WO2000057423A1 - Speicherzellenanordnung und verfahren zu deren herstellung - Google Patents

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WO2000057423A1
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memory cells
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metallic lines
metallic
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Bernd Goebel
Siegfried Schwarzl
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Infineon Technologies Ag
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    • H10B61/10—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having two electrodes, e.g. diodes or MIM elements

Definitions

  • the invention relates to a memory cell arrangement with memory elements with a layer structure with a magnetoresistive effect.
  • GMR element is used in the specialist world for layer structures which have at least two ferromagnetic layers and a non-magnetic conductive layer arranged in between and the so-called GMR (gant magnetoresistance) effect, that is to say a comparison with the AMR - (amsotropic-magnetoresistance) effect show great magnetoresistive effect.
  • GMR effect is understood to mean the fact that the electrical resistance of the GMR element depends on whether the magnetizations in the two ferromagnetic layers are aligned parallel or antiparallel.
  • TMR element is used in the technical field for "tunneling magnetoresistance" bad structures which have at least two ferromagnetic layers and an insulating, non-magnetic layer arranged between them.
  • the insulating layer is so thin that there is a tunnel current between the two ferromagnetic layers.
  • These layer structures also show a magnetoresistive effect, which is caused by a spmpolarized tunnel current through the insulating, non-magnetic layer arranged between the two ferromagnetic layers is effected.
  • the electrical resistance of the TMR element depends on whether the magnetizations in the two ferromagnetic layers are aligned parallel or antiparallel.
  • the AMR effect manifests itself in that the resistance of magnetized conductors differs parallel and perpendicular to the direction of magnetization. It is a volume effect and therefore occurs in m ferromagnetic single layers.
  • Memory cell arrangement described in which memory cells are arranged between two layers of metallic lines arranged one above the other.
  • the memory cells each have a diode and a memory element connected to it in a row.
  • the storage element has a layer structure with a magnetoresistive effect.
  • the diode is a pn diode or a Schottky diode that contains silicon.
  • the layer structure of the memory element and the layer structure of the diode are arranged one above the other.
  • the metallic lines of the first layer run parallel to one another.
  • the metallic lines of the second layer run parallel to one another and perpendicular to the metallic lines of the first layer.
  • the memory cells are each connected between a metallic line of the first layer and a metallic line of the second layer.
  • the layer structure of the memory element consists of two ferromagnetic layers and an insulating layer arranged between them.
  • the electrical resistance of the storage element depends on whether the magnetization directions of the two ferromagnetic layers are parallel or antiparallel to one another.
  • To write one Information on a memory cell is impressed with currents in the metallic lines that are connected to the memory cell. Voltages are selected so that no current flows through the memory cell. The magnetic fields generated by the currents add up in the region of the memory cell in such a way that the magnetization of one of the two magnetic layers is aligned in the magnetic field. The direction of magnetization of the other ferromagnetic layer remains unchanged. This alignment represents the information.
  • the voltage of the metallic line, which is connected to the diode is reduced and the voltage on the metallic line, which is connected to the memory element, is increased.
  • the same voltage is present on metallic lines that are connected to the other memory elements as on the metallic line that is connected to the diode of the memory cell to be read.
  • the same voltage is present on the metallic lines which are connected to the remaining diodes as on the metallic line which is connected to the memory element of the memory cell to be read. Because of the diodes in the memory cells, only current can flow through the memory cell to be read. Depending on the information stored on the memory cell, the current has two discrete values which correspond to two magnetization states of the memory element.
  • the invention is based on the problem of specifying a memory cell arrangement with memory elements with a magnetoresistive effect, which can be produced with a higher packing density compared to the prior art. Furthermore, a method for producing such a memory cell arrangement is to be specified.
  • a memory cell arrangement in which at least three layers of metallic lines and two layers of memory cells are provided, which are arranged alternately one above the other.
  • the memory cells each have a diode and a memory element connected to it in series.
  • the storage element has a layer structure with a magnetoresistive effect.
  • the diode has a layer structure which consists of at least two metal layers and an insulating layer arranged between them.
  • the layer structure of the memory element and the layer structure of the diode are arranged one above the other.
  • the metallic lines from each of the layers run parallel to one another.
  • the metallic lines from mutually adjacent layers run transversely to one another.
  • the memory cells are each connected between a metallic line of one layer and a metallic line of a layer adjacent to this layer.
  • the problem is also solved by a method for producing a memory cell arrangement, in which a first layer of metallic lines that run parallel to one another is generated. A first layer of memory cells is generated above the first layer of the metallic lines in such a way that these memory cells are connected to the metallic lines of the first layer. For the memory cells of the first layer, a memory element and a diode connected to it in series are generated in each case. A layer structure is produced for the diode, which consists of at least two metal layers and an insulating layer arranged between them. A layer structure with a magnetoresistive effect is produced for the memory element. The layer structure of the memory element and the layer structure of the diode are produced one above the other.
  • a second layer of metallic lines which run parallel to one another and transverse to the metallic lines of the first layer, is generated over the first layer of the memory cells in such a way that the memory cells of the first layer each lie between a metallic line of the first layer and a metallic line of the second Position are switched.
  • Memory cells of a second layer constructed in accordance with the memory cells of the first layer are generated over the second layer of the metallic lines.
  • a third layer of metallic lines which run parallel to one another and transverse to the metallic lines of the second layer, is generated in the position of the memory cells in such a way that the memory cells of the second layer are each between a metallic line of the second layer and a metallic line of the third layer are switched.
  • each layer of memory cells is arranged between two layers of metallic lines.
  • the metallic lines of one layer run across the metallic lines of the other layer.
  • the metallic lines can each be produced with minimal dimensions and distances from a minimal structure size F that can be produced using the technology used, so that a space requirement of 4F 2 per layer results per layer.
  • m of the memory cell arrangement with n layers results in a space requirement of 4 F ⁇ / per memory cell.
  • the diode is a tunnel diode in which electrons tunnel through the insulating layer m one direction more easily than m the other. No high temperatures are required to produce the diode, which could destroy metallic lines that lie beneath the diode.
  • the provision of the diodes prevents currents from flowing through memory cells of a layer adjacent to this layer when reading information from a memory cell of one layer.
  • the provision of the diodes means that a current between the metallic lines which are connected to the memory cell to be read out flows exclusively through the memory cell to be read out. This is advantageous because the size of the current is stored information and only reproduces the information to be read out.
  • the process outlay for producing the memory cell arrangement is particularly small if a mask for producing the metallic lines of one layer and a mask for producing the metallic lines of an adjacent layer simultaneously serve to produce the memory cells arranged between these layers of metallic lines.
  • a first conductive layer and, above, layers for producing the first layer of the memory cells are produced.
  • the layers for producing the first layer of the memory cells and the first conductive layer are structured with the aid of a strip-like first mask in such a way that the first layer of the metallic lines is produced from the first layer.
