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Brevets

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Numéro de publicationWO1999060627 A1
Type de publicationDemande
Numéro de demandePCT/DE1999/001353
Date de publication25 nov. 1999
Date de dépôt5 mai 1999
Date de priorité19 mai 1998
Numéro de publicationPCT/1999/1353, PCT/DE/1999/001353, PCT/DE/1999/01353, PCT/DE/99/001353, PCT/DE/99/01353, PCT/DE1999/001353, PCT/DE1999/01353, PCT/DE1999001353, PCT/DE199901353, PCT/DE99/001353, PCT/DE99/01353, PCT/DE99001353, PCT/DE9901353, WO 1999/060627 A1, WO 1999060627 A1, WO 1999060627A1, WO 9960627 A1, WO 9960627A1, WO-A1-1999060627, WO-A1-9960627, WO1999/060627A1, WO1999060627 A1, WO1999060627A1, WO9960627 A1, WO9960627A1
InventeursThomas Zeiler, Gerold GRÜNDLER
DéposantSiemens Aktiengesellschaft
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Liens externes:  Patentscope, Espacenet
Electronic module
WO 1999060627 A1
Résumé
The inventive module comprises a semiconductor unit (1) which is mounted on the top surface (2a) of a substrate (2). A two dimensional pin configuration (20) is provided on the bottom surface (2b) of the substrate, said pin configuration having individual outer, external contacts (16) which are located close to the substrate edge and internal contacts (14) which are surrounded all around by said outer contacts. In order to guarantee high-frequency shielding, the external contacts (16) are set on shielding potential (30) and an electroconductive shield (28) is placed on the top surface of the substrate (2a). This shield (28) covers the semiconductor unit and is also on shielding potential (30). At least one internal contact (14) is subjected to a high-frequency signal (HF).
Revendications  Langue du texte original : Allemand  (Le texte OCR peut contenir des erreurs.)
Patentanspr├╝che Patentanspr├╝che
1. Elektronische Baugruppe 1. Electronic assembly
- mit mindestens einem Halbleiterbaustein (1) und - mit einem Substrat (2) , auf dessen Oberseite (2a) der Halbleiterbaustein (1) angeordnet ist und an dessen Unterseite (26) eine zweidimensionale Anschlu├ƒanordnung (20) vorgesehen ist, die ├ñu├ƒere, substratkantennahe Au├ƒenkontakte (16) und von diesen umlaufend umgebene Innenkontakte (14) auf- weist, die zumindest teilweise mit Anschlu├ƒflecken (3) des Halbleiterbausteins (1) elektrisch verbunden sind, dadurch gekennzeichnet , da├ƒ - With at least one semiconductor module (1) and - comprising a substrate (2), on whose upper side (2a) of said semiconductor module (1) and on the underside (26) a two-dimensional Anschlu├ƒanordnung (20) is provided, which ├ ñu├ƒere, substrate edges near Au├ƒenkontakte (16) and of these peripherally surrounded internal contacts (14) has up to at least partially with Anschlu├ƒflecken (3) of the semiconductor device (1) are electrically connected, characterized da├ƒ
- die Außenkontakte (16) auf Abschirmpotential (30) liegen, - The Außenkontakte (16) lying on shielding potential (30),
- auf die Substratoberseite (2a) eine elektrisch leitende Ab- schirmung (28) aufgebracht ist, die den Halbleiterbaustein - On the upper substrate side (2a), an electrically conductive shielding (28) is applied, the semiconductor device the
(1) umgibt und die ebenfalls auf Abschirmpotential (30) liegt, und (1) surrounds and also on shielding potential (30), and
- zumindest ein Innenkontakt (14) mit einem hochfrequenten Signal (HF) beaufschlagt ist. - At least an internal contact (14) with a high-frequency signal (HF) is applied.
2. Baugruppe nach Anspruch 1, dadurchgekennzeichnet, daß die Abschirmung (28) von einer Metallkappe gebildet ist. 2. An assembly according to claim 1, characterized in daß the shield (28) is formed by a metal cap.
3. Baugruppe nach Anspruch 1 oder 2, dadurchgekennzeichnet, daß auf der Substratoberseite (2a) eine umlaufende oder umlaufende partielle Metallisierung (26) vorgesehen ist, die auf Abschirmpotential (30) liegt und mit der die Abschirmung (28) elektrisch leitend verbunden ist. 3. An assembly according to claim 1 or 2 characterized in, daß on the upper substrate side (2a) has a circumferential or peripheral partial metallization (26) is provided, which lies on shielding potential (30) and with the shield (28) electrically conductively connected is.
4. Baugruppe nach Anspruch 3, dadurchgekennzeichnet, daß die Metallisierung (26) mit zumindest einem Außenkontakt (16; elektrisch verbunden ist. 4. An assembly according to claim 3, characterized in daß the metallization (26) with at least one Außenkontakt (16; electrically connected.
Description  Langue du texte original : Allemand  (Le texte OCR peut contenir des erreurs.)

