WO1999018661A1 - Push-pull mixer - Google Patents

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WO1999018661A1
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mixed
mixer
push
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PCT/DE1998/002983
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Inventor
Andreas Werthof
Heinz-Jürgen SIWERIS
Ulrich Schaper
Georg Böck
Andre SCHÄFER
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Siemens Aktiengesellschaft
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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • H03D7/14—Balanced arrangements

Definitions

  • the present invention relates to a push-pull mixer, also known as a balanced mixer, which is constructed as a resistive mixer with field-effect transistors.
  • a signal frequency generator preferably a so-called local oscillator, is used to generate a frequency signal which, when mixed with the input signal, delivers the desired intermediate frequency.
  • a suitable mixer must contain a non-linear component for frequency conversion.
  • Diodes or transistors are used as nonlinear components. In the microwave and millimeter wave range, these are in particular MESFET, HEMT (MODFET) or HBT components on materials which contain III-V semiconductor materials such as, for. B. contain GaAs.
  • Transistor mixers are usually operated actively in order to achieve the highest possible conversion gain of the mixer by amplifying the transistor.
  • a mixer with field effect transistors can also be operated passively.
  • Figure 2 shows the arrangement of the mixer as a basic circuit diagram. The mixer is represented by a symbol that is formed by a cross in a circle.
  • FIG. 3 shows the basic circuit diagram of a resistive mixer using a field effect transistor.
  • a voltage V DS between drain D and source S is dispensed with.
  • the operating point of the transistor is set with the voltage V GS between gate G and source S.
  • the LO signal is preferably applied to the gate G of the transistor via a first network NW1; the RF and IF signals are connected to the drain D of the transistor via further networks NW2 and NW3; Source S of the transistor is at ground.
  • Transistor controls the transistor channel between the "low resistance (ON)” and “high resistance (OFF)” states.
  • the field effect transistor acts as a resistor controlled by the LO signal via the first network, hence the name resistive mixer.
  • the networks NW1, NW2 and NW3, which can in principle also be omitted, are used for impedance matching and signal separation (isolation).
  • the first network NW1 also contains the gate voltage supply for the gate-source voltage V GS .
  • Such mixers are described in the textbooks on microwave technology or high-frequency technology. Corresponding information can also be found in textbooks on high-frequency transistors. In particular, reference is made to the book SA Maas: "Microwave Mixers", Artech House 1993, second edition.
  • FIG. 4 shows the block diagram of a simply balanced resistive mixer.
  • the network -NW1 In addition to the properties mentioned in FIG. 3, in the balanced mixer the network -NW1 must generate a phase difference of 180 ° between the two LO signals present at the output. These L ⁇ signals, which are 180 ° out of phase with each other, are each fed to a gate terminal G of the field effect transistors.
  • the phase difference can be generated by 180 ° couplers or by 180 ° detour lines.
  • the RF signals are present in phase, preferably via a second network NW2, at the drain connections D of the transistors, ie their phase difference is 0 °.
  • the phase difference of 180 ° appears again at the intermediate frequency outputs ZFa and ZFb.
  • the IF signals are also tapped here in the branches of the drain connections of the transistors, preferably via further networks NW3a, NW3b, and combined with the aid of a transformer or coupler.
  • the advantage of a balanced mixer is a better decoupling (isolation) between the LO and RF signals due to the phase-infeed on the gate side of the transistor and the cancellation of the overcoupled LO signals on the common drain side of the transistors.
  • Another advantage of the balanced mixer is the suppression of the amplitude noise of the LO signal due to the phase-infeed.
  • the object of the present invention is to provide a push-pull mixer, the circuit of which is simplified compared to conventional arrangements and can therefore be made more space-saving. This object is achieved with the push-pull mixer with the features of claim 1. Refinements result from the dependent claims.
  • the mixer according to the invention is a resistive balanced mixer that uses two field effect transistors. In contrast to known circuits, the intermediate frequencies in the branches of the source connections of the transistors are tapped in the arrangement according to the invention.
