WO2001037387A1 - Laser a semiconducteur - Google Patents

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WO2001037387A1
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Takeharu Yamaguchi
Toshikazu Mukaihara
Akihiko Kasukawa
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The Furukawa Electric Co., Ltd
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    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34313—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor laser device, and more particularly, to a semiconductor laser device which exhibits a linear injection current-optical output power I 'generation, has a stable emission power, and is suitable for a communication field.
  • a solid-state laser element related to a solid-state laser element,
  • the 980 nm band half-laser device of the InGaAs system uses the optical amplification of the optical fiber communication system. It is often used as a source.
  • a semiconductor laser device used as an excitation light source of an optical amplifier or the like has a power ball in which an optical output and an oscillation spectrum move in relation to an injection current.
  • the ⁇ current-light output characteristic is fountain-like, and the effect of the return light is suppressed.
  • the firing vector is preferably vertical mode.
  • a conventional InGaAs-based 980 nm-band laser device is described.
  • Fig. 4 Fig. 4 is an Iffi diagram showing the configuration of this laser device in the 980 nm band of the InGaAs system based on ⁇ .
  • a conventional InGaAs-based 980 nm band semiconductor laser device 10 is a 2 / xm-thick n / xm-thick n-type GaAs substrate 12 which is sequentially and epitaxially grown on a 100-m-thick n-type GaAs substrate 12.
  • Type A 1 Ga As clad layer 14 active of quantum well structure of InGaAs / GaAs pair 'I4H 16, ⁇ -type A 1 Ga As clad layer 18, J ⁇ 2 / zm 18, p-type of mnmo. It has a laminated structure composed of a GaAs cap layer 20.
  • the upper portions of the P-type cap layer 20 and the p-type cladding layer 18 are formed as a 4-layer, tri-shaped mesa structure.
  • a passivation film 22 made of a SiN film is formed on the sidewall of the mesa structure and on the p-type cladding layer 18.
  • a p-side electrode 24 composed of a laminated metal film of Ti / Pt / Au is provided, and on the back surface of the GaAs substrate 12, Au Ge / 26 n-poles each composed of a NiZAu laminated metal film are formed.
  • FIGS. 5A to 5C are cross-sectional views of the substrate for each process when the InGaAs-based 980 nm-band semiconductor laser device is assembled.
  • the Bil-2 m n-type A1GaAs clad layer 14, InGaAsZGaAs pair of quantum wells are successively formed on the n-type GaAs substrate 12 by MOCVD.
  • a p-type AIG a As cladding layer 18 of / m and a p-type GaAs cap layer 20 of 0.3 m in thickness are epitaxially grown to form a crane structure as shown in FIG. 5A.
  • the upper portions of the p-type cap layer 20 and the p-type clad layer 18 are etched to form a striation-shaped mesa structure having a width of 4 m as shown in FIG. 5B.
  • an SiN film 22 is formed as a passivation film on the entire surface of the substrate, and then the 51 film 22 is etched to expose the cap layer 20 as shown in FIG. 5C.
  • a laminated metal film of Ti / PtZAu is deposited on the entire surface of the substrate to form p j-electrodes 24. Further, the back surface of the GaAs substrate 12 is polished until the thickness becomes 100 m, and subsequently, an AuGeZNi / Au crane metal film is vapor-deposited on the entire back surface to form an n-cage 26. Thereby, the semiconductor laser device 10 shown in FIG.
  • the bandgap energy ⁇ of the ⁇ -type GaAs substrate 12 was 1.41 eV
  • the bandgap energy of the active layer 16 was Eg2
  • the energy was 1.27 eV. > Because it is Eg2,?
  • the light emitted from the tongue layer acts as a power source when it travels through the substrate. Therefore, if the ground surface of the GaAs substrate 12 of the Kasumoto laser element 10 is mirror-finished, the light that has passed through the Ga As substrate 12 is reflected by the fundamental surface as shown in FIG. And combine with the light in the reflective layer.
  • the first problem is that it occurs in the kink current ⁇ current-light output characteristic I ', and as shown in Fig. 7, The linearity of the light output with respect to the flow is lost. In other words, since a kink phenomenon force is generated, stable ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ PC (Automatic Power Control) operation cannot be performed.