  • insulating material is deposited and planarized, so that separate strip-shaped first insulating structures are produced.
  • a second conductive layer and layers for producing the second layer of the memory cells are applied.
  • the layers for producing the second layer of the memory cells, the second conductive layer and the layers for producing the first layer of the memory cells are structured with the aid of a strip-like second mask in such a way that the second layer of the metallic lines is produced from the second layer, and that the memory cells of the first layer are generated from the layers for producing the first layer of the memory cells.
  • the memory cells of the first layer are consequently produced in two steps by structuring the corresponding layers. The first step takes place in the generation of the first layer of the metallic lines and the second step takes place in the generation of the second layer of the metallic lines. Then insulating material is deposited and planarized, so that each other separate strip-shaped second insulating structures are produced.
  • a third conductive layer is then applied.
  • the third conductive layer and the layers for producing the second layer of the memory cells are structured in strips so that the third layer of the metallic lines is produced from the third layer and that the memory cells of the second are generated from the layers for producing the second layer of the memory cells Location can be generated.
  • the memory cells of the second layer are consequently produced by structuring the corresponding layers in two process steps. The first step takes place in the generation of the second layer of the metallic lines and the second step takes place in the generation of the third layer of the metallic lines. In this way, any number of layers of memory cells and metallic lines can be generated.
  • the diode can be achieved if the difference in the work function of one metal layer and the work function of the other metal layer is as large as possible. In this case, the asymmetry of the tunnel effects in the diode is particularly large, i.e. Electrons tunnel much easier in one direction than the other.
  • Aluminum has a particularly low work function.
  • the one metal layer consequently preferably consists of aluminum.
  • other low work function materials are also suitable.
  • the other metal layer is preferably made of platinum, since platinum has a particularly high work function. Other high work function materials such as Tungsten, however, are also suitable.
  • the aluminum can be oxidized to produce the insulating layer.
  • the metallic lines can consist of Cu, AlSiCu or metal silicide, for example.
  • one of the two metal layers of the diode is part of one of the metallic lines.
  • the metallic lines are preferably made of aluminum.
  • a diffusion barrier made of, for example, TiN can be arranged between the layer structure of the diode and the layer structure of the memory element.
  • All known TMR elements and GMR elements are suitable as storage elements.
  • all XMR elements are suitable which have two magnetization states with different resistance, between which it is possible to switch back and forth by applying a magnetic field, the height of which is contractual for the storage application.
  • the layer structure of the memory element preferably consists of at least two magnetic layers and a non-magnetic layer arranged between them.
  • the storage elements each have two magnetization states.
  • Suitable materials for the magnetic layers are, for example, Ni, Fe, Co, Cr, Mn, Gd, Dy and alloys thereof, such as NiFe, NiFeCo, CoFe, CoCrFe, and MuBi, BiFe, CoS, CoPt, CoMnB, CoFeB.
  • Suitable insulating materials for the non-magnetic layer are, for example, Al2O 3 , MgO, NiO, Hf0 2 , T ⁇ 0 2 , NbO, S ⁇ 0 2 and DLC (diamond-like carbon).
  • Cu or Ag are suitable as conductive materials for the non-magnetic layer.
  • the thickness of the magnetic layers is preferably between 5 nm and 10 n.
  • the thickness of the non-magnetic layer is preferably in the range between 1 nm and 3 nm.
  • the storage elements preferably have dimensions in the range between 50 nm and 150 nm. They can be square or elongated, among other things.
  • an intermediate layer between the layer structure of the memory cell and a metallic line arranged thereon.
  • the intermediate layer prevents damage to the layer structures of the memory cell when planarizing the insulating material to produce the insulating structures.
  • the intermediate layer is uncovered during planarization and can also be removed somewhat.
  • the intermediate layer can also act as a diffusion barrier.
  • the layer structure of the memory element can be arranged on the layer structure of the diode.
  • the layer structure of the diode is arranged on the layer structure of the memory element.
  • a magnetic field generated thereby is larger in the area of the memory cell than in the areas of the other memory cells.
  • the magnetic field in the area of the memory cell is so large that the magnetization of the magnetically softer of the two magnetic layers of the associated memory element is aligned in the magnetic field.
  • the direction of magnetization of the magnetically harder of the two magnetic layers remains unchanged.
  • the magnetic field is set according to the information to be written so that the The magnetization direction of the magnetically soft layer is parallel or antiparallel to the magnetization direction of the magnetically hard layer.
  • the memory cell can therefore assume two different magnetization states.
  • Figure 1 shows a cross section through a substrate with an intermediate oxide, after a first layer of metallic lines, a first metal layer, an insulating layer, a second metal layer, a first magnetic layer, a non-magnetic layer, a second magnetic layer, a first intermediate layer and first insulating structures were created.
  • FIG. 2a shows the cross section from FIG. 1 after a second layer of metallic lines, a third metal layer, a second insulating layer, a fourth metal layer, a third magnetic layer, a second non-magnetic layer, a fourth magnetic layer, a second intermediate layer and a second insulating layer Structures were created.
  • FIG. 2b shows a cross section perpendicular to the cross section from FIG. 2a through the substrate after the process steps from FIG. 2a.
  • FIG. 3a shows the cross section from FIG. 2a after a third layer of metallic lines has been produced.
  • FIG. 3b shows the cross section from FIG. 2b after the process steps from FIG. 3a.
  • a substrate is provided in which semiconductor components (not shown) are arranged and which is covered by an intermediate oxide Z (see FIG. 1).
  • the semiconductor components can be part of a periphery of a memory cell arrangement to be produced.
  • first conductive layer copper is deposited in a thickness of approximately 500 nm.
  • metal layer Ml aluminum is deposited with a thickness of approximately 10 nm.
  • a 3 nm thick first insulating layer II made of aluminum oxide is produced by thermal oxidation.
  • platinum is deposited to a thickness of approximately 10 nm.
  • An approximately 10 nm thick first diffusion barrier (not shown) made of titanium nitride is then deposited.
  • cobalt is deposited to a thickness of approximately 10 nm.
  • an approximately 3 nm thick first non-magnetic layer Ml aluminum is deposited and oxidized by thermal oxidation.
  • NiFe m is deposited with a thickness of approximately 10 nm.
  • titanium nitride is deposited to a thickness of approximately 20 nm (see FIG. 1).
  • the stripes of which are approximately 150 nm wide and have distances of approximately 150 nm from one another the first intermediate layer ZI, the second magnetic layer G2, the first non-magnetic layer N1, the first magnetic Layer G1, the first diffusion barrier, the second metal layer M2, the first insulating layer II and the first metal layer Ml are sputtered with argon. Then copper is etched with, for example, BCI 3 + Cl 2 + CH4, so that a first layer of metallic lines L1 is produced from the first conductive layer (see FIG. 1). The first photoresist mask is removed.
