WO2000018202A1

WO2000018202A1 - Tableau de connexions multicouche d'accumulation

Info

Publication number: WO2000018202A1
Application number: PCT/JP1999/004895
Authority: WO
Inventors: Naohiro Hirose; Honjin En
Original assignee: Ibiden Co., Ltd.
Priority date: 1998-09-17
Filing date: 1999-09-08
Publication date: 2000-03-30
Also published as: KR20090059173A; US20030102151A1; CN1318274A; DE69942279D1; EP1868423A1; EP1137333A4; US7847318B2; US6613986B1; KR20080024239A; KR20080023369A; EP1137333B1; MY141631A; KR20010085811A; US7514779B2; MY123224A; US20090173523A1; TW453146B; EP1137333A1

Description

明細書多層ビルドアッフ己線板技術分野

この発明は、層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層されたビルドァップ配線層が、コア基板の両面に形成されてなる多層ビルドアップ配線板に関し、特に、電源用導体層（電源層）又は接地用導体層（グランド層）として形成されるプレーン層を備える多層ビルドアップ配線板に関するものである。背景技術

複数層の導体層（導体回路）をそれぞれ層間樹脂絶縁層にて絶縁してなる多層ビルドアップ配線板において、一層分の導体回路をグランド層、或いは、電源層として用いることが、ノイズの低減等の目的で行われている。係る多層ビルドアツフ線板においては、第 9図（C) に示すように、接地用導体層（グランド層）或いは、電源用導体層（電源層）を構成するプレーン層 5 5 9を、メッシュ穴 5 5 9 aを有するメッシュパターンに形成すること力多い。ここで、メッシュ穴 5 5 9 aを設けるのは、プレーン層 5 5 9が樹脂との接続性の低い銅で形成されているため、プレーン層の上層に配設される層間樹脂絶縁層（図示せず）と下層に配設される樹脂製コア基板（図示せず）との接続性を、該メッシュ穴 5 5 9 aにて層間樹脂絶禄層とコア基板とを直接接触させることで改善する。また、該メッシュ穴 5 5 9 aを通して、層間樹脂絶縁層に吸収された水分等からなるガスを発散し易くするためである。

このメッシュ穴 5 5 9 aの形成位置に関しては、種々の提案がなされている。たとえば、特開平 1一 1 6 3 6 3 4号においては、第 9図（B ) に示すように上側のプレーン層 5 5 9の通孔 5 5 9 aと下側のプレーン層 5 5 9 Bのメッシュ穴 5 5 9 aとの位置をずらすことで、上側のプレーン層 5 5 9の通孔 5 5 9 aと、下側のプレーン層 5 5 9 Bのメッシュ穴 5 5 9 aとが重ならなくなることにより、基盤の表面に窪みができないようにする技術が提案されている。導体層と導体層とを分離する層間樹脂絶縁層には、高い絶縁性が要求される。ここで、本発明者は、層間樹脂絶縁層の絶縁性と上下のプレーン層に形成された通孔の相対位置関係との間に相関性があることを発見した。そして、通孔の位置を調整ながら多層ビルドァップ配線板を形成し層間樹脂絶縁層の絶縁性を測定した結果、第 9図（ B ) に示すように上側のプレ一ン層 5 5 9の通孔 5 5 9 aと下側のプレーン層 5 5 9 Bのメッシュ穴 5 5 9 aとをずらすと、層間樹脂絶縁層の糸椽性が著しく低下するとの結論を得た。

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、プレーン層を有し、層間樹脂糸縁層の色縁劣化の少なレゝ多層ビルドァップ配線板を提供することにある。

一方、このメッシュ孔の形成位置に関しては、種々の提案がなされている。たとえば、特開平 1 0— 2 0 0 2 7 1号においては、第 2 3図に示すように図中 Cで示すチップを搭載する領域に対向する領域内には、プレーン層 5 5 9にメッシュ孔を配設せず、チップ搭載領域の外側にのみメッシュ孔 5 5 9 aを配設することで、当該チップ搭載領域に凹凸ができないようにし、多層プリント配線板のチップ搭載領域をフラットに形成する技術が提案されている。

上述したように、メッシュ孔を介して層間樹脂絶縁層のガスが抜けるため、上記技術のようにチップ搭載領域にメッシュ孔を穿設しないと、該チップ搭載領域下の層間樹脂絶縁層から水分が発散しなくなり、また、層間樹脂絶縁層が剥離したり、当該部分で層間樹脂絶縁層の絶縁抵抗が低下していた。

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、層間樹脂縁層の絶縁劣化が少ないと共にチップ搭載領域をフラットに形成できる多層ビルドァッフ¾線板を提供することにある。

一方、 I Cチップ等を載置するためのパッケージ基板を構成する多層ビルドアツフ¾線板は、スルーホールを形成したコア基板に、層間樹脂絶縁層と導体層とを交互にビルドアップし、上面に I Cチップへの接続用バンプを配設し、下面側にマザ一ポ一ドに接続するためのバンプを配設することにより形成されている。そして、上下の導体層間の接続は、バイァホールを形成することにより行い、コア基板の上層のバイァホールと下層のバイァホールとは、スルーホールを介して接続が取られている。

しかしながら、バイァホールは、層間樹脂絶縁層に非貫通孔を設けることにより形成されているため、一定の大きさの多層ビルドアップ配線板に形成できるバイァホールの数は、物理的に制限があり、多層ビルドアップ配線板内の高密度ィ匕を阻む原因の一つになっている。

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、配線の高密度化を図り得る多層ビルドァップ配線板を提供することにある。

一方、樹脂基板を用いた多層ビルドアップ配線板に関する技術として、例えば、特公平 4 - 5 5 5 5 5号公報には、回路形成がされたガラスエポキシ基板にエポキシァクリレートを層間樹脂糸禄層として形成し、続いて、フォトリソグラフィ一の手法を用いてバイァホール用開孔を設け、表面を粗化した後、めつきレジストを設けて、めっきにより導体回路およびバイァホールを形成する方法が提案されている。

従来、上記方法により導体回路およびバイァホールを形成した後、これら導体回路等を被覆する C u— N i一 P合金からなる粗化層を無電解めつきにより形成し、その上に層間樹脂絶縁層を形成していた。

しかし、製造されたプリント配線枚をヒートサイクル試験等に供すると、そのうちの幾つかは、金属からなる上層導体回路と樹脂からなる層間樹脂糸禄層との熱膨張の差に起因して、上層導体回路の角部から層間樹脂紙縁層にクラックが発生してその上面および下層導体回路にまで達し、多層ビルドアップ配線板として用いることができないという問題があつた。

これは、上層導体回路の角部がとがった形に近いものとなりやすいため、上層導体回路の温度の変ィ匕における膨張、収縮により、角部に応力が集中し、その結果、クラックが発生するものと考えられる。

本発明は、このような従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、形成された導体回路角部の温度変化に起因する応力の集中を防止することができ、樹脂糸縁層にクラックが発生するのを防止することができるように構成された配線基板および多層ビルドアツプ配線板を提供することにある。発明の開示

上記目的を達成するため、請求項 1の多層ビルドアッフ 5線板では、層間樹脂糸禄層と導体層とを交互に積層してなる多層ビルドァップ配線板において、

前記導体層として複数のプレーン層（これらは、電源用導体層もしくは接地用導体層として機能する）を形成し、

少なくとも一部が重なるように前記複数のプレーン層にメッシュ穴を形成したことを技術的特徴とする。

また、請求項 2の多層ビルドアップ配線板では、

層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層されたビルドァップ配線層が、コァ基板の両面に形成されてなる多層ビルドアップ配線板において、

前記コア基板の少なくとも片面に形成される導体層としてプレーン層（これらは、電源用導体層もしくは接地用導体層として機能する）を形成し、前記層間樹脂絶縁層間に形成される導体層の少なくとも一つにプレーン層を形成するとともに、

少なくとも一部が重なるように前記コア基板のプレーン層及び前記層間樹脂糸色縁層間のプレーン層にメッシュ穴を形成したことを技術的特徴とする。請求項 3では、請求項 1又は 2において、前記メッシュ穴の直径を 7 5〜 3 0 0 mで、各メッシュ穴間の距離を 1 0 0〜 1 5 0 0； u mにしたことを技術的特徴とする。

請求項 1では、上下のプレーン層のメッシュ穴を少なくとも一部が重なるように形成してあるため、層間樹脂絶縁層の絶縁性が著しく低下することがなくなる。

ここで、メッシュ穴の直径が 7 5〜3 0 0 mであることが望ましい。これは、直径が 7 5 m未満であると、上下のメッシュ穴を重ねることが難しくなり、他方、 3 0 0 ^ mを越えると、電源用導体層（電源層）あるいは接地用導体層（グランド層）として機能しないからである。また、各メッシュ穴間の距離が 1 0 0〜 1 5 0 0 mであることが望ましい。これは、距離が 1 0 0 m未満では、プレーン層の面積が小さくなり、機能を果たし得なくなり、他方、 1 5 0 0 i mを越えると、層間樹脂絶縁層の絶縁劣化の程度が著しく大きくなるからである。

本発明では、上記層間樹脂絶縁層として無電解めつき用接着剤を用いることが望ましい。この無電解めつき用接着剤は、硬化処理された酸あるいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは酸化剤に難溶性の未硬ィ匕の耐熱性樹脂中に分散されてなるものが最適である。

酸、酸化剤で処理することにより、耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状のアンカ一からなる粗化面を形成できる。

上記無電解めつき用接着剤において、特に硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、 ①平均粒径が 10 z m以下の耐熱性樹脂粉末、 ②平均粒径が 2 m以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、 ③平均粒径が 2〜： 10 mの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が 2 a m以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、 ④平均粒径が 2〜： 10 mの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が 2 m以下の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも 1種を付着させてなる疑似粒子、 ⑤平均粒径が 0 . 1〜0 . 8 mの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が 0 . 8 mを越え、 2 m未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、 ⑥平均粒径が 0 . 1〜1 . 0 mの耐熱性粉末樹脂粉末を用いることが望ましい。これらは、より複雑なアンカ一を形成できるからである。

粗化面の深さは、 Rm a x = 0 . 0 1〜2 0 i mがよい。密着性を確保するためである。特にセミアディティブ法では、 0 . l〜5 ^ mがよい。密着性を確保しつつ、無電解めつき膜を除去できるからである。

前記酸あるいは酸化剤に難溶性の耐熱性樹脂としては、「熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体」又は「感光性樹脂および熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体」カゝらなることが望ましい。前者については耐熱性が高く、後者についてはバイァホール用の開口をフォトリソグラフィ一により形成できるからである。

前記熱硬化性翩旨としては、エポキシ樹脂、フエノール樹脂、ボリイミド樹脂などを使用できる。また、感光化する場合は、メタクリル酸やアクリル酸などと熱硬化基をァクリル化反応させる。特にエポキシ樹脂のァクリレ一トが最適である。

エポキシ樹脂としては、フエノールノボラック型、クレゾールノポラック型、などのノポラック型エポキシ樹脂、ジシクロペン夕ジェン変成した脂環式ェポキシ樹脂などを使用することができる。

熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスルフォン（P E S )、ポリスルフォン（P S F)、ポリフエ二レンスルフォン（P P S )、ポリフエ二レンサルファイド（P P E S )、ポリフエニルエーテル（P P E)、ポリエーテルイミド（P I ) などを使用できる。

»化性樹脂（感光性樹脂）と熱可塑性樹脂の混合割合は、熱硬化性樹脂（感光性樹脂）ノ熱可塑性樹脂 = 9 5ノ 5〜 5 0 Z 5 0がよい。耐熱性を損なうことなく、高い靭性値を確保できるからである。

前記耐熱性觀旨粒子の混合重量比は、耐熱性樹脂マトリックスの固形分に対して 5〜5 0重量％、望ましくは 1 0〜4 0重量％がよい。

耐熱性樹脂粒子は、ァミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂)、エポキシ樹脂などがよい。

なお、接着剤は、組成の異なる 2層により構成してもよい。

なお、多層ビルドァップ配線板の表面に付加するソルダーレジスト層としては、種々の樹脂を使用でき、例えば、ビスフエノール A型エポキシ樹脂、ビスフエノ一ル A型エポキシ樹脂のァクリレート、ノボラック型エポキシ樹脂、ノポラック型エポキシ樹脂のァクリレートをァミン系硬化剤やイミダゾ一ル硬化剤などで硬ィヒさせた樹脂を使用できる。

一方、このようなソルダーレジスト層は、岡値骨格を持つ樹脂で構成されるので剥離が生じることがある。このため、補強層を設けることでソルダーレジスト層の剥離を防止することもできる。

ここで、上記ノボラック型エポキシ樹脂のァクリレートとしては、フエノールノポラックゃクレゾ一ルノボラックのグリシジルェ一テルを、ァクリル酸ゃメタクリル酸などと反応させたエポキシ樹脂などを用いることができる。上記イミダゾ一ル硬化剤は、 25°Cで液状であることが望ましい。液状であれば均一混合できるからである。

このような液状イミダゾール硬ィ匕剤としては、 1-ベンジル— 2-メチルイミダゾール（品名： 1B2MZ ) , 1-シァノエチル— 2-ェチルー 4-メチルイミダゾーリレ（品名： 2E4MZ-CN)、 4-メチル—2-ェチルイミダゾ一ル（品名： 2E4MZ ) を用いることができる。

このイミダゾール硬化剤の添加量は、上記ソルダ一レジスト組成物の総固形分に対して 1〜10重量％とすることが望ましい。この理由は、添加量がこの範囲内にあれば均一混合がしゃすいからである。

上記ソルダ一レジス卜の硬化前組成物は、溶媒としてダリコールエーテル系の溶剤を使用することが望ましい。

このような組成物を用いたソルダーレジスト層は、遊離酸が発生せず、銅パッド表面を酸化させない。また、人体に対する有害性も少ない。

このようなグリコールエーテル系溶媒としては、下記構造式のもの、特に望ましくは、ジエチレングリコールジメチルエーテル（DMD G) および卜リエチレングリコールジメチルエーテル（DMT G) 力選ばれるいずれか少なくとも 1種を用いる。これらの溶剤は、 30〜50°C程度の加温により反応開始剤であるべンゾフエノンゃミヒラーケトンを完全に溶解させることができるからである。

CH 3 0-(CH₂ CH₂ O) _n -CH_a ( n = l〜5 )

このダリコールエーテル系の溶媒は、ソルダーレジスト組成物の全重量に対して 1 0〜7

以上説明したようなソルダーレジスト組成物には、その他に、各種消泡剤やレペリング剤、耐熱性ゃ耐塩基性の改善と可撓性付与のために熱硬化性樹脂、解像度改善のために感光性モノマ一などを添加することができる。

例えば、レペリング剤としてはァクリル酸エステルの重合体からなるものがよい。また、開始剤としては、チバガイギ一製のィルガキュア I 9 0 7、光増感剤としては日本化薬製の D E T X— Sがよい。

さらに、ソルダーレジスト組成物には、色素や顔料を添加してもよい。配線パターンを隠、蔽できるからである。この色素としてはフタロシアニングリーンを用いること力望ましい。

添加成分としての上記熱硬化性樹脂としては、ビスフエノ一ル型エポキシ樹脂を用いることができる。このビスフエノール型エポキシ樹脂には、ビスフエノール A型エポキシ樹脂とビスフエノール F型エポキシ樹脂があり、耐塩基性を重視する場合には前者が、低粘度化が要求される場合（塗布性を重視する場合）には後者がよい。