  • the second problem is that the influence of the returning light increases.
  • the oscillation spectrum has ripples of about 3 nm intervals as shown in Fig. 8. This is a phenomenon that occurs due to the formation of a composite force of a normal Fabry-Perot ttS device and a substrate.
  • the longitudinal mode is selected at 3 nm intervals.
  • the output shifts to ⁇ wavelength power while maintaining the mode spacing of 3 nm at the same time, resulting in »output and mod hobbing noise, which is observed as engraved sound.
  • the ripple mode causes a change to the sink mode, the I 'endurance due to the return light is reduced.
  • an object of the present invention is to provide a semi-laser element that operates in a stable state with respect to the light output and the oscillation spectral power ⁇ current.
  • the present laser device is obtained by growing an active layer having a band gap 'energy E g 2 having a band gap of E gl> E g 2 on the substrate by a half of the band gap' energy E g 1 ⁇ T.
  • the absorption medium layer that absorbs the laser light oscillated by the active layer is formed on the shoe substrate.
  • Absorption medium layer shape Although there is no restriction on the method, it is formed by the absorption medium layer strength, the metal electrode formed on the back surface of the semi-hard substrate, and the alloy of this substrate because of the easiness of the process.
  • the absorbent layer on the Kasumoto base surface is an InGas layer
  • the alloy is shaped fi! That is, the metal electrode layer formed on the base surface of the GaAs substrate has an In layer in contact with the base g surface, and the P and collection medium layers have a ⁇ i layer on the base surface.
  • a treatment is performed to form an alloy of In with the metal Mi and Ga As on the Ga As substrate.
  • the absorption medium layer that absorbs the laser light oscillated by the active layer is sufficiently thin. Is formed. As a result, the laser beam oscillated in the active layer is directed from the substrate side of the active layer toward the base plane because the band gap-energy Eg 1 force of the semiconductor substrate; and the band gap-energy Eg2 force of the active layer is small. However, the laser light is absorbed by the absorbing medium layer.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a semiconductor laser device according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a graph showing 3 ⁇ 4 ⁇ current-light output characteristics of the hard-shaped body laser device.
  • FIG. 3 is a diagram showing the power of the laser element in the difficult window.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a configuration of a Wei InGaAs-based 980 nm laser device.
  • 5A to 5C are cross-sectional views of a substrate in each process when a conventional InGaAs-based 980 nm band semiconductor laser device is used.
  • FIG. 6 is a schematic diagram for explaining that the laser light reflected on the surface of the substrate is reflected by the surface and is combined with the laser light from the re-lingual layer.
  • FIG. 7 is a graph showing a 9 * ⁇ current-optical output characteristic of a 3 ⁇ 4 * ⁇ 3 ⁇ 4 ⁇ laser element.
  • FIG. 8 is a diagram illustrating an oscillation spectrum J of a half laser element according to an embodiment. 3 ⁇ 41 of the invention
  • the ⁇ this laser device 30 of the present embodiment is formed on an n-type GaAs substrate 32 having a thickness of about 100 m and a band gap 'energy Egl force of 1.41 eV.
  • Band-gap energy formed as a quantum well structure consisting of two layers of n-type A1 GaAs cladding layer 34 and InGaAsZGaAs with a thickness of 2 / xm, which were sequentially grown epitaxially.
  • E g2 is smaller than n-type Ga As substrate 32 1.26 eV active layer 36, p-type A 1 GaAs cladding layer 38 of lU ⁇ 2 m, and J ⁇ 0.3 / x It has a laminated structure of m p3 ⁇ 4Gas s cap layers 40.
  • the upper portions of the P-type cap layer 40 and the p-type cladding layer 38 are formed as a stripe-shaped mesa structure having a width of 4 m.
  • a passivation film 42 made of SiN is formed on the exposed p-type cap layer 40 and the passivation film 42.
  • an n-type electrode 46 made of a metal film of InZAuGeZNiZAu is formed on the back surface of the n-type GaAs substrate 32. Further, between the n-type GaAs substrate 32 and the n-type layer 46, an InGaAs layer 48 and an active layer 36 are interposed as a layer for absorbing laser light having an oscillation wavelength.
