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Brevets

  1. Recherche avancée dans les brevets
Numéro de publicationWO1998031016 A1
Type de publicationDemande
Numéro de demandePCT/US1998/000352
Date de publication16 juil. 1998
Date de dépôt8 janv. 1998
Date de priorité8 janv. 1997
Autre référence de publicationDE69824145D1, DE69824145T2, EP0951720A1, EP0951720B1, EP1469479A2, EP1469479A3, US5943263, US6256229, US6266277, US6272048, US6339547, US6392928, US6434046, US6438033, US6469936, US6542408, US6552933, US6552934, US20010040823, US20010043491, US20010046159, US20020027805, US20020114189, US20020114190, US20020118571
Numéro de publicationPCT/1998/352, PCT/US/1998/000352, PCT/US/1998/00352, PCT/US/98/000352, PCT/US/98/00352, PCT/US1998/000352, PCT/US1998/00352, PCT/US1998000352, PCT/US199800352, PCT/US98/000352, PCT/US98/00352, PCT/US98000352, PCT/US9800352, WO 1998/031016 A1, WO 1998031016 A1, WO 1998031016A1, WO 9831016 A1, WO 9831016A1, WO-A1-1998031016, WO-A1-9831016, WO1998/031016A1, WO1998031016 A1, WO1998031016A1, WO9831016 A1, WO9831016A1
InventeursFrankie F. Roohparvar
DéposantMicron Technology, Inc.
Exporter la citationBiBTeX, EndNote, RefMan
Liens externes:  Patentscope, Espacenet
Protection de la tension de programmation dans un systeme de memoire remanente
WO 1998031016 A1
Résumé
On décrit un système de mémoire comprenant un réseau de cellules mémoire, un noeud de tension de programmation destiné à recevoir une première tension de programmation, un dispositif de commande de mémoire qui commande les opérations de programmation de la mémoire sur le réseau de cellules mémoire et un circuit de détection de la tension qui est couplé fonctionnellement au dispositif de commande de mémoire et au noeud de tension de programmation. Le circuit de détection de la tension est configuré pour permettre au dispositif de commande de mémoire de déclencher une des opérations de programmation si la première tension de programmation est supérieure à un premier niveau de tension et de poursuivre l'opération de programmation lorsque cette dernière a été déclenchée si la première tension de programmation chute à un deuxième niveau de tension, et de mettre un terme à l'opération de programmation lorsque cette dernière a été déclenchée si la première tension de programmation chute en-deça du deuxième niveau de tension, le premier niveau de tension étant supérieur au deuxième niveau de tension. On décrit également un procédé permettant de commander le fonctionnement d'un système de mémoire comprenant un réseau de cellules mémoire; ce procédé se déroule de la manière suivante: on utilise une première tension de programmation, on déclenche une opération de programmation de la mémoire si l'intensité de la première tension de programmation est supérieure à un premier niveau de tension, on poursuit l'opération de programmation déclenchée si la première tension de programmation reste supérieure en intensité à un deuxième niveau de tension, l'intensité du premier niveau de tension étant supérieure à celle du deuxième niveau de tension, et on met un terme à l'opération de programmation déclenchée si l'intensité de la première tension de programmation chute en-deça du deuxième niveau de tension.
Description  disponible en Anglais
Revendications  disponible en Anglais
Citations de brevets
Brevet cité Date de dépôt Date de publication Déposant Titre
WO1997048100A1 *27 mai 199718 déc. 1997Inside TechnologiesMemoire remanente effacable et programmable electriquement, protegee contre les coupures d'alimentation
DE4226710A1 *12 août 19923 juin 1993Mitsubishi Electric CorpHalbleiterspeichereinrichtung und betriebsverfahren fuer eine solche
US5199032 *4 sept. 199030 mars 1993Motorola, Inc.Microcontroller having an EPROM with a low voltage program inhibit circuit
US5274827 *25 févr. 199128 déc. 1993Delco Electronics CorporationMethod for EEPROM write protection using threshold voltage projection
Citations hors brevets
Référence
1 *SEUNG-MOON YOO ET AL: "VARIABLE VCC DESIGN TECHNIQUES FOR BATTERY-OPERATED DRAM'S", IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, vol. E76-C, no. 5, 1 May 1993 (1993-05-01), pages 839 - 843, XP000381127
Référencé par
Brevet citant Date de dépôt Date de publication Déposant Titre
EP1281091A1 *14 mars 20015 févr. 2003Advanced Technology Materials, Inc.Procede et appareil permettant de detecter une tentative de violation d'acces et d'isoler un circuit de cette tentative
EP1281091A4 *14 mars 200113 avr. 2005Advanced Tech MaterialsProcede et appareil permettant de detecter une tentative de violation d'acces et d'isoler un circuit de cette tentative
US752913424 mai 20065 mai 2009Samsung Electronics Co., Ltd.Flash memory devices configured to be programmed using variable initial program loops and related devices
US85592345 janv. 201215 oct. 2013Kabushiki Kaisha ToshibaSemiconductor memory device
Classifications
Classification internationaleG11C16/12, G11C5/14, G11C16/02, H02M3/135, G11C16/06, G11C16/22
Classification coopérativeG11C16/12, G11C16/225, G11C5/143
Classification européenneG11C16/22V, G11C5/14D, G11C16/12
Événements juridiques
DateCodeÉvénementDescription
16 juil. 1998AKDesignated states
Kind code of ref document: A1
Designated state(s): AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BY CA CH CN CU CZ DE DK EE ES FI GB GE GH GM GW HU ID IL IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MD MG MK MN MW MX NO NZ PL PT RO RU SD SE SG SI SK SL TJ TM TR TT UA UG UZ VN YU ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM
16 juil. 1998ALDesignated countries for regional patents
Kind code of ref document: A1
Designated state(s): GH GM KE LS MW SD SZ UG ZW AT BE CH DE DK ES FI FR GB GR IE IT
24 sept. 1998DFPERequest for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
16 déc. 1998121Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
8 juil. 1999WWEWipo information: entry into national phase
Ref document number: 1019997006198
Country of ref document: KR
8 juil. 1999ENPEntry into the national phase in:
Ref country code: JP
Ref document number: 1998 531097
Kind code of ref document: A
Format of ref document f/p: F
12 juil. 1999WWEWipo information: entry into national phase
Ref document number: 1998903408
Country of ref document: EP
27 oct. 1999WWPWipo information: published in national office
Ref document number: 1998903408
Country of ref document: EP
11 nov. 1999REGReference to national code
Ref country code: DE
Ref legal event code: 8642
25 nov. 2000WWPWipo information: published in national office
Ref document number: 1019997006198
Country of ref document: KR
22 janv. 2002WWRWipo information: refused in national office
Ref document number: 1019997006198
Country of ref document: KR
26 mai 2004WWGWipo information: grant in national office
Ref document number: 1998903408
Country of ref document: EP