WO2001073862A1 - Halbleiterpolymere, verfahren zu deren herstellung und optoelektronisches bauelement - Google Patents

Halbleiterpolymere, verfahren zu deren herstellung und optoelektronisches bauelement Download PDF

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WO2001073862A1
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germanium
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optoelectronic component
layer
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PCT/DE2001/001140
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Günther Vogg
Martin Brandt
Martin Stutzmann
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Definitions

  • Crystalline germanium is used in a large number of optoelectronic components, in particular as a radiation detector.
  • optoelectronic components such as light-emitting diodes or lasers can be constructed from this material, which emit in the visible or near to medium infrared spectral range, since the indirect bandgap of crystalline germanium prevents radiating transitions between the conduction and valence bands.
  • germanium are to be used for the detection of optical radiation in integrated optoelectronic circuits, which should also contain light-emitting components, then other semiconductor materials such as e.g. III-V compound semiconductors can be used to produce these light-emitting components.
  • III-V compound semiconductors can be used to produce these light-emitting components.
  • the methods required for connecting different semiconductors are, however, generally technically complex.
  • Luminescent chain-like germanium polymers of the form (GeR 2 ) n are known.
  • R being monovalent ligands such as H, OH, CH 3 , NH 2 , Cl etc. These polymers are produced by polymerization and can be deposited on a wide variety of substrates such as glass or conductive transparent oxides.
  • These network polymers obtained by polymerization have a three-dimensionally linked, amorphous structure and only show weak photoluminescence at a wavelength of 540 nm.
  • FIG. 1 shows a schematic representation of the structural structure of a first embodiment of a germanium layer polymer
  • FIG. 2 shows a schematic representation of the structural structure of a second embodiment of a Germamum layer polymer in comparison with the structural structure of the first embodiment and a material for producing these layer polymers
  • FIG. 3 shows an X-ray diffractogram of the two embodiments according to FIGS. 1 and 2 and of the material for producing the layer polymers
  • Figure 4 shows a photoluminescence spectrum of the two embodiments
  • Figure 5 is a schematic sectional view of an optoelectronic component according to the invention.
  • germanium polymers or silicon germanium polymers are formed by topochemical conversion of suitable germanides or mixed silicide germanides, for example by conversion of Ca (Si ⁇ _ x Ge x ) 2 , 0 ⁇ x ⁇ l.
  • Buffer layer which has a suitable crystal structure, is used.
  • the buffer layer can also be made in several layers. Germanium or
  • the germanide CaGe 2 is first formed by reaction of Ca with germanium. This can be done by deposition of Ca by means of a suitable application method on a germanium substrate with subsequent tempering to form CaGe 2 , by deposition of Ca on a heated germanium substrate in which CaGe 2 forms without subsequent tempering (reactive deposition epitaxy), or by code positioning of Ca and Ge on a substrate (e.g. by vapor deposition, sputtering or
  • Molecular beam epitaxy preferably a germanium substrate, with subsequent annealing or by code position on a heated germanium substrate.
  • Epitaxial CaGe 2 is preferably produced on crystalline germanium by reactive deposition epitaxy at a temperature of the germanium substrate of 700 to 900 ° C. and at a calcium flow of approximately 10 nm per minute. A temperature of 810 ° C. is particularly preferred. A growth rate of approximately 1 ⁇ m per hour is achieved.
  • tr6 CaGe 2 space group £ 3 d 5
  • h2 CaGe 2 space group C 6v 4
  • the crystal structure of tr ⁇ CaGe 2 is shown in Figure 2c. It is a layered structure consisting of a sequence of corrugated germanium (double) levels and levels of calcium atoms (HJ Wallbaum, Naturwissenschaften 32, 76 (1944)). In tr ⁇ CaGe 2 there is a 6-fold stacking sequence, in h2 CaGe 2, however, there is only a 2-fold stacking sequence.
  • CaGe 2 is converted into layered germanium polymers by a topochemical reaction.
  • the conversion in a solution containing HCl is preferably carried out at temperatures below -5 ° C., particularly preferably in concentrated HCl (37% in water) at -30 ° C.
  • layered germanium polymers of the form (GeH) n with the chemical name Polygermm are formed, which are largely free of oxygen and chlorine impurities.
  • a first form of germanium layer polymers, which are obtained by reacting HCl, is called Polygermm A.
  • Polygermm A The structure of Polygermm A is shown schematically in FIG. 1.
  • FIG. 4 shows a photoluminescence spectrum of polygermin A.
  • the layer polymer shows a strong infrared photoluminescence at about 900 nm (1.4 eV). This luminescence is significantly more pronounced than in the germanium network polymers mentioned at the beginning.
  • Luminescence in the near infrared wavelength range has integrated m for applications of these layer polymers optoelectronic components together with photodiodes made of germanium have special advantages because they are much closer to the highest spectral sensitivity of crystalline germanium.
  • germanium layer polymers are produced without the use of hydrochloric acid by topochemical conversion of CaGe by means of water.
  • CaGe 2 is preferably exposed to moist air, particularly preferably relative air
  • Germanium layer polymers can be produced by introducing CaGe 2 or substrates coated with CaGe 2 in water.
  • Germanium layer polymers produced in moist air or by introducing CaGe 2 m water are referred to below as Polygermm B.
  • Their structural structure for the tr ⁇ crystal structure is shown in Figure 2a.
  • FIG. 2b again shows the structure of Polygermm A
  • FIG. 2c the structure of CaGe 2 .
