WO2001063653A1 - Dispositif de circuit integre a semi-conducteurs et procede de production, et procede de production de masques - Google Patents

Dispositif de circuit integre a semi-conducteurs et procede de production, et procede de production de masques Download PDF

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WO2001063653A1
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mask
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patterns
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Hiroshi Fukuda
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Hitachi, Ltd.
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    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
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    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure

Definitions

  • the translator is the special logic ⁇ ⁇ H & 3 ⁇ 4r ⁇ W3 ⁇ 4 # 3 ⁇ 4S ⁇ «l3 ⁇ 4 3 ⁇ 4 ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ 3 ⁇ 4 I ⁇ I I H ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • LSIs are more suitable for transistor gates, and are fiber-reinforced by [ISM ⁇ It ⁇ ] per unit fiber; Because of this (3 ⁇ 4 »3 ⁇ 4a ⁇ pitch is watching EBf swiftly. Toriizumi pitch ⁇ « ma, current 3 ⁇ 4KrF eki, ⁇ use 0.8 power 0.4 ⁇ , further Ar F eki,) 1 It is thought that it can be destroyed down to 0.3 ⁇ m by using ⁇ . Then, as a ⁇ ? xn3 ⁇ 4 ⁇ ⁇ ⁇ The size is complex. On the other hand, the eye shift mask power S is known as ⁇ without changing ⁇ . This light is also referred to as the part on the mask.) The light passing through the mask is 18 Ot ⁇ ), and W ⁇ k ⁇ It will improve.
  • LSI gate pattern LSI ⁇ Application is covered by ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ 3 ⁇ 43 ⁇ 4 ⁇ 3 ⁇ 4 ⁇ 3 ⁇ 43 ⁇ 4 ⁇ 3 ⁇ 4 ”4 ⁇ ( ⁇ i 5-204131, 6-67403) 0 Reverted to Izumi by BJ Lin et al. Been! /, 8-227140).
  • the present recommendation is applied to reduce the size of the fiber.
  • ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ tS can be applied to an arbitrary pattern created by the random key of the key LSI.
  • FIG. 30 When the 3 ⁇ 4 pattern 5 is obtained, two masks V and 11 3 ⁇ 4 are formed as shown in FIG. 30 (a) (b) ⁇ rf, for example, a mask H ⁇ fe 2 Tied mouth
  • the key may be set within the target 3 range, and the mask pattern may be further increased.
  • the purpose of the bookshelf is to use the micro- ⁇ pattern with the gigantic method, the mochi-me shift mask, and the SS method of fcS: .
  • a logic LSI such as a microcomputer having a random (unfamiliar IJ) and silent pattern can be implemented with low cost power Btf ⁇ 3 ⁇ 4 can do.
  • ⁇ ⁇ optical lithography has been considered to be due to 0.15 ⁇ gap ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ 3 ⁇ 4 As a result, the cost can be reduced at a low cost.
  • Honkan C (Ya's purpose is language LS Izumi putter ⁇ random (irregular ⁇ power swell large 3 ⁇ 43 ⁇ 4 «3 ⁇ 43 ⁇ 4putter ⁇ , but at most 2 (7X1 ⁇ eye shift mask In other words, a mask pattern that can be shifted by a period is added to the pattern at a low cost.
  • the first shift mask iOT is a logic LSI, which has been regarded as a ⁇ pattern, and the ⁇ ⁇ ⁇ pattern is ⁇ Having a pattern It can be done by reversing.
  • a photo-resistor, “Koto” and an opening pattern having L or ⁇ which are provided at the top of a book, may have an upper turn and an upper pattern of L or ⁇ .
  • the first mask with the first c3 ⁇ 4te3 ⁇ 4 and above. Use the two masks consisting of the second mask with the second part, as described above. Many photoresists! ⁇ g The above is by light.
  • the sensation 1 mask and the 2nd mask are passed through the eye shift mask.
  • the sensation 1 mask and the 2nd mask are passed through the eye shift mask.
  • the first shift mask which has both the pattern and the pattern, the pattern of the pattern and the pattern of the turn, and the above-mentioned
  • the pseudo pattern is used in addition to the above, and the multi pattern exposure is performed so that the above pattern is obtained.
  • Yet another ⁇ method for bookshelves is to use a mask with a «pattern, using a mask ( ⁇ ⁇ Pattern with line pattern
  • Ur ⁇ i First ⁇ eyes shift mask and ⁇ 1 and 3 ⁇ 43 ⁇ 43 ⁇ 42 (3 ⁇ 43 ⁇ 43 ⁇ 41 ⁇ 3 ⁇ 43 ⁇ 43 ⁇ 4 ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • the ⁇ r ⁇ 2nd (the shift mask) is applied to the crane H3 ⁇ 4pattern profession ⁇ M by multi-lighting using an eye shift mask.
  • the bookshelf which is also called a pattern and a disc on the disk
  • a photoresist There is a photoresist in the opening provided, and there is a rooster in the opening.
  • Mask ⁇ express (ie, opening clothes, photoresist film, fine power, conductive film, ⁇ mmm mmm ⁇ , -m ⁇ i ⁇ power patterning process) ⁇ ⁇ , f f 3 ⁇ 4 3 ⁇ 4 3 ⁇ 4 3 ⁇ 4 3 ⁇ 4 3 ⁇ 4 3 ⁇ 4 3 ⁇ 4 3 ⁇ 4 3 ⁇ 4 3 ⁇ 4 3 ⁇ 4 3 ⁇ 4 3 ⁇ 4 3 ⁇ 4 3 ⁇ 4 ⁇ 4 ⁇ 4 ⁇ 4 ⁇ 4 ⁇ 4 ⁇ 4 ⁇ 4 ⁇ 4 ⁇ 4 ⁇ 4 ⁇ 4 ⁇ 4 ⁇ 4 ⁇ 4 ⁇ 4 ⁇ 4 ⁇ 4 ⁇ 4 ⁇ 4 ⁇
  • Fig. 1 (a) (b) ⁇ # This is a pattern that mimics the rooster spring pattern, which is a transitory pattern.
  • Fig. 3 is a pattern diagram of the translation of the second watermelon in the translation and the second watermelon in this translation.
  • Fig. 4 (a), (b), (c) The further illustration of the watermelon and the watermelon. It is a pattern of the other thigh ⁇ rf pattern in Fig. 5 ⁇ # ⁇ ⁇ 3 ⁇ 4 ⁇ 3 ⁇ 4 3 ⁇ 4 ⁇ 3 ⁇ 4 3 ⁇ 4 3 ⁇ 4 3 ⁇ 4 3 ⁇ 4 3 ⁇ 4 3 ⁇ 4 ⁇ 4 ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ 3 ⁇ 4 ⁇ ⁇ ⁇ .
  • Figure 8 is a retrospective showing the pattern
  • FIG. 16 shows a pattern of ⁇ ⁇ that is related to a ⁇ pattern (3 ⁇ 43 ⁇ 4 ⁇ ⁇ 3 ⁇ 43 ⁇ 4 3 ⁇ 43 ⁇ 4, and Fig. 17 another one of f # (( ⁇ ⁇ 3 ⁇ 4 ⁇ ) (b) (c)
  • the grip (M () (Yasari 3 ⁇ 4r ⁇ f Mo ⁇ 3 ⁇ 4, and Fig. 19
  • Figure 20 (a)-(f) is another example of the ⁇ tj ⁇ pattern and Figure 21.
  • the fountain pitch in Fig. 1 is the eye shift exposure 3 ⁇ 47 ⁇ « kyokai, wm ⁇ mx below (for example, 0.
  • the black circle 8 putter is the lower 3H ⁇ (for example, a long via).
  • Figure 1 (b) shows that a pattern of 0 on the eaves 0 of 0 and a pattern of 0 on the lattice ⁇ of ⁇ and a corresponding pattern of ⁇ on the pattern of ⁇ .
  • the white background ( ⁇ Fuji 0 has a pattern of 0 degrees
  • the fan has a pattern of 180 degrees with the remote eyes shifted (hereinafter ⁇ 3 ⁇ 4).
  • the vein shield is (l) 3 te, to be laid down, to be laid on the eye. 2)
  • the pattern of the remote eye o and the pattern of the eye ⁇ are mutually overlapping or overlapping.
  • Figure 1 (b) shows these two types O (l3 ⁇ 43 ⁇ 43 ⁇ 4fA, B)
  • each » ⁇ is ii3 ⁇ 4fc in Fig. 2 and _h3 ⁇ 4fc ⁇ ⁇ in Fig. 3.
  • the shield must be at the point, or at the end of the f-turn or at the corner or at the head.
  • the second mask uses the [ ⁇ ⁇ ⁇ eyes (the interval between the two patterns 55, 5 6 At least f3 ⁇ 4 ⁇ l3 ⁇ 4, the type A can be used. In addition, in this case, everything is uniformly set as a mask, but without doing so, only the typed distribution 3 ⁇ 4 ⁇ ; 3 ⁇ 43 ⁇ 4 is extracted as a mask.
  • L3 ⁇ 4 In Fig. B3, it is caused by 59, which covers over the eaves of rice cake 0, and encroaches on the grid of eyes ⁇ . 1 ⁇ « ⁇ , 13 ⁇ 43 ⁇ 40 ⁇ part (L3 ⁇ 4) or vertical spring and tree ⁇ (T3 ⁇ 4)
  • the power that occurs in this type ⁇ This is the type of digging and the two patterns that should be excavated. Will be separated.
  • the original pattern is made into two mask patterns, such as the lower part in FIG. 3: ⁇ rf, and exposed to ⁇ H resist.
  • the intuition of fih ⁇ : (LG or T) return to the town of No. 60
  • the lower intuition is (Xya ⁇ 61, 6 2 Be cultivated. Even if it's hard, it's all about the turn's reciting.
  • "W-type BCT ⁇ shield is resolved by self-advisory. It doesn't always turn like that, type B ((3 ⁇ 43 ⁇ 43 ⁇ 4f ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ .
  • the turn and the mask no-turn, which is a grid of the remote shield position for Type B (73 ⁇ 43 ⁇ 43 ⁇ 4 ⁇ shield3 ⁇ 4), can be applied on a single ⁇ H mask. Or, by using the checker flag shape, it is possible to make a positive decision.
  • the thick rooster spring 65 is filled by filling the ⁇ ⁇ 3 ⁇ 4 along the ⁇ ⁇ ⁇ child as shown in Fig. 4 (a) i ⁇ rf.
  • This type C (fa3 ⁇ 4 ⁇ shield belongs to the » ⁇ case pattern on the child, which occurs in the 2 ⁇ 3 ⁇ 43 ⁇ 4 ⁇ ⁇ included in the above turn.
  • This type of shield has a similarity to the original pattern in Fig. 5.
  • the fiber is connected to two mask patterns as shown in the lower part of Fig. 5 in Fig. 5 and exposed by a ⁇ H resist.
  • the shield that is, the pattern of the two masks, the pattern 66, the pattern of the second mask opposition, and the eye shift pattern 67, 68 From here, type C (3 ⁇ 43 ⁇ 4 ⁇ ; f ⁇ is touched.
  • the type A or B (the pattern for ⁇ ) and the pattern for type C f! 3 ⁇ 43 ⁇ 4 ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ [[[[[[ While the pattern for the shield is placed at grid point Jd l, the pattern is type C ( ⁇ 3 ⁇ 43 ⁇ 4 ⁇ shield 3 ⁇ 4 ⁇ The pattern for the child is linear! ⁇ You need to jump on the H mask to make the sphere »r.
  • ( ⁇ &) wants type A or ⁇ ⁇ and C3 ⁇ 4EHX can do ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ rn rn ⁇ , while ⁇ ⁇ rn can type C fl3 ⁇ 43 ⁇ 4 ⁇ shield ⁇ Get close to roosters.
  • Fig. 7 ⁇ ⁇ ⁇ of (Suppose that it is destroyed by a fan. This is i ⁇ i, ⁇ ( ⁇
  • the shield pattern can be formed on a single ⁇ H first arrogant mask.Each pattern ( ⁇ eyes are, for example, individual pattern force 0, grid ⁇ , grid 0,.
  • the mochi is a checkered flag-like ( ⁇ ⁇ ⁇ Eye shift Small ⁇ t method Equivalent to the above: HI: ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ .
