WO2001062051A1

WO2001062051A1 - Dispositif electroluminescent organique actif et procede de fabrication

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Publication number: WO2001062051A1
Application number: PCT/JP2001/001123
Authority: WO
Inventors: Chishio Hosokawa
Original assignee: Idemitsu Kosan Co., Ltd.
Priority date: 2000-02-16
Filing date: 2001-02-16
Publication date: 2001-08-23
Also published as: KR100849314B1; CN1185909C; EP1191820A1; KR20070087082A; JP4434411B2; KR20080043410A; US20020011783A1; JP2001230086A; US6538374B2; US6933672B2; US20050248266A1; EP1191820A4; EP2262349A1; US20070247064A1; US7994705B2; CN1363200A; KR20020000875A; US20030151355A1; KR100782670B1; US7250718B2

Description

明細書ァクティブ駆動型有機 E L発光装置およびその製造方法技術分野

本発明は、薄膜トランジスタ（T FTと称する場合がある。）を備えたァクテイブ駆動型有機 EL発光装置（以下、単に有機 EL装置と称する場合がある。）に関する。さらに詳しくは、民生用、工業用の表示機器、カラ一ディスプレイ等に好適に用いられる有機 EL装置に関する。

なお、本明細書において、 "EL" と記載しているのは、 "エレクト口ルミネッセンス" のことである。背景技術

従来、有機 EL発光装置（ディスプレイ）においては、 XYマトリックス電極により単純駆動させて画像表示を行う方式のいわゆる単純駆動型有機 E L発光装置が知られている（特開平 2— 37385号公報、特開平 3— 233891号公報など）。

しかしながら、このような単純駆動型有機 EL発光装置では、いわゆる線順次駆動を行うので、走査線数が数百本ある場合には、要求される瞬間輝度が、観察輝度の数百倍となり、結果として、以下のような問題が生じていた。

(1) 駆動電圧が、直流定常電圧の場合の 2〜3倍以上と高くなるため、発光効率が低下したり、消費電力が大きくなる。

(2) 瞬間的に流れる電流量が数百倍となるため、有機発光層が劣化しやすい。

(3) (2) と同様に、電流量が非常に大きいため、電極配線における電圧降下が大きくなる。

そのため、単純駆動型有機 EL発光装置の有する問題点を解決するため、 TF T (thin film transistor) により有機 E L素子を駆動させる各種のアクティブ駆動型有機 EL発光装置が提案されている（特開平 7— 122360号公報、特開平 7— 122361号公報、特開平 7 _ 153576号公報、特開平 8— 548 36号公報、特開平 7— 111341号公報、特開平 7— 312290号公報、特開平 8— 109370号公報、特開平 8— 129359号公報、特開平 8— 2 41047号公報、特開平 8 -227276号公報および特開平 11— 3399 68号公報など）。

このようなアクティブ駆動型有機 EL発光装置の構造例を図 18や図 19に示すが、かかるアクティブ駆動型有機 EL発光装置によれば、単純駆動型有機 EL 発光装置と比較して、駆動電圧が大幅に低電圧化し、発光効率が向上し、しかも、消費電力が低減できること等の効果を得ることができる。

しかしながら、このような効果を有するァクティブ駆動型有機 E L発光装置であっても、以下に示す (1) 〜（3) の問題が生じていた。

(1) 画素の開口率が小さくなる。

アクティブ駆動型有機 EL発光装置においては、透光性の基板上に、 TFTが画素一つに対して少なくとも一つ設けられ、さらに TFTを選択して駆動するために走査電極線や信号電極線が基板上に多数設けられていた。したがって、透光性基板側より光を取り出す場合、これら TFTや各種電極線が光を遮るため、画素の開口率（実際に発光する部分が画素中に占める割合）が小さくなるという問題が生じた。例えば、最近開発されたアクティブ駆動型有機 EL発光装置にあつては、有機 E L素子を定電流で駆動ィヒするための T F Tが前記二つの T F Tに加えて複数設けられているため、開口率がますます小さくなつている（約 30%以下）。その結果、開口率に応じて、有機発光媒体を流れる電流密度が大きくなり、有機 E L素子の寿命が短くなるという問題が生じていた。

この点、図 10、図 11および図 18を参照してより詳細に説明する。図 10 は、図 18に示すァクティブ駆動型有機 E L発光装置 100をスィツチ駆動させるための回路図を示しているが、基板上にゲードライン（走査電極線） 50 (図 18では 108) と、ソースライン（信号電極線） 51とがそれぞれ形成してあり、 XYマトリックス状をなしていることを表している。また、ソースライン（信号電極線） 51と平行に、共通電極線 52が設けてある。そして、これらのゲートライン 50およびソースライン 51には、一画素あたり、第 1の TFT55および第 2の TFT 56とが設けてある。また、第 2の TFT 56のゲート側と共通電極線 52との間には、当該ゲート電圧を一定にホールドするためのコンデンサー 57が連結してある。したがって、図 10に示す回路図に示される第 2の TFT 56のゲートにコンデンサ一 57により維持された電圧を印加し、スイッチングすることにより、結果として、有機 EL素子 26を効果的に駆動することができる。

なお、図 11に示す平面図は、図 10に示す回路図に準拠したスィッチ部等の平面方向の透視図である。

よって、図 18に示すアクティブ駆動型有機 EL発光装置 100においては、下部電極（I T〇、インジウムチンォキサイド） 102側、すなわち基板 104 側から E L発光を取り出す場合には、 TFT106、ゲートライン 108、ソースライン（図示せず。）等が EL発光を遮るため、画素における開口率が小さくなるという問題があった。

なお、図 19に示すような、 TFT200と、有機 EL素子 202とを、同一平面上に配置したアクティブ駆動型有機 EL発光装置 204にあっては、 TFT 200等が EL発光を遮ることはないが、図 18に示すアクティブ駆動型有機 E L発光装置 100と比較して、さらに画素における開口率が低下することになる。

(2) 上部電極の面抵抗が大きい。

一方、基板の反対側、すなわち上部電極側から光を取り出す場合には、' TFT 等により遮蔽されずに、開口率が大きいまま、高輝度の画像が得られる可能性がある。しかしながら、上部電極側から EL発光を取り出す場合、効率的に外部に EL発光を取り出すために、上部電極を透明導電材料で形成する必要があった。そのため、上部電極の面抵抗が例えば 20 口を超える値となり、結果として、大面積表示をする際に大きな問題が生じることとなった。

例えば、対角サイズが 20インチ（縦横比 3 ： 4) の EL発光装置を全面、輝度 300 n i tで発光しょうとすると、有機発光媒体に、 10 c dZA (単位電流あたりの光量を示す。）の高い発光効率を有する有機発光材料を用いたとしても 3600 mAの大電流を上部電極に流す必要が生じた。

より具体的には、上部電極の抵抗による電圧降下の値は、 ∑n i rで表され、下式に基づいて計算される。

∑n i r = 1/2 XN (N+l) i r

N：横方向の全画素数 X 1/2

r ：一画素における上部電極の抵抗値（Ω) i ：一画素に流れる定電流値（A)

したがって、例えば、発光効率を 10 c d/A、発光輝度を 300 n i t、画素形状を 200X 600 m角、上電極の面抵抗を 20 Ω /口とすると、画素電流値は 3. 6X10— ⁶Aとなり、しかも横方向の全画素数を 2000とすると、横方向の電圧降下は 12 V (1/2 X 1 00 0 X 1 0 0 0 X 3. 6 X 10"⁶X 2 OX 1/3) となり、定電流駆動を行う際の駆動回路の電圧許容範囲（10 V) を超えることになる。よって、実質的に、上記条件で発光させることは困難であった。

すなわち、上部電極の面抵抗が大きいと、それに対応して特に画面中央部の電圧降下が大きくなり、結果として、発光輝度が著しく低下するという問題が顕在化した。なお、画素ごとに定電流（一定輝度）となるように回路を用いて補正することも試みられているが、それでは不十分であった。

(3) 製造上、上部電極における抵抗値の制御が困難である。

対角サイズが数ィンチ〜 10ィンチ級のァクティブ駆動型有機 E L発光装置の上部電極において、 I T〇や、 Ζη〇の一般的材料を用いて比抵抗を低抵抗値、例えば、 1 X 10— ³Ω · cm以下の値とするには、加熱温度を 200°C以上の値とする必要があることが知られている。しかるに、有機発光媒体の耐熱性は、通常 200°C以下であるため、加熱温度をそれ以下の低温とする必要がある。したがって、上部電極の比抵抗の値を制御できずに、 1 X 10_³ Ω · cmを超える場合があり、結果として、面抵抗が 20 Ω /口を超える高い値になるという問題が見られた。また、有機発光媒体上に IT 0や I ZO等の酸化物を用いて上部電極を形成する際に、スパッタリングにプラズマを用いた場合には、有機発光媒体がプラズマで損傷を受けるという問題も見られた。

本発明は、上述の問題に鑑みなされたものであり、有機 EL素子を駆動するための T FTを設けた場合であっても、各画素における開口率を大きくすることができ、かつ、上部電極側から発光を取り出した場合であっても上部電極の面抵抗を低下させることができる有機アクティブ EL発光装置であって、高輝度、均質輝度の画像表示が可能な有機ァクティブ EL発光装置、およびそのような有機ァクティプ E L発光装置を効率的に製造することが可能な製造方法を提供することを目的とする。発明の開示

