WO2002065519A1 - Dispositif de support, procede de support, dispositif d'exposition et procede de production des dispositifs - Google Patents

Dispositif de support, procede de support, dispositif d'exposition et procede de production des dispositifs Download PDF

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WO2002065519A1
WO2002065519A1 PCT/JP2002/001200 JP0201200W WO02065519A1 WO 2002065519 A1 WO2002065519 A1 WO 2002065519A1 JP 0201200 W JP0201200 W JP 0201200W WO 02065519 A1 WO02065519 A1 WO 02065519A1
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suction
holding
reticle
mask
area
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PCT/JP2002/001200
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Tsuneyuki Hagiwara
Hiromitsu Yoshimoto
Hiroto Horikawa
Hideo Mizutani
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Nikon Corporation
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    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

Definitions

  • the present invention relates to a holding device, a holding method, and an exposure device for exposing a pattern of a mask to a substrate using a mask and a substrate held by the holding device, and particularly to manufacturing devices such as a liquid crystal display element and a semiconductor element.
  • the present invention relates to a holding device and a holding method suitable for use in a lithography step, an exposure apparatus, and a device manufacturing method. Background art
  • a circuit pattern formed on a mask or a reticle (hereinafter, referred to as a “reticle”) is formed on a wafer or glass coated with a resist (photosensitive agent).
  • a resist photosensitive agent
  • Various exposure apparatuses that transfer onto a substrate such as a plate are used.
  • a reticle pattern is projected onto a wafer using a projection optical system in accordance with the miniaturization of the minimum line width (device rule) of the pattern accompanying the recent high integration of integrated circuits.
  • a reduction projection exposure apparatus that performs reduction transfer is mainly used.
  • FIG. 26 is a perspective view showing a reticle holder for holding the reticle.
  • the reticle holder 100 has an opening 102 formed in the center portion, pedestal portions 104 provided at a plurality of positions (three places) on the upper surface, and a pedestal portion 100. 4 provided with suction pads 106 provided on the upper surface, respectively.
  • the reticle holder 100 is provided so as to be two-dimensionally movable in the X and Y directions with respect to the base 110.
  • the suction pad 106 is provided at a position facing the lower surface of the reticle R, and is connected to a compressor (suction device) (not shown). Then, the gas in the space between the lower surface of the reticle R and the suction pad 106 is sucked by the compressor, and the space between the lower surface of the reticle R and the suction pad 106 is sucked.
  • the reticle R is adsorbed and held by the reticle holder 100 by setting the pressure of the reticle R to be lower than the external pressure.
  • the reticle R has a pattern in the center of the lower surface, and the pattern surface (that is, the center of the lower surface of the reticle R) is provided with a pellicle PE for protecting the pattern surface. Therefore, reticle holder 100 sucks and holds a portion of reticle R underside other than pellicle PE.
  • the contact surface between the suction pad 106 of the reticle holder 100 and the reticle R is large.
  • the size (area) of the surface of reticle R that is attracted to reticle holder 100 by pellicle PE is restricted. If a large area of the lower surface of the reticle R other than the pellicle PE is to be sucked and held, for example, a region at the outer edge of the lower surface of the reticle R (hereinafter referred to as an “accuracy non-guaranteed region”) having no predetermined surface accuracy ) Up to the reticle holder 100.
  • the contact surface of the reticle R with the suction pad 106 is distorted, and the influence of the distortion is caused by a region having a predetermined surface accuracy at the center of the reticle R (hereinafter, “accuracy assurance region”). ), The surface accuracy of the pattern surface decreases, and a problem arises in that accurate exposure processing cannot be performed.
  • a region near the pellicle PE which is an accuracy assurance region, (hereinafter, referred to as an “inner edge region”) may be held by suction.
  • the reticle holder 100 holds the inner edge region because the reticle holder 100 interferes with the transfer device for loading / unloading the reticle R with respect to the reticle holder 100. Absent. That is, when loading and unloading the reticle R with respect to the reticle holder 100, a transfer device having a fork portion is used.
  • the fork portion When the reticle R is supported by the fork portion, the fork portion is connected to the reticle R. It supports the lower part other than the pellicle PE.
  • the pedestal portion 104 of the reticle holder 100 When loading and unloading the reticle R with respect to the reticle holder 100 using this transfer device, the pedestal portion 104 of the reticle holder 100 is used to prevent interference between the reticle holder 100 and the fork portion. Shape and size, or adsorption The position and size of the pad 106 are restricted, and the position and size of the surface on which the reticle R is adsorbed are also restricted.
  • the reticle R may be distorted.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and has a holding device and a holding method capable of holding a reticle (mask) stably without deteriorating the surface accuracy in an accuracy assurance area, and the holding method.
  • An object of the present invention is to provide an exposure apparatus including an apparatus and capable of performing accurate exposure processing, and a device manufacturing method capable of accurately manufacturing a device. Disclosure of the invention
  • a first aspect of the present invention is a holding device for holding a surface to be adsorbed of a flat sample.
  • the holding device includes: a first holding unit that faces a first region having a predetermined surface accuracy of the suction surface; and a second holding unit that faces a second region other than the first region of the suction surface. And a suction device that sucks gas in a space between the suctioned surface and the first holding unit and the second holding unit.
  • the suction device includes: a first suction device that suctions a gas in a space between the surface to be sucked and the first holding unit; and a gas in a space between the surface to be sucked and the second holding unit.
  • a second suction device for performing suction may be provided.
  • a second aspect of the present invention is a holding method for holding a suctioned surface of a flat sample.
  • the first area having a predetermined surface accuracy of the attracted surface and the second area other than the first area of the attracted surface are respectively transferred to the first holding unit and the second holding unit. Yotsu And hold them individually.
  • the first area having a predetermined surface accuracy of the surface to be sucked and the second area other than the first area of the surface to be sucked are respectively formed by the first holding unit and the first holding unit.
  • the first holding unit and the second holding unit may be arranged adjacent to each other, and a boundary between the first holding unit and the second holding unit may be arranged at least in a first region of the sample. In this case, even if the sample is deformed so as to bend, the separation between the sample and the first holding unit is suppressed. Therefore, the holding device can stably hold the sample.
  • the second holding unit and the second region of the sample may be set to have a predetermined interval.
  • the suction force of the second holding unit on the second region is smaller than the suction force of the first holding unit on the first region. Therefore, it is possible to suppress the deformation of the sample caused by the second holding unit sucking the second region with a strong suction force.
  • the amount of gas suction per unit time by the first suction device and the amount of gas suction per unit time by the second suction device may be controlled.
  • the suction force of the second holding portion on the second region can be smaller than the suction force of the first holding portion on the first region, and the second holding portion suctions the second region with a strong suction force. This can suppress the deformation of the sample caused by this.
  • the area of the first holding unit with respect to the first region may be set larger than the area of the second holding unit with respect to the second region.
  • the suction force of the second holding portion on the second region can be made smaller than the suction force of the first holding portion on the first region, so that the second holding portion holds the second region with a strong suction force. Deformation of the sample due to suction can be suppressed.
  • a pattern of a mask held by a mask holder is transferred to a substrate holder.
  • An exposure apparatus that exposes a substrate held by a holder.
  • the holding device is used for at least one of a mask holder and a substrate holder.
  • Another aspect of the present invention is a device manufacturing method including a lithographic process, wherein the exposure apparatus is used in the lithography step.
  • a high-quality device is manufactured because an exposure apparatus capable of performing an accurate and stable exposure process while maintaining a mask or a substrate at a predetermined surface accuracy is used. be able to.
  • a mask having a suction surface having a convex shape in a first direction within a predetermined allowable range is provided by a pair of first suction holding portions disposed opposite to each other in the first direction.
  • This is the method of holding the mask.
  • the distance between the center-side support point and the outer support point of the mask in each of the suction holding units is set to one, and the distance between the center-side support points in each of the suction holding units is set to one.
  • the mask is held so as to satisfy the relational expression.
  • a mask having a suction surface having a convex shape in a first direction within a predetermined allowable range is formed by a pair of first suction devices arranged to face each other in the first direction.
  • This is a device for holding the mask held by the holding unit.
  • the distance between the support point on the center side of the mask and the support point on the outside of the mask in each of the suction holding units is one, and the distance between the support points on the center side in each of the suction holding units is one.
  • the first suction holding sections are respectively arranged so as to satisfy the relational expression.
  • the mask can be stably held by the first suction holding unit without deteriorating the surface accuracy of the entire mask, and the size of the entire surface on which the mask is sucked can be increased. Therefore, stable mask holding can be realized.
  • FIG. 1 is an overall schematic diagram showing an embodiment of an exposure apparatus provided with the holding device of the present invention.
  • FIG. 2 is an external perspective view of a stage device having a holding device constituting the exposure device.
  • FIG. 3 is an external perspective view of the holding device of the present invention.
  • FIG. 4 is an enlarged perspective view of a main part showing an embodiment of the holding device of the present invention.
  • FIG. 5A and 5B are schematic views showing a state in which the mask is held by the holding device of the present invention.
  • FIG. 5A is a top view
  • FIG. 5B is an arrow A--A in FIG. 5A.
  • FIG. FIG. 6 is an enlarged sectional view of a main part when a mask is held by the holding device of the present invention.
  • 7A to 7D are views for explaining the relationship between the shape and deformation of the mask held by the holding device.
  • FIG. 8 is a table showing the relationship between the size and interval of the second region and the maximum deflection of the mask.
  • Figure 9 is a graph of the table in Figure 8.
  • FIG. 10 is a sectional view showing another embodiment of the mask of the present invention.
  • FIGS. 11 to 14 are enlarged perspective views showing the main parts of another embodiment of the holding device of the present invention.
  • FIG. 15 is a perspective view showing another embodiment of the holding device of the present invention.
  • FIG. 16 is a perspective view showing a state where the reticle is sucked in the embodiment.
  • FIGS. 17 to 21 are enlarged cross-sectional views of main parts when the mask is held by the holding device.
  • FIGS. 22 to 24 are cross-sectional views of the reticle for explaining the effects of another embodiment of the present invention.
  • FIG. 25 is a flowchart illustrating an example of a semiconductor device manufacturing process.
  • FIG. 26 is an external perspective view showing a conventional holding device. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIG. 1 is an overall schematic view of an exposure apparatus
  • FIG. 2 is an external perspective view of a reticle stage having a reticle holder (holding device, mask holder) constituting the exposure apparatus.
  • FIG. 3 is an external perspective view of the reticle holder
  • FIG. 4 is an enlarged view of a main part of the reticle holder.
  • 5 is a schematic view showing a state where the reticle is held by the reticle holder
  • FIG. 5A is a top view
  • FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 5A.
  • FIG. 6 is an enlarged sectional view of a main part when the reticle is held by the reticle holder.
  • the exposure apparatus 1 shown in FIG. 1 is a device that uniformly illuminates a rectangular (or arc-shaped) illumination area on a reticle (sample or mask) R formed in a flat plate shape by exposure illumination light from a light source (not shown).
  • Illumination optical system IU that illuminates with illuminance, reticle holder 18 that holds reticle R, movable reticle stage (mask stage) 2 including reticle holder 18 and reticle surface plate 3 that supports reticle stage 2 ,
  • a projection optical system PL that projects the illumination light emitted from the reticle R onto the wafer (substrate, photosensitive substrate) W, a wafer holder (holding device) that holds the wafer W, and a wafer holder. 4.
  • a stage device 7 including a movable wafer stage (substrate stage) 5 including a stage 1 and a wafer surface plate 6 supporting the wafer stage 5, the stage device 4 and the projection optical system P And a body 8 supporting the L.
  • the direction of the optical axis of the projection optical system PL is defined as a Z direction
  • the direction perpendicular to the Z direction is defined as the Y direction
  • the direction of the synchronous movement of the reticle R and the wafer W is defined as the Y direction
  • the direction of the asynchronous movement is defined as the X direction.
  • the rotation directions around each axis are 0 ° and ⁇ ⁇ .
  • the illumination optics IU is supported by a support column 9 fixed to the top of the body 8. It is.
  • the illumination light for exposure may be, for example, an ultraviolet bright line (g-line, h-line, i-line) and a KrF excimer laser beam (wavelength 248 ⁇ m) emitted from an ultra-high pressure mercury lamp. or ultraviolet light (D UV light), a r F excimer one laser light (wavelength 1 9 3 nm) and F 2 laser beam (wavelength: 1 5 7 nm) vacuum ultraviolet light, such as (V UV) and the like are found using.
  • the body 8 is mounted on a base plate 10 placed horizontally on the floor, and has upper and lower sides formed with stepped portions 8a and 8b protruding inward, respectively. Have been.
  • the reticle surface plate 3 is supported almost horizontally on the step 8a of the body 8 via the vibration isolating unit 11 at each corner (for the vibration isolating unit on the back side of the paper, Is not shown), and an opening 3a through which a pattern image formed on the reticle R passes is formed at the center thereof.
  • metal or alumina ceramics can be used as the material of the reticle surface plate 3.
  • the anti-vibration unit 11 has a configuration in which an air mount 12 whose internal pressure is adjustable and a voice coil motor 13 are arranged in series on the step 8a. With these vibration isolation units 11, micro vibrations transmitted to the reticle surface plate 3 via the base plate 10 and the body 8 are insulated at the micro G level (G is gravitational acceleration).
  • a reticle stage 2 is supported on the reticle base 3 so as to be two-dimensionally movable along the reticle base 3.
  • a plurality of air bearings (gas bearings) 14 are fixed to the bottom of the reticle stage 2, and the reticle stage 2 is placed on the reticle surface plate 3 with a clearance of about several microns by these air bearings 14. Floating supported.
  • the pattern image of the reticle R that has passed through the openings 2a and 3a enters the projection optical system PL.
  • the projection optical system PL here, both the object plane (reticle R) side and the image plane (wafer W) side are telecentric and have a circular projection field, and a refractive optical element using quartz or fluorite as an optical glass material.
  • a 1/4 (or 1/5) reduction magnification refracting optical system consisting of a lens element) is used.
  • the imaged light flux from the portion illuminated by the illumination light enters the projection optical system PL, and a partially inverted image of the circuit pattern is formed in a circular field of view on the image plane side of the projection optical system PL.
  • An image is formed by being limited to a slit shape at the center.
  • the projected partial inverted image of the circuit pattern is reduced to the resist layer on the surface of one of the plurality of shot areas on wafer W arranged on the imaging plane of projection optical system PL. Transcribed.
  • a flange 23 integrated with the lens barrel is provided on the outer circumference of the lens barrel of the projection optical system PL.
  • the projection optical system PL is provided with a lens barrel base 25 composed of an object or the like that is supported substantially horizontally on a stepped portion 8b of the body 8 via an anti-vibration unit 24. Inserted from above in the Z direction, the flange 23 is engaged.
  • a ceramic material having high rigidity and low thermal expansion may be used as the lens barrel base 25, a ceramic material having high rigidity and low thermal expansion may be used.
  • the flange 23 may be made of a material having a low thermal expansion, such as Inver (Inver; nickel 36%, manganese 0.25%, and a low expansion material made of iron containing trace amounts of carbon and other elements. Alloy) is used.
  • the flange 23 constitutes a so-called kinematic support mount for supporting the projection optical system P L at three points with respect to the barrel base 25 via points, surfaces and V-grooves.
  • the anti-vibration unit 24 is arranged at each corner of the lens barrel base 25 (the anti-vibration unit on the back side of the drawing is not shown), and an air mount 26 and a voice coil motor 2 whose internal pressure can be adjusted. 7 are arranged in series on the step 8b.
  • vibration isolating units 24 micro vibrations transmitted to the lens barrel surface plate 25 (and the projection optical system P L) via the base plate 10 and the body 8 are insulated at the micro G level.
  • the stage device 7 includes a wafer stage 5, a wafer surface plate 6 that supports the wafer stage 5 so as to be movable in a two-dimensional direction along the XY plane, and a sample stage that is provided integrally with the wafer stage 5 and that holds the wafer W by suction.
  • ST, X stage XG, X stage X It is mainly composed of a synchronous stage device that moves synchronously with G.
  • a plurality of air bearings (gas bearings) 28 which are non-contact bearings are fixed on the bottom surface of the wafer stage 5, and these air bearings 28 move the wafer stage 5 onto the wafer surface plate 6. For example, it is levitated and supported through a clearance of about several microns.
  • the wafer surface plate 6 is supported almost horizontally above the base plate 10 via a vibration isolation unit 29.
  • the anti-vibration unit 29 is disposed at each corner of the wafer surface plate 6 (the anti-vibration unit on the back side of the drawing is not shown), and the air mount 30 and the Pois coil motor 3 which can adjust the internal pressure are provided. 1 is arranged on the base plate 10 in parallel. By these vibration isolating units 29, the micro vibration transmitted to the wafer surface plate 6 via the base plate 10 is insulated at the micro G level.
  • the X guide stage XG has a long shape along the X direction, and movers 36 and 36 formed of armature units are provided at both ends in the length direction.
  • the stators 37, 37 having magnet units corresponding to the movers 36, 36 are provided on support portions 32, 32 projecting from the base plate 10.
  • the moving coil 36 and the stator 3 7 constitute moving coil type linear motors 3 3, 3 3, and the movable element 3 6 interacts electromagnetically with the stator 3 7.
  • the X guide stage XG moves in the Y direction, and also rotates in the 0 Z direction by adjusting the drive of the linear motors 33, 33.
