EP2672311A2 - Device and method for selecting optical pulses - Google Patents

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EP2672311A2
EP2672311A2 EP20130170439 EP13170439A EP2672311A2 EP 2672311 A2 EP2672311 A2 EP 2672311A2 EP 20130170439 EP20130170439 EP 20130170439 EP 13170439 A EP13170439 A EP 13170439A EP 2672311 A2 EP2672311 A2 EP 2672311A2
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EP
European Patent Office
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modulator
optical
transparency
waveguide
absorption
Prior art date
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Application number
EP20130170439
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German (de)
French (fr)
Other versions
EP2672311B1 (en
EP2672311A3 (en
Inventor
Thomas Hoffmann
Armin Liero
Andreas Klehr
Sven Schwertfeger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Forschungsverbund Berlin FVB eV
Original Assignee
Forschungsverbund Berlin FVB eV
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Publication date
Application filed by Forschungsverbund Berlin FVB eV filed Critical Forschungsverbund Berlin FVB eV
Publication of EP2672311A2 publication Critical patent/EP2672311A2/en
Publication of EP2672311A3 publication Critical patent/EP2672311A3/en
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Publication of EP2672311B1 publication Critical patent/EP2672311B1/en
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    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements with at least one potential jump barrier, e.g. PN, PIN junction
    • G02F1/025—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements with at least one potential jump barrier, e.g. PN, PIN junction in an optical waveguide structure
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/0121—Operation of devices; Circuit arrangements, not otherwise provided for in this subclass
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/16—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 series; tandem

Definitions

  • the present invention relates to an apparatus and a method for the selection of optical pulses.
  • Pulse selection is known to use Pockels cells that work with non-linear, voltage-dependent optical crystals. Kerr cells with field-dependent polarization are also known. For this purpose, high voltages are disadvantageously required. The capacities that need to be reloaded are also very high. Thus, the achievable minimum pulse width (and thus also the maximum input pulse repetition frequency) as well as the repetition frequency of the switch (and thus the maximum output pulse repetition frequency) is severely limited. Pulse widths of a few 10 ns (typically 30 ns) can be achieved. The repetition frequency is at some MHz.
  • acousto-optic modulators for pulse selection.
  • RF voltage By applying an RF voltage, a stagnant ultrasonic field is generated. This field then deflects the optical laser pulses. It takes time to build up a standing field needed. This allows impulses of a few ns to be achieved. The repetition frequency is limited by the maximum average power, so that one does not reach significantly above 10 MHz.
  • electro-optical modulators for pulse selection.
  • the simplest case of the electro-optical modulators consists of a crystal, z.
  • the transparency of the crystal depends on the applied field strength.
  • Electro-optic crystals thus change their optical thickness instantaneously as a function of the strength of an applied external electric field. The effect depends on the polarization of the incident radiation. For two orthogonal polarized beams, the retardation is 180 degrees even when the so-called ⁇ / 2 voltage is applied.
  • With appropriate crystal adjustment for linearly polarized incident light rotates the polarization plane by 90 °.
  • a polarizer removes the light completely from the beam path.
  • the modulator can thus be understood in a simple manner as a phase delay plate with electrically adjustable delay.
  • an optical pulse selection can take place.
  • the base element is a phase-locked Mach-Zehnder amplitude modulator based on the ferroelectric crystal material lithium niobate.
  • the modulation is effected by electro-optical detuning of the waveguide interferometer as a result of an electrical voltage applied to the electrode system.
  • US 2005/0206989 A1 discloses a multi-bandgap modulator which, due to separately controllable regions of different band gap, has a larger wavelength range or can compensate for chirp.
  • EP 1 065 765 A2 describes a laser with improved modulation over a wide wavelength range.
  • laser diode and modulator in a structure, ie on grown on a common substrate, wherein the modulator has at least a first and a second region, in which each case by applying a reverse voltage, a modulation of the light of the laser diode is achieved.
  • US 2003/0180054 A1 discloses an optical modulator for ultrafast pulses, wherein driver circuit and modulator are disposed on a common substrate and the distance between the driver circuit and the optical modulator is less than one tenth of the wavelength of the modulation frequency. By reducing the inductance of the electrical lines between the driver circuit and the optical modulator, the maximum modulation frequency can be increased.
  • a disadvantage of the aforementioned modulators is that depending on the intensity of the pulses in the Pulspickersetation - d. H. in the modulator - due to recombination processes charge carriers can form, which lead to an unwanted transparency of the Pulpickersetation, although no charge carriers are injected over the contacts.
  • the optical modulator has a relatively low dielectric strength.
  • EP 1 210 754 B1 describes an electro-optic modulator having a large extinction ratio and an improved non-linear extinction curve, wherein a semiconductor laser source, the electro-optic modulator, and a semiconductor amplifier are integrated on a substrate. For this reason, this device can not be used for the modulation of externally generated laser pulses, since they can not be coupled. In addition, only low power can be modulated with the device.
  • US Pat. No. 5,798,856 discloses an optical laser pulse generator for optical fiber communication which reduces wave packet broadening due to dispersion.
  • a pulse selection apparatus comprising: an optical waveguide for guiding optical radiation along an axis; a first electro-optical modulator configured to modulate the optical transparency of the waveguide; a second electro-optical modulator configured to modulate the optical transparency of the waveguide; wherein the first modulator and the second modulator are arranged sequentially along the axis of the waveguide, wherein furthermore at least one control circuit is provided, which is designed to control the first modulator and the second modulator with a time offset.
  • a carrier substrate made of a semiconductive material is preferably provided, wherein the waveguide and the at least one control circuit are arranged integrated on the carrier substrate.
  • the advantage is the integration of optical and electrical structure during production, which allows the smallest dimensions.
  • the carrier substrate is a semiconductor.
  • the at least one control circuit, the first modulator and the second modulator are monolithically integrated in the carrier substrate.
  • the carrier substrate is preferably provided for the monolithic integration of control circuit and modulator or of control circuits and modulators.
  • a distance, preferably the respective center points of the respective regions, between the control circuit and the first and / or the second modulator is smaller than preferably 10 mm, preferably smaller than 5 mm, more preferably smaller than 2 mm, further preferably smaller than 1 mm more preferably less than 500 ⁇ m, more preferably less than 200 ⁇ m and also preferably less than 100 ⁇ m.
  • a thickness of the carrier substrate is smaller than preferably 2 mm, preferably smaller than 1 mm, more preferably smaller than 500 ⁇ m, preferably smaller than 200 ⁇ m, and most preferably smaller than 100 ⁇ m.
  • each electro-optical modulator is optimized for fast switching exactly one flank (attack or release). Two optimized edges as a result of time-differentiated control of different modulators are switched faster according to the invention than two edges (attack and release) as a result of a single electro-optical modulator.
  • the primary pulse rate can be increased and still take place a clean suppression of individual pulses, so take place a modulation with a larger spectral bandwidth.
  • the advantage of the invention is not primarily on the wavelengths of the light pulses and also not on the width of a single pulse, but rather on the time interval between the pulses, in the transmitted sense and repetition frequency or pulse rate, and in particular to the gate width improved by shortening the time interval between the opening edge of the first modulator (in the already open position, transparency of the second modulator) and the closing edge of the second modulator (in the still open position, transparency, of the second modulator) first modulator).
  • the transition from the open position (transparency) to the closed position (absorption) and also the opposite switching direction is preferably achieved by electrical control current at the respective electro-optical modulator.
  • the laser diode and the modulator are grown in a structure, ie on a common substrate, wherein the modulator has at least a first and a second region in which a modulation of the light of the laser diode is achieved in each case by applying a reverse voltage.
  • ultrashort (for example in the picosecond range) electric gate widths can be achieved for the transparency switching of semiconductor sections for the optical pulse selection of pulses with repetition frequencies in the GHz range.
  • the transparency time, and thus the passage time (gate width) for optical pulses coupled into these sections can be strong by a time-delayed activation of the sections with a small time offset be reduced.
  • the transparency time for the selection of laser pulses can be selectively varied.
  • the drive circuit can be optimized for each flank and it is easier to not have to equip the circuit for variable pulse width, but to optimize it to a pulse width out.
  • the delay of the control between the first and second sections then determines the door width.
  • the electrical pulse shaping for only one edge in each case is easier to realize in terms of circuitry than if steep slopes were required for both edges.
  • the second edge is preferably steeper than the first edge.
  • the gate must therefore be closed faster than can be opened. Since such a closing process from an electrical point of view means the transition of the drive voltage from zero potential to plus potential and should be as steep flank as possible, the gate is preferably connected directly without additional resistor connected directly to a transistor which an active electrical pole of the door during closing against plus potential pulls.
  • the starting edge of the first modulator comes about when the transistor becomes high-impedance and the active electrical pole of the gate is pulled to positive potential by a resistor set to positive potential.
  • the pulling resistance is preferably greater than the resistance of the forward-biased transistor to minimize the voltage drop across the closed transistor; and to reduce the power loss. From this circuit principle: pull-resistance of the passive component versus suction resistance of the closed transistor, the asymmetric edge steepness results.
  • the first edge is preferably steeper than the second edge.
  • the gate must therefore open faster than can be closed. Since such an opening operation from an electrical point of view means the transition of the drive voltage from zero potential to plus potential and should be as steep flank as possible, the active pole of the gate is preferably connected without additional resistor connected directly to a transistor which during the opening of the Tor is switched to passage and thus pulls the active pole of the gate low resistance to the positive potential.
  • the end edge of the second modulator comes about in that the transistor becomes high-impedance and the active electrical pole of the gate is sucked to zero potential by a resistor connected to ground.
  • the sucking resistance is preferably greater than the resistance of the forward-biased transistor to minimize the voltage drop across the closed transistor; on the one hand to reduce the power loss, and on the other hand to control the active pole of the gate as well as possible. From this circuit principle: pull-resistance of the closed transistor versus Suction resistance of the passive component, resulting in the second electric gate and the asymmetric slope.
  • the optical waveguide has a first region for light coupling and a second region for light coupling, wherein the first modulator and the second modulator are arranged between the first region for light coupling and the second region for light coupling.
  • the device as an additional element in a light path, so that can also switch one behind the other.
  • externally generated laser pulses can be modulated.
  • the first modulator and / or the second modulator is formed by a semiconductor laser structure.
  • the semiconductor laser structure may also include a laser diode that is inexpensive to produce.
  • first modulator and / or the second modulator are formed by a ridge waveguide semiconductor laser structure.
  • the ridge waveguide is used for waveguiding.
  • the advantage is the compact design and small size allows the ability to handle the highest frequencies.
  • the device is designed as a monolithically integrated electro-optical element.
  • both the optical waveguide, the electro-optic modulators, and the electronic drive of the electro-optic modulators may be integrated in a multi-layer solid block.
  • the layers may include metal, dielectric or semiconductor material.
  • the modulators as well as their drive circuit or parts of the drive circuit and the waveguide are located in different sections of a monolithically formed substrate.
  • electro-optical amplifier is provided, which is connected to the waveguide.
  • this electro-optical amplifier also comprises an integrated semiconductor laser structure with electrical connections.
  • the amplifier is preferably located behind the electro-optical ports (with respect to the light propagation direction).
  • Advantage is the ability to increase the existing light output after modulation.
  • a method for the selection of optical pulses with improved edge steepness is disclosed with the following method steps: coupling a pulse sequence into the optical waveguide; controllably absorbing portions of the pulse train in the first electro-optic modulator; controllably absorbing portions of the modulated pulse train in the second electro-optic modulator, wherein the first modulator is switched to transparency while the second modulator is switched from absorption to transparency, and wherein the second modulator is switched to transparency while the first modulator is transparent switched to absorption.
  • an edge, with which the first modulator switches from transparency to absorption is steeper than an edge with which the second modulator switches from transparency to absorption; Further, an edge, with which the second Modulator switches from absorption to transparency, steeper than an edge, with which the first modulator switches from absorption to transparency.
  • the slope of an edge expresses the absolute value of the first derivative of the attenuation with time, wherein the attenuation is that property of the modulator to reduce a transmitted light power transmitted by the modulator with respect to the light power entered into the modulator.
  • the maximum possible attenuation preferably corresponds to the light power which has occurred in the modulator in the state of absorption, and accordingly the minimum possible attenuation corresponds to the difference between the light power entering the modulator in the state of transparency and the light transmitted by the modulator in the state of transparency Light output, preferably this difference is practically zero.
  • the beginning of an edge is given by the fact that the light power transmitted by the modulator changes within an arbitrarily small but greater than zero predeterminable time interval by an arbitrarily predeterminable value not equal to zero, wherein the beginning of the edge corresponds to the beginning of the time interval.
  • the end of an edge is given by the fact that the light power transmitted by the modulator changes within an arbitrarily small but greater than zero predeterminable time interval by an arbitrarily specifiable value not equal to zero, wherein the end of the edge corresponds to the end of the time interval.
  • the advantage is the improved edge steepness both when closing and when opening the light channel.
  • a periodic pulse sequence is coupled into the optical waveguide, wherein the period of the pulse sequence is greater than the time interval between a (preferably first) time at which the second modulator is switched from absorption to transparency, and a (preferably second) time at which the first modulator is switched from transparency to absorption.
  • Advantage of the periodicity is the energy concentration over a short period of time and thus generation of high point intensity with moderate continuous load and moderate heat dissipation.
  • the period duration of the pulse sequence is smaller than the time interval between a (preferably first) instant at which the first modulator is switched from absorption to transparency (first, non-steep edge), and a (preferably second) instant, at which the second modulator is switched from absorption to transparency (first, steep edge), the second time following the first time.
  • the advantage is the treatment of shortest pulse sequences despite moderate electrical switching speed.
  • FIG. 1 shows the inventive device according to a preferred embodiment of the invention with an optical waveguide 105 (axis 104 extends along the light propagation direction), with a first facet 100 for light coupling, a second facet 103 for light extraction, a first ridge waveguide modulator 101 and a second ridge waveguide modulator 102.
  • axis 104 extends along the light propagation direction
  • the modulators 101 and 102 may also be referred to as electro-optical gates or sections because they can close and open the light path.
  • the pulses 106 on the first facet 100, in conjunction with the pulses on the second facet 103, represent the function of the pulser, which suppresses the center pulse (the illustrated pulse train) to select only two pulses from three pulses.
  • Optical pulses 106 are coupled into the semiconductor device 107 with integrated waveguide 105, through which two sections 101, 102 pass and are brought or absorbed in each section by a respective section of electrically controlled transparency or absorption state for coupling out.
  • Characteristic of the invention is that the first driver circuit 300 and the second driver circuit 301 are designed to control the first modulator 101 and the second modulator 102 offset in time.
  • FIG. 2 shows intensity-time diagrams in the time domain t, with individual input pulses 201 a, 201 b, 201 c, 201 d, 201 e, also called pulse regime, and resulting output pulse 201 c.
  • the upper diagram represents the transparency function of the first modulator 101, outlined as an envelope 202, which completely skips the sketched first pulse 201 a, fourth pulse 201 d and fifth pulse 201 e and the second pulse 201 b completely and the third pulse 201 c completely lets through (transparency).
  • the schematically illustrated black level within a black outlined contour sketched with white filling surface represents the non-damping of the respective pulse according to its fill level. In other words: completely black level means unhindered traversing the light channel and thus transparency of the modulator.
  • the time t 1M1 is at the beginning of the rising start edge of the envelope 202, for example, definable as the time at which a certain intensity threshold is exceeded.
  • the time t 2M1 is at the end of the falling end edge of the envelope 202, for example, definable as the time at which a certain intensity threshold is exceeded.
  • the middle diagram represents the transparency function of the second modulator 102, sketched as the envelope 204.
  • the lower diagram represents the transparency function resulting from both modulators 101, 102, sketched as envelope 205.
  • the envelope 205 is the result of the two steepness-optimized edges, so that the envelope 205 as close as possible to the pass, with black level, pulse 201 c, while the dashed line indicates the temporal superimposition of both envelopes 202, 204, from which the envelope 205 results.
  • FIG. 3 schematically represents two variants of an electrical circuit for driving the electro-optical gate, which are preferably integrated in the semiconductor element.
  • the variant 300 shows an active element 304, preferably a transistor Q1, which is supplied with an electrical modulation signal 302 and amplifies this signal 302 for driving an electro-optical gate 303, preferably an RW modulator.
  • G1 is the power supply of the circuit.
  • the signal form of the modulation signal 302 can in principle be arbitrary, but preferably have a hysteresis, sinusoidal or pulse-shaped voltage-time characteristic.
  • the variant 301 shows an active element 307, preferably a transistor Q2, which is supplied with an electrical modulation signal 305 and amplifies this signal 305 for driving the electro-optical gate 306, preferably an RW modulator.
  • G2 is the power supply of the circuit.
  • the circuit 300 is preferably to be used to drive the second modulator 102 with envelope 204, while the circuit 301 is preferably to be used to drive the first modulator 101 with the envelope 202.
  • FIG. 4 represents in the circuit diagram 400 an arrangement in which the modulator is included in a resonant circuit, with an electrical control signal 402, which due to the construction of the electro-optical port 403, preferably RW modulator, inherent parasitic inductance L1 and parasitic capacitance C1 strikes.
  • the advantage of this arrangement is that the speed-reducing effect of the parasitic elements is avoided by resonance operation.
  • the circuit diagram 401 shows a pulse-shaped control signal 404 which controls an active element 405 of two transistors Q21, Q22 to drive an electro-optic port 406, preferably an RW modulator.
  • G2 is the power supply of the circuit.
  • Circuit diagram 401 outlines the circuit of second transistors in push-pull, the symmetrical power supply not shown, but is conceivable. It is also conceivable to integrate a bootstrap capacitor between source S and gate G in order to be able to compensate the parasitic capacitance of the transistor even better.
  • FIG. 5 shows a schematic, perspective view of a preferred embodiment of the device according to the invention.
  • a substrate 500 with horizontally stacked functional elements such.
  • a first modulator 507 and a second modulator 509 are along a light propagation channel 506 from each other spaced apart.
  • the modulator 507 has a first ridge waveguide 508 and the modulator 509 has a second ridge waveguide 510.
  • Each modulator 507, 509 comprises electrically conductive material and is thereby electrically connected to a control circuit (not shown) (see FIG Fig. 3 and 4 ) connected.
  • the first electro-optical modulator 507 and the second electro-optical modulator 508 are actuated offset in time, so that the transmission time (ie both modulators 507, 509 are transparent) of the device according to the invention can be significantly reduced.