  • the distance between the germanium planes and the size of the band gap and thus the wavelength of the luminescence can be changed.
  • the H atoms can be substituted in whole or in part by other monovalent ligands such as halogen atoms, OH or NH 2 groups or alkyl groups -CH 3 , -C 2 H 5 etc.
  • a substitution with Br is preferably carried out by introducing the polymer into HBr, followed by the substitution of the Br ligands with OH groups in water.
  • the substitution with alkanes is preferably carried out by hydrosilylation of alkenes.
  • the plane spacing can vary from 5 to 60 ⁇ , the luminescence wavelength from 400 to 1600 nm.
  • the doping of the layered germanium polymers for increasing the conductivity can be carried out by intercalation of alkali or alkaline earth atoms, preferably with Li, K or Ca.
  • the layer polymers have mixed germanium-silicon layer planes. This creates further advantageous layer polymers and layer structures.
  • Silicon-germanium layer polymers in which the individual layers are composed of silicon and germanium atoms can be mixed in accordance with the invention
  • Layer structures which consist of a sequence of individual layers of pure germanium layer polymers and silicon layer polymers, can be produced according to the invention by the production of CaGe 2 / CaS ⁇ 2 top layers, for example by vapor deposition, sputtering or molecular beam epitaxy and subsequent topochemical conversion using HCl or H Win 2 0-stop solutions.
  • the above-mentioned embodiments of the invention for germanium layer polymers also refer to silicon germanium layer polymers.
  • the level structures can also go further
  • Semiconductor atoms are understood to mean atoms of materials with semiconducting properties such as, for example, GaAs, AlGaAs, GaAlP, GaN, InGaAlN.
  • silicon germanium layer polymers in optoelectronic components include the possibility of adjusting the band gap or the luminescence only by varying the relative proportions of the silicon or germanium atoms without chemical substitution of ligands or the possibility of producing “multicolored” luminescence in an optoelectronic component, since silicon and germanium layer polymers contribute to luminescence have different wavelengths.
  • FIG. 5 shows an optoelectronic component containing an inventive layer polymer.
  • a germanium layer polymer 10 is arranged on a substrate 12 made of crystalline germanium.
  • the germanium layer polymer 10 is preferably produced on the germanium substrate 12.
  • the germanium substrate acts as an electrical contact on the polymer layer and can be doped in a manner known per se to reduce the series resistance.
  • the electrical contact to the substrate can be realized, for example, by a suitable metallic back contact 14.
  • Metallic films or films made of electrically conductive oxides 16 are applied to the polymer layer 10 as a front-side contact. So that light can pass through the surface of the component, the front-side contact is preferably designed to be transparent to radiation.
  • a metallic front-side contact can be made sufficiently thin, for example, and thus be at least partially transparent optically.
  • the front-side contact can have recesses formed as windows.
  • the layer 10 can be doped to improve the diode properties of the component. If appropriate, the layer 10 is spatially selectively doped only m near the transition to the substrate 12 or m near the transition to the front contact 16. Metals with low work function such as e.g. Sr, Ca, Mg or AI used as front contact, p-type doped germanium with a specific conductivity between 0.01 and 1000 1 / ⁇ cm as substrate material and AI used as back contact. Furthermore, electrically conductive oxides, for example ZnO, SnO or ITO (Indium Tm Oxide) can also be used as the contact material.
  • the layer polymer 10 can of course also be a silicon germanium polymer.
  • the spatial orientation of the germanium planes with respect to the surface of the germanium substrate in the layered polymers depends on the orientation of the substrate.
  • the layers of the layered polymers lie parallel to the substrate surface. Because of their structure, the electrical conductivity of the layered polymers is strongly anisotropic, the conductivity parallel to the planes is considerably greater than the conductivity perpendicular to it.
  • the germanium substrate (12) therefore has a (111) surface
  • the polymer layer (10) in the component shown in FIG. 5 has a considerably higher resistance than a polymer layer of the same thickness, which was produced on a differently oriented substrate.
  • germanium substrates with an orientation different from (111) are therefore preferred.
  • Substrates with a (110) surface are particularly preferred for the production of light-emitting diodes and lasers.
  • An optoelectronic component with a germanium or silicon germanium layer polymer can be designed as a light-emitting diode or laser by electrically injecting charge carriers into the polymer layer. However, it can also be used to detect optical radiation, for example as a photodiode or as a photoconductor.
  • layered germanium and silicon germanium polymers it is also possible to implement integrated optoelectronic circuits in which the semiconductor materials used are preferably based exclusively on germanium and in particular have been produced from the crystalline germanium substrate of the circuit itself.
  • light-emitting components for the construction of light-emitting diodes or lasers can be realized with layer polymers according to the invention, and photodetectors for the detection of optical radiation, for example by pn photo diodes made of crystalline germanium, can be formed by selective doping.
  • light-emitting and light-detecting components can be connected by optical waveguides, for example made of GeO 2 , which is formed by selective oxidation of the crystalline germanium.
  • germanium layer polymers to optoelectronic components based thereon and to their use, this also includes silicon germanium layer polymers and layer structures made of germanium layer polymers and silicon layer polymers ,

Abstract

Durch topochemische Umwandlung von Kalziumdigermanid werden schichtförmige Germaniumpolymere hergestellt, die halbleitend sind und eine starke rote bzw. infrarote Lumineszenz zeigen. Weitergehend können so auch Silizium-Germanium-Schichtpolymere erzeugt werden. Diese Schichtpolymere lassen sich epitaktisch auf Substraten aus kristallinem Germanium herstellen und zur Realisierung von lichtemittierenden optoelektronischen Bauelementen wie Leuchtdioden oder Lasern verwenden.