[ 1 ] 本発明によれば、上部電極と下部電極との間に有機発光媒体を含んでなる有機 E L素子と、この有機 E L素子を駆動するための T F Tと、を備えたァクティブ駆動型有機 E L発光装置において、有機 E L素子が発光した光（E L発光）を、上部電極側より取り出すとともに、上部電極が、透明導電材料（透明半導体材料を含む。）からなる主電極と、低抵抗材料からなる補助電極とから構成してあることを特徴としている。

このように構成すると、 T F Tを設けた場合であっても開口率を大きくすることができるとともに、上部電極側から発光を取り出した場合であつても上部電極の面抵抗を低下させることができる。

また、輝度向上を図ることができ、さらには、有機発光媒体に流れる電流密度が低減できるため、有機発光媒体の寿命を著しく伸ばすことができる。

[ 2 ] また、本発明のアクティブ駆動型有機 E L発光装置を構成するにあたり、薄膜トランジスタ一および画素の選択手段用トランジスターから構成された電気スィツチと、当該電気スィツチを駆動するための走査電極線および信号電極線と、を有することが好ましい。

すなわち、例えば XYマトリックス状に配設された走査電極線および信号電極線並びに、これらの電極線に電気接続された T F Tと、画素の選択手段用トランジスターとから構成された電気スィッチを有することが好ましい。

このように構成すると、任意の画素を選択するとともに、走査電極線および信号電極線を介して、走査信号パルスおよび信号パルスを印加し、 T F Tを含む電気スィッチのスィッチ動作を行うことにより、有機 E L素子を効率的に駆動させることができる。

[ 3 ] また、本発明のアクティブ駆動型有機 E L発光装置を構成するにあたり、透明導電材料が、導電性酸化物、光透過性金属膜、非縮退の半導体、有機導電体、および半導 '1生炭素化合物からなる群から選択された少なくとも一つの材料であることが好ましい。すなわち、上部電極の面抵抗を低減できるので、主電極においては、従来用いられてきた透明導電材料のみならず、それ以外の透明導電材料についても使用できるようになり、上記透明導電材料についても使用することが可能になった。例えば、非縮退の半導体等であって、好ましくは 2 0 0 °C以下で、さらに好ましくは 1 0 0 °C以下の低温で成膜が可能な材料を使用することができるため、成膜時の有機層の熱損傷を小さくすることができる。.また、有機導電体、および半導性炭素化合物等を使用することにより、低温での蒸着または湿式コーティングが可能となる。

[ 4 ] また、本発明のアクティブ駆動型有機 E L発光装置を構成するにあたり、補助電極が、平面内において周期的に配置されていることが好ましい。

例えば、補助電極をマトリックス状や、ストライプ状等に配置することにより、上部電極を均一に、しかも効果的に低抵抗化することができる。

[ 5 ] また、本発明のアクティブ駆動型有機 E L発光装置を構成するにあたり、補助電極の断面形状が、オーバーハング状であることが好ましい。

このように構成すると、補助電極上に絶縁性の有機層が積層されていたとしても、オーバーハング（逆テーパ等も含む。）した上方部の下方に位置する部位を利用して、上部電極に対して確実に電気接続することができる。

[ 6 ] また、本発明のアクティブ駆動型有機 E L発光装置を構成するにあたり、補助電極が、下部補助電極と上部補助電極とからなることが好ましい。

このように補助電極を構成することにより、下部補助電極または上部補助電極を利用して、主電極に対して容易に電気接続することができる。また、このように下部補助電極と、上部捕助電極とに分離してあるため、オーバーハング形状を容易に形成することができる。

[ 7 ] また、本発明のアクティブ駆動型有機 E L発光装置を構成するにあたり、補助電極における下部補助電極および上部補助電極が、エツチング速度が異なる構成材料から構成してあることが好ましい。このように構成することにより、エッチング法により、オーバーハング形状を容易に形成することができる。

[8] また、本発明のアクティブ駆動型有機 EL発光装置を構成するにあたり、補助電極における下部補助電極および上部補助電極あるいはいずれか一方を、主電極に対して電気接続してあることが好ましい。

このように構成することにより、主電極に対してより容易かつ確実に電気接続することでき、結果として上部電極の低抵抗化を図ることができる。

[9] また、本発明のアクティブ駆動型有機 EL発光装置を構成するにあたり、補助電極が、有機 EL素子を形成するための層間絶縁膜上、下部電極を電気絶縁するための電気絶縁膜上、あるいは T F Tを電気絶縁するための電気絶縁膜上にそれぞれ形成してあることが好ましい。

このように構成することにより、画素における開口率をより広くすることがでさる。

[10] また、本発明のアクティブ駆動型有機 EL発光装置を構成するにあたり、 TFTの活性層が、ポリシリコンから形成してあることが好ましい。

ポリシリコンからなる活性層は、通電量に対して、好ましい耐性を有するため、このように構成することにより、耐久性の高い T F Tを有するァクティブ駆動型有機 EL発光装置とすることができる。

[11] また、本発明のアクティブ駆動型有機 EL発光装置を構成するにあたり、 TFT上に、層間絶縁膜が形成してあるとともに、当該層間絶縁膜上に有機 EL素子の下部電極が設けられており、かつ、 TFTと下部電極とが層間絶縁膜に設けたビアホールを介して電気接続してあることが好ましい。

このように構成することにより、 TFTと、有機 EL素子との間で、優れた電気絶縁性を得ることができる。

[12] また、本発明のアクティブ駆動型有機 EL発光装置を構成するにあたり、主電極に対して、補助電極から電荷を注入し、基板の主表面に対して平行に輸送した後、有機発光媒体に対して注入することが好ましい。

このように構成することにより、主電極に対し非金属の化合物を採用することができ、主電極の透明性を向上させることができる。なお、ここで非金属の化合物とは、例えば、後述の非縮退の半導体、有機導伝体または半導体の炭素化合物を意味する。

[ 1 3 ] また、本発明のアクティブ駆動型有機 E L発光装置を構成するにあたり、主電極の面抵抗を 1 Κ〜1 0 ΜΩ /口の範囲内の値とすることが好ましい。また、本発明のアクティブ駆動型有機 E L発光装置を構成するにあたり、補助電極の面抵抗を 0 . 0 1〜1 0 Ω /口の範囲内の値とすることが好ましい。

このような構成をそれぞれの電極がとることにより、高い発光輝度を与える電流を通電できるとともに、上部電極の面抵抗を確実に低下させることができる。

[ 1 4 ] また、本発明のアクティブ駆動型有機 E L発光装置を構成するにあたり、上部電極側に、取り出された発光を色変換するためのカラーフィルターおよび蛍光膜あるいはいずれか一方の部材が設けてあることが好ましい。

このように構成することにより、上部電極から取り出された発光をカラーフィル夕一又は蛍光膜で色変換して、フルカラー表示を行うことができる。

[ 1 5 ] また、本発明のアクティブ駆動型有機 E L発光装置を構成するにあたり、カラーフィルターまたは蛍光膜の一部にブラックマトリックスが形成してあり、当該ブラックマトリックスと、補助電極とが垂直方向において重なることが好ましい。

このように構成することにより、ブラックマトリックスにより補助電極の外光反射を効率的に抑えることができるとともに、開口率を広くすることができる。

C 1 6 ] また、本発明のァクティブ駆動型有機 E L発光装置を構成するにあたり、補助電極が、主電極上に形成してあるとともに、補助電極の面積を主電極の面積よりも小さくしてあることが好ましい。このように構成することにより、主電極を形成した後に、補助電極を形成することができるため、補助電極の形成がより容易となる。

[ 1 7 ] また、本発明のアクティブ駆動型有機 E L発光装置を構成するにあたり、補助電極が、周囲を覆う封止部材に埋設して設けてあることが好ましい。このように構成することにより、補助電極の厚さにより有機 E L発光装置の厚さが余分に厚くなることがない。また、補助電極を予め封止部材に形成することができるので、封止部材による封止と、補助電極と、主電極との電気接続を同時に実施することができる。

[ 1 8 ] また、本発明のァクティブ駆動型有機 E L発光装置を構成するにあたり、補助電極が、周囲を覆う封止部材と、主電極との間に、密着配置してあることが好ましい。

このように構成することにより、封止部材による封止と、補助電極と、主電極との電気接続を同時に実施することができる。

[ 1 9 ] また、本発明の別の態様は、アクティブ駆動型有機 E L発光装置を構成するにあたり、上部電極と下部電極との間に有機発光媒体を含んでなる有機 E L素子と、この有機 E L素子を駆動するための T F Tとを基板上に備えたァクティブ駆動型有機 E L発光装置の製造方法であり、有機 E L素子を形成する工程と、 T F Tを形成する工程とを含むとともに、当該有機 E L素子を形成する工程内で、下部電極および有機発光媒体を形成した後、透明導電材料（透明半導体材料を含む。）から主電極を形成し、さらに低抵抗材料から補助電極を形成して上部電極とすることを特徴としている。

このように実施すると、 T F Tを設けた場合であっても開口率が大きく、かつ、上部電極側から発光を取り出した場合であつても上部電極の面抵抗が低いァクティブ駆動型有機 E L発光装置を効果的に提供することができる。図面の簡単な説明

図 1は、第 1の実施形態におけるァクティブ駆動型有機 E L発光装置の断面図である。

図 2は、第 1の実施形態における層間絶縁膜を取り除いたァクティブ駆動型有機 EL発光装置例の断面図である。

図 3は、第 1の実施形態における補助電極の配置を変形した例の断面図である (その 1) 。

図 4は、第 1の実施形態における補助電極を周期的に配置した例の模式図である。

図 5は、第 2の実施形態におけるァクティブ駆動型有機 E L発光装置の断面図である。

図 6は、第 1の実施形態における補助電極の配置を変形した例の断面図である (その 2) 。

図 7は、第 3の実施形態におけるァクティブ駆動型有機 EL発光装置の断面図である（その 1) 。

図 8は、第 3の実施形態におけるァクティブ駆動型有機 E L発光装置の断面図である（その 2) 。

図 9は、 T FTの説明に供する図である。

図 10は、アクティブ駆動型有機 EL発光装置の一例における回路図である。図 11は、図 10に示す回路図に準拠したァクティブ駆動型有機 E L発光装置の平面方向の透視図である。

