11 verbunden. Das erste Tor P41 des ersten Filters 14 ist mit dem zweiten Tor P12 des Diplexers 11 verbunden, und das erste Tor P51 des zweiten Filters 15 ist mit dem dritten Tor P13 des Diplexers 11 verbunden.
Das erste Tor P21 des ersten Hochfrequenzschalters 12 ist mit dem zweiten Tor P42 des ersten Filters 14 verbunden. Der Sendeabschnitt T × dp, der DCS und PCS gemeinsam ist, ist mit dem zweiten Tor P22 des ersten Hochfrequenzschalters 12 verbunden. Der Empfangsabschnitt R × d von DCS ist mit dem dritten Tor P23 des ersten Hochfrequenzschalters 12 verbunden. Der Empfangsabschnitt R × p von PCS ist mit dem vierten Tor P24 des ersten Hochfrequenzschalters 12 verbunden.
Ferner ist das erste Tor P31 des zweiten Hochfrequenzschalters 13 mit dem zweiten Tor P52 des zweiten Filters 15 verbunden. Der Sendeabschnitt T × g von GSM ist mit dem zweiten Tor P32 des zweiten Hochfrequenzschalters 13 ver bunden. Der Empfangsabschnitt R × g von GSM ist mit dem dritten Tor P33 des zweiten Hochfrequenzschalters 13 verbunden.
Der Diplexer 11 ist aus ersten Induktoren L11 und L12, bei denen es sich um erste Induktivitätselemente handelt, und ersten Kondensatoren C11 bis C15, bei denen es sich um erste Kapazitätselemente handelt, gebildet. Die ersten Kondensatoren C11 und C12 sind in Reihe zwischen das erste Tor P11 und das zweite Tor P12 geschaltet, und ihr gemeinsamer Knoten ist durch eine Reihenkombination des ersten Induktors L11 und des ersten Kondensators C13 geerdet.
Eine Parallelschaltung, die den ersten Induktor L12 und den ersten Kondensator C14 aufweist, ist zwischen das erste Tor P11 und das dritte Tor P13 geschaltet. Diese Parallelschaltung an dem dritten Tor P13 ist durch den ersten Kondensator C15 geerdet.
Der erste Hochfrequenzschalter 12 ist aus ersten Dioden D11 bis D13, bei denen es sich um erste Schaltelemente handelt, zweiten Induktoren L21 bis L25, bei denen es sich um zweite Induktivitätselemente handelt, und zweite Kondensatoren C21 bis C25, bei denen es sich um zweite Kapazitätselemente handelt, gebildet.
Die erste Diode D11 ist zwischen das erste Tor P21 und das zweite Tor P22 geschaltet, derart, dass ihre Kathode sich an dem ersten Tor P21 befindet. Eine Reihenschaltung, die den zweiten Induktor L21 und den zweiten Kondensator C21 aufweist, ist parallel mit der ersten Diode D11 geschaltet.
Die Anode der ersten Diode D11 ist durch eine Reihenkombination des zweiten Induktors L22 und des zweiten Kondensators C22 geerdet. Der gemeinsame Knoten zwischen dem zweiten Induktor L22 und dem zweiten Kondensator C22 ist mit einem ersten Steueranschluss Vc1 ausgestattet.
Der zweite Induktor L23 ist zwischen das erste Tor P21 und das dritte Tor P23 geschaltet. Der zweite Induktor L23 an dem dritten Tor P23 ist durch eine Reihenkombination der ersten Diode D12 und des zweiten Kondensators C23 geerdet (wobei die Kathode der Diode D12 mit dem dritten Tor P23 verbunden ist). Der gemeinsame Knoten zwischen der Anode der ersten Diode D12 und dem zweiten Kondensator C23 ist mit einem zweiten Steueranschluss Vc2 ausgestattet.
Der zweite Induktor L24 ist zwischen das erste Tor P21 und das vierte Tor P24 geschaltet. Der zweite Induktor L24 an dem vierten Tor P24 ist durch eine Reihenkombination der ersten Diode D13 und des zweiten Kondensators C24 geerdet (wobei die Kathode der Diode D12 mit dem vierten Tor P24 verbunden ist). Der gemeinsame Knoten zwischen der Anode der ersten Diode D13 und dem zweiten Kondensator C24 ist mit einem dritten Steueranschluss Vc3 ausgestattet.
Das erste Tor P21 ist durch eine Reihenkombination des zweiten Induktors L25 und des zweiten Kondensators C25 geerdet. Der gemeinsame Knoten zwischen dem zweiten Induktor L25 und dem zweiten Kondensator C25 ist durch einen Widerstand R geerdet.