Description

Beschreibung
Halbleiterpolymere, Verfahren zu deren Herstellung und optoelektronisches Bauelement
Kristallines Germanium wird m einer Vielzahl von optoelektronischen Bauelementen verwendet, insbesondere als Strahlungsdetektor. Jedoch können aus diesem Material keine optoelektronischen Bauelemente wie z.B Leuchtdioden oder Laser konstruiert werden, die im sichtbaren oder nahen bis mittleren infraroten Spektralbereich emittieren, da die indirekte Bandlucke von kristallinem Germanium strahlende Übergänge zwischen Leitungs- und Valenzband verhindert.
Sollen die besonderen Eigenschaften von Germanium zum Nachweis von optischer Strahlung in integrierten optoelektronischen Schaltkreisen verwendet werden, die auch lichtemittierende Bauelemente enthalten sollen, so müssen andere Halbleitermateπalien wie z.B. III-V- Verbindungshalbleiter zur Herstellung dieser lichtemittierenden Bauelemente verwendet werden. Die dazu benotigten Verfahren zur Verknüpfung unterschiedlicher Halbleiter sind -jedoch in der Regel technisch aufwendig.
Bekannt sind lummeszierende kettenförmige Germaniumpolymere der Form (GeR2)n. wobei R einwertige Liganden wie H, OH, CH3, NH2, Cl usw. darstellt. Diese Polymere werden durch Polymerisation hergestellt und können auf verschiedensten Substraten wie Glas oder leitfahigen transparenten Oxiden abgeschieden werden.
Bei der Verwendung solcher Polymere auf Substraten aus kristallinem Germanium gibt es keine besonderen Vorteile gegenüber der Verwendung anderer lummeszierender Halbleiterma- terialien, insbesondere können sich an der Grenzflache zwischen kristallinem Germanium und diesen Germaniumpolymeren elektronisch aktive Defekte bilden, die die Eigenschaften der so hergestellten lichtemittierenden Bauelemente stark beeinträchtigen .
Weiter bekannt sind sog. statistische Netzwerkpolymere, die durch Polymerisation (Wurtz-Kupplung) hergestellt werden (W. J. Szymanski, G. T. Visscher, P. A. Bianconi, Macromolecules 26, 869 (1993), H. Kishida, H. Tachibana, M. Matsumoto, Y. Tokura, Appl. Phys . Lett . 65, 1358 (1994)).
Diese durch Polymerisation gewonnenen Netzwerkpolymere besitzen eine dreidimensional-verkettete, amorphe Struktur und zeigen lediglich eine schwache Photolumineszenz bei einer Wellenlange von 540 nm.
Für Kalziumdisilizid CaSi2 ist bereits seit 1863 bekannt, daß durch Einbringen in Salzsäure die Kalziumatome aus dem Kristallgitter des CaSi2 entfernt werden können und sich ein schichtförmiges Siliziumpolymer bildet (F. Wohler, Liebigs Annalen 127, 257 (1863) ) . Dabei handelt es sich um eine sog. topochemische Reaktion, bei der die Struktur und Stapelfolge der in diesem Material vorhandenen Si-Ebenen erhalten bleibt (A. Weiss, G. Beil, H. Meyer, Z. Naturforsch. 35b, 25 (1979)). Diese Reaktion wird bevorzugt bei 0°C durchgeführt (H. Kautsky, Z. anorg. Chem. 117, 209 (1921)).
Es ist Aufgabe der Erfindung, Halbleiterpolymere mit verbesserten Lumineszenzeigenschaften sowie ein Herstellungsverfahren hierfür anzugeben. Weiterhin ist es Aufgabe der Erfindung, mit diesen ein optoelektronisches Bauelement zu schaffen.
Diese Aufgabe wird durch die Merkmale der Patentansprüche 1, 13, 18 bzw. 34 gelost. Verteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhangigen Ansprüche.
Nachfolgend wird die Erfindung in Verbindung mit den Figuren 1 bis 5 naher erläutert. Es zeigen
Figur 1 eine schematische Darstellung des strukturellen Aufbaus einer ersten Ausfuhrungsform eines Germanium- Schichtpolymers,
Figur 2 eine schematische Darstellung des strukturellen Aufbaus einer zweiten Ausfuhrungsform eines Germamum- Schichtpolymers im Vergleich mit dem strukturellen Aufbau der ersten Ausfuhrungsform und eines Materials zur Herstellung dieser Schichtpolymere,
Figur 3 ein Rontgendiffraktogramm der beiden Ausfuhrungsformen nach Figur 1 bzw. 2 sowie des Materials zur Herstellung der Schichtpolymere,
Figur 4 ein Photolumineszenzspektrum der beiden Ausfuhrungsformen und
Figur 5 eine schematische Schnittdarstellung eines erfmdungsgemaßen optoelektronischen Bauelements.
Erf dungsgemaß werden werden Germaniumpolymere bzw. Silizium-Germanium-Polymere mittels topochemischer Umwandlung von geeigneten Germaniden bzw. gemischten Silizidgermaniden, z.B. durch Umwandlung von Ca (Siι_xGex) 2, 0<x≤l gebildet.
Vorzugsweise wird hierzu ein kristallines Substrat mit geeigneter Kristallstruktur oder ein Substrat mit einer
Bufferschicht, die eine geeignete Kristallstruktur aufweist, verwendet. Dabei kan die Bufferschicht auch mehrlagig ausgeführt sein. Besonders eignen sich Germanium- bzw.