  • the networks NW3a and NW3b shown in FIG. 4 are omitted.
  • the circuit parts required to separate the RF and IF signals in the NW2 network of the RF input are eliminated. This simplifies the circuit.
  • FIG. 1 shows the block diagram of a mixer according to the invention.
  • Figures 2, 3 and 4 show the block diagrams for the arrangements described at the beginning of the prior art.
  • FIG. 5 shows a layout for the arrangement of a mixer according to the invention for applications in the microwave or millimeter wave range.
  • the LO signal is applied to the gate junctions G of the transistors, preferably via a network NW1.
  • the RF signal is fed to the drain connections D, preferably via a second network NW2.
  • the IF signal is taken from the source connections S of the transistors.
  • Capacitors C are preferably present in the circuit branch of the source connections, via which the source connections are connected to ground. These capacitors therefore act as a short circuit for the high-frequency HF and L0 signals and represent a high-impedance impedance for the IF signals.
  • a closed IF circuit via the Drain-source paths of the transistors are created by connecting the two IF outputs ZFa, ZFb via a load resistor or via a balun (transformer or 180 ° coupler).
  • This mixer is the improved decoupling between the RF and IF signals.
  • the circuit structure is simplified compared to conventional resistive mixers.
  • Another advantage of this mixer is therefore a very compact and space-saving design of the circuit design.
  • FIG. 5 shows a schematic example of an application in the range of millimeter waves.
  • V GS gate voltage supply
  • a drain voltage supply is not required due to resistive (passive) operation.
  • the network parts for the isolation between the signals are eliminated.
  • a strip line ⁇ is drawn in with the length of half a wavelength of the LO signal, which causes a phase shift by 180 ° of the LO signal present at the second gate connection.
  • a common drain terminal D of the transistors was achieved by a symmetrical arrangement of the transistors.
  • the configuration of the mixer according to the invention is not limited to certain frequency ranges of the LO, HF and IF signals, rather it can generally be implemented for all frequency ranges.
  • the configuration of the mixer can be used regardless of any networks used for impedance matching. It is therefore a circuit-related simplification and improvement of conventional push-pull mixers that can be used universally.

Abstract

The invention relates to a balanced resistive mixer with two field effect transistors. According to the invention, a first signal (LO) which is to be mixed and has a phase displacement of 180o is fed to the gate terminals (G) of the transistors. In addition, a second signal (HF) which is to be mixed is fed in phase to the drain terminals (D). The source terminals (S) are used as output terminals of each mixed signal (ZFa, ZFb). For high frequencies, said source terminals are short-circuited against a ground via capacitors (C). Matching networks (NW1, NW2) between the terminals of the signal to be mixed and the gate terminals or drain terminals of the transistors serve the impedance adapter and the gate energy supply.

Description

Beschreibungdescription
GegentaktmiseherPush-pull video
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Gegentaktmischer , auch als balancierter Mischer bezeichnet, der als resistiver Mischer mit Feldeffekttransistoren aufgebaut ist.The present invention relates to a push-pull mixer, also known as a balanced mixer, which is constructed as a resistive mixer with field-effect transistors.
In verschiedenen Anwendungen der Signalverarbeitung ist es erforderlich, ein Signal einer bestimmten Frequenz auf eine andere Frequenz umzusetzen. Es kann z. B. erforderlich sein, ein Hochfrequenzsignal in ein Zwischenfrequenzsignal umzusetzen. Die Zwischenfrequenz ist üblicherweise niedriger als die ursprüngliche Frequenz; es kann aber auch vorgesehen sein, eine Frequenz auf eine höhere Frequenz heraufzusetzen. Es wird zu diesem Zweck ein Signalfrequenzgenerator, vorzugsweise ein sogenannter Lokaloszillator, verwendet, um ein Frequenzsignal zu erzeugen, das bei einer Mischung mit dem Eingangssignal die gewünschte Zwischenfrequenz liefert.In various signal processing applications, it is necessary to convert a signal of a certain frequency to another frequency. It can e.g. B. may be necessary to convert a high frequency signal into an intermediate frequency signal. The intermediate frequency is usually lower than the original frequency; but it can also be provided to increase a frequency to a higher frequency. For this purpose, a signal frequency generator, preferably a so-called local oscillator, is used to generate a frequency signal which, when mixed with the input signal, delivers the desired intermediate frequency.
