WO1997031508A1 - Element electroluminescent organique et procede de fabrication - Google Patents

Element electroluminescent organique et procede de fabrication Download PDF

Info

Publication number
WO1997031508A1
WO1997031508A1 PCT/JP1997/000508 JP9700508W WO9731508A1 WO 1997031508 A1 WO1997031508 A1 WO 1997031508A1 JP 9700508 W JP9700508 W JP 9700508W WO 9731508 A1 WO9731508 A1 WO 9731508A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
insulating film
interlayer insulating
substrate
lower electrode
counter electrode
Prior art date
Application number
PCT/JP1997/000508
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Masahide Matsuura
Mitsuru Eida
Chishio Hosokawa
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Idemitsu Kosan Co., Ltd. filed Critical Idemitsu Kosan Co., Ltd.
Priority to US09/117,286 priority Critical patent/US6175186B1/en
Priority to DE69740011T priority patent/DE69740011D1/de
Priority to KR10-1998-0706529A priority patent/KR100453427B1/ko
Priority to KR10-2004-7008847A priority patent/KR100500078B1/ko
Priority to EP97904615A priority patent/EP0884930B1/en
Priority to JP52999497A priority patent/JP3247388B2/ja
Publication of WO1997031508A1 publication Critical patent/WO1997031508A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8428—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8723—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/874—Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes

Definitions

  • the present invention relates to an organic electroluminescence element, and more particularly, to an organic electroluminescence element which has high definition and uniform light emission when used in a display or the like, and is resistant to external pressure.
  • Sense element hereinafter referred to as
  • organic EL device This may be abbreviated as “organic EL device”.
  • the sealing plate when the sealing plate is thin, the sealing plate may come into contact with the element due to an impact or an external pressure and may be damaged.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-250583 discloses an element having an interlayer insulating film, which has good pattern accuracy and high uniformity of a light emitting surface. However, it was difficult to produce a high-definition display with a line pitch of 300 m or less because mask evaporation was used to fabricate the counter electrode.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. HEI 5-10884 discloses an element having an interlayer insulating film, the outer surface of which is covered with a moisture-proof film. However, this device has a problem in that the cathode is attacked by moisture and oxygen after leaving it for thousands of hours because of the insufficient sealing force of the moisture-proof film, and dark spots (light emission defects) occur. Was.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 5-2771572 discloses a high-definition display having a line pitch of about 100 m by providing a wall-shaped interlayer insulating film and forming a cathode by oblique vapor deposition. I have. However, since the metal composition of the edge of the electrode (the end farther from the interlayer insulating film) generated by the oblique vapor deposition shifts, it causes a minute short and has been a problem ( disclosed in the invention).
  • the present invention overcomes the drawbacks of the conventional technology, and has high definition, uniform emission, no crosstalk, high resistance to external pressure, and excellent sealing.
  • the purpose of the present invention is to provide a sensing element.
  • the present inventors have conducted intensive studies to achieve the above object- an element having a vertically steep interlayer insulating film, and further having a sealing plate on the top, has a high pattern accuracy, We have found that it is a high-definition display without crosstalk, and that it is inexpensive and can be made smaller and thinner.
  • the present invention has been completed based on such findings.
  • the first invention is the organic electroluminescent device 1 in which the organic layer 5 including the light emitting layer is provided between the lower electrode 3 and the counter electrode 4 on the substrate 2, Is provided with an interlayer insulating film 6 having a water absorption of 0.1% or less, and a difference portion 9 of the interlayer insulating film 6 defines a boundary between a light emitting element portion and a non-light emitting element portion. Is below It is confirmed that there is a portion which stands almost perpendicularly to the surface of the electrode 3 and that a sealing plate or a sealing lid 7 is bonded to the substrate 2 via the adhesive layer 8 on the inter-brows insulating film 6. It is intended to provide an organic electroluminescent element having a characteristic (see Fig. 1).
  • a step of providing an organic layer 5 on a substrate on which a lower electrode 3 is provided on a substrate 2, and a patterned interlayer insulating film 6 is provided on the lower electrode 3, and a counter electrode 4 are provided.
  • the step 9 of the interlayer insulating film 6 defines the boundary between the light emitting element portion and the non-light emitting element portion, There is a portion where the difference portion 9 stands substantially perpendicularly to the surface of the lower electrode 3, and the opposing electrode 4 is disconnected at the portion at the difference portion 9 and is patterned.
  • An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an organic electroluminescent element, wherein the opposing electrode 4 and the interlayer insulating film 6 are adhered to each other at the end of the difference portion 9 on the side of the substrate 2.
  • an organic electroluminescent element 1 having an organic layer 5 including a light emitting layer interposed between a lower electrode 3 and a counter electrode 4 on a substrate 2.
  • an inter-layer insulating film 6 having a water absorption of 0.1% or less, and the cross section 9 of the inter-layer insulating film 6 is set up almost perpendicularly to the surface of the lower electrode 3 to form an inverted taper.
  • the opposing electrode 5 is separated into a plurality of independent parts, and a sealing plate or a sealing lid 7 is bonded to the substrate 2 via the adhesive layer 8 on the interlayer insulating film 6. It is intended to provide an organic electroluminescence element characterized by the following.
  • the fourth invention is an organic electroluminescent device in which an organic layer 5 including a light emitting layer is provided between a lower electrode 3 and a counter electrode 4 on a substrate 2.
  • a first interlayer insulating film 15 having a trapezoidal cross section is provided on the lower electrode 3 which is a non-light emitting element portion, and an upper portion of the trapezoidal cross section (opposite the lower electrode 3)
  • the second interlayer insulating film 14 is provided on the lower electrode 3, and there is a portion where the difference portion 9 of the second interlayer insulating film 14 stands almost perpendicularly to the surface of the lower electrode 3. 5 is separated and independent, and a sealing plate or a sealing lid 7 is bonded on the interlayer insulating film 14 to the substrate 2 via an adhesive layer 8. It provides an electroluminescent element (see Fig. 2).
  • the cross section of the first interlayer insulating film 15 is trapezoidal and the upper part of the trapezoidal cross section (the lower electrode 3 On the other side), a second interlayer insulating film 14 is provided, and there is a portion where the difference portion 9 of the second interlayer insulating film 14 is cut substantially perpendicularly to the surface of the lower electrode 3.
  • a method for producing an organic electroluminescence element comprising a step of forming a film of the counter electrode 4 so that the counter electrode 4 is patterned at the location.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of the organic EL device of the first invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the organic EL device of the fourth invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of an interlayer insulating film on a substrate.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the counter electrode during oblique deposition.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view after the counter electrode is deposited in the present invention.
  • FIG. 6 is a sectional view of an interlayer insulating film and the like according to the third invention.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view at the time of forming an interlayer insulating film.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of the photo resist after patterning.
  • FIG. 9 is a sectional view at the time of etching removal in a patterning step.
  • FIG. 10 is a sectional view of an interlayer insulating film.
  • FIG. 11 is a three-dimensional view when two interlayer insulating films are formed.
  • Fig. 12 is a view of the X-Y matrix when viewed from above.
  • Fig. 13 is a cross-sectional view of the X-Y matrix.
  • Fig. 14 is a circuit diagram in the case of active matrix drive.
  • FIG. 15 is a plan view showing an example of active matrix drive. In the above figure, each symbol is as follows.
  • an organic EL element has a configuration in which a current-carrying organic layer is interposed between a pair of lower electrodes and a counter electrode.
  • a portion where an insulating film is interposed between the lower electrode and the counter electrode cannot emit light because no current flows. This portion becomes a non-light emitting element portion.
  • Such an insulating film is called an interlayer insulating film, and a technique for patterning a light emitting element by patterning the interlayer insulating film is known (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-250583). No.).
  • the non-light-emitting element portion provided with the interlayer insulating film and the non-light-emitting element portion not provided with the interlayer insulating film have a substantially perpendicularly staggered portion of the interlayer insulating film located at a boundary separating the non-light-emitting element portion. Is required.
  • h the height of the interlayer insulating film
  • W 2 the shape of the interlayer insulating film, the following formula ⁇ W 2 — W!
  • a ⁇ (hZ7) is preferable, and a ⁇ (h / 10) is particularly preferable.
  • the case where a ⁇ 0 when processed into an inverted tape shape is one of the particularly preferred embodiments of the present invention.
  • the preferred range of the height h of the interlayer insulating film is 0.5 ⁇ m to 50 / m. In this range, the counter electrode 4 is disconnected at the step 9 of the interlayer insulating film, and 4 can be patterned.
  • the facing electrode 4 naturally breaks at the difference portion 9 without using a special method such as oblique vapor deposition.
  • the electrode 4 can be patterned.
  • the opposing electrode 4 of the light emitting element portion is in contact with the cross section of the adjacent interlayer insulating film 6 at the pattern processed portion.
  • the feature of the first and second inventions is that there is no counter electrode 4 apart from the cross section, and the advantages of the present invention are brought out (FIG. 5). The effect of this is as follows. (a) Since the pattern of the interlayer insulating film 6 directly determines the four patterns of the counter electrode, the pattern accuracy is extremely excellent. Therefore, accuracy of several meters is possible.
  • the counter electrode 4 is disconnected at the difference portion 9, and the patterning of the counter electrode can be performed.
  • the deposition is prevented from adhering to the difference portion 9, and the wire can be more reliably disconnected.
  • the advantages of the third invention are the same as those of the above (a) and (b), and enable high-definition and high-density cathode patterning.
  • the counter electrode 4 must not cover the organic layer 5 and must not be short-circuited to the lower electrode 3.
  • the light emitting pattern is determined by providing 15, and the counter electrode 4 is patterned by the second interlayer insulating film 14 that is cut almost vertically.
  • the reason why the first interlayer insulating film 15 is used is as follows. This is to ensure that even when the contact between the electrode and the counter electrode is poor, defects such as short circuits caused by the edge are excluded from the light emitting element portion so that no current is supplied.
  • the second interlayer insulating film 14 may be of a reverse taper type, or may satisfy a ⁇ (h / 10) as described above.
  • the material of the interlayer insulating film used in the present invention needs to be a material capable of high-definition patterning.
  • various insulating polymers, insulating oxides, insulating nitrides, and insulating sulfides are preferably used.
  • Particularly preferred polymers are fluorinated polyimides, polyolefins, fluorinated polymers, polyquinolines, etc., and particularly preferred oxides are SiO x (1 ⁇ x ⁇ 2).
  • S i Omicron 2 full Tsu-containing system added S i 0 2, a 1 2 O a, and the like, is preferred correct nitride S i N y
  • an interlayer insulating film having low hygroscopicity in addition to insulating properties is more preferably used.
  • Particularly preferred interlayer insulating film 6 has a moisture absorption (water absorption) of 0.1% or less.
  • water absorption water absorption
  • a polymer having low hygroscopicity because it is particularly excellent in processing.
  • Particularly preferred is a fluorine-based or polyolefin-based interlayer insulating film.
  • the hygroscopicity can be evaluated as a water absorption rate in accordance with, for example, ASTM standard D570.
  • the interlayer insulating film does not particularly require the photosensitive function, If you have it, you may be able to do a photo resograph without using a photo register, which may be convenient. Photosensitized products are commercially available irrespective of polymer or inorganic oxide.
  • a polymer solution or a polymer precursor solution is applied, and the film is formed by spin coating, dipping, etc. (Fig. 7).
  • the insulating material is an oxide, vapor deposition, CVD, plasma CVD, ECR-Various film forming methods such as CVD, sputtering, ECR-sputtering, etc. can be used.
  • Photoresist patterning is performed by using various types of photo-resist and exposing it to further development.
  • the photo resist and exposure method are selected according to the required pattern definition and precision.