Germamum-Siliziumsubstrate . Die Schichtpolymere bilden dabei einen epitaktischen Film auf dem Substrat, elektronisch aktive Defekte an der Grenzflache werden m nur sehr geringerem Maße gebildet. Zur Herstellung der schichtformigen Germaniumpolymere wird zunächst durch Reaktion von Ca mit Germanium das Germanid CaGe2 gebildet. Dies kann durch Deposition von Ca mittels eines geeigneten Aufbringverfahrens auf ein Germaniumsubstrat mit nachfolgender Temperung zur Bildung von CaGe2, durch Deposition von Ca auf ein geheiztes Germaniumsubstrat, bei dem sich ohne nachfolgende Temperung CaGe2 bildet (Reactive Deposition Epitaxy) , oder durch Codeposition von Ca und Ge auf ein Substrat (z.B durch Aufdampfen, Sputtern oder
Molekularstrahlepitaxie) , vorzugsweise ein Germaniumsubstrat, mit nachfolgender Temperung oder durch Codeposition auf ein geheiztes Germaniumsubstrat geschehen.
Bevorzugt wird epitaktisches CaGe2 auf kristallinem Germanium durch Reactive Deposition Epitaxy bei einer Temperatur des Germaniumsubstrates von 700 bis 900 °C und bei einem Kalziumfluß von ungefähr 10 nm pro Minute hergestellt. Besonders bevorzugt ist eine Temperatur von 810°C. Dabei wird eine Wachstumsrate von etwa 1 μm pro Stunde erreicht.
Kalziumdigermanid kann in zwei Kristallstrukturen kristallisieren: tr6 CaGe2 (Raumgruppe £)3d5) mit den Gitterkonstanten a=4.0 Ä und c=30.6 Ä und h2 CaGe2 (Raumgruppe C6v 4) mit den Gitterkonstanten a=4.0 Ä und c=10.2 Ä. Die Kristallstruktur von trβ CaGe2 ist in Figur 2c dargestellt. Es handelt sich dabei um eine geschichtete Struktur, die aus einer Abfolge von gewellten Germanium (doppel) ebenen und Ebenen aus Kalziumatomen bestehen (H. J. Wallbaum, Naturwissenschaften 32, 76 (1944)). In trβ CaGe2 gibt es eine 6-fache Stapelfolge, in h2 CaGe2 hingegen eine nur 2-fache Stapelfolge.
Die Umwandlung von CaGe2 in schichtfόrmige Germaniumpolymere geschieht durch eine topochemische Reaktion. Um lummeszierende schichtfόrmige Germaniumpolymere zu erhalten, bei denen die Ebenenstruktur der Germaniumatome erhalten bleibt, wird bei der Erfindung die Umwandlung m einer Losung, die HCl enthalt, vorzugsweise bei Temperaturen unter -5°C, besonders bevorzugt in konzentrierter HCl (37% in Wasser) bei -30 °C durchgeführt. Unter diesen Bedingungen bilden sich schichtformige Germaniumpolymere der Form (GeH)n mit dem chemischen Namen Polygermm, die weitgehend frei von Sauerstoff- und Chlor-Verunreinigungen sind.
Eine erste Form von Germaniumschichtpolymeren, die durch Umsetzung HCl gewonnenen werden, wird mit Polygermm A bezeichnet .
D e Struktur von Polygermm A ist schmatisch in Figur 1 dargestellt. Bei der Umwandlung von trβ CaGe2 mit HCl entsteht ein trβ (GeH)n mit derselben Raumgruppe D3d 5 wie trβ CaGe2 und den Gitterkonstanten a= .0 Ä und c=33.9 Ä, entsprechend bei der Umwandlung von h2 CaGe2 ein h2 (GeH)n.
Durch die nur noch schwache Bindung zwischen benachbarten (GeH) „-Ebenen kommt es zur Ausbildung von turbostratischer Unordnung zwischen den Ebenen und einer Variation des Ebenenabstandes c/6 zwischen 5.4 und 5.9 Ä, wie aus der Breite des in Bragg-Brentano-Geometπe mit CuKα-Strahlung aufgenommenen Rontgendiffraktogramms, dargestellt in Figur 3, des (006) -Reflexes von trβ (GeH)n entnommen werden kann. Wie der ursprüngliche CaGe2-Film ist der durch die topochemische Umwandlung erhaltene (GeH)n-Film epitaktisch zu dem Germaniumsubstrat orientiert.
In Figur 4 ist ein Photolumineszenzspektrum von Polygermin A dargestellt. Das Schichtpolymer zeigt eine starke infrarote Photolumineszenz bei etwa 900 nm (l,4eV). Diese Lumineszenz ist deutlich starker als bei den eingangs genannten Germaniumnetzpolymeren ausgeprägt .
Eine Lumineszenz im nahen infraroten Wellenlangenbereich hat für Anwendungen dieser Schichtpolymere m integrierten optoelektronischen Bauelementen zusammen mit Photodioden aus Germanium besondere Vorteile, we l sie wesentlich naher an der höchsten spektralen Empfindlichkeit von kristallinem Germanium ist.