  • ⁇ PC is the first steel available for bookshelves
  • Fig. 14 (a) shows the OP C ( ⁇ ) that matches the pattern on the line pattern mask.
  • 80 is the original 3 ⁇ 4f tens pattern
  • ⁇ is the last pattern.
  • the pattern that has no foot up to the p job pattern is ⁇ mm!: ⁇ Small turn ⁇ li ⁇ Thicker than the length, (Length line pattern Izumi width, 13 ⁇ 4 ⁇ ⁇ « »It is very important to increase the number of turns left in the turn.
  • the so-called hammer ⁇ riff ⁇ ) is applied to the patterns of the coftil on the mask. Nare, but [] Even if it's a killer, I'm a killer.
  • FIGS. 14 (b) and (c) show the OP C ( ⁇ ) which corresponds to the pattern on the mask for lithography.
  • these two-node patterns 86 may be inserted in order to prevent the occurrence of the above-mentioned contradictory patterns: t, c3 ⁇ 4 ⁇ ) S peripheral power S. If you have a strong job, these two-node patterns 86 should not be covered by the pattern originally.
  • a fine EE ⁇ ⁇ mee pattern 87 7ag may be preliminarily placed at the surrounding lattice point Ji of the c3 ⁇ 43 ⁇ 4 pattern. (B)). ⁇ of these dummy patterns 87 may be performed according to the eyes. These node patterns 86 or dummy patterns 87 can be self-defining, but FIG. 15 (c); Auxiliary turn 88 can also be used. This ⁇ turn 8 8 (3 ⁇ 4m ⁇ ⁇ , the child point ⁇ is not intense, ⁇ ⁇ ⁇ i3 ⁇ 43 ⁇ 4ift from the center of the turn.
  • FIGS. 18 (a), (b), and (c) a line pattern mask 99 is shown on the left side, and a remote office ⁇ is shown on the right side.
  • the mask for the turn 100 is shown.
  • FIG. 18 (a) shows the mask pattern before the masking
  • FIGS. 18 (b) and (c) the mask pattern after the daughter.
  • 3 ⁇ 4 ⁇ 1 ⁇ 2 has a type B (3 ⁇ 4ig ⁇ f ⁇ ⁇ , ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ; ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ).
  • Figure 19 shows the type B inconsistency ⁇ ! ⁇ Turn and its (3 ⁇ 43 ⁇ 43 ⁇ 43 ⁇ 43 ⁇ 4 «3 ⁇ 4 ⁇ ⁇ .
  • Type B The pattern of the TO form 106 drawn with ⁇ in Fig. 19 ⁇ h3 ⁇ 4, centered on 9, can be replaced with the pattern of ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ as shown in the figure ⁇ .
  • the result of obtaining the common unit of the northern pattern 101 and the ten patterns 102 is HE, and the type B restaurant on the @ ⁇ translation?
  • a pattern obtained by finding a common pattern of the pattern 104 and the intellectual pattern 102 is referred to as a type B fan-turn 105 on the line sound laboratory shelf mask.
  • the pattern and rules of the rule are: r. ⁇ ⁇ ⁇ Type B on the translator mask ⁇ turn ( ⁇ eyes can move to the coordinates of the grid point where each pattern is ⁇ .
  • the width is thick!
  • I have to force the face to be Bg, but in the distance, it is also possible to go to the ⁇ ⁇ 3 ⁇ 4 ⁇ 3 ⁇ 4 ⁇ mansion and the lake.
  • he is warned by a male, for example, as if he had been holding back 27 f.
  • the ry M3 ⁇ 4 angle ⁇ ⁇ is extracted from the 27th Lb3 ⁇ 43 ⁇ 43 ⁇ 4s tenth degree.
  • a certain pattern is extracted, and it is assumed that the shift near the 3 ⁇ 4f is a remote shift, and that the shift of the rice cake is adopted as shown in FIG.
  • the mochi-eye shift TOW ⁇ pattern is assigned, for example, an eye of 0 degrees, and after being pressed, the eye shift iiTO ⁇ ] and the above pattern, respectively, are assigned.
  • the pattern 1 1 1 like ⁇ 2 1 3 ⁇ 4 ⁇ 3 ⁇ 4 ⁇ ⁇ is extracted, and the contradiction is extracted; ⁇ I with the pattern, the original pattern 1 1 1 3 ⁇ 4 ⁇ 2 1 In the figure, ⁇ is applied to the masks 1 2, 1 1 3 in the form of 2 ⁇ like 3 ⁇ 4 ⁇ 3 ⁇ 4 ⁇ rf.
  • the inconsistency of all the existing lines was masked by adding the inconsistency pattern.
  • two masks 1 1 4 1 1 5 Again, the pattern on the first mask may be changed between the patterns on the second mask.
  • SEE (A dX XSIZE (A dX YSIZE (A d) represents each side of the medical form A, and ⁇ f3 ⁇ 4, x ⁇ [3 ⁇ 4, and y represent state shells from the law of d A!
  • the w is the wisteria which is difficult only by d, AND, ten, — is the Xie Buno: ⁇ f.
  • the input is the original ( ⁇ ten patterns ⁇ ⁇ one, the es mask is the rice cake ⁇
  • the open pattern of the mask for Xiao Line mask is the line pattern, and the opening pattern of the mask is cut off.
  • w ⁇ 3H pattern ⁇ equal to 3 ⁇ 4 ⁇ 3 ⁇ 4 ⁇ periodic powder.
  • ⁇ ⁇ ⁇ and ⁇ are the E parameters of the type ⁇ and the type BcOfia3 ⁇ 4 ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • VL YSIZE (VS; w): vertical lines
  • HL— 0 AND (HL, H—0 degree): horizontal lines with 0 degree
  • HL_p AND (HL, H_p degree): horizontal lines with p degree
  • VL— 0 AND (VL, V— 0 degree): "vertical lines with 0 degree"
  • VLJD two AND (VL, V_p degree): "vertical lines with p degree"
  • LN-1 0 HL_0 + VL_0 (lines with 0 degree "
  • X_pp m (HL_p, VLJD) "cross point of p degree H-lme and p degree V-line"
  • typeA-1 0 XSIZE (XSIZE (L _0; w / 2); -w / 2) + YSIZE (YSIZE (0; w / 2); i / 2)-L-0
  • Res— A AND ((XSIZE (typeA; w) + YSIZE (typeA; w)), LE)
  • P_nodel AND (XSIZE (Node; 2w) + YSIZE (Node; 2w)-SIZE (Nodelw), input) possible peripheral node
  • B SIZE (AND (A , input) -Node; w)
  • C SIZE (AB; w)
  • Res—mask SIZE (Res A; dA) + AND (SIZE (Res— B; dB), input) + SIZE (P-node; 'Patterns for line mask ":
  • a mask 1A was attached to the fiber ( ⁇ Aha) side as shown in the following figure 2A, and a fffi combination ⁇ ⁇ r ⁇ attached to the mask 1A. Exposure was performed after the combination of Fig. 22 (b)). For exposure, use the opening 3 ⁇ 4 ⁇ 0.6, which is the KrF exotherm contractor ⁇ g ⁇ f), then expose the mask ⁇ ⁇ ⁇ @ ⁇ ( Figure 22 (c)) 0 At this time, the side attached ⁇ i: ⁇ ® In order to do the ⁇ that arises, ⁇ ⁇ , ⁇ , ⁇ ⁇ , this is fixed on one stage These two masks are exposed. Fig.
  • FIG. 23 shows the exposure of the light that In the resist, the iSoS of the light is converted into light, and the resist becomes soluble.
  • the pattern was almost as perceived as a knowledge pattern ( ⁇ it can be seen that the force was able to be generated by fraud.
  • door rotation was performed, and the resist film starved image As a result, the door; the pattern should be 15 resists. A resist was observed (Fig. 22 (d)).
  • the resist pattern 16 is used as an etching mask.
  • use »» ⁇ ⁇ apply a hard mask to Al IUi and use # ihl ⁇ ⁇ , apply a resist on top, and expose and develop two masks. Use the resulting resist pattern as a mask
  • An Ai rooster pattern may be obtained by etching the base. Also, the exposure of the above two masks was not affected. After exposing the first mask to ⁇ : ⁇ , the upper mask c ⁇ ⁇ and then re-applying the second mask It's okay to expose it according to the above statement.
  • the first mask 24 is fixed to the mask 3 ⁇ 43 ⁇ 4 stage mf), and a ( ⁇ > 3 ⁇ 4 ⁇ mark 25 on the first mask 24 is detected.
  • the first mask 2 4 is exposed to the resist film Oa ⁇ rf) on the surface 21 in the form of a dilatation lens 26 3 ⁇ 4 ⁇ Figure 24 (a)).
  • stepper ⁇ performed with ⁇ H, which stopped the light with the mask as a mask
  • the exposure was performed while scanning the surface as @@ 1.
  • the chip size on the mask is less than 1 )
  • the size of the powder on the mask is smaller than the powder of 1 ⁇ , and the pattern on the mask 1 (1 pattern) and the pattern on the mask 2
  • the first pattern and the second pattern or the like are collectively exposed to the door of Sfeii.
  • the ⁇ A stage is made difficult by an offset corresponding to the first pattern and the second pattern on the mask by the ⁇ A space, and the n 1 pattern and the second pattern are seeded.
  • the second exposure i can be superimposed on the second exposure i W on the first exposure and the second exposure i.
  • the first pattern: ⁇ extinction and the second pattern: ⁇ from can be applied to the wafer without using the masking mask ⁇ " «
  • FIG. 25 is a schematic diagram 3 showing the $ £ t process of the above ⁇ using a denomination.
  • Fig. 28 shows the pattern of the NAND cell itself ⁇ .
  • the ⁇ # is converted to «3 ⁇ 43 ⁇ 4 and « ⁇ Sf «3 ⁇ 43 ⁇ 4 is used for t $ ⁇ .
  • source drain gate gate electronics is cast!
  • iiffl dew and resist process ⁇ ! By doing Since the size of the pattern can be J, it is also possible that ⁇ is smaller than 0.3 ⁇ m pitch, that is, smaller than 0.15 m. It is possible to obtain a patrol that can take over the LSI by arresting the rivalry. For example, by setting the numerical aperture of Kr F ex ⁇ "to 0.6 force 0.68 The main putter ISf 10 "is removed by 10 0 / separate, and the ArF excimer is put by iOT.
  • this translation is not limited to such a pattern ⁇ castle ⁇ iffl, but also «« element structure m- ⁇ ⁇ ⁇ m: si «body» 3 ⁇ 4 » ⁇ ] ⁇ 3 ⁇ 4 ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ field pattern I can do it.