  • Various methods are known as the exposure method. For example, there are a contact exposure method and a reduction exposure method.
  • the portions where no photoresist is left are removed by etching using various etching methods (Fig. 9).
  • the etching method include a wet etching method in which the interlayer insulating film is dissolved and removed with a solvent, and a dry etching method in which the interlayer insulating film is decomposed and removed by plasma or the like. To cut up on the face of The licensing method is preferred.
  • etching gas When using a dry etching method, it is important to select an etching gas.
  • polymers such as fluorinated polyimide, polyolefin, and polyquinoline, it is preferable to use oxygen plasma for etching.
  • oxygen plasma for etching.
  • full Tsu Motokei Po Li-mer such as full Tsu iodized S i 0 2, S i 0 2, A 1 2 O 3 is obtained by La di Cal by plasma off Tsu of carbonization gas and the etching gas It is preferable to use it.
  • fluorinated carbon gas CHF 3 , CF 4 and the like are particularly preferable. It is also preferable to use a boron halide gas and to use a mixture of oxygen, argon, and the like with a fluorocarbon gas.
  • the manufacturing process of the interlayer insulating film can be completed, but another method exists.
  • the paste mixed with the oxide is formed into a film formation pattern by screen printing or the like, and then fired at a temperature of several hundred degrees to produce a patterned interlayer insulating film.
  • an alkali metal-containing alloy or an alkaline earth metal-containing alloy is preferred.
  • Particularly preferred alloys are: Mg: Ag, A1: Li, Pb: Li, Zn: Li, Bi: Li, In: Li, A1: Ca. And so on. These are relatively corrosion resistant and are known to have low work functions.
  • a vapor deposition method and a sputtering method are preferably used, and a particularly preferable method is the vapor deposition method.
  • the counter electrode 4 When the counter electrode 4 is used as an anode, it is preferable to use a transparent oxide. Particularly preferred are I T O, Z n 0: A 1,
  • Sn02 Sb, InZnO (indium zinc oxide).
  • the sealing plate 7 is located on the interlayer insulating film 6 or the second interlayer insulating film 14.
  • a preferable material of the sealing plate or the sealing lid 7 is glass or an oxide or a nitride ceramic thin plate.
  • the preferred thickness of the sealing plate or sealing lid 7 is 5 // ⁇ ! ⁇ 2 mm.
  • a sealing plate having a thickness of 50 m or less is preferable.
  • the interlayer insulating film 6 or the second interlayer insulating film 14 serves as a pillar to prevent contact between the sealing plate 7 and the element body.
  • the thickness of the entire organic EL element 1 can be reduced by reducing the thickness of the sealing plate 7, and there is no problem even if the sealing plate 7 is set to about 50 m or less.
  • sealing plate More preferable aspects of the sealing plate are as follows.
  • a moisture-absorbing layer is provided inside the sealing plate 7 (the outside is in contact with the outside of the element).
  • the moisture absorbing layer include a moisture absorbing polymer, a layer in which the moisture absorbing polymer and the moisture absorbing agent are mixed, and a layer in which the moisture absorbing agent is fixed to the inside of the sealing plate by a resin cured by ultraviolet light or heat.
  • the hygroscopic polymer include polyamide, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, and the like.
  • dehydrated nitrogen, carbon dioxide, helium, or the like can be suitably used as a sealing gas.
  • the color purity of light emission can be increased or the contrast can be increased by inserting a color filter on the sealing plate.
  • the color purity of the emitted light can also be increased by inserting a color filter in the sealing layer and above the counter electrode, or Contrast can be increased.
  • the emission color can be converted by inserting a color conversion film on the sealing plate or inside the sealing layer above the counter electrode.
  • the colors that can be converted are blue to red or orange, green to red or orange, and blue to green or white.
  • the color conversion film is patterned, and a film that converts to green and a film that converts to red may be separated and juxtaposed.
  • the cross-sectional shapes of the interlayer insulating film 6 and the second interlayer insulating film 14 are substantially the same as those of the three aspects (a), (b), and (b) shown in FIG. (c) etc. exist.
  • the range of IaI ⁇ (h / 7) is preferable.
  • the mode of (b) or (c) is the case of a ⁇ 0, and is characterized by being processed into a reverse taper type, which is one of the preferable modes of the present invention. This is because the opposite electrode is surely disconnected at the gap.
  • the present invention there is a gap in the interlayer insulating film, but it is also possible to create a portion where the counter electrode 4 is not disconnected. For example, if taper processing of a> (h / 5) is performed on the difference portion 9, it is not necessary to disconnect the counter electrode 4.
  • the light emitting element portion is formed by cutting the first layer film vertically by cutting it up, and by tapering the second layer film.
  • the opening of the interlayer insulating film there is a portion surrounded by a steep cross section and a tapered cross section as shown in FIG. At this steep portion, the counter electrode is disconnected, but not at the tapered cross section.
  • the fourth and fifth inventions take advantage of these facts. That is, the first interlayer insulating film 15 has a trapezoidal cross section so as not to disconnect the opposing electrode. Is used to determine The second interlayer insulating film 14 has a steep difference, so that the opposing electrode is disconnected, and patterning can be performed using this.
  • a vapor deposition mask can be applied so as not to form the counter electrode 4 on the interlayer insulating film (Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-250583). Therefore, it is possible to form a portion where the counter electrode 4 does not exist on the interlayer insulating film.
  • the present invention as described above can be suitably used, for example, in the following embodiments.
  • a large number of lower electrodes 3 are formed as parallel strip-type electrodes, and a large number of interlayer insulating films of the present invention are formed as stripes perpendicular to the stripes. It is possible. At this time, if the present invention is used, an XY type matrix can be formed.
  • Fig. 12 is a view of such an X-Y matrix when observed from above
  • Fig. 13 is a cross-sectional view of the X-Y matrix. .
  • the XY type matrix described in the above (i) does not need to be formed. However, even in such a case, the device of the present invention can be used. Configurations can be used.
  • the circuit shown in Fig. 14 is incorporated for each pixel.
  • the opening of the interlayer insulating film of the present invention is provided only in the portion corresponding to the end portion 25 and the pixel electrode in the configuration of the circuit arrangement of FIG.
  • the counter electrode on 20), DATA (21), and COMMON (22) and the counter electrode on the pixel electrode are insulated by the interlayer insulating film.
  • interlayer insulation film do not have a vertical gap unlike the interlayer insulating film of the present invention, so that the electrode lines above the interlayer insulating film are not broken. Therefore, in the present invention, an interlayer insulating film having a non-perpendicular difference may be partially used.
  • Nippon Zeon ZCOAT-1410 is spin-coated on a glass substrate 2 (0.5 mm thick) holding ITO stripped at a pitch of 300 m (ITO is the lower electrode). A film was formed. The rotation speed at this time was 1500 rpm, and rotation was performed for 35 seconds. The film thickness was 5.3 m.
  • ZCOAT-1410 is a photosensitive polyolefin-based negative type resist.
  • Example 3 Organic EL element production and evaluation of definition
  • Example 1 The sample prepared in Example 1 was washed with isopropyl alcohol for 3 minutes with ultrasonic waves, and further washed for 30 minutes with a combined use of UV and ozone. Next, the sample was placed in a commercially available (manufactured by Nippon Vacuum Engineering Co., Ltd.) vacuum distillation apparatus and fixed to the substrate holder. N, N'-diphenyl N, N'-bis- (3-methylphenyl) -1- [1,1'-biphenyl] _4,4,4 One Jimin
  • TPD tris (8-hydroxyquinolinol) aluminum
  • one strip of ITO and one of Mg: Ag are selected from the stripline, and a voltage of 7 V is applied with ITO being the positive pole and Mg: Ag being the negative pole.
  • ITO being the positive pole
  • Mg Ag being the negative pole.
  • the non-luminous state of the edge of the stripline was examined, and it was found that the non-luminous width was 3 m or less, and the edge was well defined.
  • the sealing plate was pressed with a finger to check for short-circuiting of the element.
  • a photosensitive polyimide coating agent (TOR3, UR 3140) was spin-coated on a glass having the same stripe ITO lower electrode used in Example 1 by spin coating. It was applied at 0 rpm for 30 seconds. Next, drying was performed at 80 ° C. for 60 minutes, and exposure was performed through a photomask of a light emitting pattern. The exposed layer was 8 OmJ o
  • a fluororesin solution that can form a fluororesin interlayer insulating film with a water absorption of 0.01% or less (conforms to ASTM standard D570) (Asahi Glass Co., Ltd .: Top CTX— 809) was spin-coated at 600 revolutions for 30 seconds to form a 4.8 m-thick film.
  • the substrate 2 is the same as that used in the first embodiment.
  • Tokyo Ohka's positive photo resist TOPR-10000 was applied by spin coating. The conditions were 300 revolutions for 20 seconds. Next, it was dried on a pot plate at 110 ° C. for 90 seconds. Next, it was exposed to g-line. Condition 5 0 0 mw / cm 2 irradiation at a c-subsequent one second, and developed.
  • the gas used for etching was a mixed gas of CF 4 , CHF a, and Ar, the flow rate was 24, 24, 98 SCC m, the degree of vacuum was 0.5 Torr, and the plasma output was It was 300 W. Etching was performed for 50 minutes.
  • the exposure pattern was such that the interlayer insulating film having a width of 50 m was arranged at a pitch of 350 m, and remained as a linear line perpendicular to the ITO pattern.
  • the film was cured in a clean oven at 200 ° C for 1 hour to produce an interlayer insulating film.
  • An organic EL device was manufactured in the same manner as in Example 3 using the sample manufactured in Example 5. The pattern accuracy was evaluated in the same manner as in Example 3. Valued.
  • Example 7 Organic EL element production and evaluation of definition
  • Example 4 a positive photoresist TOPR-100 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. was formed. After exposure and development, the striped IT 0 A pattern with a vertical opening line was left behind. The width of the opening line was 280 m and the pitch was 300 m.
  • the SiO used here as an interlayer insulating film had an extremely low water absorption and was less than 0.01%.
  • Example 3 An organic EL device was fabricated and evaluated in the same manner as in Example 3. The pattern accuracy was as good as 1 m or less. The patterning of the counter electrode was good.
  • Example 8 Organic EL device production and evaluation of definition
  • Example 4 a positive type photo resist TOPR-100 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. was formed. After exposure and development, the striped IT 0 A pattern with a vertical opening line was left behind. The width of the opening line was 280 ⁇ m and the pitch was 350 ⁇ m.
  • the photo resist was heated to 150 ° C. for each substrate so that the cross section of the photo resist became semi-cylindrical.
  • etching was performed by a plasma etcher.
  • the etching conditions used were a gas mixture of CF 4 , CHF 3, and Ar in a ratio of 1: 1: 8 (volume ratio), a degree of vacuum of 0.2 Torr, and a plasma output of 200 W. .
  • the photoresist was separated to form a first interlayer insulating film.
  • the photo-resist having a semi-cylindrical cross section has a trapezoidal cross section of the first interlayer insulating film. That's why.
  • Sio was processed into a trapezoidal shape by plasma etching.
  • ZCOAT-1410 was formed on the first interlayer insulating film in the same manner as in Example 5 to form a second interlayer insulating film.
  • the water absorption of the first interlayer insulating film and the second interlayer insulating film used here was extremely low at 0.01% or less.
  • the organic EL device of the present invention is an organic electroluminescent device having high definition, uniform light emission, no crosstalk, strong resistance to external pressure, and excellent sealing.
  • Such an organic EL device of the present invention is suitably used, for example, for high-definition, uniform light-emitting displays for office automation equipment and watches.