Bei einem zweiten erfmdungsgemaßen Verfahren werden Germaniumschichtpolymere ohne Verwendung von Salzsaure durch topochemische Umwandlung von CaGe mittels Wasser hergestellt. Bevorzugt wird dabei CaGe2 feuchter Luft ausgesetzt, besonders bevorzugt bei einer relativen
Luftfeuchte zwischen 10 bis 100% und bei einer Temperatur zwischen 10 und 30°C. Alternativ können
Germaniumschichtpolymere durch Einbringen von CaGe2 bzw. mit CaGe2 beschichtete Substrate m Wasser hergestellt werden.
Bei dieser Umwandlung kommt es nicht zu einer Entfernung der Kalziumatome aus dem Kristallgitter, vielmehr wird zusatzlich Wasser in den Kristall eingebaut. Je nach der Kristallstruktur des verwendeten CaGe2-Ausgangsmaterιals werden wiederum kristalline Schichtpolymere mit trβ bzw. h2
Kristallstruktur erzeugt. Diese Schichtpolymere besitzen einen Schichtaufbau mit alternierenden Ge- und Ca-haltigen Schichten.
An feuchter Luft oder durch Einbringen von CaGe2 m Wasser erzeugte Germaniumschichtpolymere sind im folgenden mit Polygermm B bezeichnet. Ihr struktureller Aufbau ist für die trβ Kristallstruktur in Figur 2a dargestellt. Zum Vergleich zeigt Figur 2b nochmals die Struktur von Polygermm A und Figur 2c die Struktur von CaGe2.
Polygermm B weist wie Polygermm A (GeH) n _Schιchtebenen auf. Im Gegensatz zu Polygermm A sind diese Schichtebenen durch ( (CaOH) 2) „-Ebenen voneinander getrennt. Die Gitterkonstanten betragen a=4.0 Ä und c=65.3 Ä, wobei der Abstand zwischen benachbarten Germaniumebenen aus den oben genannten Gründen zwischen c/β=10.6 Ä und 11.0 Ä variiert (vgl. Figur 3). An feuchter Luft umgewandeltes Polygermm B zeigt eine starke Photolumineszenz bei 650 nm (vgl. Figur 4).
Durch chemische Substitution des Wasserstoffs durch andere geeignete Liganden an den Germaniumebenen in Polygermm laßt sich der Abstand der Germaniumebenen sowie die Große der Bandlucke und damit die Wellenlange der Lumineszenz verandern. Dabei können die H-Atome ganz oder teilweise durch andere einwertige Liganden wie Halogenatome, OH- bzw. NH2- Gruppen oder Alkylgruppen -CH3, -C2H5 usw. substituiert werden. Zur Substitution mit OH-Gruppen wird dazu bevorzugt zunächst eine Substitution mit Br durch Einbringen des Polygermms in HBr durchgeführt, gefolgt von der Substitution der Br-Liganden durch OH-Gruppen m Wasser. Die Substitution mit Alkanen erfolgt bevorzugt durch Hydrosilylierung von Al- kenen. Dabei kann der Ebenenabstand von 5 bis 60 Ä, die Lumi- neszenzwellenlange von 400 bis 1600 nm variieren. Die für die Realisierung optoelektronischer Bauelemente wichtige Dotierung der schichtformigen Germaniumpolymere zur Erhöhung der Leitfähigkeit kann durch Interkalation von Alkali- oder Erd- alkaliatomen, bevorzugt mit Li, K, oder Ca erfolgen.
Bei einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung weisen die Schichtpolymere gemischte Germanium-Silizium-Schichtebenen auf. Damit entstehen weitere vorteilhafte Schichtpolymere und Schichtstrukturen.
Silizium-Germanium-Schichtpolymere, in denen die einzelnen Ebenen gemischt aus Silizium- und Germaniumatomen zusammengesetzt sind, lassen sich erfmdungsgemaß durch
Herstellung von Ca (Siι_xGex) 2 aus auf geeigneten kristallinen Substraten abgeschiedenen Siι_xGex Legierungen, entsprechend der Herstellung von CaGe2, und nachfolgende topochemische Umwandlung unter Verwendung von HCl- oder H20-haltιgen Losungen oder feuchter Luft herstellen. Schichtstrukturen, die aus einer Abfolge einzelner Lagen von reinen Germaniumschichtpolymeren und S lizium- schichtpolymeren bestehen, lassen sich erfmdungsgemaß durch die Herstellung von CaGe2/CaSι2-Ubergιttern z.B. durch Aufdampfen, Sputtern oder Molekularstrahlepitaxie und nachfolgender topochemischer Umwandlung unter Verwendung von HCl- oder H20-haltιgen Losungen gewinnen. Die obengenannten Ausgestaltungen der Erfindung für Germaniumschichtpolymere beziehen sich auch auf Silizium-Germanium-Schichtpolymere . Weitergehend können die Ebenenstrukturen auch andere
Halbleiteratome enthalten oder aus diesen gebildet sein. Unter Halbleiteratomen sind Atome von Materialien mit halbleitenden Eigenschaften wie beispielsweise GaAs, AlGaAs, GaAlP, GaN, InGaAlN zu verstehen.
Die besonderen Vorteile von Silizium-Germanium- Schichtpolymeren in optoelektronischen Bauelementen sind u.a. die Möglichkeit der Einstellung der Bandlucke bzw. der Lumineszenz nur durch die Variation der relativen Anteile der Silizium- bzw. Germaniumatome ohne chemische Substitution von Liganden bzw. die Möglichkeit der Erzeugung „mehrfarbiger" Lumineszenz in einem optoelektronischen Bauelement, da Silzium- und Germaniumschichtpolymere Lumineszenz bei unterschiedlichen Wellenlangen aufweisen.