Der zweite Hochfrequenzschalter 13 ist aus zweiten Dioden D21 und D22, bei denen es sich um zweite Schaltelemente handelt, dritten Induktoren L31 bis L33, bei denen es sich um dritte Induktivitätselemente handelt, und dritten Kondensatoren C31 bis C33, bei denen es sich um dritte Kapazitätselemente handelt, gebildet.
Die zweite Diode D21 ist zwischen das erste Tor P31 und das zweite Tor P32 geschaltet, derart, dass ihre Kathode sich an dem ersten Tor P31 befindet. Eine Reihenschaltung, die den dritten Induktor L31 und den dritten Kondensator C31 aufweist, ist parallel mit der zweiten Diode D21 geschaltet.
Die Anode der zweiten Diode D21 ist durch eine Reihenkombination des dritten Induktors L32 und des dritten Kondensators C32 geerdet. Der gemeinsame Knoten zwischen dem dritten Induktor L32 und dem dritten Kondensator C32 ist mit einem vierten Steueranschluss Vc4 ausgestattet.
Der dritte Induktor L33 ist zwischen das erste Tor P31 und das dritte Tor P33 geschaltet. Der dritte Induktor L33 an dem dritten Tor P33 ist durch eine Reihenkombination der zweiten Diode D22 und des dritten Kondensators C33 geerdet. Der gemeinsame Knoten zwischen der Kathode der zweiten Diode D22 und dem dritten Kondensator C33 ist mit einem fünften Steueranschluss Vc5 ausgestattet.
Das erste Filter 14 ist aus einem vierten Induktor L41, bei dem es sich um ein viertes Induktivitätselement handelt, und vierten Kondensatoren C41 und C42, bei denen es sich um vierte Kapazitätselemente handelt, gebildet.
Der vierte Induktor L41 ist in Reihe zwischen das erste Tor P41 und das zweite Tor P42 geschaltet. Der vierte Kondensator C41 ist parallel mit dem vierten Induktor L41 geschaltet. Der vierte Induktor L41 an dem zweiten Tor P42 ist durch den vierten Kondensator C42 geerdet.
Das zweite Filter 15 ist aus einem fünften Induktor L51, bei dem es sich um ein fünftes Induktivitätselement handelt, und fünften Kondensatoren C51 und C52, bei denen es sich um fünfte Kapazitätselemente handelt, gebildet.
Der fünfte Induktor L51 ist in Reihe zwischen das erste Tor P51 und das zweite Tor P52 geschaltet. Der fünfte Kondensator C51 ist parallel mit dem fünften Induktor L51 geschaltet. Der fünfte Induktor L51 an dem zweiten Tor P52 ist durch den fünften Kondensator C52 geerdet.
2 ist eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht eines Teils der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente, die die Schaltungsanordnung aufweist, die in 1 gezeigt ist. Die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente 10 enthält ein Keramikmehrschichtsubstrat 16. Das Keramikmehrschichtsubstrat 16 enthält die ersten Induktoren L11 und L12 und die ersten Kondensatoren C11 bis C15, die den Diplexer 11 bilden, die zweiten Induktoren L21 und L23 bis L25, die zweiten Kondensatoren C21, C22 und C25 des ersten Hochfrequenzschalters 12, die dritten Induktoren L31 und L33 und die dritten Kondensatoren C31 und C32 des zweiten Hochfrequenzschalters 13, den vierten Induktor L41 und die vierten Kondensatoren C41 und C42, die das erste Filter 14 bilden, und den fünften Induktor L51 und die fünften Kondensatoren C51 und C52, die jeweils das zweite Filter 15 bilden, obwohl dieselben in der Figur nicht gezeigt sind.
Auf der Oberfläche des Keramikmehrschichtsubstrats 16 sind die ersten Dioden D11 bis D13, der zweite Induktor L22, die zweiten Kondensatoren C23 und C24, die den ersten Hochfrequenzschalter 12 bilden, und die zweiten Dioden D21 und D22, der dritte Induktor L32 und der dritte Kondensator C33, die den zweiten Hochfrequenzschalter 13 bilden, in Form von Chipelementen befestigt.
Zwölf äußere Anschlüsse Ta bis Tl sind durch Siebdrucken oder dergleichen gebildet, um sich von einer Seitenfläche auf eine Unterseite des Keramikmehrschichtsubstrats 16 zu erstrecken. Die fünf äußeren Anschlüsse Ta bis Te sind an einem Langseitenabschnitt des Keramikmehrschichtsubstrats 11 gebildet, die fünf äußeren Anschlüsse Tg bis Tk sind an dem anderen Langseitenabschnitt des Keramikmehrschichtsubstrats 11 gebildet, und die verbleibenden zwei äußeren Anschlüsse Tf und Tl sind jeweils an den gegenüberliegenden Kurzseitenabschnitten des Keramikmehrschichtsubstrats 11 durch Siebdrucken oder dergleichen gebildet.