Description

明 細 書 有機エ レク ト ロル ミ ネ ッ セ ンス素子及びその製造方法
技術分野
本発明は有機エレク トロル ミ ネ ッ セ ンス素子に関し、 さ らに詳し く は、 ディ スプレイ等に用いた場合に高精細で均一発光であり、 外 部からの圧力にも強い有機エレク トロル ミ ネ ッ セ ンス素子 （以下、
「有機 E L素子」 と略記する場合がある） に関するものである。
背景技術
従来、 有機エレク トロル ミ ネ ッ セ ンス素子がディ スプレイ用途と して、 盛んに開発が行われている。 ディ スプレイ用途では、 有機 E L素子のパターンニングの高精細さ、 発光面の均一性， 発光面のェ ッ ジの精密性等が要求されている。 さ らに、 電極エッ ジにおいては、 微小なショー 卜が起きやすく 、 表示のクロス トークの原因になって おり、 これらの課題の解決をも要求されている。 また、 封止には、 封止扳を基板に貼り合わせた素子が知られているが、 ディ スプレイ には薄型化の要求があり、 これら封止扳も薄く なる傾向にある。
しかしながら、 封止板が薄い場合、 衝撃や外部からの圧力で封止 板が素子に接触して、 破損することもあり問題であった。
特開平 3 — 2 5 0 5 8 3号公報には、 層間絶縁膜を備えた素子で あって、 パター ン精度が良好で発光面の均一性が高い素子が開示さ れている。 しかし、 対向電極の作製には、 マスク蒸着を用いている ため、 ライ ンピッチが 3 0 0 m以下の高精細なディ スプレイの作 製が困難であつた。 特開平 5 — 1 0 1 8 8 4号公報には、 層間絶縁膜を備えた素子で あって、 外表面を防湿性フ ィ ルムで覆った素子が開示されている。 しかし、 この素子は、 防湿性フ ィルムの封止力が不十分なため、 数 千時間の放置後、 水分や酸素によって陰極が侵され、 ダークスポッ 卜 （発光の欠陥） が生じて問題となっていた。
特開平 5 — 2 7 5 1 7 2号公報には、 壁状の層間絶縁膜を設け、 斜め蒸着により陰極を形成することによりライ ンピッチが 1 0 0 m程度の高精細ディ スプレイが開示されている。 しかし、 斜め蒸着 によって生じる電極のエッ ジ （層間絶縁膜より離れている端） の合 金組成がずれるため、 微小ショー 卜の原因となり問題となつていた ( 発明の開示
本発明は、 このような従来技術がもつ欠点を克服し、 高精細， 均 —発光であり、 クロス トークがなく、 外部からの圧力に強く、 さら に封止にも優れた有機エレク トロル ミ ネ ッセンス素子の提供を目的 とするものである。
本発明者らは、 前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果- 垂直で切り立った層間絶縁膜を備え、 さ らにその上部に封止板を備 えた素子が、 パターン精度が良く、 クロス トークのない高精細ディ スプレイであり、 かつ安価で小型化， 薄肉化が可能であることを見 出した。 本発明は、 かかる知見に基づいて完成したものである。
すなわち、 第 1 の発明は、 基板 2上の下部電極 3 と対向電極 4 と の間に、 発光層を含む有機層 5を介在して設けてある有機エレク ト 口ルミネッセンス素子 1 において、 非発光素子部には吸水率が 0. 1 %以下の層間絶縁膜 6が設けてあり、 層間絶縁膜 6の断差部分 9が 発光素子部分と非発光素子部分の境界を規定し、 該断差部分 9が下 部電極 3 の面に対しほぼ垂直に切り立っている箇所が存在しており 該眉間絶縁膜 6上に封止板又は封止蓋 7が基板 2 に接着層 8を介し て貼り合わせてあることを特徴とする有機エレク トロルミネッセ ン ス素子を提供するものである （図 1参照） 。
第 2の発明は、 基板 2上に下部電極 3を設けてあり、 該下部電極 3上にパターン加工された層間絶縁膜 6が設けてある基板に、 有機 層 5を設ける工程及び対向電極 4 を製膜する工程をそれぞれ少なく とも 1 回含む有機エレク トロル ミ ネ ッ セ ンス素子 1 の製造において 該層間絶縁膜 6の断差部分 9が発光素子部分と非発光素子部分との 境界を規定し、 該断差部分 9がほぼ下部電極 3の面に対しほぼ垂直 に切り立つている箇所が存在しており、 該箇所で対向電極 4が断差 部分 9で断線しパター ン加工されるとともに、 該断差部分 9 の基板 2側の端で対向電極 4 と層間絶縁膜 6 とが密着するように付着する ことを特徴とする有機エレク トロル ミ ネ ッ センス素子の製造方法を 提供するものである。
第 3の発明は、 基板 2上の下部電極 3 と対向電極 4 との間に、 発 光層を含む有機層 5を介在して設けてある有機エレク トロルミ ネッ センス素子 1 において、 非発光素子部には吸水率が 0. 1 %以下の層 間絶縁膜 6が設けてあり、 層間絶縁膜 6 の断差部分 9が下部電極 3 の面に対しほぼ垂直に切り立って逆テーパー型になっている箇所が 存在しているとともに、 対向電極 5を複数に分離独立するようにな つており、 該層間絶縁膜 6上に封止板又は封止蓋 7が基板 2 に接着 層 8を介して貼り合わせてあることを特徴とする有機エレク トロル ミネッセ ンス素子を提供するものである。
第 4の発明は、 基板 2上の下部電極 3 と対向電極 4 との間に、 発 光層を含む有機層 5を介在して設けてある有機エレク トロルミ ネ ッ センス素子 1 において、 非発光素子部である下部電極 3上に、 断面 が台形状の第 1層間絶縁膜 1 5が設けてあり、 且つ、 該台形状断面 の上部 （下部電極 3の反対側） に第 2層間絶縁膜 1 4が設けてあり 該第 2層間絶縁膜 1 4 の断差部分 9が下部電極 3 の面に対しほぼ垂 直に切り立つている箇所が存在しているとともに、 対向電極 5を複 数に分離独立するようになっており、 該層間絶縁膜 1 4上に封止板 又は封止蓋 7が基板 2 に接着層 8を介して貼り合わせてあることを 特徴とする有機ェレク トロル ミ ネ ッ センス素子を提供するものであ る （図 2参照） 。
第 5 の発明は、 基板 2上に下部電極 3を設けてあり、 該下部電極 3上にパターン加工された層間絶縁膜が設けてある基板に、 有機層 5 を設ける工程及び対向電極 4 を製膜する工程をそれぞれ少なく と も 1 回含む有機エレク トロル ミ ネ ッ センス素子 1 の製造において、 第 1層間絶縁膜 1 5の断面は台形状であり且つ該台形状断面の上部 (下部電極 3の反対側） に第 2層間絶縁膜 1 4が設けてあり、 該第 2層間絶縁膜 1 4の断差部分 9が下部電極 3の面に対しほぼ垂直に 切り立つている箇所が存在しており、 該箇所で対向電極 4がパター ン加工されるように対向電極 4を製膜する工程を含むことを特徴と する有機エレク トロルミ ネッセンス素子の製造方法を提供するもの
— C、め ο
図面の簡単な説明
図 1 第 1 の発明の有機 E L素子の断面図である。
図 2 第 4 の発明の有機 E L素子の断面図である。
図 3 基板上の層間絶縁膜の断面図である。
図 4 対向電極の斜め蒸着時の断面図である。
図 5 本発明での対向電極蒸着後の断面図である。 図 6 第 3の発明の層間絶縁膜等の断面図である。
図 7 層間絶縁膜の製膜時の断面図である。
図 8 フ ォ ト レ ジス トのパター ンニ ング後の断面図である。
図 9 パターンニング工程でのエッチング除去の際の断面図である 図 1 0 層間絶縁膜の断面形状の図である。
図 1 1 層間絶縁膜を 2層形成する際の立体図である。
図 1 2 X— Y型マ ト リ ッ クスを上部より観察したときの図である 図 1 3 X— Y型マ ト リ ッ ク スの断面図である。
図 1 4 アクティ ブマ ト リ ッ クス駆動の場合の回路図である。
図 1 5 アクティ ブマ ト リ ッ クス駆動の一例を示す平面図である。 上記図において各符合は次のとおりである。
1 . 有機 E L素子
2 . 基板
3 . 下部電極
4 . 対向電極
5 . 有機層
6 . 層間絶縁膜
7 . 封止扳
8 . 接着層
9 . 断差部分
1 0 . 対向電極エッ ジ
1 1 . パター ン加工されたフ ォ ト レ ジス ト
1 2 . エツチング部分
1 3 . 開口部
1 4 . 第 2層間絶縁膜
1 5 . 第 1層間絶縁膜 2 0 . S C A N電極線
2 1 . D A T A電極線
2 2 . C 0 M M◦ N電極線
2 3 . コ ンデンサ
2 4 . 画素電極
2 5 . 層間絶縁膜の開口部 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明について詳細に説明する。
先ず、 本発明の有機エレク トロルミ ネッセンス素子を構成する層間 絶縁膜について説明する。
有機 E L素子は、 一対の下部電極と対向電極との間に、 通電可能 な有機層を介在させる構成が知られている。 ここで、 下部電極と対 向電極との間に、 絶縁膜を介在した箇所は、 電流が流れないため発 光することができない。 この箇所は、 非発光性素子部分となる。 こ のような絶縁膜は層間絶縁膜と呼ばれ、 層間絶縁膜をバタ一ン加工 することにより、 発光素子のパターン加工を行う技術が知られてい る （特開平 3 — 2 5 0 5 8 3号公報） 。
本発明では、 層間絶縁膜を設けてある非発光素子部分と層間絶縁 膜を設けていない非発光素子部分とを、 分ける境界に位置する層間 絶縁膜の断差部分がほぼ垂直に切り立っていることが必須である。 ここで、 層間絶縁膜の高さを h， 層間絶縁膜の上部の幅を 層 間絶縁膜の下部の幅を W 2とすると、 図 3 において、 層間絶縁膜の 形状は、 下記式 〜 W 2— W !
a =
2
で表される力 本発明では、 好ま しく は a < ( h Z 7 ) であり、 特 に好ま しく は a < ( h / 1 0 ) である。 逆テ一パ一状に加工された ときには、 a < 0 となる場合が、 本発明の特に好ま しい形態の 1 つ である。 尚、 層間絶縁膜の高さ hの好ま しい範囲は 0 . 5〃 m〜 5 0 / mであり、 この範囲であれば対向電極 4が層間絶縁膜の断差部分 9で断線し、 対向電極 4をパターン加工することができるようにな る。
従来、 このような切り立った断差ができないために、 対向電極を 斜め蒸着することによって、 対向電極をパターン加工する技術 （特 開平 5 — 2 7 5 1 7 2号公報） が知られていたが、 この技術では、 層間絶縁膜に対し、 斜め方向より対向電極を蒸着し形成する。 しか し、 この技術では、 図 4 に示すような対向電極 4のエッ ジが生じ、 このエツ ジ箇所 1 0で短絡や発光の不均一性が生じやすく問題とな つていいた。 また、 斜め蒸着では、 蒸着時の回り込みによって、 ェ ッ ジ部分のパターン精度が落ちるため、 微細なパターンの加工性が 低下して問題となっていた。
本発明では、 層間絶縁膜の断差部分 9がほぼ垂直に切り立つてい るため、 斜め蒸着のような特殊な方法を用いることなく、 自然に対 向電極 4が断差部分 9 で断線し、 対向電極 4 のパターン加工ができ る。 第 1及び第 2の発明では、 パターン加工された箇所において、 隣接する層間絶縁膜 6の断面に、 発光素子部分の対向電極 4 は接し ている。 断面より離れた対向電極 4が存在しないことが第 1及び第 2の発明の特徴であり、 本発明の利点を引き出す （図 5 ) 。 これに よる効果は下記にようなものである。 ( a ) 層間絶縁膜 6のパターンがそのまま対向電極 4パターンを定 めるため、 パターン精度が極めて優れている。 従って、 数 mの精 度も可能となる。
( b ) 対向電極 4 のエ ッ ジにおいて、 対向電極 4 の組成ムラや製造 ムラが生じないため、 発光の不均一が生じない。 また、 このような ムラが電界の不均一性を生じ、 短絡を防ぎ、 ク ロス トークを防ぐこ とができた。 さ らに、 対向電極 4の発光素子部分のエッ ジは、 層間 絶縁膜 6 に接するため酸化しにく い利点もある。
( c ) 層間絶縁膜 6のパター ンニング自身は、 フ ォ ト リ ソグラフ法 を用いることにより、 1 mの精度も可能であるため、 対向電極 4 のパター ンニ ング精度も高い他、 対向電極 4 の高精細パター ンニン グも可能となる。 数/ i mピッチまでが可能となるため、 高精細なデ イ スプレイ， プリ ンターへッ ドなどの高精細パターンニングを要求 される用途にも十分に使用可能である。
第 3の発明においては、 同様に対向電極 4が断差部分 9で断線し- 対向電極のパターン加工ができる。 逆テーパ型の場合には、 蒸着の 曲がり込みがあった場合にも断差部分 9 に蒸着物が付着するこ とが 防がれ、 より確実に断線することができる。 第 3の発明における利 点は、 前記 （ a ) 及び （ b ) と同様であり、 高精細， 高密度の陰極 パター ンニングが可能となる。 但し、 図 6で示されるように、 第 3 の発明では、 対向電極 4 は有機層 5 を覆い尽く してはならず、 下部 電極 3 に短絡してはならない。
第 4及び第 5の発明においては、 図 2のように第 1 層間絶縁膜
1 5 を設けて発光パター ンを確定するとともに、 ほぼ垂直に切り立 つた第 2層間絶縁膜 1 4 により、 対向電極 4 をパター ン加工する。 こ こで、 第 1 層間絶縁膜 1 5を用いる理由は、 第 2層間絶縁膜 1 4 と対向電極エツ ジの密着が悪い場合にも、 確実にエッ ジで生じる短 絡等の不具合箇所を発光素子部分より除外して、 通電しないように するためである。