図 12は、 T FTの形成工程の一部を示す図である。

図 13は、補助電極の断面図である（その 1) 。

図 14は、補助電極の断面図である（その 2) 。

図 15は、補助電極の断面図である（その 3) 。

図 16は、補助電極の断面図である（その 4) 。

図 17は、第 1の実施形態におけるアクティブ駆動型有機 EL発光装置の変形例の断面図である。

図 18は、従来のアクティブ駆動型有機 EL発光装置の断面図である（その 1)。図 19は、従来のアクティブ駆動型有機 EL発光装置の断面図である。補助電極の断面図である（その 2) 。発明を実施するための最良の形態

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について具体的に説明する。なお、参照する図面は、この発明が理解できる程度に各構成成分の大きさ、形状および配置関係を概略的に示してあるに過ぎない。したがって、この発明は図示例にのみ限定されるものではない。また、図面では、断面を表す八ツチングを省略する場合がある。

[第 1の実施形態]

第 1の実施形態のァクティブ駆動型有機 E L発光装置は、図 1に示すように、基板 1 0上に、電気絶縁膜 1 2に埋設された T F T 1 4と、この T F T 1 4の上方に設けられた層間絶縁膜（平坦化膜） 1 3と、上部電極 2 0および下部電極 2 2の間に有機発光媒体 2 4を含んで構成した有機 E L素子 2 6と、 T F T 1 4および有機 E L素子 2 6を電気接続するための電気接続部 2 8と、を備えたァクテイブ駆動型有機 E L発光装置 6 1である。

そして、第 1の実施形態では、有機 E L素子 2 6の発光（E L発光）を、上部電極 2 0の側から取り出すとともに、上部電極 2 0を低抵抗化するために、当該上部電極 2 0を透明導電材料からなる主電極 1 6と、低抵抗材料からなる補助電極 1 8とから構成してあることを特徴としている。

以下、第 1の実施形態において、図 2を適宜参照しながら、その構成要素等について説明する。

なお、図 2には、図 1に示す層間絶縁膜（平坦化膜） 1 3を除いた構成のァクティブ駆動型有機 E L発光装置 6 2を示すが、図 2においては、 T F T 1 4を埋設するための電気絶縁膜 1 2が眉間絶縁膜の役割を果たしている。

1 .

有機 E L表示装蘆における基板（支持基板と称する場合がある。）は、有機 E L素子や、 T F T等を支持するための部材であり.、そのため機械的強度や、寸法安定性に優れていることが好ましい。

このような基板としては、具体的には、ガラス板、金属板、セラミックス板、あるいはプラスチック板（ポリ力一ポネート樹脂、アクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、 X ポキシ樹脂、フエノール樹脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂等）等を挙げることができる。

また、これらの材料からなる基板は、有機 EL表示装置内への水分の侵入を避けるために、さらに無機膜を形成したり、フッ素樹脂を塗布したりして、防湿処理ゃ疎水性処理を施してあることが好ましい。

特に、有機発光媒体への水分の侵入を避けるために、基板における含水率およびガス透過係数を小さくすることが好ましい。具体的に、支持基板の含水率を 0. 0001重量％以下の値およびガス透過係数を 1 X 10"¹³c c - cm/cm² - s e c. cmHg以下の値とすることがそれぞれ好ましい。

なお、本発明では、基板と反対側、すなわち、上部電極側から EL発光を取り出すため、基板は必ずしも透明性を有する必要はない。

2. 有機 EL素子

(1) 有機発光媒体

有機発光媒体は、電子と正孔とが再結合して、 EL発光が可能な有機発光層を含む媒体と定義することができる。かかる有機発光媒体は、例えば、陽極上に、以下の各層を積層して構成することができる。

①有機発光層

②正孔注入層/有機発光層

③有機発光層/電子注入層

④正孔注入層/有機発光層/電子注入層

⑤有機半導体層 Z有機発光層

⑥有機半導体層電子障壁層/有機発光層

⑦正孔注入層 Z有機発光層/付着改善層

これらの中で、 ④の構成が、より高い発光輝度が得られ、耐久性にも優れていることから通常好ましく用いられる。

①構成材料

有機発光媒体における発光材料としては、例えば、 P—クォーターフエニル誘導体、 P—クインクフエニル誘導体、ベンゾチアゾール系化合物、ベンゾィミダゾ一ル系化合物、ベンゾォキサゾール系化合物、金属キレート化ォキシノイド化合物、ォキサジァゾ一ル系化合物、スチリルベンゼン系化合物、ジスチリルピラジン誘導体、ブタジエン系化合物、ナフタルイミド化合物、ペリレン誘導体、ァルダジン誘導体、ピラジリン誘導体、シクロペン夕ジェン誘導体、ピロ口ピロ一ル誘導体、スチリルアミン誘導体、クマリン系化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、 8—キノリノール誘導体を配位子とする金属錯体、ポリフエニル系化合物等の 1種単独または 2種以上の組み合わせが挙げられる。

また、これらの有機発光材料のうち、芳香族ジメチリディン系化合物としての、 4， 4 '—ビス（2, 2—ジ一 t一ブチルフエ二ルビニル）ビフエニル（DT BPBB iと略記する。；）や、 4， 4 ' _ビス（2， 2—ジフエ二ルビニル) ビフエエル（DPVB iと略記する。）およびこれらの誘導体がより好ましい。さらに、ジスチリルァリーレン骨格等を有する有機発光材料をホスト材料とし、当該ホスト材料に、ドーパントとしての青色から赤色までの強い蛍光色素、例えばクマリン系材料、あるいはホストと同様の蛍光色素をドープした材料を併用することも好適である。より具体的には、ホスト材料として、上述した DPVB i 等を用い、ド一パントとして、 N， N—ジフエニルァミノベンゼン（DPAVB と略記する。）等を用いることが好ましい。

また、有機発光媒体における正孔注入層には、 1 X 10⁴〜 1 X 10⁶ VZc mの範囲の電圧を印加した場合に測定される正孔移動度が、 1 X 10 _⁶ c mV V ·秒以上であって、イオン化エネルギーが 5. 5 e V以下である化合物を使用することが好ましい。このような正孔注入層を設けることにより、有機発光層への正孔注入が良好となり、高い発光輝度が得られたり、あるいは、低電圧駆動が可能となる。

このような正孔注入層の構成材料としては、具体的に、ポルフィリン化合物、芳香族第三,級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、縮合芳香族環化合物、例えば、 4， 4 '一ビス [N— (1—ナフチル） —N—フエニルァミノ] ビフエニル（NPDと略記する。）や、 4， 4 ' , 4 ' 一一トリス [N— (3—メチルフエニル）一 N—フエニルァミノ] トリフエニルァミン（MTDATAと略記する。）等の有機化合物が挙げられる。また、正孔注入層の構成材料として、 p型一 S iや p型— S i C等の無機化合物を使用することも好ましい。

なお、上述した正孔注入層と、陽極層との間、あるいは、上述した正孔注入層と、有機発光層との間に、導電率が 1 X 1 0— ^{1 Q}.S Z c m以上の有機半導体層を設けることも好ましい。このような有機半導体層を設けることにより、さらに有機発光層への正孔注入がより良好となる。

また、有機発光媒体における電子注入層には、 1 X 1 0 ⁴〜 1 X 1 0 ⁶ VZ c mの範囲の電圧を印加した場合に測定される電子移動度が、 1 X 1 0— ⁶ c m²Z V ·秒以上であって、イオン化エネルギーが 5 . 5 e Vを超える化合物を使用することが好ましい。このような電子注入層を設けることにより、有機発光層への電子注入が良好となり、高い発光輝度が得られたり、あるいは、低電圧駆動が可能となる。

このような電子注入層の構成材料としては、具体的に、 8—ヒドロキシキノリンの金属錯体（A 1キレート： A 1 Q) 、またはその誘導体、あるいは、ォキサジァゾール誘導体等が挙げられる。

また、有機発光媒体における付着改善層は、かかる電子注入層の一形態とみなすことができ、すなわち、電子注入層のうち、特に陰極との接着性が良好な材料からなる層であり、 8—ヒドロキシキノリンの金属錯体またはその誘導体等から構成することが好ましい。

なお、上述した電子注入層に接して、導電率が 1 X 1 0— ^{1 Q} S / c m以上の有機半導体層を設けることも好ましい。このような有機半導体層を設けることにより、さらに有機発光層への電子注入性が良好となる。

②厚さ

また、有機発光媒体の厚さについては特に制限はないが、例えば、厚さを 5 n m〜 5 mの範囲内の値とすることが好ましい。

この理由は、有機発光媒体の厚さが 5 nm未満となると、発光輝度や耐久性が低下する場合があり、一方、有機発光媒体の厚さが 5 mを超えると、印加電圧の値が高くなる場合があるためである。

したがって、有機発光媒体の厚さを 1 0 n m〜3 の範囲内の値とすることがより好ましく、 2 0 nm〜l mの範囲内の値とすることがさらに好ましい。

( 2 ) 上部電極

①構成 1

第 1の実施形態において、図 1に示すように、上部電極 2 0を、透明導電材料からなる主電極 1 6と、低抵抗材料からなる補助電極 1 8とから構成してあることを特徴としている。