  • the linear stage 33 allows the stage 8 (and the sample stage ST, hereinafter simply referred to as the wafer stage 5) to be substantially integrated with the X guide stage XG by the linear guide 33 in the Y and 0 Z directions. To be driven.
  • a mover 34a of an X trim motor is mounted on one X direction side of the X guide stage XG.
  • the stator 34 b of the X trim motor is provided on the body 8. Therefore, the reaction force when driving the wafer stage 5 in the X direction is transmitted to the base plate 10 via the X trim module 34 and the body 8.
  • the wafer stage 5 is connected to the X guide stage XG via a magnet that maintains a predetermined amount of gear in the Z direction and a magnetic guide consisting of an actuator and an X guide. It is supported and held by the stage XG in a non-contact manner so as to be relatively movable in the X direction.
  • the wafer stage 5 is driven in the X direction by electromagnetic interaction by an X linear motor 35 embedded in the X guide stage XG.
  • the wafer W is fixed to the upper surface of the wafer stage 5 via a wafer holder 41 by vacuum suction or the like.
  • the stage device 7 is provided with a sample stage detection device for detecting the position information of the sample stage ST.
  • the sample stage detection device consists of an X movable mirror 43 extending along the Y direction on the side edge on the sample stage ST, and a laser interferometer (interferometer) arranged opposite to the X movable mirror 43 4 and 4 are provided.
  • the laser interferometer 44 irradiates laser light (detection light) toward the reflecting surface of the X movable mirror 43 and the reference mirror 42 fixed to the lower end of the projection optical system PL, and reflects the laser light.
  • the position of the sample stage ST (and thus the wafer W) in the X direction can be determined to a predetermined resolution.
  • detection is performed in real time with a resolution of about 0.5 to 1 nm.
  • a Y moving mirror extending along the X direction on the side edge of the sample stage ST is opposed to the Y moving mirror at an interval in the X direction.
  • a Y laser interferometer (interferometer) is provided.
  • the Y laser interferometer has a reference mirror (fixed to the reflecting surface of the Y moving mirror and the lower end of the barrel of the projection optical system PL). (Not shown), and the relative displacement between the Y-moving mirror and the reference mirror is measured based on the interference between the reflected light and the incident light.
  • the position of the table ST (and thus the wafer W) in the Y direction and the direction (rotation about the axis perpendicular to the relative movement direction) (rotation about the Z axis) are determined at a predetermined resolution, for example, about 0.5 to 1 nm. Detect in real time.
  • three laser interferometers 45 are fixed to three different places on the flange 23 of the projection optical system PL (however, in FIG. 1, one of these laser interferometers is fixed). Representatively shown).
  • the portion of the lens barrel base 2 5 facing each laser interferometer 4 5, the opening 2 5 a are formed respectively from the laser interferometer 4 5 via these openings 2 5 a in the z-direction
  • the laser beam (measuring beam) is irradiated toward the wafer surface plate 6.
  • a reflection surface is formed on the upper surface of the wafer surface plate 6 at a position facing each of the measurement beams. Therefore, the three laser interferometers 45 measure the three different Z positions of the wafer surface plate 6 with reference to the flange 23, respectively. (However, FIG.
  • a reflection surface may be formed on the upper surface of the sample stage ST, and an interferometer for measuring three different Z-direction positions on the reflection surface with reference to the projection optical system PL or the flange 23 may be provided. .
  • reticle stage 2 includes a reticle coarse movement stage 16 and a reticle holder (holding device) 18 as a reticle fine movement stage provided on reticle coarse movement stage 16. (In Fig. 1, these are shown as one stage.)
  • a pair of Y linear motors (stage driving devices) 15 and 15 are connected to reticle coarse movement stage 16, and reticle coarse movement stage 16 is mounted on reticle surface plate 3.
  • the Y linear motors 15 and 15 are driven at a predetermined stroke in the Y-axis direction.
  • Each Y linear motor 15 is mounted on a reticle surface plate 3 by a plurality of air bearings 19 which are non-contact bearings, and is supported by a plurality of stators 20 which are levitated and extend in the Y-axis direction.
  • a movable member 21 is provided correspondingly and fixed to a reticle coarse movement stage 16 via a connecting member 22.
  • the stator 20 moves in the ⁇ Y direction according to the movement of the reticle coarse movement stage 16 in the + Y direction.
  • the movement of the stator 20 cancels the reaction force caused by the movement of the reticle coarse movement stage 16 and also prevents the center of gravity from changing.
  • the stator 20 may be provided on the body 8 instead of on the reticle surface plate 3.
  • the air bearing 19 is omitted, the stator 20 is fixed to the body 8, and the movement of the reticle coarse movement stage 16 acts on the stator 20. Force may escape to the floor via body 8.
  • the reticle coarse movement stage 16 is guided in the Y-axis direction by a pair of Y guides 51, 51 fixed to the upper surface of an upper protruding portion 3b formed in the center of the reticle surface plate 3 and extending in the Y-axis direction. It has become so.
  • the reticle coarse movement stage 16 is These Y guides 51 and 51 are supported by air bearings (gas bearings) not shown in a non-contact manner.
  • the reticle coarse movement stage 16 and the ⁇ guides 51, 51 are made of, for example, metal or alumina ceramics.
  • a reticle holder (reticle fine movement stage) 18 is provided with a pair of X voice coil motors 17 X and a pair of ⁇ voice coil motors 17 ⁇ .
  • the reticle holder 18 is floated with respect to the upper surface 16 a of the reticle coarse movement stage 16 by an air bearing (not shown), and is moved in the X, Y and X directions on the reticle coarse movement stage 16 by the voice coil motor. It is designed to be driven minutely.
  • the reticle holder 18 is made of ceramics, and in particular, is made of a colloidal ceramic. Since this cordierite-based material has almost no coefficient of thermal expansion, the reticle holder 18 is suppressed from expanding due to heat generated from an actuator (voice coil motor) or the like as a stage driving device. Further, reticle coarse movement stage 16 is also made of ceramics, and ceramics made of cordierite or SiC can be used. Reticle coarse movement stage 16 may be made of metal such as stainless steel.
  • a pair of Y movable mirrors 52 a and 52 b made of corner cups, and at the end of the reticle holder 18 in the + X direction, An X movable mirror 53 composed of a plane mirror extending in the Y-axis direction is provided. Then, three laser interferometers (all not shown) that irradiate the measuring beams to these movable mirrors 52 a, 52 b, and 53 measure the distance to each movable mirror. The position of the reticle stage 2 in the X, Y, and (rotation around the ⁇ axis) direction is measured with high accuracy.
  • the positional information of reticle stage 2 (reticle holder 18 and reticle coarse movement stage 16) measured by the laser interferometer is output to the control device, and the control device controls reticle stage 2 based on the measurement result of the laser interferometer.
  • the stage drive (linear motor 15, voice coil motor 17X, 17mm) is driven to move to the predetermined position.
  • the drive of the linear motors 33 and 35 for the wafer stage 5 is controlled by a control (not shown). It is totally controlled by the device.
  • the reticle holder 18 has pedestal portions 60 (6OA, 60B, 60C) provided at a plurality of predetermined positions so as to protrude in the Z direction. And suction pads 62 respectively provided on the upper surface of 60. In this embodiment, three pedestals 60 and three suction pads 62 are provided.
  • the opening 2 a through which the pattern image of the reticle R can pass is formed.
  • an opening 2 a is formed in the center of reticle coarse movement stage 16.
  • each of the suction pads 62 provided on the pedestal portion 60 has an annular groove portion 61 formed so as to extend in the Y direction, and It has a boundary portion 65 formed on the inside, a first fine hole (first suction device) 70 a and a second fine hole (second suction device) 7 Ob connected to the annular groove portion 61. ing. As shown in FIG. 4, each of the fine holes 70 a and 70 b is connected to a compressor (suction device) 72 via a suction passage 71.
  • the pores 70 a are arranged in a first suction portion (first holding portion) 63 3 which is a linear portion on the opening 2 a side of the annular groove portion 61, and the pores 7 O b are arranged in the annular groove portion.
  • the first suction part 63 and the second suction part 64 are arranged in a second suction part (second holding part) 64 which is a straight part on the opposite side of the opening 2a. (See the shaded area of A).
  • each of the first suction unit 63 and the second suction unit 64 is arranged at a plurality of positions (three places) with respect to the lower surface Ra of the reticle R, and the first suction unit 63 and the second suction unit The two suction portions 64 are arranged adjacent to each other with the boundary portion 65 interposed therebetween.
  • Each of the suction passages 71 is provided with a valve 71a capable of adjusting a gas suction amount per unit time sucked from the fine holes 70a and 70b.
  • the operation of the valves 71a is individually controlled by the control device CONT. That is, the amount of gas suction per unit time by the first pores 70a and the amount of gas suction per unit time by the second pores 70b can be individually controlled by the controller CONT. It has become.
  • FIG. 4 shows only the suction pads 62 provided on the pedestal portions 60A and 60B, but the suction pad provided on the pedestal portion 60C has the same configuration. are doing. As shown in FIG. 3, FIG. 5B and FIG.
  • the reticle R is a pellicle PE for protecting a pattern area PA having a pattern formed in the center of the lower surface (adsorbed surface) Ra.
  • the pedestal portion 60 of the reticle holder 18 is adapted to hold a holdable area CA, which is a portion of the lower surface of the reticle R other than where the ⁇ icle PE is provided.
  • the reticle R has an accuracy assurance area (first area) AR1 having a predetermined surface accuracy including the pattern area PA, and an accuracy non-assurance area AR2 other than the accuracy assurance area AR1 on the lower surface Ra. are doing. That is, the lower surface Ra of the reticle R is not processed so that the entire surface has a predetermined surface accuracy, and the predetermined surface accuracy is not guaranteed at the outer edge.
  • the central portion is a flat portion, and the outside of the central portion is away from the pedestal portion 60 from the center side to the outside.
  • the taper ⁇ ⁇ is formed in The plane portion formed at the center of the lower surface of the reticle R is an accuracy assurance region A R1, and the tapered portion is an accuracy assurance region A R 2.
  • the tapered shape of the reticle R can be formed by polishing the outer edge of the lower surface Ra of the reticle R with a polishing device.
  • the second suction part 64 of the suction pad 62 is set so as to face the non-guaranteed area AR2 on the lower surface Ra of the reticle R. Then, the suction device 72 draws the gas in the space between the accuracy assurance area AR 1 of the lower surface Ra of the reticle R and the first suction portion 63 through the pores (first suction device) 70 a. Suction, so that the gas in the space between the AR 2 and the second suction unit 64 is not sucked through the pores (second suction device) 70 b so that the accuracy is not guaranteed on the lower surface Ra of the reticle R. It is.
  • a boundary portion 65 between the adjacent first suction portion 63 and second suction portion 64 is disposed at least in the accuracy assurance area AR1 of the lower surface Ra of the reticle R. It is set to be.
  • the gas in the space between the accuracy assurance area AR1 and the first suction unit 63 and the gas in the space between the accuracy non-guaranteed area AR2 and the second suction unit 64 are defined by pores 7 0 a and pore 7 0
  • the pores 70 The gas sucked through a contains a part of the gas in the space between the non-guaranteed area AR2 and the second suction section 64, and the gas sucked through the pores 70b guarantees the accuracy. It contains a part of the gas in the space between the area AR 1 and the first suction part 63.
  • the upper end face of the first suction part 63 and the upper end face of the second suction part 64 are formed at the same height position. That is, the upper surface of the suction pad 62 is flush.
  • the first suction part 63 and the accuracy assurance area AR 1 as a flat part are in contact with each other, and the second suction part 64 and the accuracy non-guaranteed area AR 2 as a tapered part have a predetermined interval H. ing. That is, although the gas suction amount per unit time from the first pores 70a and the gas suction amount per unit time from the second pores 70b are set to the same value, By providing the interval H, the area of the lower surface Ra of the reticle R sucked by the first suction unit 63 becomes larger than the area sucked by the second suction unit 64, that is, as shown in FIG.
  • R a A is larger than R a B, so that the suction force of the second suction unit 64 on the reticle R is larger than that of the first suction unit 63 on the reticle R.
  • the distance H is set to such an extent that the reticle R is not distorted by the suction of the non-guaranteed area AR 2 by the second suction unit 64, and the second suction unit 64 and the first suction unit 6 3
  • the reticle R is set to such an extent that it can be held stably.
  • a predetermined reticle R is loaded on the reticle holder 18 by a reticle transport device (not shown).
  • the accuracy assurance area AR 1 and the first suction unit 63 of the reticle R holding area CA are opposed to each other, and the accuracy non-guaranteed area AR Loading is performed while performing positioning so that 2 and the second suction section 64 face each other.
  • the suction pads 62 are aligned so that the boundary 65 between the first suction unit 63 and the second suction unit 64 is arranged at least in the accuracy assurance area AR1.
  • the control device CONT drives the suction device 72 and controls the valves 7 la provided respectively in the suction passages 71 so that the first fine holes 7 are formed.
  • the gas suction amount per unit time by 0a and the gas suction amount per unit time by the second pore 70b are set to preset values.
  • the controller CONT sets the same amount of gas suction per unit time from the first pore 70a and the same amount of gas suction per unit time from the second pore 70b. Set to a value.
  • the reticle R is suction-held by the first suction unit 63 and the second suction unit 64 by the accuracy guarantee area A R1 and the accuracy non-guaranteed area A R2, respectively.
  • the first suction unit 63 and the second suction unit 64 use the wide range of the reticle R holding area CA so that the reticle R can be stably mounted on the reticle holder 18. Even when the reticle stage 2 moves at high speed, the reticle R and the reticle holder 18 do not deviate due to the inertial force.
  • the reticle R has the accuracy assurance area AR 1 held by the first suction unit 63 and the accuracy non-guaranteed area AR 2 is individually held by the second suction unit 64.
  • the holder 18 holds the reticle R stably without deformation.
  • the first suction section 63 Since the area of the lower surface Ra of the reticle R to be sucked is larger than the area sucked by the second suction unit 64, the suction force of the second suction unit 64 to the reticle R is the first suction force. It is set to be weaker than the suction force for reticle R in section 63. Therefore, when the non-guaranteed area AR2 is sucked and held, it is possible to suppress distortion of the entire reticle R due to sucking and holding the non-guaranteed area AR2.
  • the leak amount from the interval H (that is, the interval H) is set so as not to distort the reticle R and not to decrease the stable holding force on the reticle R. That is, even if the reticle stage 2 moves at high speed, the reticle R and the reticle holder 18 are set so as not to be displaced by the inertial force. Then, reticle R held in reticle holder 18 is illuminated. By irradiating the exposure light from the bright optical system IU, the pattern formed on the reticle R can be accurately exposed on the wafer W via the projection optical system PL.
  • the accuracy assurance area AR1 is held by the first suction unit 63, and the accuracy non-guaranteed area AR2 is held by the second suction unit 64.
  • the reason why R can be stably held without deformation will be described with reference to FIGS. 7A to 7D, FIGS. 8 and 9.
  • FIG. 7A to 7D show the area of the taper portion of the reticle R, that is, the non-guaranteed area AR2 of the reticle R, and the size L of the AR2 are set to different values.
  • FIG. 9 is a view schematically showing a result of simulating the shape (deformation) of a reticle R when suction and holding are performed by a suction unit 63 and a second suction unit 64.
  • Fig. 7A is a diagram when the size L of the non-guaranteed area is set to 5.5 mm
  • Fig. 7B is a diagram when the size L is set to 7.5 mm
  • Fig. 7C is
  • FIG. 7D is a diagram when the size L is set to 9.0 mm
  • FIGS. 7A to 7D are diagrams when the size L is set to 10.5 mm.
  • the maximum value H of the interval between the second suction unit 63 and the non-accuracy area AR2 is set to the same value (0. (Suction pad 62) is the same.
  • FIG. 7A is a simulation result diagram when the size L of the non-guaranteed area A R 2 is set to 5.5 mm.
  • the accuracy guarantee area AR 1 is held by the first suction unit 63
  • the accuracy non-guaranteed area AR 2 is held by the second suction unit 64.
  • the boundary 65 between the first suction unit 63 and the second suction unit 64 is located in the accuracy guarantee area AR1.
  • FIG. 7B is a simulation result diagram when the size L of the non-guaranteed area A R 2 is set to 7.5 mm.
  • the accuracy guarantee area AR 1 is held by the first suction unit 63
  • the accuracy non-guaranteed area AR 2 is held by the second suction unit 64.
  • the boundary 65 between the first suction unit 63 and the second suction unit 64 is arranged on the non-guaranteed area AR2 side.
  • the suction operation on reticle R is also performed by first suction portion 63 and second suction portion 64 of pedestal portion 60C on the opposite side.
  • a reaction force M3 'against bending acts on reticle R, and the center of moment C is on boundary 65, so the moment around point C is balanced. Therefore, the first suction part 63 and the accuracy assurance area AR 1 do not come apart.
  • FIG. 7C is a simulation result diagram when the size L of the non-guaranteed area AR2 is set to 9. Omm.
  • the accuracy assurance area AR 1 and a part of the accuracy non-guaranteed area AR 2 are held in the first suction unit 63, and the accuracy non-guaranteed area AR 2 is held in the second suction unit 64.