Abstract

The device has an optical waveguide (105) for guiding an optical radiation along an axis (104), and two electro-optical modulators (101, 102) for modulating optical transparency of the waveguide. The modulators are arranged one after other along the axis of the waveguide. Control circuits (300, 301) i.e. driver circuits, drive the modulators in a temporal delayed manner, and a carrier substrate is made of a semiconductive material. The waveguide and the control circuits are arranged on the substrate. The modulators are arranged between a light input facet (100) and a light output facet (103). An independent claim is also included for a method for selecting optical pulses with improved edge steepness.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Selektion von optischen Pulsen.The present invention relates to an apparatus and a method for the selection of optical pulses.

Stand der TechnikState of the art

Eine Vielzahl von Anwendungen, z. B. bestimmte Bereiche der Lasermaterialbearbeitung, der Photo- und Displaytechnik, von biomedizinischen Screeningtechniken auf der Basis der Fluoreszenzspektroskopie, Laserentfernungsmessung, LIDAR sowie der optischen Analytik erfordern die Bereitstellung von sehr kurzen optischen Impulsen (bis in den Femtosekunden-Bereich) geringer Folgefrequenz (bis zu 100 MHz). Da übliche Kurzpulslasersysteme, z. B. modengekoppelte Laser, Impulse mit hoher Folgefrequenz erzeugen, benötigt man schnelle optische Modulatoren (Pulspicker), die in der Lage sind, aus den schnellen Pulszügen einzelne Impulse zu selektieren und zu transmittieren, d. h. eine Frequenzteilung zu erreichen. Dann können diese vereinzelten Impulse getrennt weiterverarbeitet werden. Im Gegensatz zu rein modengekoppelten Lasersystemen, bieten Systeme mit Modulator die Möglichkeit, Pulse nahezu beliebiger Form, Länge und Wiederholrate zu erzeugen.A variety of applications, such. B. specific areas of laser material processing, the photographic and display technology of biomedical screening techniques based on fluorescence spectroscopy, laser rangefinding, LIDAR and optical analysis require the provision of very short optical pulses (down to the femtosecond range) low repetition rate (up to 100 MHz). Since usual Kurzpulslasersysteme, z. B. mode-coupled laser to produce pulses with high repetition frequency, one needs fast optical modulators (Pulspicker), which are able to select from the fast pulse trains individual pulses and transmit, d. H. to achieve a frequency division. Then these isolated impulses can be further processed separately. In contrast to purely mode-locked laser systems, systems with modulator offer the possibility of generating pulses of almost any shape, length and repetition rate.

Zur Pulsselektion ist die Verwendung von Pockels-Zellen bekannt, die mit nichtlinearen, spannungsabhängigen optischen Kristallen arbeiten. Auch Kerr-Zellen mit feldabhängiger Polarisation sind bekannt. Hierfür werden nachteilhafterweise hohe Spannungen benötigt. Dabei sind die Kapazitäten, die entsprechend umgeladen werden müssen, ebenfalls sehr hoch. Damit ist die erreichbare minimale Pulsweite (und damit auch die maximale Eingangs-Pulsfolgefrequenz) als auch die Folgefrequenz des Schalters (und damit die maximale Ausgangs-Pulsfolgefrequenz) stark begrenzt. Es lassen sich Pulsweiten von einigen 10 ns (typisch 30 ns) erreichen. Die Folgefrequenz liegt bei einigen MHz.Pulse selection is known to use Pockels cells that work with non-linear, voltage-dependent optical crystals. Kerr cells with field-dependent polarization are also known. For this purpose, high voltages are disadvantageously required. The capacities that need to be reloaded are also very high. Thus, the achievable minimum pulse width (and thus also the maximum input pulse repetition frequency) as well as the repetition frequency of the switch (and thus the maximum output pulse repetition frequency) is severely limited. Pulse widths of a few 10 ns (typically 30 ns) can be achieved. The repetition frequency is at some MHz.