  • first insulating structures S1 Si 2 m is deposited to a thickness of approximately 100 nm and planarized by chemical-mechanical polishing until the first intermediate layer ZI is exposed (see FIG. 1). The first intermediate layer ZI is removed by approximately 10 nm.
  • a second conductive layer copper is deposited in a thickness of approximately 500 nm.
  • aluminum is deposited to a thickness of approximately 10 nm.
  • An approximately 3 nm thick second insulating layer 12 made of aluminum oxide is produced by thermal oxidation.
  • platinum is deposited in a thickness of approximately 10 nm.
  • titanium nitride is deposited to a thickness of approximately 10 nm.
  • cobalt is deposited to a thickness of approximately 10 nm.
  • an approximately 3 nm thick second non-magnetic layer N2 aluminum is deposited and oxidized by thermal oxidation.
  • NiFe is deposited in a thickness of approximately 10 nm.
  • TiN is deposited in a thickness of approximately 20 nm (see FIGS. 2a and 2b).
  • the stripes of which are approximately 150 nm wide extend transversely to the stripes of the first photoresist mask and are spaced apart by approximately 150 nm, the second intermediate layer Z2, the fourth magnetic layer G4, the second non-magnetic layer N2, the third magnetic layer G3, the second diffusion barrier, the fourth metal layer M4, the second insulating layer 12 and the third metal layer M3 etched by argon sputtering.
  • the second conductive layer is then etched with BCI 3 + Cl + CH4, for example, so that a second layer of metallic lines L2 is produced (see FIGS. 2a and 2b).
  • the first intermediate layer ZI, the second magnetic layer G2, the first non-magnetic layer N1, the first magnetic layer Gl, the first diffusion barrier, the second metal layer M2, the first insulating layer II and the first metal layer Ml are etched by sputtering with argon.
  • Layer structures of diodes of the first layer of the memory cells are formed from the second metal layer M2, the first ISO layer II and the first metal layer M1.
  • a memory cell of the first layer comprises a diode and a memory element, the layer structures of which are arranged one above the other.
  • the second photoresist mask is removed.
  • Si0 2 m is deposited to a thickness of approximately 100 nm and planarized by chemical-mechanical polishing until the second intermediate layer Z2 is exposed.
  • the second intermediate layer Z2 is removed approximately 10 nm.
  • a third conductive layer copper is deposited in a thickness of approximately 500 nm.
  • copper is etched with BCI3 + C0 2 + CH4, for example, so that a third layer of metallic lines L3 is produced from the third conductive layer (see FIGS. 3a and 3b).
  • the second intermediate layer Z2, the fourth magnetic layer G4, the second non-magnetic layer N2, the third magnetic layer G3, the second diffusion bar, the fourth metal layer M4, the second insulating layer 12 and the third metal layer M3 by sputtering with argon etched.
  • the fourth magnetic layer G4, the second non-magnetic layer N2 and the third magnetic layer G3 thus result in layer structures of memory elements of a second layer of memory cells which are separate from one another.
  • Layer structures of the diodes of the memory cells of the second layer are formed from the fourth metal layer M4, the second insulating layer 12 and the third metal layer M3.
  • a memory cell of the second layer comprises a diode and a memory element, the layer structures of which are arranged one above the other.
  • the method produces an MRAM memory cell arrangement with two layers of memory cells arranged one above the other.
  • the metallic lines L1, L2, L3 can be produced from aluminum instead of copper. In this case, parts of the metallic lines act as the lower metal layers of the diodes. There is no need to produce separate metal layers Ml, M3. More than three layers of metallic lines and more than two layers of memory cells can be produced, which are arranged alternately one above the other.

Abstract

Lagen metallischer Leitungen (L1, L2, L3) und Lagen von Speicherzellen sind alternierend übereinander angeordnet. Die Speicherzellen weisen jeweils eine Diode und ein dazu in Reihe geschaltetes Speicherelement auf. Das Speicherelement weist eine Schichtstruktur mit magnetoresistivem Effekt auf. Die Diode weist eine Schichtstruktur auf, die aus mindestens zwei Metallschichten (M1, M2) und aus einer dazwischen angeordneten isolierenden Schicht (I1) besteht. Die Schichtstruktur des Speicherelements und die Schichtstruktur der Diode sind übereinander angeordnet. Die metallischen Leitungen (L1) von jeweils einer der Lagen verlaufen parallel zueinander. Die metallischen Leitungen (L1, L2) von zueinander benachbarten Lagen verlaufen quer zueinander.

Description

Beschreibung
Speicherzellenanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
Die Erfindung betrifft eine Speicherzellenanordnung mit Spei- cherelementen mit einer Schichtstruktur mit magnetoresistivem Effekt.
Aus der Technologieanalyse XMR-Technologien, Technologiefruh- erkennung, Verfasser Stefan Mengel, Herausgeber VDI-
Technologiezentru Physikalische Technologien, sind Schichtstrukturen mit magnetoresistivem Effekt bekannt. Je nach Aufbau der Schichtstruktur wird unterschieden zwischen GMR- Element, TMR-Element, AMR-Element und CMR-Element.
Der Begriff GMR-Ele ent wird m der Fachwelt für Sc icht- strukturen verwendet, die mindestens zwei ferromagnetische Schichten und eine dazwischen angeordnete nicht magnetische leitende Schicht aufweisen und den sogenannten GMR-(gιant- magnetoresistance) Effekt, das heißt einen im Vergleich zum AMR- (amsotropic-magnetoresistance) Effekt großen magnetore- sistiven Effekt zeigen. Unter dem GMR-Effekt wird die Tatsache verstanden, daß der elektrische Widerstand des GMR- Elements abhangig davon ist, ob die Magnetisierungen m den beiden ferromagnetischen Schichten parallel oder antiparallel ausgerichtet sind.
Der Begriff TMR-Element wird m der Fachwelt für "Tunneling magnetoresιstance"-Schιchtstrukturen verwendet, die minde- stens zwei ferromagnetische Schichten und eine dazwischen angeordnete isolierende, nicht magnetische Schicht aufweisen. Die isolierende Schicht ist dabei so dünn, daß es zu einem Tunnelstrom zwischen den beiden ferromagnetischen Schichten kommt. Diese Schichtstrukturen zeigen ebenfalls einen magne- toresistiven Effekt, der durch einen spmpolarisierten Tunnelstrom durch die zwischen den beiden ferromagnetischen Schichten angeordnete isolierende, nicht magnetische Schicht bewirkt wird. Auch m diesem Fall ist der elektrische Widerstand des TMR-Elements abhangig davon, ob die Magnetisierungen m den beiden ferromagnetischen Schichten parallel oder antiparallel ausgerichtet sind.
Der AMR-Effekt äußert sich dadurch, daß der Widerstand m ma- gneti≤ierten Leitern parallel und senkrecht zur Magnetisierungsrichtung verschieden ist. Er ist ein Volumeneffekt und tritt somit m ferromagnetischen Einfachschichten auf.