このように主電極 1 6のみならず、低抵抗材料'からなる補助電極 1 8を設けることにより、上部電極 2 0の面抵抗を著しく低減することができる。したがって、有機 E L素子 2 6を、低電圧で駆動することができ、消費電力を低減することができる。

また、図 1に示す主電極 1 .6は、透明導電材料、例えば透過率が 1 0 %以上の材料であって、好ましくは透過率が 6 0 %以上の材料から構成してあるため、当 ' 該主電極 1 6を通して E L発光を外部に効果的に取り出すことができる。したがつて、 T F T 1 4等を設けた場合であっても、画素 3 1における開口率を大きくすることができる。

②構成 2

また、図 1 3〜図 1 5に示すように、上部電極 2 0における補助電極 1 8の構成として、当該補助電極 1 8を、上部補助電極 Γ 7と、下部補助電極 1 9とから構成してあることが好ましい。

このように構成することにより、上部補助電極 1 7が電気絶縁されていたとしても、下部補助電極 1 9において、主電極 1 6と電気接続することができ、逆に下部補助電極 1 9が電気絶縁されていたとしても、上部補助電極 1 7において、主電極 1 6と電気接続することができる。

また、このように構成することにより、異なる構成材料を用いてそれぞれ形成することが'できるため、補助電極 1 8と主電極 1 6との電気接続がより確実になる。例えば、透明酸化物導電材料からなる主電極 1 6と、金属材料からなる補助電極 1 8とを直接電気接続するよりも、金属に対しても、透明酸化物導電材料に対しても比較的電気接続性が良好な半導体材料、例えば、非結晶性無機酸化物であるインジウム亜鉛酸化物（I Z O) カ^なる下部補助電極 1 9を介して、金属材料からなる上部補助電極 1 7と電気接続したほうが、主電極 1 6との電気接続がより確実になるためである。

さらに、このように構成することにより、エッチング特性が異なる構成材料を用いてそれぞれ形成することができるため、後述するように補助電極 1 8の断面形状を容易にオーバーハング状とすることができる。

③構成 3

また、図 1 3〜図 1 6に示すように、上部電極 2 0における補助電極 1 8の構成として、当該補助電極 1 8の断面形状をオーバーハング状とすることが好ましい。

この理由は、補助電極 1 8上に絶縁膜が積層さ.れていたとしても、オーバーハングした下部において、主電極 1 6に対して電気接続することができるためである。

すなわち、補助電極 1 8を形成した後に、絶縁膜や有機発光媒体を蒸着法等により形成し、さらに主電極 1 6を形成すると、補助電極 1 8上に絶縁膜が被覆してしまい、補助電極 1 8と主電極 1 6とを電気接続するのが困難となる場合がある。

それに対して、補助電極 1 8の断面形状がォ一パーハング状であれば、絶縁膜を蒸着等した場合であっても、補助電極 1 8の側面には絶縁膜が付着しにくいので、この露出した補助電極 1 8の側面を利用して、主電極 1 6に対して確実に電気接続することが可能となる。

例えば、図 1 4において、上部補助電極 1 7が、有機発光媒体 2 4等により電気絶縁されているものの、下部補助電極 1 9において、主電極 1 6と電気接続してあるのは、補助電極 1 8のこの構成に由来した接続容易性を示している。なお、補助電極 1 8の断面形状をオーバーハング状とするには、上述したように、補助電極 1 8を下部補助電極 1 9と上部補助電極 1 7とから構成し、下部補助電極 1 9および上部補助電極 1 7に、それぞれエッチング速度が異なる構成材料から形成することにより、容易に形成することができる。具体的に、下部補助電極 1 7を A 1や A 1合金等の金属材料から形成し、上部補助電極 1 7をシリカ、アルミナ、窒化 S i、窒化 C r、窒化 T a、窒化 W等の非金属材料から形成することが好ましい。

したがって、例えば、下部補助電極 1 9を A 1、上部補助電極 1 7を C rからそれぞれ形成し、次いでフォトリソダラフィ一法により C rを硝酸セリウムアンモニゥム溶液でエッチングした後、さらに A 1を燐酸、硝酸、酢酸の混合溶液でエッチングすることにより、下部補助電極 1 9の A 1のみがオーバーエッチングされるため、オーバーハングを容易に得ることができる。

このようなオーバーハングの例を図 1 3〜図 1 6に示す。各種形状が可能であり、下部補助電極 1 9と上部補助電極 1 7とからなる 2層構成のオーバーハング状の補助電極 1 8のほか、図 1 6 ( e ) に示すように 3層構成のオーバーハング状の補助電極 1 8も可能である。

なお、図 1 3〜図 1 6中の矢印は、オーバ一ハングの突出方向を示している。

④構成 4

また、図 4に示すように、上部電極 2 0における補助電極 1 8の構成として、当該補助電極 1 8を平面視した場合に、平面内において周期的に配置してあることが好ましい。

これにより大幅かつ均一に上部電極の低抵抗化が実現できるし、また、補助電極 1 8を周期的に配置することにより、形成することも容易となる。

⑤構成 5

また、図 1および図 2に示すように、上部電極 2 0における補助電極 1 8の構成として、当該補助電極 1 8を、平面視した場合に、隣接する下部電極 2 2の間に配置してあることが好ましい。例えば、図 2において、点線で示す隣接する画素 3 1と画素 3 1との間に補助電極 1 8が設けてあるのは、このことを示している。

すなわち、このように補助電極 1 8を配置すると、画素 3 1における開口率を狭めることがなく、より高い発光輝度を得ることができる。

なお、補助電極 1 8の他の配置例として、図 5に示すカラーフィルタまたは蛍光膜 6 0とともに、下部電極 2 2間に相当する垂直方向位置に、ックス（遮光部）が設けてある場合には、当該ブラックマトリックスの遮光部と、補助電極とが垂直方向において重なるように、補助電極 1 8を配置することが好ましい。

このように構成すると、ブラックマトリックスを配置した場合であっても、画素における開口率を狭めることがなく、また、補助電極における反射光を有効に防止することができる。

⑥構成 6

また、図 1および図 2に示すように、上部電極 2 0における補助電極 1 8の構成として、 T F T 1 4を電気絶縁するための電気絶縁膜 1 2および層間絶縁膜 (平坦化膜） 1 3、あるいはいずれか一方の絶縁膜 1 2、 1 3上に、補助電極 1 8を設けることが好ましい。

このように構成すると、補助電極と T F Tに関係する配線との間で形成される電気容量を低減できるため、有機 E L素子のスイッチング動作を早めることがでさる。

また、図 3に示すように、補助電極 1 8の別な配置構成として、隣接する下部電極 2 2の間に、層間絶縁膜 1 3とは異なる電気絶縁膜 2 5を配置し、その絶縁膜 2 5上に補助電極 1 8を設けることが好ましい。

このように構成すると、下部電極 2 2の段差で生じる上部電極 2 0との短絡やリークが減少し、画素欠陥を減らすことができる。

さらに、図 6に示すように、補助電極 1 8の配置構成として、補助電極 1 8が、主電極 1 6上に形成してあるとともに、補助電極 1 8の面積を主電極 1 6の面積よりも小さくしてあることが好ましい。

このように構成すると、画素における開口率を狭めることがなく、補助電極の形成や、補助電極の面抵抗の調整がより容易となる。

なお、言うまでもなく、上述した層間絶縁膜等に対する配置に関する構成 6は、補助電極 1 8が、隣接する下部電極 2 2の間に配置してあることから、構成 5の配置構成も満足するものである。 ⑦構成材料 1

図 1等における上部電極 20 (主電極 16および補助電極 18) は、有機 EL 素子の構成に応じて陽極層あるいは陰極層に該当するが、陽極層の場合には、正孔の注入が容易なために仕事関数の大きい構成材料、例えば、 4. O eV以上の構成材料を使用することが好ましく、陰極層の場合には、電子の注入が容易なために仕事関数の小さい構成材料、例えば、 4. 0 e V未満の構成材料を使用することが好ましい。

一方、第 1の実施形態において、外部に発光を取り出すために、上部電極 20 のうち、主電極 16の構成材料は、所定の透明性を有していなければならない。したがって、上部電極 20が、陽極層に該当する場合、具体的に、主電極 16 の構成材料として、ィンジゥムスズ酸化物（ I TO)、ィンジゥム亜鉛酸化物（ I ZO) 、インジウム銅（Cu I n) 、酸化スズ（Sn〇₂) 、酸化亜鉛（ZnO) 、酸化アンチモン（Sb₂〇₃、 Sb₂0₄、 S b₂0₅) 、酸化アルミニウム（A l ₂0₃) 等の一種単独、あるいは 2種以上組み合わせが挙げられる。

なお、主電極 16の透明性を損なわない範囲で低抵抗ィ匕を図るために、 P t、 Au、 N i、 Mo、 W、 Cr、 Ta、 A 1等の金属を一種単独、あるいは 2種以上組み合わせて添加することも好ましい。

また、第 1の実施形態では、上述した透明性材料ばかりでなく、補助電極 18 により上部電極 20の面抵抗を低減できるので、主電極 16については、光透過性金属膜、非縮退の半導体、有機導電体、半導性炭素化合物等からなる群から選択される少なくとも一つの構成材料から選択することができる。