Weiterhin ist zur Pulsselektion die Verwendung von akusto-optischen Modulatoren bekannt. Durch Anlegen einer HF-Spannung wird ein stehendes Ultraschallfeld erzeugt. Dieses Feld lenkt dann die optischen Laserimpulse ab. Zum Aufbau eines stehenden Feldes wird Zeit benötigt. Damit lassen sich Impulse von minimal einigen ns erreichen. Die Folgefrequenz ist durch die maximale mittlere Leistung begrenzt, so dass man auch nicht wesentlich über 10 MHz erreicht.Furthermore, the use of acousto-optic modulators is known for pulse selection. By applying an RF voltage, a stagnant ultrasonic field is generated. This field then deflects the optical laser pulses. It takes time to build up a standing field needed. This allows impulses of a few ns to be achieved. The repetition frequency is limited by the maximum average power, so that one does not reach significantly above 10 MHz.

Weiterhin ist zur Pulsselektion die Verwendung von elektro-optischen Modulatoren bekannt. Der einfachste Fall der elektro-optischen Modulatoren besteht aus einem Kristall, z. B. Lithiumniobat, bei dem der Brechungsindex von der Stärke des angelegten elektrischen Feldes abhängt. Damit hängt die Transparenz des Kristalls von der angelegten Feldstärke ab. Elektrooptische Kristalle ändern somit ihre optische Dicke instantan als Funktion der Stärke eines angelegten äußeren elektrischen Feldes. Der Effekt ist abhängig von der Polarisation der einfallenden Strahlung. Für zwei orthogonal zueinander polarisierte Strahlen beträgt der Gangunterschied gerade dann 180°, wenn die sogenannte λ/2-Spannung angelegt wird. Bei entsprechender Kristalljustierung dreht sich für linear polarisiert einfallendes Licht die Polarisationsebene um 90°. Ein Polarisator entfernt das Licht vollständig aus dem Strahlengang. Durch Variation der anliegenden Spannung kann die Intensität des durchgehenden Lichtes moduliert werden. Der Modulator kann somit in einfacher Weise als Phasenverzögerungsplatte mit elektrisch einstellbarer Verzögerung verstanden werden. Somit kann durch Variation der Spannung eine optische Pulsselektion erfolgen.Furthermore, the use of electro-optical modulators is known for pulse selection. The simplest case of the electro-optical modulators consists of a crystal, z. As lithium niobate, in which the refractive index depends on the strength of the applied electric field. Thus, the transparency of the crystal depends on the applied field strength. Electro-optic crystals thus change their optical thickness instantaneously as a function of the strength of an applied external electric field. The effect depends on the polarization of the incident radiation. For two orthogonal polarized beams, the retardation is 180 degrees even when the so-called λ / 2 voltage is applied. With appropriate crystal adjustment for linearly polarized incident light rotates the polarization plane by 90 °. A polarizer removes the light completely from the beam path. By varying the applied voltage, the intensity of the transmitted light can be modulated. The modulator can thus be understood in a simple manner as a phase delay plate with electrically adjustable delay. Thus, by varying the voltage, an optical pulse selection can take place.

Weiterhin ist zur Pulsselektion die Verwendung eines integriert elektro-optischen Lichtmodulators auf Wellenleiterbasis bekannt. Das Basiselement ist ein phasengekoppelter Mach-Zehnder Amplitudenmodulator auf der Basis des ferroelektrischen Kristallmaterials Lithiumniobat. Die Modulation erfolgt durch elektrooptische Verstimmung des Wellenleiter-Interferometers infolge einer an das Elektrodensystem angelegten elektrischen Spannung.Further, for pulse selection, the use of an integrated waveguide-based electro-optic light modulator is known. The base element is a phase-locked Mach-Zehnder amplitude modulator based on the ferroelectric crystal material lithium niobate. The modulation is effected by electro-optical detuning of the waveguide interferometer as a result of an electrical voltage applied to the electrode system.

Bei den beschriebenen Lichtmodulatoren besteht der Nachteil, dass sie relativ groß und justageaufwändig sind, und dass die Modulationsfrequenz zum Separieren einzelner Impulse nicht groß genug ist.In the light modulators described, there is the disadvantage that they are relatively large and tunable, and that the modulation frequency for separating individual pulses is not large enough.

US 2005/0206989 A1 offenbart einen multi-bandgap Modulator, der aufgrund separat ansteuerbarer Bereiche unterschiedlicher Bandlücke einen größeren Wellenlängenbereich aufweist bzw. Chirp kompensieren kann. US 2005/0206989 A1 discloses a multi-bandgap modulator which, due to separately controllable regions of different band gap, has a larger wavelength range or can compensate for chirp.

EP 1 065 765 A2 beschreibt einen Laser mit verbesserter Modulation über einen großen Wellenlängenbereich. Dazu werden Laserdiode und Modulator in einer Struktur, d. h. auf einem gemeinsamen Substrat aufgewachsen, wobei der Modulator mindestens einen ersten und einen zweiten Bereich aufweist, bei denen jeweils durch Anlegen einer Rückwärtsspannung eine Modulation des Lichts der Laserdiode erreicht wird. EP 1 065 765 A2 describes a laser with improved modulation over a wide wavelength range. For this purpose, laser diode and modulator in a structure, ie on grown on a common substrate, wherein the modulator has at least a first and a second region, in which each case by applying a reverse voltage, a modulation of the light of the laser diode is achieved.

US 2003/0180054 A1 offenbart einen optischen Modulator für ultraschnelle Pulse, wobei Treiberschaltung und Modulator auf einem gemeinsamen Substrat angeordnet sind und der Abstand zwischen der Treiberschaltung und dem optischen Modulator kleiner als ein Zehntel der Wellenlänge der Modulationsfrequenz ist. Durch Verringerung der Induktivität der elektrischen Leitungen zwischen Treiberschaltung und optischem Modulator kann die maximale Modulationsfrequenz erhöht werden. US 2003/0180054 A1 discloses an optical modulator for ultrafast pulses, wherein driver circuit and modulator are disposed on a common substrate and the distance between the driver circuit and the optical modulator is less than one tenth of the wavelength of the modulation frequency. By reducing the inductance of the electrical lines between the driver circuit and the optical modulator, the maximum modulation frequency can be increased.

Nachteilig an den vorgenannten Modulatoren ist jedoch, dass sich je nach Intensität der Pulse in der Pulspickersektion - d. h. im Modulator - aufgrund von Rekombinationsprozessen Ladungsträger bilden können, die zu einer ungewollten Transparenz der Pulspickersektion führen, obwohl keine Ladungsträger über die Kontakte injiziert werden. Somit verfügt der optische Modulator über eine relativ geringe Durchschlagsfestigkeit.A disadvantage of the aforementioned modulators, however, is that depending on the intensity of the pulses in the Pulspickersektion - d. H. in the modulator - due to recombination processes charge carriers can form, which lead to an unwanted transparency of the Pulpickersektion, although no charge carriers are injected over the contacts. Thus, the optical modulator has a relatively low dielectric strength.

EP 1 210 754 B1 beschreibt einen elektro-optischen Modulator mit einem großen Extinktionsverhältnis und einer verbesserten nichtlinearen Extinktionskurve, wobei eine Halbleiterlaserquelle, der elektro-optische Modulator sowie ein Halbleiterverstärker auf einem Substrat integriert sind. Aus diesem Grund kann diese Vorrichtung nicht zur Modulation extern erzeugter Laserpulse dienen, da diese nicht eingekoppelt werden können. Darüber hinaus lassen sich mit der Vorrichtung lediglich geringe Leistungen modulieren. EP 1 210 754 B1 describes an electro-optic modulator having a large extinction ratio and an improved non-linear extinction curve, wherein a semiconductor laser source, the electro-optic modulator, and a semiconductor amplifier are integrated on a substrate. For this reason, this device can not be used for the modulation of externally generated laser pulses, since they can not be coupled. In addition, only low power can be modulated with the device.

US 5 798 856 A offenbart einen optischen Laser-Pulsgenerator für die Glasfaser-Kommunikation, welcher eine Wellenpaket-Verbreiterung infolge Dispersion reduziert. US Pat. No. 5,798,856 discloses an optical laser pulse generator for optical fiber communication which reduces wave packet broadening due to dispersion.

Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention

Erfindungsgemäß wird eine Vorrichtung zur Selektion von Pulsen offenbart, umfassend: einen optischen Wellenleiter zum Führen einer optischen Strahlung längs einer Achse; einen ersten elektro-optischen Modulator, der ausgebildet ist, die optische Transparenz des Wellenleiters zu modulieren; einen zweiten elektro-optischen Modulator, der ausgebildet ist, die optische Transparenz des Wellenleiters zu modulieren; wobei der erste Modulator und der zweite Modulator entlang der Achse des Wellenleiters nacheinander angeordnet sind, wobei weiterhin mindestens eine Steuerschaltung vorgesehen ist, die ausgebildet ist, den ersten Modulator und den zweiten Modulator zeitlich versetzt anzusteuern.According to the invention there is disclosed a pulse selection apparatus comprising: an optical waveguide for guiding optical radiation along an axis; a first electro-optical modulator configured to modulate the optical transparency of the waveguide; a second electro-optical modulator configured to modulate the optical transparency of the waveguide; wherein the first modulator and the second modulator are arranged sequentially along the axis of the waveguide, wherein furthermore at least one control circuit is provided, which is designed to control the first modulator and the second modulator with a time offset.

Vorzugsweise ist dabei ein Trägersubstrat aus einem halbleitenden Material vorgesehen, wobei der Wellenleiter und die mindestens eine Steuerschaltung integriert auf dem Trägersubstrat angeordnet sind.In this case, a carrier substrate made of a semiconductive material is preferably provided, wherein the waveguide and the at least one control circuit are arranged integrated on the carrier substrate.

Vorteil ist das Integrieren von optischer und elektrischer Struktur während der Herstellung, wodurch kleinste Abmessungen ermöglicht werden.The advantage is the integration of optical and electrical structure during production, which allows the smallest dimensions.