Ein weiterer Magnetowiderstandseffekt, der wegen seiner Große (ΔR/R = 100 bis 400 % bei Raumtemperatur) Colossal Magnetoresistance Effekt genannt wird, erfordert wegen seiner hohen Koerzitivkrafte ein hohes Magnetfeld zum Umschalten zwischen den Magnetisierungszustanden.
In US 5 640 343 wird eine sogenannte MRAM-
Speicherzellenanordnung beschrieben, bei der Speicherzellen zwischen zwei übereinander angeordneten Lagen metallischer Leitungen angeordnet sind. Die Speicherzellen weisen jeweils eine Diode und ein dazu m Reihe geschaltetes Speicherelement auf. Das Speicherelement weist eine Schichtstruktur mit magnetoresistivem Effekt auf. Die Diode ist eine pn-Diode oder eine Schottkydiode, die Silizium enthalt. Die Schichtstruktur des Speicherelements und die Schichtstruktur der Diode sind übereinander angeordnet. Die metallischen Leitungen der ersten Lage verlaufen parallel zueinander. Die metallischen Leitungen der zweiten Lage verlaufen parallel zueinander und senkrecht zu den metallischen Leitungen der ersten Lage. Die Speicherzellen sind jeweils zwischen eine metallische Leitung der ersten Lage und eine metallische Leitung der zweiten Lage geschaltet. Die Schichtstruktur des Speicherelements besteht aus zwei ferromagnetischen Schichten und einer dazwischen angeordneten isolierenden Schicht. Der elektrische Widerstand des Speicherelements ist abhangig davon, ob die Magnetisierungsrichtungen der beiden ferromagnetischen Schichten parallel oder antiparallel zueinander sind. Zum Schreiben einer Information auf eine Speicherzelle werden den metallischen Leitungen, die mit der Speicherzelle verbunden sind, Strome eingeprägt. Dabei werden Spannungen so gewählt, daß kein Strom durch die Speicherzelle fließt. Die durch die Strome erzeugten magnetischen Felder addieren sich im Bereich der Speicherzelle derart, daß die Magnetisierung einer der beiden magnetischen Schichten im Magnetfeld ausgerichtet wird. Die Magnetisierungsrichtung der anderen ferromagnetischen Schicht bleibt unverändert. Diese Ausrichtung stellt die Information dar. Zum Auslesen der Information wird die Spannung der metallische Leitung, die mit der Diode verbunden ist, gesenkt und die Spannung an der metallischen Leitung, die mit dem Speicherelement verbunden ist, erhöht. An metallischen Leitungen, die mit den übrigen Speicherelementen verbunden sind, liegt dieselbe Spannung an wie an der metallischen Leitung, die mit der Diode der auszulesenden Speicherzelle verbunden ist. An den metallischen Leitungen, die mit den brigen Dioden verbunden sind, liegt dieselbe Spannung an, wie an der metallischen Leitung, die mit dem Speicherelement der auszu- lesenden Speicherzelle verbunden ist. Aufgrund der Dioden m den Speicherzellen kann nur Strom durch die auszulesende Speicherzelle fließen. Der Strom hat abhangig von der auf der Speicherzelle gespeicherten Information zwei diskrete Werte, die zwei Magnetisierungszustanden des Speicherelements ent- sprechen.
Der Erfindung liegt das Problem zugrunde, eine Speicherzellenanordnung mit Speicherelementen mit magnetoresistivem Effekt anzugeben, die mit im Vergleich zum Stand der Technik erhöhter Packungsdichte herstellbar ist. Ferner soll ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Speicherzellenanordnung angegeben werden.
Dieses Problem wird durch eine Speicherzellenanordnung ge- lost, bei der mindestens drei Lagen metallischer Leitungen und zwei Lagen von Speicherzellen vorgesehen sind, die alternierend übereinander angeordnet sind. Die Speicherzellen wei- sen jeweils eine Diode und ein dazu m Reihe geschaltetes Speicherelement auf. Das Speicherelement weist eine Schichtstruktur mit magnetoresistivem Effekt auf. Die Diode weist eine Schichtstruktur auf, die aus mindestens zwei Metall- schichten und aus einer dazwischen angeordneten isolierenden Schicht besteht. Die Schichtstruktur des Speicherelements und die Schichtstruktur der Diode sind übereinander angeordnet. Die metallischen Leitungen von jeweils einer der Lagen verlaufen parallel zueinander. Die metallischen Leitungen von zueinander benachbarten Lagen verlaufen quer zueinander. Die Speicherzellen sind jeweils zwischen eine metallische Leitung einer Lage und eine metallische Leitung einer dieser Lage benachbarten Lage geschaltet.
Das Problem wird ferner gelost durch ein Verfahren zur Herstellung einer Speicherzellenanordnung, bei dem eine erste Lage metallischer Leitungen, die parallel zueinander verlaufen, erzeugt wird. Über der ersten Lage der metallischen Leitungen wird eine erste Lage von Speicherzellen so erzeugt, daß diese Speicherzellen mit den metallischen Leitungen der ersten Lage verbunden sind. Für die Speicherzellen der ersten Lage wird jeweils ein Speicherelement und eine dazu m Reihe geschaltete Diode erzeugt. Für die Diode wird eine Schichtstruktur erzeugt, die aus mindestens zwei Metallschichten und aus einer dazwischen angeordneten isolierenden Schicht besteht. Für das Speicherelement wird eine Schichtstruktur mit magnetoresistivem Effekt erzeugt. Die Schichtstruktur des Speicherelements und die Schichtstruktur der Diode werden übereinander erzeugt. Über der ersten Lage der Speicherzellen wird eine zweite Lage metallischer Leitungen, die parallel zueinander und quer zu den metallischen Leitungen der ersten Lage verlaufen, so erzeugt, daß die Speicherzellen der ersten Lage jeweils zwischen eine metallische Leitung der ersten Lage und eine metallische Leitung der zweiten Lage geschaltet sind. Über der zweiten Lage der metallischen Leitungen werden entsprechend den Speicherzellen der ersten Lage aufgebaute Speicherzellen einer zweiten Lage erzeugt. Über der zweiten Lage der Speicherzellen wird eine dritte Lage metallischer Leitungen, die parallel zueinander und quer zu den metallischen Leitungen der zweiten Lage verlaufen, so erzeugt, daß die Speicherzellen der zweiten Lage jeweils zwischen eine me- tallische Leitung der zweiten Lage und eine metallische Leitung der dritten Lage geschaltet sind.