Ein dafür geeigneter Mischer muß für die Frequenzumsetzung ein nichtlineares Bauelement enthalten. Als nichtlineare Bauelemente werden Dioden oder Transistoren benutzt, im Mikrowellen- und Millimeterwellenbereich sind dies insbesondere MESFET-, HEMT- (MODFET- ) oder HBT-Bauelemente auf Materialien, die III-V-Halbleitermaterialien wie z. B. GaAs enthalten. Transistormischer werden in der Regel aktiv betrieben, um durch die Verstärkung des Transistors einen möglichst hohen Konversionsgewinn des Mischers zu erreichen. Ein Mischer mit Feldeffektransistoren kann auch passiv betrieben werden. Figur 2 zeigt die Anordnung des Mischers als Prinzipschaltbild. Der Mischer wird durch ein Symbol dargestellt, das durch ein Kreuz in einem Kreis gebildet wird. Das auf die Zwischenfrequenz ZF umzusetzende Signal HF wird zusammen mit dem Lokal- oszillatorsignal LO dem Mischer zugeführt, an dessen Ausgang die Zwischenfrequenz ZF abgegriffen werden kann. Figur 3 zeigt das Prinzipschaltbild eines resistiven Mischers unter Verwendung eines Feldeffekttransistors. Bei dem passiven Betrieb des Transistors wird auf eine Spannung VDS zwischen Drain D und Source S verzichtet. Mit der Spannung VGS zwischen Gate G und Source S wird der Arbeitspunkt des Transistors eingestellt. -Das LO-Signal wird vorzugsweise über ein erstes Netzwerk NWl an das Gate G des Transistors gelegt; die HF- und ZF-Signale werden über jeweils weitere Netzwerke NW2 und NW3 mit dem Drain D des Transistors verbunden; Source S des Transistors liegt auf Masse. Das LO-Signal am Gate desA suitable mixer must contain a non-linear component for frequency conversion. Diodes or transistors are used as nonlinear components. In the microwave and millimeter wave range, these are in particular MESFET, HEMT (MODFET) or HBT components on materials which contain III-V semiconductor materials such as, for. B. contain GaAs. Transistor mixers are usually operated actively in order to achieve the highest possible conversion gain of the mixer by amplifying the transistor. A mixer with field effect transistors can also be operated passively. Figure 2 shows the arrangement of the mixer as a basic circuit diagram. The mixer is represented by a symbol that is formed by a cross in a circle. The signal HF to be converted to the intermediate frequency IF is fed to the mixer together with the local oscillator signal LO, at whose output the intermediate frequency IF can be tapped. FIG. 3 shows the basic circuit diagram of a resistive mixer using a field effect transistor. In the passive operation of the transistor, a voltage V DS between drain D and source S is dispensed with. The operating point of the transistor is set with the voltage V GS between gate G and source S. The LO signal is preferably applied to the gate G of the transistor via a first network NW1; the RF and IF signals are connected to the drain D of the transistor via further networks NW2 and NW3; Source S of the transistor is at ground. The LO signal at the gate of the
Transistors steuert den Transistorkanal zwischen den Zuständen "niedriger Widerstand (ON) " und "hoher Widerstand (OFF) " . Der Feldeffekttransistor wirkt als ein vom LO-Signal über das erste Netzwerk gesteuerter Widerstand, daher kommt auch die Bezeichnung resistiver Mischer. Die Netzwerke NWl, NW2 und NW3 , die grundsätzlich auch weggelassen sein können, dienen der Impedanzanpassung und Signaltrennung (Isolation) . Das erste Netzwerk NWl enthält außerdem die Gatespannungsversorgung für die Gate-Source-Spannung VGS .Transistor controls the transistor channel between the "low resistance (ON)" and "high resistance (OFF)" states. The field effect transistor acts as a resistor controlled by the LO signal via the first network, hence the name resistive mixer. The networks NW1, NW2 and NW3, which can in principle also be omitted, are used for impedance matching and signal separation (isolation). The first network NW1 also contains the gate voltage supply for the gate-source voltage V GS .