Beschreibung description

Elektronische Baugruppe Electronic assembly

Die Erfindung liegt auf dem Gebiet der Anschluß- und Abschirmtechnik von Halbleiter-Bauteilen mit Hochfrequenz-Applikation und betrifft eine elektronische Baugruppe mit mindestens einem Halbleiterbaustein und mit einem Substrat, auf dessen Oberseite der Halbleiterbaustein angeordnet ist und an dessen Unterseite eine zweidimensionale Anschlußanordnung vorgesehen ist, die äußere, substratkantennahe Außenkontakte und von diesen umlaufend umgebene Innenkontakte aufweist, die zumindest teilweise mit Anschlußflecken des Halbleiterbauteils elektrisch verbunden sind. The invention is in the field of connection and shielding of semiconductor components with a high-frequency application and relates to an electronic assembly having at least one semiconductor module and a substrate on the top surface of the semiconductor device is disposed and on the underside of a two-dimensional connection arrangement is provided, the outer, substrate edges near outer contacts and from these peripherally surrounded internal contacts which are at least partially electrically connected to pads of the semiconductor device.

Eine derartige Baugruppe ist beispielsweise aus der Veröffentlichung „Electrical Characterization of BGA Packages" von C. atei und APAgrawal in 1997 Proceedings 47 th ECTC, IEEE, Seiten 1087 bis 1093, in Form eines sog. Plastic Ball-Grid- Arrays (PBGA) bekannt. Bei dieser Baugruppe ist ein Halbleiterbaustein über entsprechende Flecken (Kontakte oder Pads) zB mittels Drahtbonden mit korrespondierenden Anschlußflek- ken auf der Oberseite eines Substrats verbunden. Die Anschlußflecken können über auf der Substratoberseite verlau- fende und das Substrat durchdringende Leiterbahnen mit an der Substratunterseite ausgebildeten Kontakten elektrisch verbunden sein. Diese Kontakte sind in einer Ebene (zwei-di- mensional) in mehreren Spalten und Zeilen regelmäßig (dh im Raster) angeordnet und beispielsweise von Lotkugeln (Balls) bedeckt. Aus dieser Anordnung und Kontaktierbarkeit leitet sich der Begriff „Ball-Grid-Array (BGA) " ab, der zur üblichen Bezeichnung derartiger Anschlußanordnungen geworden ist. Such assembly is known eg from the publication "Electrical Characterization of BGA packages" of C. atei and APAgrawal in 1997 Proceedings 47 th ECTC, IEEE, pages 1087-1093, in the form of a so-called. Known Plastic ball grid array (PBGA) . in this module, a semiconductor device via corresponding spots (contacts or pads), for example by wire bonding is provided with corresponding Anschlußflek- ken on top of a substrate, respectively. the pads may be transferred to the upper substrate side verlau- Fende and the substrate penetrating conductor tracks formed on the substrate bottom his contacts electrically connected. These contacts are (two-di- dimensionally) in multiple rows and columns arranged in a plane on a regular basis (ie the grid) and covered, for example, solder balls (ball). this arrangement and contactability derives the term "ball -Grid array (BGA) "from, which has become a common name, such connector arrangements. In ähnlicher Weise aufgebaute Anschlußanordnungen, bei denen beispielsweise Stifte als externe Anschlußkontakte dienen, werden in analoger Weise als „Pin-Grid-Arrays (PGA)" bezeichnet. Similarly, terminal arrangements built in which are used for example pins as external connection contacts are referred to in a similar manner as "(PGA) pin grid arrays".