Die äußeren Anschlüsse Ta bis Tl werden als das Tor P11 des Diplexers 11, das zweite und das dritte Tor P22, P23, P32 und P33 des ersten und des zweiten Hochfrequenzschalters 12 und 13, der erste bis fünfte Steueranschluss Vc1, Vc2, Vc3, Vc4 und Vc5 des ersten und des zweiten Hochfrequenzschalters 12 und 13 und Anschlüsse zum Erden verwendet.
Eine Metallabdeckung 17 bedeckt das Keramikmehrschichtsubstrat 16 auf eine Weise, um die Oberfläche des Keramikmehrschichtsubstrats 16 zu beschichten. In diesem Fall ist die Metallabdeckung 17 mit den äußeren Anschlüssen Tf und Tl verbunden, die als Anschlüsse zum Erden anwendbar sind, die an den jeweiligen gegenüberliegenden Kurzseitenabschnitten des Keramikmehrschichtsubstrats 16 bereitgestellt sind.
Die Operation der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente 10, die die Schaltungsanordnung aufweist, die in 1 gezeigt ist, wird nun beschrieben. Zunächst wird bei dem ersten Hochfrequenzschalter 12, falls ein Sendesignal von DCS oder PCS (1,8 GHz-Band) gesendet wird, 1 V an den ersten Steueranschluss Vc1 angelegt, 1 V wird an den zweiten Steueranschluss Vc2 angelegt bzw. 1 V wird an den dritten Steueranschluss Vc3 angelegt, so dass das erste Tor P21 und das zweite Tor P22 des ersten Hochfrequenzschalters 12 verbunden sind, und dadurch wird das Sendesignal von DCS oder PCS durch den ersten Hochfrequenzschalter 12, das erste Filter 14 und den Diplexer 11 geleitet und durch die Antenne 1 gesendet. In diesem Fall lässt das erste Filter 14 das Sendesignal von DCS oder PCS hindurchgehen und dämpft die zweite und die dritte höhere Oberschwingung.
Andererseits werden bei dem zweiten Hochfrequenzschalter 13 0 V an den vierten Steueranschluss Vc4 angelegt bzw. 1 V wird an den fünften Steueranschluss Vc5 angelegt, so dass der zweite Hochfrequenzschalter 13 gesperrt ist.
Ferner wird bei dem zweiten Hochfrequenzschalter 13 in dem Fall, dass ein Sendesignal von GSM (900 MHz-Band) gesendet wird, 1 V an den vierten Steueranschluss Vc4 angelegt bzw. 0 V werden an den fünften Steueranschluss Vc5 angelegt, so dass das erste Tor P31 und das zweite Tor P32 des zweiten Hochfrequenzschalters 13 verbunden sind, und dadurch wird das Sendesignal von GSM durch den zweiten Hochfrequenzschalter 13, das zweite Filter 15 und den Diplexer 11 geleitet und durch die Antenne 1 durch GSM gesendet. In diesem Fall lässt das zweite Filter 15 das Sendesignal hindurchgehen und dämpft die dritte höhere Oberschwingung.
Andererseits werden bei dem ersten Hochfrequenzschalter 12 0 V an den ersten Steueranschluss Vc1 angelegt, 0 V werden an den zweiten Steueranschluss Vc2 angelegt bzw. 0 V werden an den dritten Steueranschluss Vc3 angelegt, so dass der erste Hochfrequenzschalter 12 gesperrt ist.
Ferner werden bei dem ersten Hochfrequenzschalter 12 in dem Fall, dass ein Empfangssignal von DCS empfangen wird, 0 V an den ersten Steueranschluss Vc1 angelegt, 0 V werden an den zweiten Steueranschluss Vc2 angelegt bzw. 1 V wird an den dritten Steueranschluss Vc3 angelegt, so dass das erste Tor P21 und das zweite Tor P23 des ersten Hochfrequenzschalters 12 verbunden sind, und dadurch wird das Empfangssignal von DCS, das durch die Antenne 1 empfangen wird, durch den Diplexer 11, das erste Filter 14 und den ersten Hochfrequenzschalter 12 geleitet und an den Empfangsabschnitt R × d von DCS gesendet. In diesem Fall lässt das erste Filter 14 das Empfangssignal von DCS hindurchgehen und dämpft die zweite und die dritte höhere Oberschwingung.
Bei dem zweiten Hochfrequenzschalter 13 werden 0 V an den vierten Steueranschluss Vc4 angelegt bzw. 1 V wird an den fünften Steueranschluss Vc5 angelegt, so dass der zweite Hochfrequenzschalter 14 gesperrt ist.