Description

明 細 書
^ w^ ^m.,その びマスク c ¾^去 搬渐
本翻は、 特こロジック^ ^ H&¾r^W¾#¾S^^«l¾ 默 その i¾ ^扱 IH こ用いられるノ《ターン ¾ ^城したマスク f^¾?去 に る。
Figure imgf000003_0001
匕によ り されてき 例えば、 LSIはトランジスタゲート により高 適 とともに、 単位繊あたりの [ISM^It^により纖 ^匕されてき こ; wこ 、、 f»ゲート同士を互レ、に^^るため (¾»¾a ^ピッチが 速に 観 EBf匕している。 酉 泉ピッチ^ «ま、 現 ¾KrFェキ、 ^を用 レヽて 0· 8力 0. 4μπι、 さらに Ar Fェキ、 )1 ^^を用いて 0. 3 μ m禾號まで滅可能と考えられてレヽる力 そ c^ ^^^線を用レヽた 输 光法で と されてレ、る。 そこで、 さらに微田なパターン を »するための^?去として、
Figure imgf000003_0002
xn¾光體カ 錯寸されてレヽる。 一方、 ^^を変えずにそ^ を ί¾ する 去として、 目シフトマスク 力 S知られてレ、る。 この細ま、 マスク上 鑭ロ部ともいう） 碰 過する光 目 る は、 18 Ot^させる） もので、 W^k< 體を«マスクを用レ、た齢と!:嫩して搬に向上するものである。
こ (^目シフト法では、 十微白¾ いて «パターンのど (^β^)ί 目を させるカ¾^~る做面 ag^必要となる。 しかしながら、 ^on] ^パターン では 圈膨本働に赚ょパターンがしばしば る。 例えば、 コ C ¾ (U— s h a p e d) ノヽ。ターンや 3つ ターン （即ち、 開口パターン） 互い されている がこ こあたり、 こ tL¾r¾¾ ^盾と呼 この 欲が W¾ため、 目シフトマスク はこれまでメモリー L S Iのメモリセノ V^ffi よパターンに旋されて個されてき
目シフトマスクを パターンに綱する齢でも、 盾を ¾ る方 法が^ ¾ ^により艦されてレ、る。 こ; Hiま、 シ^リックレベルでィ 圈纖 コンパクションを行うことにより、 @¾f¾eけたレイァゥトを求めるもので ある。
i s¾tを角欲する別の方?おま、 目シフトマスクを^ スクを フォ トレジスト臃こ多靈光するという t ^に^ 3いてレ、る。 こ «^¾、 日 許第 2650962号及ひ第 2638561 ヽて本 により されてレヽる。 更に、 こ«^¾々な ¾パターン^ 応用力 浩されている。 例えば、
L S Iのゲートパターン开狨 ^^応用が、ネ Φί¾¾Χ¾」4 ^により幌 milさ れている （ §i平 5-204131、 6-67403) 0 又 酉 泉に翻する^去が B. J. Lin等により麵されて！/、る 8-227140)。
又、傲目 mm法を用レ、た僻目シフトマスクによる任意パターン アルゴリズム が Y. C. Pati, 等により験されている（SPIE: Optical/Laser Microlithography VII, SPIE Vol. 2197 (1994) pp.314— 327. )。
しかしながら、
Figure imgf000004_0001
まず、 ST Wl?去では、 個々のパターンを川 していくため默な日 を 要する。 そこで、 ある禾號 藤 （例えば 5 m角繊 のパターンを一括して 転写できるセノレブロジェクション法力 されているカ 能なパターンの されるためランダムな f L S Iの酉 パターンで はない。 又、大¾^スクをスキャ^光可能な SCALPEL法力 ^^寸されている力 スノ プットは獄の露光 1禾號にとどまる。
又、 X糸鍵光法では^ を有するマスクを親するのが賺という P» ある。
一方、 目シフトマスク法を ¾ «|¾ パターンに删するため < 謝是 案されてレヽた様々な方？おこは次のよう ^あっ
例えば、 ま T lt己シ^リックレベルでィ 纖コンパクションを行う方 ま、 る咅 ^ 寸法を緩 ΡΓΤるため、 本勸に 05»时匕〖 ラ する。
ところで、 厳 鍵 L S Iは人手" ¾f十可能 τ¾見模¾¾えており、 自翻画己
,徽去を用レ、 十される 力 どである。 従って、 目シフトマスク «も自 され なパター ータに対して行う必要があり、 こ† ¾r人 こより 韻しながら行うことは^ ある。
しかし、 上言 スクの多蘭光を用レヽ パターンに ¾)Sする方? う ち、例えば聯? ΙΨ&·2( 131、 H平& ·227140では、元 (¾|十パターンを徽の マスクに^ Τるためのノ^^！^^:化され X ヽないため、 默な L S I データに対処するのが »Cあるという あっ
更に、 欄平 5"204131、 欄平 ^67403に！ ^されている細ま、 トランジス タのゲ一ト («Βί匕を行うためのものであり、 これらを酉 泉パターンに删して、 そ 泉ピッチ 」、することは あるという
Figure imgf000005_0001
一方、 欄平 8- 227140に I ^されているノターンを に^^ "Tる 去で は、 言鍵 L S Iのランダム酉 feける任意のパターンに ¾tSすることが » ある。 例えば、 第 2 9図〖 した ¾パターン 5を に ると、 第 3 0図（a) (b) ^^rfように 2枚のマスク V及ひ 11カ¾ ^されるカ こ^^、 例えばマスク H〖 feける 2つ 口部
さ よい。 第 3 0図で 部を、 2, 3，
Figure imgf000005_0002
レ、る。 上¾»|]には、 麵のケースに対してマスク上 口） パターン X Iと X 2をさらに 2枚のマスクに る考;！ ^が^ A変され T 、るが、 こ 易 合 X Iと X 2はインコヒーレント和となるためこれらを日 ¾に» "ることは困 i eある。 また、 このため^^な識十力 えられているわけではなレ Dで、 述のように人 续勸に^!能 なランダ ヽ。ターン ¾r ¾^ ^見模 L S Iパターンに删するのは «ΙΤある。
又ィ ϊί目 法を用いた 蹈衝ぉ な計算量を要するため、 上言 見模デ
—タに対して 的な 3 内に鍵を行うこと あり、 更に されるマ スクパターンカ^ ¾ため、 マスク の限界等が必ずしも考慮されて
Figure imgf000006_0001
一方、 本 "は、 より^ なアルゴリズムにより任意のパターンに 目シフ ト^^^ 育と る方法を、 Digest oi Technical Papers, 1999 ^yn osium on VLSI Technology (1999) pp. 123-124.、 "Node connect ion/quantum phase-shifting mask— Path to below 0. - μ m pitch, proximity effect free randan interconnect and memory patterning で: し
この 1999 Symposium on VLSI Ifechnolog で述べられ T 、る方法では、酉 泉パ ターン f"るのに 3ネ のマスクを要し、 マスクコストがかさむという課 膠ある。
これまでランダム酉 泉パターンに周鍵¾目シフト法¾1^可能とするた め^^^ f氐コストな方 まな力 このため、 （1) 鰱1^ 1の パ ターン («P9i ¾びチッフ マスクを用レ、た光リソグラフィ^己 線ピッチの限 こより律速されてしまう、 （2) ί¾マスクを用レ、た光リソグラフ ィの限 え l 泉ピッチ ^しょうとするとスノ^"プット ( »て低 レ、電 去をィ ざるを得なレ、という ¾^あっ
本棚の目的は、微 β§パターンを 駕光法と餅目シフトマスクと (^且み合 を用レ、て开 ることのできる己: fcS:された^ の SS ^法を ることにある。
そ こより例えば、 ランダム （不夫通 IJ) で力 默¾¾«¾¾パターンを有 するマイクロコンピュータのようなロジック L S Iを低コストカ^ Btf で §¾ することができる。 即ち、 ¾ ^光リソグラフィでは! に賺と考えられてき た 0. 1 5 μ 下 隔を有する猶田 ¾パター 誠されるランダ ム； ¾ パターンを有する難 L S Iを、 光リソグラフィを用レ、 ^ること により の高 匕を低コストで ることができ 。
本翻 C (也の目的は、 言鰱 L S 泉パター^^ランダム （不ま類 Φ 力つ膨 大¾¾«¾¾パター ^あっても、 高々 2枚 (7X1 ^目シフトマスク够露光 により、任意のパターンに周期 目シフト¾«可能とするマスクパターンを、 低コストカ^^ 十、 i^ る^?去を» ^ることにある。 翻の 示
掘 ί いて！^される翻の内、 » jなもの を簡璃こ説 下 である。
本棚〖漏 パターン用 (^目シフトマスク 嫩る^ «々のパターン
Figure imgf000007_0001
れたものである。
即ち、 本 目シフトマスク iOTが赚とされてきたロジック L S I «々の ¾パターン し、 粽こ戲藤 及び Τ β (即ち、
Figure imgf000007_0002
を有する パターン
Figure imgf000007_0003
翻することによってなされたもので める。
例えば、 本，月による ま、 の上部に設 けられたフォトレジスト臌こ徽の蔵藤 及び L 又は τ を有す る開口パターン る際に、 上言 ターンの上言 醅及び L 又は Τ に¾ ^さ こ第 1 c¾t e¾を有する第 1マスクと上言 ヽ。ターンの上言 ¾聽に対 応さ こ第 2 部を有する第 2マスクとからなる 2枚のマスクを用レ、て上記 フォトレジスト鹧こ対して多;！^ g光することによって上言 ロパタ一ン 财るものである。
また、 上曾 口パターンの上言 3 ^の薪藤 »及び L 又は Τ βカ牠 の薪聽 Κ¾ 醅から 0. 1 5 mJ^下の間隔をもって薩疆されて！/ には、 上識 1マスク及ひ又〖 2マスクは 目シフトマスクで徹される。 又、本棚による他の轉^ の 去では、 轉淋 ¾：部に設 けられ 酷附にM^]に走る ¾パターン "る際、上言 バタ ーン に互レ、に i¾して » るパターンと レ、に して するノ、。ターンとの両方に する を有する第 1 目シフトマスクと、上 言 an ^パターン 角音 又〖«^^βのい" ^ こ¾ ^する職部を 有する第 2 目シフトマスクを用レヽて上言 附に擬^^を用レ、て多 露光することにより上言 an ^パター^ ^T缄される。
本棚の更に別の ^法では、 «パターンを有するマ スクを用レ、て戯 (·播肚に驟駕光することにより上言 肚 ターン ^ ^る際、 »¾の足隱内に ρ難パターンを有する線パターンの
1 可！^滅を «rrるノ、。ター: ^¾3こ¾ ^してマスク
る第 1 ^纖 肖用マスクパターンと、 i^f¾に υ¾線パターンと ^¾ にィ 、る線パターンとの交¾ ^第 2 盾可育 遞を^ rるノ、。ターン 繊こ してマスク る第 2 β¾¾ ^應肖用マスクパターンと
¾r^ i第 1 ί 目シフトマスクと、 上言^ 1及ひ第 2(¾¾¾1^肖用マスクパ ターンとともに上言纖通肚に多露光することにより上言^^の IU ^バタ 一ン¾¾¾ ~るための申 、。ターン ¾r ^第 2(¾ί目シフトマスクとを用いて多 光することによって鶴 H¾パターン力職^ Mに开缄される。 更に具働には、 上記マスクで K r Fェキ、 ^"ザを用レ、てフォトレジスト膜 に多 ¾1駕光することにより、 これまで隱とされてきた不 な 0. 3 μ τη 以下のピッチ （即ち、 ノター |gO . 1 5 ^ πι¾下でパターン間隔 0. 1 5 /z m 以 ター^ e嫌されるロジック L s Iを« (^駕^ iを用レ、 て藤 く i^Tること力 Sできる。 又、 こ A r Fェキ、 "ザ又は F 2 ^"ザ^原として f¾¾"t li 、 各々ピッチ 0. 2 3 / m又は 0· 1 9 πι¾Τ ^ターンに文 すること力 Sできる。