Die Vorteile des resistiven Mischers bestehen darin, daß keine Stromversorgung benötigt wird (VDS=0 V) , daß der Mischer gute Großsignaleigenschaften besitzt, daß kleine Leistungen des LO-Signales zum Betrieb ausreichen und daß das niederfre- quente l/f-Rauschen reduziert wird, insbesondere bei Verwendung von GaAs-Mikrowellen- oder Millimeterwellentransistoren. Derartige Mischer sind in den Lehrbüchern über Mikrowellentechnik oder Hochfrequenztechnik beschrieben. Entsprechende Hinweise finden sich auch in Lehrbüchern über hochfrequenz- taugliche Transistoren. Insbesondere werde an dieser Stelle hingewiesen auf das Buch S. A. Maas: "Microwave Mixers", Ar- tech House 1993, zweite Auflage.The advantages of the resistive mixer are that no power supply is required (V DS = 0 V), that the mixer has good large signal properties, that low outputs of the LO signal are sufficient for operation and that the low-frequency l / f noise is reduced is, especially when using GaAs microwave or millimeter wave transistors. Such mixers are described in the textbooks on microwave technology or high-frequency technology. Corresponding information can also be found in textbooks on high-frequency transistors. In particular, reference is made to the book SA Maas: "Microwave Mixers", Artech House 1993, second edition.
Bei einem Gegentaktmischer (Balanced Mixer, eingedeutscht auch als balancierter Mischer bezeichnet) , wie er in Figur 4 dargestellt ist, werden zwei Feldeffekttransistoren verwendet, die mit dem LO-Signal mit einer Phasenverschiebung von 180° gegeneinander angesteuert werden. Es gibt unterschiedliche Ausführungen von Mischern, die sich z. B. in der Balancierung unterscheiden. Die Figur 4 zeigt das Blockschaltbild eines einfach balancierten resistiven Mischers. Zusätzlich zu den bei Figur 3 genannten Eigenschaften muß beim balancierten Mischer das Netzwerk -NWl einen Phasenunterschied von 180° zwischen den beiden am Ausgang anliegenden LO-Signalen erzeugen. Diese LÖ-Signale, die zueinander um 180° phasenverschoben sind, werden jeweils einem Gate-Anschluß G der Feldef- fekttransistoren zugeführt. Der Phasenunterschied kann durch 180°-Koppler oder durch 180°-Umwegleitungen erzeugt werden. Die HF-Signale liegen, vorzugsweise über ein zweites Netzwerk NW2 , phasengleich an den Drain-Anschlüssen D der Transistoren an, d. h. ihre Phasendifferenz beträgt 0°. Die Phasendiffe- renz von 180° erscheint wieder an den Zwischenfrequenzausgän- gen ZFa und ZFb. Die ZF-Signale werden auch hier in den Zweigen der Drain-Anschlüsse der Transistoren, vorzugsweise über weitere Netzwerke NW3a, NW3b, abgegriffen und kombiniert mit Hilfe eines Transformators oder Kopplers.In a push-pull mixer (balanced mixer, also known as a balanced mixer), as shown in FIG. 4, two field effect transistors are used, which are connected to the LO signal with a phase shift of Can be controlled 180 ° against each other. There are different versions of mixers, z. B. differentiate in the balance. FIG. 4 shows the block diagram of a simply balanced resistive mixer. In addition to the properties mentioned in FIG. 3, in the balanced mixer the network -NW1 must generate a phase difference of 180 ° between the two LO signals present at the output. These LÖ signals, which are 180 ° out of phase with each other, are each fed to a gate terminal G of the field effect transistors. The phase difference can be generated by 180 ° couplers or by 180 ° detour lines. The RF signals are present in phase, preferably via a second network NW2, at the drain connections D of the transistors, ie their phase difference is 0 °. The phase difference of 180 ° appears again at the intermediate frequency outputs ZFa and ZFb. The IF signals are also tapped here in the branches of the drain connections of the transistors, preferably via further networks NW3a, NW3b, and combined with the aid of a transformer or coupler.