例えば、有機導電体としては、導電性共役ポリマー、酸化剤添加ポリマ一、還元剤添加ポリマー、酸化剤添加低分子または還元剤添加低分子であることが好ましい。

なお、有機導電体に添加する酸化剤としては、ルイス酸、例えば塩化鉄、塩ィ匕アンチモン、塩化アルミなどが挙げられる。また、同様に、有機導電体に添加する還元剤としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ化合物、アルカリ土類化合物、または希土類化合物などが挙げられる。さらに、導電性共役ポリマーとしては、ポリア二リンおよびその誘導体、ポリチォフェン及びその誘導体、ルイス酸添加アミン化合物層等などが挙げられる。また、非縮退の半導体としては、具体的に、酸化物、窒化物、またはカルコゲナイド化合物であることが好ましい。

また、炭素化合物としては、具体的に、非晶質 C、グラフアイト、またはダイャモンドライク Cであることが好ましい。

さらに、無機半導体としては、具体的に、 ZnS、 ZnS e、 ZnSS e、 M gS、 MgSS e、 CdS、 CdS e、 CdTe、 C d S S e等であることが好ましい。

⑧構成材料 2

図 1等に示す補助電極 18は、低抵抗材料から構成する必要があるが、例えば、比抵抗が 1 X 10 -⁵〜 1 X 10- ³Ω · cmの範囲内の値である低抵抗材料を使用することが好ましい。

この理由は、かかる比抵抗が 1 X 10— ⁵Ω · cm未満となる材料は、実現が困難であるためであり、一方、比抵抗が 1 X 1 0— ³Ω · cmを超えると、上部電極の低抵抗化が困難となる場合があるためである。

したがって、補助電極を構成する低抵抗材料の比抵抗を 2 X 10一⁵〜 5 X 1 0"⁴Ω - cmの範囲内の値とすることがより好ましく、 2 X 1 0_⁵〜 1 X 1 0— ⁴Ω · cmの範囲内の値とすることがさらに好ましい。

また、補助電極 18の面抵抗（シート抵抗）を 0. 01〜10Ω/口の範囲内の値とすることが好ましい。この理由は、かかる面抵抗が 0. 01 Ωノロ未満となると、厚膜化する必要があったり、使用材料が過度に制限される場合があるためであり、一方、面抵抗が 10 ΩΖ口を超えると、上部電極の低抵抗化が困難となったり、過度に薄くなり形成が困難となる場合があるためである。したがって、捕助電極の面抵抗を 0. 01〜10ΩΖ口の範囲内の値とすることがより好ましく、 0. 01〜5 ΩΖ口の範囲内の値とすることがさらに好ましい。また、補助電極 18を構成する好ましい低抵抗材料としては、配線電極に用いられる各種金属が好適に用いられる。具体的に、 Al、 A 1と遷移金属（S c、 Nb、 Z r、 Hf、 Nd、 Ta、 Cu、 S i、 C r、 Mo、 Mn、 N i、 Pd、 P tおよび W等）との合金、 T iまたは窒化チタン（T iN) 等の 1種単独または 2種以上を組み合わせて含有するのが好ましい。また、かかる低抵抗材料としては、 A l、あるいは A 1と遷移金属との合金がより好ましいが、 A 1と遷移金属との合金を使用する場合には、遷移金属の含有量を 1 0原子％ ( a t . %または a t m%と称する場合がある。）以下の値、より好ましくは 5原子％以下の値、さらに好ましくは 2原子％以下の値とするとよレ^ この理由は、遷移金属の含有量が少ないほど、補助電極の面抵抗を低下させることができるためである。

また、上述した金属を主成分として用いる場合、 A 1であれば 9 0〜1 0 0原子％、 T iであれば 9 0〜； L 0 0原子％、 T i Nであれば 9 0〜： L 0 0原子％の範囲内となるようにそれぞれ使用することが好ましい。

また、これらの金属を 2種以上用いる場合の混合比は任意であるが、例えば、 A 1と T iとを混合使用する場合には、 T iの含有量を 1 0原子％以下の値とすることが好ましい。

さらに、これらの金属からなる含有層を複数積層して、補助電極 1 8としてもよい。

⑨厚さ

また、図 1等に示す主電極 1 6や補助電極 1 8の厚さは、面抵抗等を考慮して定めることが好ましいが、具体的に、主電極 1 6や補助電極 1 8の厚さを、それぞれ 5 0 nm以上の値とするのが好ましく、 1 0 0 nm以上の値とするのがより好ましく、 1 0 0〜5 , 0 0 0 nmの範囲内の値とすることがさらに好ましい。この理由は、主電極 1 6や補助電極 1 8の厚さをこのような範囲内の値とすることにより、均一な厚さ分布や、発光（E L発光）において 6 0 %以上の透過率が得られる一方、主電極 1 6や補助電極 1 8からなる上部電極 2 0の面抵抗を 1 5 ΩΖ口以下の値、より好ましくは、 1 0 ΩΖ口以下の値とすることができるためである。

( 3 ) 下部電極 '

①構成材料

図 1等に示す下部電極 2 2についても、有機 E L表示装置の構成に応じて陽極層または陰極層に該当するが、例えば陰極層に該当する場合、仕事関数の小さい (例えば、 4. O e V未満）金属、合金、電気電導性化合物またはこれらの混合物あるいは含有物を使用することが好ましい。

具体的には、ナトリウム、ナトリウム—カリウム合金、セシウム、マグネシゥム、リチウム、マグネシウム—銀合金、アルミニウム、酸化アルミニウム、アルミニゥムーリチウム合金、インジウム、希土類金属、これらの金属と有機発光媒体材料との混合物、およびこれらの金属と電子注入層材料との混合物等からなる電極材料を単独で使用するか、あるいはこれらの電極材料を 2種以上組み合わせて使用することが好ましい。

なお、本発明では、上部電極 2 0の側から発光を取り出すので、下部電極 2 2 の構成材料については、必ずしも透明性を有する必要はない。むしろ 1つの好ましい形態としては、光吸収性の導伝材料から形成することである。このように構成するとと有機 E L表示装置のコントラストをより向上させることができる。また、この場合の好ましい光吸収性の導伝材料としては、半導性の炭素材料、有色性の有機化合物、または前述した還元剤および酸化剤の組み合せの他、有色性の導電性酸化物（V〇_x, M o〇_x, W〇_x等の遷移金属酸化物）が好適に挙げられる。

②厚さ，

また、下部電極 2 2の厚さについても、上部電極 2 0と同様に、特に制限されるものではないが、具体的に 1 0〜 1、 0 0 0 nmの範囲内の値とするのが好ましく、 1 0〜 2 0 0 nmの範囲内の値とするのがより好ましい。

( 4 ) 層間絶縁膜

図 1に示す有機 E L表示装置に 6 1おける眉間絶縁膜（電気絶縁膜） 1 3は、有機 E L素子 2 6の近傍または周辺に存在し、有機 E L表示装置 6 1全体としての高精細化、有機 E L素子 2 6の下部電極 2 2と上部電極 2 0との短絡防止、または T F T 1 4にて有機 E L素子 2 6を駆動する場合において、 T F T 1 4を保護したり、有機 E L素子 2 6の下部電極 2 2を平坦に成膜するための下地等に用いられる。

したがって、層間絶縁膜 1 3は、必要に応じて、隔壁、スぺーサ一、平坦化膜等の名称で呼ぶ場合があり、本発明では、それらを包含するものである。 ①構成材料

図 1に示す層間絶縁膜 13に用いられる構成材料としては、通常、ァクリル樹脂、ポリ力一ポネート樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素化ポリイミド樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、メラミン樹脂、環状ポリオレフイン、ノポラック樹脂、ポリケィ皮酸ビニル、環化ゴム、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン、フエノール樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン酸樹脂、ポリアミド樹脂等が挙げられる。

また、層間絶縁膜を無機酸化物から構成する場合、好ましい無機酸化物として、酸化ケィ素（S i〇₂または S i〇_x) 、酸化アルミニウム（A 1₂0₃または A 1 O_x) 酸化チタン（丁 i〇₂または T i〇_x) 、酸化イットリウム（Y₂〇₃または ΥΟ_χ) 、酸化ゲルマニウム（Ge〇₂または Ge〇_x) 、酸化亜鉛 (ZnO) 、酸化マグネシウム（MgO) 、酸化カルシウム（Ca〇）、ほう酸（B₂0₃) 、酸化ストロンチウム（S rO) 、酸ィ匕バリウム（Ba〇）、酸ィ匕鉛（PbO) 、ジルコニァ（Z r〇₂) 、酸化ナトリウム（Na₂〇）、酸化リチウム（L i ₂0) 、酸化カリウム（K₂0) 等を挙げることができる。なお、無機化合物中の Xは 1 ≤χ≤ 3の範囲内の値である。

特に、耐熱性が要求される場合には、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素化ポリイミド、環状ポリオレフイン、エポキシ樹脂、無機酸化物を使用することが好ましい。

なお、これらの層間絶縁膜は、有機質の場合、感光性基を導入してフォトリソグラフィ一法で所望のパターンに加工するか、印刷手法にて所望のパターンに形成することができる。

また、層間絶縁膜の厚さは、表示の精細度、有機 EL素子と組み合わせられる蛍光媒体またはカラ一フィルタの凹凸にもよるが、好ましくは 10nm〜lmm の範囲内の値とすることが好ましい。

この理由は、このように構成することにより、 T FT等の凹凸を十分に平坦化できるためである。

したがって、層間絶縁膜の厚さを 100 nm〜 100 mの範囲内の値とすることがより好ましく、 10 Onm〜l 0 mの範囲内の値とすることがさらに好ましい。

③形成方法

また、層間絶縁膜の形成方法についても特に制限されるものではないが、例えば、スピンコート法、キャスト法、スクリーン印刷法等の方法を用いて成膜するか、あるいは、スパッタリング法、蒸着法、化学蒸着法（CVD法）、イオンプレーティング法等の方法で成膜することが好ましい。

