WO1999060831A1

WO1999060831A1 - Printed circuit board and method of production thereof

Info

Publication number: WO1999060831A1
Application number: PCT/JP1999/002512
Authority: WO
Inventors: Naohiro Hirose; Takashi Kariya; Yoji Mori
Original assignee: Ibiden Co., Ltd.
Priority date: 1998-05-19
Filing date: 1999-05-13
Publication date: 1999-11-25
Also published as: TW200400782A; US8629550B2; CN1245061C; EP1083779A1; KR20010043723A; TW200623976A; US6407345B1; EP1083779A4; EP1670300A3; CN1301480A; KR100791281B1; US20050158553A1; EP1083779B1; US20020189849A1; DE69934981T2; US8018046B2; TWI287414B; EP1670300A2; US20110290544A1; US7332816B2

Description

明細書プリント配線板及びプリント配線板の製造方法技術分野

この発明は、配線パターンの形成されたプリント配線板に関し、特に、多層ビルドアップ配線板に好適に用いることができるプリント配線板及びプリント配線板の製造方法に関するものである。背景技術

現在、多層プリント配線板の高密度化を実現するために、コア基板に絶縁層と導体層とを交互にビルトアップして行く方法が採用されている。ここで、該ビルトアップの方法としては、フルアディティブとセミアディティブとの 2種類がある。このセミアディティブによる多層プリント配線板の層間樹脂絶縁層上への導体回路の製造工程について、第 3 2図を参照して説明する。

先ず、コア基板 2 3 0の両面に、バイァホールとなる開口 2 5 0 aを有する絶縁層 2 5 0を形成し、該層間樹脂絶縁層 2 5 0の表面に均一に無電解めつき銅膜 2 5 2を形成する（第 3 2図（A) ) 。そして、無電解めつき銅膜 2 5 2 の上にレジストを形成するためのレジストフイルム（図示せず）を接着させた後、該レジストフイルムを露光 '現像してめっき用レジスト 2 5 4を形成する (第 3 2図（B ) ) 。その後、電解めつき液にコア基板 2 3 0を浸潰し、該無電解めつき銅膜 2 5 2を介して通電することで、レジスト 2 5 4の非形成部に電解めつき銅膜 2 5 6を析出させる（第 3 2図（C ) ) 。そして、該レジスト 2 5 4を剥離し、該レジスト 2 5 4下の無電解めつき銅膜 2 5 2をエッチングにより剥膜することで、配線パターン 2 5 8 a、 2 5 8 b及びバイァホール 2 6 0を形成する。同様な工程を繰り返し、更に層間樹脂絶縁層 3 5 0と配線パ夕一ン 3 5 8及びバイァホール 3 6 0とを形成する（第 3 2図（E ) ) 。第 3 2図（E ) の8— 8断面を第3 3図（B ) に示す。現在、多層プリント配線板では、断線防止のため 1つの主配線から枝分かれした配線を引き出すという設計を採用する。このため、第 3 3図（A) 、第 3 3図（B ) に示すように T字状の交差部 Xが発生する。

しかしながら、上述した交差部 Xにおいて配線パターンが断線することがあつた。即ち、第 3 2図 ( C ) を参照して上述したように、該配線パターン 2 5 8は、レジスト 2 5 4の非形成部に形成される力第 3 3図（Α) の交差部 X のように、該交差部の配線パターン 2 5 8の壁面 2 5 8 ι3、 2 5 8 /3が 9 0 ° 以下で交差（ここでは直角）する角部 Cにおいては、めっき液の回り込みが悪くなり、配線パターンが細くなる。このため、断線が生じることがあった。また、第 3 3図（Β ) に示すように、該交差部 Xにおいては、銅等の金属からなる配線パターン 2 5 8 bが急に曲がっているため、熱収縮を繰り返した際に、該交差部の角部 Cに於いて応力が集中し、該配線パターンにクラック C L が入り断線することがあった。

更に、第 3 2図（E ) を参照して上述したように該配線パターン 2 5 8 bの上に層間樹脂絶縁層 3 5 0を塗布した際に、第 3 3図（B ) に示すように交差部の角部 Cにおいて、配線パターン 2 5 8 bと層間樹脂絶縁層 3 5 0との間に、気泡 Bが残ることがある。ここで、層間樹脂絶縁層 3 5 0の下層に気泡 Bが残ると、プリント配線板を熱収縮させた際に、該気泡 Bが膨張し、プリント配線板の故障原因となる。本発明の更なる背景技術として、多層ビルドアップ配線板は、コア基板の上に層間樹脂絶縁層と配線層とを交互に積層することで形成されている。現在、多層ビルドァップ配線板は、主としてアディティブ法により製造されており、上述した配線層は、電解、又は、無電解めつきにより層間樹脂絶縁層上に形成されたレジストの開口部に形成される。そして、上下の配線層は、層間樹脂絶縁層を貫通するバイァホールにより電気的に接続されている。この配線層は、バイァホールの受け皿として用いられるバイァホールランド、配線パターン、電源などの高電位が印加されコンデンサの電極の如き役割を果たすベ夕部等からなる。ここで、バイァホールランドの大きさ、配線パターンの幅、及び、これらの絶縁間隔は、レジストの解像度、メツキの付き具合等により最小値が決定され、この最小値よりも大きな値でバイァホールランド、配線パターンは製造されている。パッケージ用の多層ビルドアップ配線板は、上面に実装される I Cチップなどの電子部品と、下面に位置するマザ一ボード等のプリン卜配線板とを電気的に接続するコネクタとしての役割を果たす。ここで、該電子部品とプリント配線板との接続部分の高密度化に対応するため、より狭い配線パターンの線幅、絶縁間隔、ランド径が求められている。しかしながら、これらの値を、上述した最小値よりも小さくすると、僅かな工程条件のばらつきにより、所望の配線が形成できず、配線の断線、配線同士の短絡等が発生する確率が高まり、歩留まりが低下する。

一方、配線パターンの線幅、絶縁間隔を小さくせずに、上述した高密度化に対応するためには、多層ビルドアップ配線板のビルドアップ層の層数を増やすことによつても可能である。しかし、ビルドアップ層数を増やせば、製造工程が指数関数的に煩雑になるのに加えて、信頼性と共に歩留まりが低下する。ここで本発明の更なる背景技術として、従来技術の多層ビルドアップ配線板においては、配線パターンの厚みの厚い部分と薄い部分とが発生し、抵抗が均一にならないため、電気信号の伝搬に悪影響を与えていた。更に、配線パターン（厚み平均 1 5 /i m) の上層に形成される層間樹脂絶縁層（3 0 m) の厚みが不均一となり、電気特性を一定にできないため、性能を高めることが困難であった。

この原因を本発明者が研究したところ、配線パターンの配置される密度により層間樹脂絶縁層の厚みにばらつきが生じていることが判明した。例えば、配線密度が高い部分で、厚みが薄く、密度が低い（回りに信号線がない部分）ところで、厚くなることがある。また、反対に、配線密度が高い部分で、厚みが厚く、密度が低いところで、薄くなることもある。

この事実から、第 1に、めっき厚によりばらつきが生じているものと考えられる。即ち、配線密度の低い箇所では、電解めつきの際に電界が集中して厚みが厚くなり、反対に、配線密度の高い箇所では、電界が分散するため、信号線の厚みが薄くなるものと考えられる。 /

- 4 - 更に、第 2の理由として、エッチング液の液回りよつて、配線パターンの厚みにばらつきが発生しているものと考えられる。現在、より高い性能を得るため、セミアディティブ法により多層ビルドアップ配線板が主に形成される。該セミアディティブ法においては、層間樹脂絶縁層に均一に無電解めつき膜を施した後、レジストパターンを形成し、該無電解めつき膜を介して通電して、レジス卜の非形成部に電解めつき膜を形成することで導体層を形成する。ここで、電解めつき膜を形成した後、レジストを剥離してから、レジスト下の無電解めつき膜をライトエッチングにより除去する。しかし、このライトエッチングにおいて、配線密度が高い部分では、エッチング液の液回りが悪く配線パターンの厚みが厚くなり、反対に、密度が低いところでは、液回りが良すぎて、配線パターンの厚み薄くなると共に、線幅も狭くなることがある。本発明の更なる背景技術として、従来技術に係るパッケージ基板では、多層コア基板内の導体層とビルドアップ配線層との接続は、多層コア基板の表面にスルーホールから配線した内層パッドを設け、この内層パッドにバイァホールを接続させて行っていた。即ち、スルーホールのランドに上層へのバィァホール接続用の内層パッドを付加するか、或いは、スルーホールのランドに配線を介してバイァホール接続用の内層パッドを連結していた。

しかしながら、従来技術のランド形状では、内層パッド相互の絶縁を保つためにスルーホール間隔が広がり、多層コア基板へのスルーホールの形成数を制限していた。

一方、パッケージ基板では、表面側のバンプの数よりも裏面のバンプが多く形成されている。これは、裏面の複数のバンプからの配線が統合されながら表面側のバンプへ接続されるためである。例えば、信号線に対して低抵抗であることの要求される電源線は、裏面のバンプ（マザ一ボード側）にて 2 0本であったものが、表面（ I Cチップ側）では、 1本に統合される。ここで、コア基板の表側に形成されるビルドアップ配線層と、裏側に形成されるビルドアップ配線層とで、同じペースで配線を統合できることが、上層のビルドァップ配線層と下層のビルドァップ配線層との層数を等しく、即ち、層数を最小にする上で望ましい。しかしながら、上述したように多層コァ基板に形成し得るスルーホールの数は制限される。このため、従来技術のパッケージ基板においては、裏側のビルドアップ配線層において或る程度配線を統合してから、多層コア基板のスルーホールを通して、表側のビルドアップ配線層へ接続していた。即ち、表側のビルドアップ配線層では、配線の密度が下がつているため、本来的に裏側のビルドァップ配線層と同じだけの層数を必要としていない。しかし、表裏のビルドアップ配線層の層数を異ならしめると、非対称性から反りが発生するため、表裏の層数を同じにしていた。即ち、多層コア基板に形成されるスルーホールの数が制限されるため、裏側のビルドアップ配線層の層数を増やさなければならないのに加えて、該層数の増えた裏側と等しい層数に表側のビルドァップ配線層を形成せねばならなかった。

即ち、従来技術のプリント配線板（パッケージ基板）においては、ビルドアップ層の層数を増やしている為、上下層の接続の信頼性が低下すると共に、パッケージ基板のコストが上昇し、また、パッケージ基板の厚みや重さが必要以上に大きくなつてしまうという問題があつた。本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、配線パターンに断線を生じせしめないプリン卜配線板及びプリント配線板の製造方法を提供することにある。

本発明の目的は、高い歩留まりで製造できる高密度のプリント配線板を提供することにある。

本発明の目的は、配線パターン及び層間樹脂絶縁層の厚みの均質性に優れるプリント配線板を提供することにある。

本発明の目的は、コア基板に形成されるスルーホールを高密度化することで、ビルドアップ層の層数を減らし得るプリン卜配線板及びプリント配線板の製造方法を提供することにある。発明の開示

請求項 1は、上記目的を達成するため、絶縁基板又は層間樹脂絶縁層が設けられた基板上に配線パターンを有するプリント配線板において、

前記配線パターンの交差部にフィレツトを付加させたことを技術的特徴とする。

請求項 1のプリント配線板においては、プリント配線板の配線パターンの交差部にフィレットを付加させているため、該交差部において配線パターンが細くなり断線することがない。また、熱収縮によってもクラックが発生しない。また、請求項 2は、絶縁基板又は層間樹脂絶縁層が設けられた基板上に配線パターンを有するプリント配線板において、