Der Vorteil eines balancierten Mischers besteht in einer besseren Entkopplung (Isolation) zwischen den LO- und HF- Signalen aufgrund der gegenphasigen Einspeisung auf der Gateseite des Transistors und der Auslöschung der übergekoppelten LO-Signale auf der gemeinsamen Drainseite der Transistoren.The advantage of a balanced mixer is a better decoupling (isolation) between the LO and RF signals due to the phase-infeed on the gate side of the transistor and the cancellation of the overcoupled LO signals on the common drain side of the transistors.
Ein weiterer Vorteil des balancierten Mischers besteht in der Unterdrückung des Amplitudenrauschens des LO-Signals aufgrund der gegenphasigen Einspeisung.Another advantage of the balanced mixer is the suppression of the amplitude noise of the LO signal due to the phase-infeed.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Gegentaktmi- scher anzugeben, dessen Schaltung gegenüber herkömmlichen Anordnungen vereinfacht ist und daher platzsparender ausgeführt werden kann. Diese Aufgabe wird mit dem Gegentaktmischer mit den Merkmalen des Anspruches 1 gelöst. Ausgestaltungen ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen. Der erfindungsgemäße Mischer ist ein resistiver balancierter Mischer, der zwei Feldeffektransistoren verwendet. Im Gegensatz zu bekannten Schaltungen werden bei der erfindungsgemäßen Anordnung die Zwischenfrequenzen in den Zweigen der Source-Anschlüsse der Transistoren abgegriffen. Die in Figur 4 eingezeichneten Netzwerke NW3a und NW3b entfallen. Die zur Trennung der HF- und ZF-Signale erforderlichen Schaltungsteile im Netzwerk NW2 des HF-Einganges entfallen. Dadurch vereinfacht sich die Schaltung.The object of the present invention is to provide a push-pull mixer, the circuit of which is simplified compared to conventional arrangements and can therefore be made more space-saving. This object is achieved with the push-pull mixer with the features of claim 1. Refinements result from the dependent claims. The mixer according to the invention is a resistive balanced mixer that uses two field effect transistors. In contrast to known circuits, the intermediate frequencies in the branches of the source connections of the transistors are tapped in the arrangement according to the invention. The networks NW3a and NW3b shown in FIG. 4 are omitted. The circuit parts required to separate the RF and IF signals in the NW2 network of the RF input are eliminated. This simplifies the circuit.
Es folgt eine Beschreibung des erfindungsgemäßen Mischers anhand der Figuren 1 bis 5 :The mixer according to the invention is described with reference to FIGS. 1 to 5:
Figur 1 zeigt das Blockschaltbild eines erfindungsgemäßen Mischers . Figur 2, 3 und 4 zeigen die Blockschaltbilder zu den eingangs zum Stand der Technik beschriebenen Anordnungen. Figur 5 zeigt ein Layout für die Anordnung eines erfindungsgemäßen Mischers für Anwendungen im Mikrowel- len- oder Millimeterwellenbereich.Figure 1 shows the block diagram of a mixer according to the invention. Figures 2, 3 and 4 show the block diagrams for the arrangements described at the beginning of the prior art. FIG. 5 shows a layout for the arrangement of a mixer according to the invention for applications in the microwave or millimeter wave range.