  • the first suction unit 63 and the second suction unit 64 The boundary 65 is located completely on the non-guaranteed area AR2 side.
  • FIG. 7C is 6 OA (or 6 OB), the suction performed on the reticle R by the first suction portion 63 and the second suction portion 64 of the pedestal portion 60C on the opposite side.
  • a reaction force M5 'against bending acts on the reticle R as shown in FIG. 7C.
  • the deformation of the reticle R ends when the deformation of the reticle R progresses and the point C 1 of the reticle R comes into contact with the boundary 65 and the moment around this point C 1 is balanced with the reaction force M5 ′.
  • FIG. 7D is a simulation result diagram when the size L of the non-guaranteed area A R 2 is set to 10.5 mm.
  • the accuracy assurance area AR1 is not held in any of the first and second suction units 63 and 64
  • the t-degree non-guaranteed area AR2 is held in the first and second suction units 63 and 64.
  • the boundary 65 between the first suction section 63 and the second suction I section 64 is arranged on the non-guaranteed area AR2 side.
  • the deformation of the reticle R ends when the accuracy non-guaranteed area AR2 comes into contact with the first suction unit 63 and the second suction unit 64, as indicated by a broken line R '.
  • the size L is set to 5.5 mm or less
  • the boundary 65 between the first suction unit 63 and the second suction unit 64 is the accuracy assurance area of the reticle R.
  • AR 1 Is set to be larger than the area for the accuracy non-guaranteed area AR2 of the second suction unit 64, thereby preventing the separation between the first suction unit 63 and the accuracy guaranteed area AR1.
  • generation of distortion of reticle R can be prevented.
  • FIG. 8 shows the maximum deflection of the reticle R when the size L of the non-guaranteed area AR2 and the maximum distance H between the second suction unit 64 and the non-guaranteed area AR2 were changed. It is a simulation result obtained.
  • FIG. 9 is a graph of the table of FIG. 8, in which the vertical axis represents the maximum deflection of the reticle R, and the horizontal axis represents the size L of the non-guaranteed area A R 2.
  • the maximum deflection of the reticle R is the distance in the Z direction between the edge of the reticle R and the center of the reticle R when the reticle R is lifted and deformed.
  • the maximum deflection value of the reticle R dramatically increases when the size L is 2.5 mm, 5.5 mm, and 7.5 mm. From this, the deformation of the reticle R greatly depends on the size L of the non-guaranteed area AR2, that is, whether or not the first non-guaranteed area AR2 is suctioned by the first suction unit 63.
  • the shape of the non-guaranteed area AR 2 of the reticle R is not limited to the tapered shape, and the second suction section 6 4 may be formed according to the shape of the second suction section 64 that sucks and holds the non-guaranteed area AR 2 of the reticle R. It suffices that a predetermined interval H is set between the reticle R and the non-guaranteed area AR 2 of the reticle R.
  • the non-guaranteed area A R2 may be a step formed in a direction away from the second suction section 64.
  • the pores connected to the suction device 72 via the suction passage 71 are linear portions of the annular groove 61 formed in the suction pad 62 so as to extend in the Y direction.
  • the number of pores provided in the force annular groove 61 which is a configuration provided in each of the certain first suction unit 63 and the second suction unit 6, can be one.
  • the first suction part 63 and the second suction part 64 are continuous because they are part of the annular groove part 61, and the suction operation can be stably performed even if only one pore 70 is provided. It can be carried out.
  • a suction passage 71 is provided in each of the plurality of pores. The suction operation may be performed by the connection and the suction device 72.
  • the gas suction amount per unit time from the first pores 70a and the gas suction amount per unit time from the second pores 70b are set to the same value.
  • each suction amount may be set differently.
  • the controller CONT may individually control the valves 71a provided in the plurality of connection passages 71, respectively.
  • a suction device 72 is separately provided for each of the suction passages 71, and the control device CONT controls the output of each of the suction devices 72 individually. You may do so.
  • the suction force of the second suction unit 64 on the accuracy non-guaranteed area AR2 is reduced by the first force.
  • the accuracy assurance area of the suction part 63 is set to be weaker than the suction force for the AR 1, but the amount of gas suction per unit time from the first pore 70 a
  • the accuracy non-guaranteed area of the second suction part 64 is reduced by the suction force of the first suction part 63 to the accuracy non-guaranteed area. You may set so that it may become weaker than the suction force with respect to AR1.
  • the linear portions are respectively the first suction portion 63 and the second suction portion 64.
  • the suction pad 62 may be provided with a first suction section 63 and a second suction section 64 independently of each other.
  • the first suction unit 63 and the second suction unit are provided with pores 70 in each of the first suction unit 63 and the second suction unit 64 and individually connected to the suction device 72. 6 4 enables the suction operation.
  • the suction force of the first suction unit 63 with respect to the accuracy assurance region AR 1 and the suction force of the second suction unit 64 with the accuracy non-guaranteed region AR 2 can be controlled independently of each other.
  • the height position of the first suction unit 63 and the height position of the second suction unit 64 are set to be the same, but as shown in FIG.
  • the height position 64 may be set to be lower than the first suction section 63 with respect to the lower surface Ra of the reticle R. In this way, a taper portion is formed on reticle R. Even without this, a predetermined interval H can be formed between the second suction unit 64 and the non-guaranteed area AR2 of the reticle R.
  • the height position of the second suction unit 64 may be set to be higher than the first suction unit 63 with respect to the lower surface Ra of the reticle R. .
  • the second suction unit 64 and the non-guaranteed area AR A predetermined distance H can be formed between them.
  • the height position of the second suction section 64 is set according to the shape of the lower surface Ra of the reticle R.
  • a pedestal portion provided with the first suction portion 63 and a pedestal portion provided with the second suction portion 64 are provided independently, and one of the two pedestal portions can be moved in the Z direction.
  • the height position of the first suction unit 63 or the second suction unit 64 may be controlled by moving the pedestal portion supported by the support device and movably supported in the Z direction in the Z direction.
  • the pedestals may be arranged side by side in the X direction or may be arranged separated in the Y direction.
  • each of the pedestal portions 60A, 60B, and 60C shown in FIG. 3 is supported by a supporting device that can move in a direction approaching / separating from the opening 2a (that is, the X direction), and is placed.
  • the pedestal section is designed such that the second suction portions 64 provided on the respective pedestal sections hold the non-guaranteed area AR2. May be moved.
  • the size of the first suction unit 63 and the size of the second suction unit 64 need not be the same, and may have different sizes (areas).
  • the width (the size in the X direction) of the second suction unit 64 may be set smaller than the width (the size in the X direction) of the first suction unit 63.
  • the size of the first suction unit 63 in the Y direction may be different from the size of the second suction unit 64 in the Y direction.
  • Each of the suction pads 62 shown in FIG. 14 includes one first holding part 63 and three second holding parts 64 smaller than the first holding part 63.
  • each of the three second holding portions 64 is set to be smaller than that of the first holding portion 63. And, between the second holding parts 6 4, there is a table having no suction function. The upper surface of the seat 63 is exposed. Even with such a configuration, the suction force of the second suction unit 64 for the non-guaranteed area AR2 can be made smaller than the suction force of the first suction unit 63 for the accuracy guaranteed area AR1. 8 can stably hold the reticle R without distortion.
  • the number of the pedestal portions having the suction pads 62 is three, but the pedestal portions having the suction pads 62 can be provided at arbitrary plural places. Further, in the present embodiment, each of the suction pads 62 has the first suction part 63 and the second suction part 64, but the suction pads 62 provided on each of the plurality of pedestals are provided. Of the two, any of the suction pads may be provided with only the first suction part 63 and not provided with the second suction part 64.
  • the suction pads 62 When a plurality of pedestals 60 having the suction pads 62 are provided, it is not necessary to perform the suction operation on the reticle R with all the suction pads 62.
  • one of the suction pads 62 provided at a plurality of locations may be used to perform the suction operation on the reticle R using any one of the suction pads 62, and the other suction pads 62 may not perform the suction operation.
  • the configuration may be such that That is, it is possible to adopt a configuration in which the suction operation of the plurality of suction pads 62 is switched.
  • the amount of gas suction per unit time from the pores 70 b provided in the second suction unit 64 (that is, the suction force of the second suction unit 64 with respect to the accuracy non-guaranteed area AR 2), or
  • the suction position of the suction unit 64 with respect to the reticle R can be set according to the shape (degree of deformation) of the reticle R.
  • the amount of gas suction per unit time from the pores 70 b is controlled so that the reticle R held by the reticle holder 18 is flat so that accurate exposure processing can be performed, or as described above.
  • the second suction unit 64 is movably provided as described above, the position is controlled.
  • the setting of the gas suction amount per unit time from the pores 70b and the setting of the position of the second suction unit 64 can be performed, for example, by measuring the shape (deformation amount) of the reticle R using a shape measuring device (optical shape sensor, etc.). ), And based on the measurement result, the shape of the reticle R may be adjusted to a desired shape.
  • the tapered portion of the reticle R is defined as the non-guaranteed area AR2.
  • a part of the taper section may include the accuracy guaranteed area. If the reticle holder 18 does not have a sufficient suction holding force for the reticle R, for example, a predetermined pressing device may be used to move the upper surface of the reticle R corresponding to the position held by the reticle holder 18 from above to below. By pressing toward, the holding force can be improved.
  • an interval H is provided between the second holding unit 64 and the non-guaranteed area AR2 of the reticle R. Since the interval H is, for example, about 5 iz m, the gas (air) ), The second holding unit 64 can perform a suction operation on the reticle R.
  • the holding device of the present invention is applied to a reticle holder, but may be applied to a wafer holder 41 for holding a wafer W.
  • the holding device of the present invention can be applied to, for example, a reticle inspection device, a device for forming a circuit pattern on a reticle, and the like, in addition to the exposure device.
  • a semiconductor wafer W for a semiconductor device not only a semiconductor wafer W for a semiconductor device, but also a glass substrate for a liquid crystal display device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, and the like are applied.
  • a step-and-scan type scanning exposure apparatus for synchronously moving a reticle R and a wafer W to run and scan a reticle R pattern.
  • the present invention is also applied to a step 'and' repeat type projection exposure apparatus (stepper) that exposes the pattern of the reticle R while the reticle R and the wafer W are stationary and sequentially moves the wafer W in steps. be able to.
  • the type of the exposure apparatus 1 is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device for exposing a semiconductor device pattern onto a wafer W, but may be an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element, a thin-film magnetic head, an imaging device (CCD), or a reticle. It can be widely applied to an exposure device for manufacturing a device.
  • emission lines g-line (436 nm), h-line (404.7 nm), i-line (365 nm)), K r F excimer Mareza (2 4 8 nm), a r F excimer laser (1 9 3 nm), F 2 not only laser (1 5 7 nm)
  • charged particle beams such as X-ray or electron beam Can be.
  • a thermionic emission type lanthanum hexaporite (L a B 6 ) or tantalum (T a) can be used as an electron gun.
  • a configuration using a reticle R may be used, or a configuration may be used in which a pattern is directly formed on a wafer without using the reticle R.
  • a high frequency such as a YAG laser or a semiconductor laser may be used.
  • the magnification of the projection optical system PL may be not only a reduction system but also any of an equal magnification system and an enlargement system.
  • a material that transmits far ultraviolet rays such as quartz or fluorite is used as the glass material when far ultraviolet rays such as an excimer laser is used, and a catadioptric system is used when an F 2 laser or X-ray is used.
  • a refraction optical system may be used (the reticle R may be of a reflection type), and when an electron beam is used, an electron optical system including an electron lens and a deflector may be used as the optical system.
  • the optical path through which the electron beam passes is in a vacuum state.
  • the present invention can also be applied to an aperture exposure apparatus that exposes the pattern of the reticle R by bringing the reticle R and the wafer W into close contact with each other without using the projection optical system PL.
  • each of the stages 2 and 5 may be of a type that moves along a guide, or may be a guideless type without a guide.
  • each stage 2 and 5 consists of a magnet unit (permanent magnet) with a two-dimensionally arranged magnet and an armature unit with a two-dimensionally arranged coil, and drives each stage 2 and 5 by electromagnetic force
  • a flat motor may be used.
  • one of the magnet unit and the armature unit may be connected to the stages 2 and 5, and the other of the magnet unit and the armature unit may be provided on the moving surface side (base) of the stages 2 and 5. .
  • the exposure apparatus 1 controls various subsystems including the respective constituent elements recited in the claims of the present application so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy.
  • Manufactured by assembling Before and after this assembly, various optical systems must be adjusted to achieve optical accuracy in order to ensure these various accuracies. For various mechanical systems, adjustments are made to achieve mechanical accuracy, and for various electrical systems, adjustments are made to achieve electrical accuracy.
  • the process of assembling the exposure apparatus from various subsystems includes mechanical connections, wiring connections of electric circuits, and piping connections of pneumatic circuits among the various subsystems. It goes without saying that there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from these various subsystems to the exposure apparatus.
  • a comprehensive adjustment is performed to ensure various precisions of the entire exposure apparatus. It is desirable to manufacture the exposure apparatus in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.
  • a step 201 for designing device functions and performance a step 202 for fabricating a mask (reticle) based on this design step, and a wafer made of silicon material Wafer manufacturing step 204 for exposing a reticle pattern to a wafer using the exposure apparatus 1 of the above-described embodiment, device assembling step (including dicing step, bonding step, and packaging step) 2 0 5, inspection step 206, etc.
  • FIGS. 15 to 21 are explanatory diagrams of the second embodiment of the present invention.
  • This embodiment is characterized in that a so-called pin chuck holder is used as the reticle holder 90.
  • Other configurations of the device may be the same as those of the first embodiment described above.
  • FIG. 15 is a perspective view of the reticle holder 90. At the center of the reticle holder 90, a rectangular opening 2a is formed. On both sides of the opening 2a on the upper surface of the reticle holder 90, a long and narrow rectangular suction line is formed along each side. Pad 91 is formed.
  • These suction pads 91 include a partition wall 92 surrounding a rectangular decompression region 95 to maintain a degree of vacuum, a large number of pins 96 formed at intervals in the decompression region 95, and And an exhaust hole 94 that opens into the area 95.
  • the width and height of the partition 92 are constant over the entire circumference, and the upper end surface of the partition 92 and the pin 96 are polished so as to have exactly the same height from the upper surface of the holder.
  • the height error between the partition wall 92 and the pin 96 can usually be suppressed to 50 nm or less.
  • the material of the reticle holder 90 is Ceramic is the best.
  • Each of the exhaust holes 94 is connected to a vacuum pipe (not shown) so that the gas in the decompression region 95 can be exhausted.
  • FIG. 16 shows a state in which the reticle R is attracted to the reticle holder 90, and a portion in contact with the reticle R is shown by oblique lines.
  • FIG. 17 is an enlarged cross-sectional view showing a case where the reticle R whose end is not taped is attracted to the reticle holder 90.
  • the upper end surface (adsorbing surface) of the partition wall 92 is a reticle R.
  • FIG. 18 shows a case where the outside of the reticle R is tapered from a position 5.5 mm from the edge as an embodiment of the present invention.
  • the center between the partition walls 92 of each suction pad 91 of the reticle holder 90 is located 6.5 mm from the edge of the reticle R.
  • the start point P1 of the taper is located outside the center between the partition walls 92 of the suction pads 91 of the reticle holder 90. Therefore, since the moment M2 around the point P1 generated by the decompression in the decompression area 95 is larger than the counterclockwise moment M1, the portion G inside the reticle from the point P1 is peeled off from the suction pad 91. No momentum is generated.
  • the taper start point p3 when the taper start point p3 is set at a position 9 mm from the edge of the reticle, the moment M3 in the direction of distorting the reticle R is further increased, as shown in Fig. 21.
  • the taper start point P 4 is located on the upper end face of the inner partition 92. When placed, the amount of distortion of reticle R is maximized.
  • the taper start point of the reticle R is centered in the width direction of the suction pad 91 as shown by the taper start point P 1 in FIG. It may be more outside. For example, if the center between the partition walls 92 of each suction pad 91 of the reticle holder 90 is located 6.5 mm from the edge of the reticle R, the taper starts from outside the edge of 6 mm from the edge.
  • the taper starts from outside the edge of 6 mm from the edge.
  • interval 1 2 the distance between the support points of the outer caused when the reticle R to the support point of the center side is placed and the reticle R [delta], the product of the adsorption area of the suction holder and the atmospheric pressure ⁇ , the longitudinal elastic modulus of the reticle R is denoted by ⁇ , and the second moment of area of the reticle R is denoted by I.
  • the boundary condition is
  • Equations (21), (22), and (23) show reticle deformation due to stress P. Therefore, if the shape of the reticle under no stress is the shape of Eq. (21), Eq. (22) or Eq. (23), apply stress P to the opposite side as shown in Fig. 23. Can be corrected to a perfect plane.
  • the stress P is a value obtained by multiplying the atmospheric pressure by the suction area.
  • the territory of 1e is the adsorption area.
  • FIG. 24 shows a suitable design example in this case. Support points 2, 'support points 3 outside the, 3' 2 is provided, the suction region 2 whether et 3 and 2, from 3, since each increased by region 1 3 to a larger attraction force And frictional force is obtained.
  • Reticle periphery such as region 1 3 generally poor flatness, is brought into contact with support points on these regions 1 3, since the reticle R is largely bent, it is necessary to avoid.