前記配線パターンの交差部であって、 9 0 ° 以下の角部にフィレツトを付加させたことを技術的特徴とする。

請求項 2のプリント配線板においては、プリント配線板の配線パターンの交差部であって、 9 0 ° 以下の角部にフィレットを付加させているため、該交差部において配線パターンが細くなつて断線することがない。また、熱収縮によつてもクラックが発生しない。

請求項 3のプリント配線板においては、プリント配線板の配線パターンの交差部にフィレツトを付加させてあり、該交差部において応力が集中することがないため配線パターンに断線が生じず、更に、該配線パターンの交差部と層間樹脂絶縁層との間に気泡が残ることがないので、プリント配線板の信頼性が高まる。

請求項 4は、絶縁基板又は層間樹脂絶縁層が設けられた基板上に配線パターンを形成するための開口部を有するレジストを形成する工程と、

該レジストの開口部に金属層を析出させることにより配線パターンを形成する工程とを備えるプリント配線板の製造方法において、

前記レジストを形成する工程において、配線パターンの交差部であって、 9 - Ί -

0 ° 以下の角部を面取りすること技術的特徴とする。

請求項 4のプリン卜配線板の製造方法においては、配線パターンを形成するための開口部を有するレジストを形成する工程において、配線パターンの交差部であって、 9 0 ° 以下の角部を面取りしてレジストを形成する。そして、該面取り部がフィレットとなるように配線パターンを形成する。ここで、フィレッ卜を付加させてあるため、該交差部において配線パターンが細くなり断線することがない。

請求項 5は、絶縁基板又は層間樹脂絶縁層が設けられた基板上に配線パ夕一ンを形成するための開口部を有するレジストを形成する工程において、配線パターンの交差部であって、 9 0 ° 以下の角部を面取りしてレジストを形成する工程と、

該レジストの開口部に金属層を析出させることにより配線パターンを形成する工程と、

前記配線パターンの上層に層間樹脂絶縁層を形成する工程と、

前記層間樹脂絶縁層の上層に配線パターンを形成する工程と、を備えることを技術的特徴とする。

請求項 5のプリント配線板のにおいては、配線パターンを形成するための開口部を有するレジストを形成する工程において、配線パターンの交差部であつて、 9 0 ° 以下の角部となる部位を面取りしてレジストを形成する。そして、該面取り部がフィレットとなるように配線パターンを形成する。その後、層間樹脂絶縁層及び配線パターンを更に形成する。ここで、フィレットを付加させているため、該交差部において配線パターンが細くなり断線することがなレ、。また、フィレットを付加させてあり、交差部において応力が集中することがないため配線パターンに断線が生じず、更に、該配線パターンの交差部と層間樹脂絶縁層との間に気泡が残ることがないので、プリント配線板の信頼性が高まる。

請求項 6は、上記目的を達成するため、導体部と配線パターンとが配設されたプリント配線板であって、

配線パターンを、隣接する導体部との距離に応じて幅の狭い部分を設けたことを技術的特徴とする。請求項 6のプリント配線板では、配線パターンに隣接する導体部との距離に応じて幅の狭い部分を設けることで、配線パターンと導体部との絶縁距離を保ち、高密度化が可能となる。ここで、導体部との絶縁距離が保ち得る部位は配線パターンの幅を狭くしないため、断線が生じる可能性が低くなり、歩留まりが高まる。

請求項 7は、導体部と配線パターンとが配設されたプリント配線板であって、前記配線パターンを、前記導体部に挟まれた部位の幅を狭くしたことを技術的特徴とする。

請求項 7のプリント配線板では、配線パターンを、導体部に挟まれた部位の幅を狭くすることで、配線パターンと導体部との絶縁距離を保ち、高密度化が可能となる。ここで、導体部との絶縁距離が保ち得る部位、即ち、導体部で挟まれていない部分は配線パターンの幅を狭くしないため、断線が生じる可能性が低くなり、歩留まりが高まる。

請求項 8のプリント配線板では、 1本の配線パターンが導体部に挟まれた際に、該配線パターンの中心側に幅を狭くしてあるため、両導体部からの絶縁距離を保つことができる。

請求項 9は、請求項 7において、 2本の前記配線パターンが前記導体部に挟まれた際に、該配線パターンをそれぞれ導体部との反対側に幅を狭くしたことを技術的特徴とする。

請求項 9のプリント配線板では、 2本の配線パターンが導体部に挟まれた際に、該配線パターンをそれぞれ導体部との反対側に幅を狭くしてあるため、両導体部からの絶縁距離を保つことができる。

請求項 1 0は、請求項 7において、少なくとも 3本以上の前記配線パターンが前記導体部に挟まれた際に、

両側を除く中央の配線パターンの少なくとも一部を中心側に幅を狭くし、両側の配線パ夕一ンをそれぞれ導体部との反対側に幅を狭くしたことを技術的特徴とする。

請求項 1 0のプリント配線板では、 3本以上の配線パターンが導体部に挟まれた際に、両側を除いた中央の配線パターンの少なくとも一部を中心側に幅を狭くし、両側の配線パターンをそれぞれ導体部との反対側に幅を狭くしてあるため、両導体部からの絶縁距離及び配線パターン相互の絶縁距離を保つことができる。

請求項 1 1のプリント配線板では、導体部の配線パターン側を切り欠いてあるため、配線パターンと両導体部との絶縁距離を保つことができる。

請求項 1 2のプリント配線板は、多層ビルドアップ配線板の配線パターンのピツチを狭めることができるため、ビルドァップ層の層数を増やすことなく高密度化を実現できる。

請求項 1 3のプリント配線板は、バイァホールランド又は実装用パッド間のピッチを狭めることがあできるため、ビルドアップ層の層数を増やすことなく高密度化を実現できる。

上記目的を達成するため、請求項 1 4は、層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなるプリント配線板において、

前記導体層を構成する配線パターンの回りにダミー導体を配設したことを技術的特徴とする。

また、請求項 1 5は、層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなるプリント配線板において、

前記導体層を構成する複数本の配線パターンの回りにダミー導体を配設したことを技術的特徴とする。

請求項 1 4及び 1 5の発明では、配線パターンの回りにダミー導体を配設しているので、導体層を電解めつきにより形成する際に、電界の集中が発生せず、配線パターンを所定の厚みに形成することができる。このため、孤立している配線パターンと、密集部分の配線パターンとを均一な厚みに形成することが可能になり、更に、該配線パターン上層の層間樹脂絶縁層の厚みを均一にできるので、プリント配線板の電気特性を高めることができる。なお、本発明でいう配線パターン、ダミー導体は、いわゆるコア基板上に形成されなくてもよいことを、念のため付記しておく。

請求項 1 6の発明では、ダミー導体の幅を配線パターンの最小の幅の 1〜 3倍にしてあるため、電界の集中が発生せず、配線パターン及びダミー導体を所定の厚みに形成することができる。

請求項 1 7の発明では、ダミー導体と配線パターンとの間隔を、配線パ夕ーンの最小の幅の 1〜 3倍にしてあるため、電界の集中が発生せず、配線パターン及びダミー導体を所定の厚みに形成することができる。

請求項 1 8は、層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなるプリント配線板において、

前記導体層を構成する孤立ランドの回りにダミー導体を配設したことを技術的特徴とする。

請求項 1 8の発明では、孤立ランドの回りにダミー導体を配設してあるため、導体層を電解めつきにより形成する際に、電界の集中が発生せず、孤立ランドを所定の厚みに形成することができる。このため、孤立しているランドと、密集部分のランドとを均一な厚みに形成することが可能になり、プリント配線板の電気特性を高めることができる。

請求項 1 9の発明では、孤立ランドの回りをダミー導体で囲んであるため、孤立ランドが外部からのノイズ等の影響を受けるのを軽減できる。

請求項 2 0の発明では、ダミー導体の幅を、ランドの径の 1 / 6〜 3倍にしてあるため、電界の集中が発生せず、ランド及びダミー導体を所定の厚みに形成することができる。

請求項 2 1の発明では、ダミー導体と孤立ランドとの最小間隔を、ランド径の 1 / 6〜 3倍にしてあるため、電界の集中が発生せず、ランド及びダミ一導体を所定の厚みに形成することができる。

請求項 2 2は、層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなるプリント配線板において、

前記導体層にダミー導体を配設すると共に、該ダミ一導体とダミー導体との交差部にフィレツトを形成したことを技術的特徴とする。

請求項 2 2の発明では、ダミー導体とダミー導体との交差部にフィレツトを形成してあるため、ダミ一導体相互を適正に接続することができる。請求項 2 3は、層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなるプリント配線板において、

前記導体層にダミー導体を配設すると共に、該ダミー導体とダミー導体との交差部であって、直角又は鋭角部分にフィレツトを形成したことを技術的特徴とする。

請求項 2 3の発明では、ダミー導体とダミー導体との交差部であって、直角又は鋭角部分にフィレツトを形成してあるため、直角及び鋭角部分がなくなり、角部に起因する応力集中によるクラックが発生しない。

請求項 2 4のプリント配線板においては、層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層され、各導体層間がバイァホールにて接続されたビルドアップ配線層が、コア基板の両面に形成されてなるプリント配線板において、

前記コア基板に形成されたスルーホールに円形のランドが形成され、該ランドにバイァホールが接続されていることを技術的特徴とする。

請求項 2 4のプリン卜配線板においては、スルーホールのランド上にバイァホールを設け、該ランドにバイァホール接続用のパッドを付加しないため、コア基板に配設するスルーホールの数を増やすことができる。

請求項 2 5のプリント配線板では、スルーホールの半径が 1 7 以下で 1 2 5 m以上である。 1 7 5 mを越えるとコア基板へのスルーホールの配設数が少なくなり、 1 2 5 m未満では、ドリルによる形成が困難なためである。他方、ランドの半径がスルーホールの半径よりも 7 5 z m〜 1 7 5 m大きい。これは、技術的に可能な最小値は、バイァホール径 2 5 /z m、ランドに対するバイァホール用開口の誤差 ± 1 2 . 5 (合計 2 5 ) rn, 通孔に対するランドの誤差 2 5 mであり、これらの合計が 7 5 だからである。他方、経済的に量産し得る最小値は、バイァホ一ル径 3 5 w m、ランドに対するバイァホール用開口の誤差 ± 2 0 (合計 4 0 ) m、通孔に対するランドの誤差 1 0 0 であり、これらの合計が 1 7 5 / mであるからである。即ち、スルーホールの半径よりも 7 5 m〜 1 7 5 m大きくランドを形成することで、ランド上にバイァホールを配設することが技術的及び経済的に可能となる。

請求項 26のプリン卜配線板の製造方法においては、

(a) 多面取り用の基板にドリルでスルーホール用の通孔を穿設する工程、 (b) 前記通孔内に金属膜を形成する工程、

(c) 前記通孔の開口部にランドを形成する工程、

( d ) 前記基板に層間樹脂絶縁層となる樹脂を塗布する工程、

(e) 前記ランドに対して位置合わせを行い、前記ランドの上に 35 Atm以下の開口を前記樹脂に形成する工程、

( f ) 前記開口に金属膜を形成しバイァホールとする工程、を含み、前記ランドの半径を、前記通孔の半径と、前記通孔に対するランドの誤差範囲と、開口径と、前記ランドに対する開口の誤差範囲とを合わせた値以上であって、 700 m以下に設定したことを技術的特徴とする。