Bei dem erfindungsgemäßen Gegentaktmischer entsprechend Figur 1 werden alle drei Anschlüsse der Feldeffekttransistoren für die drei bei Mischern benutzten Frequenzen in einer balan- eierten Mischerausführung verwendet. Bei diesem balancierten resistiven Mischer mit Feldeffekttransistoren wird das LO- Signal, vorzugsweise über ein Netzwerk NWl, an die Gate- jfuschlüsse G der Transistoren angelegt. Das HF-Signal wird, vorzugsweise über ein zweites Netzwerk NW2 , den Drain- Anschlüssen D zugeführt. Das ZF-Signal wird im Gegensatz zu bekannten Ausführungen an den Source-Anschlüssen S der Transistoren abgenommen. Vorzugsweise sind in dem Schaltungszweig der Source-Anschlüsse Kondensatoren C vorhanden, über die die Source-Anschlüsse mit Masse verbunden sind. Diese Kondensato- ren wirken daher als Kurzschluß für die hochfrequenten HF- und L0-Signale und stellen eine hochohmige Impedanz für die ZF-Signale dar. Ein geschlossener ZF-Stromkreis über die Drain-Source-Strecken der Transistoren entsteht durch Verbindung der beiden ZF-Ausgänge ZFa, ZFb über einen Lastwiderstand bzw. über ein Symmetrierglied (Transformator oder 180°- Koppler .In the push-pull mixer according to the invention according to FIG. 1, all three connections of the field effect transistors are used for the three frequencies used in mixers in a balanced mixer design. In this balanced resistive mixer with field effect transistors, the LO signal is applied to the gate junctions G of the transistors, preferably via a network NW1. The RF signal is fed to the drain connections D, preferably via a second network NW2. In contrast to known designs, the IF signal is taken from the source connections S of the transistors. Capacitors C are preferably present in the circuit branch of the source connections, via which the source connections are connected to ground. These capacitors therefore act as a short circuit for the high-frequency HF and L0 signals and represent a high-impedance impedance for the IF signals. A closed IF circuit via the Drain-source paths of the transistors are created by connecting the two IF outputs ZFa, ZFb via a load resistor or via a balun (transformer or 180 ° coupler).
Ein Vorteil dieses Mischers liegt in der verbesserten Entkopplung zwischen den HF- und ZF-Signalen. Der Schaltungsaufbau ist gegenüber herkömmlichen resistiven Mischern vereinfacht. Ein weiterer Vorteil dieses Mischers besteht daher in einer sehr kompakten und platzsparenden Ausführung des Schaltungsentwurfes .One advantage of this mixer is the improved decoupling between the RF and IF signals. The circuit structure is simplified compared to conventional resistive mixers. Another advantage of this mixer is therefore a very compact and space-saving design of the circuit design.
Figur 5 zeigt ein schematisiertes Beispiel für eine Anwendung im Bereich von Millimeterwellen. Mit diesem Layout ist eine monolithische Realisierung der Mischerschaltung möglich. Es wird nur ein Netzwerk für die Gatespannungsversorgung VGS benötigt, das in dem vereinfachten Schema der Figur nicht eingezeichnet ist. Eine Drain-Spannungsversorgung entfällt durch den resistiven (passiven) Betrieb. Die Netzwerkteile für die Isolationen zwischen den Signalen entfallen. In dem dargestellten Beispiel ist eine Streifenleitung π mit der Länge einer halben Wellenlänge des LO-Signales eingezeichnet, die eine Phasenverschiebung um 180° des an dem zweiten Gate- Anschluß anliegenden LO-Signales bewirkt. Ein gemeinsamer Drain-Anschluß D der Transistoren wurde durch eine symmetrische Anordnung der Transistoren erreicht .FIG. 5 shows a schematic example of an application in the range of millimeter waves. With this layout, a monolithic realization of the mixer circuit is possible. Only one network is required for the gate voltage supply V GS , which is not shown in the simplified diagram of the figure. A drain voltage supply is not required due to resistive (passive) operation. The network parts for the isolation between the signals are eliminated. In the example shown, a strip line π is drawn in with the length of half a wavelength of the LO signal, which causes a phase shift by 180 ° of the LO signal present at the second gate connection. A common drain terminal D of the transistors was achieved by a symmetrical arrangement of the transistors.