In Figur 5 ist ein ein erfmdungsgemaßes Schichtpolymer enthaltendes optoelektronisches Bauelement dargestellt. Dabei ist ein Germaniumschichtpolymer 10 auf einem Substrat 12 aus kristallinem Germanium angeordnet. Vorzugsweise wird das Germaniumschichtpolymer 10 auf dem Germaniumsubstrat 12 hergestellt. Das Germaniumsubstrat wirkt dabei als ein elektrischer Kontakt an der Polymerschicht und kann zur Verminderung des Serienwiderstandes m an sich bekannter Weise dotiert sein. Der elektrische Kontakt zum Substrat kann dabei z.B. durch einen geeigneten metallischen Ruckseitenkontakt 14 realisiert werden .
Als Vorderseitenkontakt werden metallische Filme oder Filme aus elektrisch leitenden Oxiden 16 auf die Polymerschicht 10 aufgebracht. Damit Licht durch die Oberflache des Bauelementes treten kann, ist der Vorderseitenkontakt vorzugsweise strahlungsdurchlassig ausgeführt. Hierzu kann ein metallischer Vorderseitenkontakt beispielsweise hinreichend dünn und damit optisch zumindest teiltransparent gebildet sein. Alternativ kann der Vorderseitenkontakt als Fenster gebildete Ausnehmungen aufweisen.
Zur Verbesserung der Diodeneigenschaften des Bauelementes kann die Schicht 10 dotiert sein. Gegebenfalls ist die Schicht 10 räumlich selektiv nur m der Nahe des Überganges zum Substrat 12 oder m der Nahe des Überganges zum Vorderseitenkontakt 16 dotiert. Bevorzugt werden Metalle mit niedriger Austrittsarbeit wie z.B. Sr, Ca, Mg oder AI als Vorderseitenkontakt, p-Typ dotiertes Germanium mit einer spezifischen Leitfähigkeit zwischen 0.01 und 1000 1/Ωcm als Substratmaterial und AI als Ruckseitenkontakt verwendet. Weitergehend können auch elektrisch leitfahige Oxide, beispielsweise ZnO, SnO oder ITO (Indium Tm Oxide) als Kontaktmaterial verwendet werden. Selbstverständlich kann das Schichtpolymer 10 auch ein Silizium-Germanium-Polymer sein.
Die raumliche Orientierung der Germaniumebenen bezuglich der Oberflache des Germaniumsubstrates hangt in den geschichteten Polymeren von der Kπstallorientierung des Substrates ab. Für Germaniumsubstrate mit einer (111) -Oberflache liegen die Ebe- nen der schichtformigen Polymere parallel zur Substratoberflache . Die elektrische Leitfähigkeit der Schichtpolymere ist wegen ihrer Struktur stark anisotrop, die Leitfähigkeit parallel zu den Ebenen ist dabei wesentlich großer als die Leitfähigkeit senkrecht dazu. Hat das Germaniumsubstrat (12) deshalb eine (111 ) -Oberflache, so hat die Polymerschicht (10) in dem in Figur 5 dargestellten Bauelement einen wesentlich höheren Widerstand als eine gleich dicke Polymerschicht, die auf einem anders orientierten Substrat hergestellt wurde. Zur Reduktion des Widerstandes in der Polymerschicht und zur Erho- hung der Lumineszenzausbeute werden deshalb Germaniumsubstrate mit einer von (111) verschiedenen Orientierung bevorzugt. Besonders bevorzugt zur Herstellung von Leuchtdioden und Lasern werden Substrate mit einer (110) -Oberflache .
Ein optoelektronisches Bauelement mit einem Germanium- oder Silizium-Germanium-Schichtpolymer kann als Leuchtdiode oder Laser ausgebildet sein, indem Ladungsträger in die Polymerschicht elektrisch injiziert werden. Es kann jedoch auch zum Nachweis optischer Strahlung, beispielsweise als Photodiode oder als Photoleiter, verwendet werden.
Unter Verwendung von schichtformigen Germanium- und Silizium- Germanium-Polymeren lassen sich daruberhinaus integrierte optoelektronische Schaltkreise realisieren, in denen die verwendeten Halbleitermaterialien vorzugsweise ausschließlich auf Germanium basieren und insbesondere aus dem kristallinem Germaniumsubstrat des Schaltkreises selbst hergestellt worden sind. Dabei können mit erfindungsgemaßen Schichtpolymeren lichtemittierende Bauelemente zur Konstruktion von Leuchtdioden oder Lasern realisiert sowie, Photodetektoren zum Nachweis von optischer Strahlung, z.B. durch pn-Photo- dioden aus kristallinem Germanium, durch selektive Dotierung gebildet werden. Weiterhin können lichtemittierende und lichtdetektierende Bauelemente durch optische Wellenleiter, z.B. aus Ge02, das durch selektive Oxidation des kristallinen Germaniums gebildet wird, verbunden sein. Die Erläuterung der Erfindung anhand der Ausfuhrungsbeispiele stellt selbstverständlich keine Einschränkung der Erfindung hierauf dar. Wird hier auf Germaniumschichtpolymere, auf optoelektronische Bauelemente auf deren Basis und auf deren Verwendung Bezug genommen, so sind davon auch Silizium- Germanium-Schichtpolymere sowie Schichtstrukturen aus Germaniumschichtpolymeren und Siliziumschichtpolymeren umfaßt .

Claims

Patentansprüche
1. Germaniumschichtpolymer, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Germaniumatome Ebenenstrukturen ausbilden und diese Ebenen übereinander geschichtet sind.