請求項 26の発明では、ランドの半径を、通孔の径と、通孔に対するランドの誤差範囲と、開口径と、前記ランドに対する開口の誤差範囲とを合わせた値以上に設定することで、ランドの上にバイァホールを形成することが可能になる。ここで、ランド径を 700 xm以下にすることで、従来技術のランドにバイァホール配設用のランドを付加する構成と比較して、スルーホールの配設密度を高めることができる。

請求項 27の発明では、ランドの半径を 200〜350 mに設定してある。これは、技術的可能な最小値は、スルーホール半径 125 Atm、バイァホール径 25 /i m、ランドに対するバイァホール用開口の誤差が ± 12. 5 (合計 25) m, 通孔に対するランドの誤差 25 であり、これらの合計が 200 mである。他方、経済的に量産し得る最小値は、スル一ホール半径 175 m、バイァホール径 35 m、バイァホール用開口の誤差 ± 2 0 (合計 40) 、通孔に対するランドの誤差 100 mであり、これらの合計（半径）が 350 mである。この値に設定することで、技術的に可能であり、経済性の高い範囲でランドの上にバイァホールを配設することが可能となる。

なお、上記プリント配線板においては、基板上にめっきレジストを形成し、この開口部に金属層を析出させて配線パターンとするフルアディティブ法や、或いは、基板上に金属層を設けた後、めっきレジス卜を形成し、この開口部にさらに金属層を析出させ、めっきレジストを除去した後、めっきレジスト下の金属層を除去して配線パターンとするセミアディティブ法を採用できる。

本発明では、上記層間樹脂絶縁層として無電解めつき用接着剤を用いることが望ましい。この無電解めつき用接着剤は、硬化処理された酸あるいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは酸化剤に難溶性の未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてなるものが最適である。

酸、酸化剤で処理することにより、耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状のアンカーからなる粗化面を形成できる。

上記無電解めつき用接着剤において、特に硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、 ①平均粒径が 10 m以下の耐熱性樹脂粉末、 ②平均粒径が 2 m以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、 ③平均粒径が 2〜 10 /X m の耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が 2 m以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、 ④平均粒径が 2〜10 zmの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が 2 以下の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも 1種を付着させてなる疑似粒子、 ⑤平均粒径が 0. 1〜0. 8 /zmの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が 0. 8 mを越え、 2 m未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、 ⑥平均粒径が 0. 1〜 1. 0 mの耐熱性粉末樹脂粉末を用いることが望ましい。これらは、より複雑なアンカ一を形成できるからである。

粗化面の深さは、 Rmax=0. 01〜20 mがよい。密着性を確保するためである。特にセミアディティブ法では、 0. l〜5 ^mがよい。密着性を確保しつつ、無電解めつき膜を除去できるからである。

前記酸あるいは酸化剤に難溶性の耐熱性樹脂としては、「熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体」又は「感光性樹脂および熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体」からなることが望ましい。前者については耐熱性が高く、後者についてはバイァホール用の開口をフォトリソグラフィ一により形成できるからである。

前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フエノール樹脂、ポリイミド樹脂などを使用できる。また、感光化する場合は、メタクリル酸やアクリル酸などと熱硬化基をアクリル化反応させる。特にエポキシ樹脂のァクリレー卜が最適である。

エポキシ樹脂としては、フエノールノボラック型、クレゾ一ルノボラック型、などのノポラック型エポキシ樹脂、ジシクロペン夕ジェン変成した脂環式エポキシ樹脂などを使用することができる。

熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスルフォン（P E S ) 、ポリスルフオン（P S F ) 、ポリフエ二レンスルフォン（P P S ) 、ポリフエ二レンサルファイド（P P E S ) 、ポリフエ二ルェ一テル（P P E ) 、ポリエーテルイミド（P I ) などを使用できる。

熱硬化性樹脂（感光性樹脂）と熱可塑性樹脂の混合割合は、熱硬化性樹脂 (感光性樹脂） Z熱可塑性樹脂 = 9 5 Z 5〜 5 0 / 5 0がよい。耐熱性を損なうことなく、高い靭性値を確保できるからである。

前記耐熱性樹脂粒子の混合重量比は、耐熱性樹脂マトリックスの固形分に対して 5 ~ 5 0重量％、望ましくは 1 0〜4 0重量％がよい。

耐熱性樹脂粒子は、ァミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂）、エポキシ樹脂などがよい。

なお、接着剤は、組成の異なる 2層により構成してもよい。

なお、多層ビルドアップ配線板の表面に付加するソルダーレジス卜層としては、種々の樹脂を使用でき、例えば、ビスフエノール A型エポキシ樹脂、ビスフエノール A型エポキシ樹脂のァクリレート、ノポラック型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂のァクリレートをァミン系硬化剤やイミダゾール硬化剤などで硬化させた樹脂を使用できる。 P JP

- 15 - 一方、このようなソルダーレジスト層は、剛直骨格を持つ樹脂で構成されるので剥離が生じることがある。このため、補強層を設けることでソルダ一レジスト層の剥離を防止することもできる。

ここで、上記ノボラック型エポキシ樹脂のァクリレートとしては、フエノ一ルノボラックやクレゾ一ルノボラックのグリシジルエーテルを、アクリル酸やメ夕クリル酸などと反応させたエポキシ樹脂などを用いることができる。上記イミダゾール硬化剤は、 25°Cで液状であることが望ましい。液状であれば均一混合できるからである。

このような液状イミダゾール硬化剤としては、卜べンジルー 2-メチルイミダゾール（品名： 1 B2MZ ) 、卜シァノエチルー 2-ェチルー 4-メチルイミダゾ —ル（品名： 2E4MZ- CN) 、 4-メチルー 2-ェチルイミダゾ一ル（品名： 2E4MZ ) を用いることができる。

このイミダゾ一ル硬化剤の添加量は、上記ソルダーレジスト組成物の総固形分に対して 1〜1 0重量％とすることが望ましい。この理由は、添加量がこの範囲内にあれば均一混合がしゃすいからである。

上記ソルダ一レジストの硬化前組成物は、溶媒としてグリコールエーテル系の溶剤を使用することが望ましい。

このような組成物を用いたソルダ一レジスト層は、遊離酸が発生せず、銅パッド表面を酸化させない。また、人体に対する有害性も少ない。

このようなグリコールエーテル系溶媒としては、下記構造式のもの、特に望ましくは、ジエチレングリコールジメチルェ一テル（D M D G ) およびトリエチレングリコールジメチルエーテル（D M T G ) から選ばれるいずれか少なくとも 1種を用いる。これらの溶剤は、 30〜50°C程度の加温により反応開始剤であるべンゾフエノンやミヒラ一ケトンを完全に溶解させることができるからである。

CH 3 O - (CH 2 CH 2 0 ) n — CH 3 ( n = l〜5 ) このダリコールェ一テル系の溶媒は、ソルダーレジスト組成物の全重量に対して 1 0〜 7 (^1 %がよい。

以上説明したようなソルダーレジス卜組成物には、その他に、各種消泡剤やレペリング剤、耐熱性ゃ耐塩基性の改善と可撓性付与のために熱硬化性樹脂、解像度改善のために感光性モノマーなどを添加することができる。

例えば、レべリング剤としてはアクリル酸エステルの重合体からなるものがよい。また、開始剤としては、チバガイギ一製のィルガキュア I 9 0 7、光増感剤としては日本化薬製の D E T X— Sがよい。

さらに、ソルダーレジス卜組成物には、色素や顔料を添加してもよい。配線パターンを隠蔽できるからである。この色素としてはフタロシアニングリ —ンを用いることが望ましい。

添加成分としての上記熱硬化性樹脂としては、ビスフエノール型エポキシ樹脂を用いることができる。このビスフエノール型エポキシ樹脂には、ビスフエノール A型エポキシ樹脂とビスフエノール F型エポキシ樹脂があり、耐塩基性を重視する場合には前者が、低粘度化が要求される場合（塗布性を重視する場合）には後者がよい。

添加成分としての上記感光性モノマ一としては、多価ァクリル系モノマーを用いることができる。多価アクリル系モノマ一は、解像度を向上させることができるからである。例えば、多価アクリル系モノマーとして、日本化薬製の D P E— 6 A、共栄社化学製の R— 6 0 4を用いることができる。

また、これらのソルダーレジスト組成物は、 2 5でで0 . 5〜： l O P a - S i より望ましくは 1〜1 0 P a · sがよい。ロールコ一夕で塗布しやすい粘度だからである。図面の簡単な説明

第 1図は、本発明の第 1実施例に係る多層プリント配線板の製造方法の工程図である。

第 2図は、第 1実施例に係る多層プリント配線板の製造方法の工程図である。第 3図は、第 1実施例に係る多層プリント配線板の製造方法の工程図である。第 4図は、第 1実施例に係る多層プリント配線板の製造方法の工程図である。第 5図は、第 1実施例に係る多層プリント配線板の製造方法の工程図である。第 6図は、第 1実施例に係る多層プリント配線板の製造方法の工程図である。第 7図は、第 1実施例に係る多層プリント配線板の製造方法の工程図である。第 8図は、第 1実施例に係る多層プリント配線板の製造方法の工程図である。第 9図は、第 4図の（M) に示す工程のコア基板の C矢視図である。

第 1 0図は、第 4図の（O) に示す工程のコア基板の E矢視図である。

第 1 1図は、第 1実施例の改変例に係る配線パターンの形成されたコア基板の平面図である。

第 1 2図は、第 1実施例の配線パターンを示す説明図である。

第 1 3図は、本発明の第 2実施例に係る多層ビルドアップ配線板の断面を示す図である。

第 1 4図の（A) は、第 1 3図に示す多層ビルドアップ配線板の A— A横断面図であり、第 1 4図の（B ) は、配線パターンの例を示す平面図である。第 1 5図は、配線パターンの例を示す平面図である。

第 1 6図は、第 2実施例の配線パターンの例を示す平面図である。

第 1 7図は、本発明の第 3実施例に係る多層ビルドアップ配線板の断面図である。

第 1 8図は、第 1 7図の X— X横断面図である。

第 1 9図の（A) は、第 1 8図中の A部拡大図であり、第 1 9図の（B ) は、第 1 8図中の B部拡大図である。

第 2 0図の（C ) は、第 1 8図中の C部拡大図であり、第 2 0図の（C ' ) は、孤立ランドの拡大図である。

第 2 1図は、第 1 8図中の D部の拡大図でる。

第 2 2図は、信号線及びダミー導体の拡大図である。

第 2 3図は、本発明の第 4実施例に係るプリント配線板の製造工程図である。

第 2 4図は、第 4実施例に係るプリント配線板の製造工程図である。

第 2 5図は、第 4実施例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。第 26図は、第 4実施例に係るプリント配線板の製造工程図である。

第 27図は、第 4実施例に係るプリン卜配線板の製造工程図である。

第 28図は、第 4実施例に係るプリント配線板の製造工程図である。

第 29図は、第 4実施例に係るプリント配線板の製造工程図である。

第 30図は、本発明の第 4実施例に係るプリント配線板の製造方法の断面図である。

第 3 1図は、第 30図に示すコア基板の B— B断面図である。

第 32図は、従来技術に係る多層プリント配線板の製造方法の工程図である。第 33図の（A) は、従来技術の多層プリント配線板の配線パターンを示す図であり、第 33図の（B) は、第 32図の（E) の B— B断面図である。発明を実施するための最良の形態