  • the MOCVD method is used to form the I-type laser beam on the ⁇ -type GaAs substrate 32 in the same manner as in the conventional method.
  • the cap layer 40 is epitaxially grown to form a crane.
  • the upper portions of the p-type cap layer 40 and the p-type clad layer 38 are etched to form a stripe-shaped mesa structure having a width, and the entire surface of the substrate is covered with a SiN film 42 as a passivation film.
  • the p-type cap layer 40 is exposed by etching the SiN film 42.
  • a laminated metal film of TiZPt / Au is deposited on the entire surface of the substrate to form p-type 24. Further, the thickness of the GaAs substrate 32 is ground until the thickness becomes 100 m.
  • a metal film of 1 n / AuGe / Ni, Au is sequentially deposited on the entire back surface, and an nfii magic pole composed of a stacked ⁇ film is formed.
  • the InGaAs layer 48 of about 0.9 eV is formed on the back surface of the n-type GaAs substrate 32.
  • the bandgap energy Eg1 of the n-type GaAs substrate 32 is smaller than the bandgap energy Eg2 of the active layer 36,?
  • the laser light having an oscillation wavelength of 980 nm oscillated by the tongue layer 36 passes through the n-type GaAs substrate 32 from the substrate surface on the active layer side to the base surface, but the transmitted laser light reaches the rear surface of the substrate. I is not reflected and is absorbed by I11 ⁇ 385 layer 48.
  • the morphological rope since the amount of laser light reversing with the substrate S of the n-type GaAs substrate 32 is reduced, the linearity of the optical output with respect to the ⁇ £ ⁇ current is reduced.
  • the oscillation spectrum is low and the oscillation mode changes to the sink HI mode.

Description

明細書
半導体レーザ素子
漏分野
本発明は、 半導体レーザ素子に関し、 更に詳細には、 直線的な注入電流-光出力持 I'生を示し， かつ安定した発 i ^ぺクトルを有して ¾®信分野に §¾な¥¾体レーザ素子に関するものである,， 従纖 '
翅信分野では、 糟本レーザ装動 ¾んに脑されていて、 特に I n G a A s系の 980 nm帯半 本レーザ装置は、 光ファイバ通信系の光増巾 §§§の励！^源として多用されている。
光増幅器の励起光源等として使用される半導体レーザ素子は、 光出力及び発振スぺクトルが注入電流 に対して した関係で動 ること力球められてレ ^る。