Da die Speicherzellen m mindestens zwei übereinander gestapelten Lagen angeordnet sind, sinkt der Flachenbedarf pro Speicherelement und die Packungsdichte der Speicherzellenanordnung wird erhöht. Je großer die Anzahl der Lagen der Speicherzellen, die übereinander gestapelt sind, desto hoher ist die erzielbare Packungsdichte. Jede Lage von Speicherzellen ist dabei zwischen zwei Lagen metallischer Leitungen angeord- net. Die metallischen Leitungen der einen Lage verlaufen quer zu den metallischen Leitungen der anderen Lage. Die metallischen Leitungen sind jeweils mit minimalen Abmessungen und Abstanden von einer minimalen, m der verwendeten Technologie herstellbaren Strukturgroße F herstellbar, so daß sich pro Lage ein Flachenbedarf pro Speicherzelle von 4F2 ergibt. Insgesamt ergibt sich m der Speicherzellenanordnung bei n Lagen ein Flachenbedarf von 4F^/ pro Speicherzelle.
Die Diode ist eine Tunneldiode, bei der Elektronen durch die isolierende Schicht m eine Richtung leichter tunneln als m die andere. Zur Erzeugung der Diode sind keine hohen Temperaturen erforderlich, die metallische Leitungen, die unter der Diode liegen, zerstören konnten.
Das Vorsehen der Dioden verhindert, daß beim Auslesen von Information einer Speicherzelle einer Lage Strome durch Speicherzellen einer dieser Lage benachbarten Lage fließen. Darüber hinaus bewirkt das Vorsehen der Dioden, daß ein Strom zwischen den metallischen Leitungen, die mit der auszulesen- den Speicherzelle verbunden sind, ausschließlich durch die auszulesende Speicherzelle fließt. Dies ist vorteilhaft, da die Große des Stroms dadurch unabhängig von auf anderen Spei- cherzellen gespeicherten Informationen ist und lediglich die auszulesende Information wiedergibt.
Der Prozeßaufwand zur Erzeugung der Speicherzellenanordnung ist besonders klein, wenn eine Maske zur Erzeugung der metallischen Leitungen einer Lage und eine Maske zur Erzeugung der metallischen Leitungen einer benachbarten Lage zugleich der Erzeugung der zwischen diesen Lagen metallischer Leitungen angeordneten Speicherzellen dienen.
Beispielsweise wird eine erste leitende Schicht und darüber Schichten zur Erzeugung der ersten Lage der Speicherzellen erzeugt. Die Schichten zur Erzeugung der ersten Lage der Speicherzellen und die erste leitende Schicht werden mit Hil- fe einer streifenförmigen ersten Maske so strukturiert, daß aus der ersten Schicht die erste Lage der metallischen Leitungen erzeugt wird. Anschließend wird isolierendes Material abgeschieden und planarisiert, so daß voneinander getrennte streifenförmige erste isolierende Strukturen erzeugt werden.
Eine zweite leitende Schicht und Schichten zur Erzeugung der zweiten Lage der Speicherzellen werden aufgebracht. Die Schichten zur Erzeugung der zweiten Lage der Speicherzellen, die zweite leitende Schicht und die Schichten zur Erzeugung der ersten Lage der Speicherzellen werden mit Hilfe einer streifenförmigen zweiten Maske so strukturiert, daß aus der zweiten Schicht die zweite Lage der metallischen Leitungen erzeugt wird, und daß aus den Schichten zur Erzeugung der ersten Lage der Speicherzellen die Speicherzellen der ersten Lage erzeugt werden. Die Speicherzellen der ersten Lage werden folglich in zwei Schritten durch Strukturierung der entsprechenden Schichten erzeugt. Der erste Schritt erfolgt bei der Erzeugung der ersten Lage der metallischen Leitungen und der zweite Schritt erfolgt bei der Erzeugung der zweiten Lage der metallischen Leitungen. Anschließend wird isolierendes Material abgeschieden und planarisiert, so daß voneinander getrennte streifenför ige zweite isolierende Strukturen erzeugt werden.
Anschließend wird eine dritte leitende Schicht aufgebracht. Die dritte leitende Schicht und die Schichten zur Erzeugung der zweiten Lage der Speicherzellen werden streifenförmig so strukturiert, daß aus der dritten Schicht die dritte Lage der metallischen Leitungen erzeugt wird und daß aus den Schichten zur Erzeugung der zweiten Lage der Speicherzellen die Spei- cherzellen der zweiten Lage erzeugt werden. Die Speicherzellen der zweiten Lage werden folglich durch Strukturierung der entsprechenden Schichten in zwei Prozeßschritten erzeugt. Der erste Schritt erfolgt bei der Erzeugung der zweiten Lage der metallischen Leitungen und der zweite Schritt erfolgt bei der Erzeugung der dritten Lage der metallischen Leitungen. Auf diese Weise können beliebig viele Lagen von Speicherzellen und metallischen Leitungen erzeugt werden.
Besonders gute elektrische Eigenschaften der Diode lassen sich erzielen, wenn die Differenz der Austrittsarbeit der einen Metallschicht und der Austrittsarbeit der anderen Metallschicht möglichst groß ist. In diesem Fall ist die Asymmetrie der Tunneleffekte in der Diode besonders groß, d.h. Elektronen tunneln in die eine Richtung wesentlich leichter als in die andere. Aluminium hat eine besonders niedrige Austrittsarbeit. Die eine Metallschicht besteht folglich vorzugsweise aus Aluminium. Andere Materialien mit niedriger Austrittsarbeit sind jedoch ebenfalls geeignet. Die andere Metallschicht besteht vorzugsweise aus Platin, da Platin eine besonders hohe Austrittsarbeit hat. Andere Materialien mit hoher Austrittsarbeit, wie z.B. Wolfram, sind jedoch ebenfalls geeignet.
Zur Erzeugung der isolierenden Schicht kann das Aluminium oxidiert werden. Die metallischen Leitungen können zum Beispiel aus Cu, AlSiCu oder Metallsilizid bestehen.
Zur Prozeßvereinfachung ist es vorteilhaft, wenn eine der zwei Metallschichten der Diode Teil einer der metallischen Leitungen ist. In diesem Fall bestehen die metallischen Leitungen vorzugsweise aus Aluminium.
Zwischen der Schichtstruktur der Diode und der Schichtstruk- tur des Speicherelements kann eine Diffusionsbarriere aus zum Beispiel TiN angeordnet sein.
Als Speicherelement sind alle bekannten TMR-Elemente und GMR- Elemente geeignet. Darüber hinaus sind alle XMR-Elemente ge- eignet, die zwei Magnetisierungszustande mit unterschiedlichem Widerstand aufweisen, zwischen denen durch Anlegen eines Magnetfeldes, dessen Hohe für die Speicheranwendung vertraglich ist, hin- und hergeschaltet werden kann.
Vorzugsweise besteht die Schichtstruktur des Speicherelements mindestens aus zwei magnetischen Schichten und einer dazwischen angeordneten nichtmagnetischen Schicht. Die Spei- cherelemente weisen jeweils zwei Magnetisierungszustande auf.