Die einzelnen externen Anschlußkontakte können rasterförmig im wesentlichen die gesamte- Substratunterseite bedecken oder aber auch in Form eines umlaufenden äußeren Bandes jeweils mehrerer paralleler Anschlußkontakte und/oder im zentralen Bereich als inselartiges Array angeordnet sein. Each external connection contacts can grid shape substantially covering the substrate bottom gesamte- or else be arranged in the form of a circumferential outer tape each of several parallel connection contacts and / or in the central region as an island-like array. Der auf der Substratoberseite angeordenete Halbleiterbaustein kann zusam- men mit den Bonddrähten von eine Schutzmasse bedeckt oder in eine Preßmasse eingekapselt sein. The angeordenete on the upper substrate side semiconductor device can together be covered with the bonding wires of a protective composition or encapsulated in a molding compound.

Derartige Baugruppen erlauben auf vergleichsweise geringem Anschluß-Platzbedarf eine sehr hohe funktionale Integration. Such modules allow a very high level of functional integration on a comparatively small terminal footprint. Sollen derartige Baugruppen jedoch im hochfrequenten Bereich (mit beispielsweise Frequenzen von mehr als 500 MHz) betrieben werden, erfordert ein störungsfreier Betrieb bzw. ein Schutz anderer benachbarter Ξchaltungsteile und/oder der Umwelt eine ausreichende elektromagnetische Abschirmung. However, if such assemblies in the high frequency range are operated (with, for example, frequencies greater than 500 MHz), requires a trouble-free operation and a protection of other neighboring Ξchaltungsteile and / or the environment sufficient electromagnetic shielding.

Dazu könnten grundsätzlich von anderen Baugruppen bekannte Abschirmmaßnahmen (beispielsweise die Verwendung einer leitfähigen Beschichtung des Halbleiterbausteins, Verwendung spezieller Abdeckmaßen oder einer separaten Abschirmung des Bau- teils) in Betracht bezogen werden. For this purpose (the use of a conductive coating of the semiconductor device, using special masking compounds or a separate shielding of the component, for example) could fundamentally from other assemblies known shielding are used in consideration. Diese Abschirmmaßnahmen haben jedoch bei den eingangs beschriebenen Baugruppen konstruktionsgemäß nur eine begrenzte Wirksamkeit und sind mit erheblichem zusätzlichen Aufwand verbunden. These screening measures, however, have as designed only limited efficacy and are associated with the modules described above with considerable additional effort.

Die Aufgabe der Erfindung besteht daher in der Ausbildung einer elektronischen Baugruppe dahingehend, daß eine hochfrequente Abschirmung mit einfachen Mitteln zuverlässig gewährleistet ist. The object of the invention is to the effect that a high-frequency shielding with simple means is reliably ensured in the formation of an electronic assembly. Zur Lösung dieser Aufgabe ist bei einer elektronischen Baugruppe der eingangs genannten erfindungsgemäß Art vorgesehen, daß die Außenkontakte auf Abschirmpotential liegen, daß auf die Substratoberseite eine elektrisch leitende Abschirmung aufgebracht ist, die den Halbleiterbaustein umgibt und die ebenfalls auf Abschirmpotential liegt, und daß zumindest ein Innenkontakt mit einem hochfrequenten Signal beaufschlagt ist . To achieve this object it is provided in an electronic assembly according to the invention type initially mentioned that the external contacts are on shielding potential that the upper substrate side an electrically conductive shield is applied, which surrounds the semiconductor device and is also on shielding potential, and that at least one inner contact is subjected to a high-frequency signal.

Ein wesentlicher Vorteil der erfindungsgemäßen Baugruppe besteht darin, daß zusätzliche Material- und Montagekosten für die hochfrequente Abschirmung auf ein Minimum beschrankt werden können, und dennoch eine kompakte Konstruktion der Baugruppe erhalten bleibt. A significant advantage of the assembly according to the invention is that additional material and assembly costs for the high-frequency shield to a minimum can be limited, and yet a compact construction of the assembly is maintained. Die Abschirmung ist vorteilhafter- weise äußerst platz- und gewichtssparend. The shield is advantageously extremely space- and weight-saving. Dies ist insbesondere zB bei portablen Geräten (beispielsweise Mobilfunktelefonen) von erheblicher Bedeutung. This is especially for example in portable devices (eg mobile phones) is of considerable importance. Ein weiterer Vorteil der Erfindung besteht darin, daß die Substratoberseite vergleichsweise frei-gestaltet werden kann, solange gewahrlei- stet ist, daß auf der Substratoberseite die hochfrequenzsensiblen Bereiche innerhalb der Abschirmung und auf der Substratunterseite die mit hochfrequenten Signalen beaufschlagten externen Kontakte (Innenkontakte) innerhalb der von den Außenkontakten gebildeten umlaufenden Abschirmung liegen. Another advantage of the invention is that the upper substrate side can be comparatively freely-designed, long is gewahrlei- stet that on the upper substrate side, the high-frequency-sensitive areas within the shield and on the substrate underside which acted upon by high-frequency signals external contacts (internal contacts) within the encircling shield formed by the external contacts are.