Ferner werden bei dem ersten Hochfrequenzschalter 12 in dem Fall, dass das Empfangssignal von PCS empfangen wird, 0 V an den ersten Steueranschluss Vc1 angelegt, 1 V wird an den zweiten Steueranschluss Vc2 angelegt bzw. 0 V werden an den dritten Steueranschluss Vc3 angelegt, so dass das erste Tor P21 und das vierte Tor P24 des ersten Hochfrequenzschalters 12 verbunden sind, und dadurch wird das Empfangssignal von PCS, das durch die Antenne 1 empfangen wird, durch den Diplexer 11, das erste Filter 14 und den ersten Hochfrequenzschalter 12 geleitet und an den Empfangsabschnitt R × p von PCS gesendet. In diesem Fall lässt das erste Filter 14 das Empfangssignal von PCS hindurchgehen und dämpft die zweite und die dritte höhere Oberschwingung.
Andererseits werden bei dem zweiten Hochfrequenzschalter 13 0 V an den vierten Steueranschluss Vc4 angelegt bzw. 1 V wird an den fünften Steueranschluss Vc5 angelegt, so dass der zweite Hochfrequenzschalter 13 gesperrt ist.
Ferner werden bei dem zweiten Hochfrequenzschalter 13 in dem Fall, dass ein Empfangssignal von GSM empfangen wird, 0 V an den vierten Steueranschluss Vc4 angelegt bzw. 1 V wird an den fünften Steueranschluss Vc5 angelegt, so dass das erste Tor P31 und das dritte Tor P33 des zweiten Hochfrequenzschalters 13 verbunden sind, und dadurch wird das Empfangssignal von GSM, das durch die Antenne 1 empfangen wird, durch den Diplexer 11, das zweite Filter 15 und den zweiten Hochfrequenzschalter 13 geleitet und an den Empfangsabschnitt R × g durch GSM gesendet. In diesem Fall lässt das zweite Filter 15 das Empfangssignal von GSM hindurchgehen und dämpft die dritte höhere Oberschwingung.
Bei dem ersten Hochfrequenzschalter 12 werden 0 V an den ersten Steueranschluss Vc1 angelegt, 0 V werden an den zweiten Steueranschluss Vc2 angelegt bzw. 0 V werden an den dritten Steueranschluss Vc3 angelegt, und dadurch ist der erste Hochfrequenzschalter 12 gesperrt.
Da die im Vorhergehenden beschriebene zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente zwei Hochfrequenzschalter umfasst, d. h. den ersten Hochfrequenzschalter, der die vier Tore aufweist, und den zweiten Hochfrequenzschalter, der die drei Tore aufweist, ist es möglich, dass nur der erste Hochfrequenzschalter in dem Empfangsweg des ersten und des zweiten Kommunikationssystems, die bei benachbarten Frequenzen wirksam sind, bereitgestellt ist, und dadurch wird der Einfügungsverlust bei den Empfangsabschnitten verringert.
Die zwei Hochfrequenzschalter, die die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente bilden, sind vorteilhaft unter Verwendung von fünf Dioden gebildet. Dies ermöglicht die Miniaturisierung des zusammengesetzten Hochfrequenzschalters und eine kostengünstige Herstellung.
Ferner wird das An-Aus des ersten Hochfrequenzschalters mittels der ersten bis dritten Steuerleistungsversorgung gesteuert, und das An-Aus des zweiten Hochfrequenzschalters wird mittels der vierten und der fünften Steuerleistungsversorgung gesteuert. Somit sind in dem Fall eines Sendens durch DCS oder PCS (die bei benachbarten Frequenzen wirksam sein können) alle drei Dioden, die den ersten Hochfrequenzschalter bilden, der die vier Tore aufweist, angeschaltet. Folglich kann die höhere harmonische Verzerrung der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente verringert werden.
Der Diplexer, der erste und der zweite Hochfrequenzschalter und das erste und das zweite Filter, die die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente bilden, sind in das Keramikmehrschichtsubstrat integriert, das durch ein Laminieren der Keramiklageschichten gebildet ist. Somit können die Anpassungs-, Dämpfungs- und Isolationscharakteristika der jeweiligen Elemente sichergestellt werden, und dadurch wird ein Anpassungsnetzwerk, das zwischen dem Diplexer und dem ersten und dem zweiten Hochfrequenzschalter angeordnet ist, unnötig.
Dementsprechend kann die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente miniaturisiert werden. Zum Beispiel können der Diplexer, der erste und der zweite Hochfrequenzschalter und das erste und das zweite Filter in das Keramikmehrschichtsubstrat mit einer Größe von 6,3 mm × 5 mm × 2 mm integriert sein.