具体的には、 例えば光増幅動作の iff頁性を高めるために、 Οίλ電流一光出力特 I生は 泉的であることが 求められ、 また、 戻り光の影響を抑制] Τるために、 発 ベクトルは し 縦多モード発觸好 ましい。
ここで、 図 4を参照して、 従来の I nGaAs系の 980 nm帯糟本レーザ素子の構成を説明して いる。 図 4 ί¾ ^の I n G a A s系の 980 nm帯 本レーザ素子の構成を示す Iffi図である。 従来の I nGaAs系の 980 nm帯半導体レーザ素子 10は、 図 4に示すように、 厚さ 100 m の n型 GaAs基板 12上に、 順次、 ェピタキシャル成長させた、 膜厚 2 /xmの n型 A 1 Ga As クラ ッド層 14、 I nGaAs/GaAs のペアの量子井戸構造の活' I4H 16、 J¥ 2 /zmの ρ型 A 1 Ga As クラッド層 18、 mnmo. 3 ΓΠの p型 GaAsキャップ層 20からなる積層構造を備えてい る。
積層構造のうち、 P型キャップ層 20及び p型クラッド層 18の上部は、 幅 4 のフ、トライプ状の メサ構造として形成されている。
p型キヤップ層 20上を除レて、 メサ構造の側壁及び p型クラッド層 18の上には、 S i N膜からな るパッシベーション膜 22力形成されている。 露出した p型キャップ層 20及びパッシベーション膜 22上には、 T i / P t /Auの積層金属膜か らなる p側電極 24せ、 G a As基板 12の裏面には、 A u G e /N i ZA uの積層金属膜からなる n 彻魔極26カ、 それぞれ、 形成されている。
次に、 図 5A〜5Cを参照して、 ± した従来の ¥¾f本レーザ素子 10の ¾Γ法を説明する。 図 5 Α〜 5 Cは、 それぞれ、 縣の I nGaAs系の 980n m帯半導体レーザ素子を纏する際の工程毎 の基板断面図である。
先ず、 n型 GaAs基板 12上に、 MOCVD法によって、 順次、 Bil?2 mの n型 A 1 Ga As ク ラッド層 14、 I nGaAsZGaAsのペアの量子井戸髓の活¾)116、 J?2 //mの p型 A I G a Asクラッド層 18、 及び膜厚 0. 3 mの p型 GaAsキャップ層 20をェピタキシャル成長させ、 図 5 Aに示すように、 鶴構造を形 る。
次いで、 p型キャップ層 20及び p型クラッド層 18の上部をエッチングして、 図 5 Bに示すように、 幅 4 mのストライフ状のメサ衞造を形成する。
続いて、 基板上全面にパッシベ一シヨン膜として S iN膜 22を雌し、 次いで、 51 膜22をェ ツチングして、 図 5 Cに示すように、 キヤップ層 20を露出させる。
次いで、 基板上全面に T i/P tZAuの積層金属膜を蒸着させ、 p個 j電 I亟 24を形成する。 また厚 さが 100 mになるまで、 GaAs基板 12の裏面を研磨し、 続いて、 裏面全面に A u G e ZN i / Auの鶴金属膜を蒸着させ、 n 籠 26を形 る。 これにより、 図 4に示す^ ¾体レーザ素子 1 0を すること力できる。
した縣の半 ¾f本レーザ素子 10では、 η型 GaAs基板 12のバンドギャップ'エネルギー E gl力 1. 41 eVであり、 活性層 16のバンドギャップ-エネルギー Eg2力 1. 27 eVであって、 Egl >Eg2であることから、 ？舌性層から した光は、 基板の中を ること力河能となる。 そこで、 糟本レーザ素子 10の GaAs基板 12の研鶴面が鏡面仕上げになっている場合、 Ga As基板 12中を した光は、 図 6に示すように、 基髓面で反射され 反射光となって、 再 ϋ¾性 層の光と結合する。
基 S«®での反射光と活性層からの光とカ結合する場合、 以下の二つの問題が生じる。
第 1の問題は、 キンク現^^電流—光出力特 I'生に発生することであって、 図 7に示すように、 注入電 流に対する光出力の直線性が損なわれる。 つまり， キンク現象力発生することから、 安定した Λ P C (Automat ic Power Control) 動作を持 できなくなってしまう。
また、 第 2の問題は、 戻り光による影響力 ί大きくなることである。 基 1KB面での反射光と活性層から の光と力結合する場合、 発振スペクトルでは、 図 8に示すように、 およそ 3 n m間隔のリップルが れ る。 これは、 通常のフアブリペロー ttS器と基板との Λ«器という複合^ 力形成されていることに より発生する現象である。