Die nichtmagnetische Schicht ist vorzugsweise eine isolierende Schicht (TMR-Element) , weil dadurch höhere Element-wider- stande (= 100 kΩ) erzielbar sind, die hinsichtlich Leistungsverbrauch und Signal/Rauschverhaltnis gunstiger sind. Als Materialien für die magnetischen Schichten eignen sich zum Beispiel Ni, Fe, Co, Cr, Mn, Gd, Dy und Legierungen daraus, wie NiFe, NiFeCo, CoFe, CoCrFe, sowie MuBi, BiFe, CoS , CoPt, CoMnB, CoFeB. Als isolierende Materialien für die nichtmagnetische Schicht eignen sich zum Beispiel AI2O3, MgO, NiO, Hf02, Tι02, NbO, Sι02 und DLC (Diamond-like carbon) . Als leitende Materialien für die nichtmagnetische Schicht eignen sich zum Beispiel Cu oder Ag. Die Dicke der magnetischen Schichten betragt vorzugsweise zwischen 5nm und 10 n . Die Dicke der nichtmagnetischen Schicht liegt vorzugsweise im Bereich zwischen lnm und 3nm. Die Speicherelemente weisen vorzugsweise Abmessungen im Be- reich zwischen 50nm und 150nm auf. Sie können unter anderem quadratisch oder langgestreckt ausgestaltet sein.
Zur Erhöhung der Prozeßsicherheit des Verfahrens ist es vorteilhaft, zwischen der Schichtstruktur der Speicherzelle und einer darauf angeordneten metallischen Leitung eine Zwischenschicht anzuordnen. Die Zwischenschicht verhindert eine Beschädigung der Schichtstrukturen der Speicherzelle beim Planarisieren des isolierenden Materials zur Erzeugung der isolierenden Strukturen. Beim Planarisieren wird die Zwi- schenschicht freigelegt und kann auch etwas abgetragen werden. Die Zwischenschicht kann darüber hinaus zugleich als Diffusionsbarriere wirken.
Die Schichtstruktur des Speicherelements kann auf der Schichtstruktur der Diode angeordnet sein. Alternativ ist die Schichtstruktur der Diode auf der Schichtstruktur des Speicherelements angeordnet.
Im folgenden wird ein mögliches Betriebsverfahren der Spei- cherzellenanordnung beschreiben.
Zum Schreiben von Information auf eine Speicherzelle werden den mit der Speicherzelle verbundenen metallischen Leitungen Strome eingeprägt. Ein dadurch erzeugtes Magnetfeld ist im Bereich der Speicherzelle großer als in Bereichen der übrigen Speicherzellen. Das Magnetfeld ist im Bereich der Speicherzelle so groß, daß die Magnetisierung der magnetisch weicheren der beiden magnetischen Schichten des zugehörigen Speicherelements sich im Magnetfeld ausrichtet. Die Magnetisie- rungsrichtung der magnetisch härteren der beiden magnetischen Schichten bleibt unverändert. Das Magnetfeld wird entsprechend der zu schreibenden Information so eingestellt, daß die Magnetisierungsrichtung der magnetisch weichen Schicht parallel oder antiparallel zur Magnetisierungsrichtung der magnetisch harten Schicht ist. Die Speicherzelle kann folglich zwei verschiedene Magnetisierungszustände einnehmen.
Zum Auslesen der Information der Speicherzelle werden an den zugehörigen metallischen Leitungen Spannungen derart angelegt, daß ein Strom durch die Speicherzelle fließt. Die Höhe des Stroms ist abhängig vom Magnetisierungszustand der Spei- cherzelle und folglich abhängig von der gespeicherten Information.
Im folgenden wird die Erfindung anhand eines Ausführungsbei- spieles, das in den Figuren dargestellt ist, näher erläutert.
Figur 1 zeigt einen Querschnitt durch ein Substrat mit einem Zwischenoxid, nachdem eine erste Lage metallischer Leitungen, eine erste Metallschicht, eine isolierende Schicht, eine zweite Metallschicht, eine erste magnetische Schicht, eine nichtmagnetische Schicht, eine zweite magnetische Schicht, eine erste Zwischenschicht und erste isolierende Strukturen erzeugt wurden.
Figur 2a zeigt den Querschnitt aus Figur 1, nachdem eine zweite Lage metallischer Leitungen, eine dritte Metallschicht, eine zweite isolierende Schicht, eine vierte Metallschicht, eine dritte magnetische Schicht, eine zweite nichtmagnetische Schicht, eine vierte magnetische Schicht, eine zweite Zwischenschicht und zweite isolierende Strukturen erzeugt wurden.
Figur 2b zeigt einen zum Querschnitt aus Figur 2a senkrechten Querschnitt durch das Substrat nach den Prozeßschritten aus Figur 2a. Figur 3a zeigt den Querschnitt aus Figur 2a, nachdem eine dritte Lage metallischer Leitungen erzeugt wurden.
Figur 3b zeigt den Querschnitt aus Figur 2b nach den Prozeß- schritten aus Figur 3a.
Die Figuren sind nicht maßstabsgerecht.
In einem Ausfuhrungsbeispiel ist ein Substrat vorgesehen, m dem Halbleiterbauelemente (nicht dargestellt) angeordnet sind und das von einem Zwischenoxid Z bedeckt ist (siehe Figur 1) . Die Halbleiterbauelemente können Teil einer Peripherie einer zu erzeugenden Speicherzellenanordnung sein.
Zur Erzeugung einer ersten leitenden Schicht wird Kupfer m einer Dicke von ca. 500 nm abgeschieden. Zur Erzeugung einer ersten Metalischicht Ml wird Aluminium m einer Dicke von ca. 10 nm abgeschieden. Durch thermische Oxidation wird eine ca. 3 nm dicke erste isolierende Schicht II aus Aluminiumoxid er- zeugt. Zur Erzeugung einer zweiten Metallschicht M2 wird Platin m einer Dicke von ca. 10 nm abgeschieden. Anschließend wird eine ca. 10 nm dicke erste Diffusionsbarriere (nicht dargestellt) aus Titannitrid abgeschieden. Zur Erzeugung einer ersten magnetischen Schicht Gl wird Kobalt m einer Dicke von ca. 10 nm abgeschieden. Zur Erzeugung einer ca. 3 nm dik- ken ersten nichtmagnetischen Schicht Ml wird Aluminium abgeschieden und durch thermische Oxidation aufoxidiert. Zur Erzeugung einer zweiten magnetischen Schicht G2 wird NiFe m einer Dicke von ca. 10 nm abgeschieden. Zur Erzeugung einer ersten Zwischenschicht ZI wird Titannitrid m einer Dicke von ca. 20 nm abgeschieden (siehe Figur 1) .