添加成分としての上記感光性モノマーとしては、アクリル系モノマーを用いることができる。多価アクリル系モノマーは、解像度を向上させることができるからである。例えば、 ^アクリル系モノマーとして、日本化薬製の D P E— 6 A、共栄社化学製の R— 6 0 4を用いることができる。

また、これらのソルダーレジスト組成物は、 2 5 °Cで 0 . 5〜 1 0 P a - s、より望ましくは 1〜1 0 P a · sがよい。口一ルコ一夕で塗布しやすい粘度だからである。

上記目的を達成するため、請求項 4は、層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなり、最上層にチップを搭載するチップ搭載領域を備え、導体層間がバイァホールで接続された多層ビルドアツプ配線板において、

前記導体層として形成したプレーン層に、メッシュ孔を設けると共に、前記チップ搭載領域と層間樹脂絶縁層を介して対向する領域のメッシュ孔の少なくとも一部であって、その孔内にスルーホール又はバイァホールのランド及びバィァホールが接続するパッドを配設したことを技術的特徴とする。

請求項 4の発明では、プレーン層のうち最上層のチップ搭載領域と層間樹脂紙縁層を介して対向する領域にメッシュ孔を形成すると共に、当該メッシュ孔のうち、少なくとも一部の孔の内にスルーホール又はバイァホールのランド及びバイァホールが接続するパッドをメッシュ穴の周縁と間隔をもって設けるため、これらのランドの外周に設けられたメッシュ孔にてプレーン層の上層に配設される層間樹脂絶縁層と下層に配設される層間觀旨纖層（又は樹脂製コア基板）とを、直接接触させるので、接着性を高めることができる。また、これらランドの外周に設けられたメッシュ孔を通して、層間樹脂絶縁層に吸収された水分等からなるガスを発散できるため、層間樹脂禄層の絶縁性を高めることが可能になる。更に、該チップ搭載領域のメッシュ孔内にランド及びバイァホールを形成するため、凹凸ができず、当該チップ搭載領域を平坦にできる。また、請求項 5は、層間棚旨椽層と導体層とを交互に積層してなり、最上層にチップを搭載するチップ搭載領域を備え、導体層間がバイァホールで接続された多層ビルドアツプ配線板において、

前記導体層として形成したプレーン層に、メッシュ孔を設けると共に、前記チップ搭載領域と層間樹脂絶縁層を介して対向する領域のメッシュ孔の少なくとも一部であつて、その孔内にバイァホールのランドを配設したことを技術的特徴とする。

請求項 5の発明では、プレーン層のうち最上層のチップ搭載領域と層間樹脂縁層を介して対向する領域にメッシュ孔を形成すると共に、当該メッシュ孔のうちの少なくとの一部の孔内にバイァホールのランドをメッシュ穴の周縁と間隔をもって設けるため、該バイァホールのランドの外周に設けられたメッシュ孔にてプレーン層の上層に配設される層間樹脂絶縁層と下層に配設される層間樹脂絶縁層（又は樹脂製コア基板）とを、直接接触させるので、接着性を高めることができる。また、該バイァホールのランドの外周に設けられたメッシュ孔を通して、層間樹脂絶縁層に吸収された水分等からなるガスを発散できるため、層間樹脂糸觸層の絶椽性を高めることが可能になる。更に、該チップ搭載領域のメッシュ孔内にバイァホ一ルを形成するため、凹凸ができず、当該チップ搭載領域を平坦にできる。

請求項 6は、層間棚旨絶縁層と導体層とを交互に積層してなり、最上層にチップを搭載するチップ搭載領域を備えた多層ビルドアツプ配線板において、前記導体層として形成したプレーン層に、メッシュ孔を設けると共に、前記チップ搭載領域と層間樹脂絶縁層を介して対向する領域のメッシュ孔の少なくとも一部であって、その孔内にべ夕状導体層を配設したことを技術的特徴とする。

請求項 6の発明では、プレーン層のうち最上層のチップ搭載領域と層間樹脂絶縁層を介して対向する領域にメッシュ孔を形成すると共に、当該メッシュ孔のうち少なくとも一部の孔内にベタ状導体層をメッシュ穴の周縁と間隔をもつて設けるため、該べ夕状導体層の外周に設けられたメッシュ孔にてプレーン層の上層に配設される層間樹脂糸赚層と下層に配設される層間翻旨纖層（又は樹脂製コア基板）とを、直接接触させるので、接着性を高めることができる。また、該べ夕状導体層の外周に設けられたメッシュ孔を通して、層間樹脂絶縁層に吸収された水分等からなるガスを発散できるため、層間樹脂絶縁層の絶縁性を高めることが可能になる。更に、該チップ搭載領域のメッシュ孔内にべ夕状導体層を形成するため、凹凸ができず、当該チップ搭載領域を平坦にできる。また、請求項 7は、スルーホールを有する基板上に層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなり、最上層にチップを搭載するチップ搭載領域を備えた多層ビルドアツプ配線板において、

前記導体層として形成したプレーン層に、メッシュ孔を設けると共に、該チップ搭載領域と層間樹脂糸禄層を介して対向する領域のメッシュ孔の少なくとの一部であつて、その孔内にスルーホールのランドを配設したことを技術的特徵とする。

請求項 7の発明では、プレーン層のうち最上層のチップ搭載領域と層間樹脂絶縁層を介して対向する領域にメッシュ孔を形成すると共に、当該メッシュ孔のうち少なくとも一部の孔内にスルーホールのランドをメッシュ穴の周縁と間隔をもって設けるため、該ランドの外周に設けられたメッシュ孔にてプレーン層の上層に配設される層間樹脂総層と下層に配設される層間樹脂! &緣層（又は樹脂製コア基板）とを、直接接触させるので、接着性を高めることができる。また、該ランドの外周に設けられたメッシュ孔を通して、層間樹脂絶縁層に吸収された水分等からなるガスを発散できるため、層間樹脂絶縁層の絶縁性を高めることが可能になる。更に、該チップ搭載領域のメッシュ孔内にランドを形成するため、凹凸ができず、当該チップ搭載領域を平坦にできる。

なお、本発明では、前記プレーン層は、チップ搭載領域と少なくとも 1層以上の層間樹脂絶縁層を介して対向していればよい。

上述した課題を解決すべく、請求項 8は、層間樹月旨糸禄層と導体層と力交互に積層され、各導体層間が、バイァホールにて接続された多層配線層が、コア基板上に形成されてなる多層ビルドアップ配線板において、

前記 1のバイァホールを複数の配線路により形成したことを技術的特徴とする。

請求項 8の多層ビルドァッ @s線板では、 1のバイァホールが複数の配線路からなるため、ノ 'ィァホールの数倍の配線路を層間樹脂絶縁層に通すことができ、多層ビルドアツプ配線板の配線の高密度化を図ることができる。

また、請求項 9は、層間觀旨糸縁層と導体層とカ交互に積層され、各導体層間が、バイァホールにて接続された多層配線層が、コア基板上に形成されてなる多層ビルドアツプ配線板において、

前記 1のバイァホールを 2本の配線路により形成したことを技術的特徴とする。

請求項 9の多層ビルドァップ配線板では、 1のバイァホールが 2本の配線路からなるため、ノィァホールの 2倍の配線路を層間樹脂糸镓層に通すことができ、多層ビルドアツプ配線板の配線の高密度化を図ることができる。

また、請求項 1 0は、層間樹脂糸縁層と導体層と力交互に積層され、各導体層間が、バイァホールにて接続された多層配線層が、コア基板上に形成され、前記導体層がコア基板に形成されたスルーホールによりそのコア基板の裏面側の導体層と電気的に接続されてなる多層ビルドアップ配線板において、前記コア基板の 1のスルーホールに複数の配線路を配設し、

前記複数の配線路を配設したスルーホールの直上に、当該各配線路とそれぞれ接続する複数の配線路からなるバイァホールを配設したことを技術的特徴とする。

請求項 1 0の多層ビルドァップ配線板では、 1のスルーホールに複数の配線路を配設してあるので、スルーホールの数倍の配線路をコア基板に通すことができ、また、該スルーホールの直上に配設されたバイァホールが、複数の配線路からなるため、バイァホールの数倍の配線路を層間觀旨絶縁層に通すことができる。このため、多層ビルドアップ配線板の配線の高密度化を図ることができる。更に、スルーホールの直上にバイァホールを形成してあるため、配線長が短くなり、多層ビルドァッフ ¾線板の高速ィヒに対応できる。また、コア基板の片面にビルドアッフ°1己線層を設けた場合でも、 1のスルーホールに複数の配線路を配設してあるので、スルーホールの数倍の配線路をコァ基板に通すことができビルドアツプ層を設けた側の反対側の配線の自由度が向上する。

請求項 1 1は、層間觀旨禄層と導体層とが交互に積層され各導体層間がバイァホールにて接続された多層配線層が、コア基板の両面に形成され、前記コァ基板の両面の導体層同士がコァ基板に形成されたスルーホールにより電気的に接続されてなる多層ビルドアップ配線板において、

前記コア基板の 1のスルーホールに複数の配線路を配設し、

請求項 1 1の多層ビルドァップ配線板では、 1のスルーホールに複数の配線路を配設してあるので、スルーホールの数倍の配線路をコア基板に通すことができ、また、該スルーホールの直上に配設されたバイァホールが、複数の配線路からなるため、バイァホールの数倍の配線路を層間樹脂絶縁層に通すことができる。このため、多層ビルドアップ配線板の配線の高密度化を図ることができる。更に、スルーホールの直上にバイァホールを形成してあるため、配線長が短くなり、多層ビルドァッフ¾線板の高速ィ匕に対応できる。

ここで、 1のスルーホールに複数の配線路を配設してあるので、スルーホールの数倍の配線路をコア基板に通すことができる。このため、コア基板の表側に形成される多層配線層と、裏側に形成される多層配線層とで、同じペースで配線を統合できるので、上層の多層配線層と下層の多層配線層との層数を等しくすることにより、層数を最小にできる。

請求項 1 2は、層間樹脂紙縁層と導体層とが交互に積層され、各導体層間がバイァホールにて接続された多層配線層が、コア基板の両面に形成され、前記コァ基板の両面の導体層同士がコァ基板に形成されたスルーホールにより電気的に接続されてなる多層ビルドアツプ配線板において、

前記コア基板のスルーホールには、充填剤が充填されるとともに該充填剤のスルーホールからの露出面を覆う導体層が形成され、

該スル一ホール及び該導体層が複数に分割され、

前記分割された導体層で覆われたスルーホールの直上に、該分割された導体層とそれぞれ接続された配線路からなるバイァホールを配設したことを技術的特徵とする。

請求項 1 2の多層ビルドアップ配線板は、コア基板に設けたスルーホールに充填剤が充填され、さらに、この充填剤のスルーホールからの露出面を覆う導体層が形成され、この導体層にバイァホールを接続させることで、ビルドアップ配線層とスルーホールの接続を行う構造とした点に特徴がある。

本構成によれば、スルーホール直上の領域を内層パッドとして機能せしめることでデッドスペースが無くなり、しかも、スルーホールからバイァホールに接続するための内層パッドを配線する必要もないので、スルーホールのランド形状を真円とすることができる。その結果、多層コア基板中に設けられるスル一ホールの配置密度が向上し、スルーホール数を増やすことができ、このスル一ホールを介して裏側のビルドァッフ °13線層の信号線を表面のビルドァップ層に接続できるのである。この数を増大させたスルーホールに複数の配線路を配設し、バイァホールに複数の配線路を配設することで、多層ビルドアップ配線板の高密度ィ匕を図ることができる。

一方、請求項 1 2に係る上記多層ビルドアッフ。 @己線板において、スルーホールに充填される充填剤は金属粒子と、歷化性または熱可塑性の樹脂からなることが好ましい。

請求項 1 2の多層ビルドアツフ。 S己線板でスルーホールに充填される充填剤は、金属粒子、 i¾化性の樹脂およ ϋ¾¾ィ匕剤からなる力あるいは金属粒子および熱可塑性の樹脂からなることが好ましく、必要に応じて溶剤を添加してもよい。このような充填剤は、金属粒子が含まれていると、その表面を研磨することにより金属粒子が露出し、この露出した金属粒子を介してその上に形成される導体層のめっき膜と一体化するため、 P C T (pressure cooker test) のような過酷な高温多湿条件下でも導体層との界面で剥離が発生しにくくなる。また、この充填剤は、壁面に金属膜が形成されたスルーホールに充填されるので、金属イオンのマイグレーションが発生しない。

金属粒子としては、銅、金、銀、アルミニウム、ニッケル、チタン、クロム、すず Z鉛、パラジウム、プラチナなどが使用できる。なお、この金属粒子の粒子径は、 0. l〜50 zmがよい。この理由は、 0. 未満であると、銅表面が酸ィ匕して樹脂に対する濡れ性力 S悪くなり、一方、 50^mを超えると、印刷性が悪くなるからである。また、この金属粒子の配合量は、全体量に対して 30〜9 Owt %がよい。この理由は、 30wt%より少ないと、フタめつきの密着性が悪くなり、一方、 9 Owt %を超えると、印刷性が悪化するからである。

使用される樹脂としては、ビスフエノール A型、ビスフエノール F型などのエポキシ樹脂、フエノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリテトラフルォロェチレン（PTFE) 等のフッ素樹脂、ビスマレイミドトリアジン（BT) 樹脂、 F EP、 PFA、 PPS、 PEN, PES, ナイロン、ァラミド、 PEEK：、 P EKK：、 PETなどを使用できる。

硬化剤としては、イミダゾ一ル系、フエノール系、アミン系などの硬化剤を使用できる。

溶剤としては、 NMP (ノルマルメチルピロリドン）、 DMDG (ジエチレングリコールジメチルエーテル)、グリセリン、水、 1一又は 2—又は 3—のシク口へキサノール、シクロへキサノン、メチルセ口ソルブ、メチルセ口ソルブァセテート、メタノール、エタノール、ブタノール、プロパノールなどが使用でさる。

この充填剤は、非導電性であることが望ましい。非導電性の方が硬化収縮が小さく、導体層やバイァホールとの剥離が起こりにくいからである。

発明者らは、上記目的の実現に向け鋭意研究した結果、以下に示す内容を要旨構成とする発明に想到した。

即ち、請求項 13の配線基板は、第一の金属膜上に上記第一の金属膜よりも薄い第二の金属膜が積層された二層構造の導体層を含む導体回路を有する配線基板であって、上記導体層を構成する第二の金属膜の側面が上記第一の金属膜の側面よりも外側に張り出していることを特徴とする。また、請求項 1 4の多層ビルドアッフ ¾線板は、樹脂基板上に、樹脂纖層と導体回路とがそれぞれ 1層以上形成された構造を有する多層ビルドアップ配線板であって、上記導体回路の少なくとも 1層が第一の金属膜上に上記第一の金属膜よりも薄い第二の金属膜が積層された二層構造の導体層を含み、上記導体層を構成する第二の金属膜の側面が上記第一の金属膜の側面よりも外側に張り出していることを特徴とする。