このような場合、 縦モードが 3 nm間隔で選択される。 ¾λ電流を変化させると、 3 nmのモ一ド間 隔を保ったまま颜波長力 に齊 カ果でシフトするため、 出力が »し、 翻雕音として観測されるモ 一ドホッビング雑音が生じる。 発振モードは、 このリップルに起因してシンクリ モードとなること力、 ら、 戻り光による耐 I'生が ¾{ヒする。 発明の概要
そこで、 本発明の目的は、 光出力及び発振スペクトル力 ϋλ電流に対して安定した状態で動作する半 レーザ素子を iff共することである。
本発明に係る 本レーザ素子は、 バンドギャップ 'エネルギー E g 1 を^ Tる半 (本基板上に、 E g l >E g2 のバンドギャップ 'エネルギー E g 2 を有する活性層を結晶成長させてなる半導体レーザ 素子において、 活性層で発振したレーザ光を吸収する吸収媒質層が、 半靴基板の麵に形成されてい ることを^としている。
吸収媒質層の形！^法に制約はないが、 には、 プロセスの容易性から、 吸収媒質層力、 半難基 板の裏面に形成された金属電欄と、 本基板との合金 応により形成されてレる。
具体的には、 糟本基職面の吸霍質層は、 半 ί本基板が G a As基板であるとき、 I n G a A s 層であって、 1 11と〇3八5 との合金 { 応により形 fi! る。 即ち、 G a As基板の基纏面に形成さ れた金属電極層が、 基 «g面に接して I n層を有し、 P及収媒質層が、 基 面上に^ ^i層を形成し た後に、 麵理を施して金属 Miの I nと G a As基板の G a As とを合金化してなる I n
G a A s層である。
本発明に係る半導体レーザ素子では、 活性層で発振するレーザ光を吸収する吸収媒質層カ堪 面に 形成されている。 その結果、 半導体基板のバンドギャップ-エネルギー Eg 1 力;活性層のバンドギ プ-エネルギー Eg2力小さいために、 活性層で発振したレーザ光が活性層側基板面から基ί¾面に向 けて半導体基板を翻するものの、 レーザ光は吸収媒質層で吸収される。
従って、 本発明に係る半導体レー 素子では、 半導体基板の基板裏面で反射するレーザ光の光量;^減 少するので、 注入電流に対する光出力の直線性力 ¾封寺され カゝつ， ¾ スぺクトルが安定し、 発振モー ドがシン モードになるようなことはない。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明のー¾5^態例の半導体レーザ素子の構成を示す断面図である。
図 2は、 難形 ^の 体レーザ素子の ¾λ電流—光出力特性を示すグラフである。
図 3は、 難形窗列の ；レ一ザ素子の発 ぺクトルを示す図である。
図 4は、 魏の I nGaAs系の 980 nm帯糟本レーザ素子の構成を示す断面図である。
図 5 A〜 5 Cは、 それぞれ、 従来の I nGaAs系の 980 nm帯半導体レーザ素子を する際の 工程毎の基板断面図である。
図 6は、 基板中を (aしたレーザ光が 面で反射し、 再 舌性層からのレーザ光と結合すること を説明する模式図である。
図 7は、 ¾*の¥¾^レーザ素子の 9ΐλ電流-光出力特 を示すダラフである。
図 8は、 態例の半 本レーザ素子の発振スぺクト Jレを示す図である。 発明の ¾1な の
以下に、 魏形 を挙げ、 爾寸図面を参照して、 本発明の鶴の形態を具体的カゝっ画に説明する。 図 1を参照すると、 本 形態例の ^本レーザ素子 30は、 図 1に示すように、 厚さが 100 m 程度でバンドギャップ'エネルギー Egl 力 1. 41 eVの n型 GaAs基板 32上に、 順次、 ェピ夕 キシャル成長した、 膜厚 2 /xmの n型 A 1 GaAsクラッド層 34、 I n G a A s ZG a A sの 2層か ら成る量子井戸構造として形成され バンドギヤップ ·エネルギー E g2が n型 G a As基板 32より 小さい 1. 26 eVの活性層 36、 lU¥2 mの p型 A 1 GaAsクラッド層 38、 及び J¥0. 3 /x mの p ¾G a A sキヤップ層 40の積層構造を備える。
P型キャップ層 40及び p型クラッド層 38の上部は、 幅 4 mのストライプ状メサ構造として形成 されている。
p型キャップ層 40上を除くメサ構造の側面及び p型クラッド層 38上には、 S i Nからなるパッシ ベーション膜 42力 莫されていて、 露出した p型キャップ層 40及びパッシベーション膜 42上には、 T i ./P t ZAuの禾廳金属膜からなる pffl¾f!44力形成されている。
n型 GaAs基板 32の裏面には、 I nZAu G eZN i ZAuの禾廳金属膜からなる n彻魇極 46 力形成されている。 そして、 n型 GaAs基板 32と n型 ¾g46との間には、 I nGaAs層 48カ^ 活性層 36の発振波長のレーザ光の吸霍質層として介在している。