上記のような構成により、 前記 （a) , ( b ) , ( c ) の効果を 得ることができる。 また、 第 2層間絶縁膜 1 4は逆テーパー型であ つても良いし、 前記したような、 a < (h/ 1 0 ) を満たすもので あっても良い。
本発明で用いられる層間絶縁膜の材質は、 高精細パターンニング が可能な材質である必要がある。 具体的には、 例えば種々の絶縁性 ポリマー， 絶縁性酸化物， 絶縁性窒化物， 絶縁性硫化物等が好ま し く用いられる。 特に好ま しいポリマーと しては、 フ ッ素化ポリイ ミ ド， ポリオレフイ ン， フ ッ素系ポリマー， ポリキノ リ ン等であり、 特に好ま しい酸化物は S i O x ( 1 < x < 2 ) , S i Ο2， フ ッ素 系添加 S i 02， A 1 2 O a, 等であり、 好ま しい窒化物は S i Ny
( 1 < y < 4 / 3 ) , S i ON, A l S i ON等であり、 好ま しい 硫化物は Z n S等である。
さ らに、 層間絶縁膜は絶縁性の他、 低吸湿性のものがより好ま し く用いられる。 特に好ま しい層間絶縁膜 6は、 吸湿性 （吸水率） が 0.1%以下のものである。 吸湿性が高いものは、 素子を保存した際 素子作製中に混入した水分がしみ出すことにより、 素子の電極を酸 化させることになり、 素子の劣化が生じる。 また、 発光欠陥 （グー クスポッ ト） の原因となる。 低吸湿性のポリマーを用いることは、 特に加工面で優れているので好ま しい。 特に好ま しいものは、 フ ッ 素系又はポリオレフィ ン系の層間絶縁膜である。 吸湿性は、 例えば A S TM規格 D 5 7 0に準拠し、 吸水率と して評価できる。
層間絶縁膜は、 感光性の機能を特に必要と しないが、 この機能を 保有していると、 フ ォ ト レ ジス トを用いることなく 、 フ ォ ト リ ソグ ラ フが可能となり便利な場合がある。 感光性を付与したものは、 ポ リマー， 無機酸化物を問わずに市販されている。
次に、 層間絶縁膜の製膜及びパター ンニ ング工程について説明す る
本発明中の層間絶縁膜は、 種々の製膜方法及びパターンニ ングェ 程が用いられるが、 フ ォ ト リ ソグラフを用いた代表的な例を以下に 示す。
( i ) 層間絶緣膜の製膜
絶縁性ポ リマーの場合には、 ポリマ一溶液又はポリマー前駆体溶 液を塗布， スピンコー ト， ディ ピングなどにより製膜する （図 7 ) , 絶縁は酸化物の場合には、 蒸着， C V D , プラズマ C V D , E C R 一 C V D , スパッ タ リ ング， E C R—スパッ タ リ ングなどの各種の 製膜方法にて行う ことができる。
( Π ) フ ォ ト レ ジス トの感光及び現像
各種のフ ォ ト レ ジス トを用いることにより、 これを感光し、 さら に現像することにより、 フ ォ ト レジス トのパターンニ ングを行う
(図 8 ) 。 要求されるパター ンの精細度及び精度により、 フ オ ト レ ジス ト及び露光法の選定を行う。 露光法には、 各種の方法が知られ ているが、 例えばコンタク ト露光法， 縮小露光法などがある。
( i i i )パター ンニング工程
各種ェッチ ング方法によ り、 フ ォ ト レ ジス トが残存していない部 分をエッチング除去する （図 9 ) 。 エッチング方法と しては、 溶媒 により層間絶縁膜を溶解し除去するウエ ッ トエッチング法， プラズ マ等により層間絶縁膜を分解除去する ドライエッチング法があるが ほぼ垂直に層間絶縁膜を下部電極 3の面に対し切り立てるには、 ド ライエツチング法が好ま しい。
ゥ ヱ ッ トエッチング法を用いる場合には、 基板に対し垂直方向の 眉間絶縁膜のェツチングの速度が大きい溶媒を用いるこ とが必要で ある。 各種層間絶縁膜に応じて、 この溶媒が存在する場合は、 ゥェ ッ トエッチング法を用いることが生産コス ト， 生産性を向上させる 点で好ま しい。
ドライエツチ ング法を用いる場合には、 エツチングガスの選定が 重要である。 フ ッ素化ポ リ イ ミ ド， ポ リ オレフ イ ン， ポ リ キノ リ ン などのポ リ マーに対しては、 酸素プラズマを用いてエッチングする ことが好ま しい。 一方、 フ ッ素系ポ リ マー， フ ッ素添加 S i 0 2 , S i 0 2， A 1 2 O 3などは、 フ ッ化炭化ガスをプラズマにより ラ ジ カル化したものがエッチングガスと して用いるこ とが好ま しい。 フ ッ化炭化ガスと しては、 C H F 3 , C F 4などが特に好ま しい。 ま た、 ハロゲン化ホウ素ガスを用いるこ と、 酸素， アルゴンなどをフ ッ化炭化ガスに混合し用いるこ と も好適である。
以上のよう に して層間絶縁膜の作製工程を終えるこ とができるが 別の方法も存在する。 酸化物を混合したペース トをス ク リ ー ン印刷 等により、 製膜パターン化した後、 数百度で焼成して、 パター ン加 ェされた層間絶縁膜を作製することができる。
次に、 対向電極及びその作製工程、 並びに封止板について説明す る o
対向電極 4 を陰極とするときは、 アルカ リ金属含有合金， アル力 リ土類金属含有合金が好ま しい。 特に好ま しい合金と しては、 M g ： A g , A 1 ： L i , P b : L i , Z n : L i , B i ： L i , I n : L i , A 1 ： C aなどである。 これらは比較的耐食性があり、 低仕事関数である ことが知られている。 これらを製膜するときは、 蒸着法， スパッタ リ ング法が好ま しく 用いられ、 特に好ま しい方法は蒸着法である。 本発明では、 斜め方 向より蒸着する必要は全く ない。 むしろ本発明の素子を得るために は、 基板面に対して直下より蒸着すべきである。
対向電極 4 を陽極とするときは、 透明性酸化物を用いることが好 ま しい。 特に好ま しいものと しては、 I T O , Z n 0 ： A 1 ,
S n 0 2 ： S b , I n Z n O (イ ンジゥム亜鉛酸化物） が挙げられ る。
本発明の素子においては、 層間絶縁膜 6又は第 2層間絶縁膜 1 4 上に封止板 7 を位置させる。 封止板又は封止蓋 7の好ま しい材質は、 ガラス又は酸化物， 窒素化物セラ ミ ッ クス薄板である。 封止板又は 封止蓋 7の好ま しい膜厚は、 5 // π！〜 2 m mである。 特に薄型の素 子を得るには、 5 0 m以下の膜厚の封止板が好ま しい。
従来は、 薄い封止扳を用いたときには、 封止板が外圧や衝撃によ つて素子の本体部分と接触し、 素子が破損することが問題となつて いた。 ところが、 本発明においては、 層間絶縁膜 6又は第 2層間絶 縁膜 1 4が柱となり封止板 7 と素子本体との接触を防止している。
従って、 有機 E L素子 1 全体の薄型化が封止板 7を薄くすること により可能となり、 封止板 7を 5 0 ^ m程度以下と しても何ら問題 がない。
以下に、 本発明のより好ま しい態様について説明する。
先ず、 封止板についてのより好ま しい態様と しては、 以下のもの 力、ある。
( a ) 封止板 7 と基板 2 とで挟まれている （囲まれている） 空間内 に、 封止液と してフ ッ化炭化水素を満たし、 熱放熱性を高め、 封止 特性を高める。 ( b ) 封止板 7 と基板 2 とで挟まれている空間内に、 吸湿剤を混入 する。 吸湿剤と しては、 ゼォライ ト， シリ カ， 焼石膏， 炭酸カルシ ゥムなどが好適である。
( c ) 封止板 7の内側 （外側は素子の外と接する側） に、 吸湿層を 設ける。 吸湿層と しては、 吸湿ポリマー， 吸湿ポリマーと吸湿剤と の混合した層の他、 紫外線又は熱による硬化を行った樹脂で封止板 の内側に吸湿剤を固定化した層がある。 ここで、 吸湿性ポリマーと しては、 ポリ ア ミ ド， ポリ ビニルアルコール， ポリ ビニルブチラ一 ル等がある。
( d ) 封止板 7 と基板 2 とで挟まれている空間内には、 封止ガスと して脱水された窒素， 二酸化炭素， ヘリウムなどを好適に用いるこ とができる。
( e ) また、 対向電極より光を取り出す場合、 封止板上にカラーフ ィルターを入れることで、 発光の色純度を上げること、 あるいはコ ン トラス トを上げることができる。
( f ) 同様に、 対向電極より光を取り出す場合、 封止扳内であって 対向電極より上部にカラ一フ ィ ルタ一を入れることによつても、 発 光の色純度を上げること、 あるいはコン トラス トを上げることがで きる。 （ g ) さ らに、 封止板上又は対向電極より上部で封止扳内部 に、 色変換膜を入れることによつても、 発光色を変換することがで きる。 変換できる色は、 青色から赤色又は橙色， 緑色から赤色又は 橙色， 青色から緑色又は白色などである。 この色変換膜はパターン 化されており、 緑色に変換する膜及び赤色に変換する膜が分離並置 されているものも可能である。
次に、 本発明では、 層間絶縁膜 6及び第 2層間絶縁膜 1 4の断面 形状には、 ほぼ基板面に対し図 1 0 に示した 3態様 （ a ) , ( b ) , ( c ) 等が存在する。 こ こで、 本発明においては、 I a I < ( h / 7 ) の範囲が好ま しい。 （ b ) あるいは （ c ) の態様は a く 0の場 合であり、 逆テーパー型に加工されていることが特徴であり、 本発 明の好ま しい形態の 1 つである。 これは、 確実に断差部分で対向電 極が断線するからである。
また、 本発明では、 層間絶縁膜の断差が存在するが、 対向電極 4 が断線しない箇所を作ることも可能である。 例えば、 断差部分 9 に. a > ( h / 5 ) のテーパー加工を行うならば、 対向電極 4 を断線さ せることは必要ない。
従って、 層間絶縁膜を 2層形成することと し、 1 層目の膜の断差 部分では垂直に切り立てて、 2層目の膜の断差では、 テーパー加工 すれば発光素子部分を形成する層間絶緣膜の開口部では、 図 1 1 の ように切り立った断面とテーパー断面に囲まれた箇所ができる。 こ の切り立った箇所では、 対向電極は断線するが、 テーパー断面では 断線しない。
そして、 第 4及び第 5の発明では、 これらのことを利用 している c 即ち、 第 1層間絶縁膜 1 5では、 対向電極を断線しないように断面 が台形状になっており、 発光画素面を確定するために用いている。 第 2層間絶縁膜 1 4 はその断差が切り立つており、 対向電極を断線 させ、 これを利用してパターンニングできる。
さ らに、 本発明では、 層間絶縁膜上の対向電極 4を形成しないよ うに、 蒸着マスクをかけることもできる （特開平 3 — 2 5 0 5 8 3 号公報） 。 従って、 層間絶縁膜上に、 対向電極 4が存在しない部分 を作ることも可能である。
上記のような本発明は、 例えば以下のような態様にしても好適に 用いることができる。 ( i ) 本発明では、 下部電極 3を平行なス トライプ型電極と して多 数形成し、 さ らに本発明の層間絶縁膜を該ス トライブと垂直なス 卜 ライプと して多数形成することが可能である。 この際、 本発明を用 いれば、 X— Y型のマ ト リ ッ クスを形成することができる。
図 1 2は、 このような X— Y型マ ト リ ッ クスを上部より観察した ときの図であり、 また、 図 1 3は、 この X— Y型マ ト リ ックスの断 面図である。
(ii) T F T駆動やアクティ ブマ ト リ ッ クス駆動では、 上記 （ i ) 記載の X— Y型マ ト リ ッ クスを形成する必要がないが、 このような 場合でも、 本発明の素子の構成を用いることができる。
例えば、 トラ ンジスターを用いるアクティ ブマ ト リ ッ クス駆動で は、 画素ごとに図 1 4の回路が組み込まれている。 この際、 図 1 5 の回路配置の構成において、 端部 2 5 と画素電極に対応する部分の みに本発明の層間絶縁膜の開口部を設けるならば、 対向電極 T r T r S C AN (20), DATA (21), C O M M O N (22)上の対向 電極と画素電極上の対向電極は、 層間絶縁膜の断差により絶縁され ることになる。
従って、 画素電極上の対向電極 4のみに通電することにより、 T r !, T r S C AN, DATA, C 0 M M 0 Nは、 画素電極上 の対向電極 4 と導通することが回避できる。 従来は、 眉間絶縁膜の 欠陥などにより対向電極と、 T r ,， T r S C AN, DA TA, C OMMONとの導通が生じ、 画素欠陥が生じることが多かったが これらのことが回避できる。
尚、 S C AN, DA TA, C O MM 0 Nと対向電極 4が交差する 部分、 また、 C OMMONと S C AN, S C ANと D ATAが交差 する部分には、 お互いが絶縁するために、 予め別の層間絶縁膜が設 けてあり、 これらは層間絶縁膜上部の電極線が断線しないように、 本発明の層間絶縁膜と異なり垂直な断差は保有していない。 従って 本発明では断差が垂直でない層間絶縁膜を部分的に用いてもよい。
次に、 本発明を実施例によりさらに詳しく説明するが、 本発明は. これらの例によってなんら限定されるものではない。
実施例 1 〔層間絶縁膜の作製〕
3 0 0 〃 mピッチでス トライプ加工された I T Oを保有 （ I T O は下部電極） するガラス基板 2 (0. 5 mm厚） 上に日本ゼオ ン社製 Z C O A T— 1 4 1 0をスピンコー トにて製膜した。 この時の回転 数は 1 5 0 0 r p mであり 3 5秒間回転させた。 膜厚は 5. 3 mで 製膜できていた。 尚、 Z C O A T— 1 4 1 0 は、 感光性ポリ オレフ ィ ン系のネガタイプレジス トである。