Eine konstruktiv bevorzugte Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, daß die Abschirmung von einer Metallkappe gebildet ist. A structurally preferred embodiment of the invention provides that the shield is formed by a metal cap.

Eine hinsichtlich der Positionierung und der Montage der Ab- schirmung bevorzugte Weiterbildung der Erfindung besteht darin, daß auf der Substratoberseite eine umlaufende oder umlaufende partielle Metallisierung vorgesehen ist, die auf Abschirmpotential liegt und mit der die Abschirmung elektrisch leitend verbunden ist. A to the positioning and installation of shielding preferred embodiment of the invention is that a peripheral or circumferential partial metallization is provided on the upper substrate side, lying on shielding potential and with the shield is electrically connected. Obwohl eine besonders gute Abschirmwirkung durch eine vollständig geschlossene Abschirmung - zB durch eine vollständig geschlossene und dicht mit der Metallisierung verbundene leitende Kappe - auf der Substratoberseite erzielbar ist, kann oft auch bereits eine teiloffene Abschirmung ausreichend sein. Although a particularly good shielding by a fully enclosed screen - for example, by a completely closed and tightly connected to the metallization conductive cap - on the upper substrate side is achieved, can often be sufficient already a part open shield. Bei Frequenzen von 1 bis 2 GHz haben sich Spalte oder Öffnungen von bis zu 3 mm in der Abschirmung bzw. deren Kon- taktierung als unschädlich erwiesen. At frequencies of 1 to 2 GHz to gaps or openings of up to 3 mm in the shield or its consolidated have clocking proved harmless. Dies hat den Vorteil einer leichteren Realisierbarkeit. This has the advantage of easier feasibility.

Eine anschlußtechnisch bevorzugte Fortbildung der Erfindung sieht vor, daß die Metallisierung mit zumindest einem Außenkontakt elektrisch verbunden ist. A connection technically preferred development of the invention provides that the metallization with at least one outer contact is electrically connected.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand einer Zeichnung näher erläutert; An embodiment of the invention is explained in detail using a drawing; es zeigen: show it:

Figur 1 Eine erfindungsgemäße elektronische Baugruppe im Figure 1 An inventive electronic assembly in

Querschnitt und Cross-section and

Figur 2 Die Ansicht von externen Anschlußkontakten auf ei- ner Substratunterseite. Figure 2 The view of the external connection contacts on one ner substrate underside.

Die in Figur 1 erheblich vergrößert dargestellte Baugruppe enthält einen Halbleiterbaustein 1, der auf einem Substrat 2 in an sich bekannter Klebetechnik fixiert ist. The module significantly increases shown in Figure 1 includes a semiconductor chip 1, which is fixed on a substrate 2 in per se known adhesive technology. Selbstver- ständlich können auf dem Substrat weitere elektronische Bauelemente und/oder Halbleiterbausteine (Chips) angeordnet sein. Of course, can be arranged on the substrate, further electronic components and / or semiconductor devices (chips). Anschlußpads (Kontaktflecken) 3 des Halbleiterbausteins 1 sind über Bonddrähte 4 mit Kontaktflecken 6 auf der Oberseite 2a des Substrats 2 verbunden. Connection pads (bond pads) 3 of the semiconductor device 1 are connected via bonding wires 4 with pads 6 on the upper surface 2a of the substrate second Die Kontaktflecken 6 sind als Enden oder Bestandteile von Leiterbahnen 8 ausgebildet, die sich auf der Substratoberseite 2a erstrecken und in an sich bekannter Weise zu elektrischen Durchkontaktierungen 10 führen. The pads 6 are formed as ends or components of interconnects 8, 2a extend on the upper substrate side and in a known per se lead to electrical through 10th Die Durchkontaktierungen 10 treten an der Substratunterseite 2b aus und enden an Kontaktflecken 11. Auf diese sind in bekannter Weise (vgl. beispielsweise den eingangs er- wähnten Aufsatz „Electrical Characterization of BGA Packa- ges") jeweils ein Lotkügelchen 12 aufgebracht. Die Lot- kügelchen 12 dienen zur externen Kontaktierung der Baugruppe bzw. zum Anschluß an eine nicht dargestellte Hauptleiter- platte, indem nach Positionierung der Baugruppe auf der The vias 10 occur on the substrate underside 2b and end at contact pads 11. In this are in a known manner (see. For example, eg the above mentioned article "Electrical Characterization of BGA Packa- ges") each have a solder ball 12 is applied. The solder beads 12 serve for external contacting of the assembly or for connection to a not shown main conductor plate by the positioning of the assembly on the