以下、本発明の実施例に係る多層プリント配線板の製造方法について図を参照して説明する。

ここでは、第 1実施例に係る多層プリント配線板の製造方法に用いる A. 無電解めつき用接着剤、 B. 層間樹脂絶縁剤、 C. 樹脂充填剤の組成について説明する。

A. 無電解めつき用接着剤調製用の原料組成物（上層用接着剤）

〔樹脂組成物①〕

クレゾ一ルノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量 2500) の 25%ァクリル化物を 80wt%の濃度で DMDGに溶解させた樹脂液を 35重量部、感光性モノマ一（東亜合成製、ァロニックス M315 ) 3.15重量部、消泡剤（サンノブコ製、 S— 65) 0.5 重量部、 NMP 3.6重量部を攪拌混合して得る。

〔樹脂組成物②〕

ポリエーテルスルフォン（PES) 12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径 1.0/xmのものを 7.2重量部、平均粒径 0.5 mのものを 3.09重量部、を混合した後、さらに NMP30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得る。

〔硬化剤組成物③〕 CT/JP99/0 512

- 19 - イミダゾール硬化剤（四国化成製、 2E4MZ-CN) 2重量部、光開始剤（チパガィギー製、ィルガキュア I一 907 ) 2重量部、光増感剤（日本化薬製、 DETX-S) 0.2 重量部、 NMP 1.5重量部を攪拌混合して得る。

B. 層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物（下層用接着剤）

〔樹脂組成物①〕

クレゾ一ルノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量 2500) の 25%ァクリル化物を 80wt%の濃度で DMDGに溶解させた樹脂液を 35重量部、感光性モノマー（東亜合成製、ァロニックス M315 ) 4重量部、消泡剤（サンノプコ製、 S— 65) 0.5 重量部、 NMP 3.6重量部を攪拌混合して得る。

〔樹脂組成物②〕

ポリエーテルスルフォン（PE S) 12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径 0.5 imのものを 14.49重量部、を混合した後、さらに NMP30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得る。

〔硬化剤組成物③〕

イミダゾール硬化剤（四国化成製、 2E4MZ-CN) 2重量部、光開始剤（チパガィギー製、ィルガキュア I 一 907 ) 2重量部、光増感剤（日本化薬製、 DETX-S) 0.2 重量部、 NMP1.5 重量部を攪拌混合して得る。

C. 樹脂充填剤調製用の原料組成物

本発明で使用される充填剤は、ビスフエノール F型エポキシ樹脂、ビスフエノール A型エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも 1種以上のビスフエノール型エポキシ樹脂およびイミダゾ一ル硬化剤、無機粒子からなるものが望ましい。

無機粒子の粒子径は、 0. 1〜5. O mが望ましい。また、無機粒子の配合量は、重量比でエポキシ樹脂の 1 , 0〜2. 0倍がよい。

無機粒子としては、シリカ、アルミナ、ムライト、 S i Cなどがよい。

充填剤が充填されるスルーホールの内壁は、粗化層が形成されていることか望ましく、その凹凸の高さは、 Rma x = 0. 0 1〜5 ΠΊが望ましい。

〔樹脂組成物①〕

ビスフエノール Α型エポキシモノマー（油化シェル製、ェピコ一ト 8 28) 100重量部、表面に平均粒径 1.5^11の八1₂ 〇₃ 球状粒子 150重量部、 N—メチルピロリドン（NMP) 30重量部、レべリング剤（サンノプコ製、ペレノ一ル S 4) 1.5 重量部を攪拌混合し、その混合物の粘度を 23± 1 °Cで 45, 000〜 49, OOOcps に調整する。

〔硬化剤組成物②〕

ィミダゾール硬化剤（四国化成製、 2E4MZ-C ) 6.5 重量部。

引き続き、プリント配線板の製造について第 1図乃至第 9図を参照して説明する。

(1)第 1図（A) に示すように厚さ 1mmのガラスエポキシ樹脂または BT (ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板 30の両面に 12 の銅箔 32 がラミネートされている銅張積層板 3 OAを出発材料とする。まず、この銅張積層板 3 OAをドリル削孔し、通孔内に無電解めつき 33を析出させてスルーホール 36を形成する（第 1図（B) ) 。そして、銅箔 32をパターン状にェツチングすることにより、第 1図（C) に示すようコア基板 30に導体層 34 を形成する。

(2) この基板 30を水洗いし、乾燥した後、酸化浴（黒化浴）として、 aOH (10g/ 1 ) , aC10₂ (40 g / 1 ) , Na₃ 〇₄ ( 6 g Z 1 ) 、還元浴として、

NaOH (lOgZ l ) ， NaBH₄ (6 g/ 1 ) を用いた酸化—還元処理により、第 1 図（D) に示すように導体層 34及びスルーホール 36の表面に粗化層 38を設ける。

(3) 上述した Cの樹脂充填剤調製用の原料組成物を混合混練して樹脂充填剤を得る。

(4) このコア基板 30のスルーホール 36に熱硬化性樹脂からなる充填剤 4 0を充填する。これと同時に、コア基板 30の表面へ充填剤 40を塗布する（第 2図（E) 参照）。

(5) 充填剤を熱硬化させ、 #400 のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、スルーホールランド 36 a及び導体層 34の表面に樹脂充填剤が残らないように研磨し、次いで、前記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を S i C砥粒にて行う。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行う。

次いで、 100 °Cで 1時間、 150°Cで 1時間の加熱処理を行って樹脂充填剤 4 0を硬化させる。このようにして、スルーホール 36等に充填された樹脂充填剤 40の表層部およびスルーホールランド 36 aなどの上面の粗化層を除去して、基板 30の両面を平滑化する。

(6) 前記（5) の処理で露出したスルーホールランド 36 a、導体層 34上面に第 2図（G) に示すように、厚さ 2.5^mの Cu— Ni— P合金からなる粗化層（凹凸層） 42を形成し、さらに、粗化層 42の表面に厚さ 0.3wmの Sn層 (図示せず）を設けることができる。

その形成方法は以下のようである。基板 30を酸性脱脂してソフトエツチングし、次いで、塩化パラジウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、 Pd触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅 8g/し硫酸ニッケル 0.6gZ 1、クェン酸 15g/し次亜リン酸ナトリウム 29g/ 1、ホウ酸 31gZし界面活性剤 0.1g/ l、 pH== 9からなる無電解めつき浴にてめつきを施し、導体層 34上面およびスルーホールのランド 36 a上面に Cu— Ni— P合金の粗化層 42を形成する。ついで、ホウフッ化スズ 0. lmol/ 1、チォ尿素 1, Omol/ 1、温度 50°C、 pH = l.2 の条件で Cu— Sn置換反応させ、粗化層 42の表面に厚さ 0.3 zmの Sn層を設けることができる。なお、この Cu— Ni— P合金の粗化層 4 2の代わりに、スルーホールランド 36 a、導体層 34表面を、第二銅錯体と有機酸とを配合したエツチング液により粗化することも可能であり、酸化還元処理で粗化することも可能である。

(7) 上述した組成物 Bの層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度 1.5 Pa * sに調整して層間樹脂絶縁剤（下層用）を得る。

次いで、上述した組成物 Aの無電解めつき用接着剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度 7Pa， sに調整して無電解めつき用接着剤溶液（上層用）を得る。

(8) 前記（6) の基板 30 (第 2図（G) ) の両面に、第 2図（H) に示すように前記（7) で得られた粘度 1.5Ρ3 · sの層間樹脂絶縁剤（下層用） 44 を調製後 24時間以内に口一ルコ一夕で塗布し、水平状態で 20分間放置してから、 60°Cで 30分の乾燥（プリべーク）を行う。次いで、前記（7) で得られた粘度 7Pa - sの感光性の接着剤溶液（上層用） 46を調製後 24時間以内に塗布し、水平状態で 20分間放置してから、 60°Cで 30分の乾燥（プリべーク）を行い、厚さ 35 i mの接着剤層 5 0を形成する。

(9) 前記（8) で接着剤層 50を形成した基板 30の両面に、 85 im φの黒円が印刷されたフォトマスクフィルム（図示せず）を密着させ、超高圧水銀灯により 500mJZcm² で露光する。これを DMT G溶液でスプレー現像し、さらに、当該基板を超高圧水銀灯により 3000mJZcm² で露光し、 100 °Cで 1時間、 120 °Cで 1時間、その後 150°Cで 3時間の加熱処理（ポストべーク）をすることにより、第 3図（I) に示すようにフォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた 85 ίΐΏφの開口（バイァホール形成用開口） 48を有する厚さ 35 mの層間樹脂絶縁層（2層構造） 50を形成する。なお、バイァホールとなる開口 48には、スズめっき層を部分的に露出させることも可能である。

(10) 開口 48が形成された基板 30を、クロム酸に 19分間浸漬し、層間樹脂絶縁層 50の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、第 3図（ J ) に示すように当該層間樹脂絶縁層 50の表面を粗化面 5 1とし、その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いする。

さらに、粗面化処理（粗化深さ 3 ^m) した該基板 30の表面に、パラジゥム触媒（アトテック製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層 50の表面およびバイァホール用開口 48の内壁面に触媒核を付ける。

(1 1) 以下に示す組成の無電解銅めつき水溶液中に基板を浸漬して、第 3図 (K) に示すように粗面全体に厚さ 0.6 / mの無電解銅めつき膜 52を形成する。

〔無電解めつき水溶液〕

EDTA 150 g/

硫酸銅 20 g/

HCHO 30 mi/

N aOH 40 g/

ひ、 a ' —ビビリジル 80 mg/

PEG 0.1 g/

〔無電解めつき条件〕

70°Cの液温度で 30分

(12) 第3図（乙）に示すようにコア基板 30の無電解銅めつき膜 52上に市販の感光性ドライフィルム 54 αを張り付け、配線パターン形成用のパターン 53 b及びバイァホール · ランド形成用の黒円パターン 53 aの描かれたマスク 53を載置して、 100 mJ/cm² で露光、 0.8 %炭酸ナトリウムで現像処理し、第 4図（M) に示すように厚さ 15wmのめつきレジスト 54を設ける。第 4図（M) の C矢視図、即ち、めっきレジスト 54の形成されたコア基板

30の平面図を第 9図に示す。第 9図中の D— D線は、第 4図（M) の切断端に相当する線である。めっきレジスト 54には、ランド又はバイァホールを形成するための円形の開口部 54 aと、配線パターンを形成するための線状の開口部 54 bとが形成されている。そして、該配線パターンを形成する開口部 5 4 bの交差部 X 'であって、該開口部の側壁 54 |3の交差角度が 90° 以下の角部 Cには面取りがなされている。同様に、配線パターンを形成する開口部 5

4 bが曲がっている部位であって、該部位の側壁 54 /3の交差角度が 90° 以下の角部 Lも面取りされている。

(1 3) ついで、レジスト非形成部分（開口部 54 a、 54 b) に以下の条件で電解銅めつきを施し、第 4図（N) に示すように厚さ 15 mの電解銅めつき膜 56を形成する。

〔電解めつき水溶液〕

硫酸 180 g/ 1

硫酸銅 80 g/ 1

添加剤（アトテックジャパン製、カバラシド GL)