なお、本棚〖 いて、 パターンと ί スク上 瀾ロ部ともいう） に¾ ^する滅 即ち例えばポ、: ^フォトレジスト鹧こ設けられる開口部のバタ 一^'あって、 こは^ ける酉 ¾^ ¥®@ag〖^3ける導蕭 ffi ^mmM^ 又〖让言 ^障露 ι¾のい ~m力 パターンを: »r る。 マスク ^遞（即ち、開口服 フォトレジスト膜 ^細 力 導電淋直 ^mmm mmm^、- m^i^ る力おパター 写プ ロセス【 いてポ、 レジストを用レ、る力、 ネ ®レジストを用レ、る力、 あるい f EHプロセス ί いて酉¾ ^才料をエッチングして酉 泉パターン^ l"る力、、 あるレ、はレ、わゆるダマシ ロセスを用レ、 漏機中 ターン¾Εϋ材料 をナ里めこむ力 によって^よる。
更に又、力、かる本棚に適した 2枚のマスクは次の 暢こより條される。即ち、
(1 ) 特して酉 Egされ ^ターン間の £隱¾ ^の £瞧内 ί:3»Τると き、 上記 2つ (¾)^ヽ°ターン間で職される光 fii目が互いに廊されるように 上言¾^ターン 目を誠し、 (2)こ こより 目力 された徹0¾¾ ノ タ一ン^^レ、て、 互レ、に儘されるべき鹏目 ター の 内 るとき、 上言 Sffiした咅盼及 ^パターンを抽出して第 1の 餅 蔵遞隨とし Π5慮し、 一方、 « "べきパター^) m¾る 目を有す る徵¾¾ ^ターンから観されるとき、 上言 よる僻目を有する徹<¾¾； ノターンの重なる咅盼又 f»fる咅盼及 パターンを抽出して第 2の 餅 身或識とし XI己慮し、 o)
Figure imgf000009_0001
レヽ 亥当する各靡こ¾ ^して僻 盾 ^ rるため 廳肖用パター ンを«し、 (4)上記 廳肖用パターンとともに" の戯 f纖肚に多 露光することにより醒の パターン ¾¾rるためのネ ターンを » し、 (5)それらのパター 、ータをもとに上記 應 ターン ¾r tf第 1 目シフトマスクと、 上言¾¾¾^ターン¾^第2 目シフトマスタカ される。 麵 戦説明
第 1図（a) (b) ί#翻 通となる酉 泉パターンを模^^ した « 図であり、 第 2図 f 翻 と本翻の第 1の腿を言«1~るパターン « 図であり、 第 3図 翻<¾と本翻の第 2の驟を説日^ Tるパターン 図であり、 第 4図 （a) (b) (c) f 翻の更に他 と驟とを説^ 1"る ノターン であり、 第 5図 ί#翻の更に他の腿^ rfパターン で あり、第 6図 翻を パターンに删した齢¾^パターン W1で あり、 第 7図〖鉢翻 交橡となる パターンを模 示した平 顧であり、 第 8図〖 翻を^^なパターンに綱する^ ^頃^:した
Figure imgf000010_0001
模 であり、第 10図（a) (b) f 翻を^^なパターンに删する齢
Figure imgf000010_0002
第 11図〖#翻を"^なパターンに删する場 ^^法^^莫^！ ¾であり、第 12図（a) (b) f 翻を^ なパター ンに删する^ 別^ «¾^莫¾1であり、第 13図（a) (b) ί 翻 を^^ Jなパターンに删する齢の別の灘を τϊ^莫^！]であり、 第 14図 (a) (b) (c) ί 難こ删可驗パター «E手段 々棚^^莫式 図であり、 第 15図 （a) (b) (c) ¾Φ翻に删可能なパター ϋΕ手段の 別 ^ であり、 第 16図 翻を^^なパターンに綱 する β ^別 (¾¾^ ^莫¾¾であり、 第 17図 f#翻の別 のひとつ (^^去 ¾^莫¾¾であり、 第 18図 （a) (b) (c) 握の別 ( M () (也 去 ¾r^f莫^ ¾であり、 第 19図 翻の別 (¾¾O^c ^: 去 莫 であり、第 20図〖 翻の別 ( ¾¾tj^^^去 模 であり、第 21図〖#翻の別のパター 手段^"^^^ で あり、第 22図 （a) 〜 （f) tt*翻の^ 例による の製 造 1¾¾^：1¾8リ(¾咅¾«]であり、第 23図 翻の «例による霞亟 酉 パターン斬生 國であり、第 24図（a) (b) ί 翻 c f也 の ¾例による露 あり、第 25図 （a) 〜 （d) f#棚 の雄例による^ 置 (« :rf呈^ τΤΐ¾¾の要 であり、 第 26図 ί#翻によるノターン アルゴリズム (^fe^ 莫烟であり、 第 27図 ί 翻によるパターン賊ァノレゴリズムの別 莫 であり、 第 28図（a) (b) によって开缄された言鍵ゲート Hf§¾で を説 るための要部 W¾であり、第 29図は ί«¾ ^を説明 1"るための摸式 ノ、。ターンの w¾であり、第 30図（a) (b)
Figure imgf000011_0001
ン c WH]である。 翻を雄するため ί«良 態
以下 明では、簡^ 0ため第 1図 （a) ^ Tごとく、 パターン 6， 7等
(^^の格子（以下、 子と呼ぶ） の ^点、を結ぶある^ ¾の太さを有する ^^から滅されるとする。 こ は、 自麵屬 ¾|ツーノ T^ffiを謝是とし TlSf十されたお見機 泉システム («^ίまぼ妥当なものである。 ここで、第 1図 泉ピッチは 目シフト露光 ¾7^«艮界 、 w m^ m x 下 （例えば、 0. とする。 なお、第 1図 （a) 中の黒丸部 8〖让記 パター いてその下部 3H^¾本（例えば、 ¾Κいはビア） と る咅盼 しいる。
職黨光で f»Tる酉 Μ¾を赚に儘して »Τるために、 0. 15/xm(¾t
Figure imgf000011_0002
そこでまず、基
Figure imgf000011_0003
パターンに 目 ¾riB®1"るとする。 こoiま、 例えば、 ¾φ¾ ^を第 1図 （b) に ごとく »^々に対してィ 目 0 (D - 0と 目 πの軒兀に駕し、 0 の軒 0上 ヌ ^こ¾ ^するパターンに 目 0を、做目 πの格子 π上 こ対 応するノターンに 目 π ^Τることにより ^れる。 なお、 第 1図 （b) に おいて、 白地 (^藤 ¾¾¾が 0度のパターン し、 扇ま 180度僻目が ずらされたパターン している （以 Τί¾)。
しかしながら、 ¾ι十された任意のパターンにこ すると、 当 ことなが らいたるところに ii¾¾f^^じる。 脉盾とは、（l)3teし T¾すべき E レヽに彌されるべき） 目 (^しレ«のパター/^ある灘 ( ^M^, mm-m< 2 以下に ること、又は （2) 僻目 oのパターンと 目 πのパターンが互いに る力又は重なること、 と ¾rる。
¾ "をタイプ A(¾¾ ^盾、 後者をタイプ B„ と呼ぶことにする。 タイ プ Α ί≤¾^藤 じると; されるべき 2つのパターンカ纖してしまう。 一方、 タイプ B(¾ffi¾f^^じると べき 2つのパター >^ され てしまう。
これら 2つのタイプO(l¾¾¾fA， B を第 1図 （b)
Figure imgf000012_0001
又、 各々の »^ ^を第 2図の ii¾fc、 第 3図の _h¾fc ^ τΤ。 ここで、 これら
盾は、 必 点、 もしく f ターンの または角訊 又は ¾Χ部で生じてい ることに ¾ rる。
タイフ。 A fl¾¾^;tは、餅目 0の格子 （Xは 目 πの格子） 上に する 2つの 盼 51と!^ 5
Figure imgf000012_0002
2図の _h¾¾")。即ち、 ί^Η 目の 2つ C »した画こ属する^"点 最小 格 隔で互いに »Τる^こ、 上記 2つの格子点の間で生じる。 こ ^ま 必 点と他 c« ^叉は他 の間で生じること力 sわ力、 る。
Figure imgf000012_0003
上記 2点の間で されるべき 2つの パターン 51， 52力 してしまう。 このタイプ 盾は、 には元のパターンを^^で第 2図の中微び下 段 ような 2枚のマスクパターンに舊し、 藏を^ Hレジスト縢こ多蘭 光する。 第 1のマスク 2図の中^) は 2つの格子点に する爾： ^タ一 ン 5 3， 5 4 ¾^ rTる 目シフトマスクであり、第 2のマスク 2図の下^) はそ f也 ( *7^盼 5 5， 5 6， 5 7 るィ 目シフトマスクである。 第 2 のマスクでは、 [^~^目(¾ した2っのパタ一ン5 5， 5 6の間隔を、 少なく とも f¾^l¾目でも鍾輸可肯 で¾^る。 こ こよりタイプ Aの
Figure imgf000013_0001
なお、 こ では全て を一律に另 スクとし ているが、必ずしもそのようにする まなく、 タイプ じた配 ¾^；¾¾のみを另^スクに抽出" m«、ょレヽ。
一方、 タイプ
Figure imgf000013_0002
(L字又は T字ライン） 5 8， 5 9カ¾¾¾0の格子と 目兀の¾^にまたがっ"0%する齢、 そ 目 0 の軒に属する咅盼と僻目 πの格子に属する咅盼力 する咅盼 (L¾) で生 じる （B3図の 即ち、餅目 0の軒上に被する 5 9と 目 πの格 子上に雜する,乎紛 5 8力 する咅 で生じる。 こ^ 1^«^、1¾¾0 ^部 (L¾) 又は縦泉と樹^ (T¾) で生じること力 ¾^かる。 このタイ プ 掘性じると^ べき 2つのパターンが上言 点 ί レ、て分 離されてしまう。
そこで、 こ こは、 元のパターンを 卩で第 3図の中 ひ下段〖：^ rfよう な 2枚のマスクパターンに し、 を^ Hレジスト鹧こ多露光する。 第 1 のマスク 3図の中勘 fih記 ^: (L G又は T ) に¾ ^する歸に ノ ーン 6 0¾城し、第 2のマスク 3図の下勘はそ ( X也 盼 6 1， 6 2
Figure imgf000013_0003
養肖される。 こ こついて も、 全て ターンの をー誦出" Wまタイプ BCT^盾は自勸に解 決されるカ 必ずしもそのようにする翻まなく、 タイプ B( (¾¾¾f^^じた 酉 維端 のみを另^スクに抽出 i li ょレ、。 タイプ A f≤¾¾t¾»:するために上記 盾を » 1対の格子点〖 れ るィ 目マスクノ、。ターンと、 タイプ B (7¾¾¾^盾¾ ^するために上記僻 盾位 置の格子 歷されるマスクノターンとは、 1枚の^ Hマスク上【 るこ と力 sできる。
Figure imgf000014_0001
もしくは チェッカーフラグ状に 圏 ることにより、 ,なく 圏疆可肯 あ 。
ii、 を 0Φ»、 π格子に し、
Figure imgf000014_0002
イブ B
^盾麵を^、た部^^ち、 繊に» ~る商藤,パターンを各々 o、
7T( ( 目とする第 目シフトマスクと、 上記タイプ Α及び Β( ( @^盾麵 を露光するための第 2 目シフトマスク^ ^光することにより、 2枚のマ スクで格子上のランダ ターンが缄可能となる。
R ヽ パター ^蔵の軒に沿った一 »«?泉であり、 し力、もそ 端 力 ^"点 Jiにある こついて述べてき しかし、識 醒性 からこ ^隞まもう少し徵ロされること力望ましい。 例えば、 酉 ^される比 こ対して 要となる。 また、 言鍵 L S Iのスタン ダードセノ M^f¾(Oi¾^では、 ゲ一ト肅^ h^ コンタクトと
コンタクト力 ¾φピッチの だ〖tfHることから、 ¾φ ^子から*fHた ノ、。ターンが望まれる # ^がある。 そこで、 火に様々な太さ (¾Ξ^、 Ε¾Φ¾· 間にもパターンの被する こつい 日肝る。 これら^^にも、 本発 明を攝すること ^^である。
まず、 太さの る酉 泉6 5は、 第 4図 （a) i ^rfように、 上言 ¾Φ ^子に沿 つ 編 » 間 ¾¾ 泉パター 埋めることによって; ¾されるとする。 又、 上 と ビアやコンタクト （® ¾IB§) ««IJとして 子上 に ffiするとする。 これら は、 自麵画 E泉ツーノ 細を謝是とした大 規機 泉システム (7^1十では多く 妥当なものである。
1SI十パターン 6 5の (¾こ含まれている 格子点に対して、 先〖 ベた ； ¾に¾ ^きタイプ A¾び Β( ≤ί§^盾を抽出すると、 第 4図 （b) τΤよう パターンに沿ってタイプ B(¾f@^f^69で： ^ように格 のいたる ^こ ¾Τる。 このことは、 鋼 泉 65力被しない こは、 隣り合う格子 線こ沿つ ま彌されるべきものであり、 献 (^目 f 、ず^]^あつたの で、 H^^f¾¾¾t{姓じえな力 たこと力 趣军される。 しかし、 タイプ B