Ferner ist der Diplexer aus den ersten Induktoren und den ersten Kondensatoren gebildet. Der erste Hochfrequenzschalter ist aus den ersten Dioden, den zweiten Induktoren und den zweiten Kondensatoren gebildet. Der zweite Hochfrequenzschalter ist aus den zweiten Dioden, den dritten Induktoren und den dritten Kondensatoren gebildet. Das erste Filter ist aus dem vierten Induktor und den vierten Kondensatoren gebildet. Das zweite Filter ist aus dem fünften Induktor und den fünften Kondensatoren gebildet. Dieselben sind in dem Keramikmehrschichtsubstrat enthalten oder auf demselben befestigt und unter Verwendung einer Verbindungsvorrichtung verbunden, die in dem Keramikmehrschichtsubstrat gebildet ist. Somit kann die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente auf einem Keramikmehrschichtsubstrat gebildet sein, d. h. die Komponente kann miniaturisiert werden. Außerdem können jegliche Verluste, die durch eine Verdrahtung zwischen Elementen verursacht werden, verbessert werden. Folglich kann der Gesamtverlust der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente verringert werden.
Ferner können aufgrund des Wellenlängenverkürzungseffekts die Längen der Streifenleitungselektroden, bei denen es sich um den ersten bis fünften Induktor handelt, verkürzt werden. Somit kann der Einfügungsverlust, der durch diese Streifenleitungselektroden verursacht wird, verbessert werden. Folglich können die Miniaturisierung und der geringe Verlust der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente realisiert werden.
3 ist ein Schaltbild der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente, die einen Hochfrequenzschalter aufweist, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente 20 ist aus einem Diplexer 11, einem ersten und einem zweiten Hochfrequenzschalter 12 und 13 und einem ersten und einem zweiten Filter 14 und 15 gebildet.
Die Anordnungen des Diplexers 11 und des ersten und des zweiten Filters 14 und 15 sind die gleichen wie diejenigen bei der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente 10, die in 1 gezeigt ist. Auf ihre detaillierte Beschreibung wird verzichtet.
Der erste Hochfrequenzschalter 12 ist aus den ersten Dioden D11 bis D13, bei denen es sich um erste Schaltelemente handelt, den zweiten Induktoren L21 bis L25, bei denen es sich um zweite Induktivitätselemente handelt, und den zweiten Kondensatoren C21 bis C25, bei denen es sich um zweite Kapazitätselemente handelt, gebildet.
Die erste Diode D11 ist zwischen das erste Tor P21 und das zweite Tor P22 geschaltet, derart, dass ihre Kathode sich an dem ersten Tor P21 befindet. Eine Reihenschaltung, die den zweiten Induktor L21 und den zweiten Kondensator C21 aufweist, ist parallel mit der ersten Diode D11 geschaltet.
Ferner ist die Anode der ersten Diode D11 durch eine Reihenkombination des zweiten Induktors L22 und des zweiten Kondensators C22 geerdet. Der gemeinsame Knoten zwischen dem zweiten Induktor L22 und dem zweiten Kondensator C22 ist mit dem ersten Steueranschluss Vc1 ausgestattet.
Der zweite Induktor L23 ist zwischen das erste Tor P21 und das dritte Tor P23 geschaltet. Der zweite Induktor L23 an dem dritten Tor P23 ist durch eine Reihenkombination der ersten Diode D12 und des zweiten Kondensators C23 geerdet. Der gemeinsame Knoten zwischen der Kathode der ersten Diode D12 und dem zweiten Kondensator C23 ist durch den Widerstand R geerdet.
Die erste Diode D13 ist zwischen das erste Tor P21 und das vierte Tor P24 geschaltet, derart, dass ihre Kathode sich an dem ersten Tor P21 befindet. Eine Reihenschaltung, die den zweiten Induktor L24 und den zweiten Kondensator C24 aufweist, ist parallel mit der ersten Diode D13 geschaltet.
Die Anode der ersten Diode D13 ist durch eine Reihenkombination des zweiten Induktors L25 und des zweiten Kondensators C25 geerdet. Der gemeinsame Knoten zwischen dem zweiten Induktor L25 und dem zweiten Kondensator C25 ist mit dem zweiten Steueranschluss Vc2 ausgestattet.
Der zweite Hochfrequenzschalter 13 ist aus den zweiten Dioden D21 und D22, bei denen es sich um zweite Schaltelemente handelt, den dritten Induktoren L31 bis L33, bei denen es sich um dritte Induktivitätselemente handelt, und dritten Kondensatoren C31 bis C33, bei denen es sich um dritte Kapazitätselemente handelt, gebildet.