請求項 1 3の構成によれば、上記第一の金属膜上に形成された第二の金属膜の側面が上記第一の金属膜の側面よりも外側に張り出しているので、これら導体層の上に樹脂絶縁層が形成された場合、この張り出した部分の構造に起因して、温度の変化等が生じた際にも、上記導体層の角部に応力が集中せず、その結果、上記樹脂絶縁層にクラックが発生するのを防止することができる。図面の簡単な説明

第 1図（A)、第 1図（B)、第 1図（C)、第 1図（D) は、本発明の第 1 実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の製造工程図である。

第 2図（E)、第 2図（F)、第 2図（G)、第 2図（H) は、本発明の第 1 実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の製造工程図である。

第 3図（1 )、第 3図（J )、第 3図（K)、第 3図（L) は、本発明の第 1実施形態に係る多層ビルドアッフ。 Ε線板の製造工程図である。

第 4図（Μ)、第 4図（Ν)、第 4図（0) は、本発明の第 1実施形態に係る多層ビルドァップ配線板の製造工程図である。

第 5図（Ρ )、第 5図（Q) は、本発明の第 1実施形態に係る多層ビルドアッフ線板の製造工程図である。

第 6図は、本発明の第 1実施形態に係る多層ビルドァッフ。 Ε線板の断面図である。

第 7図（Α) は、第 6図の A— Α断面図であり、第 7図（B) は、第 6図の B— B断面図である。

第 8図（A) は、本発明の実験例に係る多層ビルドアップ配線板の断面図であり、第 8図（B) 及び第 8図（B) は、メッシュ穴の配置を示す説明図である。

第 9図（A) は、第 1比較例に係る多層ビルドアッフ線板の断面図であり、第 9図（B) は、第 1比較例のメッシュ穴の配置を示す説明図であり、第 9図

(C) は、従来技術のプレーン層の平面図である。

第 1 0図は、実験例及び第 1比較例に係る多層ビルドアップ配線板の層間樹脂絶縁層の絶禄試験のグラフである。

第 1 1図（A)、第 1 1図（B)、第 1 1図（C)、第 1 1図（D) は、本発明の第 2実施形態に係る多層ビルドアツプ配線板の製造工程図である。

第 1 2図（E)、第 1 2図（F)、第 1 2図（G)、第 1 2図（H) は、本発明の第 2実施形態に係る多層ビルドアツプ配線板の製造工程図である。

第 1 3図（1 )、第 1 3図（J )、第 1 3図（K)、第 1 3図（L) は、本発明の第 2実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の製造工程図である。

第 1 4図（Μ)、第 1 4図（Ν)、第 1 4図（〇）、第 1 4図（Ρ) は、本発明の第 2実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の製造工程図である。

第 1 5図（Q)、第 1 5図（R)、第 1 5図（S ) は、本発明の第 2実施形態に係る多層ビルドアッフ ¾己線板の製造工程図である。

第 1 6図は、本発明の第 2実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の断面図である。

第 1 7図は、本発明の第 2実施形態に係る多層ビルドアッフ。 E線板の断面図である。

第 1 8図（A) は、第 1 7図の D— D断面図であり、第 1 8図（B) は、第 1 8図（A) のメッシュ孔の拡大図であり、第 1 8図（C) は、改変例に係るメッシュ孔の拡大図である。

第 1 9図は、第 2実施形態の第 1改変例に係る多層ビルドアップ配線板の断面図である。

第 2 0図（A) は、第 1 9図の F— F断面図であり、第 2 0図（B) は、第 2 0図（A) に示すメッシュ孔の拡大図であり、第 2 0図（C) は、改変例に係るメッシュ孔の拡大図である。

第 2 1図（A) は、第 2実施形態の第 2改変例に係る多層ビルドアッフ。 IH線板のプレーン層の平面図であり、第 2 1図（B) は、第 2 1図（A) に示すメッシュ孔の改変例の拡大図である。

第 2 2図（A) は、第 2実施形態の第 3改変例に係る多層ビルドアッフ線板のプレーン層の平面図であり、第 2 2図（B) は、該多層プリント配線板の断面図であり、第 2 2図（C) は、改変例に係る多層プリント配線板の断面図である。

第 2 3図は、従来技術に係る多層ビルドアップ配線板のプレーン層の平面図である。

第 2 4図（A；)、第 2 4図（B)、第 2 4図（C)、第 2 4図（D)、第 2 4図 (E) は、本発明の第 3実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の製造工程図である。

第 2 5図（F)、第 2 5図（G)、第 2 5図（H)、第 2 5図（1 )、第 2 5図 ( J ) は、本発明の第 3実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の製造工程図である。 ' 第 2 6図（K)、第 2 6図（L)、第 2 6図（M)、第 2 6図（N；)、第 2 6図 (〇）は、本発明の第 3実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の製造工程図である。

第 2 7図（P)、第 2 7図（Q)、第 2 7図（R)、第 2 7図（S ) は、本発明の第 3実施形態に係る多層ビルドアツフ¾己線板の製造工程図である。

第 2 8図（T)、第 2 8図（U)、第 2 8図（V) は、本発明の第 3実施形態に係る多層ビルドァップ配線板の製造工程図である。

第 2 9図（W)、第 2 9図（X)、第 2 9図（Y) は、本発明の第 3実施形態に係る多層ビルドアツプ配線板の製造工程図である。

第 3 0図（Z A)、第 3 0図（Z B)、第 3 0図（Z C) は、本発明の第 3実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の製造工程図である。

第 3 1図は、本発明の第 3実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の断面図である。

第 3 2図は、本発明の第 3実施形態に係る多層ビルドアップ配線板に I Cチップを載置させた状態を示す断面図である。第 3 3図（A) は、第 3 1図の A— A横断面図であり、第 3 3図（B) は、第 3実施形態の多層ビルドァッフ¾己線板のバイァホールの説明図であり、第 3 3図（C) は、第 3 1図の C— C横断面図であり、第 3 3図（D) は、第 3実施形態の多層ビルドァッフ。 E線板のスルーホールの説明図である。

第 3 4図（A)、第 3 4図（B) は、第 3実施形態の第 1改変例に係る多層ビルドァッフ線板の断面図である。

第 3 5図（A) は、第 3実施形態の第 1改変例に係る多層ビルドアッフ 1Ξ線板の断面図であり、第 3 5図（B) は、第 1改変例のスルーホール及びランドの平面図である。

第 3 6図は、本発明の第 4実施形態に係る配線基板の一例を模式的に示す断面図である。

第 3 7図（A)、第 3 7図（B)、第 3 7図（C)、第 3 7図（D)、第 3 7図 (E) は、第 4実施形態に係る配線基板の製造工程の一例を示す断面図である。第 3 8図（A)、第 3 8図（B)、第 3 8図（C)、第 3 8図（D) は、第 4実施形態に係る多層ビルドアッフ ¾己線板の製造工程の一部を示す断面図である。第 3 9図（A)、第 3 9図（B)、第 3 9図（C)、第 3 9図（D) は、第 4実施形態に係る多層ビルドァッフ。 E線板の製造工程の一部を示す断面図である。第 4 0図（A)、第 4 0図（B)、第 4 0図（C)、第 4 0図（D) は、第 4実施形態の多層ビルドアツフ。 E線板の製造工程の一部を示す断面図である。

第 4 1図（A)、第 4 1図（B)、第 4 1図（C)、第 4 1図（D) は、第 4実施形態に係る多層ビルドアツフ¾線板の製造工程の一部を示す断面図である。第 4 2図（A)、第 4 2図（B)、第 4 2図（C) は、第 4実施形態に係る多層ビルドアッフ °@己線板の製造工程の一部を示す断面図である。

第 4 3図（A)、第 4 3図（B) は、第 4実施形態で得られた多層ビルドアップ配線板の断面図である。発明を実施するための最良の形態

〔第 1実施形態〕

以下、本発明の第 1実施形態に係る多層ビルドァッフ己線板及びその製造方法について図を参照して説明する。

先ず、本発明の第 1実施形態に係る多層ビルドァップ配線板 1 0の構成について、第 6図を参照して説明する。該多層ビルドアッフ ΪΞ線板 1 0では、コア基板 3 0の表面及び裏面にグランド層を形成するプレーン層 3 5が形成されている。また、表面側プレーン層 3 5及び裏面側プレーン層 3 5の上には、ビルドアップ配線層 8 0 Α、 8 0 Βが形成されている。該ビルトアップ層 8 O Aは、バイァホール 6 0、導体回路 5 8及び電源層をなすプレーン層 5 9の形成された層間樹脂絶縁層 5 0と、ノ 'ィァホール 1 6 0及び導体回路 1 5 8の形成された層間樹脂絶禄層 1 5 0とからなる。また、ビルドアップ配線層 8 0 Bは、 ) ィァホール 6 0及び導体回路 5 8の形成された層間樹脂絶縁層 5 0と、ノ 'ィァホール 1 6 0及び導体回路 1 5 8の形成された層間樹脂絶縁層 1 5 0とからなる。

上面側には、集積回路チップ（図示せず）のランドへ接続するための半田バンプ 7 6 Uが配設されている。半田バンプ 7 6 Uはバイァホール 1 6 0及びバィァホール 6 0を介してスルーホール 3 6へ接続されている。一方、下面側には、ドー夕一ボード（図示せず）のランドに接続するための半田バンプ 7 6 D が配設されている。該半田バンプ 7 6 Dは、バイァホール 1 6 0及びバイァホール 6 0を介してスルーホール 3 6へ接続されている。

第 6図の A— A断面、即ち、層間樹脂絶縁層 5 0の表面に形成されたプレーン層 5 9の平面を第 7図（A) に示し、第 6図の B— B断面、即ち、コア基板 3 0の表面に形成されたプレーン層 3 5の平面を第 7図（B) に示す。第 7図 (A) に示すように層間樹脂絶縁層 5 0表面のプレーン層 5 9には、直径 2 0 0 mのメッシュ穴 5 9 a力ピッチ P ( 5 0 0 ^ m) 間隔で形成されている。同様に、第 7図（B) に示すようにコア基板 3 0の表面側プレーン層 3 5 にも、直径 2 0 0 i mのメッシュ穴 3 5 aが、ピッチ P ( 5 0 0 m) 間隔で形成されている。図示しないが、コア基盤 3 0の裏面側にも同じようにメッシュ穴 3 5 aが形成されている。

第 1実施形態の多層ビルドアップ配線板 1 0では、第 6図中に示すようにコァ基板 3 0の両面のプレーン層 3 5、 3 5のメッシュ穴 3 5 a、 3 5 aと、層間樹脂絶縁層 5 0のプレ一ン層 5 9のメッシュ穴 5 9 aとが完全に重なるように配置されている。このため、層間樹脂 β層 5 0の «性が低下することがなくなる。

以下、第 1実施形態に係る多層多層ビルドアップ配線板の製造方法について図を参照して説明する。

ここでは、第 1実施形態の多層多層ビルドアツプ配線板の製造方法に用いる A. 無電解めつき用接着剤、 B . 層間樹脂絶縁剤、 C. 樹脂充填剤、 D. ソルダーレジスト組成物の組成について説明する。

A. 無電解めつき用接着剤調製用の原料組成物（上層用接着剤）

〔樹脂組成物①〕

クレゾ一ルノボラック型エポキシ樹脂（日本ィ匕薬製、 ^量 1 7 00)の 25% アクリル化物を 80wt%の濃度で DMD Gに溶解させた樹脂液を 35重量部、感光性モノマー（東亜合成製、ァロニックス M315 ) 3.15重量部、消泡剤（サンノプコ製、 S— 65) 0.5重量部、 NMP 3.6重量部を攪拌混合して得た。

〔樹脂組成物②〕

ポリエーテルスルフォン（P E S ) 12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径 1.0 i mのものを 7.2重量部、平均粒径 0.5 z mのものを 3.09重量部、を混合した後、さらに NMP 30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得た。

〔硬化剤組成物③〕

イミダゾール硬化剤（四国化成製、 2E4MZ-CN) 2重量部、光開始剤（チバガイギー製、ィルガキュア 1—907 ) 2重量部、光増感剤（日本化薬製、 DETX-S) 0.2重量部、 NMP 1.5重量部を攪拌混合して得た。

B . 層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物（下層用接着剤）

〔樹脂組成物①〕

クレゾ一ルノポラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、 ^？量 1 7 00)の 25% アクリル化物を 80wt%の濃度で DMD Gに溶解させた樹脂液を 35 重量部、感光性モノマ一（東亜合成製、ァロニックス M315 ) 4重量部、消泡剤（サンノプコ製、 S— 65) 0.5重量部、 NM P 3.6重量部を攪拌混合して得た。瞧組成物②〕

ポリエーテルスルフォン（P E S ) 12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径 0.5 i mのものを 14.49重量部、を混合した後、さらに NMP30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得た。

〔硬化剤組成物③〕

C. 樹脂充填剤調製用の原料組成物

〔樹脂組成物①〕

ビスフエノール F型エポキシモノマ一（油化シェル製、分子量 310 、 YL983U) 100重量部、表面にシラン力ップリング剤がコ一ティングされた平均粒径 1.6 mの Si〇₂ 球状粒子（アドマテック製、 CRS 1101_CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み（15 ^ m) 以下とする） 170重量部、レべリング剤（サンノプコ製、ペレノール S 4 ) 1.5 重量部を攪拌混合することにより、その混合物の粘度を 23土 1 °Cで 45,000〜 49,000cps に調整して得た。

〔硬化剤組成物②〕

ィミダゾ一ル硬化剤（四国化成製、 2E4MZ-CN) 6.5重量部。

D. ソルダーレジスト組成物

D M D Gに溶解させた 60重量％のクレゾールノポラック型エポキシ樹脂 (日本化薬製）のエポキシ基 50%をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量 4000) を 46.67 g、メチルェチルケトンに溶解させた 80重量％のビスフエノール A型エポキシ樹脂（油化シェル製、ェピコ一ト 1001) 15.0 g、ィミダゾール硬化剤（四国化成製、 2E4MZ-CN) 1.6 g、感光性モノマ一である多価アクリルモノマ一（日本化薬製、 R604 ) 3 g、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学製、 DPE6A ) 1.5 g、分散系消泡剤（サンノプコ社製、 S -65) 0.71 gを混合し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフエノン（関東化学製）を 2 g、光増感剤としてのミヒラ一ケトン（関東化学製）を 0.2g加えて、粘度を 25 で 2.0Pa · sに調整したソルダーレジスト組成物を得た。

なお、粘度測定は、 B型粘度計（東京計器、 DVL-B型）で 60rpmの場合はローター No.4、 6rpmの場合はロー夕一 No.3によった。

引き続き、第 1実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の製造工程について第 1図乃至第 6図を参照して説明する。この第 1実施形態では、多層ビルドアップ配線板をセミアディティブ方により形成する。

(1) 第 1図（A) に示すように厚さ lmm のガラスエポキシ樹脂または B T (ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板 30の両面に 18 mの銅箔 32がラミネートされている銅張積層板 3 OAを出発材料とした。まず、この銅張積層板 3 OAをドリル削孔し、無電解めつき処理を施し、パターン状にエッチングすることによりスルーホール 36及びプレーン層 35を形成し、第 1図（B) に示すコア基板 30を形成する。第 7図（B) を参照して上述したように、プレーン層 35にはメッシュ穴 35 aが形成されている。