1 ml/ 1

〔電解めつき条件〕

電流密度 1 A/dm2

時間 30分

(14) 第 4図（〇）に示すようにめつきレジスト 54を 5 %ΚΟΗで剥離除去した後、めっきレジスト 54下の無電解めつき膜 52を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めつき膜 52と電解銅めつき膜 56からなる厚さ 18μπιの配線パターン 58 b、バイァホ一ル 60及びランド 6 1を形成する。上述したコア基板 3 0を 70°Cで 800 g/ lのクロム酸に 3分間浸漬して、配線パターン 5 8 b、バイァホール 60、ランド 6 1の形成されていない無電解めつき用接着剤層 5 0の表面を 1 zmエッチング処理し、表面のパラジウム触媒を除去する。

第 4図（〇）の E矢視図、即ち、コア基板 3 0の平面図を第 1 0図に示す。第 1 0図中の F— F線は、第 4図（〇）の切断端に相当する線である。コア基板 3 0には、配線パターン 5 8 a、 5 8 b、 5 8 c、 58 d、 5 8 e、 5 8 f 、 5 8 g、バイァホール 60及びランド 6 1が形成されている。配線パターン 5 8 bの交差部 Xであって、該配線パターンの側壁 58 /3の交差角度が 90° 以下の角部 Cにフィレット Fが付加されている。更に、配線パターン（信号線） 5 8 cと配線パターン（信号線） 5 8 dとの交差部 Xであって、該配線パターン 5 8 cの側壁 5 8 と配線パターン 5 8 dの側壁 5 8 /3との交差角度が 9 0° 以下の角部 Cにはフィレツト Fが付加されている。更に、配線パターン（信号線） 5 8 dと配線パターン（信号線） 5 8 e及び配線パターン（信号線） 5 8 f との交差部 Xであって、該配線パターンの側壁 5 8 βの交差角度が 90° 以下の角部 Cにフィレット Fが付加されている。ここで、該配線パターン（信号線） 5 8 e及び配線パターン（信号線） 5 8 f に付加された瞵接するフィレッ卜 Fは、一部が重なりあっている。更に、配線パターン 5 8 gが曲がっている部位であって、該部位の側壁 54 /3の交差角度が 9 0° 以下（ここでは直角）の角部 Lにもフィレット Fが付加されている。

この第 1実施例では、配線パターン 5 8の交差部 Xにフィレツト Fを付加させるように、第 9図を参照して上述したレジスト 54の角部を面取りしてめつき液の回り込みを良くしてあるので、第 3 3図（A) を参照して上述したように従来技術のおいて発生していた、該交差部 Xにおいて配線パターンが細くなることによる断線の発生を防ぐことができる。更に、配線パターン 5 8の交差部 Xにフィレツト Fを付加させているため、プリント配線板が熱収縮を繰り返した際に発生する応力集中による断線の発生を防ぎ得る。ここで、配線パターンの線幅は、 5 0 wm以下、望ましくは 1 5〜 5 0 mに形成され、フィレツ卜 Fの幅は 7 5〜 1 0 0 mに形成されている。フィレツト Fの幅を 7 0 以上にすることで、プリント配線板が熱収縮を繰り返した際に発生する応力集中による断線の発生を防ぎ得る。このため、線幅を 70 以上に設定する場合には、フィレツ卜の付加は不要である。

(15) 引き続きプリント配線板の製造工程の説明を続ける。配線パターン 5 8を形成した基板 30を、硫酸銅 8 gZし硫酸ニッケル 0. 6 gZl、クェン酸 15 gZし次亜リン酸ナトリウム 29 g/ 1、ホウ酸 31 gZ 1、界面活性剤 0. 1 g/ 1からなる pH=9の無電解めつき液に浸漬し、第 5図（P) に示すように該配線パターン 58及びバイァホール 60の表面に厚さ 3 / mの銅一ニッケル—リンからなる粗化層 62を形成する。なお、この粗化層 62の代わりに、導体回路 58及びバイァホール 60の表面を、エッチング液又は酸化還元処理で粗化することも可能である。

ついで、ホウフッ化スズ 0. lmo 1 / 1、チォ尿素 1. 0mo l / l、温度 50°C、 pH= 1. 2の条件で Cu— S n置換反応させ、粗化層 62の表面に 0. 3 / mの厚さの S n層を設ける。（S n層については図示しない）。

(16) (2) 〜（14) の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層及び導体回路を形成する。即ち、基板 30の両面に、層間樹脂絶縁剤

(下層用）をロールコ一夕で塗布し、絶縁材層 144を形成する（第 5図（Q))。この際、上述したように配線パターン 58の交差部 Xにフィレツト Fを付加させてあるため、第 33図（B) を参照して上述した従来技術のプリント配線板と異なり、配線パターン 58の交差部 Xと層間樹脂絶縁層（絶縁材層） 144 との間に気泡が残ることがないので、プリント配線板の信頼性が高まる。更に、この絶縁剤層 144の上に無電解めつき用接着剤（上層用）をロールコ一夕を用いて塗布し、接着剤層 146を形成する。

絶縁剤層 144および接着剤層 146を形成した基板 30の両面に、フォトマスクフィルムを密着させ、露光 ·現像し、開口（バイァホール形成用開口） 148を有する層間樹脂絶縁層 150を形成した後、該層間樹脂絶縁層 150 の表面を粗面とする（第 5図（R) 参照）。その後、該粗面化処理した該基板 30の表面に、無電解銅めつき膜 152を形成する（第 6図（S) 参照）。引き続き、無電解銅めつき膜 152上にめっきレジスト 154を設けた後、レジスト非形成部分に電解銅めつき膜 156を形成する（第 6図（T) 参照）。そして、めっきレジスト 154を KOHで剥離除去した後、めっきレジス卜 15 4下の無電解めつき膜 1 5 2を溶解除去し導体回路（図示せず）、ランド 1 6 1及びバイァホール 1 6 0を形成する。さらに、該導体回路、ランド 1 6 1及びバイァホール 1 60の表面に粗化層 1 6 2を形成し、多層プリン卜配線板を完成する（第 7図（U) 参照）。なお、この上層の導体回路を形成する工程においては、 S n置換は行わなかった。

( 1 7) そして、上述した多層プリント配線板にはんだバンプを形成する。先ず、基板 30にソルダーレジスト組成物を 20 tmの厚さで塗布し、 70°Cで 2 0分間、 7 0°Cで 3 0分間の乾燥処理を行った後、 l O O OmJ Zcm² の紫外線で露光し、 DMTG現像処理する。

さらに、 8 0°Cで 1時間、 1 0 0° で1時間、 1 20 で1時間、 1 5 0°C で 3時間の条件で加熱処理し、第 7図（V) に示すようにパッド部分に対応する開口部 7 1を設けた（開口径 2 0 0 m) ソルダーレジスト層（厚み 20 m) 70を形成する。

(18)次に、塩化ニッケル 2.31X10— mo 1 Z 1、次亜リン酸ナトリウム 2. 8 X10^{- 1} mo 1 / クェン酸ナトリウム 1.85X10— ¹ mo I Z 1、からなる pH=4. 5の無電解ニッケルめっき液に該基板 3 0を 2 0分間浸漬して、開口部 7 1に厚さ 5 mのニッケルめっき層 7 2を形成した。さらに、その基板を、シアン化金カリウム 4. 1 X10— ^mo 1 /し塩化アンモニゥム 1.87X10一 ¹ mo 1 / 1、クェン酸ナトリウム 1. 16X10一 ¹ mo 1 / 次亜リン酸ナトリゥム 1.7 X10~ 1 / 1からなる無電解金めつき液に 8 0°Cの条件で 7分 2 0秒間浸潰して、ニッケルめっき層上に厚さ 0.03 zmの金めつき層 7 4を形成することで、バイァホール 1 6 0に半田パッドを形成する。その後、ソルダーレジスト 7 0の補強層 7 8を被覆する。

(20) そして、ソルダ一レジスト層 7 0の開口部 7 1に、はんだべ一ストを印刷して、 2 0 0°Cでリフ口一することによりはんだバンプ 7 6を形成し、はんだバンプを有するプリント配線板を製造する。

引き続き、第 1実施例の改変例に係るプリント配線板の配線パターンについて第 1 1図を参照して説明する。第 1 0図を参照して上述した第 1実施例のプリント配線板においては、三角形のフィレット Fを付加したが、この第 2実施例のフィレットは、曲線状にフィレット Fを付加している。即ち、配線パターン 5 8 bの交差部 Xであって、該配線パターンの側壁 5 8 ]3の交差角度が 9 0 ° 以下の角部 Cにはフィレツ卜 Fが付加されている。更に、配線パターン（信号線） 5 8 cと配線パターン（信号線） 5 8 dとの交差部 Xであって、側壁 5 8 の交差角度が 9 0 ° 以下の角部 Cにフィレット Fが付加されている。更に、配線パターン（信号線） 5 8 dと配線パターン（信号線） 5 8 e及び配線パ夕ーン（信号線） 5 8 f との交差部 Xであって、該配線パターンの側壁 5 8 βの交差角度が 9 0 ° 以下の角部 Cにフィレット Fが付加されている。更に、配線パターン 5 8 gが曲がっている部位であって、該部位の側壁 5 4 /3の交差角度が 9 0 ° 以下の角部 Lにもフィレツ卜 Fが付加されている。

改変例のフィレットは応力が集中し難い利点があり、他方、図 1 0に示す態様のフィレットは、フィレットを付加するための処理（マスクのパターン形成処理）が容易である利点がある。

上述した第 1実施例のプリン卜配線板においては、プリン卜配線板の配線パターンの交差部 Xであって、 9 0 ° 以下の角部 Cにフィレット Fを付加させているため、該交差部において応力集中による断線が発生しない。また、配線パターンの交差部において発生した該応力が、層間樹脂絶縁層 5 0， 1 5 0にクラックを発生させることがない。更に、該配線パターン 5 8の交差部 Xと層間樹脂絶縁層 1 5 0との間に気泡が残ることがないため、プリント配線板の信頼性が高まる。

更に、配線パターン 5 8が第 1 2図（A) 、第 1 2図（B ) に示すように X 字、 K字状に交差する場合にも交差部にフィレツト Fを付加することができる。以下、本発明の第 2実施例に係る多層ビルドァップ配線板について図を参照して説明する。

第 1 3図は、本発明の第 2実施例に係る多層ビルドアップ配線板の断面を示している。多層コア基板 3 0の表面及び裏面にビルドアップ配線層 9 0 A、 9 O Bが形成されている。該ビルトアップ層 9 0 A、 9 0 Bは、バイァホール 6 0、バイァホールランド 6 1及び配線パターン 5 8の形成された層間樹脂絶縁層 5 0と、バイァホール 1 6 0、ランド 1 6 1及び配線パターン（図示せず）の形成された層間樹脂絶縁層 1 5 0とからなる。該バイァホールランド 6 1には、上層のバイァホール 1 6 0が接続されている。

表面（上面）側には、 I Cチップのバンプ（図示せず）へ接続するための半田バンプ 7 6 Uが形成され、裏面（下面）側には、マザ一ボードのバンプ（図示せず）へ接続するための半田バンプ 7 6 Dが形成されている。多層ビルドアップ配線板内では、 I Cチップへ接続する半田バンプ 7 6 Uからの配線パターンが、基板の外周方向へ向けて配線され、マザ一ボード側へ接続する半田バンプ 7 6 Dへ接続されている。表側のビルトアップ層 9 O Aと裏側のビルトアツプ層 9 0 Bとは、コア基板 3 0に形成されたスルーホール 3 6を介して接続されている。