Vorzugsweise ist das Trägersubstrat ein Halbleiter. Vorzugsweise sind die mindestens eine Steuerschaltung, der erste Modulator und der zweite Modulator monolithisch in dem Trägersubstrat integriert. Vorzugsweise ist das Trägersubstrat für die monolithische Integration von Steuerschaltung und Modulator oder von Steuerschaltungen und Modulatoren vorgesehen.Preferably, the carrier substrate is a semiconductor. Preferably, the at least one control circuit, the first modulator and the second modulator are monolithically integrated in the carrier substrate. The carrier substrate is preferably provided for the monolithic integration of control circuit and modulator or of control circuits and modulators.

Ein Abstand, vorzugsweise die jeweiligen Mittelpunkte der jeweiligen Bereiche betreffend, zwischen der Steuerschaltung und dem ersten und/oder dem zweiten Modulator ist jeweils kleiner als vorzugsweise 10 mm, bevorzugt kleiner als 5 mm, bevorzugter kleiner als 2 mm, weiterhin bevorzugt kleiner als 1 mm, noch bevorzugter kleiner als 500 µm, noch bevorzugter kleiner als 200 µm und ebenfalls bevorzugt kleiner als 100 µm.A distance, preferably the respective center points of the respective regions, between the control circuit and the first and / or the second modulator is smaller than preferably 10 mm, preferably smaller than 5 mm, more preferably smaller than 2 mm, further preferably smaller than 1 mm more preferably less than 500 μm, more preferably less than 200 μm and also preferably less than 100 μm.

Eine Dicke des Trägersubstrats ist kleiner als vorzugsweise 2 mm, bevorzugt kleiner als 1 mm, noch bevorzugter kleiner als 500 µm, bevorzugt kleiner als 200 µm und am meisten bevorzugt kleiner als 100 µm.A thickness of the carrier substrate is smaller than preferably 2 mm, preferably smaller than 1 mm, more preferably smaller than 500 μm, preferably smaller than 200 μm, and most preferably smaller than 100 μm.

Vorteil dieser Erfindung ist, dass jeder elektro-optische Modulator auf das schnelle Schalten genau je einer Flanke (Attack oder Release) optimiert wird. Zwei optimierte Flanken infolge zeitlich differenter Ansteuerung unterschiedlicher Modulatoren werden erfindungsgemäß schneller geschaltet als zwei Flanken (Attack und Release) infolge eines einzelnen elektro-optischen Modulators. Somit kann die primäre Pulsrate vergrößert werden und dennoch eine saubere Unterdrückung einzelner Pulse stattfinden, also eine Modulation mit größerer spektraler Bandbreite stattfinden.Advantage of this invention is that each electro-optical modulator is optimized for fast switching exactly one flank (attack or release). Two optimized edges as a result of time-differentiated control of different modulators are switched faster according to the invention than two edges (attack and release) as a result of a single electro-optical modulator. Thus, the primary pulse rate can be increased and still take place a clean suppression of individual pulses, so take place a modulation with a larger spectral bandwidth.

Bezüglich des Vorteils der Erfindung kommt es nicht primär auf die Wellenlängen der Lichtpulse und ebenfalls nicht auf die Breite eines einzelnen Pulses an, sondern vielmehr auf den zeitlichen Abstand zwischen den Pulsen, im übertragenen Sinne auch Folgefrequenz oder Pulsrate genannt, und insbesondere auf die durch zeitliche Verkürzung verbesserte Torbreite als der zeitliche Abstand zwischen öffnender Flanke des ersten Modulators (bei bereits geöffneter Stellung, Transparenz, des zweiten Modulators) und schließender Flanke des zweiten Modulators (bei noch geöffneter Stellung, Transparenz, des ersten Modulators). Der Übergang von geöffneter Stellung (Transparenz) zu geschlossener Stellung (Absorption) und auch die entgegengesetzte Schaltrichtung wird vorzugsweise durch elektrischen Steuerstrom am jeweiligen elektro-optischen Modulator erreicht. Beispielsweise werden Laserdiode und Modulator in einer Struktur, d. h. auf einem gemeinsamen Substrat, aufgewachsen, wobei der Modulator mindestens einen ersten und einen zweiten Bereich aufweist, bei denen jeweils durch Anlegen einer Rückwärtsspannung eine Modulation des Lichts der Laserdiode erreicht wird.With regard to the advantage of the invention, it is not primarily on the wavelengths of the light pulses and also not on the width of a single pulse, but rather on the time interval between the pulses, in the transmitted sense and repetition frequency or pulse rate, and in particular to the gate width improved by shortening the time interval between the opening edge of the first modulator (in the already open position, transparency of the second modulator) and the closing edge of the second modulator (in the still open position, transparency, of the second modulator) first modulator). The transition from the open position (transparency) to the closed position (absorption) and also the opposite switching direction is preferably achieved by electrical control current at the respective electro-optical modulator. By way of example, the laser diode and the modulator are grown in a structure, ie on a common substrate, wherein the modulator has at least a first and a second region in which a modulation of the light of the laser diode is achieved in each case by applying a reverse voltage.

Erfindungsgemäß können ultrakurze (z. B. im Pikosekundenbereich) elektrische Torbreiten für die Transparenzschaltung von Halbleitersektionen zur optischen Pulsselektion von Pulsen mit Folgefrequenzen im GHz Bereich erreicht werden.According to the invention, ultrashort (for example in the picosecond range) electric gate widths can be achieved for the transparency switching of semiconductor sections for the optical pulse selection of pulses with repetition frequencies in the GHz range.

Da die Transparenz der elektro-optischen Modulatoren, auch Sektionen genannt, durch die elektrischen Ansteuerimpulse erzeugt wird, kann durch eine zeitversetzte Ansteuerung der Sektionen mit geringem zeitlichen Versatz die Transparenzzeit, und damit die Durchlasszeit (Torbreite) für in diese Sektionen eingekoppelte optische Pulse, stark verringert werden. Durch Verschiebung des Delays zwischen den Ansteuerstromimpulsen kann die Transparenzzeit zur Selektion von Laserpulsen gezielt variiert werden. Somit können aus einer Folge von Laserpulsen hoher Frequenz einzelne kurze Laserpulse (sofern gewünscht mit geringerer Folgefrequenz) ausselektiert werden. Diese vereinzelten Pulse können dann getrennt weiterverarbeitet werden.Since the transparency of the electro-optical modulators, also called sections, is generated by the electrical drive pulses, the transparency time, and thus the passage time (gate width) for optical pulses coupled into these sections, can be strong by a time-delayed activation of the sections with a small time offset be reduced. By shifting the delay between the drive current pulses, the transparency time for the selection of laser pulses can be selectively varied. Thus, from a sequence of laser pulses of high frequency individual short laser pulses (if desired, with a lower repetition frequency) can be selected out. These isolated pulses can then be processed separately.

Ein weiterer Vorteil ist, dass die Ansteuerschaltung auf je eine Flanke optimiert werden kann und es dabei einfacher ist, die Schaltung nicht für variable Pulsbreite ausstatten zu müssen, sondern auf eine Pulsbreite hin zu optimieren. Das Delay der Ansteuerung zwischen erster und zweiter Sektion bestimmt dann die Torbreite. Somit geht mit gewonnener Performance der Hüllkurve eine einfachere Schaltungstechnik der Ansteuerung erfindungsgemäß einher.Another advantage is that the drive circuit can be optimized for each flank and it is easier to not have to equip the circuit for variable pulse width, but to optimize it to a pulse width out. The delay of the control between the first and second sections then determines the door width. Thus, with the performance of the envelope obtained, a simpler circuit technology of the control is associated with the invention.

Die elektrische Pulsformung für nur jeweils eine Flanke ist schaltungstechnisch einfacher realisierbar, als wenn für beide Flanken hohe Steilheit erforderlich wäre.The electrical pulse shaping for only one edge in each case is easier to realize in terms of circuitry than if steep slopes were required for both edges.

Beim ersten Modulator ist die zweite Flanke vorzugsweise steiler als die erste Flanke. Das Tor muss also schneller geschlossen als geöffnet werden können. Da ein solcher Schließvorgang aus elektrischer Sicht den Übergang der Ansteuerspannung von Null-Potential auf Plus-Potential bedeutet und so steilflankig wie möglich erfolgen soll, ist das Tor vorzugsweise ohne zusätzlich beschalteten Widerstand direkt mit einem Transistor verbunden, welcher einen aktiven elektrischen Pol des Tors während des Schließens gegen Plus-Potential zieht.In the first modulator, the second edge is preferably steeper than the first edge. The gate must therefore be closed faster than can be opened. Since such a closing process from an electrical point of view means the transition of the drive voltage from zero potential to plus potential and should be as steep flank as possible, the gate is preferably connected directly without additional resistor connected directly to a transistor which an active electrical pole of the door during closing against plus potential pulls.

Die Startflanke des ersten Modulators dagegen kommt zustande, indem der Transistor hochohmig wird und der aktive elektrische Pol des Tors durch einen auf Plus-Potential gelegten Widerstand auf Plus-Potential gezogen wird.The starting edge of the first modulator, on the other hand, comes about when the transistor becomes high-impedance and the active electrical pole of the gate is pulled to positive potential by a resistor set to positive potential.

Der ziehende Widerstand ist vorzugsweise größer als der Widerstand des in Durchlassrichtung geschalteten Transistors, um den Spannungsabfall über dem geschlossenen Transistor möglichst klein zu halten; und die Verlustleistung zu verkleinern. Aus diesem Schaltungsprinzip: Zieh-Widerstand des passiven Bauteils versus Saug-Widerstand des geschlossenen Transistors, ergibt sich die asymmetrische Flankensteilheit.The pulling resistance is preferably greater than the resistance of the forward-biased transistor to minimize the voltage drop across the closed transistor; and to reduce the power loss. From this circuit principle: pull-resistance of the passive component versus suction resistance of the closed transistor, the asymmetric edge steepness results.

Beim zweiten Modulator ist die erste Flanke vorzugsweise steiler als die zweite Flanke. Das Tor muss also schneller geöffnet als geschlossen werden können. Da ein solcher Öffnungsvorgang aus elektrischer Sicht den Übergang der Ansteuerspannung von Null-Potential auf Plus-Potential bedeutet und so steilflankig wie möglich erfolgen soll, ist der aktive Pol des Tors vorzugsweise ohne zusätzlich beschalteten Widerstand direkt mit einem Transistor verbunden, der während des Öffnens des Tors auf Durchlass geschaltet ist und somit den aktiven Pol des Tors niederohmig gegen das Plus-Potential zieht.In the case of the second modulator, the first edge is preferably steeper than the second edge. The gate must therefore open faster than can be closed. Since such an opening operation from an electrical point of view means the transition of the drive voltage from zero potential to plus potential and should be as steep flank as possible, the active pole of the gate is preferably connected without additional resistor connected directly to a transistor which during the opening of the Tor is switched to passage and thus pulls the active pole of the gate low resistance to the positive potential.