(2) プレーン層 35およびスルーホ一ル 36を形成した基板 30を水洗いし、乾燥した後、酸化浴（黒化浴）として、 NaOH (lOg/1), NaCIO ₂ (40 g/1), Na₃ P0₄ (6 g/ 1), 還元浴として、 NaOH (10g/ 1), NaBH ₄ (6g/l) を用いた酸ィヒ—還元処理により、プレーン層 35およびスルーホール 36の表面に粗化層 38を設けた（第 1図（C) 参照)。

(3) Cの樹脂充填剤調製用の原料組成物を混合混練して樹脂充填剤を得た。

(4)前記 (3)で得た樹脂充填剤 40を、調製後 24時間以内に基板 30の両面にロールコ一夕を用いて塗布することにより、導体回路（プレーン層） 35のメッシュ穴 35 a、及び、スルーホール 36内に充填し、 70°C， 20分間で乾燥させ、他方の面についても同様にして樹脂充填剤 40をメッシュ穴 35 aあるいはスルーホール 36内に充填し、 70°C， 20分間で加熱乾燥させた（第 1 図（D) 参照)。

(5)前記 (4) の処理を終えた基板 30の片面を、 #600 のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、プレーン層 35の表面ゃスル一ホール 36のランド 36 a表面に樹脂充填剤 40が残らないように研磨し、次いで、前記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのパフ研磨を行つた。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った（第 2図（E) 参照)。

次いで、 100 °Cで 1時間、 120 °Cで 3時間、 150°Cで 1時間、 180°Cで 7 時間の加熱処理を行つて樹脂充填剤 40を硬化した。

このようにして、スルーホール 36等に充填された樹脂充填剤 40の表層部およびプレーン層 35上面の粗化層 38を除去して基板 30両面を平滑化した上で、樹脂充填剤 40とプレーン層 35の側面とが粗化層 38を介して強固に密着し、またスルーホール 36の内壁面と樹脂充填剤 40とが粗化層 38を介して強固に密着した配線基板を得た。即ち、この工程により、樹脂充填剤 40 の表面とプレーン層 35の表面が同一平面となる。

(6) プレーン層 35を形成した基板 30にアルカリ脱脂してソフトエツチングして、次いで、塩化パラジゥゥムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、 P d触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅 3. 2X 10— ²mo lZl、硫酸ニッケル 3. 9 X 10— ³mo 1 Z 1、錯ィ匕剤 5. 4X 10— ²mo lZl、次亜りん酸ナトリウム 3. 3 X 10— 'mo 1 Z 1、ホウ酸 5. 0 X 10^_1mo 1Z1、界面活性剤（日信化学工業製、サーフィ一ル 465) 0. l g/K PH= 9からなる無電解めつき液に浸積し、浸漬 1分後に、 4秒当たり 1回に割合で縦、および、横振動させて、プレーン層 35およびスルーホール 36のランド 36 aの表面に Cu— N i— Pからなる針状合金の被覆層と粗化層 42 を設けた（第 2図（F) 参照)。

さらに、ホウフっ化スズ 0. Imo lZしチォ尿素 1. Omo lZl、温度 35° (：、 PH= 1. 2の条件で Cu— Sn置換反応させ、粗化層の表面に厚さ 0. 3 mSn層（図示せず）を設けた。

(7) Bの層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度 1.5 Pa · s に調整して層間樹脂絶縁剤（下層用）を得た。

次いで、 Aの無電解めつき用接着剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度 7 Pa · sに調整して無電解めつき用接着剤溶液（上層用）を得た。

(8)前記 (6) の基板の両面に、前記 (7) で得られた粘度 1.5Pa ■ sの層間樹脂 P TJ 縁剤（下層用） 44を調製後 24時間以内にロールコ一夕で塗布し、水平状態で 20分間放置してから、 60t:で 30分の乾燥（プリべーク）を行い、次いで、前記 (7)で得られた粘度 7 Pa · sの感光性の接着剤溶液（上層用） 46を調製後 24時間以内に塗布し、水平状態で 20分間放置してから、 60でで 30分の乾燥（プリべ一ク）を行い、厚さ 35 mの接着剤層 50ひを形成した（第 2図 (G) 参照)。

(9)前記 (8)で接着剤層を形成した基板 30の両面に、図示しない 85(ΐπιφ の黒円が印刷されたフォトマスクフィルム（図示せず）を密着させ、超高圧水銀灯により 500mJZcm²で露光した。これを DMTG溶液でスプレー現像し、さらに、当該基板 30を超高圧水銀灯により 3000mJZcm² で露光し、 100 V で 1時間、 120でで 1時間、その後 150°Cで 3時間の加熱処理（ボス卜べ一ク）をすることにより、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた 85 Πΐφの開口（バイァホール形成用開口） 48を有する厚さ 35 mの層間樹脂絶縁層（2層構造） 5 0を形成した（第 2図（Η) 参照)。なお、バイァホ —ルとなる開口 48には、スズめっき層（図示せず）を部分的に露出させた。

(10)開口 48が形成された基板 30を、クロム酸に 19分間浸漬し、層間樹脂糸縁層 50の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、当該層間樹脂絶縁層 50の表面を粗化し（第 3図（I) 参照)、その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。

(11)前記 (10)の行程で表面を粗ィ匕した基盤 30の表面に、パラジウム触媒（ァトテック製）を付与することにより、層間棚旨絶禄層 50の表面に触媒核を付ける。その後、以下に示す組成の無電解銅めつき水溶液中に基板 30を浸漬して、全体に厚さ 0. 6 mの無電解めつき膜 52を形成する（第 3図（J) 参照)。

〔無電解めつき水溶液〕

EDTA 150

硫酸銅 20 g/ 1

HCHO 30 ml/ 1

NaOH 40 g/ 1 ひ、 ' —ビビリジリレ 80 mg/ 1

P E G 0.1 g/ 1

〔無電解めつき条件〕

70°Cの液温度で 30分

(12)前記 (11)で形成した無電解銅めつき膜 5 2上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、 lOO mJZcm² で露光、 0.8 %炭酸ナトリゥムで現像処理し、厚さ 15 11のめっきレジスト5 4を設けた（第 3図（K) 参照)。

(13)ついで、レジスト非形成部分に以下の条件で電解銅めつきを施し、厚さ 15 /x mの電解銅めつき膜 5 6を形成した（第 3図（L) 参照)。

〔電解めつき水溶液〕

硫酸 180 g / 1

硫酸銅 80 g/ 1

添加剤（アトテックジャパン製、カバラシド G L )

1 ml/ 1

〔電解めつき条件〕

流密 ί 1 A/dm²

時間 30分

(14)めっきレジス卜 5 4を 5 % KOHで剥離除去した後、そのめつきレジスト下の無電解めつき膜 5 2を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めつき膜 5 2と電解銅めつき膜 5 6からなる厚さ 18 _mの導体回路 5 8、プレーン層 5 9及びバイァホ一ル 6 0を形成した（第 4図

(M) )。ここで、第 7図（A) を参照して上述したようにプレーン層 5 9には、メッシュ穴 5 9 aが形成されており、該メッシュ穴 5 9 aは、コア基板 3 0の両面に形成されたプレーン層 3 5のメッシュ穴 3 5 aと重なるように形成してある。

(15) (6) と同様の処理を行い、導体回路 5 8、プレーン層 5 9及びバイァホ一ル 6 0の表面に Cu-Ni-Pからなる粗化面 6 2を形成し、さらにその表面に Sn 置換を行った（第 4図（N) 参照)。

(16) (7)〜ひ 5)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層 1 50及びバイァホール 160、導体回路 158を形成することで、多層ビルドアップ配線板を完成する（第 4図（O) 参照)。なお、この上層の導体回路を形成する工程においては、 Sn置換は行わなかった。

(17)そして、上述した多層ビルドアップ配線板にはんだバンプを形成する。前記 (16)で得られた基板 30両面に、上記 D. にて説明したソルダ一レジスト組成物を 45 mの厚さで塗布する。次いで、 70°Cで 20分間、 70°Cで 30分間の乾燥処理を行った後、円パターン（マスクパターン）が描画された厚さ 5 mmのフォトマスクフィルム（図示せず）を密着させて載置し、 lOOOmJZcm ² の紫外線で露光し、 DMTG現像処理する。そしてさらに、 80°Cで 1時間、 100°Cで 1時間、 120°Cで 1時間、 150°Cで 3時間の条件で加熱処理し、はんだパッド部分（バイァホールとそのランド部分を含む）に開口（開口径 200 m) 71を有するソルダ一レジスト層（厚み 20^m) 70を形成する（第 5図（P) 参照)。

(18)次に、塩化ニッケル 2.31X10一¹ mo 1 / 1、次亜リン酸ナトリウム 2.8 XlO^mo 1 / クェン酸ナトリウム 1.85X10— 'mo 1 / からなる p H=4. 5の無電解二ッゲルめつき液に該基板 30を 20分間浸漬して、開口部 71に厚さ 5 mのニッケルめっき層 72を形成した。さらに、その基板を、シアン化金カリウム 4.1 X 10一² mo 1/1、塩化アンモニゥム 1.87X10一 'mo 1Z1、クェン酸ナトリウム 1.16X10— 'mo 1Z1、次亜リン酸ナトリゥム 1.7 XlO^mo 1 Z 1からなる無電解金めつき液に 80°Cの条件で 7分 2 0秒間浸漬して、ニッケルめっき層上に厚さ 0.03 mの金めつき層 74を形成することで、バイァホール 160及び導体回路（図示せず）に半田パッド 7 5を形成する（第 5図（Q) 参照)。

(19)そして、ソルダ一レジスト層 70の開口部 71に、半田ペーストを印刷して 200°Cでリフ口一することにより、半田バンプ（半田体） 76U、 76 Dを形成し、多層ビルドアッフ ¾己線板 10を形成した（第 6図参照)。

(実験例）引き続き、本発明の実験例及び第 1比較例について、第 8図及び第 9図を参照して説明する。

第 8図（A) は、本発明の実験例に係る多層ビルドアッフ線板の断面を示している。この実験例の多層ビルドアップ配線板は、上述した第 1実施形態の多層ビルドアップ配線板 1 0と同様に形成されている。但し、第 1実施形態では、コア基板にスルーホールを形成したが、この実験例では、スルーホールを形成していない。また、この実験例では、コア基板 1 3 0の上面及ぴ下面にプレーン層 1 3 5を形成すると共に、上面側及び下面側の層間樹脂絶縁層 1 7 0 及び最外層の層間樹脂絶縁層 1 8 0にそれぞれプレーン層 1 7 9、 1 8 9を形成してある。第 8図（B) は、層間脂絶縁層 1 7 0に形成されたプレーン層 1 7 9のメッシュ穴 1 7 9 aと最外層の層間樹脂絶縁層 1 8 0に形成されたプレーン層 1 8 9のメッシュ穴 1 8 9 aとの対応関係を示している。この実験例では、第 6図を参照して上述した第 1実施形態と同様に、コア基板 1 3 0のプレーン層 1 3 5のメッシュ穴 1 3 5 aと、プレーン層 1 7 9のメッシュ穴 1 7 9 aと、プレーン層 1 8 9のメッシュ穴 1 8 9 aとを重なるように形成してある。ここで、メッシュ穴は直径 2 5 0 で、ピッチ 5 5 0 に配置されている。

一方、第 9図（A) は、第 1比較例に係る多層ビルドアッフ線板の断面を示し、第 9図（B) は、該第 1比較例の多層ビルドアップ配線板のプレーン層 1 7 9のメッシュ穴 1 7 9 aとプレーン層 1 8 9のメッシュ穴 1 8 9 aとの対応関係を示している。この第 1比較例の多層ビルドアップ配線板は、上記実験例と全く同様に製造してあるが、第 8図（A) に示す実験例と異なり、コア基板 1 3 0のプレーン層 1 3 5のメッシュ穴 1 3 5 aと、プレーン層 1 7 9のメッシュ穴 1 7 9 aと、プレーン層 1 8 9のメッシュ穴 1 8 9 aとを互い違いに重ならないように配置してある。

ここで、実験例と第 1比較例との層間樹脂絶縁層の絶縁試験を行った結果について、第 1 0図のグラフを参照して説明する。

ここでは、絶縁試験として S T E C試験を行った。この S T E C試験では、 1 0個の多層ビルドアッフ ¾己線板に対して、条件 1 2 Γ 1 0 0 % RH、 2. 1 a t mの状態を 3 3 6時間保ち、層間樹脂絶縁層間の絶縁抵抗を測定した。グラフ中で縦軸の数字は、乗数を示し、横軸にメッシュ穴間のピッチ m) とメッシュ穴直径（/x m) とを取ってある。

実験例でメッシュ穴の径が 2 5 0 mで、ピッチを 5 5 0 mに設定した際に（図中（a ) で示す） 1 X 1 0 ⁹ Ω近い絶縁抵抗を維持することができている。同じ条件で、第 1比較例では、図中（c ) で示すように 1 X 1 0 ⁸ Ω程度まで絶縁抵抗が低下している。一方、実験例でメッシュ穴の径が 2 5 0 _mで、ピッチを 5 0 0 mに設定した際に（図中（b ) で示す） 1 X 1 0 ⁹ Ω以上の絶縁抵抗を維持することができている。同じ条件で、第 1比較例では、図中（d ) で示すように 1 X 1 0 ⁸ Ω程度まで椽抵抗が低下している。この試験結果から分かるように、メッシュ穴の位置と層間樹脂絶縁層の絶縁抵抗とは相関性を有し、実験例のようにメッシュ穴を上下重なるように配設することで、層間樹脂絶縁層の紙縁抵抗を高めることができる。

なお、上下のメッシュ穴は、一部が重なれば層間樹脂；^縁層の糸色縁抵抗を高めることができる。第 8図（C) は、最外層の層間樹脂絶縁層 1 8 0に形成されたプレーン層 1 8 9のメッシュ穴 1 8 9 aと、層間樹脂絶縁層 1 7 0に形成されたプレーン層 1 7 9のメッシュ穴 1 7 9 aとの位置関係を示している。第 1実施形態を参照して上述した製造方法では、上下のメッシュ穴 1 8 9 a、 1 7 9 aで 3 5 m程度の位置誤差が発生する。 3 5 m程度の位置誤差が生じても、メッシュ穴の直径を 7 0 m以上にすることで、少なくともメッシュ穴の一部が重なるため、層間樹脂絶縁層の絶縁抵抗を高めることができる。以上記述したように第 1実施形態の多層ビルドアツプ配線板では、上下プレーン層のメッシュ穴を少なくとも一部が重なるように形成してあるため、層間樹脂絶縁層の絶縁性が低下することがなくなる。

〔第 2実施形態〕

以下、本発明の第 2実施形態に係る多層ビルドァップ配線板及びその製造方法について図を参照して説明する。

先ず、本発明の第 2実施形態に係る多層ビルドアップ配線板 1 0の構成について、第 1 6図、第 1 7図及び第 1 8図を参照して説明する。

第 1 6図は、 I Cチップ搭載前の多層プリント配線板 1 0の断面図を示し、第 1 7図は、第 1 6図に示す多層プリント配線板 1 0に I Cチップ 9 0を載置し、ド一タボ一ド 9 4へ取り付けた状態を示している。