第 1 3図中の多層ビルドアップ配線板の A— A断面を、第 1 4図（A) に示す。第 1 4図（A) 中の X— X線が、第 1 3図の切断端に相当する。第 2実施例の多層ビルドアップ配線板では、バイァホールランド 6 1及びバイァホール 6 0は、直径 1 4 0〜2 0 0 mに形成されている。一方、配線パターン 5 8 は、隣接する導体部（バイァホール、バイァホールランド）との距離に応じて幅 3 0 ΙΏの狭い部分（以下と狭幅部称する） 5 8 bと、幅 4 0〜5 0 z mの通常の線幅部分（以下、通常幅部と称する） 5 8 aが形成されている。

即ち、バイァホールランド 6 1， 6 1に挟まれた 2本の配線パターン 5 8が、当該バイァホールランド 6 1， 6 1に挟まれている部分を狭幅部 5 8 bとし、当該 2本の配線パターン 5 8のバイァホールランドとの絶縁間隔（ここでは、 4 0 ^ m) が保ち得る部位は、通常幅部 5 8 aとして 4 0〜 5 0 ^ mに形成してある。ここで、該 2本のバイァホールランド 6 1は、それぞれバイァホールランド 6 1との反対側に幅を狭くして、両バイァホールランド 6 1からの絶縁距離を保たせてある。他方、バイァホール 6 0とバイァホールランド 6 1との間に配設されている配線パターン 5 8は、最も近接する部分でもバイァホール 6 0及びバイァホールランド 6 1との絶縁間隔（4 0〃m) を保ち得るため、全て通常幅部 5 8 aとして形成されている。

第 2実施例の多層ビルドアップ配線板においては、配線パターン 5 8を、導体部（バイァホールランド 6 1 ) に挟まれた部位（狭幅部） 5 8 aの幅を狭くすることで、配線パターン 5 8と導体部との絶縁距離を保ち高密度化する。このため、ビルドアップ層の層数を増やすことなく高密度化を実現できる。ここで、導体部との絶縁距離が保ち得る部位、即ち、バイァホールランド 6 1で挟まれていない部分（通常幅部） 5 8 aは幅を狭くしないため、後述する製造ェ程において断線が生じる可能性が下がり、歩留まりの低下を防止できる。更に、第 1 4図（B ) 、第 1 5図（C ) 、第 1 5図（D ) 、第 1 6図を参照して、第 2実施例の配線パターン 5 8の形状について説明を続ける。第 1 4図 ( B ) 中では、導体部（バイァホールランド又は実装用パッド（以下パッドをいう） 6 1 ) に挟まれた 1本の配線パターン 5 8カ^ 配線パターンの中心側に幅を狭くした狭幅部 5 8 bが設けられている。即ち、配線パターン 5 8の中心側に幅を狭くすることで、両導体部（バイァホールランド又はパッド 6 1 ) からの絶縁距離を保ってある。

第 1 5図（C ) では、導体部（バイァホールランド又はパッド） 6 1に 3本の配線パターンがに挟まれた際に、中央の配線パターン 5 8を中心側に幅を狭くし、両側の配線パターン 5 8をそれぞれ導体部（バイァホールランド又はパッド） 6 1との反対側に幅を狭く形成してある。即ち、中央の配線パターンを中心側に幅を狭くし、両側の配線パターンをそれぞれ導体部との反対側に幅を狭くすることで、両導体部からの絶縁距離及び配線パターン相互の絶縁距離を保ってある。

第 1 5図（D ) では、第 1 5図（C ) と同様に 3本の配線パターン 5 8に狭幅部 5 8 aを設けると共に、導体部（バイァホールランド又はパッド 6 1 ) の配線パターン側を切り欠いてある。即ち、バイァホ一ルランド又はパッド 6 1 の配線パターン側を切り欠くことで、配線パターンとバイァホールランド又はパッド 6 1との絶縁距離を保ってある。この第 1 5図（D) に示す例では、第 1 5図（C) に示すように配線パターンの幅を狭くするだけでは、 4 0 mの絶縁間隔を保ち得ない場合のみに用いる。即ち、バイァホールランド又はパッド 6 1の径は、第 1 3図中に示す上層バイァホール 1 6 0の下端面の直径が 1 4 0 mである際には、該直径よりも 5 0 大きな 1 9 0 に形成される。これは、バイァホールランド又はパッド 6 1に対して、上層バイァホール 1 6 0の位置誤差が土 2 5 m程度あるので、最も偏位したとしても該バイァホール 1 6 0がバイァホールランド又はパッド 6 1上に形成し得るようにするため 12

- 30 - である。このため、第 1 5図（D ) に示す例の様に、バイァホールランド又はパッド 6 1の一部を切り欠くと、上層バイァホール 1 6 0との接続が適切に行えなくなることもあり、歩留まりが低下するからである。

また、第 1 6図に示すように 4本以上の配線パターン 5 8が導体部 6 1に挟まれた際に、両側を除いた中央の配線パターンの少なくとも一部を中心側に幅を狭くし、両側の配線パターンをそれぞれ導体部との反対側に幅を狭くし、両導体部 6 1からの絶縁距離及び配線パターン 5 8相互の絶縁距離を保つことができる。

第 1 3図を参照して上述した第 2実施例に係る多層ビルドァップ配線板の製造方法は、第 1図〜第 8図を参照して上述した第 1実施例と同様であるため説明を省略する。ここで、第 4図（N) 、第 4図（0) に示すように、配線パターン 5 8を形成する際に、第 1 4図（A) 〜第 1 5図（D ) 、第 1 6図を参照して上述したように、第 2実施例の多層ビルドアップ配線板においては、配線パターン 5 8を、バイァホールランド 6 1等の導体部に挟まれた部位（狭幅部） 5 8 aのみの幅を狭くしてある。即ち、バイァホールランド 6 1で挟まれていない部分（通常幅部） 5 8 aは幅を狭くしないため、上述した工程において断線が生じる可能性が低くなり、歩留まりが高まる。

更に、上述した例では、配線パターンを無電解めつきにて形成する例を挙げたが、配線パターンを銅箔エッチングにより形成する際にも、上述した第 2実施例の配線パターンの形状を応用できる。更に、上述した第 2実施例では、バィァホールランド又はパッド 6 1に挟まれた配線パターンの一部を細くする例を挙げたが、バイァホール、ベ夕層に挟まれた、或いは、近接する配線パ夕一ンの一部を同様に細くするこのも勿論可能である。以下、本発明の第 3実施例に係るプリント配線板及びその製造方法について図を参照して説明する。

先ず、本発明の第 3実施例に係るプリント配線板 1 0の構成について、第

1 7図及び第 1 8図を参照して説明する。第 1 7図は、多層プリン卜配線板

1 0に I Cチップ 9 0を載置し、ドー夕ボ一ド 9 4へ取り付けた状態を示している。

第 1 7図に示すようにプリント配線板 1 0では、コア基板 3 0内にスルーホール 3 6が形成され、該コア基板 3 0の両面には導体回路 3 4が形成されている。また、該コア基板 3 0の上には、下層側層間樹脂絶縁層 5 0が配設され、下層側層間樹脂絶縁層 5 0には、バイァホール 6 0、配線パターン 5 8 S、ランド 5 8 R、及び、ダミー導体 5 8 Dからなる導体層の形成されている。該下層層間樹脂絶縁層 5 0の上には、上層層間樹脂絶縁層 1 5 0が配置され、層間樹脂絶縁層 1 5 0には、バイァホール 1 6 0、信号線 1 5 8 S 及びダミー導体 1 5 8 Dからなる導体層が形成されている。

プリント配線板 1 0の上面側には、 I Cチップ 9 0のランド 9 2へ接続するための半田バンプ 7 6 Uが配設されている。半田バンプ 7 6 Uはバイァホール 1 6 0及びバイァホール 6 0を介してスルーホール 3 6へ接続されている。一方、下面側には、ドー夕一ボード 9 4のランド 9 6に接続するための半田バンプ 7 6 Dが配設されている。該半田バンプ 7 6 Dは、バイァホール 1 6 0及びバイァホール 6 0を介してスルーホール 3 6へ接続されている。第 1 7図の X— X横断面、即ち、下層層間樹脂絶縁層 5 0の表面に形成された導体層の平面図を第 1 8図に示す。第 1 8図の E— E断面が第 1 7図に相当する。第 1 8図に示すように層間樹脂絶縁層 5 0上には、導体層として、配線パターン 5 8 Sと、ランド 5 8尺と、孤立ランド 5 8 R S、ダミ一導体 5 8 D、ダミー導体 5 8 D Sとが形成されている。

図中で、 Aで囲んだ部位を拡大して第 1 9図（A) に示す。第 3実施例では、孤立した配線パターン 5 8 Sの回りにダミー導体 5 8 Dを配設してある。一方、第 1 8図中の Bで囲んだ部位を拡大して第 1 9図（B ) に示す。ここでは、 3本の配線パターン 5 8 Sの回りにダミー導体 5 8 Dを配設してある。第 3実施例のプリント配線板では、配線パターン 5 8 Sの回りにダミー導体 5 8 Dを配設しているので、後述するように導体層を電解めつきにより形成する際に、電界の集中が発生せず、また、後述するライトエッチングにおい CT/J

- 32 - てオーバエッチングにならず、配線パターン 5 8 Sを所定の厚み（1 5 wm) 及び幅（3 7 im) に形成することができる。また、孤立している信号線と、密集部分の信号線とを均一な厚みに形成することが可能になるので、該信号線上層の層間樹脂絶縁層 1 5 0の厚みを均一にでき、プリント配線板の電気特性を高めることができる。

なお、ダミ一導体 5 8 Dの幅は、配線パターン 5 8 Sの最小幅（3 7 m) の 1〜 3倍（3 7〜 l l l zm) にしてある。かかる幅であれば、配線パ夕ーン 5 8 S及びダミー導体 5 8 Dに電界の集中が発生せず、当該信号線及びダミー導体を所定の厚みに形成することができる。一方、ダミー導体 5 8D と配線パターン 5 8 Sとの最小間隔 D 1を、信号線 3 8の 1〜3倍（3 7〜 1 1 1 m) にしてある。このため、電界の集中が発生せず、配線パターン及びダミ一導体を所定の厚みに形成することができる。

第 1 8図中の Cで囲んだ部位を拡大して第 2 0図（C) に示す。孤立ランド 5 8 R Sは、ダミー導体 5 8 D Sで囲まれている。第 3実施例のプリント配線板では、孤立ランド 5 8 RSを囲むようにダミー導体 5 8 D Sを配設しているので、後述するように導体層を電解めつきにより形成する際に、電界の集中が発生せず、また、後述するライトエッチングにおいてォ一バエツチングにならず、孤立ランド 5 8 R Sを所定の厚み（1 5 im) 及び径（1 3 3 m) に形成することができる。このため、孤立しているランド 5 8 DS と、密集部分のランド 5 8 Dとを均一な厚みに形成することが可能になり、更に、該配線パターン上層の層間樹脂絶縁層 1 5 0の厚みを均一にできるので、プリント配線板の電気特性を高めることができる。

なお、孤立ランド 5 8 R Sの回りのダミー導体 5 8 D Sの最小幅は、ランド怪（1 3 3 m) の 1 Z6〜 3倍（2 2〜 3 9 9 / m) にしてあるため、電界の集中が発生せず、ランド及びダミー導体を所定の厚みに形成することができる。また、ダミー導体 5 8 D Sと孤立ランドと 5 8 R Sの最小間隔 D 2を、ランド径の 1 Z6〜3倍（2 2~ 3 9 9 iim) にしてあるため、電界の集中が発生せず、ランド及びダミー導体を所定の厚みに形成することができる。更に、孤立ランド 5 8 R Sの回りをダミー導体 5 8 D Sで囲んであるため、孤立ランド 5 8 R Sが外部からのノイズ等の影響を受けるのを軽減でさる。