Die zweite Diode D21 ist zwischen das erste Tor P31 und das zweite Tor P32 geschaltet, derart, dass ihre Kathode sich an dem ersten Tor P31 befindet. Eine Reihenschaltung, die den dritten Induktor L31 und den dritten Kondensator C31 aufweist, ist parallel mit der zweiten Diode D21 geschaltet.
Die Anode der zweiten Diode D21 ist durch eine Reihenkombination des dritten Induktors L32 und des dritten Kondensators C32 geerdet. Der gemeinsame Knoten zwischen dem dritten Induktor L32 und dem dritten Kondensator C32 ist mit dem dritten Steueranschluss Vc3 ausgestattet.
Der dritte Induktor L33 ist zwischen das erste Tor P31 und das dritte Tor P33 geschaltet. Die Seite des dritten Tors P33 des dritten Induktors L33 ist durch eine Reihenkombination der zweiten Diode D22 und des dritten Kondensators C33 geerdet. Der gemeinsame Knoten zwischen der Kathode der zweiten Diode D22 und dem dritten Kondensator C33 ist durch den Widerstand R geerdet.
Im Folgenden wird die Operation der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente 20, die die Schaltungsanordnung aufweist, die in 3 gezeigt ist, beschrieben. Falls bei dem ersten Hochfrequenzschalter 12 ein Sendesignal von DCS oder PCS (1,8 GHz) gesendet wird, wird 1 V an den ersten Steueranschluss Vc1 angelegt bzw. 0 V werden an den zweiten Steueranschluss Vc2 angelegt, so dass das erste Tor P21 und das zweite Tor P22 des ersten Hochfrequenzschalters 12 verbunden sind, und dadurch wird das Sendesignal von DCS oder PCS durch den ersten Hochfrequenzschalter 12, das erste Filter 14 und den Diplexer 11 geleitet und durch die Antenne 1 gesendet. In diesem Fall lässt das erste Filter 14 das Sendesignal von DCS und PCS hindurchgehen und dämpft die zweite und die dritte Oberschwingung.
Bei dem zweiten Hochfrequenzschalter 13 werden 0 V an den dritten Steueranschluss Vc3 angelegt, so dass der zweite Hochfrequenzschalter 13 gesperrt ist.
Ferner wird bei dem zweiten Hochfrequenzschalter 13 in dem Fall, dass ein Sendesignal von GSM (900 MHz-Band) gesendet wird, 1 V an den dritten Steueranschluss Vc3 angelegt, so dass das erste Tor P31 und das zweite Tor P32 des zweiten Hochfrequenzschalters 13 verbunden sind, und dadurch wird das Sendesignal von GSM durch den zweiten Hochfrequenzschalter 13, das zweite Filter 15 und den Diplexer 11 geleitet und durch die Antenne 1 gesendet. In diesem Fall lässt das zweite Filter 15 das Sendesignal von GSM hindurchgehen und dämpft die dritte Oberschwingung.
Andererseits werden bei dem ersten Hochfrequenzschalter 12 0 V an den ersten Steueranschluss Vc1 angelegt bzw. 0 V werden an den zweiten Steueranschluss Vc2 angelegt, so dass der erste Hochfrequenzschalter 12 gesperrt ist.
Ferner werden bei dem ersten Hochfrequenzschalter 12, falls ein Empfangssignal von DCS empfangen wird, 0 V an den ersten Steueranschluss Vc1 angelegt bzw. 0 V werden an den zweiten Steueranschluss Vc2 angelegt, so dass das erste Tor P21 und das dritte Tor P23 des ersten Hochfrequenzschalters 12 verbunden sind, und dadurch wird das Empfangssignal von DCS, das durch die Antenne 1 empfangen wird, durch den Diplexer 11, das erste Filter 14 und den ersten Hochfrequenzschalter 12 geleitet und an den Empfangsabschnitt R × d von DCS gesendet. In diesem Fall lässt das erste Filter 14 das Empfangssignal von DCS hindurchgehen und dämpft die zweite und die dritte Oberschwingung.
Andererseits werden bei dem zweiten Hochfrequenzschalter 13 0 V an den dritten Steueranschluss Vc3 angelegt, so dass der zweite Hochfrequenzschalter 13 gesperrt ist.
Ferner werden bei dem ersten Hochfrequenzschalter 12, falls ein Empfangssignal von PCS empfangen wird, 0 V an den ersten Steueranschluss Vc1 angelegt bzw. 1 V ist dem zweiten Steueranschluss Vc2 gemeinsam, so dass das erste Tor P21 und das vierte Tor P24 des ersten Hochfrequenzschalters 12 verbunden sind, und dadurch wird das Empfangssignal von PCS, das durch die Antenne 1 empfangen wird, durch den Diplexer 11, das erste Filter 14 und den ersten Hochfrequenzschalter 12 geleitet und an den Empfangsabschnitt R × p von PCS gesendet. In diesem Fall lässt das erste Filter 14 das Empfangssignal von PCS hindurchgehen und dämpft die zweite und die dritte höhere Oberschwingung.