第 1 6図に示すように多層ビルドアッフ IB線板 1 0では、コア基板 3 0内にスルーホール 3 6が形成され、該コア基板 3 0の表面（I Cチップ側）には電源層となるプレーン層 3 4 Uが形成され、裏面（ドー夕ボード側）にはグランド層となるプレーン層 3 4 Dが形成されている。また、該プレーン層 3 4 U、 3 4 Dの上には、バイァホール 6 0及び導体回路 5 8の形成された下層側層間樹脂絶縁層 5 0が配設されている。該下層層間樹脂絶縁層 5 0の上には、バイァホール 1 6 0及び導体回路 1 5 8 (裏面側のみ図示する）が形成された上層層間樹脂絶縁層 1 5 0が配置されている。

第 1 7図に示すように多層プリント配線板の上面側には、 I Cチップ 9 0のランド 9 2へ接続するための半田バンプ 7 6 Uが配設されている。半田バンプ 7 6 Uはバイァホ一ル 1 6 0及びバイァホール 6 0を介してスル一ホ一ル 3 6 へ接続されている。一方、下面側には、ドー夕一ボード 9 4のランド 9 6に接続するための半田バンプ 7 6 D力 S配設されている。該半田バンプ 7 6 Dは、ノィァホール 1 6 0及びバイァホール 6 0を介してスルーホール 3 6へ接続されている。

第 1 7図の D— D断面、即ち、コア基板 3 0の表面に形成されたプレーン層 3 4 Uの平面を第 1 8図に示す。第 1 8図の E— E断面が第 1 7図に相当する。第 1 8図（A) に示すようにプレーン層 3 4 Uには、第 1 7図中の I Cチップ 9 0の搭載される領域に層間^脂絶縁層を介して対向する領域（以下、「チップ搭載領域」として参照） Cの外側に、直径 2 5 0 /x mのメッシュ孔 3 5 a 、ピッチ P ( 5 6 0 u rn) 間隔で形成されている。一方、チップ搭載領域 Cの内側には、瓢箪型のメッシュ孔 3 5 bが形成されている。このメッシュ孔 3 5 bを拡大して第 1 8図（B) に示す。該メッシュ孔 3 5 b内には、 5〜5 0 /x mの間隙 Kを設けてスルーホール 3 6のランド 3 6 a及びバイァホール (バイァホールの底部） 6 0 aが配設されている。このランド 3 6 aとバイァホールの接続するパッドとは、導体回路 3 4 cを介して接続されている。

第 2実施形態の多層プリント配線板 1 0では、プレーン層 3 4 Uのチップ搭載領域 Cにメッシュ孔 3 5 bを形成すると共に、当該メッシュ孔 3 5 b内にスルーホ一ル 3 6のランド 3 6 a及びバイァホールが接続するパッド 6 0 aを設けるため、該ランド 3 6 a及びバイァホールが接続するパッド 6 0 aの外周に設けられたメッシュ孔 3 6 bの間隙 Kにてプレーン層 3 4 Uの上層に配設される層間樹脂絶縁層 5 0と下層に配設される樹脂製コア基板 3 0とを、直接接触させるので、接着性を高めることができる。また、該ランド 3 6 a及びバイァホールが接続するパッド 6 0 aの外周に設けられたメッシュ孔 3 5 bの間隙 K を通して、層間樹脂絶縁層 5 0及びコア基板 3 0に吸収された水分等からなるガスを発散できるため、層間樹脂絶縁層 5 0及びコア基板 3 0の絶縁性を高め、また、層間樹脂絶縁層の剥離を防止することが可能になる。更に、該チップ搭載領域 Cのメッシュ孔 3 5 b内にランド 3 6 a及びバイァホールが接続するパッド 6 0 aを形成するため、凹凸ができず、当該チップ搭載領域 Cを平坦にできる。即ち、該チップ搭載領域 Cにもメッシュ孔 3 5 aを配設すると、該孔内が凹みとして残り、凹凸が出来るが、第 2実施形態では、孔内にランド 3 6 a 及びバイァホールが接続するパッド 6 0 aを配設することで平坦にできる。なお、第 1 8図（C) に示すようにランド 3 6 a及びバイァホールが接続するパッドを一体ィ匕して瓢箪型、達磨型、涙滴型にしてもよい。

引き続き、本発明の第 2実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の製造工程について第 1 1図乃至第 1 6図を参照して説明する。この第 2実施形態では、多層ビルドァップ配線板をセミアディティブ方により形成する。

( 1 ) 第 1 1図（A) に示すように厚さ l mm のガラスエポキシ樹脂または B T (ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板 3 0の両面に 1 8 m の銅箔 3 2がラミネートされている銅張積層板 3 O Aを出発材料とした。まず、この銅張積層板 3 O Aをドリル削孔し、無電解めつき処理を施し、パターン状にエッチングすることによりスル一ホール 3 6及びプレーン層 3 4 U、 3 4 D を形成し、第 1 1図（B) に示すコア基板 3 0を形成する。第 1 8図を参照して上 iポしたように、プレーン層 3 4 U、 3 4 Dにはメッシュ孔 3 5 a、 3 5 b 力形成され、チップ搭載領域 C内のメッシュ孔 35 bには、上述したようにスルーホール 36のランド 36 a、導体回路 34c及びバイァホールの底部 60 aが配設されている。

(2) プレーン層 34およびスルーホール 36を形成した基板 30を水洗いし、乾燥した後、酸化浴（黒化浴）として、 NaOH (lOg/1), NaCIO 2 (40

Na3 P04 (6 g/ 1 )、還元浴として、 NaOH (lOgノ 1 )， NaBH4 (6g/l) を用いた酸化—還元処理により、プレーン層 34 U、 34 Dおよびスルーホール 36の表面に粗化層 38を設けた（第 11図（C) 参照)。

(3)第 1実施形態と同様の樹脂充填剤調製用の原料組成物を混合混練して樹脂充填剤を得た。

(4)前記 (3)で得た樹脂充填剤 40を、調製後 24時間以内に基板 30の両面に口一ルコ一夕を用いて塗布することにより、導体回路（プレーン層） 34のメッシュ孔 35 a、 35 b及び、スルーホ一ル 36内に充填し、 70°C， 20分間で乾燥させ、他方の面についても同様にして樹脂充填剤 40をメッシュ孔 3 5 aあるいはスルーホール 36内に充填し、 70°C, 20分間で加熱乾燥させた (第 11図（D) 参照)。

(5) 前記 (4) の処理を終えた基板 30を研磨した（第 12図（E) 参照）。次いで、加熱処理を行って樹脂充填剤 40を硬化した。

(6)プレーン層 34 U、 34 D、スルーホール 36のランド 36 a及びバイァホールの底 0 aの表面へ第 1実施形態と同様に Cu—N i—Pからなる針状合金の被覆層と粗化層 42を設けた（第 12図（F) 参照)。

さらに、ホウフっ化スズ 0. lmo 1/1、チォ尿素 1. Omo lZl 温度 35°C、 PH=1. 2の条件で Cu— Sn置換反応させ、粗化層の表面に厚さ 0. 3 mSn層（図示せず）を設けた。

(7)第 1実施形態と同様の層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度 1.5 Pa · sに調整して層間樹脂絶縁剤（下層用）を得た。

次いで、第 1実施形態と同様の無電解めつき用接着剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度 7 Pa · sに調整して無電解めつき用接着剤溶液（上層用）を得た。

(8) 前記 (6) の基板の両面に、前記 (7) で得られた層間樹脂絶縁剤（下層用） 44を塗布し、次いで、前記 (7) で得られた感光性の接着剤溶液（上層用） 4 6をし、厚さ 35 mの接着剤層 50 αを形成した（第 12図（G) 参照)。 (9) 前記 (8) で接着剤層を形成した基板 30の両面に、の黒円 5 1 aが印刷されたフォトマスクフィルム 51 (第 13図（H)) を密着させ、露光'現像し、 85^πιφの開口（バイァホール形成用開口） 48を有する厚さ 35 Aimの層間樹脂絶縁層（2層構造） 50を形成した（第 13図（I) 参照)。なお、バイァホールとなる開口 48には、スズめっき層（図示せず）を部分的に露出させた。

(10)開口 48が形成された基板 30を、クロム酸に 19分間浸漬し、層間樹脂絶縁層 50の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、当該層間樹脂絶縁層 50の表面を粗化し（第 13図（J) 参照)、その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。

(11)前記 (10)の行程で表面を粗化した基盤 30の表面に、パラジウム触媒（ァトテック製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層 50の表面に触媒核を付ける。その後、第 1実施形態と同様の無電解銅めつき水溶液中に基板 30を浸漬して、全体に厚さ 0. 6 の無電解めつき膜 52を形成する（第 1 3図 (K) 参照)。

ひ 2)前記 (11)で形成した無電解銅めつき膜 52上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、 lOO mJ/cm で露光、 0.8 %炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ 15 111のめっきレジスト54を設けた（第 13図

(L) 参照)。

(13)ついで、レジスト非形成部分に第 1実施形態と同様の条件で電解銅めつきを施し、厚さ 15wmの電解銅めつき膜 56を形成した（第 14図（M) 参照 )。

(14)めっきレジスト 54を 5%K〇Hで剥離除去した後、そのめつきレジスト下の無電解めつき膜 52を硫酸と過酸ィ匕水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めつき膜 52と電解銅めつき膜 56からなる厚さ 18 mの導体回路 5 8及びバイァホール 6 0を形成した（第 1 4図（N))。

(15)(6) と同様の処理を行い、導体回路 5 8及びバイァホール 6 0の表面に Cu-Ni-Pからなる粗化面 6 2を形成し、さらにその表面に Sn置換を行った (第 1 4図（O) 参照)。

(16)(7)〜ひ 5)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層 1 5 0及びバイァホール 1 6 0、導体回路 1 5 8を形成することで、多層ビルドアップ配線板を完成する（第 1 4図（P) 参照)。なお、この上層の導体回路を形成する工程においては、 S n置換は行わなかった。

(17)そして、上述した多層ビルドアップ配線板にはんだバンプを形成する。前記 (16)で得られた基板 3 0両面に、第 1実施形態と同様なソルダーレジスト組成物 7 0 αを 4 5 mの厚さで塗布する（第 1 5図（Q))。次いで、露光' 現像処理し、はんだパッド部分（バイァホールとそのランド部分を含む）に開口（開口径 200 m) 7 1を有するソルダ一レジスト層（厚み 20 m) 7 0 を形成する（第 1 5図（R) 参照)。

(18)次に、ニッケルめっき層 7 2を形成した。さらに、ニッケルめっき層上に厚さ 0.03 mの金めつき層 7 4を形成することで、バイァホール 1 6 0及び導体回路 1 5 8 (裏面側のみ図示する）に半田パッド 7 5を形成する（第 1 5図（S ) 参照)。

(19)そして、ソルダ一レジスト層 7 0の開口部 7 1に、半田ペーストを印刷して 200°Cでリフローすることにより、半田バンプ（半田体） 7 6 U、 7 6

Dを形成し、多層ビルドアッフ ΪΞ線板 1 0を完成した（第 1 6図参照)。

完成した多層プリント配線板 1 0の半田バンプ 7 6 Uに、 I Cチップ 9 0のパッド 9 2が対応するように載置し、リフローを行い I Cチップ 9 0を搭載する。その後、 I Cチップ 9 0と多層プリント配線板 1 0との間に、アンダーフィル 8 8を充填する。この I Cチップ 9 0を搭載した多層プリント配線板 1 0 を、ドー夕ポ一ド 9 4側のバンプ 9 6に対応するように載置してリフローを行レ、ドー夕ボード 9 4へ取り付ける。その後、多層プリント配線板 1 0とドー夕ボード 9 4との間にアンダーフィル 8 8を充填する。

引き続き、本発明の第 1改変例について、第 1 9図及び第 2 0図を参照して説明する。第 1 9図は、第 1改変例の多層プリント配線板 1 1 0の断面図を示している。上述した第 2実施形態では、コア基板 3 0の両面にプレーン層 3 4 U、 3 4 Dが配設されたが、第 1改変例の多層プリント配線板 1 1 0では、層間樹脂絶縁層 5 0の上にプレーン層 5 8 U、 5 8 Dが形成されている。

即ち、第 1改変例の多層ビルドアッフ。 1己線板 1 1 0では、コア基板 3 0の表面及び裏面に導体回路 3 4力形成され、導体回路 3 4の上には、下層側層間樹脂絶縁層 5 0力 S形成されている。下層側層間樹脂絶縁層 5 0の上には、プレーン層 5 8 U、 5 8 Dが形成されている。ここで、表面側（I Cチップ側）のプレーン層 5 8は、電源層として用いられ、裏面側（ド一夕ボード側）のプレーン層 5 8は、グランド層として用いられる。該プレーン層 5 8 U、 5 8 Dの上側には、上層層間樹脂絶縁層 1 5 0が形成され、バイァホール 1 6 0及び導体回路 1 5 8が配設されている。

第 1 9図の F— F断面、即ち、層間樹脂絶縁層 5 0の表面に形成されたプレーン層 5 8 Uの平面を第 2 0図（A) に示す。第 2 0図（A) の G— G断面が第 1 9図に相当する。第 2 0図に示すようにプレーン層 5 8 Uには、チップ搭載領域 Cの外側には、直径 2 0 0 mのメッシュ孔 5 9 aが形成されている。一方、チップ搭載領域 Cの内側には、瓢箪型のメッシュ孔 5 9 bが形成されている。第 2 0図（B) に該メッシュ孔 3 5 9 bを拡大して示す。該メッシュ孔 5 9 b内には、数十の間隙 Kを設けて層間樹脂絶縁層 5 0に形成されたバイァホール 6 0及び層間樹脂絶縁層 1 5 0に形成されたバイァホールが接続するパッド（バイァホールの底部） 1 6 0 aが配設されている。即ち、バイァホールのランド 6 0及びバイァホールの接続するパッド 1 6 0 aがー体に形成されている。

第 1改変例の多層プリント配線板 1 1 0では、プレーン層 5 8 Uのチップ搭載領域 Cにメッシュ孔 5 9 bを形成すると共に、当該メッシュ孔 5 9 b内にバィァホールのランド 6 0、バイァホールを接続するパッド 1 6 0 aを設けるため、該バイァホールのランド 6 0、バイァホールを接続するパッド 1 6 0 aの外周に設けられたメッシュ孔 5 9 bの間隙 Kにてプレーン層 5 8 Uの上層に配設される層間樹脂絶縁層 1 5 0と下層に配設される層間樹脂絶縁層 5 0とを、直接接触させるので、接着性を高めることができる。また、該バイァホールのランド 6 0、バイァホールの接続するパッド 1 6 0 aの外周に設けられたメッシュ孔 5 9 bの間隙 Kを通して、層間樹脂絶縁層 1 5 0、 5 0に吸収された水分等からなるガスを発散できるため、層間樹脂絶縁層 5 0、 1 5 0の絶縁性を高め、また層間樹脂絶縁層の剥離を防止することが可能になる。更に、該チップ搭載領域 Cのメッシュ孔 5 9 b内にバイァホールのランド 6 0、バイァホールの接続するパッド 1 6 0 aを形成するため、凹凸ができず、当該チップ搭載領域 Cを平坦にできる。なお、第 2 1図（C) のようにバイァホールのランド 6 0とバイァホールの接続するパッド 1 6 0 aとの連結部分のくびれを無くし、達磨型、或いは涙滴型の形状にしてもよい。