Die Endflanke des zweiten Modulators dagegen kommt zustande, indem der Transistor hochohmig wird und der aktive elektrische Pol des Tors durch einen auf Masse gelegten Widerstand auf Null-Potential gesaugt wird.The end edge of the second modulator, on the other hand, comes about in that the transistor becomes high-impedance and the active electrical pole of the gate is sucked to zero potential by a resistor connected to ground.

Der saugende Widerstand ist vorzugsweise größer als der Widerstand des in Durchlassrichtung geschalteten Transistors, um den Spannungsabfall über dem geschlossenen Transistor möglichst klein zu halten; zum einen, um die Verlustleistung zu verkleinern, und zum anderen, um den aktiven Pol des Tors möglichst gut durchzusteuern. Aus diesem Schaltungsprinzip: Zieh-Widerstand des geschlossenen Transistors versus Saug-Widerstand des passiven Bauteils, ergibt sich beim zweiten elektrischen Tor auch die asymmetrische Flankensteilheit.The sucking resistance is preferably greater than the resistance of the forward-biased transistor to minimize the voltage drop across the closed transistor; on the one hand to reduce the power loss, and on the other hand to control the active pole of the gate as well as possible. From this circuit principle: pull-resistance of the closed transistor versus Suction resistance of the passive component, resulting in the second electric gate and the asymmetric slope.

Auch ist es denkbar, die steilflankige Schließ- und Öffnungsansteuerung mittels symmetrischer Spannungsversorgung und zweier in Gegentakt arbeitender Transistoren zu realisieren, so dass im Öffnungszustand (Transparenz) der aktive Pol des Tors durch den invertierenden Transistor auf negative Spannungsversorgung gezogen wird, und im Schließzustand (Absorption) der aktive Pol des Tores durch den nichtinvertierenden Transistor auf positive Spannungsversorgung (Plus-Potential) gezogen wird. Somit sind keine weiteren Widerstände nötig, um passiv in die Gegenrichtung ziehen zu müssen, sondern nur noch aktive niederohmige Schalter (in Gegentakt geschaltete Transistoren) nötig, welche infolge ihrer Niederohmigkeit parasitäre Kapazitäten besser überwinden und somit steile Flanken in beiden Richtungen ermöglichen. Somit wäre erreicht, dass mit nur einem Tor sowohl eine schnelle Startflanke als auch eine schnelle Endflanke möglich wird. Die Realisierung dieser Variante erfolgt jedoch unter der Randbedingung, dass die dort benötigten p-Kanal-, bzw. pnp-Transisoren vergleichsweise schlechtere Schalteigenschaften besitzen, als beispielsweise n-Kanal-, bzw. npn-Transistoren. Die Schaltvariante unter Verwendung von n-Kanal- bzw. npn-Transistoren ist daher bevorzugt.It is also conceivable to realize the steep-edged closing and Öffungsungsansteuerung by symmetrical power supply and two push-pull transistors, so that in the open state (transparency) of the active pole of the gate is pulled by the inverting transistor to negative power supply, and in the closed state (absorption ) the active pole of the gate is pulled by the non-inverting transistor to positive power supply (positive potential). Thus, no further resistors are needed to passively pull in the opposite direction, but only active low-impedance switches (push-pull transistors) necessary, which overcome parasitic capacitances better due to their low impedance and thus allow steep edges in both directions. Thus it would be achieved that with a single gate both a fast start edge and a fast end edge is possible. However, the realization of this variant takes place under the boundary condition that the p-channel or pnp transistors required there have comparatively inferior switching properties, for example n-channel transistors or npn transistors. The switching variant using n-channel or npn transistors is therefore preferred.

Es ist bevorzugt, dass der optische Wellenleiter einen ersten Bereich zur Lichteinkopplung und einen zweiten Bereich zur Lichtauskopplung aufweist, wobei der erste Modulator und der zweite Modulator zwischen dem ersten Bereich zur Lichteinkopplung und dem zweiten Bereich zur Lichtauskopplung angeordnet sind.It is preferred that the optical waveguide has a first region for light coupling and a second region for light coupling, wherein the first modulator and the second modulator are arranged between the first region for light coupling and the second region for light coupling.

Vorteil ist das Nutzen der Vorrichtung als zusätzliches Element in einem Lichtweg, also auch das hintereinander schalten können. Somit können auch extern erzeugte Laserpulse moduliert werden. Auch ist es möglich, dass der erste Modulator und/oder der zweite Modulator durch eine Halbleiterlaser-Struktur ausgebildet ist.Advantage is the use of the device as an additional element in a light path, so that can also switch one behind the other. Thus, externally generated laser pulses can be modulated. It is also possible that the first modulator and / or the second modulator is formed by a semiconductor laser structure.

Die Halbleiterlaser-Struktur kann auch eine Laserdiode umfassen, die preiswert herstellbar ist.The semiconductor laser structure may also include a laser diode that is inexpensive to produce.

Auch ist es möglich, dass der erste Modulator und/oder der zweite Modulator durch eine Ridge-Waveguide-Halbleiterlaser-Struktur ausgebildet sind. Der Ridge-Waveguide dient der Wellenführung.It is also possible that the first modulator and / or the second modulator are formed by a ridge waveguide semiconductor laser structure. The ridge waveguide is used for waveguiding.

Vorteil ist die kompakte Bauweise und infolge kleiner Abmessungen die Fähigkeit, höchste Frequenzen behandeln zu können.The advantage is the compact design and small size allows the ability to handle the highest frequencies.

Auch ist es möglich, dass die Vorrichtung als monolithisch integriertes elektro-optisches Element ausgebildet ist.It is also possible that the device is designed as a monolithically integrated electro-optical element.

Mit anderen Worten ausgedrückt, kann sowohl der optische Wellenleiter, die elektro-optischen Modulatoren als auch die elektronische Ansteuerung der elektro-optischen Modulatoren in einem mehrschichtigen, festen Block integriert sein. Die Schichten können dabei Metall, Dielektrikum oder Halbleitermaterial umfassen. Die Modulatoren als auch deren Ansteuerschaltung oder Teile der Ansteuerschaltung und der Wellenleiter befinden sich dabei in unterschiedlichen Abschnitten eines monolithisch ausgebildeten Substrats.In other words, both the optical waveguide, the electro-optic modulators, and the electronic drive of the electro-optic modulators may be integrated in a multi-layer solid block. The layers may include metal, dielectric or semiconductor material. The modulators as well as their drive circuit or parts of the drive circuit and the waveguide are located in different sections of a monolithically formed substrate.

Vorteil ist infolge einheitlicher Herstellung die Kontakt- und Verbindungssicherheit der einzelnen Elemente, gerade auch im Hinblick auf Stabilität und Funktionssicherheit.Advantage is due to uniform production, the contact and connection security of the individual elements, especially with regard to stability and reliability.

Auch ist es möglich, dass weiterhin ein elektro-optischer Verstärker vorgesehen ist, der mit dem Wellenleiter verbunden ist.It is also possible that further an electro-optical amplifier is provided, which is connected to the waveguide.

Vorzugsweise umfasst dieser elektro-optische Verstärker ebenfalls eine integrierte Halbleiterlaser-Struktur mit elektrischen Anschlüssen. Der Verstärker ist vorzugweise (in Bezug auf die Lichtausbreitungsrichtung) hinter den elektro-optischen Toren angeordnet.Preferably, this electro-optical amplifier also comprises an integrated semiconductor laser structure with electrical connections. The amplifier is preferably located behind the electro-optical ports (with respect to the light propagation direction).

Vorteil ist die Möglichkeit, die vorhandene Lichtleistung nach der Modulation erhöhen zu können.Advantage is the ability to increase the existing light output after modulation.

Erfindungsgemäß wird ein Verfahren zur Selektion von optischen Pulsen mit verbesserter Flankensteilheit mit folgenden Verfahrensschritten offenbart: Einkoppeln einer Pulsfolge in den optischen Wellenleiter; steuerbares Absorbieren von Teilen der Pulsfolge im ersten elektro-optischen Modulator; steuerbares Absorbieren von Teilen der modulierten Pulsfolge im zweiten elektro-optischen Modulator, wobei der erste Modulator auf Transparenz geschaltet ist, während der zweite Modulator von Absorption auf Transparenz umgeschaltet wird, und wobei der zweite Modulator auf Transparenz geschaltet ist, während der erste Modulator von Transparenz auf Absorption umgeschaltet wird.According to the invention, a method for the selection of optical pulses with improved edge steepness is disclosed with the following method steps: coupling a pulse sequence into the optical waveguide; controllably absorbing portions of the pulse train in the first electro-optic modulator; controllably absorbing portions of the modulated pulse train in the second electro-optic modulator, wherein the first modulator is switched to transparency while the second modulator is switched from absorption to transparency, and wherein the second modulator is switched to transparency while the first modulator is transparent switched to absorption.

Vorzugsweise ist dabei eine Flanke, mit welcher der erste Modulator von Transparenz auf Absorption umschaltet, steiler als eine Flanke, mit welcher der zweite Modulator von Transparenz auf Absorption umschaltet; ferner ist eine Flanke, mit welcher der zweite Modulator von Absorption auf Transparenz umschaltet, steiler als eine Flanke, mit welcher der erste Modulator von Absorption auf Transparenz umschaltet.Preferably, an edge, with which the first modulator switches from transparency to absorption, is steeper than an edge with which the second modulator switches from transparency to absorption; Further, an edge, with which the second Modulator switches from absorption to transparency, steeper than an edge, with which the first modulator switches from absorption to transparency.

Vorzugsweise drückt im vorgenannten Sinne die Steilheit einer Flanke den absoluten Betrag der ersten Ableitung der Dämpfung nach der Zeit aus, wobei die Dämpfung jene Eigenschaft des Modulators ist, eine vom Modulator durchgelassene Lichtleistung gegenüber der in den Modulator eingetretenen Lichtleistung zu reduzieren. Vorzugsweise entspricht die maximal mögliche Dämpfung der in den im Zustand der Absorption befindlichen Modulator eingetretenen Lichtleistung, und demnach entspricht die minimal mögliche Dämpfung der Differenz aus der in den im Zustand der Transparenz befindlichen Modulator eintretenden Lichtleistung und der von dem im Zustand der Transparenz befindlichen Modulator durchgelassenen Lichtleistung, wobei vorzugsweise diese Differenz praktisch Null ist.Preferably, in the aforementioned sense, the slope of an edge expresses the absolute value of the first derivative of the attenuation with time, wherein the attenuation is that property of the modulator to reduce a transmitted light power transmitted by the modulator with respect to the light power entered into the modulator. The maximum possible attenuation preferably corresponds to the light power which has occurred in the modulator in the state of absorption, and accordingly the minimum possible attenuation corresponds to the difference between the light power entering the modulator in the state of transparency and the light transmitted by the modulator in the state of transparency Light output, preferably this difference is practically zero.