Andererseits werden bei dem zweiten Hochfrequenzschalter 13 0 V an den dritten Steueranschluss Vc3 angelegt, so dass der dritte Hochfrequenzschalter 13 gesperrt ist.
Ferner werden bei dem zweiten Hochfrequenzschalter 13 in dem Fall, dass ein Empfangssignal von GSM empfangen wird, 0 V an den dritten Steueranschluss Vc3 angelegt, so dass das erste Tor P31 und das dritte Tor P33 des zweiten Hochfre quenzschalters 13 verbunden sind, und dadurch wird das Empfangssignal von GSM, das durch die Antenne 1 empfangen wird, durch den Diplexer 11, das zweite Filter 15 und den zweiten Hochfrequenzschalter 13 geleitet und an den Empfangsabschnitt R × g von GSM gesendet. In diesem Fall lässt das zweite Filter 15 das Empfangssignal von GSM hindurchgehen und dämpft die dritte höhere Oberschwingung.
Bei dem ersten Hochfrequenzschalter 12 werden 0 V an den ersten Steueranschluss Vc1 angelegt bzw. 0 V werden an den zweiten Steueranschluss Vc2 angelegt, so dass der erste Hochfrequenzschalter 12 gesperrt ist.
Bei der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente gemäß dem im Vorhergehenden beschriebenen Ausführungsbeispiel wird das An-Aus des ersten Hochfrequenzschalters mittels der ersten und der zweiten Steuerleistungsversorgung gesteuert, und das An-Aus des zweiten Hochfrequenzschalters wird mittels der dritten Steuerleistungsversorgung gesteuert. Wenn somit DCS, das sich in der Nachstufe des ersten Hochfrequenzschalters befindet, und GSM in der Nachstufe des zweiten Hochfrequenzschalters wirksam sind, um zu empfangen, werden die Spannungen, die an die erste und die zweite Steuerleistungsversorgung anzulegen sind, mit denen der erste Hochfrequenzschalter ausgestattet ist, und die Spannung, die an die dritte Steuerleistungsversorgung anzulegen ist, mit der der zweite Hochfrequenzschalter ausgestattet ist, 0 V. Folglich kann der Aufnahmestrom der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente verringert werden.
4 ist ein Blockdiagramm der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente 30. Die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente 30 unterscheidet sich von der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente 10 der 1 in der Anordnung und Position des ersten und des zweiten Filters 14 und 15.
Das erste Filter 14 ist in der Nachstufe oder auf der Sendeabschnittseite des ersten Hochfrequenzschalters 12 angeordnet, d. h. auf der Seite des Sendeabschnitts T × dp, der DCS und PCS gemeinsam ist. Das zweite Filter 15 ist zwischen dem zweiten Hochfrequenzschalter 13 und dem Sendeabschnitt T × g von GSM bereitgestellt, der sich in der Nachstufe oder auf der Sendeabschnittseite des zweiten Hochfrequenzschalters 13 befindet.
Bei der im Vorhergehenden beschriebenen zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente der 4 ist jedes Filter in der Nachstufe oder auf der Sendeabschnittseite des Hochfrequenzschalters, d. h. zwischen dem Hochfrequenzschalter und dem Sendeabschnitt, angeordnet. Somit können bei einem Senden Verzerrungen bei Hochleistungsverstärkern, die in den Sendeabschnitten bereitgestellt sind, jeweils mittels der Filter verringert werden. Somit kann ein Einfügungsverlust auf der Empfangsseite verbessert werden.
5 ist ein Blockdiagramm, das einen Teil der Konfiguration eines tragbaren Dreibandtelefons (ein Typ von Mobilkommunikationsvorrichtung) zeigt, und veranschaulicht beispielhaft eine Kombination von DCS und PCS, die in dem 1,8 GHz-Band wirksam sind, und GSM in dem 900 MHz-Band. Das tragbare Dreibandtelefon 40 ist mit der Antenne 1 und der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente 10 (1) ausgestattet.
Die Antenne 1 ist mit einem Tor P11 der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente 10 verbunden. Tore P22, P23, P24, P32 und P33 sind mit dem Sendeabschnitt T × dp, der DCS und PCS gemeinsam ist, dem Empfangsabschnitt R × p von PCS, dem Empfangsabschnitt R × d von DCS, dem Sendeabschnitt T × g von GSM bzw. dem Empfangsabschnitt R × g von GSM verbunden.