第 2 0図（C ' ) は、第 2 0図（C ) に示す孤立ランドとは異なる孤立ランドを示している。第 2 0図（C ' ) に示す例では、ダミー導体 5 8 D Sが、バイァホール 6 0に接続され、コア基板 3 0側（第 1 7図参照）のアースラインへと接続されている。この例では、ダミー導体 5 8 D Sがアースに接続されているため、孤立ランド 5 8 R Sが外部からのノイズ等の影響を受けるのを防ぐことができる。

第 1 8図中の Dで囲んだ部位を拡大して第 2 1図に示す。第 3実施例のプリント配線板 1 0では、ダミー導体 5 8 Dとダミー導体 5 8 Dとの交差部であって、直角部にフィレット F 2が、鋭角部分にフィレット F 1を形成してある。このため、ダミー導体相互を適正に接続することができる。また、直角及び鋭角部分がなくなり、角部に起因する応力集中によるクラックが発生することがない。即ち、導体層の一部に角部があると、ヒートサイクルにおいて熱応力が集中し、係る角部を起点として層間樹脂絶縁層にクラックが発生することがある力第 3実施例のプリント配線板においては、係るクラックの発生を防止できる。

第 2 2図（E ) は、配線パターン 5 8 Sと孤立ランド 5 8 R Sとが近接している場合を示している。係る場合には、配線パターン 5 8 S及び孤立ランド 5 8 R Sを共にダミ一導体 5 8 Dで囲むことができる。一方、第 2 2図 ( F ) は、配線パターン 5 8 Sの近傍に電源層用のプレーン層 5 8 Hが存在している場合を示している。係る場合には、特に配線パターン 5 8 Sとプレーン層 5 8 Hとの間に、ダミー導体を配置する必要はない。

上述した第 3実施例に係るプリント配線板の製造方法については、上記第 1実施例と同様であるため説明を省略する。第 3実施例のプリント配線板においては、第 4図を参照して上述した第 1 実施例と同様に、無電解銅めつき膜 5 2の上に電解銅めつき膜 5 6を形成することで、導体層及びバイァホール 6 0を形成する。この導体層として、第 1 8図を参照して上述したように配線パターン 5 8 Sと、ランド 5 8尺と、孤立ランド 5 8 R Sと、ダミー導体 5 8 Dと、ダミー導体 5 8 D Sとが形成されている。ここで、第 3実施例では、孤立している配線パターン 5 8 S及び孤立ランド 5 8 R Sの回りに、ダミー導体 5 8 D、 5 8 D Sを配置しているため、上記電解めつきにおいて、電界の集中が発生せず、配線パターン 5 8 S、ランド 5 8 R及び孤立ランド 5 8 R Sを均一の厚みに形成することができる。

無電解めつき膜 5 2をライトエッチングにより除去する際に、第 3実施例では、孤立している配線パターン 5 8 Sの回りに、ダミー導体 5 8 Dを配置しているため、エッチング液の液回りが均一となり、配線パターン 5 8 Sを均一の厚み（Ι δ ^ πι) 及び幅（3 7 z m) に形成することができる。以下、本発明の第 4実施例に係るプリント配線板について図を参照して説明する。

第 3 0図は、本発明の第 4実施例に係るプリント配線板の断面を示している。多層コア基板 3 0の表面及び裏面にビルドアップ配線層 9 0 A、 9 O B が形成されている。該ビルトアップ層 9 0 A、 9 0 Bは、バイァホール 6 0 及び導体回路 5 8の形成された層間樹脂絶縁層 5 0と、バイァホール 1 6 0 及び導体回路 1 5 8の形成された層間樹脂絶縁層 1 5 0とからなる。

表面側には、 I Cチップのバンプ（図示せず）へ接続するための半田バンプ 7 6 Uが形成され、裏面側には、マザ一ボードのバンプ（図示せず）へ接続するための半田バンプ 7 6 Dが形成されている。プリント配線板内では、 I Cチップへ接続する半田バンプ 7 6 Uからの導体回路が、マザ一ボード側へ接続する半田バンプ 7 6 Dへ接続されている。表側のビルトアップ層 9 0 Aと裏側のビルトアップ層 9 0 Bとは、コア基板 3 0に形成されたスルーホ —ル 3 6を介して接続されている。

該スルーホール 3 6の開口にはランド 3 6 aが形成され、該ランド 3 6 a に、上層側のバイァホ一ル 6 0が接続され、該バイァホール 6 0に接続された導体回路 5 8に、上層のバイァホール 1 6 0が接続され、バイァホール 1 6 0へ接続された導体回路 1 5 8に半田バンプ 7 6 U、 7 6 Dが形成されている。

第 3 0図中のプリント配線板のコア基板 3 0の B— B断面を第 3 1図に示す。ここで、スルーホ一ル 3 6の開口に形成されるランド 3 6 aは、円形に形成され、第 3 0図を参照して上述したように該ランド 3 6 aへ直接バイァホール 6 0が接続されている。このように接続することで、ランド 3 6 a直上の領域を従来技術の内層パッドとして機能せしめることでデッドスペースを無くし、しかも、ランド 3 6 aからバイァホール 6 0へ接続するための内層パッド 2 2 6 bを付加しないので、スルーホール 3 6のランド 3 6 aの形状を円形とすることができる。その結果、多層コア基板 3 0中に設けられるスルーホール 3 6の配置密度を向上させることによりスルーホールの数を増やすことができる。

また、上述したようにプリント配線板では、裏面の複数のバンプからの配線が統合されながら表面側のバンプへ接続されるが、スルーホールを必要な密度で形成することで、表側及び裏側に形成されるビルドアツプ配線層 9 0 A、 9 O Bで、同じペースで配線の統合を行える。これにより、表側及び裏側に形成されるビルドアップ配線層 9 0 A、 9 0 Bの層数を減らすことがでさる。

第 4実施例のプリント配線板では、ランド 3 6 aの半径を、通孔 1 6の径 TWと、ランド 3 6 aに対する通孔 1 6に対するランド 3 6 aの誤差範囲と、開口（バイァホール） 6 0の径 B Wと、開口 6 0の誤差範囲 2 αとを合わせた値以上に設定することで、ランド 3 6 aの上にバイァホール 6 0を形成してある。一方、ランド 36 aの直径 RWを 700 以下にすることで、従来技術のランドにバイァホール配設用のランドを付加する構成と比較して、スルーホールの配設密度を高めてある。

具体的数値として、スルーホール用通孔 1 6の半径は、 1 7 5 m以下で 1 2 5 m以上であることが望ましい。 1 7 5 /xmを越えるとコア基板へのスルーホールの配設数が少なくなり、 1 25 ^m未満では、ドリルによる形成が困難なためである。他方、ランド 36 aの半径がスルーホール用通孔 1 6の半径よりも 7 5 ^111〜 1 7 5 大きいことが望ましい。これは、技術的に可能な最小値は、バイァホール 60の径 2 5 m、ランド 36 aに対するバイァホール用開口の誤差 ± 1 2. 5 (合計 2 5) im、通孔 1 6に対するランド 36 aの誤差 2 5 mであり、これらの合計が 75 mだからである。他方、経済的に量産し得る最小値は、バイァホール 60の径 35 m、バイァホール用開口 60の誤差 ± 20 (合計 40) m、通孔 1 6に対するランド 36 aの誤差 1 00 μιηであり、これらの合計が 1 7 5 mである。即ち、スルーホールの半径よりも 75 /xm〜 1 75 zm大きくランドを形成することで、ランド上にバイァホールを配設することが技術的及び経済的に可能となる。

引き続き、第 4実施例に係るプリント配線板の製造方法について第 23図乃至第 30図を参照して説明する。

第 4実施例のプリント配線板の製造方法に用いる A. 無電解めつき用接着剤、 B. 層間樹脂絶縁剤、 C. 樹脂充填剤の組成は、第 1実施例と同様であるため説明を省略する。

(1) 第 23図（A) に示すように基板 30の両面に 1 8 mの銅箔 32 ラミネートされている銅張積層板 3 OAを出発材料とする。まず、この銅張積層板 3 OAをドリル削孔し、直径（TW) 300 mの通孔 1 6を形成する（第 23図（B) ) 。スルーホール用通孔 1 6の直径は、 3 5 0 /xm以下で 250 m以上であることが望ましい。 3 50 /mを越えるとコア基板へのスルーホールの配設数が少なくなり、 250 m未満では、ドリルによる形成が困難なためである。次に、基板全体に無電解めつき処理を施し、通孔 1 6の内壁に無電解めつき銅膜 1 8を析出し、スルーホール 36を形成する (第 23図（C) ) 。引き続き、パターン状にエッチングすることでスルーホールのランド 36 a、導体回路 34、位置合わせマーク 33 (第 3 1図参照）を形成する（第 23図（B) ) 。ここで、ランド 36 aは、直径（RW) 600 に形成する。

(2) この基板 30を水洗いし、乾燥した後、酸化一還元処理により、第 2 4図（E) に示すように導体回路 34、スルーホール 36及びランド 36 a の表面に粗化層 38を設ける。

(4) コア基板 30にマスクを用いて印刷を行い、充填剤 40をスルーホール 36内へ充填すると共に、基板 30の表面へ塗布する（第 24図（F) 参照）。その後に充填剤 40を熱硬化させる。

(5) 上記（4) の処理を終えた基板 30を、ベルトサンダーにより、スル —ホール 36のランド 36 a及び導体回路 34の表面に樹脂充填剤が残らないように研磨した。次いで、加熱処理を行って樹脂充填剤 40を硬化した。上面の粗化層を除去して、基板 30の両面を第 24図（G) に示すように平滑化した。

(6) 上記（5) の処理で露出したスルーホールランド 36 a、導体回路 3 4上面に第 24図（H) に示すように、粗化層（凹凸層） 42を形成した。

(7) 組成物 Bの層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度 1. 5 Pa · sに調整して層間樹脂絶縁剤（下層用）を得た。

次いで、組成物 Aの無電解めつき用接着剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度 7 Pa * sに調整して無電解めつき用接着剤溶液（上層用）を得た。

(8) 上記（6) の基板 30 (第 24図（H) ) の両面に、第 2 5図（ I ) に示すように上記（7 ) で得られた粘度 1 . 5 Pa - sの層間樹脂絶縁剤（下層用） 4 4を塗布し、乾燥を行う。次いで、上記（7 ) で得られた粘度 7 Pa * sの感光性の接着剤溶液（上層用） 4 6を塗布し、乾燥を行い、厚さ 3 5 /X mの接着剤層 5 0を形成する。

( 9 ) 上記（8 ) で接着剤層 5 0を形成した基板 3 0の両面に、フォトマスクフィルム（図示せず）を密着させ、露光する。これをスプレー現像し、さらに、当該基板を露光し、加熱処理（ポストべーク）をすることにより、第

2 5図（J ) に示すようにフォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた直径（B W) 3 0 ιτι φの開口（バイァホール形成用開口） 4 8を有する厚さ 3 5 /x mの層間樹脂絶縁層（2層構造） 5 0を形成する。