引き続き、第 2改変例に係る多層プリント配線板の構成について、第 2 1図を参照して説明する

第 2 1図は、コア基板の表面側に形成されたプレーン層 3 4 Uを示す平面図である。ここで、第 1 8図を参照して上述した第 2実施形態では、チップ搭載領域 C内にスルーホールのランド 3 6 a及びバイァホールが接続されるパッド 6 0の配設されるメッシュ孔 3 5 bが穿設された。これに対して、第 2改変例では、チップ搭載領域 C内に、該瓢箪型のメッシュ孔 3 5 bのみならず、円形のメッシュ孔 3 5 cが設けられ、該メッシュ孔 3 5 c内には、ベ夕状導体層 3 4 dが配設されている。なお、第 2 1図（B) に示すように、ベ夕状導体層 3 4 dは、周囲のプレーン層 3 4 Uと少なくとも 1力所以上で接続してもよい。第 2改変例の多層プリント配線板では、プレーン層 3 4 Uのチップ搭載領域 Cにメッシュ孔 3 5 cを形成すると共に、当該メッシュ孔 3 5 c内にベ夕状導体層 3 4 dを設けるため、該べ夕状導体層 3 4 dの外周に設けられたメッシュ孔 3 5 cの間隙にてプレーン層 3 4 Uの上層に配設される層間樹脂絶縁層 5 0 と下層に配設される樹脂製コア基板 3 0とを、直接接触させるので、接着性を高めることができる。また、該べ夕状導体層 3 4 dの外周に設けられたメッシュ孔 3 5 cの間隙を通して、層間樹脂絶縁層 5 0及びコア基板 3 0に吸収された水分等からなるガスを発散できるため、層間樹脂絶縁層 5 0及びコア基板 3 0の絶縁性を高め、また、層間樹脂絶縁層の剥離を防止することが可能になる。更に、該チップ搭載領域 Cのメッシュ孔 3 5 c内にベ夕状導体層 3 4 dを形成するため、凹凸ができず、当該チップ搭載領域 Cを平坦にできる。

引き続き、第 3改変例に係る多層プリント配線板の構成について、第 2 2図を参照して説明する

第 2 2図（A) は、コア基板の表面側に形成されたプレーン層 3 4 Uを示す平面図である。ここで、第 1 8図を参照して上述した第 2実施形態では、チップ搭載領域 C内にスルーホールのランド 3 6 a及びバイァホールが接続するパッド 6 0の配設されるメッシュ孔 3 5 bが穿設された。これに対して、第 3改変例では、チップ搭載領域 C内に、円形のメッシュ孔 3 5 dが設けられ、該メッシュ孔 3 5 d内には、スル一ホールのランド 3 6 aのみが配設されている。この第 3改変例の層間樹脂絶縁層 5 0及びコア基板 3 0の断面を第 2 2図 (B) に示す。第 3改変例では、コア基板 3 0に形成されたスルーホール 3 6 のランド 3 6 aの直上にバイァホール 6 0力形成されている。

第 3改変例の多層プリント配線板では、プレーン層 3 4 Uのチップ搭載領域 Cにメッシュ孔 3 5 dを形成すると共に、当該メッシュ孔 3 5 d内にランド 3 6 aを設けるため、該ランド 3 6 aの外周に設けられたメッシュ孔 3 5 dの間隙にてプレーン層 3 4 Uの上層に配設される層間樹脂絶縁層 5 0と下層に配設される樹脂製コア基板 3 0とを、直接接触させるので、接着性を高めることができる。また、該ランド 3 6 aの外周に設けられたメッシュ孔 3 5 dの間隙を通して、層間樹脂絶縁層 5 0及びコア基板 3 0に吸収された水分等からなるガスを発散できるため、層間樹脂絶縁層 5 0及びコア基板 3 0の縁性を高め、また、層間樹脂絶縁層の剥離を防止することが可能になる。更に、該チップ搭載領域 Cのメッシュ孔 3 4 d内にランド 3 6 aを形成するため、凹凸ができず、当該チップ搭載領域 Cを平坦にできる。なお、第 2 2図（C) に示すように、スルーホールのランド 3 6 aとバイァホール 6 0と力スルーホ一ルを覆う導体層（フタメツキ） 3 6 eを介して接続されてもよい。

〔第 3実施形態〕

以下、本発明の第 3実施形態に係る多層ビルドアツプ配線板及びその製造方法について図を参照して説明する。

先ず、本発明の第 3実施形態に係る多層ビルドアップ配線板 1 0の構成について、第 3 1図、第 3 2図及び第 3 3図を参照して説明する。第 3 1図は、集積回路チップ 9 0搭載前の多層ビルドァップ配線板（パッケ一ジ基板） 1 0の断面を示し、第 3 2図は、集積回路チップ 9 0を搭載した状態の多層ビルドアップ配線板 1 0の断面を示している。第 3 2図に示すように、多層ビルドアッフ己線板 1 0の上面側には、集積回路チップ 9 0が搭載され下面側は、ドータポ一ド 9 4へ接続されている。

第 3 1図を参照して多層ビルドアップ配線板の構成について詳細に説明する。該多層ビルドアップ配線板 1 0では、多層コア基板 3 0の表面及び裏面にビルドアッフ ¾線層 8 0 Α、 8 0 Β力形成されている。該ビルトアップ層 8 O Aは、バイァホール 6 0及び導体回路 5 8 a、 5 8 bの形成された層間樹脂絶縁層 5 0と、バイァホール 1 6 0 A、 1 6 0 B及び導体回路 1 5 8 Bの形成された層間樹脂糸禄層 1 5 0とからなる。また、ビルドアッフ 1H線層 8 0 Bは、バイァホール 6 0及び導体回路 5 8 a、 5 8 b、 5 8の形成された層間樹脂絶縁層 5 0と、バイァホール 1 6 0 A、 1 6 0 B及び導体回路 1 5 8の形成された層間樹脂絶縁層 1 5 0とからなる。

上面側には、集積回路チップ 9 0のランド 9 2 (第 3 2図参照）へ接続するための半田バンプ 7 6 UA、 7 6 UBが配設されている。一方、下面側には、ドーターポード（サブボード） 9 4のランド 9 6 (第 3 2図参照）に接続するための半田バンプ 7 6 DA、 7 6 D Bが配設されている。

第 3 3図（A) は、第 3 1図中の A— A横断面、即ち、層間樹脂椽層 5 0 の表面に配設されたバイァホール 6 0の開口部の平面図であり、また、第 3 3 図（B) は、ノィァホール 6 0を斜視図的に示した説明図である。第 3 3図（C) は、第 3 1図中の C— C横断面、 gpち、コア基板 3 0の表面に配設されたスル —ホール 3 6の開口部の平面図であり、また、第 3 3図（D) は、スルーホール 3 6を斜視図的に示した説明図である。本実施形態の多層ビルドアップ配線板では、バイァホール 6 0が 2分割され、 2つの配線路 6 1 a、 6 1 bが形成されている。一方、スルーホール 3 6が 2分割されて 2つの配線路 3 7 a、 3 7 bが形成され、それぞれの配線路 3 7 a、 3 7 bに半円形のスルーホールランド 3 9 a、 3 9 b力接続されている。該スル一ホールランド 3 9 a、 3 9 は、上述したバイァホールの配線路 6 1 a、 6 1 bへ接続されている。

ここで、第 3 1図に示すように半田バンプ 7 6 U Aはバイァホール 1 6 O A 及びバイァホール 6 0の配線路 6 1 aを介してスルーホール 3 6の配線路 3 7 aへ接続されている。そして、該配線路 3 7 aからバイァホール 6 0の配線路 6 1 a及びバイァホール 1 6 O Aを介して半田バンプ 7 6 D Aへ接続されている。同様に、半田バンプ 7 6 UBはバイァホール 1 6 0 B及びバイァホール 6 0の配線路 6 1 bを介してスルーホール 3 6の配線路 3 7 bへ接続されている。そして、該配線路 3 7 bからバイァホール 6 0の配線路 6 1 b及びバイァホール 1 6 0 Bを介して半田バンプ 7 6 D Bへ接続されている。

第 3実施形態では、スル一ホール 3 6の開口に形成されるランド 3 9 a、 3 9 bは、第 3 3図（C)、第 3 3図（D) に示すように半円形に形成され、第 3 1図に示すようにバイァホールの配線路 6 1 a、 6 1 bへ接続されている。このように接続することで、スルーホール 3 6直上の領域を内層パッドとして機能せしめデッドスペースを無くす。その結果、多層コア基板 3 0中に設けられるスルーホール 3 6の配置密度を向上させることによりスルーホール 3 6の数を増やすことができる。更に、 1つのスル一ホール 3 6毎に 2つの配線路 3 7 a、 3 7 bを設けてあるので、スルーホールの 2倍の配線路をコア基板 3 0に通すことができる。

また、該スルーホール 3 6の直上に配設されたバイァホール 6 0が、 2本の配線路 6 1 a、 6 l bからなるため、バイァホールの 2倍の配線路を層間樹脂糸禄層 5 0に通すことができる。このため、多層ビルドァッフ。 @己線板の配線の高密度化を図ることができる。更に、スルーホール 3 6の直上にバイァホール 6 0を形成してあるため、配線長が短くなり、多層ビルドアップ配線板の高速化を実現できる。

ここで、多層ビルドァッフ ¾己線板では、裏面の複数のバンプカゝらの配線が統合されながら表面側のバンプへ接続されるが、本実施態様では、 1つのスル一ホールに通し得る配線数を 2倍にすることで、表側及び裏側に形成されるビルドアップ配線層 9 0 A、 9 0 Bで、同じペースで配線の統合を行える。これにより、表側及び裏側に形成されるビルドアップ配線層 9 0 A、 9 0 Bの層数を減らすことができる。即ち、パッケージ基板では、表面（I Cチップ側）の複数のバンプからの配線が統合されながら裏面（マザ一ボード）側のバンプへ接続されるため、裏面側のバンプの数よりも表面のバンプが多く形成される。ここで、本実施形態では、表面の配線密度を高め得るため、表側及び裏側に形成されるビルドアップ配線層 9 0 A、 9 0 Bの層数を同じ（最小）にすることができる。

本発明の第 3実施形態の別形態を第 3 4図（A) 及び第 3 4図（B) をもとに説明する。

第 3 4図及び第 3 4図（B) は、片面にビルドアップ多層配線層を設けた場合である。第 3 4図（A) ではスル一ホール 3 6に導体ピン 2 3 0が挿入され、半田 2 3 2で固定されている。裏面側には、ソルダ一レジスト 2 3 4力 S配設されている。導体ピン 2 3 0は、中央で絶縁体 2 3 0 cにより 2分割されており、導体ピン 2 3 0のそれぞれの面がスルーホール 3 6の分割された配線路 3 7 a、 3 7 bに電気的に接続している。該配線路 3 7 a、 3 7 bは、バイァホール 6 0の配線路 6 1 a、 6 1 bにそれぞれ接続され、該配線路 6 1 a、 6 1 b力^ バイァホール 1 6 0 A、 1 6 0 Bを介して半田バンプ 7 6 UA、 7 6 Bに接続されている。

第 3 4図（B) は、ビルドアップ多層配線層を設けた側の反対側に接続用の半田バンプ 7 6 D B , 7 6 DAを形成した例である。各半田バンプ 7 6 D B, 7 6 DAが、スルーホール 3 6の分割された配線路 3 7 a、 3 7 bに電気的に接続している。該配線路 3 7 a、 3 7 bは、バイァホール 6 0の配線路 6 1 a、 6 1 bにそれぞれ接続され、該配線路 6 1 a、 6 1 bが、バイァホール 1 6 0 A、 1 6 0 Bを介して半田バンプ 7 6 UA、 7 6 Bに接続されている。

コア基板の片面に設けられたビルドアップ多層配線層からの信号線を、スル一ホール 3 6の分割された配線路 3 7 a、 3 7 bによってそのまま裏面に引き出すことができ、裏面での配線の自由度を向上させる事力可能である。

引き続き、第 2 4図〜第 3 1図を参照して第 3実施形態に係る多層ビルドアップ配線板 10の製造方法を説明する。

(1) 厚さ lmmのガラスエポキシ樹脂または BT (ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板 30の両面に 18 mの銅箔 32がラミネートされている銅張積層板 3 OAを出発材料とした（第 24図（A) 参照)。まず、この銅張積層板 3 OAをドリル削孔し、スルーホール用の通孔 16を形成する（第 24図 (B) 参照)。次に、次に、 Pb触媒を付与した後、無電解めつき処理を施し、通孔 16にスルーホール 36を形成する（第 24図（C) 参照)。

(2) 前記（1) で無電解銅めつき膜からなるスルーホール 36を形成した基板 30を、水洗いし、乾燥した後、酸化還元処理に供し、そのスルーホール 3 6を含む導体の全表面に粗化層 20を設ける（第 24図（D) 参照)。

(3) 次に、平均粒径 10 mの銅粒子を含む充填剤 22 (タツ夕電線製の非導電性穴埋め銅ペースト、商品名： DDペースト）を、スル一ホ一ル 36ヘスクリーン印刷によって充填し、乾燥、硬化させた（第 24図（E))。そして、導体上面の粗化層 20およびスルーホール 36からはみ出した充填剤 22を、 #600のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により除去し、さらにこのベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのパフ研磨を行い、基板 30の表面を平坦化する（第 25図（F) 参照)。

(4) 前記 (3) で平坦化した基板 30表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与し、無電解銅めつきを施すことにより、厚さ 0. 6 mの無電解銅めっき膜 23を形成する（第 25図（G) 参照)。

(5) ついで、第 1実施形態と同様の条件で電解銅めつきを施し、厚さ 15 mの電解銅めつき膜 24を形成し、スルーホール 36に充填された充填剤 22 を覆う導体層（半円形のスルーホールランドとなる） 26 aを形成する（第 2 5図（H))。

(6) 導体層 26 aとなる部分を形成した基板 30の両面に、市販の感光性ドライフイルムを張り付け、マスクを載置して、 10 OmJZcm² で露光、 0. 8%炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ 15 mのエッチングレジスト 25を形成する（第 25図（I) 参照)。ここで、該導体層 26 aを分割するために、当該導体層 126 aの中央部位にエッチングレジスト 25のスリツトを設ける。 (7) そして、エッチングレジスト 25を形成してない部分のめっき膜 23， 24を、硫酸と過酸ィ匕水素の混合液を用いるエッチングにて溶解除去し、さらに、エッチングレジスト 25を 5 %KOHで剥離除去して、充填剤 22を覆う導体層 26 aを分割してスルーホールランド 39 a、 39b (第 33図（C) 参照）を、また、導体回路 34を形成する（第 25図（J) 参照)。

(8) さらに、 2 X 10-4秒の短パルス炭酸ガスレーザを照射して、スルーホール 36内の充填剤 22の一部を除去する。スルーホール 36は、導体層 26 aで覆われているため、これがレーザのマスクとなり、覆われていない部分のみの充填剤 22が除去される。充填剤の除去によって、スルーホール導体 36 の内壁を露出させる（第 26図（K))。

(9) 次に硫酸一過酸化水素水溶液によって露出したスルーホール導体 36を溶解除去し、スルーホ一ル 36を 2分割し、配線路 37 a, 37 bを得る（第 26図（L))。

(10) ついで、スルーホール導体 36及び導体回路 34の表面を（2) で使用した酸化（黒化） —還元処理によって粗化する（第 26図（M))。

(11) さらに、スルーホール部 36に開口が形成された金属マスクを載置し、該スルーホール部 36内へ前述の非導電性の金属ペース卜 24を充填する（第 26図（N))。