Bei dem im Vorhergehenden beschriebenen tragbaren Dreibandtelefon wird die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente, die eine geringe Größe und einen geringen Verlust aufweist, verwendet. Somit kann die Mobilkommunikationsvorrichtung, an der die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente befes tigt ist, miniaturisiert werden und eine Operation hoher Qualität aufweisen.
Falls die zusammengesetzten Hochfrequenzkomponenten 20 bzw. 30 (2 und 3) anstelle der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente 10 verwendet werden, können ähnliche Wirkungen erhalten werden.
Obwohl die Erfindung besonders unter Bezugnahme auf bevorzugte Ausführungsbeispiele derselben gezeigt und beschrieben wurde, wird Fachleuten einleuchten, dass die vorstehenden und andere Änderungen in Bezug auf Form und Einzelheiten daran vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der Patentansprüche abzuweichen.

Claims

Ein Hochfrequenzschalter, der folgende Merkmale aufweist: einen Diplexer (11), der einen ersten Induktor und einen ersten Kondensator aufweist, wobei der Diplexer Signale in erste Sende-/Empfangssignale in einem ersten Frequenzband und einem zweiten Frequenzband, die zueinander benachbart sind, und in zweite Sende-/Empfangssignale in einem dritten Frequenzband verzweigt; ein erstes Tor (P21), das über den Diplexer (11) mit einer Antenne (1) verbunden ist; ein zweites Tor (P22), das mit einem Sendeabschnitt zum Senden erster Sendesignale in dem ersten Frequenzband und dem zweiten Frequenzband verbunden ist; ein drittes Tor (P23), das mit einem Empfangsabschnitt zum Empfangen von Empfangssignalen in dem ersten Frequenzband verbunden ist; ein viertes Tor (P24), das mit einem Empfangsabschnitt zum Empfangen von Empfangssignalen in dem zweiten Frequenzband verbunden ist; einen ersten Steueranschluss (Vc1); einen zweiten Steueranschluss (Vc2); eine erste Diode (D11), die zwischen das erste Tor (P21) und das zweite Tor (P22) geschaltet ist, derart, dass die Kathode derselben mit dem ersten Tor (P21) verbunden ist und die Anode derselben mit dem zweiten Tor (P22) verbunden ist; eine zweite Diode (D12), die zwischen das erste Tor (P21) und das dritte Tor (P23) geschaltet ist, derart, dass die Anode derselben mit dem dritten Tor (P23) verbunden ist und die Kathode derselben durch einen Widerstand (R) geerdet ist; und eine dritte Diode (D13), die zwischen das erste Tor (P21) und das vierte Tor (P24) geschaltet ist, derart, dass die Kathode derselben mit dem ersten Tor (P21) verbunden ist und die Anode derselben mit dem vierten Tor (P24) verbunden ist, wobei die Anode der ersten Diode (D11) durch einen zweiten Induktor (L22) mit dem ersten Steueranschluss (Vc1) verbunden ist, ein dritter Induktor (L23) zwischen die Anode der zweiten Diode (D12) und das erste Tor (P21) geschaltet ist, die Anode der dritten Diode (D13) durch einen vierten Induktor (L25) mit dem zweiten Steueranschluss (Vc2) verbunden ist, eine Spannung, die an den ersten Steueranschluss (Vc1) angelegt ist, durch den zweiten Induktor (L22), die erste Diode (D11) und den dritten Induktor (L23) an die zweite Diode (D12) angelegt ist, eine Spannung, die an den zweiten Steueranschluss (Vc2) angelegt ist, durch den vierten Induktor (D25), die dritte Diode (D13) und den dritten Induktor (L23) an die zweite Diode (D12) angelegt ist, und das erste Tor (P21) durch ein Steuern von Spannungen, die an den ersten Steueranschluss (Vc1) und den zweiten Steueranschluss (Vc2) angelegt sind, auf eines des zweiten bis vierten Tors (P22, P23, P24) geschaltet ist.
Eine zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente, die den Hochfrequenzschalter gemäß Anspruch 1 und ein Filter (14) aufweist, das entweder mit dem ersten Tor (P21) oder dem zweiten Tor (22) des Hochfrequenzschalters verbunden ist.
Eine zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente gemäß Anspruch 2, bei der der Hochfrequenzschalter, das Filter (14) und der Diplexer (11) in ein Keramikmehrschichtsubstrat integriert sind, das durch ein laminiertes unitäres Bauglied definiert ist, das eine Mehrzahl von Lageschichten aufweist.
Eine Mobilkommunikationsvorrichtung, die den Hochfrequenzschalter gemäß Anspruch 1 oder die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente gemäß Anspruch 2 oder 3 aufweist.