Vorzugsweise ist der Beginn einer Flanke dadurch gegeben, dass sich die vom Modulator durchgelassene Lichtleistung innerhalb eines beliebig kleinen jedoch größer Null vorgebbaren Zeitintervalls um einen beliebig vorgebbaren Wert ungleich Null ändert, wobei der Beginn der Flanke dem Beginn des Zeitintervalls entspricht.Preferably, the beginning of an edge is given by the fact that the light power transmitted by the modulator changes within an arbitrarily small but greater than zero predeterminable time interval by an arbitrarily predeterminable value not equal to zero, wherein the beginning of the edge corresponds to the beginning of the time interval.

Vorzugsweise ist das Ende einer Flanke dadurch gegeben, dass sich die vom Modulator durchgelassene Lichtleistung innerhalb eines beliebig kleinen jedoch größer Null vorgebbaren Zeitintervalls um einen beliebig vorgebbaren Wert ungleich Null ändert, wobei das Ende der Flanke dem Ende des Zeitintervalls entspricht.Preferably, the end of an edge is given by the fact that the light power transmitted by the modulator changes within an arbitrarily small but greater than zero predeterminable time interval by an arbitrarily specifiable value not equal to zero, wherein the end of the edge corresponds to the end of the time interval.

Vorteil ist die verbesserte Flankensteilheit sowohl beim Schließen als auch beim Öffnen des Lichtkanals.The advantage is the improved edge steepness both when closing and when opening the light channel.

Auch ist es möglich, dass eine periodische Pulsfolge in den optischen Wellenleiter eingekoppelt wird, wobei die Periodendauer der Pulsfolge größer als der zeitliche Abstand zwischen einem (vorzugsweise ersten) Zeitpunkt, an dem der zweite Modulator von Absorption auf Transparenz umgeschaltet wird, und einem (vorzugsweise zweiten) Zeitpunkt, an dem der erste Modulator von Transparenz auf Absorption umgeschaltet wird, ist.It is also possible that a periodic pulse sequence is coupled into the optical waveguide, wherein the period of the pulse sequence is greater than the time interval between a (preferably first) time at which the second modulator is switched from absorption to transparency, and a (preferably second) time at which the first modulator is switched from transparency to absorption.

Vorteil der Periodizität ist die Energiekonzentration auf kurze Zeitdauer und somit Erzeugung hoher punktueller Intensität bei moderater Dauerlast und moderater Wärmeabführung.Advantage of the periodicity is the energy concentration over a short period of time and thus generation of high point intensity with moderate continuous load and moderate heat dissipation.

Auch ist es denkbar, dass die Periodendauer der Pulsfolge kleiner als der zeitliche Abstand zwischen einem (vorzugsweise ersten) Zeitpunkt, an dem der erste Modulator von Absorption auf Transparenz umgeschaltet wird (erste, nicht steile Flanke), und einem (vorzugsweise zweiten) Zeitpunkt, an dem der zweite Modulator von Absorption auf Transparenz umgeschaltet wird (erste, steile Flanke), ist, wobei der zweite Zeitpunkt dem ersten Zeitpunkt folgt.It is also conceivable for the period duration of the pulse sequence to be smaller than the time interval between a (preferably first) instant at which the first modulator is switched from absorption to transparency (first, non-steep edge), and a (preferably second) instant, at which the second modulator is switched from absorption to transparency (first, steep edge), the second time following the first time.

Vorteil ist die Behandlung kürzester Pulsfolgen trotz moderater elektrischer Schaltgeschwindigkeit.The advantage is the treatment of shortest pulse sequences despite moderate electrical switching speed.

Zeichnungendrawings

Die Erfindung wird anhand der Zeichnungen und nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1
eine schematische Darstellung einer bevorzugten Ausführungsvariante der erfindungsgemäßen Vorrichtung in Draufsicht,
Fig. 2
das Pulsregime vor, zwischen und hinter beiden Modulatoren nach dem erfindungsgemäßen Verfahren,
Fig. 3
eine schematische Darstellung einer ersten bevorzugten Ausführungsvariante der Ansteuerungsschaltungen für die Modulatoren,
Fig. 4
eine schematische Darstellung einer zweiten bevorzugten Ausführungsvariante der Ansteuerungsschaltungen für die Modulatoren, und
Fig. 5
eine schematische, perspektivische Darstellung einer bevorzugten Ausführungsvariante der erfindungsgemäßen Vorrichtung.
The invention will be explained in more detail with reference to the drawings and the description below. Show it:
Fig. 1
a schematic representation of a preferred embodiment of the device according to the invention in plan view,
Fig. 2
the pulse regime before, between and behind both modulators according to the method of the invention,
Fig. 3
1 is a schematic representation of a first preferred embodiment of the drive circuits for the modulators,
Fig. 4
a schematic representation of a second preferred embodiment of the drive circuits for the modulators, and
Fig. 5
a schematic, perspective view of a preferred embodiment of the device according to the invention.

Figur 1 zeigt die erfindungsgemäße Vorrichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsvariante der Erfindung mit einem optischen Wellenleiter 105 (Achse 104 erstreckt sich entlang der Lichtausbreitungsrichtung), mit einer ersten Facette 100 zur Lichteinkopplung, einer zweiten Facette 103 zur Lichtauskopplung, einem ersten Ridge-Waveguide-Modulator 101 und einem zweiten Ridge-Waveguide-Modulator 102. Entlang der Lichtausbreitungsrichtung 104, zwischen erster Facette 100 und zweiter Facette 103 sind die erste Wellenleiter-Sektion als erster elektro-optischer Modulator 101 und die zweite Wellenleiter-Sektion als zweiter elektro-optischer Modulator 102 integriert. FIG. 1 shows the inventive device according to a preferred embodiment of the invention with an optical waveguide 105 (axis 104 extends along the light propagation direction), with a first facet 100 for light coupling, a second facet 103 for light extraction, a first ridge waveguide modulator 101 and a second ridge waveguide modulator 102. Along the Lichtausbreitungsrichtung 104, between the first facet 100 and second facet 103, the first waveguide section as a first electro-optic modulator 101 and the second waveguide section as a second electro-optic modulator 102 integrated.

Die Modulatoren 101 und 102 können auch als elektro-optische Tore oder Sektionen bezeichnet werden, da sie den Lichtweg schließen und öffnen können. Die Pulse 106 an der ersten Facette 100 stellen im Zusammenhang mit den Pulsen an der zweiten Facette 103 die Funktion des Pulspickers dar, welcher den mittleren Puls (der dargestellten Pulsfolge) unterdrückt, um aus drei Pulsen lediglich zwei Pulse zu selektieren.The modulators 101 and 102 may also be referred to as electro-optical gates or sections because they can close and open the light path. The pulses 106 on the first facet 100, in conjunction with the pulses on the second facet 103, represent the function of the pulser, which suppresses the center pulse (the illustrated pulse train) to select only two pulses from three pulses.

Es werden optische Pulse 106 in das Halbleiterbauelement 107 mit integriertem Wellenleiter 105 eingekoppelt, durch die zwei Sektionen 101, 102 geleitet und in jeder Sektion durch je eine Sektion elektrisch gesteuerten Transparenz- oder Absorptionszustand zur Auskopplung gebracht oder absorbiert. Kennzeichnend für die Erfindung ist, dass die erste Treiberschaltung 300 und die zweite Treiberschaltung 301 ausgebildet sind, den ersten Modulator 101 und den zweiten Modulator 102 zeitlich versetzt anzusteuern.Optical pulses 106 are coupled into the semiconductor device 107 with integrated waveguide 105, through which two sections 101, 102 pass and are brought or absorbed in each section by a respective section of electrically controlled transparency or absorption state for coupling out. Characteristic of the invention is that the first driver circuit 300 and the second driver circuit 301 are designed to control the first modulator 101 and the second modulator 102 offset in time.

Figur 2 zeigt Intensitäts-Zeit-Diagramme im Zeitbereich t, mit einzelnen Eingangspulsen 201 a, 201 b, 201 c, 201 d, 201 e, auch Pulsregime genannt, und resultierendem Ausgangspuls 201 c. FIG. 2 shows intensity-time diagrams in the time domain t, with individual input pulses 201 a, 201 b, 201 c, 201 d, 201 e, also called pulse regime, and resulting output pulse 201 c.

Das obere Diagramm stellt die Transparenzfunktion des ersten Modulators 101 dar, skizziert als Hüllkurve 202, welche den skizzierten ersten Puls 201 a, vierten Puls 201 d und fünften Puls 201 e komplett ausblendet und den zweiten Puls 201 b teilweise und den dritten Puls 201 c vollständig durchlässt (Transparenz). Der schematisch dargestellte schwarze Füllstand innerhalb eines schwarz konturierten mit weißer Füllfläche skizzierten Pulses stellt gemäß dessen Füllstandshöhe die Nicht-Dämpfung des jeweiligen Pulses dar. Mit anderen Worten: komplett schwarzer Füllstand bedeutet ungehindertes Durchqueren des Lichtkanals und somit Transparentschaltung des Modulators.The upper diagram represents the transparency function of the first modulator 101, outlined as an envelope 202, which completely skips the sketched first pulse 201 a, fourth pulse 201 d and fifth pulse 201 e and the second pulse 201 b completely and the third pulse 201 c completely lets through (transparency). The schematically illustrated black level within a black outlined contour sketched with white filling surface represents the non-damping of the respective pulse according to its fill level. In other words: completely black level means unhindered traversing the light channel and thus transparency of the modulator.

Der Zeitpunkt t1M1 ist am Beginn der steigenden Startflanke der Hüllkurve 202, beispielsweise definierbar als Zeitpunkt, zu welchem ein bestimmter Intensitätsschwellwert überschritten wird.The time t 1M1 is at the beginning of the rising start edge of the envelope 202, for example, definable as the time at which a certain intensity threshold is exceeded.

Der Zeitpunkt t2M1 ist am Ende der fallenden Endflanke der Hüllkurve 202, beispielsweise definierbar als Zeitpunkt, zu welchem ein bestimmter Intensitätsschwellwert unterschritten wird.The time t 2M1 is at the end of the falling end edge of the envelope 202, for example, definable as the time at which a certain intensity threshold is exceeded.

Das mittlere Diagramm stellt die Transparenzfunktion des zweiten Modulators 102 dar, skizziert als Hüllkurve 204.The middle diagram represents the transparency function of the second modulator 102, sketched as the envelope 204.

Das untere Diagramm stellt die aus beiden Modulatoren 101, 102 resultierende Transparenzfunktion dar, skizziert als Hüllkurve 205. Die Hüllkurve 205 ist das Resultat der beiden auf Steilheit optimierten Flanken, so dass die Hüllkurve 205 so dicht wie möglich den durchzulassenden, mit schwarzem Füllstand, Puls 201 c umkleidet, während die gestrichelte Linie die zeitliche Überlagerung beider Hüllkurven 202, 204 andeutet, aus denen die Hüllkurve 205 resultiert.The lower diagram represents the transparency function resulting from both modulators 101, 102, sketched as envelope 205. The envelope 205 is the result of the two steepness-optimized edges, so that the envelope 205 as close as possible to the pass, with black level, pulse 201 c, while the dashed line indicates the temporal superimposition of both envelopes 202, 204, from which the envelope 205 results.