  • a taper is provided at the end of reticle R, and processing is performed so that the attracted surface of the reticle after suction shown by the solid line is away from the support points 3 and 3 '. It should be left.
  • the amount of separation (retreat) h is preferably 5 or less. Surface accuracy of the area 1 3, region 1 2 surface accuracy (typically, 500 nm or less) for bract coarse not compared with, Working area 1 3 is easy.
  • the support point of the reticle holder 3 By previously cutting the depth 5 about im of a portion corresponding to 3 ', can reach the same purpose possible to, the support point areas 1 3 and the reticle holder of the suction surface of the reticle 3, it is also possible to have moved backward, respectively both of a portion corresponding to 3 '. '
  • the reticle pattern surface is slightly bent by gravity (self-weight of the reticle) after the reticle is sucked and held, but this amount can be calculated in advance.
  • each of the first area having the predetermined surface accuracy on the suctioned surface and the second area other than the first area on the suctioned surface is formed by the first holding unit and the second holding unit. Since the holding unit and the holding unit individually hold by suction, the sample can be stably held by the first holding unit without deteriorating the surface accuracy of the entire sample, and the second holding unit can be held. As a result, the entire surface on which the sample is adsorbed can be enlarged, and stable holding is possible.

Description

明 細 書 保持装置、 保持方法、 露光装置、 およびデバイス製造方法 技術分野
本発明は、 保持装置及び保持方法、 並びにこの保持装置に保持されたマスクと 基板とを用いてマスクのパターンを基板に露光する露光装置に関し、 特に液晶表 示素子や半導体素子等のデバィスを製造する際に、 リソグラフィ工程で用いて好 適な保持装置及び保持方法、 露光装置、 並びにデバイス製造方法に関する。 背景技術
従来より、 半導体デバイスの製造工程の 1つであるリソグラフィ工程において は、 マスク又はレチクル(以下、 「レチクル」 と称する) に形成された回路パター ンをレジスト (感光剤) が塗布されたウェハ又はガラスプレート等の基板上に転 写する種々の露光装置が用いられている。 例えば、 半導体デバイス用の露光装置 としては、 近年における集積回路の高集積化に伴うパターンの最小線幅 (デバイ スルール) の微細化に応じて、 レチクルのパターンを投影光学系を用いてウェハ 上に縮小転写する縮小投影露光装置が主として用いられている。
上述のような露光装置では、 レチクルのパターンをウェハに転写する際、 レチ クルをレチクルホルダに真空吸着によって保持しているが、 このようなレチクル ホルダの従来例として、 図 2 6に示すようなものがある。 図 2 6はレチクルを保 持するレチクルホルダを示す斜視図である。 この図に示すように、 レチクルホル ダ 1 0 0は、 中央部に形成された開口 1 0 2と、 上面の複数位置 (3箇所) に設 けられた台座部 1 0 4と、 台座部 1 0 4の上面にそれぞれ設けられた吸着パッド 1 0 6とを備えている。 なお、 レチクルホルダ 1 0 0はべ一ス 1 1 0に対して X Y方向に 2次元移動可能に設けられている。 吸引パッド 1 0 6はレチクル Rの下 面と対向する位置に設けられており、 不図示のコンプレッサ (吸引装置) に接続 されている。 そして、 コンプレッサでレチクル Rの下面と吸着パッド 1 0 6との 間の空間の気体を吸引して、 レチクル Rの下面と吸着パッド 1 0 6との間の空間 の圧力を外気圧より低くすることにより、 レチクル Rはレチクルホルダ 1 0 0に 吸着保持される。
ところで、 レチクル Rは下面中央部にパターンを有するものであって、 パター ン面 (すなわちレチクル R下面中央部) にはこのパ夕一ン面を保護するためのぺ リクル P Eが設けられている。 したがって、 レチクルホルダ 1 0 0は、 レチクル R下面のうちペリクル P Eが設けられている以外の部分を吸着保持することにな る。
レチクルホルダ 1 0 0がレチクル Rを安定して保持するためには、 レチクルホ ルダ 1 0 0の吸着パッド 1 0 6とレチクル Rとの接面は大きいほうが好ましい。 しかしながら、 上述したように、 レチクル Rはペリクル P Eによってレチクルホ ルダ 1 0 0に吸着される面の大きさ (面積) を制約されている。 レチクル R下面 のうちペリクル P E以外の部分の広い領域を吸着保持しょうとすると、 所定の面 精度を有していない、例えばレチクル R下面の外縁部の領域(以下、 「精度非保証 領域」 と称する) までレチクルホルダ 1 0 0で吸着保持しなければならない。 こ の場合、 レチクル Rの吸着パッド 1 0 6に対する接面が歪んでしまうとともに、 この歪みの影響が、 レチクル R中央部の所定の面精度を有している領域 (以下、 「精度保証領域」 と称する) にまで及んでパターン面の面精度が低下し、 精度良 い露光処理を行うことができないといった問題が生じる。
一方、 レチクル R下面のペリクル P E以外の部分において、 精度保証領域であ るペリクル P E近傍の領域(以下、 「内縁領域」 と称する) を吸着保持することも 考えられる。 しかしながら、 この内縁領域をレチクルホルダ 1 0 0が保持するこ とは、 レチクルホルダ 1 0 0に対してレチクル Rをロード ·アンロードするため の搬送装置とレチクルホルダ 1 0 0とが干渉するため好ましくない。 すなわち、 レチクルホルダ 1 0 0に対してレチクル Rをロード ·アンロードする際にはフォ —ク部を有する搬送装置が用いられるが、 このフォーク部によってレチクル Rを 支持する場合、 フォーク部はレチクル R下面のペリクル P E以外の部分を支持す ることになる。 この搬送装置を用いてレチクルホルダ 1 0 0に対してレチクル R をロード ·アンロードする際、 レチクルホルダ 1 0 0とフォーク部との干渉を防 ぐために、 レチクルホルダ 1 0 0の台座部 1 0 4の形状や大きさ、 あるいは吸着 パッド 1 0 6の位置や大きさが制約を受けることになり、 レチクル Rが吸着され る面の位置や大きさも制約を受けることになる。
また、 レチクル R下面のうちペリクル P E以外の部分であって、 上記搬送装置 との干渉が生じない領域に存在する精度保証領域のみを吸着保持することも考え られるが、 レチクル Rの吸着される面が小さくなるので、 レチクルホルダ 1 0 0 のレチクル Rに対する保持力が弱くなり、 例えばこのレチクルホルダ 1 0 0をべ ース 1 1 0に対して高速で移動した際、 レチクルホルダ 1 0 0上のレチクル; が 慣性力によってずれてしまうおそれが生じる。 レチクル Rの吸着される面が小さ い場合、 コンプレッサによる吸引力を大きくして、 レチクル Rに対する保持力を 高めることも考えられるが、 レチクル Rに対して局所的な力が作用されることに なるので、 この場合もレチクル Rが歪んでしまうおそれが生じる。
本発明は、 このような事情に鑑みてなされたもので、 精度保証領域の面精度を 悪化させることなく、 安定してレチクル (マスク) を保持することができる保持 装置及び保持方法、 及びこの保持装置を備えて精度良い露光処理を行うことがで きる露光装置、 並びに、 精度良くデバイスを製造することができるデバイス製造 方法を提供することを目的とする。 発明の開示
本発明の第 1の態様は、 平板状の試料の被吸着面を保持する保持装置である。 この保持装置は、 前記被吸着面のうち所定の面精度を有する第 1領域に対向する 第 1保持部と、 前記被吸着面のうち前記第 1領域以外の第 2領域に対向する第 2 保持部と、 前記被吸着面と前記第 1保持部及び前記第 2保持部との間の空間の気 体を吸引する吸引装置とを備える。
前記吸引装置は、 前記被吸着面と前記第 1保持部との間の空間の気体を吸引す る第 1吸引装置と、 前記被吸着面と前記第 2保持部との間の空間の気体を吸引す る第 2吸引装置とを備えていてもよい。
本発明の第 2の態様は、 平板状の試料の被吸着面を保持する保持方法である。 この保持方法は、 被吸着面のうち所定の面精度を有する第 1領域と、 被吸着面の うち第 1領域以外の第 2領域とのそれぞれを、 第 1保持部と第 2保持部とによつ てそれぞれ個別に吸着保持する。
以上の装置および方法によれば、 被吸着面のうち所定の面精度を有する第 1領 域と、 被吸着面のうち第 1領域以外の第 2領域とのそれぞれを、 第 1保持部と第 2保持部とによつてそれぞれ個別に吸着保持するようにしたので、 第 1保持部に よって試料全体の面精度を悪ィ匕させずに試料を安定して保持することができると ともに、 第 2保持部によって試料の吸着される面全体の大きさを大きくすること ができ、 安定した保持を実現することができる。 、 前記第 1保持部及び第 2保持部のそれぞれは、 被吸着面に対してそれぞれ複数 位置に配置されていてもよい。 この場合には、 試料を安定して保持することがで きる。
前記第 1保持部と第 2保持部とは隣接して配置され、 これら第 1保持部と第 2 保持部との境界部は、 少なくとも試料の第 1領域に配置されていてもよい。 この 場合には、 試料が撓むように変形しょうとしても試料と第 1保持部との剥離が抑 えられる。 したがって、 保持装置は試料を安定して保持することができる。
前記第 2保持部と試料の第 2領域とが所定の間隔を有するように設定されてい てもよい。 この場合には、 第 2保持部の第 2領域に対する吸引力は、 第 1保持部 の第 1領域に対する吸引力より小さくなる。 したがって、 第 2保持部が第 2領域 を強い吸引力で吸引することに起因する試料の変形を抑えることができる。
前記第 1吸引装置による単位時間あたりの気体の吸引量と、 第 2吸引装置によ る単位時間あたりの気体の吸引量とを制御してもよい。 この塲合には、 第 2保持 部の第 2領域に対する吸引力を、 第 1保持部の第 1領域に対する吸引力より小さ くでき、 第 2保持部が第 2領域を強い吸引力で吸引することに起因する試料の変 形を抑えることができる。
前記第 1保持部の第 1領域に対する面積を、 第 2保持部の第 2領域に対する面 積より大きく設定してもよい。 この場合には、 第 2保持部の第 2領域に対する吸 引力を、第 1保持部の第 1領域に対する吸引力より小さくすることができるので、 第 2保持部が第 2領域を強い吸引力で吸引することに起因する試料の変形を抑え ることができる。
本発明の第 3の態様は、 マスクホルダに保持されたマスクのパターンを基板ホ ルダに保持された基板に露光する露光装置である。 この装置は、 マスクホルダと 基板ホルダとの少なくとも一方には、 前記保持装置が用いられている。
本発明の露光装置によれば、 マスクあるいは基板を所定の面精度に維持した状 態で安定して保持しつつ露光処理を行うことができるので、 精度良い露光処理を 実現することができる。
本発明の他の態様は、 リソグラフイエ程を備えるデバイス製造方法であって、 前記リソグラフィ工程で前記露光装置を用いる。
本発明のデバイス製造方法によれば、 マスクあるいは基板を所定の面精度に維 持した状態で精度良く安定した露光処理を行うことができる露光装置を用いたの で、 高品質なデバイスを製造することができる。
本発明の他の態様は、 所定の許容範囲内で吸着面が第 1の方向に向けて凸状を 有するマスクを、 前記第 1の方向に対向して配置された一対の第 1吸着保持部で 保持するマスクの保持方法である。 この方法では、 前記各吸着保持部における前 記マスクの中心側の支持点と外側の支持点との間隔をそれぞれ 1い 前記各吸着 保持部のそれぞれにおける前記中心側の支持点間の間隔を 1 2、 前記中心側の支 持点に前記マスクが載置されたときに生じる前記外側の支持点と前記マスクとの 間隔を δ、 大気圧と前記第 1吸着保持部の吸着面積との積を Ρ、 前記マスクの縦 弹性係数を Ε、 前記マスクの断面 2次モーメントを Iとしたとき、
δ <Ρ 1!2 ( 2 1 ! + 3 1 2) / 6 Ε I
の関係式を満たすように前記マスクを保持する。
また、 本発明の他の態様は、 所定の許容範囲内で吸着面が第 1の方向に向けて 凸状を有するマスクを、 前記第 1の方向に対向して配置された一対の第 1吸着保 持部で保持するマスクの保持装置である。 この装置では、 前記各吸着保持部にお ける前記マスクの中心側の支持点と外側の支持点との間隔をそれぞれ 1い 前記 各吸着保持部のそれぞれにおける前記中心側の支持点間の間隔を 1 2、 前記中心 側の支持点に前記マスクが載置されたときに生じる前記外側の支持点と前記マス クとの間隔を δ、 大気圧と前記第 1吸着保持部の吸着面積との積を Ρ、 前記マス クの縦弾性係数を Ε、 前記マスクの断面 2次モーメントを Iとしたとき、
δ <Ρ 1!2 ( 2 1 ! + 3 1 2) / 6 Ε 1 の関係式を満たすように前記第 1吸着保持部がそれぞれ配置されている。
前記方法および装置によれば、 第 1吸着保持部によってマスク全体の面精度を 悪化させずにマスクを安定して保持することができるとともに、 マスクが吸着さ れる面全体の大きさを大きくすることができ、 安定したマスク保持を実現するこ とができる。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の保持装置を備えた露光装置の一実施例を示す全体概略図であ る。
図 2は、 露光装置を構成する保持装置を有するステージ装置の外観斜視図であ る。
図 3は、 本発明の保持装置の外観斜視図である。
図 4は、 本発明の保持装置の一実施例を示す要部拡大斜視図である。
図 5 Aおよび図 5 Bは、 本発明の保持装置にマスクが保持されている状態を示 す概略図であって、図 5 Aは上面図、図 5 Bは図 5 Aの A— A矢視断面図である。 図 6は、 本発明の保持装置にマスクが保持された際の要部拡大断面図である。 図 7 A〜図 7 Dは、 保持装置に保持されるマスクの形状と変形との関係を説明 するための図である。
図 8は、 第 2領域の大きさ及び間隔とマスクのたわみ最大量との関係を示す表 である。
図 9は、 図 8の表をグラフにしたものである。
図 1 0は、 本発明のマスクの他の実施例を示す断面図である。
図 1 1〜図 1 4は、 本発明の保持装置の他の実施例の要部を示す拡大斜視図で ある。
図 1 5は、 本発明の保持装置の他の実施例を示す斜視図である。
図 1 6は、 同実施例でレチクルを吸着した状態を示す斜視図である。
図 1 7〜図 2 1は、保持装置にマスクが保持された際の要部拡大断面図である。 図 2 2〜図 2 4は、 本発明の他の実施例の効果を説明するためのレチクルの断 面図である。 図 2 5は、 半導体デバイス製造工程の一例を示すフローチャートである。
図 2 6は、 従来の保持装置を示す外観斜視図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 図面を参照しつつ、 本発明の好適な実施例について説明する。 ただし、 本発明は以下の各実施例に限定されるものではなく、 例えばこれら実施例の構成 要素同士を適宜組み合わせてもよい。
まず、 本発明の保持装置及び露光装置の第一実施例について図 1〜図 6を参照 しながら説明する。 図 1は露光装置の全体概略図であり、 図 2は露光装置を構成 するレチクルホルダ (保持装置、 マスクホルダ) を有するレチクルステージの外 観斜視図である。 また、 図 3はレチクルホルダの外観斜視図であり、 図 4はレチ クルホルダの要部拡大図である。 図 5はレチクルホルダにレチクルが保持された 状態を示す概略図であって、 図 5 Aは上面図、 図 5 Bは図 5 Aの A— A矢視断面 図である。 図 6はレチクルホルダにレチクルが保持された際の要部拡大断面図で ある。