次にホッ トオーブンにて 7 0 °C， 3 0分の条件でベーク した。 次 にフ ォ トマスクを用い露光した。 この時の条件は、 4 3 6 n mの紫 外線露光で 1 2 0 m J Zcm2の照射量であつた。 露光パター ンは幅 2 0 〃 mの層間絶縁膜である Z C O A T 1 4 1 0力く 1 0 0 〃 mおき に上記 I T Oパター ンに垂直に、 線状ライ ンと して残るようにした c さ らに現像後、 2 5 0 °C 2時間の条件でク リーンオーブン中でキ ユア一を行い、 層間絶縁膜を作製した。
実施例 2 〔層間絶縁膜の垂直性評価， 吸湿性の評価〕
上記の実施例 1 で作製した試料を任意の地点で破断し、 2 mm x 2 mmの 1 0個のサンプルを作製し、 断面を走査型電子顕微鏡で観 察した。 { (下部幅） 一 （上部幅） } / (高さ） を 2 0 力所で測定 し、 そのすべてにおいてこの値は 1 / 1 0以下であった。 また同時 に、 実施例 1 で作製した試料の吸水率 （吸湿性） を測定したところ 0. 0 7 % (A S TM規格 D 5 7 0 に準拠） と良好な値を示した。 実施例 3 〔有機 E L素子作製及び精細度の評価〕
実施例 1 で作製した試料をイ ソプロ ピルアルコールにて 3分間、 超音波にて洗浄してさ らに U Vとオゾンの併用の洗浄装置にて 3 0 分間、 洗浄を行った。 次に市販 （日本真空技術社製） の真空蒸留装 置に試料を入れて、 基板ホルダ一に固定した。 モリ ブテ ン製の抵抗 加熱ボー 卜に N, N' — ジフ エ二ルー N， N' 一 ビス一 （ 3 — メ チ ルフ ヱニル） 一 〔 1， 1 ' — ビフ ヱニル〕 _ 4， 4， 一 ジァ ミ ン
(以下 T P Dと略記） を 2 0 O m g入れ、 また違うモ リブテ ン製の 抵抗加熱ボー トに ト リス （ 8 — ヒ ドロキシキノ リ ノール） アルミ二 ゥ ム （A 1 q と略記する） を 2 0 O m g入れて真空槽を 1 x 1 0 P aまで排気した。 その後 T P D入りのボー トを加熱し、 膜厚 8 0 n mの正孔輸送層を成膜した。 これを真空槽から取り出すこ とな く . 正孔輸送層の上に A 1 Qからなる膜厚 7 5 n mの発光層を成膜した < 次に真空槽を開けることなく、 あらかじめ真空槽内に設けてある抵 抗加熱ボー トに M gとタ ングステ ンバスケッ 卜に銀が入ったものを 加熱し、 M gと A gの蒸着レー トをそれぞれ 1. 4 n mZ s， 0. 1 n mZ s と して膜厚 2 0 0 n mの M g, A g対向電極を製膜した。 こ れにより封止前の有機 E L素子ができた。
次に、 有機 E L素子上に不活性気体中 （N2中） にて封止板を接 着した。 封止板と して厚さ 1 0 O /z mのガラ ス板を用い、 これに脱 水処理を行った。 シ リ カゲルを可溶性ナイ ロ ン溶液に分散したもの を塗布し脱水剤と した。 この脱水剤がついた面を素子側と して、 封 上板の周囲を紫外線硬化性接着剤を塗布し、 封止板と有機 E L素子 を貼り合わせ紫外線照射を行い封着した。 これにより本発明の封上 した有機 E L素子が完成した。 この素子の厚さは 0. 6 mmであり極 めて薄く説明の有効性を示した。 次にス ト リ ップライ ンのうち、 I T Oの 1本と M g ： A gの 1本 を選び、 I T Oを +極， M g ： A gを—極と して電圧 7 Vを印加し パ夕一ンの精度を光学顕微鏡下で調べたところ、 パターン精度が土 1 〃 mと極めて良好であり、 I T 0と M g ： A gのス トライプの交 差部分だけ発光した。
また、 全ての M g ： A gス 卜 リ ップライ ンの電圧印加を順次行い 調べた結果、 互いに短絡しつながった箇所はないことが判明し、 本 発明の素子の対向電極のパターンニングは良好であることが判明し た。 本発明の素子を空気中 （ 2 0 °C, 6 0 % R H ) で 5 0 0 0時間 保存しても、 大きさ 5 0 m 0以上の発光欠陥がなく、 封上性能も 良好であることが確認された。
また、 同時にス ト リ ップライ ンのエツ ジの無発光化状態を調べた ところ、 無発光幅は 3 m以下であり、 エッ ジも良好に規定されて いることが判明した。
さ らに封止板を指で押さえ、 素子の短絡の有無を見たが、 層間絶 縁膜が柱となっているため、 一切短絡しなかった。
比較例 1
実施例 1 で使用 したのと同じス 卜ライプの I T O下部電極を保有 するガラス上に、 感光性ボリ イ ミ ドコーティ ング剤 （ トーレ社 U R 3 1 4 0 ) をスピンコー トにて回転数 4 0 0 0 r p mで 3 0秒間 かけて塗布した。 次いで、 8 0 °C， 6 0分間の乾燥を行い、 発光パ ターンのフ ォ トマスクを通して露光を行った。 露光層は 8 O m Jで あった o
次に現像を行い、 ポリァ ミ ッ ク酸のポリマーのパターンが得られ た。 これを N2 ガス下のオーブン中で、 1 8 0 °C, 3 0分、 さ らに 3 0 0 °Cにて 3 0分キュア一してポリイ ミ ドである層間絶縁膜付の I T OZガラ ス基板が作製できた。 こ こで実施例 2 と同様な試験を 行ったところ { (下部の幅） 一 （上部の幅） } / (高さ） は 1 程度 であった。 実施例 3 と同様に素子を作製しス ト リ ッ プラ イ ンのうち Ι Τ Οの 1 本と M g ： A gの 1本を選んで電圧を印加したが、 選ん だ両方のス トライプが交差した部分以外に発光する部分が存在し、 M g ： A g対向電極のス トライプ状のパターン加工ができていてい ないことが判明した。 また、 封止後のサンプルを 2 0 °C， 6 0 % R Hの大気中に放置したところ、 発光面は著しく減少していた。 この ことは層間絶縁膜であるポリ イ ミ ドの吸湿性が大きいため （通常 1 〜 2 %) 、 層間絶縁膜が吸湿しており封止した後にポリ イ ミ ドに吸 湿した水分が放出され、 M g ： A g対向電極を酸化したためである ( 実施例 4 〔層間絶縁膜がフ ッ素系ポリマーである場合〕
吸水率 0. 0 1 %以下 （A S TM規格 D 5 7 0 に準拠） のフ ッ素樹 脂製層間絶縁膜を形成できるフ ッ素系樹脂溶液 （旭ガラス社製 ： サ ィ ト ップ C T X— 8 0 9 ) を 6 0 0回転で 3 0秒間ス ピンコー ト し て膜厚 4. 8 mのサイ ト ップ膜を形成した。
尚、 基板 2 は実施例 1 で用いたものと同じである。
さ らに、 ホッ トプレー ト上で 5 0 °Cで 1 分， 8 0でで 1分， 1 2 0 °Cで 1 分間乾燥し、 最終キュア一と して 2 5 0 °Cで 1 時間オーブ ン中で乾燥した。
次に、 東京応化製ポジ型フ ォ ト レジス ト T O P R— 1 0 0 0をス ピンコー ト塗布した。 条件は 3 0 0 0回転で 2 0秒間であった。 次 に、 ポッ トプレー ト上で 1 1 0 °C , 9 0秒間乾燥した。 次に、 g線 にて露光した。 条件は 5 0 0 m w/ c m2 で 1 秒間の照射であった c その後、 現像した。
次に、 ドライエッチング装置であるプラズマエツチ ヤ一によりェ ツチングを行った。 エッチングに用いたガスは、 C F 4 ， C H F a , A rの混合ガスであり、 流量は 2 4 , 2 4， 9 8 S C C mであった, 真空度は 0. 5 T o r rでありプラズマ出力は 3 0 0 Wであつた。 ェ ツチングは 5 0分間行った。
次に、 実施例 2 と同様に断面を観察したところ { (下部幅） 一 (上部の幅） } / (高さ） は、 1 Z 1 0であった。
実施例 5 〔逆テーパー型の層間絶縁膜の作製〕
3 0 0 mピッチでス トライプ加工された I T Oを保有 （ I T O は下部電極） するガラス基板 2 (0. 5 mm厚） 上に、 日本ゼオン社 製 Z C O A T— 1 4 1 0をスピンコー トにて製膜した。 この時の回 転数は 1 0 0 0 r p mであり 4 0秒間回転させた。 膜厚は 8. 8 m で製膜できていた。
次にホッ トオーブンにて 8 0 °C， 1 5分の条件でベーク した。 次 にフ ォ トマスクを用い露光した。 この時の条件は、 3 6 5 n mの紫 外線露光で 4 5 0 m J Zcm2の照射量であった。 露光パター ンは幅 5 0 mの層間絶縁膜が 3 5 0 mピッチで、 上記 I T Oパター ン に垂直に、 線状ライ ンと して残るようにした。
さ らに現像後、 2 0 0 °C 1 時間の条件でク リ ーンオーブン中でキ ユア一を行い、 層間絶縁膜を作製した。
次いで、 実施例 2 と同様にして断面を走査型電子顕微鏡で観察し た。 その結果観察した断面の全てにおいて、 { (下部幅） 一 （上部 の幅） } / (高さ） の値は負であり、 図 1 0の （ b ) 又は （ c ) の 形状であり、 逆テーパー型であった。
実施例 6 〔有機 E L素子作製及び精細度の評価〕
実施例 5で作製した試料を用いて、 実施例 3 と同様にして有機 E L素子を作製した。 また、 実施例 3 と同様にしてパター ン精度を評 価した。
その結果、 M g ： A gのス ト リ ップライ ンで互いに短絡して繋が つたところはな く 、 パターニングの方法が良好であったこ とが確認 された。 パター ン精度は ± 4 /zmであった。
実施例 7 〔有機 E L素子作製及び精細度の評価〕
3 0 0 / mピッチでス ト ライプ加工された I TOを保有 （ I TO は下部電極） するガラス基板 2 (0. 5 mm厚） 上に、 l ^mの膜厚 で S i 02 をプラズマェンハンス ド C V Dで製膜した。 製膜条件は、 プラズマガス種を N2 0と S i H4 の 1 ： 1の混合ガスと し、 基板 温度 2 5 0 °C， 真空度 0. 7 T o r r， プラズマ出力 2 0 0 Wと した。
次に、 実施例 4 と同様にして東京応化工業㈱製のポジ型フ ォ ト レ ジス ト TO P R— 1 0 0 0を製膜し、 露光， 現像後、 前記ス トライ プ加工された I T 0に垂直に開口ライ ンが施されたパターンが残る ように した。 開口ライ ンの幅は 2 8 0 m, ピッチ 3 0 0 mであ つた。
続いて、 プラズマエッチングを行い、 フ ォ ト レ ジス トの開口部の S i 02 を完全に除去し、 I TO面が露出するよ うにした。 S i 02 のエッチング条件は、 ガス種と して C F4 ， C H F ， A rの 1 ： 1 ： 3. 5 (体積比） の混合ガスを用い、 真空度 0. 5 T o r r , ブラ ズマ出力 3 0 0 Wと した。
こ こで用いた S i O は層間絶縁膜と しては、 極めて吸水率が小 さ く 0. 0 1 %以下のものであった。
次に、 実施例 3 と同様に して有機 E L素子を作製し、 評価を行つ た。 パターン精度は 1 m以下と良好であった。 また対向電極のパ ターニングは良好であつた。
実施例 8 〔有機 E L素子作製及び精細度の評価〕 3 0 0 mピッチでス トライプ加工された I T Oを保有 （ I T O は下部電極） するガラス基板 2 (0. 5 mm厚） 上に、 スパ ッ タ リ ン グ法で S i 0 ( X = 1. 8 ) を 3 0 O n m製膜した。
次に、 実施例 4 と同様にして東京応化工業㈱製のポジ型フ ォ ト レ ジス ト T O P R— 1 0 0 0を製膜し、 露光， 現像後、 前記ス ト ライ プ加工された I T 0に垂直に開口ライ ンが施されたパターンが残る ようにした。 開口ラ イ ンの幅は 2 8 0 u m, ピッチ 3 5 0 mであ つた。
次に、 フ ォ ト レ ジス トを基板ごとに 1 5 0 °Cに加熱し、 フ オ ト レ ジス 卜の断面がかまぼこ状になるようにした。
続いて、 プラズマエツチ ヤ 一によりエッチングを行った。 エッチ ング条件は、 ガス種と して C F 4 ， C H F 3 ， A rの 1 ： 1 ： 8 (体積比） の混合ガスを用い、 真空度 0. 2 T o r r， プラズマ出力 2 0 0 Wと した。
次いで、 フ ォ ト レ ジス トを剝離し、 第一の層間絶縁膜を作製した, なお、 前記かまぼこ状の断面のフ ォ ト レ ジス トは、 第一の層間絶縁 膜の断面が台形となるようにするためである。
さ らに、 プラズマエッチングによって、 S i 0 を台形状に加工 した。
その後、 前記第一の層間絶縁膜上に、 実施例 5 と同様にして、 Z C O A T— 1 4 1 0 を製膜し、 第二の層間絶縁膜を作製した。
こ こで用いた第一の層間絶縁膜及び第二の層間絶縁膜の吸水率は 0. 0 1 %以下と極めて小さかった。
次に、 実施例 3 と同様にして有機 E L素子を作製し、 評価を行つ た。 パター ン精度は 1 m以下と良好であった。 また対向電極のパ ターニングは良好であった。 産業上の利用可能性
本発明の有機 E L素子は、 高精細， 均一発光であり、 クロス 卜一 クがなく 、 外部からの圧力に強く、 さ らに封止にも優れた有機エレ ク トロルミ ネ ッセンス素子である。
このような本発明の有機 E L素子は、 例えば O A機器用， 時計用 等の高精細， 均一発光のディ スプレイなどに好適に用いられる。