Figure imgf000015_0001
うに格子点と^点の間に錢されたものなので、 ここ で第 4図 （c) ようにこのよう 泉と 間^匪^^こに錢し、 こ tL¾rタイプ C iii薩と呼ぶこととする。
このタイプ C( fa¾ ^盾は、 子上の »Τる格 パターンに属す る 、 上言 ターンに含まれる 2^¾¾§ ^に生じる。 このタイプ 呀 盾は、 元のパターン 5図の を好 [1で第 5図の中微ひ下段 よう な 2枚のマスクパターンに連し、 赌を^ Hレジスト鹧こ多露光することに より纖される。 即ち、 第 1のマスク 5図の中勘 はィ 盾咅盼、 即ち 2 っの¾¾に«れる咅 こ¾^するノ ターン66¾^城し、第 2のマスク 衝 5図の下勘 はそ 也 ^^ する 目シフトパターン 67， 68^ 财る。 こ こより、 タイプ C(¾¾^;f^觸肖される。
なお、 上言 ^、ずしも ^に沿つ こ«れてレヽる i ^ま なく、 片個 接してレ、るだけ こも上で述べ^?去を応用して対処可肯 あ る。
タイプ A又は B ( 薩 鞅するためのパターンと、 タイプ C f!¾¾ ^盾を 嫩するためのパターンは 1枚の [^マスク _U Bg ること力 Sできる。 ただし、 タイプ A又は B(Z¾¾¾ ^盾 鞅するためのパターン 格子点 Jd l己 置されるのに対して、 タイプ C( {¾¾ ^盾 ¾ ^欲するためのパターン 子 の格 に線状 ！躍される。従って、これらを 1枚の^ Hマスク上 躍して、 圏 »rる ¾ ^こ ^必要である。
例えば、 第 6図の ような; 泉 70と最 泉 71, 72 (Di . ノター^は、 タイプ A ¾iB( {¾¾^盾^^するためのパターンと、 タイプ C(¾i 盾 鞅するためのパターン力 虫してしまうので樹頃職賺と なる。
こ J^、 と ゝら考え、 酉 2» ^寸近ではタイプ A又は B
( f¾»廳肖 して、 細で第 6図の中微ひ下段^^ rf~よう 歷の 2 ネ夂のマスク^ 良レ、。
即ち、 タイプ C fiffi^應 ターンとしては、 太乎凝盼 7 0 ¾ri¾ l€^]に は片彻 j
Figure imgf000016_0001
禾號、 酉 ¾s手^]には片側 2 聽、 各々バタ 一ン 」、した斷翻レ、iiiょレ、。
こ こより、 ( Ά &) ではタイプ A又は 麵 ^欲し て他 C¾EHXはビ了等と を ί«こ行うこと力 sでき、 一方、 ^ ^rn ではタイプ C fl¾¾ ^盾^欲することにより ¾灘を親し、 酉 凝厳を低 きる。
次に、 ^間にもパター するような、 さらに のバタ ーンに綱した齢について述べる。 まず、 » ^"子に対してそ 向に 各々半 こ灘こサブ軒を錢する。
譜十パターンは、 第 7図〖：^ ~よう
Figure imgf000016_0002
の
Figure imgf000016_0003
（禾 扇 からネ滅されるとする。 こ «^i 、 麵 (^柳な 第 8図〖： 。
まず、 はじめに文橡となるパター ^ら »ターン 7 3を抽出し、 上〖 ベた 細こ ¾ ^、てタイプ C (^廳 ^ ターンを る。 次に、 元のバタ一/^ ら上記タイプ C( ^適 ターンを除くと、 ¾Φ¾ί、 サブ格子上^ ¾/J パター^) る。
» ^子上のパターンと赚、 サブ格子を格子 0，、 格子兀，に iJTると、 上記 ノ、。ターンは、格子 0、格子 π、格子 0，、格子 π，のレヽ 力 こ属することになる。 従って、 上言 子に従って働啲に ffi»rることにより、 "子に属する パターン間、 サフ 子に属するパターン間、 に属するノ、。ターンとサフ 子に属するパターン間 々で、タイプ Aとタイプ B両方 (7¾a¾¾f ^ じうる。 そこで、 これらタイプ Aとタイプ B i¾¾¾fを抽出し、 ベ f ^Sこ^ 5 レ、てこれら (^盾に る矛扇 ^^ターンを «r る。 これら 顧 ^^タ 一ンを翻 じて元のパター/^ら取り除き、こ; ½第 1 目マスクとする。 又、 上言 タイプ A、 B及び (： 廳 ターンを 1枚の [^マスク上〖¾疆 し、 こ; ½第 2 (¾¾ ^スクとする。各々のマスク〖 ける傲睛歷の細こつ レ、て 下 ί ベる。 又、各マスク上 々のパターン开袱については、適当な mnE (OPC) を加えること力 子ましいが、 こ こついても »rる。 まず、 上言 スクでは、 第 9図^^ように、 子上のパターン 同士、 サブ格子上のパターン同士 ^隔は、 »ピツチの^ Wであるの に対し、 子上のパターンとサフ 子上の互レ、¾tしたパターン間の足灘 は少なくとも上言 澗隔の 2倍 （2W) となる。 本棚では、 W¾¾小で も 目シフト^ * 鞭可 t^tf去禾聽とするが、 こ 間 P ^2A^»L たパターンは、 赌 (^目 によら こ彌可育 ある。 従って、 m- 上のパターンとサブ軒上のパターンは、 1枚の [^マスク上: s歷しても I3願 ない。 即ち、 各々の格子上^ ^盾部を 、だ線パターンは、 1枚の^ Hの第 1傲目マスク上 できる。 各パターン (^目は、例えば個々のパターン力 子 0、格子 π、 格子 0，、 格子 π，上のレヽ "f^ こ する力 こより^ Cきる。 次に、 上言 2 (^目マスク〖；^ける様々 ^蔵 肖用パターン 己 置について考える。 タイプ Α 盾は、 雨 瞧子点 サプ袼子 の ί¾¾¾·子点 [¾、 » ^子格子点とこれと同じ 目のサブ格子格子点の間の レヽ "f¾ 力 4こ生 る。 これら 々タイプ A— 1、 A— 2， A— 3と ると、 同じタイプ (¾¾ff曰^ * 瞻ま 目シフト (^小角?^去と等しいが、 違うタ イブの矛廳！ ^ターン同士の足瞧 1 0図 （a) 【¾ ^ように 0となる可能 十 ある。 こ (^ 、 互いにネ»^る矛廳 、°ターン (^目力等しくなるように、矛藤 スク^^圈 egを、 例え f 1 0図 （b) ように行う 要がある。 こ t ΒΦ¾子、 サフ ¾ "子にかかわらず、垂 目が る格子点に交 す る矛扇^^スク上 (^目が、 常に等しくなるように、 第 1 1図〖 ^ ように設 定することによりなされる。
こ こより、 A— 1と A— 3が第 1 0囫^ ように射る齢にも、 互いに接 する矛顧 ^^ターン^ ί目縛しくすることができる。 子格子点、 サブ ^子 子点、 子と »フ ÷^ 、 ««子と»フ¾^ の 各々に対してみると、餅目はチェッカーフラグ状 ( Ξ ^されており、 そ^ 巨 離ま 目シフト 小^ t法と等しい。 従って、 上言 HI:いに針る咅 矛纖 ^ ^ターン〖«に^ M機可^ Cある。
タイプ BC ¾9¾ ^盾も、 と全く ¾こ錢さ 角鞅される。
1^よわち ¾Φ¾^·、 サブ軒に依らず、 目 0と { 目 πのパターンの交 タイ プ Β(θ(≤ί麵となる。 このうち、 »¾¾1 盾同士、 又^^ブ軒上 盾同士 子の周期で されるが、
Figure imgf000018_0001
と [^HW ^の矛盾^!/ 瞧ま 0となり互レヽに丰 » る可能 tt^ある 1 2 図（a))。 こ (^ 、互いに る矛廳 、°ターン 目力^しくなるように、 第 1 2図 （b) ί^^τΤように矛扇 スク 圏疆を行う必要がある。 これ も、 上で述べたタイプ Αの矛盾に交 るのと全く赚、矛廳! ^スク上 目 を第 1図 1 ¾^~ように is^ ることにより行うことができる。
第 1 1図〖 した傲圏 ag^法で〖 廳 ターン同士の間に 扇^じ
Figure imgf000018_0002
第 1 3図 （a) パター は 矛膽、 ヽ。ター 、¾ ^子上 (^ に^ る 3つの格子点に Ϊ¾する。 こ のよう 麵疆は、 第 1 1図の方? こ依らず、 第 1 3図 （b) ^ rよ うに る 3つ 廳、 ^ターン 目を全て等しくすること力望まし レ、。 こ ものとなるが、 多く ^^このような 纖パ ターン f ^ tノ なので、 セノ 怖こ矛盾を抽出し、細に譜十 ネ SEすることにより してもよい。 セノ する こは、 セノ の 端子 されることを謝是として ®¾ ること力 ましレ、。
ベてき d¾mま全て によるノ^ Wb^^！肯 あり、 従っていわゆ る自 IttlM^ツーノ "こよって自勸に行うこと力 sできる。 なアルゴリズ ム C7 ^を第 2 6図 ί^τΤ。 具働なプログラムについて f議禾 ^§«例で财。 なお、 麵ヒのため第 2 6図 Λ線パターン及 υ»¾ ·^のパターンにつレ、 て されている。
即ち、 第 26図 咅 RS ^:した元 c¾f十パターンからその右へ好 f]で示した ように、嫌を抽出してそれらに rる餅画還を is^ ると ¾こ、縦泉を抽出 してそれらに るィ を is^rる。 次いで、 その下;^]に^^で示したよ うに、 目 0,冗の交 を抽出し鍵したタイプ B(7¾¾¾^盾麵を抽出すると
¾こ、 m 0のパターン及 兀のパターンを^^し したタイプ A 立 掛盾麵を抽出する。 それら^^こ ¾¾、て、 そ; 隱嫌 るパターンを し、
Figure imgf000019_0001
ターンを^ r る。 そして、 こ 成された僻 扇 ^ ターンに対して ¾Eな傲圏疆を割 り当てて第 肖用マスク Ρ^ΙΜΤると ¾こ、 t m
ターンから上言 された 廳 ヽ。ターンを差し弓 IV、て第 2 泉パターン
Figure imgf000019_0002
なお、 本棚で〖让記のように、 元のパター タから赃のパター ータ を差し弓 IV、てこの パターン:^ k«りのパター/^ータを^ ~ることを簡 はるために丰 、。ターンを^ rると る。
ところで、 肅 ー 目マスクでは、 开 もラインアンドスペースパター ンまで様々 ¾ff欺のパターン力 じる。 これら様々なパターンを同嗨 度よく 开 ることは、微 sftrるにつれて^^こ難しくなつてくる。 こ ti ^欲する ためには、 丽胃、 s hm (OPC) を行うことが好ましい。 本棚に鋼 可能な〇P C«を第 1
Figure imgf000020_0001
第 1 4図（a)は、線パターン用マスク上のパターンに ¾ "る OP C (^である。 図中静條 8 0は元¾f十パターン、 太レ^ |8 1はネ 後のパターン職 す。 例えば、 p職パターンまでの足 汰きな パターン 編は、 ±mm の！:^ さな密 ターン^ li畐より太くし、 長さ (^いラインパターン 泉 幅や、 1¾开狱«» ^ターンの^去をネ に大きくすること等力 子ましい。 本翻では、 マスク上 coftil々のパターンにいわゆるハンマ^^ッド^リフ^) 微 UEパターンを働 る趣 、ずしもなレ、が、 []しても另 I殺の趣まな レ、。
第 1 4図 （b) 及び （c) は、 ϋϊϋし 應肖用マスク上のパターンに ¾ "る OP C (^である。矛應肖用パターン に 1¾开狱 ター^ ^あ るが、 その大きさ、纖を、 太線 8 4で^ rfように僻脉盾のタイプ、 酸バタ ーンとの足醋； じて iil^ :すること力 子ましい。 特にタイプ B(Of ¾¾ ^盾 觸^ ^ターンは 2 4個のパターンを互いに^ Τるためのものなので、 第 1 4図 （c) の 8 5で よう τ½ "漸狱とする等、 目的 じたネ HEを加え ることカ嚇である。
又 これら矛應肖用パターンカ«：し する: t 、 そ c¾^^)S周 広 力 Sつてしまうのを防ぐために、 う の 2ノード ノターン 8 6をイ^ ¾[]してもよい。
Figure imgf000020_0002
こと力職されている場 こは、 これらの 2ノードパターン 8 6は元々 十上でパターンの被しな レ if歷しても なレヽ。