図 1に示す露光装置 1は、 光源 (不図示) からの露光用照明光により平板状に 形成されたレチクル (試料、 マスク) R上の矩形状 (あるいは円弧状) の照明領 域を均一な照度で照明する照明光学系 I Uと、 レチクル Rを保持するレチクルホ ルダ 1 8と、 レチクルホルダ 1 8を含む移動可能なレチクルステージ (マスクス テ一ジ) 2及びレチクルステージ 2を支持するレチクル定盤 3を含むステージ装 置 4と、 レチクル Rから射出される照明光をウェハ (基板、 感光基板) W上に投 影する投影光学系 P Lと、 ウェハ Wを保持するウェハホルダ (保持装置) と、 ゥ ェハホルダ 4 1を含む移動可能なウェハステージ (基板ステージ) 5及び該ゥェ ハステ一ジ 5を支持するウェハ定盤 6を含むステージ装置 7と、 上記ステージ装 置 4及び投影光学系 P Lを支持するボディ 8とから概略構成されている。 なお、 ここで投影光学系 P Lの光軸方向を Z方向とし、 この Z方向と直交する方向でレ チクル Rとウェハ Wの同期移動方向を Y方向とし、 非同期移動方向を X方向とす る。 また、 それぞれの軸周りの回転方向を 0 Ζ、 Θ Υ, とする。
照明光学系 I Uは、 ボディ 8の上面に固定された支持コラム 9によって支持さ れる。 なお、 露光用照明光としては、 例えば超高圧水銀ランプから射出される紫 外域の輝線 (g線、 h線、 i線) および K r Fエキシマレーザ光 (波長 2 4 8 η m) 等の遠紫外光 (D UV光) や、 A r Fエキシマレ一ザ光 (波長 1 9 3 n m) および F2レーザ光 (波長 1 5 7 n m) 等の真空紫外光 (V UV) などが用いら れる。
ボディ 8は、床面に水平に載置されたベースプレート 1 0上に設置されており、 その上部側および下部側には、 内側に向けて突出する段部 8 aおよび 8 bがそれ ぞれ形成されている。
ステージ装置 4のうち、 レチクル定盤 3は、 各コーナ一においてボディ 8の段 部 8 aに防振ュニット 1 1を介してほぼ水平に支持されており (なお、 紙面奥側 の防振ユニットについては図示せず)、その中央部にはレチクル Rに形成されたパ ターン像が通過する開口 3 aが形成されている。 なお、 レチクル定盤 3の材料と して金属やアルミナセラミックスを用いることができる。 防振ユニット 1 1は、 内圧が調整可能なエアマウント 1 2とボイスコイルモー夕 1 3とが段部 8 a上に 直列に配置された構成になっている。 これら防振ユニット 1 1によって、 ベース プレート 1 0およびボディ 8を介してレチクル定盤 3に伝わる微振動がマイクロ Gレベルで絶縁されるようになっている (Gは重力加速度)。
レチクル定盤 3上には、 レチクルステージ 2が該レチクル定盤 3に沿って 2次 元的に移動可能に支持されている。 レチクルステージ 2の底面には、 複数のエア ベアリング (気体軸受) 1 4が固定されており、 これらのエアベアリング 1 4に よってレチクルステージ 2がレチクル定盤 3上に数ミクロン程度のクリアランス を介して浮上支持されている。 また、 レチクルステージ 2の中央部には、 レチク ル定盤 3の開口 3 aと連通し、 レチクル Rのパターン像が通過する開口 2 aが形 成されている。
開口 2 a、 3 aを通過したレチクル Rのパターン像は投影光学系 P Lに入射す る。 投影光学系 P Lとして、 ここでは物体面 (レチクル R) 側と像面(ウェハ W) 側との両方がテレセントリックで円形の投影視野を有し、 石英や蛍石を光学硝材 とした屈折光学素子 (レンズ素子) からなる 1 / 4 (または 1 / 5 ) 縮小倍率の 屈折光学系が使用されている。 このため、 レチクル Rに照明光が照射されると、 レチクル R上の回路パターンのうち、 照明光で照明された部分からの結像光束が 投影光学系 P Lに入射し、 その回路パターンの部分倒立像が投影光学系 P Lの像 面側の円形視野の中央にスリット状に制限されて結像される。 これにより、 投影 された回路パターンの部分倒立像は、 投影光学系 P Lの結像面に配置されたゥェ ハ W上の複数のショット領域のうち、 1つのショット領域表面のレジスト層に縮 小転写される。
投影光学系 P Lの鏡筒部の外周には、 該鏡筒部に一体化されたフランジ 2 3が 設けられている。 そして、 投影光学系 P Lは、 ボディ 8の段部 8 bに防振ュニッ ト 2 4を介してほぼ水平に支持された铸物等で構成された鏡筒定盤 2 5に、 光軸 方向を Z方向として上方から挿入されるとともに、フランジ 2 3が係合している。 なお、鏡筒定盤 2 5として、高剛性 ·低熱膨張のセラミツクス材を用いてもよい。 フランジ 2 3の素材としては、低熱膨張の材質、例えばィンバー( I n V e r ; ニッケル 3 6 %、 マンガン 0 . 2 5 %、 および微量の炭素と他の元素を含む鉄か らなる低膨張の合金) が用いられている。 このフランジ 2 3は、 投影光学系 P L を鏡筒定盤 2 5に対して点と面と V溝とを介して 3点で支持する、 いわゆるキネ マティック支持マウントを構成している。 このようなキネマティック支持構造を 採用すると、 投影光学系 P Lの鏡筒定盤 2 5に対する組み付けが容易で、 しかも 組み付け後の鏡筒定盤 2 5および投影光学系 P Lの振動、 温度変化等に起因する 応力を最も効果的に軽減できるという利点がある。
防振ユニット 2 4は、 鏡筒定盤 2 5の各コーナーに配置され (なお、 紙面奥側 の防振ュニットについては図示せず)、内圧が調整可能なエアマウント 2 6とボイ スコイルモー夕 2 7とが段部 8 b上に直列に配置された構成になっている。 これ ら防振ュニット 2 4によって、 ベースプレート 1 0およびボディ 8を介して鏡筒 定盤 2 5 (ひいては投影光学系 P L ) に伝わる微振動がマイクロ Gレベルで絶縁 されるようになつている。
ステージ装置 7は、 ウェハステージ 5、 このウェハステージ 5を XY平面に沿 つた 2次元方向に移動可能に支持するウェハ定盤 6、 ウェハステージ 5と一体的 に設けられウェハ Wを吸着保持する試料台 S T、 これらウェハステージ 5及び試 料台 S Tを相対移動自在に支持する Xガイドステージ X G、 Xガイドステージ X Gと同期移動する同期ステージ装置を主体に構成されている。 ウェハステージ 5 の底面には、 非接触ベアリングである複数のエアベアリング (気体軸受) 2 8が 固定されており、 これらのエアべァリング 2 8によってウェハステージ 5がゥェ ハ定盤 6上に、 例えば数ミクロン程度のクリアランスを介して浮上支持されてい る。
ウェハ定盤 6は、 ベースプレート 1 0の上方に、 防振ユニット 2 9を介してほ ぼ水平に支持されている。 防振ユニット 2 9は、 ウェハ定盤 6の各コーナーに配 置され(なお、 紙面奥側の防振ュニッ卜については図示せず)、 内圧が調整可能な エアマウント 3 0とポイスコイルモータ 3 1とがべ一スプレート 1 0上に並列に 配置された構成になっている。 これら防振ユニット 2 9によって、 ベ一スプレー ト 1 0を介してウェハ定盤 6に伝わる微振動がマイクロ Gレベルで絶縁されるよ うになつている。
Xガイドステージ X Gは、 X方向に沿った長尺形状を呈しており、 その長さ方 向両端には電機子ュニットからなる可動子 3 6 , 3 6がそれぞれ設けられている。 これらの可動子 3 6 , 3 6に対応する磁石ュニットを有する固定子 3 7, 3 7は、 ベースプレート 1 0に突設された支持部 3 2、 3 2に設けられている。 そして、 これら可動子 3 6および固定子 3 7によってム一ビングコイル型のリニアモータ 3 3 , 3 3が構成されており、 可動子 3 6が固定子 3 7との間の電磁気的相互作 用により駆動されることで、 Xガイドステ一ジ X Gは Y方向に移動するとともに、 リニアモー夕 3 3、 3 3の駆動を調整することで 0 Z方向に回転移動する。 すな わち、 このリニアモ一夕 3 3によって Xガイドステ一ジ X Gとほぼ一体的にゥェ 八ステージ 5 (および試料台 S T、 以下単にウェハステージ 5と称する) が Y方 向および 0 Z方向に駆動されるようになっている。
また、 Xガイドステージ X Gの一 X方向側には、 Xトリムモータの可動子 3 4 aが取り付けられている。 Xトリムモータの固定子 3 4 bはボディ 8に設けられ ている。 このため、 ウェハステージ 5を X方向に駆動する際の反力は、 Xトリム モ一夕 3 4およびボディ 8を介してベースプレート 1 0に伝達される。
ウェハステージ 5は、 Xガイドステージ X Gとの間に Z方向に所定量のギヤッ プを維持する磁石およびァクチユエ一夕からなる磁気ガイドを介して、 Xガイド ステージ X Gに X方向に相対移動自在に非接触で支持 ·保持されている。 また、 ウェハステージ 5は、 Xガイドステージ X Gに埋設された Xリニアモータ 3 5に よる電磁気的相互作用により X方向に駆動される。 なお、 ウェハステージ 5の上 面には、 ウェハホルダ 4 1を介してウェハ Wが真空吸着等によって固定される。 ステージ装置 7には、 試料台 S Tの位置情報を検出するための試料台検出装置 が配設されている。 このうち、 試料台検出装置は、 試料台 S T上の側縁に Y方向 に沿って延設された X移動鏡 4 3と、 X移動鏡 4 3に対向配置されたレーザ干渉 計 (干渉計) 4 4とを備えている。 レーザ干渉計 4 4は、 X移動鏡 4 3の反射面 と投影光学系 P Lの鏡筒下端に固定された参照鏡 4 2とに向けてそれぞれレーザ 光 (検知光) を照射するとともに、 その反射光と入射光との干渉に基づいて、 X 移動鏡 4 3と参照鏡 4 2との相対変位を計測することにより、 試料台 S T (ひい てはウェハ W) の X方向の位置を所定の分解能、 例えば 0 . 5〜l n m程度の分 解能でリアルタイムに検出する。 同様に、 図 1には図示されていないが、 試料台 S T上の側縁に X方向に沿って延設された Y移動鏡と、 この Y移動鏡に対して X 方向に間隔をあけて対向配置された Yレ一ザ干渉計 (干渉計) とが設けられてお り、 Yレーザ干渉計は、 Y移動鏡の反射面と投影光学系 P Lの鏡筒下端に固定さ れた参照鏡 (不図示) とに向けてそれぞれレーザ光 (検知光) を照射するととも に、 その反射光と入射光との干渉に基づいて、 Y移動鏡と参照鏡との相対変位を 計測することにより、 試料台 S T (ひいてはウェハ W) の Y方向の位置、 および 方向 (相対移動方向と直交する軸線回り) の位置 (Z軸回りの回転) を所定 の分解能、 例えば 0 . 5〜1 n m程度の分解能でリアルタイムに検出する。
さらに、 投影光学系 P Lのフランジ 2 3には、 異なる 3力所に 3つのレ一ザ干 渉計 4 5が固定されている (ただし、 図 1においてはこれらのレーザ干渉計のう ち 1つが代表的に示されている)。各レーザ干渉計 4 5に対向する鏡筒定盤 2 5の 部分には、 開口 2 5 aがそれぞれ形成されており、 これらの開口 2 5 aを介して 各レーザ干渉計 4 5から z方向のレーザビーム (測長ビーム) がウェハ定盤 6に 向けて照射される。 ウェハ定盤 6の上面の各測長ビームの対向位置には、 反射面 がそれぞれ形成されている。 このため、 上記 3つのレーザ干渉計 4 5によってゥ ェハ定盤 6の異なる 3点の Z位置がフランジ 2 3を基準としてそれぞれ計測され る (ただし、 図 1においては、 ウェハステージ 5上のウェハ Wの中央のショット 領域が投影光学系 P Lの光軸の直下にある状態が示されているため、 測長ビーム がウェハステージ 5で遮られた状態になっている)。なお、試料台 S Tの上面に反 射面を形成して、 この反射面上の異なる 3点の Z方向位置を投影光学系 P Lまた はフランジ 2 3を基準として計測する干渉計を設けてもよい。
次に、 図 2〜図 6を参照しながらレチクルホルダ 1 8を備えたレチクルステー ジ 2について詳述する。
図 2〜図 4に示すように、 レチクルステージ 2は、 レチクル粗動ステージ 1 6 と、 このレチクル粗動ステージ 1 6上に設けられたレチクル微動ステージとして のレチクルホルダ (保持装置) 1 8とを備えている (なお、 図 1では、 これらを 1つのステージとして図示している)。
図 2に示すように、 レチクル粗動ステージ 1 6には一対の Yリニアモータ (ス テージ駆動装置) 1 5 , 1 5が接続されており、 レチクル粗動ステージ 1 6はレ チクル定盤 3上をこれら Yリニアモータ 1 5、 1 5によって Y軸方向に所定スト ロークで駆動されるようになっている。 各 Yリニアモ一タ 1 5は、 レチクル定盤 3上に非接触べァリングである複数のエアベアリング 1 9によつて浮上支持され Y軸方向に延びる固定子 2 0と、 この固定子 2 0に対応して設けられ、 連結部材 2 2を介してレチクル粗動ステージ 1 6に固定された可動子 2 1とから構成され ている。 このため、 運動量保存の法則により、 レチクル粗動ステージ 1 6の + Y 方向の移動に応じて、 固定子 2 0は— Y方向に移動する。 この固定子 2 0の移動 によりレチクル粗動ステージ 1 6の移動に伴う反力を相殺するとともに、 重心位 置の変化を防ぐことができる。
また、 固定子 2 0は、 レチクル定盤 3上に代えて、 ボディ 8に設けてもよい。 固定子 2 0をボディ 8に設ける場合には、 エアベアリング 1 9を省略し、 固定子 2 0をボディ 8に固定して、 レチクル粗動ステージ 1 6の移動により固定子 2 0 に作用する反力をボディ 8を介して床に逃がしてもよい。
レチクル粗動ステージ 1 6は、 レチクル定盤 3の中央部に形成された上部突出 部 3 bの上面に固定され Y軸方向に延びる一対の Yガイド 5 1、 5 1によって Y 軸方向に案内されるようになっている。 また、 レチクル粗動ステ一ジ 1 6は、 こ れら Yガイド 5 1、 5 1に対して不図示のエアベアリング (気体軸受) によって 非接触で支持されている。レチクル粗動ステージ 1 6及び Υガイド 5 1, 5 1は、 例えば金属やアルミナセラミックスによって構成されている。
図 2、 図 3に示すように、 レチクルホルダ (レチクル微動ステージ) 1 8には 一対の Xボイスコイルモータ 1 7 Xと一対の Υボイスコイルモータ 1 7 Υとが設 けられている。 レチクルホルダ 1 8は、 不図示のエアベアリングによりレチクル 粗動ステージ 1 6の上面 1 6 aに対して浮上した状態で、 前記ボイスコイルモ一 夕によってレチクル粗動ステージ 1 6上において X、 Y、 方向に微小駆動さ れるようになっている。
レチクルホルダ 1 8はセラミックスによって構成されており、 特にコ一ジエラ ィト系のセラミックスによって構成されている。 このコージェライト系材料は、 熱膨張率が殆ど無いため、 レチクルホルダ 1 8は、 ステージ駆動装置としてのァ クチユエ一夕 (ボイスコイルモータ) 等から発する熱に起因する膨張を抑えられ ている。 また、 レチクル粗動ステージ 1 6もセラミックスによって構成されてお り、 コ一ジェライトまたは S i Cからなるセラミックスを用いることができる。 なお、 レチクル粗動ステージ 1 6をステンレス鋼などの金属によって構成しても よい。
レチクルホルダ 1 8の— Y方向の端部には、 コーナキュープからなる一対の Y 移動鏡 5 2 a、 5 2 bが設けられており、 レチクルホルダ 1 8の + X方向の端部 には、 Y軸方向に延びる平面ミラ一からなる X移動鏡 5 3が設けられている。 そ して、 これら移動鏡 5 2 a、 5 2 b、 5 3に対して測長ビームを照射する 3つの レーザ干渉計 (いずれも不図示) が各移動鏡との距離を計測することにより、 レ チクルステージ 2の X、 Y、 ( Ζ軸回りの回転) 方向の位置が高精度に計測 される。 レーザ干渉計によって計測したレチクルステージ 2 (レチクルホルダ 1 8、 レチクル粗動ステージ 1 6 ) の位置情報は制御装置に出力され、 制御装置は このレーザ干渉計の計測結果に基づいて、 レチクルステージ 2を所定の位置に移 動するようにステージ駆動装置(リニアモータ 1 5、ボイスコイルモータ 1 7 X、 1 7 Υ) を駆動する。
同様に、 ウェハステージ 5用リニアモータ 3 3、 3 5の駆動も、 不図示の制御 装置により統括的に制御される。
図 3に示すように、 レチクルホルダ 1 8は、 Z方向に突出するように複数の所 定位置にそれぞれ設けられた台座部 6 0 ( 6 O A, 6 0 B、 6 0 C) と、 台座部 6 0の上面にそれぞれ設けられた吸着パッド 6 2とを備えている。 本実施例にお いては、 台座部 6 0及び吸着パッド 6 2はそれぞれ 3つずつ設けられている。 レ チクルホルダ 1 8の中央部には、 前述したように、 レチクル Rのパターン像が通 過可能な開口 2 aが形成されている。 同様に、 レチクル粗動ステージ 1 6の中央 部にも開口 2 aが形成されている。