Hauptleiterplatte durch gezieltes Erwärmen eine Wiederverflüssigung („reflow") der Lotkügelchen 12 initiiert wird, wodurch an den gewünschten Punkten Lötkontakte entstehen. Die Ausgestaltung und Anordnung der Lotkügelchen („Balls") hat zu dem mittlerweile einschläggigen Begriff Ball-Grid-Array (BGA) geführt. Main circuit board of the solder balls is initiated 12 by selectively heating a reflow ( "reflow"), which arise at the desired point solder. The configuration and arrangement of the solder balls ( "Balls") has to now einschläggigen term ball grid array (BGA) out. Werden anstatt kugelförmiger Elemente beispielsweise stiftartige Kontakte vorgesehen, spricht man üblicherweise von Pin-Grid-Arrays (PGA) . If, for example pin-like contacts provided instead of spherical elements, one speaks usually of Pin Grid Array (PGA). Im Rahmen der vorliegenden Erfindung ist unter Anschlußanordnung jede derartige, zweidimen- sionale rasterförmige Konfiguration zu verstehen. As part of the present invention is meant by connection arrangement each such, two-dimensional grid-like configuration.

Die Lotkügelchen bilden im inneren Bereich 13 nachfolgend als innere Kontakte 14 bezeichnete Anschlußkontakte, während die äußeren, nahe an der Substratkante 15 gelegenen Kontakte als Außenkontakte 16 bezeichnet werden. The solder balls form in the inner region 13 designated below as inner contacts 14 connecting contacts, while the outer, nearby at the substrate edge 15 contacts are referred to as external contacts sixteenth Die Innnenkontakte 14 und die Außenkontakte 16 bilden zusammen die Anschlußanordnung 20. Wie diesbezüglich die Ansicht der Substratunterseite 2b in Figur 2 verdeutlicht, sind die inneren (als Holkreise angedeuteten) Innenkontakte 14 in 3er-Reihen bzw. 3er-Spalten innerhalb des Innenbereichs 13 angeordnet, der zur jeweiligen Substratkante (zB 15/vgl. Figur 1) hin von einer umlaufenden Linie 22 aus Außenkontakten 16 umgeben ist. The Innnenkontakte 14 and the external contacts 16 together form the connector assembly 20. As this respect the view of the substrate underside 2b illustrated in Figure 2, the inner (indicated as Holkreise) internal contacts 14 are arranged in 3 rows and 3 columns in the interior region 13, of the respective substrate edge (eg 15 / see FIG. 1) is back surrounded by a peripheral line 22 from external contacts 16.