3. 薄膜トランジスター（TFT)

(1) 構成

本発明の有機アクティブ EL発光装置 68の一例は、図 9に示すように、基板 10上に、 TFT14と、この TFT 14によって駆動される有機 EL素子 26 とを有している。

また、この TFT 14と、有機 EL素子 26の下部電極 22との間に、表面（上面）が平坦化された層間絶縁膜 13が配設してあり、かつ T F T 14のドレイン 47と、有機 EL素子 26の下部電極 22とが、この層間絶縁膜 13に設けられたコンタクトホール 54を介して電気的に接続されている。

また、図 10に示すように、 TFT14には、 XYマトリックス状に配設さた複数の走査電極線（Yj〜Y]'+n) 50および信号電極線（Xi〜Xi+n) 51が電気接続されており、さらに、 TFT 14に対して共通電極線（Ci〜Ci+n) 52 が平行に電気接続してある。

そして、これらの電極線 50、 51、 52が TFT 14に電気接続されて、コンデンサー 57とともに、有機 EL素子 26を駆動させるための電気スィッチを構成していることが好ましい。すなわち、かかる電気スィッチは、走査電極線および信号電極線等に電気接続されているとともに、例えば、 1個以上の第 1のトランジス夕一（以下、 T r 1と称する場合がある。） 55と、第二のトランジスター（以下、 Tr 2と称する場合がある。） 56と、コンデンサー 57とから構成してあることが好ましい。

そして、第 1のトランジスタ一 55は、発光画素を選択する機能を有し、第二のトランジスター 56は、有機 EL素子を駆動する機能を有していることが好ましい。

また、図 9に示すように、第 1のトランジスター（Tr l) 55および第 2のトランジスタ一（Tr 2) 56の活性層 44は、それぞれ η+ノ i /n +と示された部分であり、両側の n+は、 n型にドーピングされた半導体領域 45、 47、および、その間の iは、ドーピングされていない半導体領域 46から構成されていることが好ましい。

そして、 n型にドーピングされた半導体領域が、それぞれソース 45およびドレイン 47となり、ドーピングされていない半導体領域の上方にゲート酸化膜を介して設けられたゲート 46とともに、第 1および第 2のトランジスター 55， 56を構成することになる。

なお、活性層 44において、 n型にドーピングされた半導体領域 45、 47を、 n型の代わりに p型にドーピングして、 p+/ i/p +とした構成であっても良い。

また、第 1のトランジスター（Tr l) 55および第 2のトランジスター（T r 2) 56の活性層 44は、ポリシリコン等の無機半導体や、チォフェンオリゴマー、ポリ（P—フエ二レンビニレン）等の有機半導体から構成してあることが好ましい。特に、ポリシリコンは、アモルファス S i ( — S i) に比べて、通電に対し充分な安定性を示すことから、好ましい材料である。

その他、図 1や図 9に示す例では、基板 10表面に形成された TFT14上に、層間絶縁膜（平坦化膜） 13を介して有機 EL素子 26が設けてあるが、図 17 に示すように、基板の裏面に TFTを形成し、基板の表面に有機 EL素子を形成して、基板 10および層間絶縁膜（平坦化膜） 13に設けたビアホール 28を介して、 TFT14と、有機 EL素子 26の下部電極とを電気接続することも好ましい。

このように構成すると、 TFT14と有機 EL素子 26との間において、より優れた電気絶縁性を確保することができる。また.、この例では、基板 10上に、層間絶縁膜（平坦化膜） 13を設けているが、基板 10は両面とも平坦性に優れているため、層間絶縁膜（平坦化膜） 13を省くことも可能である。 (2) 駆動方法

次ぎに、 TFT 14による有機 EL素子の駆動方法につき説明する。 TFT1 4は、図 10に示すように、第 1のトランジスタ一（Tr l) 55および第 2のトランジスター（Tr 2) 56を含んでいるととともに、コンデンサ一 57とともに、電気スィッチの一部を構成している。

したがって、この電気スィッチに対し、 XYマトリックスを介して走査パルスおよび信号パルスを入力し、スィッチ動作を行わせることにより、この電気スィツチに結合された有機 EL素子 26を駆動させることができる。よって、 TFT 14およびコンデンサ一 57を含む電気スィッチにより、有機 EL素子 26を発光させたり、あるいは発光を停止させることにより、画像表示を行うことが可能である。

すなわち、走査電極線（ゲート線と称する場合がある。）（Yj〜Yj+n) 50 を介して伝達される走査パルスと、信号電極線（Xi〜Xi+n) 51を介して伝達される信号パルスによって、所望の第 1のトランジスター（Tr l) 55が選択され、共通電極線（Ci〜Ci+n) 52と第 1のトランジスター（Tr l) 55のソース 45との間に形成してあるコンデンサ一 57に所定の電荷が充電されることになる。

これにより、第 2のトランジスター（Tr 2) 56のゲート電圧が一定値となり、第 2のトランジスタ一（Tr 2) 56は〇N状態となる。この ON状態において、次にゲートパルスが伝達されるまでゲ一卜電圧が所定値にホールドされるため、第 2のトランジスター（Tr 2) 56のドレイン 47に接続されている下部電極 22に対して電流を供給しつづけることになる。

そして、有機 EL素子 26では、下部電極 22を介して供給された電流により、効率的に直流駆動されることになる。よって、直流で駆動する効果により、有機 EL素子 26の駆動電圧が大幅に低下するとともに、発光効率が向上し、し力 ^も、消費電力を低減することができるようになる。

[第 2の実施形態] 第 2の実施形態のァクティブ駆動型有機 E L発光装置は、図 5に示すように、基板 1 0上に、電気絶縁膜 1 2に埋設された T FT 1 4と、上部電極 2 0および下部電極 2 2の間に有機発光媒体 2 4を含んでなる有機 E L素子 2 6と、これらの T F T 1 4と有機 E L素子 2 6とを電気接続するための電気接続部（ビアホール） 2 8と、を備えたアクティブ駆動型有機 E L発光装置 6 4である。

そして、第 2の実施形態では、上部電極 2 0を、主電極 1 6および補助電極 1 8から構成するとともに、当該上部電極 2 0の側から取り出された E L発光（図 5上、矢印で発光の取り出し方向示す。）を、色変換するためのカラーフィル夕または蛍光膜 6 0を、上部電極 2 0の上方に設けたことを特徴としている。以下、第 2の実施形態において、図 5を適宜参照しながら、その特徴部分等について説明する。

( 1 ) カラーフィルタ

①構成

力ラ一フィルタは、光を分解または力ットして色調整またはコントラストを向上するために設けられ、色素のみからなる色素層、または色素をバインダー樹脂中に溶解または分散させて構成した層状物として構成される。なお、ここでいう色素には顔料も含まれる。

また、カラ一フィルタの構成として、青色、緑色、赤色の色素を含むことが好適である。このようなカラーフィルタと、白色発光の有機 E L素子とを組み合わせることにより、青色、緑色、赤色の光の三原色が得られ、フルカラー表示が可能であるためである。

なお、カラーフィルタは、蛍光媒体と同様に、印刷法や、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることが好ましい。

②厚さ

また、カラ一フィル夕の厚さは、有機 E L素子の発光を十分に受光（吸収）するとともに、色変換機能を妨げるものでなければ、特に制限されるものではないが、例えば、 1 0 n m〜 l mmの範囲内の値とすることが好ましく、 0 . 5 m〜 l mmの範囲内の値とすることがより好ましく、 1 m〜l 0 0； mの範囲内の値とすることがさらに好ましい。

( 2 ) 蛍光媒体

①構成

有機 E L表示装置における蛍光媒体は、有機 E L素子の発光を吸収して、より長波長の蛍光を発光する機能を有しており、平面的に分離配置された層状物として構成されている。各蛍光媒体は、有機 E L素子の発光領域、例えば下部電極と上部電極との交差部分の位置に対応して配置してあることが好ましい。このように構成することにより、下部電極と上部電極との交差部分における有機発光層が発光した場合に、その光を各蛍光媒体が受光して、異なる色（波長）の発光を外部に取り出すことが可能になる。特に、有機 E L素子が青色発光するとともに、蛍光媒体によって、緑色、赤色発光に変換可能な構成とすると、一つの有機 E L 素子であっても、青色、緑色、赤色の光の三原色が得られ、フルカラー表示が可能であることから好適である。

また、各蛍光媒体間に、有機 E L素子の発光及び各蛍光媒体からの光を遮断して、コントラストを向上させ、視野角依存性を低減するための遮光層（ブラックマトリックス）を配置することも好ましい。

なお、蛍光媒体は、外光によるコントラストの低下を防止するため、上述した力ラーフィル夕と組み合せて構成してもよい。

②形成方法

蛍光媒体が、主に蛍光色素からなる場合は、所望の蛍光媒体のパターンが得られるマスクを介して真空蒸着またはスパッタリング法で成膜することが好ましい。一方、蛍光媒体が、蛍光色素と樹脂からなる場合は、蛍光色素と樹脂と適当な溶剤とを混合、分散または可溶化させて液状物とし、当該液状物を、スピンコート、ロールコート、キャスト法等の方法で成膜し、その後、フォトリソグラフィ一法で所望の蛍光媒体のパターンにパ夕一ニングしたり、スクリーン印刷等の方法で所望のパターンにパターニングして、蛍光媒体を形成するのが好ましい。