Φ¾Μί¾ΐΙί列の半報本レーザ素子 30を ί¾するには、 従来の方法と同様にして、 η型 GaAs基板 32上に、 MOCVD¾ ^によって、 I頼次、 （ /¥2/imの n型 A 1 Ga As クラッド層 44、 I nGa As /GaAs の 2層からなる量子井戸構造の活性層 36、 ）ii)?2 mの p型 A 1 Ga As クラッド層 38、 MMmO. 3 /xmの p型 GaAsキャップ層 40をェピタキシャル成長させ、 鶴ネ髓を形成 する。
次に、 p型キャップ層 40及び p型クラッド層 38の上部をエッチングして、 幅 のストライプ 状のメサ構造を形成し、 基板上全面にパッシベ一シヨン膜として S iN膜 42を纏し、 次いで S iN 膜 42をエッチングして p型キャップ層 40を露出させる。
次に、 基板上全面に TiZP t/Auの積層金属膜を蒸着させ、 p佃應 24を形^ tる。 また、 厚 さが 100 mになるまで、 GaAs基板 32の麵を研 る。
続いて、 ； » 態例の ¥ ^本レーザ素子 30のィ懷では、 裏面全面に、 順次、 1 n/AuGe/N i ,A uの金属膜を蒸着させ、 積層^ 膜からなる nfii魔極 46を形 る。
次いで、 1彻雇極46を形成した基板に、 水素雰囲気内で ¾S350° の！^理を 5分間 ことに より、 n側電極 46を形成する積層金属膜の I nと n型 GaAs基板 32の GaAs との合金ィ 応を 行う。 この結果、 が約 1 OOnmの I nGaAs層 48を η ¾ΐ46と n型 GaAs基板 32と の間に形) ¾Τることカ^きる。
Φ¾¾形 i列の 体レーザ素子 30では、 980 nmの発振波長に対して吸収媒質になる、 ギヤップ ·エネルギー E g 3力およそ 0. 9eVの I nGaAs層 48が n型 G a As基板 32の基板 裏面に形成されている。
その結果、 n型 GaAs基板 32のバンドギャップ ·エネルギー E g 1 が活性層 36のバンドギヤッ プ-エネルギー Eg2力小さいために、 ？舌性層 36で発振した発振波長 980 nmのレーザ光が、 活性 層側基板面から基藤面に向けて n型 G a As基板 32を腿するものの、 通したレーザ光は、 基板 裏面に至 I健して反射されることなく、 I 11〇3八5層48で吸収される。
従つて、 賴施形綱では、 n型 G a As基板 32の基 ¾S®で反身 るレーザ光の光量が減少する ので、 ί£λ電流に対する光出力の直镍性カ霍寺され 力つ、 発振スペクトルが し、 発振モードがシ ンクリ HIモードになるようなこと ( ょレ。
;φ¾ϋ形綱の半 本レーザ素子 30と同じ構成の 体レーザ素子を試作し、 電流一光出力特 I'生を 測定したところ、 図 2に示すように、 注入電流 300mAまでキンクのなレ tl的特性を示した。 また、 発 ベクトルを観測したところ、 図 3に示すように、 リップルは ¾し、 モード発振し ていること力 萑¾できた。
なお、 上記は 980 nm帯レーザについて言 ¾βしたが、 活性層のバンドギヤップ波長が 1〜 3 m帯 のレーザ （例えば、 活性層が I nGaNAsで構成されているもの） についても同様の効果力溯待でき る。

Claims

請求の範囲
1 . バンドギャップ 'エネルギー E g 1 を有する半導体基板上に、 E g l > E g 2 のバンドギヤ ップ 'エネルギー E g 2 を^" Tる活性層を結晶成長させてなる半導体レ一ザ素子において、 活性層で 発振したレーザ光を吸収する吸収媒質層が、 半 本基板の に形成されていることを特徴とする 体レーザ素子。
2. P及収媒質層が、 半導体基板の裏面に形成された金属電極層と、 半導体基板との合金ィ匕反応に より形成されてレゝることを特徴とする請求項 1に記載の半導体レーザ素子。
3. 半 #f本基板が G a As基板であり、 P及収媒質層が I n G a A s層であることを特徴とする請 求項 1又は 2に示す 本 ¾ ^子。
4. G a As基板の基 面に形成された金属電極層が、 基 面に接して I n層を有し、 吸収 媒質層力、 基 面上に金属 ¾¾層を形成した後に、 拠理を施して金属電極層の I nと G a As基板 の G a As とを合金化してなる I n G a A s層であることを^とする請求項 3に記載の半 本レーザ
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