Claims

請求の範囲
1 . 基板 2上の下部電極 3 と対向電極 4 との間に、 発光層を含む有 機層 5 を介在して設けてある有機エレク ト ロル ミ ネ ッ セ ンス素子 1 において、 非発光素子部には吸水率が 0. 1 %以下の層間絶縁膜 6が 設けてあり、 層間絶縁膜 6 の断差部分 9が発光素子部分と非発光素 子部分の境界を規定し、 該断差部分 9が下部電極 3の面に対しほぼ 垂直に切り立つている箇所が存在しており、 該層間絶縁膜 6上に封 止板又は封止蓋 7が基板 2 に接着層 8を介して貼り合わせてあるこ とを特徴とする有機エ レク 卜口ル ミ ネ ッ セ ンス素子。
2 . 基板 2上に下部電極 3を設けてあり、 該下部電極 3上にパタ 一ン加工された層間絶縁膜 6が設けてある基板に、 有機層 5を設け る工程及び対向電極 4 を製膜する工程をそれぞれ少なく と も 1 回含 む有機エレク ト口ル ミ ネ ッ セ ンス素子 1 の製造において、 該層間絶 縁膜 6の断差部分 9が発光素子部分と非発光素子部分との境界を規 定し、 該断差部分 9がほぼ下部電極 3の面に対しほぼ垂直に切り立 つている箇所が存在しており、 該箇所で対向電極 4が断差部分 9で 断線しパター ン加工されるとともに、 該断差部分 9の基板 2側の端 で対向電極 4 と層間絶縁膜 6 とが密着するように付着することを特 徴とする有機エ レク トロル ミ ネ ッ セ ンス素子の製造方法。
3 . 基板 2上の下部電極 3 と対向電極 4 との間に、 発光層を含む 有機層 5を介在して設けてある有機エ レク ト ロル ミ ネ ッ セ ンス素子
1 において、 非発光素子部には吸水率が 0. 1 %以下の層間絶縁膜 6 が設けてあり、 層間絶緣膜 6 の断差部分 9が下部電極 3 の面に対し ほぼ垂直に切り立つて逆テーパー型になつている箇所が存在してい るとともに、 対向電極 5を複数に分離独立するようになつており、 該層間絶縁膜 6上に封止扳又は封止蓋 Ίが基板 2 に接着層 8を介し て貼り合わせてあることを特徴とする有機エレク ト口ルミネッセ ン ス素子。
4 . 基板 2上の下部電極 3 と対向電極 4 との間に、 発光層を含む 有機層 5を介在して設けてある有機エ レク ト ロル ミ ネ ッ セ ンス素子 1 において、 非発光素子部である下部電極 3上に、 断面が台形状の 第 1 層間絶縁膜 1 5が設けてあり、 且つ、 該台形状断面の上部に第 2層間絶縁膜 1 4が設けてあり、 該第 2層間絶縁膜 1 4 の断差部分 9が下部電極 3の面に対しほぼ垂直に切り立つている箇所が存在し ているとと もに、 対向電極 5を複数に分離独立するようになってお り、 該層間絶縁膜 1 4上に封止板又は封止蓋 7が基板 2 に接着層 8 を介して貼り合わせてあることを特徴とする有機エレク トロルミ ネ ッセ ンス素子。
5 . 基板 2上に下部電極 3を設けてあり、 該下部電極 3上にバタ ー ン加工された層間絶縁膜が設けてある基板に、 有機層 5を設ける 工程及び対向電極 4 を製膜する工程をそれぞれ少なく とも 1 回含む 有機エレク トロル ミ ネ ッ セ ンス素子 1 の製造において、 第 1層間絶 縁膜 1 5の断面は台形状であり且つ該台形状断面の上部に第 2層間 絶縁膜 1 4が設けてあり、 該第 2層間絶縁膜 1 4 の断差部分 9が下 部電極 3の面に対しほぼ垂直に切り立つている箇所が存在しており . 該箇所で対向電極 4がパター ン加工されるように対向電極 4を製膜 する工程を含むことを特徴とする有機エレク トロル ミ ネ ッ セ ンス素 子の製造方法。
PCT/JP1997/000508 1996-02-26 1997-02-24 Element electroluminescent organique et procede de fabrication WO1997031508A1 (fr)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/117,286 US6175186B1 (en) 1996-02-26 1997-02-24 Organic electroluminescent element and method for manufacturing the same
DE69740011T DE69740011D1 (de) 1996-02-26 1997-02-24 Organisches elektrolumineszentes element und verfahren zur herstellung desselben
KR10-1998-0706529A KR100453427B1 (ko) 1996-02-26 1997-02-24 유기전자발광소자및그의제조방법
KR10-2004-7008847A KR100500078B1 (ko) 1996-02-26 1997-02-24 유기 전자 발광 소자 및 그의 제조방법
EP97904615A EP0884930B1 (en) 1996-02-26 1997-02-24 Organic electroluminescent element and method for manufacturing the same
JP52999497A JP3247388B2 (ja) 1996-02-26 1997-02-24 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3821796 1996-02-26
JP8/38217 1996-02-26
JP30167896 1996-11-13
JP8/301678 1996-11-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO1997031508A1 true WO1997031508A1 (fr) 1997-08-28

Family

ID=26377414

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP1997/000508 WO1997031508A1 (fr) 1996-02-26 1997-02-24 Element electroluminescent organique et procede de fabrication

Country Status (7)

Country Link
US (2) US6175186B1 (ja)
EP (2) EP0884930B1 (ja)
JP (1) JP3247388B2 (ja)
KR (1) KR100500078B1 (ja)
DE (2) DE69739955D1 (ja)
TW (1) TW334513B (ja)
WO (1) WO1997031508A1 (ja)

Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11111465A (ja) * 1997-09-18 1999-04-23 Lg Electron Inc 有機ｅｌ素子及びその製造方法
JPH11121168A (ja) * 1997-10-14 1999-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法
JPH11339968A (ja) * 1998-05-25 1999-12-10 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000068071A (ja) * 1998-08-25 2000-03-03 Casio Comput Co Ltd 発光素子及びその製造方法
JP2001217072A (ja) * 1999-09-17 2001-08-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｅｌ表示装置及びその作製方法
JP2001237081A (ja) * 2000-02-21 2001-08-31 Fuji Electric Co Ltd 有機薄膜発光ディスプレイパネルおよびその製造方法
JP2002040644A (ja) * 2000-07-27 2002-02-06 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物および有機ｅｌ素子の絶縁膜
JP2002056986A (ja) * 2000-08-09 2002-02-22 Korai Kagi Kofun Yugenkoshi 放熱効果を有する有機エレクトロルミネッセンスデバイス、及びその製造方法
JP2002151252A (ja) * 2000-11-16 2002-05-24 Stanley Electric Co Ltd 有機ｅｌ表示装置
JP2002169277A (ja) * 2000-12-05 2002-06-14 Jsr Corp 有機ｅｌ表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物、それから形成された絶縁膜、および有機ｅｌ表示素子
JP2002182380A (ja) * 2000-12-14 2002-06-26 Jsr Corp 有機ｅｌ表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物、それから形成された絶縁膜、および有機ｅｌ表示素子
JP2002299042A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Sanyo Electric Co Ltd 衝撃緩衝機能付電界発光デバイス及び電界発光デバイス用の衝撃緩衝機能付封止部材
JP2003045671A (ja) * 2001-05-22 2003-02-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2004055565A (ja) * 2002-07-23 2004-02-19 Samsung Nec Mobile Display Co Ltd デュアルタイプ有機電界発光表示装置とその製造方法
EP1439741A2 (en) * 1998-04-02 2004-07-21 Cambridge Display Technology Limited Flexible substrates for organic devices
US6867539B1 (en) 2000-07-12 2005-03-15 3M Innovative Properties Company Encapsulated organic electronic devices and method for making same
JP2005071646A (ja) * 2003-08-28 2005-03-17 Chi Mei Electronics Corp 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法
JP2005276827A (ja) * 2004-03-22 2005-10-06 Lg Electron Inc 有機電界発光素子およびその製造方法
JP2006196466A (ja) * 2006-03-09 2006-07-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置の作製方法
JP2006221875A (ja) * 2005-02-08 2006-08-24 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
JP2006228578A (ja) * 2005-02-17 2006-08-31 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子用カラーフィルタ基板
JP2006261123A (ja) * 2006-03-17 2006-09-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd カーオーディオ、表示装置、音響再生装置、及び携帯情報端末
JP2007073332A (ja) * 2005-09-07 2007-03-22 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンスパネル、有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
KR100788537B1 (ko) * 2000-11-27 2007-12-24 도레이 가부시끼가이샤 포지티브형 감광성 수지 전구체 조성물 및 그것을 이용한표시 장치
US7408191B2 (en) 2001-05-22 2008-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent device and process of manufacturing the same
JP2008243817A (ja) * 2002-03-27 2008-10-09 Cambridge Display Technol Ltd 有機光電子及び電子装置の製造方法並びにこれによって得られた装置
JP2008268979A (ja) * 2008-07-28 2008-11-06 Seiko Epson Corp 表示装置
JP2010278028A (ja) * 2000-01-31 2010-12-09 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US7952103B2 (en) 1999-09-17 2011-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and method for manufacturing the same
JP2011159630A (ja) * 1998-08-03 2011-08-18 Dupont Displays Inc 無機材料によるポリマー系固体デバイスのカプセル封入
JP2011222529A (ja) * 1999-10-29 2011-11-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 自発光装置
JP2012099503A (ja) * 2012-02-21 2012-05-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2013179089A (ja) * 2013-06-20 2013-09-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｅｌ表示装置
US8853940B2 (en) 2001-04-23 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with seal member
US8957584B2 (en) 1999-10-29 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Self light-emitting device

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100500078B1 (ko) * 1996-02-26 2005-07-18 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전자 발광 소자 및 그의 제조방법
JP3520396B2 (ja) * 1997-07-02 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板と表示装置
JP3886607B2 (ja) * 1997-07-18 2007-02-28 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌディスプレイ
JP3580092B2 (ja) * 1997-08-21 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
EP1505648A3 (en) * 1997-08-21 2005-08-10 Seiko Epson Corporation Active matrix display device
US6005344A (en) * 1998-02-18 1999-12-21 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent image display panel with multiple barriers
US6153254A (en) * 1998-09-30 2000-11-28 U.S. Philips Corporation Method and device for manufacturing an electroluminescent display screen
US6383664B2 (en) 1999-05-11 2002-05-07 The Dow Chemical Company Electroluminescent or photocell device having protective packaging
DE69937407T2 (de) 1999-07-09 2008-07-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg Verkapselung einer vorrichtung
ATE442765T1 (de) * 1999-07-09 2009-09-15 Inst Materials Research & Eng Laminate für einkapselung von oled-vorrichtungen
US6221563B1 (en) * 1999-08-12 2001-04-24 Eastman Kodak Company Method of making an organic electroluminescent device
WO2001019142A1 (en) * 1999-09-03 2001-03-15 Uniax Corporation Encapsulation of organic electronic devices
US6833668B1 (en) * 1999-09-29 2004-12-21 Sanyo Electric Co., Ltd. Electroluminescence display device having a desiccant
US6876145B1 (en) 1999-09-30 2005-04-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic electroluminescent display device
KR100381054B1 (ko) * 1999-12-28 2003-04-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 인듐-징크-옥사이드로 적용된 투명전극과 이를 에칭하기위한 에천트
US6699728B2 (en) 2000-09-06 2004-03-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Patterning of electrodes in oled devices
TW522577B (en) * 2000-11-10 2003-03-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
TWI221645B (en) * 2001-01-19 2004-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
US6724150B2 (en) * 2001-02-01 2004-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US6984546B2 (en) * 2001-03-15 2006-01-10 Delta Optoelectronics, Inc. Method for forming a thin film light emitting device
JP2002289347A (ja) * 2001-03-27 2002-10-04 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置、その製造方法、被着マスク及びその製造方法
US7005799B2 (en) * 2001-07-30 2006-02-28 Intel Corporation Sealing organic light emitting device displays
JP2003086355A (ja) * 2001-09-05 2003-03-20 Kiko Kenji Kagi Kofun Yugenkoshi 有機ｅｌ素子の封止構造並びに封止方法及び封止装置
US7158559B2 (en) * 2002-01-15 2007-01-02 Tensor Comm, Inc. Serial cancellation receiver design for a coded signal processing engine
US7148624B2 (en) * 2002-05-07 2006-12-12 Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd Uniform deposition of organic layer
US7423375B2 (en) * 2002-05-07 2008-09-09 Osram Gmbh Encapsulation for electroluminescent devices
JP2005526366A (ja) * 2002-05-15 2005-09-02 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ フラットパネルディスプレイの製造方法
KR100675625B1 (ko) * 2002-08-08 2007-02-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
TWI272872B (en) * 2002-12-13 2007-02-01 Lg Philips Lcd Co Ltd Dual panel-type organic electroluminescent display device and method of fabricating the same
KR100503129B1 (ko) * 2002-12-28 2005-07-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법
KR100551121B1 (ko) 2003-10-21 2006-02-13 엘지전자 주식회사 일렉트로 루미네센스 표시장치
US7438829B2 (en) 2003-11-13 2008-10-21 E.I. Du Pont De Nemours And Company Thick film getter paste compositions for use in moisture control
EP1784054A4 (en) * 2004-08-26 2008-09-03 Idemitsu Kosan Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE
KR100603836B1 (ko) * 2004-11-30 2006-07-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
US20060138941A1 (en) * 2004-12-27 2006-06-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Electrolumenscent organic light emitting device and production method thereof
US20070013305A1 (en) 2005-07-18 2007-01-18 Wang Carl B Thick film getter paste compositions with pre-hydrated desiccant for use in atmosphere control
KR101157262B1 (ko) * 2005-12-14 2012-06-15 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US8022624B2 (en) * 2007-04-25 2011-09-20 Global Oled Technology Llc Moisture protection for OLED display
JP4678421B2 (ja) 2008-05-16 2011-04-27 ソニー株式会社 表示装置
KR101073561B1 (ko) 2009-02-05 2011-10-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법
TWI496328B (zh) * 2012-04-24 2015-08-11 Innocom Tech Shenzhen Co Ltd 有機發光二極體顯示裝置及其製造方法
CN103325949A (zh) * 2013-05-24 2013-09-25 四川虹视显示技术有限公司 一种有机发光二极管封装结构及其制备方法
JP6113633B2 (ja) * 2013-11-27 2017-04-12 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
CN108630829B (zh) * 2017-03-17 2019-11-08 京东方科技集团股份有限公司 显示面板的制作方法、显示面板及显示装置
WO2019020841A1 (es) * 2017-07-26 2019-01-31 Light Flex Technology, S.L. Luminaria laminar y método de fabricación
US10675657B2 (en) * 2018-07-10 2020-06-09 Visera Technologies Company Limited Optical elements and method for fabricating the same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03250583A (ja) 1990-02-28 1991-11-08 Idemitsu Kosan Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JPH04242099A (ja) * 1991-01-16 1992-08-28 Sharp Corp 薄膜ｅｌパネルの製造方法
JPH0565097U (ja) * 1992-02-07 1993-08-27 株式会社ケンウッド 薄膜ｅｌ素子の構造