③厚さ蛍光媒体の厚さは、有機 EL素子の発光を十分に受光（吸収）するとともに、蛍光の発生機能を妨げるものでなければ、特に制限されるものではないが、例えば、 10 nm〜 lmmの範囲内の値とすることが好ましく、 0. 5 m〜lm mの範囲内の値とすることがより好ましく、 1 m〜 100 /xmの範囲内の値とすることがさらに好ましい。

[第 3の実施形態]

第 3の実施形態のァクティブ駆動型有機 E L発光装置は、図 7および図 8に示すように、基板 10上に、電気絶縁膜 12に埋設された TFT14と、上部電極 20および下部電極 22の間に有機発光媒体 24を含んでなる有機 EL素子 26 と、これらの TFT14と有機 EL素子 26とを電気接続するための電気接続部 28と、封止部材 58と、を備えたァクティブ駆動型有機 E L発光装置 66、 6 7である。

そして、第 3の実施形態では、上部電極 20を、主電極 16および補助電極 1 8から構成するとともに、当該上部電極 0における補助電極 18を、図 7に示すように封止部材 58に埋設して封止部材 58を貫通させた状態で設けるか、または図 8に示すように密着配置したことを特徴としている。

以下、第 3の実施形態において、図 7および図 8を適宜参照しながら、封止部材等について説明する。

(1) 封止用部材

図 7および図 8に示す封止用部材 58は、それぞれ内部への水分侵入を防止するために当該有機 EL表示装置 66、 67の周囲に設けるか、さらには、このように設けた封止用部材 58と、有機 EL表示装置 66、 67との間に、封止媒体 21、例えば、乾燥剤、ドライガス、フッ化炭化水素等の不活性液体を封入することが好ましい。

また、かかる封止用部材 58は、蛍光媒体や、カラーフィルタ一を上部電極の外部に設ける場合の、支持基板としても使用することができる。

このような封止用部材としては、支持基板と同種の材料、例えば、ガラス板やプラスチック板を用いることが可能である。また、防湿性に優れた材料であれば無機酸化物層や無機窒化物層も使用が可能であり、例えば、シリカ、アルミナ、 A 1 ON, S iA l〇N、 S i N_x ( 1≤ x≤ 2 ) 等が挙げられる。さらに、封止用部材の形態についても、特に制限されるものでなく、例えば、板状やキヤップ状とすることが好ましい。そして、例えば、板状とした場合、その厚さを、 0. 01〜 5mmの範囲内の値とすることが好ましい。

さらに、封止用部材は、有機 EL表示装置の一部に溝等設けておき、それに圧入して固定することも好ましいし、あるいは、光硬化型の接着剤等を用いて、有機 E L表示装置の一部に固定することも好ましい。

(2) 封止用部材と補助電極との関係

また、封止用部材と補助電極との関係について言えば、図 7および図 8に示すように、補助電極 18を、封止部材 58に埋設して設けるか、または密着配置することが好ましいが、種々の変形が可能である。

具体的に、封止用部材 58と、有機 EL素子 26との間に形成された内部空間に補助配線 18を配置した部位を設けても良いし、封止用部材 58内に完全に埋設しておき、主電極 16との電気接続は、ビアホール（スルーホールと称する場合がある。）を形成して行うことも可能である。

[第 4の実施形態]

第 4の実施形態は、図 1に示す第 1の実施形態のァクティブ駆動型有機 E L発光装置 61の製造方法であって、具体的に、基板 10上に、電気絶縁膜 12に埋設された TFT14と、層間絶縁膜 13と、下部電極 22と、有機発光媒体 24 と、主電極 16および補助電極 18からなる上部電極 20と、 TFT14と有機 EL素子 26とを電気接続するための電気接続部 28とをそれぞれ形成することを特徴としたァクティブ駆動型有機 EL発光装置 61の製造方法である。

すなわち、第 4の実施形態では、有機 EL素子 26を形成する工程と、電気絶縁膜 12に埋設された T F T 14を形成する工程と、層間絶縁膜 13を形成する工程と、下部電極 22を形成する工程と、有機発光媒体 24を形成する工程と、主電極 16および補助電極 18からなる上部電極 20を形成する工程と、 TFT 14と有機 EL素子 26とを電気接続するための電気接続部 28を形成する工程とを含むことを特徴としている。

以下、第 4実施形態において、図 12を適宜参照しながら、その特徴部分等について説明する。

(1) 薄膜トランジスタ一（TFT) の形成工程

TFT14の形成工程（アクティブマトリックス基板の作製工程）について、図 12 (a) 〜（i) を参照しながら、説明する。

①活性層の形成

まず、図 12 (a) は、基板 10上に、減圧 CVD (LPCVD： Low pressure Chemical Vapor Deposition) 等の手法により、 α—シリコン（a— S i ) 層 7 0を積層する工程を示している。

この時、 a— S i層 70の厚さを、 40〜200 nmの範囲内の値とすることが好ましい。また、用いられる基板 10は、水晶のような結晶材料も好ましいが、より好ましくは、低温度ガラスである。なお、低温度ガラス基板を用いる場合には、製造工程全体において、溶融したり、歪みが発生するのを回避し、さらには、能動領域内にドーパントの外側拡散（ o u t— d i ί f u s i o n) を回避するために、低温プロセス温度、例えば、 1000°C以下、より好ましくは 600°C以下の温度で実施するのが好ましい。

次いで、図 12 (b) は、 KrF (248 nm) レーザーなどのエキシマーレ一ザ一を — S i層 70に対して照射し、ァニール結晶化を行って、ひ _ S i をポリシリコンとする工程を示している（S I D ' 96、 Digest of technical papers p 17〜 28穸照) 。

ここで、エキシマレーザーを用いたアニーリング条件としては、基板温度を 1 00〜300°Cの範囲内の値、およびエキシマレーザー光のエネルギー量を 1 00〜300m J /cm²の範囲内の値とするのが好ましい。

次いで、図 12 (c) は、ァニール処理して結晶化されたポリシリコンを、フォトリソグラフィによりアイランド状にパターン化する工程を示している。なお、エツチングガスとしては、優れた解像度が得られることから CF₄ガスを用いることが好ましい。次いで、図 12 (d) は、得られたアイランド化ポリシリコン 71および基板 10の表面に、絶縁ゲート材料 72を化学蒸着（CVD) 等により積層して、ゲート酸化物絶縁層 72とする工程を示している。

このゲート酸化物絶縁層 72は、好ましくはプラズマ増強 C V D (PECVD ： Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 、たは減圧 CVD (L P C VD) のような化学蒸着（CVD) が適用可能なように二酸化シリコンから構成することが好ましい。

また、ゲート酸化物絶縁層 72の厚さを、 100〜200 nmの範囲内の値とするのが好ましい。

さらに、基板温度としては 250〜400°Cが好ましく、さらに高品質の絶縁ゲート材料を得るためには、ァニールを 300〜600 で、 l〜3 h r程度施すのが好ましい。

次いで、図 12 (e) は、ゲート電極 73を、蒸着またはスパッタリングで成膜して形成する工程を示している。なお、ゲート電極 73の好ましい構成材料としては、 A l、 A 1N、 T a N等が挙げられ、また、その厚さを、 200〜50 0 nmの範囲内の値とするのが好ましい。

次いで、図 12 (f ) 〜（h) は、ゲート電極 73をパ夕一ニングするとともに、陽極酸化を行う工程を示している。また、 A 1ゲートを使用するときは、図 12 (f) 〜（h) に示すように、絶縁するために陽極酸化を 2回にわたり行うのが好ましい。なお、陽極酸化の詳細に関しては、特公平 8—15120号公報に詳細に開示されている。

次いで、図 12 (i) は、イオンドーピング（イオン注入）により、 n+または P+のドーピング領域を形成し、活性層を形成して、ソースおよびドレインとする工程を示している。また、イオンドーピングを有効に行うことができるように、イオンドーピング中に、窒素ガスの導入、および 300°C、 3時間程度の条件での加熱処理をすることが好ましい。

一方、ゲート電極 73として、 a— S iから形成されたポリシリコンを用いることも好ましい。すなわち、ポリシリコンゲート電極 73を、ゲート絶縁層上に形成した後、砒素等の n型ドーパントをイオンインプラントし、さらにその後に、ソース領域とドレイン領域を、それぞれポリシリコン領域内に形成可能なように、ポリシリコンアイランド上にフォトリソグラフィすることによりパターン化して形成することができる。

なお、ポリシリコンからなるゲート電極 73は、コンデンサ一の底部電極として供することができる。

②信号電極線および走査電極線の形成

次に、図示はしないが、得られた活性層上に電気絶縁層、例えば S i O_x (1 ≤x≤2)層を ECRCVD法（Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition法）により設けた後、信号電極線および走査電極線（配線電極と称する場合もある。）を形成し、電気接続をする。具体的には、フォトリソグラフィ法等により、信号電極線および走査電極線を形成するとともに、およびコンデンサ一の上部電極を形成して、第 2のトランジスター（Tr 2) 56のソースと走査電極線との連結、第 1のトランジスター（Tr l) 55のソースと信号電極線との連結等を行う。

その際、 A 1合金、 A l、 C r、 W、 Moなどの金属線を、フォトリソグラフィにより形成するとともに、第 1のトランジスター（Tr l) 55および第二のトランジスター（Tr 2) 56のドレイン、ソースなどのコンタクトは、これらの表面側から全面的に設けた電気絶縁層の開口部を介して行うことが好ましい。なお、配線電極の厚さを、 50 nm以上、さらには 100 nm以上、 100〜 500 nmの範囲内の値とすることが好ましい。