(12) 第 1実施形態と同様の樹脂充填剤調製用の原料組成物を混合混練して樹脂充填剤を得る。この樹脂充填剤 40を、調製後 24時間以内に基板 30の両面にロールコ一夕を用いて塗布した後、内層銅パターン 34の表面やスルーホール 36のランド 39 a、 39 b表面に樹脂充填剤 40が残らないように研磨し、次いで、パフ研磨を行った。（第 26図（O) 参照)。

(13) 導体回路 34およびスルーホール 36のランド 39 a、 39 bの表面に第 1実施形態と同様に Cu_N i一 Pからなる針状合金の被覆層と粗化層 4

2を設ける（第 27図（P) 参照)。

さらに、 Cu— Sn置換反応させ、粗化層の表面に厚さ 0. 3 mSn層（図示せず）を設ける。

(14) 第 1実施形態と同様の層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度 1.5 Pa · sに調整して層間樹脂総剤（下層用）を得た。

(15)前記（14) の基板の両面に、前記 (7)で得られたの層間樹脂絶縁剤（下層用） 44を塗布し、次いで、前記 (7)で得られた感光性の接着剤溶液（上層用）

46を塗布し、乾燥（プリべ一ク）を行い、厚さ 35 mの接着剤層 50 αを形成した（第 27図（Q) 参照)。

(16) 前記（15) で接着剤層を形成した基板 30の両面に黒円が印刷されたフォトマスクフィルム（図示せず）を密着させ、現像 '露光し、開口（バイァホール形成用開口） 48を有する厚さ 35 mの層間樹脂絶縁層（2層構造）

50を形成した（第 27図（R) 参照)。なお、バイァホールとなる開口 48には、スズめっき層（図示せず）を部分的に露出させる。

(17) 開口 48が形成された基板 30を、クロム酸に 19分間浸潰し、層間樹脂絶縁層 50の表面に存在するエポキシ棚旨粒子を溶解除去することにより、当該層間樹脂絶縁層 50の表面を粗化し（第 27図（S) 参照)、その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いする。

(18) 次に、市販の感光性ドライフィルムを張り付け、所定のパターンの形成されたマスクを載置して、 lOOmJZcm² で露光、 0.8 %炭酸ナトリウムで現像処理し、開口 48を 2分割するめつきレジスト 51を設ける（第 28図（T))。さらに、粗面化処理（粗化深さ 6 ΠΊ) した該基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することにより、層間樹脂縁層 50の表面およびバイァホール用開口 48の内壁面に触媒核を付ける。

(19) 第 1実施形態と同様の組成の無電解銅めつき水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ 0.6 mの無電解銅めつき膜 52を形成する（第 28図

(U))。

(20) 前記（19) で形成した無電解銅めつき膜 52上に市販の感光性ドラィフィルムを張り付け、所定のパターンの形成されたマスク（図示せず）を載置し、 lOOmJZcm² で露光、 0.8 %炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ 15 im のめつきレジスト 54を設ける（第 28図（V) 参照)。

(21) ついで、レジスト非形成部分に第 1実施形態と同様の条件で電解銅めつきを施し、厚さ 15 imの電解銅めつき膜 56を形成した（第 29図（W) 参照)。

(22) めっきレジスト 51， 54を 5 %K〇Hで剥離除去した後、めっきレジスト 54下の無電解めつき膜 52を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めつき膜 52と電解銅めつき膜 56からなる厚さ 18 mの導体回路 58、 58 a、 58 b、及び、 2本の配線路 61 a、 61 bからなるバイァホール 60、分割されていないバイァホール 60' を形成する（第 29図（X))。

(23) (13) と同様の処理を行い、導体回路 58、 58 a、 58 b及びバイァホール 60、 60' の表面に Cu-Ni-Pからなる粗ィ匕面 62を形成し、さらにその表面に Sn置換を行う（第 29図（Y) 参照)。

(24) 前記（14) 〜（23) の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂糸縁層 150を設けてから導体回路 158及びバイァホール 160 A、 160Bを形成し、多層配線基板を得る（第 30図（ZA) 参照)。但し、該導体回路 158及びバイァホール 160 A、 160 Bの表面に形成した粗化面 6 2では、 Sn置換を行わない。

(25) 前記（24) で得られた基板 30両面に、上記 D. にて説明したソルダーレジスト組成物を 20 /imの厚さで塗布する。露光'現像処理し、はんだパッド部分（バイァホールとそのランド部分を含む）に開口（開口径 200 m) 71を有するソルダーレジスト層（厚み 20 m) 70を形成する（第 30図（Z B) 参照)。更に、ソルダーレジスト層 70の上層に補強層 78を形成する。

(26) 次に、ソルダ一レジスト層 70の開口部 71に厚さ 5 /mのニッケルめっき層 72を形成する。さらに、ニッケルめっき層 72上に厚さ 0.03 mの金めつき層 74を形成することで、バイァホール 160 A、 160B及び導体回路 158に半田パッド 75を形成する（第 30図（Z C) 参照)。

(27) そして、ソルダ一レジスト層 70の開口部 71に、半田ペーストを印刷して 200°Cでリフローすることにより、半田バンプ（半田体） 76UA、 7 6 U B、 7 6 D A、 7 6 D Bを形成し、多層ビルドアップ配線板 1 0を形成する（第 3 1図参照)。

弓 Iき続き、該多層ビルド 7ップ配線板 1 0への I Cチップの載置及び、ド一夕ボード 9 4への取り付けについて、第 3 2図を参照して説明する。完成した多層ビルドアップ配線板 1 0の半田バンプ 7 6 UA、 7 6 U Bに I Cチップ 9 0の半田パッド 9 2が対応するように、 I Cチップ 9 0を載置し、リフ口一を行うことで、 I Cチップ 9 0の取り付けを行う。同様に、リフ口一により多層ビルドアップ配線板 1 0の半田バンプ 7 6 DA、 7 6 D Bにド一夕ボード 9 4 を取り付ける。

引き続き、第 3実施形態の第 1改変例に係る多層ビルドアップ配線板について、第 3 5図を参照して説明する。第 3 5図（A) は、第 1改変例に係る多層ビルドアップ配線板を構成を示す断面図であり、第 3 5図（B) は、該多層ビルドアツプ配線板のスルーホール 1 3 9及びランド 2 6 0の形状を説明するための平面図である。

第 3 5図（B) に示すようにスルーホール 1 3 6のスルーホールランド 1 3 9は、円形に形成され、バイァホール接続用のパッド 1 3 7 A、 1 3 7 Bがそれぞれ付加されている。該パッド 1 3 7 A、 1 3 7 Bの上には、 2分割されたバイァホール 2 6 0の配線路 2 6 0 a、 2 6 0 bがそれぞれ配設されている。そして、該配線路 2 6 0 aは、導体回路 2 5 8を介して上層のバイァホール 3 6 0と接続するためのパッド 2 5 8 Aと接続されている。同様に、配線路 2 6 0 bは、導体回路 2 5 8を介して上層のバイァホール 3 6 0と接続するためのパッド 2 5 8 Bと接続されている。

この第 1改変例の構成では、バイァホール 2 6 0を分割することにより、該バイァホール 2 6 0の配設される層間樹脂絶縁層 3 5 0での配線密度を高めることができる。

なお、上述した第 3実施形態では、多層ビルドアップ配線板のバイァホ一ル及びスルーホールを 2分割して配線路を設ける例を示したが、 3以上に分割し更に配線密度を高めることも可能である。

以上説明したように第 3実施形態の多層ビルドアップ配線板では、 1のバイァホールが複数の配線路からなるため、ゾィァホールの数倍の配線路を層間樹脂縁層に通すことができ、多層ビルドアツフ線板の配線の高密度ィ匕を図ることができる。〔第 4実施形態〕

第 3 6図は、第 4実施形態の配線基板の一実施形態を模式的に示した断面図である。

第 4実施形態の配線基板では、 ΜΜ¾板 2 2 1上に厚膜からなる第一の金属膜 2 2 2が形成され、この第一の金属膜 2 2 2の上に第一の金属膜 2 2 2よりも薄い第二の金属膜 2 2 3が形成されており、第二の金属膜 2 2 3の側面が上記第一の金属膜 2 2 2の側面よりも外側に張り出している。なお、第 3 6図に示しているように、これら二層構造の導体層を覆うように樹脂禄層 2 2 4が形成されている場合に、第 4実施形態の効果が発揮される。

繊基板 2 2 1の材料としては特に限定されず、セラミツク等の無機材料からなる基板でも、樹脂等の有機材料からなる基板でもよい。

また、これら二層構造の導体層の下や上に他の金属膜が形成されていてもよく、樹脂! &禄層との密着性を高めるために、これらを覆うように他の金属膜からなる粗化層が形成されていてもよい。

さらに、第 3 6図に示した構造の導体層と樹脂絶縁層とが何層か繰り返して形成されていてもよい。

これら二層構造の導体層を形成する方法としては特に限定されるものではないが、例えば、以下に示すような方法が挙げられる。

( 1 ) 第一の方法

セラミック等からなる基板上や粗化処理を行った樹脂絶縁層等の上に、めつきレジストを形成した後、めっきレジスト非形成部に第一の金属膜 2 2 2および第二の金属膜 2 2 3を形成する。

続いて、めっきレジストを除いた後、エッチング液として、第一の金属膜 2 2 2は比較的容易にエッチングすることができ、第二の金属膜 2 2 3は殆どェツチングすることができないエッチング液を用いて、エッチングを行うことにより、第 3 6図に示したような形状の二層構造からなる導体層を形成することができる。

例えば、第一の金属膜 2 2 2の材料として銅を用い、第二の金属膜 2 2 3の材料としてニッケルを用い、エッチング液として硫酸と過酸化水素の混合液を用いることにより、上記構造の膜が形成される。

この方法は、下記する第 4実施形態の多層ビルドァップ配線板の製造方法において用いている方法である。

( 2 ) 第二の方法

第 3 7図に示したように、絶板 2 3 1等の上に、まず、第一のめっきレジスト 2 3 2を形成する（第 3 7図（ A) 参照)。

第一のめっきレジスト 2 3 2の形成は、通常のフォトリソグラフィ一の手法を用いて行うことができる。

次に、第一のめつきレジスト 2 3 2の非形成部に第一の金属膜 2 3 3を形成する（第 3 7図（B ) 参照)。この第一の金属膜 2 3 3は、厚膜が好ましいので、電気めつきにより形成すること力望ましく、また、その厚さは、第一のめっきレジスト 2 3 2の厚さと略同様であることが望ましい。

次に、第一のめっきレジスト 2 3 2の表面に金属が形成されやすくなるような処理（粗化処理や触媒核の吸着等）を施した後、第一のめっきレジスト 2 3 2の形成領域よりも少し小さな面積になるように、第二のめっきレジスト 2 3 4を形成する（第 3 7図（C) 参照)。

その後、第二のめっきレジスト 2 3 4により形成された凹郡を充填するように、第二の金属膜 2 3 5を形成する（第 3 7図（D) 参照)。

第二の金属膜 2 3 5は、第二のめっきレジスト 2 3 4で覆われていない第一のめつきレジスト 2 3 2上にも形成する必要があるため、無電解めつきが好ましい。

この後、めっきレジストを除去することにより、第一の金属膜 2 3 3および第二の金属膜 2 3 5からなる二層構造の導体層が形成される（第 3 7図（E) 次に、第 4実施形態の多層ビルドアップ配線板について説明する c 第 4実施形態の多層ビルドアッフ S線板は、樹脂基板上に、樹脂絶縁層と導体回路とがそれぞれ 1層以上形成された構造を有する多層ビルドアップ配線板であって、上記導体回路の少なくとも 1層が第一の金属膜上に上記第一の金属膜よりも薄い第二の金属膜が積層された二層構造の導体層を含み、上記導体層を構成する第二の金属膜の側面が上記第一の金属膜の側面よりも外側に張り出していることに特徴がある。

このような第 4実施形態の構成によれば、上記第一の金属膜上に形成された第二の金属膜の側面が上記第一の金属膜の側面よりも外側に張り出しているので、この張り出した部分の構造に起因して、温度の変ィ匕等が生じた際にも、上記導体層の角部に応力が集中せず、その結果、上記樹脂糸緣層にクラックが発生するのを防止することができる。

第 4実施形態の多層ビルドアップ配線板においては、樹脂基板として、樹脂基板上に直接導体回路力 S形成された基板を使用し、その上に樹脂糸賺層と導体回路とをそれぞれ 1層設けられていてもよく、 2層以上設けられていてもよい。また、導体回路が形成されていない樹脂基板を使用し、その上に樹脂絶縁層と導体回路とがそれぞれ 1層設けられていてもよく、 2層以上設けられていてもよい。さらに、上記樹脂縁層と上記導体回路とは、樹脂基板の片面に設けられていてもよく、両面に設けられていてもよい。

以下、第 4実施形態の多層ビルドアップ配線板を製造する方法を、多層ビルドァップ配線板を一例として説明する。

( 1 ) まず、樹脂基板の表面に下層導体回路を有する配線基板を作製する。この際に、銅箔の上にエッチングレジストを形成した後、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナトリゥム、過硫酸アンモニゥム等の水溶液からなるエッチング液を用いてエッチングを行い、下層導体回路を形成する。

また、この樹脂基板にドリルで貫通孔を設け、該貫通孔の壁面および銅箔表面に無電解めつきを施してスルーホールを形成する。無電解めつきとしては銅めっきが好ましい。

さらに、銅箔の厚付けのために電気めつきを行ってもよい。この電気めつきとしては銅めつきが好ましい。なお、電気めつきの後、スルーホール内壁および電気めつき膜表面を粗化処理してもよい。粗化処理方法としては、例えば、黒化（酸化）一還元処理、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液によるスプレー処理、 C u -N ί一 Ρ針状合金めっきによる処理等が挙げられる。

また、必要に応じて、スルーホール内に導電ペーストを充填し、この導電べ —ストを覆う導体層を無電解めつきもしくは電気めつきにて形成することもでさる。

( 3 ) 次に、形成した層間樹脂絶禄層に、下層導体回路との電気的接続を確保するためにバイァホール用開孔を設ける。

上記無電解めつき用接着剤を用いた場合は、露光、現像してから熱硬化することによりバイァホール用開孔を設ける。

なお、讀化性樹脂を用いた場合は、齊鞭化した後レーザ一加工することにより、上記層間樹脂絶縁層にバイァホール用開孔を設けることができる。

( 4) 次に、上記層間樹脂糸騰層の表面を粗化する。上記無電解めつき用接着剤を用いた場合、上記層間樹脂絶縁層の表面に存在する酸や酸化剤に可溶性の棚旨粒子を酸または酸化剤によって溶解除去し、無電解めつき用接着剤層の表面を粗化する。

( 5 ) 次に、層間樹脂禄層表面を粗化した配線基板に触媒核を付与する。触媒核の付与には、貴金属イオンや貴金属コロイド等を用いることが望ましく、一般的には、塩ィ匕パラジウムやパラジウムコロイドを使用する。なお、触媒核を固定するために加熱処理を行うことが望ましい。このような触媒核としてはパラジウムが'好ましい。