又、設計パターン上に元々存在する正方形 1犬 ターンに対しては、 その周 囲 c¾¾パターンの械しなレ ^ 格子点 Jiに、 前もって微 EE^开 ミーパ ターン 8 7¾¾agしてもよい 1 5図 （b))。 これらのダミーパターン 8 7の 麵 は、 目に従って行えばよい。 これらの ノードパターン 8 6又はダミーパターン 8 7はそれ自# ^鞭して も»なレ、が、 第 1 5図 （ c ) ;^ rfような職で ί¾ ^しなレ、よう纖田な補 ターン 8 8とすることもできる。 こ^^ ターン 8 8(¾m¾ ^、ず しも 子点丄である媚まなく、 應^ ^ターンの中心からの £瞧 ひ开狱 ¾i¾¾ift ること力 子ましレ、。
ummしたこれら «々の o p c 去を ϋ¾[ττることにより、 ttb^りパター ン («¾¾υΐδΐ十パターンに る忠雜を更に向上することができる。
さらに、 第 1 6図の _h¾fc〖：^ Tようにタイプ B( f g ^扇 ^ターンに β する格子点備に他 纖?^ ^ターン又 ノードパターン力 ¾gされ る^^、 好 Pで第 1 6図の第 2段目〖 したように線パターン用マスクとィ 剧^^ ターン用マスクとの二つのマスクを用レ、てフォトレジスト膦こ投纖光 すると、 好 []で第 1 6図^!下段〖：^ ττように、 m^i^りのフォトレジスト膜 のパターンにくびれ 8 9， 9 0カ じる ¾^カある。 こ ま、餅 扇 ^タ ーン用マスクで开城される^^像では、 第 1 6図の 2段目及び 3段目で^ よう に点線 9 1， 9 2 (igで «¾^0となるのに対して、線パターン开湖マス クでは図中に^ 9 3、 9 4で财ょぅに 目(¾^しだ¾«^中間、 即ち交
Figure imgf000021_0001
両方のマスクで となる 位 M ^互レ、に避してしまう、 もしくは; W(¾¾¾^0となる位置でもぅ のマスク (¾c¾^^H^こ得ら レ、ためである。
このくび ターンが となる:^こは、 第 1 7図 ごとく、 第 1 7図の _h¾feの元のパターン 9 5を のようにそのパター: /f己置自体を (9 6) し、 [1で第 1 7図の下 ^ Tように線パターン用マスク 9 7と傲 觸、 ターン用マスク 9 8との 2枚のマスク "ること力 えられる。 セル ように人手でパターンを ¾fH"る職こは、 このような¾ ^が可能であ る。
しかしながら、 言^!十パターンに立ち戻つてこ することは、 ¾|十フローの 観^ あり必ずしも好ましくなレ、 ^がある。
そこで、 こ こは、 タイプ Bの矛 パターンを第 1 8図 ^rfように 己娘してもよい。 なお、 第 1 8図 （a) (b) (c) では、左側に線パターン用の マスク 9 9を、右側に僻 廳 ヽ。ターン用マスク 1 0 0力示されている。 第 1 8図（a)はここでいう をする前のマスクパターン 举を、 (b)及び（c) ίΐΞ娘した後のマスクパターン «¾果¾^ "。
まず、 第 1 8図 （b) ί した己 ¾†去では、 ^盾を格子 0と格子兀 の交 ¾ (Xは角部） ではなく、角部から 子の 1周 た丫 の格子点 上にずらす。 こ こより、 第 1 6図 示した様な 欲することができる。 又 第 1 8図 （c) ( した己 去では、襟女 c¾»Tる格子点 に
点^) ¾遭され 、 これらを^ Ηώί目離として取り扱う。 m^m ^^ ターン〖ih言 a»rる^点のひと^ M則の格子点に i^ る。 この:^ま、 連
^"る T?^^第 1 8図 （c) のようにその T(D¾) 願の） «g盼が一直 茅肚に でレヽる ^こ限って行うこととしてもょレヽ。 この旋を fi^なレ、齢 には、線パターン間 じる があるので、 要である。 第 1 8図 （b) ί した己^ ¾¾まさらに次のように^:ィ ることにより、 処 理を自謝 きる。 これまで述べてき 法 （^3離胸 ではタイプ Be ^目 矛盾を、矛;！^起きた のみを另 スクにすることによって角欲し しか し、 タイプ B fi麵 鞅するパターン^^ 3図 ί したパターンに限らず、 むしろ第 3図〖«え得る矛纖 ヽ°ターンのうち最も単徹ものであるにすぎな レ、。そこで、 ここでは、タイプ B( )(¾¾¾f¾ ^する他のパターン ¾ ^翻する。
¾Φ½には、 タイプ B(¾ig^f ^じるノ、。ターン を中心とする戸^ 囲を、 戸;^の矛顧 、。ターンに置き力える。 ここで、 上言 應 ターンは 第 1
Figure imgf000022_0001
と力 Sできる。
第 1 9図に、 タイプ Bの矛扁^! ^ターンとそ (¾¾¾¾¾«¾^Τ。 タイプ B を中心とする第 1 9図^ h¾に^ で描かれた TO形 1 0 6 の のパターンを、 図中に知卩で示したよう〖 下の 歸こより した 目 矛扇鞅パターンに置きカえる。
まず、 ノターン 1 0 1と 十パターン 1 0 2の共邇遞を求 娥 HEした ものを、 @ ^翻? Γ翻マスク上のタイプ B 廳^ ターン 1 0 3とする。 又 パターン 1 04と識十パターン 1 0 2の共通观を求 袱ネ赃したも のを、 ライン音研棚マスク上のタイプ B 扇^ ターン 1 0 5とする。 各々のマスク上のタイプ B @^扇 ^ ターンを、 泉で描かれた四角开^)
Figure imgf000023_0001
そ 則のパターンとマー、: rる。 蹦 翻マスク上の タイプ B 脉廳 ^^ターン (^目は、 各パターンが^^れた格子点の座標に ^ 、て^ ること力できる。
ライン咅 ( 湖マスク上 0 (1¾¾^應 、°ターン 1 0 5については稱こ 目は問 わなレ、が、 例えば ¾¾¾ ^盾^じた格子点の座標【*^、て^ ること力 sでき る。
^おこよ ま、、餅 スク上でタイプ B(¾¾f»flこ « "る!^点 ^-fmロノ、。ターンカ^ ¾されるため、 上記タイプ Bの矛盾 ίこ赚して他 立 ネ脉廊被する こも、 これら 也 盾を願なく嫩することがで きる。
«こ、 第 2 0図に別^ 扇 ^^ターンとそ 噴^ Τ。 第 2 0図 の: こよ tlf 、 ライン咅研 ffiマスク上 20 6の F ^則と州則の 1¾目 のパターンを ^ることにより、 ノター 、一タ量を卿 i† ること力 sでき る。 なお、 觸己した第 1 8図 （c) のパターンは、 第 2 0¾ ^¾?去 することにより得られたものである。
なお、 第 1 8図 （c) ί し^ ¾こついても、 以下のように ィ きる。 横 聽盼がー歸肚に 3έΛ α»Τる T¾¾¾¾f旁パターンを抽出してこ
1つのまとまりとして 目を割り当てる。 上記餅目は、 例えば こ 3^だ 櫞聽 格 目から^ "Tること力 sできる。 次に、 こ H¾錦啲に傲画己 置された [^パターンのそ 也 (^盼と^ る。 果、上記 1つのまと まりとして 目を割り当てられた咅盼と、 そ tiWk^ 間〖 な 盾 力 ¾ るので、 そ 盼に矛廳^ ^ターンを まよい。
h 明では、 幅が太！ ^^を除く全てのパターンに対し、 ま 台めに強 制的に 面 Bg ることをィ旋してき しかし、 離には 圏 Ε^¾ί邸 、 要 湖に てもよレヽ。 こ ま、 例え f滞 2 7¾ したような雄こよって 誡される。
まず、 第 2 7 ¾Lb¾¾¾s十ノヽ °ター^ゝら、 ライ M¾ 角咅 ^^ ^ を抽出しておく。 また、 ある 内 したパターンを抽出し、 そ (¾f旁を 僻目シフト «¾滅とする。 そして、 上記餅目シフト 擁こ対しては、 第 8 歐 2 6図、 第 1 8購 したような棚こ従ってィ湖還を行う一方、 餅目シフト TOW^パターンに対しては、 例えば 目 0度を割り当てる。 し 力る後に、各々 目 り当てられた 目シフト iiTO^]及び上言 パ ターンを^ rfる。 果、ィ！ ¾¾¾ じるので、 こ 抽出し、 さらに 餅 廳 ターンを «rTる。 特こ、餅目シフト 目 πのバタ 一ンと 目 0度を割り当てられた 目シフト iifflt^^kパターン こ なタイプ Bc (]¾¾¾fとして取り扱うことに る。 このようにして、 第 1の 藤 肖用マスク Pと第 2 泉パターン开棚マスク Qとの 2枚のマスクを 开¾¾^る。
このように 目シフト^^^ βこ抑えることにより、 例えば 目シフトマス クの 總度を難 ϋしてマスク 留りを向上すること力できる。 こ^ま、例 ぇば 目 π (^身或を傲目マスク (7¾®りこみ咅盼とした: 掘りこみ難の繊 ィ ることにより上言¾* ける エッチング ΐ^ ^ί纖を抑えるこ と力 Sできるためである。
なお、 本棚で【«(邸 要 »^けを抽出して觸 ^ターン »しても、矛盾 力 ^じる ぁる麵を全て抽出して鰣^^ターン铺してもどちらでもよレ、。 例え〖 2 1 ¾Ι ¾〖^ΓΤようなパターン 1 1 1 、矛蕭 みを抽出し て矛;！^パターンを «した i 、 元のパターン 1 1 1 ¾^2 1図中に^^で 下¾£〖；^ rfような 2ネ夂のマスク 1 1 2， 1 1 3に舊される。 こ ( ^、 第 2 のマスク上で ¾r¾rfる遡！ ^ターンに対しては、 図中〖¾^~ようなハンマ— ッド等をイ^] る ^¾¾ΦΕを行うこと力 Sできる。
一方、矛盾 じる ¾Η 有る全てのラィ こ対して矛扇欲パターンを« してマスク^^したのが第 2 1図中に別の右側 卩で下 〖 した 2枚のマ スク 1 1 4， 1 1 5である。 こ^^にも、 第 2のマスク上で るパターン 間 (^目隱 ί じて、 第 1のマスク上のパター パターンィ を変える を行ってもよい。
難例 1 )
上 明し 去 して、 0. 3 !11ピッチのダマシ>¾|1 パターン^ 成した例にっレヽて以 lTOtる。
まず、謙十された 0. 3 / mピッチ パターンに対して、 第 2 6図 明
Figure imgf000025_0001
纖 肖用マスクデ ータと線パターン开 ffiマスクデータとを作戎し このためのパターンデータ 鍵には、 レ、わゆるマスクデータ ^!Sfflの賺¾1^ツールを用レ、 用いたプロ グラムを以下【：^ τΤ。
なお、 酉 泉パターンの 去、 ピッ^ カ わった こは、 上記プログラム中の 键寸法パラメータについても すること力望ましい。 又、 プログラムに っレ、ても« ^ほぼ禱であ 上記に P腚するものでなレヽ。
以下のプログラム中の、 SEE(A dX XSIZE(A dX YSIZE(A d)は各々医形 Aの 各辺を、 ^f¾、 x^[¾、 y に d Aの 則から州貝 ! ¾力 て dだけ難 する藤を、 AND, 十、 —は謝 ブーノ を:^ f。 inputは元 (^十パ ターンの^^一タを、 es maskは餅 ¾¾ 肖用マスクの開ロパタ一ンの図 开^ ίータを、 Line maskはラインパターン开 ffiマスクの開口パターンの斷 —タ ¾^Τ。 w{ 3Hパターン 畐であり、 ¾Φ¾ ^周期の粉に等しい。 άΑ^ άΒ, άΡは各々、 ^ 肖用マスク上の、 タイプ Α、 タイプ BcOfia¾ ^盾 解^^タース 趣ノードパターンの^ £¾ 狱ネ ¾Eパラメータである。 又、 dLEは、ラインパターン开棚マスク上のタイプ A f 麵に^ Tるライ ^耑 をΙ^Τるパラメータである。又、プログラム中 " "で话つた咅盼 はコメント文を^ 1~。
Extract and classify line, lme-crossing, line— ena
input original mask data
HS = XSIZE ( input ； i )
HL = SIZE ( HS ； w ) horizontal lines
VS 二 YSIZE ( input ； i )
VL = YSIZE ( VS ； w ) ： vertical lines
HL— 0 = AND ( HL, H—0 degree )： horizontal lines with 0 degree
HL_p = AND ( HL, H_p degree )： horizontal lines with p degree
VL— 0 = AND ( VL, V— 0 degree )： "vertical lines with 0 degree"