図 4、 図 5に示すように、 台座部 6 0に設けられている吸着パッド 6 2のそれ ぞれは、 Y方向にのびるように形成された環状溝部 6 1と、 この環状溝部 6 1の 内側に形成されている境界部 6 5と、 環状溝部 6 1に連続する第 1細孔 (第 1吸 引装置) 7 0 a及び第 2細孔 (第 2吸引装置) 7 O bとを備えている。 図 4に示 すように、 細孔 7 0 a、 7 0 bのそれぞれは吸引通路 7 1を介してコンプレッサ (吸引装置) 7 2に接続されている。 細孔 7 0 aは、 環状溝部 6 1のうち、 開口 2 a側の直線部分である第 1吸引部 (第 1保持部) 6 3に配置されており、 細孔 7 O bは、 環状溝部 6 1のうち、 開口 2 aと反対側の直線部分である第 2吸引部 (第 2保持部) 6 4に配置されている (第 1吸引部 6 3及び第 2吸引部 6 4は図 5 Aの斜線部分参照)。すなわち、第 1吸引部 6 3及び第 2吸引部 6 4のそれぞれ は、 レチクル Rの下面 R aに対してそれぞれ複数位置 (3箇所) に配置されてお り、 第 1吸引部 6 3と第 2吸引部 6 4とは、 境界部 6 5を挟んで隣接して配置さ れた構成となっている。
吸引通路 7 1のそれぞれには、 細孔 7 0 a、 7 0 bから吸引する単位時間あた りの気体の吸引量を調整可能なバルブ 7 1 aが設けられている。 このバルブ 7 1 aの動作は制御装置 C O N Tによつてそれぞれ個別に制御されるようになつてい る。 すなわち、 第 1細孔 7 0 aによる単位時間あたりの気体の吸引量と、 第 2細 孔 7 0 bによる単位時間あたりの気体の吸引量とは制御装置 C O N Tによってそ れぞれ個別に制御可能となっている。 なお、 図 4には台座部 6 0 A、 6 0 Bに 設けられている吸着パッド 6 2のみが示されているが、 台座部 6 0 Cに設けられ ている吸着パッドも同様の構成を有している。 図 3、 図 5 B、 図 6に示すように、 レチクル Rは、 下面 (被吸着面) R aの中 央部にパターンが形成されたパ夕一ン領域 P Aを保護するためのペリクル P Eを 備えている。 レチクルホルダ 1 8の台座部 6 0は、 レチクル Rの下面のうち、 ぺ リクル P Eが設けられている以外の部分である保持可能領域 C Aを保持するよう になっている。 レチクル Rは、 パターン領域 P Aを含む所定の面精度を有する精 度保証領域 (第 1領域) A R 1と、 下面 R aのうち精度保証領域 A R 1以外の精 度非保証領域 A R 2とを有している。 すなわち、 レチクル Rの下面 R aは、 全面 が所定の面精度を有するようには加工されておらず、 外縁部では所定の面精度が 保証されていない。
図 5 B、 図 6に示すように、 レチクル Rの下面 R aにおいて、 中央部は平面部 となっており、 中央部の外側は、 中央側から外側に向かって台座部 6 0から離れ る方向に形成されたテーパ ¾ ^となっている。 そして、 レチクル Rの下面の中央部 に形成されている平面部が精度保証領域 A R 1となっており、 テーパ部が精度非 保証領域 A R 2となっている。 なお、 レチクル Rのテーパ形状は、 研磨装置によ つてレチクル Rの下面 R aの外縁部を研磨することにより形成可能である。 レ チクル Rの保持可能領域 C Aが台座部 6 0に載置される際、 吸着パッド 6 2の第 1吸引部 6 3は、 レチクル Rの下面 R aのうち精度保証領域 A R 1に対向して配 置されるように設定されている。 また、 吸着パッド 6 2の第 2吸引部 6 4は、 レ チクル Rの下面 R aのうち精度非保証領域 A R 2に対向して配置されるように設 定されている。 そして、 吸引装置 7 2は、 レチクル Rの下面 R aの精度保証領域 A R 1と第 1吸引部 6 3との間の空間の気体を、 細孔 (第 1吸引装置) 7 0 aを 介して吸引し、 レチクル Rの下面 R aの精度非保証領域 A R 2と第 2吸引部 6 4 との間の空間の気体を、 細孔 (第 2吸引装置) 7 0 bを介して吸引するようにな つている。
このとき、 図 6に示すように、 隣接する第 1吸引部 6 3と第 2吸引部 6 4との 境界部 6 5は、 少なくとも、 レチクル Rの下面 R aのうち精度保証領域 A R 1に 配置されるように設定されている。
なお、 精度保証領域 A R 1と第 1吸引部 6 3との間の空間の気体と、 精度非保 証領域 AR 2と第 2吸引部 6 4との間の空間の気体とを、 細孔 7 0 aと細孔 7 0 bとを介してそれぞれ独立して吸引するように説明しているが、 本実施例におい ては、 第 1吸引部 6 3と第 2吸引部 6 4とはつながっているので、 細孔 7 0 aを 介して吸引する気体は、 精度非保証領域 A R 2と第 2吸引部 6 4との間の空間の 気体の一部を含み、 細孔 7 0 bを介して吸引する気体は、 精度保証領域 A R 1と 第 1吸引部 6 3との間の空間の気体の一部を含んでいる。
図 6に示すように、 第 1吸引部 6 3の上端面と第 2吸引部 6 4の上端面とは同 じ高さ位置に形成されている。 すなわち、 吸着パッド 6 2の上面は面一となつて いる。
そして、 第 1吸引部 6 3と平面部である精度保証領域 A R 1とは接しており、 第 2吸引部 6 4とテーパ部である精度非保証領域 A R 2とは所定の間隔 Hを有し ている。 すなわち、 第 1細孔 7 0 aからの単位時間あたりの気体の吸引量と、 第 2細孔 7 0 bからの単位時間あたりの気体の吸引量とは同じ値に設定されてはい るが、 間隔 Hを設けることにより、 第 1吸引部 6 3によって吸着されるレチクル Rの下面 R aの面積が第 2吸引部 6 4によって吸着される面積よりも大きくなる ため、 すなわち、 図 6の紙面と垂直な方向の長さが同一と仮定すると、 R a Aが R a Bよりも大きくなるため、 第 2吸引部 6 4のレチクル Rに対する吸引力が、 第 1吸引部 6 3のレチクル Rに対する吸引力より弱くなる。 そして、 この間隔 H は、' 精度非保証領域 A R 2が第 2吸引部 6 4で吸着されることによってレチクル Rが歪まない程度に、 且つ、 第 2吸引部 6 4と第 1吸引部 6 3とによってレチク ル Rを安定して保持可能な程度に設定されている。
次に、 上述したような構成を備えるレチクルホルダ 1 8によってレチクル Rを 保持する方法について説明する。
所定のレチクル Rが、 不図示のレチクル搬送装置によってレチクルホルダ 1 8 にロードされる。 レチクルホルダ 1 8に対してレチクル Rをロードするに際し、 レチクル Rの保持可能領域 C Aのうち、 精度保証領域 A R 1と第 1吸引部 6 3と が対向するように、 且つ、 精度非保証領域 A R 2と第 2吸引部 6 4とが対向する ように位置合わせを行いつつ、 ロードする。 このとき、 吸着パッド 6 2のうち、 第 1吸引部 6 3と第 2吸引部 6 4との境界部 6 5が少なくとも精度保証領域 A R 1に配置されるように位置合わせする。 レチクルホルダ 1 8にレチクル Rがロードされたら、 制御装置 C O N Tは、 吸 引装置 7 2を駆動するとともに、 吸引通路 7 1にそれぞれ設けられているバルブ 7 l aを制御して、 第 1細孔 7 0 aによる単位時間あたりの気体の吸引量と、 第 2細孔 7 0 bによる単位時間あたりの気体の吸引量とを予め設定されている設定 値に設定する。 本実施例では、 制御装置 C O N Tは、 第 1細孔 7 0 aからの単位 時間あたりの気体の吸引量と、 第 2細孔 7 0 bからの単位時間あたりの気体の吸 引量とを同じ値に設定する。
レチクル Rは、 精度保証領域 A R 1と精度非保証領域 A R 2とのそれぞれを、 第 1吸引部 6 3と第 2吸引部 6 4とによってそれぞれ吸着保持される。 このよう に、 第 1吸引部 6 3と第 2吸引部 6 4とを用いて、 レチクル Rの保持可能領域 C Aの広い範囲を保持するようにしたことにより、 レチクル Rはレチクルホルダ 1 8に安定して保持され、 レチクルステージ 2が高速で移動しても、 慣性力によつ てレチクル Rとレチクルホルダ 1 8とがずれてしまうようなことがない。― また、レチクル Rのうち精度保証領域 A R 1を第 1吸引部 6 3によって保持し、 精度非保証領域 A R 2を第 2吸引部 6 4によつて個別に保持するようにしたこと により、 レチクルホルダ 1 8はレチクル Rを変形させることなく安定して保持す る。 すなわち、 レチクル Rの精度非保証領域 A R 2をテーパ形状として、 第 2吸 引部 6 4と精度非保証領域 A R 2との間に間隔 Hを設けたことによって、 第 1吸 引部 6 3によって吸着されるレチクル Rの下面 R aの面積が第 2吸引部 6 4によ つて吸着される面積よりも大きくなるため、 第 2吸引部 6 4のレチクル Rに対す る吸引力は、 第 1吸引部 6 3のレチクル Rに対する吸引力より弱くなるように設 定される。 したがって、 精度非保証領域 A R 2を吸着保持した際に、 精度非保証 領域 A R 2を吸着保持したことに起因するレチクル R全体の歪みを抑えることが できる。
このとき、 間隔 Hからのリーク量 (すなわち間隔 H) は、 レチクル Rを歪ませ ない程度に、 且つ、 レチクル Rに対する安定した保持力を低下させない程度に設 定されている。 すなわち、 レチクルステージ 2が高速で移動しても、 慣性力よつ てレチクル Rとレチクルホルダ 1 8とがずれてしまうようなことがない程度に設 定されている。 そして、 このレチクルホルダ 1 8に保持されたレチクル Rに照 明光学系 I Uより露光光を照射することにより、 レチクル Rに形成されたパター ンを投影光学系 PLを介してウェハ Wに精度良く露光することができる。
次に、レチクル Rのうち精度保証領域 AR 1を第 1吸引部 63によって保持し、 精度非保証領域 A R 2を第 2吸引部 64によつて保持するようにしたことにより、 レチクルホルダ 18はレチクル Rを変形することなく安定して保持できる理由に ついて図 7 A〜図 7 D、 図 8、 図 9を参照しながら説明する。
図 7 A〜図 7 Dは、 レチクル Rのテ一パ部の領域、 すなわち、 レチクル Rの精 度非保証領域 A R 2のサイズ Lをそれぞれ異なる値に設定し、 これらレチクル R のそれぞれを第 1吸引部 63及び第 2吸引部 64によって吸着保持した際の、 レ チクル Rの形状 (変形)をシミュレ一ションした結果を模式的に示した図である。 図 7 Aは、 精度非保証領域のサイズ Lを 5. 5 mmに設定した際の図であり、 図 7 Bはサイズ Lを 7. 5 mmに設定した際の図であり、 図 7 Cはサイズ Lを 9. 0mmに設定した際の図であり、 図 7Dはサイズ Lを 10. 5mmに設定した際 の図である。 ここで、 図 7 A〜図 7 Dのそれぞれにおいて、 第 2吸引部 63と精 度非保証領域 AR 2との間隔の最大値 Hは同一値 (0. に設定されてお り、 レチクルホルダ 18 (吸着パッド 62) は同一のものを用いている。
図 7 Aは、 精度非保証領域 A R 2のサイズ Lを 5. 5 mmに設定した際のシミ ユレーシヨン結果図である。 この図において、 精度保証領域 A R 1は第 1吸引部 63に保持され、 精度非保証領域 AR 2は第 2吸引部 64に保持されている。 こ のとき、 第 1吸引部 63と第 2吸引部 64との境界部 65は精度保証領域 AR 1 に配置されている。
この状態において、 第 1吸引部 63及び第 2吸引部 64によってレチクル Rを 吸引すると、 図 7 Aに示すように、 点 Cまわりのモーメント Ml、 M 2が発生す る。 なお、 この点 Cは精度保証領域 AR 1上の点である。 このとき、 前述したよ うに、 間隔 Hによって第 2吸引部 64による精度非保証領域 AR 2に対する吸引 力のほうが第 1吸引部 63による精度保証領域 AR 1に対する吸引力より弱くな つており、 また、 第 1吸引部 63の精度保証領域 AR1に対する面積が、 第 2吸 引部 64の精度非保証領域 A R 2に対する面積より大きくなつているので、 M 1 >M2となり、 第 1吸引部 63と精度保証領域 AR 1とを剥離するような力がレ チクル Rに対して生じない。 したがって、 この状態においては、 レチクル Rはレ チクルホルダ 18に安定して保持されている。
図 7 Bは、 精度非保証領域 A R 2のサイズ Lを 7. 5 mmに設定した際のシミ ユレーシヨン結果図である。 この図において、 精度保証領域 A R 1は第 1吸引部 63に保持され、 精度非保証領域 AR 2は第 2吸引部 64に保持されている。 こ のとき、 第 1吸引部 63と第 2吸引部 64との境界部 65は精度非保証領域 AR 2側に配置されている。
この状態において、 第 1吸引部 63及び第 2吸引部 64によってレチクル Rを 吸引すると、 図 7 Bに示すように、 点 Cまわりのモーメント M 3、 M 4が発生す る。 この場合、 第 1吸引部 63の精度保証領域 AR 1に対する面積は、 第 2吸引 部 64の精度非保証領域 A R 2に対する面積より小さくなつており、 第 2吸引部 64による精度非保証領域 AR 2に対する吸引力のほうが第 1吸引部 63による 精度保証領域 AR 1に対する吸引力より強くなつて、 M4>M3となる。すると、 第 1吸引部 63と精度保証領域 AR 1とを剥離するような力がレチクル Rに作用 し、 破線 R' に示すように、 レチクル Rは、 中央部 (パターン領域) を盛り上げ るような変形を生じる。 このように、 パターン領域を有する精度保証領域 AR 1 までもが歪んでしまうため、 第 1吸引部 63の精度非保証領域 A R 1に対する面 積を、 第 2吸引部 64の精度保証領域 AR 2に対する面積より小さく設定するこ とは望ましくない。
なお、 この場合、 図 7 Bの台座部を 6 OA (あるいは 6 OB) とすると、 反対 側にある台座部 60 Cの第 1吸引部 63及び第 2吸引部 64によってもレチクル Rに対する吸引動作が行われているため、 レチクル Rには図 7 Bに示すように、 曲げに対する反力 M3 ' が作用し、 また、 モーメントの中心 Cは境界部 65上に あるため、 点 Cまわりのモーメントは釣り合って、 第 1吸引部 63と精度保証領 域 AR 1とは剥離するまでには至らない。
図 7Cは、 精度非保証領域 A R 2のサイズ Lを 9. Ommに設定した際のシミ ユレーシヨン結果図である。 この図において、 精度保証領域 A R 1と精度非保証 領域 AR 2の一部とが第 1吸引部 63に保持され、 精度非保証領域 AR 2は第 2 吸引部 64に保持されている。 このとき、 第 1吸引部 63と第 2吸引部 64との 境界部 65は完全に精度非保証領域 AR 2側に配置されている。
この状態において、 第 1吸引部 63及び第 2吸引部 64によってレチクル Rを 吸引すると、 図 7 Cに示すように、 点 Cまわりのモーメント M 5が発生する。 こ の場合、 第 1吸引部 63の精度保証領域 AR 1に対する面積は、 第 2吸引部 64 の精度非保証領域 AR 2に対する面積より小さくなつている。 この場合、 レチク ル Rは、 破線 R' で示すように中央部 (パターン領域) を盛り上げるような変形 を生じるとともに、 第 1吸引部 63と精度保証領域 AR 1とは完全に剥離する。 そして、 図 7 Cの台座部を 6 OA (あるいは 6 OB) とすると、 反対側にある 台座部 60 Cの第 1吸引部 63及び第 2吸引部 64によってレチクル Rに対して 行われている吸引動作によって、 レチクル Rには図 7 Cに示すように、 曲げに対 する反力 M 5' が作用する。 レチクル Rの変形は、 レチクル Rの変形が進行して レチクル Rの点 C 1が境界部 65に接し、 この点 C 1まわりのモーメントが反力 M5 ' と釣り合った時点で終了する。
図 7Dは、 精度非保証領域 A R 2のサイズ Lを 10. 5mmに設定した際のシ ミュレーシヨン結果図である。 この図において、 精度保証領域 AR 1は第 1, 第 2吸引部 63, 64のいずれにも保持されておらず、 t度非保証領域 AR 2は第 1, 第 2吸引部 63, 64に保持されている。 そして、 第 1吸引部 63と第 2吸 弓 I部 64との境界部 65は精度非保証領域 AR 2側に配置されている。
この状態において、 第 1吸引部 63及び第 2吸引部 64によってレチクル Rを 吸引すると、 図 7 Dに示すように、 点 Cまわりのモーメント M 6が発生する。 こ の場合、 第 1吸引部 63の精度保証領域 A R 1に対する面積はほぼ無い状態であ る。 レチクル Rは、 破線 R' で示すように中央部 (パターン領域) を盛り上げる ような変形を生じるとともに、 第 1吸引部 63と精度保証領域 AR 1とは完全に 剥離する。
そして、 レチクル Rの変形は、 破線 R' で示すように、 精度非保証領域 AR 2 が第 1吸引部 63及び第 2吸引部 64に接した時点で終了する。
以上説明したように、 図 7 Aで示される状態のように、 サイズ Lを 5. 5mm 以下として、 第 1吸引部 63と第 2吸引部 64との境界部 65がレチクル Rの精 度保証領域 A R 1に配置されるようにし、 第 1吸引部 63の精度保証領域 A R 1 に対する面積が、 第 2吸引部 6 4の精度非保証領域 A R 2に対する面積より大き くなるように設定することにより、 第 1吸引部 6 3と精度保証領域 A R 1との剥 離の発生が抑えられ、 レチクル Rの歪みの発生を防止することができる。