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03261091A (ja) * 1990-03-09 1991-11-20 Pioneer Electron Corp 電界発光素子
JP2813495B2 (ja) * 1991-07-26 1998-10-22 出光興産株式会社 有機ｅｌ素子の封止方法
JPH05101884A (ja) * 1991-10-11 1993-04-23 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネツセンス素子の封止方法及びパターン化方法
US5276380A (en) * 1991-12-30 1994-01-04 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent image display device
JP3813217B2 (ja) * 1995-03-13 2006-08-23 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法
JP3208638B2 (ja) 1995-01-31 2001-09-17 双葉電子工業株式会社 有機エレクトロルミネセント表示装置およびその製造方法
US5804917A (en) * 1995-01-31 1998-09-08 Futaba Denshi Kogyo K.K. Organic electroluminescent display device and method for manufacturing same
JP3401356B2 (ja) * 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
JP4142117B2 (ja) * 1995-10-06 2008-08-27 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法
JPH09283280A (ja) * 1996-02-16 1997-10-31 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光素子の製造方法
KR100500078B1 (ko) * 1996-02-26 2005-07-18 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전자 발광 소자 및 그의 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03250583A (ja) 1990-02-28 1991-11-08 Idemitsu Kosan Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JPH04242099A (ja) * 1991-01-16 1992-08-28 Sharp Corp 薄膜ｅｌパネルの製造方法
JPH0565097U (ja) * 1992-02-07 1993-08-27 株式会社ケンウッド 薄膜ｅｌ素子の構造

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP0884930A4

Cited By (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11111465A (ja) * 1997-09-18 1999-04-23 Lg Electron Inc 有機ｅｌ素子及びその製造方法
JP4588813B2 (ja) * 1997-09-18 2010-12-01 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 有機ｅｌ素子及びその製造方法
JPH11121168A (ja) * 1997-10-14 1999-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法
EP1439741A3 (en) * 1998-04-02 2011-05-25 Cambridge Display Technology Limited Flexible substrates for organic devices
EP1439741A2 (en) * 1998-04-02 2004-07-21 Cambridge Display Technology Limited Flexible substrates for organic devices
JPH11339968A (ja) * 1998-05-25 1999-12-10 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2011159630A (ja) * 1998-08-03 2011-08-18 Dupont Displays Inc 無機材料によるポリマー系固体デバイスのカプセル封入
JP2000068071A (ja) * 1998-08-25 2000-03-03 Casio Comput Co Ltd 発光素子及びその製造方法
US7952103B2 (en) 1999-09-17 2011-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and method for manufacturing the same
US9059049B2 (en) 1999-09-17 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device
US9431470B2 (en) 1999-09-17 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8735900B2 (en) 1999-09-17 2014-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device
US8450745B2 (en) 1999-09-17 2013-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device
US8183571B2 (en) 1999-09-17 2012-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and method for manufacturing the same
US9735218B2 (en) 1999-09-17 2017-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and method for manufacturing the same
JP2001217072A (ja) * 1999-09-17 2001-08-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｅｌ表示装置及びその作製方法
US8957584B2 (en) 1999-10-29 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Self light-emitting device
JP2011222529A (ja) * 1999-10-29 2011-11-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 自発光装置
US8110983B2 (en) 1999-10-29 2012-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Self light emitting device
US9299955B2 (en) 1999-10-29 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Self light-emitting device
JP4603754B2 (ja) * 2000-01-31 2010-12-22 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
JP2010278028A (ja) * 2000-01-31 2010-12-09 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2001237081A (ja) * 2000-02-21 2001-08-31 Fuji Electric Co Ltd 有機薄膜発光ディスプレイパネルおよびその製造方法
US6867539B1 (en) 2000-07-12 2005-03-15 3M Innovative Properties Company Encapsulated organic electronic devices and method for making same
US8657985B2 (en) 2000-07-12 2014-02-25 3M Innovative Properties Company Encapsulated organic electronic devices and method for making same
JP2002040644A (ja) * 2000-07-27 2002-02-06 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物および有機ｅｌ素子の絶縁膜
JP2002056986A (ja) * 2000-08-09 2002-02-22 Korai Kagi Kofun Yugenkoshi 放熱効果を有する有機エレクトロルミネッセンスデバイス、及びその製造方法
JP2002151252A (ja) * 2000-11-16 2002-05-24 Stanley Electric Co Ltd 有機ｅｌ表示装置
KR100788537B1 (ko) * 2000-11-27 2007-12-24 도레이 가부시끼가이샤 포지티브형 감광성 수지 전구체 조성물 및 그것을 이용한표시 장치
JP2002169277A (ja) * 2000-12-05 2002-06-14 Jsr Corp 有機ｅｌ表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物、それから形成された絶縁膜、および有機ｅｌ表示素子
JP2002182380A (ja) * 2000-12-14 2002-06-26 Jsr Corp 有機ｅｌ表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物、それから形成された絶縁膜、および有機ｅｌ表示素子
JP2002299042A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Sanyo Electric Co Ltd 衝撃緩衝機能付電界発光デバイス及び電界発光デバイス用の衝撃緩衝機能付封止部材
JP4511072B2 (ja) * 2001-03-30 2010-07-28 三洋電機株式会社 衝撃緩衝機能付電界発光デバイス及び電界発光デバイス用の衝撃緩衝機能付封止部材
US8853940B2 (en) 2001-04-23 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with seal member
US9368561B2 (en) 2001-05-22 2016-06-14 Semiconductor Enery Laboratory Co., Ltd. Luminescent device having light-emitting element and transistor
US10103211B2 (en) 2001-05-22 2018-10-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent device having light-emitting element and transistor
US8803152B2 (en) 2001-05-22 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent device and process of manufacturing the same
US8022404B2 (en) 2001-05-22 2011-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent device and process of manufacturing the same
US7408191B2 (en) 2001-05-22 2008-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent device and process of manufacturing the same
US9761645B2 (en) 2001-05-22 2017-09-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent device having light emitting element and transistor
US8450741B2 (en) 2001-05-22 2013-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent device and process of manufacturing the same
JP2003045671A (ja) * 2001-05-22 2003-02-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2008243817A (ja) * 2002-03-27 2008-10-09 Cambridge Display Technol Ltd 有機光電子及び電子装置の製造方法並びにこれによって得られた装置
JP4563006B2 (ja) * 2002-07-23 2010-10-13 三星モバイルディスプレイ株式會社 デュアルタイプ有機電界発光表示装置
JP2004055565A (ja) * 2002-07-23 2004-02-19 Samsung Nec Mobile Display Co Ltd デュアルタイプ有機電界発光表示装置とその製造方法
JP2005071646A (ja) * 2003-08-28 2005-03-17 Chi Mei Electronics Corp 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法
JP2005276827A (ja) * 2004-03-22 2005-10-06 Lg Electron Inc 有機電界発光素子およびその製造方法
JP2006221875A (ja) * 2005-02-08 2006-08-24 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
JP4655266B2 (ja) * 2005-02-08 2011-03-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP2006228578A (ja) * 2005-02-17 2006-08-31 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子用カラーフィルタ基板
JP2007073332A (ja) * 2005-09-07 2007-03-22 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンスパネル、有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
JP2006196466A (ja) * 2006-03-09 2006-07-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置の作製方法
JP4663554B2 (ja) * 2006-03-09 2011-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
JP4663560B2 (ja) * 2006-03-17 2011-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 カーオーディオ、音響再生装置および携帯情報端末
JP2006261123A (ja) * 2006-03-17 2006-09-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd カーオーディオ、表示装置、音響再生装置、及び携帯情報端末
JP4656204B2 (ja) * 2008-07-28 2011-03-23 セイコーエプソン株式会社 表示装置
JP2008268979A (ja) * 2008-07-28 2008-11-06 Seiko Epson Corp 表示装置
JP2012099503A (ja) * 2012-02-21 2012-05-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2013179089A (ja) * 2013-06-20 2013-09-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｅｌ表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3247388B2 (ja) 2002-01-15
KR100500078B1 (ko) 2005-07-18
TW334513B (en) 1998-06-21
KR20040059492A (ko) 2004-07-05
EP1773103A3 (en) 2008-04-02
EP1773103B1 (en) 2010-08-04
US6498428B1 (en) 2002-12-24
US6175186B1 (en) 2001-01-16
EP0884930A4 (en) 1999-04-28
DE69739955D1 (de) 2010-09-16
EP0884930A1 (en) 1998-12-16
EP0884930B1 (en) 2010-09-29
DE69740011D1 (de) 2010-11-11
EP1773103A2 (en) 2007-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO1997031508A1 (fr) Element electroluminescent organique et procede de fabrication
JP3999837B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP3948082B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP4114895B2 (ja) 有機ｅｌ表示装置
JPH1154285A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000012220A (ja) 有機ｅｌディスプレイパネルの製造方法
US6548227B2 (en) Protective layer for corrosion prevention during lithography and etch
JP3707290B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルおよびその製造方法
JPH11224781A (ja) 有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法
JP3836946B2 (ja) 有機ｅｌ表示装置
JP2002140979A (ja) 電界電子放出装置及びその製造方法
JPH10261486A (ja) 有機ｅｌ発光装置の製造方法
JPH10247587A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
JP2001326069A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JPH11273870A (ja) 有機ｅｌ素子
JP2008108590A (ja) 有機ｅｌ素子及びその製造方法
JPH09320760A (ja) 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子のパターニング方法
JP2001076866A (ja) 有機電界発光装置
JP2004273438A (ja) エッチング用マスク
JP4193170B2 (ja) 表示素子の欠陥修復方法
KR100453427B1 (ko) 유기전자발광소자및그의제조방법
JP3755727B2 (ja) 有機薄膜発光ディスプレイパネルおよびその製造方法
JP2006351553A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2001291580A (ja) 有機電界発光装置
JPH10261490A (ja) 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): JP KR US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1997904615

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1019980706529

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 09117286

Country of ref document: US

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1997904615

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1019980706529

Country of ref document: KR

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 1019980706529

Country of ref document: KR