Anhand der Hüllkurve 202 ist zu erkennen, dass die nicht steile Öffnungsflanke, von Absorption auf Transparenz umschaltend, eine längere Attack Zeit in Anspruch nimmt als die Release Zeit der steilen Schließflanke, von Transparenz auf Absorption umschaltend.It can be seen from the envelope 202 that the non-steep opening edge, switching from absorption to transparency, takes a longer attack time than the steep closing edge release time, switching from transparency to absorption.

Wird die Zeit zwischen zwei Punkten, welche durch das Berühren der Zeitachse durch den Beginn und das Ende einer jeden Hüllkurve 202, 204, 205 entstehen, als Transparenzphase bezeichnet, so ist deutlich erkennbar, dass die resultierende Transparenzphase im unteren Diagramm infolge Hüllkurve 205 erfindungsgemäß deutlich verkürzt ist infolge zeitlich versetzter Ansteuerung der beiden Sektionen 101 und 102.If the time between two points, which arise by touching the time axis through the beginning and the end of each envelope 202, 204, 205, referred to as transparency phase, it is clearly seen that the resulting transparency phase in the lower diagram due to envelope 205 according to the invention clearly is shortened due to time-offset control of the two sections 101 and 102nd

Figur 3 stellt schematisch zwei Varianten einer elektrischen Schaltung zur Ansteuerung des elektro-optischen Tores dar, welche vorzugsweise im Halbleiterelement integriert sind. FIG. 3 schematically represents two variants of an electrical circuit for driving the electro-optical gate, which are preferably integrated in the semiconductor element.

Die Variante 300 zeigt ein aktives Element 304, vorzugsweise einen Transistor Q1, der mit einem elektrischen Modulationssignal 302 versorgt wird und dieses Signal 302 verstärkt zum Treiben eines elektro-optischen Tores 303, vorzugsweise ein RW-Modulator. G1 ist die Stromversorgung der Schaltung.The variant 300 shows an active element 304, preferably a transistor Q1, which is supplied with an electrical modulation signal 302 and amplifies this signal 302 for driving an electro-optical gate 303, preferably an RW modulator. G1 is the power supply of the circuit.

Die Signalform des Modulationssignals 302 kann grundsätzlich beliebig sein, doch vorzugsweise einen hysterese-, sinus- oder puls-förmigen Spannungs-Zeit-Verlauf aufweisen.The signal form of the modulation signal 302 can in principle be arbitrary, but preferably have a hysteresis, sinusoidal or pulse-shaped voltage-time characteristic.

Die Variante 301 zeigt ein aktives Element 307, vorzugsweise einen Transistor Q2, der mit einem elektrischen Modulationssignal 305 versorgt wird und dieses Signal 305 verstärkt zum Treiben des elektro-optischen Tores 306, vorzugsweise ein RW-Modulator. G2 ist die Stromversorgung der Schaltung.The variant 301 shows an active element 307, preferably a transistor Q2, which is supplied with an electrical modulation signal 305 and amplifies this signal 305 for driving the electro-optical gate 306, preferably an RW modulator. G2 is the power supply of the circuit.

In Zusammenhang mit dem oberen Pulsregime der Figur 2 ist die Schaltung 300 vorzugsweise als Ansteuerung des zweiten Modulators 102 mit Hüllkurve 204 zu verwenden, während die Schaltung 301 vorzugsweise als Ansteuerung des ersten Modulators 101 mit Hüllkurve 202 zu verwenden ist.In connection with the upper pulse regime of FIG. 2 For example, the circuit 300 is preferably to be used to drive the second modulator 102 with envelope 204, while the circuit 301 is preferably to be used to drive the first modulator 101 with the envelope 202.

Figur 4 stellt im Schaltbild 400 eine Anordnung dar, bei der der Modulator in einen Resonanzkreis einbezogen ist, mit einem elektrischen Steuersignal 402, welches baubedingt auf eine dem elektro-optischen Tor 403, vorzugsweise RW-Modulator, innewohnende parasitäre Induktivität L1 und parasitäre Kapazität C1 trifft. Der Vorteil dieser Anordnung ist, dass die geschwindigkeitsmindernde Wirkung der parasitären Elemente durch Resonanzbetrieb vermieden wird. Das Schaltbild 401 zeigt ein pulsförmiges Steuersignal 404, welches ein aktives Element 405 aus zwei Transistoren Q21, Q22 steuert, um ein elektro-optisches Tor 406, vorzugsweise einen RW-Modulator, zu treiben. G2 ist die Stromversorgung der Schaltung. Schaltbild 401 skizziert die Schaltung zweiter Transistoren im Gegentakt, wobei die symmetrische Stromversorgung nicht dargestellt, jedoch denkbar ist. Ebenso denkbar ist die Integration eines Bootstrap-Kondensators zwischen Source S und Gate G, um die parasitäre Kapazität des Transistors noch besser kompensieren zu können. FIG. 4 represents in the circuit diagram 400 an arrangement in which the modulator is included in a resonant circuit, with an electrical control signal 402, which due to the construction of the electro-optical port 403, preferably RW modulator, inherent parasitic inductance L1 and parasitic capacitance C1 strikes. The advantage of this arrangement is that the speed-reducing effect of the parasitic elements is avoided by resonance operation. The circuit diagram 401 shows a pulse-shaped control signal 404 which controls an active element 405 of two transistors Q21, Q22 to drive an electro-optic port 406, preferably an RW modulator. G2 is the power supply of the circuit. Circuit diagram 401 outlines the circuit of second transistors in push-pull, the symmetrical power supply not shown, but is conceivable. It is also conceivable to integrate a bootstrap capacitor between source S and gate G in order to be able to compensate the parasitic capacitance of the transistor even better.

Figur 5 zeigt eine schematische, perspektivische Darstellung einer bevorzugten Ausführungsvariante der erfindungsgemäßen Vorrichtung. Insbesondere offenbart Figur 5 ein Substrat 500 mit horizontal aufgeschichteten Funktionselementen wie z. B. untere Mantelschicht 501, unterer Teil des Wellenleiters 502, aktive Schicht 503 in welcher sich das Licht in Ausbreitungsrichtung 506 ausbreitet, oberer Teil des Wellenleiters 504, obere Mantelschicht 505. Ein erster Modulator 507 und ein zweiter Modulator 509 sind entlang eines Lichtausbreitungskanals 506 voneinander beabstandet angeordnet. Der Modulator 507 weist einen ersten Rippenwellenleiter 508 und der Modulator 509 weist einen zweiten Rippenwellenleiter 510 auf. Jeder Modulator 507, 509 umfasst elektrisch leitendes Material und ist dadurch elektrisch mit je einer (hier nicht dargestellten) Steuerschaltung (siehe Fig. 3 und 4) verbunden. FIG. 5 shows a schematic, perspective view of a preferred embodiment of the device according to the invention. In particular disclosed FIG. 5 a substrate 500 with horizontally stacked functional elements such. Lower cladding layer 501, lower part of waveguide 502, active layer 503 in which the light propagates in propagation direction 506, upper part of waveguide 504, upper cladding layer 505. A first modulator 507 and a second modulator 509 are along a light propagation channel 506 from each other spaced apart. The modulator 507 has a first ridge waveguide 508 and the modulator 509 has a second ridge waveguide 510. Each modulator 507, 509 comprises electrically conductive material and is thereby electrically connected to a control circuit (not shown) (see FIG Fig. 3 and 4 ) connected.

Der erste elektro-optische Modulator 507 und der zweite elektro-optische Modulator 508 werden erfindungsgemäß zeitlich versetzt angesteuert, so dass die Durchlasszeit (d.h. beide Modulatoren 507, 509 sind transparent) der erfindungsgemäßen Vorrichtung deutlich reduziert werden kann.According to the invention, the first electro-optical modulator 507 and the second electro-optical modulator 508 are actuated offset in time, so that the transmission time (ie both modulators 507, 509 are transparent) of the device according to the invention can be significantly reduced.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

100100
Bereich zur LichteinkopplungArea for light coupling
101101
erstes elektro-optisches Tor (erster Modulator)first electro-optical port (first modulator)
102102
zweites elektro-optisches Tor (zweiter Modulator)second electro-optical port (second modulator)
103103
Bereich zur LichtauskopplungArea for light extraction
104104
Achse entlang des optischen Wellenleiters (Lichtausbreitungsrichtung)Axis along the optical waveguide (light propagation direction)
105105
optischer Wellenleiteroptical waveguide
106106
(periodische) Pulsfolge(periodic) pulse train
107107
Trägersubstratcarrier substrate
201a201
erster Puls der Pulsfolge (durch ersten Modulator voll gedämpfter Lichtpuls, unselektiert)first pulse of the pulse sequence (by the first modulator fully attenuated light pulse, unselected)
201b201b
zweiter Puls der Pulsfolge (durch ersten Modulator teilweise gedämpfter Lichtpuls, unselektiert)second pulse of the pulse sequence (by the first modulator partially attenuated light pulse, unselected)
201c201c
dritter Puls der Pulsfolge (ungedämpfter Lichtpuls, selektiert)third pulse of the pulse sequence (undamped light pulse, selected)
201d201d
vierter Puls der Pulsfolge (durch zweiten Modulator teilweise gedämpfter Lichtpuls, unselektiert)fourth pulse of the pulse sequence (light pulse partially attenuated by second modulator, unselected)
201e201e
fünfter Puls der Pulsfolge (durch zweiten Modulator voll gedämpfter Lichtpuls, unselektiert)fifth pulse of the pulse sequence (by the second modulator fully attenuated light pulse, unselected)
202202
Hüllkurve der Schaltfunktion des ersten elektro-optischen TorsEnvelope of the switching function of the first electro-optical gate
204204
Hüllkurve der Schaltfunktion des zweiten elektro-optischen TorsEnvelope of the switching function of the second electro-optical gate
205205
Hüllkurve der resultierenden Schaltfunktion beider ToreEnvelope of the resulting switching function of both goals
ll
Intensität der LichtstärkeIntensity of light intensity
tt
Zeitachsetimeline
t1 t 1
Zeitpunkt des ersten Pulses der PulsfolgeTime of the first pulse of the pulse train
t2 t 2
Zeitpunkt des zweiten Pulses der PulsfolgeTime of the second pulse of the pulse train
t3 t 3
Zeitpunkt des dritten Pulses der PulsfolgeTime of the third pulse of the pulse train
t4 t 4
Zeitpunkt des vierten Pulses der PulsfolgeTime of the fourth pulse of the pulse train
t5 t 5
Zeitpunkt des fünften Pulses der PulsfolgeTime of the fifth pulse of the pulse train
t1M1 t 1M1
Flankenbeginn beim ersten ModulatorBeginning of the flank at the first modulator
t2M1 t 2M1
Flankenende beim ersten ModulatorFlank end at the first modulator
t3M2 t 3M2
Flankenbeginn beim zweiten ModulatorEdge beginning at the second modulator
t4M2 t 4M2
Flankenende beim zweiten ModulatorFlank end at the second modulator
300300
erste Treiberschaltungfirst driver circuit
301301
zweite Treiberschaltungsecond driver circuit
302302
erste Steuerspannung mit Rechteckpulsenfirst control voltage with square pulses
303303
erstes elektro-optisches Torfirst electro-optical gate
305305
zweite Steuerspannung mit Rechteckpulsensecond control voltage with square pulses
306306
zweites elektro-optisches Torsecond electro-optical gate
304304
erstes aktives Elementfirst active element
307307
zweites aktives Elementsecond active element
G1G1
Spannungsquellevoltage source
G2G2
Spannungsquellevoltage source
R1R1
komplexer Widerstandcomplex resistance
R2R2
komplexer Widerstandcomplex resistance
Q1Q1
Transistortransistor
Q2Q2
Transistortransistor
GG
Gate beim TransistorGate at the transistor
SS
Source beim TransistorSource at the transistor
DD
Drain beim TransistorDrain at the transistor
400400
Ersatzschaltbild mit parasitärer Induktivität und KapazitätEquivalent circuit diagram with parasitic inductance and capacitance
401401
Treiberschaltung mit GegentaktDriver circuit with push-pull
402402
erste Steuerspannung mit Sinusformfirst control voltage with sinusoidal shape
403403
erstes elektro-optisches Torfirst electro-optical gate
404404
zweite Steuerspannung mit Rechteckpulsensecond control voltage with square pulses
405405
aktives Elementactive element
406406
elektro-optisches Torelectro-optical gate
Q21Q21
Transistortransistor
Q22Q22
Transistortransistor
C1C1
parasitäre Kapazitätparasitic capacity
L1L1
parasitäre Induktivitätparasitic inductance
500500
Substratsubstratum
501501
Mantelschichtcladding layer
502502
Wellenleiterwaveguides
503503
aktive Schichtactive layer
504504
Wellenleiterwaveguides
505505
Mantelschichtcladding layer
506506
Ausbreitungsrichtung der LichtpulsePropagation direction of the light pulses
507507
erster Modulatorfirst modulator
508508
RippenwellenleiterRidge waveguide
509509
zweiter Modulatorsecond modulator
510510
RippenwellenleiterRidge waveguide