図 8は、 精度非保証領域 A R 2のサイズ Lと、 第 2吸引部 6 4と精度非保証領 域 A R 2との最大間隔 Hとをそれぞれ変化させた際の、 レチクル Rのたわみ最大 値を求めたシミュレーション結果である。 また、 図 9は図 8の表をグラフ化した ものであって、 縦軸はレチクル Rのたわみ最大値、 横軸は精度非保証領域 A R 2 のサイズ Lである。 ここで、 レチクル Rのたわみ最大値とは、 レチクル Rの端部 と持ち上がり変形した際のレチクル Rの中央部との Z方向の距離である。
これらの図から、サイズ Lが 2 . 5 mm、 5 . 5 mm、 7 . 5 mmのところで、 レチクル Rのたわみ最大値が飛躍的に増大していることが分かる。このことから、 レチクル Rの変形は、 精度非保証領域 A R 2のサイズ L、 すなわち、 第 1吸引部 6 3によって精度非保証領域 AR 2を吸引するかどうかに大きく依存する。
次に、 本発明の保持装置の他の実施例について説明する。 ここで、 以下の図面 を用いた説明において、 前述した実施例と同一又は同等の構成部分については同 一の符号を用いるとともに、 その説明を簡略又は省略するものとする。
レチクル Rの精度非保証領域 A R 2の形状は、 テーパ形状に限らず、 レチクル Rの精度非保証領域 A R 2を吸着保持する第 2吸引部 6 4の形状に応じて、 第 2 吸引部 6 4とレチクル Rの精度非保証領域 A R 2との間に、 所定の間隔 Hを有す るように設定されていればよい。 例えば、 図 1 0に示すように、 精度非保証領域 A R 2は第 2吸引部 6 4から離れる方向に形成された段部であってもよい。
本実施例においては、吸引装置 7 2に吸引通路 7 1を介して接続された細孔は、 吸着パッド 6 2に Y方向にのびるように形成された環状溝部 6 1のうち、 直線部 分である第 1吸引部 6 3及び第 2吸引部 6 のそれぞれに設けられた構成である 力 環状溝部 6 1に設ける細孔を、 図 1 1に示すように、 1つとすることも可能 である。 この場合、 第 1吸引部 6 3と第 2吸引部 6 4とは環状溝部 6 1の一部で あるので連続しており、 細孔 7 0が 1つであっても吸引動作を安定して行うこと ができる。 また、 環状溝部 6 1の任意の複数位置に細孔 7 0をそれぞれ設ける構 成とすることも可能である。 この場合、 複数の細孔のそれぞれに吸引通路 7 1を 接続し、 吸引装置 7 2によって吸引動作を行えばよい。
本実施例においては、第 1細孔 7 0 aからの単位時間あたりの気体の吸引量と、 第 2細孔 7 0 bからの単位時間あたりの気体の吸引量とは同じ値になるように設 定されているが、 それぞれの吸引量を異なるように設定してもよい。 この場合、 図 4に示したように、 制御装置 C O N Tは複数の接続通路 7 1にそれぞれ設けら れたバルブ 7 1 aをそれぞれ個別に制御すればよい。 あるいは、 バルブ 7 1 aに よる制御のほかに、 吸引通路 7 1のそれぞれに対してそれぞれ個別に吸引装置 7 2を設け、 制御装置 C O N Tがこの吸引装置 7 2のそれぞれの出力を個別に制御 するようにしてもよい。
本実施例においては、 第 2吸引部 6 4と精度非保証領域 A R 2との間に間隔 H を設けることにより、第 2吸引部 6 4の精度非保証領域 A R 2に対する吸引力が、 第 1吸引部 6 3の精度保証領域 A R 1に対する吸引力より弱くなるように設定さ れているが、 第 1細孔 7 0 aからの単位時間あたりの気体の吸引量が、 第 2細孔 7 0 bからの単位時間あたりの気体の吸引量より多くなるように設定することに よって、 第 2吸引部 6 4の精度非保証領域 A R 2に対する吸引力が、 第 1吸引部 6 3の精度保証領域 A R 1に対する吸引力より弱くなるように設定してもよい。 本実施例においては、 吸着パッド 6 2に Y方向にのびるように形成された環状 溝部 6 1のうち、 直線部分のそれぞれを第 1吸引部 6 3及び第 2吸引部 6 4とし ているが、 図 1 2に示すように、 吸着パッド 6 2に第 1吸引部 6 3と第 2吸引部 6 4とをそれぞれ独立して設けてもよい。 そして、 第 1吸引部 6 3及び第 2吸引 部 6 4のそれぞれに細孔 7 0を設け、 それぞれ個別に吸引装置 7 2に接続するこ とによって、 第 1吸引部 6 3及び第 2吸引部 6 4により吸引動作が可能となる。 この場合、 それぞれの吸引装置 7 2の出力を個別に制御することにより、 第 1吸 引部 6 3の精度保証領域 A R 1に対する吸引力と、 第 2吸引部 6 4の精度非保証 領域 A R 2に対する吸引力とをそれぞれ独立して制御することができる。
本実施例においては、 第 1吸引部 6 3の高さ位置と第 2吸引部 6 4の高さ位置 とは同じに設定されているが、 図 1 3 Aに示すように、 第 2吸引部 6 4の高さ位 置が、 第 1吸引部 6 3よりレチクル Rの下面 R aに対して低い位置になるように 設定されてもよい。 こうすることにより、 レチクル Rにテ一パ部が形成されてい なくても、 第 2吸引部 6 4とレチクル Rの精度非保証領域 A R 2との間に所定の 間隔 Hを形成することができる。
一方、 図 1 3 Bに示すように、 第 2吸引部 6 4の高さ位置が、 第 1吸引部 6 3 よりレチクル Rの下面 R aに対して高い位置になるように設定されてもよい。 こ うすることにより、 レチクル Rの精度非保証領域 A R 2が吸着パッド 6 2から大 きく離れる方向に形成されているような場合であっても、 第 2吸引部 6 4と精度 非保証領域 A R 2との間に所定の間隔 Hを形成することができる。
すなわち、 第 2吸引部 6 4の高さ位置は、 レチクル Rの下面 R aの形状に応じ て設定される。
更に、 第 1吸引部 6 3が設けられる台座部と、 第 2吸引部 6 4が設けられる台 座部とを独立して設け、 2つの台座部のうちいずれか一方を Z方向に移動可能な 支持装置で支持し、この移動可能に支持されたほうの台座部を Z方向に移動して、 第 1吸引部 6 3又は第 2吸引部 6 4の高さ位置を制御するようにしてもよい。 こ のとき、 各台座部は X方向に並べて配置してもよいし、 Y方向に離して配置して もよい。
また、 図 3に示す台座部 6 0 A、 6 0 B、 6 0 Cのそれぞれを開口 2 aに対し て接近 ·離間する方向 (すなわち X方向) に移動可能な支持装置で支持し、 載置 されるべきレチクル Rの精度非保証領域 A R 2のサイズ Lに応じて、 それぞれの 台座部に設けられている第 2吸引部 6 4が精度非保証領域 A R 2を保持するよう に、 この台座部を移動するようにしてもよい。
第 1吸引部 6 3と第 2吸引部 6 4との大きさは同じにする必要はなく、 異なる 大きさ (面積) を有していてもよい。 例えば、 第 2吸引部 6 4の幅 (X方向のサ ィズ)を第 1吸引部 6 3の幅(X方向のサイズ)に対して小さく設定してもよい。 あるいは、 図 1 4に示すように、 第 1吸引部 6 3の Y方向のサイズと第 2吸引部 6 4の Y方向のサイズとをそれぞれ異なるように設定してもよい。 図 1 4に示す 吸着パッド 6 2のそれぞれは、 1つの第 1保持部 6 3と、 この第 1保持部 6 3よ り小さい 3つの第 2保持部 6 4とを備えている。 このとき、 3つの第 2保持部 6 4のそれぞれの大きさ (面積) の総計は第 1保持部 6 3より小さくなるように設 定されている。 そして、 第 2保持部 6 4どうしの間には、 吸引機能を有さない台 座部 6 3の上面が露出している。 このような構成によっても、 第 2吸引部 6 4の 精度非保証領域 A R 2に対する吸引力を第 1吸引部 6 3の精度保証領域 A R 1に 対する吸引力より小さくすることができ、 レチクルホルダ 1 8はレチクル Rを歪 ませることなく安定して保持することができる。
本実施例においては、 吸着パッド 6 2を有する台座部は 3つであるが、 この吸 着パッド 6 2を有する台座部を任意の複数箇所に設けることができる。 また、 本 実施例においては、 吸着パッド 6 2のそれぞれは、 第 1吸引部 6 3と第 2吸引部 6 4とを有しているが、 複数の台座部のそれぞれに設けられた吸着パッド 6 2の うち、 いずれかの吸着パッドには第 1吸引部 6 3のみが設けられ第 2吸引部 6 4 は設けられていない構成とすることができる。
吸着パッド 6 2を備えた台座部 6 0を複数設けた際、 全ての吸着パッド 6 2で レチクル Rに対する吸着動作を行う必要はない。 例えば、 複数箇所に設けられた 吸着パッド 6 2のうち、 いずれか任意の吸着パッド 6 2を用いてレチクル Rに対 する吸着動作を行い、 他の吸着パッド 6 2では吸着動作を行わないようにする構 成としてもよい。 すなわち、 複数設けられた吸着パッド 6 2の吸着動作を切り替 えるようにする構成とすることができる。
第 2吸引部 6 4に設けられた細孔 7 0 bからの単位時間あたりの気体の吸引量 (すなわち、第 2吸引部 6 4の精度非保証領域 A R 2に対する吸引力)、あるいは、 第 2吸引部 6 4のレチクル Rに対する吸引位置は、 レチクル Rの形状 (変形の度 合い) に応じて設定することができる。 すなわち、 精度良い露光処理が行えるよ う、 レチクルホルダ 1 8に保持されたレチクル Rがフラットになるように、 細孔 7 0 bからの単位時間あたりの気体の吸引量を制御したり、 前述したように第 2 吸引部 6 4を移動可能に設けた場合にはその位置を制御する。
細孔 7 0 bからの単位時間当たりの気体吸引量の設定や第 2吸引部 6 4の位置 の設定は、 例えば、 レチクル Rの形状 (変形量) を形状計測装置 (光学式形状セ ンサなど) によって計測し、 この計測結果に基づいて、 レチクル Rの形状が所望 の形状になるように行えばよい。
本実施例においては、 レチクル Rのテーパ部を精度非保証領域 A R 2としてい るが、 テ一パ部の一部が精度保証領域を含んでいてもよい。 レチクルホルダ 1 8によるレチクル Rに対する吸着保持力が十分でない場合に は、 例えば、 所定の押圧装置によって、 レチクル Rのレチクルホルダ 1 8に保持 されている位置に対応した上面側の部分を上方から下方に向かって押圧すること によって保持力を向上することができる。
本実施例においては、 第 2保持部 6 4とレチクル Rの精度非保証領域 A R 2と の間に間隔 Hを設けているが、 この間隔 Hは例えば 5 iz m程度であるので、 気体 (空気) の粘性により、 第 2保持部 6 4はレチクル Rに対する吸引動作を行うこ とができる。
本実施例においては、 本発明の保持装置をレチクルホルダに適用しているが、 ウェハ Wを保持するためのウェハホルダ 4 1に適用することもできる。
また、本発明の保持装置は、露光装置以外にも、例えばレチクルの検査装置や、 レチクル上に回路パターンを形成する装置等にも適用できる。
上記実施例の基板としては、 半導体デバイス用の半導体ウェハ Wのみならず、 液晶ディスプレイデバイス用のガラス基板や、 薄膜磁気へッド用のセラミツクウ ェハ等が適用される。
露光装置 1としては、 レチクル Rとウェハ Wとを同期移動してレチクル Rのパ 夕一ンを走查露光するステップ ·アンド ·スキャン方式の走査型露光装置 (スキ ャニング ·ステッパー; USP5,473,410) の他に、 レチクル Rとウェハ Wとを静 止した状態でレチクル Rのパターンを露光し、 ウェハ Wを順次ステップ移動させ るステップ 'アンド ' リピート方式の投影露光装置 (ステツパ一) にも適用する ことができる。
露光装置 1の種類としては、 ウェハ Wに半導体デバイスパターンを露光する半 導体デバイス製造用の露光装置に限られず、 液晶表示素子製造用の露光装置や、 薄膜磁気ヘッド、 撮像素子 (C C D) あるいはレチクルなどを製造するための露 光装置などにも広く適用できる。
また、 露光用照明光の光源としては、 超高圧水銀ランプから発生する輝線 (g 線 (4 3 6 n m)、 h線 (4 0 4. 7 n m)、 i線 ( 3 6 5 n m) )、 K r Fエキシ マレーザ ( 2 4 8 n m)、 A r Fエキシマレーザ ( 1 9 3 n m)、 F2レーザ ( 1 5 7 n m) のみならず、 X線や電子線などの荷電粒子線を用いることができる。 例えば、 電子線を用いる場合には電子銃として、 熱電子放射型のランタンへキサ ポライト (L a B6 )、 タンタル (T a ) を用いることができる。 さらに、 電子線 を用いる場合は、 レチクル Rを用いる構成としてもよいし、 レチクル Rを用いず に直接ウェハ上にパターンを形成する構成としてもよい。 また、 Y A Gレ一ザや 半導体レーザ等の高周波などを用いてもよい。
投影光学系 P Lの倍率は、 縮小系のみならず等倍系および拡大系のいずれでも よい。 また、 投影光学系 P Lとしては、 エキシマレ一ザなどの遠紫外線を用いる 場合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過する材料を用い、 F2レーザ や X線を用いる場合は反射屈折系または屈折系の光学系にし (レチクル Rも反射 型タイプのものを用いる)、また電子線を用いる場合には光学系として電子レンズ および偏向器からなる電子光学系を用いればよい。 なお、 電子線が通過する光路 は、 真空状態にすることはいうまでもない。 また、 投影光学系 P Lを用いること なく、 レチクル Rとウェハ Wとを密接させてレチクル Rのパターンを露光するプ 口キシミティ露光装置にも適用可能である。
ウェハステージ 5ゃレチクルステージ 2にリニアモー夕 (USP5,623,853 また は USP5,528,118参照) を用いる場合は、 エアベアリングを用いたエア浮上型お よび口一レンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いても よい。 また、 各ステージ 2、 5は、 ガイドに沿って移動するタイプでもよく、 ガ ィドを設けないガイドレスタイプであってもよい。
各ステージ 2、 5の駆動機構としては、 二次元に磁石を配置した磁石ユニット (永久磁石) と、 二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力 により各ステージ 2、 5を駆動する平面モータを用いてもよい。 この場合、 磁石 ユニットと電機子ユニットとのいずれか一方をステージ 2、 5に接続し、 磁石ュ ニットと電機子ユニットとの他方をステージ 2、 5の移動面側 (ベース) に設け ればよい。
以上のように、 本願実施例の露光装置 1は、 本願請求の範囲に挙げられた各構 成要素を含む各種サブシステムを、 所定の機械的精度、 電気的精度、 光学的精度 を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、 この組み立ての前後には、 各種光学系については光学的精度を達成するための調 整、 各種機械系については機械的精度を達成するための調整、 各種電気系につい ては電気的精度を達成するための調整が行われる。 各種サブシステムから露光装 置への組み立て工程は、 各種サブシステム相互の、 機械的接続、 電気回路の配線 接続、 気圧回路の配管接続等が含まれる。 この各種サブシステムから露光装置へ の組み立て工程の前に、 各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうま でもない。 各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、 総合調 整が行われ、 露光装置全体としての各種精度が確保される。 なお、 露光装置の製 造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。 半導体デバイスは、 図 2 5に示すように、 デバイスの機能 ·性能設計を行うス テツプ 2 0 1、 この設計ステップに基づいたマスク (レチクル) を製作するステ ップ 2 0 2、 シリコン材料からウェハを製造するステップ 2 0 3、 前述した実施 例の露光装置 1によりレチクルのパターンをウェハに露光するウェハ処理ステツ プ 2 0 4、 デバイス組み立てステップ (ダイシング工程、 ボンディング工程、 パ ッケージ工程を含む) 2 0 5、 検査ステップ 2 0 6等を経て製造される。
[第二実施例]
図 1 5〜図 2 1は、 本発明の第二実施例の説明図である。 この実施例では、 レ チクルホルダ 9 0として、 いわゆるピンチャックホルダを使用したことを特徴と している。 装置の他の構成は、 先に説明した第 1実施例と同様でよい。
図 1 5は、 レチクルホルダ 9 0の斜視図である。 このレチクルホルダ 9 0の中 央部には矩形状の開口 2 aが形成され、 レチクルホルダ 9 0の上面において開口 2 aの両側には、 辺に沿って一列ずつ、 長細い矩形状をなす吸着パッド 9 1が形 成されている。