Wie Figur 1 verdeutlicht, liegen die Außenkontakte 16 mittels Durchkontaktierungen 24,25 auf demselben Abschirm-Potential wie eine Metallisierung 26, die als umlaufende Leiterbahn auf der Substratoberseite 2a ausgebildet ist. As Figure 1 illustrates, there are the external contacts 16 by means of via holes 24,25 on the same screening potential as a metallization 26, which is designed as a peripheral conductor on the substrate top 2a. Auf die Metallisierung 26 ist eine elektrisch leitfähige Kappe aufgebracht und mit dieser beispielsweise durch Kleben, Schweißen oder Löten elektrisch verbunden. On the metallization 26, an electrically conductive cap is applied and electrically connected thereto for example by gluing, welding or soldering. Die Außenkontakte 16 und damit auch die Metallisierung 26 und die Kappe 28 sind wie in Figur 1 schematisch angedeutet auf Erdpotential (Abschirmpotential) 30 gelegt. The outer contacts 16 and thus also the metallization 26 and the cap 28 are indicated schematically in Figure 1 is at ground potential (shielding potential) placed 30th Die Kappe 28 überdeckt und umgibt den Halbleiterbaustein 1 und auch dessen mit Innenkontakten 14 verbundenen Anschlüsse vollständig. The cap 28 covers and surrounds the semiconductor chip 1 and its terminals connected to internal contacts 14 completely. Zumindest einige der Innenkontakte 14 sind mit einem hochfrequenten Signal HF beaufschlagt, das vollständig durch die Kappe 28 bzw. die Außenkontakte 16 (vgl. Figur 2) abgeschirmt ist. At least some of the internal contacts 14 are subjected to a high-frequency signal HF, which is shielded completely by the cap 28 and the outer contacts 16 (cf. FIG. 2). Das Bauteil 1 kann von einer Abdeckmasse 32 bedeckt sein. The component 1 can be covered by a covering compound 32nd

Damit ist in einfacher Weise eine elektronische Baugruppe geschaffen, die für Hochfrequenz-Applikationen mit Frequenzen von bzw. über 500 MHz geeignet ist. So that an electronic module is provided in a simple manner which is suitable for high frequency applications with frequencies of or above 500 MHz. Die Abschirmung erfolgt außerordentlich kostengünstig und führt nur zu einer geringen Vergrößerung des von der Baugruppe beanspruchten Bauraums, wobei vorteilhafterweise die für den Anschluß notwendige Fläche (sog. Footprint) unverändert bleibt. The shielding is extremely cost effective and leads to only a slight increase in the space occupied by the assembly installation space, wherein advantageously the area necessary for the connection (so-called. Footprint) remains unchanged. Da die Hochfrequenz- Anschlüsse im Inneren innerhalb des Anschlußrasters angeordnet und von den auf Abschirmpotential liegenden Außenan- Schlüssen 16 abgeschirmt sind, ist eine hervorragende Abschirmungswirkung gewährleistet. Since the high-frequency terminals arranged in the interior within the terminal and of the grid lying on shielding potential external connections 16 are shielded, an excellent shielding effect is guaranteed. Die abschirmende Wirkung an der Unterseite 2b ist von dem Abstand der Außenkontakte 16 zueinander abhängig. The shielding effect to the underside 2b 16 is dependent on the distance of the external contacts to one another. Untersuchungen haben gezeigt, daß bereits ein relativ grobes Anschlußraster von 2,54 mm Abstand zwischen den Außenkontakten 16 eine ausreichende Abschirmung bis zu Frequenzen von mehreren GHz gewährleistet. Studies have shown that even 16 ensures a relatively coarse terminal 2,54 mm distance between the external contacts is sufficient protection up to frequencies of several GHz.

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Classifications
Classification internationaleH01L23/31, H01L23/66, H01L23/06, H05K3/34, H01L23/58, H01L23/552, H05K1/02, H01L23/498
Classification coopérativeH01L2924/00014, H01L2924/181, H01L24/48, H01L2924/01068, H01L2224/48091, H01L2924/16152, H01L23/585, H01L2924/15174, H05K3/3436, H01L23/3121, H01L23/49827, H01L23/49816, H01L2224/16, H01L23/06, H01L2924/01079, H01L2924/15311, H01L23/66, H01L2224/48227, H01L23/552, H05K1/0218, H01L2924/3025
Classification européenneH01L23/58B, H01L23/31H2, H01L23/498C4, H01L23/552, H01L23/06, H01L23/66, H01L23/498E
Événements juridiques
DateCodeÉvénementDescription
25 nov. 1999AKDesignated states
Kind code of ref document: A1
Designated state(s): JP KR US
25 nov. 1999ALDesignated countries for regional patents
Kind code of ref document: A1
Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE
19 janv. 2000121Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
10 févr. 2000DFPERequest for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
19 nov. 2000NENPNon-entry into the national phase in:
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12 sept. 2001122Ep: pct application non-entry in european phase