Mit Hilfe einer streifenförmigen ersten Fotolackmaske (nicht dargestellt), deren Streifen ca. 150 nm breit sind und Ab- stände von ca. 150 nm voneinander aufweisen, werden die erste Zwischenschicht ZI, die zweite magnetische Schicht G2, die erste nichtmagnetische Schicht Nl, die erste magnetische Schicht Gl, die erste Diffusionsbarriere, die zweite Metall- schicht M2, die erste isolierende Schicht II und die erste Metallschicht Ml durch Sputtern mit Argon geatzt. Anschließend wird Kupfer mit zum Beispiel BCI3 + Cl2 + CH4 geatzt, so daß aus der ersten leitenden Schicht eine erste Lage metallischer Leitungen Ll erzeugt wird (siehe Figur 1) . Die erste Fotolackmaske wird entfernt.
Zur Erzeugung von ersten isolierenden Strukturen Sl wird Sι02 m einer Dicke von ca. 100 nm abgeschieden und durch chemisch-mechanisches Polieren planarisiert, bis die erste Zwischenschicht ZI freigelegt wird (siehe Figur 1) . Die erste Zwischenschicht ZI wird dabei um ca. 10 nm abgetragen.
Zur Erzeugung einer zweiten leitenden Schicht wird Kupfer in einer Dicke von ca. 500 nm abgeschieden. Zur Erzeugung einer dritten Metallschicht M3 wird Aluminium m einer Dicke von ca. 10 nm abgeschieden. Durch thermische Oxidation wird eine ca. 3 nm dicke zweite isolierende Schicht 12 aus Alumimu- oxid erzeugt. Zur Erzeugung einer vierten Metallschicht M4 wird Platin m einer Dicke von ca. 10 nm abgeschieden. Zur Erzeugung einer zweiten Diffusionsbarriere (nicht dargestellt) wird Titannitrid m einer Dicke von ca. 10 nm abgeschieden. Zur Erzeugung einer dritten magnetischen Schicht G3 wird Kobalt m einer Dicke von ca. 10 nm abgeschieden. Zur Erzeugung einer ca. 3 nm dicken zweiten nichtmagnetischen Schicht N2 wird Aluminium abgeschieden und durch thermische Oxidation aufoxidiert. Zur Erzeugung einer vierten magnetischen Schicht G4 wird NiFe in einer Dicke von ca. 10 nm abge- schieden. Zur Erzeugung einer zweiten Zwischenschicht Z2 wird TiN m einer Dicke von ca. 20 nm abgeschieden (siehe Figuren 2a und 2b) .
Mit Hilfe einer zweiten streifenförmigen Fotolackmaske (nicht dargestellt), deren Streifen ca. 150 nm breit sind, quer zu den Streifen der ersten Fotolackmaske verlaufen und Abstände von ca. 150 nm voneinander aufweisen, werden die zweite Zwi- schenschicht Z2, die vierte magnetische Schicht G4, die zweite nichtmagnetische Schicht N2, die dritte magnetische Schicht G3, die zweite Diffusionsbarriere, die vierte Metallschicht M4, die zweite isolierende Schicht 12 und die dritte Metallschicht M3 durch Sputtern mit Argon geatzt. Anschließend wird die zweite leitende Schicht mit zum Beispiel BCI3 + Cl + CH4 geatzt, so daß eine zweite Lage metallischer Leitungen L2 erzeugt wird (siehe Figuren 2a und 2b) .
Anschließend werden die erste Zwischenschicht ZI, die zweite magnetische Schicht G2, die erste nichtmagnetische Schicht Nl, die erste magnetische Schicht Gl, die erste Diffusionsbarriere, die zweite Metallschicht M2, die erste isolierende Schicht II und die erste Metallschicht Ml durch Sputtern mit Argon geatzt. Dadurch entstehen aus der zweiten magnetischen Schicht G2, der ersten nichtmagnetischen Schicht Nl und der ersten magnetischen Schicht Gl voneinander getrennte Schichtstrukturen von Speicherelementen einer ersten Lage von Speicherzellen. Aus der zweiten Metallschicht M2, der ersten ISO- lierenden Schicht II und der ersten Metallschicht Ml entstehen Schichtstrukturen von Dioden der ersten Lage der Speicherzellen. Eine Speicherzelle der ersten Lage umfaßt eine Diode und ein Speicherelement, deren Schichtstrukturen übereinander angeordnet sind.
Die zweite Fotolackmaske wird entfernt.
Zur Erzeugung von zweiten isolierenden Strukturen S2 wird Sι02 m einer Dicke von ca. 100 nm abgeschieden und durch chemisch-mechanisches Polieren planarisiert, bis die zweite Zwischenschicht Z2 freigelegt wird. Die zweite Zwischenschicht Z2 wird dabei ca. 10 nm abgetragen.
Zur Erzeugung einer dritten leitenden Schicht wird Kupfer m einer Dicke von ca. 500 nm abgeschieden. Mit Hilfe einer dritten streifenförmigen Fotolackmaske (nicht dargestellt) , die der ersten Fotolackmaske entspricht, wird mit zum Beispiel BCI3 + C02 + CH4 Kupfer geatzt, so daß aus der dritten leitenden Schicht eine dritte Lage metallischer Leitungen L3 erzeugt wird (siehe Figuren 3a und 3b) .
Anschließend werden die zweite Zwischenschicht Z2, die vierte magnetische Schicht G4, die zweite nichtmagnetische Schicht N2, die dritte magnetische Schicht G3, die zweite Diffusions- barπere, die vierte Metallschicht M4, die zweite isolierende Schicht 12 und die dritte Metallschicht M3 durch Sputtern mit Argon geatzt. Aus der vierten magnetischen Schicht G4, der zweiten nichtmagnetischen Schicht N2 und der dritten magnetischen Schicht G3 entstehen dadurch voneinander getrennte Schichtstrukturen von Speicherelementen einer zweiten Lage von Speicherzellen. Aus der vierten Metallschicht M4, der zweiten isolierenden Schicht 12 und der dritten Metallschicht M3 entstehen Schichtstrukturen der Dioden der Speicherzellen der zweiten Lage. Eine Speicherzelle der zweiten Lage umfaßt eine Diode und ein Speicherelement, deren Schichtstrukturen übereinander angeordnet sind.
Durch das Verfahren wird eine MRAM-Speicherzellenanordnung erzeugt mit zwei übereinander angeordneten Lagen von Spei- cherzellen.
Es sind viele Variationen des Ausfuhrungsbeispiels denkbar, die ebenfalls im Rahmen der Erfindung liegen. Insbesondere können Abmessungen der beschriebenen Schichten und Masken nach Belieben an die jeweiligen Erfordernisse angepaßt werden. Dasselbe gilt für die Wahl von Materialien.