VLJD 二 AND ( VL, V_p degree )： "vertical lines with p degree"
LN一 0 = HL_0 + VL_0 ( lines with 0 degree"
LN_p = HLj + VL_JD "lines with p degree"
x oo 二 AND ( HL— 0， VL— 0 ) "cross point of 0 degree H-lme and 0 degree V- line"
X_pp = m ( HL_p, VLJD ) "cross point of p degree H-lme and p degree V-line"
X— Op = AND ( HL— 0， VL一 P ) "cross point of 0 degree H~line and p degree V-line XJDO = AND ( HL_P, VL— 0 ) ： "cross point of 0 degree H-line and p degree V - line
X = X— 00 + X_pp + X— Op + X_j)0 ： "cross point"
LE = ( HL-HS ) + ( VL-VS ) - X ： "line end"
'Extract type - A & type~B phase-conflict" ：
typeA一 0 = XSIZE (XSIZE (L _0; w/2)； -w/2) + YSIZE (YSIZE ( 0； w/2) ;i/2) - L—0
typeA_p 二 XSIZE (XSIZE (¾； w/2)； -w/2) + YSIZE (YSIZE (LN_p; w/2) ;i/2) - typeA = typeA— 0 + typeAj) ： "type A phase conflict"
Res— A = AND( (XSIZE(typeA; w) + YSIZE (typeA; w) )， LE )
typeB = X一 Op + X_p0 ： "type B phase conflict" Res— B 二 tepeB
'Extract peripheral node" ：
Node = Res一 A + Res_B
P_nodel= AND ( XSIZE (Node ;2w) + YSIZE (Node ;2w) - SIZE (Nodelw) ， input ) possible peripheral node A 二 XSIZE (Node; w) + YSIZE (Node; w)B = SIZE (AND (A, input) -Node ； w ) C = SIZE ( A-B; w)
D = AND B-C, PNDl ) ： unnecessary peripheral node
P— node 二 P— nodel - D ： peripheral node
"Patterns for phase conflict resolution mask ：
Res— mask = SIZE (Res A; dA) + AND( SIZE (Res— B; dB) , input ) + SIZE(P一 node; 'Patterns for line mask" ：
Line— mask = XSIZE(HL； - dLE) + YSIZE(VL； -dLE) + X— 00 + X_pp + (LE - Res— A) - Res—B 上記プログラムにより、該 f†^、ータ上でタイプ A及びタイプ B(Z ¾¾¾f^ した咅^)みカ轴出さ これら 欲するためのパター ^¾¾¾^應肖用マ スク上に »され なお、 上記プログラムは、 各マスク上の開口パター^ ^、一 タ み^:している。 さらに纖こは、 上で したパターンに対し て、 m ,格子上 じて僻圈躍を行った （ここでは具励 なプログラム ¾¾葛する)。こ «こして «したマスクデータに ¾ ^き 2枚 f立 相シフトマスクをィ懐し
Figure imgf000028_0001
るものと ものを用レ寸
7火に、
Figure imgf000028_0002
て、 第 22図を用レヽて 説日 j-rる。 まず、 ダマシ ¾|泉をその上に开¾^べき戸^の LS i¾¾ (s 11上に、
Figure imgf000028_0003
2を: る。その上に戶旋の¾1¾應13 城し、 さらに Kr Fエキ^ ザ用ポ フォトレジスト膜 14を脑し TT城した 22図 (a))0
次に、 膽己 廳肖用マスク 1Aを次の ¾«2 Wるように纖 （ゥ エーハ） 側に付けた fig合; ¾r^—クとマスク 1 Aに付けた fffi合 ¾r^ークと をィ 合 ¾:した後に露光した 22図 （b))。 露光には開口 ¾^0. 6の K r Fェキ ザ請原とする縮 駕^ g ^f)を用レヽ 次いで露 Βί @ ^扇 肖用マスク 1 Aを翻ラインパターン开湖マスク 1 Bに 変更し、 上記同一レジスト膜 14上の同一位置に重ねて露光した （^22図 (c))0 この際、 側に付け^ i: ≤®合 H^—クの検 MM生の限界から 生じる^^を ^するために、 ウ^、一をウ^、一ステージに固定したままこれ ら 2枚のマスク 露光する櫧こし 譜田について〖«½例 2 财る。 第 23図に、 こ (^露光によりフォトレジスト膜 14中に嘛された光の露光
Figure imgf000029_0001
レジスト中には光の iSoSじて 光化^^カ^じ、 こ; ^こよりレジストの可溶 はる。 レジスト中にほぼ 識十パターン通り (^欺で可渐 を生じさせること力 sできたことがわかる。 次に、 即ち 2枚のマスクで多露光した後に、 戸旋^ を施し、 レジスト膜 餓像し 結果、戸； パターン べき咅盼 15力 レジスト觀滁 去された 22図 （d))。
次に开铖されたレジストパターン 16をエッチングのマスクとして麵して
Atmi 3と衝 Mil 2と雄 にエッチング し、 そ (^レジスト 16及
Figure imgf000029_0002
3を して戸; ¾¾ 泉パターン^ Μ·Τべき咅盼に謝 冓 瀾口部） 17 城した 22図 （e))。
しかる後に、
Figure imgf000029_0003
12上 ¾^才料としてバ リアメタル及 O ^ ^Iを婦し、 さらにそ喊面をイ^ «碰 (C P)
Figure imgf000029_0004
瀾口部）内にのみ^ m@¾残し、 醒 泉パターン 18 诚した （^22図 （f))。
例により、 «、 上言 ^¾で¾^««！った微田ピッチのランダム 酉 ターンを^ Μ、 留りで ¾¾ΤΤること力河肯 あつ:" o また、 そのた めに用！/、たマスクパター W—タを に ¾fH"ること力 sでき
酉 3?泉パターン、 露光 ¾^«、 露光 &！、 レジストプロセス、 酉 新城プロセ ス等、 例で述べたものに »しない。 例えば、 »」 黨^¾を用 レ、、 Al IUiにハードマスクと #方 ihl^诚し、そのうえにネ レジストを »して、 2枚のマスク 露 現像し、 得られたレジストパターンをマス クとして下地をエッチングすることにより Ai酉 泉パターンをイ^ る等しても よい。又、上記 2枚のマスクの露光の Jl瞧こついても してネ ない。 第 1の マスクをゥ: ^、一上 c ^ ^一クに合 て露光した後、第 2のマスクを再び 上言 ^—クに合 て露光してもょレヽ。 φ¾¾例では、 上言 例で用レヽ と露光シーケンスにつレヽて第 2 4図 を用 ^x mt^Q
始めに、 ウ^ヽー 2 1をゥ ^ヽーステージ 2 2上のゥ ヽ^ ¾ ^に固定し た後、 ¾&1：(^ ^ーク2 3を検出しその検¾{言号 （ゥ ヽーマーク信号）
¾1当な記 翻こ記 ttrる。 一方、第 1マスク 2 4をマスク ¾¾ テ一ジ m f) に固定レ第1マスク2 4上(^^>¾^ーク2 5を検出する。 次に、上 記ゥ ヽ一マーク信号 2 3と上議 1マスク 2 4上 ( ^ i^—ク 2 5の検 tbi言 号を用レヽて、 上言 1マスク 2 5と纖 2 1とを] Htに 合 ^した後、 第 1 マスク 2 4を豪 2 1上のレジスト膜 Oa^rf) に、 膨レンズ 2 6 ¾^して 露光する 2 4図 （a))。
Figure imgf000030_0001
>¾しフ^ o
7火に、 纖ゥ: ^、一2 1をウ^、^ ^に固定したまま、 第 1のマスク 2 4を 第 2のマスク 2 7に麵し、 しかる後に上記ゥ^、一マーク信号 2 3と第 2マス ク 2 7上 ^¾r^—ク 2 8の検 OK言号を用いて上言 2マスク 2 7と ¾¾2 1 を ¾にィ≤m合 しこ後、 上言 2マスク 2 7を^レンズ 2 6を介して 2 1上のレジスト鷉こ露光する 24図 （b))。
こ こより、各マスクにより露光されたパターン ^W^Hは、 マスク上
Figure imgf000030_0002
みとなり、 第一のマスクと第 2のマスク間 として 2 0 nm カ^られ；^
Figure imgf000030_0003
トとを両立して、 微田ピッチのランタ'ム酉 泉ノターンを开 ¾ "ることが 肯^あった。
で f«光をマスクと 止した^ Hで行ういわゆるステッパー^: の露^^を用レヽて行ったが、 赌を申 @¾1¾にスキャンしながら露光するレヽゎゅ るスキャ^ ^露)1 ί¾を用レ、てもよい。 また、 本棚^ ¾¾««g(Z»t P T/JP00/01096 源、擬^ の^^に^ w¾¾である。
更に、マスク上〖 けるチップサイズが露)1^の«駕^ 粉より小さ レ、 上講 1マスク上のパターン （^1パターン） と上誘 2マスク上のパ ターン 2パターン） を 1枚のマスク凝肚にならベて酉 Wることにより、 更に合 を向上するとともに、 マスクコストを:^畐に ι»τることができ る。
こ )^( 露 おま、 マスク上の第 2パター^遞を露^ gのマスキングブ ド撤を用いて «；し、第 1パターンのみをゥェ一八 肚の戸; ¾m at
Figure imgf000031_0001
に露光し、次にゥエーハをゥエーノ 餘から取り外さずに、第 1 ノ、。ター 身或をマスキングブ^"ドで して第 2パターンのみをゥエーハ簾 上に露光する。 この際、 上記^ ^立置に対して、第 1パターンを露光した ί耀 より、 ゥェ一ノ 肚でマスク上第 !Lパターン原 と第 2パターン原^^灘に 相当するオフセット分だけゥエーハステージ ¾ ^して露光を行う。 ただし、多 露光〖 ^いて藏1¾の原 は"^ べきものとする。 こ («^、 1枚の ク ノレ上に 2チップ^ 0パターン ¾ ¾ る齢と];漱してスノ^"プットカ^^こな る。
更に、以下のようにすることによって、 上言 ノ プット f氐下を防ぐこともで きる。
まず、 Sfeiiの戸脑 に対して、第 1パター 滅と第 2パター 或を一括 露光する。 次に、 ゥエーハステ一ジを、 ゥエーハ避肚でマスク上第 1パターン と第 2パター^ 瞧に相当するオフセット分だけ難して、 n 1パター ^道と第 2パター をー種光する。
こ こより、第 1回目の露光 写された第 2パター^ Wこ対して、第 2回目 の露光 i ^ける第 1露 或を重ね 写すること力 sできる。 こ «呈を繰り返 すことによりマスキングブ^" «|を用レ、ることなくゥェ一ハ に第 1パ ター:^滅と第 2パター:^熏 蘭光すること力 sできる。 こ 、 第 1ノターンと第 2パターンは^ 露光されることになる ので、 露耀牛でパター^写が可能となるように各パター »)マスク 上パター^ j去 ¾11|¾すること力望ましレ、。
Ri^ベた 員は、 ステツ: ンドリピート^ Wld 露離置のみならず、 レ、わゆるステツ：^ rンドスキヤ^ ¾»J^ ^^ v、ても できる ことは、 ft ^) ^と赚である。
難例 3)
^«例では、 雄例 1の方法を用いた轉 ^の こついて 第 25図を用レ、 财る。 第 25図は、 上記^^の $£tプロセスを、 デ ノ^スの を用レ、て示した模^ 3である。