③層間絶縁膜の形成

次の段階では、二酸化シリコン（S i〇₂) 、チッ化シリコン、ポリイミドなどで構成される層間絶縁膜を、活性層およびその上の電気絶縁層全体にわたり適用する。

なお、二酸化シリコンからなる絶縁膜は、 PECVDにより、例えば TEOS (テトラエトキシシラン）ガスを供給して、基板温度 250〜400°Cの条件で得ることができる。また、 ECRCVDにより、基板温度を 100〜300°C としても得ることができる。しかしながら、これらの無機絶縁膜では平坦化することが困難なので、有機層間絶縁膜を用いることが好ましい。 (2) 有機 EL素子の形成工程

上述したように、 T FT構造や、層間絶縁膜を形成した後、その上に、陽極（下部電極）、有機発光層、正孔注入層、電子注入層等を順次に形成し、さらに陰極 (上部電極）を形成することにより、有機 EL素子を作製することができる。例えば、下部電極については、真空蒸着法や、スパッタリング法等の乾燥状態での成膜が可能な方法を用いて形成することが好ましい。また、有機発光媒体については、真空蒸着法、スピンコート法、ラングミュア一プロジェット法（LB 法、 Langumuir-Blodgett法）、インクジェット法、ミセル電解法等の一般的に公知の方法を採ることができる。

また、補助電極や、主電極についても、真空蒸着法や、スパッタリング法等を用いて形成することが好ましい。具体的に、真空蒸着法等を用いて、透明導電材料から主電極を形成するとともに、低抵抗材料から補助電極を順次に形成して上部電極を構成することが好ましい。

なお、補助電極を形成すると同時に、 T FTの接続端子と電気接続することが好ましい。その際、補助電極と、 T FTの接続端子との間に、接続材料として、非晶質酸ィ匕物であるインジウム亜鉛酸化物（I ZO)等を介することも好ましい。また、陰極（下部電極）から、陽極側へ、逆の順序であっても有機 EL素子を作製することができる。

さらに、有機 EL素子の成膜は、蒸着装置等を用いて、一回の真空引きで一貫して作製することが好ましい。

(3) 封止工程等

さらに、封止工程については、有機 EL素子を形成し、 TFTと電気接続後、封止部材で、これらの周囲を覆うようにして固定することが好ましい。

なお、有機 EL素子に直流電圧を印加する場合、透明電極を十、電極を一の極性にして、 5〜40Vの電圧を印加すると、発光が観測できるので、封止工程前に駆動させて、有機 E L素子の成膜の良し悪しを判断することも好ましい。

産業上の利用性

本発明のァクティブ駆動型有機 EL発光装置によれば、 TFTを備えた場合であっても画素における開口率を大きくすることができ、かつ、上部電極側から発光を取り出した場合であっても、上部電極の面抵抗を低下させることができ、高輝度、均質輝度の画像表示が可能になった。

また、本発明のアクティブ駆動型有機 E L発光装置の製造方法によれば、開口率が大きく、上部電極の面抵抗が低く、上部電極側から発光を取り出すことが可能な、高輝度、均質輝度の画像表示が可能なアクティブ駆動型有機 E L発光装置を効率的に製造することが可能となった。

Claims

請求の範囲

1 . 上部電極および下部電極の間に有機発光媒体を含んでなる有機 E L素子と、この有機 E L素子を駆動するための薄膜トランジスターと、を備えたァクティブ駆動型有機 E L発光装置において、

前記有機 E L素子が発光した光を、前記上部電極側より取り出すとともに、前記上部電極が、透明導電材料からなる主電極と、低抵抗材料からなる補助電極とから構成してあることを特徴とするァクティブ駆動型有機 E L発光装置。

2 . 前記薄膜トランジス夕一および画素の選択手段用トランジス夕一から構成された電気スィッチと、

当該電気スィッチを駆動するための走査電極線および信号電極線と、を有することを特徴とする請求項 1に記載のァクティブ駆動型有機 E L発光装

3 . 前記透明導電材料が、導電性酸化物、光透過性金属膜、非縮退の半導体、有機導電体、および半導性炭素化合物からなる群から選択された少なくとも一つの材料であることを特徴とする請求項 1または 2に記載のァクティブ,駆動型有機 E L発光装置。

4. 前記有機導電体が、導電性共役ポリマー、酸化剤添加ポリマー、還元剤添加ポリマー、酸化剤添加低分子および還元剤添加低分子からなる群から選択された少なくとも一つの材料であることを特徴とする請求項 3に記載のァクティブ駆動型有機 E L発光装置。

5 . 前記非縮退の半導体が、酸化物、窒化物、およびカルコゲナイド化合物からなる群から選択された少なくとも一つの材料であることを特徴とする請求項 3に記載のァクティブ駆動型有機 E L発光装置。

6 . 前記炭素化合物が、非晶質カーボン、グラフアイト、およびダイヤモンドライク力一ボンからなる群から選択された少なくとも一つの材料を含むことを特徴とする請求項 3に記載のァクティブ駆動型有機 E L発光装置。

7 . 前記補助電極が、平面内において周期的に配置されていることを特徴とする請求項 1〜 6のいずれか一項に記載のァクティブ駆動型有機 E L発光装置。

8 . 前記補助電極の断面形状が、オーバーハング状であることを特徴とする請求項 1〜 7のいずれか一項に記載のァクティブ駆動型有機 E L発光装置。

9 . 前記補助電極が、下部補助電極と上部補助電極とから構成してあることを特徴とする請求項 1〜 8のいずれか一項に記載のァクティブ駆動型有機 E L発

1 0 . 前記下部捕助電極および前記上部捕助電極が、エッチング速度が異なる構成材料から構成してあることを特徴とする請求項 9に記載のアクティブ駆動型有機 E L発光装置。

1 1 . 前記補助電極の下部補助電極および上部補助電極あるいはいずれか一方を、前記主電極に対して電気接続してあることを特徴とする請求項 9または 1 0に記載のァクティブ駆動型有機 E L発光装置。

1 2. 前記補助電極が、有機 E L素子を形成するための層間絶縁膜上に形成してあることを特徴とする請求項 1〜 1 1のいずれか一項に記載のァクティブ駆動型有機 E L発光装置。

1 3. 前記補助電極が、前記下部電極を電気絶縁するための電気絶縁膜上に形成してあることを特徴とする請求項 1〜 1 2のいずれか一項に記載のァクティブ駆動型有機 E L発光装置。

1 4. 前記補助電極が、前記薄膜トランジスターを電気絶縁するための電気絶縁膜上に形成してあることを特徴とする請求項 1〜： 12のいずれか一項に記載のァクティプ駆動型有機 EL発光装置。

15. 前記薄膜トランジスタ一の活性層が、ポリシリコンから形成してあることを特徴とする請求項 1〜 14のいずれか一項に記載のァクティブ駆動型有機 EL発光装置。

16. 前記薄膜トランジスター上に、層間絶縁膜が形成してあるとともに、当該層間絶縁膜上に有機 EL素子の下部電極が設けられており、つ、薄膜トランジス夕一と下部電極とが、層間絶縁膜に設けたビアホールを介して電気接続してあることを特徴とする請求項 1〜 15のいずれか一項に記載のァクティブ駆動型有機 EL発光装置。

17. 前記主電極に対して、前記補助電極から電荷を注入し、基板の主表面に対して平行に輸送した後、前記有機発光媒体に対して注入することを特徴とする請求項 1〜 16のいずれか一項に記載のァクティブ駆動型有機 E L発光装置。

18. 前記主電極の面抵抗を 1 K：〜 10ΜΩ ロの範囲内の値とすることを特徴とする請求項 1〜 17のいずれか一項に記載のァクティブ駆動型有機 E L

19. 前記補助電極の面抵抗を 0. 01〜10Ω/口の範囲内の値とすることを特徴とする請求項 1〜 18のいずれか一項に記載のァクティブ駆動型有機 EL発光装置。

20. 前記上部電極側に、取り出された発光を色変換するためのカラーフィル夕一および蛍光膜あるいはいずれか一方の部材が設けてあることを特徴とする請求項 1〜： 19のいずれか一項に記載のァクティブ駆動型有機 E L発光装置。

21. 前記カラーフィルターまたは蛍光膜の一部に形成してあり、当該ブラックマトリックスと、前記補助電極とが垂直方向において重なることを特徴とする請求項 1〜 2 0のいずれか一項に記載のァクティブ駆動型有機 E L発光装置。

2 2 . 前記補助電極が、前記主電極上に形成してあるとともに、前記補助電極の面積を前記主電極の面積よりも小さくしてあることを特徴とする請求項 1〜 2 1のいずれか一項に記載のァクティブ駆動型有機 E L発光装置。

2 3 . 前記補助電極が、周囲を覆う封止部材に埋設して設けてあることを特徵とする請求項 1〜 2 1のいずれか一項に記載のァクティブ駆動型有機 E L発光

2 4. 前記補助電極が、周囲を覆う封止部材と、主電極との間に、密着配置してあることを特徴とする請求項 1〜 2 1のいずれか一項に記載のァクティブ駆動型有機 E L発光装置。

2 5 . 上部電極および下部電極の間に有機発光媒体を含んでなる有機 E L素子と、この有機 E L素子を駆動するための薄膜トランジスタ一とを備えたァクティブ駆動型有機 E L発光装置の製造方法において、

前記有機 E L素子を形成する工程と、前記薄膜トランジスターを形成する工程とを含むとともに、

当該有機 E L素子を形成する工程内で、下部電極および有機発光媒体を形成した後、透明導電材料から主電極を形成するとともに、低抵抗材料から補助電極を形成して上部電極を構成することを特徴とするアクティブ駆動型有機 E L発光装置の製造方法。