Die metallischen Leitungen Ll, L2, L3 können statt aus Kupfer aus Aluminium erzeugt werden. In diesem Fall wirken als unte- re Metallschichten der Dioden Teile der metallischen Leitungen. Auf die Erzeugung von separaten Metallschichten Ml, M3 kann verzichtet werden. Es können mehr als drei Lagen metallischer Leitungen und mehr als zwei Lagen von Speicherzellen erzeugt werden, die alternierend übereinander angeordnet sind.

Claims

Patentansprüche
1. Speicherzellenanordnung,
- bei der mindestens drei Lagen metallischer Leitungen (Ll, L2, L3) und zwei Lagen von Speicherzellen vorgesehen sind, die alternierend übereinander angeordnet sind,
- bei der die Speicherzellen jeweils eine Diode und ein dazu m Reihe geschaltetes Speicherelement aufweisen,
- bei der das Speicherelement eine Schichtstruktur mit magne- toresistivem Effekt aufweist,
- bei der die Diode eine Schichtstruktur aufweist, die aus mindestens zwei Metallschichten (Ml, M2)und aus einer dazwischen angeordneten isolierenden Schicht (II) besteht,
- bei der die Schichtstruktur des Speicherelements und die Schichtstruktur der Diode übereinander angeordnet sind,
- bei der die metallischen Leitungen (Ll) von jeweils einer der Lagen parallel zueinander verlaufen,
- bei der die metallischen Leitungen (Ll, L2) von zueinander benachbarten Lagen quer zueinander verlaufen, - bei der die Speicherzellen jeweils zwischen eine metallische Leitung (Ll, L2 ) einer Lage und eine metallische Leitung (L2, L3) einer dieser Lage benachbarten Lage geschaltet sind.
2. Speicherzellenanordnung nach Anspruch 1,
- bei der eine der zwei Metallschichten (Ml) der Diode Teil einer der metallischen Leitungen (Ll) ist.
3. Speicherzellenanordnung nach Anspruch 1 oder 2, - bei der die Schichtstruktur des Speicherelements mindestens aus zwei magnetischen Schichten (Gl, G2) und einer dazwischen angeordneten nichtmagnetischen Schicht (Nl) besteht.
4. Verfahren zur Erzeugung einer Speicherzellenanordnung, - bei dem eine erste Lage metallischer Leitungen (Ll), die parallel zueinander verlaufen, erzeugt wird, - bei dem über der ersten Lage der metallischen Leitungen
(Ll) eine erste Lage von Speicherzellen so erzeugt wird, daß die Speicherzellen der ersten Lage mit den metallischen Leitungen (Ll) der ersten Lage verbunden sind, - bei dem für die Speicherzellen der ersten Lage jeweils eine Speicherelement und eine dazu m Reihe geschaltete Diode erzeugt werden,
- bei dem für die Diode eine Schichtstruktur erzeugt wird, die aus mindestens zwei Metallschichten (Ml, M2 ) und aus einer dazwischen angeordneten isolierenden Schicht (II) besteht,
- bei dem für das Speicherelement eine Schichtstruktur mit magnetoresistivem Effekt erzeugt wird,
- bei dem die Schichtstruktur des Speicherelements und die Schichtstruktur der Diode übereinander erzeugt werden,
- bei dem über der ersten Lage der Speicherzellen eine zweite Lage metallischer Leitungen (L2), die parallel zueinander und quer zu den metallischen Leitungen (Ll) der ersten Lage verlaufen, so erzeugt wird, daß die Speicherzellen der er- sten Lage jeweils zwischen eine metallische Leitung (Ll) der ersten Lage und eine metallische Leitung (L2) der zweiten Lage geschaltet sind,
- bei dem über der zweiten Lage der metallischen Leitungen
(L2) entsprechend den Speicherzellen der ersten Lage aufge- baute Speicherzellen einer zweiten Lage erzeugt werden,
- bei dem über der zweiten Lage der Speicherzellen eine dritte Lage metallischer Leitungen (L3), die parallel zueinander und quer zu den metallischen Leitungen (L2) der zweiten Lage verlaufen, so erzeugt wird, daß die Speicherzellen der zweiten Lage jeweils zwischen eine metallische Leitung (L2) der zweiten Lage und eine metallische Leitung (L3) der dritten Lage geschaltet sind.
5. Verfahren nach Anspruch 4, - bei dem eine erste leitende Schicht und darüber Schichten (Ml, II, M2, Gl, Nl, G2 ) zur Erzeugung der ersten Lage der Speicherzellen erzeugt werden, - bei dem die Schichten (Ml, II, M2, Gl, Nl, G2) zur Erzeugung der ersten Lage der Speicherzellen und die erste leitende Schicht mit Hilfe einer ersten streifenformigen Maske so strukturiert werden, daß aus der ersten Schicht die er- ste Lage der metallischen Leitungen (Ll) erzeugt wird,
- bei dem isolierendes Material abgeschieden und planarisiert wird, so daß voneinander getrennte streifenformige erste isolierende Strukturen (Sl) erzeugt werden,
- bei dem eine zweite leitende Schicht und darüber Schichten (M3, 12, M4, G3, N2, G4) zur Erzeugung der zweiten Lage der
Speicherzellen aufgebracht werden,
- bei dem die Schichten (M3, 12, M4, G3, N2, G4) zur Erzeugung der zweiten Lage der Speicherzellen, die zweite leitende Schicht und die Schichten (Ml, II, M2, Gl, Nl, G2) zur Erzeugung der ersten Lage der Speicherzellen mit Hilfe einer streifenformigen zweiten Maske so strukturiert werden, daß aus der zweiten Schicht die zweite Lage der metallischen Leitungen (L2) erzeugt wird, und daß aus den Schichten (Ml, II, M2, Gl, Nl, G2 ) zur Erzeugung der ersten Lage der Speicherzellen die Speicherzellen der ersten Lage erzeugt werden,
- bei dem isolierendes Material abgeschieden und planarisiert wird, so daß voneinander getrennte streifenformige zweite isolierende Strukturen (S2) erzeugt werden, - bei dem eine dritte leitende Schicht aufgebracht wird,
- bei dem die dritte Schicht und die Schichten (M3, 12, M4 , G3, N2, G4) zur Erzeugung der zweiten Lage der Speicherzellen mit Hilfe einer streifenformigen dritten Maske so strukturiert werden, daß aus der dritten Schicht die dritte Lage der metallischen Leitungen (L3) erzeugt wird, und daß aus den Schichten (M3, 12, M4, G3, N2, G4) zur Erzeugung der zweiten Lage der Speicherzellen die Speicherzellen der zweiten Lage erzeugt werden.
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5,
- bei dem eine der zwei Metallschichten (Ml) der Diode als Teil einer der metallischen Leitungen (Ll) erzeugt wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, - bei dem für die Schichtstruktur des Speicherelements mindestens zwei magnetische Schichten (Gl, G2 ) und eine dazwi- sehen angeordnete nichtmagnetische Schicht (Nl) erzeugt werden.
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