( 6 ) 次に、触媒核を付与した層間樹脂縁層の表面に無電解めつきを施し、粗化面全面に無電解めつき膜を形成する。無電解めつき膜の厚みは， 0. 5〜 5 mカ好ましレ^

次に、無電解めつき膜上にめっきレジストを形成する。

( 7 ) 次に、めっきレジスト非形成部に 5〜2 0 mの厚みの電気めつきを施し、上層導体回路およびバイァホールを形成する。

また、電気めつき後に、無電解ニッケルめっきにより、ニッケルめっき膜を形成する。上記ニッケルめっき膜上には、 C u— N i— Pからなる合金めつきが析出しやすいからである。また、ニッケルめっき膜はメタルレジストとして作用するため、この後のェッチング工程でも過剰ェッチングを防止するという効果を奏する。

ここで、上記電気めつきとしては、銅めつきを用いることが望ましい。

( 8 ) 次に、めっきレジストを除去した後、めっきレジストが除去された基板を、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニゥム等の水溶液に浸漬することによりエッチングし、そのめつきレジストの下に存在していた無電解めつき膜を除去し、独立した上層導体回路とする。

この際、特に硫酸と過酸化水素の混合液を使用することにより、無電解ニッケルめっき膜はエッチングされず、銅めつき膜は多少エッチングされるため、無電解二ッゲルめつき膜の側面が電気銅めつき膜の側面よりも外側に張り出した二層構造を有する導体層が形成される。

( 9 ) 次に、酸化膜が除去された基板をめつき液に浸漬し、上記上層導体回路の上に多孔質な C u— N i—P合金粗化層を形成する。この際、 C u— N i—

P合金粗化層は、ニッケルめっき膜上に析出しやすいため、角部が曲面に近くなり、導体層が膨張、収縮した場合にも、応力が集中しにくくなる。

( 1 0 ) 次に、この基板上に層間樹脂禄層として、例えば、無電解めつき用接着剤の層を形成する。

( 1 1 ) さらに、上記（3 ) 〜（9 ) の工程を繰り返して上層の上層導体回路を設け、例えば、片面 3層の 6層両面多層ビルドアップ配線板を得る。

以下、第 4実施形態について図を参照して説明する。

B . 多層ビルドアップ配線板の製造方法

( 1 ) 厚さ l mmのガラスエポキシ樹脂または B T (ピスマレイミドートリアジン）樹脂からなる基板 3 0の両面に 1 8 11 mの銅箔 3 2がラミネートされている銅貼積層板を出発材料とした（第 3 8図（A) 参照)。まず、この銅貼積層板をドリル削孔し、続いてめっきレジストを形成した後、この基板に無電解銅めっき処理を施してスルーホール 3 6を形成し、さらに、常法に従ってパターン状にエッチングを行うことにより、基枚の両面に内層導体回路 3 2を形成した。

次に、内層導体回路 32を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、 NaOH (10 g/ 1), NaC 10₂ (40 g/l)、 Na₃P 0₄ (6 g/ 1) の水溶液を酸化浴（黒化浴）とする酸化浴処理を行い、そのスルーホール 36を含む内層導体回路 34の全表面に粗化面 38を形成した（第 38図（B) 参照)。

(2) エポキシ樹脂を主成分とする樹脂充填剤 40を、基板の両面に印刷機を用いて塗布することにより、内層導体回路 34間またはスルーホール 36内に充填し、加熱乾燥を行った。即ち、この工程により、樹脂充填剤 40が内層導体回路 34の間あるいはスルーホール 36内に充填される（第 38図（C) 参照)。

(3) 上記（2) の処理を終えた基板を研磨し、パフ研磨を行った。そして、充填した樹脂充填剤 40を加熱硬化させた（第 38図（D) 参照)。

(4) さらに、露出した内層導体回路 34およびスルーホール 36のランド上面に厚さ 2 mの Cu— N i— Pからなる多孔質な合金の粗ィ匕層 42を第 1実施形態と同様に形成し、さらにこの粗化層 42の表面に厚さ 0. 05 mの S n層を設けた（第 39図（A) 参照)。但し、 Sn層については図示しない。

(5) 基板の両面に、第 1実施形態と同様の無電解めつき用接着剤をロールコ一夕を用いて 2回塗布し、水平状態で 20分間放置してから、 60°Cで 30分の乾燥を行った（第 39図（B) 参照)。

(6) 上記 (5) で無電解めつき用接着剤の層を形成した基板に、露光'現像し、開孔（バイァホール用開孔 48) を有する厚さ 18 mの層間樹脂絶縁層 50 (50 a、 50b) を形成した（第 39図（C) 参照)。

(7) ノイァホール用開孔 48を形成した基板を、クロム酸水溶液 (700 g /\) に 73°Cで 20分間浸潰し、層間棚旨絶縁層 50の裏面に存在するェポキシ樹脂粒子を溶解除去してその表面を粗ィ匕し、粗化面を得た。その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした（第 39図（D) 参照)。さらに、粗面化処理した該基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック社製）を付与することにより、層間絶縁材層 50の表面およびバイァホール用開孔 4 8の内壁面に触媒核を付着させた。 (8) 次に、以下の組成の無電解銅めつき水溶液中に基板を浸潰して、粗面全体に厚さ 0. 8 mの無電解銅めつき膜 52を形成した（第 40図（A) 参照)。

〔無電解めつき水溶液〕

EDTA 60 g/ 1

硫酸銅 10 g/1

HCHO 6 ml/ 1

NaOH 10 g/ 1

α、 α' —ピピリジル 80 mg/ 1

ポリエチレングリコール（PEG) 0. l g/1

〔無電解めつき条件〕

60°Cの液温度で 20分

(9) 市販の感光性ドライフィルムを無電解銅めつき膜 52に貼り付け、マスクを載置して、 10 OmJ/cm²で露光し、 0. 8 %炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、めっきレジスト 54を設けた（第 40図（B) 参照)。

(10) ついで、第 1実施形態と同様の条件で電気銅めつきを施し、厚さ 13 ； mの電気銅めつき膜 56を形成した。

(11) さらに塩化ニッケル（30 g/1), 次亜りん酸ナトリウム（10 gZ 1)、クェン酸ナトリウム（l OgZl) の水溶液（90°C) の無電解ニッケル浴に浸漬し、電気銅めつき膜上に厚さ 1. 2 mのニッケル膜 57を形成した (第 40図（C) 参照)。

(12) めっきレジスト 54を 5%K〇 Η水溶液で剥離除去した後、この基板を硫酸と過酸化水素の混合液からなるエツチング液に浸潰してめつきレジスト 54下の無電解めつき膜 52をエッチング除去し、無電解銅めつき膜 52と電気銅めつき膜 56とニッケル膜 57とからなる LZS = 28/28で厚さ 11 mの上層導体回路 58 (バイァホール 60を含む）を形成した（第 40図（D) 参照)。

(13) 次に、ニッケル膜上の酸化膜を 18重量％の塩酸を用いて除去した後、上記 (4) と同様の処理を行い、上層導体回路 58の表面に厚さ 2 mの Cu— N i― P合金粗化層 42を形成した。 ( 1 4 ) 続いて、上記（5 ) 〜（1 3 ) の工程を繰り返すことにより、さらに上層の上層導体回路 1 5 8、バイァホール 1 6 0、粗ィ匕層 4 2を形成し、最後に開孔を有するソルダ一レジスト層 7 0の形成、ニッケルめっき膜 7 2および金めつき膜 7 4の形成を行った後、はんだバンプ 7 6を形成し、はんだバンプ 1 8を有する多層ビルドアッフ線板を得た（第 4 1図（A) 〜第 4 2図（C) 参照)。

(第 2比較例）

上記第 4実施形態における（11)の工程を行わず、ニッケル膜を形成しなかつたほかは、第 4実施形態と同様にして、多層ビルドアップ配線板を製造した。上記第 4実施形態および第 2比較例で得られた多層ビルドァッフ線板について、 _ 5 5 °Cまで冷却した後、 1 2 5 °Cに加熱するヒートサイクルを 1 0 0

0回繰り返すヒートサイクル試験を行い、試験後に多層ビルドアップ配線板をワイヤーソ—で切断し、導体回路および層間樹脂絶縁層の断面を光学顕微鏡で観察した。

その結果、第 4実施形態で得られた多層ビルドアップ配線板については、クラックの発生が全く認められなかったが、第 2比較例で得られた多層ビルドアップ配線板では、導体回路 5 8等の角部を源とするクラックが層間樹脂絶縁層に生じていたものがあった。

第 4実施形態で得られた多層ビルドァッフ 1Ξ線板の断面を示す光学顕微鏡写真を第 4 3図（A) および（B) に示している。

第 4 3図に示した導体回路の断面より明らかなように、上層導体回路 5 8を構成する電気めつき膜 5 6の側面がニッケル膜 5 7の側面よりも外側に張り出しており、この上層導体回路 5 8の構造に起因して、導体回路 5 8の角部に応力が集中せず、その結果、層間樹脂絶縁層 5 0にクラックが発生するのを防止することができたものと考えられる。

以上説明したように第 4実施形態の配線基板によれば、二層構造の導体層を構成する第二の金属膜の側面が上記第一の金属膜の側面よりも外側に張り出しているので、これら導体層の上に樹脂絶縁層が形成された場合でも、この張り出した部分の構造に起因して、温度の変化等が生じた際にも、上記導体層の角部に応力が集中せず、その結果、上記樹脂絶縁層にクラックが発生するのを防止することができる

また、第 4実施形態の多層ビルドアッフ。 E線板によれば、二層構造の導体層を構成する第二の金属膜の側面が上記第一の金属膜の側面よりも外側に張り出しているので、この張り出した部分の構造に起因して、温度の変化等が生じた際にも、上記導体層の角部に応力が集中せず、その結果、上記樹脂絶縁層にクラックが発生するのを防止することができる。

Claims

請求の範囲

1 . 層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなる多層ビルドァップ配線板において、

前記導体層として複数のプレーン層を形成し、

少なくとも一部が重なるように前記複数のプレーン層にメッシュ穴を形成したことを特徴とする多層ビルドァップ配線板。

2. 層間樹脂^;縁層と導体層とが交互に積層されたビルドァップ配線層が、コァ基板の両面に形成されてなる多層ビルドアツプ配線板において、

前記コア基板の少なくとも片面に形成される導体層としてプレーン層を形成するとともに、

前記層間樹脂絶縁層間に形成される導体層の少なくとも一つにプレーン層を形成し、

少なくとも一部が重なるように前記コア基板のプレーン層及び前記層間樹脂 »層間のプレーン層にメッシュ穴を形成したことを特徴とする多層ビルドアッフ"！己線板。

3 . 前記メッシュ穴の直径を 7 5〜 3 0 0 mで、各メッシュ穴間の距離を 1 0 0〜 1 5 0 0 mにしたことを特徴とする請求項 1又は 2に記載の多層ビルドアップ配線板。

4. 層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなり、最上層にチップを搭載するチップ搭載領域を備え、導体層間がバイァホールで接続された多層ビルドアップ配線板において、

前記導体層として形成したプレーン層に、メッシュ孔を設けると共に、前記チップ搭載領域と層間樹脂絶縁層を介して対向する領域のメッシュ孔の少なくとも一部であって、その孔内にスルーホール又はバイァホールのランド及びバィァホールが接続するパッドを配設したことを特徴とする多層ビルドアップ配線板。

5 . 層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなり、最上層にチップを搭載するチップ搭載領域を備え、導体層間がバイァホールで接続された多層ビルドアップ配線板において、前記導体層として形成したプレーン層に、メッシュ孔を設けると共に、前記チップ搭載領域と層間棚旨絶縁層を介して対向する領域のメッシュ孔の少なくとも一部であって、その孔内にバイァホ一ルのランドを配設したことを特徴とする多層ビルドァップ配線板。

6 . 層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなり、最上層にチップを搭載するチップ搭載領域を備えた多層ビルドアツフ¾線板において、

前記導体層として形成したプレーン層に、メッシュ孔を設けると共に、前記チップ搭載領域と層間樹脂絶縁層を介して対向する領域のメッシュ孔の少なくとも一部であって、その孔内にべ夕状導体層を配設したことを特徴とする多層ビルドアップ配線板。

7 . スル一ホールを有する基板上に層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなり、最上層にチップを搭載するチップ搭載領域を備えた多層ビルドアツフ¾線板において、

前記導体層として形成したプレーン層に、メッシュ孔を設けると共に、該チップ搭載領域と層間樹脂絶縁層を介して対向する領域のメッシュ孔の少なくとの一部であって、その孔内にスリレーホールのランドを配設したことを特徴とする多層ビルドァップ配線板。

8 . 層間棚旨繊層と導体層とが交互に積層され、各導体層間が、バイァホ —ルにて接続された多層配線層が、コア基板上に形成されてなる多層ビルドアッフ⁰配線板において、

前記 1のバイァホールを複数の配線路により形成したことを特徴とする多層ビルドアップ配線板。

9. 層間樹脂禄層と導体層とが交互に積層され、各導体層間が、バイァホールにて接続された多層配線層が、コア基板上に形成されてなる多層ビルドアップ配線板において、

前記 1のバイァホールを 2本の配線路により形成したことを特徴とする多層ビルドアップ配線板。

1 0. 層間棚旨絶縁層と導体層と力咬互に積層され、各導体層間が、ノィァホールにて接続された多層配線層が、コア基板上に形成され、前記導体層がコァ基板に形成されたスルーホールによりそのコア基板の裏面側の導体層と電気的に接続されてなる多層ビルドァップ配線板において、

前記複数の配線路を配設したスルーホールの直上に、当該各配線路とそれぞれ接続する複数の配線路からなるバイァホールを配設したことを特徴とする多層ビルドアップ配線板。

1 1 . 層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層され、各導体層間がバイァホ —ルにて接続された多層配線層が、コア基板の両面に形成され、前記コア基板の両面の導体層同士がコア基板に形成されたスルーホールにより電気的に接続されてなる多層ビルドアップ配線板において、

1 2 . 層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層され、各導体層間がバイァホールにて接続された多層配線層が、コア基板の両面に形成され、前記コア基板の両面の導体層同士がコア基板に形成されたスルーホールにより電気的に接続されてなる多層ビルドァップ配線板において、

前記コァ基板のスルーホールには、充填剤が充填されるとともに該充填剤のスルーホールからの露出面を覆う導体層力形成され、

該スル一ホール及び該導体層が複数に分割され、

前記分割された導体層で覆われたスルーホールの直上に、該分割された導体層とそれぞれ接続された配線路からなるバイァホールを配設したことを特徴とする多層ビルドァップ配線板。

1 3 . 第一の金属膜上に前記第一の金属膜よりも薄い第二の金属膜が積層されたニ層構造の導体層を含む導体回路を有する配線基板であって、

前記導体層を構成する第二の金属膜の側面が前記第一の金属膜の側面よりも外側に張り出していることを特徴とする配線基板。

1 4 · 樹脂基板上に、樹脂糸禄層と導体回路とがそれぞれ 1層以上形成された構造を有する多層ビルドァップ配線板であつて、

前記導体回路の少なくとも 1層が第一の金属膜上に前記第一の金属膜よりも薄い第二の金属膜が積層されたニ層構造の導体層を含み、

前記導体層を構成する第二の金属膜の側面が前記第一の金属膜の側面よりも外側に張り出していることを特徴とする多層ビルドァップ配線板。