2. Schichtpolymer nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß seine Summenformel (GeH)n ist.
3. Schichtpolymer nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß mindestens an einem Teil der Germaniumatome einwertige Gruppen gebunden sind.
4. Silizium-Germanium-Schichtpolymer, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß Silizium- und Germaniumatome gemischte Ebenenstrukturen ausbilden und diese Ebenen übereinander geschichtet sind.
5. Schichtpolymer nach Anspruch 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß mindestens an einem Teil der Silizium- und/oder Ger- maniumatome einwertige Gruppen gebunden sind.
6. Schichtpolymer nach Anspruch 3 oder 5, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die einwertigen Gruppen Halogenatome, OH-Gruppen, NH2- Gruppen, CH3-Gruppen oder Alkane sind.
7. Schichtpolymer nach einem der Ansprüche 1 bis 6, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß daß die Ebenenstrukturen einen Abstand zwischen 5 Ä und 60 Ä aufweisen.
8. Schichtpolymer nach einem der Ansprüche 1 bis 7, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß daß die Ebenenstrukturen durch Zwischenebenen voneinander getrennt sind.
9. Schichtpolymer nach Anspruch 8, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Zwischenebenen (Ca (OH) 2) n-Ebenen sind.
10. Schichtpolymer nach einem der Ansprüche 1 bis 9, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß es eine kristalline Struktur bildet.
11. Schichtpolymer nach einem der Ansprüche 1 bis 10, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß es eine Lumineszenz mit einem Intensitatsmaximum bei einer Wellenlange zwischen 400 nm und 1600 nm aufweist.
12. Schichtpolymer, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß es eine Abfolge einzelner Lagen von Schichtpolymeren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 11 enthalt.
13. Verfahren zur Herstellung eines Schichtpolymers nach einem der Ansprüche 1 bis 12, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß das Schichtpolymer mittels topochemischer Umwandlung von Ca (Siι_xGex) 2, 0<x≤l hergestellt wird.
14. Verfahren nach Anspruch 13, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß eine epitaktische Ca (Siι-xGex) 2~Schιcht , 0<x≤l auf einem Substrat aus kristallinem Germanium oder Siliziumgermanium zur Herstellung des Schichtpolymers verwendet wird.
15. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die epitaktische Ca (Siι_xGex) 2-Sch cht , 0<x≤l durch Deposition von Ca auf ein Siι-xGex-Substrat , 0<x≤l mit nachfolgender Temperung, durch Deposition von Ca auf em geheiztes Siι-xGex- Substrat, 0<x≤l, durch Codeposition von Ca, Ge und Si auf em Substrat, vorzugsweise em Germanium- oder em Siχ_xGex- Substrat, 0<x≤l, mit nachfolgender Temperung oder durch Codeposition von Ca, Ge und Si auf ein geheiztes Substrat, vorzugsweise em Germanium- oder Siι-xGex-Substrat, 0<x≤l, hergestellt wird.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die topochemische Umwandlung mit einer HCl oder H20 enthaltenden Flüssigkeit durchgeführt wird.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die topochemische Umwandlung in Luft mit einer relativen Luftfeuchtigkeit von 10 bis 100% durchgeführt wird.
18. Optoelektronisches Bauelement, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß das Bauelement em Halbleiteratome enthaltendes Schichtpolymer (10) aufweist, bei dem die Halbleiteratome in Ebenenstrukturen angeordnet und die Ebenenstrukturen übereinander geschichtet sind.
19. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 18, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß das Schichtpolymer (10) lummesziert .
20. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 18 oder 19, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß es e Schichtpolymer (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 12 aufweist.
21. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 18
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß das Schichtpolymer (10) nach einem oder mehreren der Ansprüche 13 bis 17 auf einem kristallinem Substrat (12) hergestellt ist.
22. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 21, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß das kristalline Substrat (12) em Germaniumsubstrat oder em Siliziumgermamumsubstrat ist.
23. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 21 oder 22, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß em Substrat (12) mit einer derartigen Orientierung verwendet wird, daß die Struktur des Schichtpolymers (10) nicht parallel zur Oberflache des Substrats orientiert ist.
24. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 21 bis 23, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß das Substrat (12) eine (110) -Oberflache aufweist.
25. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 21 bis 24, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß e dotiertes Substrat (12) vorgesehen ist.
26. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Anspr che 21 bis 25, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß auf dem Schichtpolymer (10) em elektrischer Kontakt (16) angeordnet ist.
27. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 26, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der elektrische Kontakt (16) aus einem Metall oder einem elektrisch leitfahigen leitfahigen Ox d besteht.
28. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 26 oder 27, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der Kontakt (16) lichtdurchlässig ist.
29. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 26 bis 28, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der Kontakt (16) Sr, Ca, Mg, AI, Zn, In, ZnO, InO oder InZnO enthalt .
30. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 18 bis 29, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß das Schichtpolymer (10) ganz oder raumlich selektiv dotiert
31. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 30, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Dotierung durch mterkalierte Alkali- oder Erdalkaliatome geschieht .
32. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 18 bis 31, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß es eine Leuchtdiode oder Laserdiode ist.
33. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Anspr che 18
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß es zum Nachweis optischer Strahlung dient.
34. Integrierter Schaltkreis, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß er ein ein Halbleiteratome enthaltendes Schichtpolymer aufweist, bei dem die Halbleiteratome in Ebenenstrukturen angeordnet und die Ebenenstrukturen übereinander geschichtet sind.