Claims (10)

Vorrichtung zur Selektion von Pulsen (106, 201 a, 201 b, 201 c, 201 d, 201 e), aufweisend: - einen optischen Wellenleiter (105) zum Führen einer optischen Strahlung längs einer Achse (104); - einen ersten elektro-optischen Modulator (101), der ausgebildet ist, die optische Transparenz des Wellenleiters (105) zu modulieren; und - einen zweiten elektro-optischen Modulator (102), der ausgebildet ist, die optische Transparenz des Wellenleiters (105) zu modulieren, wobei - der erste Modulator (101) und der zweite Modulator (102) entlang der Achse (104) des Wellenleiters (105) nacheinander angeordnet sind; und - weiterhin mindestens eine Steuerschaltung (300, 301, 400, 401) vorgesehen ist, die ausgebildet ist, den ersten Modulator (101) und den zweiten Modulator (102) zeitlich versetzt anzusteuern, dadurch gekennzeichnet, dass
ein Trägersubstrat aus einem halbleitenden Material vorgesehen ist, wobei der Wellenleiter (105) und die mindestens eine Steuerschaltung (300, 301, 400, 401) auf dem Trägersubstrat angeordnet sind.Pulse selection device (106, 201a, 201b, 201c, 201d, 201e), comprising: an optical waveguide (105) for guiding optical radiation along an axis (104); - A first electro-optical modulator (101) which is adapted to modulate the optical transparency of the waveguide (105); and a second electro-optical modulator (102), which is designed to modulate the optical transparency of the waveguide (105), in which - the first modulator (101) and the second modulator (102) are arranged successively along the axis (104) of the waveguide (105); and - Furthermore, at least one control circuit (300, 301, 400, 401) is provided, which is designed to control the first modulator (101) and the second modulator (102) offset in time, characterized in that
a carrier substrate made of a semiconductive material is provided, wherein the waveguide (105) and the at least one control circuit (300, 301, 400, 401) are arranged on the carrier substrate. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der optische Wellenleiter (105) - einen ersten Bereich (100) zur Lichteinkopplung und - einen zweiten Bereich (103) zur Lichtauskopplung aufweist, wobei der erste Modulator (101) und der zweite Modulator (102) zwischen dem ersten Bereich (100) zur Lichteinkopplung und dem zweiten Bereich (103) zur Lichtauskopplung angeordnet sind.Device according to Claim 1, characterized in that the optical waveguide (105) - A first area (100) for light coupling and - A second area (103) for light extraction wherein the first modulator (101) and the second modulator (102) are arranged between the first region (100) for coupling in the light and the second region (103) for emitting light. Vorrichtung nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass
der erste Modulator (101) und/oder der zweite Modulator (102) durch eine Halbleiter-Struktur ausgebildet ist.Device according to at least one of the preceding claims, characterized in that
the first modulator (101) and / or the second modulator (102) is formed by a semiconductor structure. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Modulator (101) und/oder der zweite Modulator (102) durch einen Ridge-Waveguide-Halbleiter ausgebildet ist.Apparatus according to claim 3, characterized in that the first modulator (101) and / or the second modulator (102) is formed by a ridge waveguide semiconductor. Vorrichtung nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass
die Vorrichtung als monolithisch integriertes elektro-optisches Element ausgebildet ist.Device according to at least one of the preceding claims, characterized in that
the device is designed as a monolithically integrated electro-optical element. Vorrichtung nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass
weiterhin ein elektro-optischer Verstärker vorgesehen ist, der mit dem Wellenleiter (105) verbunden ist.Device according to at least one of the preceding claims, characterized in that
Furthermore, an electro-optical amplifier is provided, which is connected to the waveguide (105). Vorrichtung nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass
mehrere Modulatoren parallel geschaltet sind.Device according to at least one of the preceding claims, characterized in that
several modulators are connected in parallel. Verfahren zur Selektion von optischen Pulsen (201 a, 201 b, 201 c, 201 d, 201 e) mit verbesserter Flankensteilheit mit einer Vorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, mit folgenden Verfahrensschritten: - Einkoppeln einer Pulsfolge (201 a, 201 b, 201 c, 201 d, 201 e) in den optischen Wellenleiter (105); - steuerbares Absorbieren von Teilen der Pulsfolge (201a, 201d, 201e) im ersten elektro-optischen Modulator (101); und - steuerbares Absorbieren von Teilen der modulierten
Pulsfolge (201 a, 201 b, 201 e) im zweiten elektro-optischen Modulator (102), dadurch gekennzeichnet, dass - der erste Modulator (101) auf Transparenz geschaltet ist, während (t3M2) der zweite Modulator (102) von Absorption auf Transparenz umgeschaltet wird; - der zweite Modulator (102) auf Transparenz geschaltet ist, während (t2M1) der erste Modulator (101) von Transparenz auf Absorption umgeschaltet wird; - eine Flanke (t3-t2M1), mit welcher der erste Modulator (101) von Transparenz auf Absorption umschaltet, steiler ist als eine Flanke (t3-t4M2), mit welcher der zweite Modulator (102) von Transparenz auf Absorption umschaltet; sowie - eine Flanke (t3M2-t3), mit welcher der zweite Modulator (102) von Absorption auf Transparenz umschaltet, steiler ist als eine Flanke (t1M1-t3), mit welcher der erste Modulator (101) von Absorption auf Transparenz umschaltet. Method for the selection of optical pulses (201 a, 201 b, 201 c, 201 d, 201 e) with improved edge steepness with a device according to one of the preceding claims, with the following method steps: - Coupling a pulse train (201 a, 201 b, 201 c, 201 d, 201 e) in the optical waveguide (105); controllably absorbing parts of the pulse train (201a, 201d, 201e) in the first electro-optical modulator (101); and - controllable absorbing of parts of the modulated
Pulse train (201 a, 201 b, 201 e) in the second electro-optical modulator (102), characterized in that - the first modulator (101) is switched to transparency, while (t 3M2 ) the second modulator (102) is switched from absorption to transparency; - the second modulator (102) is switched to transparency, while (t 2M1 ) the first modulator (101) is switched from transparency to absorption; an edge (t 3 -t 2M1 ), with which the first modulator (101) switches from transparency to absorption, is steeper than an edge (t 3 -t 4M2 ), with which the second modulator (102) of transparency to absorption switches; such as an edge (t 3M2 -t 3 ), with which the second modulator (102) switches from absorption to transparency, is steeper than an edge (t 1M1 -t 3 ), with which the first modulator (101) from absorption to transparency switches. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass eine periodische Pulsfolge (201 a, 201 b, 201 c, 201 d, 201 e) in den optischen Wellenleiter (105) eingekoppelt wird und die Periodendauer (t2-t1, t3-t2, t4-t3, t5-t4) der Pulsfolge (201 a, 201 b, 201 c, 201 d, 201 e) größer ist als der zeitliche Abstand zwischen - einem Zeitpunkt (t3M2), an dem der zweite Modulator (102) von Absorption auf Transparenz umgeschaltet wird; und - einem Zeitpunkt (t2M1), an dem der erste Modulator (101) von Transparenz auf Absorption umgeschaltet wird. Method according to Claim 8, characterized in that a periodic pulse train (201a, 201b, 201c, 201d, 201e) is coupled into the optical waveguide (105) and the period (t 2 -t 1 , t 3 - t 2 , t 4 -t 3 , t 5 -t 4 ) of the pulse train (201 a, 201 b, 201 c, 201 d, 201 e) is greater than the time interval between a time (t 3M2 ) at which the second modulator (102) is switched from absorption to transparency; and a time (t 2M1 ) at which the first modulator (101) is switched from transparency to absorption. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 und 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Periodendauer (t2-t1, t3-t2, t4-t3, t5-t4) der Pulsfolge (201 a, 201 b, 201 c, 201 d, 201 e) kleiner ist als der zeitliche Abstand zwischen - einem Zeitpunkt (t1M1), an dem der erste Modulator (101) von Absorption auf Transparenz umgeschaltet wird; und - einem Zeitpunkt (t3M2), an dem der zweite Modulator (102) von Absorption auf Transparenz umgeschaltet wird. Method according to one of Claims 8 and 9, characterized in that the period duration (t 2 -t 1 , t 3 -t 2 , t 4 -t 3 , t 5 -t 4 ) of the pulse sequence (201 a, 201 b, 201 c, 201 d, 201 e) is smaller than the time interval between a time (t 1M1 ) at which the first modulator (101) is switched from absorption to transparency; and a time (t 3M2 ) at which the second modulator (102) is switched from absorption to transparency.
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