Die erfindungsgemäße Konfiguration des Mischers ist nicht beschränkt auf bestimmte Frequenzbereiche der LO- , HF- und ZF- Signale, sie ist vielmehr für alle Frequenzbereiche generell realisierbar. Die Konfiguration des Mischers ist anwendbar unabhängig von eventuell benutzten Netzwerken zur Impedanzanpassung. Es handelt sich daher um eine schaltungstechnisch wesentliche Vereinfachung und Verbesserung herkömmlicher Ge- gentaktmischer, die universell einsetzbar ist. The configuration of the mixer according to the invention is not limited to certain frequency ranges of the LO, HF and IF signals, rather it can generally be implemented for all frequency ranges. The configuration of the mixer can be used regardless of any networks used for impedance matching. It is therefore a circuit-related simplification and improvement of conventional push-pull mixers that can be used universally.

Claims

Patentansprüche claims
1. Resistiver Gegentaktmischer mit zwei Feldeffekttransistoren mit Anschlüssen für Source (S) , Drain (D) und Gate (G) , bei dem ein erstes zu mischendes Signal (LO) den Gate- Anschlüssen mit einer Phasenverschiebung um 180° zueinander zugeführt wird, bei dem ein zweites zu mischendes Signal (HF) gleichphasig den Drain-Anschlüssen zugeführt wird und bei dem die Source-Anschlüsse als Ausgänge je eines Mischsignales (ZFa, ZFb) vorgesehen sind.1. Resistive push-pull mixer with two field effect transistors with connections for source (S), drain (D) and gate (G), in which a first signal to be mixed (LO) is supplied to the gate connections with a phase shift of 180 ° to one another to which a second signal (HF) to be mixed is fed in phase to the drain connections and in which the source connections are provided as outputs of a mixed signal (ZFa, ZFb).
2. Gegentaktmischer nach Anspruch 1, bei dem Mittel vorhanden sind, um die Mischsignale zu kombinieren .2. Push-pull mixer according to claim 1, in which means are provided to combine the mixed signals.
3. Gegentaktmischer nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Source-Anschlüsse über Kondensatoren C an Masse gelegt sind.3. Push-pull mixer according to claim 1 or 2, in which the source connections are connected to ground via capacitors C.
4. Gegentaktmischer nach einem der Ansprüche 1 bis 3 , bei dem zwischen einem Anschluß für das erste zu mischende Signal (LO) und den Gate-Anschlüssen ein erstes Netzwerk (NWl) vorhanden ist und bei dem zwischen einem Anschluß für das zweite zu mischende Signal (HF) und den Drain-Anschlüssen ein zweites Netzwerk (NW2) vorhanden ist.4. push-pull mixer according to one of claims 1 to 3, in which there is a first network (NW1) between a connection for the first signal to be mixed (LO) and the gate connections and in which between a connection for the second signal to be mixed (HF) and the drain connections a second network (NW2) is available.
5. Gegentaktmischer nach einem der Ansprüche 1 bis 4 zur Mischung von Signalen mit Wellenlängen im Mikrowellen- oder Millimeterwellenbereich, bei dem zur Erzeugung einer Phasenverschiebung um 180° des ersten zu mischenden Signals eine Streifenleitung (π) einer Länge einer halben Wellenlänge an den Gate-Anschluß eines der Feldeffekttransistoren angeschlossen ist. 5. push-pull mixer according to one of claims 1 to 4 for mixing signals with wavelengths in the microwave or millimeter wave range, in which to generate a phase shift by 180 ° of the first signal to be mixed a strip line (π) a length of half a wavelength to the gate Connection of one of the field effect transistors is connected.
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