35. Integrierter Schaltkreis nach Anspruch 34, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß er ein Schichtpolymer nach einem der Ansprüche 1 bis 11 oder ein Bauelement nach einem der Ansprüche 18 bis 33 enthält.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7247503B2 (en) * 2003-05-07 2007-07-24 Macronix International Co., Ltd. Method of laser annealing to form an epitaxial growth layer
US20070262296A1 (en) * 2006-05-11 2007-11-15 Matthias Bauer Photodetectors employing germanium layers
JP2008069301A (ja) * 2006-09-15 2008-03-27 Toyota Central R&D Labs Inc シリコンナノシート、そのコロイド溶液、およびシリコンナノシートの製造方法。
US10074814B2 (en) * 2013-04-22 2018-09-11 Ohio State Innovation Foundation Germanane analogs and optoelectronic devices using the same
US20160362522A1 (en) * 2015-06-13 2016-12-15 The Pen True nanoscale one and two-dimensional organometals
CN108423637B (zh) * 2017-02-15 2022-11-22 松下知识产权经营株式会社 光电转换材料以及使用该光电转换材料的太阳能电池
KR102080829B1 (ko) * 2018-05-18 2020-02-24 연세대학교 산학협력단 층상형 Ge, 이의 제조 방법, 이로부터 박리된 Ge 나노시트 및 이를 포함하는 리튬이온전지용 전극
CN110746268A (zh) * 2018-07-24 2020-02-04 天津大学 一类氟代乙基取代的二维层状锗及制备方法
CN110745859A (zh) * 2018-07-24 2020-02-04 天津大学 二维材料CaGeTe功能化制备高性能材料的方法
CN110746452A (zh) * 2018-07-24 2020-02-04 天津大学 二维材料CaGeTe甲基化制备高性能材料的方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0545388A1 (de) * 1991-12-03 1993-06-09 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Einrichtung mit einen lumineszenzfähigen Material und Verfahren zu ihrer Herstellung
JPH0964417A (ja) * 1995-08-25 1997-03-07 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> シロキセン系化合物薄膜の製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4271084A (en) * 1978-03-01 1981-06-02 Ryuichi Sato Germanium-containing organic polymer and the process for the production of the same
US4778692A (en) * 1985-02-20 1988-10-18 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
US5280183A (en) * 1988-05-31 1994-01-18 Edison Polymer Innovation Corporation Microelectronic device employing multiring phthalocyanine compound
US5220181A (en) * 1989-12-11 1993-06-15 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic element of junction type with an organic semiconductor layer formed of a polysilane compound
JPH04335519A (ja) * 1991-05-13 1992-11-24 Fujitsu Ltd 半導体結晶の製造方法
JP2855300B2 (ja) * 1992-04-15 1999-02-10 キヤノン株式会社 非単結晶ゲルマニウム半導体
JP3508144B2 (ja) * 1992-07-24 2004-03-22 ソニー株式会社 シリコンポリマー
US5437929A (en) * 1994-01-19 1995-08-01 Edison Polymer Innovation Corp. Germanium phthalocyanine films
JPH08231949A (ja) * 1995-02-22 1996-09-10 Osaka Gas Co Ltd 有機電界発光素子
JPH08231947A (ja) 1995-02-22 1996-09-10 Osaka Gas Co Ltd 有機電界発光素子
JPH10180933A (ja) * 1996-12-27 1998-07-07 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 無機−有機層状高分子単層膜およびその多層積層膜
JP3024584B2 (ja) * 1997-03-10 2000-03-21 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US6452218B1 (en) * 1997-06-10 2002-09-17 Uniax Corporation Ultra-thin alkaline earth metals as stable electron-injecting electrodes for polymer light emitting diodes
US6316098B1 (en) * 1998-03-27 2001-11-13 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Molecular layer epitaxy method and compositions

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0545388A1 (de) * 1991-12-03 1993-06-09 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Einrichtung mit einen lumineszenzfähigen Material und Verfahren zu ihrer Herstellung
JPH0964417A (ja) * 1995-08-25 1997-03-07 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> シロキセン系化合物薄膜の製造方法

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1997, no. 07 31 July 1997 (1997-07-31) *
VENKATASUBRAMANIAN R ET AL: "PHYSICAL BASIS AND CHARACTERISTICS OF LIGHT EMISSION FROM QUANTIZED PLANAR GE STRUCTURES", PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING. WASHINGTON, DEC. 8 - 11, 1991, NEW YORK, IEEE, US, 8 December 1991 (1991-12-08), pages 91 - 429-432, XP000342172, ISBN: 0-7803-0243-5 *
VOGG G ET AL: "From CaSi2 to siloxene: epitaxial silicide and sheet polymer films on silicon", JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, NORTH-HOLLAND PUBLISHING CO. AMSTERDAM, NL, vol. 203, no. 4, June 1999 (1999-06-01), pages 570 - 581, XP004177755, ISSN: 0022-0248 *
VOGG G ET AL: "Polygermyne-a prototype system for layered germanium polymers", ADVANCED MATERIALS, 1 SEPT. 2000, VCH VERLAGSGESELLSCHAFT, GERMANY, vol. 12, no. 17, pages 1278 - 1281, XP002174147, ISSN: 0935-9648 *

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EP1269553A1 (de) 2003-01-02
US7402891B2 (en) 2008-07-22
US20030151117A1 (en) 2003-08-14
AU2001254607A1 (en) 2001-10-08
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DE50111732D1 (de) 2007-02-08

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