なお、この開口 4 8を形成する際のフォトマスクフィルムの位置合わせは、第 3 1図中に示す位置合わせマーク 3 3を基準に行う。上述したスルーホール用の通孔 1 6を形成は、ドリルで機械的に形成するため、位置精度を高めることが困難である。このため、該通孔に形成されるランド 3 6 aは、当該通孔に対して 9 0 μ πι ( ± 4 5 ^ m) の位置精度で形成してある。該ランド

3 6 aは、上述したように光学的に形成しているため、位置精度が比較的高レ^ このため、該ランド 3 6 aに対する開口 4 8の位置精度は、 2倍以上に設定することで ± 1 5 に設定してある。ここでは、第 3 1図中に示す位置決めマーク 3 3は、ランド 3 6 aと同時に多面取り用のコア基板 3 0に対して上述した必要精度が得られるだけ設け、該位置決めマーク 3 3を基準にフォトマスクフィルムの位置合わせを行うことで、位置精度を高める。例えば、ランドを形成する際には、 1枚の多面取り基板（例えば 3 6基板分）の 4隅の位置合わせの基準（位置決めマーク）に対して位置合わせしたのに対して、開口 4 8を形成する際には、分割される幾つかの基板（例えば 8基板分）の 4隅に配設された位置合わせの基準（位置決めマーク）に対して、位置合わせすることで必要な精度を達成する。

ここで、ランド 3 6 aの半径がスル一ホール用通孔 1 6の半径よりも 1 4 0 im以上大きく形成することで、ランド 36 a上に開口 48を形成することができる。これは、技術的に可能な最小値は、バイァホール 60の径 25 , ランドに対するバイァホール用開口の誤差 ± 12. 5 (合計 25) u m、通孔 16に対するランド 36 aの誤差 25 ^xmであり、これらの合計が 75 mだからである。他方、ランド 36 aは 175 程度大きく形成することで、多層プリント配線板を高い歩留まりで形成できる。即ち、経済的に量産し得る最小値は、バイァホール 60の径 35 ; m、バイァホ一ル用開口 60の誤差 ±20 (合計 40) rn, 通孔 16に対するランド 36 aの誤差 100； mであり、これらの合計が 1 75 であるからである。第 4実施例のプリント配線板では、スルーホールの半径よりも 140 xm〜 1 75 m大きくランドを形成することで、ランド上にバイァホールを配設することが技術的及び経済的に可能となる。

なお、ここでは、エッチングにより開口 48を形成しているが、レーザ光を用いても同様に開口を形成することができる。

(10) 開口 48が形成された基板 30をクロム酸に浸漬し、第 25図（K) に示すように当該層間樹脂絶縁層 50の表面を粗化面 51とし、その後、中和溶液に浸漬してから水洗いする。

さらに、層間樹脂絶縁層 50の表面およびバイァホール用開口 48の内壁面に触媒核を付ける。

(1 1) 無電解銅めつき水溶液中に基板を浸潰して、第 26図（L) に示すように粗面全体に厚さ 0. 6 //mの無電解銅めつき膜 52を形成する。

(12)市販のレジストフイルムを貼り付けた後、マスクを載置して、露光 · 現像処理し、第 26図（M) に示すように厚さ 1 5 mのめつきレジスト 5 4を設ける。

(13) 電解銅めつきを施し、厚さ 1 5 の電解めつき銅膜 56を形成する（第 27図（N) ；) 。

(14) めっきレジスト 56を 5 %の KOHで剥離除去した後、そのめつきレジスト 56下の無電解めつき膜 52を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、第 27図（〇）で示すように無電解銅めつき膜 5 2と電解銅めつき膜 56からなる厚さ 1 5 の導体回路 58及びバイァホ —ル 60を形成する。さらに、導体回路 58、バイァホール 60間の無電解めっき用接着剤層表面を 1 mエッチング処理し、表面のパラジウム触媒を除去する。

(15) 導体回路 58を形成した基板 30を無電解めつき液に浸潰し、第 28 図（P) に示すように該導体回路 58及びバイァホール 60の表面に厚さ 3 mの銅一ニッケル一リンからなる粗化層 62を形成する。なお、この粗化層 6 2の代わりに、導体回路 58及びバイァホール 60の表面を、エッチング液又は酸化還元処理で粗化することも可能である。

ついで、 Cu— S n置換反応させ、粗化層 62の表面に 0. 3 //mの厚さの S n層を設けることができる（S n層については図示しない）。

(16) (2) 〜（15) の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層 1 50とバイァホール 160及び導体回路 158を形成する（第

28図（Q) ) 。

(17) 上記（16) で得た配線板の両面に、市販のソルダーレジスト組成物を 20 illの厚さで塗布する。次いで、乾燥処理を行った後、露光 ·現像処理した。そしてさらに、加熱処理し、パッド部分 71が開口した（開口径 200 wm) ソルダーレジスト層（厚み 20 tm) 70を形成する（第 29 図（R) 参照）。

(18) 引き続き、ソルダ一レジスト層を補強用の樹脂組成物をソルダーレジストの開口群の周囲に塗布し、厚さ 40 mの補強層 78を形成する。

(19) 次に、ソルダーレジスト層 70を形成した基板 30を、無電解ニッゲルめつき液に浸漬して、開口部 71に厚さ 5 mのニッケルめっき層 72 を形成した。さらに、その基板 30を、無電解金めつき液に浸漬して、ニッケルめっき層 72上に厚さ 0. 03 mの金めつき層 74を形成する（第 2 9図（S) ) 。 (20) そして、ソルダーレジス卜層 70の開口部 71に、はんだペーストを印刷して、 200 でリフローすることによりはんだバンプ 76U、 76 Dを形成し、はんだバンプを有するプリント配線板を製造する（第 30図）。

Claims

請求の範囲

1 . 基板上に配線パターンを有するプリント配線板において、

前記配線パターンの交差部にフィレツトを付加させたことを特徴とするプリント配線板。

2 . 基板上に配線パターンを有するプリント配線板において、

前記配線パターンの交差部であって、 9 0 ° 以下の角部にフィレットを付加させたことを特徴とするプリント配線板。

3 . 前記配線パターンの上層に層間樹脂絶縁層及び上層の配線パターンを設けたことを特徴とする請求項 1又は 2のプリント配線板。

4 . 配線パターンを形成するための開口部を有するレジストを基板上に形成する工程と、

該レジス卜の開口部に金属層を析出させることにより配線パターンを形成する工程とを備えるプリント配線板の製造方法において、

前記レジストを形成する工程において、配線パターンの交差部であって、 9 0 ° 以下の角部を面取りすること特徴とするプリント配線板の製造方法。

5 . 配線パターンを形成するための開口部を有するレジストを基板上に形成する工程において、配線パターンの交差部であって、 9 0 ° 以下の角部を面取りしてレジストを形成する工程と、

該レジス卜の開口部に金属層を析出させることにより配線パターンを形成する工程と、

前記層間樹脂絶縁層の上層に配線パターンを形成する工程と、を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法。

6 . 導体部と配線パターンとが配設されたプリント配線板であって、

配線パターンを、隣接する導体部との距離に応じて幅の狭い部分を設けたことを特徴とするプリント配線板。

7 . 導体部と配線パターンとが配設されたプリント配線板であって、

前記配線パターンを、前記導体部に挟まれた部位の幅を狭くしたことを特徴とするプリント配線板。

8 . 1本の前記配線パターンが前記導体部に挟まれた際に、該配線パターンの中心側に幅を狭くしたことを特徴とする請求項 7のプリント配線板。

9 . 2本の前記配線パターンが前記導体部に挟まれた際に、該配線パターンをそれぞれ導体部との反対側に幅を狭くしたことを特徴とする請求項 7のプリン b配線板。

1 0 . 少なくとも 3本以上の前記配線パターンが前記導体部に挟まれた際に、両側を除く中央の配線パターンの少なくとも一部を中心側に幅を狭くし、両側の配線パターンをそれぞれ導体部との反対側に幅を狭くしたことを特徴とする請求項 7のプリント配線板。

1 1 . 導体部の配線パターン側を切り欠くことを特徴とする請求項 7〜9のいずれか 1に記載のプリン卜配線板。

1 2 . 前記プリント配線板は、多層ビルドアップ配線板であることを特徴とする請求項 7〜 1 0のいずれか 1に記載のプリン卜配線板。

1 3 . 前記導体部は、バイァホールランド又は実装用パッドであることを特徴とする請求項 6〜 1 2のいずれか 1に記載のプリント配線板。

1 4 . 層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなるプリント配線板において、

前記導体層を構成する配線パターンの回りにダミー導体を配設したことを特徴とするプリント配線板。

1 5 . 層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなるプリント配線板において、

前記導体層を構成する複数本の配線パターンの回りにダミー導体を配設したことを特徴とするプリント配線板。

1 6 . 前記ダミー導体の幅を、前記配線パターンの最小の幅の 1〜 3倍にしたことを特徴とする請求項 1 4又は 1 5のプリント配線板。

1 7 . 前記ダミー導体と前記配線パターンとの間隔を、前記配線パターンの最小の幅の 1〜 3倍にしたことを特徴とする請求項 1 4〜 1 6のいずれか 1 に記載のプリント配線板。

1 8 . 層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなるプリント配線板において、

前記導体層を構成する孤立ランドの回りにダミー導体を配設したことを特徴とするプリント配線板。

1 9 . 前記孤立ランドの回りをダミー導体で囲んだことを特徴とする請求項 1 8のプリント配線板。

2 0 . 前記ダミー導体の最小の幅を、前記孤立ランドの径の 1 Z 6〜 3倍にしたことを特徴とする請求項 1 8又は 1 9のプリント配線板。

2 1 . 前記ダミー導体と前記孤立ランドとの最小間隔を、当該孤立ランドの径の 1 Z 6〜 3倍にしたことを特徵とする請求項 1 8〜2 0のいずれか 1に記載のプリント配線板。

2 2 . 層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなるプリント配線板において、

前記導体層にダミー導体を配設すると共に、該ダミー導体とダミー導体との交差部にフィレツトを形成したことを特徴とするプリント配線板。

2 3 . 層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなるプリント配線板において、

前記導体層にダミー導体を配設すると共に、該ダミー導体とダミー導体との交差部であって、直角又は鋭角部分にフィレツトを形成したことを特徴とするプリント配線板。

2 4 . 層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層され、各導体層間がバイァホ —ルにて接続されたビルドアップ配線層が、コア基板の両面に形成されてなるプリント配線板において、

前記コア基板に形成されたスルーホールに円形のランドが形成され、該ランドにバイァホールが接続されていることを特徴とするプリント配線板。

2 5 . 前記スルーホールの半径が 1 7 5 以下で 1 2 5 /z m以上であり、前記ランドの半径が前記スルーホールの半径よりも 7 5 /x m〜 1 7 5 fi m大きいことを特徴とする請求項 2 4のプリント配線板。

26. (a) 多面取り用の基板にドリルでスルーホール用の通孔を穿設する工程、

(b) 前記通孔内に金属膜を形成する工程、

(c) 前記通孔の開口部にランドを形成する工程、

(e) 前記ランドに対して位置合わせを行い、前記ランドの上に 35 /m以下の開口を前記樹脂に形成する工程、

( f ) 前記開口に金属膜を形成しバイァホールとする工程、

を含み、前記ランドの半径を、前記通孔の半径と、前記通孔に対するランドの誤差範囲と、開口径と、前記ランドに対する開口の誤差範囲とを合わせた値以上であって、 700 m以下に設定したことを特徴とするプリント配線板の製造方法。

27. 前記ランドの半径を 200 m〜 350 2 mに設定したことを特徴とする請求項 26のプリント配線板の製造方法。