まず、 S i基板 31に S i〇2^«^らなる素子^ ϋ«32を开城した 後 25図 （a))、徽の MOSトランジスタ 33を る徵の轉 #$ 域 ¾ ^城し 25図 （b))、 さらにコンタクトホール 34 る （ 25 図 （c))。 41は S i02^ ^^である。 そ (¾、第 1層 泉35と酉 « 36¾^城し （^25図 （c))、 その上 7とその中 里め 込まれた^!性ビア又はコンタクト 38 城し、 さらに第 2雁 3H39及 己 綱 «!40¾¾^rる 25図 （d))。
第 3層 泉 Dについても園こ o r る。
1 ϋΙ3ϋ¾ひ第 2劚 パターン趣 feレヽて鋪例 1で示したのと » 方 法を用レ寸
Φ¾¾例により、 影露光法では赚った微田ピッ ¾ 泉を有する w m^, mm, ^^留り、 高スノトプットでイ^ ること力 s可倉^あつ
例 1のプログラムでは、 タイプ A及 ィプ Β(7χ¾¾¾ιともに、 mv- タ上でこれらカ した咅^みを抽出し、 これら ¾ ^するためのパターンを 廳肖用マスク上に铺し このため、 應肖用マスクのパター 稱!」され マスク細 rる負担を小さくすること力 sでき しかし一 方、 斷纖カ あるため、 見ネ1¾轉#»&では各マスク ける ノ、。ター 、ータ こ^^を要するという ある。
そこで、 ^^ タイプ 廊^じる ある酉 «を全て抽 出して、 これらに対して 屈 肖用マスク上のパターンを し、 又、 タイ プ Bに関してもこれ力 t « ^ターンの 3 ^吸 I ^部^^てを抽出し て、 これらに対して做 磨肖用マスク上のパターンを し これら両方 のタイプ 盾 るためのマスクと薪聽^^用のマス ける個々
Figure imgf000033_0001
これら 2枚のマスクに るパター ータを全て^;してから 行つす 例でも、 ロジック L S Iに ffiして]: 1^@1¾¾でマスクデータ 娜河肯 あっ
難例 5)
火に、 本棚を^ ( ieゲート tl¾として NANDセノ Wこ綱した例を説明 する。
第 2 8図は NANDセル自 パターン^ ものであり、 （a) ί#翻を «½ に «^Sf«¾¾を用レヽ t$ ^したものであり、 0. 5 ピッチ で即ち 0. 2 5 111間隔で素^»1¾ ソース ドレイ ゲート電 麟が城されて!/、る。
こ こ対し、 本翻の 2枚のマスクを用レヽ第 2 4図" ¾明したと^ Hの露)1^ を棚することによって第 2 8図 （a) と全く同じパター の N ANDゲー ト ¾セルを試作し 結果、 第 2 8図 (b)
Figure imgf000033_0002
うに 0. 3 mピッチで即 ち 0. 1 間隔で素^^ ソース令 ドレイ ゲート霞磨 ること力 sでき、 轉 ッ こ财る ^大きいことを藤 でき, o
また、 iifflする露 やレジストプロセスを^！:することにより、 さらにマス クパターンのサイズを J、することがでさることも β、でぎ^ そ Uこよって、 0. 3μ mピッチよりも小さレ、即ち 0. 15 mよりも小さレ、間隔を有する微田 ノ タ あっても擬黨¾«を駟吏して LS Iを継できる邏しを得るこ とができ 例えば、 Kr Fエキ^^" の開口数を 0. 6力 0. 68に麵することによって主なパター ISf十"^去を 100/離、 A r Fエキシ マ を iOTすることによりパター:^法を 2
Figure imgf000034_0001
とを廳し,o
h種々 c¾明力ら翻军されるように、 本棚は、 素^ ^纖 32、 Xl MO Sトランジスタ 33のゲ一ト ¾| ^ ターンやソース、 ドレイ ^^ヽ。ターン^ j¾¾ひ Xはそれらで«される ッ
Figure imgf000034_0002
泉 こ対しても、 ほほ ^幌こより删すること力 Sできる。 更に、 本翻 はこのよう パターン开城^ ifflに限らずに、 錄の«素子を構 m-^ ^^ m : s i «体 »¾»^]に开¾^るため«田 パターン 據こ対しても删できる。
^！！ 佣可能性
、 本棚によ; Hi、 ランダム （不夫 、 力つ パターンを 开 る際、 回路パターンに対芯して^ る開ロパタ—ン間の 目力 ¾ る ように 麵疆し、 [¾¾ヽ°ター るタイプ Α(χ¾¾ ^盾と、
ター 虫するタイプ B„ に対して生成した位才 肖用パターン を有する 目マスクとこれとネ 甫し T^f十パターン ¾ ^嫩るネ¾ ¾¾ ^スクの、 高々 2枚 (Z^目シフトマスクを^ H¾¾Jbに多 fig光することにより、 上言 ノ、。ター ^去カ¾»駕光 嚇艮 える であってもこ ti^ る こと力 sできる。 こ こより、 ί«光リソグラフィでは^^に賺と考えられて きた微田; パターンを有する^ 纏こランダム； ¾ 泉パターン を有する LSI) リソグラフィを用レ、 T^t"ること力河能となり、 半 導; Φ¾の高 t4^ft¾O¾l ^i匕を低コストで *¾r ることができる。 又 « 駕光 艮 た微田な 寸法を有する L s I (β泉パターン ランダム （不纖 φ カっ獻 パター^あっても、低コスト 力 で ( ¾十、 ること力 sできる。

Claims

請 求 の 範 囲
1. 部に設けられたフォトレジスト縢こ纖の歸藤 及 び ま Τ を有する開口パターン る際こ、上言 Β ターンの上記 及び L 又は T ： ϋさ ¾fこ第 1 を有する第 1マスクと上記 ノ、。ターンの上言 ¾^ こ¾ ^さ Wこ第 2 部を有する第 2マスクと力、らなる 2枚のマスクを用いて上記フォトレジスト鹧こ対して多;^^ β光することによ つて上言 口パターン 嫩ること ¾τ ί敫とする^ の
2. 上言 ロパタ一ンの上言 ¾«の窗凝 Ά及び L 又は T Bは他の 歸聽 ίぉ醅から 0. 15 rn^下の間隔をもって瞧歷され WM 1マ スクと上言 2マスク ( X少なくとも何れカ^:^目シフトマスクであること^敫
Figure imgf000036_0001
3. 上言 1マスクと第 2マスクとを KrFェキ、 ^ "i% ArFェキ、 — ^又は F 2 ^で多露光することにより上記フォトレジスト職こ 上言潤ロパターン 1~ること 敫とする言詠 腿 2ェ焉識の^ 體
4. 轉懒 部にフォトレジスト驗設け、上記フォトレジスト鹧こ隱 »0. 15 / rn^下 の商藤 及び L 又は Τ を有するパタ ーンを、上言 ターンの上言 醅吸び L 又は丁 こ¾ ^さ 第 1 部を有する第 1 ( 目シフトマスクと上言 ターンの上言 β藤 さ" ^こ第 2(¾¾¾を有する第 2^f 目シフトマスクと力らなる 2ネ夂のマスクを用いた多
Figure imgf000036_0002
5. ψ¾解 J¾ b部に設け： «^隨附に W^f¾に走る H¾パターン る際、 上言 au^パターン に互いに纖して »rるパターンと^ に 互い ΰ«して «Tるノ《ターンとの両方に ¾)Sする ¾ ^を有する第 1 目 シフトマスクと、 上言 2»パターン¾¾醅 角咅 又は のい か に¾ ^する を有する第 2(¾ί目シフトマスクとで上¾¾ 财に驟光 舞を用レ、て多露光することにより上言3¾ ^パターン ¾ MTること 敷と
6. パターンを有するマスクを用レ、て職纖肚に擬駕光することによ り上言¾肚〖 ターン ^る際、戸 ί¾の 内に «パターンを有する 線パターンの 随 ( 第 1 f¾¾¾f可肯 を W ^るパター^確こ対 応してマスク る第 1 纖 肖用マスクパターンと、 m に伸びる線パターンと^^]に 、る線パターンとの交 2 ^ 盾
Figure imgf000037_0001
矛顧 翻マスクパターンと ½ ^第 1 目シフトマスクと、 上讓 1及ひ第 2 廳肖用マスクパターンとともに上言 ¾½ι·爆肚に多露光するこ とにより上 の パターン るためのネ ターン ¾r^t?第 2 (7) (立 相シフトマスクとを用レ、て多^^光すること 敫とする^
7. 上言 a¾パターン〖«¾の軒上に雜し、
Figure imgf000037_0002
消用マスクパターンは、 上言 »^格子点 に雜すること 敫とする言銶の
Figure imgf000037_0003
8. パターン ヽ。ターンとするマスクを ¾f^¾¾ ^して毅肚部に 开城されたフォトレジスト縢こ^ ることにより上言菌肚に上言 &パター ン^ るためのマスクを fmする際、 （1) して酉躍され^ Dt^ターン 間の足隱^ ¾の足隱内に i» るとき、 上記 2つ ^ターン間で さ れる光 目が互レ、に^^されるように上言 ターン 目を! ¾し、 (2) こ こより 目力 ¾¾¾された纖(¾^ターン【 レヽて、 互レヽに されるべ き嗣目 ターンカ^^の足瞧内に るとき、 上言 a®した杳盼及 υ^(¾^パターンを抽出して第 1 藤纖隨とし η己慮し、一方、 べきノターンが^ ¾る餅目を有する徽 ター/^ら観されると き、 上言灘る 目を有する撤 ^ターンの重なる咅盼又 ί«Τる咅盼及 パターンを抽出して第 2 f¾¾¾f^識とし η己慮し、 （3)上
Figure imgf000038_0001
¾r^、するための ί≤¾ ^扇 肖用パターンを生成し、 (4)上記位¾¾/¾肖用パ ターンと
Figure imgf000038_0002
ン^ M "るためのネ ターンを し、 (5)上記 廟 ターン む第 1 (r w トマスクと、 上言 ヽ。ターン^^第 2 目シフトマスク をィ すること ¾ ^敫とするマスク fm¾
9. 上識 l c f ¾¾ ^ 擁こ财る傲 扇 肖用パターンは、遞されるベ き徵の ターン間のスペース繊を ¾ ^だ^" (^藤こ対して、互 レ 疆した 目シフ
Figure imgf000038_0003
Figure imgf000038_0004
1 0. 上 2(^¾¾¾1«こ财る餅 扇 肖用パターンは、纖される べき徽 ターン^^ [ 、又は重なる繊 を有するこ
Figure imgf000038_0005
1 1· パターン ターンとするマスクを投影 ^^を介して 肚に 开城されたレジスト鷉こ^ rることにより上言 肚に ¾パターン »r るためのマスクをィ する際、 (1) m¾¾賺内に «パターンを有する線パ ターンの^随 パターンを抽出して第 1 f¾¾ ^盾可肯^ とし n己 憶し、 Ιέ^]に伸びる線パターンと^^に伸びる線パターンの交¾ ^バタ ーンを抽出して第 2(¾¾ ^盾可肯 とし η己慮し、 （2)上言 1及ひ第
2 鍾可言繊隨を用レ、 亥当する各繊こ して、ィ≤»盾權肖 するため 應肖用パターンを»し、 (3)上記 扇 肖用パターン とともに^ H 纖肚に多露光することにより戸週の [H ^パターン 狨 するための補 、。ターンを «し、（4)上記 膽 ターン ¾r ti第 1の 目シフトマスクと、上言 ターン ¾τ^ΐί第 2() ^目マスクとをィ懷するこ と »ί敫とするマスク ί«¾
12. 上謹 l¾i脉盾可育 g» る 適 翻パターンは、上謙 ノターンの のスペース繊を だ""^ Jt ^確こ対して、 互レ、 ¾¾¾を 酉還した 目シフトパター
Figure imgf000039_0001
im i マスク f«m
13. 上謹 2 可育 肅こ ¾"Τる 廳肖用パターンは、 上謙 ノ、。ターンの交^^ 疆され «¾¾r ^こと 敫とする謙 2 ί¾¾のマスク co¾¾¾
14. 上言 パターン ί ；^の»上に被し、
Figure imgf000039_0002
角 肖用パターンは、上言3 ^子の軒点 に被すること 数とする言銶 (^簡 第 11、 12又は 13項のい 1¾τ力 こ言識のマスク
15.
Figure imgf000039_0003
[1¾パター/^ 0. 1 下の間隔をもって酉疆されてなる
耀であって、上言 3¾パターン (让言 ターンの上言 及び L 又は T字 部に さ 第 1 を有する第 1 目シフトマスクと上言讀驗 こ対 応さ こ第 Sc^1^ ^を有する第 2 (≤ί目シフトマスクと力らなる 2枚のマスク を用レ、た多 fiS 光によつ 城されてなること ¾ ^敫とする^
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