これら吸着パッド 9 1は、 真空度を保っために矩形状の減圧領域 9 5を取り囲 む隔壁 9 2と、減圧領域 9 5内に互いに間隔を空けて多数形成されたピン 9 6と、 減圧領域 9 5内に開口する排気孔 9 4とを有する。 隔壁 9 2の幅と高さは全周に つて一定であり、 隔壁 9 2とピン 9 6は、 ホルダ上面から正確に同じ高さを有 するように上端面を研磨されている。 隔壁 9 2とピン 9 6の高さの誤差は通常、 5 0 n m以下に抑えることが可能である。 レチクルホルダ 9 0の材質としては、 セラミックなどが最適である。 排気孔 9 4はそれぞれ、 図示しない真空配管に接 続され、 減圧領域 9 5内の気体を排気できる。
図 1 6は、 レチクルホルダ 9 0にレチクル Rを吸着した状態を示しており、 レ チクル Rとの接触部分は斜線で図示されている。
このようなレチクルホルダ 9 0を用いた場合にも、 前述した実施例と同様の効 果が得られる。 この点を図 1 7〜図 2 1を用いて説明する。
図 1 7は、 端部がテ一パ一加工されていないレチクル Rをレチクルホルダ 9 0 に吸着した場合を示す断面拡大図であり、 隔壁 9 2の上端面 (吸着面) は、 レチ クル Rの端縁から 1〜2 . 5 mm及び 1 0 . 5〜 1 2 mmの位置に配置され、 シ 一ル部を形成している。
図 1 8は、 本発明の実施例として、 レチクル Rの端縁から 5 . 5 mmの位置よ り外側がテ一パー加工されている場合を示す。 レチクルホルダ 9 0の各吸着パッ ド 9 1の隔壁 9 2間の中心は、レチクル Rの端縁から 6 . 5 mmに位置している。 この場合、 テーパーの開始点 P 1は、 レチクルホルダ 9 0の各吸着パッド 9 1の 隔壁 9 2間の中心より外側に位置する。 したがって、 減圧領域 9 5の減圧によつ て生じる点 P 1回りのモーメント M 2は、 逆回りのモーメント M 1より大きいの で、 点 P 1よりレチクル内側の部分 Gを吸着パッド 9 1から剥離させるモ一メン トは発生しない。
—方、 図 1 9に示すように、 レチクル Rのテーパ開始点 P 2がレチクル端縁か ら 7 . 5 mmの位置に設定された場合、 減圧領域 9 5の減圧によって生じる点 P 2回りのモーメント M 4は、 逆回りのモーメント M 3より小さくなり、 点 P 2よ りレチクル内側の部分 G 4を吸着パッド 9 1から剥離させるモーメントが発生す る。 しかし、 もう一方の吸着パッド 9 1によってレチクル Rの他端部が吸着され ているため、 レチクル; には曲げモーメントが働き、 この曲げモーメントに対す る反モーメント M 4 1が発生する。 その結果、 モーメント M 4 1 , M 4 , M 3が つりあった状態となり、 レチクル Rは歪んでしまう。
図 2 0に示すように、 テーパー開始点 p 3がレチクル端縁から 9 mmの位置に 設定された場合は、 レチクル Rを歪ませる方向のモーメント M 3がさらに大きく なり、 図 2 1に示すように、 テーパー開始点 P 4が内側の隔壁 9 2の上端面に位 置する場合に、 レチクル Rの歪み量が最大になる。
以上のように、 第二実施例では、 ピンチャック型レチクルホルダ 90を用いて いるため、 レチクル Rのテーパー開始点は、 図 18のテーパー開始点 P 1のよう に吸着パッド 9 1の幅方向中央より外側にあればよい。 例えば、 レチクルホルダ 90の各吸着パッド 91の隔壁 92間の中心がレチクル Rの端縁から 6. 5mm に位置している場合には、 端縁から 6 mmよりも外側からテ一パが開始するレチ クルと組み合わせることにより、 吸着されたレチクルの変形を最小限度にとどめ ることが可能となる。また、多数のピン 96がレチクルに接触することによって、 レチクルホルダ 90とレチクルとの間の静止摩擦力を増大させる効果も得られる。
[第三実施例]
本発明では、 レチクル Rの端部にテーパー部を形成する代わりに、 図 23およ び図 24に示すよう レチクル Rの端部を湾曲させておくことにより、 前記同様 の効果を得ることもできる。 以下、 この点について説明する。
図 22に示すように、 厚さが一定で平坦なレチクル Rの両端部に、 レチクル上 面に対して垂直な応力 Pがかかった場合には、 レチクル Rの一端部から距離: X の位置において、 以下の式で表される応力、 剪断力、 曲げモーメント、 および撓 みが生じる。 なお、 レチクルホルダの吸着保持部 (第 1吸着保持部) におけるレ チクル Rの中心側の支持点と外側の支持点との間隔をそれぞれ 1い 吸着保持部 のそれぞれにおける中心側の支持点間の間隔を 12、 中心側の支持点にレチクル Rが載置されたときに生じる前記外側の支持点と前記レチクル Rとの間隔を δ、 大気圧と前記吸着保持部の吸着面積との積を Ρ、 前記レチクル Rの縦弾性係数を Ε、 前記レチクル Rの断面 2次モーメントを Iと表記する。
(反力: R2)
R = i = P
(剪断力: Q)
0< < の場合 Q^-P,
h<x<h + h( i a Q = 0
+ < <2 + 2の場合 Q= i (曲げモーメン卜: M)
0く く の場 M =-Px
(x. V 2 = 0の場合 M =0、 = の場合 M = _Pl
一一
U<x<U + hの場合 M = -Px + P(x-li) = -PL
L + h<x<2L一 ^ ¾ の場合 M = -P(2L + h-x)
(x= + /2の場合 M = -Pl =2 + の場合 M =0)
(撓み)
y 2
M Px
0≤ X≤ /iに対して ( 1)
EI EI
. dy Px2
(2)
dx 2EI
Figure imgf000032_0001
z1≤ ≤z1 + z2に対して =― (4)
dx2 EI
. d ay. PL
x + C3 (5)
dx 2EI
Figure imgf000032_0002
十 ≤x≤2/' + に対して M =-P(2L + L-x) だ、力、ら x'=2U + h-x とすると M =—¾,
(7)
Figure imgf000032_0003
境界条件は
[eq .(2)]x=h = [eq .(5)]x= (1 0) [ ·(3) =0 (1 1)
[ .(6) =0 (1 2)
反対側も対称なので
[ .(5)] =0 (1 3) c, = c5 (1 4)
( 1 o )
以上により
0≤x≤L の場合
Px3 Ph(L + h) PL2(2L + 3h)
y― 6EI 2EI 6EI
L≤x≤U + h の場合
^x2_P (2 + )x + Pl^ + ) ( 1 7 )
' 2EI 2EI 2EI
h + h≤x≤2L + の場合 y =— (2/ + h- xf - Ρίι(ίι + /z) (2h + h-x) + /'2(2/l + h (1 8) 6Ε 2EI ' 6EI
x = 0 の時の切片が撓み量だから
0≤x≤h の場合
„ PL2(2L + 3h)
6EI
■■Ρ= 6ΕΙδ (20)
h 2h + ?>h)
(2 0) 式および (1 6) 式から
δ 3 3δ(1 +
v =—- X + ― + 0 (2 1)
U 2 + 3h) L 2L + 3h)
L≤x≤L + h の場合
(2 0) 式および (1 7) 式から 3δ x2 + 36(21i + )x + 36(L + h) ( 2 2 )
U(2h + 3h) h(2L + 3h) 2/! + 3 h + h<x<2L + h の場合
(20) 式および (18) 式から y= -—— (2Z, + L- x + ^(/l + /2) (2L + h-x) + d (23)
h2(2L + 3 y , L(2h + 3hy ノ
(21) 式, (22) 式, および(23) 式が応力 Pによるレチクル変形を示し ている。 したがって、 応力がかかっていない状態でのレチクルの形状が (2 1) 式、 (22) 式、 あるいは (23) 式の形状であれば、 図 23のように反対側に応 力 Pをかけることにより完全な平面に矯正することが可能である。
また、 図 23に示すように、 支持部①、 ①' と②、 ②, を設けた場合には、 レ チクルの被吸着面と支持部①、 ①' と②、 ②' が接した時点で変形は終了するの で、 必ずしも (20) 式を満たす必要はなく、 以下の (24) 式の関係を満たせ ばよい。 ただし、 <3は (21)、 (22)、 (23) の形状である必要がある。
(24)
6EI
通常、 レチクルの保持にはバキュームチャックを用いるため、 応力 Pは大気圧に 吸着面積を乗じた値となる。 通常支持点の間 1ェの領城が吸着領域となる。
さらに走査型露光装置用のレチクルホルダでは摩擦力が重要であるから、 大き な吸着面積となるように設計される。 この場合の好適な設計例を図 24に示す。 支持点②、 ②' よりも外側に支持点③、 ③' が設けられており、 吸着領域が②か ら③および②, から③, までの領域 13だけそれぞれ増加するので、 より大きな 吸着力および摩擦力が得られる。
領域 13のようなレチクル周辺部は一般に平坦度が悪く、 これら領域 13に支持 点を接触させると、 レチクル Rが大きく撓むため、 避ける必要がある。 例えば図 24中の点線で示すレチクル形状のように、レチクル Rの端部にテーパーを設け、 実線で示す吸着後のレチクルの被吸着面が支持点③、 ③' から離れているように 加工しておけばよい。 この離間量 (後退量) hは 5 以下が望ましい。 領域 1 3の面精度は、領域 12の面精度(通常、 500 nm以下)に比べずつと粗いため、 領域 1 3の加工は容易である。
図 2 4の状態を一般式で説明すると、 レチクル吸着面の精度保証領域 1 4の形 状は (2 1 ) 式、 (2 2 ) 式、 (2 3 ) 式、 および (2 4 ) 式の関係を満たし、 支 持点③、 ③' では以下の (2 5 ) 式を満たせばよい。
- h = X c るレ
x = 2h + L + h の場合 y < ^ δ- ~~ (- )3 + + 2) ) + δ ( 2 5 )
U 2L + 3hy ノ L(2L + 3hy ノ
なお、 レチクルの被吸着面の領域 1 3を後退させる代わりに、 レチクルホルダの 支持点③、 ③' に相当する部分の深さ 5 i m程度を削っておくことにより、 同様 の目的を達することもできるし、 レチクルの被吸着面の領域 1 3およびレチクル ホルダの支持点③、 ③' に相当する部分の両者をそれぞれ後退させておくことも 可能である。 '
なお、上記第 1, 第 2実施例において、 レチクルを吸着保持した後に、重力(レ チクルの自重) によってレチクルのパターン面が微少量撓むが、 この量を予め計 算によって求めることができるため、 投影光学系の可動レンズ群を駆動すること により、 レチクルのパターン面の撓みによって生じる像面湾曲を補正することが できる。 産業上の利用の可能性
本発明の保持方法によれば、被吸着面のうち所定の面精度を有する第 1領域と、 被吸着面のうち第 1領域以外の第 2領域とのそれぞれを、 第 1保持部と第 2保持 部とによつてそれぞれ個別に吸着保持するようにしたので、 第 1保持部によつて 試料全体の面精度を悪化させずに試料を安定して保持することができるとともに、 第 2保持部によって試料の吸着される面全体を大きくすることができ、 安定した 保持が可能である。

Claims

請求の範囲
1 . 平板状の試料の被吸着面を保持する保持装置であって、
前記被吸着面のうち所定の面精度を有する第 1領域に対向する第 1保持部と、 前記被吸着面のうち前記第 1領域以外の第 2領域に対向する第 2保持部と、 前記被吸着面と前記第 1保持部及び前記第 2保持部との間の空間の気体を吸引 する吸引装置とを備える保持装置。
2 . 請求項 1記載の保持装置であって、
前記吸引装置は、 前記被吸着面と前記第 1保持部との間の空間の気体を吸引す る第 1吸引装置と、 前記被吸着面と前記第 2保持部との間の空間の気体を吸引す る第 2吸引装置とを備える。
3 . 請求項 1記載の保持装置であって、
前記第 1保持部及び前記第 2保持部のそれぞれは、 前記被吸着面に対してそれ ぞれ複数位置に配置されている。
4. 請求項 1記載の保持装置であって、
前記第 1保持部と前記第 2保持部とは隣接して配置され、
隣接する前記第 1保持部と前記第 2保持部との境界部は、 少なくとも前記第 1 領域に配置されている。
5 . 請求項 1記載の保持装置であって、
前記第 1保持部と前記第 1領域とは接しており、 前記第 2保持部と前記第 2領 域とは所定の間隔を有するように設定されている。
6 . 請求項 1記載の保持装置であって、
前記第 1領域は、 前記被吸着面のほぼ中央部に形成されている平面部であり、 前記第 2領域は、 前記中央部の外側に、 中央側から外側に向かって前記第 2保 持部から離れる方向に形成されたテーパ部である。
7 . 請求項 1記載の保持装置であって、
前記被吸着面の形状に応じて、 前記第 2保持部の高さ位置が設定されている。
8 . 請求項 1記載の保持装置であって、
前記第 2保持部の高さ位置は、 前記第 1保持部より前記被吸着面に対して低い 位置に設定されている。
9 . 請求項 1記載の保持装置であって、
前記第 1吸引装置による単位時間あたりの気体の吸引量と、
前記第 2吸引装置による単位時間あたりの気体の吸引量とを個別に制御する制 御装置を備える。
1 0 . 請求項 1記載の保持装置であって、
前記第 1吸引装置による単位時間当たりの気体の吸引量は、 前記第 2吸引装置 による単位時間当たりの気体の吸引量より多く設定されている。
1 1 . 請求項 1記載の保持装置であって、
前記第 1保持部の前記第 1領域に対する面積は、 前記第 2保持部の前記第 2領 域に対する面積より大きく設定されている。
1 2 . 請求項 1記載の保持装置であって、
ピンチャックホルダを有し、 前記第 1保持部および前記第 2保持部は、 前記ピ ンチャックホルダの吸着パッドである。
1 3 . 平板状の試料の被吸着面を保持する保持方法であって、
前記被吸着面のうち所定の面精度を有する第 1領域と、 前記被吸着面のうち前 記第 1領域以外の第 2領域とのそれぞれを、 第 1保持部と第 2保持部とによって それぞれ個別に吸着保持する保持方法。
1 4 . 請求項 1 3記載の保持方法であって、
前記第 2保持部と前記第 2領域との間に所定の間隔を有しつつ前記保持を行う。
1 5 . 請求項 1 3記載の保持方法であって、
前記第 1保持部の前記第 1領域に対する面積を、 前記第 2保持部の前記第 2領 域に対する面積より大きく設定する。
1 6 . マスクホルダに保持されたマスクのパターンを基板ホルダに保持された基 板に露光する露光装置であって、
前記マスクホルダと前記基板ホルダとの少なくとも一方には、 請求項 1記載の 保持装置が用いられている露光装置。
1 7 . リソグラフイエ程を備えるデバイス製造方法であって、
前記リソグラフィ工程で請求項 1 6記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
1 8 . 所定の許容範囲内で吸着面が第 1の方向に向けて凸状を有するマスクを、 前記第 1の方向に対向して配置された一対の第 1吸着保持部で保持するマスクの 保持方法であって、
前記各第 1吸着保持部における前記マスクの中心側の支持点と外側の支持点と の間隔をそれぞれ 1い 前記各第 1吸着保持部のそれぞれにおける前記中心側の 支持点間の間隔を 1 2、 前記中心側の支持点に前記マスクが載置されたときに生 じる前記外側の支持点と前記マスクとの間隔を δ、 大気圧と前記第 1吸着保持部 の吸着面積との積を Ρ、 前記マスクの縦弹性係数を Ε、 前記マスクの断面 2次モ 一メントを Iとしたとき、
(5 <Ρ 1!2 ( 2 1 ! + 3 1 2) / 6 Ε I
の関係式を満たすように前記マスクを保持するマスク保持方法。
1 9 . 請求項 1 8記載のマスク保持方法であって、
前記第 1吸着保持部を用いて、 前記マスクの吸着面における面精度保証領或を 保持するとともに、 前記面精度保証領域外を第 2吸着保持部を用いて保持する。
2 0 ..講求項 1 9記載の保持方法であって、
前記第 1吸着保持部を用いて前記マスクを吸着した際、 前記第 2吸着保持部と 前記マスクとの間に所定の間隔を有するように前記マスクを保持する。
2 1 . 所定の許容範囲内で吸着面が第 1の方向に向けて凸状を有するマスクを、 前記第 1の方向に対向して配置された一対の第 1吸着保持部で保持するマスクの 保持装置であって、
前記各第 1吸着保持部における前記マスクの中心側の支持点と外側の支持点と の間隔をそれぞれ 1い 前記各第 1吸着保持部のそれぞれにおける前記中心側の 支持点間の間隔を 1 2、 前記中心側の支持点に前記マスクが載置されたときに生 じる前記外側の支持点と前記マスクとの間隔を (5、 大気圧と前記第 1吸着保持部 の吸着面積との積を P、 前記マスクの縦弾性係数を E、 前記マスクの断面 2次モ —メントを Iとしたとき、
(5 <P 1 x 2 ( 2 1 χ + 3 1 2) / 6 E 1
の関係式を満たすように前記第 1吸着保持部がそれぞれ配置されているマスク保
2 2 . 請求項 2 1記載のマスク保持装置であって、
前記第 1吸着保持部を用いて、 前記マスクの吸着面における面精度保証領域を 保持するとともに、 前記面精度保証領域外を保持する第 2吸着保持部をさらに有 する。
2 3 . 請求項 2 2記載のマスク保持装置であって、
前記第 1吸着保持部を用いて前記マスクを吸着した際、 前記第 2吸着保持部と 前記マスクとの間に所定の間隔を有するように前記マスクを保持する。
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